KR20190011798A - White light emitting diode, backlight unit, and display including the same - Google Patents

White light emitting diode, backlight unit, and display including the same Download PDF

Info

Publication number
KR20190011798A
KR20190011798A KR1020190010557A KR20190010557A KR20190011798A KR 20190011798 A KR20190011798 A KR 20190011798A KR 1020190010557 A KR1020190010557 A KR 1020190010557A KR 20190010557 A KR20190010557 A KR 20190010557A KR 20190011798 A KR20190011798 A KR 20190011798A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
light emitting
green
semiconductor nanocrystals
red
emitting semiconductor
Prior art date
Application number
KR1020190010557A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR102085275B1 (en
Inventor
장은주
김영환
장효숙
전신애
권수경
홍석환
Original Assignee
삼성전자주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전자주식회사 filed Critical 삼성전자주식회사
Priority to KR1020190010557A priority Critical patent/KR102085275B1/en
Publication of KR20190011798A publication Critical patent/KR20190011798A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR102085275B1 publication Critical patent/KR102085275B1/en
Priority to GB2012323.8A priority patent/GB2589417B/en

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1345—Conductors connecting electrodes to cell terminals
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
    • G09G3/22—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources
    • G09G3/30—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels
    • G09G3/32—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED]
    • G09G3/3208—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED]
    • G09G3/3266—Details of drivers for scan electrodes
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/1336—Illuminating devices
    • G02F1/133602—Direct backlight
    • G02F1/133609—Direct backlight including means for improving the color mixing, e.g. white
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/133357—Planarisation layers
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/133509—Filters, e.g. light shielding masks
    • G02F1/133514—Colour filters
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/1336—Illuminating devices
    • G02F1/133602—Direct backlight
    • G02F1/133603—Direct backlight with LEDs
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1345—Conductors connecting electrodes to cell terminals
    • G02F1/13458—Terminal pads
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
    • G09G3/34—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters by control of light from an independent source
    • G09G3/36—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters by control of light from an independent source using liquid crystals
    • G09G3/3611—Control of matrices with row and column drivers
    • G09G3/3674—Details of drivers for scan electrodes
    • G09G3/3677—Details of drivers for scan electrodes suitable for active matrices only
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F2202/00—Materials and properties
    • G02F2202/36—Micro- or nanomaterials
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
    • G09G2300/04—Structural and physical details of display devices
    • G09G2300/0421—Structural details of the set of electrodes
    • G09G2300/0426—Layout of electrodes and connections
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2310/00—Command of the display device
    • G09G2310/02—Addressing, scanning or driving the display screen or processing steps related thereto
    • G09G2310/0264—Details of driving circuits
    • G09G2310/0267—Details of drivers for scan electrodes, other than drivers for liquid crystal, plasma or OLED displays
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2310/00—Command of the display device
    • G09G2310/02—Addressing, scanning or driving the display screen or processing steps related thereto
    • G09G2310/0264—Details of driving circuits
    • G09G2310/0281—Arrangement of scan or data electrode driver circuits at the periphery of a panel not inherent to a split matrix structure
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2310/00—Command of the display device
    • G09G2310/02—Addressing, scanning or driving the display screen or processing steps related thereto
    • G09G2310/0264—Details of driving circuits
    • G09G2310/0286—Details of a shift registers arranged for use in a driving circuit
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2320/00—Control of display operating conditions
    • G09G2320/02—Improving the quality of display appearance
    • G09G2320/0223—Compensation for problems related to R-C delay and attenuation in electrodes of matrix panels, e.g. in gate electrodes or on-substrate video signal electrodes

Abstract

The present invention is to provide a liquid display device including a white light emitting diode. The white light emitting diode includes: an LED light source which emits blue light; and a light converting layer which converts incident light from the LED light source into white light. In addition, the light converting layer includes a green light emitting semiconductor nanocrystal and a red light emitting semiconductor nanocrystal. An emission peak wavelength of the green light emitting semiconductor nanocrystal is approximately 530 nm or greater while an emission peak wavelength of the red light emitting semiconductor nanocrystal is approximately 615 nm or greater. A full width at half maximum (FWHM) of the emission peak of the green and red light emitting semiconductor nanocrystals is approximately 45 nm or less. Moreover, a rate that an emission spectrum of the green light emitting semiconductor nanocrystal passes a green color filter is 95% or greater of the maximum transmittance rate of the green color filter while a rate that emission spectrum of the green light emitting semiconductor nanocrystal passes a red color filter is approximately under 10% of the maximum transmittance rate of the red color filter. A rate that an emission spectrum of the red light emitting semiconductor nanocrystal passes the red color filter is 95% or greater of the maximum transmittance rate of the red color filter while a rate that emission spectrum of the red light emitting semiconductor nanocrystal passes the greed color filter is approximately under 10% of the maximum transmittance rate of the green color filter. Therefore, the liquid display device including a white light emitting diode can provide high color reproduction and light emission efficiency, and can stably maintain white light.

Description

백색 발광 다이오드, 백라이트 유닛, 및 이를 포함한 디스플레이 장치 {WHITE LIGHT EMITTING DIODE, BACKLIGHT UNIT, AND DISPLAY INCLUDING THE SAME}BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a white light emitting diode (LED), a backlight unit,

본 기재는 백색 발광 다이오드를 포함하는 디스플레이 장치에 관한 것이다.The present disclosure relates to a display device including a white light emitting diode.

반도체를 이용한 백색 발광 다이오드(White Light Emitting Diode)는 수명이 길고, 소형화가 가능하며, 소비전력이 적고, 수은 등을 포함하는 않는 환경친화적인 특징으로 인해 기존의 발광소자를 대체할 수 있는 차세대 발광소자 중 하나로서 각광 받고 있다. 이러한 백색 발광 다이오드는 액정 디스플레이(LCD)의 백라이트(backlight)나 자동차의 계기 판넬 등에도 사용되고 있다.White light emitting diodes (LEDs) using semiconductors have a long life span, can be miniaturized, have low power consumption, and are environmentally friendly, which does not include mercury, As one of the devices. Such a white light emitting diode is also used in a backlight of a liquid crystal display (LCD) or an instrument panel of an automobile.

특히 액정 디스플레이의 백라이트로 사용하기 위해서, 효율 및 색순도가 우수한 삼색(적색, 녹색, 청색) 발광 다이오드를 모두 사용하는 방법이 기존에 제시되어 왔으나, 제조비용이 고가이고 구동회로가 복잡하기 때문에 제품의 가격 경쟁력이 크게 떨어지는 단점이 있다. 따라서 기존의 방법과 같이 효율 및 색순도의 성능을 유지하면서도, 제조 비용을 낮출 수 있고 소자의 구조를 단순화할 수 있는 단일 칩 솔루션(One Chip Solution)의 개발이 요청되고 있다.(Red, green, and blue) light emitting diodes excellent in efficiency and color purity have been proposed for use as a backlight of a liquid crystal display. However, since the manufacturing cost is high and the driving circuit is complicated, There is a drawback that price competitiveness is greatly reduced. Therefore, it is required to develop a single chip solution which can reduce the manufacturing cost and simplify the device structure while maintaining the efficiency and color purity performance as in the conventional method.

단일 칩 솔루션의 하나로 450nm의 파장을 가지는 InGaN계 청색 발광 다이오드에 YAG:Ce 형광체를 조합한 백색 LED가 개발되었다. 이러한 발광 다이오드는 청색 발광 다이오드에서 발생하는 청색광의 일부가 YAG:Ce 형광체를 여기시켜 황록색을 발생시키게 되며, 상기 청색과 황록색이 합성되어 백색을 발광시키는 원리로 동작한다.As one of the single chip solutions, a white LED combining a YAG: Ce phosphor with an InGaN blue light emitting diode having a wavelength of 450 nm was developed. In such a light emitting diode, a part of the blue light generated in the blue light emitting diode excites the YAG: Ce phosphor to generate a yellow green color, and the blue and yellow green colors are synthesized to operate as a principle of emitting white light.

그러나, 청색 발광 다이오드에 YAG:Ce 형광체를 조합한 백색 LED의 빛은 가시광선 영역의 일부 스펙트럼만을 가지고 있기 때문에 연색지수(color rendering index)가 낮고 적색, 녹색, 청색의 컬러 필터를 통과하게 되면 컬러 필터를 통과하지 못한 부분이 많아 효율이 손실된다. 또한 이에 따라 색순도가 낮은 문제점도 발생하게 되어 TV 등의 고화질을 요구하는 표시 소자에 응용하기 적절하지 못한 한계가 있다.However, since white light of a combination of a blue light emitting diode and a YAG: Ce phosphor has only a spectrum in the visible light region, when the color rendering index is low and passes through the red, green, and blue color filters, The efficiency is lost because there are many parts that can not pass through the filter. Also, there is a problem that the color purity is low, which is not suitable for a display device requiring high picture quality such as TV.

최근에는 청색 발광 다이오드를 여기원으로 사용하는 것보다, 에너지 효율이 높을 것으로 기대되는 자외선 발광 다이오드를 여기원으로 사용하고, 청색, 녹색, 적색의 발광체를 사용하여 백색 발광 다이오드를 제조하는 방법도 연구되고 있다. 그러나, 현재는 청색 및 녹색에 비교하여, 효율이 높은 적색 발광체의 개발이 요구되고 있다.Recently, a method of manufacturing a white light emitting diode by using an ultraviolet light emitting diode, which is expected to have high energy efficiency, as an excitation source and using a blue, green, and red light emitting material, as compared with the case where a blue light emitting diode is used as an excitation source . However, at present, development of a red phosphor having higher efficiency than blue and green is required.

또 다른 방법으로, 청색 발광 다이오드 위에 녹색 및 적색 무기 형광체를 도포하는 방법도 시도되고 있지만, 비교적 높은 에너지로 여기되는 무기 형광체를 가시광 영역의 청색 파장으로 여기시킬 수 있는 적절한 물질이 개발되어 있지 않고, 현재까지 개발된 녹색 형광체는 안정성이 낮고 색순도가 좋지 않으며, 적색 형광체는 효율이 낮은 문제점을 아직 해결할 수 없어 백라이트 유닛용 발광 다이오드에서 필요로 하는 색순도와 광효율을 확보할 수 없는 한계가 있다.As another method, a method of applying green and red inorganic phosphors on a blue light emitting diode has been attempted. However, a suitable material capable of exciting a relatively high energy excited inorganic phosphor to a blue wavelength in a visible light region has not been developed, The green phosphor developed until now can not solve the problem of low stability, poor color purity, and low efficiency of the red phosphor, so that there is a limit that the color purity and the light efficiency required for the light emitting diode for the backlight unit can not be secured.

본 발명의 일 측면은 색재현율과 발광효율이 높으면서도 안정적으로 백색광을 유지할 수 있는 백색 발광 다이오드를 포함하는 액정 디스플레이 장치를 제공하기 위한 것이다.One aspect of the present invention is to provide a liquid crystal display device including a white light emitting diode capable of maintaining white light stably while maintaining a high color reproduction ratio and high luminous efficiency.

