KR20180074145A - 표시장치와 그의 제조방법 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 40
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title abstract description 11
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 75
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims abstract description 28
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 claims abstract description 5
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 58
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 38
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000010408 film Substances 0.000 description 256
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 141
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 18
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 description 15
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 11
- -1 acryl Chemical group 0.000 description 10
- 230000008569 process Effects 0.000 description 9
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 9
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 8
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 8
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 7
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 7
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 7
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 7
- KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 2-methoxy-6-methylphenol Chemical compound [CH]OC1=CC=CC([CH])=C1O KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 6
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 6
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 6
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 6
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 6
- 229920001568 phenolic resin Polymers 0.000 description 6
- 229920006122 polyamide resin Polymers 0.000 description 6
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 6
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 6
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 6
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 6
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 6
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 6
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 5
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 5
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 5
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 5
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 5
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 4
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 4
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N tantalum nitride Chemical compound [Ta]#N MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- ZVWKZXLXHLZXLS-UHFFFAOYSA-N zirconium nitride Chemical compound [Zr]#N ZVWKZXLXHLZXLS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 3
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 3
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 3
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 2
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 2
- 239000002985 plastic film Substances 0.000 description 2
- 229920006255 plastic film Polymers 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 230000002123 temporal effect Effects 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000861 Mg alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004840 adhesive resin Substances 0.000 description 1
- 229920006223 adhesive resin Polymers 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000001962 electrophoresis Methods 0.000 description 1
- 238000003698 laser cutting Methods 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 230000000644 propagated effect Effects 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000000638 solvent extraction Methods 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
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-
- H01L51/5253—
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/844—Encapsulations
-
- H01L27/3276—
-
- H01L51/5256—
-
- H01L51/56—
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/844—Encapsulations
- H10K50/8445—Encapsulations multilayered coatings having a repetitive structure, e.g. having multiple organic-inorganic bilayers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/1201—Manufacture or treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/851—Division of substrate
-
- H01L2227/323—
-
- H01L2251/558—
-
- H01L2251/566—
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/301—Details of OLEDs
- H10K2102/351—Thickness
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Abstract
본 발명은 봉지막이 스크라이빙 라인에 형성되는 것을 방지할 수 있는 표시장치 및 그의 제조방법을 제공한다. 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치는 화소들이 배치된 표시 영역, 및 상기 표시 영역을 둘러싸는 비표시 영역을 포함하는 기판, 표시 영역을 덮으며, 무기막을 포함하는 봉지막, 및 비표시 영역에서 적어도 일 측 가장자리에 배치되고, 봉지막과 중첩되지 않는 차단층을 포함한다.
Description
본 발명은 표시장치와 그의 제조방법에 관한 것이다.
정보화 사회가 발전함에 따라 영상을 표시하기 위한 표시장치에 대한 요구가 다양한 형태로 증가하고 있다. 이에 따라, 최근에는 액정표시장치(LCD: Liquid Crystal Display), 플라즈마표시장치(PDP: Plasma Display Panel), 유기발광표시장치(OLED: Organic Light Emitting Display)와 같은 여러가지 표시장치가 활용되고 있다.
표시장치들 중에서 유기발광표시장치는 자체발광형으로서, 액정표시장치(LCD)에 비해 시야각, 대조비 등이 우수하며, 별도의 백라이트가 필요하지 않아 경량 박형이 가능하며, 소비전력이 유리한 장점이 있다. 또한, 유기발광표시장치는 직류저전압 구동이 가능하고, 응답속도가 빠르며, 특히 제조비용이 저렴한 장점이 있다.
유기발광표시장치는 유기발광소자를 각각 포함하는 화소들, 및 화소들을 정의하기 위해 화소들을 구획하는 뱅크를 포함한다. 뱅크는 화소 정의막으로 역할을 할 수 있다. 유기발광소자는 애노드 전극, 정공 수송층(hole transporting layer), 유기발광층(organic light emitting layer), 전자 수송층(electron transporting layer), 및 캐소드 전극을 포함한다. 이 경우, 애노드 전극에 고전위 전압이 인가되고 캐소드 전극에 저전위 전압이 인가되면 정공과 전자가 각각 정공 수송층과 전자 수송층을 통해 유기발광층으로 이동되며, 유기발광층에서 서로 결합하여 발광하게 된다.
유기발광소자는 외부의 수분, 산소와 같은 외적 요인에 의해 쉽게 열화가 일어나는 단점이 있다. 이를 방지하기 위하여, 유기발광표시장치는 외부의 수분, 산소가 유기발광소자에 침투되지 않도록 봉지막을 형성한다.
도 1은 복수의 표시 패널이 형성된 원장 기판을 나타내는 도면이다. 도 2는 도 1에 도시된 Ⅰ-Ⅰ' 선의 단면으로 종래의 표시장치를 개략적으로 나타내는 단면도이고, 도 3은 종래의 표시장치에 무기막을 형성하는 방법을 설명하기 위하여 단면도이다.
도 1 내지 도 3을 참조하면, 원장 기판(Mother Substrate, MS)은 공정 편의상 복수의 표시 패널(PNL)을 동시에 제조하기 위한 기판이다. 표시 패널(PNL)은 개별적으로 분리되어서 각 표시장치로서 역할을 하는 것으로서, 원장 기판(MS) 상에 복수개를 동시에 형성한 후 컷팅 공정 또는 스크라이빙(scribing) 공정을 통하여 분리한다.
종래의 표시장치는 유기 발광 소자(20)가 형성된 기판(10) 상에 봉지막(30)을 형성한다. 이때, 봉지막(30)은 제1 무기막(30a), 유기막(30b) 및 제2 무기막(30c)을 포함함으로써, 유기발광층과 전극에 산소 또는 수분이 침투되는 것을 방지한다.
이때, 제1 무기막(30a) 및 제2 무기막(30c)은 CVD(Chemical Vapor Deposition) 기법 또는 ALD(Atomic Layer Deposition) 기법을 이용하여 기판(10) 상에 증착된다. CVD 기법은 도 3에 도시된 바와 같이 기판(10) 상에 마스크(40)를 배치하고, 제1 무기막(30a) 또는 제2 무기막(30c)를 구성하는 원소를 포함하는 가스를 기판(10) 위에 공급한다. 상기 공급된 가스는 마스크(40)가 형성되지 않은 영역의 기판(10) 표면에서 화학적 반응이 일어나고, 이에 따라, 제1 무기막(30a) 또는 제2 무기막(30c)을 마스크(40)가 배치되지 않은 영역의 기판(10) 표면에 형성하게 된다.
그러나, CVD 기법은 마스크(40)가 기판(10)과 소정의 간격으로 이격되어 있기 때문에 마스크(40)와 기판(10) 사이로 가스가 침투하여 마스크(40)가 배치된 영역의 기판(10) 표면에서 화학적 반응이 일어나고, 이에 따라, 제1 무기막(30a) 또는 제2 무기막(30c)이 마스크(40)가 배치된 영역의 기판(10) 표면, 특히, 스크라이빙 라인(SL)에 까지 형성되는 경우가 발생한다.
ALD 기법은 마스크(40)를 기판(10) 상에 배치하고, ALD 금속이 포함된 원료와 반응 가스를 교차하여 박막을 형성하는 방법이다. 이러한 ALD 기법은 CVD 기법에 비해 우수한 흡착력을 가지고 있어 박막도포성이 높으며, 박막 두께를 조절할 수 있어 매우 얇은 박막을 형성하는데 유리하다.
그러나, ALD 기법은 앞서 설명한 바와 같이 우수한 흡착력을 가지고 있기 때문에 기판(10)에 마스크(40)가 배치된 영역 내로 길게 형성될 수 있으며, 이에 따라, CVD 기법에 비해 제1 무기막(30a) 또는 제2 무기막(30c)이 스크라이빙 라인(SL)에까지 형성될 가능성이 높다는 문제점이 있다.
