KR20180079548A - Substrate treating apparatus and substrate treating method - Google Patents

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Abstract

The present invention relates to a substrate processing apparatus and a substrate processing method. The apparatus for processing a substrate according to one embodiment of the present invention includes a chamber in which the substrate provides a processing space by a supercritical fluid; a supply line for supplying a fluid for processing the substrate to the chamber; a heater positioned in the supply line; a first temperature sensor positioned in the supply line; a second temperature sensor positioned in the supply line at a different section different from the first temperature sensor; a controller for controlling the heater through information provided by the first temperature sensor and the second temperature sensor; and a support unit positioned inside the chamber to support the substrate. Thus, the supercritical fluid is effectively supplied to the chamber.

Description

기판 처리 장치 및 기판 처리 방법{Substrate treating apparatus and substrate treating method}[0001] DESCRIPTION [0002] Substrate treating apparatus and substrate treating method [

본 발명은 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate processing apparatus and a substrate processing method.

반도체소자는 실리콘 웨이퍼 등의 기판 상에 회로패턴을 형성하는 포토리소그래피(photolithography) 공정을 비롯한 다양한 공정을 거쳐 제조된다. 반도체소자의 제조과정 중에는 파티클(particle), 유기오염물, 금속불순물 등의 다양한 이물질이 발생하게 된다. 이러한 이물질들은 기판에 결함(defect)을 일으켜 반도체소자의 성능 및 수율에 직접적인 영향을 미치는 요인으로 작용한다. 따라서, 반도체소자의 제조공정에는 이러한 이물질을 제거하기 위한 세정공정이 필수적으로 수반된다.Semiconductor devices are manufactured through various processes including a photolithography process for forming a circuit pattern on a substrate such as a silicon wafer. During the manufacturing process of the semiconductor device, various foreign substances such as particles, organic contaminants and metal impurities are generated. These foreign substances cause defects on the substrate, which directly affect the performance and yield of the semiconductor device. Therefore, a cleaning process for removing such foreign matter is essentially involved in the manufacturing process of the semiconductor device.

세정공정은 케미컬로 기판 상의 이물질을 제거하는 케미컬공정, 케미컬을 순수로 세척하는 세척공정, 기판을 건조시키는 건조공정을 거쳐 수행된다. 일반적인 건조공정은 기판 상의 순수를 비교적 표면장력이 작은 이소프로필알코올(IPA: isopropyl alcohol) 등의 유기용제로 치환한 뒤 이를 증발시키는 방식으로 이루어져왔다. 그리고 건조 과정에서 유기용제를 이용하더라도 선폭 30nm 이하의 미세한 회로패턴을 가지는 반도체소자에 대해서는 여전히 도괴현상(pattern collapse)을 유발된다.The cleaning process is carried out through a chemical process for removing foreign substances on the substrate, a cleaning process for cleaning the chemical with pure water, and a drying process for drying the substrate. The general drying process has been performed by replacing pure water on a substrate with an organic solvent such as isopropyl alcohol (IPA) having a relatively low surface tension and then evaporating the organic solvent. Even if an organic solvent is used in the drying process, a pattern collapse is still caused in a semiconductor device having a fine circuit pattern with a line width of 30 nm or less.

본 발명은 기판을 효율적으로 처리하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공하기 위한 것이다.The present invention provides a substrate processing apparatus and a substrate processing method for efficiently processing a substrate.

또한, 본 발명은 챔버로 초임계 상태의 유체를 효과적으로 공급할 수 있는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공하기 위한 것이다.The present invention also provides a substrate processing apparatus and a substrate processing method capable of effectively supplying a fluid in a supercritical state to a chamber.

본 발명의 일 측면에 따르면, 기판이 초임계 유체에 의해 처리 공간을 제공하는 챔버; 상기 챔버로 상기 기판 처리를 위한 유체를 공급하는 공급 라인; 상기 공급 라인에 위치되는 히터; 상기 공급 라인에 위치되는 제1 온도 센서; 상기 제1 온도 센서와 상이한 구간에 위치되도록 상기 공급 라인에 위치되는 제2 온도 센서; 상기 제1 온도 센서와 상기 제2 온도 센서가 제공하는 정보를 통해 상기 히터를 제어하는 제어기; 및 상기 챔버 내부에 위치되어 상기 기판을 지지하는 지지 유닛을 포함하는 기판 처리 장치가 제공될 수 있다.According to an aspect of the present invention, there is provided a process chamber, comprising: a chamber in which a substrate provides a processing space with supercritical fluid; A supply line for supplying a fluid for the substrate processing into the chamber; A heater positioned in said supply line; A first temperature sensor located in said supply line; A second temperature sensor located in the supply line such that the second temperature sensor is located in a section different from the first temperature sensor; A controller for controlling the heater through information provided by the first temperature sensor and the second temperature sensor; And a support unit disposed inside the chamber and supporting the substrate.

또한, 상기 제1 온도 센서는 상기 히터가 위치되는 구간에 제공될 수 있다.Also, the first temperature sensor may be provided in a region where the heater is located.

또한, 상기 제어기는 상기 공급 라인에서 상기 유체의 흐름이 없을 때 상기 제1 온도 센서가 제공하는 정보를 통해 상기 히터를 제어할 수 있다.The controller may also control the heater through information provided by the first temperature sensor when there is no flow of fluid through the supply line.

또한, 상기 제2 온도 센서는 상기 제1 온도 센서에 비해 상기 챔버에 인접하게 위치될 수 있다.In addition, the second temperature sensor may be positioned adjacent to the chamber relative to the first temperature sensor.

또한, 상기 제어기는 상기 공급 라인에서 상기 유체의 흐름이 있을 때 상기 제2 온도 센서가 제공하는 정보를 통해 상기 히터를 제어할 수 있다.The controller may also control the heater through information provided by the second temperature sensor when the flow of the fluid is in the supply line.

본 발명의 다른 측면에 따르면, 공급 배관을 통해 챔버로 유체를 공급하여, 상기 챔버 내의 처리 공간에서 초임계 상태의 유체를 통해 기판을 처리하는 기판 처리 방법에 있어서, 상기 공급 라인에는 상기 유체 가열을 위한 히터, 유체의 온도 감지를 위한 제1 온도 센서, 상기 유체의 온도를 감지하고 상기 제1 온도 센서보다 상기 챔버에 인접하게 위치되는 제2 온도 센서를 위치 시키고, 상기 공급 라인에서 상기 유체의 유동이 없을 때 상기 제1 온도 센서가 제공하는 정보를 통해 상기 히터를 제어하는 기판 처리 방법이 제공될 수 있다.According to another aspect of the present invention, there is provided a substrate processing method for supplying a fluid to a chamber through a supply line and processing the substrate through a supercritical fluid in a processing space in the chamber, A first temperature sensor for sensing the temperature of the fluid, a second temperature sensor for sensing the temperature of the fluid and located closer to the chamber than the first temperature sensor, There is provided a substrate processing method for controlling the heater through information provided by the first temperature sensor.

또한, 상기 제1 온도 센서는 상기 히터가 위치되는 구간에 제공될 수 있다.Also, the first temperature sensor may be provided in a region where the heater is located.

본 발명의 또 다른 측면에 따르면, 공급 배관을 통해 챔버로 유체를 공급하여, 상기 챔버 내의 처리 공간에서 초임계 상태의 유체를 통해 기판을 처리하는 기판 처리 방법에 있어서, 상기 공급 라인에는 상기 유체 가열을 위한 히터, 유체의 온도 감지를 위한 제1 온도 센서, 상기 유체의 온도를 감지하고 상기 제1 온도 센서보다 상기 챔버에 인접하게 위치되는 제2 온도 센서를 위치 시키고, 상기 공급 라인에서 상기 유체의 유동이 있을 때 상기 제2 온도 센서가 제공하는 정보를 통해 상기 히터를 제어하는 기판 처리 방법이 제공될 수 있다.According to another aspect of the present invention, there is provided a substrate processing method for supplying a fluid to a chamber through a supply pipe, and processing the substrate through a supercritical fluid in a processing space in the chamber, A first temperature sensor for sensing the temperature of the fluid, a second temperature sensor for sensing the temperature of the fluid and located closer to the chamber than the first temperature sensor, A substrate processing method for controlling the heater through information provided by the second temperature sensor when flow exists can be provided.

본 발명의 일 실시 예에 의하면, 기판을 효율적으로 처리할 수 있는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법이 제공될 수 있다.According to one embodiment of the present invention, a substrate processing apparatus and a substrate processing method that can efficiently process a substrate can be provided.

본 발명의 일 실시 예에 의하면, 챔버로 초임계 상태의 유체를 효과적으로 공급할 수 있는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법이 제공될 수 있다.According to an embodiment of the present invention, there can be provided a substrate processing apparatus and a substrate processing method capable of effectively supplying a supercritical fluid to a chamber.