본 발명의 일 측면에 따르면, 백색 발광 다이오드 및 백색광을 이용하여 화상을 구현하는 컬러 필터를 포함하는 액정 디스플레이 장치를 제공한다. 상기 백색 발광 다이오드는 청색광을 방출하는 LED 광원 및 상기 LED 광원으로부터 입사된 광을 백색광으로 전환시키는 광전환층을 포함하고, 상기 광전환층은 녹색 발광 반도체 나노결정 및 적색 발광 반도체 나노결정을 포함하는 백색 발광 다이오드가 제공된다. 상기 녹색 발광 반도체 나노결정의 발광피크 파장은 약 530nm 이상이고, 상기 적색 반도체 나노 결정의 발광피크 파장은 약 615nm 이상이고, 상기 녹색 및 적색 발광 반도체 나노결정의 발광피크의 반치폭(full width at half maximum, FWHM)이 약 45nm 이하이다. 또한 상기 녹색 발광 반도체 나노결정의 발광 스펙트럼이 녹색 컬러 필터를 투과하는 비율은 녹색 컬러 필터의 최대 투과율의 95% 이상이고, 적색 컬러 필터를 투과하는 비율은 적색 컬러 필터 최대 투과율의 약 10% 미만이며, 상기 적색 발광 반도체 나노결정의 발광 스펙트럼이 적색 컬러 필터를 투과하는 비율은 적색 컬러 필터의 최대 투과율의 약 95% 이상이고, 녹색 컬러 필터를 투과하는 비율은 녹색 컬러 필터의 최대 투과율의 약 10%이다. According to an aspect of the present invention, there is provided a liquid crystal display device including a color filter that implements an image using a white light emitting diode and white light. Wherein the white light emitting diode comprises an LED light source emitting blue light and a light switching layer converting light incident from the LED light source into white light, wherein the light conversion layer comprises green light emitting semiconductor nanocrystals and red light emitting semiconductor nanocrystals A white light emitting diode is provided. Wherein the emission peak wavelength of the green light emitting semiconductor nanocrystals is about 530 nm or more, the emission peak wavelength of the red semiconductor nanocrystals is about 615 nm or more, and the full width at half maximum of the emission peak of the green and red light emitting semiconductor nanocrystals , FWHM) is about 45 nm or less. The ratio of the emission spectrum of the green light emitting semiconductor nanocrystals to the green color filter is 95% or more of the maximum transmittance of the green color filter and the ratio of the red color filter is less than about 10% of the maximum transmittance of the red color filter , The ratio of the emission spectrum of the red light emitting semiconductor nanocrystals to the red color filter is at least about 95% of the maximum transmittance of the red color filter, and the ratio of the green color filter to the green color filter is about 10% to be.

본 발명의 다른 측면에 따르면, 상기 녹색 발광 반도체 나노결정의 발광피크 파장은 530nm 이상이고, 상기 적색 반도체 나노 결정의 발광피크 파장은 615nm 이상이고, 상기 녹색 및 적색 발광 반도체 나노결정의 발광피크의 반치폭이 45nm 이하이고, CIE1931 좌표의 NTSC 색좌표에 비하여 90% 이상, 더욱 바람직하게는 100% 이상의 색재현율을 가지는 것인 백색 발광 다이오드가 제공된다. According to another aspect of the present invention, the emission peak wavelength of the green light emitting semiconductor nanocrystals is 530 nm or more, the emission peak wavelength of the red semiconductor nanocrystals is 615 nm or more, and the half width Is 45 nm or less, and has a color reproduction ratio of 90% or more, more preferably 100% or more, as compared with the NTSC color coordinates of the CIE 1931 coordinate.

상기 녹색 발광 반도체 나노결정의 발광 스펙트럼의 총면적(AG)과 적색 발광 반도체 나노결정의 발광 스펙트럼의 총면적(AR)의 중첩되는 영역의 면적(S)의 비율(S/(AG 또는 AR))이 약 10% 이하, 좋게는 약 7% 이하일 수 있다.(S / (A G or A R ) of the area S of the overlapping region of the total area (A G ) of the emission spectrum of the green light emitting semiconductor nanocrystals with the total area (A R ) of the emission spectrum of the red light emitting semiconductor nanocrystals )) May be about 10% or less, preferably about 7% or less.

상기 녹색 및 적색 발광 반도체 나노결정의 발광피크의 반치폭이 약 40nm 이하일 수 있다.The half-width of the emission peak of the green and red light-emitting semiconductor nanocrystals may be about 40 nm or less.

상기 청색광을 방출하는 LED 광원의 발광피크 파장은 약 440 내지 약 460nm이고, 상기 녹색 발광 반도체 나노결정의 발광피크 파장은 약 530 내지 약 550nm이고 상기 적색 발광 반도체 나노결정의 발광피크 파장은 약 620 내지 약 640nm일 수 있다.Wherein the emission peak wavelength of the LED light source emitting blue light is about 440 to about 460 nm, the emission peak wavelength of the green light emitting semiconductor nanocrystals is about 530 to about 550 nm, and the emission peak wavelength of the red light emitting semiconductor nanocrystals is about 620 Lt; / RTI >

상기 청색광을 방출하는 LED 광원의 발광세기의 비율은 약 0.43±0.05이고, 상기 녹색 발광 반도체 나노결정의 발광세기의 비율은 약 0.27±0.05이고 상기 적색 발광 반도체 나노결정의 발광세기의 비율은 약 0.28±0.05일 수 있다.The ratio of the emission intensity of the LED light source emitting the blue light is about 0.43 ± 0.05, the ratio of the emission intensity of the green light emitting semiconductor nanocrystals is about 0.27 ± 0.05, and the ratio of the emission intensity of the red light emitting semiconductor nanocrystals is about 0.28 Lt; / RTI >

상기 백색 발광 다이오드의 색좌표의 x좌표는 약 0.24±0.05이고 y 좌표는 약 0.21±0.05이고, 색온도는 약 9500K 내지 약 100000K일 수 있다. The x coordinate of the color coordinate of the white light emitting diode is about 0.24 +/- 0.05, the y coordinate is about 0.21 +/- 0.05, and the color temperature is about 9500K to about 100000K.

상기 녹색 발광 반도체 나노결정의 발광 스펙트럼이 녹색 컬러 필터를 투과하는 비율이 녹색 컬러 필터의 최대 투과율 대비 약 98% 이상이고, 적색 컬러 필터를 투과하는 비율이 적색 컬러 필터의 최대 투과율 대비 약 5% 미만이고, 상기 적색 발광 반도체 나노결정의 발광 스펙트럼이 적색 컬러 필터를 투과하는 비율이 적색 컬러 필터의 최대 투과율 대비 약 98% 이상이고, 녹색 컬러 필터를 투과하는 비율이 녹색 컬러 필터의 최대 투과율 대비 약 5% 미만일 수 있다. Wherein the ratio of the emission spectrum of the green light emitting semiconductor nanocrystals to the green color filter is about 98% or more of the maximum transmittance of the green color filter and the ratio of the red color filter is less than about 5% of the maximum transmittance of the red color filter Wherein the ratio of the emission spectrum of the red light emitting semiconductor nanocrystals to the red color filter is about 98% or more of the maximum transmittance of the red color filter, and the ratio of the green color filter to the green color filter is about 5 % ≪ / RTI >

본 발명의 또 다른 측면에 따르면, 상기 백색 발광 다이오드 및 상기 백색광을 이용하여 화상을 구현하는 컬러 필터를 포함하는 액정 패널을 포함하는 액정 디스플레이 장치가 제공된다.According to another aspect of the present invention, there is provided a liquid crystal display device including a liquid crystal panel including a color filter that implements an image using the white light emitting diode and the white light.

상기 액정 디스플레이 장치의 컬러 필터 투과 후의 청색, 녹색 및 적색 발광 스펙트럼의 발광세기의 비가 약 1: 0.9±0.1: 0.8±0.1의 범위에 있다.The ratio of the luminescence intensities of the blue, green and red luminescence spectra after passing through the color filter of the liquid crystal display device is in the range of about 1: 0.9 0.1: 0.8 0.1.

상기 백색 발광 다이오드는 색재현율과 발광효율이 높으면서도 안정적으로 백색광을 유지할 수 있다.The white light emitting diode can maintain white light stably while maintaining a high color reproduction ratio and high luminous efficiency.

도 1 내지 도 4는 다양한 구조를 가지는 광전환층을 포함하는 백색 발광 다이오드의 단면도이다.
도 5는 본 발명의 일 구현예에 따른 액정 디스플레이 장치의 개략도이다.
도 6은 실시예 1에 따른 백색 발광 다이오드의 발광 스펙트럼을 도시한 도면이다.
도 7은 실시예 1에 따른 백색 발광 다이오드의 컬러 필터 투과후의 발광 스펙트럼을 도시한 도면이다.
도 8은 실시예 1에 따른 백색 발광 다이오드의 컬러 필터 전후의 발광 스펙트럼과 컬러 필터의 청색, 녹색 및 적색의 상대적인 투과율 비율을 도시한 도면이다.
도 9는 비교예 3에 따른 형광체를 이용한 LED의 발광 스펙트럼을 나타낸 도면이다.
도 10은 비교예 3에 따른 백색 발광 다이오드의 컬러 필터 전후의 발광 스펙트럼과 컬러 필터의 청색, 녹색 및 적색의 상대적인 투과율 비율을 도시한 도면이다.
도 11은 백라이트 유닛의 백색 좌표(x, y)를 0.28±0.05 및 0.29±0.05로 맞춘 상태에서 실시예 1의 백색 발광 다이오드의 발광 스펙트럼을 보인 그래프이다.
도 12는 실시예 1과 비교예 3에 따른 백색 발광 다이오드의 컬러 필터 투과후의 발광 스펙트럼을 보인 도면이다.
도 13은 실시예 1 및 비교예 3에 따른 백색 발광 다이오드의 시감도(Photopic sensitivity)를 반영하여 나타낸 휘도 스펙트럼을 보인 도면이다.1 to 4 are sectional views of a white light emitting diode including a light conversion layer having various structures.
5 is a schematic view of a liquid crystal display device according to an embodiment of the present invention.
6 is a diagram showing an emission spectrum of a white light emitting diode according to Example 1. FIG.
7 is a diagram showing the emission spectrum of a white light emitting diode according to Example 1 after passing through a color filter.
8 is a diagram showing the emission spectra before and after the color filter of the white light emitting diode according to Example 1 and the relative transmittance ratios of blue, green and red of the color filter.
9 is a diagram showing an emission spectrum of an LED using a phosphor according to Comparative Example 3. Fig.
10 is a diagram showing the emission spectra before and after the color filter of the white light emitting diode according to Comparative Example 3 and the relative transmittance ratios of blue, green and red of the color filter.
11 is a graph showing the emission spectrum of the white light emitting diode of Example 1 with the white coordinate (x, y) of the backlight unit adjusted to 0.28 0.05 and 0.29 0.05.
12 is a diagram showing the emission spectra of the white light emitting diodes according to Example 1 and Comparative Example 3 after transmission through a color filter.
FIG. 13 is a graph showing the luminance spectra reflected by the photopic sensitivity of the white light emitting diode according to Example 1 and Comparative Example 3. FIG.

