KR20190004255A - Apparatus for treating substrate - Google Patents

Apparatus for treating substrate Download PDF

Info

Publication number
KR20190004255A
KR20190004255A KR1020180174005A KR20180174005A KR20190004255A KR 20190004255 A KR20190004255 A KR 20190004255A KR 1020180174005 A KR1020180174005 A KR 1020180174005A KR 20180174005 A KR20180174005 A KR 20180174005A KR 20190004255 A KR20190004255 A KR 20190004255A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
hole
holes
ring
substrate
unit
Prior art date
Application number
KR1020180174005A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR102037169B1 (en
Inventor
이수진
Original Assignee
세메스 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 세메스 주식회사 filed Critical 세메스 주식회사
Priority to KR1020180174005A priority Critical patent/KR102037169B1/en
Publication of KR20190004255A publication Critical patent/KR20190004255A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR102037169B1 publication Critical patent/KR102037169B1/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02296—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer
    • H01L21/02299—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer pre-treatment
    • H01L21/02312—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer pre-treatment treatment by exposure to a gas or vapour
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02296—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer
    • H01L21/02318—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer post-treatment
    • H01L21/02337—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer post-treatment treatment by exposure to a gas or vapour
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/6719—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the processing chambers, e.g. modular processing chambers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/60—Attaching or detaching leads or other conductive members, to be used for carrying current to or from the device in operation
    • H01L2021/60007—Attaching or detaching leads or other conductive members, to be used for carrying current to or from the device in operation involving a soldering or an alloying process
    • H01L2021/60022—Attaching or detaching leads or other conductive members, to be used for carrying current to or from the device in operation involving a soldering or an alloying process using bump connectors, e.g. for flip chip mounting
    • H01L2021/60097—Applying energy, e.g. for the soldering or alloying process
    • H01L2021/60172—Applying energy, e.g. for the soldering or alloying process using static pressure
    • H01L2021/60187—Isostatic pressure, e.g. degassing using vacuum or pressurised liquid

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

The present invention provides an apparatus for treating a substrate with gas, comprising: a chamber having a processing space therein and an opening on one side wall; a substrate support unit for supporting a substrate in the processing space; a gas supply unit for supplying a process gas to the processing space; an exhaust unit for exhausting the processing space; and a baffle unit positioned between an inner side surface of the chamber and the substrate support unit, and guiding the process gas to be uniformly exhausted in the processing space for each area. The baffle unit includes a fixing plate having a ring shape surrounding the substrate support unit and having a plurality of through-holes through which the process gas is exhausted, and a control plate positioned to be stacked on the fixing plate and interfering with flow of the process gas exhausted from some of the through-holes, wherein the control plate is positioned adjacent to the opening. Further, the control plate interfering with flow of gas is positioned on an area where the gas is concentrated, and thus it is possible to uniformly supply the gas to the processing space for each area.

Description

기판처리장치{Apparatus for treating substrate}[0001] Apparatus for treating substrate [0002]

본 발명은 기판을 가스 처리하는 장치에 관한 것이다.The present invention relates to an apparatus for gas treating a substrate.

반도체 소자를 제조하는 공정에 있어서 사진, 식각, 박막 증착, 이온주입, 그리고 세정 등 다양한 공정들이 수행된다. 이러한 공정들 중 식각, 박막 증착, 이온 주입, 그리고 세정 공정에는 공정 가스를 이용한 기판 처리 장치가 사용된다.In the process of manufacturing a semiconductor device, various processes such as photolithography, etching, thin film deposition, ion implantation, and cleaning are performed. Among these processes, a substrate processing apparatus using a process gas is used for etching, thin film deposition, ion implantation, and cleaning processes.

일반적으로 가스 처리 공정은 외부로부터 밀폐된 처리 공간에서 진행된다. 도 1은 일반적인 가스 처리 장치를 보여주는 단면도이다. 도 1을 참조하면, 가스는 챔버(2)의 내부 공간인 처리 공간(4)으로 공급되고, 기판(W)을 처리한 공정 가스 및 이로부터 발생된 공정 부산물은 챔버(2)의 외부로 배기된다. 챔버(2)의 바닥면에는 배기홀(6)이 형성되며, 처리 공간(4)의 분위기는 배기홀(6)을 통해 배기된다.Generally, the gas treatment process is performed in an enclosed treatment space from the outside. 1 is a sectional view showing a general gas processing apparatus. 1, the gas is supplied to the processing space 4, which is an internal space of the chamber 2, and the processing gas which has processed the substrate W and the processing by-products generated therefrom are discharged to the outside of the chamber 2 do. An exhaust hole 6 is formed in the bottom surface of the chamber 2 and the atmosphere in the processing space 4 is exhausted through the exhaust hole 6.

그러나 처리 공간(4)은 비대칭적인 공간으로 제공된다. 이로 인해 처리 공간(4)의 일부 영역에으로 공정 가스가 쏠리는 현상이 발생된다. 이에 따라 기판(W)은 불균일하게 가스 처리되며, 이는 공정 불량을 야기한다.However, the processing space 4 is provided as an asymmetric space. This causes a phenomenon in which the process gas leans to a part of the processing space 4. As a result, the substrate W is gas-treated irregularly, which causes process defects.

본 발명은 기판을 균일하게 가스 처리할 수 있는 장치를 제공하고자 한다.An object of the present invention is to provide an apparatus capable of uniformly gas-treating a substrate.

또한 본 발명은 내부에 비대칭적 공간을 가지는 챔버에 가스를 공급 시 가스가 일부 영역으로 쏠리는 것을 방지할 수 있는 장치를 제공하고자 한다.It is another object of the present invention to provide an apparatus capable of preventing gas from leaking to a partial region when a gas is supplied to a chamber having an asymmetric space therein.