도 1은 본 발명에 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 보여주는 평면도이다.
도 2는 도 1의 제1공정 챔버의 단면도이다.
도 3은 도 1의 제2공정 챔버의 일 실시예의 단면도이다.
도 4는 공급 라인의 일부 구간을 나타내는 도면이다.
도 5는 히터가 제어되는 상태를 나타내는 도면이다.1 is a plan view showing a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
2 is a cross-sectional view of the first process chamber of FIG.
Figure 3 is a cross-sectional view of one embodiment of the second process chamber of Figure 1;
4 is a view showing a partial section of the supply line.
5 is a view showing a state in which the heater is controlled.

이하, 본 발명의 실시 예를 첨부된 도면들을 참조하여 더욱 상세하게 설명한다. 본 발명의 실시 예는 여러 가지 형태로 변형할 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래의 실시 예들로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시 예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해 과장되었다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. The embodiments of the present invention can be modified in various forms, and the scope of the present invention should not be construed as being limited to the following embodiments. This embodiment is provided to more fully describe the present invention to those skilled in the art. Thus, the shape of the elements in the figures has been exaggerated to emphasize a clearer description.

이하에서는 본 발명에 따른 기판 처리 장치(100)에 관하여 설명한다.Hereinafter, a substrate processing apparatus 100 according to the present invention will be described.

기판 처리 장치(100)는 초임계 유체를 공정 유체로 이용하여 기판(S)을 처리하는 초임계 공정을 수행할 수 있다.The substrate processing apparatus 100 may perform a supercritical process of processing the substrate S using a supercritical fluid as a process fluid.

여기서, 기판(S)은 반도체 소자나 평판 디스플레이(FPD: flat panel display) 및 그 밖에 박막에 회로패턴이 형성된 물건의 제조에 이용되는 기판을 모두 포함하는 포괄적인 개념이다. 이러한 기판(S)의 예로는, 실리콘 웨이퍼를 비롯한 다양한 웨이퍼, 유리기판, 유기기판 등이 있다. Here, the substrate S is a comprehensive concept that includes all semiconductor devices, flat panel displays (FPDs), and other substrates used in the manufacture of circuit patterns on thin films. Examples of such a substrate S include silicon wafers, various wafers, glass substrates, organic substrates, and the like.

초임계 공정은 초임계 유체의 특성을 이용하여 수행되며, 그 대표적인 예로는, 초임계 건조공정과 초임계 식각공정이 있다. 이하에서는 초임계 공정에 관하여 초임계 건조 공정을 기준으로 설명하기로 한다. 다만, 이는 설명의 용이를 위한 것에 불과하므로, 기판 처리 장치(100)는 초임계 건조 공정 이외의 다른 초임계 공정을 수행할 수 있다. The supercritical process is performed using the characteristics of the supercritical fluid, and typical examples thereof include a supercritical drying process and a supercritical etching process. Hereinafter, the supercritical drying process will be described with reference to the supercritical drying process. However, since this is merely for ease of explanation, the substrate processing apparatus 100 can perform a supercritical process other than the supercritical drying process.

초임계 건조공정은 초임계 유체로 기판(S)의 회로패턴에 잔류하는 유기용제를 용해하여 기판(S)을 건조시키는 방식으로 수행된다. 초임계 건조공정은 건조효율이 우수할 뿐 아니라 도괴현상을 방지할 수 있는 장점이 있다. 초임계 건조공정에 이용되는 초임계 유체로는 유기용제와 혼화성(混和性)이 있는 물질을 사용할 수 있다. 예를 들어, 초임계 이산화탄소(scCO2: supercritical carbon dioxide)가 초임계 유체로 사용될 수 있다.The supercritical drying process is performed in such a manner that the substrate S is dried by dissolving the organic solvent remaining in the circuit pattern of the substrate S with the supercritical fluid. The supercritical drying process not only has excellent drying efficiency but also has an advantage of preventing the collapse phenomenon. As the supercritical fluid used in the supercritical drying process, a substance having miscibility with an organic solvent can be used. For example, supercritical carbon dioxide (scCO2) can be used as a supercritical fluid.

이하에서는 본 발명에 따른 기판 처리 장치(100)의 일 실시예에 관하여 설명한다. 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치(100)는 초임계 건조공정을 포함하여 세정공정을 수행할 수 있다.Hereinafter, an embodiment of the substrate processing apparatus 100 according to the present invention will be described. The substrate processing apparatus 100 according to an embodiment of the present invention may perform a cleaning process including a supercritical drying process.

도 1은 본 발명에 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 보여주는 평면도이다.1 is a plan view showing a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면, 기판 처리 장치(100)는 인덱스 모듈(1000)과 공정 모듈(2000)을 포함한다.Referring to FIG. 1, the substrate processing apparatus 100 includes an index module 1000 and a processing module 2000.

인덱스 모듈(1000)은 외부로부터 기판(S)을 반송 받아 공정 모듈(2000)로 기판(S)을 반송한다. 공정모듈(2000)은 초임계 건조공정을 수행할 수 있다. The index module 1000 carries the substrate S from the outside and carries the substrate S to the processing module 2000. The process module 2000 may perform a supercritical drying process.

인덱스 모듈(1000)은 설비 전방 단부 모듈(EFEM: equipment front end module)로서, 로드포트(1100)와 이송 프레임(1200)을 포함한다. The index module 1000 includes a load port 1100 and a transfer frame 1200 as an equipment front end module (EFEM).

로드포트(1100)에는 기판(S)이 수용되는 용기(C)가 놓인다. 용기(C)로는 전면 개방 일체형 포드(FOUP: front opening unified pod)가 사용될 수 있다. 용기(C)는 오버헤드 트랜스퍼(OHT: overhead transfer)에 의해 외부로부터 로드포트(1100)로 반입되거나 로드포트(1100)로부터 외부로 반출될 수 있다.The load port 1100 is provided with a container C in which the substrate S is accommodated. As the container C, a front opening unified pod (FOUP) may be used. The container C can be carried from the outside to the load port 1100 or taken out from the load port 1100 by an overhead transfer (OHT).

이송 프레임(1200)은 로드포트(1100)에 놓인 용기(C)와 공정 모듈(2000) 간에 기판(S)을 반송한다. 이송 프레임(1200)은 인덱스 로봇(1210)과 인덱스 레일(1220)을 포함한다. 인덱스 로봇(1210)은 인덱스 레일(1220) 상에서 이동하며 기판(S)을 반송할 수 있다.The transfer frame 1200 conveys the substrate S between the container C placed on the load port 1100 and the process module 2000. The transfer frame 1200 includes an index robot 1210 and an index rail 1220. The index robot 1210 moves on the index rail 1220 and can transport the substrate S. [

공정 모듈(2000)은 버퍼 챔버(2100), 이송 챔버(2200), 제1공정 챔버(3000) 그리고 제2공정 챔버(4000)를 포함한다.The process module 2000 includes a buffer chamber 2100, a transfer chamber 2200, a first process chamber 3000, and a second process chamber 4000.

버퍼 챔버(2100)는 인덱스 모듈(1000)과 공정 모듈(2000) 간에 반송되는 기판(S)이 임시로 머무르는 공간을 제공한다. 버퍼 챔버(2100)에는 버퍼 슬롯이 제공될 수 있다. 버퍼 슬롯에는 기판(S)이 놓인다. 예를 들어, 인덱스 로봇(1210)은 기판(S)을 용기(C)로부터 인출하여 버퍼 슬롯에 놓을 수 있다. 이송 챔버(2200)의 이송 로봇(2210)은 버퍼 슬롯에 놓인 기판(S)을 인출하여 이를 제1공정 챔버(3000)나 제2공정 챔버(4000)로 반송할 수 있다. 버퍼 챔버(2100)에는 복수의 버퍼 슬롯이 제공되어 복수의 기판(S)이 놓일 수 있다. The buffer chamber 2100 provides a space for temporarily holding the substrate S conveyed between the index module 1000 and the processing module 2000. The buffer chamber 2100 may be provided with a buffer slot. The substrate S is placed in the buffer slot. For example, the index robot 1210 can pull the substrate S out of the container C and place it in the buffer slot. The transfer robot 2210 of the transfer chamber 2200 can take out the substrate S placed in the buffer slot and transfer it to the first process chamber 3000 or the second process chamber 4000. [ The buffer chamber 2100 may be provided with a plurality of buffer slots so that a plurality of substrates S can be placed.

이송 챔버(2200)는 그 둘레에 배치된 버퍼 챔버(2100), 제1공정 챔버(3000) 그리고 제2공정 챔버(4000)간에 기판(S)을 반송한다. 이송 챔버(2200)는 이송 로봇(2210)과 이송 레일(2220)을 포함한다. 이송 로봇(2210)은 이송 레일(2220) 상에서 이동하며 기판(S)을 반송할 수 있다. The transfer chamber 2200 carries the substrate S between the buffer chamber 2100, the first process chamber 3000 and the second process chamber 4000 disposed therearound. The transfer chamber 2200 includes a transfer robot 2210 and a transfer rail 2220. The transfer robot 2210 moves on the transfer rail 2220 and can transfer the substrate S.

