KR20180078408A - Graphene Oxide And Method for Manufacturing Of The Same, Display Device Comprising The Same - Google Patents

Graphene Oxide And Method for Manufacturing Of The Same, Display Device Comprising The Same Download PDF

Info

Publication number
KR20180078408A
KR20180078408A KR1020160182528A KR20160182528A KR20180078408A KR 20180078408 A KR20180078408 A KR 20180078408A KR 1020160182528 A KR1020160182528 A KR 1020160182528A KR 20160182528 A KR20160182528 A KR 20160182528A KR 20180078408 A KR20180078408 A KR 20180078408A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
graphene oxide
graphite
electrode
oxidized
present
Prior art date
Application number
KR1020160182528A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR102648974B1 (en
Inventor
장용균
박종래
박지수
김창은
백정은
김성진
Original Assignee
엘지디스플레이 주식회사
서울대학교산학협력단
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 엘지디스플레이 주식회사, 서울대학교산학협력단 filed Critical 엘지디스플레이 주식회사
Priority to KR1020160182528A priority Critical patent/KR102648974B1/en
Publication of KR20180078408A publication Critical patent/KR20180078408A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR102648974B1 publication Critical patent/KR102648974B1/en

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B32/00—Carbon; Compounds thereof
    • C01B32/20—Graphite
    • C01B32/21—After-treatment
    • C01B32/23—Oxidation
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1343—Electrodes
    • G02F1/134309—Electrodes characterised by their geometrical arrangement
    • G02F1/134363—Electrodes characterised by their geometrical arrangement for applying an electric field parallel to the substrate, i.e. in-plane switching [IPS]
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/1368—Active matrix addressed cells in which the switching element is a three-electrode device
    • H01L27/3248—
    • H01L27/3262—
    • H01L51/5206—
    • H01L51/524—
    • H01L51/5253—
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H10K50/81—Anodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/841—Self-supporting sealing arrangements
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/844—Encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
    • H10K59/1213—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements the pixel elements being TFTs
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/123—Connection of the pixel electrodes to the thin film transistors [TFT]

Abstract

Provided is graphene oxide exhibiting excellent transmittance rate and electrical properties by producing graphene oxide whose edge is oxidized. According to an embodiment of the present invention, the graphene oxide is delaminated layer by layer, includes oxygen atoms as the edge is oxidized, and has a sheet-like shape.

Description

그래핀 옥사이드 및 그 제조방법, 이를 포함하는 표시장치{Graphene Oxide And Method for Manufacturing Of The Same, Display Device Comprising The Same}TECHNICAL FIELD The present invention relates to graphene oxide and a display device including the graphene oxide.

본 발명은 그래핀 옥사이드 및 그 제조방법, 이를 포함하는 표시장치에 관한 것이다.TECHNICAL FIELD The present invention relates to graphene oxide, a production method thereof, and a display device including the same.

그래핀은 탄소의 동소체 중 하나로서, 탄소 원자들이 각각 sp2 결합으로 연결된 단일 원자층 두께의 2차원 구조이며, 벤젠 형태의 탄소 고리가 연결되어 벌집 구조의 결정을 이룬다.Graphene is one of the carbon isotopes, a two-dimensional structure of a single atomic layer thickness in which carbon atoms are connected by sp2 bonds, and benzene-type carbon rings are connected to form a honeycomb structure.

그래핀을 제조하는 방법으로는 기계적 박리법, 화학기상증착법(CVD), 유기 용매법, 그라파이트(graphite)의 산화-환원법 등의 총 4가지 방법이 알려져 있으며, 이 중에서 그라파이트의 산화-환원법이 대량 생산이 용이하다는 측면에서 가장 선호되고 있다.There are four known methods for producing graphene: mechanical peeling, chemical vapor deposition (CVD), organic solvent method, and oxidation-reduction method of graphite. Among them, the oxidation- It is most preferred because it is easy to produce.

그라파이트의 산화-환원법은 산소를 기반으로 하는 관능기를 유도하여 층간에 파이 전자 밀도를 줄임으로써 반데르발스 인력을 낮추어 층간의 박리를 용이하게 하는 것으로서, 그라파이트를 산화시키는 방법에는 현재까지 허머스(Hummers) 방법, 스타우덴마이어(Staudenmaier) 방법, 브로디(Brodie) 방법 등이 주로 알려져 있다.The oxidation-reduction method of graphite induces oxygen-based functional groups to reduce the pi electron density between the layers, thereby lowering the van der Waals attractive force, thereby facilitating the delamination between the layers. As a method for oxidizing the graphite, Hummers ) Method, the Staudenmaier method, the Brodie method, and the like are mainly known.

그러나 전술한 산화 공정은 강산과 강산화제를 조합하여 극한 조건으로 산화시키기 때문에 환원 후에도 본래의 그래핀 구조로 복원되지 않을 뿐 아니라 환원 과정을 거친 후에는 산소가 잔존하기 때문에, 그래핀의 대량 생산에는 용이하지만 고품질의 그래핀을 제조할 수 없다는 단점이 있다. 또한, 일반적으로 그래파이트 층간의 산화에서, 최초로 하이드록시기 및 에폭시기가 만들어지고 산화반응이 지속적으로 진행될수록 에터(ether) 등을 거쳐 최종적으로 카르복실기가 만들어지게 되는데, 이 과정에서 그래핀을 이루는 탄소-탄소 결합이 끊어져 결함(defect)이 발생하고 이는 환원 후에도 완벽하게 복원되지 않아 그래핀 본연의 전기적 특성이 저하되는 문제가 있다.However, since the oxidation process described above is oxidized under extreme conditions by combining a strong acid with a strong oxidizing agent, it is not restored to the original graphene structure even after reduction, and oxygen remains after the reduction process. But it can not produce high quality graphene. Generally, in the oxidation between the graphite layers, a carboxyl group is finally formed through an ether or the like as a hydroxyl group and an epoxy group are first formed and the oxidation reaction is continuously progressed. In this process, a carbon- Carbon bonds are broken to cause defects, which are not completely restored even after reduction, and the electrical characteristics of the graphene itself deteriorate.

본 발명은 가장자리가 산화된 그래핀 옥사이드를 제조하여 투과율 및 전기적 특성이 우수한 그래핀 옥사이드를 제공한다. The present invention provides graphene oxide having excellent transmittance and electrical characteristics by preparing graphene oxide having oxidized edges.

상기한 목적을 달성하기 위해, 본 발명의 일 실시예에 따른 그래핀 옥사이드는 가장자리가 산화되어 산소 원자를 가지고 층간 박리된 것이다. 그래핀 옥사이드는 시트(sheet) 형상이다.In order to accomplish the above object, the graphene oxide according to an embodiment of the present invention is one in which the edges are oxidized and delaminated with oxygen atoms. Graphene oxide is sheet-like.

본 발명의 일 실시예에 따른 그래핀 옥사이드의 제조방법은 진한 황산이 담긴 용기에 그래파이트를 분산시키고 물을 투입하는 제1 단계, 용기에 과망간산칼륨을 투입하여 그래파이트를 산화시키는 제2 단계, 용기에 과산화수소를 투입하여 산화를 종료시키고 워싱하여 가장자리가 산화된 그래파이트를 수득하는 제3 단계, 및 수득한 그래파이트를 층간 박리하여, 가장자리가 산화된 그래핀 옥사이드를 수득하는 제4 단계를 포함한다.According to an embodiment of the present invention, there is provided a method for producing graphene oxide, comprising the steps of: dispersing graphite in a container containing concentrated sulfuric acid and introducing water into the container; injecting potassium permanganate into the container to oxidize graphite; A third step of adding hydrogen peroxide to terminate the oxidation and washing to obtain graphitized graphite which is oxidized at the edges, and a fourth step of obtaining intergranular graphene oxide oxidized at the edges.

그래파이트와 물의 함량비는 1:13 내지 1:20이 되도록 상기 물을 투입한다.The water is added so that the content ratio of graphite and water is 1:13 to 1:20.

물을 투입하여 진한 황산은 묽은 황산으로 변하고, 묽은 황산의 농도는 50% 내지 60%이다.When water is added, the concentrated sulfuric acid is changed to dilute sulfuric acid, and the concentration of dilute sulfuric acid is 50% to 60%.

또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치는 기판, 박막트랜지스터 및 화소 전극을 포함한다. 박막트랜지스터는 기판 상에 배치되며, 액티브층, 게이트 전극, 소스 전극 및 드레인 전극을 포함한다. 화소 전극은 박막트랜지스터에 연결되며, 가장자리가 산화되어 산소 원자를 가지고 층간 박리된 그래핀 옥사이드를 포함한다.Also, a display device according to an embodiment of the present invention includes a substrate, a thin film transistor, and a pixel electrode. The thin film transistor is disposed on the substrate and includes an active layer, a gate electrode, a source electrode, and a drain electrode. The pixel electrode is connected to the thin film transistor, and includes graphene oxide whose edges are oxidized and delaminated with oxygen atoms.

그래핀 옥사이드는 시트 형상이다.Graphen oxide is sheet-like.

