KR20180022273A - Pellicle for an Extreme Ultraviolet(EUV) Lithography and method for fabricating the same - Google Patents

Pellicle for an Extreme Ultraviolet(EUV) Lithography and method for fabricating the same Download PDF

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Abstract

The present invention provides a method for manufacturing a pellicle for extreme ultraviolet lithography, which can easily separate a pellicle from a support layer without contamination or breakage after completion of a pellicle manufacturing process. The pellicle for extreme ultraviolet lithography prepares the support layer, forms a pellicle layer on one surface of the support layer, forms a mask layer pattern on the other surface of the support layer in regions in which exposure light is penetrated on the other surface and a separation pattern is formed, etches the exposed support layer portion so that the pellicle layer is exposed to form a support layer pattern for supporting the pellicle layer and the separation pattern, and separates the pellicle from the support layer through a separation process using the separation pattern.

Description

극자외선 리소그래피용 펠리클 및 그의 제조 방법 {Pellicle for an Extreme Ultraviolet(EUV) Lithography and method for fabricating the same}TECHNICAL FIELD The present invention relates to a pellicle for extreme ultraviolet lithography and a method for manufacturing the same.

본 발명은 극자외선 리소그래피용 펠리클 및 그의 제조 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는, 오염이나 파손 없이 펠리클을 용이하게 제조할 수 있는 극자외선 리소그래피용 펠리클 및 그의 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a pellicle for extreme ultraviolet lithography and a method for producing the same, and more particularly, to a pellicle for extreme ultraviolet lithography capable of easily producing a pellicle without contamination or breakage, and a method for producing the same.

종래 ArF 파장(193㎚)의 노광광을 이용하는 노광 기술은 32 ㎚ 이하의 미세 회로 패턴의 선폭을 구현하는데 있어서 더블 패터닝(double patterning), 이멀젼(Immersion) 등 공정의 복잡성 및 고비용 등을 동반한다. 이를 극복하기 위하여 13.5 ㎚ 극자외선(Extreme Ultra Violet, 이하, EUV라고 함)을 이용한 EUV 포토리소그래피 기술이 차세대 노광 공정기술로 주목 받고 있다.Conventional exposure techniques using exposure light of the ArF wavelength (193 nm) are accompanied by complexity and high cost of processes such as double patterning, immersion and the like in realizing the line width of the fine circuit pattern of 32 nm or less . To overcome this problem, EUV photolithography using 13.5 nm extreme ultra violet (hereinafter referred to as EUV) has attracted attention as a next generation exposure process technology.

한편, 포토리소그래피 공정은 패터닝을 위한 원판으로서 포토마스크(Photomask)가 사용되고, 포토마스크 상의 패턴이 노광 장비를 통해 웨이퍼에 전사되는데, 만약, 포토마스크에 파티클(Particle), 이물질 등의 불순물이 부착되면, 노광 광이 불순물에 흡수 혹은 반사되어 전사된 패턴이 손상됨에 따라 반도체 장치의 성능이나 수율의 저하를 초래 할 수 있다. On the other hand, in the photolithography process, a photomask is used as a disk for patterning, and the pattern on the photomask is transferred to the wafer through the exposure equipment. If impurities such as particles and foreign substances are adhered to the photomask , The exposure light is absorbed or reflected by the impurities and the transferred pattern is damaged, which may result in deterioration of the performance and yield of the semiconductor device.

이에 따라, 포토마스크의 표면에 불순물이 부착하는 것을 방지하기 위하여 포토마스크에 펠리클(Pelicle)을 부착하는 방법이 행해지고 있다. 상기 펠리클은 포토마스크의 표면 상부에 배치되며, 이에 따라, 펠리클 상에 불순물이 부착되더라도 포토리소그래피 공정 시, 초점은 포토마스크의 패턴 상에 일치되어 있으므로 펠리클 상의 먼지 또는 이물질은 초점이 맞지 않아 패턴에 전사되지 않게 된다. 최근에는, 회로 선폭의 미세화에 따라 패턴 손상에 영향을 미칠 수 있는 불순물의 크기 또한 줄어들어 포토마스크 보호를 위한 펠리클의 역할이 더욱 중요해 지고 있으며, 포토리소그래피 기술에서 필수적인 요소로 자리잡고 있다.Accordingly, a method of attaching a pellicle to a photomask is carried out in order to prevent impurities from adhering to the surface of the photomask. The pellicle is disposed on the surface of the photomask so that even when impurities are attached on the pellicle, the focus is on the pattern of the photomask during the photolithography process, so that dust or foreign matter on the pellicle is not focused, It is not transferred. In recent years, as the circuit line width becomes finer, the size of impurities which may affect the pattern damage is also reduced, and thus the role of the pellicle for protecting the photomask becomes more important, and is becoming an essential element in the photolithography technology.

