KR20180101615A - 결함 검사를 위한 레시피를 선택하는 방법 및 시스템 - Google Patents

결함 검사를 위한 레시피를 선택하는 방법 및 시스템 Download PDF

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Abstract

결함 검사에 적합한 광학 모드들을 선택하는 방법 및 시스템이 개시된다. 방법은 풀 스택 웨이퍼 이미지들의 세트를 획득하기 위해 광학 모드들의 세트를 이용하여 특정 타입의 풀 스택 웨이퍼를 스캔하는 단계; 및 상기 특정 타입의 웨이퍼의 결함 검사에 적합한 광학 모드들의 선택을 가능하게 하기 위해 상기 풀 스택 웨이퍼 이미지들의 세트에 의해 표시된 잠재적인 관심 대상의 결함의 위치에 기초하여, 디프로세싱된 웨이퍼를 생성하도록 상기 풀 스택 웨이퍼를 디프로세싱 단계를 포함할 수 있다.

Description

결함 검사를 위한 레시피를 선택하는 방법 및 시스템
관련 출원에 대한 상호 참조
본 출원은 2016년 2월 1일에 출원된 미국 가출원 제62/289,870호의 35 U.S.C. §119(e)에 따른 우선권을 주장한다. 상기 미국 가출원 제62/289,870호는 그 전체가 본 명세서에 참고로 포함된다.
본 출원은 또한 2016년 10월 20일에 출원된 미국 가출원 제62/410,669호의 35 U.S.C. §119(e)에 따른 우선권을 주장한다. 상기 미국 가출원 제62/410,669호는 그 전체가 본 명세서에 참고로 포함된다.
본 발명은 일반적으로 검사 분야에 관한 것으로, 특히 반도체 장치의 검사에 관한 것이다.
실리콘 웨이퍼 등과 같은 폴리싱된 박판은 현대 기술의 매우 중요한 부분이다. 예를 들어, 웨이퍼는 집적 회로 및 다른 장치의 제조에 사용되는 반도체 재료의 얇은 슬라이스(thin slice)를 지칭할 수 있다. 폴리싱된 박판의 다른 예는 자기 디스크 기판, 게이지 블록(gauge block) 등을 포함할 수 있다. 본 명세서에서 기술된 기술은 주로 웨이퍼를 언급하지만, 이 기술은 다른 타입의 폴리싱된 박판에도 적용 가능하다는 것을 이해해야 한다. 웨이퍼 및 폴리싱된 박판이라는 용어는 본 명세서에서 상호 교환적으로 사용될 수 있다.
웨이퍼는 결함 검사 대상이다. 이러한 검사를 수행하는데 사용되는 도구들은 효율적이고 효과적일 것으로 예상된다. 그러나, 주목할 것은 최근의 3D NAND 기술의 개발로 인해 기존 검사 도구의 효율성과 효과성에 문제가 생겼다는 것이다. 보다 구체적으로, 3D NAND 기술은 웨이퍼 상에 수직으로 복수의 레이어들을 적층할 수 있기 때문에 단일 평면 레이어를 검사하도록 설계된 검사 도구는 3D NAND 매립 결함을 식별하려고 시도할 때 제대로 작동하지 않는다.
여기에서는 매립 결함을 검사하기 위한 방법 및 시스템을 제공할 필요가 있다.
본 발명은 특정 타입의 웨이퍼의 결함 검사에 적합한 레시피(recipe)를 부분적으로 포함하는 광학 모드들 및 알고리즘들을 선택하는 방법에 관한 것이다. 이 방법은, 풀 스택 웨이퍼 이미지들의 세트를 획득하기 위해 광학 모드들 및 알고리즘들의 세트를 이용하여 특정 타입의 풀 스택 웨이퍼(full-stack wafer)를 스캔하는 단계; 및 특정 타입의 웨이퍼의 결함 검사에 적합한 광학 모드들 및 알고리즘들의 선택을 가능하게 하기 위해 풀 스택 웨이퍼 이미지들의 세트에 의해 표시된 잠재적인 관심 대상의 결함(a potential defect of interest)의 위치에 기초하여, 디프로세싱된(de-processed) 웨이퍼를 생성하도록 풀 스택 웨이퍼를 디프로세싱 단계를 포함할 수 있다.
본 발명의 다른 실시예는 시스템이다. 이 시스템은 하나 이상의 광학 모드를 이용하여 하나 이상의 웨이퍼의 광학 이미지를 획득하도록 구성된 광학 검사 도구를 포함할 수 있다. 이 시스템은 또한 상기 광학 검사 도구와 통신하는 적어도 하나의 프로세서 및 이미지 저장 매체를 포함할 수 있다. 적어도 하나의 프로세서는 결함 검사에 적합한 광학 모드들의 선택을 가능하게 하도록 구성될 수 있다. 상기 적어도 하나의 프로세서는, 광학 모드들의 세트를 사용하여 풀 스택 웨이퍼를 스캔함으로써 상기 광학 검사 도구에 의해 획득된 풀 스택 웨이퍼 이미지들의 세트를 수신하고; 디프로세싱된 웨이퍼의 광학 검사 또는 주사 전자 현미경 검토 중 적어도 하나에 기초하여, 검증된 결함 위치를 수신하고 - 상기 디프로세싱된 웨이퍼는 풀 스택 웨이퍼 이미지들의 세트에 의해 표시된 잠재적인 관심 대상의 결함의 위치에 기초하여 상기 풀 스택 웨이퍼를 디프로세싱한 제품임 -; 그리고 상기 풀 스택 웨이퍼 이미지들의 세트 및 상기 디프로세싱된 웨이퍼로부터의 상기 검증된 결함 위치들에 기초하여 상기 광학 검사 도구에 의해 사용될 결함 검사를 위한 레시피를 형성하도록 더 구성될 수 있다.
본 발명의 추가적인 실시예는 시스템에 관한 것이다. 이 시스템은 하나 이상의 광학 모드를 이용하여 하나 이상의 웨이퍼의 광학 이미지를 획득하도록 구성된 광학 검사 도구를 포함할 수 있다. 이 시스템은 또한 광학 검사 도구와 통신하는 적어도 하나의 프로세서를 포함할 수 있다. 상기 적어도 하나의 프로세서는 결함 검사에 적합한 광학 모드들 및 알고리즘들의 선택을 가능하게 하도록 구성될 수 있다. 상기 적어도 하나의 프로세서는, 광학 모드들 및 알고리즘들의 세트를 사용하여 풀 스택 웨이퍼를 스캔함으로써 상기 광학 검사 도구에 의해 획득된 풀 스택 웨이퍼 이미지들의 세트를 수신하고; 광학 모드들 및 알고리즘의 세트를 사용하여, 디프로세싱된 웨이퍼를 스캔함으로써 광학 검사 도구에 의해 획득된 디프로세싱된 웨이퍼 이미지들의 세트를 수신하고 - 상기 디프로세싱된 웨이퍼는 풀 스택 웨이퍼 이미지들의 세트에 의해 표시된 잠재적인 관심 대상의 결함의 위치에 기초하여 상기 풀 스택 웨이퍼를 디프로세싱한 제품임 -; 그리고 상기 풀 스택 웨이퍼 이미지들의 세트 및 상기 디프로세싱된 웨이퍼 이미지들의 세트에 기초하여 상기 광학 검사 도구에 의해 사용될 결함 검사를 위한 레시피를 형성하도록 더 구성될 수 있다.