화소 전극 상에 위치하는 발광층, 발광층 상에 위치하는 대향 전극, 대향 전극 상에 위치하는 봉지층, 및 봉지층 상에 위치하는 커버윈도우를 더 포함한다.A light emitting layer located on the pixel electrode, a counter electrode located on the light emitting layer, a sealing layer located on the counter electrode, and a cover window located on the sealing layer.

화소 전극과 동일 평면 상 또는 하부에서 이격되어 위치하는 공통 전극, 및 공통 전극 상에 위치하는 액정층을 더 포함한다.A common electrode spaced from the pixel electrode in the same plane or lower region, and a liquid crystal layer disposed on the common electrode.

본 발명의 실시예에 따른 그래핀 옥사이드 및 그 제조방법은 진한 황산에 물을 첨가하여 진한 황산 조건을 미리 깨어줌으로써, 그래파이트의 산화 반응을 느려지게 한다. 따라서, 가장자리가 산화된 그래핀 옥사이드를 얻을 수 있다.According to an embodiment of the present invention, graphene oxide and a method for producing the same are capable of slowing the oxidation reaction of graphite by adding water to concentrated sulfuric acid to wake up the concentrated sulfuric acid condition in advance. Thus, graphene oxide having an oxidized edge can be obtained.

또한, 본 발명의 가장자리가 산화된 그래핀 옥사이드는 박막으로서 투과율과 전기 전도도가 매우 우수한 이점이 있다. In addition, graphene oxide oxidized at the edges of the present invention is advantageous in that its transmittance and electric conductivity are extremely excellent as a thin film.

도 1은 본 발명의 그래핀 옥사이드를 모식화한 도면.
도 2는 본 발명의 그래핀 옥사이드의 제조방법을 공정별로 나타낸 도면.
도 3은 본 발명의 제조 공정별 그래파이트의 구조를 나타낸 도면.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 액정표시장치를 나타낸 단면도.
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기발광표시장치를 나타낸 단면도.
도 6은 비교예 1에 따라 제조된 그래파이트의 라만 결과를 나타낸 그래프.
도 7은 비교예 2에 따라 제조된 그래핀 옥사이드의 라만 결과를 나타낸 도면.
도 8은 실시예에 따라 제조된 그래핀 옥사이드의 라만 결과를 나타낸 도면.
도 9는 비교예 1, 2 및 실시예에 따라 제조된 그래파이트 및 그래핀 옥사이드들의 XPS 결과를 나타낸 그래프.
도 10은 비교예 1, 2 및 실시예에 따라 제조된 그래파이트 및 그래핀 옥사이드들의 FTIR 결과를 나타낸 그래프.
도 11은 비교예 1, 2 및 실시예에 따라 제조된 그래파이트 및 그래핀 옥사이드들의 TGA 결과를 나타낸 그래프.
도 12는 비교예 2에 따라 제조된 그래핀 옥사이드의 TEM 측정 결과를 나타낸 도면.
도 13은 실시예에 따라 제조된 그래핀 옥사이드의 TEM 측정 결과를 나타낸 도면.
도 14는 비교예 2 및 실시예에 따라 제조된 그래핀 옥사이드 박막들의 투과율에 따른 면저항을 측정하여 나타낸 그래프.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS FIG. 1 is a schematic view of graphene oxide of the present invention. FIG.
Fig. 2 is a view showing a process for producing graphene oxide of the present invention by process. Fig.
3 is a view showing the structure of graphite according to the manufacturing process of the present invention.
4 is a cross-sectional view illustrating a liquid crystal display device according to an embodiment of the present invention.
5 is a cross-sectional view illustrating an organic light emitting display according to another embodiment of the present invention.
6 is a graph showing Raman results of graphite produced according to Comparative Example 1. Fig.
7 is a graph showing Raman results of graphene oxide prepared according to Comparative Example 2. Fig.
8 shows Raman results of graphene oxide prepared according to the example.
9 is a graph showing XPS results of graphite and graphene oxides prepared according to Comparative Examples 1 and 2 and Example.
10 is a graph showing the FTIR results of graphite and graphene oxides prepared according to Comparative Examples 1 and 2 and Example.
11 is a graph showing TGA results of graphite and graphene oxides prepared according to Comparative Examples 1 and 2 and Example.
12 is a diagram showing a TEM measurement result of graphene oxide produced according to Comparative Example 2. Fig.
13 is a TEM measurement result of graphene oxide produced according to an embodiment.
FIG. 14 is a graph showing the sheet resistance of the graphene oxide thin films prepared according to Comparative Example 2 and Examples according to the transmittance. FIG.

이하, 본 발명의 일부 실시예들을 예시적인 도면을 통해 상세하게 설명한다. 각 도면의 구성요소들에 참조부호를 부가함에 있어서, 동일한 구성요소들에 대해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 부호를 가지도록 하고 있음에 유의해야 한다. 또한, 본 발명의 실시예들을 설명함에 있어, 관련된 공지 구성 또는 기능에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략한다.Hereinafter, some embodiments of the present invention will be described in detail with reference to exemplary drawings. It should be noted that, in adding reference numerals to the constituent elements of the drawings, the same constituent elements are denoted by the same reference symbols as possible even if they are shown in different drawings. In the following description of the embodiments of the present invention, a detailed description of known functions and configurations incorporated herein will be omitted when it may make the subject matter of the present invention rather unclear.

또한, 발명의 구성 요소를 설명하는 데 있어서, 제 1, 제 2, A, B, (a), (b) 등의 용어를 사용할 수 있다. 이러한 용어는 그 구성 요소를 다른 구성요소와 구별하기 위한 것일 뿐, 그 용어에 의해 해당 구성 요소의 본질이나 차례 또는 순서 등이 한정되지 않는다. 어떤 구성 요소가 다른 구성요소에 "연결", "결합" 또는 "접속"된다고 기재된 경우, 그 구성 요소는 그 다른 구성요소에 직접적으로 연결되거나 또는 접속될 수 있지만, 각 구성 요소 사이에 또 다른 구성 요소가 "연결", "결합" 또는 "접속"될 수도 있다고 이해되어야 할 것이다. 같은 맥락에서, 어떤 구성 요소가 다른 구성 요소의 "상"에 또는 "아래"에 형성된다고 기재된 경우, 그 구성 요소는 그 다른 구성요소에 직접 또는 또 다른 구성 요소를 개재하여 간접적으로 형성되는 것을 모두 포함하는 것으로 이해되어야 할 것이다.In describing the components of the invention, terms such as first, second, A, B, (a), (b), etc. may be used. These terms are intended to distinguish the constituent elements from other constituent elements, and the terms do not limit the nature, order or order of the constituent elements. When a component is described as being "connected", "coupled", or "connected" to another component, the component may be directly connected to or connected to the other component, It should be understood that an element may be "connected," "coupled," or "connected." In the same context, when an element is described as being formed on an "upper" or "lower" side of another element, the element may be formed either directly or indirectly through another element As will be understood by those skilled in the art.

하기에서 개시하는 본 발명에 따른 표시장치는 유기발광표시장치, 액정표시장치, 전기영동표시장치 등일 수 있다. 본 발명에서는 액정표시장치를 예로 설명한다. 액정표시장치는 박막트랜지스터 상에 화소 전극과 공통 전극이 형성된 박막트랜지스터 어레이 기판과 컬러필터 기판, 이 두 기판 사이에 개재된 액정층으로 이루어지는데, 이러한 액정표시장치에서는 공통 전극과 화소 전극에서 수직 또는 수평으로 걸리는 전기장에 의해 액정을 구동한다. 또한, 본 발명에 따른 표시장치는 유기발광표시장치에도 사용 가능하다. 예를 들어, 유기발광표시장치는 박막트랜지스터에 연결된 제1 전극과, 제2 전극, 및 이들 사이에 유기물로 이루어진 발광층을 포함한다. 따라서, 제1 전극으로부터 공급받는 정공과 제2 전극으로부터 공급받는 전자가 발광층 내에서 결합하여 정공-전자쌍인 여기자(exciton)를 형성하고, 여기자가 바닥상태로 돌아오면서 발생하는 에너지에 의해 발광한다. 후술하는 본 발명의 그래핀 옥사이드는 전술한 표시장치의 화소 전극에 사용할 수 있다. The display device according to the present invention described below may be an organic light emitting display device, a liquid crystal display device, an electrophoretic display device, or the like. In the present invention, a liquid crystal display device will be described as an example. The liquid crystal display device includes a thin film transistor array substrate on which a pixel electrode and a common electrode are formed on a thin film transistor, a color filter substrate, and a liquid crystal layer interposed between the two substrates. In such a liquid crystal display device, The liquid crystal is driven by an electric field which is horizontally applied. The display device according to the present invention can also be used in an organic light emitting display. For example, an organic light emitting display includes a first electrode connected to a thin film transistor, a second electrode, and a light emitting layer made of organic material therebetween. Therefore, the holes supplied from the first electrode and the electrons supplied from the second electrode are combined in the light emitting layer to form an exciton as a hole-electron pair, and the excitons emit light by energy generated as they return to the ground state. The graphene oxide of the present invention to be described later can be used for the pixel electrode of the above-described display device.