제1공정 챔버(3000)와 제2공정 챔버(4000)는 세정 공정을 수행할 수 있다. 세정 공정은 제1공정 챔버(3000)와 제2공정 챔버(4000)에서 순차적으로 수행될 수 있다. 예를 들어, 제1공정 챔버(3000)에서는 세정 공정 중 케미컬 공정, 린스 공정 그리고 유기용제 공정이 수행된다. 이 후, 제2공정 챔버(4000)에서는 초임계 건조 공정이 수행될 수 있다. The first process chamber 3000 and the second process chamber 4000 can perform a cleaning process. The cleaning process may be sequentially performed in the first process chamber 3000 and the second process chamber 4000. [ For example, in the first process chamber 3000, a chemical process, a rinsing process, and an organic solvent process are performed during the cleaning process. Subsequently, in the second process chamber 4000, a supercritical drying process may be performed.

제1공정 챔버(3000)와 제2공정 챔버(4000)는 이송 챔버(2200)의 측면에 배치된다. 예를 들어, 제1공정 챔버(3000)와 제2공정 챔버(4000)는 이송 챔버(2200)의 다른 측면에 서로 마주보도록 배치될 수 있다. The first process chamber 3000 and the second process chamber 4000 are disposed on the side of the transfer chamber 2200. For example, the first process chamber 3000 and the second process chamber 4000 may be disposed on opposite sides of the transfer chamber 2200 to face each other.

공정 모듈(2000)에는 제1공정 챔버(3000)와 제2공정 챔버(4000)가 복수로 제공될 수 있다. 복수의 공정 챔버들(3000, 4000)은 이송 챔버(2200)의 측면에 일렬로 배치되거나 또는 상하로 적층되어 배치되거나 또는 이들의 조합에 의해 배치될 수 있다. The process module 2000 may be provided with a plurality of first process chambers 3000 and a plurality of second process chambers 4000. The plurality of process chambers 3000 and 4000 may be arranged in a line on the side of the transfer chamber 2200, or may be stacked on top of each other, or a combination thereof.

제1공정 챔버(3000)와 제2공정 챔버(4000)의 배치는 상술한 예로 한정되지 않으며, 기판 처리 장치(100)의 풋프린트나 공정효율 등과 같은 다양한 요소를 고려하여 적절히 변경될 수 있다.The arrangement of the first process chamber 3000 and the second process chamber 4000 is not limited to the above example and can be appropriately changed in consideration of various factors such as the footprint of the substrate processing apparatus 100 and the process efficiency.

이하에서는 제1공정 챔버에 관하여 설명한다.Hereinafter, the first process chamber will be described.

도 2는 도 1의 제1공정 챔버의 단면도이다. 2 is a cross-sectional view of the first process chamber of FIG.

제1공정 챔버(3000)는 케미컬 공정, 린스 공정 그리고 유기용제 공정을 수행할 수 있다. 제1공정 챔버(3000)는 이들 공정 중 일부의 공정만을 선택적으로 수행할 수도 있다. 여기서, 케미컬 공정은 기판(S)에 세정제를 제공하여 기판(S) 상의 이물질을 제거하는 공정이다. 린스 공정은 기판(S)에 린스제를 제공하여 기판(S) 상에 잔류하는 세정제를 세척하는 공정이다. 유기용제 공정은 기판(S)에 유기용제를 제공하여 기판(S)의 회로패턴 사이에 잔류하는 린스제를 표면장력이 낮은 유기용제로 치환하는 공정이다.The first process chamber 3000 can perform a chemical process, a rinsing process, and an organic solvent process. The first process chamber 3000 may selectively perform only some of these processes. Here, the chemical process is a process of removing foreign substances on the substrate S by providing a cleaning agent on the substrate S. The rinsing step is a step of rinsing the cleaning agent remaining on the substrate S by providing a rinsing agent to the substrate (S). The organic solvent process is a process of providing an organic solvent to the substrate (S) and replacing the rinsing agent remaining between the circuit patterns of the substrate (S) with an organic solvent having a low surface tension.

도 2를 참조하면, 제1공정 챔버(3000)는 지지 부재(3100), 노즐 부재(3200) 그리고 회수 부재(3300)를 포함한다.Referring to FIG. 2, the first process chamber 3000 includes a support member 3100, a nozzle member 3200, and a recovery member 3300.

지지 부재(3100)는 기판(S)을 지지한다. 지지 부재(3100)는 지지된 기판(S)을 회전시킬 수 있다. 지지 부재(3100)는 지지 플레이트(3110), 지지 핀(3111), 척 핀(3112), 회전 축(3120) 그리고 회전 구동기(3130)를 포함한다. The support member 3100 supports the substrate S. The support member 3100 can rotate the substrate S supported. The support member 3100 includes a support plate 3110, a support pin 3111, a chuck pin 3112, a rotation axis 3120 and a rotation driver 3130.

지지 플레이트(3110)는 기판(S)과 동일 또는 유사한 형상의 상면을 가진다. 지지 플레이트(3110)의 상면에는 지지 핀(3111)과 척 핀(3112)이 형성된다. 지지 핀(3111)은 기판(S)의 저면을 지지한다. 척 핀(3112)은 지지된 기판(S)을 고정할 수 있다. The support plate 3110 has a top surface of the same or similar shape as the substrate S. [ On the upper surface of the support plate 3110, a support pin 3111 and a chuck pin 3112 are formed. The support pins 3111 support the bottom surface of the substrate S. The chuck pin 3112 can fix the substrate S supported thereon.

지지 플레이트(3110)의 하부에는 회전 축(3120)이 연결된다. 회전 축(3120)은 회전 구동기(3130)로부터 회전력을 전달받아 지지 플레이트(3110)를 회전시킨다. 이에 따라 지지 플레이트(3110)에 안착된 기판(S)이 회전할 수 있다. 척 핀(3112)은 기판(S)이 정위치를 이탈하는 것을 방지한다. A rotation shaft 3120 is connected to a lower portion of the support plate 3110. The rotary shaft 3120 receives the rotational force from the rotary actuator 3130 and rotates the support plate 3110. Accordingly, the substrate S mounted on the support plate 3110 can be rotated. The chuck pin 3112 prevents the substrate S from deviating from the correct position.

노즐 부재(3200)는 기판(S)에 처리액을 분사한다. 노즐 부재(3200)는 노즐(3210), 노즐 바(3220), 노즐 축(3230) 그리고 노즐 축 구동기(3240)를 포함한다.The nozzle member 3200 sprays the treatment liquid onto the substrate S. [ The nozzle member 3200 includes a nozzle 3210, a nozzle bar 3220, a nozzle axis 3230 and a nozzle axis driver 3240.

노즐(3210)은 지지 플레이트(3110)에 안착된 기판(S)에 처리액을 분사한다. 처리액은 세정제, 린스제 또는 유기용제일 수 있다. 세정제는 과산화수소(H2O2)용액이나 과산화수소용액에 암모니아(NH4OH), 염산(HCl) 또는 황산(H2SO4)를 혼합한 용액 또는 불산(HF)용액 등이 사용될 수 있다. 린스제는 순수가 사용될 수 있다. 유기용제는 이소프로필알코올을 비롯하여 에틸글리콜(ethyl glycol), 1-프로파놀(propanol), 테트라하이드로프랑(tetra hydraulic franc), 4-하이드록시(hydroxyl), 4-메틸(methyl), 2-펜타논(pentanone), 1-부타놀(butanol), 2-부타놀, 메탄올(methanol), 에탄올(ethanol), n-프로필알코올(n-propyl alcohol), 디메틸에틸(dimethylether)의 용액이나 가스가 사용될 수 있다.The nozzle 3210 ejects the treatment liquid onto the substrate S that is seated on the support plate 3110. [ The treatment liquid may be a detergent, a rinsing agent or an organic solvent. The detergent may be a solution of hydrogen peroxide (H 2 O 2) or a solution of ammonia (NH 4 OH), hydrochloric acid (HCl) or sulfuric acid (H 2 SO 4) in a hydrogen peroxide solution or a solution of hydrofluoric acid (HF). Rinsing agents can be used pure water. Organic solvents include isopropyl alcohol, ethyl glycol, propanol, tetra hydraulic franc, 4-hydroxy, 4-methyl, 2-penta A solution or gas of pentanone, 1-butanol, 2-butanol, methanol, ethanol, n-propyl alcohol or dimethylether is used .

노즐(3210)은 노즐 바(3220)의 일단 저면에 형성된다. 노즐 바(3220)는 노즐 축(3230)에 결합된다. 노즐 축(3230)은 승강 또는 회전할 수 있도록 제공된다. 노즐 축 구동기(3240)는 노즐 축(3230)을 승강 또는 회전시켜 노즐(3210)의 위치를 조절할 수 있다. The nozzle 3210 is formed on the bottom surface of one end of the nozzle bar 3220. The nozzle bar 3220 is coupled to the nozzle axis 3230. The nozzle shaft 3230 is provided so as to be able to lift or rotate. The nozzle axis driver 3240 can adjust the position of the nozzle 3210 by moving the nozzle axis 3230 up or down.

