KR20180135274A - Method for controlling the shape of nanoscale and microscale patterns - Google Patents

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KR20180135274A
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Abstract

Provided is a method for controlling a shape of a micropattern. The method may comprise the steps of: preparing a first master substrate including a first master pattern; providing a soft material on the first master substrate; separating the soft material from the first master substrate to produce a base substrate including a first duplicate pattern having a reverse image of the first master pattern; transforming the first duplicate pattern into a second duplicate pattern by bringing the second master substrate including the second master pattern into contact with the base substrate; providing a functional material on the base substrate including the second duplicate pattern; and transferring the functional material onto a target substrate.

Description

미세 패턴의 형상 제어 방법 {Method for controlling the shape of nanoscale and microscale patterns} [0001] The present invention relates to a method for controlling a shape of a fine pattern,

본 발명은 미세 패턴의 형상 제어 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 기능성 소재를 기판 상에 전사하는 미세 패턴의 형상 제어 방법에 관련된 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0002] The present invention relates to a shape control method of a fine pattern, and more particularly to a shape control method of a fine pattern to transfer a functional material onto a substrate.

나노 구조체 공정기술은 기능성 나노 구조체를 대량으로 제작하거나, 이를 이용하여 코팅 또는 패터닝하여 다양한 기능성을 부여하는 공정기술 및 장비기술을 의미한다. The nanostructure process technology refers to a process technology and a device technology which give a variety of functionalities by coating or patterning a large number of functional nanostructures.

스마트폰 및 태블릿 PC의 보급이 대중화 되면서 핵심 부품인 애플리케이션 프로세서(application processor, AP), 디램(DRAM)과 낸드플래시 메모리(NAND)등의 반도체를 만들 수 있는 차세대 리소그래피 기술에 대한 관심이 커지고 있다. 현재 반도체 소자 및 나노 구조체의 대부분은 광리소그래피(Photolithography)라 부르는 노광 공정을 통하여 만들어지고 있다. With the popularization of smart phones and tablet PCs becoming popular, there is a growing interest in next-generation lithography technology that can make semiconductors such as application processor (AP), DRAM (DRAM) and NAND flash memory (NAND). Currently, most of semiconductor devices and nanostructures are made through an exposure process called photolithography.

광리소그래피를 통하여 만들 수 있는 미세 패턴의 크기는 공정에 사용되는 광원의 파장에 의해서 결정된다. 광원의 파장이 짧을수록 더욱 미세한 나노 패턴을 웨이퍼 위에 만들 수 있다. 현재 진행된 기술로는, 193nm의 파장을 가지는 ArF 리소그래피 기술에 액침기법을 더해 패터닝 한계를 30nm정도까지 끌어 올렸다. The size of the fine pattern that can be made through photolithography is determined by the wavelength of the light source used in the process. The shorter the wavelength of the light source, the finer the nanopattern can be made on the wafer. In the current technology, the ArF lithography technique with a wavelength of 193 nm is added to the immersion technique to raise the patterning limit to about 30 nm.

이러한 액침리소그래피 방법을 두 번 또는 세 번의 반복공정을 통하여 20nm이하의 회로 패턴을 만들 수 있다. 하지만 멀티 패터닝 공정은 반복되는 횟수에 비례해 생산시간이 길어지고 생산단가가 증가하게 되는 문제점을 가지고 있다. This immersion lithography method can be used to make circuit patterns of 20 nm or less through two or three repetitions. However, the multi-patterning process has a problem that the production time is prolonged in proportion to the number of repetitions and the production cost increases.

이러한 문제점들을 해결하기 위하여 미세 패턴을 만들기 위한 다양한 기술들이 개발되고 있다. 예를 들어, 대한 민국 특허 공개 번호 10-2013-0032071(출원번호: 10-2011-0095754, 출원인: 주식회사 동진쎄미켐)에는, 명세서의 화학식 1로 표시되는 반복단위 1 내지 99몰%, 및 명세서의 화 학식 2로 표시되는 반복단위, 명세서의 화학식 3으로 표시되는 반복단위 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 반복단위를 1 내지 99몰% 포함하는 고분자; 2개 이상의 디아조나프토퀴논(DNQ)기를 포함하는 감광 성 화합물; 및 유기용매를 포함하는 I-선(line) 포토레지스트 조성물을 제공한다. In order to solve these problems, various techniques for making fine patterns have been developed. For example, in Korean Patent Publication No. 10-2013-0032071 (Application No. 10-2011-0095754, Applicant: Dongjin Semichem Co., Ltd.), 1 to 99% by mole of the repeating unit represented by the formula (1) A polymer comprising 1 to 99 mol% of a repeating unit selected from the group consisting of a repeating unit represented by Chemical formula 2, a repeating unit represented by formula 3, and a mixture thereof; A photosensitive compound comprising two or more diazonaphthoquinone (DNQ) groups; And an I-line photoresist composition comprising an organic solvent.

이 밖에도, 미세 패턴을 형성하기 위한 다양한 기술들이 지속적으로 연구 개발되고 있다.In addition, various techniques for forming fine patterns are continuously being researched and developed.

대한 민국 특허 공개 번호 10-2013-0032071Korean Patent Publication No. 10-2013-0032071

본 발명이 해결하고자 하는 일 기술적 과제는, 용이하게 패턴의 크기 제어가 가능한 미세 패턴의 형상 제어 방법을 제공하는 데 있다. SUMMARY OF THE INVENTION The present invention provides a method of controlling a shape of a fine pattern that can easily control the size of a pattern.

본 발명이 해결하고자 하는 다른 기술적 과제는, 용이하게 패턴의 형상 제어가 가능한 미세 패턴의 형상 제어 방법을 제공하는 데 있다. It is another object of the present invention to provide a method of controlling a shape of a fine pattern that can easily control the shape of a pattern.

본 발명이 해결하고자 하는 또 다른 기술적 과제는, 임프린트를 통해 형상이 제어된 복제 패턴을 이용한 패턴전사프린팅 공정을 포함하는 미세 패턴의 형상 제어 방법을 제공하는 데 있다. It is another object of the present invention to provide a method of controlling the shape of a fine pattern including a pattern transfer printing process using a copy pattern whose shape is controlled through an imprint.

본 발명이 해결하고자 하는 또 다른 기술적 과제는, 대면적에서 미세 패턴의 형상 제어가 가능한 미세 패턴의 형상 제어 방법을 제공하는데 있다. It is another object of the present invention to provide a method of controlling the shape of a fine pattern capable of controlling the shape of a fine pattern in a large area.

본 발명이 해결하고자 하는 기술적 과제는 상술된 것에 제한되지 않는다.The technical problem to be solved by the present invention is not limited to the above.

상기 기술적 과제를 해결하기 위해, 본 발명은 미세 패턴의 형상 제어 방법을 제공한다.According to an aspect of the present invention, there is provided a method of controlling a shape of a fine pattern.

일 실시 예에 따르면, 상기 미세 패턴의 형상 제어 방법은, 제1 마스터 패턴을 포함하는 제1 마스터 기판을 준비하는 단계, 상기 제1 마스터 기판 상에 연성 물질을 제공하는 단계, 상기 연성 물질을 상기 제1 마스터 기판으로부터 분리하여, 상기 제1 마스터 패턴의 역상을 갖는 제1 복제 패턴을 포함하는 베이스 기판을 제조하는 단계, 제2 마스터 패턴을 포함하는 제2 마스터 기판과 상기 베이스 기판을 접촉시켜, 상기 제1 복제 패턴을 제2 복제 패턴으로 변형시키는 단계, 상기 제2 복제 패턴을 포함하는 상기 베이스 기판 상에 기능성 소재를 제공하는 단계, 및 According to an embodiment of the present invention, there is provided a method of controlling a shape of a fine pattern, comprising: preparing a first master substrate including a first master pattern; providing a soft material on the first master substrate; Preparing a base substrate including a first replication pattern having a reverse phase of the first master pattern by separating the first master pattern from the first master pattern, contacting the second master substrate including the second master pattern with the base substrate, Transforming the first replica pattern into a second replica pattern, providing a functional material on the base substrate including the second replica pattern, and

상기 기능성 소재를 타겟(target) 기판 상에 전사 및 세척이나 가열하는 후속 공정을 갖는 단계를 포함할 수 있다.And a subsequent process of transferring and cleaning or heating the functional material onto a target substrate.

일 실시 예에 따르면, 상기 제1 마스터 기판 및 상기 제2 마스터 기판은 서로 동일한 것을 포함할 수 있다. According to one embodiment, the first master substrate and the second master substrate may include the same ones.

일 실시 예에 따르면, 상기 베이스 기판을 제조하는 단계는, 상기 제1 마스터 패턴의 오목부 및 상기 제1 복제 패턴의 볼록부가 대응되고, 상기 제1 마스터 패턴의 볼록부 및 상기 제1 복제 패턴의 오목부가 대응되고, 상기 제1 복제 패턴을 상기 제2 복제 패턴으로 변형시키는 단계는, 상기 제1 마스터 패턴의 볼록부 및 상기 제1 복제 패턴의 볼록부의 적어도 일부가 중첩되도록 접촉되고, 상기 제1 마스터 패턴의 오목부 및 상기 제1 복제 패턴의 오목부의 적어도 일부가 중첩되도록 접촉되는 것을 포함할 수 있다. According to one embodiment of the present invention, the step of fabricating the base substrate may include a step of forming a concave portion of the first master pattern and a convex portion of the first replica pattern, the convex portion of the first master pattern, And the step of deforming the first duplicate pattern into the second duplicate pattern is performed so that at least a part of the convex portion of the first master pattern and the convex portion of the first duplicate pattern are in contact with each other, And the concave portion of the master pattern and at least a part of the concave portion of the first replica pattern are overlapped.

일 실시 예에 따르면, 상기 제1 복제 패턴을 상기 제2 복제 패턴으로 변형시키는 단계는, 상기 제1 마스터 기판의 상부면의 법선을 회전축으로 회전하여, 상기 제1 마스터 기판의 상기 제1 마스터 패턴을 상기 제1 복제 패턴에 접촉하는 것을 포함할 수 있다. According to an embodiment, the step of deforming the first replica pattern into the second replica pattern may include rotating the normal line of the upper surface of the first master substrate with a rotation axis, To the first replication pattern.

