KR20180046772A - Transistor for high sensitivity electronic sensor and manufacturing method thereof - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 고감도 센서제작을 위한 전기적인 신호 발생에 필요한 트랜지스터 구조에 관한 것으로서, 기판과 반도체 접합면에 존재하는 공핍층에서 확산전류가 흐르는 원리를 이용하여 센서의 기능에 따라서 요구되는 다양한 패턴 제작이 가능한 고감도 전자센서용 트랜지스터에 관한 것이다. The present invention relates to a transistor structure required for generating an electrical signal for the production of a high sensitivity sensor, and it is an object of the present invention to provide a transistor structure required for producing a high sensitivity sensor by using a principle in which a diffusion current flows in a depletion layer existing on a substrate- To a transistor for a high sensitivity electronic sensor as much as possible.
본 발명은 확산전류를 이용한 전자센서 장치 및 전자센서 장치를 제작하기 위한 방법과 관련된다. 여기서 확산전류를 이용한 전자센서 장치들은 반도체 절연막으로써 SiOC 반도체 특성을 이용한 소자와 장치들을 말한다. The present invention relates to an electronic sensor device using a diffusion current and a method for manufacturing an electronic sensor device. Here, electronic sensor devices using diffusion currents refer to devices and devices using SiOC semiconductor characteristics as semiconductor insulating films.
반도체 소자의 크기가 작아지면서 누설전류, 신호간섭 등으로 전력소비가 증가하는 등 SiO2 박막 절연물질의 한계로 인해 발생하는 현상들을 극복하고 nm 수준급의 반도체 크기에 맞는 THz 수준의 감도를 가질 수 있는 전자센서를 제작하기 위해서는 절연막이 비정질이어야 하고 누설전류가 낮아야 한다. SiO2 박막 절연물질의 한계로 인해 발생하는 누설전류는 공핍층을 만들어서 차단할 수 있는데, 이에 따라 공핍층으로부터 자연스럽게 형성되는 전위차에 의해서 공핍층 내에서 확산전류가 흐르게 된다. 따라서 고감도 전자센서의 개발에서 확산전류를 이용하는 것은 필수적이다. As the size of the semiconductor device becomes smaller, power consumption increases due to leakage current, signal interference, etc., and it is possible to overcome the phenomenon caused by the limitation of the SiO 2 thin film insulating material and to have a sensitivity of THz level In order to fabricate an electronic sensor, the insulating film must be amorphous and have low leakage current. Leakage currents due to the limitations of SiO 2 thin film insulation materials can be blocked by forming a depletion layer, which causes a diffusion current to flow in the depletion layer due to the potential difference that is naturally formed from the depletion layer. Therefore, it is essential to use diffusion current in the development of high sensitivity electronic sensors.
확산전류는 SiO2 박막 절연물질의 한계를 극복할 수 있는 절연막인 SiOC 박막이 분극성을 감소시켜 유전상수가 낮아지는 효과가 있음을 이용할 수 있다. 이를 위하여, SiOC 박막을 공핍층으로 적용하여 확산전류가 발생할 수 있도록 한다. The diffusion current can be obtained by the fact that the SiOC film, which is an insulating film that can overcome the limitations of the SiO 2 thin film insulating material, has the effect of reducing the polarization and lowering the dielectric constant. For this purpose, a diffusion current can be generated by applying a SiOC thin film as a depletion layer.
SiOC 박막 위에 소스, 드레인 및 게이트 전극을 형성하여 트랜지스터 전자소자를 설계하면, 상기 SiOC 박막에 게이트 전압에 (-)을 걸면 반대편에 소스 드레인 전극이 있는 쪽에 (+)확산전류가 흐르고, 반대로 게이트 전압에 (+)전압을 걸면 소스 드레인 전극이 있는 반대편에 (-)확산전류가 흐르는 유전체의 자발적인 분극특성을 이용하여 전류가 통하는 양방향성 전달특성의 고감도 전자센서를 제작하는데 유용하다.When a transistor electronic device is designed by forming a source, a drain, and a gate electrode on a SiOC thin film, when a negative voltage is applied to the SiOC thin film, a positive (+) diffusion current flows on the side opposite to the source and drain electrodes, (-) diffusion current is applied to the opposite side of the source and drain electrodes when the (+) voltage is applied to the high-sensitivity electronic sensor.
일반적으로 센서의 감도를 높이기 위해서는 미세전류감지 센서가 필요하며, THz 수준의 센서 제작에 필요한 전기신호 발생기로서 트랜지스터의 크기가 nm 수준으로 제작되어야 한다. 그러나 트랜지스터의 이동도와 문턱전압이동의 문제는 채널을 구성하는 물질의 특성에 의존하기 때문에 채널을 사용하게 되면 트랜지스터의 이동도와 문턱전압이동의 문제를 근본적으로 해결할 수 없다. Generally, to increase the sensitivity of the sensor, a micro current sensor is required. The transistor size should be set to nm level as an electric signal generator necessary for manufacturing a THz-level sensor. However, since the problem of transistor mobility and threshold voltage transfer depends on the characteristics of the material constituting the channel, the use of a channel can not fundamentally solve the problem of transistor mobility and threshold voltage shift.
따라서 초소형의 고감도 센서를 제작하기 위해서는 확산전류가 흐르는 터널링 트랜지스터를 이용하는 것이 바람직한데, 확산전류는 매우 낮아서 실제 회로를 설계하고 제작하는데 한계가 있다. Therefore, it is preferable to use a tunneling transistor in which a diffusion current flows in order to fabricate a very small-sized high-sensitivity sensor. However, diffusion current is very low, which limits the design and fabrication of an actual circuit.
따라서 전술한 종래기술에 따른 문제점을 해결하기 위한 본 발명의 목적은 고감도 전자센서에 활용할 수 있도록 트랜지스터의 전류를 증가시킬 수 있는 고감도 전자센서용 트랜지스터를 제공하는데 있다.SUMMARY OF THE INVENTION Accordingly, it is an object of the present invention to provide a transistor for a high sensitivity electronic sensor capable of increasing a current of a transistor for use in a high sensitivity electronic sensor.
또한, 본 발명의 다른 목적은 확산전류 트랜지스터의 소스와 드레인 전극을 다양한 형태로 배열하여 전류를 증가시키고 감도를 높임으로써 전자센서로 활용할 수 있는 고감도 전자센서용 트랜지스터를 제공하는데 있다.It is another object of the present invention to provide a transistor for a high sensitivity electronic sensor which can be used as an electronic sensor by increasing the current and increasing the sensitivity by arranging the source and drain electrodes of the diffusion current transistor in various forms.
또한, 본 발명의 또 다른 목적은 확산전류를 이용한 트랜지스터의 구조를 미시적인 관점에서 변경함으로써, 투명하고, 높은 이동성과 안정성을 갖는 웨어러블 전자소자, 메모리, 디스플레이, 투명디스플레이, OLED, 터치패널, 전력반도체, 통신용 반도체, 투명반도체 소자에 필요한 고감도 전자센서용 트랜지스터를 제공하는데 있다.It is still another object of the present invention to provide a wearable electronic device, a memory, a display, a transparent display, an OLED, a touch panel, a power supply, and the like, which are transparent and have high mobility and stability by changing the structure of a transistor using a diffusion current from a microscopic viewpoint. A transistor for a high sensitivity electronic sensor required for a semiconductor, a communication semiconductor, and a transparent semiconductor element.