회수 부재(3300)는 기판(S)에 공급된 처리액을 회수한다. 노즐 부재(3200)에 의해 기판(S)에 처리액이 공급되면, 지지 부재(3100)는 기판(S)을 회전시켜 기판(S)의 전 영역에 처리액이 균일하게 공급되도록 할 수 있다. 기판(S)이 회전하면 기판(S)으로부터 처리액이 비산한다. 비산하는 처리액은 회수 부재(3300)에 의해 회수될 수 있다. The recovery member 3300 recovers the treatment liquid supplied to the substrate S. When the treatment liquid is supplied to the substrate S by the nozzle member 3200, the support member 3100 can rotate the substrate S to uniformly supply the treatment liquid to the entire area of the substrate S. [ When the substrate S is rotated, the processing liquid is scattered from the substrate S. The treatment liquid to be scattered can be recovered by the recovery member 3300.

회수 부재(3300)는 회수통(3310), 회수 라인(3320), 승강바(3330) 그리고 승강 구동기(3340)를 포함한다. The collecting member 3300 includes a collecting box 3310, a collecting line 3320, a lifting bar 3330 and a lifting driver 3340.

회수통(3310)은 지지 플레이트(3110)를 감싸는 환형의 링 형상으로 제공된다. 회수통(3310)은 복수로 제공될 수 있다. 복수의 회수통(3310)은 상부에서 볼 때 차례로 지지 플레이트(3110)로부터 멀어지는 링 형상으로 제공된다. 지지 플레이트(3110)로부터 먼 거리에 있는 회수통(3310)일수록 그 높이가 높게 제공된다. 회수통(3310) 사이의 공간에는 기판(S)으로부터 비산되는 처리액가 유입되는 회수구(3311)가 형성된다.The recovery cylinder 3310 is provided in an annular ring shape surrounding the support plate 3110. The recovery cylinder 3310 may be provided in plural. A plurality of collection bins 3310 are provided in a ring shape away from the support plate 3110 in order when viewed from above. The height of the collection box 3310 at a distance from the support plate 3110 is higher. In the space between the recovery cylinders 3310, a recovery port 3311 through which the treatment liquid scattered from the substrate S flows is formed.

회수통(3310)의 하면에는 회수 라인(3320)이 형성된다. 회수 라인(3320)은 회수통(3310)으로 회수된 처리액을 재생하는 처리액재생시스템(미도시)로 공급한다.A collection line 3320 is formed on the lower surface of the collection box 3310. The recovery line 3320 supplies the processing solution recovered by the recovery cylinder 3310 to a processing solution recovery system (not shown) for regeneration.

승강바(3330)는 회수통(3310)에 연결된다. 승강바(3330)는 승강 구동기(3340)로부터 동력을 전달받아 회수통(3310)을 상하로 이동시킨다. 승강바(3330)는 회수통(3310)이 복수인 경우 최외곽에 배치된 회수통(3310)에 연결될 수 있다. 승강 구동기(3340)는 승강바(3330)를 통해 회수통(3310)을 승강시켜 복수의 회수구(3311) 중 비산하는 처리액이 유입되는 회수구(3311)를 조절할 수 있다.The lifting bar 3330 is connected to the collection box 3310. The lifting and lowering bar 3330 receives power from the lifting and lowering driver 3340 and moves the recovery bottle 3310 up and down. The elevating bar 3330 may be connected to a waste collection box 3310 disposed at the outermost position when the collection box 3310 is plural. The lifting and lowering driver 3340 can adjust the collection port 3311 through which the treatment liquid flowing in the plurality of recovery ports 3311 flows through the lifting bar 3330 by moving the recovery bottle 3310 upward.

제2공정 챔버(4000)는 초임계 유체를 이용하여 초임계 건조공정을 수행할 수 있다. 제2공정 챔버(4000)에서 수행되는 건조 공정은 기판(S)의 패턴에 유기용제를 제거하는 공정 일 수 있다. 제2공정 챔버(4000)에서 수행되는 공정은 초임계 건조공정 이외에 다른 초임계 공정일 수도 있다.The second process chamber 4000 may perform a supercritical drying process using a supercritical fluid. The drying process performed in the second process chamber 4000 may be a process of removing the organic solvent in the pattern of the substrate S. [ The process performed in the second process chamber 4000 may be a supercritical process other than the supercritical drying process.

이하에서는 제2공정 챔버의 일 실시예에 관하여 설명한다.Hereinafter, an embodiment of the second process chamber will be described.

도 3은 도 1의 제2공정 챔버의 일 실시예의 단면도이다. Figure 3 is a cross-sectional view of one embodiment of the second process chamber of Figure 1;

도 3을 참조하면, 제2공정 챔버(4000)는 챔버(4100), 승강 유닛(4200), 지지 유닛(4300), 가열 부재(4400), 유체 공급 유닛(4500), 차단 부재(4600) 및 배기 부재(4700)를 을 포함한다.3, the second process chamber 4000 includes a chamber 4100, a lift unit 4200, a support unit 4300, a heating member 4400, a fluid supply unit 4500, a blocking member 4600, And an exhaust member 4700.

챔버(4100)는 내부에 초임계 건조공정이 수행되는 처리 공간을 제공한다. 챔버(4100)은 임계압력 이상의 고압을 견딜 수 있는 재질로 제공된다. The chamber 4100 provides a processing space in which a supercritical drying process is performed. The chamber 4100 is provided with a material capable of withstanding a high pressure exceeding a critical pressure.

챔버(4100)은 상체(4110)과 하체(4120)을 포함한다. 하체(4120)는 상체(4110)의 아래에서 상체(4110)와 결합되어 제공된다. 상체(4110)와 하체(4120)의 조합으로 생성된 공간은 기판 처리 공정을 수행하는 처리 공간으로 제공된다. The chamber 4100 includes an upper body 4110 and a lower body 4120. The lower body 4120 is provided in combination with the upper body 4110 under the upper body 4110. [ The space created by the combination of the upper body 4110 and the lower body 4120 is provided to the processing space for performing the substrate processing process.

상체(4110)는 외부 구조물에 고정되게 설치된다. 하체(4120)는 상체(4110)에 대해 승강 가능하게 제공된다. 하체(4120)는 하강하여 상체(4110)로부터 이격되면 제2공정 챔버(4000)의 내부에 처리 공간이 개방된다. 개방된 처리 공간으로 기판(S)이 제2공정 챔버(4000)의 내부 공간으로 반입되거나 내부 공간으로부터 반출될 수 있다. 여기서, 제2공정 챔버(4000)로 반입되는 기판(S)은 제1공정 챔버(3000)에서 유기용제 공정을 거쳐 유기용제가 잔류하는 상태일 수 있다. 하체(4120)가 상승하여 상체(4110)에 밀착되면 제2공정 챔버(4000)의 내부에 처리 공간이 밀폐된다. 밀페된 처리 공간에서는 초임계 건조공정이 수행될 수 있다. 상술한 예와 달리 챔버(4100)에서 하체(4120)가 고정 설치되고, 상체(4110)가 승강되는 구조로 제공될 수도 있다. The upper body 4110 is fixedly attached to the outer structure. The lower body 4120 is provided so as to be movable up and down relative to the upper body 4110. When the lower body 4120 is lowered and separated from the upper body 4110, the processing space is opened inside the second processing chamber 4000. The substrate S can be carried into or taken out of the inner space of the second process chamber 4000 in the open process space. Here, the substrate S to be transferred to the second process chamber 4000 may be in a state where the organic solvent remains in the first process chamber 3000 through the organic solvent process. When the lower body 4120 rises and comes into close contact with the upper body 4110, the processing space is sealed inside the second processing chamber 4000. In the milled treatment space, a supercritical drying process can be performed. The lower body 4120 may be fixedly installed in the chamber 4100 and the upper body 4110 may be raised and lowered unlike the above-described example.

