KR20180047820A - 양자점 발광다이오드 및 이를 포함하는 양자점 발광표시장치 - Google Patents

양자점 발광다이오드 및 이를 포함하는 양자점 발광표시장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20180047820A
KR20180047820A KR1020160144575A KR20160144575A KR20180047820A KR 20180047820 A KR20180047820 A KR 20180047820A KR 1020160144575 A KR1020160144575 A KR 1020160144575A KR 20160144575 A KR20160144575 A KR 20160144575A KR 20180047820 A KR20180047820 A KR 20180047820A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
quantum dot
light emitting
dot light
layer
semiconductor rod
Prior art date
Application number
KR1020160144575A
Other languages
English (en)
Other versions
KR102687091B1 (ko
Inventor
이태양
김규남
우성일
Original Assignee
엘지디스플레이 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 엘지디스플레이 주식회사 filed Critical 엘지디스플레이 주식회사
Priority to KR1020160144575A priority Critical patent/KR102687091B1/ko
Priority claimed from KR1020160144575A external-priority patent/KR102687091B1/ko
Priority to US15/700,610 priority patent/US11050034B2/en
Priority to EP17198262.2A priority patent/EP3316325B1/en
Priority to CN201711027435.5A priority patent/CN108023024B/zh
Priority to TW106137795A priority patent/TWI670865B/zh
Publication of KR20180047820A publication Critical patent/KR20180047820A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102687091B1 publication Critical patent/KR102687091B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
    • H05B33/14—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of the electroluminescent material, or by the simultaneous addition of the electroluminescent material in or onto the light source
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • H10K50/115—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers comprising active inorganic nanostructures, e.g. luminescent quantum dots
    • H01L51/502—
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/0001—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings specially adapted for lighting devices or systems
    • G02B6/0011—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings specially adapted for lighting devices or systems the light guides being planar or of plate-like form
    • G02B6/0013—Means for improving the coupling-in of light from the light source into the light guide
    • G02B6/0023—Means for improving the coupling-in of light from the light source into the light guide provided by one optical element, or plurality thereof, placed between the light guide and the light source, or around the light source
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/1336—Illuminating devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02518—Deposited layers
    • H01L21/02587—Structure
    • H01L21/0259—Microstructure
    • H01L21/02603—Nanowires
    • H01L27/3262—
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/04—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a quantum effect structure or superlattice, e.g. tunnel junction
    • H01L33/06—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a quantum effect structure or superlattice, e.g. tunnel junction within the light emitting region, e.g. quantum confinement structure or tunnel barrier
    • H01L51/0004—
    • H01L51/5056—
    • H01L51/5072—
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
    • H10K30/30—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation comprising bulk heterojunctions, e.g. interpenetrating networks of donor and acceptor material domains
    • H10K30/35—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation comprising bulk heterojunctions, e.g. interpenetrating networks of donor and acceptor material domains comprising inorganic nanostructures, e.g. CdSe nanoparticles
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
    • H10K30/30—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation comprising bulk heterojunctions, e.g. interpenetrating networks of donor and acceptor material domains
    • H10K30/35—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation comprising bulk heterojunctions, e.g. interpenetrating networks of donor and acceptor material domains comprising inorganic nanostructures, e.g. CdSe nanoparticles
    • H10K30/352—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation comprising bulk heterojunctions, e.g. interpenetrating networks of donor and acceptor material domains comprising inorganic nanostructures, e.g. CdSe nanoparticles the inorganic nanostructures being nanotubes or nanowires, e.g. CdTe nanotubes in P3HT polymer
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/14—Carrier transporting layers
    • H10K50/15—Hole transporting layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/14—Carrier transporting layers
    • H10K50/16—Electron transporting layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
    • H10K59/1213—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements the pixel elements being TFTs
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10—Deposition of organic active material
    • H10K71/12—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating
    • H10K71/13—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating using printing techniques, e.g. ink-jet printing or screen printing
    • H01L2251/552—
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2101/00—Properties of the organic materials covered by group H10K85/00
    • H10K2101/30—Highest occupied molecular orbital [HOMO], lowest unoccupied molecular orbital [LUMO] or Fermi energy values
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/549—Organic PV cells

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

본 발명은 반도체 막대가 양자점 발광물질층 내에 위치하는 양자점 발광다이오드 및 양자점 발광표시장치를 제공한다.
상기 반도체 막대에 의해 정공 수송 특성이 향상되며, 이에 따라 양자점 발광다이오드 및 양자점 발광표시장치의 발광 효율이 향상된다.

Description

양자점 발광다이오드 및 이를 포함하는 양자점 발광표시장치{Quantum dot emitting diode and Quantum dot display device including the same}
본 발명은 양자점(Quantum dot, QD) 발광다이오드에 관한 것으로, 특히 양자점 발광물질층이 반도체 막대를 포함하여 양자점으로의 정공수송 특성이 향상되는 양자점 발광다이오드 및 이를 포함하는 양자점 발광표시장치에 관한 것이다.
사회가 본격적인 정보화 시대로 접어듦에 따라 대량의 정보를 처리 및 표시하는 디스플레이(display) 분야가 급속도로 발전해 왔고, 이에 부응하여 액정표시장치(Liquid Crystal Display device: LCD), 플라즈마표시장치(Plasma Display Panel device: PDP), 전계방출표시장치(Field Emission Display device: FED), 유기발광다이오드표시장치(organic light emitting diode display device: OELD) 등과 같은 다양한 평판표시장치가 개발되어 각광받고 있다.
