KR20180080431A - Apparatus for treating substrate and the method thereof - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 기판을 처리하기 위한 유체의 낙하 여부를 감지하여 공정 사고가 발생하는 것을 방지할 수 있는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to a substrate processing apparatus and a substrate processing method, and more particularly, to a substrate processing apparatus and a substrate processing method capable of detecting a drop of a fluid for processing a substrate, .
일반적으로 반도체 제조공정에서는 절연막 및 금속물질의 증착(Deposition), 식각(Etching), 감광제(Photoresist)의 도포(Coating), 현상(Develop), 애셔(Asher)나 파티클 등의 불순물 제거 등이 수회 반복되어 미세한 패터닝(Patterning)의 배열을 만들어 나가게 된다. Generally, in semiconductor manufacturing processes, deposition, etching, photoresist coating, development, removal of impurities such as asher and particles are repeated several times Thereby creating an array of fine patterning.
상기 공정의 진행에 따라 반도체 기판 내에는 식각이나 불순물 제거 공정으로 완전히 제거되지 않은 불순물이 남게 된다. 반도체 장치의 미세화가 진행됨에 따라 수율과 신뢰성 측면에서 미립자를 비롯한 금속 불순물, 유기 오염물, 자연 산화막과 같은 불순물 제거의 중요성 또한 증대되고 있다. As the process proceeds, impurities remain in the semiconductor substrate that have not been completely removed by the etching or impurity removal process. As the miniaturization of semiconductor devices progresses, the importance of removing impurities such as metal impurities, organic contaminants, and natural oxide films including fine particles is also increasing in terms of yield and reliability.
이러한 불순물은 반도체 장치의 성능과 수율을 좌우하는 중요한 요소이기 때문에 반도체 장치를 제조하기 위한 각 공정을 진행하기 전에 세정 공정을 거쳐야 한다.Since these impurities are important factors that influence the performance and yield of the semiconductor device, it is necessary to carry out a cleaning process before proceeding each process for manufacturing the semiconductor device.
이와 같이, 반도체 장치를 제조하기 위한 기판의 세정 공정은 기판 표면에 잔류하는 미립자를 비롯한 금속 불순물, 유기 오염물, 자연 산화막과 같은 표면 피막 등의 다양한 대상물을 제거하기 위하여 실시한다.As described above, the cleaning process of the substrate for manufacturing the semiconductor device is carried out in order to remove various objects such as fine particles remaining on the surface of the substrate, surface impurities such as metal impurities, organic contaminants, and natural oxide films.
일반적으로 반도체 기판의 습식 세정 장치는, 화학용액이 채워진 세정조(Bath) 내에 복수의 기판을 침지하여 처리하는 방식의 배치식(Batch type)과, 한 장의 기판을 수평으로 배치하여 회전시키면서 처리하는 매엽식(single type)으로 구분된다. Generally, a wet cleaning apparatus for a semiconductor substrate is classified into a batch type in which a plurality of substrates are immersed in a cleaning bath filled with a chemical solution and a batch type in which a single substrate is horizontally arranged and rotated It is divided into single type.
상기 매엽식 세정 장치에서는 고속으로 회전하는 기판의 표면에 세정제를 분사하여 원심력으로 기판 표면을 세정하는 공정, 초순수(DI)로 린스 처리하는 공정, 기판 표면에 액상의 이소프로필 알코올(IPA: Isopropyl Alcohol)과 같은 건조액을 이용하여 기판을 건조시키는 공정이 진행된다. 이러한 매엽식 세정 장치에서는 기판의 표면에 세정제를 분사하기 위한 노즐이 구비된다. In the single-wafer type cleaning apparatus, a cleaning agent is sprayed on a surface of a substrate rotating at a high speed to clean the surface of the substrate by centrifugal force, a rinsing treatment with DI (ultrapure water), a liquid isopropyl alcohol (IPA: Isopropyl Alcohol ) Is carried out to dry the substrate. In such a single wafer type cleaning apparatus, a nozzle for spraying a cleaning agent onto the surface of the substrate is provided.
도 1은 기판에 세정제를 분사하기 위한 노즐 및 이에 연결된 밸브의 구성을 보여주는 도면이다.1 is a view showing the configuration of a nozzle for spraying a cleaning agent onto a substrate and a valve connected thereto.
도 1을 참조하면, 세정제를 공급하기 위한 세정제공급부(10), 상기 세정제공급부(10)에서 공급된 세정제를 기판에 분사하기 위한 노즐(40), 상기 세정제의 공급 여부를 제어하기 위한 세정제공급밸브(20), 세정 공정 완료 후 노즐(40) 내부에 잔존하는 세정제를 흡입하기 위한 흡입밸브(30), 상기 세정제공급부(10)와 세정제공급밸브(20)와 흡입밸브(30;Suck Back Valve) 및 노즐(40)을 연결하여 세정제의 유동경로를 제공하는 연결배관(50)이 구비된다.Referring to FIG. 1, there are provided a cleaning
세정공정이 진행되는 경우 세정제공급밸브(20)가 개방되어 세정제공급부(10)로부터 공급된 세정제가 기판에 분사되어 세정이 이루어진다. When the cleaning process is in progress, the cleaning
상기와 같은 세정이 완료되면 세정제공급밸브(20)를 닫아 기판에 세정제의 분사가 중단된다. 이 경우 노즐(40)의 하단부에는 세정제가 고이게 되는데, 이와 같이 노즐(40)의 내부 및 단부에 고여 잔존하는 세정제는 이후에 챔버 바닥에 낙하하거나 기판위에 낙하되어 공정 사고가 발생할 수 있다. 이를 방지하기 위해 흡입밸브(30)가 구비된다.When the cleaning is completed as described above, the cleaning
상기 세정제공급밸브(20)를 닫은 후 흡입밸브(30)를 작동시켜 노즐(40) 내부에 잔존하는 세정세를 흡입하여 세정제가 낙하하는 것을 방지하게 된다. 상기 흡입밸브(30;Suck Back Valve)는 내부에 흡입되는 세정제가 수용되는 공간이 형성되어 있고, 소정의 압력으로 흡입할 수 있도록 되어 있다. After the cleaning
그러나 흡입밸브(30)에서 불량이 발생하는 경우에는 세정제가 기판 또는 챔버 바닥에 낙하하여 오염 및 공정 사고를 발생시키는 문제점이 있었다.However, when a failure occurs in the
상기한 종래의 기판 처리 장치가 나타난 기술로는 대한민국 등록특허 제10-998849호가 공개되어 있다.[0004] Korean Patent Registration No. 10-998849 is disclosed as a technology in which the conventional substrate processing apparatus described above is shown.