이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 구현예에 대하여 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 구현예에 한정되지 않는다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings so that those skilled in the art can easily carry out the present invention. The present invention may, however, be embodied in many different forms and should not be construed as limited to the embodiments set forth herein.

도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었다. 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 동일한 도면 부호를 붙였다. 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "위에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우 뿐만 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 반대로 어떤 부분이 다른 부분 "바로 위에" 있다고 할 때에는 중간에 다른 부분이 없는 것을 뜻한다.In the drawings, the thickness is enlarged to clearly represent the layers and regions. Like parts are designated with like reference numerals throughout the specification. Whenever a portion of a layer, film, region, plate, or the like is referred to as being "on" another portion, it includes not only the case where it is "directly on" another portion, but also the case where there is another portion in between. Conversely, when a part is "directly over" another part, it means that there is no other part in the middle.

이하 본 발명의 일 구현예에 따른 백색 발광 다이오드에 대하여 설명한다.Hereinafter, a white light emitting diode according to an embodiment of the present invention will be described.

청색광을 방출하는 LED 광원 및 상기 LED 광원으로부터 입사된 광을 백색광으로 전환시키는 광전환층을 포함하고, 상기 광전환층은 녹색 발광 반도체 나노결정 및 적색 발광 반도체 나노결정을 포함하는 백색 발광 다이오드가 제공된다. And a light conversion layer for converting the light incident from the LED light source into white light, wherein the light conversion layer comprises a white light emitting diode including green light emitting semiconductor nanocrystals and red light emitting semiconductor nanocrystals do.

상기 백색 발광 다이오드에서는 청색 LED 광원에서 방사되는 빛에 의해서 녹색 발광 반도체 나노결정 및 적색 발광 반도체 나노결정이 여기되어 녹색광 및 적색광을 방사하고, 이러한 녹색광 및 적색광과 광전환층을 투과하여 나온 청색광이 조합되어 백색이 구현된다.In the white light emitting diode, green light emitting semiconductor nanocrystals and red light emitting semiconductor nanocrystals are excited by light emitted from a blue LED light source to emit green light and red light, and blue light emitted from the green light and red light, And white is realized.

상기 청색 LED 광원의 발광피크 파장은 440 내지 460nm의 범위에 있고, 상기 녹색 발광 반도체 나노결정의 발광피크 파장은 약 530nm 이상이고, 좋게는 530 내지 550nm의 범위에 있으며, 적색 반도체 나노 결정의 발광피크 파장은 약 615nm 이상이고, 좋게는 620 내지 640nm의 범위에 있다. 또한, 상기 녹색 및 적색 발광 반도체 나노결정의 발광피크의 반치폭이 약 45nm 이하이고 좋게는 40nm 이하의 범위에 있다. 상기 파장과 반치폭이 상기 범위에 있는 경우 색재현율과 휘도가 우수하게 개선된 발광소자를 제공할 수 있다. The emission peak wavelength of the blue LED light source is in the range of 440 to 460 nm and the emission peak wavelength of the green light emitting semiconductor nanocrystals is in the range of about 530 nm or more, preferably 530 to 550 nm, and the emission peak of the red semiconductor nanocrystals The wavelength is at least about 615 nm, and preferably in the range of 620 to 640 nm. The half-width of the emission peak of the green and red light-emitting semiconductor nanocrystals is about 45 nm or less, preferably 40 nm or less. When the wavelength and the half width are within the above range, it is possible to provide a light emitting device having improved color reproduction rate and brightness .

*액정 디스플레이 장치의 컬러 필터는 각 색의 영역이 넓게 분포하여 겹친 부분이 존재하므로, 청색 컬러 필터를 투과해서 일부 녹색 영역의 발광이 동시에 일어나거나, 녹색 컬러 필터를 투과해서 청색 및 적색 영역의 발광이 동시에 일어나거나, 적색 컬러 필터를 투과해서 녹색 영역의 발광이 동시에 일어날 수 있다. 이에 따라 액정 디스플레이 장치에서 색을 구동할 때 각각의 색을 표현하는 색좌표가 변화하게 되어 색재현율을 좌우하게 된다. * Since the color filters of the liquid crystal display device are widely distributed with overlapping portions of the respective colors, light is emitted in a part of the green region through the blue color filter or transmitted through the green color filter to emit light in the blue and red regions May occur at the same time, or may be simultaneously transmitted through the red color filter to emit light in the green region. Accordingly, when the color is driven in the liquid crystal display device, the color coordinates expressing the respective colors are changed to control the color reproduction rate.

백라이트 유닛으로 사용될 수 있는 백색 발광 다이오드의 발광체로 반도체 나노결정을 사용하여 백색 발광 다이오드의 녹색 및 적색 반도체 나노 결정의 발광 스펙트럼이 각각의 녹색 컬러 필터와 적색 컬러 필터를 투과하는 비율을 조절함으로써 높은 발광 효율과 휘도 그리고 개선된 색재현율을 얻을 수 있다. Emitting diode of a white light emitting diode which can be used as a backlight unit, by using semiconductor nanocrystals, the emission spectrum of the green and red semiconductor nanocrystals of the white light emitting diode is controlled by the ratio of the green color filter and the red color filter, Efficiency, brightness and improved color reproduction can be obtained.

본 발명의 일 구현예에서는 상기 녹색 발광 반도체 나노결정의 발광 스펙트럼이 녹색 컬러 필터를 투과하는 비율이 녹색 컬러 필터의 최대 투과율의 약 95% 이상, 좋게는 약 98% 이상이고, 적색 컬러 필터를 투과하는 비율이 적색 컬러 필터의 최대 투과율의 약 10% 미만이고, 좋게는 약 5% 미만이고, 상기 적색 발광 반도체 나노결정의 발광 스펙트럼이 적색 컬러 필터를 투과하는 비율이 적색 컬러 필터의 최대 투과율의 약 95% 이상이고, 좋게는 약 98% 이상이고, 녹색 컬러 필터를 투과하는 비율이 녹색 컬러 필터의 최대 투과율의 약 10% 미만이고, 좋게는 약 5% 미만일 수 있다. 상기 범위로 투과율을 조절하면 개선된 색재현율과 휘도를 얻을 수 있다. 상기 컬러 필터의 최대 투과율은 컬러 필터 투과율 스펙트럼의 최대 투과율을 나타내는 파장에서의 투과율을 100%로 가정할 경우, 해당 광원의 발광세기에 컬러 필터의 투과율을 곱하여 얻어지는 투과율을 의미한다. In one embodiment of the present invention, the ratio of the emission spectrum of the green light emitting semiconductor nanocrystals to the green color filter is about 95% or more, preferably about 98% or more of the maximum transmittance of the green color filter. Is less than about 10% of the maximum transmittance of the red color filter, preferably less than about 5%, and the ratio of the emission spectrum of the red light emitting semiconductor nanocrystals to the red color filter is about the maximum transmittance of the red color filter 95% or greater, preferably about 98% or greater, and the rate of transmission through the green color filter may be less than about 10%, and preferably less than about 5% of the maximum transmittance of the green color filter. By adjusting the transmittance in the above range, an improved color reproduction ratio and luminance can be obtained. The maximum transmittance of the color filter means a transmittance obtained by multiplying the emission intensity of the light source by the transmittance of the color filter, assuming that the transmittance at a wavelength representing the maximum transmittance of the color filter transmittance spectrum is 100%.

본 발명의 다른 구현예에서는 CIE1931 좌표의 NTSC 색좌표에 비하여 90% 이상, 더욱 바람직하게는 100% 이상의 색재현율을 가지는 것인 백색 발광 다이오드가 제공된다.Another embodiment of the present invention provides a white light emitting diode having a color reproduction ratio of 90% or more, more preferably 100% or more, as compared with the NTSC color coordinates of the CIE 1931 coordinate.

상기 녹색 발광 반도체 나노결정의 발광 스펙트럼의 총면적(AG)과 적색 발광 반도체 나노결정의 발광 스펙트럼의 총면적(AR)의 중첩되는 영역의 면적(S)의 비율(S/(AG 또는 AR))이 약 10% 이하, 좋게는 약 7% 이하일 수 있다. 상기 S/(AG 또는 AR)의 비율이 상기 범위에 있는 경우 색재현율과 휘도가 우수하게 개선된 발광소자를 제공할 수 있다. 백색광의 색좌표를 조절하기 위하여, 상기 청색광을 방출하는 LED 광원의 발광세기 비율은 0.43±0.05이고, 상기 녹색 발광 반도체 나노결정의 발광세기 비율은 0.27±0.05이고 상기 적색 발광 반도체 나노결정의 발광세기 비율은 0.28±0.05일 수 있다. 상기 발광세기가 상기 범위에 있으면 더욱 넓은 영역의 색재현 범위를 갖는 백색광을 실현할 수 있다.(S / (A G or A R ) of the area S of the overlapping region of the total area (A G ) of the emission spectrum of the green light emitting semiconductor nanocrystals with the total area (A R ) of the emission spectrum of the red light emitting semiconductor nanocrystals )) May be about 10% or less, preferably about 7% or less. When the ratio of S / (A G or A R ) is in the above range, it is possible to provide a light emitting device having improved color reproduction rate and brightness. In order to adjust the color coordinates of the white light, the emission intensity ratio of the LED light source emitting the blue light is 0.43 ± 0.05, the emission intensity ratio of the green light emitting semiconductor nanocrystals is 0.27 ± 0.05, May be 0.28 +/- 0.05. When the light emission intensity is in the above range, white light having a color reproduction range of a wider area can be realized.

상기 백색 발광 다이오드의 색좌표의 x좌표는 0.24±0.05이고 y 좌표는 0.21±0.05이고, 색온도가 약 9500K 내지 약 100000K일 수 있다. 상기 색좌표와 색온도가 상기 범위에 있으면 더욱 넓은 영역의 색재현 범위를 갖는 백색광을 실현할 수 있으며, 디스플레이의 광원으로 사용 시 다양한 색을 표현할 수 있다.The x coordinate of the color coordinate of the white light emitting diode may be 0.24 ± 0.05, the y coordinate may be 0.21 ± 0.05, and the color temperature may be about 9500K to about 100000K. When the color coordinates and the color temperature are in the above range, white light having a wider color reproduction range can be realized, and various colors can be expressed when used as a light source of a display.

상기 반도체 나노 결정의 예로는 II-VI족 화합물, III-V족 화합물, IV-VI족 화합물, IV족 화합물 등이 있다. 상기 반도체 나노 결정 입자는 코어/쉘(core/shell) 구조일 수 있다. 상기 코어/쉘에서 코어와 쉘의 계면은 쉘에 존재하는 원소의 농도가 중심으로 갈수록 낮아지는 농도 구배(gradient) 구조를 가질 수도 있다. Examples of the semiconductor nanocrystals include a group II-VI compound, a group III-V compound, a group IV-VI compound, and a group IV compound. The semiconductor nanocrystalline particles may have a core / shell structure. The interface between the core and the shell in the core / shell may have a concentration gradient structure in which the concentration of the element existing in the shell decreases toward the center.

