KR20190001350A - Apparatus for treating substrate and the methode thereof - Google Patents

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강병주
김동민
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주식회사 케이씨텍
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Abstract

The present invention relates to a substrate treating apparatus and a substrate treating method, which can enhance process efficiency, reduce manufacturing costs, reduce an installation space, and facilitate maintenance since fluids dispersed and treated in a plurality of vent lines are treated in one vent line to minimize the number of the vent lines. The substrate treating apparatus according to the present invention includes: a chamber for carrying out a substrate treating process after receiving a substrate; a fluid supply unit connected to the chamber to supply process fluid into the chamber; and one vent line connected to the chamber for discharging supercritical mixture from the inside of the chamber. The vent line includes an air regulator for regulating pressure of the fluid discharged from the chamber, and a pneumatic pressure regulator is connected to the air regulator to regulate an air amount supplied to the air regulator.

Description

기판 처리 장치 및 기판 처리 방법{APPARATUS FOR TREATING SUBSTRATE AND THE METHODE THEREOF}[0001] APPARATUS FOR TREATING SUBSTRATE AND THE METHOD [0002]

본 발명은 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 초임계 유체를 이용하는 기판 처리 장치에서 기판 처리 공정을 마치고 배출되는 유체의 벤트 시스템을 개선한 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 관한 발명이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a substrate processing apparatus and a substrate processing method, and more particularly, to a substrate processing apparatus and a substrate processing method in which a vent system of a discharged fluid is completed in a substrate processing apparatus using a supercritical fluid Invention.

물질은 임계점(critical point)이라고 불리는 일정한 고온·고압의 한계를 넘으면 기체와 액체의 구별을 할 수 없는 상태인 초임계상태가 되는데, 이 상태에 있는 물질을 초임계 유체라고 한다.When a substance exceeds a certain high temperature and high pressure limit called a critical point, it becomes a supercritical state in which gas and liquid can not be distinguished. The substance in this state is called a supercritical fluid.

초임계 유체는 분자의 밀도 변화가 큰 특징을 가진다. 분자의 밀도는 액체에 가깝지만, 점성도는 낮아 기체에 가깝기 때문이다. 또 기체처럼 확산이 빨라 열전도성이 물 만큼이나 높지만, 액체처럼 용매로 사용되어 용질 주변의 용매 농도가 극히 높아지는 특이한 성질을 가지고 있고, 표면장력의 영향을 받지 않는다. 따라서 초임계 유체는 화학반응에 아주 유용하며 혼합물에서 특정 성분을 추출·분리하는 성질이 강해 여러 분야에서 활용되고 있고, 특히 임계온도가 상온에 비교적 가까우며 비극성 물질인 초임계 이산화탄소의 활용도가 높다. Supercritical fluids are characterized by large changes in density of molecules. The density of the molecules is close to the liquid, but the viscosity is low and close to the gas. In addition, it has a unique property that the concentration of the solvent around the solute becomes extremely high, and it is not affected by the surface tension because it is spread like a gas and its thermal conductivity is as high as water. Therefore, supercritical fluids are very useful for chemical reactions and they are used in many fields because they have a strong property of extracting and separating certain components from the mixture. Especially, supercritical carbon dioxide, which is nonpolar material, is highly utilized because the critical temperature is relatively close to room temperature.

반도체 소자를 제조하기 위한 다양한 단위공정에서도 초임계 유체가 다방면으로 활용된다. 특히, 최근 반도체 소자의 디자인 룰(design rule)이 지속적으로 감소하여 미세구조 패턴이 주를 이루면서 패턴의 종횡비(Aspect Ratio)가 급격히 증가하고 있어, 식각공정이나 세정공정과 같은 습식 공정이 완료된 후 약액을 건조하는 과정에서 발생하는 패턴 무너짐(Pattern leaning) 현상의 해결 방법으로 초임계 유체가 이용되고 있다. Supercritical fluids are utilized in many aspects in various unit processes for manufacturing semiconductor devices. In particular, recently, the design rule of a semiconductor device has been continuously decreased, and as a result, the aspect ratio of the pattern has increased sharply while the microstructure pattern has become main. Therefore, after the wet process such as the etching process or the cleaning process is completed, Supercritical fluid has been used as a solution to the phenomenon of pattern leaning that occurs during the drying process.

도 1을 참조하여 상기 패턴 무너짐 현상을 설명한다.The pattern collapse phenomenon will be described with reference to FIG.

패턴 무너짐 현상은, 패턴(P)이 형성된 기판(W) 상에 약액(C)이 공급되고(1-1), 공급된 약액(C)이 건조되는 과정에서 패턴(P) 사이사이에 불규칙하게 잔존하는 약액의 표면장력으로 인한 라플라스 압력(Laplace Pressure)이 발생하여(1-2), 패턴(P)간에 브리지(B)가 형성되고(1-3), 공급된 약액(C)이 모두 건조되어도 패턴(P) 간의 흡착력(Adhesive Energy)으로 인해 복원되지 않은 채 패턴(P)이 붕괴되는(1-4) 공정 불량 현상이다.The pattern collapse phenomenon occurs when the chemical liquid C is supplied onto the substrate W on which the pattern P is formed 1-1 and the irregularities between the patterns P in the process of drying the supplied chemical liquid C A laplace pressure due to the surface tension of the remaining chemical liquid is generated (1-2), a bridge B is formed between the patterns P (1-3), and all of the supplied chemical liquid C is dried (1-4) process failure phenomenon in which the pattern P is collapsed without being restored due to the adsorption energy between the patterns P.

초임계 유체는 세정과 린스 공정을 거친 기판상에 공급되어 패턴 무너짐 현상이 일어나기 전에 기판을 빠르게 건조시키는 역할을 하며 초임계 이산화탄소가 주로 사용된다. 린스액으로는 순수(DI)가 주로 사용되는데, 초임계 이산화탄소는 비극성 물질이므로 극성 물질인 순수(DI)와 반응하지 않는다. The supercritical fluid is supplied on a substrate subjected to a cleaning and rinsing process to quickly dry the substrate before pattern collapse occurs, and supercritical carbon dioxide is mainly used. Pure water (DI) is mainly used as a rinse liquid, but supercritical carbon dioxide is nonpolar and does not react with pure water (DI) which is a polar substance.

상기 초임계 이산화탄소와의 반응을 촉진시키기 위하여, 이소프로필알코올(IPA)을 기판 상에 공급하여 순수를 이소프로필알코올(IPA)로 치환시킨다. 즉, 기판상에 공급되는 초임계 이산화탄소는 이소프로필알코올과 반응하여 초임계 혼합물을 이루고 기판으로부터 분리되어 빠른 속도로 기판을 건조한다.To promote the reaction with the supercritical carbon dioxide, isopropyl alcohol (IPA) is fed onto the substrate and pure water is replaced with isopropyl alcohol (IPA). That is, the supercritical carbon dioxide supplied on the substrate reacts with isopropyl alcohol to form a supercritical mixture, which is separated from the substrate and dries the substrate at a high speed.