승강 유닛(4200)는 하체(4120)를 승강시킨다. 승강 유닛(4200)은 승강 실린더(4210)와 승강 로드(4220)을 포함한다. 승강 실린더(4210)는 하체(4120)에 결합되어 상하 방향의 구동력을 발생시킨다. 승강 실린더(4210)는 초임계 건조공정이 수행되는 동안 제2공정 챔버(4000) 내부의 임계압력 이상의 고압을 이기고, 상체(4110)과 하체(4120)를 밀착시켜 제2공정 챔버(4000)를 밀폐시킬 수 있는 정도의 구동력을 발생시킨다. 승강로드(4220)는 그 일단이 승강 실린더(4210)에 삽입되어 수직상방으로 연장되어 타단이 상체(4110)에 결합된다. 승강 실린더(4210)에서 구동력이 발생 시, 승강 실린더(4210)와 승강 로드(4220)가 상대적으로 승강되어 승강 실린더(4210)에 결합된 하체(4120)가 승강될 수 있다. 승강 실린더(4210)에 의해 하체(4120)가 승강하는 동안 승강 로드(4220)는 상체(4110)과 하체(4120)가 수평방향으로 움직이는 것을 방지하고, 승강 방향을 안내하여, 상체(4110)와 하체(4120)가 서로 정위치에서 이탈하는 것을 방지할 수 있다. The elevating unit 4200 moves the lower body 4120 up and down. The elevating unit 4200 includes an elevating cylinder 4210 and a lifting rod 4220. [ The lifting cylinder 4210 is coupled to the lower body 4120 to generate a driving force in a vertical direction. The elevating cylinder 4210 is operated so that the supercritical drying process is performed while the high pressure equal to or higher than the critical pressure inside the second process chamber 4000 is obtained and the second process chamber 4000 is brought into close contact with the upper body 4110 and the lower body 4120 Thereby generating a driving force enough to seal the motor. One end of the lifting rod 4220 is inserted into the lifting cylinder 4210 and extends vertically upward, and the other end is coupled to the upper body 4110. When the driving force is generated in the lifting cylinder 4210, the lifting cylinder 4210 and the lifting rod 4220 are relatively lifted and the lifting body 4120 coupled to the lifting cylinder 4210 can be lifted and lowered. The lifting rod 4220 prevents the upper body 4110 and the lower body 4120 from moving in the horizontal direction while the lower body 4120 is lifted and lowered by the lifting cylinder 4210, It is possible to prevent the lower body 4120 from deviating from the correct position with respect to each other.

지지 유닛(4300)은 챔버(4100)의 처리 공간에 위치하며 기판(S)을 지지한다. 지지 유닛(4300)은 상체(4110)에 결합된다. 지지 유닛(4300)은 수직부(4320)와 수평부(4310)를 포함한다.The support unit 4300 is located in the processing space of the chamber 4100 and supports the substrate S. [ The support unit 4300 is coupled to the upper body 4110. The support unit 4300 includes a vertical portion 4320 and a horizontal portion 4310. [

수직부(4320)는 챔버(4100)의 상부벽으로부터 아래로 연장되어 제공된다. 수직부(4320)는 상체(4110)의 하면에 설치된다. 수직부(4320)는 상체(4110)의 아래쪽으로 연장되어 제공된다. 수직부(4320)의 끝단은 수평부(4310)와 수직으로 결합된다. 수평부(4310)는 수직부(4320)의 끝단에서 챔버(4100)의 안쪽으로 연장되어 제공된다. 수평부(4310)에는 기판(S)이 놓인다. 수평부(4310)는 기판(S)의 가장자리 영역 저면을 지지한다. Vertical portion 4320 is provided extending downward from the top wall of chamber 4100. [ The vertical portion 4320 is provided on the lower surface of the upper body 4110. The vertical portion 4320 is provided extending downward of the upper body 4110. The end of the vertical portion 4320 is vertically coupled to the horizontal portion 4310. The horizontal portion 4310 is provided extending from the end of the vertical portion 4320 to the inside of the chamber 4100. The substrate S is placed on the horizontal portion 4310. The horizontal portion 4310 supports the bottom surface of the edge region of the substrate S.

지지 유닛(4300)이 기판(S)의 가장자리 영역에 접촉하여 기판(S)을 지지하여 기판(S) 상면 전체영역과 하면의 대부분의 영역에 대해서 초임계 건조공정이 수행될 수 있다. 여기서, 기판(S)은 그 상면이 패턴면이고, 하면이 비패턴면일 수 있다.  The supporter unit 4300 contacts the edge region of the substrate S to support the substrate S so that the supercritical drying process can be performed on the entire upper surface and most of the lower surface of the substrate S. [ Here, the upper surface of the substrate S may be a pattern surface, and the lower surface thereof may be a non-pattern surface.

지지 유닛(4300)은 상체(4110)에 설치된다. 지지 유닛(4300)은 하체(4120)가 승강하는 동안 비교적 안정적으로 기판(S)을 지지할 수 있다.  The support unit 4300 is installed in the upper body 4110. [ The supporting unit 4300 can relatively stably support the substrate S while the lower body 4120 is lifted and lowered.

지지 유닛(4300)이 설치되는 상체(4110)에는 수평 조정 부재(4111)가 설치된다. 수평 조정 부재(4111)는 상체(4110)의 수평도를 조정한다. 상체(4110)의 수평도가 조정되어, 상체(4110)에 설치된 지지 유닛(4300)에 안착된 기판(S)의 수평이 조절된다. A horizontal adjustment member 4111 is provided on the upper body 4110 on which the support unit 4300 is installed. The horizontal adjusting member 4111 adjusts the horizontality of the upper body 4110. The level of the upper body 4110 is adjusted so that the level of the substrate S that is seated on the supporting unit 4300 provided on the upper body 4110 is adjusted.

초임계 건조공정에서 기판(S)이 기울면, 기판(S)에 잔류하는 유기용제가 경사면을 타고 흘러 기판(S)의 특정부분이 건조되지 않거나 과건조되어 기판(S)이 손상될 수 있다. 수평 조정 부재(4111)는 기판(S)의 수평을 맞추어 이러한 문제점을 방지한다. 상체(4110)가 승강되고 하체(4120)가 고정되어 설치되거나, 지지 유닛(4300)이 하체(4120)에 설치되는 경우에는 수평 조정 부재(4111)는 하체(4120)에 설치될 수도 있다.In the supercritical drying process, when the substrate S is inclined, the organic solvent remaining on the substrate S flows on the inclined surface, and a specific portion of the substrate S may not be dried or dried, and the substrate S may be damaged. The horizontal adjustment member 4111 prevents the above problem by aligning the substrate S horizontally. When the upper body 4110 is raised and lowered and the lower body 4120 is fixed or the supporting unit 4300 is installed on the lower body 4120, the horizontal adjusting member 4111 may be installed on the lower body 4120.

가열 부재(4400)는 제2공정 챔버(4000)의 내부를 가열한다. 가열 부재(4400)는 제2공정 챔버(4000) 내부에 공급된 초임계 유체를 임계온도 이상으로 가열하여 초임계 유체 상으로 유지한다. 가열 부재(4400)는 초임계 유체가 액화된 경우에는 다시 초임계 유체가 되도록 초임계 유체를 가열할 수 있다. 가열 부재(4400)는 상체(4110) 및 하체(4120) 중 적어도 하나의 벽 내에 매설되어 설치된다. 가열 부재(4400)는 외부로부터 전원을 받아 열을 발생시킨다. 일 예로 가열 부재(4400)은 히터로 제공 될 수 있다. The heating member 4400 heats the interior of the second process chamber 4000. The heating member 4400 heats the supercritical fluid supplied inside the second process chamber 4000 above the critical temperature to maintain it in the supercritical fluid phase. The heating member 4400 may heat the supercritical fluid to become a supercritical fluid again if the supercritical fluid is liquefied. The heating member 4400 is embedded in the wall of at least one of the upper body 4110 and the lower body 4120. The heating member 4400 receives power from the outside to generate heat. As an example, the heating member 4400 may be provided as a heater.

유체 공급 유닛(4500)는 제2공정 챔버(4000)로 유체를 공급한다. 공급되는 유체는 초임계 유체일 있다. 일 예로 공급되는 초임계 유체는 이산화 탄소일 수 있다.The fluid supply unit 4500 supplies the fluid to the second process chamber 4000. The supplied fluid is supercritical fluid. As an example, supercritical fluid supplied may be carbon dioxide.

유체 공급 유닛(4500)은 상부 유체 공급부(4510), 하부 유체 공급부(4520), 공급 라인(4550) 그리고 밸브(4551,4553)를 포함한다. The fluid supply unit 4500 includes an upper fluid supply unit 4510, a lower fluid supply unit 4520, a supply line 4550, and valves 4551 and 4553.

상부 유체 공급부(4510)는 기판(S)의 상면에 직접 초임계 유체를 공급한다. 상부 유체 공급부(4510)는 상체(4110)에 연결되어 제공된다. 상부 유체 공급 부(4510)는 기판(S)의 중앙 상면에 대향되는 상체(4110)에 연결되어 제공된다. The upper fluid supply part 4510 supplies supercritical fluid directly to the upper surface of the substrate S. The upper fluid supply part 4510 is connected to the upper body 4110 and is provided. The upper fluid supply part 4510 is connected to the upper body 4110 which is opposed to the central upper surface of the substrate S and is provided.

하부 유체 공급부(4520)는 기판(S)의 하면에 초임계 유체를 공급한다. 하부 유체 공급부(4520)는 하체(4120)에 연결되어 제공된다. 하부 유체 공급부(4520)는 기판(S)의 중앙 하면에 대향되는 하체(4120)에 연결되어 제공된다.The lower fluid supply part 4520 supplies supercritical fluid to the lower surface of the substrate S. The lower fluid supply part 4520 is connected to the lower body 4120 and is provided. The lower fluid supply part 4520 is provided in connection with the lower body 4120 opposed to the lower center of the substrate S.