본 발명의 실시예는 기판을 가스 처리하는 장치를 제공한다. 기판 처리 장치는 내부에 처리 공간을 가지며, 일측벽에 개구가 형성되는 챔버, 상기 처리 공간에서 기판을 지지하는 기판 지지 유닛, 상기 처리 공간에 공정 가스를 공급하는 가스 공급 유닛, 상기 처리 공간을 배기하는 배기 유닛, 그리고 상기 챔버의 내측면과 상기 기판 지지 유닛 사이에 위치되며, 상기 처리 공간에서 공정 가스가 영역 별로 균일하게 배기되도록 안내하는 배플 유닛을 포함하되, 상기 배플 유닛은 상기 기판 지지 유닛을 감싸는 링 형상으로 제공되며, 공정 가스가 배기되는 복수의 관통홀들이 형성되는 고정 플레이트 및 상기 고정 플레이트에 적층되게 위치되며, 상기 관통홀들 중 일부에 배기되는 공정 가스의 흐름을 간섭하는 조절 플레이트를 포함하되, 상기 조절 플레이트는 상기 개구와 인접하게 위치된다.An embodiment of the present invention provides an apparatus for gas treating a substrate. The substrate processing apparatus includes a chamber having a processing space therein, a chamber in which an opening is formed in a side wall, a substrate supporting unit for supporting the substrate in the processing space, a gas supply unit for supplying a processing gas to the processing space, And a baffle unit located between the inner side of the chamber and the substrate supporting unit and guiding the process gas to be evenly exhausted in the process space in the process space, And a control plate disposed in a stacked manner on the fixed plate and interfering with a flow of a process gas exhausted to a part of the through holes, Wherein the adjustment plate is positioned adjacent the opening.

상기 장치는 상기 챔버의 외측에서 상기 개구를 개폐하는 도어를 더 포함하되, 상부에서 바라볼 때 상기 조절 플레이트는 상기 기판 지지 유닛의 중심으로부터 상기 개구를 잇는 직선 상에 위치될 수 있다. 상기 조절 플레이트는 상기 기판 지지 유닛의 일부를 감싸는 호 형상으로 제공될 수 있다. 상기 조절 플레이트는 상기 고정 플레이트보다 높게 위치될 수 있다 상기 고정 플레이트는 상기 기판 지지 유닛의 외측면에 결합되는 내측링, 상기 내측링보다 큰 직경을 가지며, 상기 챔버의 내측면에 결합되는 외측링, 그리고 상기 내측링 및 상기 외측링에 고정 결합되며, 상기 관통홀들이 형성되는 중간링을 포함하되, 상기 내측링 및 상기 외측링 각각에는 상기 조절 플레이트가 결합 가능한 나사홀들이 원주 방향을 따라 배열될 수 있다. 상기 고정 플레이트에는 상기 관통홀들이 균등하게 위치되고, 상기 조절 플레이트에는 내측홀 및 이와 상이한 외측홀이 각각 형성될 수 있다. 상기 내측홀 및 상기 외측홀 각각은 서로 상이한 폭을 가질 수 있다. 상기 내측홀은 상기 외측홀에 비해 큰 폭을 가질 수 있다. 상기 내측홀 및 상기 외측홀 각각은 슬릿으로 제공될 수 있다.The apparatus further includes a door that opens and closes the opening outside the chamber, wherein the adjusting plate may be positioned on a straight line connecting the opening from the center of the substrate support unit when viewed from the top. The adjustment plate may be provided in a shape of a circular arc surrounding a part of the substrate supporting unit. Wherein the adjustment plate can be positioned higher than the fixed plate. The fixed plate has an inner ring coupled to an outer surface of the substrate support unit, an outer ring having a larger diameter than the inner ring and coupled to an inner surface of the chamber, And a middle ring fixedly coupled to the inner ring and the outer ring and formed with the through holes, wherein screw holes capable of engaging with the adjustment plate are arranged in the circumferential direction on each of the inner ring and the outer ring have. The through holes may be uniformly positioned in the fixing plate, and the adjusting holes may have an inner hole and a different outer hole. Each of the inner hole and the outer hole may have a different width from each other. The inner hole may have a larger width than the outer hole. Each of the inner hole and the outer hole may be provided with a slit.

본 발명의 실시예에 의하면, 처리 공간에서 가스가 쏠리는 영역에 가스의 흐름을 간섭하는 조절 플레이트가 위치된다. 이로 인해 처리 공간에는 영역 별로 가스가 균일하게 공급될 수 있다.According to an embodiment of the present invention, an adjustment plate is positioned to interfere with the flow of gas in the region where the gas strikes in the processing space. As a result, the gas can be uniformly supplied to each processing space.

또한 본 발명의 실시예에 의하면, 처리 공간에는 영역 별로 가스가 균일하게 공급되므로, 기판의 전체 영역을 균일하게 가스 처리할 수 있다.Further, according to the embodiment of the present invention, since the gas is uniformly supplied to the processing space in each region, the entire region of the substrate can be uniformly gas-processed.

또한 본 발명의 실시예에 의하면, 처리 공간에서 가스의 잔류 시간을 늘릴 수 있다.According to the embodiment of the present invention, the residence time of the gas in the processing space can be increased.

도 1은 일반적인 기판처리장치를 보여주는 단면도이다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 장치를 보여주는 단면도이다.
도 3은 도 2의 고정 플레이트를 보여주는 평면도이다.
도 4는 도 2의 조절 플레이트를 보여주는 평면도이다.
도 5는 도 2의 고정 플레이트 및 조절 플레이트의 종단면적을 보여주는 단면도이다.
도 6은 도 5의 고정 플레이트 및 조절 플레이트를 종단면적을 보여주는 평면도이다.
도 7은 도 2의 기판 처리 장치의 다른 실시예를 보여주는 단면도이다.
도 8은 도 2의 기판 처리 장치의 또 다른 실시예를 보여주는 단면도이다.1 is a sectional view showing a general substrate processing apparatus.
2 is a sectional view showing a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
FIG. 3 is a plan view showing the fixing plate of FIG. 2; FIG.
Figure 4 is a top view showing the adjustment plate of Figure 2;
5 is a cross-sectional view showing the end surface area of the fixing plate and the adjustment plate of Fig. 2;
Fig. 6 is a plan view showing the longitudinal area of the fixing plate and the adjustment plate of Fig. 5;
FIG. 7 is a cross-sectional view showing another embodiment of the substrate processing apparatus of FIG. 2;
8 is a cross-sectional view showing another embodiment of the substrate processing apparatus of FIG.