전술한 일반적인 설명 및 다음의 상세한 설명은 모두 예시적이고 설명적인 것일 뿐이며, 본 발명을 반드시 제한하는 것은 아니라는 것을 이해해야 한다. 본 명세서에 통합되어 그 일부를 구성하는 첨부 도면은 본 발명의 요지를 예시한다. 본원의 상세한 설명 및 도면은 함께 본 발명의 원리를 설명하는 역할을 한다.
본 발명의 복수의 이점은 첨부된 도면을 참조하면 당업자에게 보다 잘 이해될 수 있다.
도 1(a)는 검사 방법을 나타내는 흐름도이다.
도 1(b)는 풀 스택 웨이퍼와 디프로세싱된 웨이퍼를 비교한 도면이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따라 구성된 검사 방법을 나타내는 흐름도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따라 구성된 또 다른 검사 방법을 나타내는 흐름도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따라 구성된 검사 방법의 일부를 나타내는 흐름도이다.
도 5는 도 4에 도시된 검사 방법의 제 2 부분을 나타내는 흐름도이다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따라 구성된 다른 검사 방법을 나타내는 흐름도이다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따라 구성된 검사 시스템을 나타내는 블럭도이다.
이제, 첨부된 도면에 도시된 본 발명의 요지에 대한 상세한 설명이 행해질 것이다.
일반적으로 도 1(a)를 참조하면, 매립된 결함에 대한 검사 방법(100)(간단히, 검사 방법(100)으로 지칭될 수 있음)을 도시한 흐름도가 도시되어 있다. 검사 방법(100)은 수직으로 적층된 복수의 레이어(layer)들을 갖는 타겟(예를 들어, 웨이퍼 A)을 검사하도록 구성될 수 있다. 검사 방법(100)은 웨이퍼 A의 디스커버리 스캔(discovery scan)을 수행하기 위해 단계 102에서 한 세트의(예를 들어, 5개 이상의) 상이한 광학 모드들을 선택할 수 있다. 선택된 광학 모드들은 개구 설정, 초점 설정, 파장 밴드 또는 주파수 설정의 관점에서 상이할 수 있다. 검사 방법(100)은 웨이퍼 A의 디스커버리 스캔을 수행하기 위해 단계 102에서 한 세트의 상이한 검출 알고리즘들을 선택할 수 있다. 선택된 검출 알고리즘들은 임계값 및 필터와 같은 설정의 관점에서, 또는 알고리즘 방법의 관점에서 상이할 수 있다. 이에 따라 상이한 광학 모드들 및 상이한 검출 알고리즘들을 사용하여 획득된 결함 위치들의 목록의 형태로 결과가 생성된다. 이 결과는 결함의 작은 광학 이미지들과 그 이미지들로부터 계산된 속성들을 포함할 수 있다.
주목할 것은, 상이한 광학 모드들 또는 알고리즘들을 사용하여 디스커버리 스캔을 수행함으로써, 웨이퍼 A의 상이한 레이어들 내에 매립될 수 있는 결함이 획득될 수 있다는 것이다. 예를 들어, 디스커버리 스캔이 잠재적인 관심 대상의 결함(또는 DOI)이 스택의 최하위 레이어(bottom layer)에 위치하는 것으로 나타내면, 디스커버리 스캔에 의해 표시된 잠재적인 DOI가 실제로 관심 대상의 DOI인지를 검증하기 위한 검증 프로세스가 호출될 수 있다. 이러한 검증 프로세스는 디프로세싱된 웨이퍼를 사용하여 수행될 수 있다. 이러한 검증 프로세스는 또한 회로의 처리가 완료된 후에 상기 웨이퍼의 전기적 테스트를 수행함으로써 수행될 수 있다.
디프로세싱된 웨이퍼는 특정의 레이어들이 제거된 웨이퍼이다. 도 1(b)는 풀 스택 웨이퍼 및 디프로세싱된 웨이퍼의 도면을 도시한다. 결함은 점선으로 표시된 추가적인 물질이다. 전술한 예를 참조하면, 디스커버리 스캔이 스택의 최하위 레이어에 잠재적인 DOI가 위치한다는 것을 나타내는 경우, 스택의 최하위 레이어 위의 레이어들은 디프로세싱된 웨이퍼 A’를 제공하기 위해 디프로세싱 단계(104)에서 웨이퍼 A로부터 제거될 수 있다. 디프로세싱 단계(104)는 전체 웨이퍼 표면으로부터 또는 풀 스택 웨이퍼의 검사로부터 결정되는 선택된 지점으로부터 물질을 제거할 수 있다. 디프로세싱 단계(104)는 도 1(b)에 도시된 바와 같이 결함 위로부터 또는 결함의 측부로부터 물질을 제거할 수 있다. 디프로세싱된 웨이퍼 A'는 그 후 디스커버리 스캔에 대해 단계 106에서 검토될 수 있다. 이 검토에서 디스커버리 스캔에 의해 표시된 잠재적인 DOI가 진정한 관심 대상의 DOI가 아니라는 것이 밝혀지면, 그 디스커버리 스캔을 수행하도록 선택된 광학 모드들은 웨이퍼 A에 대해서는 비효과적인 것이고, 검사 방법(100)이 상이한 세트의 광학 모드들 또는 알고리즘들을 선택함으로써 다시 단계 102로부터 반복될 수 있다는 것이 시사될 수 있다. 궁극적으로, 디스커버리 스캔에 의해 표시된 잠재적인 DOI가 실제로 진정한 관심 대상의 DOI인 것으로 검토에서 밝혀지게 되면, 검사 방법(100)은 단계 108에서 완료될 수 있고, 그 디스커버리 스캔을 수행하기 위해 사용된 광학 모드들은 웨이퍼 A와 동일한 타입의 웨이퍼의 후속 검사에 이용될 광학 모드들로서 식별될 수 있다.
주목할 것은 전술한 검사 방법(100)이 본질적으로 시행 착오에 의해 특정 타입의 웨이퍼를 검사하기에 적합한 광학 모드들의 세트를 식별하도록 구성된다는 것이다. 시행 착오에 기초한 접근법과 관련된 단점은 검사 방법(100)이 최종 결과를 생성하는데 오랜 시간이 걸릴 수 있다는 것이다. 또한, 주목할 것은, 웨이퍼 전체에 대해 디프로세싱 단계(104)가 수행되는 경우, 검사 방법(100)은 동일한 웨이퍼상에서 반복될 수 없다는 것인데, 그 이유는 디프로세싱 단계(104)에서 그 웨이퍼가 실질적으로 파괴되기 때문이다. 따라서 새로운 웨이퍼에 대해서는 추가적인 스캔이 수행되어야 한다. 최종 결과를 생성하는데 필요한 웨이퍼들과 시간을 감소시키는 것을 돕기 위해, 도 2에 도시된 바와 같은 다른 접근법이 취해질 수 있다.
보다 구체적으로, 도 2는 본 발명의 일 실시예에 따라 구성된 매립된 결함에 대한 검사 방법(200)(또는 단순히 검사 방법(200))을 도시하는 흐름도를 포함한다. 도 2에 도시된 바와 같이, 검사 방법(200)은 수직으로 적층된 복수의 레이어들을 갖는 타겟(예를 들어, 웨이퍼 A)을 검사하도록 구성될 수 있다. 검사 방법(200)은 웨이퍼 A의 디스커버리 스캔을 수행하기 위해 단계 202에서 상이한 광학 모드들의 세트를 선택할 수 있다. 선택된 광학 모드들은 개구 설정, 초점 설정, 파장 대역 및/또는 주파수 설정의 관점에서 상이할 수 있고, 상이한 광학 모드들을 사용하여 획득되는 광학 이미지들의 세트는 그에 따라 기록되고 저장될 수 있다. 광학 이미지들의 세트는 알고리즘을 사용하여 검사 결과(예를 들어, 결함 위치)를 먼저 생성하지 않고 모든 지정된 영역에 대해 기록되고 저장될 수 있다. 대안으로서, 관련 알고리즘을 사용하여 하나 이상의 모드에 대한 검사 결과가 생성될 수 있고, 그 후, 이들 결과는 추가적인 디스커버리 스캔을 위해 이미지를 기록할 영역을 정의할 수 있다.