본 발명은 상술한 제반 문제점을 해결하기 위해 안출된 것으로, 노즐에서 유체가 낙하하는 것을 감지하여 공정사고를 방지할 수 있는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공하고자 함에 그 목적이 있다.SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide a substrate processing apparatus and a substrate processing method capable of preventing a process accident by detecting a drop of a fluid from a nozzle.
본 발명의 다른 목적은, 챔버 바닥의 넓은 범위에 걸쳐 유체의 낙하 여부를 감지할 수 있는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공하고자 함에 있다.It is another object of the present invention to provide a substrate processing apparatus and a substrate processing method capable of detecting the drop of a fluid over a wide range of the bottom of a chamber.
본 발명의 다른 목적은, 노즐이 이동하는 경로를 따라 노즐에서 낙하하는 유체를 감지할 수 있도록 함으로써 낙하하는 유체의 감지 가능성을 향상시킬 수 있는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공하고자 함에 있다.It is another object of the present invention to provide a substrate processing apparatus and a substrate processing method capable of sensing a fluid dropping from a nozzle along a path along which the nozzle moves, thereby improving the sensibility of a falling fluid.
상술한 바와 같은 목적을 구현하기 위한 본 발명의 기판 처리 장치는, 기판을 수용하여 기판 처리 공정이 수행되는 챔버; 상기 챔버 내에 회전 가능하게 구비되어 상기 기판을 지지하는 스핀척; 상기 기판상에 유체를 공급하기 위한 노즐; 상기 스핀척에서 일정 간격 이격되어 상기 기판을 둘러싸도록 구비되고, 상기 기판에서 비산되는 유체를 포집하기 위한 회수챔버; 상기 노즐에서 낙하하는 유체를 감지하기 위한 유체감지부를 포함한다.According to an aspect of the present invention, there is provided a substrate processing apparatus comprising: a chamber in which a substrate is received and a substrate processing process is performed; A spin chuck rotatably installed in the chamber to support the substrate; A nozzle for supplying a fluid onto the substrate; A recovery chamber arranged to surround the substrate at a predetermined interval in the spin chuck and collecting the fluid scattered in the substrate; And a fluid sensing unit for sensing the fluid falling from the nozzle.
상기 유체감지부는 상기 노즐에서 유체가 설정된 영역 내에 낙하할 경우 상기 낙하하는 유체를 감지하기 위한 에어리어센서(Area sensor)로 이루어질 수 있다.The fluid sensing unit may be an area sensor for sensing the falling fluid when the fluid falls from the nozzle in a predetermined region.
상기 에어리어센서는 복수의 발광부와 복수의 수광부로 이루어진 광센서로 이루어질 수 있다.The area sensor may include an optical sensor including a plurality of light emitting units and a plurality of light receiving units.
상기 에어리어센서는 상기 낙하하는 유체의 이미지를 검출하는 CCD와 상기 CCD에서 수신된 신호로부터 상기 유체의 낙하를 판단하기 위한 컴퓨터로 이루어질 수 있다.The area sensor may comprise a CCD for detecting the image of the falling fluid and a computer for determining the falling of the fluid from the signal received at the CCD.
상기 유체감지부는 상기 챔버의 내측과 상기 회수챔버의 외측 사이의 영역에 낙하하는 유체를 감지하는 것일 수 있다.The fluid sensing unit may be configured to sense fluid falling in an area between the inside of the chamber and the outside of the collection chamber.
상기 노즐은, 상기 기판상에 유체를 공급하기 위한 제1위치와, 상기 기판의 외측에서 대기하기 위한 제2위치 사이에서 이동하도록 구비되고; 상기 유체감지부는 상기 노즐이 제1위치와 제2위치 사이를 이동하는 경로 상에 구비되어, 상기 노즐이 제1위치와 제2위치 사이에 낙하하는 유체를 감지하는 것일 수 있다.The nozzle being provided to move between a first position for supplying fluid on the substrate and a second position for waiting outside the substrate; The fluid sensing portion may be provided on a path that the nozzle moves between the first position and the second position so that the nozzle senses the fluid falling between the first position and the second position.
상기 챔버와 회수챔버 사이에는 상기 노즐이 대기하는 대기존이 구비되고, 상기 대기존에 상기 유체감지부가 구비되어, 상기 유체감지부는 상기 대기존 내부의 영역에 낙하하는 유체를 감지하는 것일 수 있다.The fluid sensing unit may include a sensing unit for sensing the fluid falling into the area of the inner space of the sensor.
상기 노즐은 유체 종류별로 각각 세정액을 기판상에 공급하기 위해 복수 개로 이루어지고; 상기 복수의 노즐에서 낙하하는 유체를 감지하기 위해 상기 유체감지부가 복수 개 구비된 것일 수 있다.The plurality of nozzles are provided for supplying the cleaning liquid onto the substrate for each type of fluid; And a plurality of the fluid sensing units may be provided to sense the fluid falling from the plurality of nozzles.