상기 II-VI족 화합물은 CdSe, CdTe, ZnS, ZnSe, ZnTe, ZnO MgSe, MgS 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 이원소 화합물; CdSeS, CdSeTe, CdSTe, ZnSeS, ZnSeTe, ZnSTe, CdZnS, CdZnSe, CdZnTe, MgZnSe, MgZnS 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 삼원소 화합물; 및 CdZnSeS, CdZnSeTe, CdZnSTe, 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 사원소 화합물로 이루어진 군에서 선택될 수 있다. 상기 III-V족 화합물은 GaN, GaP, GaAs, GaSb, AlN, AlP, AlAs, AlSb, InN, InP, InAs, InSb, 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 이원소 화합물; GaNP, GaNAs, GaNSb, GaPAs, GaPSb, AlNP, AlNAs, AlNSb, AlPAs, AlPSb, InNP, InNAs, InNSb, InPAs, InPSb, GaAlNP, 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 삼원소 화합물; 및 GaAlNAs, GaAlNSb, GaAlPAs, GaAlPSb, GaInNP, GaInNAs, GaInNSb, GaInPAs, GaInPSb, InAlNP, InAlNAs, InAlNSb, InAlPAs, InAlPSb, 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 사원소 화합물로 이루어진 군에서 선택될 수 있다. 상기 반도체 나노결정의 입자 크기, 조성, 또는 농도 구배를 통하여 발광피크 파장과 반치폭을 조절할 수 있다. The II-VI compound may be selected from the group consisting of CdSe, CdTe, ZnS, ZnSe, ZnTe, ZnO MgSe, MgS, and mixtures thereof; Trivalent compounds selected from the group consisting of CdSeS, CdSeTe, CdSTe, ZnSeS, ZnSeTe, ZnSTe, CdZnS, CdZnSe, CdZnTe, MgZnSe, MgZnS and mixtures thereof; And a silane compound selected from the group consisting of CdZnSeS, CdZnSeTe, CdZnSTe, and mixtures thereof. The III-V compound is selected from the group consisting of GaN, GaP, GaAs, GaSb, AlN, AlP, AlAs, AlSb, InN, InP, InAs, InSb, and mixtures thereof. A trivalent compound selected from the group consisting of GaNP, GaNAs, GaNSb, GaPAs, GaPSb, AlNP, AlNAs, AlNSb, AlPAs, AlPSb, InNP, InNAs, InNSb, InPAs, InPSb, GaAlNP, and mixtures thereof; And a silicate compound selected from the group consisting of GaAlNAs, GaAlNSb, GaAlPAs, GaAlPSb, GaInNP, GaInNAs, GaInNSb, GaInPAs, GaInPSb, InAlNP, InAlNAs, InAlNSb, InAlPAs, InAlPSb, . The semiconductor The emission peak wavelength and half bandwidth can be controlled through the particle size, composition, or concentration gradient of the nanocrystals.

상기 광전환층은 청색광을 방출하는 LED 광원 위에 다양한 구조로 설계될 수 있다. 예를 들어, 상기 광전환층(12)은 도 1에 도시된 바와 같이, 청색광을 방출하는 LED 광원(10) 위에 녹색 발광 반도체 나노결정(14)과 적색 발광 반도체 나노결정(16)의 혼합층으로 구성될 수 있다. 또한 도 2에 도시된 바와 같이 청색광을 방출하는 LED 광원(10) 위에 녹색 발광 반도체 나노 결정(24)을 도포한 다음 이 위에 적색 발광 반도체 나노 결정(26)을 도포하여 광전환층(22)을 형성할 수도 있다. 도 3에 도시된 바와 같이 청색광을 방출하는 LED 광원(10) 위에 적색 발광 반도체 나노 결정층(34)을 형성하고 이 위에 녹색 발광 반도체 나노 결정층(36)을 형성하여 광전환층(32)을 형성할 수도 있다. 상기 적색 발광 반도체 나노 결정층(34)를 형성하고 이 위에 녹색 발광 반도체 나노 결정층(36)은 서로 위치가 바뀔 수도 있다. 즉 LED 광원(10) 위에 녹색 발광 반도체 나노 결정층(34)과 이 위에 위치하는 적색 발광 반도체 나노 결정층(36)이 존재하는 광전환층(32)을 제공할 수도 있다. 도면에는 두 개의 층만이 적층된 광전환층을 도시하였으나 복수개의 층이 존재하는 광전환층도 제공될 수 있음은 물론이다. 도 4에 도시된 바와 같이 녹색 반도체 나노결정(44)과 적색 반도체 나노결정(46)의 복합체 입자로 구성된 광전환층(42)이 제공될 수도 있다. The light conversion layer may be designed in various structures on an LED light source that emits blue light. For example, as shown in FIG. 1, the light conversion layer 12 may include a mixed layer of a green light emitting semiconductor nanocrystal 14 and a red light emitting semiconductor nanocrystal 16 on an LED light source 10 emitting blue light Lt; / RTI > 2, the green light-emitting semiconductor nanocrystals 24 are coated on the LED light source 10 emitting blue light, and then the red light-emitting semiconductor nanocrystals 26 are applied thereon to form the light-converting layer 22 . 3, a red light emitting semiconductor nanocrystal layer 34 is formed on an LED light source 10 emitting blue light, and a green light emitting semiconductor nanocrystal layer 36 is formed on the red light emitting semiconductor nanocrystal layer 34, . The red light emitting semiconductor nanocrystal layer 34 may be formed, and the green light emitting semiconductor nanocrystal layer 36 may be disposed on the red light emitting semiconductor nanocrystal layer 34. That is, the light conversion layer 32 in which the green light emitting semiconductor nanocrystal layer 34 and the red light emitting semiconductor nanocrystal layer 36 located thereon are present on the LED light source 10 may be provided. Although the drawing shows a light conversion layer in which only two layers are stacked, it is needless to say that a light conversion layer having a plurality of layers may also be provided. A light conversion layer 42 composed of composite particles of green semiconductor nanocrystals 44 and red semiconductor nanocrystals 46 may be provided as shown in FIG.

상기 백색 발광 다이오드는 액정 디스플레이 장치의 백라이트 유닛으로 사용될수 있다. 본 발명의 일 구현예에 따른 액정 디스플레이 장치는 상기 구성을 가지는 백색 발광 다이오드와 상기 백색광을 이용하여 화상을 구현하는 컬러 필터를 포함하는 액정 패널을 포함한다.The white light emitting diode may be used as a backlight unit of a liquid crystal display device. A liquid crystal display device according to an embodiment of the present invention includes a liquid crystal panel including a white light emitting diode having the above-described structure and a color filter for implementing an image using the white light.

도 5는 본 발명의 일 구현예에 따른 액정 디스플레이 장치를 개략적으로 도시한 도면이다.5 is a schematic view illustrating a liquid crystal display device according to an embodiment of the present invention.

도 5를 참조하면, 액정 디스플레이 장치는 백라이트 유닛(100)과 상기 백라이트 유닛(100)으로부터 출사된 백색광을 이용하여 소정 색상의 화상을 형성하는 액정 패널(500)을 포함한다. 상기 백라이트 유닛(100)은 상기 백색 발광 다이오드일 수 있다. Referring to FIG. 5, a liquid crystal display device includes a backlight unit 100 and a liquid crystal panel 500 that forms an image of a predetermined color using white light emitted from the backlight unit 100. The backlight unit 100 may be the white light emitting diode.

여기서, 상기 액정 패널(200)은 제1 편광판(201), 액정층(202), 제2 편광판(203) 및 컬러 필터(204)가 순차적으로 배치된 구조를 가질 수 있다. 상기 백라이트 유닛(100)으로부터 출사된 백색광은 제1 편광판(201), 액정층(202) 및 제2 편광판(203)을 투과하게 되고, 이렇게 투과된 백색광이 컬러 필터(204)에 입사되어 소정 색상의 화상을 형성하게 된다. 백라이트 유닛(100)과 액정패널(200) 사이에 확산판이 위치할 수 있다.Here, the liquid crystal panel 200 may have a structure in which a first polarizer 201, a liquid crystal layer 202, a second polarizer 203, and a color filter 204 are sequentially disposed. The white light emitted from the backlight unit 100 is transmitted through the first polarizer 201, the liquid crystal layer 202 and the second polarizer 203. The transmitted white light is incident on the color filter 204, As shown in Fig. A diffuser plate may be positioned between the backlight unit 100 and the liquid crystal panel 200. [

이하 실시예를 통해서 본 발명을 보다 상세하게 설명한다. 다만 하기의 실시예는 단지 설명의 목적을 위한 것이며 본 발명의 범위를 제한하는 것은 아니다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to examples. The following examples are for illustrative purposes only and are not intended to limit the scope of the invention.

제조예Manufacturing example 1: 녹색 발광 다층구조 반도체 나노결정의 합성 1: Synthesis of Green Light Emitting Multilayer Semiconductor Nanocrystals

트리옥틸아민(Trioctylamine, "TOA") 16g과 옥타데실포스포닉산 0.128g, 카드뮴 옥사이드 0.1mmol을 동시에 환류 콘덴서가 설치된 125ml 플라스크에 넣고, 교반하면서 반응온도를 300도로 조절한다. 이와 별도로 Se 분말을 트리 옥틸 포스핀(trioctylphosphine, "TOP")에 녹여서 Se 농도가 약 2M인 Se-TOP 착물용액을 만든다. 상기 교반되고 있는 반응 혼합물에 2M Se-TOP 착물용액 2mL를 빠른 속도로 주입하고 약 2분간 반응시킨다. 반응이 종결되면, 반응 혼합물의 온도를 가능한 빨리 상온으로 떨어뜨리고, 비용매(non solvent)인 에탄올을 부가하여 원심 분리를 실시한다. 원심 분리된 침전을 제외한 용액의 상등액은 버리고, 침전은 톨루엔에 분산시켜 CdSe 나노결정 용액을 합성한다.16 g of trioctylamine ("TOA"), 0.128 g of octadecylphosphonic acid and 0.1 mmol of cadmium oxide are simultaneously charged into a 125 ml flask equipped with a reflux condenser, and the reaction temperature is adjusted to 300 ° C. with stirring. Separately, the Se powder is dissolved in trioctylphosphine ("TOP") to form a Se-TOP complex solution with a Se concentration of about 2M. 2 mL of a 2M Se-TOP complex solution is rapidly injected into the stirred reaction mixture and reacted for about 2 minutes. When the reaction is completed, the temperature of the reaction mixture is dropped to room temperature as soon as possible, and centrifugation is carried out by adding ethanol as a non-solvent. The supernatant of the solution except for the centrifuged precipitate is discarded, and the precipitate is dispersed in toluene to synthesize a CdSe nanocrystal solution.

