KR20190007706A - 유기 화합물 및 이를 포함하는 유기 전계 발광 소자 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 신규 유기 화합물 및 이를 포함하는 유기 전계 발광 소자에 관한 것으로, 보다 상세하게는 열적 안정성, 캐리어 수송능 및 발광능 등이 우수한 신규 디벤조퓨란계 화합물 및 이를 하나 이상의 유기물층의 재료로서 포함하여 구동 전압이 낮고, 발광 효율 및 수명 특성 등이 향상된 유기 전계 발광 소자에 관한 것이다.

Description

유기 화합물 및 이를 포함하는 유기 전계 발광 소자{ORGANIC COMPOUND AND ORGANIC ELECTROLUMINESCENT DEVICE COMPRISING THE SAME}
본 발명은 신규 유기 화합물 및 이를 포함하는 유기 전계 발광 소자에 관한 것으로, 보다 상세하게는 열적 안정성, 캐리어 수송능 및 발광능 등이 우수한 신규 디벤조퓨란계 화합물 및 이를 하나 이상의 유기물층의 재료로서 포함하여 구동 전압이 낮고, 발광 효율 및 수명 특성 등이 향상된 유기 전계 발광 소자에 관한 것이다.
1950년대 베르나소스(Bernanose)의 유기 박막 발광 관측을 시점으로 1965년 안트라센 단결정을 이용한 청색 전기발광으로 이어진 유기 전계발광(electroluminescent, EL) 소자(이하, 간단히 '유기 EL 소자'로 칭함)에 대한 연구가 이어져 오다가, 1987년 탕(Tang)에 의하여 정공층(NPB)과 발광층(Alq3)으로 구성된 2층 적층구조의 유기 EL소자가 제안되었다.
이후, 유기 EL 소자는 상용화를 위해 필요한 고효율, 장수명 특성을 구현하기 위해 소자 내에 정공 주입 및 수송을 담당하는 유기층과 전자주입 및 수송을 담당하는 유기층, 정공과 전자의 결합에 의해 전계 발광이 일어나도록 유도하는 유기층 등과 같이 각각의 특징적이고, 세분화된 기능을 부여한 다층적층구조의 형태가 제안되었다.
유기 전계 발광 소자는 두 전극 사이에 전압을 걸어 주면 양극에서는 정공이 유기물층으로 주입되고, 음극에서는 전자가 유기물층으로 주입된다. 주입된 정공과 전자가 만났을 때 엑시톤(exciton)이 형성되며, 이 엑시톤이 바닥상태로 떨어질 때 빛이 나게 된다. 상기 유기물층에 포함되는 물질은 그 기능에 따라, 발광 물질, 정공 주입 물질, 정공 수송 물질, 전자 수송 물질, 전자 주입 물질 등으로 분류될 수 있다.
전자와 정공의 재결합에 의해 형성되는 엑시톤의 전자 스핀은 일중항 엑시톤과 삼중항 엑시톤이 각각 25% 및 75%의 비율로 생성된다. 이때, 유기 EL 소자는 형성된 엑시톤의 전자 스핀 종류에 따라 일중항 엑시톤이 발광에 기여하는 형광 EL소자와 삼중항 엑시톤이 발광에 기여하는 인광 EL소자로 구분할 수 있다.
일중항 엑시톤에 의해 발광이 이루어지는 형광 EL 소자는 생성 비율에 따라 이론적으로 내부 양자 효율이 25%를 넘을 수 없으며, 외부 양자 효율은 5%가 한계로 받아들여 지고 있다.
삼중항 엑시톤에 의해 발광이 이루어지는 인광 EL 소자는 Ir, Pt와 같은 전이금속 중원자(heavy atoms)가 포함된 금속 착체 화합물을 인광 도펀트로 사용할 경우, 형광에 비해 최고 4배까지 발광 효율을 향상시킬 수 있다.
이와 같이, 인광 EL 소자는 이론적으로 발광효율 면에서 형광보다 높은 효율을 나타낸다. 그러나, 녹색, 적색 인광 소자와 달리, 청색 인광 소자는 진청색의 색순도 및 고효율의 인광 도펀트 및 넓은 에너지 갭의 호스트에 대한 개발 수준이 미비하여, 상용화되지 못하고 있고, 대신 청색 형광 소자가 제품에 사용되고 있다.
다층 적층 구조의 도입으로 인해 유기 EL 소자의 성능이 상용화 특성까지 향상됨에 따라, 1997년 차량용 라디오 디스플레이 제품을 시작으로 휴대용 정보표시기기 및 TV용 디스플레이 소자로까지 그 적용 범위를 확대시키려 하고 있다.
또한, 최근 디스플레이의 대형화 및 고해상도화 추세에 따라 고효율 및 장수명을 갖는 유기 EL 소자의 개발이 요구되고 있다. 특히, 디스플레이의 고해상도는 동일 면적에서 더 많은 화소가 형성될 때 구현될 수 있다. 이러한 고해상도화로 인해 유기 EL 화소의 발광 면적이 감소되어, 결국 수명을 단축시키게 되었고, 이는 유기 EL 소자가 극복해야 할 가장 중요한 기술적 과제가 되었다.
그러나, 종래의 유기 EL 소자의 재료들은 유리전이온도가 낮아 열적 안정성이 떨어지기 때문에, 유기 전계 발광 소자의 수명 측면에서 만족할 만한 수준이 되지 못하고 있으며, 발광 특성 측면에서도 개선이 필요하다.
본 발명의 일 목적은 열적 안정성, 캐리어 수송능 및 발광능 등이 우수하여 발광층 재료, 정공 수송층 재료, 발광 보조층 재료 또는 전자 수송 보조층 재료 등으로 사용될 수 있는 신규 화합물을 제공하는 것이다.
또한, 본 발명의 다른 목적은 상기 신규 화합물을 포함하여 구동 전압이 낮고, 발광 효율이 높으며, 수명 특성이 향상된 유기 전계 발광 소자를 제공하는 것이다.
본 발명은 하기 화학식 1로 표시되는 화합물을 제공한다:
[화학식 1]
Figure pat00001
[화학식 2]
Figure pat00002
여기서,
X1은 O, S, C(R9)(R10) 및 N(R11)로 이루어진 군으로부터 선택되며,
R1과 R2, R2와 R3, R3와 R4, R4와 R5, R5와 R6, R6과 R7, R7과 R8 중 적어도 하나는 상기 화학식 2로 표시되는 고리와 축합되어 축합 고리를 형성하며,
상기 화학식 2로 표시되는 고리와 축합 고리를 형성하지 않는 R1, R2, R3, R4, R5, R6, R7 및 R8은 서로 동일하거나 상이하며, 각각 독립적으로 수소, 중수소, C1~C40의 알킬기, C2~C40의 알케닐기, C2~C40의 알키닐기, C3~C40의 시클로알킬기, 핵원자수 3 내지 40의 헤테로시클로알킬기, C6~C60의 아릴기, 핵원자수 5 내지 60의 헤테로아릴기, C1~C40의 알킬옥시기, C6~C60의 아릴옥시기, C1~C40의 알킬실릴기, C6~C60의 아릴실릴기, C1~C40의 알킬보론기, C6~C60의 아릴보론기, C6~C60의 아릴포스핀기, C6~C60의 아릴포스핀옥사이드기 및 C6~C60의 아릴아민기로 이루어진 군에서 선택되거나, 인접한 기와 결합하여 축합 고리를 형성할 수 있으며,
상기 화학식 2의 점선은 화학식 1과 축합이 이루어지는 부분이며,
X2 및 X3은 서로 동일하거나 상이하며, 각각 독립적으로 수소, 중수소, C1~C2의 알킬기 및 C6~C60의 아릴기로 이루어진 군으로부터 선택되며,
L은 단일결합, C6~C18의 아릴렌기 및 핵원자수 5 내지 18개의 헤테로아릴렌기로 이루어진 군에서 선택되며,
R9 내지 R11은 서로 동일하거나 상이하며, 각각 독립적으로 수소, 중수소, C1~C40의 알킬기, C2~C40의 알케닐기, C2~C40의 알키닐기, C3~C40의 시클로알킬기, 핵원자수 3 내지 40의 헤테로시클로알킬기, C6~C60의 아릴기, 핵원자수 5 내지 60의 헤테로아릴기, C1~C40의 알킬옥시기, C6~C60의 아릴옥시기, C1~C40의 알킬실릴기, C6~C60의 아릴실릴기, C1~C40의 알킬보론기, C6~C60의 아릴보론기, C6~C60의 아릴포스핀기, C6~C60의 아릴포스핀옥사이드기 및 C6~C60의 아릴아민기로 이루어진 군에서 선택되며,
R12는 C6~C60의 아릴기, 핵원자수 5 내지 60개의 헤테로아릴기, C1~C40의 알킬옥시기, C6~C60의 아릴옥시기, C1~C40의 알킬실릴기, C6~C60의 아릴실릴기, C1~C40의 알킬보론기, C6~C60의 아릴보론기, C6~C60의 아릴포스핀기, C6~C60의 모노 또는 디아릴포스피닐기 및 C6~C60의 아릴아민기로 이루어진 군에서 선택되며,
R1 내지 R12, X2 및 X3의 알킬기, 알케닐기, 알키닐기, 시클로알킬기, 헤테로시클로알킬기, 아릴기, 헤테로아릴기, 알킬옥시기, 아릴옥시기, 알킬실릴기, 아릴실릴기, 알킬보론기, 아릴보론기, 아릴포스핀기, 아릴포스핀옥사이드기 모노 또는 디아릴포스피닐기 및 아릴아민기는 각각 독립적으로 C1~C40의 알킬기, C2~C40의 알케닐기, C2~C40의 알키닐기, C3~C40의 시클로알킬기, 핵원자수 3 내지 40개의 헤테로시클로알킬기, C6~C60의 아릴기, 핵원자수 5 내지 60개의 헤테로아릴기, C1~C40의 알킬옥시기, C6~C60의 아릴옥시기, C3~C40의 알킬실릴기, C6~C60의 아릴실릴기, C1~C40의 알킬보론기, C6~C60의 아릴보론기, C6~C60의 아릴포스핀기, C6~C60의 모노 또는 디아릴포스피닐기 및 C6~C60의 아릴아민기로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 치환기로 치환되거나 비치환되고, 복수 개의 치환기로 치환되는 경우 이들은 서로 동일하거나 상이할 수 있다.
본 발명은 양극, 음극 및 상기 양극과 음극 사이에 개재(介在)된 1층 이상의 유기물층을 포함하며, 상기 1층 이상의 유기물층 중에서 적어도 하나는 상기 화학식 1의 화합물을 포함하는 유기 전계 발광 소자를 제공한다.
본 발명에서 "알킬"은 탄소수 1 내지 40개의 직쇄 또는 측쇄의 포화 탄화수소에서 유래되는 1가의 치환기를 의미한다. 이의 예로는 메틸, 에틸, 프로필, 이소부틸, sec-부틸, 펜틸, iso-아밀, 헥실 등을 들 수 있으나, 이에 한정되지는 않는다.
본 발명에서 "알케닐(alkenyl)"은 탄소-탄소 이중 결합을 1개 이상 가진 탄소수 2 내지 40개의 직쇄 또는 측쇄의 불포화 탄화수소에서 유래되는 1가의 치환기를 의미한다. 이의 예로는 비닐(vinyl), 알릴(allyl), 이소프로펜일(isopropenyl), 2-부텐일(2-butenyl) 등을 들 수 있으나, 이에 한정되지는 않는다.
본 발명에서 "알키닐(alkynyl)"은 탄소-탄소 삼중 결합을 1개 이상 가진 탄소수 2 내지 40개의 직쇄 또는 측쇄의 불포화 탄화수소에서 유래되는 1가의 치환기를 의미한다. 이의 예로는 에티닐(ethynyl), 2-프로파닐(2-propynyl) 등을 들 수 있으나, 이에 한정되지는 않는다.
본 발명에서 "아릴"은 단독 고리 또는 2이상의 고리가 조합된 탄소수 6 내지 60개의 방향족 탄화수소로부터 유래된 1가의 치환기를 의미한다. 또한, 2 이상의 고리가 서로 단순 부착(pendant)되거나 축합된 형태도 포함될 수 있다. 이러한 아릴의 예로는 페닐, 나프틸, 페난트릴, 안트릴 등을 들 수 있으나, 이에 한정되지는 않는다.
본 발명에서 "헤테로아릴"은 핵원자수 5 내지 40개의 모노헤테로사이클릭 또는 폴리헤테로사이클릭 방향족 탄화수소로부터 유래된 1가의 치환기를 의미한다. 이때, 고리 중 하나 이상의 탄소, 바람직하게는 1 내지 3개의 탄소가 N, O, S 또는 Se와 같은 헤테로원자로 치환된다. 또한, 2 이상의 고리가 서로 단순 부착(pendant)되거나 축합된 형태도 포함될 수 있고, 나아가 아릴기와의 축합된 형태도 포함될 수 있다. 이러한 헤테로아릴의 예로는 피리딜, 피라지닐, 피리미디닐, 피리다지닐, 트리아지닐과 같은 6-원 모노사이클릭 고리, 페녹사티에닐(phenoxathienyl), 인돌리지닐(indolizinyl), 인돌릴(indolyl), 퓨리닐(purinyl), 퀴놀릴(quinolyl), 벤조티아졸(벤조thiazole), 카바졸릴(carbazolyl)과 같은 폴리사이클릭 고리 및 2-퓨라닐, N-이미다졸릴, 2-이속사졸릴, 2-피리디닐, 2-피리미디닐 등을 들 수 있으나, 이에 한정되지는 않는다.
본 발명에서 "아릴옥시"는 RO-로 표시되는 1가의 치환기로, 상기 R은 탄소수 6 내지 60개의 아릴을 의미한다. 이러한 아릴옥시의 예로는 페닐옥시, 나프틸옥시, 디페닐옥시 등을 들 수 있으나, 이에 한정되지는 않는다.
본 발명에서 "알킬옥시"는 R'O-로 표시되는 1가의 치환기로, 상기 R'는 탄소수 1 내지 40개의 알킬을 의미하며, 직쇄(linear), 측쇄(branched) 또는 사이클릭(cyclic) 구조를 포함할 수 있다. 알킬옥시의 예로는 메톡시, 에톡시, n-프로폭시, 1-프로폭시, t-부톡시, n-부톡시, 펜톡시 등을 들 수 있으나, 이에 한정되지는 않는다.