본 발명의 실시예는 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 서술하는 실시예로 인해 한정되어지는 것으로 해석되어서는 안된다. 본 실시예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 구성 요소의 형상 등은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해서 과장된 것이다.The embodiments of the present invention can be modified into various forms and the scope of the present invention should not be interpreted as being limited by the embodiments described below. The present embodiments are provided to enable those skilled in the art to more fully understand the present invention. Accordingly, the shapes of the components and the like in the drawings are exaggerated in order to emphasize a clearer description.

본 실시예에서는 챔버 내에서 플라즈마를 이용하여 기판을 식각 처리하는 기판 처리 장치를 일 예로 설명한다. 그러나 본 발명은 이에 한정되지 않고, 플라즈마를 이용하여 기판을 처리하는 장치라면 다양한 공정에 적용 가능하다. In this embodiment, a substrate processing apparatus for etching a substrate by using a plasma in a chamber will be described as an example. However, the present invention is not limited to this, and can be applied to various processes as long as it is an apparatus for processing a substrate by using plasma.

이하, 도 2 내지 도 8을 참조하여 본 발명을 설명한다.Hereinafter, the present invention will be described with reference to Figs. 2 to 8. Fig.

도 2는 본 발명의 실시예에 따른 기판처리장치를 보여주는 단면도이다. 도 2를 참조하면, 기판 처리 장치(10)는 챔버(100), 기판 지지 유닛(200), 가스 공급 유닛(300), 플라즈마 소스(400), 배기 유닛(500) 그리고 배플 유닛(600)을 포함한다.2 is a sectional view showing a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention. 2, the substrate processing apparatus 10 includes a chamber 100, a substrate support unit 200, a gas supply unit 300, a plasma source 400, an exhaust unit 500, and a baffle unit 600 .

챔버(100)은 내부에 기판(W)이 처리되는 처리 공간(101)을 제공한다. 챔버(100)는 원형의 통 형상으로 제공된다. 챔버(100)의 일측벽에는 개구가 형성된다. 개구(106)는 기판(W)이 반출입되는 입구로 기능한다. 챔버(100)의 외측면에는 도어(108)가 제공된다. 도어(108)는 개구(106)를 개폐한다. 하우징(100)은 금속 재질로 제공된다. 예컨대, 챔버(100)는 알루미늄 재질로 제공될 수 있다. 챔버(100)의 바닥면에는 배기홀(150)이 형성된다. The chamber 100 provides a processing space 101 in which a substrate W is processed. The chamber 100 is provided in a circular cylindrical shape. An opening is formed in one side wall of the chamber 100. The opening 106 functions as an inlet through which the substrate W is carried in and out. A door 108 is provided on the outer surface of the chamber 100. The door 108 opens and closes the opening 106. The housing 100 is made of a metal material. For example, the chamber 100 may be provided with an aluminum material. An exhaust hole 150 is formed in the bottom surface of the chamber 100.

기판 지지 유닛(200)은 처리 공간(101)에서 기판(W)을 지지한다. 기판 지지 유닛(200)은 정전기력을 이용하여 기판(W)을 지지하는 정전척(200)으로 제공될 수 있다. 선택적으로 기판 지지 유닛(200)은 기계적 클램핑과 같은 다양한 방식으로 기판(W)을 지지할 수 있다.The substrate supporting unit 200 supports the substrate W in the processing space 101. [ The substrate support unit 200 may be provided with an electrostatic chuck 200 that supports the substrate W using electrostatic force. Optionally, the substrate support unit 200 can support the substrate W in a variety of ways, such as mechanical clamping.

정전척(200)은 지지판(210), 포커스링(250), 그리고 베이스(230)를 포함한다. 지지판(210)은 유전체 재질을 포함하는 유전판(210)으로 제공된다. 유전판(210)의 상면에는 기판(W)이 직접 놓인다. 유전판(210)은 원판 형상으로 제공된다. 유전판(210)은 기판(W)보다 작은 반경을 가질 수 있다. 유전판(210)의 내부에는 내부 전극(212)이 설치된다. 내부 전극(212)에는 전원(미도시)이 연결되고, 전원(미도시)으로부터 전력을 인가받는다. 내부 전극(212)은 인가된 전력(미도시)으로부터 기판(W)이 유전판(210)에 흡착되도록 정전기력을 제공한다. 유전판(210)의 내부에는 기판(W)을 가열하는 히터(214)가 설치된다. 히터(214)는 내부 전극(212)의 아래에 위치될 수 있다. 히터(214)는 나선 형상의 코일로 제공될 수 있다. 예컨대, 유전판(210)은 세라믹 재질로 제공될 수 있다. The electrostatic chuck 200 includes a support plate 210, a focus ring 250, and a base 230. The support plate 210 is provided with a dielectric plate 210 including a dielectric material. The substrate W is directly placed on the upper surface of the dielectric plate 210. The dielectric plate 210 is provided in a disc shape. The dielectric plate 210 may have a smaller radius than the substrate W. [ An internal electrode 212 is provided inside the dielectric plate 210. A power source (not shown) is connected to the internal electrode 212, and receives power from a power source (not shown). The internal electrode 212 provides an electrostatic force such that the substrate W is attracted to the dielectric plate 210 from the applied electric power (not shown). Inside the dielectric plate 210, a heater 214 for heating the substrate W is provided. The heater 214 may be located under the internal electrode 212. The heater 214 may be provided as a helical coil. For example, the dielectric plate 210 may be provided in a ceramic material.