또한, 본 발명의 다른 목적은 고감도 전자센서에 필요한 전기신호 발생기가 nm 수준으로 작아짐에 따라, 확산전류가 흐르는 절연막과 접하는 전극배선을 이용하여 특수한 용도에 맞게 설계가 가능한 맞춤형 센서회로 제작에 필요한 다양한 금속전극패턴을 이용하여 전기신호를 만들어내는 고감도 전자센서용 트랜지스터를 제공하는데 있다.Another object of the present invention is to provide a customized sensor circuit that can be designed for a specific application by using an electrode wiring in contact with an insulating film through which a diffusion current flows as an electric signal generator required for a high- And to provide a transistor for a high sensitivity electronic sensor that generates an electric signal by using a metal electrode pattern.
전술한 과제를 해결하기 위한 본 발명은, 고감도 전자센서에 필요한 전기적인 신호 발생기의 낮은 전기신호를 크게 증가시키고, 특정 목적에 맞는 센서에 적합하면서 제어 가능한 전기신호 발생을 위하여 소스 및 드레인 전극의 패턴을 직렬, 병렬, 헤어콤, 나선형 등 다양한 형태로 재구성하여 전기신호를 발생하는 고감도 전자센서용 트랜지스터에 관한 것이다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above-mentioned problems and it is an object of the present invention to greatly increase a low electrical signal of an electrical signal generator required for a high sensitivity electronic sensor, To a transistor for a high-sensitivity electronic sensor which generates an electric signal by reconstructing it in various forms such as serial, parallel, hair comb, and spiral.
본 발명에 따른 고감도 전자센서용 트랜지스터는, 소스 및 드레인 전극배선을 직렬, 병렬, 헤어콤 구조로 만들어서 확산전류를 크게 증폭시키는 트랜지스터로서, 게이트 절연막으로 SiOC 박막 위에 소스 및 드레인 전극이 있고, 박막 아래에 게이트 전극이 있는 구조이며, 센서가 요구되는 특성에 따라서 전류를 증가시키거나 on/off 특성을 제어할 수 있는 것을 특징으로 한다. A transistor for a high sensitivity electronic sensor according to the present invention is a transistor for amplifying diffusion current largely by forming source and drain electrode wirings in series, parallel and hair comb structure. Source and drain electrodes are disposed on the SiOC thin film as a gate insulating film, And a gate electrode is provided on the gate electrode of the transistor, and the current can be increased or the on / off characteristic can be controlled according to the required characteristics of the sensor.
본 발명에 따른 고감도 전자센서용 트랜지스터는, 전도성이 없는 플라스틱기판 혹은 유리인 경우에는 (SiOC/ITO/기판)구조 또는 전도성이 있는 실리콘 혹은 SiC 기판인 경우에는 (SiOC/기판)구조로 게이트 절연막 위에 제작되는 소스 및 드레인 전극배선이 절연막과 접합면에서 공핍층이 형성되어 확산전류가 흐르는데 있어서, 센서의 감도를 높이기 위해서 직렬, 병렬, 헤어콤, 나선형 패턴을 포함하는 다양한 전극패턴 구조로 제작되는 것을 특징으로 한다. The transistor for a high sensitivity electronic sensor according to the present invention can be formed on a gate insulating film (SiOC / ITO / substrate) structure or a conductive Si or SiC substrate (SiOC / In order to increase the sensitivity of the sensor, a variety of electrode pattern structures including serial, parallel, hair comb, and spiral patterns are fabricated in order to form a depletion layer on the junction surface of the source and drain electrode .
본 발명에 따른 고감도 전자센서용 트랜지스터는, 게이트 절연막으로 유전상수 1.0-2.5의 SiOC 박막으로 이루어져, 상기 게이트 절연막의 내부 전위장벽으로 자연 발생하는 전위차에 의한 확산전류가 양방향성 터널링 전달특성을 나타냄으로써, 높은 이동도와 고 안정성을 갖는 고감도 전자센서로 활용이 가능하다. The transistor for a high sensitivity electronic sensor according to the present invention comprises a SiOC thin film having a dielectric constant of 1.0-2.5 as a gate insulating film and a diffusion current due to a potential difference naturally occurring in the internal potential barrier of the gate insulating film exhibits a bidirectional tunneling transfer characteristic, It can be used as a high sensitivity electronic sensor with high mobility and high stability.
따라서 전술한 과제를 해결하기 위한 본 발명에 따른 고감도 전자센서용 트랜지스터는, 기판; 상기 기판 위에 형성되는 게이트 전극; 상기 기판과 상기 게이트 전극 위에 형성되는 게이트 절연막; 상기 게이트 절연막 위에 서로 이격하여 형성되는 소스 전극부; 및 드레인 전극부;를 포함하고, 상기 소스 전극부와 드레인 전극부는, 상기 게이트 절연막 위로 상기 게이트 전극 좌우에 배치되는 소스 대표전극 및 드레인 대표전극과, 상기 소스 대표전극 및 드레인 대표전극 사이에 복수개의 소스 서브전극과 드레인 서브전극을 배열한 것을 특징으로 한다.Accordingly, in order to solve the above-described problems, a transistor for a high sensitivity electronic sensor according to the present invention comprises: a substrate; A gate electrode formed on the substrate; A gate insulating film formed on the substrate and the gate electrode; A source electrode portion formed on the gate insulating film so as to be spaced apart from each other; Wherein the source electrode portion and the drain electrode portion include a source representative electrode and a drain representative electrode disposed on the gate insulating film on the left and right of the gate electrode and a plurality of source representative electrode and drain representative electrodes disposed between the source representative electrode and the drain representative electrode, And the source sub-electrode and the drain sub-electrode are arranged.
이때, 본 발명에 따른 고감도 전자센서용 트랜지스터는, 상기 복수개의 소스 서브전극과 드레인 서브전극이 상기 소스 대표전극 및 드레인 대표전극 사이에 소스 서브전극, 드레인 서브전극이 서로 이격하여 배열되되, 복수개의 소스 서브전극과 드레인 서브전극이 번갈아가며 반복하여 직렬패턴을 형성하며 배치된 것을 특징으로 한다.In the transistor for high sensitivity electronic sensor according to the present invention, the source sub-electrode and the drain sub-electrode are arranged so as to be spaced apart from each other between the source representative electrode and the drain representative electrode, And the source sub-electrode and the drain sub-electrode are alternately arranged to form a series pattern repeatedly.
또한, 본 발명에 따른 고감도 전자센서용 트랜지스터는, 상기 복수개의 소스 서브전극이 서로 이격되어 상기 소스 대표전극에 병렬로 배열되고, 상기 복수개의 드레인 서브전극이 서로 이격되어 상기 드레인 대표전극에 병렬로 배열되며, 상기 병렬로 배열된 복수의 소스 서브전극 및 복수의 드레인 서브전극이 서로 이격하여 대칭으로 병렬패턴을 형성하며 배치된 것을 특징으로 한다.In the high sensitive electronic sensor transistor according to the present invention, the plurality of source sub electrodes are arranged in parallel to the source representative electrodes so as to be spaced apart from each other, and the plurality of drain sub electrodes are spaced apart from each other, And a plurality of source sub-electrodes and a plurality of drain sub-electrodes arranged in parallel are spaced apart from each other to form a parallel pattern in a symmetrical manner.