일 실시 예에 따르면, 상기 제1 복제 패턴을 상기 제2 복제 패턴으로 변형시키는 단계는, 상기 제1 복제 패턴을 포함하는 상기 베이스 기판을 제조하는 단계에서 상기 제1 마스터 기판이 상기 베이스 기판과 접촉된 위치와 비교하여, 상기 제1 마스터 기판의 상부면에 평행한 방향으로, 상기 제1 마스터 기판을 이동시킨 후, 상기 제1 마스터 기판의 상기 제1 마스터 패턴을 상기 제1 복제 패턴에 접촉하는 것을 포함할 수 있다. According to one embodiment, the step of modifying the first replica pattern into the second replica pattern may further include, in the step of manufacturing the base substrate including the first replica pattern, The first master substrate of the first master substrate is brought into contact with the first duplicate pattern after moving the first master substrate in a direction parallel to the upper surface of the first master substrate ≪ / RTI >

일 실시 예에 따르면, 상기 제1 마스터 기판 및 상기 제2 마스터 기판은 서로 다른 것을 포함할 수 있다. According to one embodiment, the first master substrate and the second master substrate may include different ones.

일 실시 예에 따르면, 상기 제1 마스터 패턴의 형상 및 상기 제2 마스터 패턴의 형상은 서로 다른 것을 포함할 수 있다. According to an embodiment, the shape of the first master pattern and the shape of the second master pattern may be different from each other.

일 실시 예에 따르면, 상기 타겟 기판 상에 전사된 상기 기능성 소재의 형상은, 상기 제1 마스터 패턴, 상기 제1 마스터 패턴의 역상, 상기 제2 마스터 패턴, 및 상기 제2 마스터 패턴의 역상과 다른 것을 포함할 수 있다. According to one embodiment, the shape of the functional material transferred onto the target substrate is different from the inverse of the first master pattern, the inverse of the first master pattern, the second master pattern, ≪ / RTI >

일 실시 예에 따르면, 상기 베이스 기판을 제조하는 단계는, 상기 연성 물질을 상기 제1 마스터 기판으로부터 분리하기 전, 상기 연성 물질이 제공된 상기 제1 마스터 기판 상에 자외선(ultraviolet)을 조사하거나 열처리하는 단계를 포함할 수 있다. According to one embodiment, the step of fabricating the base substrate may include irradiating ultraviolet light or heat-treating the first master substrate provided with the soft material before separating the soft material from the first master substrate Step < / RTI >

일 실시 예에 따르면, 상기 기능성 소재를 상기 타겟 기판 상에 전사하는 단계는, 상기 기능성 소재가 전사되기 전, 상기 기능성 소재가 제공된 상기 베이스 기판 상에 자외선을 조사하거나 열처리(50-400oC)하는 단계를 포함할 수 있다.According to one embodiment, the step of transferring the functional material onto the target substrate may include irradiating the base substrate provided with the functional material with ultraviolet light or heat treatment (50-400 ° C) before the functional material is transferred, .

본 발명의 실시 예에 따른 미세 패턴의 형상 방법은, 제1 마스터 패턴을 포함하는 제1 마스터 기판을 준비하는 단계, 상기 제1 마스터 기판 상에 연성 물질을 제공하는 단계, 상기 연성 물질을 상기 제1 마스터 기판으로부터 분리하여, 상기 제1 마스터 패턴의 역상을 갖는 상기 제1 복제 패턴을 포함하는 상기 베이스 기판을 제조하는 단계, 상기 제2 마스터 패턴을 포함하는 상기 제2 마스터 기판과 상기 베이스 기판을 접촉시켜, 상기 제1 복제 패턴을 제2 복제 패턴으로 변형시키는 단계, 상기 제2 복제 패턴을 포함하는 상기 베이스 기판 상에 상기 기능성 소재를 제공하는 단계, 및 상기 기능성 소재를 타겟 기판 상에 전사하는 단계를 포함할 수 있다. A method of forming a fine pattern according to an embodiment of the present invention includes the steps of preparing a first master substrate including a first master pattern, providing a soft material on the first master substrate, 1. A method of manufacturing a semiconductor device, comprising the steps of: preparing the base substrate including the first replication pattern having a reverse phase of the first master pattern by separating the first master pattern from the first master pattern; A step of deforming the first copy pattern into a second copy pattern by bringing the first copy pattern into contact with the first copy pattern, providing the functional material on the base substrate including the second copy pattern, Step < / RTI >

상기 제2 복제 패턴은, 상기 제1 마스터 기판 및 상기 제2 마스터 기판이 서로 동일한 경우, 상기 제1 마스터 패턴 및 상기 제1 복제 패턴이 접촉되어 형성될 수 있다. 이 경우, 상기 제1 마스터 기판은, 상기 제1 마스터 기판의 상부면의 법선을 회전축으로 회전되거나 상기 제1 마스터 기판의 상부면에 평행한 방향으로 이동되어 제공될 수 있다. The second duplicate pattern may be formed by contacting the first master pattern and the first duplicate pattern when the first master substrate and the second master substrate are identical to each other. In this case, the first master substrate may be rotated by a rotation axis of the upper surface of the first master substrate or moved in a direction parallel to the upper surface of the first master substrate.

또한, 상기 제2 복제 패턴은, 상기 제1 마스터 기판 및 상기 제2 마스터 기판이 서로 다른 경우, 상기 제2 마스터 패턴 및 상기 제1 복제 패턴이 접촉되어 형성될 수 있다.The second duplicate pattern may be formed by contacting the second master pattern and the first duplicate pattern when the first master substrate and the second master substrate are different from each other.

이에 따라, 상기 실시 예에 따른 미세 패턴의 형상 제어 방법은, 미세 패턴을 용이하게 다양한 형상 및 크기로 제어할 수 있다. Accordingly, the fine pattern shape control method according to the embodiment can easily control the fine pattern to various shapes and sizes.

본 발명의 실시 예에 따른 미세 패턴의 제어 방법으로 형성되는 미세 패턴은, 동일한 마스터 패턴 또는 서로 다른 마스터 패턴을 이용하여, 마스터 패턴의 역상의 복제 패턴 외에, 다른 형상의 패턴을 제조할 수 있다. 이에 따라, 상기 실시 예에 따른 미세 패턴의 제어 방법으로 형성되는 미세 패턴은, 광리소그래피 또는 분자자기조립, 레이저패터닝 등의 방법으로 형성되는 종래의 미세 패턴 보다 공정 시간이 단축되고, 공정 비용이 절감될 수 있다.The fine pattern formed by the control method of the fine pattern according to the embodiment of the present invention can produce a pattern of a different shape in addition to the duplicate pattern of the opposite phase of the master pattern by using the same master pattern or different master patterns. Accordingly, the fine pattern formed by the control method of the fine pattern according to the above embodiment is shorter than the conventional fine pattern formed by a method such as photolithography, molecular self-assembly, laser patterning, etc., .

도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 미세 패턴의 형상 제어 방법을 설명하는 순서도이다.
도 2 내지 도 6은 본 발명의 제1 실시 예에 따른 미세 패턴의 형상 제어 공정을 나타내는 도면이다.
도 7a 및 도 7b는 본 발명의 제2 실시 예에 따른 미세 패턴의 형상 제어 공정을 나타내는 도면이다.
도 8은 본 발명의 제1 실시 예에 따라 제조된 제2 복제 패턴의 다양한 형상을 나타내는 도면이다.
도 9는 본 발명의 제2 실시 예에 따라 제조된 제2 복제 패턴의 다양한 형상을 나타내는 도면이다.
도 10은 본 발명의 실시 예들에 따른 미세 패턴의 형상 제어 방법에 사용되는 제1 마스터 패턴 및 제2 마스터 패턴을 촬영한 사진이다.
도 11은 본 발명의 제1 실시 예에 따른 미세 패턴의 형상 제어 방법으로 형성된 미세 패턴을 나타내는 도면이다.1 is a flowchart illustrating a method of controlling a shape of a fine pattern according to an embodiment of the present invention.
2 to 6 are views showing a process of controlling the shape of a fine pattern according to the first embodiment of the present invention.
7A and 7B are views showing a process of controlling the shape of a fine pattern according to the second embodiment of the present invention.
8 is a view showing various shapes of a second reproduction pattern produced according to the first embodiment of the present invention.
9 is a view showing various shapes of a second reproduction pattern produced according to the second embodiment of the present invention.
10 is a photograph of the first master pattern and the second master pattern used in the method of controlling the shape of the fine pattern according to the embodiments of the present invention.
11 is a view showing a fine pattern formed by a method of controlling the shape of a fine pattern according to the first embodiment of the present invention.

이하, 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 예를 상세히 설명할 것이다. 그러나 본 발명의 기술적 사상은 여기서 설명되는 실시 예에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화 될 수도 있다. 오히려, 여기서 소개되는 실시 예는 개시된 내용이 철저하고 완전해질 수 있도록 그리고 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되는 것이다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. However, the technical spirit of the present invention is not limited to the embodiments described herein but may be embodied in other forms. Rather, the embodiments disclosed herein are provided so that the disclosure can be thorough and complete, and will fully convey the scope of the invention to those skilled in the art.

본 명세서에서, 어떤 구성요소가 다른 구성요소 상에 있다고 언급되는 경우에 그것은 다른 구성요소 상에 직접 형성될 수 있거나 또는 그들 사이에 제 3의 구성요소가 개재될 수도 있다는 것을 의미한다. 또한, 도면들에 있어서, 막 및 영역들의 두께는 기술적 내용의 효과적인 설명을 위해 과장된 것이다. In this specification, when an element is referred to as being on another element, it may be directly formed on another element, or a third element may be interposed therebetween. Further, in the drawings, the thicknesses of the films and regions are exaggerated for an effective explanation of the technical content.

또한, 본 명세서의 다양한 실시 예 들에서 제1, 제2, 제3 등의 용어가 다양한 구성요소들을 기술하기 위해서 사용되었지만, 이들 구성요소들이 이 같은 용어들에 의해서 한정되어서는 안 된다. 따라서, 어느 한 실시 예에 제 1 구성요소로 언급된 것이 다른 실시 예에서는 제 2 구성요소로 언급될 수도 있다. 또한, 어느 한 실시 예에서 제1 구성요소 및 제2 구성요소로 기재된 것은 실질적으로 서로 동일한 구성요소일 수도 있다. Also, while the terms first, second, third, etc. in the various embodiments of the present disclosure are used to describe various components, these components should not be limited by these terms. Thus, what is referred to as a first component in any one embodiment may be referred to as a second component in another embodiment. Further, in any embodiment, what is described as the first component and the second component may be substantially the same component as each other.