베이스(230)는 유전판(210)을 지지한다. 베이스(230)는 유전판(210)의 아래에 위치되며, 유전판(210)과 고정결합된다. 베이스(230)의 상면은 그 중앙영역이 가장자리영역에 비해 높도록 단차진 형상을 가진다. 베이스(230)는 그 상면의 중앙영역이 유전판(210)의 저면에 대응하는 면적을 가진다. 베이스(230)의 내부에는 냉각유로(232)가 형성된다. 냉각유로(232)는 냉각유체가 순환하는 통로로 제공된다. 냉각유로(232)는 베이스(230)의 내부에서 나선 형상으로 제공될 수 있다. 베이스에는 외부에 위치된 고주파 전원(234)과 연결된다. 고주파 전원(234)은 베이스(230)에 전력을 인가한다. 베이스(230)에 인가된 전력은 챔버(100) 내에 발생된 플라즈마가 베이스(230)를 향해 이동되도록 안내한다. 베이스(230)는 금속 재질로 제공될 수 있다.The base 230 supports the dielectric plate 210. The base 230 is positioned below the dielectric plate 210 and is fixedly coupled to the dielectric plate 210. The upper surface of the base 230 has a stepped shape such that its central region is higher than the edge region. The central portion of the upper surface of the base 230 has an area corresponding to the bottom surface of the dielectric plate 210. A cooling passage 232 is formed in the base 230. The cooling channel 232 is provided as a passage through which the cooling fluid circulates. The cooling channel 232 may be provided in a spiral shape inside the base 230. And is connected to a high-frequency power supply 234 located outside the base. The high frequency power supply 234 applies power to the base 230. The power applied to the base 230 guides the plasma generated in the chamber 100 to be moved toward the base 230. The base 230 may be made of a metal material.

포커스링(250)은 플라즈마를 기판(W)으로 집중시킨다. 포커스링(250)은 내측링(252) 및 외측링(254)을 포함한다. 내측링(252)은 유전판(210)을 감싸는 환형의 링 형상으로 제공된다. 내측링(252)을 베이스(230)의 가장자리영역에 위치된다. 내측링(252)의 상면은 유전판(210)의 상면과 동일한 높이를 가지도록 제공된다. 내측링(252)의 상면 내측부는 기판(W)의 저면 가장자리영역을 지지한다. 예컨대, 내측링(252)은 도전성 재질로 제공될 수 있다. 외측링(254)은 내측링(252)을 감싸는 환형의 링 형상으로 제공된다. 외측링(254)은 베이스(230)의 가장자리영역에서 내측링(252)과 인접하게 위치된다. 외측링(254)의 상면은 내측링(252)의 상면에 비해 그 높이가 높게 제공된다. 외측링(254)은 절연 물질로 제공될 수 있다.The focus ring 250 focuses the plasma onto the substrate W. [ The focus ring 250 includes an inner ring 252 and an outer ring 254. The inner ring 252 is provided in an annular ring shape surrounding the dielectric plate 210. The inner ring 252 is located in the edge region of the base 230. [ The upper surface of the inner ring 252 is provided so as to have the same height as the upper surface of the dielectric plate 210. The inner surface of the upper surface of the inner ring 252 supports the bottom edge region of the substrate W. [ For example, the inner ring 252 may be provided with a conductive material. The outer ring 254 is provided in an annular ring shape surrounding the inner ring 252. The outer ring 254 is positioned adjacent to the inner ring 252 in the edge region of the base 230. The upper surface of the outer ring 254 is provided with a higher height than the upper surface of the inner ring 252. The outer ring 254 may be provided with an insulating material.

가스 공급 유닛(300)은 기판 지지 유닛(200)에 지지된 기판(W) 상으로 공정 가스를 공급한다. 가스 공급 유닛(300)은 가스 저장부(350), 가스 공급 라인(330), 그리고 가스 유입 포트(310)를 포함한다. 가스 공급 라인(330)은 가스 저장부(350) 및 가스 유입 포트(310)를 연결한다. 가스 저장부(350)에 저장된 공정 가스는 가스 공급 라인(330)을 통해 가스 유입 포트(310)으로 공급한다. 가스 유입 포트(310)는 챔버(100)의 상부벽에 설치된다. 가스 유입 포트(310)는 기판 지지 유닛(200)과 대향되게 위치된다. 일 예에 의하면, 가스 유입 포트(310)는 챔버(100) 상부벽의 중심에 설치될 수 있다. 가스 공급 라인(330)에는 밸브가 설치되어 그 내부 통로를 개폐하거나, 그 내부 통로에 흐르는 가스의 유량을 조절할 수 있다. 예컨대, 공정 가스는 식각 가스일 수 있다.The gas supply unit 300 supplies the process gas onto the substrate W supported by the substrate support unit 200. The gas supply unit 300 includes a gas reservoir 350, a gas supply line 330, and a gas inlet port 310. The gas supply line 330 connects the gas reservoir 350 and the gas inlet port 310. The process gas stored in the gas storage unit 350 is supplied to the gas inlet port 310 through the gas supply line 330. The gas inlet port 310 is installed in the upper wall of the chamber 100. The gas inlet port 310 is positioned opposite the substrate support unit 200. According to one example, the gas inlet port 310 may be installed at the center of the upper wall of the chamber 100. A valve is provided in the gas supply line 330 to open or close the internal passage, or to control the flow rate of the gas flowing in the internal passage. For example, the process gas may be an etch gas.

플라즈마 소스(400)는 챔버(100) 내에 공정가스를 플라즈마 상태로 여기시킨다. 플라즈마 소스(400)로는 유도 결합형 플라즈마(ICP: inductively coupled plasma) 소스가 사용될 수 있다. 플라즈마 소스(400)는 안테나(410) 및 외부전원(430)을 포함한다. 안테나(410)는 챔버(100)의 외측 상부에 배치된다. 안테나(410)는 복수 회 감기는 나선 형상으로 제공되고, 외부전원(430)과 연결된다. 안테나(410)는 외부전원(430)으로부터 전력을 인가받는다. 전력이 인가된 안테나(410)는 챔버(100)의 처리 공간(101)에 방전 공간을 형성한다. 방전 공간 내에 머무르는 공정 가스는 플라즈마 상태로 여기될 수 있다.The plasma source 400 excites the process gas into the plasma state within the chamber 100. As the plasma source 400, an inductively coupled plasma (ICP) source may be used. The plasma source 400 includes an antenna 410 and an external power source 430. An antenna 410 is disposed on the outer side of the chamber 100. The antenna 410 is provided in a spiral shape in multiple turns and is connected to an external power supply 430. The antenna 410 receives power from the external power supply 430. The power applied antenna 410 forms a discharge space in the processing space 101 of the chamber 100. The process gas staying in the discharge space can be excited into a plasma state.