한편, 최근에는 양자점(quantum dot)을 표시장치에 이용하고자 하는 연구가 진행되고 있다.
양자점은 불안정한 상태의 전자가 전도대(conduction band)에서 가전자대(valence band)로 내려오면서 발광한다. 양자점은 흡광계수(extinction coefficient)가 매우 크고 양자효율(quantum yield)도 우수하므로 강한 형광을 발생시킨다. 또한, 양자점의 크기에 따라 발광 파장이 변경되므로, 양자점의 크기를 조절하면 가시광선 전 영역대의 빛을 얻을 수 있다.
도 1은 종래 양자점 발광다이오드의 개략적인 단면도이다.
도 1에 도시된 바와 같이, 양자점 발광다이오드(10)는 제 1 전극(20), 상기 제 1 전극(20)과 마주하는 제 2 전극(80), 상기 제 1 및 제 2 전극(20, 80) 사이에 위치하는 양자점 발광물질층(50, EML), 상기 제 1 전극(20)과 상기 양자점 발광물질층(50) 사이에 순차 적층된 정공주입층(30, HIL) 및 정공수송층(40, HTL), 상기 양자점 발광물질층(50, EML)과 상기 제 2 전극(80) 사이에 순차 적층된 전자수송층(60, ETL) 및 전자주입층(70, EIL)을 포함한다.
예를 들어, 상기 제 1 전극(20)은 양극(anode)이고, 상기 제 2 전극(80)은 음극(cathode)일 수 있다.
또한, 상기 양자점 발광물질층(50)은 다수의 양자점(quantum dot, QD)을 포함한다.
이와 같은 양자점 발광다이오드(10)에서는, 상기 제 1 전극(20)으로부터의 정공이 상기 정공주입층(30) 및 상기 정공수송층(40)을 통해 상기 양자점 발광물질층(50)으로 수송되고 상기 제 2 전극(80)으로부터의 정공이 상기 전자주입층(60) 및 상기 전자수송층(70)을 통해 상기 양자점 발광물질층(50)으로 수송된다.
양자점은 양자효율(quantum yield)이 높기 때문에, 양자점 발광다이오드(10)의 발광효율 역시 높을 것으로 예측된다. 그러나, 종래 양자점 발광다이오드(10)은 원하는 발광효율을 갖지 못한다.
본 발명은, 양자점 발광다이오드의 낮은 발광효율 문제를 해결하고자 한다.
위와 같은 과제의 해결을 위해, 본 발명은, 양자점 발광물질층 내에 위치하는 반도체 막대를 포함하는 양자점 발광다이오드와 양자점 발광표시장치를 제공한다.
또한, 양자점 발광다이오드와 양자점 발광표시장치에서, 반도체 막대의 일단은 정공수송층과 접촉하며 전자수송층과 이격된다.
또한, 양자점 발광다이오드와 양자점 발광표시장치에서, 반도체 막대의 전도대 레벨은 정공수송층의 HOMO 레벨보다 작고 양자점 발광물질층의 전도대 레벨보다 크다.
또한, 양자점 발광다이오드와 양자점 발광표시장치에서, 반도체 막대는 CdSe, CdS, ZnSe, AlAs, Gap, SiC 중 적어도 어느 하나로 이루어진다.
본 발명의 양자점 발광다이오드는, 양자점 발광물질층에 위치하는 반도체 막대를 포함하며, 상기 반도체 막대에 의해 정공수송층으로부터 상기 양자점 발광물질층으로의 정공 수송 특성이 향상된다.
특히, 상기 반도체 막대가 정공 채널 역할을 하여, 상기 양자점 발광물질층에서의 양자점의 위치에 관계 없이 정공이 양자점으로 효율적으로 수송된다.
따라서, 양자점 발광다이오드와 이를 포함하는 양자점 발광표시장치의 발광 효율이 향상된다.
도 1은 종래 양자점 발광다이오드의 개략적인 단면도이다.
도 2는 종래 양자점 발광다이오드에서의 에너지 다이아그램을 보여주는 개략적인 도면이다.
도 3은 본 발명에 따른 양자점 발광표시장치의 개략적인 회로도이다.
도 4는 본 발명에 따른 양자점 발광표시장치의 개략적인 단면도이다.
도 5는 본 발명에 따른 양자점 발광다이오드의 개략적인 단면도이다.
도 6은 본 발명에 따른 양자점 발광다이오드에서의 에너지 다이아그램을 보여주는 개략적인 도면이다.
도 7a 내지 도 7d는 반도체 막대의 형상을 보여주는 개략적인 도면이다.
도 8a 내지 도 8c는 본 발명에 따른 양자점 발광다이오드에서의 발광 특성을 보여주는 그래프이다.
종래 양자점 발광다이오드에서는, 정공수송층과 양자점 발광물질층 간의 에너지 레벨 차이로 인해 정공 수송 특성이 저하된다.
즉, 종래 양자점 발광다이오드에서의 에너지 다이아그램을 보여주는 개략적인 도면인 도 2를 참조하면, 양자점 발광물질층(EML)과 전자수송층(ETL)의 에너지 레벨 차이(ΔL)는 작기 때문에 전자(e-)는 상기 전자수송층(ETL)으로부터 상기 양자점 발광물질층(EML)으로 쉽게 수송된다.
그러나, 양자점 발광물질층(EML)과 정공수송층(HTL)의 에너지 레벨 차이(ΔH)가 크기 때문에 정공(h+)은 상기 정공수송층(HTL)으로부터 상기 양자점 발광물질층(EML)으로 수송되는데 한계가 있다.