이와 같이 제1 무기막(30a) 또는 제2 무기막(30c)이 스크라이빙 라인(SL)에까지 형성되면, 표시패널(PNL)을 분리하기 위한 컷팅 공정, 즉, 레이저 컷팅 공정이나 기계적 스크라이빙 공정 시에 제1 무기막(30a) 또는 제2 무기막(30c)에 크랙이 발생할 수 있다. 크랙은 외부 충격에 의해 무기막을 따라 내부로 전파될 수 있고, 전파된 크랙에 따라 유입된 수분 및 산소는 흑점 및 흑선 얼룩을 유발한다.
한편, 제1 무기막(30a) 및 제2 무기막(30c) 증착시, 제1 무기막(30a) 및 제2 무기막(30c)이 스크라이빙 라인(SL)에 형성되지 않도록 스크라이빙 라인(SL)으로부터 충분한 거리가 떨어진 위치를 제1 무기막(30a) 및 제2 무기막(30c)의 형성 영역으로 설계할 수 있다. 이러한 경우, 표시장치의 베젤이 커진다는 다른 문제가 발생한다.
본 발명은 봉지막이 스크라이빙 라인에 형성되는 것을 방지할 수 있는 표시장치 및 그의 제조방법을 제공한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치는 화소들이 배치된 표시 영역, 및 상기 표시 영역을 둘러싸는 비표시 영역을 포함하는 기판, 표시 영역을 덮으며, 무기막을 포함하는 봉지막, 및 비표시 영역에서 적어도 일 측 가장자리에 배치되고, 봉지막과 중첩되지 않는 차단층을 포함한다.
본 발명의 다른 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조방법은 기판 상에서 표시 영역에 화소들을 형성하고, 표시 영역을 둘러싸는 비표시 영역에서 스크라이빙 라인과 중첩되도록 차단층을 형성하는 단계, 및 표시 영역을 덮도록 봉지막을 형성하는 단계를 포함한다. 이때, 차단층 상에는 봉지막이 형성되지 않는다.
본 발명에 따르면, 스크라이빙 라인에 차단층을 형성함으로써, 제1 무기막 및 제2 무기막이 스크라이빙 라인에 형성되는 것을 차단할 수 있다. 이에 따라, 스크라이빙 공정시 제1 무기막 및 제2 무기막에 크랙이 발생하는 것을 방지하여 표시 장치의 수율 및 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
또한, 본 발명은 차단층을 반응성이 작은 안정적인 분자구조를 갖는 물질, 예를 들어 그래핀으로 형성함으로써 무기막 증착시 차단층 상에 무기물이 증착되는 것을 방지할 수 있다.
또한, 본 발명은 스크라이빙 라인과 제1 무기막 또는 제2 무기막 사이의 거리를 최소화시킬 수 있으므로, 베젤을 최소화시킬 수 있다.
또한, 본 발명은 스크라이빙 라인에 차단층을 형성함으로써 관리가 어려운 셀 타입 마스크를 사용하지 않고 바 타입 마스크를 사용하여 무기막을 형성할 수 있다.
도 1은 복수의 표시 패널이 형성된 원장 기판을 나타내는 도면이다.
도 2는 도 1에 도시된 Ⅰ-Ⅰ' 선의 단면으로 종래의 표시장치를 개략적으로 나타내는 단면도이다.
도 3은 종래의 표시장치에 무기막을 형성하는 방법을 설명하기 위하여 단면도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치를 보여주는 사시도이다.
도 5는 도 4의 제1 기판, 소스 드라이브 IC, 연성필름, 회로보드, 및 타이밍 제어부를 보여주는 평면도이다.
도 6은 본 발명의 제1 실시예에 따른 제1 기판을 개략적으로 보여주는 평면도이다.
도 7은 도 6에 도시된 Ⅰ-Ⅰ' 선의 단면을 개략적으로 나타내는 단면도이다.
도 8은 도 6에 도시된 Ⅱ-Ⅱ' 선의 단면을 개략적으로 나타내는 단면도이다.
도 9는 본 발명의 제2 실시예에 따른 제1 기판을 개략적으로 보여주는 평면도이다.
도 10은 도 9에 도시된 Ⅲ-Ⅲ' 선의 단면을 개략적으로 나타내는 단면도이다.
도 11은 본 발명의 제3 실시예에 따른 제1 기판을 개략적으로 보여주는 평면도이다.
도 12는 본 발명의 제1 실시 예에 따른 표시장치의 제조방법을 설명하기 위한 흐름도이다.
도 13a 내지 도 13e는 본 발명의 제1 실시 예에 따른 표시장치의 제조방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
도 14는 원장 기판 상에 바 타입 마스크가 배치된 예를 보여주는 도면이다.
도 2는 도 1에 도시된 Ⅰ-Ⅰ' 선의 단면으로 종래의 표시장치를 개략적으로 나타내는 단면도이다.
도 3은 종래의 표시장치에 무기막을 형성하는 방법을 설명하기 위하여 단면도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치를 보여주는 사시도이다.
도 5는 도 4의 제1 기판, 소스 드라이브 IC, 연성필름, 회로보드, 및 타이밍 제어부를 보여주는 평면도이다.
도 6은 본 발명의 제1 실시예에 따른 제1 기판을 개략적으로 보여주는 평면도이다.
도 7은 도 6에 도시된 Ⅰ-Ⅰ' 선의 단면을 개략적으로 나타내는 단면도이다.
도 8은 도 6에 도시된 Ⅱ-Ⅱ' 선의 단면을 개략적으로 나타내는 단면도이다.
도 9는 본 발명의 제2 실시예에 따른 제1 기판을 개략적으로 보여주는 평면도이다.
도 10은 도 9에 도시된 Ⅲ-Ⅲ' 선의 단면을 개략적으로 나타내는 단면도이다.
도 11은 본 발명의 제3 실시예에 따른 제1 기판을 개략적으로 보여주는 평면도이다.
도 12는 본 발명의 제1 실시 예에 따른 표시장치의 제조방법을 설명하기 위한 흐름도이다.
도 13a 내지 도 13e는 본 발명의 제1 실시 예에 따른 표시장치의 제조방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
도 14는 원장 기판 상에 바 타입 마스크가 배치된 예를 보여주는 도면이다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시 예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시 예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시 예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.
본 발명의 실시 예를 설명하기 위한 도면에 개시된 형상, 크기, 비율, 각도, 개수 등은 예시적인 것이므로 본 발명이 도시된 사항에 한정되는 것은 아니다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어서, 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명은 생략한다.
본 명세서에서 언급된 '포함한다', '갖는다', '이루어진다' 등이 사용되는 경우 '~만'이 사용되지 않는 이상 다른 부분이 추가될 수 있다. 구성 요소를 단수로 표현한 경우에 특별히 명시적인 기재 사항이 없는 한 복수를 포함하는 경우를 포함한다.
구성 요소를 해석함에 있어서, 별도의 명시적 기재가 없더라도 오차 범위를 포함하는 것으로 해석한다.
위치 관계에 대한 설명일 경우, 예를 들어, '~상에', '~상부에', '~하부에', '~옆에' 등으로 두 부분의 위치 관계가 설명되는 경우, '바로' 또는 '직접'이 사용되지 않는 이상 두 부분 사이에 하나 이상의 다른 부분이 위치할 수도 있다.
시간 관계에 대한 설명일 경우, 예를 들어, '~후에', '~에 이어서', '~다음에', '~전에' 등으로 시간적 선후 관계가 설명되는 경우, '바로' 또는 '직접'이 사용되지 않는 이상 연속적이지 않은 경우도 포함할 수 있다.
제1, 제2 등이 다양한 구성요소들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 구성요소들은 이들 용어에 의해 제한되지 않는다. 이들 용어들은 단지 하나의 구성요소를 다른 구성요소와 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제1 구성요소는 본 발명의 기술적 사상 내에서 제2 구성요소일 수도 있다.