TOA 8g과 올레인산 0.1g, 아연 아세테이트 0.1 mmol을 동시에 환류 콘덴서가 설치된 125ml 플라스크에 넣고, 교반하면서 반응온도를 300℃로 조절한다. 상기에서 합성한 CdSe 나노결정 용액을 반응물에 첨가한 후 0.8M의 S-TOP 착물 용액 0.5mL을 천천히 가하여 약 1시간 동안 반응시켜 CdSe 나노결정 표면 위에 ZnS 나노결정을 성장시키고, 그 계면에서 확산을 통해 합금층을 형성한다. 반응이 종결되면, CdSe 나노결정을 분리한 방법과 동일하게 원심분리를 한 후 톨루엔에 분산시켜 다층구조의 나노결정 CdSe/ZnS을 합성한다.8 g of TOA, 0.1 g of oleic acid and 0.1 mmol of zinc acetate are simultaneously put into a 125 ml flask equipped with a reflux condenser, and the reaction temperature is adjusted to 300 ° C with stirring. After adding the CdSe nanocrystals synthesized above to the reactants, 0.5 mL of 0.8 M S-TOP complex solution was added slowly and reacted for about 1 hour to grow ZnS nanocrystals on the surface of the CdSe nanocrystals. To form an alloy layer. When the reaction is completed, centrifugation is carried out in the same manner as in the separation of CdSe nanocrystals, followed by dispersion in toluene to synthesize nanocrystalline CdSe / ZnS having a multi-layer structure.

상기의 CdSe/ZnS 나노결정의 표면에 다시 한 번 CdZnS를 형성시킨다. 카드뮴 아세테이트 0.05mmol, 아연 아세테이트 0.1mmol, 올레인산 0.43g, TOA 8g을 환류 콘덴서가 설치된 125ml 플라스크에 넣고, 교반하면서 반응온도를 300℃로 조절한 후 상기에서 합성한 나노결정 CdSe/ZnS를 주입한다. 곧 바로 2mL의 TOA와 섞은 0.8mmol의 옥틸 사이올을 천천히 주입하여 1시간 정도 합성하여 CdSe/ZnS/CdZnS의 다층구조를 가진 나노결정을 형성한다. 반응이 종결된 후 원심분리에 의해 합성된 물질을 분리하여 톨루엔에 분산시킨다.CdZnS is again formed on the surface of the CdSe / ZnS nanocrystals. 0.05 mmol of cadmium acetate, 0.1 mmol of zinc acetate, 0.43 g of oleic acid, and 8 g of TOA were placed in a 125 ml flask equipped with a reflux condenser, and the reaction temperature was adjusted to 300 ° C. with stirring, followed by injecting the nanocrystalline CdSe / ZnS synthesized above. Immediately thereafter, 0.8 mmol of octyl cyanide mixed with 2 mL of TOA was slowly injected and synthesized for 1 hour to form nanocrystals having a multi-layered structure of CdSe / ZnS / CdZnS. After the reaction is completed, the synthesized material is separated by centrifugation and dispersed in toluene.

제조예Manufacturing example 2: 적색 발광 다층구조 반도체 나노결정의 합성 2: Synthesis of red light emitting multi-layered semiconductor nanocrystals

TOA 32g과 올레인산 1.8g, 카드뮴 옥사이드 1.6 mmol을 동시에 환류 콘덴서가 설치된 125ml 플라스크에 넣고, 교반하면서 반응온도를 300℃로 조절한다. 실시예 1에서 합성한 2M Se-TOP 착물용액 0.2mL을 반응물에 빠르게 주입하고 1분 30초 후에 6mL의 TOA와 섞은 0.8mmol의 옥틸 사이올을 천천히 주입한다. 40분간 반응 후 별도로 합성한 아연 올레이트 착물용액 16mL를 천천히 주입한다.32 g of TOA, 1.8 g of oleic acid and 1.6 mmol of cadmium oxide are simultaneously introduced into a 125 ml flask equipped with a reflux condenser, and the reaction temperature is adjusted to 300 ° C with stirring. 0.2 mL of the 2M Se-TOP complex solution synthesized in Example 1 is rapidly injected into the reaction, and 1 minute and 30 seconds later, 0.8 mmol of octyl cyan mixed with 6 mL of TOA is slowly injected. After 40 minutes of reaction, slowly inject 16 mL of separately synthesized zinc oleate complex solution.

아연 올레이트 착물 용액은 4mmol의 아연 아세테이트와 올레인산 2.8g, TOA 16g을 환류 콘덴서가 설치된 125mL 플라스크에 넣고, 교반하면서 반응온도를 200℃로 조절하여 합성한다. 100℃ 이하로 온도를 내린 후 주입한다. 아연 올레이트 착물 용액의 주입이 완료되면 곧 바로 6mL의 TOA와 섞은 6.4mmol의 옥틸 사이올 착물용액을 천천히 가하여 약 2시간 동안 반응시켰다. 이는 순서대로 CdSe 나노결정을 생성시킨 후 표면 위에 CdS 나노결정을 성장시키고, ZnS를 한번 더 성장시켰다.The zinc oleate complex solution is prepared by adding 4 mmol of zinc acetate, 2.8 g of oleic acid and 16 g of TOA to a 125 mL flask equipped with a reflux condenser and adjusting the reaction temperature to 200 ° C. with stirring. The temperature is lowered to 100 캜 or lower and then injected. Upon completion of the injection of the zinc oleate complex solution, 6.4 mmol of the octyl complex complex solution mixed with 6 mL of TOA was added slowly and reacted for about 2 hours. Which in turn produced CdSe nanocrystals, then grown CdS nanocrystals on the surface, and grown ZnS one more time.

반응이 종결된 후, 반응 혼합물의 온도를 가능한 빨리 상온으로 떨어뜨리고, 비용매(non solvent)인 에탄올을 부가하여 원심 분리를 실시한다. 원심 분리된 침전을 제외한 용액의 상등액은 버리고, 침전은 톨루엔에 분산시켜 8nm 크기의 다층구조의 나노결정 CdSe/CdS/ZnS을 합성한다.After the reaction is completed, the temperature of the reaction mixture is dropped to room temperature as soon as possible, and centrifugation is performed by adding ethanol as a non-solvent. The supernatant of the solution excluding the centrifuged precipitate is discarded, and the precipitate is dispersed in toluene to synthesize nanocrystalline CdSe / CdS / ZnS having a multilayer structure of 8 nm in size.

실시예Example 1: 백색 발광 다이오드의 제작 1: Fabrication of white light emitting diode

제조예 1에서 만들어진 녹색 발광 반도체 나노결정과 제조예 2에서 만들어진 적색 발광 반도체 나노결정에 헥산과 에탄올을 6:4의 부피비로 혼합한 용액을 더하여 6000 rpm으로 10분간 원심분리하여 침전물을 수득한다. 수득된 침전물에 클로로포름 용매를 더하여 약 1 중량%의 용액으로 제조한다. 에폭시 수지는 다우 코닝사에서 제조하여 판매하고 있는 SJ4500 A와 SJ4500 B 수지를 미리 1:1 부피비로 혼합하여 공기 방울을 제거하여 둔다. 녹색 발광 반도체 나노결정 1 중량%, 적색 발광 반도체 나노결정 1 중량%와 클로로포름 용액 0.1 mL와 에폭시 수지 0.1 mL를 혼합하여 균일하도록 교반하여 주고, 클로로포름 용액을 제거하기 위해 진공 상태에서 약 1시간 유지한다. 이렇게 제조된 녹색 발광 반도체 나노결정, 적색 발광 반도체 나노결정 및 에폭시 수지의 혼합물을 컵 형태로 만들어진 램프 타입의 청색 발광 다이오드 상에 약 20mL를 도포하고 100℃에서 3시간 동안 경화시켜 광전환층을 제조한다.A solution obtained by mixing the green light emitting semiconductor nanocrystals prepared in Preparation Example 1 and the red light emitting semiconductor nanocrystals prepared in Production Example 2 in hexane and ethanol in a volume ratio of 6: 4 was added and centrifuged at 6000 rpm for 10 minutes to obtain a precipitate. A chloroform solvent is added to the obtained precipitate to prepare a solution of about 1% by weight. The epoxy resin is prepared by mixing SJ4500 A and SJ4500 B resins, which are manufactured and sold by Dow Corning Corporation, in a 1: 1 volume ratio in advance to remove air bubbles. 1 wt% of a green light emitting semiconductor nanocrystal, 1 wt% of a red light emitting semiconductor nanocrystal, 0.1 mL of a chloroform solution, and 0.1 mL of an epoxy resin were mixed and stirred uniformly and maintained in a vacuum for about 1 hour to remove the chloroform solution . About 20 mL of the thus prepared green light emitting semiconductor nanocrystal, a mixture of red light emitting semiconductor nanocrystals and epoxy resin was applied to a cup-shaped lamp-type blue light emitting diode and cured at 100 ° C for 3 hours to prepare a light conversion layer do.

상기의 방법으로 1차적으로 청색 발광 다이오드와 광전환층을 제조한 후, 램프 형태로 몰딩하기 위하여 몰드에 에폭시 수지만을 넣고 1차적으로 경화시킨 광전환층을 포함한 청색 발광다이오드를 100℃에서 3시간 동안 다시 경화시켜 램프 형태의 발광 다이오드를 제작한다.After the blue light emitting diode and the light conversion layer were first formed by the above method, a blue light emitting diode including a light conversion layer, which was first cured by putting only epoxy resin into a mold, Lt; / RTI > to form a lamp-shaped light emitting diode.

비교예Comparative Example 1: 백색 발광 다이오드의 제작 1: Fabrication of white light emitting diode

제조예 2에서 만들어진 적색 발광 반도체 나노결정에 헥산과 에탄올을 6:4의 부피비로 혼합한 용액을 더하여 6000 rpm으로 10분간 원심분리하여 침전물을 수득한다. 수득된 침전물을 클로로포름 용매를 더하여 약 1 중량%의 용액으로 제조한다. 에폭시 수지는 다우 코닝사에서 제조하여 판매하고 있는 SJ4500 A와 SJ4500 B 수지를 미리 1:1 부피비로 혼합하여 공기 방울을 제거하여 둔다. 적색 발광 반도체 나노결정 1 중량%와 클로로포름 용액 0.1 mL와 에폭시 수지 0.1 mL를 혼합하여 균일하도록 교반하여 주고, 클로로포름 용액을 제거하기 위해 진공 상태에서 약 1시간 유지한다. 여기에 Sarnoff 사에서 제조된 TG-3540 녹색 무기 형광체 0.05g을 첨가한 후 얻어진 혼합물을 컵 형태로 만들어진 램프 타입의 청색 발광 다이오드 상에 약 20mL를 도포하고 100℃에서 3시간 동안 경화시켜 광전환층을 제조한다.A solution of hexane and ethanol in a volume ratio of 6: 4 was added to the red light emitting semiconductor nanocrystals prepared in Preparation Example 2, and the mixture was centrifuged at 6000 rpm for 10 minutes to obtain a precipitate. The obtained precipitate is added with a chloroform solvent to prepare a solution of about 1% by weight. The epoxy resin is prepared by mixing SJ4500 A and SJ4500 B resins, which are manufactured and sold by Dow Corning Corporation, in a 1: 1 volume ratio in advance to remove air bubbles. 1 wt% of red light emitting semiconductor nanocrystals, 0.1 mL of a chloroform solution and 0.1 mL of an epoxy resin are mixed and stirred to uniformly maintain a vacuum state for about 1 hour to remove the chloroform solution. After adding 0.05 g of the TG-3540 green inorganic phosphor prepared by Sarnoff, about 20 mL of the obtained mixture was applied onto a cup-shaped lamp-type blue light emitting diode and cured at 100 DEG C for 3 hours, .