여기에 설명되고 예시되는 각 실시 예는 그것의 상보적인 실시 예도 포함한다. 또한, 본 명세서에서 '및/또는'은 전후에 나열한 구성요소들 중 적어도 하나를 포함하는 의미로 사용되었다.Each embodiment described and exemplified herein also includes its complementary embodiment. Also, in this specification, 'and / or' are used to include at least one of the front and rear components.

명세서에서 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한 복수의 표현을 포함한다. 또한, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 구성요소 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징이나 숫자, 단계, 구성요소 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 배제하는 것으로 이해되어서는 안 된다. The singular forms "a", "an", and "the" include plural referents unless the context clearly dictates otherwise. It is also to be understood that the terms such as " comprises "or" having "are intended to specify the presence of stated features, integers, Should not be understood to exclude the presence or addition of one or more other elements, elements, or combinations thereof.

또한, 하기에서 본 발명을 설명함에 있어 관련된 공지 기능 또는 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략할 것이다.In the following description of the present invention, a detailed description of known functions and configurations incorporated herein will be omitted when it may make the subject matter of the present invention rather unclear.

도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 미세 패턴의 형상 제어 방법을 설명하는 순서도이고, 도 2 내지 도 6은 본 발명의 제1 실시 예에 따른 미세 패턴의 형상 제어 공정을 나타내는 도면이다. FIG. 1 is a flowchart illustrating a method of controlling a shape of a fine pattern according to an embodiment of the present invention, and FIGS. 2 to 6 are views showing a process of controlling the shape of a fine pattern according to the first embodiment of the present invention.

도 1 및 도 2 를 참조하면, 제1 마스터 패턴(102)을 포함하는 제1 마스터 기판(100)이 준비된다(S110). Referring to FIGS. 1 and 2, a first master substrate 100 including a first master pattern 102 is prepared (S110).

일 실시 예에 따르면, 상기 제1 마스터 패턴(102)은, 오목부 및 볼록부를 갖는 요철형태일 수 있다. 상기 제1 마스터 패턴(102)의 형태는 제한되지 않는다. According to one embodiment, the first master pattern 102 may be in the form of a concavo-convex shape having a concave portion and a convex portion. The shape of the first master pattern 102 is not limited.

일 실시 예에 따르면, 상기 제1 마스터 기판(100)은, 실리콘 기판, 화합물 반도체 기판, 플라스틱 기판, 유리 기판 등이 사용될 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 상기 제1 마스터 패턴(102)은, 광리소그래피(photolithography), 분자 자기조립(self-assembly), 이빔(electron beam) 리소그래피, 딥펜(dip-pen) 리소그래피, 나노임프린트, 패턴전사프린팅, 레이저 공정 기술 등으로 형성될 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 상기 제1 마스터 패턴(102)은, Si, SiO2/Si, 금속 등 Hard한 소재를 포함하며, 그 형태는 라인, 닷, 메쉬, 링, 홀, 사각형, 다이아몬드, 지그재그, 다각형 등 선과 점으로 이루어진 리소그래피 또는 분자자기조립을 통하여 형성이 가능한 모든 형상을 포함한다. 또한, 그 패턴의 크기는 10나노부터 100마이크로까지 가능하다.According to one embodiment, the first master substrate 100 may be a silicon substrate, a compound semiconductor substrate, a plastic substrate, a glass substrate, or the like. According to one embodiment, the first master pattern 102 may be patterned using photolithography, molecular self-assembly, electron beam lithography, dip-pen lithography, nanoimprint, pattern Transfer printing, laser process technology, or the like. According to one embodiment, the first master pattern 102 includes a hard material such as Si, SiO 2 / Si, or a metal, and may be in the form of a line, dot, mesh, ring, hole, square, diamond, zigzag, Polygons, and other shapes that can be formed through lithography or molecular self-assembly of lines and dots. Also, the size of the pattern can be from 10 nanometers to 100 microns.

계속해서, 도 1 및 도 2를 참조하면, 상기 제1 마스터 기판(100) 상에 연성 물질이 제공될 수 있다(S120). 일 실시 예에 따르면, 상기 연성 물질은 상기 제1 마스터 기판(100)에 코팅 후, 그 자체로 후술되는 베이스 기판(110)으로 사용될 수 있다.1 and 2, a soft material may be provided on the first master substrate 100 (S120). According to one embodiment, the soft material may be used as a base substrate 110, which will be described later, after coating the first master substrate 100.

계속해서, 상기 연성 물질은 경화되어, 후술되는 베이스 기판(110)으로 사용될 수 있다.Subsequently, the soft material may be cured and used as a base substrate 110 described later.

일 실시 예에 따르면, 상기 연성 물질은, 스핀 코팅(spin coating) 방법으로 제공될 수 있다. 상기 연성 물질의 제공 방법은 제한되지 않는다.According to one embodiment, the soft material may be provided by a spin coating method. The method of providing the malleable material is not limited.

일 실시 예에 따르면, 상기 연성 물질은, PMMA(polymethyl methacrylate), PS(polystyrene), PVP(polyvinylpyrrolidone), P2VP(poly 2-vinyl pyridine), P4VP(poly 4-vinyl pyridine), PS-PDMS(polystyrene-polydimethylsiloxane), PDMS-P4VP(polydimethylsiloxane-poly 4-vinyl pyridine), PVDF-TrF(polyvinylidenefluoride-trifluoroethylene) 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다. According to one embodiment, the soft material may be selected from the group consisting of polymethyl methacrylate (PMMA), polystyrene (PS), polyvinylpyrrolidone (PVP), polyvinylpyridine (P2VP), polyvinyl pyridine (P4VP) polyvinylidene fluoride, PVDF-TrF (polyvinylidene fluoride-trifluoroethylene), PDMS-P4VP (polydimethylsiloxane-poly 4-vinyl pyridine)

일 실시 예에 따르면, 상기 연성 물질이 상기 제1 마스터 기판(100) 상에 제공되기 전, 상기 마스터 기판(100)은 소수성 고분자 물질로 코팅될 수 있다. 예를 들어 상기 소수성 고분자 물질은 OH-PDMS일 수 있다. 이에 따라, 후술되는 바와 같이, 상기 연성 물질은, 상기 제1 마스터 기판(100)으로부터 용이하게 분리될 수 있다. According to one embodiment, before the soft material is provided on the first master substrate 100, the master substrate 100 may be coated with a hydrophobic polymer material. For example, the hydrophobic polymer material may be OH-PDMS. Accordingly, as described later, the malleable material can be easily separated from the first master substrate 100.

도 1 및 도 3a를 참조하면, 상기 연성 물질은, 상기 제1 마스터 기판(100)으로부터 분리될 수 있다. Referring to FIGS. 1 and 3A, the soft material may be separated from the first master substrate 100.

일 실시 예에 따르면, 상기 연성 물질이 상기 제1 마스터 기판(100)으로부터 후속 공정없이 분리하거나, 분리되기 전, 상기 연성 물질이 제공된 상기 제1 마스터 기판(100) 상에 자외선(ultraviolet)이 조사되거나 열처리(예를 들어, 50℃~400℃)될 수 있다. 상기 자외선이 조사되어, 상기 연성 물질이 경화될 수 있다. According to one embodiment, ultraviolet irradiation is performed on the first master substrate 100 provided with the malleable substance before the malleable substance is separated or separated from the first master substrate 100 without a subsequent process. Or may be heat treated (e.g., 50 ° C to 400 ° C). The ultraviolet ray is irradiated, and the soft material can be cured.

또한, 일 실시 예에 따르면, 상기 연성 물질이 상기 제1 마스터 기판(100)으로부터 분리되기 전, 상기 연성 물질이 제공된 상기 제1 마스터 기판(100)은 자외선 조사와 함께 열처리 될 수 있다. 이에 따라, 상기 연성 물질은, 후술되는 상기 제1 마스터 패턴(102)의 역상으로 용이하게 변형될 수 있다.Also, according to one embodiment, the first master substrate 100 provided with the malleable material may be heat-treated with ultraviolet rays before the malleable material is separated from the first master substrate 100. Accordingly, the soft material can be easily deformed into a reverse phase of the first master pattern 102 described later.

일 실시 예에 따르면, 상기 연성 물질은, 접착 필름(adhesive film, 120)을 사용하여 분리될 수 있다. According to one embodiment, the flexible material may be separated using an adhesive film 120.

상기 연성 물질은, 상기 제1 마스터 기판(100)으로부터 분리되어, 제1 복제 패턴(112)을 포함하는 베이스 기판(110)이 제조될 수 있다(S130). 일 실시 예에 따르면, 상기 베이스 기판(110)은, 상기 접착 필름(120) 상에 제공될 수 있다. The soft material may be separated from the first master substrate 100 and the base substrate 110 including the first replication pattern 112 may be fabricated (S130). According to one embodiment, the base substrate 110 may be provided on the adhesive film 120.

도 1, 도 3a, 및 도 3b를 참조하면, 상기 연성 물질은, 상기 제1 마스터 패턴(102)의 역상을 가질 수 있다. 이에 따라, 상기 제1 복제 패턴(112)은, 상기 제1 마스터 패턴(102)의 역상을 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 마스터 패턴(102)이 넓은 라인(wide line) 형상을 가지는 경우, 상기 제1 복제 패턴(112)은, 좁은 라인(narrow line) 형상을 가질 수 있다. Referring to FIGS. 1, 3A, and 3B, the soft material may have a reversed phase of the first master pattern 102. Accordingly, the first duplicate pattern 112 may have a reverse phase of the first master pattern 102. [ For example, when the first master pattern 102 has a wide line shape, the first duplicate pattern 112 may have a narrow line shape.

구체적으로, 상기 제1 마스터 패턴(102)의 오목부(102b) 및 상기 제1 복제 패턴(112)의 볼록부(112a)가 대응될 수 있다. 상기 제1 마스터 패턴(102)의 볼록부(102a) 및 상기 제1 복제 패턴(112)의 오목부(112b)가 대응될 수 있다. Concretely, the concave portion 102b of the first master pattern 102 and the convex portion 112a of the first replica pattern 112 may correspond to each other. The convex portion 102a of the first master pattern 102 and the concave portion 112b of the first duplicate pattern 112 may correspond to each other.

일 실시 예에 따르면, 상기 연성 물질이 상기 제1 마스터 기판(100)으로부터 분리되기 전, 상기 제1 마스터 기판(100) 및 상기 연성 물질 상에 물리적 힘이 제공될 수 있다. 예를 들어, 상기 연성 물질은, 상기 제1 마스터 기판(100)으로 눌려질 수 있다. According to one embodiment, physical force may be provided on the first master substrate 100 and the malleable material before the malleable material is separated from the first master substrate 100. [ For example, the malleable material may be pressed by the first master substrate 100.