"X축 방향", "Y축 방향" 및 "Z축 방향"은 서로 간의 관계가 수직으로 이루어진 기하학적인 관계만으로 해석되어서는 아니 되며, 본 발명의 구성이 기능적으로 작용할 수 있는 범위 내에서 보다 넓은 방향성을 가지는 것을 의미할 수 있다.
"적어도 하나"의 용어는 하나 이상의 관련 항목으로부터 제시 가능한 모든 조합을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 예를 들어, "제 1 항목, 제 2 항목 및 제 3 항목 중에서 적어도 하나"의 의미는 제 1 항목, 제 2 항목 또는 제 3 항목 각각 뿐만 아니라 제 1 항목, 제 2 항목 및 제 3 항목 중에서 2개 이상으로부터 제시될 수 있는 모든 항목의 조합을 의미할 수 있다.
본 발명의 여러 실시 예들의 각각 특징들이 부분적으로 또는 전체적으로 서로 결합 또는 조합 가능하고, 기술적으로 다양한 연동 및 구동이 가능하며, 각 실시 예들이 서로에 대하여 독립적으로 실시 가능할 수도 있고 연관 관계로 함께 실시할 수도 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 예를 상세히 설명하기로 한다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치를 보여주는 사시도이다. 도 5는 도 4의 제1 기판, 소스 드라이브 IC, 연성필름, 회로보드, 및 타이밍 제어부를 보여주는 평면도이다. 이하에서는, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치가 유기발광표시장치(Organic Light Emitting Display)인 것을 중심으로 설명하였으나, 이에 한정되지 않는다. 즉, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치는 유기발광표시장치뿐만 아니라, 액정표시장치(Liquid Crystal Display), 전계 방출 표시장치(Field Emission Display), 및 전기영동 표시장치(Electrophoresis display) 중 어느 하나로 구현될 수도 있다.
도 4 및 도 5를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치(100)는 표시패널(110), 소스 드라이브 집적회로(integrated circuit, 이하 "IC"라 칭함)(141), 연성필름(150), 회로보드(160), 및 타이밍 제어부(170)를 포함한다.
표시패널(110)은 제1 기판(111)과 제2 기판(112)을 포함한다. 제2 기판(112)은 봉지 기판일 수 있다. 제1 기판(111)은 플라스틱 필름(plastic film) 또는 유리 기판(glass substrate)일 수 있다. 제2 기판(112)은 플라스틱 필름, 유리 기판, 또는 봉지 필름일 수 있다.
제2 기판(112)과 마주보는 제1 기판(111)의 일면 상에는 게이트 라인들, 데이터 라인들, 및 화소들이 형성된다. 화소들은 게이트 라인들과 데이터 라인들의 교차 구조에 의해 정의되는 영역에 마련된다.
화소들 각각은 박막 트랜지스터와 제1 전극, 유기발광층, 및 제2 전극을 구비하는 유기발광소자를 포함할 수 있다. 화소들 각각은 박막 트랜지스터를 이용하여 게이트 라인으로부터 게이트 신호가 입력되는 경우 데이터 라인의 데이터 전압에 따라 유기발광소자에 소정의 전류를 공급한다. 이로 인해, 화소들 각각의 유기발광소자는 소정의 전류에 따라 소정의 밝기로 발광할 수 있다. 화소들 각각의 구조에 대한 설명은 도 6 및 도 7을 결부하여 후술한다.
표시패널(110)은 도 5와 같이 화소들이 형성되어 화상을 표시하는 표시영역(DA)과 화상을 표시하지 않는 비표시영역(NDA)으로 구분될 수 있다. 표시영역(DA)에는 게이트 라인들, 데이터 라인들, 및 화소들이 형성될 수 있다. 비표시영역(NDA)에는 게이트 구동부 및 패드들이 형성될 수 있다.
게이트 구동부는 타이밍 제어부(170)로부터 입력되는 게이트 제어신호에 따라 게이트 라인들에 게이트 신호들을 공급한다. 게이트 구동부는 표시패널(110)의 표시영역(DA)의 일측 또는 양측 바깥쪽의 비표시영역(DA)에 GIP(gate driver in panel) 방식으로 형성될 수 있다. 또는, 게이트 구동부는 구동 칩으로 제작되어 연성필름에 실장되고 TAB(tape automated bonding) 방식으로 표시패널(110)의 표시영역(DA)의 일측 또는 양측 바깥쪽의 비표시영역(DA)에 부착될 수도 있다.
소스 드라이브 IC(141)는 타이밍 제어부(170)로부터 디지털 비디오 데이터와 소스 제어신호를 입력받는다. 소스 드라이브 IC(141)는 소스 제어신호에 따라 디지털 비디오 데이터를 아날로그 데이터전압들로 변환하여 데이터 라인들에 공급한다. 소스 드라이브 IC(141)가 구동 칩으로 제작되는 경우, COF(chip on film) 또는 COP(chip on plastic) 방식으로 연성필름(150)에 실장될 수 있다.
표시패널(110)의 비표시영역(NDA)에는 데이터 패드들과 같은 패드들이 형성될 수 있다. 연성필름(150)에는 패드들과 소스 드라이브 IC(141)를 연결하는 배선들, 패드들과 회로보드(160)의 배선들을 연결하는 배선들이 형성될 수 있다. 연성필름(150)은 이방성 도전 필름(antisotropic conducting film)을 이용하여 패드들 상에 부착되며, 이로 인해 패드들과 연성필름(150)의 배선들이 연결될 수 있다.
회로보드(160)는 연성필름(150)들에 부착될 수 있다. 회로보드(160)는 구동 칩들로 구현된 다수의 회로들이 실장될 수 있다. 예를 들어, 회로보드(160)에는 타이밍 제어부(170)가 실장될 수 있다. 회로보드(160)는 인쇄회로보드(printed circuit board) 또는 연성 인쇄회로보드(flexible printed circuit board)일 수 있다.
타이밍 제어부(170)는 회로보드(160)의 케이블을 통해 외부의 시스템 보드로부터 디지털 비디오 데이터와 타이밍 신호를 입력받는다. 타이밍 제어부(170)는 타이밍 신호에 기초하여 게이트 구동부의 동작 타이밍을 제어하기 위한 게이트 제어신호와 소스 드라이브 IC(141)들을 제어하기 위한 소스 제어신호를 발생한다. 타이밍 제어부(170)는 게이트 제어신호를 게이트 구동부에 공급하고, 소스 제어신호를 소스 드라이브 IC(141)들에 공급한다.
제1
실시예
도 6은 도 5의 제1 기판의 일 예를 보여주는 평면도이다.
도 6을 참조하면, 제1 기판(111)은 표시 영역(DA)과 비표시 영역(NDA)으로 구분되며, 비표시 영역(NDA)에는 패드들이 형성되는 패드 영역(PA), 댐(120) 및 차단층(130)이 형성될 수 있다.
표시 영역(DA)에는 화상을 표시하는 화소(P)들이 형성된다. 화소들 각각은 박막 트랜지스터와 제1 전극, 유기발광층, 및 제2 전극을 구비하는 유기발광소자를 포함할 수 있다. 화소들 각각은 박막 트랜지스터를 이용하여 게이트 라인으로부터 게이트 신호가 입력되는 경우 데이터 라인의 데이터 전압에 따라 유기발광소자에 소정의 전류를 공급한다. 이로 인해, 화소들 각각의 유기발광소자는 소정의 전류에 따라 소정의 밝기로 발광할 수 있다.
이하에서는 도 7을 참조하여 본 발명의 실시예들에 따른 표시 영역(DA)의 화소(P)의 구조를 상세히 살펴본다.
도 7은 도 6의 표시영역의 화소의 일 예를 보여주는 단면도이다.
도 7을 참조하면, 제2 기판(112)과 마주보는 제1 기판(111)의 일면 상에는 박막 트랜지스터(210)들 및 커패시터(220)들이 형성된다.
투습에 취약한 제1 기판(111)을 통해 침투하는 수분으로부터 박막 트랜지스터(210)들을 보호하기 위해 제1 기판(111) 상에는 버퍼막이 형성될 수 있다.