상기의 방법으로 1차적으로 청색 발광 다이오드와 광전환층을 제조한 후, 램프 형태로 몰딩하기 위하여 몰드에 에폭시 수지만을 넣고 1차적으로 경화시킨 광전환층을 포함한 청색 발광다이오드를 100℃에서 3시간 동안 다시 경화시켜 램프 형태의 발광 다이오드를 제작한다.After the blue light emitting diode and the light conversion layer were first formed by the above method, a blue light emitting diode including a light conversion layer, which was first cured by putting only epoxy resin into a mold, Lt; / RTI > to form a lamp-shaped light emitting diode.

비교예Comparative Example 2: 백색 발광 다이오드의 제작 2: Fabrication of white light emitting diode

제조예 1에서 만들어진 녹색 발광 반도체 나노결정에 헥산과 에탄올을 6:4의 부피비로 혼합한 용액을 더하여 6000 rpm으로 10분간 원심분리하여 침전물을 수득한다. 수득된 침전물을 클로로포름 용매를 더하여 약 1 중량%의 용액으로 제조한다. 에폭시 수지는 다우 코닝사에서 제조하여 판매하고 있는 SJ4500 A와 SJ4500 B 수지를 미리 1:1 부피비로 혼합하여 공기 방울을 제거하여 둔다. 녹색 발광 반도체 나노결정 1 중량%와 클로로포름 용액 0.1 mL와 에폭시 수지 0.1 mL를 혼합하여 균일하도록 교반하여 주고, 클로로포름 용액을 제거하기 위해 진공 상태에서 약 1시간 유지한다. 여기에 Sarnoff 사에서 제조된 Sr-Mg-P4O16 계열의 적색 무기 형광체 0.1g을 첨가한 후 얻어진 혼합물을 컵 형태로 만들어진 램프 타입의 청색 발광 다이오드 상에 약 20mL를 도포하고 100℃에서 3시간 동안 경화시켜 광전환층을 제조한다.A solution obtained by mixing hexane and ethanol in a volume ratio of 6: 4 was added to the green semiconductor nanocrystals prepared in Production Example 1, and the mixture was centrifuged at 6000 rpm for 10 minutes to obtain a precipitate. The obtained precipitate is added with a chloroform solvent to prepare a solution of about 1% by weight. The epoxy resin is prepared by mixing SJ4500 A and SJ4500 B resins, which are manufactured and sold by Dow Corning Corporation, in a 1: 1 volume ratio in advance to remove air bubbles. 1 wt% of the green light emitting semiconductor nanocrystals, 0.1 mL of the chloroform solution and 0.1 mL of the epoxy resin are mixed and stirred uniformly and maintained in a vacuum for about 1 hour to remove the chloroform solution. After adding 0.1 g of Sr-Mg-P 4 O 16 red inorganic phosphor prepared by Sarnoff, about 20 mL of the resulting mixture was applied to a cup-shaped lamp-type blue light emitting diode, Lt; / RTI > to form a light conversion layer.

상기의 방법으로 1차적으로 청색 발광 다이오드와 광전환층을 제조한 후, 램프 형태로 몰딩하기 위하여 몰드에 에폭시 수지만을 넣고 1차적으로 경화시킨 광전환층을 포함한 청색 발광다이오드를 100℃에서 3시간 동안 다시 경화시켜 램프 형태의 발광 다이오드를 제작한다.After the blue light emitting diode and the light conversion layer were first formed by the above method, a blue light emitting diode including a light conversion layer, which was first cured by putting only epoxy resin into a mold, Lt; / RTI > to form a lamp-shaped light emitting diode.

비교예Comparative Example 3 3

Sarnoff 사에서 제조된 TG-3540 녹색 무기 형광체 0.05g과 Sr-Mg-P4O16 계열의 적색 무기 형광체 0.1g을 에폭시 수지 0.1 mL와 교반하여 균일하게 혼합한다. 이렇게 제조된 무기 형광체와 에폭시 수지의 혼합물을 컵 형태로 만들어진 램프 타입의 청색 발광 다이오드 상에 약 20mL를 도포하고 100℃에서 3시간 동안 경화시켜 광전환층을 제조한다.0.05 g of the TG-3540 green inorganic phosphor manufactured by Sarnoff and 0.1 g of the red inorganic phosphor of the Sr-Mg-P 4 O 16 series are mixed with 0.1 mL of the epoxy resin and uniformly mixed. About 20 mL of the thus prepared mixture of the inorganic phosphor and the epoxy resin is applied on a lamp-type blue light emitting diode in a cup shape, and the mixture is cured at 100 DEG C for 3 hours to prepare a light conversion layer.

상기의 방법으로 1차적으로 청색 발광 다이오드와 광전환층을 경화시킨 후, 램프 형태로 몰딩하기 위하여 몰드에 에폭시 수지만을 넣고 1차적으로 경화시킨 발광층을 포함한 청색 발광다이오드를 100℃에서 3시간 동안 다시 경화시켜 램프 형태의 발광 다이오드를 제작한다. After the blue light emitting diode and the light conversion layer were first cured by the above method, a blue light emitting diode including a light emitting layer primarily cured with epoxy resin in a mold for molding into a lamp shape was heated at 100 ° C. for 3 hours And then the LED is cured again to manufacture a lamp-shaped light emitting diode.

동일한 조건으로 상기 실시예 1 및 비교예 1 내지 3의 발광 다이오드의 스펙트럼을 측정하기 위해, ISP75 시스템을 이용하여, 적분구에서 수집된 발광 특성을 평가하여 발광 스펙트럼을 분석한다. In order to measure the spectra of the light emitting diodes of Example 1 and Comparative Examples 1 to 3 under the same conditions, the luminescence characteristics collected in the integrating sphere were evaluated using the ISP75 system, and the emission spectrum was analyzed.

실시예 1에 따른 백색 발광 반도체 나노결정을 이용한 LED의 발광 스펙트럼을 도 6에 나타낸다. 컬러 필터를 투과시킨 후의 발광 스펙트럼을 도 7에 도시한다. 도 6에서 녹색과 적색 발광 스펙트럼의 발광피크 파장(반치폭)이 각각 528nm(28nm) 및 626nm(36nm)이고, 도 7에서 LCD 디스플레이의 컬러 필터를 투과한 후에는 각각 522nm(28nm) 및 620nm(36nm)로 나타나, 컬러 필터의 투과 후 발광피크 파장이나 반치폭의 차이가 거의 없는 것을 알 수 있다. 또한 도 7로부터 백색 발광 다이오드의 각각의 컬러 필터를 투과한 후의 발광 스펙트럼의 면적은 1:0.94:0.84 정도의 비율을 가짐을 알 수 있다.Fig. 6 shows the emission spectrum of the LED using the white light-emitting semiconductor nanocrystal according to Example 1. Fig. The emission spectrum after passing through the color filter is shown in Fig. (28 nm) and 620 nm (36 nm), respectively, after the emission peak wavelengths (half widths) of the green and red luminescence spectra are 528 nm (28 nm) and 626 nm ), And it can be seen that there is almost no difference in emission peak wavelength and half width after transmission of the color filter. It is also seen from Fig. 7 that the area of the luminescence spectrum after passing through each color filter of the white light emitting diode has a ratio of about 1: 0.94: 0.84.

상기 백색 발광 다이오드가 컬러 필터를 투과하는 비율을 알아보기 위하여 컬러 필터 전후의 발광 스펙트럼과 컬러 필터의 청색, 녹색 및 적색의 상대적인 투과율 비율을 도 8에 함께 도시한다. 도 8을 참조하면 실시예 1에 따른 백색 발광 다이오드의 각각의 스펙트럼은 컬러 필터 전후의 반치폭 차이가 거의 없으며, 녹색 발광 반도체 나노 결정의 발광 스펙트럼은 적색 컬러 필터를 투과하는 부분이 거의 없으나 적색 발광 반도체 나노 결정의 발광 스펙트럼은 녹색 컬러 필터를 소량 투과하는 것으로 보인다. The relative transmittance ratios of the blue, green and red colors of the color filter and the emission spectrum before and after the color filter are also shown in FIG. 8 in order to examine the rate at which the white light emitting diode transmits the color filter. Referring to FIG. 8, the spectrum of each of the white light emitting diodes according to Example 1 has almost no difference in half width before and after the color filter, and the emission spectrum of the green light emitting semiconductor nanocrystals has almost no portion transmitting the red color filter. The emission spectrum of the nanocrystals appears to transmit a small amount of the green color filter.

비교예 3에 따른 형광체를 이용한 LED의 발광 스펙트럼을 도 9에 나타낸다. 도 9를 참조하면 녹색과 적색의 발광 스펙트럼의 반치폭이 상당히 넓은 것을 알 수 있다. 상기 비교예 3에 따른 백색 발광 다이오드가 컬러 필터를 투과하는 비율을 알아보기 위하여 컬러 필터의 청색, 녹색 및 적색의 상대적인 투과율 비율을 도 10에 함께 도시한다. 도 10을 참조하면 비교예 3에 따른 백색 발광 다이오드의 각각의 스펙트럼은 서로 중첩되는 부분이 많으며, 녹색 형광체의 발광 스펙트럼은 적색 컬러 필터를 투과하는 부분 그리고 적색 형광체의 발광 스펙트럼이 녹색 컬러 필터를 투과하는 부분이 상당히 존재한다. Fig. 9 shows the emission spectrum of the LED using the phosphor according to Comparative Example 3. Fig. Referring to FIG. 9, it can be seen that the half width of the emission spectrum of green and red is considerably wide. The relative transmittance ratios of blue, green and red of the color filter are also shown in FIG. 10 in order to examine the ratio of the white light emitting diode according to Comparative Example 3 transmitting through the color filter. 10, the spectrum of each of the white light emitting diodes according to Comparative Example 3 has many portions overlapping with each other, the emission spectrum of the green phosphor is a portion through which the red color filter passes, and the emission spectrum of the red phosphor transmits through the green color filter There are quite a lot of things to do.

도 11은 백라이트 유닛의 백색 좌표(x, y)를 0.28±0.05 및 0.29±0.05로 맞춘 상태에서 실시예 1의 백색 발광 다이오드의 발광 스펙트럼을 보인 그래프이다. 11 is a graph showing the emission spectrum of the white light emitting diode of Example 1 with the white coordinate (x, y) of the backlight unit adjusted to 0.28 0.05 and 0.29 0.05.