상기 펠리클은 EUV 노광광의 원활하고 우수한 투과를 위해 기본적으로 50㎚ 이하 두께의 극박막 형태를 갖는 펠리클층을 포함하여 구성되며, 상기 펠리클층은 진공환경과 스테이지의 이동 가속도에 대한 기계적 신뢰성, 높은 열에너지를 동반하는 노광 공정에도 견딜 수 있는 열적 신뢰성등을 만족해야 하고, 이러한 요소들을 고려하여 구성물질 및 구조가 결정된다.The pellicle includes a pellicle layer having a thickness of 50 nm or less and a thickness of 50 nm or less for smooth and excellent transmission of EUV exposure light. The pellicle layer has mechanical reliability for a vacuum environment and a moving acceleration of the stage, And the thermal reliability that can withstand the exposure process accompanied by the photolithography process, and the constituent materials and structures are determined in consideration of these factors.

상기 펠리클은 일반적으로 지지층 상에 펠리클층을 형성하고, 상기 펠리클층이 노출되도록 지지층에 대한 식각 공정을 진행하여 펠리클의 제조를 완료한 후, 상기 지지층으로부터 펠리클을 분리하고 접착제로 프레임과 포토마스크에 부착되어 EUV 리소그래피 공정에 이용된다. The pellicle is generally formed by forming a pellicle layer on a support layer and etching the support layer to expose the pellicle layer to complete the manufacture of the pellicle. The pellicle is then separated from the support layer, To be used in an EUV lithography process.

이때, 상기 펠리클의 분리에는 펠리클층에 영향을 주지 않고, 지지층으로부터 정확하게 분리하기 위하여 레이저 다이싱(Laser dicing) 또는 스텔스 다이싱 (Stealth dicing)공정이 이용된다. 그러나, 상기 다이싱 공정은 분리 공정 중 오염원이 발생하여 펠리클을 오염시킬 수 있을 뿐만 아니라 다이싱을 하기 위하여 오랜 시간과 고가의 장비가 요구된다는 문제점이 있다.At this time, a laser dicing or a stealth dicing process is used to separate the pellicle from the support layer without affecting the pellicle layer. However, the dicing process has a problem in that a contamination source is generated during the separation process to pollute the pellicle, and a long time and expensive equipment are required for dicing.

이에 따라, 펠리클층에 영향을 주지 않고, 오염을 방지하며, 펠리클을 지지층으로부터 오염이나 파손없이 용이하게 분리할 수 있는 새로운 방법이 요구되고 있다.There is thus a need for a new method that does not affect the pellicle layer, prevents contamination, and can easily separate the pellicle from the support layer without contamination or breakage.

본 발명은 펠리클의 제조 시 펠리클층의 파손 및 오염 없이 펠리클을 지지층으로부터 용이하게 분리시킬 수 있는 극자외선 리소그래피용 펠리클 및 그의 제조 방법을 제공한다.The present invention provides a pellicle for extreme ultraviolet lithography capable of easily separating a pellicle from a support layer without destruction and contamination of the pellicle layer in the production of the pellicle and a method for producing the same.

본 발명은 펠리클 제조 비용을 줄이고 수율을 향상시킬 수 있는 극자외선 리소그래피용 펠리클 및 그의 제조 방법을 제공한다.The present invention provides a pellicle for extreme ultraviolet lithography capable of reducing the production cost of pellets and improving the yield and a method for producing the same.

본 발명에 따른 극자외선 리소그래피용 펠리클 제조 방법은, 지지층을 준비하고, 상기 지지층의 일면에 펠리클층을 형성하며 타면에 노광광이 투과되는 영역 및 분리패턴이 형성되는 영역의 상기 지지층의 타면 부분을 노출시키는 마스크층 패턴을 형성하고, 상기 노출된 지지층 부분을 상기 펠리클층이 노출되도록 식각하여 상기 펠리클층을 지지하는 지지층 패턴 및 분리패턴을 형성하고, 상기 분리패턴을 이용한 분리 공정으로 지지층으로부터 펠리클을 분리한다. A pellicle manufacturing method for extreme ultraviolet lithography according to the present invention is characterized in that a support layer is prepared, a pellicle layer is formed on one surface of the support layer, and a region where exposure light is transmitted to the other surface and a surface of the support layer Forming a support layer pattern and a separation pattern for supporting the pellicle layer by etching the exposed support layer portion so that the pellicle layer is exposed, and separating the pellicle layer from the support layer by a separation process using the separation pattern Separate.

상기 분리패턴은 상기 노광광이 투과되는 영역을 감싸는 상기 지지층 패턴의 외곽을 따라 상기 노광광이 투과되는 영역으로부터 5mm ~ 7mm의 간격으로 이격되게 형성한다.The separation pattern is formed to be spaced apart from the region through which the exposure light is transmitted, at an interval of 5 mm to 7 mm along the outer periphery of the support layer pattern surrounding the region through which the exposure light is transmitted.