박막 트랜지스터(210)들 각각은 액티브층(211), 게이트 전극(212), 소스 전극(213) 및 드레인 전극(214)을 포함한다. 도 8에서는 박막 트랜지스터(210)들의 게이트 전극(212)이 액티브층(211)의 상부에 위치하는 상부 게이트(탑 게이트, top gate) 방식으로 형성된 것을 예시하였으나, 이에 한정되지 않음에 주의하여야 한다. 즉, 박막 트랜지스터(210)들은 게이트 전극(212)이 액티브층(211)의 하부에 위치하는 하부 게이트(보텀 게이트, bottom gate) 방식 또는 게이트 전극(212)이 액티브층(211)의 상부와 하부에 모두 위치하는 더블 게이트(double gate) 방식으로 형성될 수 있다.
제1 기판(110)의 버퍼막 상에는 액티브층(211)이 형성된다. 액티브층(211)은 실리콘계 반도체 물질 또는 산화물계 반도체 물질로 형성될 수 있다. 제1 기판(110) 상에는 액티브층(211)으로 입사되는 외부광을 차단하기 위한 차광층이 형성될 수 있다.
액티브층(211) 상에는 게이트 절연막(230)이 형성될 수 있다. 게이트 절연막(230)은 무기막, 예를 들어 실리콘 산화막, 실리콘 질화막 또는 이들의 다중막으로 형성될 수 있다.
게이트 절연막(230) 상에는 게이트 전극(212)이 형성될 수 있다. 게이트 전극(212)은 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 금(Au), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd) 및 구리(Cu) 중 어느 하나 또는 이들의 합금으로 이루어진 단일층 또는 다중층일 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.
게이트 전극(212) 상에는 층간 절연막(240)이 형성될 수 있다. 층간 절연막(240)은 무기막, 예를 들어 실리콘 산화막, 실리콘 질화막 또는 이들의 다중막으로 형성될 수 있다.
층간 절연막(240) 상에는 소스 전극(213)과 드레인 전극(214)이 형성될 수 있다. 소스 전극(213)과 드레인 전극(214) 각각은 게이트 절연막(230)과 층간 절연막(240)을 관통하는 콘택홀(CH1, CH2)을 통해 액티브층(211)에 접속될 수 있다. 소스 전극(213)과 드레인 전극(214) 각각은 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 금(Au), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd) 및 구리(Cu) 중 어느 하나 또는 이들의 합금으로 이루어진 단일층 또는 다중층일 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.
커패시터(220)들 각각은 하부 전극(221)과 상부 전극(222)을 포함한다. 하부 전극(221)은 게이트 절연막(230) 상에 형성되며, 게이트 전극(212)과 동일한 물질로 형성될 수 있다. 상부 전극(222)은 층간 절연막(240) 상에 형성되며, 소스 전극(223) 및 드레인 전극(224)과 동일한 물질로 형성될 수 있다.
박막 트랜지스터(210) 및 커패시터(220) 상에는 보호막(250)이 형성될 수 있다. 보호막(250)은 절연막으로서 역할을 할 수 있다. 보호막(250)은 무기막, 예를 들어 실리콘 산화막, 실리콘 질화막 또는 이들의 다중막으로 형성될 수 있다.
보호막(250) 상에는 박막 트랜지스터(210)와 커패시터(220)로 인한 단차를 평탄하게 하기 위한 평탄화막(260)이 형성될 수 있다. 평탄화막(260)은 아크릴 수지(acryl resin), 에폭시 수지(epoxy resin), 페놀 수지(phenolic resin), 폴리아미드 수지(polyamide resin), 폴리이미드 수지(polyimide resin) 등의 유기막으로 형성될 수 있다.
평탄화막(260) 상에는 유기발광소자(280)와 뱅크(284)가 형성된다. 유기발광소자(280)는 제1 전극(282), 유기발광층(283), 및 제2 전극(281)을 포함한다. 제1 전극(282)은 캐소드 전극이고, 제2 전극(281)은 애노드 전극일 수 있다. 제1 전극(282), 유기발광층(283) 및 제2 전극(281)이 적층된 영역은 발광부(EA)로 정의될 수 있다.
제2 전극(281)은 평탄화막(260) 상에 형성될 수 있다. 제2 전극(281)은 보호막(250)과 평탄화막(260)을 관통하는 콘택홀(CH3)을 통해 박막 트랜지스터(210)의 드레인 진극(214)에 접속된다. 제2 전극(281)은 알루미늄과 티타늄의 적층 구조(Ti/Al/Ti), 알루미늄과 ITO의 적층 구조(ITO/Al/ITO), APC 합금, 및 APC 합금과 ITO의 적층 구조(ITO/APC/ITO)과 같은 반사율이 높은 금속물질로 형성될 수 있다. APC 합금은 은(Ag), 팔라듐(Pd), 및 구리(Cu)의 합금이다.
뱅크(284)은 발광부들(EA)을 구획하기 위해 평탄화막(260) 상에서 제2 전극(281)의 가장자리를 덮도록 형성될 수 있다. 뱅크(284)는 아크릴 수지(acryl resin), 에폭시 수지(epoxy resin), 페놀 수지(phenolic resin), 폴리아미드 수지(polyamide resin), 폴리이미드 수지(polyimide resin) 등의 유기막으로 형성될 수 있다.
제2 전극(281)과 뱅크(284) 상에는 유기발광층(283)이 형성된다. 유기발광층(283)은 정공 수송층(hole transporting layer), 적어도 하나의 발광층(light emitting layer), 및 전자 수송층(electron transporting layer)을 포함할 수 있다. 이 경우, 제2 전극(281)과 제1 전극(282)에 전압이 인가되면 정공과 전자가 각각 정공 수송층과 전자 수송층을 통해 발광층으로 이동하게 되며, 발광층에서 서로 결합하여 발광하게 된다.
유기발광층(283)은 백색 광을 발광하는 백색 발광층으로 이루어질 수 있다. 이 경우, 제2 전극(281)과 뱅크(284)를 덮도록 형성될 수 있다. 이 경우, 제2 기판(112) 상에는 컬러필터(미도시)가 형성될 수 있다.
또는, 유기발광층(283)은 적색 광을 발광하는 적색 발광층, 녹색 광을 발광하는 녹색 발광층, 또는 청색 광을 발광하는 청색 발광층으로 이루어질 수 있다. 이 경우, 유기발광층(283)는 제2 전극(281)에 대응되는 영역에 형성될 수 있으며, 제2 기판(112) 상에는 컬러필터가 형성되지 않을 수 있다.
제1 전극(282)은 유기발광층(283) 상에 형성된다. 유기발광표시장치가 상부 발광(top emission) 구조로 형성되는 경우, 제1 전극(282)은 광을 투과시킬 수 있는 ITO, IZO와 같은 투명한 금속물질(TCO, Transparent Conductive Material), 또는 마그네슘(Mg), 은(Ag), 또는 마그네슘(Mg)과 은(Ag)의 합금과 같은 반투과 금속물질(Semi-transmissive Conductive Material)로 형성될 수 있다. 제1 전극(282) 상에는 캡핑층(capping layer)이 형성될 수 있다.
유기발광소자(280) 상에는 봉지막(290)이 형성된다. 봉지막(290)은 유기발광층(283)과 제1 전극(282)에 산소 또는 수분이 침투되는 것을 방지하는 역할을 한다. 이를 위해, 봉지막(290)은 적어도 하나의 무기막과 적어도 하나의 유기막을 포함할 수 있다.
예를 들어, 봉지막(290)은 제1 무기막(291), 유기막(292), 및 제2 무기막(293)을 포함할 수 있다. 이 경우, 제1 무기막(291)은 제1 전극(282)을 덮도록 형성된다. 유기막(292)은 제1 무기막(291) 상에 형성된다. 유기막(292)은 이물들(particles)이 제1 무기막(291)을 뚫고 유기발광층(283)과 제1 전극(282)에 투입되는 것을 방지하기 위해 충분한 두께로 형성되는 것이 바람직하다. 제2 무기막(293)은 유기막(292)을 덮도록 형성된다.
