KR20180032256A - Pixel and organic light emitting display device having the same - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 화소 및 이를 포함하는 유기 발광 표시 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a pixel and an organic light emitting display including the same.
최근, 음극선관(Cathode Ray Tube)의 단점인 무게와 부피를 줄일 수 있는 각종 평판 표시 장치들이 개발되고 있다. 평판 표시 장치로는 액정 표시 장치(Liquid Crystal Display; LCD), 전계 방출 표시 장치(Field Emission Display; FED), 플라즈마 표시 패널(Plasma Display Panel; PDP) 및 유기 발광 표시 장치(Organic Light Emitting Display; OLED) 등이 있다. 특히, 유기 발광 표시 장치는 넓은 시야각, 빠른 응답 속도, 얇은 두께, 낮은 소비 전력 등의 여러 가지 장점들을 가지기 때문에 유망한 차세대 표시 장치로 각광받고 있다. 최근에는 유기 발광 표시 장치의 소비 전력을 최소화하기 위한 저주파 구동 방법이 연구되고 있다. 2. Description of the Related Art Recently, various flat panel display devices capable of reducing weight and volume, which are disadvantages of cathode ray tubes (CRTs), have been developed. Examples of flat panel display devices include a liquid crystal display (LCD), a field emission display (FED), a plasma display panel (PDP), and an organic light emitting display (OLED) ). In particular, organic light emitting display devices are attracting attention as promising next generation display devices because they have various advantages such as wide viewing angle, fast response speed, thin thickness and low power consumption. Recently, a low frequency driving method for minimizing power consumption of an organic light emitting display device has been studied.
본 발명의 일 목적은 저주파 구동 시 화질 불량을 방지하는 유기 발광 표시 장치의 화소를 제공하는 것이다.SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide a pixel of an organic light emitting display device that prevents image quality failure during low frequency driving.
본 발명의 다른 목적은 저주파 구동 시 화질 불량을 방지하는 유기 발광 표시 장치를 제공하는 것이다.It is another object of the present invention to provide an organic light emitting display device that prevents image quality failure during low frequency driving.
그러나, 본 발명이 목적은 상술한 목적으로 한정되는 것은 아니며, 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위에서 다양하게 확장될 수 있을 것이다.However, the object of the present invention is not limited to the above-described objects, and various modifications may be made without departing from the spirit and scope of the present invention.
본 발명의 일 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치의 화소는 유기 발광 다이오드, 데이터 신호에 상응하는 구동 전류를 생성하고, 상기 구동 전류를 상기 유기 발광 다이오드에 공급하는 구동 회로 및 저주파 구동 시 상기 유기 발광 다이오드의 애노드 전극에 기 설정된 전압 레벨을 갖는 보상 전압을 공급하여 상기 구동 전류를 보상하는 저주파 보상 회로를 포함할 수 있다. In order to accomplish one object of the present invention, a pixel of an organic light emitting display according to embodiments of the present invention generates a driving current corresponding to an organic light emitting diode (OLED) data signal and supplies the driving current to the organic light emitting diode And a low-frequency compensation circuit for compensating the driving current by supplying a compensation voltage having a predetermined voltage level to the anode electrode of the organic light emitting diode during low-frequency driving.
일 실시예에 의하면, 상기 저주파 보상 회로는 제 1 저주파 제어 신호에 응답하여 상기 데이터 신호를 제 1 노드로 공급하는 제 1 스위칭 회로, 제 2 저주파 제어 신호에 응답하여 고전원 전압을 상기 제 1 노드로 공급하는 제 2 스위칭 회로 및 상기 제 1 노드에 공급되는 상기 데이터 신호 또는 상기 고전원 전압에 응답하여 상기 보상 전압을 상기 유기 발광 다이오드의 상기 애노드 전극에 공급하는 제 3 스위칭 회로를 포함할 수 있다.According to one embodiment, the low-frequency compensation circuit includes a first switching circuit for supplying the data signal to the first node in response to a first low-frequency control signal, a second switching circuit for supplying a high- And a third switching circuit for supplying the compensation voltage to the anode electrode of the organic light emitting diode in response to the data signal or the high voltage applied to the first node .
일 실시예에 의하면, 상기 제 1 스위칭 회로는 상기 제 1 저주파 제어 신호에 응답하여 턴온 또는 턴오프되는 제 1 제어 트랜지스터를 포함하고, 상기 제 2 스위칭 회로는 상기 제 2 저주파 제어 신호에 응답하여 턴온 또는 턴오프되는 제 2 제어 트랜지스터를 포함하며, 상기 제 3 스위칭 회로는 상기 제 1 노드에 공급되는 상기 데이터 신호 또는 상기 고전원 전압에 응답하여 턴온 또는 턴오프되는 제 3 제어 트랜지스터를 포함할 수 있다.According to an embodiment, the first switching circuit includes a first control transistor which is turned on or off in response to the first low-frequency control signal, and the second switching circuit is turned on in response to the second low- And the third switching circuit may include a third control transistor which is turned on or off in response to the data signal supplied to the first node or the high voltage source .
일 실시예에 의하면, 노멀 구동 시 상기 제 1 제어 트랜지스터가 턴오프되고, 상기 제 2 제어 트랜지스터가 턴온될 수 있다.According to an embodiment, the first control transistor may be turned off and the second control transistor may be turned on during normal driving.
일 실시예에 의하면, 상기 저주파 구동 시 상기 제 1 제어 트랜지스터가 턴온되고, 상기 제 2 제어 트랜지스터가 턴오프될 수 있다.According to an embodiment, the first control transistor may be turned on and the second control transistor may be turned off during the low frequency driving.
일 실시예에 의하면, 상기 제 1 스위칭 회로는 상기 제 1 저주파 제어 신호에 응답하여 턴온 또는 턴오프되는 제 1 제어 트랜지스터 및 제 2 제어 트랜지스터를 포함하고, 또는 턴오프되는 제 3 제어 트랜지스터 및 제 4 제어 트랜지스터를 포함하며, 상기 제 3 스위칭 회로는 상기데이터 신호 또는 상기 고전원 전압에 응답하여 턴온 또는 턴오프되는 제 5 제어 트랜지스터 및 제 6 제어 트랜지스터를 포함할 수 있다.According to an embodiment, the first switching circuit includes a first control transistor and a second control transistor which are turned on or off in response to the first low-frequency control signal, And the third switching circuit may include a fifth control transistor and a sixth control transistor which are turned on or off in response to the data signal or the high voltage.
일 실시예에 의하면, 노멀 구동 시 상기 제 1 제어 트랜지스터 및 상기 제 2 제어 트랜지스터가 턴오프되고, 상기 제 3 제어 트랜지스터 및 제 4 제어 트랜지스터가 턴온될 수 있다.According to an embodiment, during normal driving, the first control transistor and the second control transistor may be turned off, and the third control transistor and the fourth control transistor may be turned on.
일 실시예에 의하면, 트랜지스터가 턴온되고, 상기 제 3 제어 트랜지스터 및 제 4 제어 트랜지스터가 턴오프될 수 있다.According to one embodiment, the transistor may be turned on, and the third control transistor and the fourth control transistor may be turned off.
일 실시예에 의하면, 상기 제 5 제어 트랜지스터는 엔모스(N-channel Metal Oxide Semiconductor; NMOS) 트랜지스터이고, 상기 제 6 제어 트랜지스터는 피모스(P-channel Metal Oxide Semiconductor; PMOS) 트랜지스터일 수 있다.According to an embodiment, the fifth control transistor may be an NMOS transistor, and the sixth control transistor may be a P-channel Metal Oxide Semiconductor (PMOS) transistor.
일 실시예에 의하면, 상기 제 5 제어 트랜지스터는 피모스(P-channel Metal Oxide Semiconductor; PMOS) 트랜지스터 이고, 상기 제 6 제어 트랜지스터는 엔모스(N-channel Metal Oxide Semiconductor; NMOS) 트랜지스터일 수 있다.According to an embodiment, the fifth control transistor may be a P-channel metal oxide semiconductor (PMOS) transistor, and the sixth control transistor may be an N-channel metal oxide semiconductor (NMOS) transistor.
일 실시예에 의하면, 상기 제 2 스위칭 회로는 상기 데이터 신호의 전압 레벨을 감소시키는 제 7 제어 트랜지스터 및 제 8 제어 트랜지스터를 더 포함할 수 있다.According to an embodiment, the second switching circuit may further include a seventh control transistor and an eighth control transistor for reducing the voltage level of the data signal.
본 발명의 다른 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치는 복수의 화소들을 포함하는 표시 패널, 상기 화소들에 데이터 신호를 공급하는 데이터 구동부, 상기 화소들에 스캔 신호를 공급하는 스캔 구동부, 상기 화소들에 발광 제어 신호를 공급하는 발광 제어부 및 상기 데이터 구동부, 스캔 구동부 및 발광 제어부의 동작을 제어하는 제어 신호들을 생성하는 타이밍 제어부를 포함할 수 있다. 화소들 각각은 유기 발광 다이오드, 데이터 신호에 상응하는 구동 전류를 생성하고, 상기 구동 전류를 상기 유기 발광 다이오드에 공급하는 구동 회로 및 저주파 구동 시 상기 유기 발광 다이오드의 애노드 전극에 기 설정된 전압 레벨을 갖는 보상 전압을 공급하여 상기 구동 전류를 보상하는 저주파 보상 회로를 포함할 수 있다. According to another aspect of the present invention, there is provided an OLED display including a display panel including a plurality of pixels, a data driver for supplying a data signal to the pixels, A light emission control unit for supplying a light emission control signal to the pixels, and a timing control unit for generating control signals for controlling operations of the data driver, the scan driver, and the light emission controller. Each of the pixels includes a driving circuit for generating a driving current corresponding to an organic light emitting diode and a data signal and for supplying the driving current to the organic light emitting diode and a driving circuit for driving the organic light emitting diode, And a low-frequency compensation circuit for compensating the drive current by supplying a compensation voltage.
일 실시예에 의하면, 상기 저주파 보상 회로는 제 1 저주파 제어 신호에 응답하여 상기 데이터 신호를 제 1 노드로 공급하는 제 1 스위칭 회로, 제 2 저주파 제어 신호에 응답하여 고전원 전압을 상기 제 1 노드로 공급하는 제 2 스위칭 회로 및 상기 제 1 노드에 공급되는 상기 데이터 신호 또는 상기 고전원 전압에 응답하여 상기 보상 전압을 상기 유기 발광 다이오드의 상기 애노드 전극에 공급하는 제 3 스위칭 회로를 포함할 수 있다.According to one embodiment, the low-frequency compensation circuit includes a first switching circuit for supplying the data signal to the first node in response to a first low-frequency control signal, a second switching circuit for supplying a high- And a third switching circuit for supplying the compensation voltage to the anode electrode of the organic light emitting diode in response to the data signal or the high voltage applied to the first node .
일 실시예에 의하면, 상기 제 1 스위칭 회로는 상기 제 1 저주파 제어 신호에 응답하여 턴온 또는 턴오프되는 제 1 제어 트랜지스터를 포함하고, 상기 제 2 스위칭 회로는 상기 제 2 저주파 제어 신호에 응답하여 턴온 또는 턴오프되는 제 2 제어 트랜지스터를 포함하며, 상기 제 3 스위칭 회로는 상기 제 1 노드에 공급되는 상기 데이터 신호 또는 상기 고전원 전압에 응답하여 턴온 또는 턴오프되는 제 3 제어 트랜지스터를 포함할 수 있다.According to an embodiment, the first switching circuit includes a first control transistor which is turned on or off in response to the first low-frequency control signal, and the second switching circuit is turned on in response to the second low- And the third switching circuit may include a third control transistor which is turned on or off in response to the data signal supplied to the first node or the high voltage source .
일 실시예에 의하면, 노멀구동 시 상기 제 1 제어 트랜지스터가 턴오프되고, 상기 제 2 제어 트랜지스터가 턴온될 수 있다.According to an embodiment, the first control transistor may be turned off and the second control transistor may be turned on during normal driving.
일 실시예에 의하면, 상기 저주파 구동 시 상기 제 1 제어 트랜지스터가 턴온되고, 상기 제 2 제어 트랜지스터가 턴오프될 수 있다.According to an embodiment, the first control transistor may be turned on and the second control transistor may be turned off during the low frequency driving.
일 실시예에 의하면, 상기 제 1 스위칭 회로는 상기 제 1 저주파 제어 신호에 응답하여 턴온 또는 턴오프되는 제 1 제어 트랜지스터 및 제 2 제어 트랜지스터를 포함하고, 상기 제 2 스위칭 회로는 상기 제 2 저주파 제어 신호에 응답하여 턴온 또는 턴오프되는 제 3 제어 트랜지스터 및 제 4 제어 트랜지스터들을 포함하며, 상기 제 3 스위칭 회로는 상기 데이터 신호 또는 상기 고전원 전압에 응답하여 턴온 또는 턴오프되는 제 5 제어 트랜지스터 및 제 6 제어 트랜지스터들을 포함할 수 있다.According to an embodiment, the first switching circuit may include a first control transistor and a second control transistor which are turned on or off in response to the first low-frequency control signal, and the second switching circuit may control the second low- A third control transistor and a fourth control transistor that are turned on or off in response to a signal and the third switching circuit includes a fifth control transistor that is turned on or off in response to the data signal or the high voltage, 6 control transistors.