이하, 첨부한 도면을 참조하여, 본 발명의 실시예들을 설명하기로 한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.

본 발명은 부분 산화된 그래핀 옥사이드 및 그 제조방법을 개시하고, 이를 이용한 전극을 포함하는 박막트랜지스터 어레이 기판 및 표시장치를 개시한다. 도 1은 본 발명의 그래핀 옥사이드를 모식화한 도면이다.The present invention discloses partially oxidized graphene oxide and a method of manufacturing the same, and discloses a thin film transistor array substrate and a display device including the electrode using the oxide. 1 is a schematic view of graphene oxide of the present invention.

부분 산화된 Partially oxidized 그래핀Grapina 옥사이드Oxide

본 발명의 그래핀 옥사이드는 가장자리에 산소 원자를 가지고 층간 박리된 그래핀 옥사이드이다. 이 그래핀 옥사이드는 층간 박리되어 시트(sheet) 형상을 이룬다. The graphene oxide of the present invention is graphene oxide delaminated with an oxygen atom at the edge. The graphene oxide is delaminated to form a sheet shape.

도 1을 참조하면, 본 발명의 그래핀 옥사이드는 탄소가 허니콤 구조로 결합되어 각각 하나의 시트 형상의 그래핀 옥사이드를 이룬다. 각 그래핀 옥사이드들은 가장자리에 빨간색으로 나타나는 산소 원자가 결합되어 가장자리가 부분적으로 산화된다. 즉, 그래핀 옥사이드의 면상에는 산화되지 않아 산소 원자가 존재하지 않고, 그래핀 옥사이드의 가장자리는 산화되어 산소 원자가 결합된다. 즉, 본 발명의 그래핀 옥사이드는 가장자리가 산화된 그래핀 옥사이드일 수 있다. Referring to FIG. 1, the graphene oxide of the present invention is combined with carbon in a honeycomb structure to form graphen oxide in the form of one sheet. Each graphene oxide is bounded by an oxygen atom that appears red at the edges, and the edges are partially oxidized. That is, the surface of graphene oxide is not oxidized and oxygen atoms are not present, and the edges of graphene oxide are oxidized to bond oxygen atoms. That is, the graphene oxide of the present invention may be graphen oxide oxide having an edge oxidized.

본 발명의 가장자리가 산화된 그래핀 옥사이드는 환원 후에도 그래핀 본연의 전기적 특성을 나타내 커패시터 전극, 트랜지스터 전극, 표시장치의 전극 등 전기 소자의 전극으로서 활용할 수 있을 뿐만 아니라, 투명성을 나타내 투명 전극 분야에의 활용도 가능하다. 또한, 본 발명의 가장자리가 산화된 그래핀 옥사이드는 박막트랜지스터의 액티브층에 포함되어 이동도를 향상시키는 역할로 활용도 가능하다. The edge-oxidized graphene oxide of the present invention exhibits intrinsic electrical properties of graphene even after reduction and can be utilized not only as an electrode of an electric device such as a capacitor electrode, a transistor electrode, or an electrode of a display device. . In addition, graphene oxide oxidized at the edges of the present invention may be included in the active layer of the thin film transistor to improve mobility.

가장자리가 산화된 Edge is oxidized 그래핀Grapina 옥사이드의Oxide 제조방법 Manufacturing method

본 발명의 가장자리가 산화된 그래핀 옥사이드는 일반적으로 알려진 산화 후 환원방법과는 다르게, 부분 산화하는 공정을 통해 가장자리에만 부분적으로 산화될 수 있다. The edge-oxidized graphene oxide of the present invention can be partially oxidized only at the edges through a partial oxidation process, unlike the generally known post oxidation oxidation process.

도 2는 본 발명의 그래핀 옥사이드의 제조방법을 공정별로 나타낸 도면이고, 도 3은 본 발명의 제조 공정별 그래파이트의 구조를 나타낸 도면이다.FIG. 2 is a view showing a process for producing graphene oxide according to the present invention, and FIG. 3 is a diagram showing the structure of graphite according to the manufacturing process of the present invention.

본 발명의 부분 산화된 그래핀 옥사이드는 다음과 같이 4단계의 제조방법을 통해 제조될 수 있다. 진한 황산이 담긴 용기에 그래파이트를 분산시키고 물을 투입하는 제1 단계, 용기에 산화제를 투입하여 그래파이트를 산화시키는 제2 단계, 용기에 과산화수소를 투입하여 산화를 종료시키고 워싱하여 가장자리가 부분적으로 산화된 그래핀 옥사이드를 수득하는 제3 단계, 및 수득한 그래핀 옥사이드를 층간 박리하는 제4 단계를 포함하여 제조될 수 있다. The partially oxidized graphene oxide of the present invention can be prepared by the following four-step preparation method. A first step of dispersing graphite in a container containing concentrated sulfuric acid and introducing water, a second step of oxidizing graphite by injecting an oxidizing agent into the vessel, a step of adding hydrogen peroxide to the vessel to terminate the oxidation, A third step of obtaining graphen oxide, and a fourth step of delaminating the resulting graphene oxide.

본 발명의 부분 산화된 그래핀 옥사이드를 제조하는 방법을 도 2 및 도 3을 참조하여 설명하면 다음과 같다.A method of producing the partially oxidized graphene oxide of the present invention will be described with reference to FIGS. 2 and 3. FIG.

<S1> 진한 황산에 그래파이트와 물을 순차적으로 첨가.<S1> Graphite and water are added sequentially to concentrated sulfuric acid.

<S2> 그래파이트에 산화제를 첨가.<S2> An oxidizing agent is added to graphite.

<S3> 그래파이트에 과산화수소를 첨가 후 워싱하여 가장자리가 산화된 그래핀 옥사이드 수득.&Lt; S3 > After adding hydrogen peroxide to graphite, it was washed to obtain graft oxide oxidized at the edge.

<S4> 그래핀 옥사이드를 층간 박리.<S4> Delamination of graphene oxide.

이하, 본 발명의 그래핀 옥사이드의 제조방법을 보다 구체적으로 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, the method for producing graphene oxide of the present invention will be described in more detail.

제1 단계Step 1 <S1>  <S1>

출발 원료로 사용되는 그래파이트는 천연 그래파이트(natural graphite), 키쉬 그래파이트(kish graphite), 인조 그래파이트(synthetic graphite), 팽창 그래파이트(expandable graphite 또는 expanded graphite), 또는 이들의 혼합물을 사용할 수 있다.The graphite used as the starting material may be natural graphite, kish graphite, synthetic graphite, expandable graphite or expanded graphite, or a mixture thereof.

후속하는 그래파이트와 산화제의 반응은 산 존재하에서 수행되는 것이 바람직하므로, 그래파이트 함유 용액은 황산, 질산, 인산 또는 카르복실산 등을 사용할 수 있다. Since the subsequent reaction of the graphite and the oxidizing agent is preferably carried out in the presence of an acid, the graphite-containing solution may be sulfuric acid, nitric acid, phosphoric acid, or carboxylic acid.

본 발명에서는 그래파이트 함유 용액에 물을 첨가한다. 종래의 허머스 방법에서 95% 내지 98% 농도의 진한 황산을 사용하는 것과 달리, 물을 첨가함으로써 진한 황산 조건을 깨뜨려 묽은 황산 조건으로 바꾼다. 예를 들어, 묽은 황산의 농도는 50% 내지 60% 농도일 수 있다. In the present invention, water is added to the graphite-containing solution. In contrast to the use of concentrated sulfuric acid at a concentration of 95% to 98% in the conventional Hummus method, the concentrated sulfuric acid condition is changed to dilute sulfuric acid condition by adding water. For example, the concentration of dilute sulfuric acid may be 50% to 60% concentration.

본 단계에서 물은 그래파이트 함량에 따라 그 함량이 달라지는데, 그래파이트와 물의 함량비는 1:13 내지 1:20으로 투입할 수 있다. 이때 함량은 볼륨%이다. 여기서, 그래파이트와 물의 함량비가 1:13 이상이면 진한 황산을 묽은 황산 조건으로 바꿔 산화 반응을 느려지게 하여 그래파이트의 가장자리를 산화시킬 수 있고, 후술하는 칠산화망간이 일부 잔존할 수 있어 그래파이트의 면상에 산화가 진행될 수 있는 것을 방지할 수 있다. 그래파이트와 물의 함량비가 1:20 이하이면 그래파이트의 분산이 급격히 저하되어 산화 반응이 효율적으로 일어나지 않는 것을 방지할 수 있다.In this step, the content of water varies depending on the graphite content, and the content ratio of graphite and water may be 1:13 to 1:20. Here, the content is volume%. Here, when the content ratio of graphite and water is 1:13 or more, concentrated sulfuric acid is changed to a diluted sulfuric acid condition to slow the oxidation reaction, thereby oxidizing the edges of the graphite, and there may be a part of manganese oxide manganese described below remaining on the surface of the graphite It is possible to prevent oxidation from proceeding. When the content ratio of graphite and water is 1:20 or less, the dispersion of graphite is sharply lowered, and the oxidation reaction can be prevented from being not efficiently performed.