봉지막(290) 상에는 제1 내지 제3 컬러필터들(미도시)과 블랙 매트릭스(미도시)이 형성될 수 있다. 적색 발광부에는 적색 컬러필터(323)가 형성되고, 청색 발광부에는 청색 컬러필터(322)가 형성되며, 녹색 발광부에는 녹색 컬러필터(321)가 형성될 수 있다.
제1 기판(111)의 봉지막(290)과 제2 기판(112)의 컬러필터들(미도시)은 접착층(미도시)을 이용하여 접착되며, 이로 인해 제1 기판(111)과 제2 기판(112)은 합착될 수 있다. 접착층(미도시)은 투명한 접착 레진일 수 있다.
다시 도 6을 참조하여 설명하면, 패드 영역(PA)은 제1 기판(111)의 일 측 가장자리에 배치될 수 있다. 패드 영역(PA)은 복수의 패드들을 포함하며, 복수의 패드들은 이방성 도전 필름(antisotropic conducting film)을 이용하여 연성 필름(150)의 배선들과 전기적으로 연결될 수 있다.
댐(120)은 비표시 영역(NDA)에 배치되어 화소(P)의 봉지막(290)을 구성하는 유기막(292)의 흐름을 차단한다. 또한, 댐(120)은 표시 영역(DA)과 패드 영역(PA) 사이에 배치되어 화소(P)의 봉지막(290)을 구성하는 유기막(292)이 패드 영역(PA)을 침범하지 못하도록 유기막(292)의 흐름을 차단한다.
차단층(130)은 가장자리에 배치되어 봉지막(290)을 구성하는 제1 무기막(291) 및 제2 무기막(293)이 스크라이빙 라인(SL)에 형성되는 것을 방지한다.
이하에서는 도 8을 참조하여 본 발명의 제1 실시예에 따른 봉지막(290), 댐(120) 및 차단층(130)을 상세히 살펴본다.
도 8은 도 6에 도시된 Ⅱ-Ⅱ' 선의 단면을 개략적으로 나타내는 단면도이다.
도 8은 설명의 편의를 위하여 박막 트랜지스터(210)들 및 커패시터(220)의 구체적인 구성을 생략하고 이들을 포함하는 TFT 기판(200)을 도시하고 있다.
도 8에 도시된 표시장치는 제1 기판(111) 상에 형성된 봉지막(290), 댐(120) 및 차단층(130)을 포함한다. 이때, 제1 기판(111)은 화소(P)들이 형성된 표시 영역(DA)과 표시 영역(DA)을 둘러싸는 비표시 영역(NDA)으로 구분되며, 비표시 영역(NDA)이 복수의 패드들이 형성된 패드 영역(PA)을 포함한다.
봉지막(290)은 표시 영역(DA)에 형성된 유기발광소자(280)을 덮도록 형성되어 유기발광소자(280)에 산소 또는 수분이 침투되는 것을 방지한다. 이때, 봉지막(290)은 적어도 하나의 무기막 및 적어도 하나의 유기막을 포함한다. 예를 들어, 봉지막(290)은 제1 무기막(291), 유기막(292), 및 제2 무기막(293)을 포함할 수 있다. 이 경우, 제1 무기막(291)은 제1 전극(282)을 덮도록 형성된다. 유기막(292)은 제1 무기막(291) 상에 형성되고, 제2 무기막(293)은 유기막(292)을 덮도록 형성된다.
제1 및 제2 무기막들(291, 293) 각각은 실리콘 질화물, 알루미늄 질화물, 지르코늄 질화물, 티타늄 질화물, 하프늄 질화물, 탄탈륨 질화물, 실리콘 산화물, 알루미늄 산화물 또는 티타늄 산화물로 형성될 수 있다. 제1 및 제2 무기막들(291, 293)은 CVD(Chemical Vapor Deposition) 기법 또는 ALD(Atomic Layer Deposition) 기법으로 증착될 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
유기막(292)은 유기발광층(283)에서 발광된 광을 통과시키기 위해 투명하게 형성될 수 있다. 유기막(292)은 유기발광층(283)에서 발광된 광을 99% 이상 통과시킬 수 있는 유기물질 예컨대, 아크릴 수지(acryl resin), 에폭시 수지(epoxy resin), 페놀 수지(phenolic resin), 폴리아미드 수지(polyamide resin) 또는 폴리이미드 수지(polyimide resin)로 형성될 수 있다. 유기막(292)는 유기물을 사용하는 기상 증착(vapour deposition), 프린팅(printing), 슬릿 코팅(slit coating) 기법으로 형성될 수 있으나, 이에 제한되지 않으며, 유기막(292)는 잉크젯(ink-jet) 공정으로 형성될 수도 있다.
댐(120)은 표시 영역(DA)의 외곽을 둘러싸도록 형성되어 봉지막(290)을 구성하는 유기막(292)의 흐름을 차단한다. 또한, 댐(120)은 표시 영역(DA)과 패드 영역(PA) 사이에 배치되어 봉지막(290)을 구성하는 유기막(292)이 패드 영역(PA)을 침범하지 못하도록 유기막(292)의 흐름을 차단한다. 이를 통해, 댐(120)은 유기막(292)이 표시장치의 외부로 노출되거나 패드 영역(PA)을 침범하는 것을 방지할 수 있다.
이러한 댐(120)은 화소(P)의 평탄화막(260) 또는 뱅크(284)와 동시에 형성될 수 있으며, 평탄화막(260) 또는 뱅크(284)와 같은 물질로 이루어질 수 있다. 이와 같은 경우, 댐(120)은 아크릴 수지(acryl resin), 에폭시 수지(epoxy resin), 페놀 수지(phenolic resin), 폴리아미드 수지(polyamide resin), 폴리이미드 수지(polyimide resin) 등의 유기 물질로 형성될 수 있다.
도 8에는 하나의 댐(120)을 도시하고 있으나, 이에 한정되지 않는다. 댐(120)은 제1 댐, 및 제1 댐과 이격되어 비표시영역(NDA)에 배치된 제2 댐을 포함할 수 있다. 제2 댐은 제1 댐의 외곽으로 흘러넘치는 유기막(292)의 흐름을 차단한다.
차단층(130)은 TFT 기판(200)의 가장자리에 형성되어 제1 무기막(291) 및 제2 무기막(293)이 TFT 기판(200)의 가장자리에 형성되는 것을 차단한다. 보다 구체적으로, 차단층(130)은 TFT 기판(200)의 가장자리에 소정의 폭을 가지고 형성된다. 이때, 차단층(130)은 TFT 기판(200)의 끝단과 대응되는 스크라이빙 라인(SL)과 중첩된다.
차단층(130)은 제1 무기막(291) 및 제2 무기막(293)과의 반응성이 작은 안정적인 분자 구조를 가지는 예를 들어, 그래핀(graphene)으로 형성될 수 있다. 그래핀의 경우 꼭짓점에 세 개의 결합이 붙는 원자 구조에 의해 육각형 형태의 연결이 2차원 방향으로 뻗어나간 모양을 가지는 안정적인 분자 구조를 이루고 있다. 제1 무기막(291) 및 제2 무기막(293)을 CVD 기법 또는 ALD 기법을 이용하여 증착할 때, 차단층(130) 상에는 반응이 일어나지 않아 증착에 기여하는 주요 라디컬(radical)들이 표면에 부착되지 못한다. 이에 따라, 차단층(130) 상에는 제1 무기막(291) 및 제2 무기막(293)이 형성되지 못한다. 즉, 차단층(130)은 제1 무기막(291) 및 제2 무기막(293)과 중첩되지 않는다.
