KR20180132362A - Orgainc light emitting diode display device and timing tuning method thereof - Google Patents

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Abstract

The present invention relates to an organic light emitting diode display device capable of compensating for a data charge variation by sensing the amount of charged data and setting the output period of a data signal appropriately according to the position of a subpixel, and a method of setting timing thereof. According to one embodiment, the organic light emitting diode display device includes a timing controller which senses the amount of charged data of a subpixel for each of a plurality of regions through data ICs and setting the enable period of each source output enable signal for individually controlling the data output period of the data ICs while checking the sensed amount of charged data.

Description

유기 발광 다이오드 표시 장치 및 그의 타이밍 설정 방법{ORGAINC LIGHT EMITTING DIODE DISPLAY DEVICE AND TIMING TUNING METHOD THEREOF}TECHNICAL FIELD [0001] The present invention relates to an organic light emitting diode (OLED) display device and a method of setting the timing of the OLED display device.

본 발명은 데이터 충전량을 센싱하여 서브픽셀의 위치에 따라 적절하게 데이터 신호의 출력 기간을 설정할 수 있는 유기 발광 다이오드 표시 장치 및 그의 타이밍 설정 방법에 관한 것이다.The present invention relates to an organic light emitting diode (OLED) display device and a method of setting a timing of an organic light emitting diode display device capable of appropriately setting an output period of a data signal according to a position of a subpixel by sensing a charged amount of data.

최근 디지털 데이터를 이용하여 영상을 표시하는 표시 장치로는 액정을 이용한 액정 표시 장치(Liquid Crystal Display; LCD), 유기 발광 다이오드(Organic Light Emitting Diode; 이하 OLED)를 이용한 OLED 표시 장치, 전기영동 입자를 이용한 전기영동 표시 장치(ElectroPhoretic Display; EPD) 등이 대표적이다.2. Description of the Related Art Recently, a display device for displaying an image using digital data includes a liquid crystal display (LCD) using liquid crystal, an OLED display using an organic light emitting diode (OLED) And an electrophoretic display (EPD) which uses the electrophoretic display.

이들 중 OLED 표시 장치는 전자와 정공의 재결합으로 유기 발광층을 발광시키는 자발광 소자로 휘도가 높고 구동 전압이 낮으며 초박막화가 가능하여 차세대 표시 장치로 기대되고 있다.Of these, OLED display devices are self-luminous devices that emit organic light-emitting layers by recombination of electrons and holes, and are expected to be a next-generation display device because of their high luminance, low driving voltage, and ultra thin films.

OLED 표시 장치에서 각 서브픽셀은 OLED 소자와, OLED 소자를 독립적으로 구동하는 픽셀 회로를 구비한다. 각 서브픽셀은 게이트 드라이버로부터 해당 게이트 라인에 스캔 펄스가 공급되는 스캔 기간 동안 데이터 드라이버로부터 해당 데이터 라인에 공급되는 데이터 신호를 스위칭 박막트랜지스터(Thin Film Transistor; 이하 TFT)를 통해 공급받아 스토리지 커패시터에 데이터 신호에 상응하는 구동 전압(Vgs)을 충전한다. 각 서브픽셀은 충전된 구동 전압(Vgs)에 따라 구동 TFT가 OLED 소자를 구동하는 전류(Ids)를 조절함으로써 OLED 소자의 밝기를 조절한다.In an OLED display, each sub-pixel has an OLED element and a pixel circuit that independently drives the OLED element. Each sub-pixel receives a data signal supplied from a data driver to a corresponding data line during a scan period in which a scan pulse is supplied from the gate driver to the gate line through a switching thin film transistor (TFT) And charges the driving voltage Vgs corresponding to the signal. Each sub-pixel adjusts the brightness of the OLED element by adjusting the current Ids that the driving TFT drives the OLED element according to the charged driving voltage Vgs.

OLED 표시 장치가 고해상도화 및 대형화되어 갈수록 라인 저항(R) 및 커패시터(C)에 의한 게이트 신호의 RC 딜레이가 증가하고 있다. 이에 따라 서브픽셀의 위치에 따라 게이트 신호의 딜레이 편차에 의해 데이터 충전율이 다르므로 휘도 편차 문제가 초래된다.As the OLED display device becomes higher in resolution and larger in size, the RC delay of the gate signal due to the line resistance (R) and the capacitor (C) increases. Accordingly, since the data charging rate is different due to the delay deviation of the gate signal depending on the position of the subpixel, a luminance deviation problem is caused.

이를 해결하기 위하여, 서브픽셀의 위치에 따라 데이터 신호의 출력 기간을 결정하는 소스 인에이블 신호(Source Output Enable; SOE) 타이밍을 조정하여 게이트 신호의 딜레이로 인한 데이터 충전율 편차를 보상하는 방안이 필요하다.In order to solve this problem, it is necessary to adjust the timing of the source enable signal (SOE) for determining the output period of the data signal according to the position of the subpixel to compensate the data charge rate variation due to the delay of the gate signal .

이때, 표시 장치의 크기나 모델 등과 같은 패널 특성에 따라 게이트/데이터 신호의 타이밍 및 딜레이가 다르므로, 패널 특성에 맞추어 서브픽셀의 위치에 따라 적절하게 SOE 신호의 타이밍을 설정할 필요가 있다.At this time, since the timing and delay of the gate / data signal are different depending on the panel characteristics such as the size of the display device and the model, it is necessary to appropriately set the timing of the SOE signal according to the position of the subpixel in accordance with the panel characteristics.

또한, 표시 장치의 온도 변동에 의해 게이트/데이터 신호의 딜레이가 변동할 수 있으므로, 온도 특성에 맞추어 서브픽셀의 위치에 따라 적절하게 SOE 신호의 타이밍을 조정할 필요가 있다.Further, since the delay of the gate / data signal may fluctuate due to the temperature fluctuation of the display device, it is necessary to appropriately adjust the timing of the SOE signal according to the position of the subpixel in accordance with the temperature characteristic.

본 발명은 데이터 충전량을 센싱하여 서브픽셀의 위치에 따라 적절하게 데이터 신호의 출력 기간을 설정함으로써 데이터 충전량 편차를 보상할 수 있는 유기 발광 다이오드 표시 장치 및 그의 타이밍 설정 방법을 제공한다.The present invention provides an organic light emitting diode (OLED) display device and a method of setting a timing of the organic light emitting diode display device capable of compensating a data charge amount deviation by sensing an amount of charged data and setting an output period of the data signal appropriately according to the position of the subpixel.

일 실시예에 따른 OLED 표시 장치는 표시 패널, 게이트 드라이버, 픽셀 어레이를 복수의 영역으로 분할 구동하는 데이터 IC들과, 데이터 IC들을 통해 복수의 영역들 각각에 대한 서브픽셀의 데이터 충전량을 센싱하고, 센싱된 데이터 충전량을 확인하면서 데이터 IC들의 데이터 출력 기간을 개별적으로 제어하는 각 소스 출력 인에이블 신호의 인에이블 기간을 설정하는 타이밍 컨트롤러를 포함한다.An OLED display device according to an embodiment includes data ICs for dividing and driving a display panel, a gate driver, and a pixel array into a plurality of regions, a data IC for sensing a data charge amount of a subpixel for each of a plurality of regions through data ICs, And a timing controller for setting an enable period of each source output enable signal for individually controlling the data output periods of the data ICs while confirming the charged data amount of the sensed data.

데이터 IC 각각은 스캔 기간 동안 각 서브픽셀의 스토리지 커패시터에 충전된 센싱용 데이터 전압에 따라 구동 TFT로부터 공급되는 전류를 센싱하고 센싱 결과를 각 서브픽셀의 데이터 충전량 센싱값으로 변환하여 타이밍 컨트롤러에 제공한다.Each of the data IC senses the current supplied from the driving TFT in accordance with the sensing data voltage charged in the storage capacitor of each subpixel during the scan period, converts the sensing result into the data charging amount sensing value of each subpixel and provides it to the timing controller .

타이밍 컨트롤러는 게이트 드라이버와 가까운 제1 영역을 구동하며 제1 소스 출력 인에이블 신호에 의해 제어되는 제1 데이터 IC를 통해 제1 영역의 서브픽셀들로부터 센싱된 데이터 충전량의 센싱값들에 대한 제1 평균값을 계산한다. 타이밍 컨트롤러는 제2 영역을 구동하며 제2 소스 출력 인에이블 신호에 의해 제어되는 제2 데이터 IC를 통해, 제2 소스 출력 인에이블 신호의 인에이블 기간을 조정하면서 제2 영역의 서브픽셀들로부터 센싱된 데이터 충전량 센싱값들에 대한 제2 평균값을 계산한다. 타이밍 컨트롤러는 제2 평균값이 제1 평균값과 동일 범위에 속하게 되는 인에이블 기간을 제2 소스 출력 인에이블 신호의 인에이블 기간으로 설정한다. 타이밍 컨트롤러는 데이터 IC들 중 제1 및 제2 데이터 IC를 제외한 다른 데이터 IC들 각각에 대한 소스 출력 인에이블 신호의 인에이블 기간을, 제2 데이터 IC와 동일한 과정을 진행하여 설정한다.The timing controller drives a first region close to the gate driver and receives a first data output signal from the first region through a first data IC controlled by a first source output enable signal, Calculate the average value. The timing controller drives the second region and, through the second data IC controlled by the second source output enable signal, adjusts the enable period of the second source output enable signal while sensing from the subpixels of the second region Lt; RTI ID = 0.0 > a < / RTI > The timing controller sets the enable period in which the second average value falls within the same range as the first average value to the enable period of the second source output enable signal. The timing controller sets the enable period of the source output enable signal for each of the data ICs other than the first and second data ICs among the data ICs through the same process as the second data IC.

타이밍 컨트롤러는 온도 센서를 통해 센싱된 온도가 변동하여 데이터 출력 기간의 타이밍 조정이 필요하다고 판단될 때, 데이터 IC들 각각을 통해 해당 영역의 데이터 충전량 센싱값을 확인하면서 데이터 IC들 각각에 대한 소스 출력 인에이블 신호의 인에이블 기간을 조정한다.When the timing controller determines that the timing of the data output period needs to be adjusted by varying the sensed temperature through the temperature sensor, the timing controller checks the data charge amount sensing value of the corresponding area through each of the data ICs, And adjusts the enable period of the enable signal.

일 실시예는 표시 패널의 크기 등과 같은 특성에 따라 타이밍 설정시 데이터 IC를 통해 서브픽셀들의 데이터 충전 특성을 센싱하여 확인하면서 데이터 IC별로 데이터 신호의 출력 기간(SOE 신호의 인에이블 기간)을 용이하게 설정할 수 있다. 이에 따라, 게이트/데이터 신호의 딜레이로 인한 데이터 충전량 편차를 보상하여 휘도 균일성을 향상시킬 수 있다.In one embodiment, an output period of a data signal (an enable period of an SOE signal) is easily performed for each data IC while sensing and confirming a data charging characteristic of subpixels via a data IC at timing setting according to characteristics such as the size of a display panel Can be set. Accordingly, it is possible to compensate for the variation in data charge amount due to the delay of the gate / data signal, thereby improving the luminance uniformity.

일 실시예는 주변 환경이나 표시 장치의 구동으로 인한 온도 변동에 따라 게이트/데이터 신호의 타이밍이 변동하는 경우에도 데이터 IC를 통해 데이터 충전 특성을 센싱하여 확인하면서 데이터 IC별로 데이터 신호의 출력 기간(SOE 신호의 인에이블 기간) 적절하게 조정함으로써 데이터 충전량 편차를 보상하여 휘도 균일성을 향상시킬 수 있다.In one embodiment, even when the timing of the gate / data signal fluctuates in accordance with the ambient temperature or the temperature fluctuation due to the driving of the display device, the data charging characteristics are sensed through the data IC, Signal enable period) to compensate for the data charge amount deviation, thereby improving the luminance uniformity.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 OLED 표시 장치의 구성을 개략적으로 나타낸 블록도이다.
도 2는 도 1에 도시된 서브픽셀의 구성을 예시한 등가회로도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 SOE 타이밍 튜닝을 위한 OLED 표시 장치의 구성을 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 4는 일 실시예에 따른 OLED 표시 장치에서 게이트 딜레이와 소스 출력 인에이블(SOE) 신호의 인에이블 크기 관계를 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 OLED 표시 장치에서 SOE 타이밍 설정 방법을 단계적으로 나타낸 순서도이다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 OLED 표시 장치에서 서브픽셀의 위치에 따른 SOE 신호의 인에이블 기간이 온도에 따라 조정된 특성을 개략적으로 나타낸 도면이다.1 is a block diagram schematically showing a configuration of an OLED display device according to an embodiment of the present invention.
2 is an equivalent circuit diagram illustrating the configuration of the subpixel shown in FIG.
FIG. 3 is a diagram schematically illustrating a configuration of an OLED display device for SOE timing tuning according to an embodiment of the present invention. Referring to FIG.
4 is a diagram schematically illustrating an enable size relationship between a gate delay and a source output enable (SOE) signal in an OLED display according to an embodiment.
5 is a flowchart illustrating a method of setting an SOE timing in an OLED display according to an exemplary embodiment of the present invention.
FIG. 6 is a diagram schematically illustrating characteristics in which an enable period of an SOE signal according to a position of a sub-pixel is adjusted according to temperature in an OLED display according to an embodiment of the present invention.

이하, 본 발명의 바람직한 실시예들을 첨부 도면을 참조하여 설명하기로 한다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 OLED 표시 장치의 구성을 개략적으로 나타낸 블록도이고, 도 2는 도 1에 도시된 한 서브픽셀의 구성을 예시한 등가회로도이다.FIG. 1 is a block diagram schematically showing a configuration of an OLED display according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is an equivalent circuit diagram illustrating the configuration of one subpixel shown in FIG.

도 1을 참조하면, 일 실시예에 따른 OLED 표시 장치는 표시 패널(100), 게이트 드라이버(200), 데이터 드라이버(300), 타이밍 컨트롤러(400), 메모리(500), 전원부(600), 온도 센서(700) 등을 포함한다.1, an OLED display according to an exemplary embodiment includes a display panel 100, a gate driver 200, a data driver 300, a timing controller 400, a memory 500, a power source 600, Sensor 700, and the like.

표시 패널(100)은 서브픽셀들(SP)이 매트릭스 형태로 배열된 픽셀 어레이를 통해 영상을 표시한다. 기본 픽셀은 화이트(W), 레드(R), 그린(G), 블루(B) 서브픽셀들 중 컬러 혼합으로 화이트 표현이 가능한 적어도 3개 서브픽셀들로 구성될 수 있다. 예를 들면, 기본 픽셀은 R/G/B 조합의 서브픽셀들, W/R/G 조합의 서브픽셀들, B/W/R 조합의 서브픽셀들, G/B/W 조합의 서브픽셀들로 구성되거나, W/R/G/B 조합의 서브픽셀들로 구성될 수 있다.The display panel 100 displays an image through a pixel array in which sub-pixels SP are arranged in a matrix form. The basic pixel can be composed of at least three subpixels capable of white representation by color mixing among white (W), red (R), green (G) and blue (B) subpixels. For example, the basic pixel may be subpixels of R / G / B combination, subpixels of W / R / G combination, subpixels of B / W / R combination, subpixels of G / Or a combination of W / R / G / B combinations of subpixels.

도 2를 참조하면, 각 서브픽셀(SP)은 고전위 구동전압(제1 구동전압; 이하 EVDD) 라인(PW1) 및 저전위 구동전압(제2 구동전압; 이하 EVSS) 라인(PW2) 사이에 접속된 OLED 소자(10)와, OLED 소자(10)를 독립적으로 구동하기 위하여 제1 및 제2 스위칭 TFT(ST1, ST2) 및 구동 TFT(DT)와 스토리지 커패시터(Cst)를 적어도 포함하는 픽셀 회로를 구비한다. 한편, 픽셀 회로는 도 2의 구성과 다른 다양한 구성이 적용될 수 있다.2, each subpixel SP is connected between a high potential driving voltage (first driving voltage: EVDD) line PW1 and a low potential driving voltage (second driving voltage: EVSS) line PW2 A pixel circuit including at least a first and a second switching TFTs ST1 and ST2 and a driving TFT DT and a storage capacitor Cst to independently drive the OLED element 10, Respectively. On the other hand, the pixel circuit may have various configurations different from the configuration of FIG.

스위칭 TFT(ST1, ST2) 및 구동 TFT(DT)는 아몰퍼스 실리콘 (a-Si) TFT, 폴리-실리콘(poly-Si) TFT, 산화물(Oxide) TFT, 또는 유기(Organic) TFT 등이 이용될 수 있다.The switching TFTs ST1 and ST2 and the driving TFT DT may be an amorphous silicon (a-Si) TFT, a poly-Si TFT, an oxide TFT, an organic TFT or the like have.

OLED 소자(10)는 구동 TFT(DT)의 소스 노드(N2)와 접속된 애노드와, EVSS 라인(PW2)과 접속된 캐소드와, 애노드 및 캐소드 사이의 유기 발광층을 구비한다. 애노드는 서브픽셀별로 독립적이지만 캐소드는 전체 서브픽셀들이 공유하는 공통 전극일 수 있다. OLED 소자(10)는 구동 TFT(DT)로부터 구동 전류가 공급되면 캐소드로부터의 전자가 유기 발광층으로 주입되고, 애노드로부터의 정공이 유기 발광층으로 주입되어, 유기 발광층에서 전자 및 정공의 재결합으로 형광 또는 인광 물질을 발광시킴으로써, 구동 전류의 전류값에 비례하는 밝기의 광을 발생한다.The OLED element 10 has an anode connected to the source node N2 of the driving TFT DT, a cathode connected to the EVSS line PW2, and an organic light emitting layer between the anode and the cathode. The anode is independent for each subpixel, but the cathode may be a common electrode shared by all the subpixels. When a driving current is supplied from the driving TFT DT, electrons from the cathode are injected into the organic light-emitting layer, holes from the anode are injected into the organic light-emitting layer, and electrons and holes recombine in the organic light- By emitting phosphors, light of brightness proportional to the current value of the drive current is generated.

제1 스위칭 TFT(ST1)는 게이트 드라이버(200)로부터 제1 게이트 라인(GLn1)에 공급되는 제1 게이트 신호(SCAN)에 의해 구동되고, 데이터 드라이버(300)로부터 데이터 라인(DL)에 공급되는 데이터 전압(Vdata)을 구동 TFT(DT)의 게이트 노드(N1)에 공급한다.The first switching TFT ST1 is driven by the first gate signal SCAN supplied from the gate driver 200 to the first gate line GLn1 and supplied from the data driver 300 to the data line DL And supplies the data voltage Vdata to the gate node N1 of the driving TFT DT.

제2 스위칭 TFT(ST2)는 게이트 드라이버(200)로부터 제2 게이트 라인(GLn2)에 공급되는 제2 게이트 신호(SENSE)에 의해 구동되고, 데이터 드라이버(300)로부터 레퍼런스 라인(REF)에 공급되는 레퍼런스 전압(Vref)을 구동 TFT(DT)의 소스 노드(N2)에 공급한다. 또한, 각 서브픽셀(SP)이 센싱 모드에서 구동될 때, 제2 스위칭 TFT(ST2)는 구동 TFT(DT)로부터 공급된 전류를 플로팅 상태의 레퍼런스 라인(REF)으로 출력한다.The second switching TFT ST2 is driven by the second gate signal SENSE supplied from the gate driver 200 to the second gate line GLn2 and supplied from the data driver 300 to the reference line REF And supplies the reference voltage Vref to the source node N2 of the driving TFT DT. Further, when each sub-pixel SP is driven in the sensing mode, the second switching TFT ST2 outputs the current supplied from the driving TFT DT to the floating reference line REF.

구동 TFT(DT)의 게이트 노드(N1) 및 소스 노드(N2) 사이에 접속된 스토리지 커패시터(Cst)는 스캔 기간 동안 턴-온된 제1 및 제2 스위칭 TFT(ST1, ST2)를 통해 게이트 노드(N1) 및 소스 노드(N2)에 각각 공급된 데이터 전압(Vdata)과 레퍼런스 전압(Vref)의 차전압을 구동 TFT(DT)의 구동 전압(Vgs)으로 충전하고, 제1 및 제2 스위칭 TFT(ST1, ST2)가 오프되는 발광 기간 동안 충전된 구동 전압(Vgs)을 홀딩한다.The storage capacitor Cst connected between the gate node N1 and the source node N2 of the driving TFT DT is connected to the gate node N1 through the first and second switching TFTs ST1 and ST2 turned on during the scan period The difference voltage between the data voltage Vdata and the reference voltage Vref supplied to the first and second switching TFTs N1 and N2 is charged to the driving voltage Vgs of the driving TFT DT, ST1, and ST2 are turned off.

구동 TFT(DT)는 EVDD 라인(PW1)으로부터 공급되는 전류를 스토리지 커패시터(Cst)로부터 공급된 구동 전압(Vgs)에 따라 제어하여 구동 전압(Vgs)에 의해 정해진 구동 전류를 OLED 소자(10)로 공급함으로써 OLED 소자(10)를 발광시킨다.The driving TFT DT controls the current supplied from the EVDD line PW1 in accordance with the driving voltage Vgs supplied from the storage capacitor Cst to drive the driving current determined by the driving voltage Vgs to the OLED element 10 Thereby causing the OLED element 10 to emit light.

구동 TFT(DT)의 특성을 센싱하는 모드일 때, 구동 TFT(DT)는 데이터 드라이버(300)로부터 데이터 라인(DL)을 통해 공급되는 센싱용 데이터 전압(Vdata)을 제1 스위칭 TFT(ST1)를 통해 공급받아 구동한다. 구동 TFT(DT)의 구동 특성(Vth, 이동도)이 반영된 구동 TFT(DT)의 전류는 제2 스위칭 TFT(ST2)를 통해 레퍼런스 라인(REF)의 라인 커패시터에 전압으로 충전되고 데이터 드라이버(300)에 의해 센싱된다.The driving TFT DT supplies the sensing data voltage Vdata supplied from the data driver 300 through the data line DL to the first switching TFT ST1 in the mode for sensing the characteristics of the driving TFT DT. As shown in FIG. The current of the driving TFT DT reflecting the driving characteristic (Vth, mobility) of the driving TFT DT is charged with the voltage to the line capacitor of the reference line REF through the second switching TFT ST2, ).

또한, 각 서브픽셀(SP)의 데이터 충전량을 센싱하는 모드일 때, 제1 및 제2 게이트 신호(SCAN, SENSE)의 스캔 기간 동안 데이터 드라이버(300)로부터 데이터 라인(DL)을 통해 공급되는 센싱용 데이터 전압(Vdata)을 스토리지 커패시터(Cst)에 충전하고, 충전된 전압(데이터 충전량)에 따라 정해진 구동 TFT(DT)의 전류를 제2 스위칭 TFT(ST2) 및 레퍼런스 라인(REF)를 통해 데이터 드라이버(300)에서 전압으로 센싱함으로써, 각 서브픽셀(SP)의 전류를 결정하는 데이터 충전량을 센싱할 수 있다.In the mode for sensing the charged amount of data of each subpixel SP, the sensing signal supplied from the data driver 300 through the data line DL during the scan period of the first and second gate signals SCAN and SENSE, The storage capacitor Cst is charged with the data voltage Vdata for the first switching TFT ST2 and the data of the driving TFT DT determined according to the charged voltage (data charging amount) through the second switching TFT ST2 and the reference line REF By sensing the voltage with the driver 300, it is possible to sense the data charge amount that determines the current of each sub-pixel SP.

게이트 드라이버(200)는 타이밍 컨트롤러(400)로부터 게이트 제어 신호를 공급받아 표시 패널(100)의 다수의 게이트 라인을 구동한다. 게이트 드라이버(200)는 각 게이트 라인의 구동 기간에 게이트 온 전압의 펄스를 해당 게이트 라인에 공급하고, 비구동 기간에는 게이트 오프 전압을 공급한다. 게이트 드라이버(200)는 표시 패널(100) 양측부에 각각 배치되고 게이트 신호를 각 게이트 라인의 양측부에서 동시에 공급함으로써 게이트 신호의 딜레이를 감소시킬 수 있다.The gate driver 200 receives a gate control signal from the timing controller 400 and drives a plurality of gate lines of the display panel 100. The gate driver 200 supplies a pulse of the gate-on voltage to the corresponding gate line in the driving period of each gate line, and supplies a gate-off voltage in the non-driving period. The gate driver 200 may be disposed on both sides of the display panel 100 and may simultaneously supply gate signals on both sides of each gate line to reduce the delay of the gate signal.

게이트 드라이버(200)는 게이트 라인들을 분할 구동하는 다수의 게이트 IC(Integrated Circuit)를 포함함고, 각 게이트 IC는 COF(Chip On Film) 등과 같은 회로 필름에 개별적으로 실장되어 표시 패널(100)의 일측부 또는 양측부에 부착될 수 있다. 이와 달리, 게이트 드라이버(200)는 패널(100)의 픽셀 어레이의 TFT 어레이와 함께 기판의 비표시 영역에 직접 형성되어 패널(100)에 내장되는 GIP(Gate In Panel) 타입으로 형성될 수 있다. The gate driver 200 includes a plurality of gate ICs (Integrated Circuits) for dividing and driving the gate lines. The gate ICs are individually mounted on a circuit film such as COF (Chip On Film) Side or both side portions thereof. Alternatively, the gate driver 200 may be formed in a GIP (Gate In Panel) type which is formed directly in the non-display area of the substrate together with the TFT array of the pixel array of the panel 100 and embedded in the panel 100. [

데이터 드라이버(300)는 타이밍 컨트롤러(400)로부터 공급된 데이터 제어 신호를 이용하여, 타이밍 컨트롤러(400)로부터 공급된 데이터를 아날로그 데이터 전압으로 변환하고 데이터 전압을 표시 패널(100)로 공급한다. 데이터 드라이버(300)는 감마 전압 생성부로부터 공급된 계조별 감마 전압을 이용하여 디지털 데이터를 아날로그 데이터 전압으로 변환한다.The data driver 300 converts the data supplied from the timing controller 400 into an analog data voltage and supplies the data voltage to the display panel 100 using the data control signal supplied from the timing controller 400. [ The data driver 300 converts the digital data into the analog data voltage using the gradation-specific gamma voltage supplied from the gamma voltage generator.

데이터 드라이버(300)는 타이밍 컨트롤러(400)의 제어에 따라 센싱 모드일 때, 데이터 라인으로 센싱용 데이터 전압을 공급하여 각 서브픽셀을 구동하고, 구동된 서브픽셀(SP)의 구동 특성이나 데이터 충전량 특성을 나타내는 픽셀 전류를 레퍼런스 라인(REF)을 통해 전압으로 센싱하고 디지털 센싱 정보(센싱 데이터)로 변환하여 타이밍 컨트롤러(400)에 제공한다.The data driver 300 supplies data voltages for sensing as data lines to drive the respective sub pixels in the sensing mode under the control of the timing controller 400 and controls the driving characteristics of the driven sub pixels SP, (Sensing data) through the reference line REF, and supplies the digital sensing information (sensing data) to the timing controller 400.

데이터 드라이버(300)는 데이터 라인들을 분할 구동하는 다수의 데이터 IC들을 포함하고, 각 데이터 IC는 각 회로 필름에 실장되어 표시 패널(100)에 부착될 수 있다.The data driver 300 includes a plurality of data ICs for dividing and driving the data lines, and each data IC may be mounted on each circuit film and attached to the display panel 100.

메모리(500)에는 타이밍 컨트롤러(400)에서 이용될 각 서브픽셀에 대한 보상 정보가 저장되고 센싱 모드를 통해 업데이트될 수 있다. 예를 들면, 각 서브픽셀의 보상 정보는 서브픽셀간 구동 TFT의 이동도 편차를 보상하기 위한 각 서브픽셀의 이동도 보상값과, 구동 TFT의 Vth를 보상하기 위한 각 서브픽셀의 Vth 보상값 등을 포함할 수 있다.Compensation information for each subpixel to be used in the timing controller 400 is stored in the memory 500 and can be updated through the sensing mode. For example, the compensation information of each subpixel includes a mobility compensation value of each subpixel for compensating the mobility deviation of the subpixel driving TFT, a Vth compensation value of each subpixel for compensating the Vth of the driving TFT . ≪ / RTI >

타이밍 컨트롤러(400)는 외부 시스템으로부터 영상 데이터 및 기초 타이밍 제어 신호들을 공급받는다. 시스템은 컴퓨터, TV 시스템, 셋탑 박스, 태블릿이나 휴대폰 등과 같은 휴대 단말기의 시스템 중 어느 하나일 수 있다. 기초 타이밍 제어 신호들은 도트 클럭, 데이터 인에이블 신호, 수직 동기 신호, 수평 동기 신호 등을 포함할 수 있다.The timing controller 400 receives image data and basic timing control signals from an external system. The system may be any one of a system of a portable terminal such as a computer, a TV system, a set-top box, a tablet or a mobile phone. The basic timing control signals may include a dot clock, a data enable signal, a vertical synchronization signal, a horizontal synchronization signal, and the like.

타이밍 컨트롤러(400)는 외부로부터 공급받은 기초 타이밍 제어 신호들과 내부 레지스터에 저장된 타이밍 설정 정보(스타트 타이밍, 펄스폭 등)를 이용하여 데이터 드라이버(300) 및 게이트 드라이버(200)의 구동 타이밍을 각각 제어하는 데이터 제어 신호들 및 게이트 제어 신호들을 생성하여 공급한다.The timing controller 400 sets the driving timings of the data driver 300 and the gate driver 200 using the basic timing control signals supplied from the outside and the timing setting information (start timing, pulse width, etc.) stored in the internal registers And generates and supplies data control signals and gate control signals to be controlled.

예를 들면, 게이트 제어 신호들은 게이트 드라이버(200)의 스캔 동작을 제어하는 게이트 스타트 펄스(Gate Start Pulse; GSP) 및 게이트 쉬프트 클럭(Gate Shift Clock; GSC)와, 게이트 신호의 출력 기간을 결정하는 게이트 출력 인에이블(Gate Output Enable; GOE) 등을 포함한다. 데이터 제어 신호들은 데이터 드라이버(300) 내의 쉬프트 레지스터 동작을 제어하는 소스 스타트 펄스(Source Start Pulse; SSP) 및 소스 쉬프트 클럭(Source Shift Clock; SSC)과, 출력 버퍼부의 데이터 출력 기간을 결정하는 소스 출력 인에이블(Source Output Enable; SOE) 신호 등을 포함한다.For example, the gate control signals include a gate start pulse (GSP) and a gate shift clock (GSC) for controlling the scanning operation of the gate driver 200 and a gate shift clock A gate output enable (GOE), and the like. The data control signals include a source start pulse (SSP) and a source shift clock (SSC) for controlling a shift register operation in the data driver 300 and a source output A source output enable (SOE) signal, and the like.

타이밍 컨트롤러(400)는 각 서브픽셀(SP)에 공급될 영상 데이터를 메모리(500)에 저장된 보상값을 이용하여 보상하고, 보상된 영상 데이터를 데이터 드라이버(300)로 공급한다. 타이밍 컨트롤러(400)는 OLED 소자의 열화 보상, 소비 전력 감소 등을 위한 다양한 영상 처리를 더 수행할 수 있다.The timing controller 400 compensates the image data to be supplied to each subpixel SP using the compensation value stored in the memory 500 and supplies the compensated image data to the data driver 300. [ The timing controller 400 may further perform various image processing for degradation compensation of OLED elements, power consumption reduction, and the like.

타이밍 컨트롤러(400)는 센싱 모드일 때, OLED 표시 장치를 센싱 모드로 동작하도록 제어하여, 데이터 드라이버(300)를 통해 표시 패널(100)의 각 서브픽셀에 대한 구동 특성을 센싱하고 센싱 결과를 이용하여 메모리(500)에 저장된 각 서브픽셀에 대한 보상값을 업데이트할 수 있다.The timing controller 400 controls the OLED display device to operate in the sensing mode to sense the driving characteristics of each sub-pixel of the display panel 100 through the data driver 300, The compensation value for each subpixel stored in the memory 500 can be updated.

예를 들면, 타이밍 컨트롤러(400)는 각 서브픽셀에서 구동 TFT의 구동에 의해 소스 전압이 증가하는 선형 구간을 센싱하여 메모리(500)에 저장된 각 서브픽셀의 이동도 보상값을 업데이트할 수 있다. 이동도 보상값을 업데이트하는 패스트(Fast) 센싱 모드는 주로 전원 온 기간, 표시 구간 중 각 프레임의 수직 블랭크 기간에 할당될 수 있다. 타이밍 컨트롤러(400)는 각 서브픽셀에서 구동 TFT가 구동되어 소스 전압이 포화된 전압을 센싱하여 메모리(500)에 저장된 각 서브픽셀의 Vth 보상값을 업데이트할 수 있다. Vth 보상값을 업데이트하는 슬로우(Slow) 센싱 모드는 주로 전원 오프 기간에 할당될 수 있다.For example, the timing controller 400 can update the mobility compensation value of each subpixel stored in the memory 500 by sensing a linear period in which the source voltage is increased by driving the driving TFT in each subpixel. The fast sensing mode for updating the mobility compensation value can be allocated mainly to the power-on period and the vertical blank period of each frame in the display period. The timing controller 400 can drive the driving TFTs in each subpixel to sense the voltage at which the source voltage is saturated and update the Vth compensation value of each subpixel stored in the memory 500. [ The Slow sensing mode for updating the Vth compensation value can be assigned mainly to the power-off period.

특히, 타이밍 컨트롤러(400)는 제품 출하전 표시 장치의 크기 등과 같은 특성에 맞는 초기의 타이밍 설정시, 데이터 드라이버(300)를 통해 각 서브픽셀의 데이터 충전량을 센싱하여 확인하면서 서브픽셀의 위치에 따라 SOE 신호의 타이밍(스타트 타이밍, 펄스폭)을 설정하여 내부 레지스터에 저장할 수 있다. 이에 따라, SOE 신호의 인에이블 기간(데이터 신호의 출력 기간)을 서브픽셀의 위치에 따른 데이터 충전 특성에 맞게 설정할 수 있다.In particular, the timing controller 400 senses the amount of charged data of each subpixel through the data driver 300 and determines the amount of charged data of each subpixel in accordance with the position of the subpixel The timing (start timing, pulse width) of the SOE signal can be set and stored in the internal register. Accordingly, the enable period (output period of the data signal) of the SOE signal can be set to match the data charging characteristic according to the position of the sub-pixel.

또한, 제품 출하후 온도 센서(700)를 통해 센싱된 표시 장치의 온도 특성에 따라 타이밍 조정이 필요하다고 판단될 때, 타이밍 컨트롤러(400)는 OLED 표시 장치를 데이터 충전량을 센싱하는 센싱 모드로 동작하도록 제어하여, 데이터 드라이버(300)를 통해 각 서브픽셀의 데이터 충전량을 센싱하고 확인하면서 SOE 신호의 타이밍을 조정함으로써 SOE 신호의 인에이블 기간(데이터 신호의 출력 기간)을 온도 특성에 맞게 조정할 수 있다.Further, when it is determined that the timing adjustment is necessary according to the temperature characteristic of the display device sensed through the temperature sensor 700 after shipment, the timing controller 400 operates the OLED display device in a sensing mode for sensing the data charge amount So that the enable period of the SOE signal (output period of the data signal) can be adjusted to the temperature characteristic by controlling the timing of the SOE signal while sensing and confirming the data charge amount of each sub pixel through the data driver 300. [

온도 센서(700)는 주변 온도 및 OLED 표시 장치의 구동 시간 경과에 따른 표시 장치의 온도를 센싱하여 온도 정보를 타이밍 컨트롤러(400)에 공급한다.The temperature sensor 700 senses the temperature of the display device according to the ambient temperature and the elapsed driving time of the OLED display device, and supplies temperature information to the timing controller 400.

타이밍 컨트롤러(400)는 온도 센서(700)를 통해 표시 장치의 센싱 온도가 상승하거나 하강하여 타이밍 조정이 필요하다고 판단되는 경우, 데이터 드라이버(300)를 통해 데이터 충전량을 센싱하여 레지스터에 저장된 SOE 신호의 타이밍을 수정할 수 있다.The timing controller 400 senses the data charge amount through the data driver 300 and determines the timing of the SOE signal stored in the register when the sensing temperature of the display device is increased or decreased through the temperature sensor 700, Timing can be modified.

예를 들면, 표시 장치의 센싱 온도가 상온보다 높은 고온 범위(40도 이상)에 속하는 경우 게이트 신호나 데이터 신호의 딜레이가 증가하고, 표시 장치의 센싱 온도가 상온보다 낮은 저온 범위(영하)에 속하는 경우 게이트 신호나 데이터 신호의 딜레이는 감소하는 특성이 있다.For example, when the sensing temperature of the display device belongs to a high temperature range (40 degrees or more) higher than room temperature, the delay of the gate signal or the data signal increases and the sensing temperature of the display device falls within a low temperature range The delay of the gate signal or the data signal is reduced.

이러한 온도 특성에 따른 딜레이를 고려하여, 타이밍 컨트롤러(400)는 센싱 온도가 고온 범위일 때 데이터 충전량이 부족하지 않도록 SOE 신호의 인에이블 기간을 상온 범위일 때보다 증가시켜서 데이터 신호의 출력 기간을 증가시킬 수 있다. 타이밍 컨트롤러(400)는 센싱 온도가 저온 범위일 때 SOE 신호의 인에이블 기간을 상온 범위일 때보다 감소시킬 수 있다.Considering the delay in accordance with the temperature characteristic, the timing controller 400 increases the enable period of the SOE signal so that the data charging amount is insufficient when the sensing temperature is in the high temperature range, and increases the output period of the data signal . The timing controller 400 can reduce the enable period of the SOE signal when the sensing temperature is in the low temperature range, as compared with the case of the normal temperature range.

전원부(600)는 입력 전압을 이용하여 타이밍 컨트롤러(400), 게이트 드라이버(200), 데이터 드라이버(300), 표시 패널(100) 등에 필요한 다양한 구동 전압들(EVDD, EVSS 등)을 생성하여 출력한다. 예를 들면, 전원부(600)는 데이터 드라이버(300)를 통해 표시 패널(100)에 공급되는 구동 전압(EVDD, EVSS) 및 레퍼런스 전압(Vref), 데이터 드라이버(300) 및 타이밍 컨트롤러(400) 등에 공급되는 디지털 회로의 구동 전압, 데이터 드라이버(300)에 공급되는 아날로그 회로의 구동 전압, 게이트 드라이버(200)에서 이용되는 게이트 온 전압(게이트 하이 전압) 및 게이트 오프 전압(게이트 로우 전압) 등을 생성하여 공급할 수 있다.The power supply unit 600 generates and outputs various driving voltages EVDD and EVSS necessary for the timing controller 400, the gate driver 200, the data driver 300 and the display panel 100 using the input voltage . For example, the power supply unit 600 supplies the driving voltages EVDD and EVSS and the reference voltage Vref supplied to the display panel 100 through the data driver 300, the data driver 300 and the timing controller 400 (Gate high voltage) and gate off voltage (gate low voltage) used in the gate driver 200, and the like are generated in the data driver 300, the driving voltage of the supplied digital circuit, the driving voltage of the analog circuit supplied to the data driver 300, .

도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 SOE 신호의 타이밍 설정을 위한 OLED 표시 장치의 구성을 개략적으로 나타낸 도면이고, 도 4는 일 실시예에 따른 OLED 표시 장치에서 게이트 딜레이와 소스 출력 인에이블(SOE) 신호의 인에이블 크기 관계를 개략적으로 나타낸 도면이다.FIG. 3 is a diagram schematically illustrating a configuration of an OLED display device for setting a timing of an SOE signal according to an embodiment of the present invention. FIG. 4 is a diagram illustrating a gate delay and a source output enable SOE < / RTI > signal.

도 3을 참조하면, 게이트 드라이버(200)는 표시 패널(100)의 게이트 라인들을 분할 구동하는 다수의 게이트 IC(G#1~G#n)를 포함한다. 다수의 게이트 IC(G#1~G#n)는 COF(210)에 개별적으로 실장되어 표시 패널(100)의 양측부에 부착되고, 각 게이트 라인의 양끝단에서 게이트 신호를 동시에 공급한다.3, the gate driver 200 includes a plurality of gate ICs G # 1 to G # n for dividing and driving the gate lines of the display panel 100. The plurality of gate ICs G # 1 to G # n are individually mounted on the COF 210 and attached to both sides of the display panel 100, and simultaneously supply gate signals at both ends of each gate line.

데이터 드라이버(300)는 표시 패널(100)의 데이터 라인들을 분할 구동하는 다수의 데이터 IC(D#1~D#2m)을 포함한다. 다수의 데이터 IC(D#1~D#2m)는 COF(310)에 개별적으로 실장되어 표시 패널(100)의 일측부에 부착됨과 아울러 소스 PCB(Source Printed Circuit Board)(320)의 일측부에 부착된다.The data driver 300 includes a plurality of data ICs D # 1 to D # 2m for dividing and driving the data lines of the display panel 100. The plurality of data ICs D # 1 to D # 2m are individually mounted on the COF 310 and attached to one side of the display panel 100 and connected to one side of a source PCB (Source PCB) Respectively.

타이밍 컨트롤러(400)는 제어 PCB(410) 상에 실장된다. 데이터 IC(D#1~D#2m)는 소스 PCB(320) 및 제어 PCB(410)와, 소스 PCB(320) 및 제어 PCB(410) 사이에 접속되는 FFC(Flexible Flat Cable)를 경유하여 타이밍 컨트롤러(400)와 접속된다.The timing controller 400 is mounted on the control PCB 410. The data ICs D # 1 to D # 2m are connected to the source PCB 320 and the control PCB 410 via a flexible flat cable (FFC) connected between the source PCB 320 and the control PCB 410, And is connected to the controller 400.

타이밍 컨트롤러는(400)는 각 데이터 IC 별로 레지스터에 저장된 소스 타이밍 정보를 이용하여 다수의 데이터 IC(D#1~D#2m) 각각에 대한 SOE1~SOE2m 신호를 생성하여 개별적으로 공급한다. 다수의 데이터 IC(D#1~D#2m) 각각은 타이밍 컨트롤러(400)로부터 개별적으로 공급된 SOE1~SOE2m 신호 각각에 의해 결정되는 인에이블 기간 동안 해당 영역에 데이터 신호를 출력한다.The timing controller 400 generates the SOE1 to SOE2m signals for each of the plurality of data ICs D # 1 to D # 2m using the source timing information stored in the register for each data IC, and separately supplies the signals. Each of the plurality of data ICs D # 1 to D # 2m outputs a data signal to the corresponding region during an enable period determined by each of the SOE1 to SOE2m signals supplied from the timing controller 400 individually.

표시 패널(100)의 픽셀 어레이는 다수의 데이터 IC(D#1~D#2m) 각각에 의해 구동 및 센싱되는 다수의 영역(A1~A2m)을 포함한다. 표시 패널(100)에서 게이트 IC(G#1~G#n)와 가까운 양측부 영역(A1, A2m)으로부터 센터 영역(Am, Am+1)으로 갈수록 도 4에 도시된 바와 같이 게이트 라인의 RC 딜레이(D)가 점진적으로 증가하여 게이트 신호의 라이징 및 폴링 타이밍이 점진적으로 증가하게 된다.The pixel array of the display panel 100 includes a plurality of areas A1 to A2m which are driven and sensed by the plurality of data ICs D # 1 to D # 2m, respectively. As shown in Fig. 4, from the side regions A1 and A2m near the gate ICs G # 1 to G # n in the display panel 100 toward the center region Am and Am + 1, The delay D gradually increases and the rising and falling timings of the gate signal gradually increase.

이러한 게이트 딜레이로 인한 데이터 충전량 편차를 보상하기 위하여, 표시 패널(100)에서 게이트 IC(G#1~G#n)와 가까운 양측부 영역(A1, A2m)를 구동하는 데이터 구동 IC(D#1, D#2m) 각각의 SOE1, SOE2m 신호로부터, 센터 영역(Am, Am+1)을 구동하는 데이터 구동 IC(D#m, D#m+1) 각각의 SOEm, SOEm+1 신호로 갈수록 인에이블 기간은 도 4에 도시된 바와 같이 점진적으로 증가하도록 설정된다. 제1 내지 제m 영역(A1~Am)을 각각 구동하는 제1 내지 제m 데이터 구동 IC(D#1~D#m) 각각에 대한 SOE1~SOEm의 인에이블 기간과, 제2m 내지 제m+1 영역(A2m~Am+1)을 각각 구동하는 제2m 내지 제m+1 데이터 구동 IC(D#2m~D#m+1) 각각에 대한 SOE2m~SOEm+1의 인에이블 기간은 서로 대칭되는 크기를 갖을 수 있다. 이에 따라, 양측 영역(A1, A2m)으로부터 센터 영역(Am, Am+1)으로 갈수록 데이터 신호의 출력 기간이 점진적으로 증가함으로써 게이트 딜레이에 의한 데이터 충전량 편차를 보상할 수 있다.In order to compensate for the data charge amount deviation due to such gate delay, a data driving IC (D # 1) for driving both side regions A1 and A2m near the gate ICs G # 1 to G # n in the display panel 100 1 to the SOEm and SOEm + 1 signals of the data driving ICs D # m and D # m + 1 for driving the center areas Am and Am + 1 from the SOE1 and SOE2m signals of the respective data driving ICs D # The allowable period is set to gradually increase as shown in Fig. The enable periods of the SOE1 to SOEm for the first to m-th data driving ICs D # 1 to D # m, respectively, for driving the first to m-th regions A1 to Am, The enable periods of SOE2m to SOEm + 1 for the second to (m + 1) th data driving ICs (D # 2m to D # m + 1) Size. Thus, the output period of the data signal gradually increases from the both side regions A1 and A2m to the center regions Am and Am + 1, thereby compensating for the data charge amount deviation due to the gate delay.

타이밍 설정시, 온도 변동시, 타이밍 컨트롤러(400)는 데이터 IC(D#1~D#2m)를 통해 데이터 충전량을 센싱하여 확인하면서 데이터 IC(D#1~D#2m) 각각에 적합한 소스 출력 인에이블 신호(SOE1~SOE2m)의 타이밍을 설정함으로써 IC별로 SOE 신호의 인에이블 기간을 설정할 수 있다.The timing controller 400 senses the data charge amount through the data ICs D # 1 to D # 2m and confirms the data charge amount to each of the data ICs D # 1 to D # The enable period of the SOE signal can be set for each IC by setting the timings of the enable signals SOE1 to SOE2m.

타이밍 컨트롤러(400)는 게이트 IC(G#1~G#n)와 가까운 데이터 IC의 SOE 신호의 데이터 출력 기간을 기준으로 게이트 IC와 멀어질수록 SOE 신호의 데이터 출력 기간이 점차 증가하도록 설정할 수 있다. 이에 따라, 도 4에 도시된 바와 같이 서브픽셀의 위치에 따라 게이트 신호의 RC 딜레이가 증가할수록 SOE 신호의 인에이블 기간(데이터 출력 기간)을 증가시킴으로써 데이터 충전량 편차를 보상할 수 있다.The timing controller 400 can be set so that the data output period of the SOE signal gradually increases as the data output period of the SOE signal of the data IC close to the gate ICs (G # 1 to G # n) . Accordingly, as shown in FIG. 4, the data charge amount deviation can be compensated by increasing the enable period (data output period) of the SOE signal as the RC delay of the gate signal increases according to the position of the subpixel.

도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 OLED 표시 장치에서 SOE 신호의 타이밍 튜닝 방법을 단계적으로 나타낸 순서도이다.FIG. 5 is a flowchart illustrating a method of tuning a timing of an SOE signal in an OLED display according to an exemplary embodiment of the present invention. Referring to FIG.

제품 출하전 초기 타이밍 설정시, 일 실시예에 따른 타이밍 컨트롤러(400)는 도 5에 도시된 바와 같이 데이터 충전량을 센싱하면서 SOE 신호의 타이밍을 튜닝하는 방법을 이용하여 데이터 IC(D#1~D#2m) 각각에 대한 최적의 SOE1~SOE2m 신호의 타이밍을 설정한다.5, the timing controller 400 according to an exemplary embodiment of the present invention senses the charged amount of data while tuning the timing of the SOE signal, # 2m), the timing of the optimum SOE1 to SOE2m signals is set.

먼저, 타이밍 컨트롤러(400)는 게이트 제어 신호(GOE 등)의 타이밍 정보(스타트 타이밍, 펄스폭 등)에 대한 설정값을 레지스터에 저장하여 고정시킨다.First, the timing controller 400 stores a set value for timing information (start timing, pulse width, etc.) of the gate control signal (GOE, etc.) in a register and fixes it.

그 다음, 타이밍 컨트롤러(400)는 제1 데이터 IC(D#1)에 대응하는 SOE1의 타이밍 정보(스타트 타이밍, 펄스폭)를 기준 타이밍 정보로 이용하여 SOE1 내지 SOE2m 레지스터를 모두 기분 타이밍 정보로 세팅한다(S402). SOE1 타이밍 정보를 이용하여 최소 인에이블 기간을 갖는 SOE1 신호를 생성할 수 있다.Next, the timing controller 400 sets the SOE1 to SOE2m registers as the timing information by using the timing information (start timing, pulse width) of the SOE1 corresponding to the first data IC D # 1 as the reference timing information (S402). The SOE1 signal having the minimum enable period can be generated using the SOE1 timing information.

타이밍 컨트롤러(400)는 동일한 센싱용 데이터를 데이터 IC(D#1~D#2m)에 공급함과 아울러 동일한 SOE1 신호를 데이터 IC(D#1~D#2m)의 SOE1 내지 SOE2m 신호로 공급한다. 타이밍 컨트롤러(400)는 데이터 IC(D#1~D#2m)를 통해 동일한 데이터 전압으로 서브픽셀들을 각각 구동시키고 각 서브픽셀의 전류를 전압으로 센싱함으로써 각 서브픽셀의 데이터 충전량을 센싱한다 (S404).The timing controller 400 supplies the same sensing data to the data ICs D # 1 to D # 2m and also supplies the same SOE1 signal to the SOE1 to SOE2m signals of the data ICs D # 1 to D # 2m. The timing controller 400 drives the subpixels with the same data voltage through the data ICs D # 1 to D # 2m, respectively, and senses the data charging amount of each subpixel by sensing the current of each subpixel as a voltage (S404 ).

타이밍 컨트롤러(400)는 제1 데이터 IC(D#1)의 센싱 평균값을 계산한다(S406).The timing controller 400 calculates a sensing average value of the first data IC D # 1 (S406).

타이밍 컨트롤러(400)는 제2 데이터 IC(D#2)에 대응하는 SOE2 레지스터의 타이밍을 변경한다(S408). 이때, SOE2 타이밍 정보인 스타트 타이밍과 펄스폭 중 어느 하나를 변경할 수 있지만, 스타트 타이밍은 고정하고 펄스폭의 타이밍을 변경함으로써 인에이블 기간을 변경하는 것이 바람직하다.The timing controller 400 changes the timing of the SOE2 register corresponding to the second data IC D # 2 (S408). At this time, any one of the start timing and the pulse width which are the SOE2 timing information can be changed, but it is preferable to change the enable period by fixing the start timing and changing the timing of the pulse width.

동일한 SOE1 신호가 적용된 제1 데이터 IC(D#1)와 제2 데이터 IC(D#2)의 센싱 평균값 차이를 계산 및 적용하여 SOE2 타이밍을 변경할 수 있다. SOE2 레지스터는 SOE1 신호의 인에이블 기간보다 SOE2 신호의 인에이블 기간이 증가하도록 변경된다.The SOE2 timing can be changed by calculating and applying the difference in sensing average value between the first data IC (D # 1) and the second data IC (D # 2) to which the same SOE1 signal is applied. The SOE2 register is changed so that the enable period of the SOE2 signal is larger than the enable period of the SOE1 signal.

타이밍 컨트롤러(400) SOE2 신호를 적용하여 제2 데이터 IC(#2)를 통해 센싱된 제2 영역(A2)의 데이터 충전량 센싱값들에 대한 평균값을 계산한다(S420).The timing controller 400 calculates the average value of the data charge amount sensing values of the second area A2 sensed through the second data IC # 2 by applying the SOE2 signal at step S420.

타이밍 컨트롤러(400)는 S406에서 계산한 제1 데이터 IC(D#1)의 센싱 평균값과 S410에서 계산한 제2 데이터 IC(D#2)의 센싱 평균값을 비교하여 동일 범위에 속하는지 여부를 판단한다(S412).The timing controller 400 compares the sensing average value of the first data IC D # 1 calculated in S406 with the sensing average value of the second data IC D # 2 calculated in S410 and determines whether or not the sensing average value falls within the same range (S412).

제1 데이터 IC(D#1)의 센싱 평균값과 제2 데이터 IC(D#2)의 센싱 평균값이 동일 범위에 속하지 않을 경우, 전술한 S408 내지 S412의 SOE2 타이밍 변경, 데이터 충전량 센싱 및 센싱 평균값 계산, 센싱 평균값 비교 과정을 반복한다.When the sensing average value of the first data IC D # 1 and the sensing average value of the second data IC D # 2 do not fall within the same range, the SOE 2 timing change, the data charging amount sensing, and the sensing average value calculation in the above-described S408 to S412 , And the sensing average value comparison process is repeated.

제1 데이터 IC(D#1)의 센싱 평균값과 제2 데이터 IC(D#2)의 센싱 평균값이 동일 범위에 속하는 경우, S408에서 변경된 SOE2 타이밍 정보로 SOE2 레지스터 세팅을 완료한다(S414).If the sensing average value of the first data IC D # 1 and the sensing average value of the second data IC D # 2 fall within the same range, the SOE2 register setting is completed with the SOE2 timing information changed in S408 (S414).

그 다음, 제3 내지 제m 데이터 IC(D#3~D#m) 각각에 대응하여, 전술한 S408 내지 S414를 동일하게 적용하여 SOE2 내지 SOEm 레지스터의 타이밍을 데이터 충전량을 센싱하여 확인하면서 세팅 완료한다(S416).Then, the above-described steps S408 to S414 are similarly applied to the third to m-th data ICs D # 3 to D # m, respectively, so that the timing of the SOE2 to SOEm registers is sensed and the data charging amount is sensed, (S416).

또한, 세팅 완료된 SOE1 내지 SOEm 레지스터와 대칭되게 SOE2m 내지 SOEm+1 레지스터의 타이밍 정보를 세팅 완료하고(S418), SOE의 타이밍 설정을 종료한다.Also, the timing information of the SOE2m to SOEm + 1 registers is set to be symmetrical with the set SOE1 to SOEm registers (S418), and the timing setting of the SOE is completed.

한편, 타이밍 컨트롤러(400)는 온도 센서(700)를 통해 센싱된 온도가 변동되어 SOE 타이밍 설정이 필요하다고 판단되는 경우, 도 5에서 설명한 SOE 튜닝 방법을 동일하게 적용하여, 각 데이터 IC에 대응하는 SOE 신호의 타이밍을 변경하고 데이터 충전량을 센싱하여 확인하면서 각 데이터 IC의 SOE 타이밍을 순차적으로 세팅 완료한다.On the other hand, when the temperature sensed by the temperature sensor 700 fluctuates and it is determined that the SOE timing setting is necessary, the timing controller 400 applies the SOE tuning method described in FIG. 5 in the same manner, The SOE timing of each data IC is sequentially set by changing the timing of the SOE signal and sensing and confirming the data charge amount.

도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 OLED 표시 장치에서 서브픽셀의 위치에 따른 SOE 신호의 인에이블 기간이 온도에 따라 조정된 특성을 개략적으로 나타낸 도면이다.FIG. 6 is a diagram schematically illustrating characteristics in which an enable period of an SOE signal according to a position of a sub-pixel is adjusted according to temperature in an OLED display according to an embodiment of the present invention.

도 6을 참조하면, 일 실시예에 따른 OLED 표시 장치는 저온, 상온, 고온에서 게이트 신호(SCAN)의 딜레이 특성이 변동함을 알 수 있다. 예를 들면, 상온일 때 게이트 신호의 딜레이와 대비하여, 저온일수록 게이트 신호의 딜레이는 감소하고, 고온일수록 게이트 신호의 딜레이는 증가함을 알 수 있다.Referring to FIG. 6, it can be seen that the delay characteristics of the gate signal (SCAN) vary at low temperature, normal temperature, and high temperature in the OLED display according to one embodiment. For example, as compared with the delay of the gate signal at room temperature, the delay of the gate signal decreases as the temperature becomes lower, and the delay of the gate signal increases as the temperature increases.

이에 따라, OLED 표시 장치의 구동 온도나 주변 온도가 변동하는 경우 게이트 신호의 딜레이가 변동하며 SOE 신호의 타이밍과 맞지 않으므로 일 실시예는 데이터 충전량을 센싱하면서 SOE 신호의 데이터 출력 기간을 조정한다.Accordingly, when the driving temperature or the ambient temperature of the OLED display device fluctuates, the delay of the gate signal fluctuates and does not match the timing of the SOE signal. Therefore, one embodiment adjusts the data output period of the SOE signal while sensing the data charge amount.

도 6을 참조하면, 표시 장치의 온도가 상온에서 고온으로 변화하여 게이트 딜레이가 커지는 경우, 앞서 도 5에서 설명한 SOE 타이밍 설정 방법을 적용하여 데이터 IC(D#1~D#2m) 각각 대응하는 SOE1 내지 SOE2m 신호의 인에이블 기간이 상온의 경우보다 증가하도록 설정될 수 있다.6, when the temperature of the display device changes from a normal temperature to a high temperature to increase the gate delay, the data ICs (D # 1 to D # 2m) corresponding to SOE1 To SOE2m signal can be set to be higher than that at room temperature.

한편, 표시 장치의 온도가 상온에서 저온으로 변화하여 도 6과 같이 게이트 딜레이가 감소하는 경우, 도 5에서 설명한 SOE 타이밍 설정 방법을 적용하여 데이터 IC(D#1~D#2m) 각각 대응하는 SOE1 내지 SOE2m의 인에이블 기간이 상온의 경우보다 감소하도록 설정될 수 있다.On the other hand, when the temperature of the display device changes from room temperature to low temperature and the gate delay decreases as shown in Fig. 6, the data ICs (D # 1 to D # 2m) To < RTI ID = 0.0 > SOE2m < / RTI >

이러한 온도 변화에 따른 타이밍 설정은 전원 온 시간, 전원 오프 시간, 수직 블랭크 기간 중 적어도 어느 하나에서 영상 표시와 관계없이 진행될 수 있다.The timing setting according to the temperature change can be performed regardless of the image display in at least one of the power-on time, the power-off time, and the vertical blanking period.

일 실시예는 표시 패널의 크기 등과 같은 특성에 따라 타이밍 설정시 데이터 IC를 통해 서브픽셀들의 데이터 충전 특성을 센싱하여 확인하면서 데이터 IC별로 데이터 신호의 출력 기간(SOE 신호의 인에이블 기간)을 용이하게 설정할 수 있다. 이에 따라, 게이트/데이터 신호의 딜레이로 인한 데이터 충전량 편차를 보상하여 휘도 균일성을 향상시킬 수 있다.In one embodiment, an output period of a data signal (an enable period of an SOE signal) is easily performed for each data IC while sensing and confirming a data charging characteristic of subpixels via a data IC at timing setting according to characteristics such as the size of a display panel Can be set. Accordingly, it is possible to compensate for the variation in data charge amount due to the delay of the gate / data signal, thereby improving the luminance uniformity.

일 실시예는 주변 환경이나 표시 장치의 구동으로 인한 온도 변동에 따라 게이트/데이터 신호의 타이밍이 변동하는 경우에도 데이터 IC를 통해 데이터 충전 특성을 센싱하여 확인하면서 데이터 IC별로 데이터 신호의 출력 기간(SOE 신호의 인에이블 기간) 적절하게 조정함으로써 데이터 충전량 편차를 보상하여 휘도 균일성을 향상시킬 수 있다.In one embodiment, even when the timing of the gate / data signal fluctuates in accordance with the ambient temperature or the temperature fluctuation due to the driving of the display device, the data charging characteristics are sensed through the data IC, Signal enable period) to compensate for the data charge amount deviation, thereby improving the luminance uniformity.

이상에서 본 발명의 기술적 사상을 예시하기 위해 구체적인 실시예로 도시하고 설명하였으나, 본 발명은 상기와 같이 구체적인 실시예와 동일한 구성 및 작용에만 국한되지 않고, 여러가지 변형이 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 실시될 수 있다. 따라서, 그와 같은 변형도 본 발명의 범위에 속하는 것으로 간주해야 하며, 본 발명의 범위는 후술하는 특허청구범위에 의해 결정되어야 한다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is clearly understood that the same is by way of illustration and example only and is not to be taken by way of illustration, Can be carried out within a range. Accordingly, such modifications are deemed to be within the scope of the present invention, and the scope of the present invention should be determined by the following claims.

100: 표시 패널 200: 게이트 드라이버
300: 데이터 드라이버 400: 타이밍 컨트롤러
500: 메모리 600: 전원부
700: 온도 센서100: display panel 200: gate driver
300: Data driver 400: Timing controller
500: memory 600:
700: Temperature sensor

Claims (9)

픽셀 어레이를 포함하는 표시 패널과,
상기 픽셀 어레이의 게이트 라인들을 구동하는 게이트 드라이버와,
상기 픽셀 어레이의 데이터 라인들을 복수의 영역으로 분할 구동하는 데이터 IC들과,
상기 게이트 드라이버를 제어하고, 상기 데이터 IC들을 통해 상기 복수의 영역들 각각에 대한 서브픽셀의 데이터 충전량을 센싱하고, 센싱된 데이터 충전량을 확인하면서 상기 데이터 IC들의 데이터 출력 기간을 개별적으로 제어하는 각 소스 출력 인에이블 신호의 인에이블 기간을 설정하는 타이밍 컨트롤러를 포함하는 OLED 표시 장치.A display panel including a pixel array,
A gate driver for driving gate lines of the pixel array,
Data ICs for dividing and driving the data lines of the pixel array into a plurality of regions,
A data driver for controlling the gate driver, for sensing a charged amount of data of the subpixels for each of the plurality of areas through the data ICs, for individually controlling the data output period of the data ICs while checking the charged data amount of the sensed data, And a timing controller for setting an enable period of the output enable signal. 청구항 1에 있어서,
상기 데이터 IC 각각은
스캔 기간 동안 각 서브픽셀의 스토리지 커패시터에 충전된 센싱용 데이터 전압에 따라 구동 TFT로부터 공급되는 전류를 센싱하고 센싱 결과를 상기 각 서브픽셀의 데이터 충전량 센싱값으로 변환하여 상기 타이밍 컨트롤러에 제공하는 OLED 표시 장치.The method according to claim 1,
Each of the data ICs
An OLED display that senses a current supplied from a driving TFT according to a sensing data voltage charged in a storage capacitor of each subpixel during a scan period and converts the sensed result into a data charging amount sensing value of each subpixel and provides the data charging sensing value to the timing controller Device. 청구항 1에 있어서,
상기 타이밍 컨트롤러는
상기 게이트 드라이버와 가까운 제1 영역을 구동하며 제1 소스 출력 인에이블 신호에 의해 제어되는 제1 데이터 IC를 통해 상기 제1 영역의 서브픽셀들로부터 센싱된 데이터 충전량의 센싱값들에 대한 제1 평균값을 계산하고,
제2 영역을 구동하며 제2 소스 출력 인에이블 신호에 의해 제어되는 제2 데이터 IC를 통해, 상기 제2 소스 출력 인에이블 신호의 인에이블 기간을 조정하면서 상기 제2 영역의 서브픽셀들로부터 센싱된 데이터 충전량 센싱값들에 대한 제2 평균값을 계산하여,
상기 제2 평균값이 상기 제1 평균값과 동일 범위에 속하게 되는 인에이블 기간을 상기 제2 소스 출력 인에이블 신호의 인에이블 기간으로 설정하고,
상기 데이터 IC들 중 상기 제1 및 제2 데이터 IC를 제외한 다른 데이터 IC들 각각에 대한 소스 출력 인에이블 신호의 인에이블 기간을, 상기 제2 데이터 IC와 동일한 과정을 진행하여 설정하는 OLED 표시 장치.The method according to claim 1,
The timing controller
A first average value of the sensing values of the data charge amount sensed from the sub pixels of the first area through a first data IC driven by a first source output enable signal driving a first area close to the gate driver Lt; / RTI >
Pixels of the second region while adjusting the enable period of the second source output enable signal through a second data IC controlled by a second source output enable signal, Calculating a second average value for the data charge amount sensing values,
Setting an enable period in which the second average value falls within the same range as the first average value as an enable period of the second source output enable signal,
Wherein an enable period of a source output enable signal for each of the data ICs other than the first and second data ICs is set through the same process as the second data IC. 청구항 3에 있어서,
상기 게이트 드라이버와 가까운 영역으로부터 먼 영역으로 갈수록 상기 데이터 IC들의 소스 출력 인에이블 신호의 인에이블 기간이 점진적으로 증가하는 OLED 표시 장치. The method of claim 3,
Wherein the enable period of the source output enable signal of the data IC gradually increases from an area closer to the gate driver to an area farther from the area closer to the gate driver. 청구항 1에 있어서,
상기 타이밍 컨트롤러는
온도 센서를 통해 센싱된 온도가 변동하여 상기 데이터 출력 기간의 타이밍 조정이 필요하다고 판단될 때, 상기 데이터 IC들 각각을 통해 해당 영역의 데이터 충전량 센싱값을 확인하면서 상기 데이터 IC들 각각에 대한 소스 출력 인에이블 신호의 인에이블 기간을 조정하는 OLED 표시 장치.The method according to claim 1,
The timing controller
When the temperature sensed by the temperature sensor fluctuates and it is determined that the timing adjustment of the data output period is necessary, the data charge amount sensing value of the corresponding area is checked through each of the data ICs, And adjusts an enable period of the enable signal. 청구항 5에 있어서,
상기 타이밍 컨트롤러는
상기 센싱된 온도가 상온 범위 보다 높은 고온 범위일 때 상기 데이터 IC들 각각에 대한 소스 출력 인에이블 신호의 인에이블 기간을 증가시키고,
상기 상온 범위 보다 낮은 저온 범위일 때 상기 데이터 IC들 각각에 대한 소스 출력 인에이블 신호의 인에이블 기간을 감소시키는 OLED 표시 장치.The method of claim 5,
The timing controller
Increasing the enable period of the source output enable signal for each of the data ICs when the sensed temperature is in a high temperature range higher than the normal temperature range,
And the enable period of the source output enable signal for each of the data ICs is reduced when the temperature of the data IC is lower than the normal temperature range. 픽셀 어레이에서 게이트 드라이버와 가까운 제1 영역을 구동하며 제1 소스 출력 인에이블 신호에 의해 제어되는 제1 데이터 IC를 통해 상기 제1 영역의 서브픽셀들로부터 데이터 충전량을 센싱하고, 그 제1 영역의 센싱값들에 대한 제1 평균값을 계산하는 단계와,
상기 픽셀 어레이에서 제2 영역을 구동하며 제2 소스 출력 인에이블 신호에 의해 제어되는 제2 데이터 IC를 통해, 상기 제2 소스 출력 인에이블 신호의 인에이블 기간을 조정하면서 상기 제2 영역의 서브픽셀들로부터 데이터 충전량을 센싱하고, 그 제2 영역의 센싱값들에 대한 제2 평균값을 계산하는 단계와,
상기 제2 평균값이 상기 제1 평균값과 동일 범위에 속하게 되는 인에이블 기간을 상기 제2 소스 출력 인에이블 신호의 인에이블 기간으로 설정하는 단계를 포함하는 OLED 표시 장치의 타이밍 설정 방법. Driving the first region close to the gate driver in the pixel array and sensing the data charge amount from the sub pixels of the first region through the first data IC controlled by the first source output enable signal, Calculating a first mean value for the sensed values,
And a second source output enable signal, which is driven by a second source output enable signal, driving the second region in the pixel array and adjusting the enable period of the second source output enable signal, Sensing a data charge amount from the first region and calculating a second average value for the sensing values of the second region,
And setting an enable period in which the second average value falls within the same range as the first average value to an enable period of the second source output enable signal. 청구항 7에 있어서,
상기 제1 및 제2 데이터 IC를 제외한 다른 데이터 IC들 각각에 대한 소스 출력 인에이블 신호의 인에이블 기간을, 상기 제2 데이터 IC와 동일한 과정을 진행하여 설정하는 OLED 표시 장치의 타이밍 설정 방법.The method of claim 7,
Wherein an enable period of a source output enable signal for each of the data ICs other than the first and second data ICs is set through the same process as that of the second data IC. 청구항 8에 있어서,
온도 센서를 통해 센싱된 상기 OLED 표시 장치의 센싱 온도가 변동하여 상기 소스 출력 인에이블 신호의 타이밍 조정이 필요하다고 판단될 때, 상기 데이터 IC들 각각을 통해 해당 영역의 데이터 충전량 센싱값을 확인하면서 상기 데이터 IC들 각각에 대한 소스 출력 인에이블 신호의 인에이블 기간을 조정하는 OLED 표시 장치의 타이밍 설정 방법.The method of claim 8,
When the sensing temperature of the OLED display sensed by the temperature sensor fluctuates and it is determined that the timing adjustment of the source output enable signal is necessary, the data charging amount sensing value of the corresponding area is checked through each of the data ICs, And adjusting the enable period of the source output enable signal for each of the data ICs.
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