초임계 유체를 지속적으로 공급하며 기판을 건조하면, 챔버 내부의 초임계 혼합물의 농도가 점점 높아지며 고압 상태가 되므로, 챔버 내부의 압력을 낮추기 위해 부분적인 초임계 혼합물의 배출이 반복적으로 진행되고, 이후 건조공정을 마친 후에는 챔버 내부의 초임계 혼합물을 완전히 배출시키는 단계가 수행된다.When the supercritical fluid is continuously supplied and the substrate is dried, the concentration of the supercritical mixture in the chamber gradually increases and becomes a high-pressure state, so that partial supercritical mixture discharge is repeatedly performed to lower the pressure inside the chamber, After the drying process is completed, the step of completely discharging the supercritical mixture in the chamber is performed.

상기 초임계 혼합물의 배출은 벤트라인(Vent Line)을 통해 이루어지는데, 고온 고압의 챔버 내부로부터 초임계 혼합물이 배출되면서 압력의 변화가 심해 상변화와 빙결 등의 문제가 발생할 수 있으므로 이를 방지하기 위한 단계적인 감압 장치와 방법이 필요하다. The supercritical mixture is discharged through a vent line. Since the supercritical mixture is discharged from the chamber at a high temperature and a high pressure, a change in pressure may cause a problem such as a deep water phase change and freezing. Stepwise decompression devices and methods are needed.

도 2를 참조하여 초임계 유체를 이용하는 종래 기술의 기판 처리 장치를 설명한다.A prior art substrate processing apparatus using a supercritical fluid will be described with reference to FIG.

초임계 유체를 이용하는 종래 기술의 기판 처리 장치는, 기판(W)을 수용하여 기판 처리 공정을 수행하는 챔버(100)와, 상기 챔버(100) 내부의 압력을 측정하는 압력감지부(110), 상기 챔버(100)에 연결되어 상기 챔버(100) 내부에 초임계 유체를 공급하는 유체공급부(200), 상기 챔버(100)에 연결되어 상기 챔버(100) 내부로부터 초임계 혼합물을 배출하는 네 개의 벤트라인(PV1,PV2,V1,V2)을 포함한다.A conventional substrate processing apparatus using a supercritical fluid includes a chamber 100 for receiving a substrate W and performing a substrate processing process, a pressure sensing unit 110 for measuring a pressure inside the chamber 100, A fluid supply part 200 connected to the chamber 100 for supplying a supercritical fluid to the chamber 100 and a fluid supply part 200 connected to the chamber 100 for discharging the supercritical mixture from the chamber 100, Vent lines (PV1, PV2, V1, V2).

상기 네 개의 벤트라인(PV1,PV2,V1,V2) 중 제1압력조절벤트라인(PV1)과 제2압력조절벤트라인(PV2)은, 각각 PV1조절부(310)와 PV1밸브(311), PV2조절부(320)와 PV2밸브(321)를 포함하여 구성될 수 있으며, 상기 기판(W)의 건조공정이 진행중인 챔버(100)로부터 상기 초임계 혼합물를 배출하여 상기 챔버(100) 내부의 압력을 조절하는 역할을 한다. 상기 PV1조절부(310)와 PV2조절부(320)는 배압조절기(BPR; Back Pressure Regulator)일 수 있다.The first pressure regulating vent line PV1 and the second pressure regulating vent line PV2 among the four vent lines PV1, PV2, V1 and V2 are connected to the PV1 regulating unit 310 and the PV1 valve 311, The supercritical mixture may be configured to include a PV2 control unit 320 and a PV2 valve 321. The supercritical mixture may be discharged from the chamber 100 in which the substrate W is being dried, . The PV1 control unit 310 and the PV2 control unit 320 may be a back pressure regulator (BPR).

상기 제1압력조절벤트라인(PV1)에는 압력 상한선과 압력 하한선이 입력된다. A pressure upper limit line and a pressure lower limit line are input to the first pressure regulating vent line (PV1).

상기 압력감지부(110)에서 측정되는 압력이 상기 압력 상한선에 도달하면, 상기 PV1밸브(311)가 열리고 상기 챔버(100) 내부의 상기 초임계 혼합물이 상기 PV1조절부(310)에 의해 조절된 압력으로 상기 제1압력조절벤트라인(PV1)을 통해 배출된다. 상기 압력감지부(110)에서 측정되는 압력이 상기 압력 하한선에 도달하면 상기 PV1밸브(311)가 닫혀 상기 초임계 혼합물의 배출이 중단되고, 이후 상기 압력감지부(110)에서 측정되는 압력이 상기 압력 상한선에 도달할 때마다 상기 초임계 혼합물 배출 과정을 반복하여 상기 챔버(100)의 내부 압력을 낮출 수 있다.When the pressure measured by the pressure sensing unit 110 reaches the upper pressure limit, the PV1 valve 311 is opened and the supercritical mixture in the chamber 100 is controlled by the PV1 control unit 310 And is discharged through the first pressure regulating vent line (PV1) under pressure. When the pressure measured by the pressure sensing unit 110 reaches the lower limit of the pressure, the PV1 valve 311 is closed to stop the discharge of the supercritical mixture, The supercritical mixture discharge process may be repeated each time the upper limit of the pressure is reached to lower the internal pressure of the chamber 100.

상기 챔버(100)에 대한 상기 초임계 유체 공급은 상기 초임계 혼합물 배출이 이루어지는 동안 통제될 수 있으며, 상기 압력감지부(110)에서 측정되는 압력이 상기 압력 하한선에 도달하면 다시 공급이 시작되도록 할 수 있다.The supercritical fluid supply to the chamber 100 may be controlled during the supercritical mixture discharge, and may be restarted when the pressure measured by the pressure sensing unit 110 reaches the lower pressure limit .

상기 제2압력조절벤트라인(PV2)에도 압력 상한선과 압력 하한선이 입력되어 상기 초임계 혼합물 배출 과정이 수행된다. 상기 제1압력조절벤트라인(PV1)과 상기 제2압력조절벤트라인(PV2)에는 각각 다른 압력 상한선과 압력 하한선이 입력되어 경우에 따라 상기 제1압력조절벤트라인(PV1) 또는 상기 제2압력조절벤트라인(PV2) 중 하나를 선택하여 상기 초임계 혼합물 배출이 진행되도록 할 수 있다. The supercritical mixture discharge process is also performed by inputting the upper pressure limit and the lower pressure limit to the second pressure control vent line PV2. The first pressure regulating vent line PV1 and the second pressure regulating vent line PV2 are respectively supplied with a different pressure upper limit line and a lower pressure limit and the first pressure regulating vent line PV1 or the second pressure regulating vent line PV2, One of the conditioning vent lines (PV2) may be selected to allow the supercritical mixture discharge to proceed.