본 발명에서 "아릴아민"은 탄소수 6 내지 60개의 아릴로 치환된 아민을 의미한다.
본 발명에서 "시클로알킬"은 탄소수 3 내지 40개의 모노사이클릭 또는 폴리사이클릭 비-방향족 탄화수소로부터 유래된 1가의 치환기를 의미한다. 이러한 사이클로알킬의 예로는 사이클로프로필, 사이클로펜틸, 사이클로헥실, 노르보닐(norbornyl), 아다만틴(adamantine) 등을 들 수 있으나, 이에 한정되지는 않는다.
본 발명에서 "헤테로시클로알킬"은 핵원자수 3 내지 40개의 비-방향족 탄화수소로부터 유래된 1가의 치환기를 의미하며, 고리 중 하나 이상의 탄소, 바람직하게는 1 내지 3개의 탄소가 N, O, S 또는 Se와 같은 헤테로 원자로 치환된다. 이러한 헤테로시클로알킬의 예로는 모르폴린, 피페라진 등을 들 수 있으나, 이에 한정되지는 않는다.
본 발명에서 "알킬실릴"은 탄소수 1 내지 40개의 알킬로 치환된 실릴이고, "아릴실릴"은 탄소수 6 내지 60개의 아릴로 치환된 실릴을 의미한다.
본 발명에서 "축합고리"는 축합 지방족 고리, 축합 방향족 고리, 축합 헤테로지방족 고리, 축합 헤테로방향족 고리 또는 이들의 조합된 형태를 의미한다.
본 발명에서 제공하는 화합물은 열적 안정성, 캐리어 수송능 및 발광능 등이 우수하기 때문에 유기 전계 발광 소자의 유기물층 재료로 유용하게 적용될 수 있다.
또한, 본 발명의 화합물을 유기물층에 포함하는 유기 전계 발광 소자는 우수한 발광 성능, 낮은 구동전압, 높은 효율 및 장수명의 특성을 가져, 풀 칼라 디스플레이 패널 등에 효과적으로 적용될 수 있다.
이하, 본 발명에 대해 설명한다.
1. 신규 유기 화합물
본 발명은 열적 안정성, 캐리어 수송능 및 발광능 등이 우수한 신규 화합물을 제공한다.
구체적으로, 본 발명에 따른 신규 유기 화합물은 헤테로 화합물에 인덴 모이어티(indene moiety) 등이 축합되어 기본 골격을 이루고, 이러한 기본 골격에 다양한 치환기가 결합되거나 축합되어 이루어진 구조를 갖는다.
바람직하게는, 본 발명의 신규 유기 화합물은 하기 화학식 1로 나타낼 수 있다:
[화학식 1]
Figure pat00003
[화학식 2]
Figure pat00004
여기서,
X1은 O, S, C(R9)(R10) 및 N(R11)로 이루어진 군으로부터 선택되며,
R1과 R2, R2와 R3, R3와 R4, R4와 R5, R5와 R6, R6과 R7, R7과 R8 중 적어도 하나는 상기 화학식 2로 표시되는 고리와 축합되어 축합 고리를 형성하며,
상기 화학식 2로 표시되는 고리와 축합 고리를 형성하지 않는 R1, R2, R3, R4, R5, R6, R7 및 R8은 서로 동일하거나 상이하며, 각각 독립적으로 수소, 중수소, C1~C40의 알킬기, C2~C40의 알케닐기, C2~C40의 알키닐기, C3~C40의 시클로알킬기, 핵원자수 3 내지 40의 헤테로시클로알킬기, C6~C60의 아릴기, 핵원자수 5 내지 60의 헤테로아릴기, C1~C40의 알킬옥시기, C6~C60의 아릴옥시기, C1~C40의 알킬실릴기, C6~C60의 아릴실릴기, C1~C40의 알킬보론기, C6~C60의 아릴보론기, C6~C60의 아릴포스핀기, C6~C60의 아릴포스핀옥사이드기 및 C6~C60의 아릴아민기로 이루어진 군에서 선택되거나, 인접한 기와 결합하여 축합 고리를 형성할 수 있으며,
상기 화학식 2의 점선은 화학식 1과 축합이 이루어지는 부분이며,
X2 및 X3은 서로 동일하거나 상이하며, 각각 독립적으로 수소, 중수소, C1~C2의 알킬기 및 C6~C60의 아릴기로 이루어진 군으로부터 선택되며,
L은 단일결합, C6~C18의 아릴렌기 및 핵원자수 5 내지 18개의 헤테로아릴렌기로 이루어진 군에서 선택되며,
R9 내지 R11은 서로 동일하거나 상이하며, 각각 독립적으로 수소, 중수소, C1~C40의 알킬기, C2~C40의 알케닐기, C2~C40의 알키닐기, C3~C40의 시클로알킬기, 핵원자수 3 내지 40의 헤테로시클로알킬기, C6~C60의 아릴기, 핵원자수 5 내지 60의 헤테로아릴기, C1~C40의 알킬옥시기, C6~C60의 아릴옥시기, C1~C40의 알킬실릴기, C6~C60의 아릴실릴기, C1~C40의 알킬보론기, C6~C60의 아릴보론기, C6~C60의 아릴포스핀기, C6~C60의 아릴포스핀옥사이드기 및 C6~C60의 아릴아민기로 이루어진 군에서 선택되며,
R12는 C6~C60의 아릴기, 핵원자수 5 내지 60개의 헤테로아릴기, C1~C40의 알킬옥시기, C6~C60의 아릴옥시기, C1~C40의 알킬실릴기, C6~C60의 아릴실릴기, C1~C40의 알킬보론기, C6~C60의 아릴보론기, C6~C60의 아릴포스핀기, C6~C60의 모노 또는 디아릴포스피닐기 및 C6~C60의 아릴아민기로 이루어진 군에서 선택되며,
R1 내지 R12, X2 및 X3의 알킬기, 알케닐기, 알키닐기, 시클로알킬기, 헤테로시클로알킬기, 아릴기, 헤테로아릴기, 알킬옥시기, 아릴옥시기, 알킬실릴기, 아릴실릴기, 알킬보론기, 아릴보론기, 아릴포스핀기, 아릴포스핀옥사이드기 모노 또는 디아릴포스피닐기 및 아릴아민기는 각각 독립적으로 C1~C40의 알킬기, C2~C40의 알케닐기, C2~C40의 알키닐기, C3~C40의 시클로알킬기, 핵원자수 3 내지 40개의 헤테로시클로알킬기, C6~C60의 아릴기, 핵원자수 5 내지 60개의 헤테로아릴기, C1~C40의 알킬옥시기, C6~C60의 아릴옥시기, C3~C40의 알킬실릴기, C6~C60의 아릴실릴기, C1~C40의 알킬보론기, C6~C60의 아릴보론기, C6~C60의 아릴포스핀기, C6~C60의 모노 또는 디아릴포스피닐기 및 C6~C60의 아릴아민기로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 치환기로 치환되거나 비치환되고, 복수 개의 치환기로 치환되는 경우 이들은 서로 동일하거나 상이할 수 있다.
보다 구체적으로, 본 발명에 따른 신규 유기 화합물은 디벤조퓨란, 디벤조티오펜, 플루오렌 및 카바졸로 이루어진 화합물에 인덴 모이어티(indene moiety) 등이 축합되어 기본 골격을 이루며, 바람직하게는 디벤조퓨란에 인덴 모이어티 등이 축합되어 기본 골격을 이루고, 다양한 치환기가 결합되거나 축합되어 이루어진 구조를 갖는다.
본 발명의 바람직한 한 구현 예에 따르면, 상기 화학식 1은 하기 화학식 3 내지 8로 표시되는 것일 수 있다:
[화학식 3]
Figure pat00005
[화학식 4]
Figure pat00006
[화학식 5]
Figure pat00007
[화학식 6]
Figure pat00008
[화학식 7]
Figure pat00009
[화학식 8]
Figure pat00010
여기서,
X1 내지 X3, L 및 R1 내지 R8 각각은 상기 화학식 1에서 정의한 바와 같다.
본 발명의 바람직한 한 구현 예에 따르면, 상기 화학식 1 내지 화학식 8의 X1은 O일 수 있다.
본 발명의 바람직한 한 구현 예에 따르면, 상기 화학식 1 내지 화학식 8의 X2 및 X3는 메틸기일 수 있다.
본 발명의 바람직한 한 구현 예에 따르면, 상기 화학식 2의 R12는 하기 화학식 9 내지 화학식 11 중 어느 하나로 표시되는 치환기일 수 있다:
[화학식 9]
Figure pat00011
[화학식 10]
Figure pat00012
[화학식 11]
Figure pat00013
여기서,
*는 결합되는 부분을 의미하고,
n은 0 내지 2의 정수이며,
Y1 내지 Y3 서로 동일하거나 상이하며, 각각 독립적으로 C(R15) 또는 N이며, 적어도 하나 이상은 N이며,
Y4 내지 Y7은 서로 동일하거나 상이하며, 각각 독립적으로 C(R16) 또는 N이며,
X4는 O, S, C(R17)(R18), Si(R19)(R20) 및 N(R21)으로 이루어진 군으로부터 선택되며,
R12 내지 R14는 서로 동일하거나 상이하며, 각각 독립적으로 수소, 중수소, C1~C40의 알킬기, C2~C40의 알케닐기, C2~C40의 알키닐기, C3~C40의 시클로알킬기, 핵원자수 3 내지 40의 헤테로시클로알킬기, C6~C60의 아릴기, 핵원자수 5 내지 60의 헤테로아릴기, C1~C40의 알킬옥시기, C6~C60의 아릴옥시기, C1~C40의 알킬실릴기, C6~C60의 아릴실릴기, C1~C40의 알킬보론기, C6~C60의 아릴보론기, C6~C60의 아릴포스핀기, C6~C60의 아릴포스핀옥사이드기 및 C6~C60의 아릴아민기로 이루어진 군에서 선택되며,
R15 및 R16은 서로 동일하거나 상이하며, 각각 독립적으로 수소, 중수소, 할로겐, 시아노기, 니트로기, C1~C40의 알킬기, C2~C40의 알케닐기, C2~C40의 알키닐기, C3~C40의 시클로알킬기, 핵원자수 3 내지 40의 헤테로시클로알킬기, C6~C60의 아릴기, 핵원자수 5 내지 60의 헤테로아릴기, C1~C40의 알킬옥시기, C6~C60의 아릴옥시기, C1~C40의 알킬실릴기, C6~C60의 아릴실릴기, C1~C40의 알킬보론기, C6~C60의 아릴보론기, C6~C60의 아릴포스핀기, C6~C60의 아릴포스핀옥사이드기 및 C6~C60의 아릴아민기로 이루어진 군에서 선택되거나, 인접한 기와 결합하여 축합 고리를 형성할 수 있으며,
R17 내지 R21는 서로 동일하거나 상이하며, 각각 독립적으로 C1~C40의 알킬기, C2~C40의 알케닐기, C2~C40의 알키닐기, C3~C40의 시클로알킬기, 핵원자수 3 내지 40의 헤테로시클로알킬기, C6~C60의 아릴기, 핵원자수 5 내지 60의 헤테로아릴기, C1~C40의 알킬옥시기, C6~C60의 아릴옥시기, C1~C40의 알킬실릴기, C6~C60의 아릴실릴기, C1~C40의 알킬보론기, C6~C60의 아릴보론기, C6~C60의 아릴포스핀기, C6~C60의 아릴포스핀옥사이드기 및 C6~C60의 아릴아민기로 이루어진 군에서 선택되거나, 인접한 기와 결합하여 축합 고리를 형성할 수 있고,
R12 내지 R21 의 알킬기, 알케닐기, 알키닐기, 시클로알킬기, 헤테로시클로알킬기, 아릴기, 헤테로아릴기, 알킬옥시기, 아릴옥시기, 알킬실릴기, 아릴실릴기, 알킬보론기, 아릴보론기, 아릴포스핀기, 아릴포스핀옥사이드기 모노 또는 디아릴포스피닐기 및 아릴아민기는 각각 독립적으로 C1~C40의 알킬기, C2~C40의 알케닐기, C2~C40의 알키닐기, C3~C40의 시클로알킬기, 핵원자수 3 내지 40개의 헤테로시클로알킬기, C6~C60의 아릴기, 핵원자수 5 내지 60개의 헤테로아릴기, C1~C40의 알킬옥시기, C6~C60의 아릴옥시기, C3~C40의 알킬실릴기, C6~C60의 아릴실릴기, C1~C40의 알킬보론기, C6~C60의 아릴보론기, C6~C60의 아릴포스핀기, C6~C60의 모노 또는 디아릴포스피닐기 및 C6~C60의 아릴아민기로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 치환기로 치환되거나 비치환되고, 복수 개의 치환기로 치환되는 경우 이들은 서로 동일하거나 상이할 수 있다.
본 발명의 바람직한 한 구현 예에 따르면, 상기 L은 단일결합, 페닐렌기 또는 바이페닐렌기일 수 있다.
본 발명의 바람직한 한 구현 예에 따르면, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 아래의 화합물로 이루어진 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 화합물일 수 있다:
Figure pat00014
Figure pat00015
Figure pat00016
Figure pat00017
Figure pat00018
Figure pat00019
Figure pat00020
Figure pat00021
Figure pat00022
본 발명의 화학식 1의 화합물은 일반적인 합성방법에 따라 합성될 수 있다(Chem. Rev., 60:313 (1960); J. Chem . SOC. 4482 (1955); Chem. Rev. 95: 2457 (1995) 등 참조). 본 발명의 화합물에 대한 상세한 합성 과정은 후술하는 합성예에서 구체적으로 기술하도록 한다.