물은 그래파이트 함유 용액의 온도를 70도 이하로 유지하면서 투입한다.Water is added while maintaining the temperature of the graphite-containing solution at 70 degrees or less.

제2 단계<S2>The second step < S2 &

본 단계는 앞서 준비된 용액에 산화제를 첨가하여 산화시키는 단계이다. This step is a step of adding an oxidizing agent to the previously prepared solution to oxidize it.

본 발명에 사용되는 산화제는 예를 들어 과망간산, 염소산, 또는 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 성분을 포함할 수 있다. 예를 들어, 산화제는 과망간산칼륨, 과망간산칼슘, 과망간산암모늄, 과망간산나트륨, 염소산칼륨, 염소산나트륨, 염소산암모늄 또는 이들의 혼합물을 들 수 있다. The oxidizing agent used in the present invention may include, for example, a component selected from the group consisting of permanganic acid, chloric acid, or a combination thereof. For example, oxidizing agents include potassium permanganate, calcium permanganate, ammonium permanganate, sodium permanganate, potassium chlorate, sodium chlorate, ammonium chlorate, or mixtures thereof.

묽은 황산 조건에서 과망간산칼륨이 첨가되면, 칠산화망간을 만들어 내고 칠산화망간이 물과 반응하여 과망간산이온(MnO4-)으로 돌아가는 역반응이 일어난다. 과망간산이온은 칠산화망간보다는 강력하지 않아 그래파이트의 기저면(basal plane) 부분은 공격하지 못하므로 상대적으로 반응성이 높은 그래파이트의 가장자리 부분부터 산화를 시작한다.When potassium permanganate is added under dilute sulfuric acid conditions, manganese oxide is formed and manganese oxide reacts with water to produce a reverse reaction that returns to the permanganate ion (MnO 4 -). The permanganate ions are not stronger than manganese oxide and do not attack the basal plane portion of the graphite, so they start to oxidize from the edge of the relatively reactive graphite.

반응 시간은 최대 24시간 동안 천천히 반응시키고, 반응조의 온도는 70도에서 수행된다.The reaction time is slowly reacted for up to 24 hours, and the temperature of the reaction tank is carried out at 70 ° C.

제3 단계<S3>The third step < S3 &

본 단계에서는 반응 종료제를 첨가하여 산화 반응을 종료시키는 단계이다. 반응 종료제는 과산화수소(H2O2)를 사용할 수 있다. 과망간산이온은 과산화수소를 만나게 되면 망간이온으로 변화하여 산화력을 상실하게 된다. 즉, 과산화수소가 산화를 종료시키는 역할을 한다. In this step, a reaction terminating agent is added to terminate the oxidation reaction. The reaction terminator may be hydrogen peroxide (H 2 O 2 ). When permanganate ion meets hydrogen peroxide, it changes into manganese ion and loses oxidizing power. That is, hydrogen peroxide serves to terminate oxidation.

과산화수소의 함량은 그래파이트 함량에 일정 비율로 첨가된다. 그래파이트와 과산화수소의 함량비는 1:5 이상을 첨가하여, 산화 반응을 완전히 종료시킬 수 있다.The content of hydrogen peroxide is added in a certain proportion to the graphite content. The content of graphite and hydrogen peroxide is 1: 5 or more, so that the oxidation reaction can be completely terminated.

이후 잡 이온 제거 및 중성화를 위해 원심분리를 이용해 염산으로 3회 세척하고 증류수로 5회 세척한다. 따라서, 가장자리가 산화된 그래파이트를 수득한다. Afterwards, it is washed three times with hydrochloric acid and five times with distilled water by centrifugation for ion removal and neutralization. Thus, graphite having oxidized edges is obtained.

제4 단계<S4>Fourth Step < S4 >

이전의 단계를 통해 수득된 가장자리가 산화된 그래파이트는 층간 박리를 수행하여 각각의 분리되어 가장자리가 산화된 그래핀 옥사이드를 수득한다. 층간 박리는 호모게나이저, 쿠에트테일러 반응기, 고압 균질기, 초음파 분쇄기 또는 이들의 조합으로 수행될 수 있다. The edge-oxidized graphite obtained through the previous step performs delamination to obtain each separate, edge-oxidized graphene oxide. Delamination may be performed with a homogenizer, a quartetailer reactor, a high pressure homogenizer, an ultrasonic mill, or a combination thereof.

이상의 박리 단계 이후에, 그래핀 옥사이드의 세척 및 분리 단계를 추가로 수행할 수 있다. 세척 및 분리는 필터프레스, 원심분리기, 데칸트 또는 이들의 조합으로 수행될 수 있다. After the above stripping step, a further step of washing and separating graphene oxide can be carried out. Washing and separation may be performed with a filter press, a centrifuge, a decanter or a combination thereof.

본 발명의 제조방법에 따르면, 진한 황산에 물을 첨가하여 진한 황산 조건을 미리 깨어줌으로써, 그래파이트의 산화 반응을 느려지게 한다. 따라서, 가장자리가 산화된 그래핀 옥사이드를 얻을 수 있다.According to the production method of the present invention, water is added to concentrated sulfuric acid to worsen the concentrated sulfuric acid condition, thereby slowing the oxidation reaction of graphite. Thus, graphene oxide having an oxidized edge can be obtained.

전술한 본 발명의 가장자리가 산화된 그래핀 옥사이드는 박막트랜지스터 어레이 기판의 화소 전극 및 이를 포함하는 표시장치에 사용할 수 있다. 하기에서는 박막트랜지스터 어레이 기판의 화소 전극 및 이를 포함하는 표시장치를 예로 설명하지만 전술한 바와 같이, 전기 소자의 다양한 도전 재료로 사용 가능하다.The above-mentioned edge-oxidized graphene oxide of the present invention can be used for a pixel electrode of a thin film transistor array substrate and a display device including the same. In the following, the pixel electrodes of the thin film transistor array substrate and the display device including the pixel electrodes are described as an example, but as described above, they can be used as various conductive materials for electric devices.

박막트랜지스터Thin film transistor 어레이 기판 및 표시장치 Array substrate and display device

도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 액정표시장치를 나타낸 단면도이고, 도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기발광표시장치를 나타낸 단면도이다.FIG. 4 is a cross-sectional view illustrating a liquid crystal display device according to an exemplary embodiment of the present invention, and FIG. 5 is a cross-sectional view illustrating an OLED display device according to another exemplary embodiment of the present invention.

본 발명에서 개시하는 박막트랜지스터 어레이 기판은 액티브층 하부에 게이트 전극이 위치하는 바텀 게이트형(bottom-gate type) 박막트랜지스터를 예로 설명한다. 그러나, 본 발명은 이에 한정되지 않으며 게이트 전극이 액티브층 상부에 위치하는 탑 게이트형(top-gate type) 박막트랜지스터 등 공지된 박막트랜지스터의 구조를 모두 적용할 수 있다.The thin film transistor array substrate disclosed in the present invention will be described by taking as an example a bottom-gate type thin film transistor in which a gate electrode is located under an active layer. However, the present invention is not limited thereto, and all structures of known thin film transistors such as a top-gate type thin film transistor in which a gate electrode is located on an active layer can be applied.

도 4를 참조하면, 기판(110) 상에 게이트 전극(120)이 위치한다. 기판(110)은 투명하거나 불투명한 유리, 플라스틱 또는 금속으로 이루어진다. 게이트 전극(120)은 구리(Cu), 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 금(Au), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd), 탄탈륨(Ta) 및 텅스텐(W)로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 또는 이들의 합금의 단층이나 다층으로 이루어진다. 게이트 전극(120) 상에 게이트 전극(120)을 절연시키는 게이트 절연막(130)이 위치한다. 게이트 절연막(130)은 실리콘 산화막(SiOx), 실리콘 질화막(SiNx) 또는 이들의 다층으로 이루어진다. Referring to FIG. 4, a gate electrode 120 is positioned on a substrate 110. The substrate 110 is made of transparent or opaque glass, plastic or metal. The gate electrode 120 may be formed of a metal such as copper (Cu), molybdenum (Mo), aluminum (Al), chromium (Cr), gold (Au), titanium (Ti), nickel (Ni), neodymium (Nd), tantalum And tungsten (W), or an alloy thereof. A gate insulating film 130 for insulating the gate electrode 120 is disposed on the gate electrode 120. The gate insulating film 130 is formed of a silicon oxide film (SiOx), a silicon nitride film (SiNx), or a multilayer thereof.