상기 노즐에 상기 유체의 공급을 제어하기 위한 유체공급밸브; 상기 유체공급밸브와 노즐 사이에 구비되어, 상기 노즐 내부에 잔존하는 유체를 흡입하기 위한 흡입밸브가 더 구비될 수 있다.A fluid supply valve for controlling supply of the fluid to the nozzle; And a suction valve provided between the fluid supply valve and the nozzle for sucking fluid remaining in the nozzle.
상기 유체감지부는 상기 노즐과 함께 이동가능하도록 되어 있어, 상기 노즐의 이동시 낙하하는 유체를 감지하는 것일 수 있다.The fluid sensing part may be movable with the nozzle so as to sense the fluid falling when the nozzle moves.
본 발명에 의한 기판 처리 방법은, a) 기판을 회전시킴과 동시에 노즐을 통해 상기 기판상에 유체를 공급하는 단계; b) 상기 유체를 이용한 상기 기판의 처리가 완료되어, 상기 노즐에 상기 유체의 공급을 중단하는 단계; c) 상기 노즐에서 유체가 낙하되는지 여부를 유체감지부에서 감지하는 단계로 이루어진다.A method for processing a substrate according to the present invention comprises the steps of: a) rotating a substrate and supplying a fluid onto the substrate through a nozzle; b) completing the processing of the substrate with the fluid, thereby stopping the supply of the fluid to the nozzle; and c) detecting whether the fluid falls from the nozzle by the fluid sensor.
상기 노즐에 상기 유체를 공급하기 위한 유체공급부, 상기 노즐로 상기 유체의 공급을 제어하는 유체공급밸브, 상기 유체공급밸브와 노즐 사이에 구비되어 상기 노즐 내부에 잔존하는 유체를 흡입하기 위한 흡입밸브가 구비되고; 상기 b)단계는, 상기 노즐에 상기 유체의 공급을 중단한 후, 상기 흡입밸브에서 상기 노즐 내부에 잔존하는 유체를 흡입하는 단계가 더 포함되고; 상기 c)단계에서 상기 유체감지부에 의해 유체의 낙하가 감지되면, 기판 처리 공정을 중단시키는 것일 수 있다.A fluid supply valve for controlling the supply of the fluid to the nozzle, a suction valve provided between the fluid supply valve and the nozzle for sucking the fluid remaining in the nozzle, ; The step b) further comprises a step of sucking the fluid remaining in the nozzle at the suction valve after the supply of the fluid to the nozzle is stopped; And stopping the substrate processing process when the fluid is detected to fall by the fluid sensor in the step c).
상기 c)단계에서 상기 유체감지부에 의해 상기 유체의 낙하가 감지되면 그 감지신호를 제어부에 송신하고, 상기 제어부는 상기 감지신호로부터 상기 유체가 낙하됨을 화면표시부에 표시하는 것일 수 있다. The controller may transmit a sensing signal to the controller when the fluid is dropped by the fluid sensor in the step c), and the controller may display the drop of the fluid from the sensing signal on the screen.
상기 유체감지부는 에어리어센서(Area sensor)로 이루어지고; 상기 에어리어센서는 고정된 영역 내에 낙하하는 유체를 감지하는 것일 수 있다.Wherein the fluid sensing unit comprises an area sensor; The area sensor may be sensing fluid falling into a fixed area.
상기 유체감지부는 에어리어센서(Area sensor)로 이루어지고; 상기 에어리어센서는 상기 노즐과 함께 이동하는 영역 내에 낙하하는 유체를 감지하는 것일 수 있다.Wherein the fluid sensing unit comprises an area sensor; The area sensor may be sensing fluid falling into a region moving with the nozzle.
본 발명에 따른 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 의하면, 노즐에서 유체가 낙하하는 것을 감지하여 공정사고를 방지할 수 있다.According to the substrate processing apparatus and the substrate processing method of the present invention, it is possible to prevent a process accident by detecting the drop of the fluid in the nozzle.
또한, 유체감지부로서 에어리어센서를 이용함으로써 넓은 범위에 걸쳐 유체가 낙하하는 것을 감지할 수 있다.Further, by using the area sensor as the fluid sensor, it is possible to detect that the fluid falls over a wide range.
또한, 노즐이 이동하는 과정뿐만 아니라 노즐이 대기존에 대기하고 있는 과정에서 유체가 낙하하는 것을 감지할 수 있어, 유체의 낙하 감지 가능성을 향상시킬 수 있다.In addition to the process of moving the nozzle, it is also possible to detect the drop of the fluid in the process of waiting the nozzle in the conventional manner, thereby improving the possibility of detecting the drop of the fluid.
도 1은 기판에 세정제를 분사하기 위한 노즐 및 이에 연결된 밸브의 구성을 보여주는 도면이다.
도 2는 본 발명에 의한 기판 처리 장치를 보여주는 사시도
도 3은 본 발명에 의한 기판 처리 장치의 내부 구조를 개략적으로 보여주는 단면도
도 4는 도 3의 기판 처리 장치에서 대기존에 노즐이 대기하고 있는 상태를 보여주는 사시도
도 5는 도 3의 기판 처리 장치를 개략적으로 보여주는 평면도
도 6은 본 발명의 일실시예에 의한 유체감지부의 구성을 개략적으로 보여주는 도면
도 7은 도 6에 도시된 유체감지부의 구성을 보여주는 평면도
도 8은 본 발명의 다른 실시예에 의한 유체감지부의 구성을 개략적으로 보여주는 도면
도 9는 본 발명의 기판 처리 방법을 보여주는 흐름도1 is a view showing the configuration of a nozzle for spraying a cleaning agent onto a substrate and a valve connected thereto.