2. 유기 전계 발광 소자
한편, 본 발명의 다른 측면은 상기한 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는 유기 전계 발광 소자를 제공한다.
구체적으로, 본 발명은 (i) 양극(anode), (ii) 음극(cathode) 및 (iii) 상기 양극과 음극 사이에 개재(介在)된 1층 이상의 유기물층을 포함하며, 상기 유기물층 중 적어도 하나는 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함한다. 이때, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 단독 또는 2종 이상이 혼합되어 사용될 수 있다.
본 발명의 일례에 따르면, 상기 1층 이상의 유기물층은 정공주입층, 정공수송층, 발광층, 전자수송층 및 전자주입층 중 어느 하나 이상을 포함할 수 있는데, 이 중에서 적어도 하나의 유기물층은 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함할 수 있다.
바람직하게는 상기 화학식 1로 표시되는 화합물이 포함되는 유기물층은 발광층 또는 정공 수송층일 수 있고, 더욱 바람직하게는, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물이 발광층에 포함될 경우, 유기 전계 발광 소자의 발광효율, 휘도, 전력효율, 열적 안정성 및 소자 수명을 매우 향상시킬 수 있다.
예를 들어, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 발광층의 인광 호스트, 형광 호스트 또는 도펀트 재료일 수 있으며, 바람직하게는 발광층의 인광 호스트일 수 있다.
본 발명의 다른 일례에 따르면, 상기 1층 이상의 유기물층은 정공 주입층, 정공 수송층, 발광 보조층, 발광층, 전자 수송층 및 전자 주입층 중 어느 하나 이상을 포함할 수 있는데, 이때 적어도 하나의 유기물층은 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함할 수 있다.
바람직하게는 상기 화학식 1로 표시되는 화합물이 포함되는 유기물층은 발광 보조층일 수 있다. 특히, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물이 유기 전계 발광 소자의 발광 보조층 물질에 포함되는 경우, 유기 전계 발광 소자의 효율(발광 효율 및 전력 효율), 수명 및 휘도는 보다 향상시키고, 구동 전압은 더욱 낮출 수 있다.
본 발명의 또 다른 일례에 따르면, 상기 1층 이상의 유기물층은 정공 주입층, 정공 수송층, 발광층, 전자 수송 보조층, 전자 수송층 및 전자 주입층 중 어느 하나 이상을 포함할 수 있는데, 이때 적어도 하나의 유기물층은 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함할 수 있다.
바람직하게는, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물이 포함되는 유기물층은 전자 수송 보조층일 수 있다. 특히 상기 화학식 1로 표시되는 화합물이 유기 전계 발광 소자의 전자수송보조층에 포함되는 경우, 유기 전계 발광 소자의 효율(발광 효율 및 전력 효율), 수명 및 휘도는 보다 향상시키고, 구동 전압은 더욱 낮출 수 있다.
이러한 본 발명의 유기 전계 발광 소자의 구조는 특별히 한정되지 않으며, 예컨대 기판 위에, 양극, 1층 이상의 유기물층 및 음극이 순차적으로 적층될 뿐만 아니라, 전극과 유기물층 계면에 절연층 또는 접착층이 삽입된 구조일 수 있다.
일례에 따르면, 상기 유기 전계 발광 소자는 기판 위에, 양극, 정공 주입층, 정공 수송층, 발광층, 전자 수송층 및 음극이 순차적으로 적층된 구조일 수 있고, 필요에 따라서는, 상기 정공 수송층과 발광층 사이에는 발광 보조층이 삽입될 수 있으며 또, 상기 전자 수송층 위에는 전자 주입층이 위치할 수도 있다.
본 발명의 유기 전계 발광 소자는 상기 1층 이상의 유기물층 중에서 적어도 하나로, 예컨대, 발광층 또는 발광 보조층은 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하도록 형성하는 것을 제외하고는, 당 기술 분야에 알려져 있는 재료 및 방법을 이용하여 유기물층 및 전극을 형성함으로써 제조될 수 있다.
상기 유기물층은 진공 증착법이나 용액 도포법에 의하여 형성될 수 있다. 상기 용액 도포법의 예로는 스핀 코팅, 딥코팅, 닥터 블레이딩, 잉크젯 프린팅 또는 열 전사법 등이 있으나, 이들에 한정되지는 않는다.
본 발명에서 유기 전계 발광 소자의 제조 시 사용 가능한 기판의 예로는 실리콘 웨이퍼, 석영 또는 유리판, 금속판, 플라스틱 필름이나 시트 등이 있는데, 이에 한정되지 않는다.
또한, 양극 물질의 예로는 바나듐, 크롬, 구리, 아연, 금과 같은 금속 또는 이들의 합금; 아연 산화물, 인듐 산화물, 인듐 주석 산화물(ITO), 인듐 아연 산화물(IZO)과 같은 금속 산화물; ZnO:Al 또는 SnO2:Sb와 같은 금속과 산화물의 조합; 폴리티오펜, 폴리(3-메틸티오펜), 폴리[3,4-(에틸렌-1,2-디옥시)티오펜](PEDT), 폴리피롤 및 폴리아닐린과 같은 전도성 고분자; 또는 카본블랙 등이 있으나, 이들에 한정되는 것은 아니다.
또한, 음극 물질의 예로는 마그네슘, 칼슘, 나트륨, 칼륨, 타이타늄, 인듐, 이트륨, 리튬, 가돌리늄, 알루미늄, 은, 주석, 또는 납과 같은 금속 또는 이들의 합금; LiF/Al 또는 LiO2/Al과 같은 다층 구조 물질 등이 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
또한, 정공 주입층, 정공 수송층, 전자 주입층 및 전자 수송층으로 사용되는 물질은 특별히 한정되는 것은 아니며, 당업계에 알려진 통상의 물질이라면 제한없이 사용할 수 있다.
이하 본 발명을 실시예를 통하여 상세히 설명하나, 하기 실시예는 본 발명을 예시하는 것일 뿐, 본 발명이 하기 실시예에 의해 한정되는 것은 아니다.
[ 준비예 1] 화합물 Inv 1 및 Inv 2의 합성
Figure pat00023
<단계 1> 2-( 디벤조[b,d]퓨란 -2-일)-4,4,5,5- 테트라메틸 -1,3,2- 다이옥사보로란의 합성
2-브로모다이벤조[b,d]퓨란 (94g, 0.38mol), 비스(피나콜라토)디보론 (115.8g, 0.46mol), Pd(dppf)Cl2 (31g, 0.038mol) 및 KOAc(111.9g, 1.14mol)을 플라스크에 넣은 다음, 여기에 1,4-디옥산 (2L)를 넣어 녹인 후, 8시간 동안 가열 교반하였다. 반응 종료 후, 증류수를 넣고 에틸아세테이트로 유기층을 추출하였다. 얻은 유기층을 Na2SO4로 건조시키고 감압 증류한 다음, 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물 2-(디벤조[b,d]퓨란-2-일)-4,4,5,5-테트라메틸-1,3,2-다이옥사보로란 (73g, 수율 62%)을 얻었다.
<단계 2> 메틸 5- 클로로 -2-( 디벤조[b,d]퓨란 -2-일) 벤조에이트 의 합성
상기 <단계 1>에서 얻은 2-( 디벤조[b,d]퓨란 -2-일)-4,4,5,5- 테트라메틸 -1,3,2-다이옥사보로란 (22.6g, 76.9mmol), 메틸 2-브로모-5-클로로벤조에이트 (21.1g, 84.57mmol) 및 Pd(PPh3)4 (0.89g, 0.769mmol)을 플라스크에 넣고 질소 분위기 1,4-디옥산 257mL에 용해 시킨 후 K2CO3 17g (115.3mmol)을 녹인 수용액 128ml를 첨가 시킨 후 8시간 동안 70℃에서 환류 교반 하였다. 반응 종료 후 에틸아세테이트로 추출 한 후 얻은 유기층을 Na2SO4로 건조시키고 감압 증류한 다음, 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물 메틸 5-클로로-2-(디벤조[b,d]퓨란-2-일)벤조에이트를 21.8g(수율 84%)을 수득하였다.
<단계 3> 화합물 Inv 1, 및 Inv 2의 합성
진공 하에서 가열 건조한 3구 둥근 바닥 플라스크에 질소 분위기 하에서 상기 <단계 2>에서 얻은 메틸 5-클로로-2-(디벤조[b,d]퓨란-2-일)벤조에이트 21.8g(64.95mmol)을 넣고 THF 325mL를 가하여 용해시킨 후 -10℃로 냉각 및 교반 하였다.여기에 3.0M CH3MgBr 54mL(in Ether, 162.4mmol) 을 30분간 천천히 가한다. 반응액을 상온으로 승온하고 질소 분위기 하에 12시간 교반 하였다. 반응액을 0℃로 냉각한 후 여기에 NH4Cl(10.4g, 194.85mmol)을 증류수 100mL에 녹인 수용액을 천천히 가한다. 반응액을 증류수와 에테르로 추출하고 유기층 용액을 Na2SO4로 건조, 여과하고 여과액을 감압 농축하였다. 건조된 잔사를 3구 둥근 바닥플라스크에 넣은 후 질소분위기 하에서 CH2Cl2 325mL를 가하여 용해시킨 후 0℃로 냉각 및 교반 하였다. 여기에 보론 트리플루오라이드 디에틸 에테레이트 (4mL, 32.5mmol)을 10분간 천천히 가하고 실온으로 승온한 후 12시간 동안 교반한다. 반응이 종료되면 중탄산나트륨 수용액을 0℃에서 천천히 가한후 30분간 교반한다. 반응액을 디클로로메탄/증류수로 추출한 추출액을 Na2SO4로 건조시키고 감압 증류한 다음, 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물 Inv 1(10.3g, 수율 50 %), 및 화합물 Inv 2 (9.3 g, 수율 45 %)을 수득 하였다.
[ 준비예 2] 화합물 Inv 3, 및 Inv 4의 합성
Figure pat00024
<단계 1> 2-( 디벤조[b,d]퓨란 -2-일)-4,4,5,5- 테트라메틸 -1,3,2- 다이옥사보로란의 합성
2-브로모다이벤조[b,d]퓨란 (94g, 0.38mol), 비스(피나콜라토)디보론 (115.8g, 0.46mol), Pd(dppf)Cl2 (31g, 0.038mol) 및 KOAc(111.9g, 1.14mol)을 플라스크에 넣은 다음, 여기에 1,4-디옥산 (2L)를 넣어 녹인 후, 8시간 동안 가열 교반하였다. 반응 종료 후, 증류수를 넣고 에틸아세테이트로 유기층을 추출하였다. 얻은 유기층을 Na2SO4로 건조시키고 감압 증류한 다음, 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물 2-(디벤조[b,d]퓨란-2-일)-4,4,5,5-테트라메틸-1,3,2-다이옥사보로란 (73g, 수율 62%)을 얻었다.
<단계 2> 메틸 4- 클로로 -2-( 디벤조[b,d]퓨란 -2-일) 벤조에이트 의 합성
상기 <단계 1>에서 얻은 2-(디벤조[b,d]퓨란-2-일)-4,4,5,5-테트라메틸-1,3,2-다이옥사보로란 (69g, 0.235mol), 2-브로모-4-클로로-1-니트로벤젠 (67g, 0.282mol) 및 Pd(PPh3)4 (13.5g, 0.011mol)을 플라스크에 넣고, 여기에 2M Na2CO3 포화 수용액 (352㎖)과 1,4-dioxane (2L)을 넣어 녹인 후, 8시간 동안 가열 교반하였다. 반응 종료 후, 증류수를 넣고 에틸아세테이트로 유기층을 추출하였다. 얻은 유기층을 Na2SO4로 건조시키고 감압 증류한 다음, 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물 메틸 4-클로로-2-(디벤조[b,d]퓨란-2-일)벤조에이트(71g, 수율 91%)을 얻었다.
<단계 3> 화합물 Inv 3, 및 Inv 4의 합성