상부 유체 공급부(4510)와 하부 유체 공급부(4520)에서 분사되는 초임계 유체는 기판(S)의 중앙영역으로 도달하여 가장자리 영역으로 퍼지면서 기판(S)의 전 영역에 균일하게 제공된다.The supercritical fluid injected from the upper fluid supply part 4510 and the lower fluid supply part 4520 reaches the central area of the substrate S and is uniformly provided over the entire area of the substrate S while spreading to the edge area.

공급 라인(4550)은 챔버(4100)로 초임계 유체를 공급한다. 공급 라인(4550)은 메인 라인(4550a), 상부 라인(4550b), 하부 라인(4550c)을 포함할 수 있다. 메인 라인(4550a)은 초임계 유체 저장부(4560)와 연결될 수 있다. 상부 라인(4550b)은 메인 라인(4550a)에서 분지되어, 챔버(4100)의 상부에 위치되는 상부 유체 공급부(4510)에 연결된다. 하부 라인(4550c)은 메인 라인(4550a)에서 분지되어, 챔버(4100)의 하부에 위치되는 하부 유체 공급부(4520)에 연결된다.The supply line 4550 supplies the supercritical fluid to the chamber 4100. The supply line 4550 may include a main line 4550a, an upper line 4550b, and a lower line 4550c. The main line 4550a may be connected to the supercritical fluid reservoir 4560. The upper line 4550b is branched at the main line 4550a and is connected to an upper fluid supply 4510 located at the top of the chamber 4100. [ The lower line 4550c is branched at the main line 4550a and is connected to the lower fluid supply 4520 located at the lower portion of the chamber 4100. [

밸브(4551,4553)는 공급 라인(4550)에 설치된다. 밸브(4551,4553)는 공급 라인에 복수개 제공 될 수 있다. 각각의 밸브(4551,4553)는 상부 유체 공급부(4510)와 하부 유체 공급부(4520)에 공급되는 초임계 유체의 유량을 조절한다. 밸브(4551,4553)는 제어기(5000)에 의해서 챔버(4100) 내부로 공급되는 유량 조절이 가능하다.Valves 4551 and 4553 are installed in supply line 4550. The valves 4551 and 4553 may be provided in a plurality of supply lines. Each of the valves 4551 and 4553 regulates the flow rate of the supercritical fluid supplied to the upper fluid supply part 4510 and the lower fluid supply part 4520. The valves 4551 and 4553 are capable of controlling the flow rate supplied to the inside of the chamber 4100 by the controller 5000.

유체 공급 유닛(4500)은 먼저 하부 유체 공급부(4520)에서 초임계 유체를 공급할 수 있다. 이 후, 상부 유체 공급부(4510)가 초임계 유체를 공급할 수 있다. 초임계 건조공정은 초기에 제2공정 챔버(4000)의 내부가 임계압력에 미달한 상태에서 진행될 수 있다. 제2공정 챔버(4000) 내부가 임계 압력 미달시 내부로 공급되는 초임계 유체는 액화될 수 있다. 초임계 유체가 액화되면 중력에 의해 기판(S)으로 낙하하여 기판(S)을 손상시킬 수 있다.The fluid supply unit 4500 may first supply the supercritical fluid in the lower fluid supply part 4520. Thereafter, the upper fluid supply part 4510 can supply supercritical fluid. The supercritical drying process may proceed in a state where the interior of the second process chamber 4000 initially falls below the critical pressure. The supercritical fluid in which the interior of the second process chamber 4000 is supplied to the inside when the critical pressure is not reached can be liquefied. When the supercritical fluid is liquefied, it may fall to the substrate S by gravity and damage the substrate S.

따라서, 하부 유체 공급부(4520)에서 먼저 초임계 유체를 공급한다. 제2공정 챔버(4000)로 초임계 유체가 공급되고 난 후 내부 압력은 임계 압력에 도달한다. 제2공정 챔버(4000)의 내부 압력이 임계압력에 도달하고 난 후 상부 유체 공급부(4510)에서 초임계 유체를 공급한다. 하부 유체 공급부(4520)에서 상부 유체 공급부(4510)보다 먼저 초임계 유체를 공급하여 초임계 유체가 액화되어 기판(S)으로 낙하하는 것을 방지할 수 있다.Accordingly, the supercritical fluid is first supplied from the lower fluid supply part 4520. After the supercritical fluid is supplied to the second process chamber 4000, the internal pressure reaches a critical pressure. The supercritical fluid is supplied from the upper fluid supply part 4510 after the inner pressure of the second process chamber 4000 reaches the critical pressure. The supercritical fluid is supplied to the lower fluid supply part 4520 before the upper fluid supply part 4510 to prevent the supercritical fluid from being liquefied and falling down to the substrate S. [

차단 부재(4600)는 유체 공급 유닛(4500)에서 공급되는 초임계 유체가 기판(S)의 하면에 직접 분사되는 것을 방지한다. 차단 부재(4600)는 차단 플레이트(4610)와 지지대(4620)를 포함한다.The blocking member 4600 prevents the supercritical fluid supplied from the fluid supply unit 4500 from being injected directly onto the lower surface of the substrate S. [ The blocking member 4600 includes a blocking plate 4610 and a support 4620.

차단 플레이트(4610)는 챔버(4100)내부에 처리 공간에 위치한다. 차단 플레이트(4610)는 지지 유닛(4300)과 하부 유체 공급부(4520) 사이에 배치된다. 차단 플레이트(4610)는 원형의 판 형상으로 제공될 수 있다. 차단 플레이트(4610)의 반경은 기판(S)과 유사하거나 더 크게 제공될 수 있다. 차단 플레이트(4610)는 지지 유닛(4300)에 놓이는 기판(S)의 하면에 위치하여 하부 유체 공급부(4520)를 통해 공급되는 초임계 유체가 기판(S)의 하면에 직접적으로 분사되는 것을 방지할 수 있다. 차단 플레이트(4610)의 반경이 기판(S)과 유사하거나 더 크게 제공되는 경우에는 초임계 유체가 기판(S)에 직접 분사되는 것을 완벽히 차단할 수 있다. The blocking plate 4610 is located in the processing space inside the chamber 4100. A blocking plate 4610 is disposed between the support unit 4300 and the lower fluid supply 4520. The blocking plate 4610 may be provided in a circular plate shape. The radius of the blocking plate 4610 may be provided to be similar or larger than that of the substrate S. [ The blocking plate 4610 is located on the lower surface of the substrate S placed on the supporting unit 4300 and prevents the supercritical fluid supplied through the lower fluid supply part 4520 from being directly sprayed on the lower surface of the substrate S . It is possible to completely block the supercritical fluid from being injected directly onto the substrate S when the radius of the blocking plate 4610 is provided to be similar to or larger than that of the substrate S. [

이와는 달리 차단 플레이트(4610)의 반경은 기판(S)보다 작게 제공될 수도 있다. 이 경우 초임계 유체가 기판(S)에 직접 분사되는 것을 차단한다. 또한, 초임계 유체의 유속을 최소한으로 저하시켜 기판(S)에 초임계 유체가 비교적 쉽게 도달할 수 있게 한다. 차단 플레이트(4610)의 반경이 기판(S)보다 작게 제공되는 경우 기판(S)에 대한 초임계 건조공정이 효과적으로 진행될 수 있다.Alternatively, the radius of the blocking plate 4610 may be provided smaller than the substrate S. [ In this case, the supercritical fluid is prevented from being sprayed directly onto the substrate S. In addition, the flow rate of the supercritical fluid is minimized to allow the supercritical fluid to reach the substrate S relatively easily. The supercritical drying process for the substrate S can be effectively performed when the radius of the cutoff plate 4610 is provided smaller than the substrate S. [

지지대(4620)는 차단 플레이트(4610)를 지지한다. 지지대(4620)는 차단 플레이트(4610)의 후면을 지지한다. 지지대(4620)는 챔버(4100)의 하부벽에 설치되어 수직으로 제공된다. 지지대(4620)와 차단 플레이트(4610)는 별도의 결합없이 차단 플레이트(4610)의 중력에 의해 지지대(4620)에 놓여지도록 설치될 수 있다. The support base 4620 supports the blocking plate 4610. The support base 4620 supports the rear surface of the blocking plate 4610. A support stand 4620 is installed on the lower wall of the chamber 4100 and is provided vertically. The support pedestal 4620 and the blocking plate 4610 can be installed to rest on the support 4620 by the gravity of the blocking plate 4610 without any additional engagement.

이와는 달리, 지지대(4620)와 차단 플레이트(4610)가 너트나 볼트 등의 결합수단에 의해 결합될 수 있다. 또는 지지대(4620)와 차단 플레이트(4610)는 일체로 제공될 수도 있다.Alternatively, the support pedestal 4620 and the blocking plate 4610 can be coupled by a coupling means such as a nut or bolt. Or the support plate 4620 and the blocking plate 4610 may be integrally provided.