또한, 상기 PV1조절부(310)와 상기 PV2조절부(320)의 배출 압력에 차등을 두어 경우에 따라 상기 제1압력조절벤트라인(PV1) 또는 상기 제2압력조절벤트라인(PV2) 중 하나를 선택하여 상기 초임계 혼합물 배출이 진행되도록 할 수 있다.The discharge pressure of the PV1 control part 310 and the PV2 control part 320 may be different from each other and the discharge pressure of the PV2 control part 310 may be different from the discharge pressure of the PV1 control part 310 or the PV2 control part 320, May be selected to allow the supercritical mixture discharge to proceed.

상기 네 개의 벤트라인(PV1,PV2,V1,V2) 중 제1벤트라인(V1)과 제2벤트라인(V2)은, 각각 V1조절부(410)와 V1밸브(411), V2조절부(420)와 V2밸브(421)를 포함하여 구성될 수 있으며, 건조공정이 완료된 상기 챔버(100)로부터 상기 초임계 혼합물를 완전히 배출하는 역할을 한다. 상기 V1조절부(410)와 V2조절부(420)는 압력조절기(PR; Pressure Regulator)일 수 있다.The first vent line V1 and the second vent line V2 of the four vent lines PV1, PV2, V1 and V2 are connected to the V1 control unit 410, the V1 valve 411, the V2 control unit 420 and a V2 valve 421 and serves to completely discharge the supercritical mixture from the chamber 100 in which the drying process is completed. The V1 control unit 410 and the V2 control unit 420 may be a pressure regulator PR.

상기 제1벤트라인(V1)은 상기 챔버(100) 내부의 압력이 상압이 될 때까지 상기 초임계 혼합물을 소량씩 배출하며 점진적으로 감압시킨다. 상기 챔버(100) 내부에서 상기 기판(W)의 건조공정이 완료되면, 상기 V1밸브(411)가 열려 상기 챔버(100) 내부의 초임계 혼합물이 상기 V1조절부(410)에 의해 조절된 압력으로 상기 제1벤트라인(V1)을 통해 배출된다. The first vent line V1 discharges the supercritical mixture by a small amount until the pressure inside the chamber 100 becomes normal pressure, and gradually depressurizes the supercritical mixture. When the drying process of the substrate W is completed in the chamber 100, the V1 valve 411 opens and the supercritical mixture in the chamber 100 is pressurized by the V1 control unit 410 Through the first vent line (V1).

상기 챔버(100) 내부의 압력이 상압이 되면, 상기 V2밸브(421)가 열려 상기 챔버(100) 내부에 잔존하는 초임계 혼합물이 상기 V2조절부(420)에 의해 조절된 배출 압력으로 상기 제2벤트라인(V2)을 통해 완전히 배출될 수 있다. 이때 상기 챔버(100) 내부와 외부의 압력차가 없으므로, 상기 V2조절부(420)가 허용하는 유량과 배출 압력에 제한이 없을 수 있고, 상기 V2조절부(420)는 상기 제2벤트라인(V2)의 구성에서 제외될 수 있다.When the pressure inside the chamber 100 becomes normal pressure, the V2 valve 421 is opened and the supercritical mixture remaining in the chamber 100 is discharged to the discharge pressure adjusted by the V2 controller 420, 2 vent line (V2). In this case, since there is no pressure difference between the inside and the outside of the chamber 100, there is no limitation on the flow rate and discharge pressure allowed by the V2 control unit 420 and the V2 control unit 420 controls the flow rate of the second vent line V2 ). ≪ / RTI >

상기 서술한 바와 같이 초임계 유체를 이용하는 종래 기술의 기판 처리 장치는 다수의 벤트라인을 포함하여 구성되어, 이로 인해 장치의 구조가 복잡해지고 배출 과정이 복잡해지며 관리가 번거로울 뿐 아니라 설치 및 유지에 상당한 공간과 비용이 필요해 효율성이 떨어진다는 문제점이 있었다. As described above, the prior art substrate processing apparatus using the supercritical fluid includes a plurality of vent lines, which complicates the structure of the apparatus, complicates the discharge process, and is troublesome in maintenance, There is a problem that space and cost are required and the efficiency is low.

상술한 바와 같은 목적을 구현하기 위한 본 발명은, 벤트라인의 개수를 최소화하여 다수의 벤트라인에 분산되어 처리되던 유체 배출을 한 개의 벤트라인에서 처리함으로써 공정의 효율성을 높여 비용을 절감하고 설치공간을 줄일 수 있으며 유지관리가 용이한 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.In order to achieve the above-mentioned object, the present invention aims at minimizing the number of vent lines and discharging the fluid, which is dispersed in a plurality of vent lines, in a single vent line, thereby increasing the efficiency of the process, And it is an object of the present invention to provide a substrate processing apparatus and a substrate processing method which are easy to maintain.

본 발명의 다른 목적은, 배출되는 유체의 압력을 용이하게 제어할 수 있어 공정의 효율성을 향상시킬 수 있는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공하는데 있다.It is another object of the present invention to provide a substrate processing apparatus and a substrate processing method capable of easily controlling the pressure of a discharged fluid, thereby improving process efficiency.

상술한 바와 같은 목적을 구현하기 위해 본 발명의 기판 처리 장치는, 기판을 수용하여 기판 처리 공정을 수행하는 챔버와, 상기 챔버에 연결되어 상기 챔버 내부로부터 공정 완료 유체를 배출하는 한 개의 벤트라인을 포함하고, 상기 벤트라인은 상기 챔버로부터 배출되는 공정 완료 유체의 유량과 압력을 조절하는 에어 레귤레이터를 포함하여 구성되고, 상기 에어 레귤레이터에는 공압 레귤레이터가 연결되어 상기 에어 레귤레이터에 공급되는 에어량이 조절되는 것을 특징으로 한다.In order to achieve the above object, a substrate processing apparatus of the present invention includes a chamber for accommodating a substrate and performing a substrate processing process, and a vent line connected to the chamber for discharging the processed fluid from the chamber interior Wherein the vent line includes an air regulator for regulating a flow rate and a pressure of the process-completed fluid discharged from the chamber, and a pneumatic regulator is connected to the air regulator to regulate an amount of air supplied to the air regulator .

상기 기판 처리 장치에는 상기 챔버에 연결되어 상기 챔버 내부에 공정유체를 공급하는 유체공급부가 더 포함될 수 있다. The substrate processing apparatus may further include a fluid supply unit connected to the chamber and supplying a process fluid into the chamber.