도 3은 전술한 검사 방법(200)과 유사한 검사 방법(300)을 도시하는 흐름도이지만, 검사 방법(300)은 초점 설정에만 한정된다라는 다양한 광학 모드들 간의 차이점이 있다. 보다 구체적으로, 도 3에 도시된 바와 같이, 검사 방법(300)은 수직으로 적층된 복수의 레이어들을 갖는 타겟(예를 들어, 웨이퍼 A)을 검사하도록 구성될 수 있다. 검사 방법(300)은 웨이퍼 A의 디스커버리 스캔을 수행하기 위해 단계 302에서 한 세트의(예를 들어, 5개 또는 그 이상의) 상이한 광학 모드들을 선택할 수 있다. 선택된 광학 모드들은 초점 설정의 관점에서 상이할 수 있고, 상이한 초점 설정(즉, 스루 포커스 스택(through-focus stack))을 사용하여 획득되는 광학 이미지들의 세트는 그에 따라 기록/저장될 수 있다.
그 후, 웨이퍼 A는 디프로세싱된 웨이퍼 A’를 제공하기 위해 단계 304에서 디프로세싱될 수 있으며, 이 웨이퍼 A’는 단계 306에서 결함 위치를 식별하기 위해 동일한 또는 상이한 광학 모드들의 세트를 사용하여 다시 스캔될 수 있다. 이 디프로세싱 단계(304)는 전체 웨이퍼 표면으로부터 또는 풀 스택 웨이퍼의 검사로부터 결정되는 선택된 지점으로부터 물질을 제거할 수 있다. 이들 식별된 결함 위치를 사용하여, 제 1 세트의 광학 이미지들이 단계 308에서 정렬될 수 있으며, 이 단계(308)는 상이한 초점 설정으로부터의 정렬된 데이터를 이용하여 하나 이상의 3D 필터들을 생성할 수 있다. 이러한 방식으로 생성된 3D 필터는 웨이퍼 A와 동일한 타입의 웨이퍼의 스루 포커스 스택 검사를 수행하기 위해 단계 310에서 최종 검사 레시피의 일부로서 이용될 수 있다.
다시 도 2를 참조하면, 웨이퍼 A는 디프로세싱된 웨이퍼 A’를 제공하기 위해 단계 204에서 디프로세싱될 수 있으며, 이 웨이퍼 A’는 단계 206에서 제 2 세트의 광학 이미지들을 획득하기 위해 동일한 광학 모드들(즉, 단계 202에서 선택된 광학 모드들과 동일한 모드들) 또는 상이한 세트의 광학 모드들을 사용하여 다시 스캔될 수 있다. 제 2 세트의 광학 이미지들은 제 1 세트의 광학 이미지들과 함께 사용되어, 레시피 튜닝 단계(207)에서 검사 레시피를 튜닝하는 것을 돕는다. 이러한 방식으로 획득되는 레시피는 이후 웨이퍼 A와 동일한 타입을 갖는 웨이퍼의 후속 검사를 수행하는데 이용될 수 있다.
레시피 튜닝 단계(207)는 다양한 방식으로 수행될 수 있는 것이 고려된다. 일부 실시예들에서, 예를 들어, 레시피 튜닝 단계(207)는 제 2 세트의 광학 이미지들 내에 포함된 신호들과 제 1 세트의 광학 이미지들 내에 포함된 신호들 간의 상관 관계에 적어도 부분적으로 기초하여 수행될 수 있다. 이 프로세스는 도 4 및 도 5에 추가로 도시되어 있다.
보다 구체적으로, 도 4에 도시된 바와 같이, 신호de -processed 또는 Sd로 표시된 제 2 세트의 광학 이미지들 내에 포함된 신호들과, 신호full -stack 또는 Sf로 표시된 제 1 세트의 광학 이미지들 내에 포함된 신호들은 서로에 대해 상관될 수 있으며, Sf = f(Sd)로 표시되는 이들 간의 상관 관계는 단계 208에서 획득될 수 있다. 검사 방법(200)은 도 5에 도시된 바와 같이 계속될 수 있으며, 도 5에서는 DOI 신호와 이미지의 광학 노이즈가 측정된다. DOI 신호는 단계 210에서 제 2 세트의 광학 모드들을 사용하여 디프로세싱된 웨이퍼 A' 상의 DOI(들)를 먼저 캡처함으로써 측정될 수 있다. 일부 실시예들에서, 제 2 세트의 광학 모드들은 제 1 세트의 광학 모드들과 동일할 수 있다. 그러나, 일부 실시예들에서, 단계 210에서 사용되는 제 2 세트의 광학 모드들은 단계 202 및 단계 206에서 사용되는 제 1 세트의 광학 모드들의 멤버가 아닌 적어도 하나의 광학 모드를 포함할 수 있다. 후속하여, 단계 212는 제 2 세트의 광학 모드들을 사용하여 디프로세싱된 A'로부터 획득되는 신호들(신호de-processed, 또는 Sd)을 측정하는데 이용될 수 있다. 또한, 단계 212는 신호 대 노이즈(S/N) 비에 기초하여 제 2 세트의 광학 모드들로부터 일부의 광학 모드들을 걸러 내기 위해 이용될 수 있다. 예를 들어, 일부 실시예들에서, 단계 212는 최상위 N개(예를 들어, 3 또는 5)의 광학 모드들로부터 획득된 신호(Sd)만을 유지할 수 있다.
또한, 도 5에 도시된 것은 다른 웨이퍼 B로부터의 측정치를 얻기 위해 이용될 수 있는 노이즈 측정 단계(214)이다. 주목할 것은 웨이퍼 B와 웨이퍼 A는 동일한 타입일 수 있다는 것이다. 또한 주목할 것은, 웨이퍼 B가 풀 스택 웨이퍼이다(즉, 웨이퍼 B가 아직 디프로세싱되지 않았다)는 것이다. 풀 스택 웨이퍼 B는 단계 212에 의해 식별된 최상위 N개의 광학 모드를 이용하여 단계 214에서 측정될 수 있다. 이어서, 최상위 N개의 광학 모드를 사용하여 획득되는 풀 스택 웨이퍼 B 상의 노이즈(노이즈full-stack, 또는 Nf로 표시됨)가 측정될 수 있다. 이러한 방식으로 획득되는 노이즈 측정치는 이후 웨이퍼 A와 동일한 타입을 갖는 웨이퍼에 대한 검사 레시피를 결정할 때의 인자로서 간주될 수 있다.