이와 같이, 차단층(130) 상에는 제1 무기막(291) 및 제2 무기막(293)이 형성되지 않으므로, 제1 무기막(291) 및 제2 무기막(293)을 증착할 때 차단층(130) 상에 마스크를 배치할 필요가 없다. 마스크를 사용하여 제1 무기막(291) 및 제2 무기막(293)을 증착하더라도, 차단층(130) 상에는 제1 무기막(291) 및 제2 무기막(293)이 형성되지 않으므로 마스크 아래에 쉐도우(shadow)가 발생하는 것을 방지하는 효과를 기대할 수 있다.
이러한 차단층(130)은 스크라이빙 라인(SL)을 따라 형성될 수 있다. 상술한 바와 같이, 차단층(130) 상에는 제1 무기막(291) 및 제2 무기막(293)이 형성되지 않으므로, 차단층(130) 상에 마스크를 배치하지 않고도 스크라이빙 라인(SL)에 제1 무기막(291) 및 제2 무기막(293)이 증착되지 않는다. 다만, 제1 무기막(291) 및 제2 무기막(293)을 증착할 때, 패드 영역(PA)에는 제1 무기막(291) 및 제2 무기막(293)은 물론 차단층(130)이 증착되면 안되므로, 패드 영역(PA) 상에는 마스크가 배치될 수밖에 없다. 이에 따라, 차단층(130)은 패드 영역(PA)과 인접한 스크라이빙 라인(SL)에 형성되지 않을 수 있다.
또한, 원장 기판 상에 복수의 표시 패널이 동시에 제조되는 경우, 하나의 표시 패널의 패드 영역(PA) 상에 배치되는 마스크는 인접한 다른 하나의 표시 패널의 일 측 가장자리 상에도 배치될 수 있다. 이에 따라, 차단층(130)은 도 11에 도시된 바와 같이 패드 영역(PA)과 마주보는 측의 가장자리에 형성되지 않을 수 있다.
한편, 차단층(130)은 패드 영역(PA)과 표시 영역(DA) 사이에 형성될 수 있다. 차단층(130)은 패드 영역(PA)과 표시 영역(DA) 사이에 형성되어 제1 무기막(291) 및 제2 무기막(293)이 패드 영역(PA)에 형성되는 것을 차단할 수 있다. 그러나 이에 한정되지 않으며, 도 11에 도시된 바와 같이 패드 영역(PA)과 표시 영역(DA) 사이에 형성된 차단층(130)은 생략될 수도 있다.
또한, 차단층(130)은 제1 무기막(291) 및 제2 무기막(293) 중 적어도 하나의 가장자리와 접촉한다. 도 8은 차단층(130)이 제1 무기막(291)의 가장자리 및 제2 무기막(293)의 가장자리와 접촉하도록 도시하고 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
다른 실시예에 있어서, 차단층(130)은 제2 무기막(293)의 가장자리만 접촉할 수도 있다. 제1 무기막(291) 및 제2 무기막(293)은 서로 다른 마스크를 사용하여 증착될 수 있다. 예를 들어, 제1 무기막(291)은 제1 마스크를 사용하여 증착되고, 제2 무기막(293)은 제2 마스크를 사용하여 증착될 수 있다. 이때, 제1 마스크는 제1 무기막(291)이 제2 무기막(293) 보다 작게 형성될 수 있도록 제2 마스크 보다 면적이 크고, 유기발광소자(280)에 가깝게 배치될 수 있다. 이에 따라, 제1 무기막(291)은 제2 무기막(293) 보다 면적이 작게 형성될 수 있다. 제2 무기막(293)은 제1 무기막(291) 및 제1 무기막(291) 상에 형성된 유기막(292)을 완전히 덮을 수 있다. 다른 예를 들어, 제1 무기막(291)은 제1 마스크, 예컨대, 셀(cell) 타입 마스크를 사용하여 증착하고, 제2 무기막(293)은 패드 영역(PA)만 가릴 수 있는 제2 마스크, 예컨대, 바(Bar) 타입 마스크를 사용하여 증착될 수도 있다.
차단층(130)은 그래핀으로 형성되는 경우 1nm 미만으로 매우 얇게 형성될 수 있다. 차단층(130)은 대략 1㎛로 형성되는 제1 무기막(291) 및 제2 무기막(293) 보다 매우 얇기 때문에 스크라이빙 공정시 손상될 가능성이 매우 낮다.
본 발명은 스크라이빙 라인(SL)에 차단층(130)을 형성함으로써, 제1 무기막(291) 및 제2 무기막(293)이 스크라이빙 라인(SL)에 형성되는 것을 차단할 수 있다. 이에 따라, 스크라이빙 공정시 제1 무기막(291) 및 제2 무기막(293)에 크랙이 발생하는 것을 방지하여 표시 장치의 수율 및 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
또한, 본 발명은 스크라이빙 라인(SL)과 제1 무기막(291) 또는 제2 무기막(293) 사이의 거리를 최소화시킬 수 있으므로, 베젤을 최소화시킬 수 있다.
제2
실시예
도 9는 본 발명의 제2 실시예에 따른 제1 기판을 개략적으로 보여주는 평면도이고, 도 10은 도 9에 도시된 Ⅲ-Ⅲ' 선의 단면을 개략적으로 나타내는 단면도이다.
도 9 및 도 10은 설명의 편의를 위하여 박막 트랜지스터(210)들 및 커패시터(220)의 구체적인 구성을 생략하고 이들을 포함하는 TFT 기판(200)을 도시하고 있다.
도 9 및 도 10에 도시된 표시장치는 봉지막(290)이 제1 무기막(291)을 포함하고, 댐(120)이 생략되어 있다는 점을 제외하고, 도 6 내지 도 8을 결부하여 설명한 내용과 실질적으로 동일하다. 이하에서는 도 6 내지 도 8에서 동일한 내용은 생략하도록 한다.
봉지막(290)은 표시 영역(DA)에 형성된 유기발광소자(280)을 덮도록 형성되어 유기발광소자(280)에 산소 또는 수분이 침투되는 것을 방지한다. 이때, 봉지막(290)은 적어도 하나의 무기막을 포함한다. 예를 들어, 봉지막(290)은 하나의 제1 무기막(291)을 포함할 수 있다. 이 경우, 제1 무기막(291)은 표시 영역(DA)을 덮도록 형성된다.
제1 무기막(291)은 실리콘 질화물, 알루미늄 질화물, 지르코늄 질화물, 티타늄 질화물, 하프늄 질화물, 탄탈륨 질화물, 실리콘 산화물, 알루미늄 산화물 또는 티타늄 산화물로 형성될 수 있다. 제1 무기막(291)은 CVD(Chemical Vapor Deposition) 기법 또는 ALD(Atomic Layer Deposition) 기법으로 증착될 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
차단층(130)은 TFT 기판(200)의 가장자리에 형성되어 제1 무기막(291)이 TFT 기판(200)의 가장자리에 형성되는 것을 차단한다. 보다 구체적으로, 차단층(130)은 TFT 기판(200)의 가장자리에 소정의 폭을 가지고 형성된다. 이때, 차단층(130)은 TFT 기판(200)의 끝단과 대응되는 스크라이빙 라인(SL)과 중첩된다.
차단층(130)은 제1 무기막(291)과의 반응성이 작은 안정적인 분자 구조를 가지는 예를 들어, 그래핀(graphene)으로 형성될 수 있다. 제1 무기막(291)을 CVD 기법 또는 ALD 기법을 이용하여 증착할 때, 차단층(130) 상에는 반응이 일어나지 않아 증착에 기여하는 주요 라디컬(radical)들이 표면에 부착되지 못한다. 이에 따라, 차단층(130) 상에는 제1 무기막(291) 및 제2 무기막(293)이 형성되지 못한다.
이와 같이, 차단층(130) 상에는 제1 무기막(291)이 형성되지 않으므로, 제1 무기막(291)을 증착할 때 차단층(130) 상에 마스크를 배치할 필요가 없다. 마스크를 사용하여 제1 무기막(291)을 증착하더라도, 차단층(130) 상에는 제1 무기막(291)이 형성되지 않으므로 마스크 아래에 쉐도우(shadow)가 발생하는 것을 방지하는 효과를 기대할 수 있다.
이러한 차단층(130)은 스크라이빙 라인(SL)을 따라 형성될 수 있다. 상술한 바와 같이, 차단층(130) 상에는 제1 무기막(291)이 형성되지 않으므로, 차단층(130) 상에 마스크를 배치하지 않고도 스크라이빙 라인(SL)에 제1 무기막(291)이 증착되지 않는다. 다만, 제1 무기막(291)을 증착할 때, 패드 영역(PA)에는 제1 무기막(291)은 물론 차단층(130)이 증착되면 안되므로, 패드 영역(PA) 상에는 마스크가 배치될 수밖에 없다. 이에 따라, 차단층(130)은 패드 영역(PA)과 인접한 스크라이빙 라인(SL)에 형성되지 않을 수 있다.
또한, 차단층(130)은 패드 영역(PA)과 표시 영역(DA) 사이에 형성될 수 있다. 차단층(130)은 패드 영역(PA)과 표시 영역(DA) 사이에 형성되어 제1 무기막(291)이 패드 영역(PA)에 형성되는 것을 차단할 수 있다. 그러나 이에 한정되지 않으며, 패드 영역(PA)과 표시 영역(DA) 사이에 형성된 차단층(130)은 생략될 수도 있다.
도 12는 본 발명의 제1 실시 예에 따른 표시장치의 제조방법을 설명하기 위한 흐름도이고, 도 13a 내지 도 13e는 본 발명의 제1 실시 예에 따른 표시장치의 제조방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
먼저, 표시영역(DA)에 복수개의 화소(P)를 형성하고, 스크라이빙 라인(SL)과 중첩되도록 차단층(130)을 형성한다(S1201).
보다 구체적으로, 도 13a와 같이 TFT 기판(200)을 마련하고, TFT 기판(200) 상에 보호막(250)을 형성한다. 보호막(250)은 절연막으로서 역할을 할 수 있다. 보호막(250)은 무기막, 예를 들어 실리콘 산화막, 실리콘 질화막 또는 이들의 다중막으로 형성될 수 있다.
그리고 나서, 도 13b와 같이 스크라이빙 라인(SL)과 중첩되도록 차단층(130)을 형성한다. 차단층(130)은 스크라이빙 라인(SL) 상에 형성되며, 소정의 폭을 가질 수 있다. 이러한 차단층(130)은 안정적인 분자구조를 가지는 예를 들어 그래핀으로 형성될 수 있다.
도 13b에서는 유기발광소자가 형성되기 이전에 차단층(130)이 형성되는 것으로 도시하고 있으나, 이에 한정되지는 않는다. 차단층(130)은 보호막(250)이 형성된 후 봉지막(290)이 형성되기 전이라면 언제든지 형성될 수 있다.
그리고 나서, 도 13c와 같이 평탄화막(260) 및 댐(120)을 형성한다. 보다 구체적으로, 보호막(250) 상에 평탄화막(260) 및 댐(120)을 형성한다. 이때, 댐(120)은 비표시 영역(NDA)에서 차단층(130)과 평탄화막(260) 사이에 형성된다. 평탄화막(260) 및 댐(120)은 아크릴 수지(acryl resin), 에폭시 수지(epoxy resin), 페놀 수지(phenolic resin), 폴리아미드 수지(polyamide resin), 폴리이미드 수지(polyimide resin) 등의 유기막으로 형성될 수 있다.
도 13c에서는 댐(120)이 평탄화막(260)과 동시에 형성되는 것으로 도시하고 있으나, 이에 한정되지 않는다. 다른 실시예에 있어서, 댐(120)은 뱅크(284)와 동시에 형성될 수도 있다.
그리고 나서, 도 13d와 같이 유기발광소자(280)를 형성한다. 구체적으로, 보호막(250)과 평탄화막(260)을 관통하여 박막 트랜지스터(210)의 소스 또는 드레인 전극을 노출시키는 콘택홀을 형성하고, 제2 전극(281)을 형성한다. 제2 전극(281)은 알루미늄과 티타늄의 적층 구조(Ti/Al/Ti), 알루미늄과 ITO의 적층 구조(ITO/Al/ITO), APC 합금, 및 APC 합금과 ITO의 적층 구조(ITO/APC/ITO)과 같은 반사율이 높은 금속물질로 형성될 수 있다. APC 합금은 은(Ag), 팔라듐(Pd), 및 구리(Cu)의 합금이다.
그리고 나서, 제2 전극(281)과 뱅크(284) 상에 유기발광층(283)을 형성한다. 그리고 나서, 유기발광층(283) 상에 제1 전극(282)을 형성한다. 제1 전극(282)은 광을 투과시킬 수 있는 ITO, IZO와 같은 투명한 금속물질(TCO, Transparent Conductive Material), 또는 마그네슘(Mg), 은(Ag), 또는 마그네슘(Mg)과 은(Ag)의 합금과 같은 반투과 금속물질(Semi-transmissive Conductive Material)로 형성될 수 있다. 제1 전극(282) 상에는 캡핑층(capping layer)이 형성될 수 있다.
다음, 표시 영역(DA)을 덮도록 봉지막(290)을 형성한다(S1202).
도 13e와 같이 유기발광소자(280) 상에 봉지막(290)을 형성한다. 구체적으로, 표시 영역(DA)을 덮도록 제1 무기막(291)을 형성한다. 제1 무기막(291)은 CVD 기법 또는 ALD 기법으로 형성될 수 있다. 제1 무기막(291)을 구성하는 원소를 포함하는 가스를 공급하면, 공급된 가스는 차단층(130)이 형성된 영역을 제외한 영역에서 화학적 반응이 일어난다. 이에 따라, 제1 무기막(291)이 형성된다.
이때, 차단층(130) 상에 마스크를 배치할 수 있으나, 이에 한정되지 않는다. 제1 무기막(291)은 차단층(130)의 표면에 형성되지 않으므로, 마스크를 배치하고도 제1 무기막(291)이 표시 영역(DA)을 덮는 동시에 스크라이빙 라인(SL)에 형성되지 않을 수 있다.
다만, 패드 영역(PA)에는 제1 무기막(291)은 물론 차단층(130)이 증착되면 안되므로, 패드 영역(PA) 상에는 도 14에 도시된 바와 같이 마스크가 배치될 수밖에 없다. 도 14와 같이 패드 영역(PA) 및 패드 영역(PA)과 인접한 스크라이빙 라인(RL)만 가릴 수 있도록 바 형태를 가지는 마스크를 바(Bar) 타입 마스크라 한다. 반면, 패드 영역(PA)이 배치된 측과 수직하는 스크라이빙 라인(RL)까지 가릴 수 있도록 셀 형태를 가지는 마스크를 셀(cell) 타입 마스크라 한다. 셀 타입 마스크는 패드 영역(PA)과 수직하는 방향의 마스크가 너비가 얇아 손상되거나 변형되기 용이하므로 관리하기가 어렵다. 한편, 패드 영역(PA)과 수직하는 방향의 마스크의 너비를 넓게 형성하는 경우, 하나의 원장 기판에서 생산할 수 있는 표시 패널의 개수가 줄어들어 생산성이 떨어질 수 있다.
본 발명은 스크라이빙 라인(SL)에 차단층(130)을 형성함으로써 상술한 바와 같이 관리가 어려운 셀 타입 마스크를 사용하지 않고 바 타입 마스크를 사용하여 제1 무기막(291)을 형성할 수 있다.
이러한 제1 무기막(291)은 실리콘 질화물, 알루미늄 질화물, 지르코늄 질화물, 티타늄 질화물, 하프늄 질화물, 탄탈륨 질화물, 실리콘 산화물, 알루미늄 산화물 또는 티타늄 산화물로 형성될 수 있다.