게이트 절연막(130) 상에 액티브층(140)이 위치한다. 액티브층(140)은 비정질 실리콘, 다결정 실리콘, 산화물 반도체, 탄소 동소체 또는 이들의 혼합을 포함하여 구성된다. 액티브층(140) 상에 액티브층(140)의 일측에 컨택하는 소스 전극(150a)과, 액티브층(140)의 타측에 컨택하는 드레인 전극(150b)이 위치한다. 소스 전극(150a) 및 드레인 전극(150b)은 단일층 또는 다층으로 이루어질 수 있으며, 단일층일 경우에는 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 금(Au), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd) 및 구리(Cu)로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 또는 이들의 합금으로 이루어질 수 있다. 또한, 소스 전극(150a) 및 드레인 전극(150b)이 다층일 경우에는 몰리브덴/알루미늄-네오디뮴, 몰리브덴/알루미늄 또는 티타늄/알루미늄의 2중층이거나 몰리브덴/알루미늄-네오디뮴/몰리브덴, 몰리브덴/알루미늄/몰리브덴 또는 티타늄/알루미늄/티타늄의 3중층으로 이루어질 수 있다.An active layer 140 is located on the gate insulating film 130. The active layer 140 comprises amorphous silicon, polycrystalline silicon, an oxide semiconductor, a carbon isotope, or a mixture thereof. A source electrode 150a which contacts one side of the active layer 140 and a drain electrode 150b which contacts the other side of the active layer 140 are located on the active layer 140. [ The source electrode 150a and the drain electrode 150b may be formed of a single layer or a multilayer. In the case of a single layer, Mo, Al, Cr, Au, Ti, (Ni), neodymium (Nd), and copper (Cu), or an alloy thereof. Aluminum or neodymium, molybdenum / aluminum or titanium / aluminum or molybdenum / aluminum / neodymium / molybdenum, molybdenum / aluminum / molybdenum or titanium / Aluminum / titanium. &Lt; / RTI &gt;

소스 전극(150a)과 드레인 전극(150b) 상에 유기절연막(160)이 위치한다. 유기절연막(160)은 하부의 단차를 평탄화하는 것으로, 포토아크릴(photo acryl), 폴리이미드(polyimide), 벤조사이클로부틴계 수지(benzocyclobutene resin), 아크릴레이트계 수지(acrylate) 등의 유기물로 이루어질 수 있다. 유기절연막(160)은 드레인 전극(150b)을 노출하는 비어홀(165)을 포함한다. 도시하지 않았지만, 소스 전극(150a)과 드레인 전극(150b) 상에 실리콘 산화물(SiOx), 실리콘 질화물(SiNx) 또는 이들의 다층으로 이루어지는 패시베이션막이 위치할 수도 있다. The organic insulating film 160 is located on the source electrode 150a and the drain electrode 150b. The organic insulating layer 160 may be formed of an organic material such as photo acryl, polyimide, benzocyclobutene resin, acrylate resin, or the like, have. The organic insulating layer 160 includes a via hole 165 exposing the drain electrode 150b. Although not shown, a passivation film made of silicon oxide (SiOx), silicon nitride (SiNx), or a multilayer thereof may be disposed on the source electrode 150a and the drain electrode 150b.

유기절연막(160) 상에 화소 전극(170)과 공통 전극(180)이 위치한다. 화소 전극(170)은 유기절연막(160)에 형성된 비어홀(165)을 통해 드레인 전극(150b)과 연결된다. 화소 전극(170) 및 공통 전극(180)은 본 발명의 그래핀 옥사이드로 이루어질 수 있다. 본 발명의 그래핀 옥사이드는 전기 전도도가 우수하고 투명성을 나타내므로 화소 전극으로 사용 가능하다. 화소 전극(170)과 공통 전극(180)은 서로 교번하여 배치되어, 화소 전극(170)과 공통 전극(180) 사이에 수평 전계를 형성한다.The pixel electrode 170 and the common electrode 180 are located on the organic insulating layer 160. The pixel electrode 170 is connected to the drain electrode 150b through a via hole 165 formed in the organic insulating layer 160. [ The pixel electrode 170 and the common electrode 180 may be formed of the graphene oxide of the present invention. The graphene oxide of the present invention is excellent in electric conductivity and exhibits transparency and thus can be used as a pixel electrode. The pixel electrode 170 and the common electrode 180 are alternately arranged to form a horizontal electric field between the pixel electrode 170 and the common electrode 180.

기판(110)과 대향하는 상부기판(190)이 위치하고, 기판(110)과 상부기판(190) 사이에 액정층(LC)이 위치한다. 본 발명의 실시예에서는 화소 전극(170)과 공통 전극(180)이 동일 평면 상에 위치하는 IPS(in-plane switching) 액정표시장치를 예로 설명하였다. 그러나 본 발명은 이에 한정되지 않으며, 화소 전극(170) 하부에 공통 전극(180)이 위치할 수도 있고, 공통 전극(180)이 상부기판(190)에 위치할 수도 있다.An upper substrate 190 facing the substrate 110 is positioned and a liquid crystal layer LC is positioned between the substrate 110 and the upper substrate 190. In the embodiment of the present invention, an in-plane switching (IPS) liquid crystal display device in which the pixel electrode 170 and the common electrode 180 are located on the same plane has been described as an example. However, the present invention is not limited to this, and the common electrode 180 may be positioned below the pixel electrode 170, and the common electrode 180 may be located on the upper substrate 190.

한편, 도 5를 참조하면, 본 발명의 표시장치는 유기발광 다이오드를 포함하는 유기발광표시장치일 수 있다. 보다 자세하게, 소스 전극(150a)과 드레인 전극(150b) 상에 유기절연막(160)이 위치한다. 유기절연막(160)은 드레인 전극(150b)을 노출하는 비어홀(165)을 포함한다. Meanwhile, referring to FIG. 5, the display device of the present invention may be an organic light emitting display device including an organic light emitting diode. More specifically, the organic insulating film 160 is located on the source electrode 150a and the drain electrode 150b. The organic insulating layer 160 includes a via hole 165 exposing the drain electrode 150b.

유기절연막(160) 상에 화소 전극(170)이 위치한다. 화소 전극(170)은 유기절연막(160)에 형성된 비어홀(165)을 통해 드레인 전극(150b)과 연결된다. 화소 전극(170)은 본 발명의 그래핀 옥사이드로 이루어질 수 있다. 본 발명의 그래핀 옥사이드는 전기 전도도가 우수하고 투명성을 나타내므로 화소 전극으로 사용 가능하다. A pixel electrode 170 is disposed on the organic insulating layer 160. The pixel electrode 170 is connected to the drain electrode 150b through a via hole 165 formed in the organic insulating layer 160. [ The pixel electrode 170 may be formed of the graphene oxide of the present invention. The graphene oxide of the present invention is excellent in electric conductivity and exhibits transparency and thus can be used as a pixel electrode.

화소 전극(170) 상에 뱅크층(175)이 위치한다. 뱅크층(175)은 화소 전극(170)의 일부를 노출하여 화소를 정의하는 화소정의막일 수 있다. 뱅크층(175) 및 노출된 화소 전극(170) 상에 유기막층(190)이 위치한다. 유기막층(190)은 전자와 정공이 결합하여 발광하는 발광층을 포함하고, 정공주입층, 정공수송층, 전자수송층 또는 전자주입층을 포함할 수 있다. 유기막층(190)이 형성된 기판(110) 상에 대향 전극(200)이 위치한다. 대향 전극(200)은 캐소드 전극으로 일함수가 낮은 마그네슘(Mg), 칼슘(Ca), 알루미늄(Al), 은(Ag) 또는 이들의 합금으로 이루어질 수 있다. 따라서, 화소 전극(170), 유기막층(190) 및 대향 전극(200)을 포함하는 유기발광 다이오드(OLED)가 구성된다.A bank layer 175 is located on the pixel electrode 170. The bank layer 175 may be a pixel defining film that defines a pixel by exposing a part of the pixel electrode 170. [ An organic layer 190 is located on the bank layer 175 and the exposed pixel electrode 170. The organic layer 190 may include a hole injecting layer, a hole transporting layer, an electron transporting layer, or an electron injecting layer. The counter electrode 200 is positioned on the substrate 110 on which the organic layer 190 is formed. The counter electrode 200 may be made of magnesium (Mg), calcium (Ca), aluminum (Al), silver (Ag), or an alloy thereof having a low work function as a cathode electrode. Accordingly, an organic light emitting diode (OLED) including the pixel electrode 170, the organic layer 190, and the counter electrode 200 is formed.

유기발광 다이오드(OLED)가 형성된 기판(110) 상에 봉지층(210)이 위치한다. 봉지층(210)은 하부의 유기발광 다이오드(OLED)를 포함하는 기판(110)을 봉지하는 것으로 무기막, 유기막 또는 이들의 다층 구조로 이루어질 수 있다. 봉지층(210) 상에 커버윈도우(220)가 위치하여 유기발광표시장치를 구성한다. An encapsulation layer 210 is positioned on a substrate 110 on which an organic light emitting diode (OLED) is formed. The sealing layer 210 encapsulates the substrate 110 including the lower organic light emitting diode OLED, and may be an inorganic film, an organic film, or a multilayer structure thereof. A cover window 220 is placed on the sealing layer 210 to constitute an OLED display.

이하, 본 발명의 실시예에 따른 그래핀 옥사이드에 대한 실험예를 개시한다. 하기 실험예는 본 발명의 일 실시예일 뿐 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.Hereinafter, an experimental example of graphene oxide according to an embodiment of the present invention will be described. The following experimental examples are only examples of the present invention, but the present invention is not limited thereto.