상기 제조예 1에서 제조한 녹색 반도체 나노결정과, 상기 제조예 2에서 제조한 적색 반도체 나노결정, 상기 비교예 3에서 사용한 녹색 및 적색 무기 형광체의 스펙트럼을 사용하여, 백색 좌표를 맞추도록 발광세기를 조절한 후, 적색, 녹색, 청색에 해당하는 색좌표를 계산하여, 각각의 상대 색재현율과 상대 휘도를 구하였다. 그 결과를 표 1에 나타내었다. 표 1에서 각각의 색좌표의 하단에 백색좌표를 맞추기 위한 발광세기를 함께 기재하였다.Using the spectrum of the green semiconductor nanocrystals prepared in Preparation Example 1, the red semiconductor nanocrystals prepared in Preparation Example 2, and the green and red inorganic phosphors used in Comparative Example 3, the emission intensity was adjusted to match the white coordinates After adjusting, the color coordinates corresponding to red, green, and blue were calculated, and the relative color recall ratio and the relative brightness were obtained. The results are shown in Table 1. In Table 1, luminescent intensities for matching white coordinates at the bottom of each color coordinate are described together.

적색Red 녹색green 청색blue 색좌표Color coordinates 상대
색재현율 (%)opponent
Color recall (%) 상대 휘도 (%)Relative luminance (%) 적색Red 녹색green 청색blue 실시예 1Example 1 반도체 나노결정Semiconductor nanocrystals 반도체 나노결정Semiconductor nanocrystals LEDLED (0.673, 0.308)(0.673, 0.308) (0.190, 0.707)(0.190, 0.707) (0.150,0.057)(0.150, 0.057) 122122 117117 0.280.28 0.290.29 0.430.43 비교예
1Comparative Example
One 반도체 나노결정Semiconductor nanocrystals 형광체Phosphor LEDLED (0.658, 0.318)(0.658, 0.318) (0.277, 0.655)(0.277, 0.655) (0.151, 0.046)(0.151, 0.046) 101101 125125 0.170.17 0.370.37 0.460.46 비교예 2Comparative Example 2 형광체Phosphor 반도체 나노결정Semiconductor nanocrystals LEDLED (0.675, 0.305)(0.675, 0.305) (0.205, 0.697)(0.205, 0.697) (0.151, 0.056)(0.151, 0.056) 120120 9292 0.460.46 0.210.21 0.330.33 비교예 3Comparative Example 3 형광체Phosphor 형광체Phosphor LEDLED (0.659, 0.316)(0.659, 0.316) (0.282, 0.652)(0.282, 0.652) (0.151, 0.046)(0.151, 0.046) 100100 100100 　0.310.31 　0.300.30 　0.390.39

상기 표 1에서 보는 바와 같이 녹색 및 적색 반도체 나노결정을 사용하여 제조한 실시예 1에 따른 발광 다이오드가 녹색 및/또는 적색 무기형광체를 사용하는 비교예 1 내지 3에 비하여 색재현율과 상대휘도가 모두 우수함을 알 수 있다. As shown in Table 1, the light emitting diode according to Example 1 manufactured using green and red semiconductor nanocrystals had both a color reproducibility and a relative luminance in comparison with Comparative Examples 1 to 3 using green and / or red inorganic phosphors It can be seen that it is excellent.

도 12는 실시예 1과 비교예 3에 따른 백색 발광 다이오드의 컬러 필터 투과후의 발광 스펙트럼을 보인 도면이고 도 13은 시감도(Photopic sensitivity)를 반영하여 나타낸 실시예 1과 비교예 3에 따른 백색 발광 다이오드의 휘도 스펙트럼을 보인 도면이다. 도 12에서 보는 바와 같이 실시예 1에 따른 백색 발광 다이오드는 적색, 녹색 및 청색의 발광파장이 중첩되지 않음에 비하여 비교예 3의 백색 발광 다이오드는 적색, 녹색 및 청색의 발광파장이 상호 중첩됨을 알 수 있다. 또한 시감도를 반영한 도 13의 휘도 스펙트럼에서 보는 바와 같이 발광 스펙트럼이 비교적 좁은 반도체 나노결정의 경우, 적색 스펙트럼의 영역이 시인성이 높게 유지할 수 있는 장점이 있어, 휘도를 높일 수 있는 장점이 있다. 이러한 특성을 더욱 최적으로 유지하기 위하여, 반도체 나노결정의 발광피크 파장을 여러 가지로 변화시켜 보면, 색재현율과 휘도 측면에서 적색과 녹색의 발광피크 파장을 630nm와 530nm의 파장을 유지할 때 가장 효과적인 것으로 보인다.FIG. 12 is a diagram showing the emission spectrum of a white light emitting diode according to Example 1 and Comparative Example 3 after transmission through a color filter. FIG. 13 is a graph showing the emission spectra of white light emitting diodes according to Example 1 and Comparative Example 3, Fig. 12, the white light emitting diodes according to Example 1 do not overlap the emission wavelengths of red, green, and blue, whereas the white light emitting diodes of Comparative Example 3 have emission wavelengths of red, green, . Also, as shown in the luminance spectrum of FIG. 13, which reflects the visibility, in the case of semiconductor nanocrystals having a relatively narrow emission spectrum, the region of the red spectrum can be maintained at a high visibility, which is advantageous in that the luminance can be increased. In order to maintain these characteristics more optimally, when the emission peak wavelength of the semiconductor nanocrystals is varied in various ways, it is most effective when the emission peak wavelengths of red and green are maintained at 630 nm and 530 nm in color reproduction ratio and luminance see.

반도체 나노결정의 발광피크 파장에 따른 색재현율과 상대 휘도를 평가하고 하기 표 2에 기재한다.The color reproduction ratio and the relative luminance according to the emission peak wavelength of the semiconductor nanocrystals are evaluated and are shown in Table 2 below.

적색Red 녹색green 청색blue 적색
색좌표Red
Color coordinates 녹색
색좌표green
Color coordinates 청색
색좌표blue
Color coordinates 색재현율 (%)Color recall (%) 상대 휘도 (%)Relative luminance (%) 반도체 나노결정 Semiconductor nanocrystals 반도체 나노결정 Semiconductor nanocrystals LEDLED (0.673, 0.308)(0.673, 0.308) (0.190, 0.707)(0.190, 0.707) (0.150,0.057)(0.150, 0.057) 122122 118118 630nm630 nm 530nm530 nm 0.280.28 0.290.29 0.430.43 반도체 나노결정 Semiconductor nanocrystals 반도체 나노결정 Semiconductor nanocrystals LEDLED (0.686, 0.296)(0.686, 0.296) (0.178, 0.717)(0.178, 0.717) (0.150,0.058)(0.150, 0.058) 137137 108108 640nm640 nm 530nm530 nm 0.330.33 0.270.27 0.40.4 반도체 나노결정 Semiconductor nanocrystals 반도체 나노결정 Semiconductor nanocrystals LEDLED (0.671, 0.307)(0.671, 0.307) (0.239, 0.691)(0.239, 0.691) (0.152,0.045)(0.152, 0.045) 115115 120120 630nm630 nm 540nm540 nm 0.250.25 0.290.29 0.460.46 반도체 나노결정 Semiconductor nanocrystals 반도체 나노결정 Semiconductor nanocrystals LEDLED (0.683, 0.295)(0.683, 0.295) (0.231, 0.699)(0.231, 0.699) (0.152,0.045)(0.152, 0.045) 120120 113113 640nm640 nm 540nm540 nm 0.290.29 0.280.28 0.430.43 반도체 나노결정 Semiconductor nanocrystals 반도체 나노결정 Semiconductor nanocrystals LEDLED (0.658, 0.323)(0.658, 0.323) (0.212, 0.690)(0.212, 0.690) (0.150,0.056)(0.150, 0.056) 112112 118118 620nm620 nm 530nm530 nm 0.250.25 0.290.29 0.460.46

상기 표 2에서 보는 바와 같이 녹색 및 적색 반도체 나노결정의 발광피크 파장이 각각 530-540nm 및 620-640nm의 범위에 있을 경우 색재현율과 상대 휘도가 모두 우수하다.As shown in Table 2, when the emission peak wavelengths of the green and red semiconductor nanocrystals are in the range of 530-540 nm and 620-640 nm, respectively, the color recall ratio and the relative luminance are both excellent.

이상에서 본 발명의 바람직한 실시예들에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리 범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구 범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리 범위에 속하는 것이다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments, And falls within the scope of the invention.

Claims (14)