이러한 방식으로 획득되는 검사 레시피는 도 6에 도시된 바와 같은 시뮬레이션 프로세스를 사용하여 더 정제될 수 있다. 보다 구체적으로, 시뮬레이션 단계(216)는 단계 212에 의해 식별된 최상위 N개의 광학 모드들이 웨이퍼 A가 디프로세싱되기 전에(즉, 웨이퍼 A가 여전히 풀 스택 웨이퍼 상태에 있을 때) 웨이퍼 A를 측정하는데 사용된 경우에 획득될 신호들을 시뮬레이션하는데 사용될 수 있다. 이러한 방식으로 시뮬레이션된 신호들은 시뮬레이션된 Sf로 표시될 수 있으며, 이는 단계 212에서 측정된 Sd 및 208 단계에서 설정된 상관 Sf=f(Sd)에 기초하여 획득될 수 있다. 즉, 단계 216은 상기 상관과 시뮬레이션을 효과적으로 조합하여 시뮬레이션된 Sf를 생성함으로써, (신호를 나타내는) 상기 시뮬레이션된 Sf가 단계 218에서 (노이즈를 나타내는) 측정된 Nf와 함께 사용될 수 있게 하여 광학 모드들의 선택을 더욱 제한한다.
일부 실시예들에서, 단계 218은 S/N 비에 기초하여 최상위 M(여기서, M≤N)개의 광학 모드들만을 선택하도록 구성될 수 있다. 선택된 최상위 M개의 광학 모드들의 유효성은 이후 최종 결정이 내려지기 전에 검토될 수 있다. 예를 들어, 선택된 최상위 M개의 광학 모드들은 웨이퍼 B(또는 웨이퍼 A와 동일한 타입의 임의의 풀 스택 웨이퍼)를 검사하는데 사용될 수 있다. 이후, 웨이퍼 B는 디프로세싱된 웨이퍼 B’를 제공하도록 디프로세싱될 수 있으며, 이 웨이퍼 B’는 선택된 최상위 M개의 광학 모드들이 관심 대상의 결함을 효과적으로 검출했는지 여부를 검증하기 위해 검토될 수 있다. 선택된 최상위 M개의 광학 모드들은 웨이퍼 A와 동일한 타입을 갖는 웨이퍼의 후속 검사를 위해 이용될 수 있는 최종 검사 레시피로서 기록 및/또는 보고될 수 있다는 것이 고려된다.
전술한 바로부터 이해되는 바와 같이, 전술한 검사 방법(200)은 시간 소모적인 시행 착오(또는 블라인드 서치(blind search))에 기반한 접근법에 의존할 필요없이, 주어진 타입의 웨이퍼에 적합한 광학 모드를 신속하고 정확하게 선택하는데 이용될 수 있다. 또한, 광학 모드들이 상기 논의의 초점이지만, 본 발명의 실시예에 따라 구성된 검사 방법이 광학 모드 선택에만 한정되는 것이 아니라는 점도 유의해야 한다. 일부 실시예들에서, 예를 들어, 레시피 튜닝 단계(207)는 또한 광학 모드들의 조정에 추가하여(또는 대신하여) 획득되는 광학 이미지를 처리하는데 사용되는 알고리즘을 조정/튜닝할 수 있다.
보다 구체적으로, (이전에 설명된 바와 같은) 상관 단계(208)를 수행하는 것 이외에(또는 대신에), 신호 및 노이즈 측정 단계가 식별된 DOI 위치 상에서 신호 및 노이즈를 측정하도록 호출될 수 있다. 이어서, 다양한 광학 모드들을 사용하여 획득한 광학 이미지를 처리하는데 사용되는 알고리즘(예를 들어, 필터)이 분석/최적화될 수 있고, DOI를 가장 잘 캡처한 광학 모드가 선택될 수 있다. 선택된 광학 모드가 튜닝될 수 있고, 결과는 웨이퍼 A와 동일한 타입을 갖는 웨이퍼의 후속 검사를 위해 이용될 수 있는 최종 검사 레시피로서 기록 및/또는 보고될 수 있다는 것이 고려된다.
또한, 상술한 광학 모드가 개구 설정, 초점 설정, 파장 대역 및/또는 주파수 설정의 관점에서 상이할 수 있지만, 3가지 설정 모두가 다를 필요는 없다는 것이 또한 고려된다. 일부 실시예들에서, 예를 들어, 개구 설정 및 파장 대역은 고정될 수 있고 초점 설정은 유일한 변수일 수 있다.
이제, 도 7을 참조하면, 본 발명의 실시예에 따라 구성된 검사 시스템(700)을 나타내는 블럭도가 도시되어 있다. 검사 시스템(700)은 하나 이상의 컴퓨터 프로세서(들)(704)에 통신 가능하게 결합된 (광학 검사기로도 지칭될 수 있는) 광학 검사 도구(702) 및 이미지/데이터 저장/기록 매체(710)(예를 들어, 컴퓨터 판독 가능 매체는 자기 또는 광학 디스크, 자기 테이프 또는 당업계에 공지된 임의의 다른 적절한 비 일시적 컴퓨터 판독 가능 매체와 같은 저장 매체일 수 있다)를 포함할 수 있다.
광학 검사 도구(702)는 다양한 광학 모드를 이용하여 타겟(예를 들어, 웨이퍼)(706)의 광학 이미지를 획득하도록 구성될 수 있다. 광학 검사 도구는 광학 이미지를 저장 매체(710)에 저장하도록 구성될 수 있다. 프로세서(704)는 광학 검사 도구(702)에 의해 획득되는 또는 이미지 저장 매체(710)로부터의 광학 이미지를 수신하고, 주어진 타입의 웨이퍼에 가장 적합한 하나 이상의 광학 모드를 선택하는 것을 돕기 위해 상기 광학 이미지를 전술한 바와 같이 처리하도록 구성될 수 있다. 일부 실시예들에서, 검사 시스템(700)은 웨이퍼를 디프로세싱하는 도구(이는 또한 웨이퍼 디프로세서(wafer de-processor)라고도 함)(708)를 이용하여 광학 모드 선택 프로세스 동안 웨이퍼를 디프로세싱할 수 있다. 광학 모드 선택 프로세스가 완료되면, 광학 검사 도구(702)는 선택된 광학 모드(들)를 이용하고 그에 따라 검사를 수행하도록 구성될 수 있다.
프로세서(704)는 (예를 들어, "유선” 및/또는 "무선” 전송 매체를 포함할 수 있는 하나 이상의 전송 매체를 통해) 임의의 적절한 방식으로 광학 검사 도구(702)에 결합될 수 있어서, 프로세서(704)는 광학 검사 도구(702) 또는 저장 매체(710)에 의해 생성된 출력을 수신할 수 있다는 것이 고려된다. 프로세서(704)는 광학 검사 도구(702) 또는 저장 매체(710)의 출력을 사용하여 복수의 기능을 수행하도록 구성될 수 있다. 예를 들어, 프로세서(704)는 광학 검사 도구(702) 또는 저장 매체(710)의 출력을 사용하여 시료 상의 결함을 검출하도록 구성될 수 있다. 시료 상의 결함을 검출하는 것은 광학 검사 도구(702)에 의해 생성된 출력 또는 저장 매체(710) 상의 광학 이미지에 일부 결함 검출 알고리즘 및/또는 방법을 적용함으로써 프로세서(704)에 의해 수행될 수 있다. 이 결함 검출 알고리즘 및/또는 방법은 당업계에 공지된 임의의 적합한 알고리즘 및/또는 방법을 포함할 수 있다. 예를 들어, 프로세서(704)는 광학 검사 도구(702) 또는 저장 매체(710)의 출력을 임계값과 비교할 수 있다. 임계값보다 높은 값을 갖는 임의의 출력은 잠재적인 결함으로 식별될 수 있지만 임계값보다 낮은 값을 갖는 임의의 출력은 잠재적인 결함으로 식별되지 않을 수 있다. 다른 예에서, 프로세서(704)는 광학 검사 도구(702)의 출력 상의 결함 검출을 수행하지 않고 그 출력을 저장 매체에 전송하도록 구성될 수 있다.