또한, 상기 챔버 내부의 압력을 측정하는 압력감지부가 더 포함될 수 있다.Further, a pressure sensing part for measuring the pressure inside the chamber may be further included.

상기 압력감지부는 상기 챔버 내부에 구비될 수 있다.The pressure sensing unit may be provided inside the chamber.

상기 공압 레귤레이터에 에어를 공급하는 에어공급부가 더 구비될 수 있다.And an air supply unit for supplying air to the pneumatic regulator.

상기 공압 레귤레이터는 전자식 공압 레귤레이터일 수 있다.The pneumatic regulator may be an electronic pneumatic regulator.

상기 압력감지부와 상기 공압 레귤레이터에 연결되는 제어부가 더 구비되고, 상기 제어부는 상기 압력감지부에서 측정된 상기 챔버 내부의 압력을 바탕으로 상기 에어 레귤레이터에 공급할 에어량을 계산하여 상기 공압 레귤레이터에 전달함으로써 상기 벤트라인의 개폐를 제어하도록 할 수 있다. The control unit may further include a control unit connected to the pressure sensing unit and the pneumatic regulator. The control unit calculates an amount of air to be supplied to the air regulator based on the pressure inside the chamber measured by the pressure sensing unit, and transmits the calculated amount of air to the pneumatic regulator The opening and closing of the vent line can be controlled.

상기 제어부는 압력조절계일 수 있다.The controller may be a pressure controller.

상기 벤트라인에는 상기 벤트라인을 개폐하는 벤트라인밸브가 더 구비될 수 있다.The vent line may further include a vent line valve for opening and closing the vent line.

상기 챔버 내부에서 기판 처리 공정이 진행중인 경우, 상기 제어부는 상기 챔버 내부의 압력이 적절하게 유지되도록 상기 벤트라인의 개폐를 제어할 수 있다.When the substrate processing process is in progress within the chamber, the control unit may control the opening and closing of the vent line so that the pressure inside the chamber is appropriately maintained.

상기 챔버 내부에서 기판 처리 공정이 완료된 경우, 상기 제어부는 상기 챔버 내부의 압력이 상압이 될때까지 상기 챔버 내부의 압력이 안정적으로 감압되도록 상기 벤트라인의 개폐를 제어할 수 있다.When the substrate processing process is completed in the chamber, the control unit can control the opening and closing of the vent line so that the pressure inside the chamber is reliably depressed until the pressure inside the chamber becomes normal pressure.

상기 제어부는 상기 챔버 내부 압력이 상압이 되면 상기 벤트라인이 최대로 개방되도록 제어함으로써 상기 공정 완료 유체가 상기 챔버 내부로부터 완전히 배출될 수 있다.The control unit controls the vent line to be opened to the maximum when the pressure inside the chamber becomes normal pressure, so that the processed fluid can be completely discharged from the inside of the chamber.

본 발명의 기판 처리 장치를 이용하는 기판 처리 방법은, a) 기판을 수용하여 기판 처리 공정이 수행되는 챔버에 공정유체가 공급되는 단계, b) 상기 챔버 내부에서 기판 처리 공정이 수행되는 단계, c) 공압 레귤레이터를 통해 공급량이 조절된 에어가 에어 레귤레이터에 공급되는 단계, d) 유입되는 에어량에 따라 상기 에어 레귤레이터가 개방되어 벤트라인을 통해 상기 챔버 내부의 공정 완료 유체가 배출되는 단계로 구성될 수 있다. A substrate processing method using the substrate processing apparatus of the present invention includes the steps of: a) supplying a process fluid to a chamber in which a substrate processing process is performed by receiving a substrate, b) performing a substrate processing process within the chamber, c) The air regulated by the air supply regulator is supplied to the air regulator; d) the air regulator is opened according to the amount of the introduced air to discharge the process completion fluid inside the chamber through the vent line .

상기 단계 c)는, c-1) 압력감지부에서 상기 챔버 내부의 압력을 측정하여 측정된 압력값을 제어부에 전달하는 단계, c-2) 상기 제어부에서 상기 압력값을 바탕으로 상기 에어 레귤레이터에 공급할 에어량을 계산하여 상기 공압 레귤레이터에 전달하는 단계, c-3) 상기 공압 레귤레이터를 통해 공급량이 조절된 에어가 상기 에어 레귤레이터에 공급되는 단계로 이루어질 수 있다. The step c) includes the steps of: c-1) measuring the pressure inside the chamber in the pressure sensing unit and transmitting the measured pressure value to the control unit, c-2) Calculating an amount of air to be supplied to the air pressure regulator; c-3) supplying air, the supply amount of which is adjusted through the pneumatic regulator, to the air regulator.

상기 챔버 내부에서 기판 처리 공정이 진행중인 경우, 상기 단계 c-2)는, 상기 챔버 내부 압력이 설정된 압력으로 유지되도록 상기 제어부는 상기 에어 레귤레이터에 공급되어야 할 에어량을 계산하여 상기 공압 레귤레이터에 전달하는 단계일 수 있다. The control unit calculates the amount of air to be supplied to the air regulator so that the internal pressure of the chamber is maintained at a set pressure and transmits the calculated amount of air to the air regulator when the substrate processing process is in progress in the chamber Lt; / RTI >

상기 챔버 내부에서 기판 처리 공정이 완료된 경우, 상기 단계 c)에 선행하여 상기 챔버에 공정유체의 공급을 중단하는 단계가 더 포함될 수 있다.And stopping the supply of the process fluid to the chamber prior to the step c) if the substrate processing process is completed within the chamber.

또한, 상기 챔버 내부에서 기판 처리 공정이 완료된 경우, 상기 단계 c-2)는, 상기 챔버 내부 압력이 상압이 될 때 까지 안정적으로 감압되도록 상기 제어부는 상기 에어 레귤레이터에 공급되어야 할 에어량을 계산하여 상기 공압 레귤레이터에 전달하는 단계일 수 있다. When the substrate processing process is completed in the chamber, the controller calculates the amount of air to be supplied to the air regulator so that the pressure in the chamber is reliably depressurized until the internal pressure of the chamber becomes normal pressure, To a pneumatic regulator.

또한, 상기 챔버 내부 압력이 상압이 되면, 상기 단계 c-2)는, 상기 벤트라인이 최대로 개방되어 상기 공정 완료 유체가 완전히 배출되도록 상기 제어부는 상기 에어 레귤레이터에 공급되어야 할 에어량을 계산하여 상기 공압 레귤레이터에 전달하는 단계일 수 있다. The control unit calculates the amount of air to be supplied to the air regulator so that the vent line is maximally opened to completely discharge the processed fluid when the internal pressure of the chamber becomes normal pressure, To a pneumatic regulator.