또한, 양자점 표면의 리간드(ligand)가 배리어 역할을 하여 정공 수송은 더 어렵게 된다.
즉, 정공수송층(HTL)에 가까운 양자점 발광물질층(EML)의 하부영역에 위치하는 양자점에는 비교적 정공이 쉽게 수송되나, 양자점의 리간드가 배리어 역할을 하여 정공수송층(HTL)으로부터 먼 양자점 발광물질층(EML)의 상부영역에는 정공 수송이 매우 어렵게 된다.
따라서, 종래 양자점 발광다이오드에서는 전하 균형이 무너지고 발광 효율이 저하된다.
이와 같은 문제의 해결을 위해, 본 발명은, 서로 마주하는 제 1 전극 및 제 2 전극과, 상기 제 1 및 제 2 전극 사이에 위치하는 양자점 발광물질층과, 상기 양자점 발광물질층 내에 위치하는 반도체 막대를 포함하는 양자점 발광다이오드를 제공한다.
본 발명의 양자점 발광다이오드는, 상기 제 1 전극과 상기 양자점 발광물질층 사이에 위치하는 정공수송층을 더 포함하고, 상기 반도체 막대의 일단은 상기 정공수송층과 접촉한다.
본 발명의 양자점 발광다이오드에 있어서, 상기 반도체 막대의 전도대 레벨은 상기 정공수송층의 HOMO 레벨보다 작고 상기 양자점 발광물질층의 전도대 레벨보다 크다.
본 발명의 양자점 발광다이오드에 있어서, 상기 반도체 막대의 상기 일단은 분기되어 적어도 두개의 정공 이동 경로를 갖는다.
본 발명의 양자점 발광다이오드에 있어서, 상기 양자점 발광물질층과 상기 제 2 전극 사이에 위치하는 전자수송층을 더 포함하고, 상기 반도체 막대의 타단은 상기 전자수송층과 이격된다.
본 발명의 양자점 발광다이오드에 있어서, 상기 반도체 막대의 상기 타단은 분기되어 적어도 두개의 정공 이동 경로를 갖는다.
본 발명의 양자점 발광다이오드에 있어서, 상기 반도체 막대는 상기 양자점 발광물질층의 표면에 기울어져 배치된다.
본 발명의 양자점 발광다이오드에 있어서, 상기 양자점 발광물질층의 하부면으로부터, 상기 양자점 발광물질층의 상부면은 제 1 높이를 갖고 상기 반도체 막대는 상기 제 1 높이보다 작은 제 2 높이를 갖는다.
본 발명의 양자점 발광다이오드에 있어서, 상기 반도체 막대는 CdSe, CdS, ZnSe, AlAs, Gap, SiC 중 적어도 어느 하나로 이루어진다.
본 발명의 양자점 발광다이오드에 있어서, 상기 반도체 막대는 2보다 큰 종횡비를 갖는다.
본 발명의 양자점 발광다이오드에 있어서, 상기 반도체 막대는 그 표면에 다수의 돌출 패턴이 형성된다.
다른 관점에서, 본 발명은, 기판과, 상기 기판 상부에 위치하는 전술한 양자점 발광다이오드와, 상기 기판과 상기 양자점 발광다이오드 사이에 위치하고 상기 양자점 발광다이오드에 연결되는 박막트랜지스터를 포함하는 양자점 발광표시장치를 제공한다.
이하, 본 발명에 따른 바람직한 실시예를 도면을 참조하여 설명한다.
도 3은 본 발명에 따른 양자점 발광표시장치의 개략적인 회로도이다.
도 3에 도시한 바와 같이, 양자점 발광표시장치에는, 서로 교차하여 화소영역(P)을 정의하는 게이트 배선(GL), 데이터 배선(DL) 및 파워 배선(PL)이 형성되고, 상기 화소영역(P)에는, 스위칭 박막트랜지스터(Ts), 구동 박막트랜지스터(Td), 스토리지 커패시터(Cst), 양자점 발광다이오드(D)가 형성된다.
상기 스위칭 박막트랜지스터(Ts)는 상기 게이트 배선(GL) 및 상기 데이터 배선(DL)에 연결되고, 상기 구동 박막트랜지스터(Td) 및 상기 스토리지 커패시터(Cst)는 상기 스위칭 박막트랜지스터(Ts)와 상기 파워 배선(PL) 사이에 연결된다. 상기 양자점 발광다이오드(D)는 상기 구동 박막트랜지스터(Td)에 연결된다.
이러한 양자점 발광표시장치에서는, 상기 게이트 배선(GL)에 인가된 게이트 신호에 따라 상기 스위칭 박막트랜지스터(Ts)가 턴-온(turn-on) 되면, 상기 데이터 배선(DL)에 인가된 데이터 신호가 상기 스위칭 박막트랜지스터(Ts)를 통해 상기 구동 박막트랜지스터(Td)의 게이트 전극과 상기 스토리지 커패시터(Cst)의 일 전극에 인가된다.
상기 구동 박막트랜지스터(Td)는 게이트 전극에 인가된 데이터 신호에 따라 턴-온 되며, 그 결과 데이터 신호에 비례하는 전류가 상기 파워 배선(PL)으로부터 상기 구동 박막트랜지스터(Td)를 통하여 상기 양자점 발광다이오드(D)로 흐르게 되고, 상기 양자점 발광다이오드(D)는 구동 박막트랜지스터(Td)를 통하여 흐르는 전류에 비례하는 휘도로 발광한다.