실험 1 : 가장자리가 산화된 Experiment 1: Edge is oxidized 그래핀Grapina 옥사이드Oxide 증명 proof

비교예Comparative Example 1 One

출발 원료의 그래파이트를 준비하였다.Graphite of the starting material was prepared.

비교예Comparative Example 2 2

허머스 방법(Hummers method)을 이용하여 전체 산화된 그래핀 옥사이드를 제조하였다.The total oxidized graphene oxide was prepared using the Hummers method.

실시예Example

저온반응조를 이용해 온도를 0℃로 낮춘 진한 황산 148ml에 흑연 3g을 300rpm으로 섞어주고 뷰렛을 이용해 천천히 70℃를 넘지 않도록 증류수 50ml를 투입한다. 이후 250ml 증류수에 혼합되어있던 과망간산 18g을 천천히 투입해준 뒤 반응조의 온도를 70℃로 높여주고 최대 24시간 동안 반응을 진행시킨다. 이후 30% 과산화수소 10ml를 투입하여 반응을 종료하고 원심분리를 이용해 1M 염산으로 15분씩 3회, 증류수로 30분씩 5회 4000rpm으로 원심분리하여 가장자리가 산화 그래파이트(EOG)를 얻는다. 수득한 가장자리가 산화 그래파이트는 0.1M 수산화나트륨에 12시간 이상 혼합해준 뒤 수조형 초음파발생기를 이용해 6시간 동안 초음파를 주사하여 박리를 진행한다. 박리된 가장자리가 산화 그래핀(LPEOG) 분산액은 4000rpm에서 1시간 동안 3회 반복하여 상등액을 걷어내는 과정을 통해 수득한다. 수득한 가장자리가 산화 그래핀 분산액은 증류수에 10회 이상 투석하여 pH를 중성에 가깝게 만들어주어 수산화나트륨을 제거해 줌으로써 가장자리가 산화 그래핀 옥사이드를 제조하였다. 3 g of graphite is mixed at 300 rpm in 148 ml of concentrated sulfuric acid, which has been cooled to 0 ° C by using a low-temperature reaction tank, and 50 ml of distilled water is slowly added thereto using a burette so as not to exceed 70 ° C. After 18 g of permanganic acid mixed in 250 ml of distilled water is slowly added, the temperature of the reaction tank is raised to 70 ° C. and the reaction is allowed to proceed for a maximum of 24 hours. Then, 10 ml of 30% hydrogen peroxide is added to complete the reaction. The reaction is terminated by centrifugation three times for 15 minutes each with 1M hydrochloric acid and 4,000 rpm for 30 minutes each with distilled water to obtain edge oxide graphite (EOG). The obtained graphite oxide was mixed with 0.1 M sodium hydroxide for 12 hours or more, and then the ultrasonic wave was injected for 6 hours using a water-type ultrasonic generator to carry out the peeling. The peeled edge graphene oxide (LPEOG) dispersion is obtained by repeating 3 times for 1 hour at 4000 rpm to remove the supernatant. The obtained graft oxide graphene dispersion was dialyzed into distilled water 10 times or more to make the pH near to neutrality to remove sodium hydroxide to produce graft oxide grains.

전술한 비교예 1, 2 및 실시예에 따라 제조된 그래파이트 및 그래핀 옥사이드들을 라만(Raman), XPS(X-ray photoelectron spectroscopy), FTIR(Fourier transform infrared spectroscopy) 및 TGA(Thermogravimetric analysis) 분석하였다. 도 6은 비교예 1에 따라 제조된 그래파이트의 라만 결과이고, 도 7은 비교예 2에 따라 제조된 그래핀 옥사이드의 라만 결과이고, 도 8은 실시예에 따라 제조된 그래핀 옥사이드의 라만 결과이며, 도 9는 비교예 1, 2 및 실시예에 따라 제조된 그래파이트 및 그래핀 옥사이드들의 XPS 결과이며, 도 10은 비교예 1, 2 및 실시예에 따라 제조된 그래파이트 및 그래핀 옥사이드들의 FTIR 결과이고, 도 11은 비교예 1, 2 및 실시예에 따라 제조된 그래파이트 및 그래핀 옥사이드들의 TGA 결과이다. (도 9 내지 도 11에서, 실시예 #1, #2, #3은 실시예에 따라 각각 제조된 그래핀 옥사이드를 의미한다.) 도 12는 비교예 2에 따라 제조된 그래핀 옥사이드의 TEM 측정 결과이고, 도 13은 실시예에 따라 제조된 그래핀 옥사이드의 TEM 측정 결과이다.Raman, X-ray photoelectron spectroscopy (XPS), Fourier transform infrared spectroscopy (FTIR) and thermogravimetric analysis (TGA) analyzes of graphite and graphene oxide prepared according to Comparative Examples 1 and 2 and Examples described above were performed. FIG. 6 is a Raman result of graphite prepared according to Comparative Example 1, FIG. 7 is a Raman result of graphene oxide prepared according to Comparative Example 2, and FIG. 8 is a Raman result of graphene oxide prepared according to Example , Figure 9 is the XPS results of graphite and graphene oxides prepared according to Comparative Examples 1 and 2 and Example and Figure 10 is the FTIR result of graphite and graphene oxides prepared according to Comparative Examples 1 and 2 and Example , And Figure 11 is the TGA results of graphite and graphene oxides prepared according to Comparative Examples 1, 2 and Example. (In Examples 9 to 11, Examples # 1, # 2 and # 3 mean graphene oxide prepared respectively according to the embodiment.) Figure 12 shows TEM measurements of graphene oxide prepared according to Comparative Example 2 Fig. 13 shows TEM results of graphene oxide prepared according to the example.

먼저, 도 6을 참조하면 비교예 1의 그래파이트는 기저면(basal plane)과 가장자리(edge) 모두 결정화도가 0.1 미만으로 산화되지 않았음을 확인하였다. 도 7을 참조하면, 비교예 2의 전체 산화된 그래핀 옥사이드는 기저면과 가장자리 모두 결정화도가 1 이상으로 모두 산화된 것을 확인하였다. 도 8을 참조하면, 실시예의 가장자리가 산화된 그래핀 옥사이드는 기저면의 결정화도가 0.33이고 가장자리의 결정화도가 1.08로 나타났다. 즉, 가장자리가 산화되었고 기저면은 비교예 2에 비해 산화가 진행되지 않음을 확인할 수 있었다.First, referring to FIG. 6, it was confirmed that the graphite of Comparative Example 1 was not oxidized to have a degree of crystallinity of less than 0.1 in both the basal plane and the edge. Referring to FIG. 7, it was confirmed that the entire oxidized graphene oxide of Comparative Example 2 was oxidized to have at least one degree of crystallinity both at the base and at the edge. Referring to FIG. 8, graphene oxide in which the edges of the examples were oxidized had a degree of crystallinity of 0.33 and an edge crystallinity of 1.08. That is, it was confirmed that the edge was oxidized and the basal surface was not oxidized as compared with Comparative Example 2.

도 9의 (a)를 참조하면, 비교예 1은 C-C 및 C=C 탄소 결합 비율이 91%로 매우 높게 나타나 산화되지 않았음을 확인하였다. 비교예 2는 C-C 및 C=C 탄소 결합 비율이 51.6%이고 C-0H, C-O-C, C=O, C-OOH의 산소 결합 비율이 나머지 48,4%로 나타나 절반 정도 산화되었음을 확인하였다. 실시예#1 내지 #3은 C-C 및 C=C 탄소 결합 비율이 각각 72.1%, 69.5%, 66.8%이고 C-0H, C-O-C, C=O, C-OOH의 산소 결합 비율이 각각 27.9%, 30.5%, 33.2%로 나타나 일부가 산화되었음을 확인하였다. 도 9의 (b)를 참조하면, 비교예 1은 탄소 원자의 개수를 산소 원자의 개수로 나눈 값이 약 8로 산소 원자의 개수가 그만큼 적어 산화되지 않았음을 확인하였다. 비교예 2는 탄소 원자의 개수를 산소 원자의 개수로 나눈 값이 약 2로 산소 원자의 개수가 그만큼 많이 산화되었음을 확인하였다. 실시예는 탄소 원자의 개수를 산소 원자의 개수로 나눈 값이 약 3으로 산소 원자의 개수가 일부 존재하여 일부가 산화되었음을 확인하였다.Referring to FIG. 9 (a), in Comparative Example 1, the C-C and C═C carbon bond ratios were as high as 91%, indicating that they were not oxidized. In Comparative Example 2, it was confirmed that the C-C and C═C carbon bond ratio was 51.6% and the oxygen bond ratio of C-OH, C-O-C, C═O, and C-OOH was 48.4%. In Examples # 1 to # 3, the CC and C = C carbon bond ratios were 72.1%, 69.5% and 66.8%, respectively, and the oxygen bond ratios of C-OH, COC, C═O and C- %, And 33.2%, respectively. Referring to FIG. 9 (b), in Comparative Example 1, it was confirmed that the value obtained by dividing the number of carbon atoms by the number of oxygen atoms was about 8 and the number of oxygen atoms was so small that it was not oxidized. In Comparative Example 2, the value obtained by dividing the number of carbon atoms by the number of oxygen atoms was about 2, confirming that the number of oxygen atoms was more oxidized. In the example, the number of carbon atoms divided by the number of oxygen atoms was about 3, and the number of oxygen atoms was partially present, confirming that some of them were oxidized.