또한, 상기 챔버 내부의 공정 완료 유체가 완전히 배출된 후 상기 벤트라인의 벤트라인밸브를 잠궈 상기 벤트라인을 차단하는 단계가 더 포함될 수 있다. The method may further include blocking the vent line by locking the vent line valve of the vent line after the processed fluid inside the chamber is completely discharged.

본 발명에 따른 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 의하면, 벤트라인의 개수를 최소화하여 다수의 벤트라인에 분산되어 처리되던 유체 배출을 한 개의 벤트라인에서 처리함으로써 공정의 효율성을 높여 비용을 절감하고, 설치공간을 줄일 수 있으며, 유지 및 관리가 용이한 효과를 얻을 수 있다.According to the substrate processing apparatus and the substrate processing method of the present invention, the number of vent lines is minimized, and the discharge of fluid, which has been dispersed in a plurality of vent lines, is processed in one vent line, The installation space can be reduced, and an effect of easy maintenance and management can be obtained.

또한, 배출되는 유체의 압력을 용이하게 제어할 수 있어 공정의 효율성을 높일 수 있다.In addition, the pressure of the discharged fluid can be easily controlled, and the efficiency of the process can be increased.

도 1은 기판 처리 공정에서 발생하는 패턴 무너짐 현상을 설명하기 위한 도면.
도 2는 초임계 유체를 이용하는 종래 기술의 기판 처리 장치에 4개의 벤트라인이 포함되는 것을 보여주는 구성도.
도 3은 초임계 유체를 이용하는 본 발명의 기판 처리 장치에 1개의 벤트라인이 포함되는 것을 보여주는 구성도.
도 4는 초임계 유체를 이용하는 본 발명의 기판 처리 방법의 순서도.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS Fig. 1 is a view for explaining a pattern collapse phenomenon occurring in a substrate processing step. Fig.
FIG. 2 is a configuration diagram showing that four vent lines are included in a prior art substrate processing apparatus using supercritical fluid. FIG.
3 is a schematic view showing that one vent line is included in the substrate processing apparatus of the present invention using supercritical fluid;
4 is a flow chart of a method of processing a substrate of the present invention using a supercritical fluid.

도 3을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 대한 구성 및 작용을 상세히 설명하면 다음과 같다. The configuration and operation of the preferred embodiment of the present invention will be described in detail with reference to FIG.

본 발명의 일실시예에 의한 기판 처리 장치는, 기판(W)을 수용하여 기판 처리 공정을 수행하는 챔버(10)와, 상기 챔버(10)에 연결되어 상기 챔버(10) 내부로부터 공정 완료 유체를 배출하는 한 개의 벤트라인(V)을 포함한다.A substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention includes a chamber 10 for receiving a substrate W and performing a substrate processing process and a chamber 10 connected to the chamber 10, And a vent line V for discharging the gas.

상기 기판 처리 장치에는 상기 챔버(10)에 연결되어 상기 챔버(10) 내부에 공정 유체를 공급하는 유체공급부(20)가 더 포함될 수 있다. The substrate processing apparatus may further include a fluid supply unit 20 connected to the chamber 10 to supply a process fluid into the chamber 10.

상기 기판(W)은 반도체 기판이 되는 실리콘 웨이퍼일 수 있다. 그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며, 상기 기판(W)은 LCD(liquid crystal display), PDP(plasma display panel)와 같은 평판 디스플레이 장치용으로 사용하는 유리 등의 투명 기판일 수 있다. 또한, 상기 기판(W)은 형상 및 크기가 도면에 의해 한정되는 것은 아니며, 원형 및 사각형 플레이트 등 실질적으로 다양한 형상과 크기를 가질 수 있다. The substrate W may be a silicon wafer serving as a semiconductor substrate. However, the present invention is not limited thereto, and the substrate W may be a transparent substrate such as a glass used for a flat panel display device such as a liquid crystal display (LCD) or a plasma display panel (PDP). In addition, the shape and size of the substrate W are not limited by the drawings, and may have substantially various shapes and sizes such as circular and rectangular plates.

상기 공정 유체는 초임계 유체일 수 있다. 상기 초임계 유체는 기판 처리 공정에 이용되는 약액의 종류에 대응하여 구비될 수 있다. 상기 기판 처리 공정에 이용되는 약액으로는, 에틸글리콜(ethyl glycol), 1-프로파놀(propanol), 테트라하이드로프랑(tetrahydraulic franc), 4-하이드록시(hydroxyl), 4-메틸(methyl), 2-펜타논(pentanone), 1-부타놀(butanol), 2-부타놀, 메탄올(methanol), 에탄올(ethanol), 디메틸에틸(dimethylether), n-프로필알코올(n-propyl alcohol) 등이 있다. 이에 대응하여 상기 유기약액을 제거하기 위한 초임계 유체는 이산화탄소(CO2), 물(H2O), 메탄(CH4), 에탄(C2H6), 프로판(C3H8), 에틸렌(C2H4), 프로필렌(C2H2), 메탄올(C2H3OH), 에탄올(C2H5OH), 육불화황(SF6), 아세톤(C3H8O) 등이 있다.The process fluid may be a supercritical fluid. The supercritical fluid may be provided corresponding to the type of the chemical solution used in the substrate processing process. Examples of the chemical solution used in the substrate processing step include ethyl glycol, propanol, tetrahydraulic franc, 4-hydroxy, 4-methyl, 2 - pentanone, 1-butanol, 2-butanol, methanol, ethanol, dimethylether, n-propyl alcohol and the like. Correspondingly, the supercritical fluid for removing the organic chemical liquid includes at least one selected from the group consisting of carbon dioxide (CO2), water (H2O), methane (CH4), ethane (C2H6), propane (C3H8), ethylene (C2H4) (C2H3OH), ethanol (C2H5OH), sulfur hexafluoride (SF6), and acetone (C3H8O).

상기 공정 완료 유체는 상기 초임계 유체가 기판 처리 공정 중 상기 약액과 반응하여 생성된 초임계 혼합물일 수 있다. 기판 처리 공정이 완료된 후에 상기 공정 완료 유체는 상기 챔버(10)로부터 순차적으로 외부로 배출된다.The process-completed fluid may be a supercritical fluid produced by reacting the supercritical fluid with the chemical liquid during a substrate processing process. After the substrate processing process is completed, the process-completed fluid is sequentially discharged from the chamber 10 to the outside.

상기 벤트라인(V)에는 에어 레귤레이터(70)가 구비되어, 상기 에어 레귤레이터(70)에 유입되는 에어량에 따라 상기 챔버(10)로부터 상기 벤트라인(V)을 통해 배출되는 상기 공정 완료 유체의 유량과 압력이 조절된다.The vent line V is provided with an air regulator 70 so that the flow rate of the processed fluid discharged through the vent line V from the chamber 10 in accordance with the amount of air flowing into the air regulator 70 And the pressure is regulated.