2 is a perspective view showing a substrate processing apparatus according to the present invention;
3 is a cross-sectional view schematically showing the internal structure of the substrate processing apparatus according to the present invention
Fig. 4 is a perspective view showing a state where nozzles are waiting in the substrate processing apparatus of Fig. 3
Fig. 5 is a plan view schematically showing the substrate processing apparatus of Fig. 3
6 is a view schematically showing the configuration of a fluid sensing unit according to an embodiment of the present invention.
7 is a plan view showing a configuration of the fluid sensing unit shown in FIG.
8 is a view schematically showing the configuration of a fluid sensing unit according to another embodiment of the present invention.
9 is a flowchart showing a substrate processing method of the present invention
이하 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 대한 구성 및 작용을 상세히 설명하면 다음과 같다. DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
도 2 내지 도 5를 참조하여 본 발명에 의한 기판 처리 장치의 구성에 대해 설명한다.The structure of the substrate processing apparatus according to the present invention will be described with reference to Figs. 2 to 5. Fig.
본 발명의 일실시예에 의한 기판 처리 장치(1)는, 기판(W)을 수용하여 세정공정이 수행되는 챔버(100), 상기 챔버(100) 내에 회전 가능하게 구비되어 상기 기판(W)을 지지하는 스핀척(122), 상기 기판(W)상에 유체를 공급하기 위한 노즐(133), 상기 스핀척(122)에서 일정 간격 이격되어 상기 기판(W)을 둘러싸도록 구비되고 상기 기판(W)에서 비산되는 유체를 포집하기 위한 회수챔버(110), 상기 노즐(133)에서 낙하하는 유체를 감지하기 위한 유체감지부(210)로 이루어진다.A substrate processing apparatus 1 according to an embodiment of the present invention includes a
상기 기판(W)은 반도체 기판이 되는 실리콘 웨이퍼일 수 있다. 그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며, 상기 기판(W)은 LCD(liquid crystal display), PDP(plasma display panel)와 같은 평판 디스플레이 장치용으로 사용하는 유리 등의 투명 기판일 수 있다. 또한, 상기 기판(W)은 형상 및 크기가 도면에 의해 한정되는 것은 아니며, 원형 및 사각형 플레이트 등 실질적으로 다양한 형상과 크기를 가질 수 있다. 상기 기판(W)에 형상 및 크기에 따라 상기 챔버(100)와 회수챔버(110) 및 상기 스핀척(122)의 크기와 형상 역시 변경될 수 있다.The substrate W may be a silicon wafer serving as a semiconductor substrate. However, the present invention is not limited thereto, and the substrate W may be a transparent substrate such as a glass used for a flat panel display device such as a liquid crystal display (LCD) or a plasma display panel (PDP). In addition, the shape and size of the substrate W are not limited by the drawings, and may have substantially various shapes and sizes such as circular and rectangular plates. The size and shape of the
상기 스핀척(122)에는 기판(W)이 안착될 수 있도록 복수의 척핀(123)이 구비된다. 상기 척핀(123)은 기판(W) 둘레를 따라 등간격으로 배치될 수 있다. 상기 척핀(123)의 개수와 형상은 다양하게 변경될 수 있다.The
상기 스핀척(122)의 하부에는 스핀척(122)을 회전시키기 위한 구동축(121)이 연결된다. 상기 구동축(121)에는 회전력을 제공하는 모터를 포함하는 구동부(미도시)가 연결되어, 상기 구동축(121) 및 스핀척(122)을 소정 속도로 회전시킨다. A
상기 구동축(121)은 세정 공정이 수행되는 동안 회수챔버(110) 내부에서 상하 방향으로 승강 구동될 수 있다.The driving
상기 회수챔버(110)는 스핀척(122)을 둘러싸는 형태로 형성되고, 세정 공정이 수행되는 동안 기판(W)에서 비산되는 세정제 등의 유체를 흡입하여 처리하기 위하여 환형의 링 형상으로 형성된다. The
상기 회수챔버(110)는 서로 다른 세정제를 분리하여 흡입 처리할 수 있도록, 회수챔버(110) 내부의 측벽을 따라 복수의 회수컵(111,112,113)이 구비되며, 상기 회수컵(111,112,113)은 흡입되는 유입구의 높이가 서로 다르게 다단으로 형성될 수 있다. The
상기 스핀척(122)은 회수컵(111,112,113)의 유입구에 대응되는 높이로 승강 이동하면서, 스핀척(122) 및 기판(W)의 높이를 조절한다. The
상기 기판(W)이 스핀척(122)과 함께 회전하게 되면 원심력에 의해 기판(W)의 표면에 분사된 세정제는 주변으로 비산하고, 비산되는 세정제는 해당 위치에 구비되는 회수컵(111,112,113)으로 유입된다. When the substrate W is rotated together with the