전술한 바와 같이, 광학 검사 도구(702)는 다중 모드들을 갖도록 구성된다. 일반적으로, "모드"는 시료의 출력을 생성하는데 사용되는 광학 검사 도구(702)의 파라미터들의 값에 의해 정의될 수 있다. 따라서, 상이한 모드들은 광학 검사 도구(702)의 광학 파라미터들 중 적어도 하나에 대한 값이 다를 수 있다. 예를 들어, 시료로 지향되는 에너지 및 시료로부터 검출된 에너지가 광인 일 실시예에서, 다중 모드들 중 적어도 하나는 다중 모드들 중 적어도 하나의 다른 모드에 대해 시료로 지향되는 광의 적어도 하나의 파장과는 상이한, 시료로 지향되는 광의 적어도 하나의 파장을 사용한다. 모드들은 상이한 모드들에 대해 본 명세서에서 추가로 기술되는 바와 같이(예를 들어, 상이한 광원, 상이한 스펙트럼 필터 등을 사용함으로써) 시료로 지향되는 광의 파장(들)이 다를 수 있다. 다른 실시예에서, 다중 모드들 중 적어도 하나는 다중 모드들 중 적어도 하나의 다른 모드에 대해 사용되는 광학 검사 도구(702)의 조명 채널과는 상이한, 광학 검사 도구(702)의 조명 채널을 사용한다. 예를 들어, 광학 검사 도구(702)는 하나 초과의 조명 채널을 포함할 수 있다. 이와 같이, 상이한 조명 채널들은 상이한 모드들에 대해 사용될 수 있다.
일부 실시예들에서, 다중 모드들 중 적어도 하나는 다중 모드들 중 적어도 하나의 다른 모드에 대해 사용되는 광학 검사 도구(702)의 개구의 구성과는 상이한, 광학 검사 도구(702)의 개구의 구성을 사용한다. 상기 개구는 조명 개구(즉, 시료로 지향되는 에너지의 경로에 배치된 개구) 또는 수집 개구(즉, 시료로부터 수집된 에너지의 경로에 배치된 개구), 또는 양자일 수 있다. 예를 들어, 에너지가 상이한 모드들에 대해 상이한 경로로 시료에 지향되는 경우, 적어도 하나의 상이한 특성(예를 들어, 형상 또는 크기)을 갖는 상이한 개구들이 상이한 경로들 내에 배치될 수 있다. 다른 예에서, 상이한 모드들에 대해 동일한 경로로 에너지가 시료에 지향되는 경우, 시료에 대한 이미지를 순차적으로 생성하기 위해 적어도 하나의 상이한 특성을 갖는 상이한 개구들이 상이한 시간에 동일한 경로에 배치될 수 있다. 유사한 방식으로, 시료로부터의 에너지 경로 내의 개구는 시료로부터의 상이한 에너지의 경로에서 적어도 하나의 상이한 특성을 갖는 상이한 개구들을 갖거나 또는 그 에너지의 경로 내의 개구를 상이한 모드를 가진 상이한 스캔들 사이에서 스위칭함으로써, 상이한 모드들마다 상이할 수 있다.
따라서, 전술한 바와 같이, 상이한 모드들은 조명 또는 수집/검출, 또는 이들 모두에서 상이할 수 있다. 상이한 모드들은 또한 또는 대안으로 수집/검출에서 다른 차이점을 가질 수 있다. 예를 들어, 일부 실시예들에서, 다중 모드들 중 적어도 하나는 다중 모드들 중 적어도 하나의 다른 모드에 대해 사용되는 광학 검사 도구(702)의 검출기와는 상이한, 광학 검사 도구(702)의 검출기를 사용한다. 일부의 그러한 실시예에서, 위에서 추가로 기술된 바와 같이, 광학 검사 도구(702)는 복수의 검출기를 포함할 수 있다. 따라서, 검출기들 중 하나는 하나의 모드용으로 사용될 수 있고 다른 검출기들은 다른 모드용으로 사용될 수 있다. 또한, 모드들은 본 명세서에 기재된 하나 초과의 방식으로 서로 다를 수 있다(예를 들어, 상이한 모드들은 하나 이상의 상이한 조명 파라미터 및 하나 이상의 상이한 검출 파라미터를 가질 수 있다). 복수의 검출기들은 상이한 초점면을 검출하는데 사용될 수 있다.
검사 시스템(700)은 결함 검토 시스템 및/또는 계측 시스템의 일부로서 구현될 수 있다는 것이 고려된다. 일부 실시예들에서, 검사 시스템(700)은 일반적인 검사보다는 결함 검토 또는 계측용으로 사용되는 경우 더 높은 해상도를 갖도록 구성될 수 있다. 즉, 도 7에 도시된 검사 시스템(700)의 실시예는 상이한 분야에 다소간 적합한 상이한 이미징 기능을 갖는 검사 시스템을 생산하는 당업자에게 자명한 복수의 방식으로 조정될 수 있는 검사 시스템에 대한 일부 일반적이고 다양한 구성을 기술한다. 일부 실시예들에서, 검사 시스템은 주사 전자 현미경(SEM) 또는 광학 검사, 또는 둘 모두를 이용하여 전술한 검사 프로세스를 수행할 수 있다.
위의 예들은 웨이퍼를 언급하였지만, 본 발명에 따른 시스템 및 방법은 본 발명의 사상 및 범위를 벗어나지 않고 다른 타입의 폴리싱된 박판에도 적용 가능하다는 것을 이해해야 한다. 본 발명에서 사용되는 웨이퍼라는 용어는 집적 회로 및 다른 장치뿐만 아니라 자기 디스크 기판, 게이지 블록 등과 같은 다른 폴리싱된 박판의 제조에 사용되는 반도체 재료의 얇은 슬라이스를 포함할 수 있다.
본 발명에서 기술되는 방법 및 시스템은 독립형 제품으로서 또는 다양한 웨이퍼 측정, 검사 및/또는 핫스폿 디스커버리 도구의 구성 요소로서 구현될 수 있다는 것이 고려된다. 개시된 방법들에서의 단계들의 특정 순서 또는 계층 구조는 예시적인 접근법의 예임을 알 수 있다. 설계 선호도에 기초하여, 본 방법의 단계들의 특정 순서 또는 계층 구조가 본 발명의 사상 및 범위 내에서 재배열될 수 있음을 알 수 있다. 도면들에 도시된 다양한 블럭들은 설명의 목적으로 개별적으로 제공되고 있음을 또한 알 수 있다. 도면들에 도시된 다양한 블럭들이 분리된 (및 통신 상으로 결합된) 장치들 및/또는 처리 장치들로서 구현될 수 있지만, 이들은 또한 본 발명의 사상 및 범위를 벗어남이 없이 함께 통합될 수 있다는 것이 고려된다.
본 발명의 시스템 및 장치와 그에 따른 복수의 장점은 전술한 설명에 의해 이해될 것이고, 본 발명의 시스템 및 장치의 구성 요소들의 형태, 구성 및 배치에서 본 발명의 개시된 요지를 벗어나지 않고 또는 그 모든 재료 이점을 희생시키지 않는 범위 내에서 다양한 변경이 이루어질 수 있음이 명백할 것이다. 기술된 형태는 단지 설명에 불과하다.