진공 하에서 가열 건조한 3구 둥근 바닥 플라스크에 질소 분위기 하에서 상기 <단계 2>에서 얻은 메틸 4-클로로-2-(디벤조[b,d]퓨란-2-일)벤조에이트 21.8g(64.95mmol)을 넣고 THF 325mL를 가하여 용해시킨 후 -10℃로 냉각 및 교반 하였다.여기에 3.0M CH3MgBr 54mL(in Ether, 162.4mmol) 을 30분간 천천히 가한다. 반응액을 상온으로 승온하고 질소 분위기 하에 12시간 교반 하였다. 반응액을 0℃로 냉각한 후 여기에 NH4Cl(10.4g, 194.85mmol)을 증류수 100mL에 녹인 수용액을 천천히 가한다. 반응액을 증류수와 에테르로 추출하고 유기층 용액을 Na2SO4로 건조, 여과하고 여과액을 감압 농축하였다. 건조된 잔사를 3구 둥근 바닥플라스크에 넣은 후 질소분위기 하에서 CH2Cl2 325mL를 가하여 용해시킨 후 0℃로 냉각 및 교반 하였다. 여기에 보론 트리플루오라이드 디에틸 에테레이트 (4mL, 32.5mmol)을 10분간 천천히 가하고 실온으로 승온한 후 12시간 동안 교반한다. 반응이 종료되면 중탄산나트륨 수용액을 0℃에서 천천히 가한후 30분간 교반한다. 반응액을 디클로로메탄/증류수로 추출한 추출액을 Na2SO4로 건조시키고 감압 증류한 다음, 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물 Inv 3(9.3g, 수율 45 %), 및 화합물 Inv 4 (8.2 g, 수율 39 %)을 수득 하였다.
[ 준비예 5] 화합물 Inv 5, 및 Inv 6의 합성
Figure pat00025
상기 준비예 1과 동일한 과정을 수행하되, <단계 1>에서 2-브로모다이벤조[b,d]퓨란 대신 3-브로모다이벤조[b,d]퓨란 를 사용하여 화합물 Inv 5(9.0g, 수율 43 %), 및 화합물 Inv 6 (8.6 g, 수율 41 %)을 수득 하였다
[ 준비예 6] 화합물 Inv 7, 및 Inv 8의 합성
Figure pat00026
상기 준비예 2과 동일한 과정을 수행하되, <단계 1>에서 2-브로모다이벤조[b,d]퓨란 대신 3-브로모다이벤조[b,d]퓨란을 사용하여 화합물 Inv 7(8.8g, 수율 43 %), 및 화합물 Inv 8 (8.9 g, 수율 43 %)을 수득 하였다
[ 합성예 1] Cpd 10의 합성
Figure pat00027
<단계 1> 2-(7,7- 다이메틸 -7H- 플로레노[2,3-b]벤조퓨란 -9-일)-4,4,5,5- 테트라메틸 -1,3,2-다이옥사보로란의 합성
Inv 1(100g, 0.313mol), 4,4,4',4',5,5,5',5'-옥타메틸-2,2'-비(1,3,2-디옥사보로란) (95.6g, 0.376mol), Pd(OAc)2 (7g, 0.031mol), X-Phos (14.9g, 0.031mol) 및 KOAc(61.4g, 0.626mol)을 플라스크에 넣은 다음, 여기에 1,4-디옥산 (2L)를 넣어 녹인 후, 8시간 동안 가열 교반하였다. 반응 종료 후, 증류수를 넣고 에틸아세테이트로 유기층을 추출하였다. 얻은 유기층을 Na2SO4로 건조시키고 감압 증류한 다음, 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물 2-(7,7- 다이메틸 -7H- 플로레노[2,3-b]벤조퓨란 -9-일)-4,4,5,5-테트라메틸-1,3,2-다이옥사보로란 (91.1g, 수율 71%)을 얻었다.
<단계 2> Cpd 10 의 합성
상기 <단계 1>에서 얻은 2-(7,7-다이메틸-7H-플로레노[2,3-b]벤조퓨란-9-일)-4,4,5,5-테트라메틸-1,3,2-다이옥사보로란 (8.2g, 20mmol), 2-(4-클로로페닐)-4,6-다이페닐-1,3,5-트리아진 (8.2g, 24mmol), Pd(OAc)2 (0.45g, 2mmol), X-Phos (0.95g, 2mmol) 및 Cs2CO3(13.0g, 40mmol) 을 플라스크에 넣은 다음, 여기에 1,4-디옥산 (2L)를 넣어 녹인 후, 8시간 동안 가열 교반하였다. 반응 종료 후, 증류수를 넣고 에틸아세테이트로 유기층을 추출하였다. 얻은 유기층을 Na2SO4로 건조시키고 감압 증류한 다음, 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물 Cpd 10 (9.3g, 수율 79%)을 얻었다. HRMS [M]+: 591.231
[ 합성예 2] Cpd 15의 합성
Figure pat00028
상기 합성예 1과 동일한 과정을 수행하되, <단계 2>에서 2-(4-클로로페닐)-4,6-다이페닐-1,3,5-트리아진 대신 2-(3-클로로페닐)-4,6-다이페닐-1,3,5-트리아진을 사용하여 화합물 Cpd 15 (8.7g, 수율 74%)을 얻었다. HRMS [M]+: 591.231
[ 합성예 3] Cpd 16의 합성
Figure pat00029
상기 합성예 1과 동일한 과정을 수행하되, <단계 2>에서 2-(4-클로로페닐)-4,6-다이페닐-1,3,5-트리아진 대신 2-([1,1'-바이페닐]-4-일)-4-(3-클로로페닐)-6-페닐-1,3,5-트리아진을 사용하여 화합물 Cpd 16 (9.5g, 수율 71%)을 얻었다. HRMS [M]+: 667.262
[ 합성예 4] Cpd 18의 합성
Figure pat00030
상기 합성예 1과 동일한 과정을 수행하되, <단계 2>에서 2-(4-클로로페닐)-4,6-다이페닐-1,3,5-트리아진 대신 2-(3-클로로페닐)-4-(다이벤조[b,d]퓨란-3-일)-6-페닐-1,3,5-트리아진을 사용하여 화합물 Cpd 18 (10.3g, 수율 76%)을 얻었다. HRMS [M]+: 681.242
[ 합성예 5] Cpd 28의 합성
Figure pat00031
상기 합성예 1과 동일한 과정을 수행하되, <단계 2>에서 2-(4-클로로페닐)-4,6-다이페닐-1,3,5-트리아진 대신 2-(4'-클로로-[1,1'-바이페닐]-3-일)-4,6-다이페닐-1,3,5-트리아진을 사용하여 화합물 Cpd 28 (9.7g, 수율 73%)을 얻었다. HRMS [M]+: 667.262
[ 합성예 6] Cpd 29의 합성
Figure pat00032
상기 합성예 1과 동일한 과정을 수행하되, <단계 2>에서 2-(4-클로로페닐)-4,6-다이페닐-1,3,5-트리아진 대신 2-(3'-클로로-[1,1'-바이페닐]-3-일)-4,6-다이페닐-1,3,5-트리아진을 사용하여 화합물 Cpd 29 (10.1g, 수율 76%)을 얻었다. HRMS [M]+: 667.262
[ 합성예 7] Cpd 30의 합성
Figure pat00033
상기 합성예 1과 동일한 과정을 수행하되, <단계 2>에서 2-(4-클로로페닐)-4,6-다이페닐-1,3,5-트리아진 대신 2-(3'-클로로-[1,1'-바이페닐]-4-일)-4,6-다이페닐-1,3,5-트리아진을 사용하여 화합물 Cpd 30 (9.5g, 수율 71%)을 얻었다. HRMS [M]+: 667.262
[ 합성예 8] Cpd 40의 합성
상기 합성예 1과 동일한 과정을 수행하되, <단계 1>에서 Inv 1 대신 Inv 3을 사용하여 화합물 Cpd 40 (9.1g, 수율 77%)을 얻었다. HRMS [M]+: 591.231
[ 합성예 9] Cpd 45의 합성
상기 합성예 2과 동일한 과정을 수행하되, <단계 1>에서 Inv 1 대신 Inv 3을 사용하여 화합물 Cpd 45 (8.6g, 수율 73%)을 얻었다. HRMS [M]+: 591.231
[ 합성예 10] Cpd 46의 합성
상기 합성예 3과 동일한 과정을 수행하되, <단계 1>에서 Inv 1 대신 Inv 3을 사용하여 화합물 Cpd 46 (9.5g, 수율 71%)을 얻었다. HRMS [M]+: 667.262
[ 합성예 11] Cpd 48의 합성
상기 합성예 4과 동일한 과정을 수행하되, <단계 1>에서 Inv 1 대신 Inv 3을 사용하여 화합물 Cpd 48 (9.8g, 수율 72%)을 얻었다. HRMS [M]+: 681.242
[ 합성예 12] Cpd 58의 합성
상기 합성예 5과 동일한 과정을 수행하되, <단계 1>에서 Inv 1 대신 Inv 3을 사용하여 화합물 Cpd 58 (10.0g, 수율 75%)을 얻었다. HRMS [M]+: 667.262
[ 합성예 13] Cpd 59의 합성
상기 합성예 6과 동일한 과정을 수행하되, <단계 1>에서 Inv 1 대신 Inv 3을 사용하여 화합물 Cpd 59 (9.7g, 수율 73%)을 얻었다. HRMS [M]+: 667.262
[ 합성예 14] Cpd 60의 합성
상기 합성예 7과 동일한 과정을 수행하되, <단계 1>에서 Inv 1 대신 Inv 3을 사용하여 화합물 Cpd 60 (10.1g, 수율 76%)을 얻었다. HRMS [M]+: 667.262
[ 합성예 15] Cpd 130의 합성
상기 합성예 1과 동일한 과정을 수행하되, <단계 1>에서 Inv 1 대신 Inv 6을 사용하여 화합물 Cpd 130 (8.3g, 수율 70%)을 얻었다. HRMS [M]+: 591.231
[ 합성예 16] Cpd 135의 합성
상기 반응예 2과 동일한 과정을 수행하되, <단계 1>에서 Inv 1 대신 Inv 6을 사용하여 화합물 Cpd 135 (9.0g, 수율 76%)을 얻었다. HRMS [M]+: 591.231
[ 합성예 17] Cpd 136의 합성
상기 합성예 3과 동일한 과정을 수행하되, <단계 1>에서 Inv1 대신 Inv 6을 사용하여 화합물 Cpd 136 (10.3g, 수율 77%)을 얻었다. HRMS [M]+: 667.262
[ 합성예 18] Cpd 138의 합성
상기 합성예 4과 동일한 과정을 수행하되, <단계 1>에서 Inv 1 대신 Inv 6을 사용하여 화합물 Cpd 138 (10.2g, 수율 75%)을 얻었다. HRMS [M]+: 681.242
[ 합성예 19] Cpd 148의 합성
상기 합성예 5과 동일한 과정을 수행하되, <단계 1>에서 Inv 1 대신 Inv 6을 사용하여 화합물 Cpd 148 (9.6 g, 수율 72%)을 얻었다. HRMS [M]+: 667.262
[ 합성예 20] Cpd 149의 합성
상기 합성예 6과 동일한 과정을 수행하되, <단계 1>에서 Inv 1 대신 Inv 6을 사용하여 화합물 Cpd 149 (9.7g, 수율 73%)을 얻었다. HRMS [M]+: 667.262
[ 합성예 21] Cpd 150의 합성
상기 합성예 7과 동일한 과정을 수행하되, <단계 1>에서 Inv 1 대신 Inv 6을 사용하여 화합물 Cpd 150 (9.6g, 수율 72%)을 얻었다. HRMS [M]+: 667.262
[ 합성예 22] Cpd 160 의 합성
상기 합성예 1과 동일한 과정을 수행하되, <단계 1>에서 Inv 1 대신 Inv 8을 사용하여 화합물 Cpd 160 (9.1g, 수율 77%)을 얻었다. HRMS [M]+: 591.231
[ 합성예 23] Cpd 165의 합성
상기 합성예 2과 동일한 과정을 수행하되, <단계 1>에서 Inv 1 대신 Inv 8을 사용하여 화합물 Cpd 165 (8.6g, 수율 73%)을 얻었다. HRMS [M]+: 591.231
[ 합성예 24] Cpd 166의 합성
상기 합성예 3과 동일한 과정을 수행하되, <단계 1>에서 Inv 1 대신 Inv 8을 사용하여 화합물 Cpd 166 (9.5g, 수율 71%)을 얻었다. HRMS [M]+: 667.262
[ 합성예 25] Cpd 168의 합성
상기 합성예 4과 동일한 과정을 수행하되, <단계 1>에서 Inv 1 대신 Inv 8을 사용하여 화합물 Cpd 168 (9.8g, 수율 72%)을 얻었다. HRMS [M]+: 681.242
[ 합성예 26] Cpd 178의 합성
상기 합성예 5과 동일한 과정을 수행하되, <단계 1>에서 Inv 1 대신 Inv 8을 사용하여 화합물 Cpd 178 (10.0g, 수율 75%)을 얻었다. HRMS [M]+: 667.262
[ 합성예 27] Cpd 179의 합성
상기 합성예 6과 동일한 과정을 수행하되, <단계 1>에서 Inv 1 대신 Inv 8을 사용하여 화합물 Cpd 179 (9.7g, 수율 73%)을 얻었다. HRMS [M]+: 667.262
[ 합성예 28] Cpd 180의 합성
상기 합성예 7과 동일한 과정을 수행하되, <단계 1>에서 Inv 1 대신 Inv 8을 사용하여 화합물 Cpd 180 (10.1g, 수율 76%)을 얻었다. HRMS [M]+: 667.262
[ 합성예 29] Cpd 190 의 합성
상기 합성예 1과 동일한 과정을 수행하되, <단계 1>에서 Inv 1 대신 Inv 2을 사용하여 화합물 Cpd 190 (8.8g, 수율 74%)을 얻었다. HRMS [M]+: 591.231