배기 유닛(500)은 처리 공간(101)을 진공 분위기로 형성한다. 배기 유닛(500)은 배기 라인(520) 및 감압 부재(540)를 포함한다. 배기 라인(520)은 배기홀(150)에 연결되고, 감압 부재(540)는 배기 라인(520)에 설치된다. 감압 부재(540)로부터 발생된 감압력은 배기 라인(520)을 통해 처리 공간(101)으로 전달된다. 이에 따라 처리 공간(101)은 감압되어 진공 분위기를 형성할 수 있다. 배기 유닛(500)은 공정 진행 중에 발생되는 부산물 및 챔버(100) 내에 머무르는 플라즈마는 진공압에 의해 챔버(100)의 외부로 배출한다.The exhaust unit 500 forms the processing space 101 in a vacuum atmosphere. The exhaust unit 500 includes an exhaust line 520 and a pressure-reducing member 540. The exhaust line 520 is connected to the exhaust hole 150 and the pressure reducing member 540 is installed in the exhaust line 520. The reduced pressure generated from the pressure-reducing member 540 is transferred to the processing space 101 through the exhaust line 520. Accordingly, the processing space 101 can be depressurized to form a vacuum atmosphere. The exhaust unit 500 discharges the by-products generated during the process and the plasma remaining in the chamber 100 to the outside of the chamber 100 by the vacuum pressure.

배플 유닛(600)은 처리 공간(101)에서 플라즈마가 영역 별로 균일하게 배기되도록 안내한다. 배플 유닛(600)은 처리 공간(101)에서 챔버(100)의 내측벽과 기판 지지 유닛(200)의 사이에 위치된다. 배플 유닛(600)은 고정 플레이트(610) 및 조절 플레이트(660)를 포함한다. 도 3은 도 2의 고정 플레이트를 보여주는 평면도이고, 도 4는 도 2의 조절 플레이트를 보여주는 평면도이며, 도 5는 도 2의 고정 플레이트 및 조절 플레이트의 종단면적을 보여주는 단면도이다. 도 6은 도 5의 고정 플레이트 및 조절 플레이트를 보여주는 평면도이다. 도 3 내지 도 6을 참조하면, 고정 플레이트(610)에는 관통홀(612)이 균등하게 위치된다. 고정 플레이트(610)는 외측링(620), 내측링(630), 그리고 중간링(640)을 포함한다. 외측링(620), 내측링(630), 그리고 중간링(640) 각각은 환형의 링 형상을 가지도록 제공된다. 외측링(620)은 챔버(100)의 내측면에 고정 결합된다. 외측링(620)은 챔버(100)의 내측면을 감싸도록 제공된다. 외측링(620)은 챔버(100)의 내측면과 대응되는 외경을 가진다. 외측링(620)은 챔버(100)의 내측면에 접촉되게 위치된다. 내측링(630)은 기판 지지 유닛(200)에 고정 결합된다. 내측링(630)은 외측링(620)의 내측에 위치된다. 내측링(630)은 외측링(620)과 동일한 높이에 위치된다. 내측링(630)은 외측링(620)에 비해 작은 직경을 가진다. 내측링(630)은 기판 지지 유닛(200)을 감싸도록 제공된다. 내측링(630)은 베이스에 접촉되게 위치된다. 내측링(630) 및 외측링(620) 각각에는 조절 플레이트(660)가 결합 가능한 나사홀들(미도시)이 형성된다.The baffle unit 600 guides the plasma to be uniformly exhausted in the processing space 101 by region. The baffle unit 600 is positioned between the inner wall of the chamber 100 and the substrate support unit 200 in the process space 101. The baffle unit 600 includes a stationary plate 610 and an adjustment plate 660. FIG. 3 is a plan view showing the fixing plate of FIG. 2, FIG. 4 is a plan view of the adjustment plate of FIG. 2, and FIG. 5 is a sectional view of the fixing plate and the adjustment plate of FIG. 6 is a plan view showing the fixing plate and the adjustment plate of Fig. Referring to FIGS. 3 to 6, through holes 612 are uniformly positioned in the fixing plate 610. The stationary plate 610 includes an outer ring 620, an inner ring 630, and a middle ring 640. Each of the outer ring 620, the inner ring 630, and the intermediate ring 640 is provided to have an annular ring shape. The outer ring 620 is fixedly coupled to the inner surface of the chamber 100. The outer ring 620 is provided to enclose the inner surface of the chamber 100. The outer ring 620 has an outer diameter corresponding to the inner surface of the chamber 100. The outer ring 620 is positioned in contact with the inner surface of the chamber 100. The inner ring 630 is fixedly coupled to the substrate supporting unit 200. The inner ring 630 is located inside the outer ring 620. The inner ring 630 is located at the same height as the outer ring 620. The inner ring 630 has a smaller diameter than the outer ring 620. The inner ring 630 is provided to surround the substrate supporting unit 200. The inner ring 630 is positioned in contact with the base. Threaded holes (not shown) are formed in the inner ring 630 and the outer ring 620, respectively, to which the adjusting plate 660 can be coupled.