Claims (32)

  1. 특정 타입의 웨이퍼의 결함 검사에 적합한 광학 모드들 및 알고리즘들을 선택하는 방법으로서,
    풀 스택 웨이퍼(full-stack wafer) 이미지들의 세트를 획득하기 위해 광학 모드들의 세트를 이용하여 상기 특정 타입의 풀 스택 웨이퍼를 스캔하는 단계; 및
    상기 특정 타입의 웨이퍼의 결함 검사에 적합한 광학 모드들 및 알고리즘들의 선택을 가능하게 하기 위해 상기 풀 스택 웨이퍼 이미지들의 세트에 의해 표시된 잠재적인 관심 대상의 결함(a potential defect of interest)의 위치에 기초하여, 디프로세싱된(de-processed) 웨이퍼를 생성하도록 상기 풀 스택 웨이퍼를 디프로세싱하는 단계
    를 포함하는 특정 타입의 웨이퍼의 결함 검사에 적합한 광학 모드들 및 알고리즘들을 선택하는 방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 풀 스택 웨이퍼로부터 획득되는 신호들과 상기 디프로세싱된 웨이퍼 상의 검증된 결함 위치 사이의 상관 관계를 수립하는 단계;
    상기 검증된 결함 위치에 대한 상기 광학 모드들의 세트와 관련된 신호 대 노이즈 비의 결정을 가능하게 하는 단계;
    상기 검증된 결함 위치에 대한 상기 광학 모드들의 세트와 관련된 신호 대 노이즈 비 또는 신호에 기초하여 광학 모드들의 서브세트를 선택하는 단계; 및
    상기 선택된 광학 모드들의 서브세트에 기초하여 결함 검사를 위한 레시피를 형성하는 단계
    를 더 포함하는 특정 타입의 웨이퍼의 결함 검사에 적합한 광학 모드들 및 알고리즘들을 선택하는 방법.
  3. 제1항에 있어서,
    디프로세싱된 웨이퍼 이미지들의 세트를 획득하기 위해 상기 광학 모드들의 세트를 이용하여, 상기 디프로세싱된 웨이퍼를 스캔하는 단계;
    상기 풀 스택 웨이퍼 이미지들의 세트 및 상기 획득된 디프로세싱된 웨이퍼 이미지들의 세트에 기초하여 상기 풀 스택 웨이퍼로 획득되는 신호들과 상기 디프로세싱된 웨이퍼로부터 획득되는 신호들 사이의 상관 관계를 수립하는 단계;
    상기 수립된 상관 관계를 이용하여 상기 광학 모드들의 세트와 관련된 신호 대 노이즈 비의 결정을 가능하게 하는 단계;
    상기 광학 모드들의 세트와 관련된 신호 대 노이즈 비 또는 신호에 기초하여 광학 모드들의 서브세트를 선택하는 단계; 및
    상기 선택된 광학 모드들의 서브세트에 기초하여 결함 검사를 위한 레시피를 형성하는 단계
    를 더 포함하는 특정 타입의 웨이퍼의 결함 검사에 적합한 광학 모드들 및 알고리즘들을 선택하는 방법.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 광학 모드들의 세트와 관련된 신호 대 노이즈 비 또는 신호의 결정을 가능하게 하는 단계는,
    상기 광학 모드들의 세트가 상기 디프로세싱된 웨이퍼를 스캔하는데 사용될 때 상기 광학 모드들의 세트와 관련된 신호 대 노이즈 비 또는 신호에 기초하여 상기 광학 모드들의 세트로부터 최상위 N개의 광학 모드들을 선택하는 단계; 및
    상기 최상위 N개의 광학 모드들을 사용하여 상기 디프로세싱된 웨이퍼로부터 획득되는 신호들을 측정하는 단계
    를 더 포함한 것인 특정 타입의 웨이퍼의 결함 검사에 적합한 광학 모드들 및 알고리즘들을 선택하는 방법.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 광학 모드들의 세트와 관련된 신호 대 노이즈 비의 결정을 가능하게 하는 단계는,
    상기 최상위 N개의 광학 모드들을 이용하여 새로운 풀 스택 웨이퍼를 스캔하는 단계;
    상기 최상위 N개의 광학 모드들에 의해 생성된 광학 노이즈를 측정하는 단계; 및
    상기 최상위 N개의 광학 모드들의 신호 대 노이즈 비를 결정하는 단계
    를 더 포함한 것인 특정 타입의 웨이퍼의 결함 검사에 적합한 광학 모드들 및 알고리즘들을 선택하는 방법.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 광학 모드들의 세트와 관련된 신호 대 노이즈 비에 기초하여 광학 모드들의 서브세트를 선택하는 단계는,
    상기 최상위 N개 광학 모드들의 신호 대 노이즈 비에 기초하여 상기 최상위 N개의 광학 모드들로부터 상기 광학 모드들의 서브세트를 선택하는 단계
    를 더 포함한 것인 특정 타입의 웨이퍼의 결함 검사에 적합한 광학 모드들 및 알고리즘들을 선택하는 방법.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 선택된 광학 모드들의 서브세트를 이용하여 상기 새로운 풀 스택 웨이퍼를 스캔하는 단계;
    상기 선택된 광학 모드들의 서브세트를 이용하여 상기 새로운 풀 스택 웨이퍼를 스캔하는 것에 의해 표시되는 잠재적인 관심 대상의 결함의 위치에 기초하여, 새로운 디프로세싱된 웨이퍼를 생성하도록 상기 새로운 풀 스택 웨이퍼를 디프로세싱하는 단계;
    상기 선택된 광학 모드들의 서브세트가 결함 검출에 효과적인지 여부를 결정하는 단계; 및
    상기 선택된 광학 모드들의 서브세트가 결함 검출에 효과적인 것으로 결정될 때 상기 선택된 광학 모드들의 서브세트에 기초하여 결함 검사를 위한 레시피를 형성하는 단계
    를 더 포함하는 특정 타입의 웨이퍼의 결함 검사에 적합한 광학 모드들 및 알고리즘들을 선택하는 방법.
  8. 제4항에 있어서,
    상기 광학 모드들의 세트와 관련된 신호 대 노이즈 비 또는 신호의 결정을 가능하게 하는 단계는,
    상기 최상위 N개의 광학 모드들을 사용하여, 상기 디프로세싱된 웨이퍼로부터 획득된 신호들 및 상기 수립된 상관 관계에 기초하여 상기 최상위 N개의 광학 모드들을 사용하여 새로운 풀 스택 웨이퍼로부터 획득될 수 있는 신호들을 시뮬레이션하는 단계; 및
    상기 최상위 N개의 광학 모드들의 신호 대 노이즈 비 또는 신호에 기초하여 최상위 N개의 광학 모드들로부터 최상위 M개의 광학 모드들을 선택하는 단계
    를 더 포함한 것인 특정 타입의 웨이퍼의 결함 검사에 적합한 광학 모드들 및 알고리즘들을 선택하는 방법.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 광학 모드들의 세트와 관련된 신호 대 노이즈 비의 결정을 가능하게 하는 단계는,
    상기 최상위 M개의 광학 모드들을 이용하여 상기 새로운 풀 스택 웨이퍼를 스캔하는 단계;
    상기 최상위 M개의 광학 모드들에 의해 생성된 광학 노이즈를 측정하는 단계; 및
    상기 최상위 M개의 광학 모드들의 신호 대 노이즈 비를 결정하는 단계
    를 더 포함한 것인 특정 타입의 웨이퍼의 결함 검사에 적합한 광학 모드들 및 알고리즘들을 선택하는 방법.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 최상위 M개의 광학 모드들을 이용하여 상기 새로운 풀 스택 웨이퍼를 스캔하는 단계;
    상기 최상위 M개의 광학 모드들을 이용하여 상기 새로운 풀 스택 웨이퍼를 스캔하는 것에 의해 표시되는 잠재적인 관심 대상의 결함의 위치에 기초하여, 새로운 디프로세싱된 웨이퍼를 생성하도록 상기 새로운 풀 스택 웨이퍼를 디프로세싱하는 단계;
    상기 최상위 M개의 광학 모드들이 결함 검출에 효과적인지 여부를 결정하는 단계; 및
    상기 최상위 M개의 광학 모드들이 결함 검출에 효과적인 것으로 결정될 때 상기 최상위 M개의 광학 모드들에 기초하여 결함 검사를 위한 레시피를 형성하는 단계
    를 더 포함하는 특정 타입의 웨이퍼의 결함 검사에 적합한 광학 모드들 및 알고리즘들을 선택하는 방법.