도 1 및 도 4a를 참조하면, 제2 마스터 패턴(202)을 포함하는 제2 마스터 기판(200)이 준비될 수 있다. Referring to FIGS. 1 and 4A, a second master substrate 200 including a second master pattern 202 may be prepared.

일 실시 예에 따르면, 상기 제2 마스터 기판(200)과 상기 베이스 기판(110)은 접촉되어, 상기 제1 복제 패턴(112)을 제2 복제 패턴(114)으로 변형시킬 수 있다(S140). According to one embodiment, the second master substrate 200 and the base substrate 110 are brought into contact with each other to deform the first duplicate pattern 112 into a second duplicate pattern 114 (S140).

일 실시 예에 따르면, 상기 제1 복제 패턴(112)을 상기 제2 복제 패턴(114)으로 변형시키는 단계는, 상기 제2 마스터 기판(200) 및 상기 베이스 기판(100)을 접촉시키는 단계, 상기 제2 마스터 기판(200)을 상기 베이스 기판(110)으로부터 분리시키는 단계를 포함할 수 있다. According to one embodiment, the step of deforming the first replica pattern 112 into the second replica pattern 114 may include the steps of contacting the second master substrate 200 and the base substrate 100, And separating the second master substrate 200 from the base substrate 110.

일 실시 예에 따르면, 상기 제2 마스터 기판(200)과 상기 베이스 기판(110)이 접촉되기 전, 상기 제2 마스터 기판(200)은 소수성 고분자 물질로 코팅될 수 있다. 예를 들어, 상기 소수성 고분자 물질은 OH-PDMS일 수 있다. 이에 따라, 상기 제2 마스터 기판(200)은, 상기 베이스 기판(110)으로부터 용이하게 분리될 수 있다. According to an embodiment, the second master substrate 200 may be coated with a hydrophobic polymer material before the second master substrate 200 and the base substrate 110 are in contact with each other. For example, the hydrophobic polymer material may be OH-PDMS. Accordingly, the second master substrate 200 can be easily separated from the base substrate 110.

일 실시 예에 따르면, 상기 제2 마스터 기판(200)이 상기 베이스 기판(110)으로부터 분리되기 전, 상기 제2 마스터 기판(200) 상에 자외선이 조사되거나 열처리될 수 있다. 이 경우, 상기 제2 마스터 기판(200) 상에 상기 연성 물질이 제공되지 않을 수 있다. 이에 따라, 상기 제2 마스터 기판(200)은, 상기 베이스 기판(110)으로부터 분리될 수 있다.According to an embodiment, ultraviolet rays may be irradiated or heat-treated on the second master substrate 200 before the second master substrate 200 is separated from the base substrate 110. In this case, the soft material may not be provided on the second master substrate 200. Accordingly, the second master substrate 200 can be separated from the base substrate 110.

일 실시 예에 따르면, 상기 제2 마스터 기판(200)이 상기 베이스 기판(110)으로부터 분리되기 전, 상기 베이스 기판(110)은 자외선 조사와 함께 열처리 될 수 있다. 이에 따라, 상기 제1 복제 패턴(112)은, 상기 연성 물질의 특성이 변형되어 상기 제2 복제 패턴(114)으로 용이하게 변형될 수 있다.According to one embodiment, before the second master substrate 200 is separated from the base substrate 110, the base substrate 110 may be heat-treated together with ultraviolet light. Accordingly, the first copying pattern 112 can be easily deformed into the second copying pattern 114 by changing the characteristics of the softening material.

일 실시 예에 따르면, 상기 제2 마스터 기판(200) 및 상기 베이스 기판(110)이 접촉된 후, 상기 제2 마스터 기판(200) 및 상기 베이스 기판(110) 상에 물리적 힘이 제공될 수 있다. 예를 들어, 상기 베이스 기판(110)은, 상기 제2 마스터 기판(200)으로 눌려질 수 있다. According to one embodiment, after the second master substrate 200 and the base substrate 110 are in contact, a physical force may be applied on the second master substrate 200 and the base substrate 110 . For example, the base substrate 110 may be pressed by the second master substrate 200.

일 실시 예에 따르면, 상기 제1 마스터 기판(100) 및 상기 제2 마스터 기판(200)은 서로 동일할 수 있다. 다시 말하면, 상기 제1 마스터 기판(100)으로 상기 베이스 기판(110)을 눌러, 상기 베이스 기판(110)의 상기 제1 복제 패턴(112)을 상기 제2 복제 패턴(114)으로 변형시킬 수 있다. According to one embodiment, the first master substrate 100 and the second master substrate 200 may be the same. In other words, the first duplicate pattern 112 of the base substrate 110 may be deformed into the second duplicate pattern 114 by pressing the base substrate 110 with the first master substrate 100 .

구체적으로, 상기 제1 마스터 패턴(102)의 볼록부(102a) 및 상기 제1 복제 패턴의 볼록부(112a)의 적어도 일부는 중첩되도록 접촉될 수 있다. 상기 제1 마스터 패턴(102)의 오목부(102b) 및 상기 제1 복제 패턴의 오목부(102b)의 적어도 일부는 중첩되도록 접촉될 수 있다. 이에 따라, 상기 제2 복제 패턴(114)은, 상기 제1 복제 패턴(112) 및 상기 제1 마스터 패턴(102)이 결합된 형태를 나타낼 수 있다. Specifically, at least a part of the convex portion 102a of the first master pattern 102 and the convex portion 112a of the first copy pattern may be in contact with each other. At least a part of the concave portion 102b of the first master pattern 102 and the concave portion 102b of the first copy pattern may be in contact with each other. Accordingly, the second duplicate pattern 114 may represent a combination of the first duplicate pattern 112 and the first master pattern 102.

도 4b 및 도 4c는 상기 제1 복제 패턴(112)이 상기 제2 복제 패턴(114)으로 변형되는 단계를 더욱 상세히 나타낸다. FIGS. 4B and 4C illustrate in more detail the step of transforming the first duplicate pattern 112 into the second duplicate pattern 114. FIG.

도 1 및 도 4b를 참조하면, 상기 제1 마스터 기판(100)의 상기 제1 마스터 패턴(102)은, 상기 제1 마스터 기판(100)의 상부면의 법선을 회전축으로 회전되어, 상기 제1 복제 패턴(112)과 접촉될 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 마스터 기판(110)이 회전되는 방향은, 시계 방향일 수 있다. 다른 예를 들어, 상기 제1 마스터 기판(110)이 회전되는 방향은, 반시계 방향일 수 있다.Referring to FIGS. 1 and 4B, the first master pattern 102 of the first master substrate 100 is rotated by a rotation axis about the normal line of the upper surface of the first master substrate 100, And may be in contact with the replica pattern 112. For example, the direction in which the first master substrate 110 is rotated may be a clockwise direction. In another example, the direction in which the first master substrate 110 is rotated may be counterclockwise.

일 실시 예에 따르면, 상기 제1 마스터 기판(110)은, 상기 제1 마스터 기판(100)의 상부면의 법선을 회전축으로 시계방향 90°의 각도로 회전되어, 상기 제1 복제 패턴(112)과 접촉될 수 있다. 이에 따라, 상기 제1 마스터 패턴(102)의 연장 방향 및 상기 제1 복제 패턴(112)의 연장 방향은, 서로 교차될 수 있다. 예를 들어, 이 경우, 상기 제2 복제 패턴은 작은 사각형(small square) 형상을 가질 수 있다. According to one embodiment, the first master substrate 110 is rotated at an angle of 90 degrees in the clockwise direction with respect to the normal line of the upper surface of the first master substrate 100, Lt; / RTI > Accordingly, the extending direction of the first master pattern 102 and the extending direction of the first duplicate pattern 112 may intersect with each other. For example, in this case, the second reproduction pattern may have a small square shape.

도 1 및 도 4c를 참조하면, 상기 제1 마스터 기판(100)의 상기 제1 마스터 패턴(102)은, 상기 베이스 기판(120)을 제조하는 단계에서 상기 제1 마스터 기판(100)이 상기 베이스 기판(120)과 접촉된 위치와 비교하여, 상기 제1 마스터 기판(100)의 상부면에 평행한 방향으로, 상기 제1 마스터 기판(100)을 이동시킨 후, 상기 제1 복제 패턴(112)과 접촉될 수 있다. Referring to FIGS. 1 and 4C, the first master pattern 102 of the first master substrate 100 may be formed such that, in the step of manufacturing the base substrate 120, After the first master substrate 100 is moved in a direction parallel to the upper surface of the first master substrate 100 as compared with the position where the first master pattern 100 is in contact with the substrate 120, Lt; / RTI >

일 실시 예에 따르면, 상기 제1 마스터 기판(100)은, 상기 제1 마스터 패턴(102)의 선폭 보다 작은 거리를 이동할 수 있다. 다른 실시 예에 따르면, 상기 제1 마스터 기판(100)은, 상기 제1 마스터 패턴(102)의 선폭 보다 큰 거리를 이동할 수 있다. 다시 말하면, 상기 제1 마스터 기판(100)은, 상기 제1 마스터 패턴(102)의 선폭의 크기와 다른 거리를 이동할 수 있다. 이에 따라, 상기 제1 복제 패턴(112)은 상기 제2 복제 패턴으로 변형될 수 있다.According to one embodiment, the first master substrate 100 can be moved a distance smaller than the line width of the first master pattern 102. According to another embodiment, the first master substrate 100 may be moved at a distance greater than the line width of the first master pattern 102. In other words, the first master substrate 100 can move at a distance different from the line width of the first master pattern 102. Accordingly, the first copying pattern 112 can be transformed into the second copying pattern.

일 실시 예에 따르면, 상기 제1 마스터 기판(110)은, 도 4c에 도시된 Y축 방향으로, 상기 제1 마스터 기판(100)이 이동된 후, 상기 제1 복제 패턴(112)과 접촉될 수 있다. 이에 따라, 상기 제1 마스터 패턴(102)의 연장 방향 및 상기 제1 복제 패턴(112)의 연장 방향은, 서로 같을 수 있다. 이 경우, 예를 들어, 상기 제2 복제 패턴은 좁은 라인(narrow line) 형상을 가질 수 있다. According to one embodiment, the first master substrate 110 is contacted with the first duplicate pattern 112 after the first master substrate 100 is moved in the Y-axis direction shown in FIG. 4C . Accordingly, the extending direction of the first master pattern 102 and the extending direction of the first duplicate pattern 112 may be the same. In this case, for example, the second reproduction pattern may have a narrow line shape.