상기 에어 레귤레이터(70)에 유입되는 에어량을 조절하는 장치로 공압 레귤레이터(60)가 상기 에어 레귤레이터(70)에 연결되고, 상기 공압 레귤레이터(60)에 에어를 공급하는 에어공급부(50)가 더 구비될 수 있다. A pneumatic regulator 60 is connected to the air regulator 70 and an air supply unit 50 for supplying air to the pneumatic regulator 60 is further provided as an apparatus for regulating the amount of air flowing into the air regulator 70 .

상기 기판 처리 장치에는 압력감지부(30)와 제어부(40)가 더 구비될 수 있다. The substrate processing apparatus may further include a pressure sensing unit 30 and a control unit 40.

상기 압력감지부(30)는 상기 챔버(10) 내부에 구비되어 상기 챔버(10) 내부의 압력을 측정하고, 압력 측정값을 상기 제어부(40)에 전달할 수 있다. The pressure sensing unit 30 may be provided inside the chamber 10 to measure a pressure inside the chamber 10 and to transmit a pressure measurement value to the controller 40.

상기 제어부(40)는 상기 압력감지부(30)와 상기 공압 레귤레이터(60)에 연결되도록 구비될 수 있고, 상기 공압 레귤레이터(60)는 전자식 공압 레귤레이터일 수 있다.The control unit 40 may be connected to the pressure sensing unit 30 and the pneumatic regulator 60. The pneumatic regulator 60 may be an electronic pneumatic regulator.

상기 제어부(40)는 상기 압력 측정값에 따라 상기 공압 레귤레이터(60)가 상기 에어 레귤레이터(70)에 공급하는 에어량을 제어하는 역할을 하여, 상기 에어 레귤레이터(70)가 상기 벤트라인(V)을 통해 적절한 유량과 압력으로 상기 공정 완료 유체를 배출하도록 제어할 수 있다. The control unit 40 controls the amount of air supplied to the air regulator 70 by the air pressure regulator 60 in accordance with the pressure measurement value so that the air regulator 70 can control the vent line V To discharge the processed fluid at an appropriate flow rate and pressure.

상기 제어부(50)는 압력조절계(pressure controller)일 수 있다.The controller 50 may be a pressure controller.

상기 챔버(10) 내부에서 기판 처리 공정이 진행중인 경우, 상기 제어부(40)에는 기판 처리 공정 진행을 유지하기에 적절한 상기 챔버(10) 내부 압력이 설정되어, 상기 챔버(10) 내부 압력이 상기 설정된 압력값을 유지하도록 상기 벤트라인(V)을 제어할 수 있다.When a substrate processing process is in progress in the chamber 10, a pressure inside the chamber 10 suitable for maintaining the progress of a substrate processing process is set in the controller 40, The vent line V can be controlled to maintain the pressure value.

또한, 기판 처리 공정이 완료된 경우, 상기 제어부(40)는 상기 챔버(10) 내부 압력이 상압(atmospheric pressure)이 될 때까지 안정적인 감압이 이루어지도록 상기 벤트라인(V)의 개폐를 제어하고, 상기 챔버(10) 내부 압력이 상압이 되면 상기 에어 레귤레이터(70)가 최대로 개방되어 상기 공정 완료 유체를 완전히 배출하도록 제어할 수 있다. When the substrate processing process is completed, the controller 40 controls the opening and closing of the vent line V so that stable depressurization is performed until the internal pressure of the chamber 10 becomes atmospheric pressure, When the internal pressure of the chamber 10 becomes normal pressure, the air regulator 70 is opened to the maximum to completely discharge the processed fluid.

상기 벤트라인(V)에는 벤트라인밸브(80)가 더 구비되어 상기 벤트라인(V)의 개폐를 보조하는 역할을 하도록 할 수 있다.The vent line V may further include a vent line valve 80 to assist opening and closing of the vent line V. [

도 4를 참조하여 본 발명의 기판 처리 장치에 의한 기판 처리 방법에 대해 설명한다. A substrate processing method by the substrate processing apparatus of the present invention will be described with reference to FIG.

단계 S10은, 기판을 수용하여 기판 처리 공정을 수행하는 챔버(10)에 기판 처리를 위한 공정유체를 공급하는 단계이다. 상기 공정유체의 공급은 유체 공급부(20)를 통해 이루어질 수 있다.Step S10 is a step of supplying a process fluid for substrate processing to the chamber 10 which receives the substrate and performs the substrate processing process. The process fluid may be supplied through the fluid supply unit 20.

단계 S20은, 상기 챔버(10) 내부에서 상기 공정유체를 이용하여 기판 처리 공정이 수행되는 단계이다. 공정이 수행되는 동안 상기 단계 S10의 상기 공정유체 공급이 지속적으로 이루어지는 경우 상기 챔버(10) 내부의 압력이 점점 높아지게 된다.Step S20 is a step in which the substrate processing process is performed using the process fluid inside the chamber 10. [ If the process fluid supply in step S10 is continuously performed while the process is being performed, the pressure inside the chamber 10 is gradually increased.

단계 S30은, 압력감지부(30)에 의해 상기 챔버(10) 내부의 압력이 측정되는 단계이다. Step S30 is a step in which the pressure inside the chamber 10 is measured by the pressure sensing unit 30. [

단계 S40은, 상기 단계 S30에서 상기 압력감지부(30)에 의해 측정된 압력 측정값이 제어부(40)에 전달되고, 상기 제어부(40)에서 계산된 에어 레귤레이터(70)에 공급될 에어량이 공압 레귤레이터(60)에 전달되어, 상기 챔버(10) 내부의 압력 증가에 따라 공압 레귤레이터(60)를 통해 적절한 에어량이 에어 레귤레이터(70)에 유입되도록 하는 단계이다.In step S40, the pressure measurement value measured by the pressure sensing unit 30 is transmitted to the control unit 40 in step S30, and the amount of air to be supplied to the air regulator 70, calculated by the control unit 40, Regulator 60 so that an appropriate amount of air is introduced into the air regulator 70 through the pneumatic regulator 60 in accordance with an increase in the pressure inside the chamber 10. [

단계 S50은, 상기 에어 레귤레이터(70)가 개방되어 상기 챔버(10) 내부의 공정 완료 유체가 상기 벤트라인(V)을 통해 외부로 배출되는 단계이다. 이때, 상기 에어 레귤레이터(70)는 상기 단계 S40을 통해 조절된 에어량에 대응하여 개도량이 조절된다.In step S50, the air regulator 70 is opened and the process-completed fluid in the chamber 10 is discharged to the outside through the vent line V. At this time, the air regulator 70 adjusts the amount of opening corresponding to the amount of air adjusted through the step S40.