  11. 제1항에 있어서,
    상기 광학 모드들의 세트는 개구 설정, 초점 설정, 또는 파장 대역의 관점에서 상이한 광학 모드들을 포함한 것인 특정 타입의 웨이퍼의 결함 검사에 적합한 광학 모드들 및 알고리즘들을 선택하는 방법.
  12. 제1항에 있어서,
    상기 광학 모드들의 세트는 초점 설정의 관점에서만 상이한 광학 모드들을 포함한 것인 특정 타입의 웨이퍼의 결함 검사에 적합한 광학 모드들 및 알고리즘들을 선택하는 방법.
  13. 제12항에 있어서,
    획득된 풀 스택 웨이퍼 이미지들은 상기 풀 스택 웨이퍼의 스루 포커스 스택 이미지를 포함한 것인 특정 타입의 웨이퍼의 결함 검사에 적합한 광학 모드들 및 알고리즘들을 선택하는 방법.
  14. 제1항에 있어서,
    획득된 풀 스택 웨이퍼 이미지들을 처리하기 위해 이용되는 적어도 하나의 알고리즘을 조정하는 단계
    를 더 포함하는 특정 타입의 웨이퍼의 결함 검사에 적합한 광학 모드들 및 알고리즘들을 선택하는 방법.
  15. 제14항에 있어서,
    상기 적어도 하나의 알고리즘은 적어도 하나의 필터링 알고리즘을 포함한 것인 특정 타입의 웨이퍼의 결함 검사에 적합한 광학 모드들 및 알고리즘들을 선택하는 방법.
  16. 제1항에 있어서,
    디프로세싱된 웨이퍼 이미지들의 세트를 획득하기 위해 상기 광학 모드들의 세트를 이용하여, 상기 디프로세싱된 웨이퍼를 스캔하는 단계;
    상기 풀 스택 웨이퍼 이미지들의 세트 및 획득된 상기 디프로세싱된 웨이퍼 이미지들의 세트에 기초하여 상기 풀 스택 웨이퍼로부터 획득되는 신호들과 상기 디프로세싱된 웨이퍼로부터 획득되는 신호들 간의 상관 관계를 수립하는 단계;
    상기 광학 모드들의 세트가 상기 디프로세싱된 웨이퍼를 스캔하는데 사용될 때, 상기 광학 모드들의 세트와 관련된 신호 대 노이즈 비에 기초하여 상기 광학 모드들의 세트로부터 최상위 N개의 광학 모드들을 선택하는 단계;
    상기 최상위 N개의 광학 모드들을 사용하여 상기 디프로세싱된 웨이퍼로부터 획득되는 신호들을 측정하는 단계;
    상기 최상위 N개의 광학 모드들을 사용하여 상기 디프로세싱된 웨이퍼로부터 획득되는 신호들 및 상기 수립된 상관 관계에 기초하여 상기 최상위 N개의 광학 모드들을 사용하여 새로운 풀 스택 웨이퍼로부터 획득될 수 있는 신호를 시뮬레이션하는 단계;
    상기 최상위 N개의 광학 모드들을 이용하여 상기 새로운 풀 스택 웨이퍼를 스캔하는 단계;
    상기 최상위 N개의 광학 모드들에 의해 생성된 광학 노이즈를 측정하는 단계;
    상기 최상위 N개의 광학 모드들의 신호 대 노이즈 비를 결정하는 단계;
    상기 최상위 N개의 광학 모드들의 신호 대 노이즈 비에 기초하여 상기 최상위 N개의 광학 모드들로부터 광학 모드들의 서브세트를 선택하는 단계; 및
    상기 선택된 광학 모드들의 서브세트에 기초하여 결함 검사를 위한 레시피를 형성하는 단계
    를 더 포함하는 특정 타입의 웨이퍼의 결함 검사에 적합한 광학 모드들 및 알고리즘들을 선택하는 방법.
  17. 제16항에 있어서,
    선택된 상기 광학 모드들의 서브세트를 이용하여 상기 새로운 풀 스택 웨이퍼를 스캔하는 단계;
    선택된 광학 모드들의 서브세트를 이용하여 상기 새로운 풀 스택 웨이퍼를 스캔하는 것에 의해 표시되는 잠재적인 관심 대상의 결함의 위치에 기초하여, 새로운 디프로세싱된 웨이퍼를 생성하도록 상기 새로운 풀 스택 웨이퍼를 디프로세싱하는 단계;
    상기 선택된 광학 모드들의 서브세트가 결함 검출에 효과적인지 여부를 결정하는 단계; 및
    상기 선택된 광학 모드들의 서브세트가 결함 검출에 효과적인 것으로 결정될 때 상기 선택된 광학 모드들의 서브세트에 기초하여 결함 검사를 위한 레시피를 형성하는 단계
    를 더 포함하는 특정 타입의 웨이퍼의 결함 검사에 적합한 광학 모드들 및 알고리즘들을 선택하는 방법.
  18. 시스템으로서,
    하나 이상의 광학 모드를 이용하여 하나 이상의 웨이퍼의 광학 이미지를 획득하도록 구성되는 광학 검사 도구와,
    이미지 저장 매체와,
    상기 광학 검사 도구와 통신하는 적어도 하나의 프로세서
    를 포함하고,
    상기 적어도 하나의 프로세서는 결함 검사에 적합한 광학 모드들의 선택을 가능하게 하도록 구성되고, 상기 적어도 하나의 프로세서는 또한,
    광학 모드들의 세트를 사용하여 풀 스택 웨이퍼를 스캔함으로써 상기 광학 검사 도구에 의해 획득되는 풀 스택 웨이퍼 이미지들의 세트를 수신하고;
    디프로세싱된 웨이퍼의 광학 검사 또는 주사 전자 현미경 검토 중 적어도 하나에 기초하여, 검증된 결함 위치를 수신하며 - 상기 디프로세싱된 웨이퍼는 상기 풀 스택 웨이퍼 이미지들의 세트에 의해 표시된 잠재적인 관심 대상의 결함의 위치에 기초하여 상기 풀 스택 웨이퍼를 디프로세싱한 제품임 -;
    상기 풀 스택 웨이퍼 이미지들의 세트 및 상기 디프로세싱된 웨이퍼로부터의 상기 검증된 결함 위치들에 기초하여 상기 광학 검사 도구에 의해 사용될 결함 검사를 위한 레시피를 형성하도록 구성된 것인 시스템.
  19. 제18항에 있어서,
    상기 광학 모드들의 세트는 개구 설정, 초점 설정, 또는 파장 대역의 관점에서 상이한 광학 모드들을 포함한 것인 시스템.
  20. 제18항에 있어서,
    상기 광학 모드들의 세트는 초점 설정의 관점에서만 상이한 광학 모드들을 포함한 것인 시스템.