중간링(640)은 환형의 링 형상을 가지는 판으로 제공된다. 중간링(640)은 외측링(620)과 내측링(630) 사이에 위치된다. 중간링(640)에는 상단으로부터 하단까지 연장되는 복수의 관통홀(612)들이 형성된다. 관통홀(612)들은 수직한 상하 방향을 향하도록 제공된다. 관통홀(612)들은 중간링(640)의 전체 영역에 균일하게 배열된다. 각각의 관통홀(612)은 기판 지지 유닛(200)의 반경 방향을 향하는 슬릿으로 제공될 수 있다. 각각의 관통홀(612)은 중간링(640)의 원주 방향을 따라 배열될 수 있다. 일 예에 의하면, 관통홀(612)은 내부홀(614) 및 외부홀(616)을 포함한다. 내부홀(614)은 복수 개로 제공되며, 기판 지지 유닛(200)에 가깝게 위치된다. 내부홀(614)들은 원주 방향을 따라 배열된다. 외부홀(616)은 복수 개로 제공되며, 내부홀(614)에 비해 챔버(100)의 내측면에 가깝게 위치된다. 외부홀(616)들은 원주 방향을 따라 배열된다. 내부홀(614) 및 외부홀(616)은 동일한 폭(D1) 및 깊이를 가질 수 있다.The intermediate ring 640 is provided as a plate having an annular ring shape. The intermediate ring 640 is positioned between the outer ring 620 and the inner ring 630. The intermediate ring 640 is formed with a plurality of through holes 612 extending from the upper end to the lower end. The through holes 612 are provided so as to face in the vertical direction. The through holes 612 are uniformly arranged in the entire area of the intermediate ring 640. Each of the through holes 612 may be provided with a slit facing the radial direction of the substrate supporting unit 200. Each of the through holes 612 may be arranged along the circumferential direction of the intermediate ring 640. According to one example, the through hole 612 includes an inner hole 614 and an outer hole 616. The plurality of inner holes 614 are provided and are located close to the substrate supporting unit 200. The inner holes 614 are arranged along the circumferential direction. The outer holes 616 are provided in a plurality and are located closer to the inner side of the chamber 100 than the inner holes 614. The outer holes 616 are arranged along the circumferential direction. The inner hole 614 and the outer hole 616 may have the same width D 1 and depth.

조절 플레이트(660)는 고정 플레이트(610)에 적층되게 위치된다. 조절 플레이트(660)는 일부 관통홀(612)로 배기되는 가스의 흐름을 간섭한다. 조절 플레이트(660)는 처리 공간(101)에서 가스의 흐름이 쏠리는 영역에서 가스의 흐름을 간섭한다. 조절 플레이트(660)는 기판 지지 유닛(200)의 일부를 감싸도록 제공된다. 조절 플레이트(660)는 호 형상을 가지도록 제공된다. 조절 플레이트(660)는 고정 플레이트(610) 보다 높게 위치된다. 조절 플레이트(660)는 외측링(620) 및 내측링(630)에 형성된 나사홀(미도시)에 나사 결합될 수 있다. 상부에서 바라볼 때 조절 플레이트(660)는 처리 공간(101)의 비대칭 영역에 인접하게 위치될 수 있다. 일 예에 의하면, 처리 공간(101)의 비대칭 영역은 챔버(100)의 일측벽에 형성되는 개구일 수 있다. 조절 플레이트(660)는 챔버(100)의 개구와 인접하게 위치될 수 있다. 즉 상부에서 바라볼 때 조절 플레이트(660)는 기판 지지 유닛(200)의 중심으로부터 챔버(100)의 개구(106)를 잇는 직선 상에 위치될 수 있다. The adjustment plate 660 is positioned so as to be stacked on the fixing plate 610. The adjustment plate 660 interferes with the flow of gas exhausted into some through holes 612. The regulating plate 660 interferes with the flow of gas in the region where the flow of gas is directed in the processing space 101. An adjustment plate 660 is provided to enclose a portion of the substrate support unit 200. The adjustment plate 660 is provided so as to have an arc shape. The adjustment plate 660 is positioned higher than the fixing plate 610. The adjustment plate 660 can be screwed into a screw hole (not shown) formed in the outer ring 620 and the inner ring 630. The adjustment plate 660 can be positioned adjacent to the asymmetric region of the processing space 101 when viewed from above. According to one example, the asymmetric region of the processing space 101 may be an opening formed in one side wall of the chamber 100. The adjustment plate 660 may be positioned adjacent the opening of the chamber 100. The adjustment plate 660 may be positioned on a straight line connecting the opening 106 of the chamber 100 from the center of the substrate support unit 200 as viewed from above.

조절 플레이트(660)에는 내측홀(670) 및 외측홀(680)이 각각 형성된다. 내측홀(670)은 조절 플레이트(660)에서 내측 영역에 위치되고, 외측홀(680)은 외측 영역에 위치된다. 내측홀(670) 및 외측홀(680)은 서로 상이한 형상으로 제공된다. 내측홀(670) 및 외측홀(680) 각각은 라운드진 슬릿으로 제공된다. 내측홀(670)은 내측폭(D2)을 가지고, 외측홀(680)은 외측폭(D3)을 가지도록 제공된다. 내측폭(D2) 및 외측폭(D3)은 서로 상이하게 제공된다. 일 예에 의하면, 내측폭(D2)은 외측폭(D3)에 비해 큰 폭을 가질 수 있다. 내측폭(D2)은 관통홀(612)의 폭(D1)과 대응되게 제공될 수 있다. 이와 달리 외측폭(D3)은 관통홀(612)의 폭(D1)보다 짧게 제공될 수 있다. 외측홀(680)은 복수 개로 제공되며, 각각은 기판 지지 유닛(200)의 방향을 따라 배열될 수 있다. 외측홀(680)은 3 개일 수 있다. 선택적으로, 외측홀(680)은 1 개 또는 2 개이거나, 4 개 이상일 수 있다.The adjusting plate 660 is formed with an inner hole 670 and an outer hole 680, respectively. The inner hole 670 is located in the inner region in the regulating plate 660, and the outer hole 680 is located in the outer region. The inner hole 670 and the outer hole 680 are provided in different shapes from each other. Each of the inner hole 670 and the outer hole 680 is provided with a rounded slit. The inner hole 670 is provided with an inner width D 2 and the outer hole 680 is provided with an outer width D 3 . The inner width D 2 and the outer width D 3 are provided different from each other. According to one example, the inner width D 2 may have a greater width than the outer width D 3 . The inner width D 2 may be provided corresponding to the width D 1 of the through-hole 612. The outer width D 3 may be provided to be shorter than the width D 1 of the through hole 612. A plurality of outer holes 680 are provided, and each may be arranged along the direction of the substrate supporting unit 200. The number of the outer holes 680 may be three. Alternatively, the number of outer holes 680 may be one, two, or four or more.