상기 단계 S10 내지 단계 S50은 기판 처리 공정이 진행중인 경우와 기판 처리 공정이 완료된 경우로 나누어 수행될 수 있다.The steps S10 to S50 may be divided into a case where the substrate processing process is in progress and a case where the substrate processing process is completed.

기판 처리 공정이 진행중인 경우, 상기 제어부(40)에 적절한 상기 챔버(10) 내부 압력이 설정되어, 상기 압력 설정값에 따라 상기 챔버(10) 내부 압력이 유지되도록 상기 단계 S10 내지 단계 S50이 수행될 수 있다. When the substrate processing process is in progress, the internal pressure of the chamber 10 suitable for the controller 40 is set, and the steps S10 to S50 are performed so that the internal pressure of the chamber 10 is maintained according to the pressure set value .

기판 처리 공정이 완료된 경우, 상기 챔버(10) 내부 압력이 상압이 될 때까지 안정적인 감압이 이루어지도록 상기 단계 S10 내지 단계 S50을 수행하고, 상기 챔버(10) 내부 압력이 상압이 되면 상기 에어 레귤레이터(70)가 최대로 개방되어 상기 공정 완료 유체를 완전히 배출하도록 할 수 있다. When the substrate processing is completed, the steps S10 to S50 are performed so that stable depressurization is performed until the internal pressure of the chamber 10 becomes normal pressure. When the internal pressure of the chamber 10 becomes normal pressure, 70 is maximally opened to completely discharge the processed fluid.

기판 처리 공정이 완료된 경우, 상기 단계 S50에 선행하여, 상기 유체공급부(20)로부터 상기 챔버(10)로의 공정 유체 공급을 차단하는 단계가 더 포함될 수 있다. When the substrate processing process is completed, the step of cutting off the supply of the process fluid from the fluid supply unit 20 to the chamber 10 may be further performed prior to the step S50.

상기 챔버(10) 내부의 공정 완료 유체가 완전히 배출된 후, 벤트라인밸브(80)를 잠궈 상기 벤트라인(V)을 차단하는 단계가 더 포함될 수 있다.And closing the vent line (V) by locking the vent line valve (80) after the process completed fluid in the chamber (10) is completely discharged.

상기한 바와 같이 본 발명에 따른 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 의하면, 한 개의 벤트라인을 이용하여 유체의 배출을 효율적이며 용이하게 처리함으로써 비용을 절감하고 설치공간을 줄일 수 있으며, 유지 관리가 용이해지는 효과를 얻을 수 있다.As described above, according to the substrate processing apparatus and the substrate processing method of the present invention, it is possible to efficiently and easily discharge the fluid by using one vent line, thereby reducing the cost, reducing the installation space, Can be obtained.

이상 설명한 바와 같이, 본 발명은 상술한 실시예에 한정되지 아니하며, 청구범위에서 청구되는 본 발명의 기술적 사상에 벗어남 없이 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 자명한 변형실시가 가능하며, 이러한 변형실시는 본 발명의 범위에 속한다.As described above, the present invention is not limited to the above-described embodiments, and various changes and modifications may be made without departing from the scope of the present invention as defined in the appended claims. And such modifications are within the scope of the present invention.

W: 기판 100: 챔버
200: 유체공급부 110: 압력감지부
PV1: 제1압력조절벤트라인 PV2: 제2압력조절벤트라인
310: PV1조절부 311: PV1밸브
320: PV2조절부 321: PV2밸브
V1: 제1벤트라인 V2: 제2벤트라인
410: V1조절부 411: V1밸브
420: V2조절부 421: V2밸브
10: 챔버 20: 유체공급부
30: 압력감지부 40: 제어부
50: 에어공급부 60: 공압 레귤레이터
70: 에어 레귤레이터 80: 벤트라인밸브
V: 벤트라인W: substrate 100: chamber
200: fluid supply unit 110: pressure sensing unit
PV1: first pressure regulating vent line PV2: second pressure regulating vent line
310: PV1 control unit 311: PV1 valve
320: PV2 control unit 321: PV2 valve
V1: first vent line V2: second vent line
410: V1 regulator 411: V1 valve
420: V2 control unit 421: V2 valve
10: chamber 20: fluid supply part
30: pressure sensing unit 40:
50: Air supply unit 60: Pneumatic regulator
70: air regulator 80: vent line valve
V: vent line

Claims (19)