[ 합성예 30] Cpd 195의 합성
상기 합성예 2과 동일한 과정을 수행하되, <단계 1>에서 Inv 1 대신 Inv 2을 사용하여 화합물 Cpd 195 (9.2g, 수율 78%)을 얻었다. HRMS [M]+: 591.231
[ 합성예 31] Cpd 196의 합성
상기 합성예 3과 동일한 과정을 수행하되, <단계 1>에서 Inv 1 대신 Inv 2을 사용하여 화합물 Cpd 196 (10.0g, 수율 75%)을 얻었다. HRMS [M]+: 667.262
[ 합성예 32] Cpd 198의 합성
상기 합성예 4과 동일한 과정을 수행하되, <단계 1>에서 Inv 1 대신 Inv 2을 사용하여 화합물 Cpd 198 (10.4g, 수율 76%)을 얻었다. HRMS [M]+: 681.242
[ 합성예 33] Cpd 208의 합성
상기 합성예 5과 동일한 과정을 수행하되, <단계 1>에서 Inv 1 대신 Inv 2을 사용하여 화합물 Cpd 208 (10.2g, 수율 76%)을 얻었다. HRMS [M]+: 667.262
[ 합성예 34] Cpd 209의 합성
상기 합성예 6과 동일한 과정을 수행하되, <단계 1>에서 Inv 1 대신 Inv 2을 사용하여 화합물 Cpd 209 (9.5g, 수율 71%)을 얻었다. HRMS [M]+: 667.262
[ 합성예 35] Cpd 210의 합성
상기 합성예 7과 동일한 과정을 수행하되, <단계 1>에서 Inv 1 대신 Inv 2을 사용하여 화합물 Cpd 210 (9.9g, 수율 74%)을 얻었다. HRMS [M]+: 667.262
[ 합성예 36] Cpd 220 의 합성
상기 합성예 1과 동일한 과정을 수행하되, <단계 1>에서 Inv 1 대신 Inv 4을 사용하여 화합물 Cpd 220 (9.2g, 수율 78%)을 얻었다. HRMS [M]+: 591.231
[ 합성예 37] Cpd 225의 합성
상기 합성예 2과 동일한 과정을 수행하되, <단계 1>에서 Inv 1 대신 Inv 4을 사용하여 화합물 Cpd 225 (9.3g, 수율 79%)을 얻었다. HRMS [M]+: 591.231
[ 합성예 38] Cpd 226의 합성
상기 합성예 3과 동일한 과정을 수행하되, <단계 1>에서 Inv 1 대신 Inv 4을 사용하여 화합물 Cpd 226 (9.8g, 수율 73%)을 얻었다. HRMS [M]+: 667.262
[ 합성예 39] Cpd 228의 합성
상기 합성예 4과 동일한 과정을 수행하되, <단계 1>에서 Inv 1 대신 Inv 4을 사용하여 화합물 Cpd 228 (10.4g, 수율 76%)을 얻었다. HRMS [M]+: 681.242
[ 합성예 40] Cpd 238의 합성
상기 합성예 5과 동일한 과정을 수행하되, <단계 1>에서 Inv 1 대신 Inv 4을 사용하여 화합물 Cpd 238 (10.3g, 수율 77%)을 얻었다. HRMS [M]+: 667.262
[ 합성예 41] Cpd 239의 합성
상기 합성예 6과 동일한 과정을 수행하되, <단계 1>에서 Inv 1 대신 Inv 4을 사용하여 화합물 Cpd 239 (9.9g, 수율 74%)을 얻었다. HRMS [M]+: 667.262
[ 합성예 42] Cpd 240의 합성
상기 합성예 7과 동일한 과정을 수행하되, <단계 1>에서 Inv 1 대신 Inv 4을 사용하여 화합물 Cpd 240 (10.4g, 수율 78%)을 얻었다. HRMS [M]+: 667.262
[ 합성예 43] Cpd 310 의 합성
상기 합성예 1과 동일한 과정을 수행하되, <단계 1>에서 Inv 1 대신 Inv 5을 사용하여 화합물 Cpd 310 (8.5g, 수율 72%)을 얻었다. HRMS [M]+: 591.231
[ 합성예 44] Cpd 315의 합성
상기 합성예 2과 동일한 과정을 수행하되, <단계 1>에서 Inv 1 대신 Inv 5을 사용하여 화합물 Cpd 315 (8.9g, 수율 75%)을 얻었다. HRMS [M]+: 591.231
[ 합성예 45] Cpd 316의 합성
상기 합성예 3과 동일한 과정을 수행하되, <단계 1>에서 Inv 1 대신 Inv 5을 사용하여 화합물 Cpd 316 (10.2g, 수율 76%)을 얻었다. HRMS [M]+: 667.262
[ 합성예 46] Cpd 318의 합성
상기 합성예 4과 동일한 과정을 수행하되, <단계 1>에서 Inv 1 대신 Inv 5을 사용하여 화합물 Cpd 318 (10.4g, 수율 76%)을 얻었다. HRMS [M]+: 681.242
[ 합성예 47] Cpd 328의 합성
상기 합성예 5과 동일한 과정을 수행하되, <단계 1>에서 Inv 1 대신 Inv 5을 사용하여 화합물 Cpd 328 (10.3g, 수율 77%)을 얻었다. HRMS [M]+: 667.262
[ 합성예 48] Cpd 329의 합성
상기 합성예 6과 동일한 과정을 수행하되, <단계 1>에서 Inv 1 대신 Inv 5을 사용하여 화합물 Cpd 329 (9.9g, 수율 74%)을 얻었다. HRMS [M]+: 667.262
[ 합성예 49] Cpd 330의 합성
상기 합성예 7과 동일한 과정을 수행하되, <단계 1>에서 Inv 1 대신 Inv 5을 사용하여 화합물 Cpd 330 (10.0g, 수율 75%)을 얻었다. HRMS [M]+: 667.262
[ 합성예 50] Cpd 340 의 합성
상기 합성예 1과 동일한 과정을 수행하되, <단계 1>에서 Inv 1 대신 Inv 7을 사용하여 화합물 Cpd 340 (9.3g, 수율 79%)을 얻었다. HRMS [M]+: 591.231
[ 합성예 51] Cpd 345의 합성
상기 합성예 2과 동일한 과정을 수행하되, <단계 1>에서 Inv 1 대신 Inv 7을 사용하여 화합물 Cpd 345 (9.0g, 수율 76%)을 얻었다. HRMS [M]+: 591.231
[ 합성예 52] Cpd 346의 합성
상기 합성예 3과 동일한 과정을 수행하되, <단계 1>에서 Inv 1 대신 Inv 7을 사용하여 화합물 Cpd 436 (10.4g, 수율 78%)을 얻었다. HRMS [M]+: 667.262
[ 합성예 53] Cpd 348의 합성
상기 합성예 4과 동일한 과정을 수행하되, <단계 1>에서 Inv 1 대신 Inv 7을 사용하여 화합물 Cpd 348 (10.2g, 수율 75%)을 얻었다. HRMS [M]+: 681.242
[ 합성예 54] Cpd 358의 합성
상기 합성예 5과 동일한 과정을 수행하되, <단계 1>에서 Inv 1 대신 Inv 7을 사용하여 화합물 Cpd 358 (9.9g, 수율 74%)을 얻었다. HRMS [M]+: 667.262
[ 합성예 55] Cpd 359의 합성
상기 합성예 6과 동일한 과정을 수행하되, <단계 1>에서 Inv 1 대신 Inv 7을 사용하여 화합물 Cpd 359 (9.6g, 수율 72%)을 얻었다. HRMS [M]+: 667.262
[ 합성예 56] Cpd 360의 합성
상기 합성예 7과 동일한 과정을 수행하되, <단계 1>에서 Inv 1 대신 Inv 7을 사용하여 화합물 Cpd 360 (10.0g, 수율 75%)을 얻었다. HRMS [M]+: 667.262
[ 합성예 57] Cpd 363의 합성
Figure pat00034
상기 합성예 1에서 얻은 2-(7,7-다이메틸-7H-플로레노[2,3-b]벤조퓨란-9-일)-4,4,5,5-테트라메틸-1,3,2-다이옥사보로란 (8.2g, 20mmol), 3-브로모-9-(4,6-다이페닐-1,3,5-트리아진-2-일)-9H-카바졸 (11.4g, 24mmol) 및 Pd(PPh3)4 (1.2g, 1mmol)을 플라스크에 넣고, 여기에 2M Na2CO3 포화 수용액 (30㎖)과 1,4-dioxane (100ml)을 넣어 녹인 후, 8시간 동안 가열 교반하였다. 반응 종료 후, 증류수를 넣고 에틸아세테이트로 유기층을 추출하였다. 얻은 유기층을 Na2SO4로 건조시키고 감압 증류한 다음, 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물 Cpd 363 (11.3, 수율 83%)을 얻었다. HRMS [M]+: 680.258
[ 합성예 58] Cpd 367의 합성
상기 합성예 57과 동일한 과정을 수행하되, 3-브로모-9-(4,6-다이페닐-1,3,5-트리아진-2-일)-9H-카바졸 대신 9-(4-([1,1'-바이페닐]-4-일)-6-페닐-1,3,5-트리아진-2-일)-3-브로모-9H-카바졸을 사용하여 화합물 Cpd 367 (12.8g, 수율 85%)을 얻었다. HRMS [M]+: 756.289
[ 합성예 59] Cpd 370의 합성
상기 합성예 57과 동일한 과정을 수행하되, 3-브로모-9-(4,6-다이페닐-1,3,5-트리아진-2-일)-9H-카바졸 대신 3-브로모-9-(4-(다이벤조[b,d]퓨란-3-일)-6-페닐-1,3,5-트리아진-2-일)-9H-카바졸을 사용하여 화합물 Cpd 370 (12.3g, 수율 80%)을 얻었다. HRMS [M]+: 770.268
[ 합성예 60] Cpd 371의 합성
상기 합성예 57과 동일한 과정을 수행하되, 3-브로모-9-(4,6-다이페닐-1,3,5-트리아진-2-일)-9H-카바졸 대신 3-브로모-9-(4-(다이벤조[b,d]퓨란-2-일)-6-페닐-1,3,5-트리아진-2-일)-9H-카바졸을 사용하여 화합물 Cpd 371 (12.6g, 수율 82%)을 얻었다. HRMS [M]+: 770.268
[ 합성예 61] Cpd 409의 합성
상기 합성예 57과 동일한 과정을 수행하되, 3-브로모-9-(4,6-다이페닐-1,3,5-트리아진-2-일)-9H-카바졸 대신 3-브로모-9-(4-페닐퀴나졸린-2-일)-9H-카바졸을 사용하여 화합물 Cpd 409 (9.4g, 수율 72%)을 얻었다. HRMS [M]+: 653.247
[ 합성예 62] Cpd 411의 합성
상기 합성예 57과 동일한 과정을 수행하되, 3-브로모-9-(4,6-다이페닐-1,3,5-트리아진-2-일)-9H-카바졸 대신 3-브로모-9-(4-(4-페닐퀴나졸린-2-일)페닐)-9H-카바졸을 사용하여 화합물 Cpd 411 (10.8g, 수율 74%)을 얻었다. HRMS [M]+: 729.278
[ 합성예 63] Cpd 412의 합성
상기 합성예 57과 동일한 과정을 수행하되, 3-브로모-9-(4,6-다이페닐-1,3,5-트리아진-2-일)-9H-카바졸 대신 3-브로모-9-(3-(4-페닐퀴나졸린-2-일)페닐)-9H-카바졸을 사용하여 화합물 Cpd 412 (10.3g, 수율 71%)을 얻었다. HRMS [M]+: 729.278
[ 합성예 64] Cpd 413의 합성
상기 합성예 61과 동일한 과정을 수행하되, 2-(7,7-다이메틸-7H-플로레노[2,3-b]벤조퓨란-9-일)-4,4,5,5-테트라메틸-1,3,2-다이옥사보로란 대신 2-(7,7-다이메틸-7H-플로레노[2,3-b]벤조퓨란-10-일)-4,4,5,5-테트라메틸-1,3,2-다이옥사보로란을 사용하여 화합물 Cpd 413 (9.8g, 수율 75%)을 얻었다. HRMS [M]+: 653.247
[ 합성예 65] Cpd 415의 합성
상기 합성예 62과 동일한 과정을 수행하되, 2-(7,7-다이메틸-7H-플로레노[2,3-b]벤조퓨란-9-일)-4,4,5,5-테트라메틸-1,3,2-다이옥사보로란 대신 2-(7,7-다이메틸-7H-플로레노[2,3-b]벤조퓨란-10-일)-4,4,5,5-테트라메틸-1,3,2-다이옥사보로란을 사용하여 화합물 Cpd 415 (10.3g, 수율 71%)을 얻었다. HRMS [M]+: 729.278
[ 합성예 66] Cpd 416의 합성
상기 합성예 63과 동일한 과정을 수행하되, 2-(7,7-다이메틸-7H-플로레노[2,3-b]벤조퓨란-9-일)-4,4,5,5-테트라메틸-1,3,2-다이옥사보로란 대신 2-(7,7-다이메틸-7H-플로레노[2,3-b]벤조퓨란-10-일)-4,4,5,5-테트라메틸-1,3,2-다이옥사보로란을 사용하여 화합물 Cpd 416 (10.5g, 수율 72%)을 얻었다. HRMS [M]+: 729.278
[ 합성예 67] Cpd 417의 합성
상기 합성예 57과 동일한 과정을 수행하되, 3-브로모-9-(4,6-다이페닐-1,3,5-트리아진-2-일)-9H-카바졸 대신 N-(4-브로모페닐)-N-페닐나프탈렌-1-아민을 사용하여 화합물 Cpd 417 (10.0g, 수율 87%)을 얻었다. HRMS [M]+: 577.241