  21. 제18항에 있어서,
    상기 적어도 하나의 프로세서는 또한, 획득된 상기 풀 스택 웨이퍼 이미지들을 처리하는데 이용되는 적어도 하나의 알고리즘을 조정하도록 구성된 것인 시스템.
  22. 시스템으로서,
    하나 이상의 광학 모드를 이용하여 하나 이상의 웨이퍼의 광학 이미지를 획득하도록 구성되는 광학 검사 도구와,
    이미지 저장 매체와,
    상기 광학 검사 도구와 통신하는 적어도 하나의 프로세서
    를 포함하고,
    상기 적어도 하나의 프로세서는 결함 검사에 적합한 광학 모드들의 선택을 가능하게 하도록 구성되고, 상기 적어도 하나의 프로세서는 또한,
    광학 모드들의 세트를 사용하여 풀 스택 웨이퍼를 스캔함으로써 상기 광학 검사 도구에 의해 획득된 풀 스택 웨이퍼 이미지들의 세트를 수신하고;
    상기 광학 모드들의 세트를 사용하여, 디프로세싱된 웨이퍼를 스캔함으로써 상기 광학 검사 도구에 의해 획득되는 디프로세싱된 웨이퍼 이미지의 세트를 수신하며 - 상기 디프로세싱된 웨이퍼는 상기 풀 스택 웨이퍼 이미지들의 세트에 의해 표시된 잠재적인 관심 대상의 결함의 위치에 기초하여 상기 풀 스택 웨이퍼를 디프로세싱한 제품임 -;
    상기 풀 스택 웨이퍼 이미지들의 세트 및 상기 디프로세싱된 웨이퍼 이미지들의 세트에 기초하여 상기 광학 검사 도구에 의해 사용될 결함 검사를 위한 레시피를 형성하도록 구성된 것인 시스템.
  23. 제22항에 있어서,
    상기 적어도 하나의 프로세서는 또한,
    상기 풀 스택 웨이퍼 이미지들의 세트 및 획득된 상기 디프로세싱된 웨이퍼 이미지들의 세트에 기초하여 상기 풀 스택 웨이퍼로부터 획득되는 신호들과 상기 디프로세싱된 웨이퍼로부터 획득되는 신호들 사이의 상관 관계를 수립하고;
    상기 수립된 상관 관계를 이용하여 상기 광학 모드들의 세트와 관련된 신호 대 노이즈 비의 결정을 가능하게 하고;
    상기 광학 모드들의 세트와 관련된 신호 대 노이즈 비에 기초하여 광학 모드들의 서브세트를 선택하며;
    상기 선택된 광학 모드들의 서브세트에 기초하여 상기 광학 검사 도구에 의해 이용될 결함 검사를 위한 레시피를 형성하도록 구성된 것인 시스템.
  24. 제23항에 있어서,
    상기 적어도 하나의 프로세서는,
    상기 광학 모드들의 세트가 상기 디프로세싱된 웨이퍼를 스캔하는데 사용될 때 상기 광학 모드들의 세트와 관련된 신호 대 노이즈 비 또는 신호에 기초하여 상기 광학 모드들의 세트로부터 최상위 N개의 광학 모드들을 선택하는 것, 및
    상기 최상위 N개의 광학 모드들을 사용하여 상기 디프로세싱된 웨이퍼로부터 획득되는 신호들을 측정하는 것
    에 의해, 상기 광학 모드들의 세트와 관련된 신호 대 노이즈 비 또는 신호의 결정을 가능하게 하도록 구성된 것인 시스템.
  25. 제24항에 있어서,
    상기 광학 검사 도구는 또한, 상기 최상위 N개의 광학 모드들을 이용하여 상기 새로운 풀 스택 웨이퍼를 스캔하도록 구성되고, 상기 적어도 하나의 프로세서는 또한,
    상기 최상위 N개의 광학 모드들에 의해 생성된 광학 노이즈를 측정하고;
    상기 최상위 N개의 광학 모드들의 신호 대 노이즈 비를 결정하며;
    상기 최상위 N개의 광학 모드들의 신호 대 노이즈 비에 기초하여 상기 최상위 N개의 광학 모드들로부터 광학 모드들의 서브세트를 선택하도록 구성된 것인 시스템.
  26. 제25항에 있어서,
    상기 광학 검사 도구는 또한, 상기 선택된 광학 모드들의 서브세트를 이용하여 상기 새로운 풀 스택 웨이퍼를 스캔하도록 구성되고, 상기 적어도 하나의 프로세서는 또한,
    상기 선택된 광학 모드들의 서브세트가 결함 검출에 효과적인지의 여부를 결정하며;
    상기 선택된 광학 모드들의 서브세트가 결함 검출에 효과적이라고 결정될 때 상기 선택된 광학 모드들의 서브세트에 기초하여 상기 광학 검사 도구에 의해 이용될 결함 검사를 위한 레시피를 형성하도록 구성된 것인 시스템.
  27. 제24항에 있어서,
    상기 적어도 하나의 프로세서는 또한,
    상기 최상위 N개의 광학 모드들을 사용하여 상기 디프로세싱된 웨이퍼로부터 획득된 신호들 및 상기 수립된 상관 관계에 기초하여 상기 최상위 N개의 광학 모드들을 사용하여 새로운 풀 스택 웨이퍼로부터 획득될 수 있는 신호들을 시뮬레이션하는 것, 및
    상기 최상위 N개의 광학 모드들의 신호 대 노이즈 비에 기초하여 상기 최상위 N개의 광학 모드들로부터 최상위 M개의 광학 모드들을 선택하는 것
    에 의해, 상기 광학 모드들의 세트와 관련된 신호 대 노이즈 비 또는 신호의 결정을 가능하게 하도록 구성된 것인 시스템.
  28. 제27항에 있어서,
    상기 광학 검사 도구는 또한, 상기 최상위 M개의 광학 모드들을 이용하여 상기 새로운 풀 스택 웨이퍼를 스캔하도록 구성되고, 상기 적어도 하나의 프로세서는 또한,
    상기 최상위 M개의 광학 모드들에 의해 생성된 광학 노이즈를 측정하며;
    상기 최상위 M개의 광학 모드들의 신호 대 노이즈 비를 결정하도록 구성된 것인 시스템.
  29. 제28항에 있어서,
    상기 광학 검사 도구는 또한, 상기 최상위 M개의 광학 모드들을 이용하여 상기 새로운 풀 스택 웨이퍼를 스캔하도록 구성되고, 상기 적어도 하나의 프로세서는 또한,
    상기 최상위 M개의 광학 모드들이 결함 검출에 효과적인지의 여부를 결정하며;
    상기 최상위 M개의 광학 모드들이 결함 검출에 효과적이라고 결정될 때 상기 최상위 M개의 광학 모드들에 기초하여 상기 광학 검사 도구에 의해 이용될 결함 검사를 위한 레시피를 형성하도록 구성된 것인 시스템.
  30. 제22항에 있어서,
    상기 광학 모드들의 세트는 개구 설정, 초점 설정, 또는 파장 대역의 관점에서 상이한 광학 모드들을 포함한 것인 시스템.
  31. 제22항에 있어서,
    상기 광학 모드들의 세트는 초점 설정의 관점에서만 상이한 광학 모드들을 포함한 것인 시스템.
  32. 제22항에 있어서,
    상기 적어도 하나의 프로세서는 또한, 획득된 상기 풀 스택 웨이퍼 이미지들을 처리하는데 이용되는 적어도 하나의 알고리즘을 조정하도록 구성된 것인 시스템.
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