상기 회수컵(111,112,113)에서 회수되는 세정제는, 서로 다른 종류의 세정제가 각각 서로 다른 경로를 통해 회수되어 재사용된다. 즉, 제1회수컵(111)과 제2회수컵(112) 및 제3회수컵(113)에는 서로 다른 종류의 세정제가 각각 회수되고, 제1회수컵(111)과 제2회수컵(112) 및 제3회수컵(113)에는 각각 드레인라인(미도시)이 연결되어 세정제의 회수가 이루어질 수 있다.The detergent recovered in the recovery cups 111, 112, and 113 is recovered through different routes and reused for different kinds of detergents. That is, different types of cleaning agents are collected in the
상기 노즐(133)은 기판(W)의 상부에 위치한 상태에서 기판(W)에 세정제를 분사한다. 상기 노즐(133)은 노즐배관(132)에 의해 유체공급부(131)에 연결된다. 상기 유체공급부(131)에는 상기 노즐(133) 및 노즐(132)을 회전시키기 위한 회전구동부(미도시)가 구비될 수 있다. The
상기 회전구동부에 의해 상기 노즐(133) 및 노즐배관(132)은 유체공급부(131)를 회전중심으로 하여 도 3과 도 4의 점선으로 표시된 바와 같이 기판(W)의 상부에서 대기존(140)의 상부로, 또는 그 반대방향으로 회전할 수 있다. 상기 노즐(133)과 노즐배관(132) 및 유체공급부(131)는 유체공급수단(130)을 구성한다.The
상기 대기존(140)은 기판(W)에 대한 세정공정 등의 기판 처리가 이루어지지 않는 동안 노즐(133)이 대기하는 곳이다. 상기 노즐(133)이 대기존(140)의 상부에 위치하고 있는 동안에 세정제를 대기존(140) 내부에 분사하여 노즐(133) 및 노즐배간(132) 내부의 세정제가 응고되는 것을 방지할 수 있다.The
여기서 세정제라 함은, 기판(W)에서 세정 대상물을 제거하기 위한 액체 또는 기체 상태의 물질을 말한다. 세정제는 처리 대상이 되는 종류에 따라 복수의 세정제가 사용될 수 있다. 예를 들면, 레지스트를 제거하기 위해서는 유기용제, N2 가스가 사용될 수 있다. 또한, SiO를 제거하기 위해서는 물, 불화수소 HF, IPA 및 N2 가스 등이 사용될 수 있다. 또한, 금속을 제거하기 위해서는 염산 HCl, 오존 O3, N2 가스가 사용될 수 있다. 또한, 레지스트 이외의 유기물을 제거하기 위해서는 O3, N2 가스를 사용할 수 있다. 이외에도, 그 밖의 파티클을 제거하기 위해서는 암모니아 가수(加水) APM, N2 가스, 또는 N2 가스 혹은 아르곤 Ar을 사용할 수 있다. 또한, 불소 F, 염소 Cl, 암모니아 NH4의 이온을 제거하기 위해서는 물, IPA 및 N2 가스를 사용할 수 있다. 또한, 노즐(133)을 통해 분사되는 유체로는, 초순수(DI)와 액상의 이소프로필 알코올(IPA: Isopropyl Alcohol)과 같은 건조제가 될 수도 있다. 이러한 세정제 및 건조제를 통틀어 '유체'라 한다.Here, the cleaning agent refers to a liquid or gaseous substance for removing the object to be cleaned from the substrate W. As the detergent, a plurality of detergents may be used depending on the kind to be treated. For example, an organic solvent, N2 gas may be used to remove the resist. In order to remove SiO, water, hydrogen fluoride HF, IPA, N2 gas and the like can be used. In addition, hydrochloric acid HCl, ozone O3, N2 gas may be used to remove the metal. In order to remove organic substances other than the resist, O 3 and N 2 gases can be used. In addition, to remove other particles, ammonia water APM, N2 gas, N2 gas or argon Ar can be used. Water, IPA, and N2 gas can be used to remove ions of fluorine F, chlorine Cl, and ammonia NH4. In addition, the fluid sprayed through the
이러한 복수의 유체를 기판(W)에 공급하기 위해 회수챔버(110)의 둘레에는 복수의 노즐(133-1,133-2)과 노즐배관(132-1,132-2) 및 유체공급부(131-1,131-2)로 이루어진 복수의 유체공급수단(130-1,130-2)이 구비될 수 있다.A plurality of nozzles 133-1 and 133-2 and nozzle pipings 132-1 and 132-2 and fluid supply units 131-1 and 131-2 are provided around the
또한, 상기 유체공급수단(130-1,130-2)의 개수에 대응되도록 대기존(140-1,140-2)도 복수 개가 구비될 수 있다.In addition, a plurality of the conventional apparatuses 140-1 and 140-2 may be provided to correspond to the number of the fluid supply means 130-1 and 130-2.
상기 유체감지부(210)는 도 3에 도시된 바와 같이, 회수챔버(110)와 챔버(100) 사이의 공간부(101)로서 챔버바닥(102)의 상부에 구비될 수 있다. 따라서 노즐(133)이 기판(W)의 상부에서 대기존(140)의 상부로 이동할 때, 또는 대기존(140)의 상부에서 기판(W)의 상부로 이동할 때 노즐(133)의 단부에서 챔버바닥(102)으로 낙하하는 유체를 감지하게 된다.The
또한, 상기 유체감지부(210)는 노즐(133)의 회전경로 상에 구비될 수 있다. 즉, 도 4에 도시된 바와 같이, 노즐(133)은 유체공급부(131)를 회전중심으로 회전경로(P)를 따라 회전하게 된다. 노즐(133)이 기판(W) 표면에 유체를 공급하기 위한 위치를 제1위치라 하고, 기판(W)의 외측인 대기존(140)의 상부에 대기하기 위한 위치를 제2위치라 한다. 상기 유체감지부(210)는 상기 제1위치와 제2위치 사이를 회전하는 회전경로(P) 상에 구비됨으로써 노즐(133)에서 낙하하는 유체를 감지할 수 있다. In addition, the
도 6과 도 7을 참조하여 본 발명의 일실시예에 의한 유체감지부의 구성에 대해 설명한다.The configuration of the fluid sensing unit according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 6 and 7. FIG.