또한, 본 발명에 따른 고감도 전자센서용 트랜지스터는, 상기 복수개의 소스 서브전극이 서로 이격되어 상기 소스 대표전극에 병렬로 배열되고, 상기 복수개의 드레인 서브전극이 서로 이격되어 상기 드레인 대표전극에 병렬로 배열되되, 상기 병렬로 배열된 복수의 소스 서브전극 및 복수의 드레인 서브전극이 번갈아가며 반복하여 직렬패턴을 형성하도록 서로 이격된 공간에 삽입되어 헤어콤패턴을 형성하며 배치된 것을 특징으로 한다.In the high sensitive electronic sensor transistor according to the present invention, the plurality of source sub electrodes are arranged in parallel to the source representative electrodes so as to be spaced apart from each other, and the plurality of drain sub electrodes are spaced apart from each other, The plurality of source sub-electrodes and the plurality of drain sub-electrodes arranged in parallel are alternately arranged in a spaced-apart space so as to form a series pattern repeatedly to form a hair comb pattern.
또한, 본 발명에 따른 고감도 전자센서용 트랜지스터에 있어서, 상기 기판은, 규소(Si), 유리, 폴리에틸렌 테레프탈레이트(Polyethylene terephthalate), 폴리에틸렌 나프탈레이트(Polyethylene naphtalate), 폴리카보네이트(Polycarbonate), 폴리에틸렌 술폰산염(Polyethylene sulfonate), 아릴라이트(Arylite), 폴리이미드(Polyimide), 폴리노르보넨(Polynorbonene) 중 어느 하나로 이루어지는 것을 특징으로 한다.Further, in the transistor for a high sensitivity electronic sensor according to the present invention, the substrate may be at least one of silicon (Si), glass, polyethylene terephthalate, polyethylene naphtalate, polycarbonate, (Polyethylene sulfonate), Arylite, Polyimide, Polynorbonene, and the like.
또한, 본 발명에 따른 고감도 전자센서용 트랜지스터에 있어서, 상기 게이트 전극은, 알루미늄(Al), 나노와이어, 그래핀, ITO, 투명전도성 산화물(TCO)기반 투명전극, AZO, ZTO, IGZO, ZITO, SiZO, 하이브리드(복합소재) 투명전극, CNT 기반 투명전극 중 어느 하나로 이루어지는 것을 특징으로 한다.In the transistor for a high sensitivity electronic sensor according to the present invention, the gate electrode may be formed of at least one selected from the group consisting of aluminum (Al), nanowire, graphene, ITO, transparent conductive oxide (TCO) based transparent electrode, AZO, ZTO, IGZO, ZITO, SiZO, a hybrid (composite) transparent electrode, and a CNT-based transparent electrode.
또한, 본 발명에 따른 고감도 전자센서용 트랜지스터에 있어서, 상기 게이트 절연막의 허용 누설전류의 범위는 10-14 - 10-10 A이하인 것이 바람직하고, 상기 드레인 전극의 바이어스는 10-4 - 1V 범위의 전압을 인가하는 것이 바람직하며, 상기 게이트 절연막의 허용 유전상수는 0.1-2.5인 것이 바람직하다. In the transistor for a high sensitivity electronic sensor according to the present invention, it is preferable that the allowable leakage current range of the gate insulating film is 10 -14 -10 -10 A or less, and the bias of the drain electrode is 10 -4 - It is preferable to apply a voltage, and the allowable dielectric constant of the gate insulating film is preferably 0.1 to 2.5.
본 발명은 nm 수준의 회로 설계가 가능하여 THz 범위의 신호를 감지하고 전기적인 신호를 발생시키는 트랜지스터를 제공하는 효과가 있다. The present invention has the effect of providing a transistor capable of sensing a signal in the THz range and generating an electrical signal by enabling a circuit design of nm level.
또한, 본 발명은 전극패턴을 다양하게 변형함으로써 특수한 목적의 전자센서를 비롯한 고감도 센서를 제작할 수 있는 효과가 있다. In addition, the present invention can produce a high-sensitivity sensor including a specific-purpose electronic sensor by variously modifying the electrode pattern.
또한, 본 발명은 게이트 절연막 위에 소스와 드레인 신호선을 직렬형태로 배열하여 전기신호를 증폭시켜 전자센서의 감도를 높이는 효과가 있다.Further, the present invention has the effect of increasing the sensitivity of an electronic sensor by arranging source and drain signal lines in a serial form on a gate insulating film to amplify an electric signal.
또한, 본 발명은 저온에서 제조공정이 가능하며, 투명 기판을 사용하여 투명하고 플렉서블한 전자소자를 제조할 수 있는 효과가 있다. In addition, the present invention is capable of a manufacturing process at a low temperature, and has the effect of producing a transparent and flexible electronic device using a transparent substrate.
또한, 본 발명은 누설전류감소, 높은 이동도, 문턱전압 이동현상을 제어할 수 있는 안정성을 확보함으로써, 양방향성 터널링 전달특성을 갖는 안정된 인버터와 메모리소자를 제조할 수 있는 효과가 있다. In addition, the present invention has the effect of manufacturing a stable inverter and a memory device having bi-directional tunneling transfer characteristics by securing stability to control leakage current reduction, high mobility, and threshold voltage transfer phenomenon.
도 1은 본 발명의 제1실시 예에 따른 직렬패턴 확산전류 트랜지스터의 상면도,
도 2는 도 1의 제1실시 예에 따른 소스 드레인 전극패턴,
도 3은 도 1의 제1실시 예에 따른 직렬패턴 확산전류 트랜지스터의 단면도,
도 4는 본 발명의 제2실시 예에 따른 병렬패턴 확산전류 트랜지스터의 상면도,
도 5는 도 4의 제2실시 예에 따른 소스 드레인 전극패턴,
도 6은 본 발명의 제3실시 예에 따른 헤어콤패턴 확산전류 트랜지스터의 상면도,
도 7은 단일층 게이트 절연막을 사용한 양방향성 트랜지스터의 전달특성 그래프,
도 8은 본 발명의 제1실시 예에 따른 직렬패턴 확산전류 트랜지스터의 전달특성 그래프,
도 9는 도 8의 직렬패턴 확산전류 트랜지스터의 전달특성을 로그스케일로 나타낸 그래프,
도 10은 본 발명의 제2실시 예에 따른 병렬패턴 확산전류 트랜지스터의 전달특성 그래프,
도 11은 도 10의 병렬패턴 확산전류 트랜지스터의 전달특성을 로그스케일로 나타낸 그래프,
도 12는 본 발명의 제3실시 예에 따른 헤어콤패턴 확산전류 트랜지스터의 전달특성 그래프,
도 13은 도 12의 헤어콤패턴 확산전류 트랜지스터의 전달특성을 로그스케일로 나타낸 그래프.1 is a top view of a serial pattern diffusion current transistor according to a first embodiment of the present invention,
2 is a cross-sectional view illustrating a source-drain electrode pattern according to the first embodiment of FIG. 1,
FIG. 3 is a cross-sectional view of a series pattern diffusion current transistor according to the first embodiment of FIG. 1,
FIG. 4 is a top view of a parallel pattern diffusion current transistor according to a second embodiment of the present invention. FIG.
5 illustrates a source-drain electrode pattern according to the second embodiment of FIG. 4,
6 is a top view of a hair comb pattern diffusion current transistor according to a third embodiment of the present invention,
FIG. 7 is a graph showing transfer characteristics of a bidirectional transistor using a single-layer gate insulating film,
FIG. 8 is a graph showing a transfer characteristic of a serial pattern diffusion current transistor according to the first embodiment of the present invention,
9 is a graph showing a logarithmic scale of the transfer characteristics of the series pattern diffusion current transistor of FIG. 8,
10 is a graph showing transfer characteristics of the parallel pattern diffusion current transistor according to the second embodiment of the present invention,
11 is a graph showing logarithmic transmission characteristics of the parallel pattern diffusion current transistor of FIG. 10,
12 is a graph showing transfer characteristics of the hair comb pattern diffusion current transistor according to the third embodiment of the present invention,
13 is a graph showing the transfer characteristics of the hair comb pattern diffusion current transistor of FIG. 12 as a logarithmic scale.