내측홀(670) 및 외측홀(680) 각각은 경사진 방향을 향하도록 제공된다. 내측홀(670) 및 외측홀(680) 각각은 조절 플레이트(660)의 상단에서 하단으로 갈수록 하향 경사진 방향을 향하도록 제공될 수 있다. 이에 따라 플라즈마는 처리 공간(101)의 외측에서 내측을 향하는 방향으로 배기될 수 있으며, 이는 처리 공간(101)에서 플라즈마의 잔류 시간을 늘릴 수 있다.Each of the inner hole 670 and the outer hole 680 is provided so as to face the inclined direction. Each of the inner hole 670 and the outer hole 680 may be provided so as to be inclined downwardly from the upper end to the lower end of the adjustment plate 660. [ Accordingly, the plasma can be exhausted in the direction from the outside to the inside of the processing space 101, which can increase the residence time of the plasma in the processing space 101.

상술한 실시예에는 조절 플레이트(660)가 고정 플레이트(610)보다 높게 위치되는 것으로 설명하였다. 그러나 도 7과 같이, 조절 플레이트(660)는 고정 플레이트(610)보다 낮게 위치될 수 있다. In the above-described embodiment, the adjustment plate 660 is described as being positioned higher than the fixed plate 610. However, as shown in FIG. 7, the adjustment plate 660 can be positioned lower than the fixed plate 610.

또한 도 8과 같이, 조절 플레이트(660)는 복수 개로 제공되며, 처리 공간(101)의 비대칭 영역들 각각에 인접하게 위치될 수 있다.8, the adjustment plate 660 is provided in a plurality and can be positioned adjacent to each of the asymmetric regions of the processing space 101. [

또한 외측홀들(680)은 서로 상이한 폭을 가질 수 있다. 조절 플레이트(660)에서 외측에 가깝게 위치되는 외측홀(680)일수록 작은 폭을 가질 수 있다.The outer holes 680 may have different widths from each other. The outer hole 680 located closer to the outer side in the regulating plate 660 may have a smaller width.

600: 배플 유닛 610: 고정 플레이트
612: 관통홀 620: 외측링
630: 내측링 640: 중간링
660: 조절 플레이트 670: 내측홀
680: 외측홀600: Baffle unit 610: Fixing plate
612: Through hole 620: Outer ring
630: Inner ring 640: Middle ring
660: Adjusting plate 670: Inner hole
680: outer hole

Claims (7)

내부에 처리 공간을 가지며, 일측벽에 개구가 형성되는 챔버와;
상기 챔버의 외측에서 상기 개구를 개폐하는 도어와;
상기 처리 공간에서 기판을 지지하는 기판 지지 유닛과;
상기 처리 공간에 공정 가스를 공급하는 가스 공급 유닛과;
상기 처리 공간을 배기하는 배기 유닛과;
상기 챔버의 내측면과 상기 기판 지지 유닛 사이에 위치되며, 상기 처리 공간에서 공정 가스가 영역 별로 균일하게 배기되도록 안내하는 배플 유닛을 포함하되,
상기 배플 유닛은,
상기 기판 지지 유닛을 감싸는 링 형상으로 제공되며, 공정 가스가 배기되는 복수의 관통홀이 형성되는 고정 플레이트와;
상기 고정 플레이트에 적층되게 위치되며, 상기 관통홀들 중 일부에 배기되는 공정 가스의 흐름을 간섭하는 조절 플레이트를 포함하되,
상기 고정 플레이트의 상기 관통홀은 내부홀과 외부홀을 포함하고,
상기 내부홀은 상기 외부홀 보다 상기 기판 지지 유닛에 가깝게 위치되며,
상기 조절 플레이트는 상기 개구와 인접하게 위치되며, 상기 조절 플레이트에는 서로 폭이 상이한 내측홀 및 외측홀이 각각 형성되고,
상기 내측홀은 상기 내부홀과 대응되며, 상기 내부홀과 폭이 일치하도록 제공되며,
상기 외측홀은 복수 개로 제공되고, 상기 외부홀과 대응되며, 각각의 상기 외측홀의 폭이 상기 외부홀보다 짧게 제공되고,
상기 조절 플레이트는,
상부에서 바라볼 때 상기 기판 지지 유닛의 중심으로부터 상기 개구를 잇는 직선 상에 위치되는 기판 처리 장치.A chamber having a processing space therein and having an opening formed in a side wall thereof;
A door that opens and closes the opening outside the chamber;
A substrate supporting unit for supporting the substrate in the processing space;
A gas supply unit for supplying a process gas to the process space;
An exhaust unit for exhausting the processing space;
A baffle unit positioned between the inner side of the chamber and the substrate support unit and guiding the process gas in the process space to be evenly exhausted in each region,
The baffle unit includes:
A fixing plate provided in a ring shape surrounding the substrate supporting unit and having a plurality of through holes through which the process gas is exhausted;
And an adjusting plate positioned to be stacked on the fixed plate and interfering with a flow of the process gas exhausted to a part of the through holes,
Wherein the through hole of the fixing plate includes an inner hole and an outer hole,
Wherein the inner hole is positioned closer to the substrate supporting unit than the outer hole,
Wherein the adjustment plate is positioned adjacent to the opening, wherein the adjustment plate is formed with an inner hole and an outer hole having different widths from each other,
Wherein the inner hole corresponds to the inner hole and is provided so as to have a width equal to the inner hole,
Wherein the plurality of outer holes are provided and correspond to the outer holes, the width of each of the outer holes is provided shorter than the outer holes,
The adjustment plate includes:
And is positioned on a straight line connecting the center of the substrate supporting unit and the opening when viewed from above. 제1항에 있어서,
상기 내측홀과 상기 외측홀 각각은 상기 조절 플레이트의 상단에서 하단으로 갈수록 하향 경사진 방향을 향하도록 제공되는 기판 처리 장치.The method according to claim 1,
Wherein each of the inner hole and the outer hole is provided so as to be inclined downwardly from an upper end to a lower end of the adjusting plate. 제1항 또는 2항에 있어서,
상기 조절 플레이트는 상기 기판 지지 유닛의 일부를 감싸는 호 형상으로 제공되는 기판 처리 장치.3. The method according to claim 1 or 2,
Wherein the adjustment plate is provided in a shape of an arc surrounding a part of the substrate supporting unit. 제3항에 있어서,
상기 조절 플레이트는 상기 고정 플레이트보다 높게 위치되는 기판 처리 장치.The method of claim 3,
Wherein the adjusting plate is positioned higher than the fixing plate. 제4항에 있어서,
상기 고정 플레이트는,
상기 기판 지지 유닛의 외측면에 결합되는 내측링과;
상기 내측링보다 큰 직경을 가지며, 상기 챔버의 내측면에 결합되는 외측링과;
상기 내측링 및 상기 외측링에 고정 결합되며, 상기 관통홀들이 형성되는 중간링을 포함하되,
상기 내측링 및 상기 외측링 각각에는 상기 조절 플레이트가 결합 가능한 나사홀들이 원주 방향을 따라 배열되는 기판 처리 장치.5. The method of claim 4,
The fixing plate includes:
An inner ring coupled to an outer surface of the substrate support unit;
An outer ring having a larger diameter than the inner ring and coupled to an inner surface of the chamber;
And an intermediate ring fixedly coupled to the inner ring and the outer ring, wherein the intermediate ring is formed with the through holes,
Wherein the inner ring and the outer ring are respectively provided with threaded holes engageable with the adjustment plate in the circumferential direction. 제5항에 있어서,
상기 고정 플레이트에는 상기 관통홀들이 균등하게 위치되는 기판 처리 장치.6. The method of claim 5,
And the through holes are uniformly positioned in the fixing plate. 제6항에 있어서,
상기 내측홀 및 상기 외측홀 각각은 슬릿으로 제공되는 기판 처리 장치.