일 실시 예에 따르면, 상기 제1 마스터 기판(110)은, 도 4b를 참조하여 설명된 방법으로 회전된 후, 도 4c를 참조하여 설명된 방법으로 이동하여 상기 제1 복제 패턴(112)과 접촉될 수 있다. 다른 실시 예에 따르면, 상기 제1 마스터 기판(110)은, 도 4c를 참조하여 설명된 방법으로 이동된 후, 도 4b를 참조하여 설명된 방법으로 회전하여 상기 제1 복제 패턴(112)과 접촉될 수 있다.According to one embodiment, after the first master substrate 110 is rotated by the method described with reference to FIG. 4B, the first master substrate 110 moves in the manner described with reference to FIG. 4C, . According to another embodiment, after the first master substrate 110 is moved by the method described with reference to FIG. 4C, the first master substrate 110 is rotated in the manner described with reference to FIG. 4B to contact the first duplicate pattern 112 .

상술된 바와 같이, 상기 제2 복제 패턴(114)은, 상기 제1 마스터 기판(110)의 회전 및 평행 방향 이동을 통한 제어 방법으로, 다양한 패턴 형상을 나타낼 수 있다. 이에 따라, 상기 제2 복제 패턴(114)은, 상기 제1 마스터 패턴(102), 상기 제1 마스터 패턴(102)의 역상, 상기 제2 마스터 패턴(112), 및 상기 제2 마스터 패턴(112)의 역상과 다를 수 있다.As described above, the second replica pattern 114 is a control method through rotation and parallel movement of the first master substrate 110, and can exhibit various pattern shapes. Accordingly, the second replica pattern 114 is formed on the first master pattern 102, the reversed phase of the first master pattern 102, the second master pattern 112, and the second master pattern 112 ). ≪ / RTI >

즉, 본 발명의 실시 예에 따른 미세 패턴의 제어 방법으로 형성되는 미세 패턴은, 동일한 마스터 패턴 이용하여, 마스터 패턴의 역상의 복제 패턴 외에, 다른 형상의 패턴을 제조할 수 있다. 이에 따라, 상기 실시 예에 따른 미세 패턴의 제어 방법으로 형성되는 미세 패턴은, 각종 리소그래피(예를 들어, 광리소그래피, 이빔 리소그래피 등) 또는 분자자기조립 방법으로 형성되는 종래의 미세 패턴 보다 공정 시간이 단축되고, 공정 비용이 절감될 수 있다.  That is, the fine pattern formed by the control method of the fine pattern according to the embodiment of the present invention can produce a pattern of a different shape in addition to the duplicate pattern of the reverse phase of the master pattern by using the same master pattern. Accordingly, the fine pattern formed by the control method of the fine pattern according to the above-described embodiment is shorter than the conventional fine pattern formed by the various lithography (for example, photolithography, i-beam lithography, etc.) And the process cost can be reduced.

도 1 및 도 5를 참조하면, 상기 제2 복제 패턴(114)을 포함하는 상기 베이스 기판(110) 상에 기능성 소재(130)가 제공될 수 있다(S150). 상기 베이스 기판(110) 상에 상기 기능성 소재(130)가 제공되기 전, 상기 베이스 기판(110) 및 상기 제1 마스터 기판(100)이 분리될 수 있다. Referring to FIGS. 1 and 5, a functional material 130 may be provided on the base substrate 110 including the second replica pattern 114 (S150). The base substrate 110 and the first master substrate 100 may be separated before the functional material 130 is provided on the base substrate 110.

상기 기능성 소재(130)는, 상기 제2 복제 패턴(114) 상에 제공될 수 있다. 이에 따라, 상기 기능성 소재(130)는, 상기 제2 복제 패턴(114)의 형상과 같은 형상을 나타낼 수 있다.The functional material 130 may be provided on the second replica pattern 114. Accordingly, the functional material 130 may have the same shape as that of the second replica pattern 114.

일 실시 예에 따르면, 상기 기능성 소재(130)는 금속, 세라믹, 반도체, 산화물 등을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 기능성 소재(130)는 백금(Pt), 은(Ag), 니켈(Ni), SiOx, WOx, SnOx, 규소(Si), GST(Ge2Sb2Te5) 등을 포함할 수 있다. (x>0) 다른 실시 예에 따르면, 상기 기능성 소재(130)는 저항메모리 소재, 가스감지 소재, 전극 소재 등 물리적, 화학적, 그리고 전기적 특성 변화를 일으키는 소재 등을 포함할 수 있다.According to one embodiment, the functional material 130 may include metals, ceramics, semiconductors, oxides, and the like. For example, the functional material 130 is platinum (Pt), silver (Ag), nickel (Ni), SiO x, WO x, SnO x, silicon (Si), GST (Ge 2 Sb 2 Te 5), etc. . ≪ / RTI >(x> 0). According to another embodiment, the functional material 130 may include materials that cause physical, chemical, and electrical characteristics changes such as a resistance memory material, a gas sensing material, and an electrode material.

일 실시 예에 따르면, 상기 기능성 소재(130)는 물리적 증착, 코팅 방법 등으로 제공될 수 있다. 예를 들어, 상기 기능성 소재(130)는 sputter, e-beam evaporation, thermal evaporation 방법 등으로 제공될 수 있다. According to one embodiment, the functional material 130 may be provided by physical vapor deposition, a coating method, or the like. For example, the functional material 130 may be provided by sputtering, e-beam evaporation, thermal evaporation, or the like.

도 1 및 도 6을 참조하면, 타겟(target) 기판(300)이 준비된다. 상기 기능성 소재(130)는, 상기 타겟 기판(300) 상에 전사될 수 있다(S160). Referring to FIGS. 1 and 6, a target substrate 300 is prepared. The functional material 130 may be transferred onto the target substrate 300 (S160).

상기 타겟 기판(300)은, 상기 기능성 소재(130)가 전사됨에 따라, 상기 제2 복제 패턴(114)의 형상과 같은 형상을 나타낼 수 있다.The target substrate 300 may have the same shape as that of the second replication pattern 114 as the functional material 130 is transferred.

일 실시 예에 따르면, 상기 기능성 소재(130)를 상기 타겟 기판(300) 상에 전사하는 단계는, 상기 타겟 기판(300) 및 상기 기능성 소재(130)가 제공된 상기 베이스 기판(110)을 접촉시키는 단계, 및 상기 타겟 기판(300)으로부터 상기 기능성 소재(130)가 제공된 상기 베이스 기판(110)을 분리시키는 단계를 포함할 수 있다.The step of transferring the functional material 130 onto the target substrate 300 may include the step of contacting the target substrate 300 with the base substrate 110 provided with the functional material 130 And separating the base substrate 110 provided with the functional material 130 from the target substrate 300.

일 실시 예에 따르면, 상기 기능성 소재(130)가 제공된 상기 베이스 기판(110) 및 상기 타겟 기판(300)이 접촉되기 전, 상기 기능성 소재(130)가 제공된 상기 베이스 기판(110) 상에 인플레이트 가스(inflate gas)가 제공될 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 상기 인플레이트 가스는, 상기 베이스 기판(110)이 용해 가능한 용매가 기화된 기체일 수 있다. 예를 들어, 상기 용매는 톨루엔(toluene)일 수 있다. 상기 인플레이트 가스가 상기 베이스 기판(110)에 흡수되어, 상기 기능성 소재(130)는, 상기 타겟 기판(300) 상에 용이하게 전사될 수 있다. According to one embodiment, before the base substrate 110 and the target substrate 300 provided with the functional material 130 are brought into contact with each other, the base material 110 provided with the functional material 130 is inflated An inflate gas may be provided. According to one embodiment, the inflation gas may be a vaporized solvent in which the base substrate 110 is soluble. For example, the solvent may be toluene. The inflated gas is absorbed by the base substrate 110 so that the functional material 130 can be easily transferred onto the target substrate 300.

일 실시 예에 따르면, 상기 기능성 소재(130)가 제공된 상기 베이스 기판(110)이 상기 타겟 기판(300)으로부터 분리되기 전, 상기 타겟 기판(300) 상에 자외선이 조사되거나 열처리될 수 있다. 이에 따라, 상기 베이스 기판(110)은, 상기 타겟 기판(300)으로부터 용이하게 분리될 수 있다. 상기 기능성 소재(130)의 패턴 전사 후, 용매를 이용하여 세척이나 열처리 공정 등을 통하여 상기 베이스 기판(110) 연성 물질 또는 잔존하는 상기 기능성 소재(130)는 제거될 수 있다.According to an embodiment, the target substrate 300 may be irradiated with ultraviolet rays or heat-treated before the base substrate 110 provided with the functional material 130 is separated from the target substrate 300. Accordingly, the base substrate 110 can be easily separated from the target substrate 300. After pattern transfer of the functional material 130, the soft material of the base substrate 110 or the remaining functional material 130 may be removed through a cleaning process or a heat treatment process using a solvent.

이하, 상술된 제1 실시 예에 따른 미세 패턴의 형상 제어 방법과 달리, 본 발명의 제2 실시 예에 따르면, 상기 제2 복제 패턴(114)은, 상기 제1 마스터 기판(100)과 서로 다른 제2 마스터 기판(200) 및 상기 베이스 기판(110)이 접촉되어 형성될 수 있다. 이하, 도 7a 및 도 7b를 참조하여, 본 발명의 제2 실시 예에 따른 미세 패턴의 형상 제어 방법이 설명된다. The second replica pattern 114 is different from the first master substrate 100 according to the second embodiment of the present invention, unlike the method of controlling the shape of the fine pattern according to the first embodiment described above. The second master substrate 200 and the base substrate 110 may be in contact with each other. Hereinafter, with reference to Figs. 7A and 7B, a method of controlling the shape of the fine pattern according to the second embodiment of the present invention will be described.

도 7a 및 도 7b는 본 발명의 제2 실시 예에 따른 미세 패턴의 형상 제어 공정을 나타내는 도면이다. 7A and 7B are views showing a process of controlling the shape of a fine pattern according to the second embodiment of the present invention.

도 7a를 참조하면, 도 1 내지 도 3b를 참조하여 설명된 바와 같이, 상기 제1 마스터 패턴(102)을 포함하는 상기 제1 마스터 기판(100) 상에 상기 연성 물질이 제공되어, 상기 제1 복제 패턴(112)을 포함하는 상기 베이스 기판(110)이 제조될 수 있다. Referring to FIG. 7A, as described with reference to FIGS. 1 to 3B, the soft material is provided on the first master substrate 100 including the first master pattern 102, The base substrate 110 including the replication pattern 112 can be manufactured.