본 실시예의 유체감지부(210)는 에어리어센서(영역센서; Area Sensor)로 구성될 수 있다. 상기 에어리어센서는 일정한 영역 이내에 있는 물체를 감지할 수 있도록 구성된다. The
기판(W)에 대한 세정 등의 공정 처리가 완료되면, 도 1에서 설명한 세정제공급밸브(20; 유체공급밸브)를 닫고, 흡입밸브(30)를 동작시킨다. 상기 흡입밸브(30)를 동작시키면 노즐(133)의 단부에 고여 있던 유체가 노즐(133)의 내부로 소정의 압력으로 흡입되어 노즐(133)의 내부에 고여있게 된다. When the processing such as cleaning of the substrate W is completed, the cleaning agent supply valve 20 (fluid supply valve) described in Fig. 1 is closed and the
이 상태에서 만약 흡입밸브(30)가 고장나거나 흡입밸브(30)를 구성하는 부품들 사이에 기밀이 유지되지 않게 되면 유체가 낙하하게 되는데, 상기 에어리어센서는 상기 유체가 설정 범위의 영역 내에 낙하할 경우 이를 감지하게 된다.In this state, if the
상기 에어리어센서의 일례로서, 도 7에 도시된 바와 같이, 유체감지부(210)는, 인가되는 전류에 따라 일정한 주기로 광을 출력하는 레이저다이오드(미도시)와 그 레이저다이오드의 출력을 집광하는 렌즈(미도시)를 포함하는 발광부(210a)와, 상기 발광부(210a)에서 출력된 광이 수광되는 수광부(210b)로 이루어질 수 있다.7, the
상기 발광부(210a)는 복수의 발광부(211a,212a,213a,214a)로 이루어지고, 상기 수광부(210b)도 복수의 수광부(211b,212b,213b,214b)로 이루어질 수 있다.The
상기 복수의 발광부(211a,212a,213a,214a)에서 출력된 광은 그에 대향하는 수광부(211b,212b,213b,214b)에 수광되는 것으로 구성할 수도 있으나, 서로 엇갈리게 배치함으로써 설정된 영역에 낙하되는 유체를 정밀하게 감지할 수 있다.The light output from the plurality of light emitting
상기 발광부(211a,212a,213a,214a)와 수광부(211b,212b,213b,214b)는 설정된 영역의 크기에 따라 다양한 개수로 구성할 수 있다.The
상기에서는 유체감지부(210)가 회수챔버(110)와 대기존(140) 사이에 구비되는 것으로 예시하였으나, 상기 유체감지부(210)는 대기존(140) 내부에 설치될 수도 있다. 즉, 도 4에 도시된 대기존(140)은 원통형의 대기존 몸체(141)를 포함하고, 상기 발광부(210a)와 수광부(210b)를 상기 대기존 몸체(141)의 둘레를 따라 구비되는 것으로 구성할 수 있다.In the above description, the
도 8을 참조하여 본 발명의 다른 실시예에 의한 유체감지부에 대해 설명한다.Referring to Fig. 8, a fluid sensor according to another embodiment of the present invention will be described.
본 실시예의 유체감지부(220)는, 설정된 영역(A)에 노즐(133)에서 낙하하는 유체의 이미지를 검출하고, 그 검출된 이미지로부터 유체가 낙하하는 것임을 판단하는 것으로 구성될 수 있다. 여기서 설정된 영역(A)은 챔버 바닥 뿐만 아니라 그 상부의 공간까지 포함할 수 있다.The
상기 유체감지부(220)는, 설정된 영역(A)의 영상을 전기적인 신호로 변환하여 출력하는 CCD카메라(221), 상기 CCD카메라(221)의 출력을 디지털화하는 영상처리부(222), 상기 영상처리부(222)의 출력신호를 입력받아 특정한 프로그램의 동작에 의해 낙하하는 유체의 움직임을 판단하여 사용자가 인식할 수 있도록 표시하는 컴퓨터(223)로 구성된다.The
상기 CCD카메라(221)는 노즐(133) 및 그 하부의 영역을 촬영하는 것으로 구성할 수 있다. 이 경우 노즐(133)에서 세정 공정을 위해 유체가 분사되는 경우에는 CCD카메라(221)에 의한 촬영이 중단되도록 하고, 노즐(133)에서 유체의 분사에 의한 기판 처리 공정이 종료된 후 CCD카메라(221)에 의한 촬영이 시작되도록 구성할 수 있다.The
상기 CCD카메라(221)에 의해 촬영된 영상에서 노즐(133)에서 낙하되는 유체의 동적 이미지를 검출하고, 상기 동적 이미지로부터 컴퓨터(223)에서는 유체가 낙하되는 것으로 판단할 수 있다.It is possible to detect a dynamic image of the fluid falling from the
본 실시예에 의한 유체감지부(220)는 대기존(140) 내부에 낙하되는 유체를 감지할 수 있도록 설치될 수도 있다. 상기 대기존 몸체(141)에 그 내부 공간을 촬영할 수 있도록 상기 CCD카메라(221)를 구비할 수 있다.The
한편, 상기에서는 유체감지부(210,220)가 특정 위치에 고정된 경우에 대해 설명하였으나, 유체감지부가 노즐(133)과 함께 이동(회전) 가능하도록 구성할 수도 있다. 즉, 유체감지부를 노즐배관(132)에 설치하여, 노즐(133) 및 노즐배관(132)이 회전하는 경우 유체감지부도 함께 회전하도록 구성할 수 있다. 이 경우 유체감지부는 노즐(133)의 하부를 감지(촬영)하는 것으로 구성하게 되면, 노즐(133)의 위치에 상관없이 노즐(133)에서 낙하하는 유체를 감지할 수 있다. In the above description, the
도 9를 참조하여 본 발명에 의한 기판 처리 방법에 대해 설명한다.A substrate processing method according to the present invention will be described with reference to FIG.