[ 합성예 68] Cpd 418의 합성
상기 합성예 57과 동일한 과정을 수행하되, 3-브로모-9-(4,6-다이페닐-1,3,5-트리아진-2-일)-9H-카바졸 대신 N-([1,1'-바이페닐]-4-일)-N-(4-브로모페닐)-[1,1'-바이페닐]-4-아민을 사용하여 화합물 Cpd 418 (12.1g, 수율 89%)을 얻었다. HRMS [M]+: 679.288
[ 합성예 69] Cpd 420의 합성
상기 합성예 57과 동일한 과정을 수행하되, 3-브로모-9-(4,6-다이페닐-1,3,5-트리아진-2-일)-9H-카바졸 대신 N-([1,1'-바이페닐]-4-일)-N-(4-브로모페닐)-9,9-다이메틸-9H-플로렌-2-아민을 사용하여 화합물 Cpd 420 (12.5g, 수율 87%)을 얻었다. HRMS [M]+: 719.319
[ 합성예 70] Cpd 419의 합성
Figure pat00035
준비예 1에서 합성된 화합물 Inv 1 (6.4g, 20.0 mmol), 다이([1,1'-바이페닐]-4-일)아민 (7.7g, 24.0 mmol)을 톨루엔 100 ㎖에 녹인 다음, Pd2(dba)3 (0.9g, 1.0mmol)을 질소 하에서 투입하였다. 이후, 여기에 NaOtBu (38.4g, 40 mmol)을 넣은 후, (t-Bu)3P (1.0 ㎖, 1.0mmol)을 상기 반응액에 투입한 다음, 혼합물을 5시간 동안 환류 교반하였다.
TLC로 반응이 종결되는 것을 확인한 후, 상온으로 식혔다. 반응 종료 후, 증류수를 넣고 에틸아세테이트로 유기층을 추출하였다. 얻어진 유기층을 Na2SO4 로 건조시키고 감압 증류한 다음, 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물 Cpd 419 (10.7g, 수율 89%)을 얻었다. HRMS [M]+: 603.256
[ 합성예 71] Cpd 429의 합성
상기 합성예 67과 동일한 과정을 수행하되, 2-(7,7-다이메틸-7H-플로레노[2,3-b]벤조퓨란-9-일)-4,4,5,5-테트라메틸-1,3,2-다이옥사보로란 대신 2-(7,7-다이메틸-7H-플로레노[2,3-b]벤조퓨란-10-일)-4,4,5,5-테트라메틸-1,3,2-다이옥사보로란을 사용하여 화합물 Cpd 429 (10.1g, 수율 88%)을 얻었다. HRMS [M]+: 577.241
[ 합성예 72] Cpd 430의 합성
상기 합성예 68 동일한 과정을 수행하되, 2-(7,7-다이메틸-7H-플로레노[2,3-b]벤조퓨란-9-일)-4,4,5,5-테트라메틸-1,3,2-다이옥사보로란 대신 2-(7,7-다이메틸-7H-플로레노[2,3-b]벤조퓨란-10-일)-4,4,5,5-테트라메틸-1,3,2-다이옥사보로란을 사용하여 화합물 Cpd 430 (11.4g, 수율 84%)을 얻었다. HRMS [M]+: 679.288
[ 합성예 73] Cpd 432의 합성
상기 합성예 69과 동일한 과정을 수행하되, 2-(7,7-다이메틸-7H-플로레노[2,3-b]벤조퓨란-9-일)-4,4,5,5-테트라메틸-1,3,2-다이옥사보로란 대신 2-(7,7-다이메틸-7H-플로레노[2,3-b]벤조퓨란-10-일)-4,4,5,5-테트라메틸-1,3,2-다이옥사보로란을 사용하여 화합물 Cpd 432 (11.8g, 수율 82%)을 얻었다. HRMS [M]+: 719.319
[ 합성예 74] Cpd 431의 합성
상기 합성예 70과 동일한 과정을 수행하되, Inv 1 대신 Inv 3을 사용하여 화합물 Cpd 431 (10.4g, 수율 86%)을 얻었다. HRMS [M]+: 603.256
[ 실시예 1] 녹색 유기 전계 발광 소자의 제조
합성예 1에서 합성된 화합물 Cpd 417을 통상적으로 알려진 방법으로 고순도 승화 정제를 한 후, 하기와 같이 녹색 유기 전계 발광 소자를 제조하였다.
ITO (Indium tin oxide)가 1500 Å 두께로 박막 코팅된 유리 기판을 증류수 초음파로 세척하였다. 증류수 세척이 끝나면, 이소프로필 알코올, 아세톤, 메탄올 등의 용제로 초음파 세척을 하고, 건조시킨 후, UV OZONE 세정기(Power sonic 405, 화신테크)로 이송시킨 다음, UV를 이용하여 상기 기판을 5분간 세정하고 진공 증착기로 기판을 이송하였다.
이와 같이 준비된 ITO 투명 전극 위에, m-MTDATA (60nm) / TCTA (80 nm) / 화합물 Cpd 417 (40nm) / CBP+10%Ir(ppy)3 (30nm) / BCP (10nm) / Alq3 (30nm) / LiF (1nm) / Al (200nm) 순으로 적층하여 유기 전계 발광 소자를 제조하였다.
여기서, 사용된 m-MTDATA, TCTA, Ir(ppy)3, CBP 및 BCP의 구조는 하기와 같다.
Figure pat00036
Figure pat00037
[ 실시예 2 ~ 8] 녹색 유기 전계 발광 소자의 제조
실시예 1에서 사용된 화합물 Cpd 417 대신 하기 표 1에 기재된 화합물을 각각 사용하는 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일하게 수행하여 유기 EL 소자를 제조하였다.
[ 비교예 1] 녹색 유기 전계 발광 소자의 제조
실시예 1에서 사용된 화합물 Cpd 417을 사용하지 않은 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일하게 수행하여 녹색 유기 전계 발광 소자를 제조하였다.
[ 평가예 1]
실시예 1 내지 8, 및 비교예 1에서 각각 제조된 녹색 유기 전계 발광 소자에 대하여, 전류밀도 10 mA/㎠에서의 구동전압, 전류효율 및 발광 피크를 측정하였고, 그 결과를 하기 표 1에 나타내었다.
발광보조층 재료 구동 전압(V) 발광 피크(nm) 전류효율(cd/A)
실시예 1 Cpd 417 6.80 520 42.0
실시예 2 Cpd 418 6.75 519 41.9
실시예 3 Cpd 419 6.70 517 41.5
실시예 4 Cpd 420 6.73 518 41.8
실시예 5 Cpd 429 6.80 520 41.5
실시예 6 Cpd 430 6.71 519 41.5
실시예 7 Cpd 431 6.85 517 41.8
실시예 8 Cpd 432 6.80 520 41.8
비교예 1 - 6.93 516 38.2
상기 표 1에 나타낸 바와 같이, 본 발명에 따른 화합물을 발광 보조층 재료로 사용한 실시예 1 내지 8의 녹색 유기 전계 발광 소자는, 발광 보조층 없이 CBP만을 발광층 재료로 사용한 비교예 1의 녹색 유기 전계 발광 소자에 비해 구동 전압이 약간 낮았으며, 비교예 1의 녹색 유기 전계 발광 소자에 비해 전류 효율이 더 우수하다는 것을 알 수 있었다.
[ 실시예 9] 적색 유기 전계 발광 소자의 제조
합성예 1에서 합성된 화합물 Cpd 417을 통상적으로 알려진 방법으로 고순도 승화 정제를 한 후, 하기와 같이 녹색 유기 전계 발광 소자를 제조하였다.
먼저, ITO (Indium tin oxide)가 1500 Å 두께로 박막 코팅된 유리 기판을증류수 초음파로 세척하였다. 증류수 세척이 끝나면 이소프로필 알코올, 아세톤, 메탄올 등의 용제로 초음파 세척을 하고 건조시킨 후 UV OZONE 세정기 (Powersonic 405, 화신테크)로 이송시킨 다음 UV를 이용하여 상기 기판을 5분간 세정하고진공 증착기로 기판을 이송하였다.
이와 같이 준비된 ITO 투명 전극 위에, m-MTDATA (60 nm) / TCTA (80 nm) / 화합물 Cpd 417 (40nm) / CBP+10 %(piq)2Ir(acac) (30nm) / BCP (10 nm) /Alq3 (30 nm) / LiF (1 nm) / Al (200 nm) 순으로 적층하여 유기 전계 발광 소자를 제조하였다.
여기서 사용된 m-MTDATA, TCTA, CBP 및 BCP의 구조는 실시예 1에 기재된 바와 같고, (piq)2Ir(acac)는 하기와 같다.
Figure pat00038
[ 실시예 10 ~ 16] 적색 유기 전계 발광 소자의 제조
실시예 9에서 사용된 화합물 Cpd 417 대신 하기 표 2에 기재된 화합물을 각각 사용하는 것을 제외하고는, 실시예 32와 동일하게 수행하여 적색 유기 EL 소자를 제조하였다.
[ 비교예 2] 적색 유기 전계 발광 소자의 제작
실시예 9에서 사용된 화합물 Cpd 417을 사용하지 않은 것을 제외하고는, 실시예 32과 동일하게 수행하여 적색 유기 전계 발광 소자를 제조하였다.
[ 평가예 2]
실시예 9 ~ 16 및 비교예 2에서 제작된 각각의 적색 유기 전계 발광 소자에 대하여, 전류밀도 10 mA/㎠에서의 구동전압 및 전류효율을 측정하였고, 그 결과를 하기 표 2에 나타내었다.
발광보조층 재료 구동 전압 (V) 전류효율 (cd/A)
실시예 9 Cpd 417 5.15 11.2
실시예 10 Cpd 418 5.10 11.0
실시예 11 Cpd 419 5.15 11.3
실시예 12 Cpd 420 5.10 11.0
실시예 13 Cpd 429 5.14 11.3
실시예 14 Cpd 430 5.15 10.8
실시예 15 Cpd 431 5.10 11.3
실시예 16 Cpd 432 5.15 11.0
비교예 2 - 5.25 8.2
상기 표 2에 나타낸 바와 같이, 본 발명에 따른 화합물을 발광 보조층 재료로 사용한 실시예 9 내지 16의 적색 유기 전계 발광 소자는, 발광 보조층 없이 CBP만을 발광층 재료로 사용한 비교예 2의 적색 유기 전계 발광 소자에 비해 구동 전압이 약간 낮을 뿐만 아니라, 전류 효율이 더 우수하다는 것을 알 수 있었다.
[ 실시예 17] 녹색 유기 EL 소자의 제작
합성예 17에서 합성된 화합물 Cpd 10을 통상적으로 알려진 방법으로 고순도 승화정제를 한 후, 아래의 과정에 따라 녹색 유기 전계 발광 소자를 제작하였다.
먼저, ITO (Indium tin oxide)가 1500 Å 두께로 박막 코팅된 유리 기판을 증류수 초음파로 세척하였다. 증류수 세척이 끝나면 이소프로필 알코올, 아세톤, 메탄올 등의 용제로 초음파 세척을 하고 건조시킨 후, UV OZONE 세정기 (Power sonic 405, 화신테크)로 이송시킨 다음, UV를 이용하여 상기 기판을 5분간 세정하고 진공 증착기로 기판을 이송하였다.
이와 같이 준비된 ITO 투명 전극 위에 m-MTDATA (60 nm) / TCTA (80 nm) / 화합물 Cpd 10 + 10%Ir(ppy)3 (30nm) / BCP (10 nm) / Alq3 (30 nm) / LiF (1 nm) / Al (200 nm) 순으로 적층하여 유기 전계 발광 소자를 제작하였다.
[ 실시예 18 ~ 75] 녹색 유기 전계 발광 소자의 제조
실시예 17에서 사용된 화합물 Cpd 10 대신 하기 표 3에 기재된 화합물을 각각 사용하는 것을 제외하고는, 실시예 17과 동일하게 수행하여 녹색 유기 EL 소자를 제조하였다.
[ 비교예 3] 녹색 유기 EL 소자의 제작
실시예 17에서 발광층 형성시 발광 호스트 물질로 사용된 화합물 Cdp 10 대신 CBP를 사용하는 것을 제외하고는, 상기 실시예 17과 동일한 과정으로 녹색 유기 EL 소자를 제작하였다.
[ 평가예 3]
실시예 17 ~ 75및 비교예 3에서 제작된 각각의 녹색 유기 EL 소자에 대하여, 전류밀도 10 mA/㎠에서의 구동전압, 전류효율 및 발광 피크를 측정하였고, 그 결과를 하기 표 4에 나타내었다.
샘플 호스트 구동 전압(V) EL 피크(nm) 전류효율(cd/A)
실시예 17 Cpd 10 6.63 517 40.8
실시예 18 Cpd 15 6.78 518 41.1
실시예 19 Cpd 16 6.81 517 40.8
실시예 20 Cpd 18 6.79 517 40.8
실시예 21 Cpd 28 6.81 518 41.1
실시예 22 Cpd 29 6.79 515 42.4
실시예 23 Cpd 30 6.78 518 41.1
실시예 24 Cpd 40 6.81 517 40.8
실시예 25 Cpd 45 6.79 518 41.1
실시예 26 Cpd 46 6.81 518 41.1
실시예 27 Cpd 48 6.79 517 40.8