이하에서는 본 발명에 따른 고감도 전자센서용 트랜지스터에 대한 실시 예를 도면을 참조하여 상세히 설명한다. 이하에서 설명되는 실시 예는 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위하여 제공되는 것으로, 본 발명은 이하에서 개시되는 실시 예에 한정되지 않고 다양한 형태로 구현될 수 있다. Hereinafter, embodiments of a transistor for a high sensitivity electronic sensor according to the present invention will be described in detail with reference to the drawings. It is to be understood that both the foregoing general description and the following detailed description are exemplary and explanatory and are intended to provide further explanation of the invention as claimed.
도면들 중 동일한 구성들은 가능한 한 어느 곳에서든지 동일한 부호들을 나타낸다. 하기의 설명에서 구체적인 특정 사항들이 나타나고 있는데, 이는 본 발명의 보다 전반적인 이해를 돕기 위해 제공된 것일 뿐, 본 발명을 특정한 실시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 그리고 본 발명을 설명함에 있어, 관련된 공지 기능 혹은 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명을 생략한다. BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS The same features of the Figures represent the same reference symbols wherever possible. It is to be understood that both the foregoing general description and the following detailed description are exemplary and explanatory and are intended to provide further explanation of the invention as claimed. , ≪ / RTI > equivalents, and alternatives. In the following description of the present invention, detailed description of known functions and configurations incorporated herein will be omitted when it may make the subject matter of the present invention rather unclear.
여기서, 첨부된 도면들은 기술의 구성 및 작용에 대한 설명과 이해의 편의 및 명확성을 위해 일부분을 과장하거나 간략화하여 도시한 것으로, 각 구성요소가 실제의 크기와 정확하게 일치하는 것은 아님을 밝힌다.Hereinafter, the attached drawings are exaggerated or simplified in order to facilitate understanding and clarification of the structure and operation of the technology, and it is to be understood that each component does not exactly coincide with the actual size.
어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "연결되어" 있다거나 "접속되어" 있다고 언급된 때에는, 그 다른 구성요소에 직접적으로 연결되어 있거나 또는 접속되어 있을 수도 있지만, 중간에 다른 구성요소가 존재할 수도 있다고 이해되어야 한다. 반면에, 어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "직접 연결되어" 있다거나 "직접 접속되어" 있다고 언급된 때에는, 중간에 다른 구성요소가 존재하지 않는 것으로 이해되어야 한다.It is to be understood that when an element is referred to as being "connected" or "connected" to another element, it may be directly connected or connected to the other element, . On the other hand, when an element is referred to as being "directly connected" or "directly connected" to another element, it should be understood that there are no other elements in between.
단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.The singular expressions include plural expressions unless the context clearly dictates otherwise. In the present application, the terms "comprises" or "having" and the like are used to specify that there is a feature, a number, a step, an operation, an element, a component or a combination thereof described in the specification, But do not preclude the presence or addition of one or more other features, integers, steps, operations, elements, components, or combinations thereof.
다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가지고 있다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 본 발명에서의 기능을 고려하여 정의된 것으로서, 이는 본 발명의 기술적 사상에 부합되는 개념과 당해 기술분야에서 통용 또는 통상적으로 인식되는 의미로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.Unless defined otherwise, all terms used herein, including technical or scientific terms, have the same meaning as commonly understood by one of ordinary skill in the art to which this invention belongs. It is to be understood that the same terms as those defined in the commonly used terms are defined in consideration of the functions of the present invention and are to be construed in accordance with the technical idea of the present invention and the meaning commonly understood or commonly recognized in the technical field And is not to be construed as an ideal or overly formal sense unless expressly defined to the contrary.
본 발명은 고감도 센서제작을 위한 전기신호 발생에 필요한 트랜지스터 구조에 관한 것으로서 채널층이 없는 트랜지스터의 매우 낮은 전류값으로 인해 실용화가 어려운 점을 극복하기 위하여 소스 드레인 금속전극의 구조 및 제조방법과 관련된 것이다. The present invention relates to a transistor structure required for generating an electric signal for manufacturing a high sensitivity sensor, and relates to a structure and a manufacturing method of a source drain metal electrode in order to overcome the difficulty of practical use due to a very low current value of a transistor without a channel layer .
일반적인 트랜지스터의 구조는 소스와 드레인 전극이 게이트 전극과 게이트 절연막에 의해서 분리되어 있으며, 소스와 드레인 사이에 채널이 형성되는 구조를 갖는다. 또한, 전류 값의 변경은 채널에 의해서 주로 제어 가능하다. 따라서 소스와 드레인 전극을 직렬, 병렬 형태로 배열하여 트랜지스터를 구성할 수가 없다. The structure of a general transistor has a structure in which source and drain electrodes are separated by a gate electrode and a gate insulating film, and a channel is formed between a source and a drain. Further, the change of the current value can be mainly controlled by the channel. Therefore, it is impossible to arrange the source and drain electrodes in series or in parallel to form a transistor.
채널층이 없는 트랜지스터는 공핍층 혹은 비정질 절연막으로 인한 전위장벽에 의한 전위차로부터 발생되는 자발분극에 의한 확산전류가 발생하면서 전자센서가 동작하게 된다. 확산전류의 전달특성으로 게이트 절연막으로서 SiOC 절연막에 (-)전압을 걸면 반대편에 (+)확산전류가 흐르고, 반대로 (+)전압을 걸면 반대편에 (-)확산전류가 흐르는 유전체의 자발적인 분극특성을 이용하여 트랜지스터의 게이트 절연막을 SiOC 박막을 사용할 경우 게이트 전극의 변화에 따라서 트랜지스터가 동시에 가능한 양방향성 트랜지스터를 얻을 수 있다. In the case of a transistor without a channel layer, a diffusion current due to a spontaneous polarization generated from a potential difference due to a potential barrier due to a depletion layer or an amorphous insulating film is generated, and the electronic sensor operates. (-) voltage is applied to the SiOC insulating film as a gate insulating film due to diffusion current transfer characteristics, a positive (+) diffusion current flows on the opposite side and a negative (-) diffusion current flows on the opposite side When a SiOC thin film is used as a gate insulating film of a transistor, a bidirectional transistor capable of simultaneously forming a transistor in accordance with a change in a gate electrode can be obtained.
(+)전압을 걸면 반대편에 (-)전류가 흐르는 유전체의 자발적인 분극특성은 확산전류를 형성하며, 확산전류는 드리프트 전류의 방향과 반대방향으로 작용하기 때문에 내부 전위차를 감소시키는 효과가 있다. 따라서 저 유전상수를 갖는 유전체의 자발적인 분극 특성은, 금속접촉에 의한 저항의 증가가 문제가 될 수 있는 금속/반도체 계면 사이에 SiOC 절연막을 사용할 경우, 절연막에 의한 전위장벽이 확산전류 발생시키고 확산전류는 금속에 인가되는 드리프트 전류의 방향과 반대로 작용하기 때문에 금속 접촉시 저항이 증가하는 효과가 사라지게 되며 결과적으로 금속접촉을 통하여 많은 전류가 흐르게 된다. (+) Voltage is applied, the spontaneous polarization characteristic of the dielectric through which the (-) current flows on the opposite side forms the diffusion current, and the diffusion current acts in the direction opposite to the direction of the drift current, thereby reducing the internal potential difference. Therefore, the spontaneous polarization characteristic of a dielectric with a low dielectric constant is such that when a SiOC insulating film is used between metal / semiconductor interfaces where an increase in resistance due to metal contact is a problem, a potential barrier caused by the insulating film generates a diffusion current, The opposite effect of the direction of the drift current applied to the metal causes the effect of increasing the resistance when the metal contacts to disappear, resulting in a large amount of current flowing through the metal contact.
따라서 공핍층 수준으로 물리적 화학적 전기적으로 안정된 물성을 갖는 절연물질을 사용할 경우 확산전류는 안정적으로 발생하며, 양방향성 전달특성의 트랜지스터는 고감도 전자센서로 만들기 쉬워진다. 이러한 특성을 갖고 있는 절연막으로 SiOC 박막은 절연성이 뛰어나고 물리적 화학적 특성이 안정된 차세대 절연박막이로 낮은 분극에 의한 전위장벽으로 쇼키접합을 쉽게 형성하며, 따라서 계면에서의 접촉저항 감소효과를 극대화할 수 있어서 더 많은 확산전류가 흐르면서 전자센서의 효율을 높일 수 있는 효과가 있다. Therefore, the diffusion current can be stably generated when the insulating material having physico-chemically and electrically stable properties at the depletion layer level is used, and the transistor having the bi-directional transmission characteristic can be easily made into a high-sensitivity electronic sensor. As an insulating film having such characteristics, the SiOC thin film is a next generation insulating thin film having excellent insulating property and stable physical and chemical characteristics, and it can easily form a short-circuit junction with a potential barrier by a low polarization. Therefore, the effect of reducing the contact resistance at the interface can be maximized There is an effect that the efficiency of the electronic sensor can be increased while more diffusion current flows.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 SiOC 게이트 절연막에 흐르는 확산전류를 이용한 고감도 전자센서용 트랜지스터에 대해 상세히 설명하기로 한다. DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, a transistor for a high sensitivity electronic sensor using a diffusion current flowing in a SiOC gate insulating film according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
먼저, 도 1은 본 발명의 제1실시 예에 따른 직렬패턴 확산전류 트랜지스터의 상면도이고, 도 2는 도 1의 제1실시 예에 따른 소스 드레인 전극패턴이며, 도 3은 도 1의 제1실시 예에 따른 직렬패턴 확산전류 트랜지스터의 단면도이다.1 is a top view of a serial pattern diffusion current transistor according to a first embodiment of the present invention, FIG. 2 is a source-drain electrode pattern according to the first embodiment of FIG. 1, and FIG. 3 is a cross- Sectional view of a series pattern diffusion current transistor according to an embodiment.
도 1 내지 도 3을 참조하면, 게이트 절연막(100) 위에 소스(201)와 드레인(202) 신호선을 설치할 경우 전기신호(전압)를 증폭시키고 감도를 높일 수 있도록 드레인 대표전극(201)과 소스 대표전극(202) 사이에 금속배선을 드레인(211), 소스(212), 드레인(221), 소스(222), 드레인(231), 소스(232) ?? 구조의 직렬형태로 소스와 드레인 전극이 번갈아 반복적으로 배열한 것을 보여준다. 1 to 3, when the
본 발명의 제1실시예에 따른 확산전류를 이용한 전기신호 발생장치인 트랜지스터를 고감도 전자센서 디바이스의 측면에서 살펴보면, 기판(300) 위에 투명전극(200)이 올려지고, 그 위에 SiOC 게이트 절연막(100)로 구성된 전자센서기판에 드레인 대표전극(201)과 소스 대표전극(202) 및 다수의 직렬형태를 갖는 소스 및 드레인 전극이 번갈아가며 반복적으로 배치된 상태를 보여준다. A transparent electrode 200 is mounted on a
본 발명에 따른 트랜지스터는 채널층이 있는 기존의 트랜지스터와 달리 채널층 없이 상기 게이트 절연막(100) 위에 소스 전극(202)과 드레인 전극(201)이 적층이 되는 구조로 이루어져 있다. 이때, 상기 게이트 절연막(100)은 SiOC 박막으로 이루어지며, 유전상수는 1.0-2.5 인 것이 바람직하다. The transistor according to the present invention has a structure in which the
또한, SiOC 박막을 사용한 확산전류를 이용하여 반도체 트랜지스터를 제작하는데 있어서 고감도 전자센서를 제작하기 위해서는 게이트 절연막(100)이 누설전류의 범위는 10-14-10-10 A이하이면서 분극의 특성이 없기 위해서는 비정질 특성이어야 하는 것이 필수적이다. In order to fabricate a high-sensitivity electronic sensor for fabricating a semiconductor transistor using a diffusion current using a SiOC thin film, the
도 4는 본 발명의 제2실시 예에 따른 병렬패턴 확산전류 트랜지스터의 상면도이고, 도 5는 도 4의 제2실시 예에 따른 소스 드레인 전극패턴이며, 도 6은 본 발명의 제3실시 예에 따른 헤어콤패턴 확산전류 트랜지스터의 상면도이고, 도 7은 도 6의 제3실시 예에 따른 헤어콤패턴 확산전류 트랜지스터의 단면도이다.FIG. 4 is a top view of a parallel pattern diffusion current transistor according to a second embodiment of the present invention, FIG. 5 is a source-drain electrode pattern according to the second embodiment of FIG. 4, FIG. 7 is a cross-sectional view of a hair comb pattern diffusion current transistor according to the third embodiment of FIG. 6; FIG.
도 4 및 도 5는 본 발명에 따른 확산전류를 이용한 전기신호 발생장치인 트랜지스터의 금속전극 배선을 병렬패턴으로 제작한 전자센서를 나타낸 것으로, 소스 대표전극(202)과 드레인 대표전극(201) 사이에 금속배선을 소스 전극들과 드레인 전극들을 병렬형태로 배열하여 제작한 전자센서를 보여준다. 4 and 5 illustrate an electronic sensor in which a metal electrode wiring of a transistor which is an electric signal generating device using a diffusion current according to the present invention is fabricated in a parallel pattern. Between the source
전술한 직렬형태와 유사하게, 게이트 절연막(100) 위에 소스(201)와 드레인(202) 신호선을 설치할 경우 전기신호(전류)를 증폭시키고 감도를 높일 수 있도록 드레인 대표전극(201) 측에 드레인 전극(211, 221, 231, 241, 251, 261,
) 전극을, 소스 대표전극(202) 측에 소스 전극(212, 222, 232, 242, 252, 262,
)의 병렬형태로 소스와 드레인 전극이 반복적으로 배열한 것을 보여준다. When the
도 6은 본 발명에 따른 확산전류를 이용한 전기신호 발생장치인 트랜지스터의 헤어콤(Hair Comb)패턴 금속전극을 갖는 전자센서를 나타낸 것으로, 소스 전극과 드레인 전극 사이에 금속배선을 헤어콤 형태로 배열하여 제작한 전자센서를 보여준다.FIG. 6 shows an electronic sensor having a hair comb pattern metal electrode of a transistor which is an electric signal generating device using a diffusion current according to the present invention, in which a metal wiring is arranged in a hair comb shape between a source electrode and a drain electrode Fig.
전술한 직렬 및 병렬형태와 유사하게, 게이트 절연막(100) 위에 소스(201)와 드레인(202) 신호선을 설치할 경우 전기신호(전압 및 전류)를 증폭시키고 감도를 높일 수 있도록 드레인 대표전극(201) 측에 드레인 전극(211, 221, 231, 241, 251, 261,
) 전극을, 소스 대표전극(202) 측에 소스 전극(212, 222, 232, 242, 252, 262,
)의 병렬형태와 이들을 헤어콤 형태로 결합하여, 드레인(211), 소스(212), 드레인(221), 소스(222), 드레인(231), 소스(232)
구조의 직렬형태도 함께 형성시킨 배열한 것을 보여준다. The
전술한 바와 같이, 본 발명에 따른 고감도 전자센서용 트랜지스터는, 게이트 절연막으로 사용할 SiOC 박막의 분극을 없애고 유전상수가 낮은 절연막을 제작하기 위해서 스퍼터 방법, ICP-CVD 방법, PE-CVD 방법이 있을 수 있으며, 스퍼터 방법에 의한 SiOC 박막의 제조방법의 일 실시 예는 하기와 같다. As described above, the transistor for a high sensitivity electronic sensor according to the present invention may include a sputtering method, an ICP-CVD method, and a PE-CVD method in order to eliminate the polarization of the SiOC thin film to be used as a gate insulating film and to fabricate an insulating film having a low dielectric constant. An embodiment of the method for producing the SiOC thin film by the sputtering method is as follows.
초기조건은 10-5 Torr, 공정조건은 1.2 Torr이며, SiOC 박막의 성분비를 조절하기 위해서 산소 가스를 이용하고 SiOC 타겟(SiOx: CHx=[100-X]: X M%)을 사용한다. 여기서 
유전상수를 갖는 SiOC로 이루어진 게이트 절연막(100)의 특성에 의하여 상기 게이트 전극(203)에 인가되는 전압이 음(-)의 바이어스인 경우에는 상기 박막 트랜지스터는 (+) 소스드레인 전류가 흐르고, 상기 게이트 전극(203)에 인가되는 전압이 양(+)의 바이어스인 경우에는 (-) 소스드레인 전류가 흐르게 된다. When the voltage applied to the
이에 따라, 본 발명은 유전체의 자발적인 분극특성으로 형성된 확산전류가 드리프트 전류의 방향과 반대방향으로 작용하기 때문에 내부 전위차를 감소시키는 효과가 있는데, 구체적으로는 금속전극과 기판으로 사용되는 반도체 물질 사이에 SiOC 게이트 절연막(100)으로 구성되는 구조에서는 금속전극이 채널이 아닌 절연막 위에 만들어지기 때문에, SiOC 절연막(100)내에서 발생하는 확산전류에 의한 내부 전위차가 금속에 인가되는 전류의 방향과 반대로 작용하기 때문에 금속 접촉시 저항이 증가하는 효과가 사라지게 되며 결과적으로 금속접촉을 통하여 많은 전류가 흐르게 되는 효과가 있다. Accordingly, since the diffusion current formed by the spontaneous polarization characteristic of the dielectric acts in a direction opposite to the direction of the drift current, the present invention has an effect of reducing the internal potential difference. Specifically, In the structure of the SiOC
SiOC 박막 구성에 포함된 분극을 줄이기 위해서, 즉 탄소와 산소에 의해 증가될 수 있는 분극을 낮게 하기 위해서는 탄소함량을 조절해야 하는데, 이때 타켓의 탄소함량이 0.1% 이하일 경우에는 SiOC 박막 형성이 어렵게 되므로 상기 게이트 절연막(120)의 유전상수를 1.0-2.5 범위로 제한하기 위해서는 SiOC 타겟의 조성 중 탄소함량이 0.05-15% 범위인 것이 바람직하다.In order to reduce the polarization involved in the SiOC film structure, that is, to lower the polarization that can be increased by carbon and oxygen, the carbon content should be controlled. When the carbon content of the target is less than 0.1%, it is difficult to form the SiOC film In order to limit the dielectric constant of the gate insulating film 120 to 1.0-2.5, it is preferable that the carbon content in the composition of the SiOC target is in the range of 0.05-15%.
도 7은 단일층 게이트 절연막을 사용한 양방향성 트랜지스터의 전달특성 그래프이고, 도 8은 본 발명의 제1실시 예에 따른 직렬패턴 확산전류 트랜지스터의 전달특성 그래프이며, 도 9는 도 8의 직렬패턴 확산전류 트랜지스터의 전달특성을 로그스케일로 나타낸 그래프이다. 8 is a graph of transfer characteristics of a series pattern diffusion current transistor according to the first embodiment of the present invention, and FIG. 9 is a graph showing transfer characteristics of a serial pattern diffusion current And the transfer characteristics of the transistor are shown on a logarithmic scale.
도 7에 도시된 바와 같이, 단일층 게이트 절연막을 사용한 양방향성 트랜지스터의 전달특성 그래프에서는 전류가 -10-6 A 수준으로 매우 낮은 전류가 흐르고 있다. 반면에, 도 8에 도시된 바와 같이, 직렬패턴의 영향으로 -10-4 A 수준으로 전류값이 높아졌음을 확인할 수 있다. As shown in FIG. 7, in the graph of transfer characteristics of a bidirectional transistor using a single-layer gate insulating film, a current having a current of -10 -6 A is very low. On the other hand, as shown in FIG. 8, it can be confirmed that the current value increases to -10 -4 A due to the influence of the serial pattern.
또한, 본 발명의 제1실시 예에 따라 트랜지스터가 직렬배선 구조인 경우, IDS-VGS 전달특성의 선형특성은 게이트 전압이 음의 방향에서 양의 방향으로 달라질 때 드레인 전류는 양방향에서 음의 방향으로 변하면서, 양방향성을 나타낸다. 비정질 구조 유전체의 자발분극에 의한 확산전류의 터널링 현상을 나타내는 게이트 절연막(100)의 특성에 의하여 상기 게이트 전극(203)에 인가되는 전압이 음(-)의 바이어스인 경우에는 상기 박막 트랜지스터는 (+) 소스드레인 전류가 흐르고, 상기 게이트 전극(203)에 인가되는 전압이 양(+)의 바이어스인 경우에는 (-) 소스드레인 전류가 흐르게 된다. Further, when the transistor has a series wiring structure according to the first embodiment of the present invention, the linear characteristic of the I DS -V GS transfer characteristic is such that when the gate voltage is changed in the positive direction from the negative direction, Direction, indicating bi-directionality. When the voltage applied to the
일반적인 트랜지스터의 이동도를 도 9를 기준으로 해서 구해보면, 이동도가 1A cm2/Vs 정도가 나온다고 할 경우 양방향성 트랜지스터에 있어서는 n형 반도체특성과 p형 반도체 특성을 갖고 있는바, 이동도는 그의 2배인 2A cm2/Vs가 된다. If the mobility of a general transistor is found based on FIG. 9 and the degree of mobility is about 1 cm 2 / Vs, the bidirectional transistor has n-type semiconductor characteristics and p-type semiconductor characteristics, Which is twice as much as 2A cm 2 / Vs.
도 9는 도 8의 IDS-VGS 전달특성에 대하여 로그스케일로 변환한 이동도와 on/off 특성을 나타낸 것이다. 도시된 바와 같이, 드레인 전압이 작을수록 전달특성의 안정도가 높아지고 이동도는 증가하는 것을 나타낸다.FIG. 9 shows mobility and on / off characteristics converted to a log scale with respect to the I DS -V GS transfer characteristic of FIG. 8. As shown, the smaller the drain voltage, the higher the stability of the transfer characteristic and the higher the mobility.
반도체소자의 크기가 작아지면서 채널의 두께도 얇아지게 되는데, 게이트 절연막의 경우 많이 사용하는 SiO2박막은 얇게 만드는데 한계가 있다.As the size of the semiconductor device becomes smaller, the channel thickness becomes thinner. In the case of the gate insulating film, the thickness of the SiO 2 thin film used is limited.
게이트 절연막으로서 분극의 감소효과에 의해 두께가 얇아지더라도 절연특성이 우수하고 누설전류가 훨씬 감소된 SiOC 박막을 사용할 경우 도 3b에 도시된 바와 같이, 게이트 전압을 음의 바이어스를 가하면 p형 반도체 트랜지스터 특성이 나타나고, 게이트 전압을 양의 바이어스를 가하면 n형 반도체 트랜지스터 특성을 갖게 되어 결과적으로 인버터의 특성을 나타내게 된다.When a SiOC thin film having an excellent insulation characteristic and a much reduced leakage current is used as a gate insulating film due to the effect of decreasing polarization, as shown in FIG. 3B, when a negative bias is applied to the gate voltage, Characteristics, and when a positive bias is applied to the gate voltage, n-type semiconductor transistor characteristics are obtained, resulting in the characteristics of the inverter.
도 9를 참조하면, 반도체와 게이트 절연막 사이의 계면에서 소수 케리어의 터널링이 이루어지기 위해서는 드레인 전압이 작을수록 유리하다. 이때, 터널링이 되기 위한 조건으로 드레인 바이어스는 10-5-1 V 범위의 전압을 인가하는 것이 바람직하다.Referring to FIG. 9, the smaller the drain voltage is, the better the tunneling of the minority carriers occurs at the interface between the semiconductor and the gate insulating film. At this time, it is preferable that a voltage in the range of 10 -5 -1 V is applied to the drain bias as a condition for tunneling.
도 8 및 도 9에 나타난 바와 같이, 드레인 전압(VD)을 인가하면 터널링이 일어나서 p형 반도체 특성과 n형 반도체특성을 모두 갖는 양방향성 트랜지스터의 특성이 나타나기 시작하고, 드레인 전압(VD)이 낮아질수록 p형 반도체 특성과 n형 반도체특성을 모두 갖는 양방향성 트랜지스터의 특성이 뚜렷해져서, 드레인 전압(VD)이 0,001V에서 보다 더 양호한 p형 반도체 특성과 n형 반도체특성을 모두 갖는 양방향성 트랜지스터의 특성이 나타난다. As shown in FIGS. 8 and 9, when the drain voltage V D is applied, tunneling occurs and the characteristics of the bidirectional transistor having both the p-type semiconductor characteristics and the n-type semiconductor characteristics start to appear, and the drain voltage V D The characteristics of the bidirectional transistor having both the p-type semiconductor characteristics and the n-type semiconductor characteristics become clearer as the lower the voltage is, and the better the drain voltage (V D ) is at 0.001 V, the better the p-type semiconductor characteristics and the n- Characteristics.
반면, 드레인 전압(VD)이 증가할수록 터널링 효과는 나타나지 않고 트래핑(trapping) 효과에 의한 단방향 트랜지스터 특성이 나타나고 드레인 전압이 증가할수록 이러한 단방향 트랜지스터 특성이 더욱 뚜렷해짐을 알 수 있다. On the other hand, as the drain voltage (V D ) increases, the tunneling effect does not appear, and unidirectional transistor characteristics are exhibited by the trapping effect. As the drain voltage increases, the unidirectional transistor characteristics become more distinct.
여기에서, 상기 반도체 트랜지스터는 채널층 없이 절연체내의 확산전류와 금속전극의 전하들에 의해서 동작이 되며, 채널층이 없기 때문에 면저항이 낮아지는 효과에 있으며, 소수케리어의 전송에 의해서 이동도가 더욱 향상될 수 있다. Here, the semiconductor transistor is operated by the diffusion current in the insulator and the charges of the metal electrode without the channel layer, and the surface resistance is lowered due to the absence of the channel layer. The mobility is further improved by the transfer of the minority carriers .
도 10은 본 발명의 제2실시 예에 따른 병렬패턴 확산전류 트랜지스터의 전달특성 그래프이고, 도 11은 도 10의 병렬패턴 확산전류 트랜지스터의 전달특성을 로그스케일로 나타낸 그래프로서, 본 발명에 따른 병렬패턴 확산전류 트랜지스터의 전달특성은 선형적으로 on/off 특성이 향상되었음을 알 수 있다.FIG. 10 is a graph illustrating transfer characteristics of the parallel pattern diffusion current transistor according to the second embodiment of the present invention, FIG. 11 is a graph showing the transfer characteristics of the parallel pattern diffusion current transistor of FIG. 10 as a log scale, It can be seen that the on / off characteristics of the pattern diffusion current transistor are improved linearly.
도 10에 나타난 바와 같이, 본 발명의 제2실시 예에 따른 확산전류를 이용한 전기신호 발생장치인 트랜지스터가 병렬배선 구조인 경우, IDS-VGS 전달특성은 게이트 전압이 음의 방향에서 양의 방향으로 달라질 때 드레인 전류는 양방향에서 음의 방향으로 변하면서, 양방향성을 나타낸다. 또한, 도 11에 나타난 바와 같이, 드레인 전압이 작을수록 전달특성의 안정도가 높아지고 이동도는 증가하는 것을 나타낸다. As shown in FIG. 10, in the case where the transistor, which is an electric signal generating device using a diffusion current according to the second embodiment of the present invention, has a parallel wiring structure, the I DS -V GS transfer characteristic is such that the gate voltage is positive Direction, the drain current changes from the bi-direction to the minus direction, indicating bi-directional characteristics. Also, as shown in FIG. 11, the smaller the drain voltage, the higher the stability of the transfer characteristic and the higher the mobility.
도 12는 본 발명의 제3실시 예에 따른 헤어콤패턴 확산전류 트랜지스터의 전달특성 그래프이고, 도 13은 도 12의 헤어콤패턴 확산전류 트랜지스터의 전달특성을 로그스케일로 나타낸 그래프로서, 직렬 및 병렬패턴의 전달특성의 결과를 모두 포함하고 있다. FIG. 12 is a graph illustrating a transfer characteristic of the hair comb pattern diffusion current transistor according to the third embodiment of the present invention, FIG. 13 is a graph showing the transfer characteristics of the hair comb pattern diffusion current transistor of FIG. 12 as a log scale, And the results of the transfer characteristics of the pattern.
전술한 바와 같이, 본 발명에 따른 고감도 전자센서용 트랜지스터는, 소스와 드레인 전극을 다양한 형태로 배열하여 전류를 증가시키고 감도를 높임으로써 전자센서로 활용할 수 있다.As described above, the transistor for a high sensitivity electronic sensor according to the present invention can be utilized as an electronic sensor by increasing the current and increasing the sensitivity by arranging the source and drain electrodes in various forms.
또한, 본 발명에 따른 고감도 전자센서용 트랜지스터는, 확산전류를 이용한 트랜지스터의 구조를 미시적인 관점에서 변경함으로써, 투명하고, 높은 이동성과 안정성을 갖는 웨어러블 전자소자, 메모리, 디스플레이, 투명디스플레이, OLED, 터치패널, 전력반도체, 통신용 반도체, 투명반도체 소자에 활용할 수 있다. The transistor for a high sensitivity electronic sensor according to the present invention can be applied to a wearable electronic device, a memory, a display, a transparent display, an OLED, a liquid crystal display, and the like which are transparent and have high mobility and stability by changing the structure of a transistor using a diffusion current from a microscopic viewpoint. Touch panels, power semiconductors, communication semiconductors, and transparent semiconductor devices.
한편, 본 발명의 상세한 설명에서는 첨부된 도면에 의해 참조되는 바람직한 실시 예를 중심으로 구체적으로 기술되었으나, 본 발명의 범위에서 벗어나지 않는 한도 내에서 여러 가지 변형이 가능함은 물론이다. 그러므로 본 발명의 범위는 설명된 실시 예에 국한되어 정해져서는 안되며 후술하는 특허청구의 범위뿐 아니라 이 특허청구의 범위와 균등한 것들에 의해서 정해져야 한다.Although the preferred embodiments of the present invention have been disclosed for illustrative purposes, those skilled in the art will appreciate that various modifications, additions and substitutions are possible, without departing from the scope and spirit of the invention as disclosed in the accompanying claims. Therefore, the scope of the present invention should not be limited by the described embodiments, but should be determined by the scope of the appended claims and equivalents thereof.
100: SiOC
201: 드레인 대표전극
202: 소스 대표전극
203: 게이트 전극
211, 221, 231, 241, 251, 261: 드레인 전극
212, 222, 232, 242, 252, 262: 소스 전극
300: 기판100: SiOC
201: drain representative electrode
202: source representative electrode
203: gate electrode
211, 221, 231, 241, 251, 261: drain electrode
212, 222, 232, 242, 252, 262:
300: substrate
Claims (9)
상기 소스 전극부와 드레인 전극부는,
상기 게이트 절연막 위로 상기 게이트 전극 좌우에 배치되는 소스 대표전극 및 드레인 대표전극과,
상기 소스 대표전극 및 드레인 대표전극 사이에 복수개의 소스 서브전극과 드레인 서브전극을 배열한 것을 특징으로 하는 고감도 전자센서용 트랜지스터.
Board; A gate electrode formed on the substrate; A gate insulating film formed on the substrate and the gate electrode; A source electrode portion formed on the gate insulating film so as to be spaced apart from each other; And a drain electrode portion,
The source electrode portion and the drain electrode portion may be formed of,
A source representative electrode and a drain representative electrode disposed on the gate insulating film on the left and right sides of the gate electrode,
And a plurality of source sub-electrodes and drain sub-electrodes are arranged between the source representative electrode and the drain representative electrode.
상기 복수개의 소스 서브전극과 드레인 서브전극이 상기 소스 대표전극 및 드레인 대표전극 사이에 소스 서브전극, 드레인 서브전극이 서로 이격하여 배열되되, 복수개의 소스 서브전극과 드레인 서브전극이 번갈아가며 반복하여 직렬패턴을 형성하며 배치된 것을 특징으로 하는 고감도 전자센서용 트랜지스터.
The method according to claim 1,
The plurality of source sub-electrodes and the drain sub-electrodes are alternately arranged between the source representative electrode and the drain representative electrode so that the source sub-electrode and the drain sub-electrode are spaced apart from each other, Wherein the first electrode and the second electrode are arranged in a pattern.
상기 복수개의 소스 서브전극이 서로 이격되어 상기 소스 대표전극에 병렬로 배열되고, 상기 복수개의 드레인 서브전극이 서로 이격되어 상기 드레인 대표전극에 병렬로 배열되며, 상기 병렬로 배열된 복수의 소스 서브전극 및 복수의 드레인 서브전극이 서로 이격하여 대칭으로 병렬패턴을 형성하며 배치된 것을 특징으로 하는 고감도 전자센서용 트랜지스터.
The method according to claim 1,
Wherein the plurality of source sub electrodes are arranged in parallel to the source representative electrodes so as to be spaced apart from each other, the plurality of drain sub electrodes are spaced apart from each other and arranged in parallel to the drain representative electrodes, And a plurality of drain sub-electrodes spaced apart from each other to form a parallel pattern symmetrically.
상기 복수개의 소스 서브전극이 서로 이격되어 상기 소스 대표전극에 병렬로 배열되고, 상기 복수개의 드레인 서브전극이 서로 이격되어 상기 드레인 대표전극에 병렬로 배열되되, 상기 병렬로 배열된 복수의 소스 서브전극 및 복수의 드레인 서브전극이 번갈아가며 반복하여 직렬패턴을 형성하도록 서로 이격된 공간에 삽입되어 헤어콤패턴을 형성하며 배치된 것을 특징으로 하는 고감도 전자센서용 트랜지스터.
The method according to claim 1,
The plurality of source sub electrodes are arranged in parallel to the source representative electrodes so as to be spaced apart from each other, the plurality of drain sub electrodes are spaced apart from each other and arranged in parallel to the drain representative electrodes, And a plurality of drain sub-electrodes alternately arranged in a spaced-apart space so as to form a series pattern repeatedly to form a hair comb pattern.
규소(Si), 유리, 폴리에틸렌 테레프탈레이트(Polyethylene terephthalate), 폴리에틸렌 나프탈레이트(Polyethylene naphtalate), 폴리카보네이트(Polycarbonate), 폴리에틸렌 술폰산염(Polyethylene sulfonate), 아릴라이트(Arylite), 폴리이미드(Polyimide), 폴리노르보넨(Polynorbonene) 중 어느 하나로 이루어지는 것을 특징으로 하는 고감도 전자센서용 트랜지스터.
The substrate processing apparatus according to claim 1,
A metal such as silicon (Si), glass, polyethylene terephthalate, polyethylene naphtalate, polycarbonate, polyethylene sulphonate, Arylite, polyimide, poly Wherein the first electrode is made of at least one selected from the group consisting of polynorbornene and norbornene.
알루미늄(Al), 나노와이어, 그래핀, ITO, 투명전도성 산화물(TCO)기반 투명전극, AZO, ZTO, IGZO, ZITO, SiZO, 하이브리드(복합소재) 투명전극, CNT 기반 투명전극 중 어느 하나로 이루어지는 것을 특징으로 하는 고감도 전자센서용 트랜지스터.
The semiconductor device according to claim 1,
A transparent electrode based on aluminum (Al), a nanowire, a graphene, an ITO, a transparent conductive oxide (TCO) based transparent electrode, a transparent electrode made of AZO, ZTO, IGZO, ZITO, SiZO, a hybrid A transistor for high sensitivity electronic sensor characterized by.
상기 게이트 절연막의 허용 누설전류의 범위는 10-14 - 10-10 A이하인 것을 특징으로 하는 고감도 전자센서용 트랜지스터.
The method according to claim 1,
Wherein a range of an allowable leakage current of the gate insulating film is 10 -14 < -10 > -10 A or less.
상기 드레인 전극의 바이어스는 10-4 - 1V 범위의 전압을 인가하는 것을 특징으로 하는 고감도 전자센서용 트랜지스터.
The method according to claim 1,
And a voltage of 10 <" 4 > - 1 V is applied to the bias of the drain electrode.
상기 게이트 절연막의 허용 유전상수는 0.1-2.5인 것을 특징으로 하는 고감도 전자센서용 트랜지스터.The method according to claim 1,
Wherein a permittivity constant of the gate insulating film is 0.1-2.5.
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