도 10을 참조하면, 비교예 1은 C=O, C-O, C-O-C, C-OH 결합에 해당되는 파장에서 피크가 나타나지 않아 산화되지 않았음을 확인하였다. 비교예 2는 O-H, C=O, C-O, C-O-C, C-OH 결합에 해당되는 파장에서 피크가 크게 나타나 많이 산화되었음을 확인하였다. 실시예는 O-H, C=O, C-O, C-O-C, C-OH 결합에 해당되는 파장에서 피크가 작게 나타나 일부 산화되었음을 확인하였다.Referring to FIG. 10, in Comparative Example 1, no peak was observed at a wavelength corresponding to C = O, C-O, C-O-C and C-OH bonds. In Comparative Example 2, peaks were observed at a wavelength corresponding to O-H, C = O, C-O, C-O-C and C-OH bonds. In the examples, the peaks at the wavelength corresponding to O-H, C = O, C-O, C-O-C and C-OH bonds were small.

도 11을 참조하면, 비교예 1은 약 300℃의 온도에서 중량비가 약 100%로 나타나 산소 등의 결함이 없어 고열에 분해되지 않았고 이를 통해 산화되지 않았음을 확인하였다. 비교예 2는 약 300℃의 온도에서 중량비가 약 60%로 나타나 산소 등의 결함이 많아 고열에 분해되었고 이를 통해 많이 산화되었음을 확인하였다. 실시예는 약 300℃의 온도에서 중량비가 약 90%로 나타나 산소 등의 결함이 소량 존재하여 고열에 일부가 분해되었고 이를 통해 일부 산화되었음을 확인하였다. Referring to FIG. 11, in Comparative Example 1, the weight ratio was about 100% at a temperature of about 300 ° C., and it was confirmed that the product was not decomposed into high temperature due to no defects such as oxygen and was not oxidized. In Comparative Example 2, the weight ratio was about 60% at a temperature of about 300 ° C. In the example, the weight ratio was about 90% at a temperature of about 300 ° C, and a small amount of defects such as oxygen were partially decomposed by the high temperature, and it was confirmed that some of them were oxidized.

한편, 도 12를 참조하면, 비교예 2는 TEM 이미지에서 하얀 점이 나타나지 않아 결정구조의 파괴가 많이 이루어졌고, 이를 통해 많이 산화되었음을 확인하였다. 도 13을 참조하면 실시예는 TEM 이미지에서 결정 구조에서만 나타나는 하얀 점이 많이 나타났고, 이를 통해 많이 산화되지 않았음을 확인하였다. On the other hand, referring to FIG. 12, in Comparative Example 2, since no white spots appeared in the TEM image, the crystal structure was greatly broken, and it was confirmed that the oxide was oxidized to a large extent. Referring to FIG. 13, in the TEM image, a lot of white dots appeared only in the crystal structure, and it was confirmed that the sample was not oxidized much.

전술한 실험 1의 결과를 통해, 본 발명의 실시예에 따라 제조된 그래핀 옥사이드는 가장자리에서 일부 산화되었음을 확인할 수 있다.From the results of Experiment 1 described above, it can be confirmed that the graphene oxide prepared according to the embodiment of the present invention is partially oxidized at the edge.

실험 2 : Experiment 2: 그래핀Grapina 옥사이드Oxide 박막의 특성 측정 Characterization of thin films

전술한 비교예 2 및 실시예에 따라 제조된 그래핀 옥사이드들을 환원시킨 후, 각각 벌크(bulk)한 박막을 제조하였다. 이렇게 제조된 그래핀 옥사이드들의 투과율에 따른 면저항을 측정하여 도 14에 나타내었다.After the graphene oxides prepared according to Comparative Example 2 and Examples described above were reduced, bulk thin films were prepared, respectively. The sheet resistance according to the transmittance of the graphene oxides thus prepared was measured and shown in Fig.

도 14를 참조하면, 비교예 2에 따라 제조된 그래핀 옥사이드 박막은 투과율이 높아질수록 면저항이 현저히 상승하여 약 90%의 투과율에서 약 100kΩ/sq의 면저항을 나타내었다. 반면, 실시예에 따라 제조된 그래핀 옥사이드 박막은 투과율이 높아져도 면저항의 상승이 크지 않았으며, 약 90%의 투과율에서 약 10kΩ/sq의 면저항을 나타내었다. Referring to FIG. 14, the sheet resistance of the graphene oxide thin film prepared according to Comparative Example 2 increased significantly as the transmittance was increased, and showed a sheet resistance of about 100 k? / Sq at a transmittance of about 90%. On the other hand, the graphene oxide thin film produced according to the embodiment exhibited no increase in sheet resistance even when the transmittance was high, and showed a sheet resistance of about 10 k? / Sq at a transmittance of about 90%.

실험 2의 결과를 통해, 본 발명의 실시예에 따라 제조된 그래핀 옥사이드 박막은 투과율과 전기 전도도가 매우 우수한 것을 확인할 수 있었다.From the results of Experiment 2, it was confirmed that the graphene oxide thin film prepared according to the embodiment of the present invention has excellent transmittance and electrical conductivity.

참고로, 비교예 2 및 실시예에 따라 제조된 그래핀 옥사이드들을 약 500℃에서 환원시켜 박막을 제조한 경우, 실시예의 그래핀 옥사이드 박막은 비교예 2에 비해 약 56%(3,470S/m에서 5,440S/m로 증가) 향상된 전기 전도도 특성을 나타내었다. 비교예 2 및 실시예에 따라 제조된 그래핀 옥사이드들을 약 1100℃에서 환원시켜 박막을 제조한 경우, 실시예의 그래핀 옥사이드 박막은 비교예 2에 비해 약 70%(68,800S/m에서 120,000S/m로 증가) 향상된 전기 전도도 특성을 나타내었다. 또한, 비교예 2 및 실시예에 따라 제조된 그래핀 옥사이드들을 약 1100℃에서 환원시켜 투명 전극 박막을 제조한 경우, 실시예의 그래핀 옥사이드 박막은 약 80%의 투과율에서 비교예 2에 비해 41% 향상된 전기 전도도 특성을 나타내었다.For reference, when the thin film was prepared by reducing the graphene oxide prepared according to Comparative Example 2 and the Example at about 500 ° C, the graphene oxide thin film of the Example was about 56% (3,470 S / m 5,440 S / m increased). When the graphene oxide prepared according to Comparative Example 2 and Example was reduced at about 1100 ° C to produce a thin film, the graphene oxide thin film of the Example was about 70% (68,800 S / m to 120,000 S / m, respectively). In addition, when the transparent electrode thin film was prepared by reducing the graphene oxide prepared in Comparative Example 2 and Example at about 1100 ° C, the graphene oxide thin film of the Example had a transmittance of about 80% and a transmittance of 41% And exhibited improved electrical conductivity characteristics.

또한, 본 발명의 실시예에 따른 가장자리가 산화된 그래핀 옥사이드는 15.0mg/ml에 달하는 고농도로 압축이 가능하며 이를 이용해 붓을 이용한 패터닝이 가능하다.In addition, the edge-oxidized graphene oxide according to an embodiment of the present invention can be compressed at a high concentration of 15.0 mg / ml, and patterning using a brush can be performed by using it.

전술한 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 그래핀 옥사이드 및 그 제조방법은 진한 황산에 물을 첨가하여 진한 황산 조건을 미리 깨어줌으로써, 그래파이트의 산화 반응을 느려지게 한다. 따라서, 가장자리가 산화된 그래핀 옥사이드를 얻을 수 있다.As described above, graphene oxide and its preparation method according to the embodiment of the present invention slows the oxidation reaction of graphite by adding water to concentrated sulfuric acid to wake up the concentrated sulfuric acid condition in advance. Thus, graphene oxide having an oxidized edge can be obtained.

또한, 본 발명의 가장자리가 산화된 그래핀 옥사이드는 박막으로서 투과율과 전기 전도도가 매우 우수한 이점이 있다.In addition, graphene oxide oxidized at the edges of the present invention is advantageous in that its transmittance and electric conductivity are extremely excellent as a thin film.

이상 설명한 내용을 통해 당업자라면 본 발명의 기술사상을 일탈하지 아니하는 범위에서 다양한 변경과 수정이 가능함을 알 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허 청구의 범위에 의해 정하여져야만 할 것이다.It will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations can be made in the present invention without departing from the spirit or scope of the invention. Therefore, the technical scope of the present invention should not be limited to the contents described in the detailed description of the specification, but should be defined by the claims.