단계 S10은 기판(W)이 척핀(123)에 안착된 상태에서 스핀척(122)을 회전시키고, 회전하는 기판(W) 표면에 노즐(133)을 통해 유체를 분사하는 단계이다. 상기 노즐(133)에서 유체의 분사에 의해 기판 세정 등의 처리가 이루어진다.Step S10 is a step in which the
단계 S20은 기판 처리가 완료되어 유체의 공급을 중단하는 단계이다. 상기 유체공급밸브(20)를 닫음으로써 유체의 공급이 중단된다.Step S20 is a step of stopping the supply of the fluid after the substrate processing is completed. The supply of the fluid is stopped by closing the
단계 S30은 흡입밸브(30)를 작동시켜 노즐(133)의 하단부에 맺혀 있는 유체를 노즐(133)의 내부로 흡입하는 단계이다. 상기 흡입밸브(30)가 동작되면 노즐(133)의 하단부에 고여 있던 유체는 노즐(133) 내부로 흡입된다. 상기 흡입밸브(30)의 동작이 완료되어 노즐(133) 내부로 흡입된 유체는 노즐(133) 내부벽과의 사이에 작용하는 표면장력에 의해 낙하하지 않고 노즐(133) 내부에 잔존하게 된다.Step S30 is a step of operating the
단계 S40은 노즐(133)을 대기존(140)의 상부로 이동시키는 단계이고, 단계 S50은 노즐(133)에서 유체가 낙하하는 것을 감시하는 단계이다. 단계 S50은 노즐(133)이 대기존(140)으로 이동하는 과정에서 고정된 영역인 공간부(101)로 낙하하는 유체를 감지하는 것으로 구성될 수도 있고, 노즐(133)이 대기존(140)의 상부에 위치해 있는 동안에 고정된 영역인 대기존(140) 내에 낙하하는 유체를 감지하는 것으로 구성될 수도 있다. 또한, 유체감지부가 노즐(133)과 함께 이동(회전)하는 구성인 경우에는 상기 에어리어센서는 상기 노즐(133)과 함께 이동하는 영역 내에 낙하하는 유체를 감지하는 것으로 구성될 수도 있다.Step S40 is a step of moving the
상기 단계 S50에서 상기 유체감지부(210,220)에 의해 상기 유체의 낙하가 감지되면 그 감지신호를 제어부(미도시)에 송신하고, 상기 제어부는 상기 감지신호로부터 상기 유체가 낙하됨을 화면표시부(미도시)에 표시하고, 사용자는 공정을 중단시킨 후 흡입밸브(30)를 비롯하여 노즐(133)의 후단에 연결된 구성 부품들의 기밀이 유지되는지 여부 등을 확인하게 된다. In step S50, when the drop of the fluid is sensed by the
이와 같은 과정에 의해 노즐(133)에서 유체가 낙하하는 것을 감지하여 공정사고를 방지할 수 있다.By detecting the drop of the fluid from the
전술한 바와 같이 본 발명에 대하여 바람직한 실시예를 들어 상세히 설명하였지만, 본 발명은 전술한 실시예들에 한정되는 것이 아니고, 특허청구범위와 발명의 상세한 설명 및 첨부한 도면의 범위 안에서 여러 가지로 변형하여 실시하는 것이 가능하고 이 또한 본 발명에 속한다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments, but, on the contrary, And this also belongs to the present invention.
10 : 세정제공급부
20 : 세정제공급밸브(유체공급밸브)
30 : 흡입밸브
40 : 노즐
100 : 챔버
101 : 공간부
102 : 챔버 바닥
110 : 회수챔버
121 : 구동축
122 : 스핀척
123 : 척핀
130,130-1,130-2 : 유체공급수단
131,131-1,131-2 : 유체공급부
132,132-1,132-2 : 노즐배관
133,133-1,133-2 : 노즐
140,140-1,140-2 : 대기존
210,220 : 유체감지부
210a : 발광부
210b : 수광부
221 : CCD카메라
222 : 영상처리부
223 : 컴퓨터10: cleaning agent supply unit 20: cleaning agent supply valve (fluid supply valve)
30: Suction valve 40: Nozzle
100: chamber 101:
102: chamber bottom 110: collection chamber
121: drive shaft 122: spin chuck
123: Chuck pin 130, 130-1, 130-2: Fluid supply means
131, 131-1, 131-2:
133, 133-1, 133-2:
210, 220:
210b: light receiving unit 221: CCD camera
222: image processor 223: computer
Claims (15)
상기 챔버 내에 회전 가능하게 구비되어 상기 기판을 지지하는 스핀척;
상기 기판상에 유체를 공급하기 위한 노즐;
상기 스핀척에서 일정 간격 이격되어 상기 기판을 둘러싸도록 구비되고, 상기 기판에서 비산되는 유체를 포집하기 위한 회수챔버;
상기 노즐에서 낙하하는 유체를 감지하기 위한 유체감지부;
를 포함하는 기판 처리 장치A chamber in which a substrate is received and a substrate processing process is performed;
A spin chuck rotatably installed in the chamber to support the substrate;
A nozzle for supplying a fluid onto the substrate;
A recovery chamber arranged to surround the substrate at a predetermined interval in the spin chuck and collecting the fluid scattered in the substrate;
A fluid sensor for sensing the fluid falling from the nozzle;
The substrate processing apparatus
상기 유체감지부는 상기 노즐에서 유체가 설정된 영역 내에 낙하할 경우 상기 낙하하는 유체를 감지하기 위한 에어리어센서(Area sensor)로 이루어진 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치The method according to claim 1,
Wherein the fluid sensing part comprises an area sensor for sensing the falling fluid when the fluid falls from the nozzle in a predetermined area.
상기 에어리어센서는 복수의 발광부와 복수의 수광부로 이루어진 광센서인 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치3. The method of claim 2,
Wherein the area sensor is an optical sensor including a plurality of light emitting units and a plurality of light receiving units.
상기 에어리어센서는 상기 낙하하는 유체의 이미지를 검출하는 CCD와 상기 CCD에서 수신된 신호로부터 상기 유체의 낙하를 판단하기 위한 컴퓨터로 이루어진 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치3. The method of claim 2,
Wherein the area sensor comprises a CCD for detecting an image of the falling fluid and a computer for determining a drop of the fluid from a signal received at the CCD.