배기 부재(4700)는 제2공정 챔버(4000)로부터 초임계 유체를 배기한다. 배기 부재(4700)는 초임계 유체를 배기하는 배기 라인(4750)에 연결될 수 있다. 이때, 배기 부재(4700)에는 배기 라인(4750)으로 배기하는 초임계 유체의 유량을 조절하는 밸브(미도시)가 설치될 수 있다. 배기 라인(4750)을 통해 배기되는 초임계 유체는 대기 중으로 방출되거나 또는 초임계 유체 재생 시스템(미도시)로 공급될 수 있다. 배기 부재(4700)는 하체(4120)에 결합될 수 있다.The exhaust member 4700 exhausts the supercritical fluid from the second process chamber 4000. The exhaust member 4700 may be connected to an exhaust line 4750 that exhausts the supercritical fluid. At this time, the exhaust member 4700 may be provided with a valve (not shown) for regulating the flow rate of the supercritical fluid to be exhausted to the exhaust line 4750. The supercritical fluid exhausted through the exhaust line 4750 may be released to the atmosphere or may be supplied to a supercritical fluid regeneration system (not shown). The exhaust member 4700 may be coupled to the lower body 4120. [

초임계 건조공정의 후기에는 제2공정 챔버(4000)로부터 초임계 유체가 배기되어 그 내부압력이 임계압력 이하로 감압되어 초임계 유체가 액화될 수 있다. 액화된 초임계 유체는 중력에 의해 하체(4120)에 형성된 배기 부재(4700)를 통해 배출될 수 있다.In the latter stage of the supercritical drying process, the supercritical fluid is discharged from the second process chamber 4000, and the pressure inside the second process chamber 4000 is reduced to a critical pressure or less, so that the supercritical fluid can be liquefied. The liquefied supercritical fluid can be discharged through the exhaust member 4700 formed in the lower body 4120 by gravity.

도 4는 공급 라인의 일부 구간을 나타내는 도면이다.4 is a view showing a partial section of the supply line.

도 4를 참조하면 공급 라인(4550)에는 히터(4554), 제1 온도 센서(4555) 및 제2 온도 센서(4556)가 위치된다. 히터(4554), 제1 온도 센서(4555) 및 제2 온도 센서(4556)가 위치 되는 공급 라인(4550)은 메인 라인(4550a), 상부 라인(4550b) 또는 하부 라인(4550c)일 수 있다. 또한, 히터(4554), 제1 온도 센서(4555) 및 제2 온도 센서(4556)는 메인 라인(4550a), 상부 라인(4550b), 하부 라인(4550c) 중 2군데 이상의 구간에 각각 위치 될 수 있다.Referring to FIG. 4, a heater 4554, a first temperature sensor 4555, and a second temperature sensor 4556 are disposed in the supply line 4550. The supply line 4550 in which the heater 4554, the first temperature sensor 4555 and the second temperature sensor 4556 are located may be a main line 4550a, an upper line 4550b or a lower line 4550c. The heater 4554, the first temperature sensor 4555 and the second temperature sensor 4556 may be disposed in two or more sections of the main line 4550a, the upper line 4550b, and the lower line 4550c, respectively have.

히터(4554)는 공급 라인(4550)에 위치되어, 공급 라인(4550)에 수용된 초임계 유체를 가열한다. 따라서, 초임계 유체는 초임계 유체 저장부(4560)에서 배출된 후, 공급 라인(4550)에 위치된 상태에서도 설정 온도 또는 설정 범위의 온도로 가열 될 수 있다.Heater 4554 is located in supply line 4550 to heat supercritical fluid contained in supply line 4550. Thus, the supercritical fluid can be heated to a set temperature or set temperature range, even after being discharged from the supercritical fluid reservoir 4560, and placed in the supply line 4550.

제1 온도 센서(4555)는 공급 라인(4550)에서 히터(4554)가 위치되는 구간에 위치된다. 제1 온도 센서(4555)는 히터(4554)가 위치된 구간에 위치되어, 히터(4554)에 의해 가열된 초임계 유체의 온도 또는 초임계 유체를 가열하는 히터(4554)의 온도를 감지할 수 있다.The first temperature sensor 4555 is located in the section where the heater 4554 is located in the supply line 4550. The first temperature sensor 4555 is located in a section where the heater 4554 is located to detect the temperature of the supercritical fluid heated by the heater 4554 or the temperature of the heater 4554 which heats the supercritical fluid have.

제2 온도 센서(4556)는 히터(4554)가 위치된 구간에서 설정 거리 이격 되도록 공급 배관에 위치된다. 제2 온도 센서(4556)는 제1 온도 센서(4555)보다 챔버(4100)에 인접하게 위치된다. 따라서, 공정 진행을 위해 공급 배관을 통해 챔버로 초임계 유체가 공급되면, 제2 온도 센서(4556)가 위치된 구간에는 히터(4554)를 경유한 초임계 유체가 유동하게 된다.The second temperature sensor 4556 is positioned in the supply pipe so that the heater 4554 is spaced from the set distance in the section in which the heater 4554 is located. The second temperature sensor 4556 is positioned closer to the chamber 4100 than the first temperature sensor 4555. Therefore, when the supercritical fluid is supplied to the chamber through the supply pipe for the progress of the process, supercritical fluid via the heater 4554 flows in the section where the second temperature sensor 4556 is located.

도 5는 히터가 제어되는 상태를 나타내는 도면이다.5 is a view showing a state in which the heater is controlled.

도 5를 참조하면, 제어기(5000)는 기판 처리 장치(100)를 제어한다. 제어기(5000)는 제1 온도 센서(4555) 또는 제2 온도 센서(4556)가 제공하는 온도를 통해 히터(4554)를 제어한다. Referring to FIG. 5, the controller 5000 controls the substrate processing apparatus 100. The controller 5000 controls the heater 4554 through the temperature provided by the first temperature sensor 4555 or the second temperature sensor 4556. [

제어기(5000)는 공급 라인(4550)의 초임계 유체가 유동하지 않는 상태일 때, 히터(4554)가 설정 온도 또는 설정 범위의 온도로 초임계 유체를 가열 하도록 히터(4554)를 제어할 수 있다. 제2 공정 챔버(4000)에서 기판의 처리가 완료되어 기판이 반출되거나 새로운 기판이 반입 될 때, 또는 챔버(4100)로 설정량의 초임계 유체가 공급되어 초임계 유체의 공급이 중단된 상태로 기판의 처리가 수행될 때 공급 라인(4550)의 유체는 유동하지 않는 상태일 수 있다. 초임계 유체는 특정 값의 열 전도도를 가진다. 따라서 히터(4554)가 초임계 유체를 가열하면, 제한된 범위의 열량이 히터(4554)로 직접 가열되는 구간에서 주위로 퍼져 나간다. 히터(4554)가 가열하는 온도 또는 가열된 초임계 유체의 온도가 설정 값 또는 설정 범위를 초과하면, 공급 라인(4550)의 손상을 야기할 수 있다. 또한, 히터(4554)가 가열하는 온도 또는 가열된 초임계 유체의 온도가 설정 값 또는 설정 범위보다 낮아지면, 챔버(4100)로 유체가 공급될 때 초임계 상태로 공급하는데 문제가 발생할 수 있다. 따라서, 제어기(5000)는 제1 온도 센서(4555)가 감지한 온도 값을 통해 히터(4554)의 상태를 제어할 수 있다.The controller 5000 can control the heater 4554 to heat the supercritical fluid to a set temperature or set temperature range when the supercritical fluid in the supply line 4550 is in a non-flowing state . When the processing of the substrate in the second process chamber 4000 is completed and the substrate is taken out or a new substrate is brought into the chamber 4100 or a set amount of supercritical fluid is supplied to the chamber 4100, The fluid in the supply line 4550 may not flow when the processing of the substrate is performed. Supercritical fluids have a certain value of thermal conductivity. Thus, when the heater 4554 heats the supercritical fluid, a limited range of heat spreads around in a section heated directly to the heater 4554. If the temperature at which the heater 4554 heats or the temperature of the heated supercritical fluid exceeds a set value or set range, it may cause damage to the supply line 4550. Further, if the temperature at which the heater 4554 is heated or the temperature of the heated supercritical fluid is lower than the set value or the set range, there may occur a problem in supplying the supercritical state when the fluid is supplied to the chamber 4100. [ Accordingly, the controller 5000 can control the state of the heater 4554 based on the temperature value sensed by the first temperature sensor 4555.