도 7b를 참조하면, 상기 제2 마스터 패턴(202)을 포함하는 상기 제2 마스터 기판(200)이 준비된다. 다만, 상기 제2 마스터 기판(200)은, 상기 제1 마스터 기판(100)과 다를 수 있다. 또한, 상기 제2 마스터 패턴(202)의 형상 및 상기 제1 마스터 패턴(102)의 형상도 서로 다를 수 있다. Referring to FIG. 7B, the second master substrate 200 including the second master pattern 202 is prepared. However, the second master substrate 200 may be different from the first master substrate 100. Also, the shape of the second master pattern 202 and the shape of the first master pattern 102 may be different from each other.

이후, 도 1 내지 도 6을 참조하여 설명된 바와 같이, 상기 제1 복제 패턴(112)이 상기 제2 복제 패턴(114)으로 변형될 수 있다. 다만, 상기 제2 마스터 기판(200) 및 상기 제1 마스터 기판(100)이 서로 다를 수 있다. 이에 따라, 상기 제1 복제 패턴(112)은, 상기 제2 마스터 기판(200) 및 상기 베이스 기판(110)이 접촉되어 상기 제2 복제 패턴(114)으로 변형될 수 있다.As described with reference to FIGS. 1 to 6, the first copying pattern 112 may be transformed into the second copying pattern 114. However, the second master substrate 200 and the first master substrate 100 may be different from each other. Accordingly, the first duplicate pattern 112 may be deformed into the second duplicate pattern 114 by contacting the second master substrate 200 and the base substrate 110.

일 실시 예에 따르면, 상기 제1 마스터 패턴(102)은, 사각형(square) 형상을 가질 수 있다. 이에 따라, 상기 제1 복제 패턴(112)은, 상기 제1 마스터 패턴(102)의 역상인 그물(mesh) 형상을 가질 수 있다.According to one embodiment, the first master pattern 102 may have a square shape. Accordingly, the first duplicate pattern 112 may have a mesh shape that is a reverse phase of the first master pattern 102.

일 실시 예에 따르면, 상기 제2 마스터 패턴(202)은, 상기 제1 마스터 패턴(102)과 서로 다른, 좁은 라인 형상을 가질 수 있다. According to one embodiment, the second master pattern 202 may have a narrow line shape different from the first master pattern 102.

일 실시 예에 따르면, 상기 제2 복제 패턴(114)은, 그물 형상을 갖는 상기 제1 복제 패턴(112) 및 좁은 라인 형상을 갖는 상기 제2 마스터 패턴(202)이 접촉되어 형성될 수 있다. 다시 말하면, 상기 제2 마스터 기판(200)으로 상기 베이스 기판(110)을 눌러, 상기 베이스 기판(110)의 상기 제1 복제 패턴(112)을 상기 제2 복제 패턴(114)으로 변형시킬 수 있다. 이에 따라, 상기 제2 복제 패턴(114)은, 웨이브(wave) 형상을 가질 수 있다. According to one embodiment, the second replica pattern 114 may be formed by contacting the first replica pattern 112 having a net shape and the second master pattern 202 having a narrow line shape. In other words, the first duplicate pattern 112 of the base substrate 110 may be deformed into the second duplicate pattern 114 by pressing the base substrate 110 with the second master substrate 200 . Accordingly, the second replica pattern 114 may have a wave shape.

즉, 상기 제2 실시 예에 따른 미세 패턴의 제어 방법으로 형성되는 미세 패턴은, 서로 다른 상기 제1 마스터 기판(100) 및 상기 제2 마스터 기판(200)의 다양한 조합으로 형성될 수 있다. 이에 따라, 상기 미세 패턴은, 다양한 형상을 가질 수 있다.That is, the fine pattern formed by the fine pattern control method according to the second embodiment may be formed by various combinations of the first master substrate 100 and the second master substrate 200, which are different from each other. Accordingly, the fine pattern may have various shapes.

상기 제2 복제 패턴(114)을 포함하는 상기 베이스 기판(110) 상에 기능성 소재(130)가 제공될 수 있다. 상기 기능성 소재(130)는, 상기 타겟 기판(300) 상에 전사될 수 있다. The functional material 130 may be provided on the base substrate 110 including the second replication pattern 114. [ The functional material 130 may be transferred onto the target substrate 300.

상술된 본 발명의 실시 예에 따른 미세 패턴의 형상 방법은, 상기 제1 마스터 패턴(102)을 포함하는 상기 제1 마스터 기판(100)을 준비하는 단계, 상기 제1 마스터 기판(100) 상에 상기 연성 물질을 제공하는 단계, 상기 연성 물질을 상기 제1 마스터 기판(100)으로부터 분리하여, 상기 제1 마스터 패턴(102)의 역상을 갖는 상기 제1 복제 패턴(112)을 포함하는 상기 베이스 기판(110)을 제조하는 단계, 상기 제2 마스터 패턴(202)을 포함하는 상기 제2 마스터 기판(200)과 상기 베이스 기판(110)을 접촉시켜, 상기 제1 복제 패턴(112)을 상기 제2 복제 패턴(114)으로 변형시키는 단계, 상기 제2 복제 패턴(112)을 포함하는 상기 베이스 기판(110) 상에 상기 기능성 소재(130)를 제공하는 단계, 및 상기 기능성 소재(130)를 타겟 기판(300) 상에 전사하는 단계를 포함할 수 있다. The method of forming a fine pattern according to an embodiment of the present invention may include the steps of preparing the first master substrate 100 including the first master pattern 102, (112) having a reverse phase of the first master pattern (102), separating the malleable material from the first master substrate (100) (110); contacting the second master substrate (200) including the second master pattern (202) with the base substrate (110) to form the first duplicate pattern (112) Providing the functional material (130) on the base substrate (110) including the second replica pattern (112), and forming the functional material (130) on the target substrate (300). ≪ / RTI >

상기 제2 복제 패턴(114)은, 상기 제1 마스터 기판(100) 및 상기 제2 마스터 기판(200)이 서로 동일한 경우, 상기 제1 마스터 패턴(102) 및 상기 제1 복제 패턴(112)이 접촉되어 형성될 수 있다. 이 경우, 상기 제1 마스터 기판(100)은, 상기 제1 마스터 기판(100)의 상부면의 법선을 회전축으로 회전되거나 상기 제1 마스터 기판(100)의 상부면에 평행한 방향으로 이동되어 제공될 수 있다. When the first master pattern 100 and the second master pattern 200 are identical to each other, the first master pattern 102 and the first duplicate pattern 112 And can be formed in contact with each other. In this case, the first master substrate 100 is moved in a direction parallel to the upper surface of the first master substrate 100 or rotated by a rotation axis about the normal line of the upper surface of the first master substrate 100 .

또한, 상기 제2 복제 패턴(114)은, 상기 제1 마스터 기판(100) 및 상기 제2 마스터 기판(200)이 서로 다른 경우, 상기 제2 마스터 패턴(202) 및 상기 제1 복제 패턴(112)이 접촉되어 형성될 수 있다.When the first master substrate 100 and the second master substrate 200 are different from each other, the second master pattern 202 and the first master pattern 200 May be formed in contact with each other.

이에 따라, 상기 실시 예에 따른 미세 패턴의 형상 제어 방법은, 미세 패턴을 용이하게 다양한 형상 및 크기로 제어할 수 있다. Accordingly, the fine pattern shape control method according to the embodiment can easily control the fine pattern to various shapes and sizes.

이하, 상기 제1 마스터 기판(100)이 포함하는 상기 제1 마스터 패턴(102) 및 상기 제2 마스터 기판(200)이 포함하는 상기 제2 마스터 패턴(202)의 다양한 형상에 따라 나타나는 상기 제2 복제 패턴(114)의 형상이 설명된다. The second master pattern 202 included in the first master pattern 102 and the second master pattern 200 included in the first master substrate 100, The shape of the replica pattern 114 will be described.

도 8은 본 발명의 제1 실시 예에 따라 제조된 제2 복제 패턴의 다양한 형상을 나타내는 도면이다. 8 is a view showing various shapes of a second reproduction pattern produced according to the first embodiment of the present invention.

도 8의 (a)를 참조하면, 상기 제1 마스터 패턴(102)은 넓은 라인(wide line) 형상을 가질 수 있다. 상기 제1 복제 패턴(112)은, 도 1 내지 도 4b를 참조하여 설명된 것과 같이, 상기 제1 마스터 패턴(102)의 역상인 좁은 라인(narrow line) 형상을 가질 수 있다. 상기 제2 복제 패턴(114)은, 상기 제1 마스터 기판(100)의 상부면의 법선을 회전축으로 시계방향으로 90°의 각도로 회전된 상기 제1 마스터 기판(100) 및 상기 베이스 기판(110)이 접촉되어 변형될 수 있다. 이에 따라, 상기 제2 복제 패턴(114)은, 작은 사각형(small square) 형상을 나타낼 수 있다. Referring to FIG. 8A, the first master pattern 102 may have a wide line shape. The first duplicate pattern 112 may have a narrow line shape that is a reverse phase of the first master pattern 102, as described with reference to FIGS. 1 to 4B. The second replica pattern 114 is formed on the first master substrate 100 and the base substrate 110 rotated at an angle of 90 degrees clockwise with the normal line of the upper surface of the first master substrate 100, May be contacted and deformed. Accordingly, the second replica pattern 114 may have a small square shape.

도 8의 (b)를 참조하면, 상기 제1 마스터 패턴(102)은 좁은 라인형상을 가질 수 있다. 상기 제1 복제 패턴(112)은, 도 1 내지 도 4b를 참조하여 설명된 것과 같이, 상기 제1 마스터 패턴(102)의 역상인 넓은 라인 형상을 가질 수 있다. 상기 제2 복제 패턴(114)은, 상기 제1 마스터 기판(100)의 상부면의 법선을 회전축으로 시계방향으로 90°의 각도로 회전된 상기 제1 마스터 기판(100) 및 상기 베이스 기판(110)이 접촉되어 변형될 수 있다. 이에 따라, 상기 제2 복제 패턴(114)은, 큰 사각형(big square) 형상을 나타낼 수 있다. Referring to FIG. 8 (b), the first master pattern 102 may have a narrow line shape. The first duplicate pattern 112 may have a wide line shape which is a reverse phase of the first master pattern 102, as described with reference to FIGS. 1 to 4B. The second replica pattern 114 is formed on the first master substrate 100 and the base substrate 110 rotated at an angle of 90 degrees clockwise with the normal line of the upper surface of the first master substrate 100, May be contacted and deformed. Accordingly, the second replica pattern 114 may exhibit a large square shape.