상기 유체감지부는 상기 챔버의 내측과 상기 회수챔버의 외측 사이의 영역에 낙하하는 유체를 감지하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치The method according to claim 1,
Wherein the fluid sensing unit senses a fluid falling into an area between the inside of the chamber and the outside of the collection chamber.
상기 노즐은, 상기 기판상에 유체를 공급하기 위한 제1위치와, 상기 기판의 외측에서 대기하기 위한 제2위치 사이에서 이동하도록 구비되고;
상기 유체감지부는 상기 노즐이 제1위치와 제2위치 사이를 이동하는 경로 상에 구비되어, 상기 노즐이 제1위치와 제2위치 사이에 낙하하는 유체를 감지하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치The method according to claim 1,
The nozzle being provided to move between a first position for supplying fluid on the substrate and a second position for waiting outside the substrate;
Wherein the fluid sensing portion is provided on a path along which the nozzle moves between the first position and the second position so that the nozzle senses the fluid falling between the first position and the second position.
상기 챔버와 회수챔버 사이에는 상기 노즐이 대기하는 대기존이 구비되고, 상기 대기존에 상기 유체감지부가 구비되어, 상기 유체감지부는 상기 대기존 내부의 영역에 낙하하는 유체를 감지하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치The method according to claim 1,
Wherein the fluid sensing unit is provided in a space between the chamber and the recovery chamber, and the fluid sensing unit senses a fluid falling on the area inside the space, Substrate processing apparatus
상기 노즐은 유체 종류별로 각각 세정액을 기판상에 공급하기 위해 복수 개로 이루어지고;
상기 복수의 노즐에서 낙하하는 유체를 감지하기 위해 상기 유체감지부가 복수 개 구비된 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치The method according to claim 1,
The plurality of nozzles are provided for supplying the cleaning liquid onto the substrate for each type of fluid;
Wherein a plurality of the fluid sensing units are provided to sense the fluid falling from the plurality of nozzles.
상기 노즐에 상기 유체의 공급을 제어하기 위한 유체공급밸브;
상기 유체공급밸브와 노즐 사이에 구비되어, 상기 노즐 내부에 잔존하는 유체를 흡입하기 위한 흡입밸브;
가 더 구비된 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치The method according to claim 1,
A fluid supply valve for controlling supply of the fluid to the nozzle;
A suction valve provided between the fluid supply valve and the nozzle for sucking fluid remaining in the nozzle;
The substrate processing apparatus comprising:
상기 유체감지부는 상기 노즐과 함께 이동가능하도록 되어 있어, 상기 노즐의 이동시 낙하하는 유체를 감지하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치The method according to claim 1,
Wherein the fluid sensing part is movable with the nozzle to sense a fluid dropping when moving the nozzle,
b) 상기 유체를 이용한 상기 기판의 처리가 완료되어, 상기 노즐에 상기 유체의 공급을 중단하는 단계;
c) 상기 노즐에서 유체가 낙하되는지 여부를 유체감지부에서 감지하는 단계;
로 이루어진 기판 처리 방법comprising the steps of: a) rotating a substrate and supplying a fluid onto the substrate through a nozzle;
b) completing the processing of the substrate with the fluid, thereby stopping the supply of the fluid to the nozzle;
c) detecting whether the fluid falls from the nozzle by the fluid sensor;
≪ / RTI >
상기 노즐에 상기 유체를 공급하기 위한 유체공급부, 상기 노즐로 상기 유체의 공급을 제어하는 유체공급밸브, 상기 유체공급밸브와 노즐 사이에 구비되어 상기 노즐 내부에 잔존하는 유체를 흡입하기 위한 흡입밸브가 구비되고;
상기 b)단계는, 상기 노즐에 상기 유체의 공급을 중단한 후, 상기 흡입밸브에서 상기 노즐 내부에 잔존하는 유체를 흡입하는 단계가 더 포함되고;
상기 c)단계에서 상기 유체감지부에 의해 유체의 낙하가 감지되면, 기판 처리 공정을 중단시키는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법12. The method of claim 11,
A fluid supply valve for controlling the supply of the fluid to the nozzle, a suction valve provided between the fluid supply valve and the nozzle for sucking the fluid remaining in the nozzle, ;
The step b) further comprises a step of sucking the fluid remaining in the nozzle at the suction valve after the supply of the fluid to the nozzle is stopped;
Wherein the substrate processing step is stopped when the fluid is detected to fall by the fluid detection part in step (c)
상기 c)단계에서 상기 유체감지부에 의해 상기 유체의 낙하가 감지되면 그 감지신호를 제어부에 송신하고, 상기 제어부는 상기 감지신호로부터 상기 유체가 낙하됨을 화면표시부에 표시하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법13. The method of claim 12,
Wherein when the drop of the fluid is detected by the fluid sensor in the step c), the control unit transmits a detection signal to the controller, and the controller displays on the screen display unit that the fluid falls from the detection signal. Way
상기 유체감지부는 에어리어센서(Area sensor)로 이루어지고;
상기 에어리어센서는 고정된 영역 내에 낙하하는 유체를 감지하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법11. The method of claim 10,
Wherein the fluid sensing unit comprises an area sensor;
Characterized in that the area sensor senses the fluid falling into the fixed area
상기 유체감지부는 에어리어센서(Area sensor)로 이루어지고;
상기 에어리어센서는 상기 노즐과 함께 이동하는 영역 내에 낙하하는 유체를 감지하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법11. The method of claim 10,
Wherein the fluid sensing unit comprises an area sensor;
Characterized in that the area sensor senses a fluid falling into a region moving with the nozzle
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
N231 | Notification of change of applicant |