청색광을 방출하는 광원; 및
상기 광원으로부터 입사되는 상기 청색광을 녹색광 및 적색광으로 각각 전환시키는 광전환층을 포함하는 디스플레이 장치로서,
상기 광전환층은 발광 물질을 포함하고,
상기 발광물질은, 반도체 나노결정으로 이루어지고,
상기 발광물질은, 녹색 발광 무기 형광체 및 적색 발광 무기 형광체를 포함하지 않으며,
상기 반도체 나노결정은 녹색 발광 반도체 나노결정 및 적색 발광 반도체 나노결정을 포함하고,
상기 녹색 발광 반도체 나노결정의 발광피크파장은 530nm 이상이고, 상기 적색 발광 반도체 나노 결정의 발광피크 파장은 615nm 이상이고,
상기 녹색 발광 반도체 나노결정과 상기 적색 발광 반도체 나노결정은 발광피크 반치폭이 각각 45nm 이하이며,
상기 녹색 발광 반도체 나노결정의 발광 스펙트럼의 총면적(AG)과 적색 발광 반도체 나노결정의 발광 스펙트럼의 총면적(AR)의 중첩되는 영역의 면적(S)의 비율(S/(AG 또는 AR))이 10% 미만인 디스플레이 장치.A light source emitting blue light; And
And a light conversion layer for converting the blue light incident from the light source into green light and red light, respectively,
Wherein the light conversion layer comprises a light emitting material,
Wherein the light emitting material is made of semiconductor nanocrystals,
The light emitting material does not include a green light emitting inorganic phosphor and a red light emitting inorganic phosphor,
Wherein the semiconductor nanocrystals include green light emitting semiconductor nanocrystals and red light emitting semiconductor nanocrystals,
Wherein the emission peak wavelength of the green light emitting semiconductor nanocrystals is 530 nm or more, the emission peak wavelength of the red light emitting semiconductor nanocrystals is 615 nm or more,
Wherein the green light emitting semiconductor nanocrystals and the red light emitting semiconductor nanocrystals each have an emission peak half width of 45 nm or less,
(S / (A G or A R ) of the area S of the overlapping region of the total area (A G ) of the emission spectrum of the green light emitting semiconductor nanocrystals with the total area (A R ) of the emission spectrum of the red light emitting semiconductor nanocrystals ) Is less than 10%. 제1항에 있어서,
상기 광전환층에서 전환된 광을 이용하여 화상을 구현하는 컬러필터를 더 포함하는 디스플레이 장치.The method according to claim 1,
And a color filter for implementing an image using the light converted in the light conversion layer. 제2항에 있어서,
상기 녹색 발광 반도체 나노결정의 발광 스펙트럼이 녹색 컬러 필터를 투과하는 비율이 95% 이상이고 적색 컬러 필터를 투과하는 비율이 10% 미만이고,
상기 적색 발광 반도체 나노결정의 발광 스펙트럼이 적색 컬러 필터를 투과하는 비율이 95% 이상이고, 녹색 컬러 필터를 투과하는 비율이 10% 미만인 디스플레이 장치. 3. The method of claim 2,
Wherein the ratio of the emission spectrum of the green light-emitting semiconductor nanocrystals to the green color filter is 95% or more and the transmission ratio of the green color semiconductor nanocrystals is less than 10%
Wherein the ratio of the emission spectrum of the red light emitting semiconductor nanocrystals to the red color filter is 95% or more, and the ratio of the green color filter to the green color filter is less than 10%. 제1항에 있어서,
상기 녹색 발광 반도체 나노결정의 발광 스펙트럼의 총면적(AG)과 적색 발광 반도체 나노결정의 발광 스펙트럼의 총면적(AR)의 중첩되는 영역의 면적(S)의 비율(S/(AG 또는 AR)이 7% 이하인 디스플레이 장치.The method according to claim 1,
(S / (A G or A R ) of the area S of the overlapping region of the total area (A G ) of the emission spectrum of the green light emitting semiconductor nanocrystals with the total area (A R ) of the emission spectrum of the red light emitting semiconductor nanocrystals ) Is 7% or less. 제1항에 있어서,
상기 녹색 발광 반도체 나노결정의 발광 스펙트럼의 총면적(AG)과 적색 발광 반도체 나노결정의 발광 스펙트럼의 총면적(AR)의 중첩되는 영역의 면적(S)의 비율(S/(AG 또는 AR)이 5% 이하인 디스플레이 장치.The method according to claim 1,
(S / (A G or A R ) of the area S of the overlapping region of the total area (A G ) of the emission spectrum of the green light emitting semiconductor nanocrystals with the total area (A R ) of the emission spectrum of the red light emitting semiconductor nanocrystals ) Is 5% or less. 제1항에 있어서,
상기 녹색 및 적색 발광 반도체 나노결정 중 어느 하나 이상은 발광피크의 반치폭이 각각 40nm 이하인 디스플레이 장치. The method according to claim 1,
And the half-width of the emission peak of each of the green and red light-emitting semiconductor nanocrystals is 40 nm or less. 제1항에 있어서,
상기 청색광의 파장은 440 내지 460nm에 있고, 상기 녹색 발광 반도체 나노결정의 발광피크 파장은 530 내지 550nm 에 있고 상기 적색 발광 반도체 나노결정의 발광피크 파장은 620 내지 640nm에 있는 디스플레이 장치.The method according to claim 1,
Wherein the wavelength of the blue light is in a range of 440 to 460 nm, the emission peak wavelength of the green light emitting semiconductor nanocrystals is in a range of 530 to 550 nm, and the emission peak wavelength of the red light emitting semiconductor nanocrystals is in a range of 620 to 640 nm. 제1항에 있어서,
상기 광원의 발광세기는 0.43±0.05이고, 상기 녹색 발광 반도체 나노결정의 발광세기는 0.27±0.05이고 상기 적색 발광 반도체 나노결정의 발광세기는 0.28±0.05인 디스플레이 장치.The method according to claim 1,
Wherein the light emission intensity of the light source is 0.43 ± 0.05, the emission intensity of the green light emitting semiconductor nanocrystals is 0.27 ± 0.05, and the emission intensity of the red light emitting semiconductor nanocrystals is 0.28 ± 0.05. 제2항에 있어서,
상기 녹색 발광 반도체 나노결정의 발광 스펙트럼이 녹색 컬러 필터를 투과하는 비율이 녹색 컬러 필터의 최대 투과율의 95% 이상이고, 적색 컬러 필터를 투과하는 비율이 적색 컬러 필터 최대 투과율의 5% 미만인 디스플레이 장치.3. The method of claim 2,
Wherein a ratio of a transmittance of the emission spectrum of the green light emitting semiconductor nanocrystals to a green color filter is 95% or more of a maximum transmittance of the green color filter and a transmittance of the red color filter is less than 5% of a maximum transmittance of the red color filter. 제2항에 있어서,
상기 적색 발광 반도체 나노결정의 발광 스펙트럼이 적색 컬러 필터를 투과하는 비율이 적색 컬러 필터의 최대 투과율의 95% 이상이고, 녹색 컬러 필터를 투과하는 비율이 녹색 컬러 필터의 최대 투과율의 5% 미만인 디스플레이 장치. 3. The method of claim 2,
Wherein the ratio of the transmittance of the emission spectrum of the red light emitting semiconductor nanocrystals to the red color filter is 95% or more of the maximum transmittance of the red color filter and the transmittance ratio of the green color filter is less than 5% . 제1항에 있어서,
상기 발광물질은, 반도체 나노결정만으로 이루어지는 디스플레이 장치.The method according to claim 1,
Wherein the light emitting material comprises only semiconductor nanocrystals. 제1항에 있어서,
상기 광전환층에서, 상기 녹색 발광 반도체 나노결정과 상기 적색 발광 반도체 나노결정은 수지 (resin) 내에 포함되는 디스플레이 장치.The method according to claim 1,
In the light conversion layer, the green light emitting semiconductor nanocrystals and the red light emitting semiconductor nanocrystals are contained in a resin. 제1항 내지 제12항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 디스플레이 장치의 청색, 녹색 및 적색 발광 스펙트럼의 발광세기의 비가 1: 0.9±0.1: 0.8±0.1의 범위에 있는 것인 디스플레이 장치.13. The method according to any one of claims 1 to 12,
Wherein a ratio of an emission intensity of blue, green, and red emission spectra of the display device is in a range of 1: 0.9 0.1: 0.8 0.1. 제1항 내지 제12항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 디스플레이 장치는, CIE1931 좌표의 NTSC 색좌표 대비 90% 이상의 색재현율을 가지는 디스플레이 장치.13. The method according to any one of claims 1 to 12,
Wherein the display device has a color reproduction ratio of 90% or more with respect to an NTSC color coordinate of CIE1931 coordinates.
KR1020190010557A 2019-01-28 2019-01-28 White light emitting diode, backlight unit, and display including the same KR102085275B1 (en)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020190010557A KR102085275B1 (en) 2019-01-28 2019-01-28 White light emitting diode, backlight unit, and display including the same
GB2012323.8A GB2589417B (en) 2019-01-28 2020-08-07 Display apparatus

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020190010557A KR102085275B1 (en) 2019-01-28 2019-01-28 White light emitting diode, backlight unit, and display including the same

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020170184164A Division KR101944922B1 (en) 2017-12-29 2017-12-29 White light emitting diode, backlight unit, and liquid crystal display including the same

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20190011798A true KR20190011798A (en) 2019-02-07
KR102085275B1 KR102085275B1 (en) 2020-03-05

Family

ID=65367265

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020190010557A KR102085275B1 (en) 2019-01-28 2019-01-28 White light emitting diode, backlight unit, and display including the same

Country Status (2)

Country Link
KR (1) KR102085275B1 (en)
GB (1) GB2589417B (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI678804B (en) * 2019-02-20 2019-12-01 友達光電股份有限公司 Display device

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20220096934A (en) 2020-12-31 2022-07-07 엘지디스플레이 주식회사 Display apparatus

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040203311A1 (en) * 2000-09-19 2004-10-14 Smith Christine A. Material system for tailorable white light emission and method for making thereof
US20050215164A1 (en) * 2002-06-07 2005-09-29 Mueller Gerd O Light-emitting devices utilizing nanoparticles
US20060081862A1 (en) * 2004-10-14 2006-04-20 Chua Janet B Y Device and method for emitting output light using quantum dots and non-quantum fluorescent material
US20060103589A1 (en) * 2004-11-18 2006-05-18 Chua Janet Bee Y Device and method for providing illuminating light using quantum dots
US20070085092A1 (en) * 2005-10-14 2007-04-19 Hon Hai Precision Industry Co., Ltd. Light-emitting device, planar light source and direct type backlight module
KR20080006906A (en) * 2006-07-14 2008-01-17 삼성전자주식회사 White light-emitting diode using semiconductor nanocrystals and preparation method thereof
US20080230795A1 (en) * 2007-03-20 2008-09-25 Eric W B Dias Light emitting diode

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9646559B2 (en) * 2012-08-10 2017-05-09 Lg Display Co., Ltd. Liquid crystal display device
KR102456156B1 (en) * 2015-08-12 2022-10-19 삼성디스플레이 주식회사 Display device and driving method of the same
KR102636630B1 (en) * 2018-12-28 2024-02-13 엘지디스플레이 주식회사 Display apparatus

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040203311A1 (en) * 2000-09-19 2004-10-14 Smith Christine A. Material system for tailorable white light emission and method for making thereof
US20050215164A1 (en) * 2002-06-07 2005-09-29 Mueller Gerd O Light-emitting devices utilizing nanoparticles
US20060081862A1 (en) * 2004-10-14 2006-04-20 Chua Janet B Y Device and method for emitting output light using quantum dots and non-quantum fluorescent material
US20060103589A1 (en) * 2004-11-18 2006-05-18 Chua Janet Bee Y Device and method for providing illuminating light using quantum dots
US20070085092A1 (en) * 2005-10-14 2007-04-19 Hon Hai Precision Industry Co., Ltd. Light-emitting device, planar light source and direct type backlight module
KR20080006906A (en) * 2006-07-14 2008-01-17 삼성전자주식회사 White light-emitting diode using semiconductor nanocrystals and preparation method thereof
US20080230795A1 (en) * 2007-03-20 2008-09-25 Eric W B Dias Light emitting diode

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI678804B (en) * 2019-02-20 2019-12-01 友達光電股份有限公司 Display device

Also Published As

Publication number Publication date
KR102085275B1 (en) 2020-03-05
GB202012323D0 (en) 2020-09-23
GB2589417B (en) 2022-03-09
GB2589417A (en) 2021-06-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101683270B1 (en) liquid crystal display Device including white light emitting diode
KR101626066B1 (en) white light emitting diode and liquid crystal display including the same
KR101815619B1 (en) White light emitting diode, backlight unit, and liquid crystal display including the same
US10158052B2 (en) LED based device with wide color gamut
KR100901947B1 (en) White Light-Emitting Diode using Semiconductor Nanocrystals and Preparation Method Thereof
US8237154B2 (en) Composite light-emitting material and light-emitting device comprising the same
US11149195B2 (en) Coated red line emitting phosphors
CN102376860A (en) Light emitting apparatus and method for manufacturing thereof
KR101644052B1 (en) Solid-state white lighting device
KR102085275B1 (en) White light emitting diode, backlight unit, and display including the same
CN112789729A (en) Organic light emitting display device including quantum dots
KR20120140052A (en) Light emitting device
KR101944922B1 (en) White light emitting diode, backlight unit, and liquid crystal display including the same
KR20190005962A (en) Manganese-doped phosphor material for high power density applications
KR20130057354A (en) White light emitting diode and lighting apparatus including the same
US20230007906A1 (en) Displays with expanded gamut coverage and low blue light emission
WO2023060281A1 (en) Uranium-based phosphors and compositions for displays and lighting applications

Legal Events

Date Code Title Description
A107 Divisional application of patent
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right