이때, 상기 스토리지 커패시터(Cst)에는 데이터신호에 비례하는 전압으로 충전되어, 일 프레임(frame) 동안 상기 구동 박막트랜지스터(Td)의 상기 게이트 전극의 전압이 일정하게 유지되도록 한다.
따라서, 양자점 발광표시장치는 원하는 영상을 표시할 수 있다.
도 4는 본 발명에 따른 양자점 발광표시장치의 개략적인 단면도이다.
도 4에 도시된 바와 같이, 양자점 발광표시장치(100)는 기판(150)과, 기판 상에 위치하는 박막트랜지스터(Td)와, 상기 박막트랜지스터(Td)에 연결되는 양자점 발광다이오드(D)를 포함한다.
상기 기판(150)은 유리 기판이나 폴리이미드와 같은 플라스틱 기판일 수 있다.
도시하지 않았으나, 상기 기판(150) 상에는 산화 실리콘 또는 질화 실리콘과 같은 무기절연물질로 이루어지는 버퍼층이 형성될 수 있다.
상기 박막트랜지스터(Td)는 상기 스위칭 박막트랜지스터에 연결되며, 반도체층(152)과, 게이트 전극(160)과, 소스 전극(170)과 드레인 전극(172)을 포함한다.
상기 반도체층(152)은 상기 플렉서블 기판(150) 상에 형성되며, 산화물 반도체 물질로 이루어지거나 다결정 실리콘으로 이루어질 수 있다.
상기 반도체층(152)은 산화물 반도체 물질로 이루어질 경우 상기 반도체층(152) 하부에는 차광패턴(도시하지 않음) 이 형성될 수 있으며, 차광패턴은 상기 반도체층(152)으로 빛이 입사되는 것을 방지하여 상기 반도체층(152)이 빛에 의해 열화되는 것을 방지한다. 이와 달리, 상기 반도체층(152)은 다결정 실리콘으로 이루어질 수도 있으며, 이 경우 상기 반도체층(152)의 양 가장자리에 불순물이 도핑되어 있을 수 있다.
상기 반도체층(152) 상부에는 절연물질로 이루어진 게이트 절연막(154)이 상기 기판(150) 전면에 형성된다. 상기 게이트 절연막(154)은 산화 실리콘 또는 질화 실리콘과 같은 무기절연물질로 이루어질 수 있다.
상기 게이트 절연막(154) 상부에는 금속과 같은 도전성 물질로 이루어진 게이트 전극(160)이 상기 반도체층(152)의 중앙에 대응하여 형성된다. 상기 게이트 전극(160)은 스위칭 박막트랜지스터에 연결된다.
상기 게이트 절연막(154)이 상기 기판(150) 전면에 형성되어 있으나, 상기 게이트 절연막(154)은 상기 게이트 전극(160)과 동일한 모양으로 패터닝될 수도 있다.
상기 게이트 전극(160) 상부에는 절연물질로 이루어진 층간 절연막(162)이 상기 기판(150) 전면에 형성된다. 상기 층간 절연막(162)은 산화 실리콘이나 질화 실리콘과 같은 무기 절연물질로 형성되거나, 벤조사이클로부텐(benzocyclobutene)이나 포토 아크릴(photo-acryl)과 같은 유기 절연물질로 형성될 수 있다.
상기 층간 절연막(162)은 상기 반도체층(152)의 양측을 노출하는 제 1 및 제 2 콘택홀(164, 166)을 갖는다. 상기 제 1 및 제 2 콘택홀(164, 166)은 상기 게이트 전극(160)의 양측에 상기 게이트 전극(160)과 이격되어 위치한다.
여기서, 상기 제 1 및 제 2 콘택홀(164, 166)은 상기 게이트 절연막(154) 내에도 형성된다. 이와 달리, 상기 게이트 절연막(154)이 상기 게이트 전극(160)과 동일한 모양으로 패터닝될 경우, 상기 제 1 및 제 2 콘택홀(164, 166)은 상기 층간 절연막(162) 내에만 형성될 수도 있다.
상기 층간 절연막(162) 상에는 금속과 같은 도전성 물질로 이루어지는 소스 전극(170)과 드레인 전극(172)이 형성된다.
상기 드레인 전극(172)과 상기 소스 전극(170)은 상기 게이트 전극(160)을 중심으로 이격되어 위치하며, 각각 상기 제 1 및 제 2 콘택홀(164, 166)을 통해 상기 반도체층(152)의 양측과 접촉한다. 상기 소스 전극(170)은 상기 파워 배선(도 3의 PL)에 연결된다.
상기 반도체층(152)과, 상기 게이트 전극(160), 상기 소스 전극(170), 상기 드레인 전극(172)을 포함하는 박막트랜지스터(Td)는 구동소자 역할을 한다.
상기 박막트랜지스터(Td)는 상기 반도체층(152)의 상부에 상기 게이트 전극(160), 상기 소스 전극(170) 및 상기 드레인 전극(172)이 위치하는 코플라나(coplanar) 구조를 가진다.
이와 달리, 박막트랜지스터(Td)는 반도체층의 하부에 게이트 전극이 위치하고 반도체층의 상부에 소스 전극과 드레인 전극이 위치하는 역 스태거드(inverted staggered) 구조를 가질 수 있다. 이 경우, 반도체층은 비정질 실리콘으로 이루어질 수 있다.
한편, 상기 스위칭 박막트랜지스터(미도시)는 상기 박막트랜지스터(Td)와 실질적으로 동일한 구조를 가질 수 있다.
상기 박막트랜지스터(Td)의 상기 드레인 전극(172)을 노출하는 드레인 콘택홀(176)을 갖는 보호층(174)이 상기 트랜지스터(Td)를 덮으며 형성된다.
상기 보호층(174) 상에는 상기 드레인 콘택홀(176)을 통해 상기 박막트랜지스터(Td)의 상기 드레인 전극(172)에 연결되는 제 1 전극(110)이 각 화소 영역 별로 분리되어 형성된다.
상기 제 1 전극(110)은 애노드(anode)일 수 있으며, 일함수 값이 비교적 큰 도전성 물질로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 전극(110)은 인듐-틴-옥사이드(indium-tin-oxide, ITO) 또는 인듐-징크-옥사이드(indium-zinc-oxide, IZO)와 같은 투명 도전성 물질로 이루어질 수 있다.
한편, 본 발명의 양자점 발광표시장치(100)가 상부 발광 방식(top-emission type)인 경우, 상기 제 1 전극(110) 하부에는 반사전극 또는 반사층이 더욱 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 반사전극 또는 상기 반사층은 알루미늄-팔라듐-구리(aluminum-palladium-copper: APC) 합금으로 이루어질 수 있다.
또한, 상기 보호층(174) 상에는 상기 제 1 전극(110)의 가장자리를 덮는 뱅크층(115)이 형성된다. 상기 뱅크층(115)은 상기 화소영역에 대응하여 상기 제 1 전극(110)의 중심을 노출시킨다.
상기 제 1 전극(110) 상에는 발광층(130)이 형성된다. 상기 발광층(130)의 구체적 구조에 대하여는 후술한다.
상기 발광층(130)이 형성된 상기 기판(150) 상부로 제 2 전극(140)이 형성된다. 상기 제 2 전극(140)은 표시영역 전면을 덮으며 일함수 값이 비교적 작은 도전성 물질로 이루어져 캐소드(cathode)로 이용될 수 있다. 예를 들어, 상기 제 2 전극(140)은 알루미늄(Al), 마그네슘(Mg), 알루미늄-마그네슘 합금(AlMg) 중 어느 하나로 이루어질 수 있다.
상기 제 1 전극(110), 상기 발광층(130) 및 상기 제 2 전극(140)는 양자점 발광다이오드(D)를 이룬다.
본 발명의 양자점 발광다이오드(D)는 발광층(130) 내 양자점 발광물질층이 반도체 막대를 포함하여 정공 수소 특성이 향상되며, 양자점 발광다이오드(D) 및 양자점 발광표시장치(100)의 발광 효율이 향상된다.
도 5는 본 발명에 따른 양자점 발광다이오드의 개략적인 단면도이다.
도 5에 도시된 바와 같이, 본 발명의 양자점 발광다이오드(D)는 제 1 전극(110)과, 상기 제 1 전극(110)과 마주하는 제 2 전극(140)과, 상기 제 1 및 제 2 전극(110, 140) 사이에 위치하는 양자점 발광물질층(EML, 230)과, 상기 양자점 발광물질층(230) 내에 위치하는 반도체 막대(240)를 포함한다. 상기 반도체 막대(240)는 상기 양자점 발광물질층(230)의 표면(하부면 또는 상부면)과 기울어져 배열된다. 즉, 상기 반도체 막대(240)는 상기 양자점 발광물질층(230)의 표면과 평행하거나 수직하게 배열되지 않는다.
상기 제 1 전극(110)은 양극일 수 있고, 상기 제 2 전극(140)은 음극일 수 있다.
상기 양자점 발광물질층(230)은 다수의 양자점(232)를 포함한다. 상기 양자점(232)은 반도체 물질로 이루어진다.
상기 양자점(232)은 중심에 빛을 내는 코어(core)와, 상기 코어를 감싸는 쉘을 포함하고, 쉘의 표면에는 용매에 분산을 위한 리간드(ligand)가 결합될 수 있다. 상기 코어와 쉘은 서로 다른 에너지 밴드갭을 갖는다.
상기 양자점(232)은 2-6족 또는 3-5족의 나노 반도체 화합물을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 나노 반도체 화합물은 CdSe, CdS, CdTe, ZnSe, ZnTe, ZnS, HgTe, InAs, InP 및 GaAs 중 어느 하나일 수 있다.
또한, 양자점 발광다이오드(D)는 상기 양자점 발광물질층(230)과 상기 제 1 전극(110) 사이에 위치하는 정공수송층(HTL, 220)을 더 포함한다. 상기 반도체 막대(240)의 일단은 상기 정공수송층(220)과 접촉하고, 상기 반도체 막대(240)의 타단은 상기 양자점 발광물질층(230) 내에 위치한다.
다시 말해, 상기 양자점 발광물질층(230)의 하부면으로부터, 상기 양자점 발광물질층(230)의 상부면은 제 1 높이(H1)를 갖고 상기 반도체 막대(240)는 상기 제 1 높이(H1)보다 작은 제 2 높이(H2)를 갖는다.
상기 정공수송층(220)의 정공은 상기 양자점 발광물질층(230)에 직접 수송되거나 상기 반도체 막대(240)를 통해 수송된다. 즉, 상기 반도체 막대(240)는 그 일단이 상기 정공수송층(220)과 접촉하여 정공이동경로(hole path) 역할을 하여 상기 양자점 발광물질층(230)의 중간 영역과 상부 영역에 정공이 원활하게 수송된다.
상기 반도체 막대(240)는 상기 정공수송층의 HOMO 레벨보다 작고 상기 양자점 발광물질층의 전도대(또는 HOMO) 레벨보다 큰 전도대(conduction band) 레벨을 갖는다. 예를 들어, 상기 반도체 막대(240)는 CdSe, CdS, ZnSe, AlAs, Gap, SiC 중 적어도 어느 하나로 이루어질 수 있고, 이들의 전도대 레벨을 아래 표1에 기재하였다.
[표1]
Figure pat00001
표1에서와 같이, 반도체 막대(240)는 약 -6.5~-5.0eV를 갖는다.
이에 따라, 상기 정공수송층(220)과 상기 양자점 발광물질층(230) 간 에너지 배리어가 감소하고, 상기 양자점 발광물질층(230)으로의 정공수송(또는 정공주입)이 원활히 이루어진다.
도 7은 본 발명에 따른 양자점 발광다이오드에서의 에너지 다이아그램을 보여주는 개략적인 도면이다.
도 7에 도시된 바와 같이, 상기 반도체 막대(240)는 상기 정공수송층(HTL)의 HOMO 레벨보다 작고 상기 양자점 발광물질층(EML)의 전도대(conduction band) 레벨보다 큰 전도대 레벨을 가지며, 정공(h+)은 상기 정공수송층(HTL)과 상기 반도체 막대(240)의 작은 에너지 차이(ΔH1) 및 상기 반도체 막대(240)와 상기 양자점 발광물질층(EML)의 작은 에너지 차이(ΔH2)를 통해 상기 양자점 발광물질층(EML)로 이동하므로, 정공의 이동도가 향상된다.
한편, 상기 반도체 막대(240)는 상기 전자주입층(ETL)으로부터 상기 양자점 발광물질층(EML)으로의 전자(e-) 이동을 방해하지 않는다.
따라서, 본 발명의 양자점 발광다이오드(D)에서는 전하 균형(charge balance)이 향상되어 발광효율이 증가한다.
다시 도 5를 참조하면, 상기 반도체 막대(240)는 단축과 장축을 갖는, 즉 종횡비(aspect ratio)가 1보다 큰 형상을 갖는다. 바람직하게, 상기 반도체 막대(240)의 종횡비는 2보다 클 수 있다. 예를 들어, 상기 반도체 막대(240)의 종횡비는 2~10일 수 있다.
만약, 반도체 막대(240)의 종횡비가 작으면 반도체 막대(240)에 의해 덮여지는 정공수송층(220)의 면적이 증가하는 반면, 그 끝이 상기 양자점 발광물질층(230)의 중앙에 위치하게 되어 양자점 발광물질층(230)의 상부영역에 위치하는 양자점(232)으로의 정공 수송에 한계가 발생한다.
양자점 발광다이오드(D)는 상기 양자점 발광물질층(230)과 상기 제 2 전극(140) 사이에 위치하는 전자수송층(HTL, 250)을 더 포함할 수 있다. 이때, 상기 반도체 막대(240)은 상기 전자수송층(250)과 이격하는 것이 바람직하다.
즉, 상기 반도체 막대(240)의 일단은 상기 정공수송층(220)과 접촉하고 타단은 상기 전자수송층(250)과 이격한다.
상기 반도체 막대(240)가 상기 전자수송층(250)과 접촉하는 경우, 상기 정공수송층(220)으로부터의 정공이 상기 전자수송층(250)으로 직접 수송되어 발광에 참여하지 못할 수 있다. 따라서, 상기 반도체 막대(240)가 상기 전자수송층(250)과 이격함으로써, 양자점 발광다이오드(D)의 발광 효율이 더 향상된다.
도 7a 내지 도 7d는 반도체 막대의 형상을 보여주는 개략적인 도면이다.
도 7a에 도시된 바와 같이, 반도체 막대(240)는 장축과 단축을 갖는 원기둥 형상을 갖는다. 이때, 원 형상의 일단은 상기 정공수송층(도 5의 220)과 접촉하고 원 형상의 타단은 상기 전자수송층(도 5의 250)과 이격할 수 있다.
이와 달리, 그 단면이 사각 형상을 가져 반도체 막대(240)는 사각기둥 형상일 수도 있다.
도 7b에 도시된 바와 같이, 반도체 막대(240)의 표면에는 돌출패턴이 형성될 수 있다. 이에 따라, 양자점 발광물질층(도 5의 230)의 중간 영역에 위치하는 양자점(도 5의 232)으로 정공 수송이 원활히 이루어진다.
도 7c에 도시된 바와 같이, 반도체 막대(240)는 판(plate) 형상일 수도 있다.
한편, 도 7d에 도시된 바와 같이, 반도체 막대(240)는 일단이 분기되어 적어도 두개의 정공 이동 경로를 형성한다. 즉, 반도체 막대(240)는 분기된 끝단(244)를 가지며, 상기 분기된 끝단(244)은 상기 정공수송층(도 5의 220)과 접촉하여 상기 정공수송층(도 5의 220)으로부터 상기 반도체 막대(도 5의 240)로의 정공이동이 향상될 수 있다. 이와 달리, 상기 분기된 끝단(244)은 상기 양자점 발광물질층(도 5의 230) 내에 위치하여 양자점 발광물질층(도 5의 230)으로의 정공수송이 향상될 수도 있다.
본 발명에서 "막대"는 단축과 장축을 갖는 경우 그 형상에 제한이 없다. 이 경우, 막대의 장축 방향이 상기 정공수송층(220)의 표면과 기울어져 막대의 일 단축 방향 끝이 상기 양자점 발광물질층(도 5의 230) 내에 위치하면 된다.
다시 도 5를 참조하면, 상기 양자점 발광다이오드(D)는 상기 제 1 전극(110)과 상기 정공수송층(220) 사이에 위치하는 정공주입층(HIL, 210)과, 상기 제 2 전극(140)과 상기 전자수송층(250) 사이에 위치하는 전자주입층(EIL, 260)을 더 포함할 수 있다.
이때, 상기 정공주입층(210), 정공수송층(220), 양자점 발광물질층(230), 반도체막대(240), 전자수송층(250), 전자주입층(260)은 발광층(도 4의 130)을 이룬다.
예를 들어, 상기 정공주입층(210)은 poly(3,4-ethylenedioxythiophene) polystyrene sulfonate (PEDOT:PSS)로 이루어질 수 있고, 상기 정공수송층(220)은 N,N'-diphenyl-N,N'-bis(3-methylphenyl)-1,1'biphenyl-4,4'diamine (TPD), poly(9-vinylcarbazole) (PVK), 4,4'-N, N'-dicarbazole-biphenyl (CBP), N,N'-bis(naphthalene-1-yl) -N,N'-bis(phenyl)benzidine (α-NPD), 또는 4,4',4''-tris(N-carbazolyl)-triphenylamine (TCTA)로 이루어질 수 있다.
또한, 상기 전자수송층(250)은 2,2',2''-(1,3,5-benzinetriyl)-tris(1-phenyl-1-H-benzimidazole) (TPBi), 또는 3-(4-biphenylyl)-4-phenyl-5-t-butylphenyl-1,2,4-triazole (TAZ)로 이루어질 수 있고, 상기 전자주입층(260)은 LiF로 이루어질 수 있다.
그러나, 정공주입층(210), 정공수송층(220), 전자수송층(250), 전자주입층(260) 물질에 제한은 없다.
[양자점 발광다이오드]
제 1 전극(ITO), 정공주입층(PEDOT:PSS), 정공수송층(p-TPD/PVK), 반도체 막대(CdSe), 양자점 발광층(InP, Red), 전자수송층(TPBi), 전자주입층(LiF), 제 2 전극(Al)이 적층된 양자점 발광다이오드를 제작하였다.
그 발광 특성을 측정하여 아래 표2에 기재하였고, 도 8a 내지 도 8c에 도시하였다.
[표2]
Figure pat00002
표2, 도 8a 내지 도 8c에서 보여지는 바와 같이, 반도체 막대를 포함하지 않는 비교예(Ref)와 비교할 때, 반도체 막대를 포함하는 본 발명의 양자점 발광다이오드(Ex)에서 발광 특성이 크게 향상되었다. 또한, 도 8a에서 보여지는 바와 같이, 반도체 막대는 발광에 참여하지 않는다.
전술한 바와 같이, 본 발명의 양자점 발광다이오드(D)는 양자점 발광물질층(230) 내에 위치하며 정공 수송(이동) 경로 역할을 하는 반도체 막대(240)를 포함하며, 이에 의해 양자점 발광다이오드(D)에서의 전하 균형이 향상된다.
또한, 반도체 막대(240)는 일단이 정공수송층(220)과 접촉하고 타단이 전자수송층(250)과 이격되도록 양자점 발광물질층(230) 내에 위치함으로써, 양자점 발광물질층(230)으로의 정공 수송(이동) 특성이 더 향상된다.
따라서, 본 발명의 양자점 발광다이오드(D) 및 양자점 발광표시장치(100)의 발광 효율이 향상된다.
상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술분야의 통상의 기술자는 하기의 특허청구범위에 기재된 본 발명의 기술적 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
100: 양자점 발광표시장치 110: 제 1 전극
130: 발광층 140: 제 2 전극
220: 정공수송층 230: 양자점 발광물질층
232: 양자점 240: 반도체 막대
250: 전자수송층 D: 양자점 발광다이오드

Claims (12)

  1. 서로 마주하는 제 1 전극 및 제 2 전극과;
    상기 제 1 및 제 2 전극 사이에 위치하는 양자점 발광물질층과;
    상기 양자점 발광물질층 내에 위치하는 반도체 막대
    를 포함하는 양자점 발광다이오드.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 전극과 상기 양자점 발광물질층 사이에 위치하는 정공수송층을 더 포함하고,
    상기 반도체 막대의 일단은 상기 정공수송층과 접촉하는 양자점 발광다이오드.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 반도체 막대의 전도대 레벨은 상기 정공수송층의 HOMO 레벨보다 작고 상기 양자점 발광물질층의 전도대 레벨보다 큰 양자점 발광다이오드.
  4. 제 2 항에 있어서,
    상기 반도체 막대의 상기 일단은 분기되어 적어도 두개의 정공 이동 경로를 갖는 양자점 발광다이오드.
  5. 제 2 항에 있어서,
    상기 양자점 발광물질층과 상기 제 2 전극 사이에 위치하는 전자수송층을 더 포함하고,
    상기 반도체 막대의 타단은 상기 전자수송층과 이격되는 양자점 발광다이오드.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 반도체 막대의 상기 타단은 분기되어 적어도 두개의 정공 이동 경로를 갖는 양자점 발광다이오드.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 반도체 막대는 상기 양자점 발광물질층의 표면에 기울어져 배치되는 양자점 발광다이오드.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 양자점 발광물질층의 하부면으로부터, 상기 양자점 발광물질층의 상부면은 제 1 높이를 갖고 상기 반도체 막대는 상기 제 1 높이보다 작은 제 2 높이를 갖는 양자점 발광다이오드.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 반도체 막대는 CdSe, CdS, ZnSe, AlAs, Gap, SiC 중 적어도 어느 하나로 이루어지는 양자점 발광다이오드.
  10. 제 1 항에 있어서,
    상기 반도체 막대는 2보다 큰 종횡비를 갖는 양자점 발광다이오드.
  11. 제 1 항에 있어서,
    상기 반도체 막대는 그 표면에 다수의 돌출 패턴이 형성된 양자점 발광다이오드.
  12. 기판과;
    상기 기판 상부에 위치하는 제 1 항 내지 제 11 항 중 어느 하나의 양자점 발광다이오드와;
    상기 기판과 상기 양자점 발광다이오드 사이에 위치하고 상기 양자점 발광다이오드에 연결되는 박막트랜지스터
    를 포함하는 양자점 발광표시장치.
KR1020160144575A 2016-11-01 2016-11-01 양자점 발광다이오드 및 이를 포함하는 양자점 발광표시장치 KR102687091B1 (ko)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020160144575A KR102687091B1 (ko) 2016-11-01 양자점 발광다이오드 및 이를 포함하는 양자점 발광표시장치
US15/700,610 US11050034B2 (en) 2016-11-01 2017-09-11 Quantum dot light emitting diode and quantum dot display device including the same
EP17198262.2A EP3316325B1 (en) 2016-11-01 2017-10-25 Quantum dot light emitting diode and quantum dot display device including the same
CN201711027435.5A CN108023024B (zh) 2016-11-01 2017-10-27 量子点发光二极管和包括其的量子点显示装置
TW106137795A TWI670865B (zh) 2016-11-01 2017-11-01 量子點發光二極體和包含其的量子點顯示裝置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020160144575A KR102687091B1 (ko) 2016-11-01 양자점 발광다이오드 및 이를 포함하는 양자점 발광표시장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20180047820A true KR20180047820A (ko) 2018-05-10
KR102687091B1 KR102687091B1 (ko) 2024-07-19

Family

ID=

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20200019424A (ko) * 2018-08-14 2020-02-24 엘지디스플레이 주식회사 양자점 발광소자
KR20200041590A (ko) * 2018-10-12 2020-04-22 엘지디스플레이 주식회사 양자점 발광다이오드, 그 제조 방법 및 양자점 발광표시장치
CN113130794A (zh) * 2019-12-31 2021-07-16 Tcl集团股份有限公司 一种量子点发光二极管及其制备方法

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20200019424A (ko) * 2018-08-14 2020-02-24 엘지디스플레이 주식회사 양자점 발광소자
KR20200041590A (ko) * 2018-10-12 2020-04-22 엘지디스플레이 주식회사 양자점 발광다이오드, 그 제조 방법 및 양자점 발광표시장치
CN113130794A (zh) * 2019-12-31 2021-07-16 Tcl集团股份有限公司 一种量子点发光二极管及其制备方法
CN113130794B (zh) * 2019-12-31 2022-12-13 Tcl科技集团股份有限公司 一种量子点发光二极管及其制备方法

Also Published As

Publication number Publication date
US20180123070A1 (en) 2018-05-03
US11050034B2 (en) 2021-06-29
CN108023024B (zh) 2019-11-26
EP3316325B1 (en) 2019-06-05
TW201818565A (zh) 2018-05-16
EP3316325A1 (en) 2018-05-02
TWI670865B (zh) 2019-09-01
CN108023024A (zh) 2018-05-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102635527B1 (ko) 유기발광 표시장치
KR102641614B1 (ko) 유기발광다이오드 및 이를 포함하는 유기발광 표시장치
US11050034B2 (en) Quantum dot light emitting diode and quantum dot display device including the same
KR102410499B1 (ko) 유기발광 표시장치
US20170155070A1 (en) Organic light emitting diode display
KR20170072728A (ko) 유기발광 표시장치
KR20240023074A (ko) 유기발광 표시장치
KR20190029470A (ko) 양자점 발광다이오드 및 이를 포함하는 양자점 발광표시장치
KR20160073771A (ko) 유기발광 표시장치
US11744094B2 (en) Quantum-dot light emitting diode, method of fabricating the quantum-dot light emitting diode and quantum-dot light emitting display device
WO2022205918A1 (zh) 有机电致发光器件、显示基板和显示装置
KR20080005704A (ko) 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR20170076218A (ko) 유기발광 표시장치 및 유기발광 적층구조물
KR102595458B1 (ko) 양자점 발광다이오드 및 양자점 발광표시장치
KR102675352B1 (ko) 전계발광 표시장치
KR102687091B1 (ko) 양자점 발광다이오드 및 이를 포함하는 양자점 발광표시장치
KR20170043148A (ko) 유기 발광 소자 및 이를 포함하는 유기 발광 표시 장치
KR102690691B1 (ko) 양자점 발광다이오드 및 이를 포함하는 양자점 발광표시장치
KR102674918B1 (ko) 유기발광 표시장치
KR20180077849A (ko) 전계발광소자 및 이를 포함하는 전계발광 표시장치
US20240215278A1 (en) Display device and method of manufacturing the same
KR20210032137A (ko) 양자점 발광다이오드 및 이를 포함하는 양자점 발광표시장치
KR20210039177A (ko) 양자점 발광다이오드 및 이를 포함하는 양자점 발광표시장치
KR20110053568A (ko) 유기전계발광표시장치
KR20090031146A (ko) 유기전계발광소자

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
AMND Amendment
E601 Decision to refuse application
AMND Amendment
X701 Decision to grant (after re-examination)
GRNT Written decision to grant