110 : 기판 120 : 반도체층
130 : 게이트 절연막 140 : 게이트 전극
150a: 소스 전극 150b: 드레인 전극
160 : 유기절연막 170 : 화소 전극
180 : 공통 전극 LC : 액정층110: substrate 120: semiconductor layer
130: gate insulating film 140: gate electrode
150a: source electrode 150b: drain electrode
160: organic insulating film 170: pixel electrode
180: common electrode LC: liquid crystal layer

Claims (9)

가장자리가 산화되어 산소 원자를 가지고 층간 박리된 그래핀 옥사이드.Graphene oxide whose edges are oxidized and delaminated with oxygen atoms. 제1 항에 있어서,
상기 그래핀 옥사이드는 시트(sheet) 형상인 그래핀 옥사이드.The method according to claim 1,
Wherein the graphene oxide is a sheet-like graphene oxide. 진한 황산이 담긴 용기에 그래파이트를 분산시키고 물을 투입하는 제1 단계;
상기 용기에 과망간산칼륨을 투입하여 상기 그래파이트를 산화시키는 제2 단계;
상기 용기에 과산화수소를 투입하여 산화를 종료시키고 워싱하여 가장자리가 산화된 그래파이트를 수득하는 제3 단계; 및
상기 수득한 그래파이트를 층간 박리하여, 가장자리가 산화된 그래핀 옥사이드를 수득하는 제4 단계를 포함하는 그래핀 옥사이드의 제조방법.A first step of dispersing graphite in a container containing concentrated sulfuric acid and introducing water;
A second step of adding potassium permanganate to the vessel to oxidize the graphite;
A third step of adding hydrogen peroxide to the vessel to terminate oxidation and to wash to obtain graphitized oxide of the edge; And
And a fourth step of delamination of the obtained graphite to obtain graphene oxide having an oxidized edge. 제3 항에 있어서,
상기 그래파이트와 상기 물의 함량비는 1:13 내지 1:20이 되도록 상기 물을 투입하는 그래핀 옥사이드의 제조방법.The method of claim 3,
Wherein the water is added so that the content ratio of the graphite and the water is 1:13 to 1:20. 제3 항에 있어서,
상기 물을 투입하여 상기 진한 황산은 묽은 황산으로 변하고, 상기 묽은 황산의 농도는 50% 내지 60%인 그래핀 옥사이드의 제조방법.The method of claim 3,
Wherein the water is added so that the concentrated sulfuric acid is changed to dilute sulfuric acid, and the concentration of the dilute sulfuric acid is 50% to 60%. 기판;
상기 기판 상에 배치되며, 액티브층, 게이트 전극, 소스 전극 및 드레인 전극을 포함하는 박막트랜지스터; 및
상기 박막트랜지스터에 연결되며, 가장자리가 산화되어 산소 원자를 가지고 층간 박리된 그래핀 옥사이드를 포함하는 화소 전극을 포함하는 표시장치.Board;
A thin film transistor disposed on the substrate and including an active layer, a gate electrode, a source electrode, and a drain electrode; And
And a pixel electrode connected to the thin film transistor, the pixel electrode including graphene oxide delaminated at an edge and oxidized with oxygen atoms. 제6 항에 있어서,
상기 그래핀 옥사이드는 시트 형상인 표시장치.The method according to claim 6,
Wherein the graphene oxide is sheet-like. 제6 항 또는 제7 항에 있어서,
상기 화소 전극 상에 위치하는 발광층;
상기 발광층 상에 위치하는 대향 전극;
상기 대향 전극 상에 위치하는 봉지층; 및
상기 봉지층 상에 위치하는 커버윈도우를 더 포함하는 표시장치.8. The method according to claim 6 or 7,
A light emitting layer disposed on the pixel electrode;
A counter electrode positioned on the light emitting layer;
A sealing layer disposed on the counter electrode; And
And a cover window positioned on the sealing layer. 제6 항 또는 제7 항에 있어서,
상기 화소 전극과 동일 평면 상 또는 하부에서 이격되어 위치하는 공통 전극; 및
상기 공통 전극 상에 위치하는 액정층을 더 포함하는 표시장치.8. The method according to claim 6 or 7,
A common electrode disposed on the same plane as or spaced apart from the pixel electrode; And
And a liquid crystal layer disposed on the common electrode.
KR1020160182528A 2016-12-29 2016-12-29 Graphene Oxide And Method for Manufacturing Of The Same, Display Device Comprising The Same KR102648974B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020160182528A KR102648974B1 (en) 2016-12-29 2016-12-29 Graphene Oxide And Method for Manufacturing Of The Same, Display Device Comprising The Same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020160182528A KR102648974B1 (en) 2016-12-29 2016-12-29 Graphene Oxide And Method for Manufacturing Of The Same, Display Device Comprising The Same

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20180078408A true KR20180078408A (en) 2018-07-10
KR102648974B1 KR102648974B1 (en) 2024-03-20

Family

ID=62915849

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020160182528A KR102648974B1 (en) 2016-12-29 2016-12-29 Graphene Oxide And Method for Manufacturing Of The Same, Display Device Comprising The Same

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR102648974B1 (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20200048681A (en) * 2018-10-30 2020-05-08 울산과학기술원 Method of nano particle-graphene composite and the nano particle-graphene composite manufactured by the same

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20130009070A (en) * 2011-07-14 2013-01-23 국립대학법인 울산과학기술대학교 산학협력단 Edge-functionalized graphite via mechanic-chemical process and manufacture of its
KR20140077690A (en) * 2012-12-14 2014-06-24 삼성디스플레이 주식회사 Display device
KR20140120630A (en) * 2013-04-04 2014-10-14 삼성디스플레이 주식회사 Transistor, method of forming a transistor and display device having a transistor
JP2016222526A (en) * 2015-05-29 2016-12-28 株式会社半導体エネルギー研究所 Film formation method and element

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20130009070A (en) * 2011-07-14 2013-01-23 국립대학법인 울산과학기술대학교 산학협력단 Edge-functionalized graphite via mechanic-chemical process and manufacture of its
KR20140077690A (en) * 2012-12-14 2014-06-24 삼성디스플레이 주식회사 Display device
KR20140120630A (en) * 2013-04-04 2014-10-14 삼성디스플레이 주식회사 Transistor, method of forming a transistor and display device having a transistor
JP2016222526A (en) * 2015-05-29 2016-12-28 株式会社半導体エネルギー研究所 Film formation method and element

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Chemical Science. 2016, 7, 1841-1881* *

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20200048681A (en) * 2018-10-30 2020-05-08 울산과학기술원 Method of nano particle-graphene composite and the nano particle-graphene composite manufactured by the same

Also Published As

Publication number Publication date
KR102648974B1 (en) 2024-03-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Batmunkh et al. Phosphorene and phosphorene‐based materials–prospects for future applications
Kwon et al. Work-function decrease of graphene sheet using alkali metal carbonates
Liu et al. Single-layered MoS2 directly grown on rutile TiO2 (110) for enhanced interfacial charge transfer
EP3121840B1 (en) Thin-film transistor and preparation method therefor, array substrate, and display panel
Park et al. 42.3: Transparent ZnO thin film transistor for the application of high aperture ratio bottom emission AM‐OLED display
JP5995976B2 (en) One-dimensional conductive nanomaterial-based conductive film with improved conductivity by two-dimensional nanomaterial
JP5620179B2 (en) WIRING STRUCTURE, ITS MANUFACTURING METHOD, AND DISPLAY DEVICE PROVIDED WITH WIRING STRUCTURE
KR101316547B1 (en) Method for Fabricating Graphene Oxide with Low Contents of Epoxide Group
Dou et al. Self-augmented ion blocking of sandwiched 2D/1D/2D electrode for solution processed high efficiency semitransparent perovskite solar cell
TW201250925A (en) Oxide semiconductor devices, methods of manufacturing oxide semiconductor devices, display devices having oxide semiconductor devices, methods of manufacturing display devices having oxide semiconductor devices
DE102012222032B4 (en) CHEMICAL OXIDATION OF GRAPHS AND CARBON NANOTONES USING CER (IV) AMMONIUM NITRATE
KR20140092311A (en) Methods of nondestructively delaminating graphene from a metal substrate
Qi et al. Reducing the Schottky barrier between few-layer MoTe2 and gold
KR101787670B1 (en) Manufacturing method for the graphene nanosheets and a graphene ink using electrochemical exfoliation in a persulfate electrolyte solution
TW201203394A (en) Array substrate and method of fabricating the same
JP5739175B2 (en) Graphene / polymer laminate and use thereof
CN104876211A (en) Method for preparing graphene by rotationally shearing in electric field environment
JP2008536295A (en) LCD device with silver-coated electrode
CN102668099A (en) Flexible semiconductor device, manufacturing method for same, and image display device
Juvaid et al. Direct growth of wafer-scale, transparent, p-type reduced-graphene-oxide-like thin films by pulsed laser deposition
Li et al. A nanoporous GaN photoelectrode on patterned sapphire substrates for high-efficiency photoelectrochemical water splitting
KR101653181B1 (en) Method for production of graphene
KR20180078408A (en) Graphene Oxide And Method for Manufacturing Of The Same, Display Device Comprising The Same
Pei et al. Morphological and spectroscopic characterizations of monolayer and few-layer MoS2 and WSe2 nanosheets under oxygen plasma treatment with different excitation power: implications for modulating electronic properties
TWI258863B (en) Electro-optical device and its manufacturing method, liquid crystal display device and method of manufacturing thereof

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant