KR20180060157A - 질화갈륨계 발광다이오드 제조방법 및 이에 의한 질화갈륨계 발광다이오드 - Google Patents

질화갈륨계 발광다이오드 제조방법 및 이에 의한 질화갈륨계 발광다이오드 Download PDF

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Abstract

본 발명은 n형 질화갈륨층 및 p형 질화갈륨층에 은(Ag)계 물질이 증착된 것을 특징으로 하는 질화갈륨계 발광다이오드를 제공한다.
또한, 본 발명은 질소 분위기하에 300 내지 500℃에서 열처리하여 은(Ag)계 물질을 동시에 n형 질화갈륨층과 p형 질화갈륨층에 증착하는 단계 및 상기 은(Ag)계 물질이 증착된 n형 질화갈륨층을 노출하기 위해 식각하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 질화갈륨계 발광다이오드 제조방법을 제공한다.

Description

질화갈륨계 발광다이오드 제조방법 및 이에 의한 질화갈륨계 발광다이오드{Method for manufacturing GaN light-emitting diodes and GaN light-emitting diodes manufactured by the same}
본 발명은 질화갈륨계 발광다이오드 제조방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 n형 질화갈륨층과 p형 질화갈륨층의 반사 전극을 모두 은(Ag)계 물질로 하여 동시에 증착하여 경제성, 발광다이오드 전기적 특성 및 광학적 특성을 효과적으로 향상시킨 질화갈륨계 발광다이오드 제조방법 및 이에 의한 질화갈륨계 발광다이오드에 관한 것이다.
LED는 전기 에너지를 빛으로 변환시키는 고체 소자의 일종으로서, 일반적으로 2개의 상반된 도핑층 사이에 개재된 반도체 재료의 활성층을 포함한다. 2개의 도핑층 양단에 바이어스가 인가되면, 정공과 전자가 활성층으로 주입된 후 그곳에서 재결합되어 빛이 발생되며, 활성층에서 발생된 빛은 모든 방향으로 방출되어 모든 노출 표면을 통해 반도체 칩밖으로 방출되게 된다.
통상적인 질화갈륨계 발광다이오드의 구조는 서브스트레이트 기판상에 순차적으로 형성된 버퍼층, n형 질화갈륨층, 다중양자우물구조인 활성층 및 p형 질화갈륨층을 포함하며, 상기 p형 질화갈륨층과 활성층은 그 일부 영역을 식각 등의 공정으로 제거하여 n형 질화갈륨층의 일부 상면이 노출된 구조를 갖는다. 상기 노출된 n형 질화물 반도체층 상에는 n형 전극이 형성되고 p형 질화물 반도체층 상에는 오믹접촉을 형성하기 위하여 투명 전극층이 형성된 후에, p형 본딩 전극을 형성하는데 이는 광출력을 약화시키는 문제점이 있다.
최근 소자에서의 발광 효율과 열처리 기술을 개선하기 위한 질화갈륨계 반도체 기반의 flip chip이나 수직 구조를 갖는 소자가 활발히 연구되고 있으나, 최근까지 p형 질화갈륨층과 은(Ag)계 물질과의 접촉에서 거의 존재하지 않는 전위 장벽 등의 이유로 오믹 형성이 매우 잘 되어 당연하게 n형 질화갈륨층에서의 오믹 전극은 적합하지 못한 것으로 여겨왔다.
또한, 4.35 eV의 낮은 은(Ag)의 일함수로 인하여 이론적으로 p형 질화갈륨층에서보다 n형 질화갈륨층에서의 은(Ag)계 오믹 접촉 형성이 원활함에도 불구하고, 쇼트키 접합 형성의 어려움과 최근까지도 안정되지 못한 열처리 기술에 대한 조건으로 인하여 이에 대한 연구가 아직 미비한 상황이다.
따라서, p-GaN 뿐만 아니라 n-GaN에서도 오믹접촉 형성이 가능한 질화갈륨계 발광다이오드에 관한 기술이 필요한 실정이다.
따라서, 본 발명은 n형 질화갈륨층과 p형 질화갈륨층에 동시에 은(Ag)계 물질을 증착하여 완벽한 오믹 접촉을 형성하는 질화갈륨계 발광다이오드 제조방법 및 이에 의한 질화갈륨계 발광다이오드를 제공하고자 한다.
전술한 문제를 해결하기 위해, 본 발명은 노출된 n형 질화갈륨층 및 상기 n형 질화갈륨층 상에 형성된 p형 질화갈륨층에 대하여, 질소 분위기하에 300 내지 500℃에서 열처리하여 은(Ag)계 물질을 동시에 상기 n형 질화갈륨층과 p형 질화갈륨층에 증착하는 단계 및 상기 은(Ag)계 물질이 증착된 n형 질화갈륨층을 노출하기 위해 식각하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 질화갈륨계 발광다이오드 제조방법을 제공한다.
상기 은(Ag)계 물질의 두께는 80 내지 200nm일 수 있다.
상기 은(Ag)계 물질이 증착된 n형 질화갈륨층을 노출하기 위해 식각하는 단계는 0.2 내지 2㎛ 두께로 건식 식각할 수 있다.
상기 노출된 질화갈륨층의 캐리어 농도가 5×108cm-3 이하일 수 있다.
또한, 본 발명은 상술한 방법에 따라 제조된 질화갈륨계 발광다이오드를 제공할 수 있다.
본 발명에 따르는 질화갈륨계 발광다이오드는 n형 질화갈륨층과 p형 질화갈륨층의 반사 전극을 모두 은(Ag)계 물질로 하여 동시에 증착하여 종래 기술보다 2단계 이상의 공정을 줄여 가격 경쟁력을 향상시킬 수 있고, 발광다이오드 전기적 특성 및 광학적 특성 또한 효과적으로 향상시킬 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 질화갈륨 발광다이오드 제조방법의 단계를 나타낸 것이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 질화갈륨 발광다이오드의 단면도를 나타낸 것이다.
도 3은 실시예와 비교예의 n형 질화갈륨층의 오믹접촉 관련 전기적 특성을 나타낸 것이다.
도 4는 실시예 1 내지 3의 접촉 저항 및 반사도 특성을 나타낸 것이다.
도 5는 실시예 3과 비교예의 광학적 특성을 나타낸 것이다.
도 6은 실시예 3과 비교예의 p형 질화갈륨층의 오믹접촉 관련 전기적 특성을 나타낸 것이다.
도 7은 실시예 3과 비교예의 광 출력을 나타낸 것이다.
본 발명은 노출된 n형 질화갈륨층 및 상기 n형 질화갈륨층 상에 형성된 p형 질화갈륨층에 대하여, 질소 분위기하에 300 내지 500℃에서 열처리하여 은(Ag)계 물질을 동시에 상기 n형 질화갈륨층과 p형 질화갈륨층에 증착하는 단계 및 상기 은(Ag)계 물질이 증착된 n형 질화갈륨층을 노출하기 위해 식각하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 질화갈륨계 발광다이오드 제조방법을 제공한다(도 1).
상기 질소 분위기하에 열처리하여 은(Ag)계 물질을 동시에 n형 질화갈륨층과 p형 질화갈륨층에 증착하는 단계는 일반적으로 양산에 이용하는 기본적인 발광다이오드를 사용하며, 상기 발광다이오드의 n형 질화갈륨층과 p형 질화갈륨층에 80 내지 200nm 두께의 은(Ag)계 물질을 300 내지 500℃의 온도에서 동시에 30초 내지 90초 동안 열처리하여 증착하는 것이 바람직하다.
상기 은(Ag)계 물질층의 두께가 80nm 미만이면, 반사도가 감소할 수 있고, 200nm를 초과하면, 상기 발광다이오드의 기계적 물성이 감소할 수 있다.
상기 열처리 온도가 300℃ 미만이면, 증착이 제대로 이루어지지 않을 수 있으며, 500℃를 초과할 경우, 상기 질화갈륨계 발광다이오드의 물성이 감소할 수 있다..
상기 은(Ag)계 물질이 증착된 n형 질화갈륨층을 노출하기 위해 식각하는 단계는 0.2 내지 2.0㎛ 두께로 건식 식각할 수 있으며, 특히, 0.5 내지 1.0㎛의 두께로 식각하는 것이 바람직하다. 상기 식각 두께가 0.1㎛ 미만은 상기 n형 질화갈륨층이 노출되기엔 부족한 식각 두께이며, 2.0㎛를 초과하면, 캐리어 재결합을 위해 모이는 캐리어 이동 길이가 길어져 상기 질화갈륨계 발광다이오드의 효율이 감소할 수 있다.
상기 노출된 질화갈륨층의 캐리어 농도가 5×1019cm-3 이하일 수 있다.
또한, 본 발명은 상술한 방법에 따라 제조된 질화갈륨계 발광다이오드를 제공할 수 있다.
상기 질화갈륨계 발광다이오드는 n형 질화갈륨층, 상기 n형 질화갈륨층의 상부면 한쪽에 다중 발광 우물 구조층(Multi Quantum Wells, MQW), 알루미나질화갈륨층 및 p형 질화갈륨층이 순차적으로 적층되는 일반적으로 양산되는 종래의 발광다이오드의 상기 n형 질화갈륨층 상부면의 다른 쪽과 상기 p형 질화갈륨층에 은(Ag)계 물질을 동시에 증착하여 오믹 접촉을 형성할 수 있다(도 2).
상기 n형 질화갈륨층의 두께는 1×103 내지 4.3×103nm인 것이 바람직하다.
상기 다중 발광 우물 구조층(Multi Quantum Wells, MQW) 80 내지 100nm이 적층되는 것이 바람직하며, 상기 다중 발광 우물 구조층의 발광층 및 베리어층은 각각 InGaN과 GaN을 이용하여 성장시킬 수 있다.
상기 알루미나질화갈륨층 30 내지 50nm이 적층되는 것이 바람직하며, 상기 p형 질화갈륨층 60 내지 80nm을 적층하는 것이 바람직하다.
상기 n형 질화갈륨층 상부면의 다른 쪽 및 상기 p형 질화갈륨층에 은(Ag)계 물질 80 내지 200nm를 동시에 증착하여 오믹접촉을 형성하는 것이 바람직하며, 특히, 상기 은계 물질 100nm를 증착하는 것이 더욱 바람직하다. 상기 은(Ag)계 물질층의 두께가 80nm 미만이면, 반사도가 감소할 수 있고, 200nm를 초과하면, 상기 발광다이오드의 기계적 물성이 감소할 수 있다.
상기 식각 두께가 0.2㎛ 미만은 상기 n형 질화갈륨층이 노출되기엔 부족한 식각 두께이며, 2㎛를 초과하면, 상기 질화갈륨계 발광다이오드의 효율이 감소할 수 있다.
상기 은(Ag)계 물질이 증착된 n형 질화갈륨층을 0.2 내지 2㎛ 두께로 건식 식각하여 노출할 수 있으며, 특히, 0.5 내지 1.0㎛의 두께로 식각하는 것이 바람직하다.
상술한 바와 같이, 본 발명은 n형 질화갈륨층과 p형 질화갈륨층의 반사전극을 모두 Ag로 하여 동시에 증착 가능하므로 종래 기술보다 2단계 이상의 공정을 줄여 가격 경쟁력을 향상시킬 수 있고, 발광다이오드 효율 또한 효과적으로 향상킬 수 있다.
이하, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 본 발명의 실시예에 대하여 첨부한 도면을 참고하여 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 설명하는 실시예에 한정되지 않는다.
(실시예)
기존의 LED 구조의 n층과 p층에 Ag층을 N2 분위기하에 각각 300℃, 400℃, 500℃의 조건으로 동시에 증착한 후, 0.5㎛ 두께로 건식 식각하여 실시예 1 내지 3을 제조하였다.
(비교예)
비교예로 기존 양산 수준의 전형적인 LED 웨이퍼를 사용하였으며, 메사 에칭 후 30nm/80nm의 Ti/Al을 n층에 증착 후 N2 분위기하에 550℃에서 1분간의 열처리를 진행하였으며, Ag층은 p층에 증착하여 O2 분위기하에 500℃에서 열처리하여 제조하였다.
(실험예 1) n형 질화갈륨층과 Ag층의 접촉으로 인한 전기적 특성
LED 칩 아래에 설치된 매개 변수 분석기(HP4156A)와 포토 다이오드(883-UV)로 이루어진 웨이퍼 테스트 구조를 사용하여 실시예 1 내지 3 및 비교예의 n형 질화갈륨층과 Ag층의 접촉으로 인한 전기적 특성을 측정한 후, 그 결과를 도 3에 나타내었다.
상기 도 3은 실시예와 비교예의 오믹접촉 관련 전기적 특성을 나타낸 그래프로, 실시예 3이 가장 linear하며, 기울기도 steep한 것으로 보아 최적의 오믹이 형성된 것을 알 수 있다.
(실험예 2) Ag층의 광학적 특성
LED 칩 아래에 설치된 매개 변수 분석기(HP4156A)와 포토 다이오드(883-UV)로 이루어진 웨이퍼 테스트 구조를 사용하여 실시예 1 내지 3의 광학적 특성을 측정한 후, 그 결과를 도 4에 나타내었으며, 실시예 3과 비교예의 광학적 특성을 비교한 결과를 도 5에 나타내었다.
상기 도 4는 실시예 1 내지 3의 접촉 저항 및 반사도 특성을 나타낸 그래프로, 90%의 반사도를 보임으로써 더욱 최적화된 Ag 반사 전극을 확보한 것을 확인할 수 있다.
상기 도 5는 실시예 3과 비교예의 광학적 특성을 나타낸 그래프로, 광학 현미경을 통한 열처리 후의 이미지이다. 상기 도 5를 참조하면, 실시예 3의 표면이 더 매끈하고 밝은 것으로 보아 비교예보다 더욱 효과적으로 빛을 반사할 수 있음을 확인할 수 있다.
(실험예 3) p형 질화갈륨층과 Ag층의 접촉으로 인한 전기적 특성
실시예 3과 비교예의 p형 질화갈륨층과 Ag층의 접촉으로 인한 전기적 특성을 측정한 후, 그 결과를 도 6에 나타내었다.
상기 도 6을 참조하면, 실시예 3이 비교예보다 낮은 전류의 흐름을 보이나, 커브가 linear하고 접촉 저항 역시 10-4 이하인 것으로 보아 오믹 접촉이 성공적으로 형성되었음을 알 수 있다.
(실험예 4) 발광다이오드의 광 출력
실시예 3과 비교예의 광 출력을 측정한 후, 그 결과를 도 7에 나타내었다.
상기 도 7을 참조하면, 실시예 3의 광 출력이 비교예의 광 출력보다 30% 이상 증가하였으며, 이는 실시예 3의 발광다이오드 특성이 비교예의 발광다이오드 특성보다 더욱 우수한 것을 알 수 있다.

Claims (5)

  1. 노출된 n형 질화갈륨층 및 상기 n형 질화갈륨층 상에 형성된 p형 질화갈륨층에 대하여, 질소 분위기하에 300 내지 500℃에서 열처리하여 은(Ag)계 물질을 동시에 상기 n형 질화갈륨층과 p형 질화갈륨층에 증착하는 단계; 및
    상기 은(Ag)계 물질이 증착된 n형 질화갈륨층을 노출하기 위해 식각하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 질화갈륨계 발광다이오드 제조방법.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 은(Ag)계 물질의 두께는 80 내지 200nm인 것을 특징으로 하는 질화갈륨계 발광다이오드 제조방법.
  3. 제 1항에 있어서, 상기 은(Ag)계 물질이 증착된 n형 질화갈륨층을 노출하기 위해 식각하는 단계는,
    0.2 내지 2㎛ 두께로 건식 식각하는 것을 특징으로 하는 질화갈륨계 발광다이오드 제조방법.
  4. 제 1항 내지 3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 노출된 질화갈륨층의 캐리어 농도가 5×1019cm-3 이하인 것을 특징으로 하는 질화갈륨게 발광다이오드 제조방법.
  5. 제 1항 내지 4항 중 어느 한항에 따라 제조된 질화갈륨계 발광다이오드.
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Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100635157B1 (ko) * 2005-09-09 2006-10-17 삼성전기주식회사 질화물계 반도체 발광소자
KR20070088006A (ko) * 2006-02-24 2007-08-29 서울옵토디바이스주식회사 광추출을 위한 나노구조체들을 갖는 발광 다이오드 및그것을 제조하는 방법
KR100793337B1 (ko) * 2006-11-20 2008-01-11 삼성전기주식회사 질화물계 반도체 발광소자 및 그 제조방법
KR100849737B1 (ko) * 2007-07-06 2008-08-01 (주)더리즈 발광 다이오드 소자와 그 제조 방법
JP2010087217A (ja) * 2008-09-30 2010-04-15 Toyoda Gosei Co Ltd Ｉｉｉ族窒化物半導体発光素子およびその製造方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100635157B1 (ko) * 2005-09-09 2006-10-17 삼성전기주식회사 질화물계 반도체 발광소자
KR20070088006A (ko) * 2006-02-24 2007-08-29 서울옵토디바이스주식회사 광추출을 위한 나노구조체들을 갖는 발광 다이오드 및그것을 제조하는 방법
KR100793337B1 (ko) * 2006-11-20 2008-01-11 삼성전기주식회사 질화물계 반도체 발광소자 및 그 제조방법
KR100849737B1 (ko) * 2007-07-06 2008-08-01 (주)더리즈 발광 다이오드 소자와 그 제조 방법
JP2010087217A (ja) * 2008-09-30 2010-04-15 Toyoda Gosei Co Ltd Ｉｉｉ族窒化物半導体発光素子およびその製造方法

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