일 실시예에 의하면, 노멀 구동 시 상기 제 1 제어 트랜지스터 및 상기 제 2 제어 트랜지스터가 턴오프되고, 상기 제 3 제어 트랜지스터 및 제 4 제어 트랜지스터가 턴온될 수 있다.According to an embodiment, during normal driving, the first control transistor and the second control transistor may be turned off, and the third control transistor and the fourth control transistor may be turned on.
일 실시예에 의하면, 상기 저주파 구동 시 상기 제 1 제어 트랜지스터 및 상기 제 2 제어 트랜지스터가 턴온되고, 상기 제 3 제어 트랜지스터 및 제 4 제어 트랜지스터가 턴오프될 수 있다.According to an embodiment, the first control transistor and the second control transistor may be turned on and the third control transistor and the fourth control transistor may be turned off during the low-frequency driving.
일 실시예에 의하면, 상기 제 2 스위칭 회로는 상기 데이터 전압의 전압 레벨을 감소시키는 제 7 제어 트랜지스터 및 제 8 제어 트랜지스터를 더 포함할 수 있다.According to an embodiment, the second switching circuit may further include a seventh control transistor and an eighth control transistor for decreasing a voltage level of the data voltage.
본 발명의 실시예들에 따른 화소 및 이를 포함하는 유기 발광 표시 장치는 저주파 보상 회로를 포함하고, 유기 발광 표시 장치의 저주파 구동 시 유기 발광 다이오드의 애노드 전극에 보상 전압을 공급함으로써, 저주파 구동 시 발생하는 화질 불량을 방지할 수 있다. 다만, 본 발명의 효과는 상술한 효과로 한정되는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위에서 다양하게 확장될 수 있을 것이다.A pixel according to embodiments of the present invention and an organic light emitting diode display including the pixel include a low frequency compensation circuit and supply a compensation voltage to the anode electrode of the organic light emitting diode during low frequency driving of the organic light emitting diode display, It is possible to prevent image quality deterioration. However, the effects of the present invention are not limited to the above-described effects, and may be variously extended without departing from the spirit and scope of the present invention.
도 1은 본 발명의 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치의 화소를 나타내는 블록도이다.
도 2는 도 1의 화소의 일 예를 나타내는 회로도이다.
도 3내지 도 5는 도 2의 화소의 동작을 설명하기 위한 회로도들이다.
도 6은 도 1의 화소의 다른 예를 나타내는 회로도이다.
도 7 내지 도 9는 도 6의 화소의 동작을 설명하기 위한 회로도들이다.
도 10은 도 1의 화소의 다른 예를 나타내는 회로도이다.
도 11은 본 발명의 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치를 나타내는 블록도이다.
도 12는 도 11의 유기 발광 표시 장치를 포함하는 전자 기기를 나타내는 블록도이다.
도 13은 도 12의 전자 기기가 스마트폰으로 구현되는 일 예를 나타내는 도면이다.1 is a block diagram illustrating a pixel of an organic light emitting diode display according to embodiments of the present invention.
2 is a circuit diagram showing an example of the pixel of Fig.
Figs. 3 to 5 are circuit diagrams for explaining the operation of the pixel of Fig. 2. Fig.
6 is a circuit diagram showing another example of the pixel of Fig.
7 to 9 are circuit diagrams for explaining the operation of the pixel of FIG.
10 is a circuit diagram showing another example of the pixel of Fig.
11 is a block diagram illustrating an organic light emitting display according to embodiments of the present invention.
12 is a block diagram showing an electronic apparatus including the organic light emitting diode display of FIG.
13 is a diagram showing an example in which the electronic device of FIG. 12 is implemented as a smartphone.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여, 본 발명의 바람직한 실시예를 보다 상세하게 설명하고자 한다. 도면상의 동일한 구성요소에 대해서는 동일한 참조부호를 사용하고 동일한 구성요소에 대해서 중복된 설명은 생략한다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. The same reference numerals are used for the same constituent elements in the drawings and redundant explanations for the same constituent elements are omitted.
도 1은 본 발명의 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치의 화소를 나타내는 블록도이다.1 is a block diagram illustrating a pixel of an organic light emitting diode display according to embodiments of the present invention.
도 1을 참조하면, 화소(PX)는 유기 발광 다이오드(EL), 구동 회로(100) 및 저주파 보상 회로(200)를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 1, a pixel PX may include an organic light emitting diode (EL), a
유기 발광 다이오드(EL)는 애노드 전극 및 캐소드 전극을 포함할 수 있다. 유기 발광 다이오드(EL)의 애노드 전극은 구동 회로(100) 및 저주파 보상 회로(200)와 연결되고, 유기 발광 다이오드(EL)의 캐소드 전극은 저전원 전압(ELVSS)을 공급하는 저전원 전압 배선과 연결될 수 있다. 유기 발광 다이오드(EL)는 애노드 전극에 흐르는 구동 전류에 따라 발광할 수 있다.The organic light emitting diode EL may include an anode electrode and a cathode electrode. The anode electrode of the organic light emitting diode EL is connected to the
구동 회로(100)는 데이터 신호(DATA)에 상응하는 구동 전류를 생성하여 유기 발광 다이오드(EL)에 공급할 수 있다. 구동 회로(100)는 스캔 공급 배선(SL), 데이터 공급 배선(DL) 및 고전원 전압 배선(ELVDD_L)과 연결될 수 있다. 구동 회로(100)는 스캔 공급 배선(SL)을 통해 공급되는 스캔 신호(SCAN)에 응답하여 데이터 공급 배선(DL)으로부터 데이터 신호(DATA)를 공급받고, 데이터 신호(DATA)에 상응하는 구동 전류를 생성할 수 있다. 예를 들어, 구동 회로(100)는 스위칭 트랜지스터, 저장 커패시터 및 구동 트랜지스터를 포함할 수 있다. 스위칭 트랜지스터는 스캔 공급 배선(SL)을 통해 공급되는 스캔 신호(SCAN)에 응답하여 턴온될 수 있다. 스위칭 트랜지스터가 턴온되는 경우, 데이터 공급 배선(DL)을 통해 공급되는 데이터 신호(DATA)가 저장 커패시터에 저장될 수 있다. 구동 트랜지스터는 데이터 신호(DATA)에 상응하는 구동 전류를 생성할 수 있다. 다만, 구동 회로(100)의 구성이 이에 한정되는 것은 아니다. 이하, 도 2 및 도 6을 참조하여 자세히 설명하도록 한다.The
저주파 보상 회로(200)는 유기 발광 표시 장치의 저주파 구동 시 유기 발광 다이오드(EL)의 애노드 전극에 기 설정된 전압 레벨을 갖는 보상 전압을 공급하여 구동 전류를 보상할 수 있다. 유기 발광 표시 장치의 저주파 구동 시 화소(PX)의 저장 커패시터에서 누설 전류가 발생할 수 있다. 이 경우, 데이터 신호(DATA)(즉, 데이터 전압)가 변경되어 화질 불량(예를 들어, 플리커(flicker) 현상)이 발생할 수 있다. 저주파 보상 회로(200)는 저주파 구동 시 화소(PX)의 저장 커패시터에서 발생하는 누설 전류를 보상하는 보상 전압을 유기 발광 다이오드(EL)의 애노드 전극에 공급함으로써, 유기 발광 표시 장치의 저주파 구동 시 발생하는 화질 불량을 방지할 수 있다.The low
저주파 보상 회로(200)는 구동 회로(100) 및 고전원 전압 배선(ELVDD_L)과 연결될 수 있다. 저주파 보상 회로(200)는 제 1 스위칭 회로(220), 제 2 스위칭 회로(240) 및 제 3 스위칭 회로(260)를 포함할 수 있다. 제 1 스위칭 회로(220)는 제 1 저주파 제어 신호에 응답하여 데이터 신호(DATA)를 제 1 노드로 공급할 수 있다. 제 2 스위칭 회로(240)는 제 2 저주파 제어 신호에 응답하여 고전원 전압(ELVDD)(예를 들어, ELVDD)을 제 1 노드로 공급할 수 있다. 제 3 스위칭 회로(260)는 제 1 노드에 공급되는 데이터 신호(DATA) 또는 고전원 전압(ELVDD)에 응답하여 보상 전압을 유기 발광 다이오드(EL)의 애노드 전극에 공급할 수 있다. 이 때, 유기 발광 표시 장치의 저주파 구동 시 제 1 저주파 제어 신호가 활성화되고, 유기 발광 표시 장치의 노멀 구동 시 제 2 저주파 제어 신호가 활성화될 수 있다. The low
일 실시예에서, 제 1 스위칭 회로(220)는 제 1 저주파 제어 신호에 응답하여 턴온 또는 턴오프되는 제 1 제어 트랜지스터를 포함하고, 제 2 스위칭 회로(240)는 제 2 저주파 제어 신호에 응답하여 턴온 또는 턴오프되는 제 2 제어 트랜지스터를 포함하며, 제 3 스위칭 회로(260)는 제 1 노드에 공급되는 데이터 신호(DATA) 또는 고전원 전압(ELVDD)에 응답하여 턴온 또는 턴오프되는 제 3 제어 트랜지스터를 포함할 수 있다. 유기 발광 표시 장치의 노멀 구동 시, 제 1 저주파 제어 신호에 응답하여 제 1 제어 트랜지스터가 턴오프되고, 제 2 저주파 제어 신호에 응답하여 제 2 제어 트랜지스터가 턴온될 수 있다. 이 때, 제 2 제어 트랜지스터를 통해 고전원 전압(ELVDD)이 제 1 노드에 공급되어 제 3 제어 트랜지스터가 턴오프될 수 있다. 유기 발광 표시 장치의 저주파 구동 시, 제 1 저주파 제어 신호에 응답하여 제 1 제어 트랜지스터가 턴온되고, 제 2 제어 트랜지스터가 턴오프될 수 있다. 이 때, 제 1 제어 트랜지스터를 통해 데이터 신호(DATA)가 제 1 노드에 공급될 수 있다. 데이터 신호(DATA)가 제 3 제어 트랜지스터를 턴온시키는 전압 레벨보다 작은 전압 레벨을 갖는 경우, 제 3 제어 트랜지스터가 턴오프되어 유기 발광 다이오드(EL)의 애노드 전극에 기 설정된 전압 레벨을 갖는 보상 전압이 공급되지 않을 수 있다. 데이터 신호(DATA)가 제 3 제어 트랜지스터를 턴온시키는 전압 레벨보다 큰 전압 레벨을 갖는 경우, 제 3 제어 트랜지스터가 턴온되어 기 설정된 전압 레벨을 갖는 보상 전압이 유기 발광 다이오드(EL)의 애노드 전극으로 공급될 수 있다. 따라서, 저주파 구동 시 유기 발광 다이오드(EL)에 공급되는 구동 전류를 보상할 수 있다.In one embodiment, the
다른 실시예에서, 제 1 스위칭 회로(220)는 제 1 저주파 제어 신호에 응답하여 턴온 또는 턴오프되는 제 1 제어 트랜지스터 및 제 2 제어 트랜지스터를 포함하고, 제 2 스위칭 회로(240)는 제 2 저주파 제어 신호에 응답하여 턴온 또는 턴오프되는 제 3 제어 트랜지스터 및 제 4 제어 트랜지스터를 포함하며, 제 3 스위칭 회로(260)는 데이터 신호(DATA) 또는 고전원 전압(ELVDD)에 응답하여 턴온 또는 턴오프되는 제 5 제어 트랜지스터 및 제 6 제어 트랜지스터를 포함할 수 있다. 이 때, 제 5 제어 트랜지스터와 제 6 제어 트랜지스터는 서로 다른 전압 레벨을 갖는 신호에 의해 턴온될 수 있다. 일 실시예에서, 제 5 제어 트랜지스터가 엔모스(N-channel Metal Oxide Semiconductor; NMOS) 트랜지스터인 경우, 제 6 제어 트랜지스터는 피모스(P-channel Metal Oxide Semiconductor; PMOS) 트랜지스터일 수 있다. 이 경우, 제 5 제어 트랜지스터는 로우 레벨을 갖는 전압에 응답하여 턴온되고, 제 6 제어 트랜지스터는 하이 레벨을 갖는 전압에 응답하여 턴온될 수 있다. 다른 실시예에서, 제 5 제어 트랜지스터가 피모스 트랜지스터인 경우, 제 6 제어 트랜지스터는 엔모스 트랜지스터일 수 있다. 이 경우, 제 5 제어 트랜지스터는 하이 레벨을 갖는 전압에 응답하여 턴온되고, 제 6 제어 트랜지스터는 로우 레벨을 갖는 전압에 응답하여 턴온될 수 있다. 유기 발광 표시 장치의 노멀 구동 시, 제 1 저주파 제어 신호에 응답하여 제 1 제어 트랜지스터 및 제 2 제어 트랜지스터가 턴오프되고, 제 2 저주파 제어 신호에 응답하여 제 3 제어 트랜지스터 및 제 4 제어 트랜지스터가 턴온될 수 있다. 이 때, 제 4 제어 트랜지스터를 통해 고전원 전압(ELVDD)이 제 1 노드에 공급되어 제 5 제어 트랜지스터가 턴오프되고, 제 6 제어 트랜지스터가 턴온될 수 있다. 유기 발광 표시 장치의 저주파 구동 시, 제 1 저주파 제어 신호에 응답하여 제 1 제어 트랜지스터 및 제 2 제어 트랜지스터가 턴온되고, 제 2 저주파 제어 신호에 응답하여 제 3 제어 트랜지스터 및 제 4 제어 트랜지스터가 턴오프될 수 있다. 이 때, 제 1 제어 트랜지스터를 통해 데이터 신호(DATA)가 제 1 노드에 공급될 수 있다. 데이터 신호(DATA)가 제 5 제어 트랜지스터를 턴오프시키고, 제 6 제어 트랜지스터를 턴온시키는 전압 레벨을 갖는 경우, 제 6 제어 트랜지스터를 통해 저전원 전압(예를 들어, ELVSS)이 유기 발광 다이오드(EL)의 애노드 전극으로 공급될 수 있다. 데이터 신호(DATA)가 제 5 제어 트랜지스터를 턴온시키고, 제 6 제어 트랜지스터를 턴오프시키는 전압 레벨을 갖는 경우, 제 5 제어 트랜지스터를 통해 보상 전압이 유기 발광 다이오드(EL)의 애노드 전극으로 공급될 수 있다. 따라서, 저주파 구동 시 유기 발광 다이오드(EL)에 공급되는 구동 전류를 보상할 수 있다.In another embodiment, the
한편, 제 2 스위칭 회로(240)는 데이터 신호(DATA)의 전압 레벨을 감소시키는 제 7 제어 트랜지스터 및 제 8 제어 트랜지스터를 더 포함할 수 있다. 제 7 제어 트랜지스터 및 제 8 제어 트랜지스터는 제 1 제어 트랜지스터와 제 1 노드 사이에 연결될 수 있다. 제 7 제어 트랜지스터 및 제 8 제어 트랜지스터 각각은 제 1 전극과 게이트 전극이 연결되어 다이오드로 동작할 수 있다. 제 1 제어 트랜지스터가 턴온되는 경우, 제 1 제어 트랜지스터를 통해 제 1 노드로 공급되는 데이터 신호(DATA)의 전압 레벨이 제 7 제어 트랜지스터 및 제 8 제어 트랜지스터에 의해 감소할 수 있다. 따라서, 제 5 제어 트랜지스터 및 제 6 제어 트랜지스터가 안정적으로 구동(턴온 또는 턴오프)될 수 있다.On the other hand, the
상술한 바와 같이, 도 1의 유기 발광 표시 장치의 화소(PX)는 저주파 보상 회로(200)를 포함하고, 유기 발광 표시 장치의 저주파 구동 시 유기 발광 다이오드(EL)의 애노드 전극에 보상 전압을 공급함으로써, 저주파 구동 시 저장 커패시터의 누설 전류로 인해 발생하는 화질 불량을 방지할 수 있다. As described above, the pixel PX of the OLED display of FIG. 1 includes a low-
도 2는 도 1의 화소의 일 예를 나타내는 회로도이다.2 is a circuit diagram showing an example of the pixel of Fig.
도 2를 참조하면, 유기 발광 표시 장치의 화소(PX)는 유기 발광 다이오드(EL), 구동 회로(100) 및 저주파 보상 회로(200)를 포함할 수 있다. 2, a pixel PX of the organic light emitting diode display may include an organic light emitting diode (EL), a driving
구동 회로(100)는 데이터 신호(DATA)에 상응하는 구동 전류를 생성하고, 구동 전류를 유기 발광 다이오드(EL)에 공급할 수 있다. 구동 회로(100)는 제 1 스위칭 트랜지스터(TS1), 제 2 스위칭 트랜지스터(TS2), 구동 트랜지스터(TD), 저장 커패시터(CST), 제 1 발광 제어 트랜지스터(TE1), 제 2 발광 제어 트랜지스터(TE2), 제 1 초기화 트랜지스터(TI1) 및 제 2 초기화 트랜지스터(TI2)를 포함할 수 있다.The driving
제 1 스위칭 트랜지스터(TS1) 및 제 2 스위칭 트랜지스터(TS2)는 스캔 신호(SCAN[n])에 응답하여 데이터 공급 배선을 통해 공급되는 데이터 신호(DATA)를 저장 커패시터(CST)에 전달할 수 있다. 제 1 스위칭 트랜지스터(TS1)는 n번째 스캔 공급 배선과 연결되는 게이트 전극, 데이터 공급 배선과 연결되는 제 1 전극 및 구동 트랜지스터(TD)의 제 1 전극과 연결되는 제 2 전극을 포함할 수 있다. 제 2 스위칭 트랜지스터(TS2)는 n번째 스캔 공급 배선과 연결되는 게이트 전극, 저장 커패시터(CST)의 제 2 전극과 연결되는 제 1 전극 및 구동 트랜지스터(TD)의 제 2 전극과 연결되는 제 2 전극을 포함할 수 있다. 제 1 스위칭 트랜지스터(TS1) 및 제 2 스위칭 트랜지스터(TS2)는 n번째 스캔 공급 배선을 통해 공급되는 스캔 신호(SCAN[n])에 응답하여 턴온될 수 있다. 제 1 스위칭 트랜지스터(TS1) 및 제 2 스위칭 트랜지스터(TS2)가 턴온되면, 제 1 스위칭 트랜지스터(TS1)의 제 1 전극에 공급되는 데이터 신호(DATA)가 제 2 스위칭 트랜지스터(TS2)를 통해 저장 커패시터(CST)에 공급될 수 있다.The first switching transistor TS1 and the second switching transistor TS2 may transmit the data signal DATA supplied through the data supply line to the storage capacitor CST in response to the scan signal SCAN [n]. The first switching transistor TS1 may include a gate electrode connected to the nth scan supply wiring, a first electrode connected to the data supply wiring, and a second electrode connected to the first electrode of the driving transistor TD. The second switching transistor TS2 includes a gate electrode connected to the nth scan supply wiring, a first electrode connected to the second electrode of the storage capacitor CST, and a second electrode connected to the second electrode of the driving transistor TD. . ≪ / RTI > The first switching transistor TS1 and the second switching transistor TS2 may be turned on in response to the scan signal SCAN [n] supplied through the nth scan supply wiring line. When the first switching transistor TS1 and the second switching transistor TS2 are turned on, the data signal DATA supplied to the first electrode of the first switching transistor TS1 is supplied to the storage capacitor TS2 through the second switching transistor TS2. (CST).
저장 커패시터(CST)는 고전원 전압 배선과 구동 트랜지스터(TD)의 게이트 전극 사이에 연결되어 데이터 신호(DATA)를 저장할 수 있다. 저장 커패시터(CST)는 스캔 신호(SCAN[n])가 공급되는 스캔 구간 동안 제 1 스위칭 트랜지스터(TS1) 및 제 2 스위칭 트랜지스터(TS2)를 통해 공급되는 데이터 신호(DATA)를 저장할 수 있다. 저장 커패시터(CST)는 고전원 전압 배선과 연결되는 제 1 전극 및 제 2 스위칭 트랜지스터(TS2)의 제 1 전극과 연결되는 제 2 전극을 포함할 수 있다. 저장 커패시터(CST)에 저장된 데이터 신호(DATA)는 구동 트랜지스터(TD)의 게이트 전극에 공급될 수 있다.The storage capacitor CST may be connected between the high voltage line and the gate electrode of the driving transistor TD to store the data signal DATA. The storage capacitor CST may store the data signal DATA supplied through the first switching transistor TS1 and the second switching transistor TS2 during a scan period in which the scan signal SCAN [n] is supplied. The storage capacitor CST may include a first electrode connected to the high voltage wiring and a second electrode connected to the first electrode of the second switching transistor TS2. The data signal DATA stored in the storage capacitor CST can be supplied to the gate electrode of the driving transistor TD.
구동 트랜지스터(TD)는 데이터 신호(DATA)에 응답하여 유기 발광 다이오드(EL)에 흐르는 구동 전류를 생성할 수 있다. 구동 트랜지스터(TD)는 저장 커패시터(CST)의 제 2 전극과 연결되는 게이트 전극, 제 1 발광 제어 트랜지스터(TE1)의 제 2 전극과 연결되는 제 1 전극 및 제 2 발광 제어 트랜지스터(TE2)의 제 1 전극과 연결되는 제 2 전극을 포함할 수 있다. 구동 트랜지스터(TD)는 저장 커패시터(CST)에서 공급되는 데이터 신호(DATA)에 상응하는 구동 전류를 생성할 수 있다. The driving transistor TD can generate a driving current flowing in the organic light emitting diode EL in response to the data signal DATA. The driving transistor TD includes a gate electrode connected to the second electrode of the storage capacitor CST, a first electrode connected to the second electrode of the first emission control transistor TE1, and a second electrode coupled to the second electrode of the second emission control transistor TE2. And a second electrode connected to the first electrode. The driving transistor TD may generate a driving current corresponding to the data signal DATA supplied from the storage capacitor CST.
제 1 발광 제어 트랜지스터(TE1) 및 제 2 발광 제어 트랜지스터(TE2)는 구동 트랜지스터(TD)와 유기 발광 다이오드(EL) 사이에 연결될 수 있다. 제 1 발광 제어 트랜지스터(TE1) 및 제 2 발광 제어 트랜지스터(TE2)는 유기 발광 다이오드(EL)의 발광 여부를 제어할 수 있다. 제 1 발광 제어 트랜지스터(TE1)는 n번째 발광 제어 배선과 연결되는 게이트 전극, 제 2 전원 공급 배선과 연결되는 제 1 전극 및 구동 트랜지스터(TD)의 제 1 전극과 연결되는 제 2 전극을 포함할 수 있다. 제 2 발광 제어 트랜지스터(TE2)는 n번째 발광 제어 배선과 연결되는 게이트 전극, 구동 트랜지스터(TD)의 제 2 전극과 연결되는 제 1 전극 및 유기 발광 다이오드(EL)의 애노드 전극과 연결되는 제 2 전극을 포함할 수 있다. 제 1 발광 제어 트랜지스터(TE1) 및 제 2 발광 제어 트랜지스터(TE2)는 n번째 발광 제어 배선을 통해 공급되는 발광 제어 신호(EM[n])에 응답하여 턴온될 수 있다. 제 1 발광 제어 트랜지스터(TE1) 및 제 2 발광 제어 트랜지스터(TE2)가 턴온되는 경우, 구동 트랜지스터(TD)에서 생성된 구동 전류가 유기 발광 다이오드(EL) 에 흐를 수 있다. 따라서, 제 1 발광 제어 트랜지스터(TE1) 및 제 2 발광 제어 트랜지스터(TE2)가 턴온되는 동안 유기 발광 다이오드(EL)가 발광할 수 있다.The first emission control transistor TE1 and the second emission control transistor TE2 may be connected between the driving transistor TD and the organic light emitting diode EL. The first emission control transistor TE1 and the second emission control transistor TE2 can control whether or not the organic light emitting diode EL emits light. The first emission control transistor TE1 includes a gate electrode connected to the nth emission control wiring, a first electrode connected to the second power supply wiring, and a second electrode connected to the first electrode of the driving transistor TD . The second emission control transistor TE2 includes a gate electrode connected to the nth emission control wiring, a first electrode connected to the second electrode of the driving transistor TD, and a second electrode connected to the anode electrode of the organic light emitting diode EL. Electrode. The first emission control transistor TE1 and the second emission control transistor TE2 may be turned on in response to the emission control signal EM [n] supplied through the nth emission control wiring. When the first emission control transistor TE1 and the second emission control transistor TE2 are turned on, the driving current generated in the driving transistor TD can flow in the organic light emitting diode EL. Therefore, the organic light emitting diode EL can emit light while the first emission control transistor TE1 and the second emission control transistor TE2 are turned on.
제 1 초기화 트랜지스터(TI1)는 구동 트랜지스터(TD)의 게이트 전극을 초기화시킬 수 있다. 제 1 초기화 트랜지스터(TI1)는 (n-1)번째 스캔 공급 배선과 연결되는 게이트 전극, 구동 트랜지스터(TD)의 게이트 전극과 연결되는 제 1 전극 및 초기화 전압 공급 배선과 연결되는 제 2 전극을 포함할 수 있다. 제 1 초기화 트랜지스터(TI1)는 (n-1)번째 스캔 공급 배선을 통해 공급되는 스캔 신호(SCAN[n-1])에 응답하여 턴온될 수 있다. 제 1 초기화 트랜지스터(TI1)가 턴온되는 경우, 초기화 전압 공급 배선을 통해서 초기화 전압(VINT)이 구동 트랜지스터(TD)의 게이트 전극에 공급될 수 있다. 따라서, 구동 트랜지스터(TD)의 문턱 전압 편차에 상관없이 모든 화소(PX)에서 동일한 구동 전류가 생성될 수 있다. 제 2 초기화 트랜지스터(TI2)는 유기 발광 다이오드(EL)의 애노드 전극을 초기화시킬 수 있다. 제 2 초기화 트랜지스터(TI2)는 (n-1)번째 스캔 공급 배선과 연결되는 게이트 전극, 유기 발광 다이오드(EL) 의 애노드 전극과 연결되는 제 1 전극 및 초기화 전압 공급 배선과 연결되는 제 2 전극을 포함할 수 있다. 제 2 초기화 트랜지스터(TI2)는 (n-1)번째 스캔 공급 배선을 통해 공급되는 스캔 신호(SCAN[n-1])에 응답하여 턴온될 수 있다. 제 2 초기화 트랜지스터(TI2)가 턴온되는 경우, 초기화 전압 공급 배선을 통해 초기화 전압(VINT)이 유기 발광 다이오드(EL)의 애노드 전극에 공급될 수 있다. 따라서, 모든 화소(PX)의 유기 발광 다이오드(EL)의 애노드 전극이 동일한 전압 레벨을 가질 수 있다.The first initializing transistor TI1 can initialize the gate electrode of the driving transistor TD. The first initialization transistor TI1 includes a gate electrode connected to the (n-1) th scan supply wiring, a first electrode connected to the gate electrode of the driving transistor TD, and a second electrode connected to the initialization voltage supply wiring can do. The first initializing transistor TI1 may be turned on in response to the scan signal SCAN [n-1] supplied through the (n-1) th scan supply wiring. When the first initializing transistor TI1 is turned on, the initializing voltage VINT can be supplied to the gate electrode of the driving transistor TD through the initializing voltage supply wiring. Therefore, the same driving current can be generated in all the pixels PX irrespective of the threshold voltage deviation of the driving transistor TD. The second initializing transistor TI2 can initialize the anode electrode of the organic light emitting diode EL. The second initialization transistor TI2 includes a gate electrode connected to the (n-1) th scan supply wiring, a first electrode connected to the anode electrode of the organic light emitting diode EL, and a second electrode connected to the initialization voltage supply wiring . The second initializing transistor TI2 may be turned on in response to the scan signal SCAN [n-1] supplied through the (n-1) th scan supply wiring. When the second initializing transistor TI2 is turned on, the initializing voltage VINT can be supplied to the anode electrode of the organic light emitting diode EL through the initializing voltage supply wiring. Therefore, the anode electrode of the organic light emitting diode EL of all the pixels PX can have the same voltage level.
도 2에는 제 1 스위칭 트랜지스터(TS1), 제 2 스위칭 트랜지스터(TS2), 구동 트랜지스터(TD), 제 1 발광 제어 트랜지스터(TE1), 제 2 발광 제어 트랜지스터(TE2), 제 1 초기화 트랜지스터(TI1) 및 제 2 초기화 트랜지스터(TI2)가 피모스(P-channel Metal Oxide Semiconductor; PMOS) 트랜지스터들로 구현된 구동 회로(100)를 도시하였으나, 제 1 스위칭 트랜지스터(TS1), 제 2 스위칭 트랜지스터(TS2), 구동 트랜지스터(TD), 제 1 발광 제어 트랜지스터(TE1), 제 2 발광 제어 트랜지스터(TE2), 제 1 초기화 트랜지스터(TI1) 및 제 2 초기화 트랜지스터(TI2)는 이에 한정되지 않는다. 예를 들어, 제 1 스위칭 트랜지스터(TS1), 제 2 스위칭 트랜지스터(TS2), 구동 트랜지스터(TD), 제 1 발광 제어 트랜지스터(TE1), 제 2 발광 제어 트랜지스터(TE2), 제 1 초기화 트랜지스터(TI1) 및 제 2 초기화 트랜지스터(TI2)는 엔모스 트랜지스터들로 구현될 수 있다.2, the first switching transistor TS1, the second switching transistor TS2, the driving transistor TD, the first emission control transistor TE1, the second emission control transistor TE2, the first initialization transistor TI1, And the second initializing transistor TI2 are PMOS transistors, the first switching transistor TS1, the second switching transistor TS2, The driving transistor TD, the first emission control transistor TE1, the second emission control transistor TE2, the first initialization transistor TI1 and the second initialization transistor TI2 are not limited thereto. For example, the first switching transistor TS1, the second switching transistor TS2, the driving transistor TD, the first emission control transistor TE1, the second emission control transistor TE2, the first initialization transistor TI1 And the second initializing transistor TI2 may be implemented as emmos transistors.
저주파 보상 회로(200)는 유기 발광 표시 장치의 저주파 구동 시 유기 발광 다이오드(EL)의 애노드 전극에 기 설정된 전압 레벨을 갖는 보상 전압(Vc)을 공급하여 구동 전류를 보상할 수 있다. 저주파 보상 회로(200)는 제 1 저주파 제어 신호(LCS1)에 응답하여 데이터 신호(DATA)를 제 1 노드(N1)로 공급하는 제 1 스위칭 회로, 제 2 저주파 제어 신호(LCS2)에 응답하여 고전원 전압(ELVDD)을 제 1 노드(N1)로 공급하는 제 2 스위칭 회로 및 제 1 노드(N1)에 공급되는 데이터 신호(DATA) 또는 고전원 전압(ELVDD)에 응답하여 보상 전압(Vc)을 유기 발광 다이오드(EL)의 애노드 전극에 공급하는 제 3 스위칭 회로를 포함할 수 있다. 도 2의 저주파 보상 회로(200)에 있어서, 제 1 스위칭 회로는 제 1 제어 트랜지스터(TC1)를 포함하고, 제 2 스위칭 회로는 제 2 제어 트랜지스터(TC2)를 포함하며, 제 3 스위칭 회로는 제 3 제어 트랜지스터(TC3)를 포함할 수 있다.The low
제 1 제어 트랜지스터(TC1)는 제 1 저주파 제어 신호(LCS1)에 응답하여 데이터 신호(DATA)를 제 1 노드(N1)로 공급할 수 있다. 제 1 제어 트랜지스터(TC1)는 제 1 저주파 제어 신호 공급 배선과 연결되는 게이트 전극, 저장 커패시터(CST)의 제 2 전극과 연결되는 제 1 전극 및 제 1 노드(N1)와 연결되는 제 2 전극을 포함할 수 있다. 제 1 제어 트랜지스터(TC1)가 턴온되면, 저장 커패시터(CST)에 저장된 데이터 신호(DATA)가 제 1 제어 트랜지스터(TC1)를 통해 제 1 노드(N1)에 공급될 수 있다. The first control transistor TC1 may supply the data signal DATA to the first node N1 in response to the first low-frequency control signal LCS1. The first control transistor TC1 includes a gate electrode connected to the first low-frequency control signal supply wiring, a first electrode connected to the second electrode of the storage capacitor CST, and a second electrode connected to the first node N1 . When the first control transistor TC1 is turned on, the data signal DATA stored in the storage capacitor CST can be supplied to the first node N1 through the first control transistor TC1.
제 2 제어 트랜지스터(TC2)는 제 2 저주파 제어 신호(LCS2)에 응답하여 고전원 전압(ELVDD)을 제 1 노드(N1)로 공급할 수 있다. 제 2 제어 트랜지스터(TC2)는 제 2 저주파 제어 신호 공급 배선과 연결되는 게이트 전극, 제 1 노드(N1)와 연결되는 제 1 전극 및 고전원 전압 배선과 연결되는 제 2 전극을 포함할 수 있다. 제 2 제어 트랜지스터(TC2)가 턴온되면, 고전원 전압(ELVDD)이 제 2 제어 트랜지스터(TC2)를 통해 제 1 노드(N1)에 공급될 수 있다.The second control transistor TC2 may supply the high voltage ELVDD to the first node N1 in response to the second low-frequency control signal LCS2. The second control transistor TC2 may include a gate electrode connected to the second low-frequency control signal supply line, a first electrode connected to the first node N1, and a second electrode connected to the high voltage line. When the second control transistor TC2 is turned on, the high voltage ELVDD can be supplied to the first node N1 through the second control transistor TC2.
제 3 제어 트랜지스터(TC3)는 제 1 노드(N1)에 공급되는 데이터 신호(DATA) 또는 고전원 전압(ELVDD)에 응답하여 보상 전압(Vc)을 유기 발광 다이오드(EL)의 애노드 전극에 공급할 수 있다. 제 3 제어 트랜지스터(TC3)는 제 1 노드(N1)와 연결되는 게이트 전극, 유기 발광 다이오드(EL)의 애노드 전극과 연결되는 제 1 전극 및 기 설정된 보상 전압(Vc)을 공급하는 보상 전압 배선과 연결되는 제 2 전극을 포함할 수 있다. 제 3 제어 트랜지스터(TC3)가 턴온되면, 보상 전압(Vc)이 제 3 제어 트랜지스터(TC3)를 통해 유기 발광 다이오드(EL)의 애노드 전극으로 공급될 수 있다.The third control transistor TC3 can supply the compensation voltage Vc to the anode electrode of the organic light emitting diode EL in response to the data signal DATA or the high voltage ELVDD supplied to the first node N1 have. The third control transistor TC3 includes a gate electrode connected to the first node N1, a first electrode connected to the anode electrode of the organic light emitting diode EL and a compensation voltage wiring for supplying a predetermined compensation voltage Vc And a second electrode connected to the first electrode. When the third control transistor TC3 is turned on, the compensation voltage Vc can be supplied to the anode electrode of the organic light emitting diode EL through the third control transistor TC3.
도 2에는 제 1 내지 3 제어 트랜지스터들이 피모스 트랜지스터들로 구현된 저주파 보상 회로(200)를 도시하였으나, 제 1 내지 3 제어 트랜지스터들(TC1, TC2, TC3)은 이에 한정되지 않는다. 예를 들어, 제 1 내지 3 제어 트랜지스터들(TC1, TC2, TC3)은 엔모스 트랜지스터들로 구현될 수 있다.2 shows the low-
도 3내지 도 5는 도 2의 화소의 동작을 설명하기 위한 회로도들이다.Figs. 3 to 5 are circuit diagrams for explaining the operation of the pixel of Fig. 2. Fig.
도 3을 참조하면, 유기 발광 표시 장치의 노멀 구동 시 저주파 보상 회로(200)에 하이 레벨을 갖는 제 1 저주파 제어 신호(LCS1) 및 로우 레벨을 갖는 제 2 저주파 제어 신호(LCS2)가 공급될 수 있다. 하이 레벨을 갖는 제 1 저주파 제어 신호(LCS1)에 응답하여 제 1 제어 트랜지스터(TC1)가 턴오프될 수 있다. 로우 레벨을 갖는 제 2 저주파 제어 신호(LCS2)에 응답하여 제 2 제어 트랜지스터(TC2)가 턴온될 수 있다. 제 2 제어 트랜지스터(TC2)가 턴온되면, 제 2 제어 트랜지스터(TC2)의 제 2 전극과 연결된 고전원 전압 배선을 통해 고전원 전압(ELVDD)이 제 1 노드(N1)에 공급될 수 있다. 제 1 노드(N1)에 인가된 고전원 전압(ELVDD)(즉, 하이 레벨의 전압)에 응답하여 제 3 제어 트랜지스터(TC3)가 턴오프될 수 있다. 따라서, 유기 발광 다이오드(EL)의 애노드 전극에는 전압이 공급되지 않을 수 있다.Referring to FIG. 3, a first low-frequency control signal LCS1 having a high level and a second low-frequency control signal LCS2 having a low level may be supplied to the low-
도 4를 참조하면, 유기 발광 표시 장치의 저주파 구동 시 저주파 보상 회로(200)에 로우 레벨을 갖는 제 1 저주파 제어 신호(LCS1) 및 하이 레벨을 갖는 제 2 저주파 제어 신호(LCS2)가 공급될 수 있다. 로우 레벨을 갖는 제 1 저주파 제어 신호(LCS1)에 응답하여 제 1 제어 트랜지스터(TC1)가 턴온될 수 있다. 제 1 제어 트랜지스터(TC1)가 턴온되면, 저장 커패시터(CST)의 데이터 신호(DATA)가 제 1 제어 트랜지스터(TC1)를 통해 제 1 노드(N1)에 공급될 수 있다. 데이터 신호(DATA)가 로우 레벨을 갖는 경우(예를 들어, 백색에 상응하는 전압 레벨을 갖는 경우), 제 3 제어 트랜지스터(TC3)는 제 1 노드(N1)의 전압에 의해 턴온될 수 있다. 제 3 제어 트랜지스터(TC3)가 턴온되면, 제 3 제어 트랜지스터(TC3)의 제 2 전극과 연결되는 보상 전압 배선을 통해 공급되는 보상 전압(Vc)이 제 3 제어 트랜지스터(TC3)를 통해 유기 발광 다이오드(EL)의 애노드 전극에 공급될 수 있다. 따라서, 저장 커패시터(CST)의 누설 전류에 의해 변경되는 구동 전류를 보상할 수 있다. 한편, 제 2 제어 트랜지스터(TC2)는 하이 레벨을 갖는 제 2 저주파 제어 신호(LCS2)에 응답하여 턴오프될 수 있다.Referring to FIG. 4, a first low-frequency control signal LCS1 having a low level and a second low-frequency control signal LCS2 having a high level may be supplied to the low-
도 5를 참조하면, 유기 발광 표시 장치의 저주파 구동 시 저주파 보상 회로(200)에 로우 레벨을 갖는 제 1 저주파 제어 신호(LCS1) 및 하이 레벨을 갖는 제 2 저주파 제어 신호(LCS2)가 공급될 수 있다. 로우 레벨을 갖는 제 1 저주파 제어 신호(LCS1)에 응답하여 제 1 제어 트랜지스터(TC1)가 턴온될 수 있다. 제 1 제어 트랜지스터(TC1)가 턴온되면, 저장 커패시터(CST)의 데이터 신호(DATA)가 제 1 제어 트랜지스터(TC1)를 통해 제 1 노드(N1)에 공급될 수 있다. 데이터 신호(DATA)가 하이 레벨을 갖는 경우(예를 들어, 흑색에 상응하는 전압 레벨을 갖는 경우), 구동 회로(100)의 구동 트랜지스터(TD)가 턴오프되어 구동 전류를 생성하지 않으므로, 유기 발광 다이오드(EL)에 보상 전압(Vc)이 공급될 필요가 없다. 데이터 신호(DATA)가 하이 레벨을 갖는 경우(예를 들어, 흑색에 상응하는 전압 레벨을 갖는 경우), 제 3 제어 트랜지스터(TC3)는 제 1 노드(N1)의 전압에 의해 턴오프될 수 있다. 따라서, 유기 발광 다이오드(EL)의 애노드 전극에는 전압이 공급되지 않을 수 있다. 한편, 제 2 제어 트랜지스터(TC2)는 하이 레벨을 갖는 제 2 저주파 제어 신호(LCS2)에 응답하여 턴오프될 수 있다.Referring to FIG. 5, a low-frequency control signal LCS1 having a low level and a second low-frequency control signal LCS2 having a high level may be supplied to the low-
상술한 바와 같이, 유기 발광 표시 장치의 저주파 구동 시 유기 발광 다이오드(EL)의 애노드 전극에 보상 전압(Vc)을 공급함으로써, 저주파 구동 시 저장 커패시터(CST)의 누설 전류로 인해 발생하는 화질 불량이 방지될 수 있다.As described above, by supplying the compensation voltage Vc to the anode electrode of the organic light emitting diode EL during the low frequency driving of the organic light emitting display device, the image quality defect caused by the leakage current of the storage capacitor CST during low frequency driving Can be prevented.
도 6은 도 1의 화소(PX)의 다른 예를 나타내는 회로도이다.6 is a circuit diagram showing another example of the pixel PX in Fig.
도 6을 참조하면, 유기 발광 표시 장치의 화소(PX)는 유기 발광 다이오드(EL), 구동 회로(100) 및 저주파 보상 회로(200)를 포함할 수 있다.6, the pixel PX of the organic light emitting display may include an organic light emitting diode (EL), a driving
구동 회로(100)는 데이터 신호(DATA)에 상응하는 구동 전류를 생성하고, 구동 전류를 유기 발광 다이오드(EL)에 공급할 수 있다. 구동 회로(100)는 스위칭 트랜지스터(TS), 구동 트랜지스터(TD) 및 저장 커패시터(CST)를 포함할 수 있다. 스위칭 트랜지스터(TS)는 스캔 신호(SCAN)에 응답하여 데이터 공급 배선을 통해 공급되는 데이터 신호(DATA)를 저장 커패시터(CST)에 전달할 수 있다. 스위칭 트랜지스터(TS)는 스캔 공급 배선과 연결되는 게이트 전극, 데이터 공급 배선과 연결되는 제 1 전극 및 저장 커패시터(CST)의 제 2 전극과 연결되는 제 2 전극을 포함할 수 있다. 스캔 신호(SCAN)에 응답하여 스위칭 트랜지스터(TS)가 턴온되면, 스위칭 트랜지스터(TS)의 제 1 전극에 공급되는 데이터 신호(DATA)가 저장 커패시터(CST)에 공급될 수 있다. 저장 커패시터(CST)는 고전원 전압 배선과 저주파 보상 회로(200)의 제 3 제어 트랜지스터(TC3)의 제 1 전극 사이에 연결되어 데이터 신호(DATA)를 저장할 수 있다. 저장 커패시터(CST)는 스캔 신호(SCAN)가 공급되는 스캔 구간 동안 스위칭 트랜지스터(TS)를 통해 공급되는 데이터 신호(DATA)를 저장할 수 있다. 저장 커패시터(CST)는 고전원 전압 배선과 연결되는 제 1 전극 및 제 3 제어 트랜지스터(TC3)의 제 1 전극과 연결되는 제 2 전극을 포함할 수 있다. 저장 커패시터(CST)에 저장된 데이터 신호(DATA)는 제 3 제어 트랜지스터(TC3)가 턴온되는 경우 구동 트랜지스터(TD)의 게이트 전극에 공급될 수 있다. The driving
구동 트랜지스터(TD)는 데이터 신호(DATA)에 응답하여 유기 발광 다이오드(EL)에 흐르는 구동 전류를 생성할 수 있다. 구동 트랜지스터(TD)는 제 3 제어 트랜지스터(TC3)의 제 2 전극과 연결되는 게이트 전극, 고전원 전압 배선과 연결되는 제 1 전극 및 유기 발광 다이오드(EL)의 애노드 전극과 연결되는 제 2 전극을 포함할 수 있다. 구동 트랜지스터(TD)는 저장 커패시터(CST)에서 공급되는 데이터 신호(DATA)에 상응하는 구동 전류를 생성할 수 있다.The driving transistor TD can generate a driving current flowing in the organic light emitting diode EL in response to the data signal DATA. The driving transistor TD includes a gate electrode connected to the second electrode of the third control transistor TC3, a first electrode connected to the high voltage line and a second electrode connected to the anode electrode of the organic light emitting diode EL . The driving transistor TD may generate a driving current corresponding to the data signal DATA supplied from the storage capacitor CST.
도 6에는 스위칭 트랜지스터(TS) 및 구동 트랜지스터(TD)가 엔모스 트랜지스터들로 구현되는 구동 회로(100)를 도시하였으나, 스위칭 트랜지스터(TS) 및 구동 트랜지스터(TD)는 이에 한정되지 않는다. 예를 들어, 스위칭 트랜지스터(TS) 및 구동 트랜지스터(TD)는 피모스 트랜지스터들로 구현될 수 있다.6 shows the driving
저주파 보상 회로(200)는 유기 발광 표시 장치의 저주파 구동 시 유기 발광 다이오드(EL)의 애노드 전극에 기 설정된 전압 레벨을 갖는 보상 전압(Vc)을 공급하여 구동 전류를 보상할 수 있다. 저주파 보상 회로(200)는 제 1 저주파 제어 신호(LCS1)에 응답하여 데이터 신호(DATA)를 제 1 노드(N1)로 공급하는 제 1 스위칭 회로, 제 2 저주파 제어 신호(LCS2)에 응답하여 고전원 전압을 제 1 노드(N1)로 공급하는 스위칭 회로 및 제 1 노드(N1)에 공급되는 데이터 신호(DATA) 또는 고전원 전압(ELVDD)에 응답하여 보상 전압(Vc)을 유기 발광 다이오드(EL)의 애노드 전극에 공급하는 제 3 스위칭 회로를 포함할 수 있다. 도 6의 저주파 보상 회로(200)에 있어서, 제 1 스위칭 회로는 제 1 제어 트랜지스터(TC1) 및 제 2 제어 트랜지스터(TC2)를 포함하고, 제 2 스위칭 회로는 제 3 제어 트랜지스터(TC3) 및 제 4 제어 트랜지스터(TC4)를 포함하며, 제 3 스위칭 회로는 제 5 제어 트랜지스터(TC5) 및 제 6 제어 트랜지스터(TC6)를 포함할 수 있다.The low
제 1 제어 트랜지스터(TC1) 및 제 2 제어 트랜지스터(TC2)는 제 1 저주파 제어 신호(LCS1)에 응답하여 턴온 또는 턴오프될 수 있다. 제 1 제어 트랜지스터(TC1)는 제 1 저주파 제어 신호 공급 배선과 연결되는 게이트 전극, 저장 커패시터(CST)의 제 2 전극과 연결되는 제 1 전극 및 제 1 노드(N1)와 연결되는 제 2 전극을 포함할 수 있다. 제 1 제어 트랜지스터(TC1)가 턴온되면, 저장 커패시터(CST)에 저장된 데이터 신호(DATA)가 제 1 제어 트랜지스터(TC1)를 통해 제 1 노드(N1)에 공급될 수 있다. 제 2 제어 트랜지스터(TC2)는 제 1 저주파 제어 신호 공급 배선과 연결되는 게이트 전극, 제 2 노드(N2)와 연결되는 제 1 전극 및 유기 발광 다이오드(EL)의 애노드 전극과 연결되는 제 2 전극을 포함할 수 있다. 제 2 제어 트랜지스터(TC2)가 턴온되면, 제 2 노드(N2)의 전압이 제 2 제어 트랜지스터(TC2)를 통해 유기 발광 다이오드(EL)의 애노드 전극으로 공급될 수 있다.The first control transistor TC1 and the second control transistor TC2 may be turned on or off in response to the first low-frequency control signal LCS1. The first control transistor TC1 includes a gate electrode connected to the first low-frequency control signal supply wiring, a first electrode connected to the second electrode of the storage capacitor CST, and a second electrode connected to the first node N1 . When the first control transistor TC1 is turned on, the data signal DATA stored in the storage capacitor CST can be supplied to the first node N1 through the first control transistor TC1. The second control transistor TC2 includes a gate electrode connected to the first low frequency control signal supply wiring, a first electrode connected to the second node N2, and a second electrode connected to the anode electrode of the organic light emitting diode EL . When the second control transistor TC2 is turned on, the voltage of the second node N2 can be supplied to the anode electrode of the organic light emitting diode EL through the second control transistor TC2.
제 3 제어 트랜지스터(TC3) 및 제 4 제어 트랜지스터(TC4)는 제 2 저주파 제어 신호(LCS2)에 응답하여 턴온 또는 턴오프될 수 있다. 제 3 제어 트랜지스터(TC3)는 제 2 저주파 제어 신호 공급 배선과 연결되는 게이트 전극, 저장 커패시터(CST)의 제 2 전극과 연결되는 제 1 전극 및 구동 트랜지스터(TD)의 게이트 전극과 연결되는 제 2 전극을 포함할 수 있다. 제 3 제어 트랜지스터(TC3)가 턴온되면, 저장 커패시터(CST)에 저장된 데이터 신호(DATA)가 제 3 제어 트랜지스터(TC3)를 통해 구동 트랜지스터(TD)의 게이트 전극에 공급될 수 있다. 제 4 제어 트랜지스터(TC4)는 제 2 저주파 제어 신호 공급 배선과 연결되는 게이트 전극, 고전원 전압 배선과 연결되는 제 1 전극 및 제 1 노드(N1)와 연결되는 제 2 전극을 포함할 수 있다. 제 4 제어 트랜지스터(TC4)가 턴온되면, 고전원 전압(ELVDD)이 제 4 제어 트랜지스터(TC4)를 통해 제 1 노드(N1)에 공급될 수 있다. The third control transistor TC3 and the fourth control transistor TC4 may be turned on or off in response to the second low-frequency control signal LCS2. The third control transistor TC3 includes a gate electrode connected to the second low-frequency control signal supply wiring, a first electrode connected to the second electrode of the storage capacitor CST, and a second electrode connected to the gate electrode of the driving transistor TD. Electrode. When the third control transistor TC3 is turned on, the data signal DATA stored in the storage capacitor CST can be supplied to the gate electrode of the driving transistor TD through the third control transistor TC3. The fourth control transistor TC4 may include a gate electrode connected to the second low-frequency control signal supply wiring, a first electrode connected to the high-voltage wiring, and a second electrode connected to the first node N1. When the fourth control transistor TC4 is turned on, the high voltage ELVDD may be supplied to the first node N1 through the fourth control transistor TC4.
제 5 제어 트랜지스터(TC5) 및 제 6 제어 트랜지스터(TC6)는 데이터 신호(DATA) 또는 고전원 전압(ELVDD)에 응답하여 턴온 또는 턴오프될 수 있다. 제 5 제어 트랜지스터(TC5)는 제 1 노드(N1)와 연결되는 게이트 전극, 고전원 전압 배선과 연결되는 제 1 전극 및 제 2 노드(N2)와 연결되는 제 2 전극을 포함할 수 있다. 제 5 제어 트랜지스터(TC5)가 턴온되면, 고전원 전압(ELVDD)이 제 5 제어 트랜지스터(TC5)를 통해 유기 발광 다이오드(EL)의 애노드 전극에 공급될 수 있다. 제 6 제어 트랜지스터(TC6)는 제 1 노드(N1)와 연결되는 게이트 전극, 제 2 노드(N2)와 연결되는 제 1 전극 및 저전원 전압 배선과 연결되는 제 2 전극을 포함할 수 있다. 제 6 제어 트랜지스터(TC6)가 턴온되면, 저전원 전압(예를 들어, 0V)이 제 6 제어 트랜지스터(TC6)를 통해 유기 발광 다이오드(EL)의 애노드 전극에 공급될 수 있다. 제 5 제어 트랜지스터(TC5) 및 제 6 제어 트랜지스터(TC6)는 서로 다른 전압 레벨을 갖는 제 1 노드(N1)의 전압에 응답하여 턴온될 수 있다. 일 실시예에서, 제 5 제어 트랜지스터(TC5)는 엔모스 트랜지스터로 구현되고, 제 6 제어 트랜지스터(TC6)는 피모스 트랜지스터로 구현될 수 있다. 다른 실시예에서, 제 5 제어 트랜지스터(TC5)는 피모스 트랜지스터로 구현되고, 제 6 제어 트랜지스터(TC6)는 엔모스 트랜지스터로 구현될 수 있다.The fifth control transistor TC5 and the sixth control transistor TC6 may be turned on or off in response to the data signal DATA or the high voltage ELVDD. The fifth control transistor TC5 may include a gate electrode connected to the first node N1, a first electrode connected to the high voltage wiring, and a second electrode connected to the second node N2. When the fifth control transistor TC5 is turned on, the high voltage ELVDD may be supplied to the anode electrode of the organic light emitting diode EL through the fifth control transistor TC5. The sixth control transistor TC6 may include a gate electrode connected to the first node N1, a first electrode connected to the second node N2, and a second electrode connected to the low power supply voltage wiring. When the sixth control transistor TC6 is turned on, a low power supply voltage (for example, 0 V) may be supplied to the anode electrode of the organic light emitting diode EL through the sixth control transistor TC6. The fifth control transistor TC5 and the sixth control transistor TC6 may be turned on in response to the voltage of the first node N1 having different voltage levels. In one embodiment, the fifth control transistor TC5 may be implemented as an NMOS transistor, and the sixth control transistor TC6 may be implemented as a PMOS transistor. In another embodiment, the fifth control transistor TC5 may be implemented as a PMOS transistor, and the sixth control transistor TC6 may be implemented as an NMOS transistor.
도 6에는 제 1 내지 5 제어 트랜지스터들(TC1, TC2, TC3, TC4, TC5)이 피모스 트랜지스터들로 구현되고, 제 6 제어 트랜지스터(TC6)가 엔모스 트랜지스터로 구현된 저주파 보상 회로(200)를 도시하였으나, 제 1 내지 6 제어 트랜지스터들(TC1, TC2, TC3, TC4, TC5, TC6)은 이에 한정되지 않는다. 예를 들어, 제 1 내지 5 제어 트랜지스터들(TC1, TC2, TC3, TC4, TC5)은 엔모스 트랜지스터들로 구현되고, 제 6 제어 트랜지스터(TC6)는 피모스 트랜지스터로 구현될 수 있다.6 shows a low
도 7 내지 9는 도 6의 화소의 동작을 설명하기 위한 회로도들이다.7 to 9 are circuit diagrams for explaining the operation of the pixel of FIG.
도 7을 참조하면, 유기 발광 표시 장치의 노멀 구동 시 하이 레벨을 갖는 제 1 저주파 제어 신호(LCS1) 및 로우 레벨을 갖는 제 2 저주파 제어 신호(LCS2)가 공급될 수 있다. 하이 레벨을 갖는 제 1 저주파 제어 신호(LCS1)에 응답하여 제 1 제어 트랜지스터(TC1) 및 제 2 제어 트랜지스터(TC2)가 턴오프될 수 있다. 로우 레벨을 갖는 제 2 저주파 제어 신호(LCS2)에 응답하여 제 3 제어 트랜지스터(TC3) 및 제 4 제어 트랜지스터(TC4)가 턴온될 수 있다. 제 3 제어 트랜지스터(TC3)가 턴온되면, 저장 커패시터(CST)에 저장된 데이터 신호(DATA)가 제 3 제어 트랜지스터(TC3)를 통해 구동 트랜지스터(TD)의 게이트 전극에 공급될 수 있다. 제 4 제어 트랜지스터(TC4)가 턴온되면, 제 4 제어 트랜지스터(TC4)의 제 1 전극과 연결된 고전원 전압 배선을 통해 고전원 전압(ELVDD)이 제 1 노드(N1)에 공급될 수 있다. 제 1 노드(N1)에 인가된 고전원 전압(ELVDD)(즉, 하이 레벨의 전압)에 응답하여 제 5 제어 트랜지스터(TC5)가 턴온될 수 있다. 제 5 제어 트랜지스터(TC5)가 턴온되면, 제 5 제어 트랜지스터(TC5)의 제 1 전극과 연결된 고전원 전압 배선을 통해 고전원 전압(ELVDD)이 제 2 노드(N2)에 공급될 수 있다. 이 때, 제 2 제어 트랜지스터(TC2)가 턴오프되어 유기 발광 다이오드(EL)의 애노드 전극에 제 2 노드(N2)의 전압이 공급되지 않을 수 있다. 제 1 노드(N1)에 인가된 고전원 전압(ELVDD)(즉, 하이 레벨의 전압)에 응답하여 제 6 제어 트랜지스터(TC6)가 턴오프될 수 있다. 따라서, 유기 발광 다이오드(EL)의 애노드 전극에는 전압이 공급되지 않을 수 있다.Referring to FIG. 7, a first low-frequency control signal LCS1 having a high level and a second low-frequency control signal LCS2 having a low level may be supplied during normal driving of the OLED display. The first control transistor TC1 and the second control transistor TC2 can be turned off in response to the first low-frequency control signal LCS1 having the high level. The third control transistor TC3 and the fourth control transistor TC4 can be turned on in response to the second low-frequency control signal LCS2 having the low level. When the third control transistor TC3 is turned on, the data signal DATA stored in the storage capacitor CST can be supplied to the gate electrode of the driving transistor TD through the third control transistor TC3. When the fourth control transistor TC4 is turned on, the high voltage ELVDD may be supplied to the first node N1 through the high voltage line connected to the first electrode of the fourth control transistor TC4. The fifth control transistor TC5 may be turned on in response to the high voltage ELVDD (i.e., the high level voltage) applied to the first node N1. When the fifth control transistor TC5 is turned on, the high voltage ELVDD may be supplied to the second node N2 through the high voltage line connected to the first electrode of the fifth control transistor TC5. At this time, the second control transistor TC2 is turned off so that the voltage of the second node N2 may not be supplied to the anode electrode of the organic light emitting diode EL. The sixth control transistor TC6 may be turned off in response to the high voltage ELVDD (i.e., a high level voltage) applied to the first node N1. Therefore, no voltage may be supplied to the anode electrode of the organic light emitting diode EL.
도 8을 참조하면, 유기 발광 표시 장치의 저주파 구동 시 저주파 보상 회로(200)에 로우 레벨을 갖는 제 1 저주파 제어 신호(LCS1) 및 하이 레벨을 갖는 제 2 저주파 제어 신호(LCS2)가 공급될 수 있다. 로우 레벨을 갖는 제 1 저주파 제어 신호(LCS1)에 응답하여 제 1 제어 트랜지스터(TC1) 및 제 2 제어 트랜지스터(TC2)가 턴온될 수 있다. 제 1 제어 트랜지스터(TC1)가 턴온되면, 저장 커패시터(CST)의 데이터 신호(DATA)가 제 1 제어 트랜지스터(TC1)를 통해 제 1 노드(N1)에 공급될 수 있다. 데이터 신호(DATA)가 로우 레벨을 갖는 경우(예를 들어, 백색에 상응하는 전압 레벨을 갖는 경우), 제 5 제어 트랜지스터(TC5)가 턴온되고, 제 6 제어 트랜지스터(TC6)가 턴오프될 수 있다. 제 5 제어 트랜지스터(TC5)가 턴온되면, 제 5 제어 트랜지스터(TC5)의 제 1 전극과 연결된 고전원 전압 배선을 통해 고전원 전압(ELVDD)이 제 2 노드(N2)에 공급될 수 있다. 제 2 노드(N2)의 전압은 제 2 제어 트랜지스터(TC2)를 통해 유기 발광 다이오드(EL)의 애노드 전극에 공급될 수 있다. 즉, 제 2 노드(N2)에 공급된 고전원 전압(ELVDD)이 보상 전압으로써 유기 발광 다이오드(EL)의 애노드 전극에 공급될 수 있다. 따라서, 저장 커패시터(CST)의 누설 전류에 의해 변경되는 구동 전류를 보상할 수 있다. 한편, 제 3 제어 트랜지스터(TC3) 및 제 4 제어 트랜지스터(TC4)는 하이 레벨을 갖는 제 2 저주파 제어 신호(LCS2)에 응답하여 턴오프될 수 있다.Referring to FIG. 8, a first low-frequency control signal LCS1 having a low level and a second low-frequency control signal LCS2 having a high level may be supplied to the low-
도 9를 참조하면, 유기 발광 표시 장치의 저주파 구동 시 저주파 보상 회로(200)에 로우 레벨을 갖는 제 1 저주파 제어 신호(LCS1) 및 하이 레벨을 갖는 제 2 저주파 제어 신호(LCS2)가 공급될 수 있다. 로우 레벨을 갖는 제 1 저주파 제어 신호(LCS1)에 응답하여 제 1 제어 트랜지스터(TC1) 및 제 2 제어 트랜지스터(TC2)가 턴온될 수 있다. 제 1 제어 트랜지스터(TC1)가 턴온되면, 저장 커패시터(CST)의 데이터 신호(DATA)가 제 1 제어 트랜지스터(TC1)를 통해 제 1 노드(N1)에 공급될 수 있다. 데이터 신호(DATA)가 하이 레벨을 갖는 경우(예를 들어, 흑색에 상응하는 전압 레벨을 갖는 경우), 구동 회로(100)의 구동 트랜지스터(TD)가 턴오프되어 구동 전류를 생성하지 않으므로, 유기 발광 다이오드(EL)에 보상 전압이 공급될 필요가 없다. 데이터 신호(DATA)가 하이 레벨을 갖는 경우(예를 들어, 흑색에 상응하는 전압 레벨을 갖는 경우), 제 5 제어 트랜지스터(TC5)가 턴오프되고, 제 6 제어 트랜지스터(TC6)가 턴온될 수 있다. 제 6 제어 트랜지스터(TC6)가 턴온되면, 제 6 제어 트랜지스터(TC6)의 제 2 전극과 연결된 저전원 전압 배선을 통해 저전원 전압이 제 2 노드(N2)에 공급될 수 있다. 제 2 노드(N2)의 전압은 제 2 트랜지스터를 통해 유기 발광 다이오드(EL)의 애노드 전극에 공급될 수 있다. 한편, 제 3 제어 트랜지스터(TC3) 및 제 4 제어 트랜지스터(TC4)는 하이 레벨을 갖는 제 2 저주파 제어 신호(LCS2)에 응답하여 턴오프될 수 있다.Referring to FIG. 9, a low-frequency control signal LCS1 having a low level and a second low-frequency control signal LCS2 having a high level may be supplied to the low-
상술한 바와 같이, 유기 발광 표시 장치의 저주파 구동 시 유기 발광 다이오드(EL)의 애노드 전극에 보상 전압(즉, 고전원 전압(ELVDD))을 공급함으로써, 저주파 구동 시 저장 커패시터(CST)의 누설 전류로 인해 발생하는 화질 불량이 방지될 수 있다.As described above, by supplying the compensation voltage (that is, the high power supply voltage ELVDD) to the anode electrode of the organic light emitting diode EL in the low frequency driving of the organic light emitting display device, the leakage current of the storage capacitor CST The defective image quality caused by the defects can be prevented.
도 10은 도 1의 화소의 다른 예를 나타내는 회로도이다.10 is a circuit diagram showing another example of the pixel of Fig.
도 10을 참조하면, 도 10의 화소(PX)는 저주파 보상 회로(200)가 제 7 제어 트랜지스터(TC7) 및 제 8 제어 트랜지스터(TC8)를 포함하는 점을 제외하면, 도 6의 화소(PX)와 실질적으로 동일하거나 유사한 구성을 가질 수 있다. 그러므로, 도 10의 화소(PX)를 설명함에 있어서, 도 6의 화소(PX)와 실질적으로 동일하거나 유사한 구성에 대한 설명은 생략하기로 한다.10, the pixel PX of FIG. 10 is the same as the pixel PX of FIG. 6 except that the low-
도 10을 참조하면, 화소(PX)의 저주파 보상 회로(200)는 제 7 제어 트랜지스터(TC7) 및 제 8 제어 트랜지스터(TC8)를 더 포함할 수 있다. 제 7 제어 트랜지스터(TC7) 및 제 8 제어 트랜지스터(TC8)는 제 1 제어 트랜지스터(TC1)와 제 1 노드(N1)사이에 연결될 수 있다. 제 7 제어 트랜지스터(TC7) 및 제 8 제어 트랜지스터(TC8) 각각은 제 1 전극과 게이트 전극이 연결되어 다이오드로 동작할 수 있다. 제 1 제어 트랜지스터(TC1)가 턴온되는 경우, 제 1 제어 트랜지스터(TC1)를 통해 제 1 노드(N1)로 공급되는 데이터 신호(DATA)의 전압 레벨이 제 7 제어 트랜지스터(TC7) 및 제 8 제어 트랜지스터(TC8)에 의해 감소할 수 있다. 따라서, 제 5 제어 트랜지스터(TC5) 및 제 6 제어 트랜지스터(TC6)가 안정적으로 구동(턴온 또는 턴오프)될 수 있다.Referring to FIG. 10, the low-
도 11은 본 발명의 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치를 나타내는 블록도이다.11 is a block diagram illustrating an organic light emitting display according to embodiments of the present invention.
도 11을 참조하면, 유기 발광 표시 장치(300)는 표시 패널(310), 데이터 구동부(320), 스캔 구동부(330), 발광 제어부(340) 및 타이밍 제어부(350)를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 11, the
표시 패널(310)은 복수의 화소들을 포함할 수 있다. 표시 패널(310)에는 복수의 데이터 배선들, 복수의 스캔 배선들 및 복수의 발광 제어 배선들이 형성될 수 있다. 데이터 배선들과 스캔 배선들이 교차하는 영역에 복수의 화소들이 형성될 수 있다.The
화소 각각은 유기 발광 다이오드, 구동 회로 및 저주파 보상 회로를 포함할 수 있다. 유기 발광 다이오드는 애노드 전극에 흐르는 구동 전류에 따라 발광할 수 있다. 유기 발광 다이오드의 애노드 전극은 구동 회로 및 저주파 보상 회로와 연결되고, 유기 발광 다이오드의 캐소드 전극은 저전원 전압을 공급하는 저전원 전압 배선과 연결될 수 있다. 구동 회로는 데이터 신호(DATA)에 생성하는 구동 전류를 생성하여 유기 발광 다이오드에 공급할 수 있다. 구동 회로는 스캔 공급 배선, 데이터 공급 배선 및 고전원 전압 배선과 연결될 수 있다. 구동 회로는 스캔 공급 배선을 통해 공급되는 스캔 신호(SCAN)에 응답하여 데이터 공급 배선으로부터 데이터 신호(DATA)를 공급받고, 데이터 신호(DATA)에 상응하는 구동 전류를 생성할 수 있다. 저주파 보상 회로는 유기 발광 표시 장치(300)의 저주파 구동 시 유기 발광 다이오드의 애노드 전극에 기 설정된 전압 레벨을 갖는 보상 전압을 공급하여 구동 전류를 보상할 수 있다. 저주파 보상 회로는 구동 회로 및 고전원 전압 배선과 연결될 수 있다. 저주파 보상 회로는 제 1 스위칭 회로, 제 2 스위칭 회로 및 제 3 스위칭 회로를 포함할 수 있다. 제 1 스위칭 회로는 제 1 저주파 제어 신호에 응답하여 데이터 신호(DATA)를 제 1 노드로 공급할 수 있다. 제 2 스위칭 회로는 제 2 저주파 제어 신호에 응답하여 고전원 전압(예를 들어, ELVDD)을 제 1 노드로 공급할 수 있다. 제 3 스위칭 회로는 제 1 노드에 공급되는 데이터 신호(DATA) 또는 고전원 전압에 응답하여 보상 전압을 유기 발광 다이오드의 애노드 전극에 공급할 수 있다. 이 때, 유기 발광 표시 장치(300)의 저주파 구동 시 제 1 저주파 제어 신호가 활성화되고, 유기 발광 표시 장치(300)의 노멀 구동 시 제 2 저주파 제어 신호가 활성화될 수 있다. Each of the pixels may include an organic light emitting diode, a driving circuit, and a low frequency compensation circuit. The organic light emitting diode can emit light according to the driving current flowing through the anode electrode. The anode electrode of the organic light emitting diode may be connected to a driving circuit and a low frequency compensation circuit, and the cathode electrode of the organic light emitting diode may be connected to a low power supply voltage line supplying a low power supply voltage. The driving circuit can generate a driving current to be generated in the data signal (DATA) and supply it to the organic light emitting diode. The driving circuit may be connected to the scan supply line, the data supply line, and the high-voltage line. The driving circuit can receive the data signal DATA from the data supply wiring in response to the scan signal SCAN supplied through the scan supply wiring and generate a driving current corresponding to the data signal DATA. The low frequency compensation circuit may compensate the driving current by supplying a compensation voltage having a predetermined voltage level to the anode electrode of the organic light emitting diode during low frequency driving of the organic light emitting
일 실시예에서, 제 1 스위칭 회로는 제 1 저주파 제어 신호에 응답하여 턴온 또는 턴오프되는 제 1 제어 트랜지스터를 포함하고, 제 2 스위칭 회로는 제 2 저주파 제어 신호에 응답하여 턴온 또는 턴오프되는 제 2 제어 트랜지스터를 포함하며, 제 3 스위칭 회로는 제 1 노드에 공급되는 데이터 신호(DATA) 또는 고전원 전압에 응답하여 턴온 또는 턴오프되는 제 3 제어 트랜지스터를 포함할 수 있다. 유기 발광 표시 장치(300)의 노멀 구동 시, 제 1 저주파 제어 신호에 응답하여 제 1 제어 트랜지스터가 턴오프되고, 제 2 저주파 제어 신호에 응답하여 제 2 제어 트랜지스터가 턴온될 수 있다. 또한, 유기 발광 표시 장치(300)의 저주파 구동 시, 제 1 저주파 제어 신호에 응답하여 제 1 제어 트랜지스터가 턴온되고, 제 2 제어 트랜지스터가 턴오프될 수 있다.In one embodiment, the first switching circuit includes a first control transistor that is turned on or off in response to the first low-frequency control signal, and the second switching circuit includes a first switching transistor that is turned on or off in response to the second low- 2 control transistor, and the third switching circuit may include a third control transistor which is turned on or off in response to a data signal (DATA) supplied to the first node or a high voltage. In normal driving of the organic
다른 실시예에서, 제 1 스위칭 회로는 제 1 저주파 제어 신호에 응답하여 턴온 또는 턴오프되는 제 1 제어 트랜지스터 및 제 2 제어 트랜지스터를 포함하고, 제 2 스위칭 회로는 제 2 저주파 제어 신호에 응답하여 턴온 또는 턴오프되는 제 3 제어 트랜지스터 및 제 4 제어 트랜지스터를 포함하며, 제 3 스위칭 회로는 데이터 신호(DATA) 또는 고전원 전압에 응답하여 턴온 또는 턴오프되는 제 5 제어 트랜지스터 및 제 6 제어 트랜지스터를 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 제 5 제어 트랜지스터가 엔모스 트랜지스터인 경우, 제 6 제어 트랜지스터는 피모스 트랜지스터일 수 있다. 다른 실시예에서, 제 5 제어 트랜지스터가 피모스 트랜지스터인 경우, 제 6 제어 트랜지스터는 엔모스 트랜지스터일 수 있다. 유기 발광 표시 장치(300)의 노멀 구동 시, 제 1 저주파 제어 신호에 응답하여 제 1 제어 트랜지스터 및 제 2 제어 트랜지스터가 턴오프되고, 제 2 저주파 제어 신호에 응답하여 제 3 제어 트랜지스터 및 제 4 제어 트랜지스터가 턴온될 수 있다. 유기 발광 표시 장치(300)의 저주파 구동 시, 제 1 저주파 제어 신호에 응답하여 제 1 제어 트랜지스터 및 제 2 제어 트랜지스터가 턴온되고, 제 2 저주파 제어 신호에 응답하여 제 3 제어 트랜지스터 및 제 4 제어 트랜지스터가 턴오프될 수 있다. 한편, 제 2 스위칭 회로는 데이터 신호(DATA)의 전압 레벨을 감소시키는 제 7 제어 트랜지스터 및 제 8 제어 트랜지스터를 더 포함할 수 있다.In another embodiment, the first switching circuit includes a first control transistor and a second control transistor which are turned on or off in response to the first low-frequency control signal, and the second switching circuit is turned on in response to the second low- And the third control circuit includes a fifth control transistor and a sixth control transistor which are turned on or off in response to the data signal DATA or the high voltage, can do. In one embodiment, when the fifth control transistor is an NMOS transistor, the sixth control transistor may be a PMOS transistor. In another embodiment, when the fifth control transistor is a PMOS transistor, the sixth control transistor may be an NMOS transistor. The first control transistor and the second control transistor are turned off in response to the first low frequency control signal, and in response to the second low frequency control signal, the third control transistor and the fourth control The transistor can be turned on. The first control transistor and the second control transistor are turned on in response to the first low frequency control signal, and in response to the second low frequency control signal, the third control transistor and the fourth control transistor Can be turned off. On the other hand, the second switching circuit may further include a seventh control transistor and an eighth control transistor for reducing the voltage level of the data signal DATA.
스캔 구동부(330)는 스캔 공급 배선을 통해 화소들에 스캔 신호(SCAN)를 공급할 수 있다. 데이터 구동부(320)는 스캔 신호(SCAN)에 따라 데이터 공급 배선을 통해 화소들에 데이터 신호(DATA)를 공급할 수 있다. 발광 제어부(340)는 발광 제어 배선을 통해 화소들에 유기 발광 다이오드의 발광 여부를 제어하는 발광 제어 신호(EM)를 공급할 수 있다. 타이밍 제어부(350)는 스캔 구동부(330), 데이터 구동부(320) 및 발광 제어부(340)를 제어하는 제어 신호들(CTL1, CTL2)을 생성할 수 있다.The
상술한 바와 같이, 도 11의 유기 발광 표시 장치(300)는 각각의 화소에 저주파 보상 회로를 포함하고, 유기 발광 표시 장치(300)의 저주파 구동 시 유기 발광 다이오드의 애노드 전극에 보상 전압을 공급함으로써, 저주파 구동 시 발생하는 화질 불량을 방지할 수 있다.As described above, the organic light emitting
도 12는 도 11의 유기 발광 표시 장치를 포함하는 전자 기기를 나타내는 블록도이고, 도 13은 도 12의 전자 기기가 스마트폰으로 구현되는 일 예를 나타내는 도면이다.FIG. 12 is a block diagram illustrating an electronic device including the OLED display of FIG. 11, and FIG. 13 is a diagram illustrating an example of an electronic device of FIG. 12 implemented by a smart phone.