제어기(5000)는 공급 라인(4550)의 초임계 유체가 유동하는 상태일 때, 히터(4554)가 설정 온도 또는 설정 범위의 온도로 초임계 유체를 가열 하도록 히터(4554)를 제어할 수 있다. 기판 처리를 위해 제2 공정 챔버(4000)로 초임계 유체가 공급될 때, 제어기(5000)는 초임계 유체의 공급 상태를 고려하여 히터(4554)를 제어할 수 있다. 초임계 유체가 유동하는 상태일 때, 히터(4554)에 의해 가열된 초임계 유체는 즉시 챔버(4100)로 유동하고, 히터(4554)가 위치된 구간에는 새로운 유체가 유입된다. 따라서, 히터(4554)에 의한 열량은 유동이 없는 상태에 비해 많은 양의 초임계 유체에 전달 된다. 또한, 히터(4554)에 의해 가열된 초임계 유체는 챔버(4100)로 유동함에 따라 히터(4554)가 위치된 구간에서는 히터(4554)에 의한 영향의 감지가 어렵다. 이에 따라, 제어기(5000)는 히터(4554)와 설정 거리 이격된 구간에 위치된 제2 온도 센서(4556)가 제공하는 온도 값을 통해 히터(4554)를 제어한다. 또한, 제어기(5000)는 제1 온도 센서(4555)가 제공하는 온도 값을 추가로 고려하여 히터(4554)를 제어하여, 히터(4554)가 위치된 구간의 온도가 설정값을 초과하게 되어 공급 라인(4550) 등이 파손되는 것을 방지할 수 있다.The controller 5000 may control the heater 4554 to heat the supercritical fluid to a set temperature or set temperature range when the supercritical fluid of the supply line 4550 is in flow. When the supercritical fluid is supplied to the second process chamber 4000 for substrate processing, the controller 5000 can control the heater 4554 in consideration of the supply state of the supercritical fluid. When the supercritical fluid is in a flowing state, the supercritical fluid heated by the heater 4554 immediately flows into the chamber 4100, and a new fluid flows into the section where the heater 4554 is located. Therefore, the amount of heat generated by the heater 4554 is transferred to the supercritical fluid in a larger amount than in the state where no flow occurs. In addition, as the supercritical fluid heated by the heater 4554 flows into the chamber 4100, it is difficult to detect the influence of the heater 4554 in the section where the heater 4554 is located. Accordingly, the controller 5000 controls the heater 4554 through the temperature value provided by the second temperature sensor 4556, which is located at a predetermined distance from the heater 4554. The controller 5000 also controls the heater 4554 in consideration of the temperature value provided by the first temperature sensor 4555 so that the temperature of the section in which the heater 4554 is located exceeds the set value, The line 4550 and the like can be prevented from being broken.

본 발명의 실시 예에 의하면, 공급 라인(4550)의 유동 상태를 고려하여 히터(4554)를 제어하여, 공급 라인(4550) 내의 유체의 상태를 효과적으로 관리할 수 있다.According to the embodiment of the present invention, the state of the fluid in the supply line 4550 can be effectively managed by controlling the heater 4554 in consideration of the flow state of the supply line 4550.

이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 전술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내어 설명하는 것이며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 저술한 실시예는 본 발명의 기술적 사상을 구현하기 위한 최선의 상태를 설명하는 것이며, 본 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.The foregoing detailed description is illustrative of the present invention. In addition, the foregoing is intended to illustrate and explain the preferred embodiments of the present invention, and the present invention may be used in various other combinations, modifications, and environments. That is, it is possible to make changes or modifications within the scope of the concept of the invention disclosed in this specification, within the scope of the disclosure, and / or within the skill and knowledge of the art. The embodiments described herein are intended to illustrate the best mode for implementing the technical idea of the present invention and various modifications required for specific applications and uses of the present invention are also possible. Accordingly, the detailed description of the invention is not intended to limit the invention to the disclosed embodiments. It is also to be understood that the appended claims are intended to cover such other embodiments.

100: 기판 처리 장치 1000: 인덱스 모듈
2000: 공정 모듈 3000: 제1공정 챔버
4000: 제2공정 챔버 4100: 챔버
4200: 승강 유닛 4300: 지지 유닛
4400: 가열 부재 4500: 유체 공급 유닛
4600: 차단 부재 4700: 배기 부재100: substrate processing apparatus 1000: index module
2000: Process module 3000: First process chamber
4000: second process chamber 4100: chamber
4200: lift unit 4300: support unit
4400: heating member 4500: fluid supply unit
4600: blocking member 4700: exhaust member

Claims (8)

기판이 초임계 유체에 의해 처리 공간을 제공하는 챔버;
상기 챔버로 상기 기판 처리를 위한 유체를 공급하는 공급 라인;
상기 공급 라인에 위치되는 히터;
상기 공급 라인에 위치되는 제1 온도 센서;
상기 제1 온도 센서와 상이한 구간에 위치되도록 상기 공급 라인에 위치되는 제2 온도 센서;
상기 제1 온도 센서와 상기 제2 온도 센서가 제공하는 정보를 통해 상기 히터를 제어하는 제어기; 및
상기 챔버 내부에 위치되어 상기 기판을 지지하는 지지 유닛을 포함하는 기판 처리 장치.A chamber in which the substrate provides treatment space by supercritical fluid;
A supply line for supplying a fluid for the substrate processing into the chamber;
A heater positioned in said supply line;
A first temperature sensor located in said supply line;
A second temperature sensor located in the supply line such that the second temperature sensor is located in a section different from the first temperature sensor;
A controller for controlling the heater through information provided by the first temperature sensor and the second temperature sensor; And
And a support unit located inside the chamber and supporting the substrate. 제1 항에 있어서,
상기 제1 온도 센서는 상기 히터가 위치되는 구간에 제공되는 기판 처리 장치.The method according to claim 1,
Wherein the first temperature sensor is provided in a section where the heater is located. 제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 제어기는 상기 공급 라인에서 상기 유체의 흐름이 없을 때 상기 제1 온도 센서가 제공하는 정보를 통해 상기 히터를 제어하는 기판 처리 장치.3. The method according to claim 1 or 2,
Wherein the controller controls the heater through information provided by the first temperature sensor when there is no flow of the fluid in the supply line. 제1항에 있어서,
상기 제2 온도 센서는 상기 제1 온도 센서에 비해 상기 챔버에 인접하게 위치되는 기판 처리 장치.The method according to claim 1,
Wherein the second temperature sensor is positioned adjacent to the chamber relative to the first temperature sensor. 제4항에 있어서,
상기 제어기는 상기 공급 라인에서 상기 유체의 흐름이 있을 때 상기 제2 온도 센서가 제공하는 정보를 통해 상기 히터를 제어하는 기판 처리 장치.5. The method of claim 4,
Wherein the controller controls the heater through information provided by the second temperature sensor when the flow of the fluid is in the supply line. 공급 배관을 통해 챔버로 유체를 공급하여, 상기 챔버 내의 처리 공간에서 초임계 상태의 유체를 통해 기판을 처리하는 기판 처리 방법에 있어서,
상기 공급 라인에는 상기 유체 가열을 위한 히터, 유체의 온도 감지를 위한 제1 온도 센서, 상기 유체의 온도를 감지하고 상기 제1 온도 센서보다 상기 챔버에 인접하게 위치되는 제2 온도 센서를 위치 시키고, 상기 공급 라인에서 상기 유체의 유동이 없을 때 상기 제1 온도 센서가 제공하는 정보를 통해 상기 히터를 제어하는 기판 처리 방법.A substrate processing method for supplying a fluid to a chamber through a supply pipe and processing the substrate through a supercritical fluid in a processing space in the chamber,
Wherein the supply line is equipped with a heater for heating the fluid, a first temperature sensor for sensing the temperature of the fluid, a second temperature sensor for sensing the temperature of the fluid and located closer to the chamber than the first temperature sensor, Wherein the heater is controlled through information provided by the first temperature sensor when there is no flow of the fluid in the supply line. 제6항에 있어서,
상기 제1 온도 센서는 상기 히터가 위치되는 구간에 제공되는 기판 처리 방법.The method according to claim 6,
Wherein the first temperature sensor is provided in a region where the heater is located. 공급 배관을 통해 챔버로 유체를 공급하여, 상기 챔버 내의 처리 공간에서 초임계 상태의 유체를 통해 기판을 처리하는 기판 처리 방법에 있어서,
상기 공급 라인에는 상기 유체 가열을 위한 히터, 유체의 온도 감지를 위한 제1 온도 센서, 상기 유체의 온도를 감지하고 상기 제1 온도 센서보다 상기 챔버에 인접하게 위치되는 제2 온도 센서를 위치 시키고, 상기 공급 라인에서 상기 유체의 유동이 있을 때 상기 제2 온도 센서가 제공하는 정보를 통해 상기 히터를 제어하는 기판 처리 방법.A substrate processing method for supplying a fluid to a chamber through a supply pipe and processing the substrate through a supercritical fluid in a processing space in the chamber,
Wherein the supply line is equipped with a heater for heating the fluid, a first temperature sensor for sensing the temperature of the fluid, a second temperature sensor for sensing the temperature of the fluid and located closer to the chamber than the first temperature sensor, And said heater is controlled through information provided by said second temperature sensor when said fluid flows in said supply line.
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