도 8의 (c)를 참조하면, 도 8의 (b)를 참조하여 설명된 큰 사각형 형상을 갖는 상기 베이스 기판(110)이 준비된다. 상기 제2 복제 패턴(114)은, 상기 제1 마스터 기판(100)의 상부면의 법선을 회전축으로 시계방향으로 45°의 각도로 회전된 상기 제1 마스터 기판(100) 및 상기 베이스 기판(110)이 접촉되어 변형될 수 있다. 이에 따라, 상기 제2 복제 패턴(114)은, 삼각형(triangle) 형상을 나타낼 수 있다. Referring to FIG. 8 (c), the base substrate 110 having a large rectangular shape described with reference to FIG. 8 (b) is prepared. The second replica pattern 114 is formed on the first master substrate 100 and the base substrate 110 rotated at an angle of 45 degrees clockwise with the normal line of the upper surface of the first master substrate 100, May be contacted and deformed. Accordingly, the second duplicate pattern 114 may have a triangle shape.

도 8의 (d)를 참조하면, 상기 제1 마스터 패턴(102)은 사각형(square)형상을 가질 수 있다. 상기 제1 복제 패턴(112)은, 도 1 내지 도 4c를 참조하여 설명된 것과 같이, 상기 제1 마스터 패턴(102)의 역상인 그물(mesh) 형상을 가질 수 있다. 상기 제2 복제 패턴(114)은, 상기 베이스 기판(120)을 제조하는 단계에서 상기 제1 마스터 기판(100)이 상기 베이스 기판(120)과 접촉된 위치와 비교하여, 상기 제1 마스터 기판(100)의 상부면에 평행한 방향으로 이동된 상기 제1 마스터 기판(100) 및 상기 베이스 기판(110) 이 접촉되어 변형될 수 있다. 이에 따라, 상기 제2 복제 패턴(114)은, 작은 사각형 형상을 나타낼 수 있다.Referring to FIG. 8 (d), the first master pattern 102 may have a square shape. The first duplicate pattern 112 may have a mesh shape that is an inverse of the first master pattern 102, as described with reference to FIGS. 1 to 4C. The second replica pattern 114 may be formed on the first master substrate 100 in comparison with the position where the first master substrate 100 is in contact with the base substrate 120 in the step of manufacturing the base substrate 120. [ The first master substrate 100 and the base substrate 110, which are moved in a direction parallel to the upper surface of the base substrate 100, may contact and deform. Accordingly, the second replica pattern 114 may have a small rectangular shape.

도 9는 본 발명의 제2 실시 예에 따라 제조된 제2 복제 패턴의 다양한 형상을 나타내는 도면이다. 9 is a view showing various shapes of a second reproduction pattern produced according to the second embodiment of the present invention.

도 9의 (a)를 참조하면, 상기 제1 마스터 패턴(102)은 넓은 라인 형상을 가질 수 있다. 상기 제1 복제 패턴(112)은, 도 1 내지 도 4b를 참조하여 설명된 것과 같이, 상기 제1 마스터 패턴(102)의 역상인 좁은 라인 형상을 가질 수 있다. 상기 제2 마스터 패턴(202)은 좁은 라인 형상을 가질 수 있다. 상기 제2 복제 패턴(114)은, 상기 제2 마스터 기판(200)의 상부면의 법선을 회전축으로 시계방향으로 90°의 각도로 회전된 상기 제2 마스터 기판(200) 및 상기 베이스 기판(110)이 접촉되어 변형될 수 있다. 이에 따라, 상기 제2 복제 패턴(114)은, 대시 라인(dash line) 형상을 나타낼 수 있다. Referring to FIG. 9A, the first master pattern 102 may have a wide line shape. The first duplicate pattern 112 may have a narrow line shape, which is a reverse phase of the first master pattern 102, as described with reference to FIGS. 1 to 4B. The second master pattern 202 may have a narrow line shape. The second replica pattern 114 is formed on the second master substrate 200 and the base substrate 110, which are rotated at an angle of 90 degrees in the clockwise direction with the normal line of the upper surface of the second master substrate 200, May be contacted and deformed. Accordingly, the second duplicate pattern 114 may represent a dash line shape.

도 9의 (b)를 참조하면, 상기 제1 마스터 패턴(102)은 사각형 형상을 가질 수 있다. 상기 제1 복제 패턴(112)은, 도 1 내지 도 4c를 참조하여 설명된 것과 같이, 상기 제1 마스터 패턴(102)의 역상인 그물(mesh) 형상을 가질 수 있다. 상기 제2 마스터 패턴(202)은 좁은 라인 형상을 가질 수 있다. 상기 제2 복제 패턴(114)은, 상기 제2 마스터 기판(200)의 상부면에 평행한 방향으로 이동된 상기 제2 마스터 기판(200) 및 상기 베이스 기판(110) 이 접촉되어 변형될 수 있다. 이에 따라, 상기 제2 복제 패턴(114)은, 웨이브(wave) 형상을 나타낼 수 있다.Referring to FIG. 9 (b), the first master pattern 102 may have a rectangular shape. The first duplicate pattern 112 may have a mesh shape that is an inverse of the first master pattern 102, as described with reference to FIGS. 1 to 4C. The second master pattern 202 may have a narrow line shape. The second replica pattern 114 may be deformed by contacting the second master substrate 200 and the base substrate 110 moved in a direction parallel to the upper surface of the second master substrate 200 . Accordingly, the second replica pattern 114 can exhibit a wave shape.

이하, 상술된 본 발명의 실시 예들에 따른 미세 패턴의 형상 제어 방법의 구체적인 실험 예가 설명된다.Hereinafter, specific experimental examples of the method of controlling the shape of the fine pattern according to the embodiments of the present invention described above will be described.

도 10은 본 발명의 실시 예들에 따른 미세 패턴의 형상 제어 방법에 사용되는 제1 마스터 패턴 및 제2 마스터 패턴을 촬영한 사진이다. 10 is a photograph of the first master pattern and the second master pattern used in the method of controlling the shape of the fine pattern according to the embodiments of the present invention.

도 10의 (a) 내지 도 10의 (d)를 참조하면, 상기 실시 예들에 따른 미세 패턴의 형상 제어 방법에 사용되는 제1 마스터 패턴 및 제2 마스터 패턴을 광리소그래피(photolithography) 공정을 수행하여 제조하고, SEM(scanning electron microscope) 촬영하였다. 10 (a) to 10 (d), a first master pattern and a second master pattern used in a method of controlling the shape of a fine pattern according to the above embodiments are subjected to a photolithography process And scanning electron microscope (SEM) images were taken.

도 10의 (a)에서 알 수 있듯이, 상기 제1 마스터 패턴 및 상기 제2 마스터 패턴은, 250nm의 선폭을 갖는 좁은 라인(narrow line) 형상으로 제조된 것을 확인할 수 있다. As can be seen from FIG. 10 (a), it can be seen that the first master pattern and the second master pattern are manufactured in a narrow line shape having a line width of 250 nm.

도 10의 (b)에서 알 수 있듯이, 상기 제1 마스터 패턴 및 상기 제2 마스터 패턴은, 1um의 선폭을 갖는 넓은 라인(wide line) 형상으로 제조된 것을 확인할 수 있다. As can be seen from FIG. 10 (b), it can be seen that the first master pattern and the second master pattern are manufactured in a wide line shape having a line width of 1 um.

도 10의 (c)에서 알 수 있듯이, 상기 제1 마스터 패턴 및 상기 제2 마스터 패턴은, 250nm의 선폭을 갖는 그물(mesh) 형상으로 제조된 것을 확인할 수 있다.As can be seen from FIG. 10 (c), it can be seen that the first master pattern and the second master pattern are manufactured in a mesh shape having a line width of 250 nm.

도 10의 (d)에서 알 수 있듯이, 상기 제1 마스터 패턴 및 상기 제2 마스터 패턴은, 800nm의 선폭을 갖는 사각형(square) 형상으로 제조된 것을 확인할 수 있다.10 (d), it can be seen that the first master pattern and the second master pattern are formed in a square shape having a line width of 800 nm.

도 11은 본 발명의 제1 실시 예에 따른 미세 패턴의 형상 제어 방법으로 형성된 미세 패턴을 나타내는 도면이다. 11 is a view showing a fine pattern formed by a method of controlling the shape of a fine pattern according to the first embodiment of the present invention.

도 11의 (a)를 참조하면, 상기 제1 실시 예에 따른 미세 패턴의 형상 제어 방법에 사용되는 제1 마스터 패턴을 광리소그래피 공정을 수행하여 제조하고, 상기 제1 마스터 패턴을 SEM 촬영하였다. 도 11의 (a)에서 알 수 있듯이, 상기 제1 마스터 패턴은, 250nm의 선폭을 갖는 좁은 라인 형상으로 제조된 것을 확인할 수 있다.Referring to FIG. 11A, a first master pattern used in a method of controlling a shape of a fine pattern according to the first embodiment is manufactured by performing a photolithography process, and the first master pattern is SEM photographed. As can be seen from FIG. 11 (a), it can be confirmed that the first master pattern is manufactured in a narrow line shape having a line width of 250 nm.

도 11의 (b)를 참조하면, 도 11의 (a)를 참조하여 제조된 상기 제1 마스터 패턴 상에 연성 물질을 제공하여 제1 복제 패턴을 제조하고, 상기 제1 복제 패턴을 SEM 촬영하였다. 도 11의 (b)에서 알 수 있듯이, 상기 제1 복제 패턴은, 도 11의 (a)를 참조하여 제조된 상기 제1 마스터 패턴의 역상과 같은 넓은 라인 형상으로 제조된 것을 확인할 수 있다. Referring to FIG. 11 (b), a first replication pattern is prepared by providing a soft material on the first master pattern manufactured with reference to FIG. 11 (a), and the first replication pattern is photographed by SEM . As can be seen from FIG. 11 (b), it can be seen that the first duplicate pattern was manufactured in a wide line shape like the reversed phase of the first master pattern manufactured with reference to FIG. 11 (a).