도 12 및 도 11을 참조하면, 전자 기기(400)는 프로세서(410), 메모리 장치(420), 저장 장치(430), 입출력 장치(440), 파워 서플라이(450) 및 표시 장치(460)를 포함할 수 있다. 이 때, 표시 장치(460)는 도 11의 유기 발광 표시 장치(300)에 상응할 수 있다. 나아가, 전자 기기(400)는 비디오 카드, 사운드 카드, 메모리 카드, USB 장치 등과 통신하거나, 다른 시스템들과 통신할 수 있는 여러 포트(port)들을 더 포함할 수 있다. 한편, 도 13에 도시된 바와 같이, 전자 기기(400)는 스마트폰(500)으로 구현될 수 있으나, 전자 기기(400)가 그에 한정되는 것은 아니다.12 and 11, the
프로세서(410)는 특정 계산들 또는 태스크(task)들을 수행할 수 있다. 일 실시예에서, 프로세서(410)는 마이크로프로세서(micro processor), 중앙 처리 장치(CPU) 등일 수 있다. 프로세서(410)는 어드레스 버스(address bus), 제어 버스(control bus) 및 데이터 버스(data bus) 등을 통하여 다른 구성 요소들에 연결될 수 있다. 또한, 프로세서(410)는 주변 구성요소 상호연결(Peripheral Component Interconnect; PCI) 버스와 같은 확장 버스에도 연결될 수 있다. 메모리 장치(420)는 전자 기기(400)의 동작에 필요한 데이터들을 저장할 수 있다. 예를 들어, 메모리 장치(420)는 EPROM, EEPROM, 플래시 메모리, PRAM(Phase Change Random Access Memory), RRAM(Resistance Random Access Memory), MRAM(Magnetic Random Access Memory), FRAM(Ferroelectric Random Access Memory) 등과 같은 비휘발성 메모리 장치 및/또는DRAM(Dynamic Random Access Memory), SRAM(Static Random Access Memory), 모바일 DRAM 등과 같은 휘발성 메모리 장치를 포함할 수 있다. 저장 장치(430)는 솔리드 스테이트 드라이브(Solid State Drive; SSD), 하드 디스크 드라이브(Hard Dist Drive; HDD), 씨디롬(CD-ROM) 등을 포함할 수 있다.The
입출력 장치(440)는 키보드, 키패드, 터치패드, 터치스크린, 마우스 등과 같은 입력 수단 및 스피커, 프린터 등과 같은 출력 수단을 포함할 수 있다. 표시 장치(460)는 입출력 장치(440) 내에 구비될 수도 있다. 파워 서플라이(450)는 전자 기기(400)의 동작에 필요한 파워를 공급할 수 있다. 표시 장치(460)는 상기 버스들 또는 다른 통신 링크를 통해서 다른 구성 요소들에 연결될 수 있다. 상술한 바와 같이, 표시 장치(460)는 표시 패널, 데이터 구동부, 스캔 구동부, 발광 제어부 및 타이밍 제어부를 포함할 수 있다. 표시 패널은 복수의 화소들을 포함할 수 있다. 화소 각각은 유기 발광 다이오드, 구동 회로 및 저주파 보상 회로를 포함할 수 있다. 유기 발광 다이오드는 애노드 전극에 흐르는 구동 전류에 따라 발광할 수 있다. 구동 회로는 데이터 신호에 생성하는 구동 전류를 생성하여 유기 발광 다이오드에 공급할 수 있다. 저주파 보상 회로는 유기 발광 표시 장치의 저주파 구동 시 유기 발광 다이오드의 애노드 전극에 기 설정된 전압 레벨을 갖는 보상 전압을 공급하여 구동 전류를 보상할 수 있다. 저주파 보상 회로는 제 1 스위칭 회로, 제 2 스위칭 회로 및 제 3 스위칭 회로를 포함할 수 있다. 제 1 스위칭 회로는 제 1 저주파 제어 신호에 응답하여 데이터 신호를 제 1 노드로 공급할 수 있다. 제 2 스위칭 회로는 제 2 저주파 제어 신호에 응답하여 고전원 전압(예를 들어, ELVDD)을 제 1 노드로 공급할 수 있다. 제 3 스위칭 회로는 제 1 노드에 공급되는 데이터 신호 또는 고전원 전압에 응답하여 보상 전압을 유기 발광 다이오드의 애노드 전극에 공급할 수 있다. 스캔 구동부는 스캔 배선을 통해 화소들에 스캔 신호를 공급할 수 있다. 데이터 구동부는 스캔 신호에 따라 데이터 배선을 통해 화소들에 데이터 신호를 공급할 수 있다. 발광 제어부는 발광 제어 배선을 통해 화소들에 유기 발광 다이오드의 발광 여부를 제어하는 발광 제어 신호를 공급할 수 있다. 타이밍 제어부는 스캔 구동부, 데이터 구동부 및 발광 제어부를 제어하는 제어 신호들을 생성할 수 있다. The input /
상술한 바와 같이, 도 12의 전자 기기(400)는 표시 패널에 포함되는 화소 각각에 저주파 보상 회로를 형성하고, 표시 장치(460)의 저주파 구동 시 유기 발광 다이오드의 애노드 전극에 보상 전압을 공급함으로써, 저주파 구동 시 발생하는 화질 불량을 방지할 수 있다.12, a low-frequency compensation circuit is formed in each of the pixels included in the display panel, and a compensation voltage is supplied to the anode electrode of the organic light emitting diode during low-frequency driving of the
본 발명은 표시 장치를 구비한 모든 전자 기기에 적용될 수 있다. 예를 들어, 본 발명은 텔레비전, 컴퓨터 모니터, 노트북, 디지털 카메라, 휴대폰, 스마트폰, 스마트패드, 타블렛 PC, 피디에이(PDA), 피엠피(PMP), MP3 플레이어, 네비게이션, 비디오폰 등에 적용될 수 있다.The present invention can be applied to all electronic apparatuses having a display device. For example, the present invention can be applied to a television, a computer monitor, a notebook, a digital camera, a mobile phone, a smart phone, a smart pad, a tablet PC, a PDA, a PMP, an MP3 player,
이상에서는 본 발명의 예시적인 실시예들을 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it will be understood by those of ordinary skill in the art that various changes in form and details may be made therein without departing from the spirit and scope of the invention as defined by the appended claims. It will be understood that the invention may be modified and varied without departing from the scope of the invention.
100: 구동 회로
200: 저주파 보상 회로
300: 유기 발광 표시 장치
400: 전자 기기
500: 스마트폰100: driving circuit 200: low frequency compensation circuit
300: organic light emitting diode display device 400: electronic device
500: Smartphone
Claims (20)
데이터 신호에 상응하는 구동 전류를 생성하고, 상기 구동 전류를 상기 유기 발광 다이오드에 공급하는 구동 회로; 및
저주파 구동 시 상기 유기 발광 다이오드의 애노드 전극에 기 설정된 전압 레벨을 갖는 보상 전압을 공급하여 상기 구동 전류를 보상하는 저주파 보상 회로를 포함하는 유기 발광 표시 장치의 화소.Organic light emitting diodes;
A driving circuit for generating a driving current corresponding to the data signal and supplying the driving current to the organic light emitting diode; And
And a low-frequency compensation circuit for compensating the driving current by supplying a compensation voltage having a predetermined voltage level to the anode electrode of the organic light emitting diode during low-frequency driving.
제 1 저주파 제어 신호에 응답하여 상기 데이터 신호를 제 1 노드로 공급하는 제 1 스위칭 회로;
제 2 저주파 제어 신호에 응답하여 고전원 전압을 상기 제 1 노드로 공급하는 제 2 스위칭 회로; 및
상기 제 1 노드에 공급되는 상기 데이터 신호 또는 상기 고전원 전압에 응답하여 상기 보상 전압을 상기 유기 발광 다이오드의 상기 애노드 전극에 공급하는 제 3 스위칭 회로를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치의 화소.The low-frequency compensation circuit according to claim 1, wherein the low-
A first switching circuit for supplying said data signal to a first node in response to a first low frequency control signal;
A second switching circuit for supplying a high voltage to the first node in response to a second low frequency control signal; And
And a third switching circuit for supplying the compensation voltage to the anode electrode of the organic light emitting diode in response to the data signal or the high voltage supplied to the first node. .
상기 제 2 스위칭 회로는 상기 제 2 저주파 제어 신호에 응답하여 턴온 또는 턴오프되는 제 2 제어 트랜지스터를 포함하며,
상기 제 3 스위칭 회로는 상기 제 1 노드에 공급되는 상기 데이터 신호 또는 상기 고전원 전압에 응답하여 턴온 또는 턴오프되는 제 3 제어 트랜지스터를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치의 화소.The plasma display apparatus according to claim 2, wherein the first switching circuit includes a first control transistor which is turned on or off in response to the first low-
The second switching circuit includes a second control transistor which is turned on or off in response to the second low frequency control signal,
Wherein the third switching circuit includes a third control transistor which is turned on or off in response to the data signal supplied to the first node or the high voltage.
상기 제 2 스위칭 회로는 상기 제 2 저주파 제어 신호에 응답하여 턴온 또는 턴오프되는 제 3 제어 트랜지스터 및 제 4 제어 트랜지스터를 포함하며,
상기 제 3 스위칭 회로는 상기 데이터 신호 또는 상기 고전원 전압에 응답하여 턴온 또는 턴오프되는 제 5 제어 트랜지스터 및 제 6 제어 트랜지스터를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치의 화소.The plasma display apparatus according to claim 2, wherein the first switching circuit includes a first control transistor and a second control transistor which are turned on or off in response to the first low-
The second switching circuit includes a third control transistor and a fourth control transistor which are turned on or off in response to the second low frequency control signal,
Wherein the third switching circuit includes a fifth control transistor and a sixth control transistor which are turned on or off in response to the data signal or the high voltage.
상기 화소들에 데이터 신호를 공급하는 데이터 구동부;
상기 화소들에 스캔 신호를 공급하는 스캔 구동부 ;
상기 화소들에 발광 제어 신호를 공급하는 발광 제어부; 및
상기 데이터 구동부, 스캔 구동부 및 발광 제어부의 동작을 제어하는 제어 신호들을 생성하는 타이밍 제어부를 포함하고, 상기 화소들 각각은
유기 발광 다이오드;
상기 데이터 신호에 상응하는 구동 전류를 생성하고, 상기 구동 전류를 상기 유기 발광 다이오드에 공급하는 구동 회로; 및
저주파 구동 시 상기 유기 발광 다이오드의 애노드 전극에 기 설정된 전압 레벨을 갖는 보상 전압을 공급하여 상기 구동 전류를 보상하는 저주파 보상 회로를 포함하는 유기 발광 표시 장치.A display panel including a plurality of pixels;
A data driver for supplying a data signal to the pixels;
A scan driver for supplying a scan signal to the pixels;
A light emission control unit for supplying a light emission control signal to the pixels; And
And a timing controller for generating control signals for controlling operations of the data driver, the scan driver, and the light emission controller,
Organic light emitting diodes;
A drive circuit for generating a drive current corresponding to the data signal and supplying the drive current to the organic light emitting diode; And
And a low-frequency compensation circuit for supplying a compensation voltage having a predetermined voltage level to the anode electrode of the organic light emitting diode during low-frequency driving to compensate the driving current.
제 1 저주파 제어 신호에 응답하여 상기 데이터 신호를 제 1 노드로 공급하는 제 1 스위칭 회로;
제 2 저주파 제어 신호에 응답하여 고전원 전압을 상기 제 1 노드로 공급하는 제 2 스위칭 회로; 및
상기 제 1 노드에 공급되는 상기 데이터 신호 또는 상기 고전원 전압에 응답하여 상기 보상 전압을 상기 유기 발광 다이오드의 상기 애노드 전극에 공급하는 제 3 스위칭 회로를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.13. The apparatus of claim 12, wherein the low-frequency compensation circuit
A first switching circuit for supplying said data signal to a first node in response to a first low frequency control signal;
A second switching circuit for supplying a high voltage to the first node in response to a second low frequency control signal; And
And a third switching circuit for supplying the compensation voltage to the anode electrode of the organic light emitting diode in response to the data signal or the high voltage applied to the first node.
상기 제 2 스위칭 회로는 상기 제 2 저주파 제어 신호에 응답하여 턴온 또는 턴오프되는 제 2 제어 트랜지스터를 포함하며,
상기 제 3 스위칭 회로는 상기 제 1 노드에 공급되는 상기 데이터 신호 또는 상기 고전원 전압에 응답하여 턴온 또는 턴오프되는 제 3 제어 트랜지스터를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.14. The semiconductor memory device according to claim 13, wherein the first switching circuit includes a first control transistor which is turned on or off in response to the first low-
The second switching circuit includes a second control transistor which is turned on or off in response to the second low frequency control signal,
Wherein the third switching circuit includes a third control transistor which is turned on or off in response to the data signal supplied to the first node or the high voltage.
상기 제 2 스위칭 회로는 상기 제 2 저주파 제어 신호에 응답하여 턴온 또는 턴오프되는 제 3 제어 트랜지스터 및 제 4 제어 트랜지스터들을 포함하며,
상기 제 3 스위칭 회로는 상기 데이터 신호 또는 상기 고전원 전압에 응답하여 턴온 또는 턴오프되는 제 5 제어 트랜지스터 및 제 6 제어 트랜지스터들을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.14. The semiconductor memory device according to claim 13, wherein the first switching circuit includes a first control transistor and a second control transistor which are turned on or off in response to the first low-
Wherein the second switching circuit includes a third control transistor and a fourth control transistor which are turned on or off in response to the second low frequency control signal,
Wherein the third switching circuit includes a fifth control transistor and a sixth control transistor which are turned on or off in response to the data signal or the high voltage.
The organic light emitting diode display according to claim 17, wherein the second switching circuit further comprises a seventh control transistor and an eighth control transistor for reducing a voltage level of the data voltage.
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