기판을 수용하여 기판 처리 공정을 수행하는 챔버;
상기 챔버에 연결되어 상기 챔버 내부로부터 공정 완료 유체를 배출하는 한 개의 벤트라인; 을 포함하고,
상기 벤트라인은 상기 챔버로부터 배출되는 공정 완료 유체의 유량과 압력을 조절하는 에어 레귤레이터를 포함하여 구성되고,
상기 에어 레귤레이터에는 공압 레귤레이터가 연결되어 상기 에어 레귤레이터에 공급되는 에어량이 조절되는 기판 처리 장치.A chamber for receiving a substrate and performing a substrate processing process;
One vent line connected to the chamber and discharging the processed fluid from within the chamber; / RTI >
Wherein the vent line comprises an air regulator for regulating the flow rate and pressure of the process completed fluid discharged from the chamber,
Wherein a pneumatic regulator is connected to the air regulator to regulate an amount of air supplied to the air regulator. 제1항에 있어서,
상기 챔버에 연결되어 상기 챔버 내부에 공정유체를 공급하는 유체공급부가 더 포함되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.The method according to claim 1,
Further comprising a fluid supply connected to the chamber to supply a process fluid into the chamber. 제1항에 있어서,
상기 챔버 내부의 압력을 측정하는 압력감지부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.The method according to claim 1,
Further comprising a pressure sensing unit for measuring a pressure inside the chamber. 제3항에 있어서,
상기 압력감지부는 상기 챔버 내부에 구비되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.The method of claim 3,
Wherein the pressure sensing unit is provided inside the chamber. 제3항에 있어서,
상기 공압 레귤레이터에 에어를 공급하는 에어공급부가 더 구비되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.The method of claim 3,
Further comprising an air supply unit for supplying air to the pneumatic regulator. 제3항에 있어서,
상기 공압 레귤레이터는 전자식 공압 레귤레이터인 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.The method of claim 3,
Wherein the pneumatic regulator is an electronic pneumatic regulator. 제6항에 있어서,
상기 압력감지부와 상기 공압 레귤레이터에 연결되는 제어부가 더 구비되고;
상기 제어부는 상기 압력감지부에서 측정된 상기 챔버 내부의 압력을 바탕으로 상기 에어 레귤레이터에 공급할 에어량을 계산하여 상기 공압 레귤레이터에 전달함으로써 상기 벤트라인의 개폐를 제어하는;
것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.The method according to claim 6,
Further comprising: a control unit connected to the pressure sensing unit and the pneumatic regulator;
The control unit calculates an amount of air to be supplied to the air regulator based on the pressure inside the chamber measured by the pressure sensing unit, and controls opening and closing of the vent line by transmitting the amount of air to the air regulator;
And the substrate processing apparatus. 제7항에 있어서,
상기 제어부는 압력조절계인 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.8. The method of claim 7,
Wherein the controller is a pressure controller. 제7항에 있어서,
상기 벤트라인에는 상기 벤트라인을 개폐하는 벤트라인밸브가 더 구비되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.8. The method of claim 7,
Wherein the vent line further comprises a vent line valve for opening and closing the vent line. 제7항에 있어서,
상기 챔버 내부에서 기판 처리 공정이 진행중인 경우,
상기 제어부는 상기 챔버 내부의 압력이 적절하게 유지되도록 상기 벤트라인의 개폐를 제어하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.8. The method of claim 7,
If a substrate processing process is in progress within the chamber,
Wherein the control unit controls the opening and closing of the vent line so that the pressure inside the chamber is appropriately maintained. 제7항에 있어서,
상기 챔버 내부에서 기판 처리 공정이 완료된 경우,
상기 제어부는 상기 챔버 내부의 압력이 상압이 될때까지 상기 챔버 내부의 압력이 안정적으로 감압되도록 상기 벤트라인의 개폐를 제어하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.8. The method of claim 7,
When the substrate processing process is completed within the chamber,
Wherein the control unit controls the opening and closing of the vent line so that the pressure inside the chamber is reliably reduced until the pressure inside the chamber becomes normal pressure. 제11항에 있어서,
상기 제어부는 상기 챔버 내부 압력이 상압이 되면 상기 벤트라인이 최대로 개방되도록 제어함으로써 상기 공정 완료 유체가 상기 챔버 내부로부터 완전히 배출되도록 하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.12. The method of claim 11,
Wherein the controller controls the vent line to be opened to the maximum when the pressure inside the chamber becomes normal pressure so that the processed fluid is completely discharged from the inside of the chamber. a) 기판을 수용하여 기판 처리 공정이 수행되는 챔버에 공정유체가 공급되는 단계;
b) 상기 챔버 내부에서 기판 처리 공정이 수행되는 단계;
c) 공압 레귤레이터를 통해 공급량이 조절된 에어가 에어 레귤레이터에 공급되는 단계;
d) 유입되는 에어량에 따라 상기 에어 레귤레이터가 개방되어 벤트라인을 통해 상기 챔버 내부의 공정 완료 유체가 배출되는 단계;
를 포함하는 기판 처리 방법.a) receiving a substrate and supplying a process fluid to a chamber in which a substrate processing process is performed;
b) performing a substrate processing process within the chamber;
c) supplying air, the supply of which is regulated through the pneumatic regulator, to the air regulator;
d) opening the air regulator according to an amount of the introduced air to discharge the processed fluid inside the chamber through the vent line;
≪ / RTI > 제13항에 있어서,
상기 단계 c)는,
c-1) 압력감지부에서 상기 챔버 내부의 압력을 측정하여 측정된 압력값을 제어부에 전달하는 단계;
c-2) 상기 제어부에서 상기 압력값을 바탕으로 상기 에어 레귤레이터에 공급할 에어량을 계산하여 상기 공압 레귤레이터에 전달하는 단계;
c-3) 상기 공압 레귤레이터를 통해 공급량이 조절된 에어가 상기 에어 레귤레이터에 공급되는 단계;
로 이루어지는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.14. The method of claim 13,
The step c)
c-1) measuring the pressure inside the chamber in the pressure sensing unit and transmitting the measured pressure to the control unit;
c-2) calculating the amount of air to be supplied to the air regulator based on the pressure value in the control unit and transmitting the calculated amount of air to the air regulator;
c-3) supplying air, the supply amount of which is adjusted through the pneumatic regulator, to the air regulator;
≪ / RTI > 제14항에 있어서,
상기 챔버 내부에서 기판 처리 공정이 진행중인 경우,
상기 단계 c-2)는, 상기 챔버 내부 압력이 설정된 압력으로 유지되도록 상기 제어부는 상기 에어 레귤레이터에 공급되어야 할 에어량을 계산하여 상기 공압 레귤레이터에 전달하는 단계;
인 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.15. The method of claim 14,
If a substrate processing process is in progress within the chamber,
Calculating the amount of air to be supplied to the air regulator so that the internal pressure of the chamber is maintained at the set pressure, and transmitting the calculated amount of air to the pneumatic regulator;
Wherein the substrate is a substrate. 제14항에 있어서,
상기 챔버 내부에서 기판 처리 공정이 완료된 경우,
상기 단계 c)에 선행하여 상기 챔버에 공정유체의 공급을 중단하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.15. The method of claim 14,
When the substrate processing process is completed within the chamber,
Further comprising the step of stopping the supply of process fluid to said chamber prior to said step c). 제14항에 있어서,
상기 단계 c-2)는, 상기 챔버 내부 압력이 상압이 될 때 까지 안정적으로 감압되도록 상기 제어부는 상기 에어 레귤레이터에 공급되어야 할 에어량을 계산하여 상기 공압 레귤레이터에 전달하는 단계;
인 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.15. The method of claim 14,
Calculating the amount of air to be supplied to the air regulator and transmitting the calculated amount of air to the air regulator so that the internal pressure of the chamber is reliably reduced until the internal pressure of the chamber becomes normal pressure;
Wherein the substrate is a substrate. 제17항에 있어서,
상기 챔버 내부 압력이 상압이 되면,
상기 단계 c-2)는, 상기 벤트라인이 최대로 개방되어 상기 공정 완료 유체가 완전히 배출되도록 상기 제어부는 상기 에어 레귤레이터에 공급되어야 할 에어량을 계산하여 상기 공압 레귤레이터에 전달하는 단계;
인 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.18. The method of claim 17,
When the pressure inside the chamber becomes normal pressure,
Calculating the amount of air to be supplied to the air regulator so that the vent line is maximally opened to completely discharge the processed fluid, and transmitting the calculated amount of air to the pneumatic regulator;
Wherein the substrate is a substrate. 제18항에 있어서,
상기 챔버 내부의 공정 완료 유체가 완전히 배출된 후 상기 벤트라인의 벤트라인밸브를 잠궈 상기 벤트라인을 차단하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법. 19. The method of claim 18,
Further comprising the step of closing the vent line by locking the vent line valve of the vent line after the process-completed fluid in the chamber is completely discharged.
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KR20200128880A (en) * 2019-05-07 2020-11-17 주식회사 야스 Air Dryer System
CN114688446A (en) * 2020-12-29 2022-07-01 细美事有限公司 Pressure adjusting device and substrate processing apparatus provided with same

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