도 11의 (c)를 참조하면, 도 11의 (b)를 참조하여 제조된 상기 제1 복제 패턴 및 도 11의 (a)를 참조하여 제조된 상기 제1 마스터 패턴을 제1 마스터 기판의 상부면의 법선을 회전축으로 시계방향으로 45°의 각도로 회전시킨 후, 접촉시켜 제2 복제 패턴을 제조하고, 상기 제2 복제 패턴을 SEM 촬영하였다. 도 11의 (c)에서 알 수 있듯이, 상기 제2 복제 패턴은, 큰 사각형(big square) 형상으로 제조된 것을 확인할 수 있다. 11 (c), the first duplicate pattern produced with reference to FIG. 11 (b) and the first master pattern produced with reference to FIG. 11 (a) The normal line of the surface was rotated at an angle of 45 degrees in the clockwise direction with the rotation axis, and then contacted to produce a second duplicate pattern, and the second duplicate pattern was SEM photographed. As can be seen from FIG. 11 (c), it can be seen that the second replica pattern is manufactured in a large square shape.

도 11의 (d)를 참조하면, 도 11의 (b)를 참조하여 제조된 상기 제1 복제 패턴 상에 기능성 소재를 제공하고, 상기 기능성 소재를 타겟 기판 상에 전사한 뒤, 상기 타겟 기판을 SEM 촬영하였다. 도 11의 (d)에서 알 수 있듯이, 상기 타겟 기판 상에, 상기 제1 복제 패턴과 같은 넓은 라인 형상으로 상기 기능성 소재가 전사된 것을 확인할 수 있다.Referring to FIG. 11 (d), a functional material is provided on the first copy pattern manufactured with reference to FIG. 11 (b), the functional material is transferred onto a target substrate, SEM images were taken. As can be seen from FIG. 11 (d), it can be confirmed that the functional material is transferred onto the target substrate in a wide line shape like the first copy pattern.

도 11의 (e)를 참조하면, 도 11의 (c)를 참조하여 제조된 상기 제2 복제 패턴 상에 기능성 소재를 제공하고, 상기 기능성 소재를 타겟 기판 상에 전사한 뒤, 상기 타겟 기판을 SEM 촬영하였다. 도 11의 (e)에서 알 수 있듯이, 상기 타겟 기판 상에, 상기 제2 복제 패턴과 같은 큰 사각형 형상으로 상기 기능성 소재가 전사된 것을 확인할 수 있다. Referring to FIG. 11 (e), a functional material is provided on the second copy pattern manufactured with reference to FIG. 11 (c), the functional material is transferred onto a target substrate, SEM images were taken. As can be seen from FIG. 11 (e), it can be confirmed that the functional material is transferred onto the target substrate in a large quadrangular shape like the second replica pattern.

이상, 본 발명을 바람직한 실시 예를 사용하여 상세히 설명하였으나, 본 발명의 범위는 특정 실시 예에 한정되는 것은 아니며, 첨부된 특허청구범위에 의하여 해석되어야 할 것이다. 또한, 이 기술분야에서 통상의 지식을 습득한 자라면, 본 발명의 범위에서 벗어나지 않으면서도 많은 수정과 변형이 가능함을 이해하여야 할 것이다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the scope of the present invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments. It will also be appreciated that many modifications and variations will be apparent to those skilled in the art without departing from the scope of the present invention.

100: 제1 마스터 기판
102: 제1 마스터 패턴
102a: 제1 마스터 패턴의 볼록부
102b: 제1 마스터 패턴의 오목부
110: 베이스 기판
112: 제1 복제 패턴
112a: 제1 복제 패턴의 볼록부
112b: 제1 복제 패턴의 오목부
114: 제2 복제 패턴
120: 접착 필름
130: 기능성 소재
300: 타겟 기판100: first master substrate
102: First master pattern
102a: convex portion of the first master pattern
102b: concave portion of the first master pattern
110: Base substrate
112: First duplication pattern
112a: convex portion of the first reproduction pattern
112b: concave portion of the first replica pattern
114: Second copy pattern
120: Adhesive film
130: Functional material
300: target substrate

Claims (10)

제1 마스터 패턴을 포함하는 제1 마스터 기판을 준비하는 단계;
상기 제1 마스터 기판 상에 연성 물질을 제공하는 단계;
상기 연성 물질을 상기 제1 마스터 기판으로부터 분리하여, 상기 제1 마스터 패턴의 역상을 갖는 제1 복제 패턴을 포함하는 베이스 기판을 제조하는 단계;
제2 마스터 패턴을 포함하는 제2 마스터 기판과 상기 베이스 기판을 접촉시켜, 상기 제1 복제 패턴을 제2 복제 패턴으로 변형시키는 단계;
상기 제2 복제 패턴을 포함하는 상기 베이스 기판 상에 기능성 소재를 제공하는 단계; 및
상기 기능성 소재를 타겟(target) 기판 상에 전사하는 단계;를 포함하는 미세 패턴의 형상 제어 방법.
Preparing a first master substrate including a first master pattern;
Providing a soft material on the first master substrate;
Separating the soft material from the first master substrate to produce a base substrate including a first replica pattern having a reverse phase of the first master pattern;
Transforming the first duplicate pattern into a second duplicate pattern by contacting the base substrate with a second master substrate including a second master pattern;
Providing a functional material on the base substrate including the second replica pattern; And
And transferring the functional material onto a target substrate.
제1 항에 있어서,
상기 제1 마스터 기판 및 상기 제2 마스터 기판은 서로 동일한 것을 포함하는 미세 패턴의 형상 제어 방법.
The method according to claim 1,
Wherein the first master substrate and the second master substrate are the same.
제2 항에 있어서,
상기 베이스 기판을 제조하는 단계는,
상기 제1 마스터 패턴의 오목부 및 상기 제1 복제 패턴의 볼록부가 대응되고, 상기 제1 마스터 패턴의 볼록부 및 상기 제1 복제 패턴의 오목부가 대응되고,
상기 제1 복제 패턴을 상기 제2 복제 패턴으로 변형시키는 단계는,
상기 제1 마스터 패턴의 볼록부 및 상기 제1 복제 패턴의 볼록부의 적어도 일부가 중첩되도록 접촉되고,
상기 제1 마스터 패턴의 오목부 및 상기 제1 복제 패턴의 오목부의 적어도 일부가 중첩되도록 접촉되는 것을 포함하는 미세 패턴의 형상 제어 방법.
3. The method of claim 2,
The step of fabricating the base substrate may include:
The concave portion of the first master pattern and the convex portion of the first replica pattern correspond to each other, the convex portion of the first master pattern and the concave portion of the first replica pattern correspond to each other,
Wherein the step of transforming the first reproduction pattern into the second reproduction pattern comprises:
The convex portion of the first master pattern and the convex portion of the first copy pattern are brought into contact with each other so as to overlap with each other,
Wherein the concave portion of the first master pattern and the concave portion of the first duplicate pattern are in contact with each other so as to overlap each other.
제3 항에 있어서,
상기 제1 복제 패턴을 상기 제2 복제 패턴으로 변형시키는 단계는,
상기 제1 마스터 기판의 상부면의 법선을 회전축으로 회전하여, 상기 제1 마스터 기판의 상기 제1 마스터 패턴을 상기 제1 복제 패턴에 접촉하는 것을 포함하는 미세 패턴의 형상 제어 방법.
The method of claim 3,
Wherein the step of transforming the first reproduction pattern into the second reproduction pattern comprises:
And rotating the normal line of the upper surface of the first master substrate by a rotation axis to bring the first master pattern of the first master substrate into contact with the first copy pattern.
제3 항에 있어서,
상기 제1 복제 패턴을 상기 제2 복제 패턴으로 변형시키는 단계는,
상기 제1 복제 패턴을 포함하는 상기 베이스 기판을 제조하는 단계에서 상기 제1 마스터 기판이 상기 베이스 기판과 접촉된 위치와 비교하여, 상기 제1 마스터 기판의 상부면에 평행한 방향으로, 상기 제1 마스터 기판을 이동시킨 후, 상기 제1 마스터 기판의 상기 제1 마스터 패턴을 상기 제1 복제 패턴에 접촉하는 것을 포함하는 미세 패턴의 형상 제어 방법.
The method of claim 3,
Wherein the step of transforming the first reproduction pattern into the second reproduction pattern comprises:
In the step of manufacturing the base substrate including the first replica pattern, the first master substrate is moved in a direction parallel to the upper surface of the first master substrate in comparison with the position where the first master substrate is in contact with the base substrate, And moving the master substrate to contact the first master pattern of the first master substrate with the first copy pattern.
제1 항에 있어서,
상기 제1 마스터 기판 및 상기 제2 마스터 기판은 서로 다른 것을 포함하는 미세 패턴의 형상 제어 방법.
The method according to claim 1,
Wherein the first master substrate and the second master substrate are different from each other.
제6 항에 있어서,
상기 제1 마스터 패턴의 형상 및 상기 제2 마스터 패턴의 형상은 서로 다른 것을 포함하는 미세 패턴의 형상 제어 방법.
The method according to claim 6,
Wherein the shape of the first master pattern and the shape of the second master pattern are different from each other.
제1 항에 있어서,
상기 타겟 기판 상에 전사된 상기 기능성 소재의 형상은,
상기 제1 마스터 패턴, 상기 제1 마스터 패턴의 역상, 상기 제2 마스터 패턴, 및 상기 제2 마스터 패턴의 역상과 다른 것을 포함하는 미세 패턴의 형상 제어 방법.
The method according to claim 1,
The shape of the functional material transferred onto the target substrate may be,
Wherein the reversed phase of the first master pattern, the reversed phase of the first master pattern, the second master pattern, and the opposite phase of the second master pattern are different from each other.
제1 항에 있어서,
상기 베이스 기판을 제조하는 단계는,
상기 연성 물질을 상기 제1 마스터 기판으로부터 분리하기 전, 상기 연성 물질이 제공된 상기 제1 마스터 기판 상에 자외선(ultraviolet)을 조사하거나 열처리 단계를 포함하는 미세 패턴의 형상 제어 방법.
The method according to claim 1,
The step of fabricating the base substrate may include:
And irradiating ultraviolet light onto the first master substrate provided with the malleable material before the soft material is separated from the first master substrate.
제1 항에 있어서,
상기 기능성 소재를 상기 타겟 기판 상에 전사하는 단계는,
상기 기능성 소재가 전사되기 전, 상기 기능성 소재가 제공된 상기 베이스 기판 상에 자외선을 조사하거나 열처리(50-400oC)하는 단계를 포함하는 미세 패턴의 형상 제어 방법.
The method according to claim 1,
Wherein the step of transferring the functional material onto the target substrate comprises:
Irradiating ultraviolet light or heat treatment (50-400 ° C) on the base substrate provided with the functional material before the functional material is transferred.
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