실시예 28 Cpd 58 6.79 517 40.8
실시예 29 Cpd 59 6.81 518 41.1
실시예 30 Cpd 60 6.79 517 40.8
실시예 31 Cpd 130 6.81 518 41.1
실시예 32 Cpd 135 6.78 515 42.4
실시예 33 Cpd 136 6.79 517 40.8
실시예 34 Cpd 138 6.79 517 40.8
실시예 35 Cpd 148 6.81 518 41.1
실시예 36 Cpd 149 6.79 517 40.8
실시예 37 Cpd 150 6.79 517 40.8
실시예 38 Cpd 160 6.81 518 41.1
실시예 39 Cpd 165 6.79 517 40.8
실시예 40 Cpd 166 6.79 517 40.8
실시예 41 Cpd 168 6.81 518 41.1
실시예 42 Cpd 178 6.79 517 40.8
실시예 43 Cpd 179 6.81 518 41.1
실시예 44 Cpd 180 6.78 515 42.4
실시예 45 Cpd 190 6.81 518 41.1
실시예 46 Cpd 195 6.79 517 40.8
실시예 47 Cpd 196 6.79 517 40.8
실시예 48 Cpd 198 6.81 518 41.1
실시예 49 Cpd 208 6.79 517 40.8
실시예 50 Cpd 209 6.79 517 40.8
실시예 51 Cpd 210 6.81 518 41.1
실시예 52 Cpd 220 6.78 515 42.4
실시예 53 Cpd 225 6.81 518 41.1
실시예 54 Cpd 226 6.79 517 40.8
실시예 55 Cpd 228 6.81 518 41.1
실시예 56 Cpd 238 6.79 517 40.8
실시예 57 Cpd 239 6.79 517 40.8
실시예 58 Cpd 240 6.81 518 41.1
실시예 59 Cpd 310 6.78 515 42.4
실시예 60 Cpd 315 6.81 518 41.1
실시예 61 Cpd 316 6.79 517 40.8
실시예 62 Cpd 318 6.81 518 41.1
실시예 63 Cpd 328 6.81 518 41.1
실시예 64 Cpd 329 6.79 517 40.8
실시예 65 Cpd 330 6.79 517 40.8
실시예 66 Cpd 340 6.81 518 41.1
실시예 67 Cpd 345 6.79 517 40.8
실시예 68 Cpd 346 6.81 518 41.1
실시예 69 Cpd 348 6.78 515 42.4
실시예 70 Cpd 358 6.81 518 41.1
실시예 71 Cpd 359 6.79 517 40.8
실시예 72 Cpd 360 6.81 518 41.1
실시예 73 Cpd 363 6.79 517 40.8
실시예 74 Cpd 367 6.79 517 40.8
실시예 75 Cpd 370 6.81 518 41.1
비교예 4 CBP 6.93 516 38.2
상기 표 3에 나타낸 바와 같이, 본 발명에 따른 화합물을 발광층 재료로 각각 사용한 실시예 17 내지 75의 녹색 유기 전계 발광 소자의 경우, 종래 CBP를 사용한 비교예 3의 녹색 유기 EL 소자에 비해 전류 효율 및 구동 전압 면에서 보다 우수한 성능을 나타내는 것을 알 수 있었다.
[ 실시예 76] 적색 유기 EL 소자의 제조
합성예 76에서 합성된 화합물 Cpd 409을 통상적으로 알려진 방법으로 고순도 승화정제를 한 후, 아래의 과정에 따라 적색 유기 전계 발광 소자를 제작하였다.
먼저, ITO (Indium tin oxide)가 1500 Å 두께로 박막 코팅된 유리 기판을증류수 초음파로 세척하였다. 증류수 세척이 끝나면 이소프로필 알코올, 아세톤, 메탄올 등의 용제로 초음파 세척을 하고 건조시킨 후 UV OZONE 세정기 (Powersonic 405, 화신테크)로 이송시킨 다음 UV를 이용하여 상기 기판을 5분간 세정하고 진공 증착기로 기판을 이송하였다.
이렇게 준비된 ITO 투명 전극 위에 m-MTDATA (60 nm)/TCTA (80 nm)/ 화합물 Cpd 409 + 10 % (piq)2Ir(acac) (30nm)/BCP (10 nm)/Alq3 (30 nm)/LiF (1 nm)/Al (200 nm) 순으로 적층하여 유기 전계 발광 소자를 제작하였다.
[ 비교예4 ]
발광층 형성 시 발광 호스트 물질로 사용된 화합물 Cdp 409 대신 CBP를 사용하는 것을 제외하고는 상기 실시예 76 와 동일한 과정으로 적색 유기 전계 발광 소자를 제작하였다.
[ 실시예 77 ~ 81] 적색 유기 전계 발광 소자의 제조
실시예 76에서 사용된 화합물 Cpd 409 대신 하기 표 4에 기재된 화합물을 각각 사용하는 것을 제외하고는, 실시예 76과 동일하게 수행하여 녹색 유기 EL 소자를 제조하였다.
[ 평가예4 ]
실시예 76 ~ 81 및 비교예 4 에서 제작한 각각의 유기 전계 발광 소자에 대하여 전류밀도 10 mA/㎠에서의 구동전압 및 전류 효율을 측정하고, 그 결과를 하기 표 4에 나타내었다.
샘플 호스트 구동 전압
(V)		 전류 효율
(cd/A)
실시예 76 Cpd 409 4.77 11.5
실시예 77 Cpd 411 4.72 10.2
실시예 78 Cpd 412 4.80 11.0
실시예 79 Cpd 413 4.59 12.8
실시예 80 Cpd 415 4.80 10.4
실시예 81 Cpd 416 4.54 12.1
비교예 4 CBP 5.25 8.2
상기 표4에 나타낸 바와 같이, 본 발명에 따른 화합물을 적색 유기 전계 발광 소자의 발광층의 재료로 사용하였을 경우(실시예 76-81) 종래 CBP를 발광층의 재료로 사용한 적색 유기 전계 발광 소자(비교예4)와 비교해 볼 때 효율 및 구동전압 면에서 우수한 성능을 나타내는 것을 알 수 있다.
[ 실시예 82] 청색 유기 EL 소자의 제조
합성예 17에서 합성된 화합물 Cpd 10을 통상적으로 알려진 방법으로 고순도 승화정제를 한 후, 하기와 같이 청색 유기 전계 발광 소자를 제조하였다.
ITO (Indium tin oxide)가 1500 Å 두께로 박막 코팅된 유리 기판을 증류수 초음파로 세척하였다. 증류수 세척이 끝나면, 이소프로필 알코올, 아세톤, 메탄올 등의 용제로 초음파 세척을 하고, 건조시킨 후, UV OZONE 세정기(Power sonic 405, 화신테크)로 이송시킨 다음, UV를 이용하여 상기 기판을 5분간 세정하고 진공 증착기로 기판을 이송하였다.
상기와 같이 준비된 ITO 투명 전극 위에, DS-205 (80 nm)/NPB (15 nm)/AND + 5 % DS-405 (30nm)/화합물 Cpd10 (5 nm)/Alq3 (25 nm)/LiF (1 nm)/Al (200 nm) 순으로 적층하여 유기 전계 발광 소자를 제조하였다.
[ 실시예 83~137] - 청색 유기 EL 소자의 제조
실시예 82에서 전자 수송 보조층 물질로 사용된 화합물 Cpd10 대신 표 5에 기재된 각 화합물을 사용하는 것을 제외하고는, 실시예 82 과 동일하게 수행하여 청색 유기 EL 소자를 제조하였다.
[ 비교예 5] - 청색 유기 전계 발광 소자의 제조
실시예 82 에서 전자수송보조층 물질로 사용된 화합물 Cpd 10을 사용하지 않고, 전자 수송층 물질인 Alq3을 25 nm 대신 30nm로 증착 하는 것을 제외하고는, 실시예 82 과 동일하게 수행하여 청색 유기 전계 발광 소자를 제작하였다.
[ 비교예 6] - 청색 유기 전계 발광 소자의 제조
실시예 83 에서 전자수송보조층 물질로 사용된 화합물 화합물 Cpd10 를 사용하지 않는 대신 BCP를 사용하는 것을 제외하고는, 실시예 83 과 동일하게 수행하여 유기 전계 발광 소자를 제작하였다.
[ 평가예 5]
실시예 82 ~ 137 및 비교예 5, 6에서 각각 제조된 유기 전계 발광 소자에 대하여, 전류밀도 10 mA/㎠에서의 구동전압, 전류효율, 발광파장 및 수명(T97)을 측정하였고, 그 결과를 하기 표 5 에 나타내었다.
샘플 전자수송 보조층 구동전압
(V)		 전류효율
(cd/A)		 발광피크
(nm)		 수명
(hr, T97)
실시예 82 Cpd 10 4.1 6.0 458 75
실시예 83 Cpd 15 4.7 6.3 458 62
실시예 84 Cpd 16 4.7 6.4 457 60
실시예 85 Cpd 18 4.5 6.2 458 64
실시예 86 Cpd 28 4.4 6.0 458 50
실시예 87 Cpd 29 4.1 6.4 457 85
실시예 88 Cpd 30 4.7 6.1 458 55
실시예 89 Cpd 40 4.7 6.0 458 75
실시예 90 Cpd 45 4.5 6.3 458 62
실시예 91 Cpd 46 4.4 6.6 458 55
실시예 92 Cpd 48 4.1 6.2 458 75
실시예 93 Cpd 58 4.2 6.4 457 60
실시예 94 Cpd 59 4.5 6.2 458 64
실시예 95 Cpd 60 4.3 6.0 458 50
실시예 96 Cpd 130 4.5 6.2 458 75
실시예 97 Cpd 135 4.3 6.4 457 60
실시예 98 Cpd 136 4.4 6.2 458 64
실시예 99 Cpd 138 4.1 6.0 458 50
실시예 100 Cpd 148 4.2 6.4 457 85
실시예 101 Cpd 149 4.4 6.1 458 55
실시예 102 Cpd 150 4.1 6.0 458 75
실시예 103 Cpd 160 4.7 6.3 458 62
실시예 104 Cpd 165 4.7 6.4 457 60
실시예 105 Cpd 166 4.5 6.2 458 64
실시예 106 Cpd 168 4.4 6.0 458 50
실시예 107 Cpd 178 4.1 6.4 457 85
실시예 108 Cpd 179 4.7 6.1 458 55
실시예 109 Cpd 180 4.7 6.0 458 75
실시예 110 Cpd 190 4.5 6.3 458 62
실시예 111 Cpd 195 4.4 6.6 458 55
실시예 112 Cpd 196 4.1 6.2 458 75
실시예 113 Cpd 198 4.2 6.4 457 60
실시예 114 Cpd 208 4.5 6.2 458 64
실시예 115 Cpd 209 4.3 6.0 458 50
실시예 116 Cpd 210 4.1 6.4 457 85
실시예 117 Cpd 220 4.2 6.1 458 55
실시예 118 Cpd 225 4.5 6.0 458 75
실시예 119 Cpd 226 4.3 6.3 458 62
실시예 120 Cpd 228 4.1 6.2 458 75
실시예 121 Cpd 238 4.2 6.4 457 60
실시예 122 Cpd 239 4.5 6.2 458 64
실시예 123 Cpd 240 4.3 6.0 458 50
실시예 124 Cpd 310 4.5 6.2 458 75
실시예 125 Cpd 315 4.3 6.4 457 60
실시예 126 Cpd 316 4.4 6.2 458 64
실시예 127 Cpd 318 4.1 6.0 458 50
실시예 128 Cpd 328 4.1 6.3 458 82
실시예 129 Cpd 329 4.2 6.2 458 75
실시예 130 Cpd 330 4.5 6.4 457 60
실시예 131 Cpd 340 4.3 6.2 458 64
실시예 132 Cpd 345 4.5 6.0 458 50
실시예 133 Cpd 346 4.3 6.4 457 85
실시예 134 Cpd 348 4.2 6.1 458 55
실시예 135 Cpd 358 4.5 6.0 458 75
실시예 136 Cpd 359 4.1 6.4 458 79
실시예 137 Cpd 360 4.2 6.3 458 83
비교예 5 - 4.7 5.6 458 32
비교예 6 BCP 5.3 5.9 458 28
표 5에서 알 수 있는 바와 같이, 전자 수송 보조층 물질로 사용한 실시예 82 내지 137의 청색 유기 EL 소자의 경우, 전자 수송 보조층을 사용하지 않는 비교예 5의 청색 유기 EL 소자와 구동 전압이 유사하거나 약간 우수하나, 전류 효율 및 수명이 크게 향상되었다.
또한, 전자 수송 보조층 대신 종래 CBP를 정공 차단층 물질로 사용한 비교예 6의 청색 유기 EL 소자에 비해 구동 전압 및 전류 효율이 우수할 뿐만 아니라, 수명 또한 현저하게 향상되었다.