The method according to claim 6,
Wherein each of the inner hole and the outer hole is provided as a slit.






KR1020180174005A 2018-12-31 2018-12-31 Apparatus for treating substrate KR102037169B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020180174005A KR102037169B1 (en) 2018-12-31 2018-12-31 Apparatus for treating substrate

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020180174005A KR102037169B1 (en) 2018-12-31 2018-12-31 Apparatus for treating substrate

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020160098120A Division KR20180014900A (en) 2016-08-01 2016-08-01 Apparatus for treating substrate

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20190004255A true KR20190004255A (en) 2019-01-11
KR102037169B1 KR102037169B1 (en) 2019-10-28

Family

ID=65028002

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020180174005A KR102037169B1 (en) 2018-12-31 2018-12-31 Apparatus for treating substrate

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR102037169B1 (en)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20210011547A (en) * 2019-07-22 2021-02-02 세메스 주식회사 Apparatus and Method for treating substrate
KR20230160095A (en) * 2022-05-16 2023-11-23 세메스 주식회사 Apparatus for Treating Substrate and Method for Treating Substrate

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3002448B1 (en) * 1998-07-31 2000-01-24 国際電気株式会社 Substrate processing equipment
KR20130122500A (en) * 2012-04-30 2013-11-07 세메스 주식회사 Control plate and apparatus for treating substrate with it

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3002448B1 (en) * 1998-07-31 2000-01-24 国際電気株式会社 Substrate processing equipment
KR20130122500A (en) * 2012-04-30 2013-11-07 세메스 주식회사 Control plate and apparatus for treating substrate with it

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20210011547A (en) * 2019-07-22 2021-02-02 세메스 주식회사 Apparatus and Method for treating substrate
US11145524B2 (en) 2019-07-22 2021-10-12 Semes Co., Ltd Apparatus and method for treating substrate
KR20230160095A (en) * 2022-05-16 2023-11-23 세메스 주식회사 Apparatus for Treating Substrate and Method for Treating Substrate

Also Published As

Publication number Publication date
KR102037169B1 (en) 2019-10-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10763138B2 (en) Adjustment plate and apparatus for treating substrate having the same
US10153137B2 (en) Support unit, substrate treating apparatus including the same, and method for treating a substrate
KR102037169B1 (en) Apparatus for treating substrate
KR101941488B1 (en) Shower head unit and Apparatus for treating substrate with the unit
KR20180014583A (en) Shower head unit and Apparatus for treating substrate with the unit
JP2020092260A (en) Method and apparatus for reducing polymer deposition
US20230395399A1 (en) Substrate treating method and substrate treating apparatus
KR20180014900A (en) Apparatus for treating substrate
KR102568804B1 (en) Support unit and apparatus for treating a substrate with the support unit
KR102323320B1 (en) Apparatus and method for treating substrate comprising the same
KR20170039797A (en) Shower head unit and Apparatus for treating substrate with the unit
KR20210003973A (en) A support unit, a substrate processing apparatus including the support unit
KR101955575B1 (en) Apparatus and Method for treating substrate
KR101853367B1 (en) Exhaust baffle, Apparatus and Method for treating substrate with the baffle
KR101909484B1 (en) Apparatus for treating substrate
KR102297372B1 (en) Apparatus for treating substrate
KR101951373B1 (en) Apparatus for treatinf substrate and Exhausting method
KR102171514B1 (en) Apparatus for treating substrate
KR102398673B1 (en) Apparatus for treating substrate
KR20160002538A (en) Apparatus and method for treating substrate
KR102000012B1 (en) Focus ring and apparatus for treating substrate comprising the same
KR102398674B1 (en) A support unit, a substrate processing apparatus including the same, and a substrate processing method
KR102126979B1 (en) A showerhead unit, a substrate processing apparatus including the same, and a substrate processing method
US20240136157A1 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
KR101645545B1 (en) Apparatus for treating substrate

Legal Events

Date Code Title Description
A107 Divisional application of patent
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant