KR20180131718A - conductive stacked film and manufacturing method thereof - Google Patents

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Abstract

The present invention relates to a conductive laminated film and a manufacturing method thereof. The present invention comprises: a transparent conductive layer having transparency to light and electric conductivity; a conductive structure layer located below the transparent conductive layer and including a conductive structure; and a base substrate positioned under the conductive structure layer and serving as a base for supporting the conductive structure layer, so that it suppresses an occurrence of diffuse reflection on the transmitted light, and has light transmittance and low sheet resistance. Accordingly, a technology which can be used for electronic devices including a flexible organic solar cell, a polymer spray type liquid crystal film for a smart window, an electrochromic film, a heat reflecting film, and an organic band element is disclosed.

Description

전도성 적층필름 및 이의 제조방법{conductive stacked film and manufacturing method thereof}Conductive laminated film and manufacturing method thereof < RTI ID = 0.0 >

본 발명은 전도성이 있는 적층필름에 관한 것으로, 보다 상세하게는 투과되는 빛의 난반사현상의 발생과 박막용출현상을 억제시켜줄 수 있는 전도성 적층필름 및 이의 제조방법에 관한 것이다. The present invention relates to a conductive laminated film, and more particularly, to a conductive laminated film capable of suppressing occurrence of irregular reflection of transmitted light and thin film elution, and a method for manufacturing the same.

액정디스플레이(LCD), 플라즈마를 이용하는 디스플레이 장치, EL(electroluminescent) 디스플레이 등 평판디스플레이 산업은 물론 유기태양전지, 유기 반도체 등의 산업에서 기존보다 경쟁력을 확보하기 위해서 보다 얇고 유연하며, 여러가지 기능이 복합적으로 부가된 기능성 소재 및 보다 간단한 공정기술을 필요로 하고 있다. In order to secure competitiveness in the flat panel display industry such as liquid crystal display (LCD), plasma display device, EL (electroluminescent) display as well as organic solar cell and organic semiconductor industry, thinner and more flexible, Additional functional materials and simpler process technologies are required.

특히 기판전극소재, 유기전도체 등에서 기능성 박막기술이 광범위하게 이용되고 있는데, 최근 유기반도체는 물론 플렉서블 디스플레이 구현을 위한 필름기술이 관심의 대상이 되고 있다. In particular, functional thin film technologies have been widely used for substrate electrode materials, organic conductors, etc. Recently, film technology for flexible display as well as organic semiconductors is of interest.

통상 투명전극 재료는 평판디스플레이 및 태양전지등과 같은 소자에서 투명전극으로 사용되고 있는 물질을 통칭하며, 투명전극은 380nm 에서 780nm의 가시광 영역에서 투과율이 80%이상이고, 면저항은 100 ohm per square 이하로 전기전도성이 우수해야할 것이 요구된다.Generally, the transparent electrode material refers to a material used as a transparent electrode in a device such as a flat panel display and a solar cell. The transparent electrode has a transmittance of 80% or more in a visible light region of 380 nm to 780 nm and a sheet resistance of 100 ohm per square or less It is required to have excellent electrical conductivity.

이를 위해 전도성 좋은 나노와이어와 ITO를 이용한 투명전극소자가 연구되고 있다. 하지만, 빛이 나노와이어 층을 투과하면서 빛의 난반사현상이 발생된다는 문제점과 열이 발생하는 경우 나노와어이가 ITO층을 뚫고 나오는 박막용출현상이 발생된다는 문제점이 있었다.For this purpose, transparent electrode elements using conductive nanowires and ITO are being studied. However, there is a problem that the light is diffused through the nanowire layer and diffused light occurs, and when heat is generated, a thin film elution phenomenon occurs in which the nano and the light penetrate the ITO layer.

따라서, 빛의 난반사현상의 발생과 박막용출현상을 억제시킬 수 있는 기술이 요구되고 있었다.Therefore, there has been a demand for a technique capable of suppressing the occurrence of the diffuse reflection of light and the thin film elution phenomenon.

대한민국 등록특허 10-1515498Korean Patent No. 10-1515498

본 발명의 목적은 상기한 종래의 문제점을 해결하기 위한 것으로, 빛의 난반사현상의 발생과 박막용출현상을 억제시켜줄 수 있는 전도성 적층필름 및 이의 제조방법을 제공함에 있다.SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a conductive laminated film and a method of manufacturing the same which can suppress the occurrence of a diffuse reflection phenomenon and thin film elution phenomenon.

상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 실시 예에 따른 전도성 적층필름은 빛에 대한 투과성과 전기전도성이 있는 투명전도층; 상기 투명전도층의 하측에 위치하며, 전도성 있는 구조체가 포함된 전도성구조체층; 및 상기 전도성구조체층의 하측에 위치하며, 상기 전도성구조체층을 받쳐주는 토대가 되는 베이스기판; 을 포함하는 것을 하나의 특징으로 할 수도 있다. According to an aspect of the present invention, there is provided a conductive laminated film comprising: a transparent conductive layer having light transmittance and electrical conductivity; A conductive structure layer located below the transparent conductive layer and including a conductive structure; And a base substrate positioned under the conductive structure layer and serving as a base for supporting the conductive structure layer; May be included as one feature.

여기서, 상기 베이스기판은, 빛에 대한 투과성이 있는 고분자물질 및 유리 중에서 어느 하나를 포함하여 이루어진 것을 또 하나의 특징으로 할 수도 있다.Here, the base substrate may further include one of a polymer material having transparency to light and glass.

나아가, 상기 고분자물질은, 폴리에틸렌텔레프탈레이트, 폴리이미드, 폴리에틸렌나프탈레이트, 시클로올레핀폴리머 및 폴리카보네이트 중 어느 하나인 것을 또 하나의 특징으로 할 수도 있다. Further, the polymer material may be characterized by being any one of polyethylene terephthalate, polyimide, polyethylene naphthalate, cycloolefin polymer and polycarbonate.

여기서, 상기 투명전도층은, ITO(Indium Tin Oxide)전도층인 것을 또 하나의 특징으로 할 수도 있다. Here, the transparent conductive layer may be another ITO (Indium Tin Oxide) conductive layer.

나아가, 상기 ITO전도층은, 복수개의 ITO서브층(sub-layer)로 이루어지되, 상기 복수개의 ITO서브층 각각의 인듐옥사이드(Indium Oxide)와 틴옥사이드(Tin Oxide)의 구성비가 서로 다르도록 형성된 것을 또 하나의 특징으로 할 수도 있다. Further, the ITO conductive layer may be formed of a plurality of ITO sub-layers, and the indium oxide and tin oxide of the plurality of ITO sub-layers may be formed to have different composition ratios of tin oxide It may be another feature.

여기서, 상기 전도성구조체층과 상기 베이스기판 사이에 위치하며, 빛에 대한 투과성과 전기전도성이 있는 투명전도중간층; 을 더 포함하는 것을 또 하나의 특징으로 할 수도 있다. A transparent conductive intermediate layer positioned between the conductive structure layer and the base substrate and having light transmittance and electrical conductivity; May be further included.

나아가, 상기 투명전도중간층은, ITO(Indium Tin Oxide)전도중간층인 것을 또 하나의 특징으로 할 수도 있다. Furthermore, the transparent conductive intermediate layer may be another ITO (Indium Tin Oxide) conductive intermediate layer.

더 나아가 상기 ITO전도중간층은, 복수개의 ITO서브층(sub-layer)로 이루어지되, 상기 복수개의 ITO서브층 각각의 인듐옥사이드(Indium Oxide)와 틴옥사이드(Tin Oxide)의 구성비가 서로 다르도록 형성된 것을 또 하나의 특징으로 할 수도 있다. Further, the ITO conductive intermediate layer may be formed of a plurality of ITO sub-layers, and the indium oxide and tin oxide of the plurality of ITO sub-layers may be formed to have different composition ratios of tin oxide It may be another feature.

여기서, 상기 전도성구조체층에 포함되는 상기 구조체는 전도성 있는 메쉬(mesh)인 것을 또 하나의 특징으로 할 수도 있다. Here, the structure included in the conductive structure layer may be another feature that it is a conductive mesh.

여기서, 상기 전도성구조체층에 포함되는 상기 구조체는 전도성 있는 다수의 나노와이어(nano-wire)인 것을 또 하나의 특징으로 할 수도 있다. Here, the structure included in the conductive structure layer may be another conductive nano-wire.

나아가, 상기 나노와이어의 종횡비는 1:20 내지 1:1000 사이에 해당되는 것을 또 하나의 특징으로 할 수도 있다. Further, the aspect ratio of the nanowires may be set to be between 1:20 and 1: 1000.

여기서, 상기 전도성구조체층은 상기 전도성구조체층에 투과되는 빛에 대한 난반사를 억제시켜주도록 상기 구조체의 주변 또는 상측에 오버코팅재로 오버코팅된 것을 또 하나의 특징으로 할 수도 있다. Here, the conductive structure layer may be overcoated with an overcoat material around or above the structure to suppress irregular reflection of light transmitted through the conductive structure layer.

상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 실시 예에 따른 전도성 적층필름 제조방법은 전도성이 있는 구조체를 포함하는 전도성구조체층을 베이스기판의 상측에 형성시키는 전도성구조체층 형성단계; 및 상기 전도성구조체층 형성단계에서 형성된 상기 전도성구조체층의 상측에 빛에 대한 투과성과 전기전도성이 있는 투명전도층을 형성시키는 투명전도층 형성단계; 를 포함하고, 상기 전도성구조체층 형성단계에서 형성되는 상기 전도성구조체층의 상기 구조체는 다수의 나노와이어 또는 메쉬인 것을 하나의 특징으로 할 수도 있다. According to another aspect of the present invention, there is provided a method for fabricating a conductive laminated film, including: forming a conductive structure layer on a base substrate, the conductive structure layer including a conductive structure; And forming a transparent conductive layer having transparency and electrical conductivity on the upper side of the conductive structure layer formed in the conductive structure layer forming step; And the structure of the conductive structure layer formed in the conductive structure layer forming step may include a plurality of nanowires or meshes.

여기서, 상기 베이스기판은, 빛에 대한 투과성이 있는 고분자물질 및 유리 중에서 어느 하나를 포함하여 이루어진 것을 또 하나의 특징으로 할 수도 있다. Here, the base substrate may further include one of a polymer material having transparency to light and glass.

나아가 상기 고분자물질은. 폴리에틸렌텔레프탈레이트, 폴리이미드, 폴리에틸렌나프탈레이트, 시클로올레핀폴리머 및 폴리카보네이트 중 어느 하나인 것을 또 하나의 특징으로 할 수도 있다. Further, Polyethylene terephthalate, polyimide, polyethylene naphthalate, cycloolefin polymer, and polycarbonate.

여기서, 상기 투명전도층 형성단계에서 형성되는 상기 투명전도층은 ITO(Indium Tin Oxide) 전도층이고, 상기 ITO전도층은, 복수개의 ITO서브층(sub-layer)로 이루어지되, 상기 복수개의 ITO서브층 각각의 인듐옥사이드(Indium Oxide)와 틴옥사이드(Tin Oxide)의 구성비가 서로 다르도록 형성시키는 것을 또 하나의 특징으로 할 수도 있다 .Here, the transparent conductive layer formed in the transparent conductive layer forming step may be an ITO (Indium Tin Oxide) conductive layer, and the ITO conductive layer may include a plurality of ITO sub-layers, It may be another feature that the composition ratio of indium oxide and tin oxide in each of the sub-layers is made different from each other.

여기서, 상기 전도성구조체층 형성단계 이전에 이루어지는 단계로서, 상기 베이스기판의 상측 면에 빛에 대한 투과성과 전기전도성이 있는 투명전도중간층을 형성시키는 투명전도중간층 형성단계; 를 더 포함하고, 상기 전도성구조체층 형성단계에서 상기 전도성구조체층은 상기 베이스기판 상측 면에 형성된 상기 투명전도중간층의 상측에 형성되는 것을 또 하나의 특징으로 할 수도 있다. The forming of the transparent conductive intermediate layer may include forming a transparent conductive intermediate layer having transparency and electrical conductivity on the upper surface of the base substrate before the step of forming the conductive structure layer. And the conductive structure layer is formed on the transparent conductive intermediate layer formed on the upper surface of the base substrate in the conductive structure layer forming step.

나아가 상기 투명전도중간층은 ITO(Indium Tin Oxide)전도중간층이고, 상기 ITO전도중간층은, 복수개의 ITO서브층(sub-layer)로 이루어지되, 상기 복수개의 ITO서브층 각각의 인듐옥사이드(Indium Oxide)와 틴옥사이드(Tin Oxide)의 구성비가 서로 다르도록 형성되는 것을 또 하나의 특징으로 할 수도 있다.Further, the transparent conductive intermediate layer is an ITO conductive intermediate layer, and the ITO conductive intermediate layer is formed of a plurality of ITO sub-layers, and the indium oxide (ITO) And tin oxide are formed to have different composition ratios from each other.

나아가, 상기 전도성구조체층 형성단계에서 상기 전도성구조체층은 전기전도성이 있는 다수의 나노와이어 또는 메쉬(mesh)가 구조체로서 배치되고, 상기 다수의 나노와이어 또는 메쉬의 상측에 오버코팅재가 코팅되어 형성되는 것을 또 하나의 특징으로 할 수도 있다. Further, in the step of forming the conductive structure layer, the conductive structure layer may include a plurality of electrically conductive nanowires or meshes arranged as a structure, and an overcoat material may be coated on the upper surfaces of the plurality of nanowires or meshes It may be another feature.

본 발명에 따른 전도성 적층필름 및 이의 제조방법은, 전도성구조체층에 은나노와이어 또는 은메쉬와 오버코팅을 통해 투과되는 빛에 대한 난반사 발생을 억제시켜주는 장점이 있으며, 고온에서 ITO전도층 상측으로 박막이 터지게 되는 박막용출현상의 발생되는 것을 억제시켜주는 효과가 있다. The conductive laminated film and the method of manufacturing the same according to the present invention have an advantage of suppressing the occurrence of irregular reflection on light transmitted through silver nano wire or silver mesh and overcoating on the conductive structure layer. It is possible to suppress the occurrence of the thin film elution phenomenon to occur.

도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 전도성 적층필름의 단면을 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 2는 본 발명의 다른 실시 예에 따른 전도성 적층필름의 단면을 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 3은 본 발명의 실시 예에 따른 전도성 적층필름 제조방법을 개략적으로 나타낸 순서도이다.1 is a cross-sectional view schematically showing a cross section of a conductive laminated film according to an embodiment of the present invention.
2 is a cross-sectional view schematically showing a cross section of a conductive laminated film according to another embodiment of the present invention.
3 is a flowchart schematically showing a method of manufacturing a conductive laminated film according to an embodiment of the present invention.

이하에서는 본 발명에 대하여 보다 구체적으로 이해할 수 있도록 첨부된 도면을 참조한 바람직한 실시 예를 들어 설명하기로 한다. DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 전도성 적층필름의 단면을 개략적으로 나타낸 단면도이고, 도 2는 본 발명의 다른 실시 예에 따른 전도성 적층필름의 단면을 개략적으로 나타낸 단면도이며, 도 3은 본 발명의 실시 예에 따른 전도성 적층필름 제조방법을 개략적으로 나타낸 순서도이다.FIG. 1 is a cross-sectional view schematically showing a cross section of a conductive laminated film according to an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a cross-sectional view schematically showing a cross section of a conductive laminated film according to another embodiment of the present invention, Fig. 2 is a flowchart schematically showing a method for producing a conductive laminated film according to an embodiment of the present invention.

먼저 도 1을 참조하면, 본 발명의 실시 예에 따른 전도성 적층(積層)필름은 투명전도층, 전도성구조체층 및 베이스기판을 포함하여 이루어지며, 좀 더 바람직하게는 투명전도중간층을 더 포함하여 이루어질 수도 있다. Referring first to FIG. 1, a conductive laminate film according to an embodiment of the present invention comprises a transparent conductive layer, a conductive structure layer, and a base substrate, and more preferably, further comprises a transparent conductive intermediate layer It is possible.

따라서, 도 1에 개략적으로 도시한 바와 같이 본 발명의 실시 예에 따른 전도성 적층필름은 베이스기판(100), 투명전도중간층(200), 전도성구조체층(300) 및 투명전도층(400)이 적층(積層)된 형태를 갖추고 있다.1, a conductive laminated film according to an embodiment of the present invention includes a base substrate 100, a transparent conductive intermediate layer 200, a conductive structure layer 300, and a transparent conductive layer 400, (Stacked) form.

베이스기판(100)은 기본적으로 전도성구조체층(300)의 하측에 위치하며, 전도성구조체층(300)을 받쳐주는 토대 역할을 한다. 도 1에 개략적으로 나타낸 바와 같이 투명전도중간층(200)을 더 포함하는 경우에는 베이스기판(100)의 상측 면에 투명전도중간층(200)이 마련되고, 투명전도중간층(200)의 상측 면에 전도성구조체층(300)이 마련된다. The base substrate 100 is basically located below the conductive structure layer 300 and functions as a base for supporting the conductive structure layer 300. A transparent conductive intermediate layer 200 is provided on the upper surface of the base substrate 100 and a conductive conductive intermediate layer 200 is formed on the upper surface of the transparent conductive intermediate layer 200. [ A structure layer 300 is provided.

베이스기판(100)은 빛에 대한 투과성이 있는 고분자물질 및 유리 중에서 어느 하나를 포함하여 이루어진 것이 바람직하다. The base substrate 100 preferably includes any one of a polymer material having transparency to light and glass.

여기서 고분자물질은, 폴리에틸렌텔레프탈레이트, 폴리이미드, 폴리에틸렌나프탈레이트, 시클로올레핀폴리머 및 폴리카보네이트 중 어느 하나인 것이 바람직하며, 얇은 두께를 갖춘 필름의 형태인 것이 바람직하다. Here, the polymer material is preferably any one of polyethylene terephthalate, polyimide, polyethylene naphthalate, cycloolefin polymer and polycarbonate, preferably in the form of a film having a thin thickness.

그리고 베이스기판(100)에는 코팅층(120, 130)이 마련되어 있는 것이 바람직하다. The base substrate 100 is preferably provided with coating layers 120 and 130.

즉, 도면에서 참조되는 바와 같이 빛에 대한 투과성이 있는 고분자물질 또는 유리(110)의 상측면 또는 하측면에 코팅층(120, 130)이 마련되어 있는 것이 바람직하다. That is, as shown in the figure, it is preferable that the coating layer 120 or 130 is provided on the upper side or the lower side of the polymer material or glass 110 which is permeable to light.

투명전도중간층(200)은 베이스기판(100)의 상측 면에 마련된다. The transparent conductive intermediate layer 200 is provided on the upper surface of the base substrate 100.

필요에 따라서는 투명전도중간층(200)이 없는 전도성 적층필름 또한 가능하며, 투명전도중간층(200)이 마련된 경우 전도성구조체층(300)이 형성될 때 투명전도중간층(200)이 베이스기판(100)의 상측면에 대하여 레벨링(leveling)시켜주는 장점도 있으므로 투명전도중간층(200)이 마련된 것이 바람직하다.The transparent conductive intermediate layer 200 may be formed on the base substrate 100 when the conductive structure layer 300 is formed when the transparent conductive intermediate layer 200 is provided, It is preferable that the transparent conductive intermediate layer 200 is provided.

투명전도중간층(200)은 빛에 대한 투과성과 전기전도성이 있는 것이 바람직하다.The transparent conductive intermediate layer 200 preferably has transparency to light and electrical conductivity.

이러한 투명전도중간층(200)은 ITO(Indium Tin Oxide)로 이루어진 ITO전도중간층인 것이 바람직하다. The transparent conductive intermediate layer 200 is preferably an ITO conductive intermediate layer made of ITO (Indium Tin Oxide).

그리고, 이러한 ITO전도중간층(200)은 복수개의 ITO서브층(sub-layer)로 이루어지되, 상기 복수개의 ITO서브층(210, 220) 각각의 인듐옥사이드(Indium Oxide)와 틴옥사이드(Tin Oxide)의 구성비가 서로 다르도록 형성된 것이 바람직하다. The ITO conductive intermediate layer 200 includes a plurality of ITO sub-layers, and indium oxide and tin oxide of each of the plurality of ITO sub-layers 210 and 220, Are formed so as to be different from each other.

참고로 구성비는 구체적으로 부피비 등도 가능하겠으나 중량비인 것이 바람직하다.For reference, the composition ratio may be a specific volume ratio or the like, but it is preferable that the weight ratio is used.

예를 들어, 도 1에서 참조되는 바와 같이 ITO전도중간층(200)은 2개의 ITO서브층(210, 220)으로 이루어질 수도 있다. 여기서, 하측의 ITO서브층(210)과 상측의 ITO서브층(220)은 인듐옥사이드와 틴옥사이드의 구성비가 서로 다르다. For example, as shown in FIG. 1, the ITO conducting intermediate layer 200 may be composed of two ITO sublayers 210 and 220. Here, the lower ITO sublayer 210 and the upper ITO sublayer 220 have different composition ratios of indium oxide and tin oxide.

예를 들어, 하측의 ITO서브층(210)은 인듐옥사이드의 구성비가 97%이고 틴옥사이드의 구성비는 3%로 되어 있다. 그리고 상측의 ITO서브층(220)은 인듐옥사이드의 구성비가 90%이고, 틴옥사이드의 구성비는 10%로 되어 있다. For example, the lower ITO sublayer 210 has a composition ratio of indium oxide of 97% and a composition ratio of tin oxide of 3%. In the upper ITO sublayer 220, the composition ratio of indium oxide is 90% and the composition ratio of tin oxide is 10%.

그리고 하측의 ITO서브층(210)의 두께는 5 내지 15나노미터 사이에 해당되는 것이 바람직하며, 상측의 ITO서브층(220)의 두께 또한 5 내지 15나노미터 사이에 해당되는 것이 바람직하다.The thickness of the lower ITO sublayer 210 is preferably between 5 and 15 nanometers and the thickness of the ITO sublayer 220 may be between 5 and 15 nanometers.

이와 같이 복수개의 ITO서브층 각각의 인듐옥사이드(Indium Oxide)와 틴옥사이드(Tin Oxide)의 구성비가 서로 다르도록 형성되면, 스퍼터링을 이용한 ITO 형성시 저온에서의 비저항이 개선될 수 있으므로 바람직하다.If the indium oxide and tin oxide of the plurality of ITO sub-layers are formed to have different composition ratios, the resistivity at low temperature can be improved when ITO is formed by sputtering, which is preferable.

참고로 입사광의 반사량이 감소되면 광투과량이 증대되는 특성을 나타낼 수가 있다. ITO전도중간층(200)이 상측의 ITO서브층(220)과 하측의 ITO서브층(210)으로 구성되면 입사광에 대하여 난반사 효과(Anti-Reflection Effect)를 나타내게 된다. 따라서, 15nm 이하의 두께를 갖는 Ag 층이 삽입된 다층박막처럼 단일한 막(film)에 비하여 광 투과도가 증대될 수 있으므로 바람직하다.For reference, if the amount of reflection of incident light decreases, the amount of light transmitted increases. When the ITO conductive intermediate layer 200 is composed of the upper ITO sublayer 220 and the lower ITO sublayer 210, the ITO conductive intermediate layer 200 exhibits an anti-reflection effect with respect to incident light. Therefore, it is preferable because the light transmittance can be increased compared to a single film like a multilayer thin film in which an Ag layer having a thickness of 15 nm or less is inserted.

전도성구조체층(300)은 도면에서 참조되는 바와 같이 투명전도층(400)의 하측에 위치하며, 전도성 있는 구조체(310)가 포함되어 있다.The conductive structure layer 300 is located under the transparent conductive layer 400 as shown in the figure, and includes a conductive structure 310.

전도성구조체층(300)은 베이스기판(100)의 상측 면에 마련될 수도 있으나, 앞서 설명한 바와 같이 베이스기판(100)의 상측 면에 마련된 투명전도중간층(200)의 상측 면에 전도성구조체층(300)이 마련된 형태 또한 바람직하다. The conductive structure layer 300 may be provided on the upper surface of the base substrate 100. The conductive structure layer 300 may be formed on the upper surface of the transparent conductive intermediate layer 200 provided on the upper surface of the base substrate 100, ) Is also preferable.

전도성구조체층(300)에 포함된 전도성 있는 구조체로서, 구리나 은과 같이 전도성이 있는 소재된 나노와이어나 메쉬(mesh)가 이용되는 것이 바람직하다.As the conductive structure included in the conductive structure layer 300, it is preferable to use conductive nanowires or meshes such as copper or silver.

그리고, 이러한 구조체의 상측에 코팅재로 코팅된 것이 바람직하다. And, it is preferable that the above structure is coated with a coating material.

구조체가 전도성 있는 다수의 나노와이어(nano-wire)인 경우, 도 1에서 참조되는 바와 같이 나노와이어(310)의 상측에 오버코팅재로 오버코팅된 코팅층(320)이 마련된 것이 바람직하다. If the structure is a plurality of conductive nanowires, it is preferable that a coating layer 320 overcoated with an overcoat material is provided on the nanowire 310 as shown in FIG.

그리고, 코팅층(320)은 열가소성 수지 및 UV 경화성 수지, 광개시제를 포함하는 비스페놀A계 아크릴레이트, 나프탈렌계 아크릴레이트, 아이소보닐계 아크릴레이트 및 아마만틸계 아크릴레이트를 포함하는 우레탄 아크릴레이트 군에서 1종 이상의 물질을 포함하여 이루어지는 것이 바람직하다.The coating layer 320 is formed from a urethane acrylate group containing a thermoplastic resin, a UV curable resin, a photoinitiator, a bisphenol A acrylate, a naphthalene acrylate, an isobornyl acrylate, It is preferable that it comprises the above materials.

여기서 나노와이어(310)의 종횡비는 1:20 내지 1:1000 사이에 해당되는 것이 바람직하다. Here, the aspect ratio of the nanowires 310 is preferably between 1:20 and 1: 1000.

구조체가 메쉬(330)인 경우, 도 2에서 참조되는 바와 같이 메쉬(330)에는 홀이 다수 형성되어 있으므로 메쉬(330)의 홀 사이 사이에 오버코팅재가 충진될 수 있다. When the structure is a mesh 330, as shown in FIG. 2, a plurality of holes are formed in the mesh 330, so that an overcoat material can be filled between the holes of the mesh 330.

이처럼 나노와이어 또는 메쉬로 된 구조체의 주변 또는 상측에 오버코팅재로 오버코팅(320)을 하여 전도성구조체층(300)에 투과되는 빛에 대한 난반사를 억제시켜줄 수 있는 것이 바람직하다.It is preferable that the overcoat 320 is formed on the periphery or the upper side of the nanowire or mesh structure by an overcoating material to suppress irregular reflection of light transmitted through the conductive structure layer 300.

투명전도층(400)은 빛에 대한 투과성과 전기전도성이 있으며, 전도성구조체층(300)의 상측에 마련되어 있다.The transparent conductive layer 400 has transparency to light and electrical conductivity, and is provided on the upper side of the conductive structure layer 300.

이러한 투명전도층(400)은, ITO(Indium Tin Oxide)전도층인 것이 바람직하다.The transparent conductive layer 400 is preferably an ITO (Indium Tin Oxide) conductive layer.

그리고 ITO전도층은 복수개의 ITO서브층(sub-layer)로 이루어지되, 복수개의 ITO서브층 각각의 인듐옥사이드(Indium Oxide)와 틴옥사이드(Tin Oxide)의 구성비가 서로 다르도록 형성된 것이 바람직하다. The ITO conductive layer is formed of a plurality of ITO sub-layers, and it is preferable that the ITO conductive sub-layers are formed such that the composition ratios of indium oxide and tin oxide are different from each other.

예를 들어, 하측의 ITO서브층(410)은 인듐옥사이드의 구성비가 97%이고 틴옥사이드의 구성비는 3%로 형성되어 있으며, 상측의 ITO서브층(420)은 인듐옥사이드의 구성비가 90%이고, 틴옥사이드의 구성비는 10%로 형성되어 있는 것 또한 바람직하다. For example, the lower ITO sublayer 410 has a composition ratio of indium oxide of 97% and a tin oxide composition ratio of 3%, and the upper ITO sublayer 420 has an indium oxide composition ratio of 90% , And the composition ratio of tin oxide is preferably 10%.

그리고 하측의 ITO서브층(410)의 두께는 10 내지 25나노미터 사이에 해당되는 것이 바람직하며, 상측의 ITO서브층(420)의 두께 또한 10 내지 25나노미터 사이에 해당되는 것이 바람직하다.The thickness of the lower ITO sublayer 410 is preferably between 10 and 25 nanometers, and the thickness of the upper ITO sublayer 420 is also between 10 and 25 nanometers.

다음으로 본 발명의 실시 예에 따른 전도성 적층필름 제조방법에 대하여 설명하기로 한다. Next, a method for manufacturing a conductive laminated film according to an embodiment of the present invention will be described.

도 1 내지 도 4를 참조하면, 본 발명의 실시 예에 따른 전도성 적층필름 제조방법은 도 4에 도시된 바와 같이 투명전도중간층 형성단계, 전도성 구조체층 형성단계 및 투명전도층 형성단계를 포함하며, 좀 더 바람직하게는 도 3에 도시된 바와 같이 기판준비단계를 더 포함하여 이루어질 수도 있다. Referring to FIGS. 1 to 4, a method of manufacturing a conductive laminated film according to an embodiment of the present invention includes forming a transparent conductive intermediate layer, forming a conductive structure layer, and forming a transparent conductive layer, More preferably, it may further comprise a substrate preparation step as shown in FIG.

<<S105>> << S105 >>

기판준비단계(S105)는 베이스기판(100)을 준비하는 단계라고 할 수 있다.The substrate preparation step (S105) may be a step of preparing the base substrate 100. [

베이스기판(100)은 빛에 대한 투과성이 있는 고분자물질 및 유리 중에서 어느 하나(110)를 포함하여 이루어지는 것이 바람직하다.The base substrate 100 preferably includes any one of a polymer material having transparency to light and glass.

여기서 고분자물질은 폴리에틸렌텔레프탈레이트, 폴리이미드, 폴리에틸렌나프탈레이트, 시클로올레핀폴리머 및 폴리카보네이트 중 어느 하나인 것이 바람직하다. Here, the polymer material is preferably any one of polyethylene terephthalate, polyimide, polyethylene naphthalate, cycloolefin polymer and polycarbonate.

그리고, 투명전도중간층(200)을 베이스기판(100)의 상측에 형성시키기 위하여 베이스기판(100) 표면에서 유기물을 제거시켜주는 것이 바람직하다.In order to form the transparent conductive intermediate layer 200 on the upper side of the base substrate 100, it is preferable to remove organic substances from the surface of the base substrate 100.

빛에 대한 투과성이 있는 고분자물질 또는 유리(110)의 상측면 또는 하측면에 코팅층(120, 130)을 형성시켜주는 것 또한 바람직하다.It is also preferable to form the coating layers 120 and 130 on the upper side or the lower side of the polymer material or the glass 110 which is permeable to light.

유기물 제거를 위하여 질소, 산소, 수소 및 아르곤으로 이루어진 군으로부터중에서 적어도 어느 하나 또는 1종 이상의 선택된 기체를 운반기체로서 사용할 수 있다.At least one selected from the group consisting of nitrogen, oxygen, hydrogen, and argon, or one or more selected gases may be used as the carrier gas for removing the organic substances.

그리고, 이러한 운반기체를 포함하여 이루어지는 플라즈마 방전에 의하여 유기물과 기체분자 라디칼과 반응하게 되므로 유기물이 제거될 수 있다. Since the plasma discharge including the carrier gas reacts with organic molecules and gas molecule radicals, organic matter can be removed.

아울러 고분자물질의 부착력이 향상될 수 있도록 베이스기판(100)에 대하여 금속이온충격을 하여 주는 것 또한 바람직하다. 금속이온충격을 시켜준 베이스기판(100)에 ITO의 증착이 잘 이루어지게 되어 투명전도중간층(200)의 형성에 도움이 된다. It is also preferable that the base substrate 100 is subjected to metal ion impact so that the adhesion of the polymer material can be improved. Deposition of ITO is performed well on the base substrate 100 subjected to the metal ion bombardment, which is helpful for forming the transparent conductive intermediate layer 200.

이온충격에는 서스나 티탄과 같은 고융점 소재를 선택적으로 사용할 수도 있다. A high melting point material such as SUS and titanium may be selectively used for the ion impact.

이러한 이온충격에 의하여 베이스기판(100)은 플렉서블한 유연성을 갖추게 된다. By this ion bombardment, the base substrate 100 has flexible flexibility.

<<S110>><< S110 >>

투명전도중간층 형성단계(S110)는 전도성구조체층 형성단계(S120) 이전에 이루어지는 단계로서, 베이스기판(100)의 상측 면에 빛에 대한 투과성과 전기전도성이 있는 투명전도중간층(200)을 형성시키는 단계이다.The transparent conductive intermediate layer forming step S110 is a step prior to the conductive structure layer forming step S120 and includes forming a transparent conductive intermediate layer 200 having light transmittance and electrical conductivity on the upper surface of the base substrate 100 .

여기서 투명전도중간층(200)은 ITO(Indium Tin Oxide)를 이용하여 형성시키는 ITO전도중간층(200)인 것이 바람직하다. 그리고, ITO전도중간층(200)은 복수개의 ITO서브층(sub-layer)(210, 220)로 이루어지되, 복수개의 ITO서브층(210, 220) 각각의 인듐옥사이드(Indium Oxide)와 틴옥사이드(Tin Oxide)의 구성비가 서로 다르도록 형성시켜주는 것이 바람직하다. Here, the transparent conductive intermediate layer 200 is preferably an ITO conductive intermediate layer 200 formed using ITO (Indium Tin Oxide). The ITO conductive intermediate layer 200 is formed of a plurality of ITO sub-layers 210 and 220, and indium oxide (ITO) and tin oxide (ITO) Tin Oxide) are formed to be different from each other.

예를 들어, 하측의 ITO서브층(210)은 인듐옥사이드의 구성비가 97%이고 틴옥사이드의 구성비는 3%가 되도록 형성시켜주고 ,상측의 ITO서브층(220)은 인듐옥사이드의 구성비가 90%이고, 틴옥사이드의 구성비는 10%가 되도록 형성시켜줄 수 있다. For example, the lower ITO sublayer 210 may have a composition ratio of indium oxide of 97% and a tin oxide composition of 3%, and an upper ITO sublayer 220 may have a composition ratio of indium oxide of 90% , And the composition ratio of tin oxide is 10%.

그리고 하측의 ITO서브층(210)의 두께는 10 내지 25나노미터 사이에 해당되는 것이 바람직하며, 상측의 ITO서브층(220)의 두께 또한 10 내지 25나노미터 사이에 해당되는 것이 바람직하다.The thickness of the lower ITO sublayer 210 is preferably between 10 and 25 nanometers, and the thickness of the ITO sublayer 220 may be between 10 and 25 nanometers.

이와 같이 복수개의 ITO서브층 각각의 인듐옥사이드(Indium Oxide)와 틴옥사이드(Tin Oxide)의 구성비가 서로 다르도록 형성되면, 스퍼터링을 이용한 ITO 형성시 저온에서의 비저항이 개선될 수 있으므로 바람직하다.If the indium oxide and tin oxide of the plurality of ITO sub-layers are formed to have different composition ratios, the resistivity at low temperature can be improved when ITO is formed by sputtering, which is preferable.

스퍼터와 같은 장비 내에 구비되는 ITO 소스 타겟은 틴옥사이드의 중량비가 10wt% 가까울수록 주석의 도핑 효과로 ITO 박막의 비저항이 낮아지게 되지만, 결정화를 이루기 위하여 높은 에너지가 요구된다. 따라서 이를 위해 고온 열처리가 이루어지는 것이 바람직하다. As the weight ratio of tin oxide is closer to 10 wt%, the resistivity of the ITO thin film is lowered due to the doping effect of tin, but high energy is required to achieve crystallization. Therefore, it is preferable that a high-temperature heat treatment is performed for this purpose.

그런데, 틴옥사이드의 중량비가 3wt%에 가까울수록 대기 중에 낮은 에너지로도 산소와 반응을 일으켜 결정화가 쉽게 시작되는 것으로 보고되고 있다. However, it has been reported that as the weight ratio of tin oxide is closer to 3 wt%, it reacts with oxygen even at low energy in the atmosphere, and thus crystallization easily begins.

따라서, 틴옥사이드의 중량비가 다르도록 3wt% 및 10wt%로 구성되는 복수개의 ITO서브층(210, 220)으로 구성하여 비저항을 낮추고 결정화를 쉽게 얻을 수 있게 된다. 따라서, ITO전도중간층(200)의 두께를 감소시키면서도 면저항을 낮출 수 있으며 광투과율이 증대되는 광학적 특성을 얻을 수 있게 된다.Accordingly, a plurality of ITO sub-layers 210 and 220 composed of 3 wt% and 10 wt% are formed so that the weight ratio of tin oxide is different, and the resistivity is lowered and crystallization can be easily obtained. Accordingly, it is possible to reduce the sheet resistance while reducing the thickness of the ITO conductive intermediate layer 200, and to obtain an optical characteristic in which the light transmittance is increased.

ITO 면저항이 50 내지 100 ohm/sq, 평균 두께는 15 내지 60 나노미터에 해당되는 것이 바람직하다.It is preferable that the ITO sheet resistance is 50 to 100 ohm / sq, and the average thickness corresponds to 15 to 60 nanometers.

<<S120>><< S120 >>

전도성구조체층 형성단계(S120)는 전도성이 있는 구조체를 포함하는 전도성구조체층(300)을 베이스기판(100)의 상측에 형성시키는 단계이다. 투명전도중간층 형성단계(S110)가 더 포함되는 경우 전도성구조체층(300)은 베이스기판(100) 상측 면에 형성된 투명전도중간층(200)의 상측에 형성된다.The conductive structure layer forming step S120 is a step of forming a conductive structure layer 300 including a conductive structure on the upper side of the base substrate 100. [ When the transparent conductive intermediate layer forming step (S110) is further included, the conductive structure layer 300 is formed on the transparent conductive intermediate layer 200 formed on the upper surface of the base substrate 100.

전도성구조체층 형성단계(S120)에서 형성되는 전도성구조체층(300)의 구조체(310)는 다수의 나노와이어 또는 메쉬(mesh)(330, 도 2참조)인 것이 바람직하다.The structure 310 of the conductive structure layer 300 formed in the conductive structure layer forming step S120 is preferably a plurality of nanowires or meshes 330 (see FIG. 2).

그리고, 전도성구조체층 형성단계(S120)에서 전도성구조체층(300)은 전기전도성이 있는 다수의 나노와이어(310) 또는 메쉬(mesh)(330)가 구조체로서 배치되고, 다수의 나노와이어(310) 또는 메쉬(330)의 상측에 오버코팅재가 코팅(320)되어 형성되는 것이 바람직하다. In the conductive structure layer forming step S120, the conductive structure layer 300 includes a plurality of electrically conductive nanowires 310 or meshes 330 arranged as a structure, and a plurality of nanowires 310, Or an overcoat material is coated on the upper side of the mesh 330 to form a coating 320.

여기서, 오버코팅재는 우레탄계 수지, 폴리에스트르계 수지 및 폴리비닐부틸클로라이드계 수지로 이루어지는 군에서 선택되는 하나 또는 1종 이상의 고분자를 포함하는 열가소성 수지와 우레탄/에폭시 아크릴레이트 및 에스테르아크릴레이트 군에서 선택되는 하나 또는 1종 이상의 고분자를 포함하는 UV 경화성 수지인 것이 바람직하며 이러한 오버코팅재를 이용하여 코팅시켜주는 것이 바람직하다. Here, the overcoat material is selected from the group consisting of urethane / epoxy acrylate and ester acrylate and a thermoplastic resin containing one or more polymers selected from the group consisting of urethane resin, polyesther resin and polyvinylbutyl chloride resin It is preferable that the resin is a UV curable resin containing one or more polymers, and it is preferable that the resin is coated using such an overcoat material.

오버코팅은 스프레이코팅, 바코팅, 슬링코팅 등의 방식으로 이루어질 수도 있다. Overcoating may be accomplished by spray coating, bar coating, sling coating, or the like.

그리고, 구리 또는 은나노와이어의 종횡비는 1:20 내지 1:1000 사이에 해당되는 것이 바람직하다. The aspect ratio of the copper or silver nano wire is preferably between 1:20 and 1: 1000.

아울러, 전도성구조체층(300)의 두께는 40 나노미터 내지 250 나노미터 사이에 해당되는 것이 바람직하다. In addition, it is preferable that the thickness of the conductive structure layer 300 is between 40 nanometers and 250 nanometers.

전도성구조체층(300)에 다수의 은나노와이어(310)가 배치된 경우, 다수의 은나노와이어(310)가 배치된 표면의 거칠기는 매우 높다. 따라서 이를 그냥 이용할 경우 열화현상이 발생하기 쉬우므로 장시간 구동시에도 안정성을 갖출 것이 요구되는 신뢰성을 보장하기 어렵게 된다. 또한 빛의 난반사 현상인 헤이즈현상이 발생하게 될 가능성이 크다. When the plurality of silver nano wires 310 are disposed in the conductive structure layer 300, the roughness of the surface on which the plurality of silver nano wires 310 are disposed is very high. Therefore, it is difficult to guarantee the reliability that the stability is required to be maintained even when driving for a long time because the deterioration phenomenon is likely to occur. In addition, there is a high possibility that a haze phenomenon, which is a diffuse phenomenon of light, occurs.

이처럼 전도성구조체층(300)에 은나노와이어(310) 또는 은메쉬(330)와 같은 구조체가 마련되고 그 상측으로 오버코팅재로 오버코팅(320)시켜주는 것이 바람직하다. 오버코팅재로 오버코팅(320)되면 투과되는 빛에 대한 난반사 발생을 억제시켜주게 된다. It is preferable that the conductive structure layer 300 is provided with a structure such as a silver wire 310 or a silver mesh 330 and an overcoat 320 is formed on the conductive structure layer 300 with an overcoat material thereon. When the overcoat material is overcoated (320), the occurrence of irregular reflection on transmitted light is suppressed.

또한 고온에서 ITO전도층 상측으로 박막이 터지게 되는 박막용출현상의 발생은 오버코팅에 의해 억제된다. 아울러, 오버코팅재로 은나노와이어(310) 또는 은메쉬(330)와 같은 구조체가 코팅처리되므로 산화방지막의 역할도 하게 된다.Further, the occurrence of thin film elution phenomenon in which the thin film is blown up to the upper side of the ITO conductive layer at a high temperature is suppressed by overcoating. In addition, since the structure such as the silver nano wire 310 or the silver mesh 330 is coated with the overcoat material, it also acts as an oxidation preventing film.

<<S130>> << S130 >>

투명전도층 형성단계(S130)는 전도성구조체층 형성단계(S120)에서 형성된 전도성구조체층(300)의 상측에 빛에 대한 투과성과 전기전도성이 있는 투명전도층(400)을 형성시키는 단계이다.The transparent conductive layer forming step S130 is a step of forming a transparent conductive layer 400 having light transmittance and electrical conductivity on the upper side of the conductive structure layer 300 formed in the conductive structure layer forming step S120.

투명전도층 형성단계(S130)에서 형성되는 투명전도층(400)은 ITO(Indium Tin Oxide) 전도층인 것이 바람직하다. 여기서, ITO전도층은 복수개의 ITO서브층(sub-layer)(410, 420)로 이루어지되, 복수개의 ITO서브층 각각의 인듐옥사이드(Indium Oxide)와 틴옥사이드(Tin Oxide)의 구성비가 서로 다르도록 형성된 것이 바람직하다. The transparent conductive layer 400 formed in the transparent conductive layer forming step S130 is preferably an ITO (Indium Tin Oxide) conductive layer. Here, the ITO conductive layer is composed of a plurality of ITO sub-layers 410 and 420, in which the composition ratios of indium oxide and tin oxide in the plurality of ITO sub-layers are different from each other .

예를 들어, 하측의 ITO서브층(410)은 인듐옥사이드의 구성비가 97%이고 틴옥사이드의 구성비는 3%로 되어 있다. 그리고 상측의 ITO서브층(420)은 인듐옥사이드의 구성비가 90%이고, 틴옥사이드의 구성비는 10%로 되어 있다. For example, the lower ITO sublayer 410 has a composition ratio of indium oxide of 97% and a composition ratio of tin oxide of 3%. The upper ITO sublayer 420 has a composition ratio of indium oxide of 90% and a composition ratio of tin oxide of 10%.

그리고 하측의 ITO서브층(410)의 두께는 10 내지 25나노미터 사이에 해당되는 것이 바람직하며, 상측의 ITO서브층(420)의 두께 또한 10 내지 25나노미터 사이에 해당되는 것이 바람직하다.The thickness of the lower ITO sublayer 410 is preferably between 10 and 25 nanometers, and the thickness of the upper ITO sublayer 420 is also between 10 and 25 nanometers.

이와 같이 복수개의 ITO서브층(410, 420) 각각의 인듐옥사이드(Indium Oxide)와 틴옥사이드(Tin Oxide)의 구성비가 서로 다르도록 형성되면, 스퍼터링을 이용한 ITO 형성시 저온에서의 비저항이 개선될 수 있으므로 바람직하다.If the ITO sub-layers 410 and 420 have different indium oxide (ITO) and tin oxide (ITO) composition ratios, the resistivity at low temperatures during ITO formation by sputtering may be improved Therefore, it is preferable.

아울러 ITO 면저항이 50 내지 100 ohm/sq, 평균 두께는 15 내지 60 나노미터에 해당되는 것이 바람직하다.It is preferable that the ITO surface resistance is 50 to 100 ohm / sq and the average thickness corresponds to 15 to 60 nanometers.

이상에서 설명한 바와 같이 본 발명에 따른 전도성 적층필름과 이의 제조방법은 전도성구조체층에 은나노와이어 또는 은메쉬와 오버코팅을 통해 투과되는 빛에 대한 난반사 발생을 억제시켜주는 장점이 있으며, 고온에서 ITO전도층 상측으로 박막이 터지게 되는 박막용출현상의 발생되는 것을 오버코팅에 의해 억제된다는 장점 또한 있다. As described above, the conductive laminated film and the manufacturing method thereof according to the present invention have an advantage of suppressing the occurrence of diffuse reflection to light transmitted through the silver nano wire or silver mesh and overcoating on the conductive structure layer, There is also an advantage that the occurrence of thin film elution phenomenon that the thin film is blown up on the layer side is suppressed by overcoating.

또한, 본 발명에 따른 전도성 적층필름은 85% 이상의 광투과도와 낮은 면저항을 갖추게 되며, 플렉서블(flexible) 유기태양전지, 스마트 윈도우용 고분자 분사형 액정필름, 전기변색 필름, 열반사 필름, 유기띠 소자 등을 포함하는 전자기기에 이용될 수 있다는 장점 또한 있다.In addition, the conductive laminated film according to the present invention has a light transmittance of 85% or more and a low sheet resistance, and can be used as a flexible organic solar cell, a polymer spraying type liquid crystal film for a smart window, an electrochromic film, It is also possible to use it in an electronic device including the electronic device.

이상에서 설명된 바와 같이, 본 발명에 대한 구체적인 설명은 첨부된 도면을 참조한 실시 예들에 의해서 이루어졌지만, 상술한 실시 예들은 본 발명의 바람직한 실시 예를 들어 설명하였을 뿐이기 때문에, 본 발명이 상기의 실시 예에만 국한되는 것으로 이해되어져서는 아니되며, 본 발명의 권리범위는 후술하는 청구범위 및 그 등가개념으로 이해되어져야 할 것이다. While the present invention has been described in connection with what is presently considered to be practical exemplary embodiments, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed embodiments, but, on the contrary, It is to be understood that the scope of the present invention is to be construed as being limited only by the embodiments, and the scope of the present invention should be understood as the following claims and their equivalents.

100 : 베이스기판 200 : 투명전극중간층
300 : 전도성구조체층 400 : 투명전극층100: base substrate 200: transparent electrode intermediate layer
300: conductive structure layer 400: transparent electrode layer

Claims (19)

빛에 대한 투과성과 전기전도성이 있는 투명전도층;
상기 투명전도층의 하측에 위치하며, 전도성 있는 구조체가 포함된 전도성구조체층; 및 상기 전도성구조체층의 하측에 위치하며, 상기 전도성구조체층을 받쳐주는 토대가 되는 베이스기판; 을 포함하는 것을 특징으로 하는 전도성 적층필름.
A transparent conductive layer having transparency to light and electric conductivity;
A conductive structure layer located below the transparent conductive layer and including a conductive structure; And a base substrate positioned under the conductive structure layer and serving as a base for supporting the conductive structure layer; &Lt; / RTI &gt;
제 1항에 있어서,
상기 베이스기판은,
빛에 대한 투과성이 있는 고분자물질 및 유리 중에서 어느 하나를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 전도성 적층필름.
The method according to claim 1,
The base substrate includes:
A polymer material having transparency to light, and glass.
제 2항에 있어서,
상기 고분자물질은,
폴리에틸렌텔레프탈레이트, 폴리이미드, 폴리에틸렌나프탈레이트, 시클로올레핀폴리머 및 폴리카보네이트 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 전도성 적층필름.
3. The method of claim 2,
The polymeric material may be,
Polyethylene terephthalate, polyimide, polyethylene naphthalate, cycloolefin polymer, and polycarbonate.
제 1항에 있어서,
상기 투명전도층은,
ITO(Indium Tin Oxide)전도층인 것을 특징으로 하는 전도성 적층필름.
The method according to claim 1,
Wherein the transparent conductive layer comprises:
An ITO (Indium Tin Oxide) conductive layer.
제 4항에 있어서,
상기 ITO전도층은,
복수개의 ITO서브층(sub-layer)로 이루어지되,상기 복수개의 ITO서브층 각각의 인듐옥사이드(Indium Oxide)와 틴옥사이드(Tin Oxide)의 구성비가 서로 다르도록 형성된 것을 특징으로 하는 전도성 적층필름.
5. The method of claim 4,
The ITO conductive layer may be formed,
Wherein a plurality of ITO sub-layers are formed such that the composition ratios of indium oxide and tin oxide of the plurality of ITO sub-layers are different from each other.
제 1항에 있어서,
상기 전도성구조체층과 상기 베이스기판 사이에 위치하며, 빛에 대한 투과성과 전기전도성이 있는 투명전도중간층; 을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전도성 적층필름.
The method according to claim 1,
A transparent conductive intermediate layer positioned between the conductive structure layer and the base substrate and having transparency to light and electric conductivity; Further comprising a conductive film.
제 6항에 있어서,
상기 투명전도중간층은 ITO(Indium Tin Oxide)전도중간층인 것을 특징으로 하는 전도성 적층필름.
The method according to claim 6,
Wherein the transparent conductive intermediate layer is an ITO (Indium Tin Oxide) conductive intermediate layer.
제 7항에 있어서,
상기 ITO전도중간층은 복수개의 ITO서브층(sub-layer)로 이루어지되,
상기 복수개의 ITO서브층 각각의 인듐옥사이드(Indium Oxide)와 틴옥사이드(Tin Oxide)의 구성비가 서로 다르도록 형성된 것을 특징으로 하는 전도성 적층필름.
8. The method of claim 7,
The ITO conduction intermediate layer includes a plurality of ITO sub-layers,
Wherein the plurality of ITO sub-layers are formed to have different composition ratios of indium oxide and tin oxide.
제 1항에 있어서,
상기 전도성구조체층에 포함되는 상기 구조체는
전도성 있는 메쉬(mesh)인 것을 특징으로 하는 전도성 적층필름.The method according to claim 1,
The structure included in the conductive structure layer
Wherein the conductive film is a conductive mesh. 제 1항에 있어서,
상기 전도성구조체층에 포함되는 상기 구조체는
전도성 있는 다수의 나노와이어(nano-wire)인 것을 특징으로 하는 전도성 적층필름.
The method according to claim 1,
The structure included in the conductive structure layer
A conductive laminated film characterized in that it is a plurality of conductive nano-wires.
제 10항에 있어서,
상기 나노와이어의 종횡비는 1:20 내지 1:1000 사이에 해당되는 것을 특징으로 하는 전도성 적층필름.
11. The method of claim 10,
Wherein the aspect ratio of the nanowires is between 1:20 and 1: 1000.
제 1항에 있어서,
상기 전도성구조체층은 상기 전도성구조체층에 투과되는 빛에 대한 난반사를 억제시켜주도록 상기 구조체의 주변 또는 상측에 오버코팅재로 오버코팅된 것을 특징으로 하는 전도성 적층필름.
The method according to claim 1,
Wherein the conductive structure layer is overcoated with an overcoat material around or above the structure so as to suppress irregular reflection of light transmitted through the conductive structure layer.
전도성이 있는 구조체를 포함하는 전도성구조체층을 베이스기판의 상측에 형성시키는 전도성구조체층 형성단계; 및
상기 전도성구조체층 형성단계에서 형성된 상기 전도성구조체층의 상측에 빛에 대한 투과성과 전기전도성이 있는 투명전도층을 형성시키는 투명전도층 형성단계; 를 포함하고,
상기 전도성구조체층 형성단계에서 형성되는 상기 전도성구조체층의 상기 구조체는 다수의 나노와이어 또는 메쉬인 것을 특징으로 하는,
전도성 적층필름 제조방법.
Forming a conductive structure layer on the base substrate, the conductive structure layer including a conductive structure; And
A transparent conductive layer forming step of forming a transparent conductive layer having transparency to light and electrical conductivity on the upper side of the conductive structure layer formed in the conductive structure layer forming step; Lt; / RTI &gt;
Wherein the structure of the conductive structure layer formed in the conductive structure layer formation step is a plurality of nanowires or meshes.
A method for manufacturing a conductive laminated film.
제 13항에 있어서,
상기 베이스기판은,
빛에 대한 투과성이 있는 고분자물질 및 유리 중에서 어느 하나를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 전도성 적층필름 제조방법.
14. The method of claim 13,
The base substrate includes:
A polymer material having transparency to light, and glass. &Lt; RTI ID = 0.0 &gt; 11. &lt; / RTI &gt;
제 14항에 있어서,
상기 고분자물질은.
폴리에틸렌텔레프탈레이트, 폴리이미드, 폴리에틸렌나프탈레이트, 시클로올레핀폴리머 및 폴리카보네이트 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 전도성 적층필름 제조방법.
15. The method of claim 14,
The polymeric material may be selected from the group consisting of:
Wherein the film is one of polyethylene terephthalate, polyimide, polyethylene naphthalate, cycloolefin polymer and polycarbonate.
제 13항에 있어서,
상기 투명전도층 형성단계에서 형성되는 상기 투명전도층은 ITO(Indium Tin Oxide) 전도층이고,
상기 ITO전도층은,
복수개의 ITO서브층(sub-layer)로 이루어지되,
상기 복수개의 ITO서브층 각각의 인듐옥사이드(Indium Oxide)와 틴옥사이드(Tin Oxide)의 구성비가 서로 다르도록 형성시키는 것을 특징으로 하는 전도성 적층필름.
14. The method of claim 13,
The transparent conductive layer formed in the transparent conductive layer forming step is an ITO (Indium Tin Oxide) conductive layer,
The ITO conductive layer may be formed,
A plurality of ITO sub-layers,
Wherein the plurality of ITO sub-layers are formed to have different composition ratios of indium oxide and tin oxide.
제 13항에 있어서,
상기 전도성구조체층 형성단계 이전에 이루어지는 단계로서,
상기 베이스기판의 상측 면에 빛에 대한 투과성과 전기전도성이 있는 투명전도중간층을 형성시키는 투명전도중간층 형성단계; 를 더 포함하고,
상기 전도성구조체층 형성단계에서 상기 전도성구조체층은
상기 베이스기판 상측 면에 형성된 상기 투명전도중간층의 상측에 형성되는 것을 특징으로 하는 전도성 적층필름 제조방법.
14. The method of claim 13,
Wherein the step of forming the conductive structure layer comprises:
A transparent conductive intermediate layer forming step of forming a transparent conductive intermediate layer having light transmittance and electrical conductivity on an upper surface of the base substrate; Further comprising:
In the step of forming the conductive structure layer, the conductive structure layer
Wherein the transparent conductive intermediate layer is formed on an upper side of the transparent conductive intermediate layer formed on the upper surface of the base substrate.
제 17항에 있어서,
상기 투명전도중간층은
ITO(Indium Tin Oxide)전도중간층이고,
상기 ITO전도중간층은,
복수개의 ITO서브층(sub-layer)로 이루어지되,
상기 복수개의 ITO서브층 각각의 인듐옥사이드(Indium Oxide)와 틴옥사이드(Tin Oxide)의 구성비가 서로 다르도록 형성되는 것을 특징으로 하는 전도성 적층필름 제조방법.
18. The method of claim 17,
The transparent conductive intermediate layer
ITO (Indium Tin Oxide) conductive intermediate layer,
The ITO conduction intermediate layer may include,
A plurality of ITO sub-layers,
Wherein the plurality of ITO sub-layers are formed to have different composition ratios of indium oxide and tin oxide.
제 18항에 있어서,
상기 전도성구조체층 형성단계에서 상기 전도성구조체층은
전기전도성이 있는 다수의 나노와이어 또는 메쉬(mesh)가 구조체로서 배치되고,
상기 다수의 나노와이어 또는 메쉬의 상측에 오버코팅재가 코팅되어 형성되는 것을 특징으로 하는 전도성 적층필름 제조방법.
19. The method of claim 18,
In the step of forming the conductive structure layer, the conductive structure layer
A plurality of electrically conductive nanowires or meshes are arranged as a structure,
Wherein the plurality of nanowires or meshes are coated with an overcoat on top of the nanowires or meshes.
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