그리고 나서, 제1 무기막(291)을 덮는 동시에 댐(120)을 덮지 않도록 유기막(292)을 형성한다. 유기막(292)은 유기발광층(283)에서 발광된 광을 99% 이상 통과시킬 수 있는 유기물질 예컨대, 아크릴 수지(acryl resin), 에폭시 수지(epoxy resin), 페놀 수지(phenolic resin), 폴리아미드 수지(polyamide resin) 또는 폴리이미드 수지(polyimide resin)로 형성될 수 있다.
그리고 나서, 유기막(292)을 덮도록 제2 무기막(293)을 형성한다. 제2 무기막(291)은 CVD 기법 또는 ALD 기법으로 형성될 수 있다. 제2 무기막(293)을 구성하는 원소를 포함하는 가스를 공급하면, 공급된 가스는 차단층(130)이 형성된 영역을 제외한 영역에서 화학적 반응이 일어난다. 이에 따라, 제2 무기막(293)이 형성된다.
이때, 차단층(130) 상에 마스크를 배치할 수 있으나, 이에 한정되지 않는다. 제2 무기막(293)은 차단층(130)의 표면에 형성되지 않으므로, 마스크를 배치하고도 제2 무기막(293)이 유기막(292)을 덮는 동시에 스크라이빙 라인(SL)에 형성되지 않을 수 있다.
다만, 패드 영역(PA)에는 제2 무기막(293)은 물론 차단층(130)이 증착되면 안되므로, 패드 영역(PA) 상에는 도 14에 도시된 바와 같이 마스크가 배치될 수밖에 없다. 본 발명은 스크라이빙 라인(SL)에 차단층(130)을 형성함으로써 상술한 바와 같이 관리가 어려운 셀 타입 마스크를 사용하지 않고 바 타입 마스크를 사용하여 제2 무기막(293)을 형성할 수 있다.
이러한 제2 무기막(293)은 실리콘 질화물, 알루미늄 질화물, 지르코늄 질화물, 티타늄 질화물, 하프늄 질화물, 탄탈륨 질화물, 실리콘 산화물, 알루미늄 산화물 또는 티타늄 산화물로 형성될 수 있다.
도면에 도시하지 않았으나, 제1 기판(111)과 제2 기판(112)을 합착한다. 하나의 원장 기판을 이용하여 복수의 표시장치를 동시에 제조하는 경우, 원장 기판 상에 형성된 복수의 표시패널을 표시장치로 분리하기 위하여 스크라이빙 공정을 실시한다. 인접한 표시 패널 사이에 스크라이빙 라인(SL)이 형성되고, 스크라이빙 라인(SL)을 따라 절단함으로써 각 표시패널이 표시장치로 분리된다.
이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 더욱 상세하게 설명하였으나, 본 발명은 반드시 이러한 실시예로 국한되는 것은 아니고, 본 발명의 기술사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양하게 변형 실시될 수 있다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 그러므로, 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다. 본 발명의 보호 범위는 청구 범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
100: 표시장치
110: 표시패널
111: 제1 기판 112: 제2 기판
120: 댐 130: 차단층
141: 소스 드라이브 IC 150: 연성필름
160: 회로보드 170: 타이밍 제어부
210: 박막 트랜지스터 211: 액티브층
212: 게이트전극 213: 소스전극
214: 드레인전극 220: 커패시터
221: 하부 전극 222: 상부 전극
230: 게이트 절연막 240: 층간 절연막
250: 보호막 260: 평탄화막
280: 유기발광소자 281: 제2 전극
282: 유기발광층 283: 제1 전극
284: 뱅크 290: 봉지막
291: 제1 무기막 292: 유기막
293: 제2 무기막
111: 제1 기판 112: 제2 기판
120: 댐 130: 차단층
141: 소스 드라이브 IC 150: 연성필름
160: 회로보드 170: 타이밍 제어부
210: 박막 트랜지스터 211: 액티브층
212: 게이트전극 213: 소스전극
214: 드레인전극 220: 커패시터
221: 하부 전극 222: 상부 전극
230: 게이트 절연막 240: 층간 절연막
250: 보호막 260: 평탄화막
280: 유기발광소자 281: 제2 전극
282: 유기발광층 283: 제1 전극
284: 뱅크 290: 봉지막
291: 제1 무기막 292: 유기막
293: 제2 무기막
Claims (11)
- 화소들이 배치된 표시 영역, 및 상기 표시 영역을 둘러싸는 비표시 영역을 포함하는 기판;
상기 표시 영역을 덮으며, 무기막을 포함하는 봉지막; 및
상기 비표시 영역에서 적어도 일 측 가장자리에 배치되고, 상기 봉지막과 중첩되지 않는 차단층을 포함하는 표시 장치. - 제1항에 있어서,
상기 차단층은 그래핀(graphene)으로 형성되는 것을 특징으로 하는 표시 장치. - 제1항에 있어서,
상기 차단층의 두께는 상기 무기막의 두께 보다 작은 것을 특징으로 하는 표시 장치. - 제3항에 있어서,
상기 차단층의 두께는 1nm 미만인 것을 특징으로 하는 표시 장치. - 제1항에 있어서,
상기 기판은 상기 비표시 영역에서 일 측에 배치된 패드 영역을 더 포함하고,
상기 차단층은 상기 패드 영역이 배치되지 않은 측의 가장자리에 배치되는 것을 특징으로 하는 표시 장치. - 제1항에 있어서,
상기 봉지막은,
상기 표시영역을 덮는 제1 무기막;
상기 제1 무기막 상에 형성된 유기막; 및
상기 유기막을 덮는 제2 무기막을 포함하고,
상기 차단층은 상기 제2 무기막의 끝단과 접촉되는 것을 특징으로 하는 표시 장치. - 기판 상에서 표시 영역에 화소들을 형성하고, 상기 표시 영역을 둘러싸는 비표시 영역에서 스크라이빙 라인과 중첩되도록 차단층을 형성하는 단계; 및
상기 표시 영역을 덮도록 봉지막을 형성하는 단계를 포함하고,
상기 차단층 상에는 상기 봉지막이 형성되지 않는 것을 특징으로 하는 표시 장치의 제조방법. - 제7항에 있어서,
상기 차단층은 그래핀으로 형성되는 것을 특징으로 하는 표시 장치의 제조방법. - 제7항에 있어서,
상기 차단층의 두께는 1nm 미만인 것을 특징으로 하는 표시 장치의 제조방법. - 제7항에 있어서, 상기 봉지막을 형성하는 단계는,
상기 표시 영역을 덮도록 제1 무기막을 형성하는 단계;
상기 제1 무기막 상에 유기막을 형성하는 단계; 및
상기 유기막을 덮도록 제2 무기막을 형성하는 단계를 포함하고,
상기 차단층은 상기 제2 무기막의 끝단과 접촉되는 것을 특징으로 하는 표시장치의 제조방법. - 제7항에 있어서, 상기 차단층을 형성하는 단계는,
상기 비표시 영역에서 일 측에 배치된 패드 영역에 복수의 패드들을 형성하고, 상기 패드 영역이 배치되지 않은 측의 스크라이빙 라인과 중첩되도록 상기 차단층을 형성하는 것을 특징으로 하는 표시 장치의 제조방법.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020160177932A KR20180074145A (ko) | 2016-12-23 | 2016-12-23 | 표시장치와 그의 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| KR1020160177932A KR20180074145A (ko) | 2016-12-23 | 2016-12-23 | 표시장치와 그의 제조방법 |
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| KR20180074145A true KR20180074145A (ko) | 2018-07-03 |
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ID=62918319
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Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109546002A (zh) * | 2018-11-23 | 2019-03-29 | 昆山国显光电有限公司 | 有机电致发光显示面板及显示装置 |
| WO2020118838A1 (zh) * | 2018-12-13 | 2020-06-18 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及显示装置 |
-
2016
- 2016-12-23 KR KR1020160177932A patent/KR20180074145A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (3)
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| WO2020118838A1 (zh) * | 2018-12-13 | 2020-06-18 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及显示装置 |
| US11444266B2 (en) | 2018-12-13 | 2022-09-13 | Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. | Display panel and display device |
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