Claims (10)

  1. 하기 화학식 1로 표시되는 화합물:
    [화학식 1]
    Figure pat00039

    [화학식 2]
    Figure pat00040

    여기서,
    X1은 O, S, C(R9)(R10) 및 N(R11)로 이루어진 군으로부터 선택되며,
    R1과 R2, R2와 R3, R3와 R4, R4와 R5, R5와 R6, R6과 R7, R7과 R8 중 적어도 하나는 상기 화학식 2로 표시되는 고리와 축합되어 축합 고리를 형성하며,
    상기 화학식 2로 표시되는 고리와 축합 고리를 형성하지 않는 R1, R2, R3, R4, R5, R6, R7 및 R8은 서로 동일하거나 상이하며, 각각 독립적으로 수소, 중수소, C1~C40의 알킬기, C2~C40의 알케닐기, C2~C40의 알키닐기, C3~C40의 시클로알킬기, 핵원자수 3 내지 40의 헤테로시클로알킬기, C6~C60의 아릴기, 핵원자수 5 내지 60의 헤테로아릴기, C1~C40의 알킬옥시기, C6~C60의 아릴옥시기, C1~C40의 알킬실릴기, C6~C60의 아릴실릴기, C1~C40의 알킬보론기, C6~C60의 아릴보론기, C6~C60의 아릴포스핀기, C6~C60의 아릴포스핀옥사이드기 및 C6~C60의 아릴아민기로 이루어진 군에서 선택되거나, 인접한 기와 결합하여 축합 고리를 형성할 수 있으며,
    R9 내지 R11은 서로 동일하거나 상이하며, 각각 독립적으로 수소, 중수소, C1~C40의 알킬기, C2~C40의 알케닐기, C2~C40의 알키닐기, C3~C40의 시클로알킬기, 핵원자수 3 내지 40의 헤테로시클로알킬기, C6~C60의 아릴기, 핵원자수 5 내지 60의 헤테로아릴기, C1~C40의 알킬옥시기, C6~C60의 아릴옥시기, C1~C40의 알킬실릴기, C6~C60의 아릴실릴기, C1~C40의 알킬보론기, C6~C60의 아릴보론기, C6~C60의 아릴포스핀기, C6~C60의 아릴포스핀옥사이드기 및 C6~C60의 아릴아민기로 이루어진 군에서 선택되며,
    상기 화학식 2의 점선은 화학식 1과 축합이 이루어지는 부분이며,
    X2 및 X3은 서로 동일하거나 상이하며, 각각 독립적으로 수소, 중수소, C1~C2의 알킬기 및 C6~C60의 아릴기로 이루어진 군으로부터 선택되며,
    L은 단일결합, C6~C18의 아릴렌기 및 핵원자수 5 내지 18개의 헤테로아릴렌기로 이루어진 군에서 선택되며,
    R12는 C6~C60의 아릴기, 핵원자수 5 내지 60개의 헤테로아릴기, C1~C40의 알킬옥시기, C6~C60의 아릴옥시기, C1~C40의 알킬실릴기, C6~C60의 아릴실릴기, C1~C40의 알킬보론기, C6~C60의 아릴보론기, C6~C60의 아릴포스핀기, C6~C60의 모노 또는 디아릴포스피닐기 및 C6~C60의 아릴아민기로 이루어진 군에서 선택되며,
    R1 내지 R12, X2 및 X3의 알킬기, 알케닐기, 알키닐기, 시클로알킬기, 헤테로시클로알킬기, 아릴기, 헤테로아릴기, 알킬옥시기, 아릴옥시기, 알킬실릴기, 아릴실릴기, 알킬보론기, 아릴보론기, 아릴포스핀기, 아릴포스핀옥사이드기 모노 또는 디아릴포스피닐기 및 아릴아민기는 각각 독립적으로 C1~C40의 알킬기, C2~C40의 알케닐기, C2~C40의 알키닐기, C3~C40의 시클로알킬기, 핵원자수 3 내지 40개의 헤테로시클로알킬기, C6~C60의 아릴기, 핵원자수 5 내지 60개의 헤테로아릴기, C1~C40의 알킬옥시기, C6~C60의 아릴옥시기, C3~C40의 알킬실릴기, C6~C60의 아릴실릴기, C1~C40의 알킬보론기, C6~C60의 아릴보론기, C6~C60의 아릴포스핀기, C6~C60의 모노 또는 디아릴포스피닐기 및 C6~C60의 아릴아민기로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 치환기로 치환되거나 비치환되고, 복수 개의 치환기로 치환되는 경우 이들은 서로 동일하거나 상이할 수 있다.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 하기 화학식 3 내지 화학식 8 중 어느 하나로 표시되는 화합물:
    [화학식 3]
    Figure pat00041

    [화학식 4]

    [화학식 5]
    Figure pat00043

    [화학식 6]
    Figure pat00044

    [화학식 7]
    Figure pat00045

    [화학식 8]
    Figure pat00046

    여기서,
    X1 내지 X3, L 및 R1 내지 R8 각각은 상기 제1항에서 정의한 바와 같다.
  3. 제 1항 또는 제 2항에 있어서,
    상기 X1은 O인 화합물.
  4. 제 1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 X2 및 X3는 메틸기인 화합물.
  5. 제 1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 R12는 하기 화학식 9 내지 화학식 11 중 어느 하나로 표시되는 치환기인 화합물:
    [화학식 9]
    Figure pat00047

    [화학식 10]
    Figure pat00048

    [화학식 11]
    Figure pat00049

    여기서,
    *는 결합되는 부분을 의미하고,
    n은 0 내지 2의 정수이며,
    Y1 내지 Y3 서로 동일하거나 상이하며, 각각 독립적으로 C(R15) 또는 N이며, 적어도 하나 이상은 N이며,
    Y4 내지 Y7은 서로 동일하거나 상이하며, 각각 독립적으로 C(R16) 또는 N이며,
    X4는 O, S, C(R17)(R18), Si(R19)(R20) 및 N(R21)으로 이루어진 군으로부터 선택되며,
    R12 내지 R14는 서로 동일하거나 상이하며, 각각 독립적으로 수소, 중수소, C1~C40의 알킬기, C2~C40의 알케닐기, C2~C40의 알키닐기, C3~C40의 시클로알킬기, 핵원자수 3 내지 40의 헤테로시클로알킬기, C6~C60의 아릴기, 핵원자수 5 내지 60의 헤테로아릴기, C1~C40의 알킬옥시기, C6~C60의 아릴옥시기, C1~C40의 알킬실릴기, C6~C60의 아릴실릴기, C1~C40의 알킬보론기, C6~C60의 아릴보론기, C6~C60의 아릴포스핀기, C6~C60의 아릴포스핀옥사이드기 및 C6~C60의 아릴아민기로 이루어진 군에서 선택되며,
    R15 및 R16은 서로 동일하거나 상이하며, 각각 독립적으로 수소, 중수소, 할로겐, 시아노기, 니트로기, C1~C40의 알킬기, C2~C40의 알케닐기, C2~C40의 알키닐기, C3~C40의 시클로알킬기, 핵원자수 3 내지 40의 헤테로시클로알킬기, C6~C60의 아릴기, 핵원자수 5 내지 60의 헤테로아릴기, C1~C40의 알킬옥시기, C6~C60의 아릴옥시기, C1~C40의 알킬실릴기, C6~C60의 아릴실릴기, C1~C40의 알킬보론기, C6~C60의 아릴보론기, C6~C60의 아릴포스핀기, C6~C60의 아릴포스핀옥사이드기 및 C6~C60의 아릴아민기로 이루어진 군에서 선택되거나, 인접한 기와 결합하여 축합 고리를 형성할 수 있으며,
    R17 내지 R21는 서로 동일하거나 상이하며, 각각 독립적으로 C1~C40의 알킬기, C2~C40의 알케닐기, C2~C40의 알키닐기, C3~C40의 시클로알킬기, 핵원자수 3 내지 40의 헤테로시클로알킬기, C6~C60의 아릴기, 핵원자수 5 내지 60의 헤테로아릴기, C1~C40의 알킬옥시기, C6~C60의 아릴옥시기, C1~C40의 알킬실릴기, C6~C60의 아릴실릴기, C1~C40의 알킬보론기, C6~C60의 아릴보론기, C6~C60의 아릴포스핀기, C6~C60의 아릴포스핀옥사이드기 및 C6~C60의 아릴아민기로 이루어진 군에서 선택되거나, 인접한 기와 결합하여 축합 고리를 형성할 수 있고,
    R12 내지 R21 의 알킬기, 알케닐기, 알키닐기, 시클로알킬기, 헤테로시클로알킬기, 아릴기, 헤테로아릴기, 알킬옥시기, 아릴옥시기, 알킬실릴기, 아릴실릴기, 알킬보론기, 아릴보론기, 아릴포스핀기, 아릴포스핀옥사이드기 모노 또는 디아릴포스피닐기 및 아릴아민기는 각각 독립적으로 C1~C40의 알킬기, C2~C40의 알케닐기, C2~C40의 알키닐기, C3~C40의 시클로알킬기, 핵원자수 3 내지 40개의 헤테로시클로알킬기, C6~C60의 아릴기, 핵원자수 5 내지 60개의 헤테로아릴기, C1~C40의 알킬옥시기, C6~C60의 아릴옥시기, C3~C40의 알킬실릴기, C6~C60의 아릴실릴기, C1~C40의 알킬보론기, C6~C60의 아릴보론기, C6~C60의 아릴포스핀기, C6~C60의 모노 또는 디아릴포스피닐기 및 C6~C60의 아릴아민기로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 치환기로 치환되거나 비치환되고, 복수 개의 치환기로 치환되는 경우 이들은 서로 동일하거나 상이할 수 있다.
  6. 제 1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 L은 단일결합, 페닐렌기 또는 바이페닐렌기인 화합물.
  7. 제 1항에 있어서,
    상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 아래의 화합물로 이루어진 군에서 선택되는 것인 화합물:
    Figure pat00050

    Figure pat00051

    Figure pat00052

    Figure pat00053

    Figure pat00054

    Figure pat00055

    Figure pat00056

    Figure pat00057

    Figure pat00058

  8. (i) 양극, (ii) 음극, 및 (iii) 상기 양극과 음극 사이에 개재(介在)된 1층 이상의 유기물층을 포함하는 유기 전계 발광 소자로서,
    상기 1층 이상의 유기물층 중에서 적어도 하나는 제1항에 따른 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 유기물층은 발광층, 발광 보조층, 정공 수송층, 정공 주입층, 전자 수송층, 전자수송보조층 및 전자 주입층으로 이루어진 군에서 선택되는 유기 전계 발광 소자.
  10. 제8항에 있어서,
    상기 유기물층은 발광층 또는 정공 수송층인 유기 전계 발광 소자.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2021256883A1 (ko) * 2020-06-18 2021-12-23 솔루스첨단소재 주식회사 유기 화합물 및 이를 포함하는 유기 전계 발광 소자
WO2022239919A1 (ko) * 2021-05-10 2022-11-17 엘티소재주식회사 축합 다환 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112279844B (zh) * 2019-07-24 2022-04-19 南京高光半导体材料有限公司 一种绿光主体材料、有机电致发光器件及电子显示设备

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20140019844A (ko) * 2011-05-25 2014-02-17 아메리칸 다이 소스, 인코포레이티드 옥심 에스터 및/또는 아실 기를 갖는 화합물
KR20140025271A (ko) * 2012-08-21 2014-03-04 제일모직주식회사 유기광전자소자용 화합물, 이를 포함하는 유기발광소자 및 상기 유기발광소자를 포함하는 표시장치
KR20140145456A (ko) * 2013-06-13 2014-12-23 제일모직주식회사 유기 화합물, 유기 광전자 소자 및 표시 장치
KR20150019154A (ko) * 2013-08-12 2015-02-25 제일모직주식회사 조성물, 유기 광전자 소자 및 표시 장치

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101648142B1 (ko) * 2013-10-21 2016-08-12 제일모직 주식회사 조성물, 유기 광전자 소자 및 표시 장치
KR102436175B1 (ko) * 2014-05-09 2022-08-26 에스에프씨주식회사 신규한 방향족 유기발광 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자
KR102030354B1 (ko) * 2014-05-13 2019-10-10 에스에프씨주식회사 방향족 아민기를 포함하는 헤테로고리 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자
KR101825544B1 (ko) * 2014-10-29 2018-02-05 삼성에스디아이 주식회사 화합물, 이를 포함하는 유기 광전자 소자 및 표시장치
KR20170023388A (ko) * 2015-08-21 2017-03-03 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 소자
US11075343B2 (en) * 2016-01-18 2021-07-27 Sfc Co., Ltd. Organic light emitting compounds and organic light emitting devices including the same
US11476426B2 (en) * 2016-02-03 2022-10-18 Sfc Co., Ltd. Organic light emitting compounds and organic light emitting devices including the same
US10957865B2 (en) * 2016-07-27 2021-03-23 Sfc Co., Ltd. Organic light emitting compound and organic light emitting diode including the same

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20140019844A (ko) * 2011-05-25 2014-02-17 아메리칸 다이 소스, 인코포레이티드 옥심 에스터 및/또는 아실 기를 갖는 화합물
KR20140025271A (ko) * 2012-08-21 2014-03-04 제일모직주식회사 유기광전자소자용 화합물, 이를 포함하는 유기발광소자 및 상기 유기발광소자를 포함하는 표시장치
KR20140145456A (ko) * 2013-06-13 2014-12-23 제일모직주식회사 유기 화합물, 유기 광전자 소자 및 표시 장치
KR20150019154A (ko) * 2013-08-12 2015-02-25 제일모직주식회사 조성물, 유기 광전자 소자 및 표시 장치

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2021256883A1 (ko) * 2020-06-18 2021-12-23 솔루스첨단소재 주식회사 유기 화합물 및 이를 포함하는 유기 전계 발광 소자
WO2022239919A1 (ko) * 2021-05-10 2022-11-17 엘티소재주식회사 축합 다환 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자

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