상기 분리패턴은 직선 또는 곡선의 바(Bar) 형상을 가지며, 상호 이격된 적어도 2개 이상으로 형성한다.The separation pattern has a straight or curved bar shape and is formed of at least two or more spaced apart.

상기 분리패턴 영역 내에 적어도 2개 이상 이격되도록 형성된 펠리클층 분리패턴을 더 포함한다.And a pellicle layer separation pattern formed so as to be separated by at least two or more in the separation pattern region.

상기 펠리클층 분리 패턴은 사선, 사각형, 원형, 삼각형을 포함하는 다각형 형상으로 형성한다.The pellicle layer separation pattern is formed in a polygonal shape including an oblique line, a rectangle, a circle, and a triangle.

본 발명은 펠리클의 제조를 위한 식각 공정 시, 분리패턴이 포함되도록 펠리클층을 지지하는 지지층 패턴을 형성함으로써 펠리클을 오염이나 파손 없이 지지층 패턴으로부터 용이하게 분리할 수 있다.The present invention can easily separate the pellicle from the support layer pattern without contamination or breakage by forming a support layer pattern that supports the pellicle layer so that the separation pattern is included in the etching process for manufacturing the pellicle.

또한, 본 발명은 펠리클의 분리를 위한 다이싱 공정이 필요 없어 공정이 단순화됨에 따라, 펠리클의 제조 비용을 줄일 수 있고, 제조 수율을 향상시킬 수 있다.Further, since the present invention does not require a dicing step for separating the pellicle, the manufacturing process can be simplified, and the manufacturing cost of the pellicle can be reduced and the production yield can be improved.

도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 극자외선 리소그래피용 펠리클의 제조 방법을 도시한 단면도.
도 2는 제1 실시예에 따른 분리패턴이 형성된 웨이퍼를 도시한 배면도.
도 3은 본 발명의 제2 실시예에 따른 극자외선 리소그래피용 펠리클의 제조 방법을 도시한 단면도.
도 4는 제2 실시예에 따른 분리패턴이 형성된 웨이퍼를 도시한 평면도 및 배면도.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS FIG. 1 is a cross-sectional view illustrating a method of manufacturing a pellicle for EUV lithography according to a first embodiment of the present invention; FIG.
FIG. 2 is a rear view showing a wafer on which a separation pattern according to the first embodiment is formed; FIG.
3 is a cross-sectional view illustrating a method of manufacturing a pellicle for extreme ultraviolet lithography according to a second embodiment of the present invention.
4 is a plan view and a rear view showing a wafer on which a separation pattern according to the second embodiment is formed;

이하에서는, 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 통하여 본 발명을 구체적으로 설명하지만, 실시예는 단지 본 발명의 예시 및 설명을 하기 위한 목적에서 사용된 것이지 의미 한정이나 특허청구범위에 기재된 본 발명의 범위를 제한하기 위하여 사용된 것은 아니다. 그러므로, 본 발명의 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 실시예로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술력 보호범위는 특허청구범위의 기술적 사항에 의해 정해져야 할 것이다.Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the drawings, but it should be understood that the present invention is not limited to these embodiments. For example, And is not intended to limit the scope of the invention. Therefore, it will be understood by those skilled in the art that various modifications and other equivalent embodiments may be made by those skilled in the art. Accordingly, the true scope of protection of the present invention should be determined by the technical matters of the claims.

도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 극자외선 리소그래피용 펠리클의 제조 방법을 도시한 단면도이고, 도 2는 본 발명의 제1 실시예에 따른 분리패턴이 형성된 웨이퍼를 도시한 배면도이다.FIG. 1 is a cross-sectional view illustrating a method of manufacturing a pellicle for EUV lithography according to a first embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a rear view illustrating a wafer having a separation pattern according to a first embodiment of the present invention.

도 1(a)를 참조하면, 본 발명에 따른 극자외선 리소그래피용 펠리클의 제조를 위한 기초로 사용되는, 지지층(102) 상에 펠리클층(104)을 형성한다. 지지층(102)은 펠리클층(104)을 지지하도록 역할하며, [100]의 결정 방향성을 가지고, 도핑 밀도가 1020 ions/cm2 이하인 8인치 등의 다양한 크기와 100㎛ ∼ 1㎜의 두께를 갖는 실리콘(Si) 웨이퍼를 이용하는 것이 바람직하다.Referring to Figure 1 (a), a pellicle layer 104 is formed on a support layer 102, which is used as the basis for the manufacture of a pellicle for EUV lithography according to the present invention. The support layer 102 serves to support the pellicle layer 104 and has a crystallographic orientation of [100], a variety of sizes such as 8 inches with a doping density of 10 20 ions / cm 2 or less, and a thickness of 100 μm to 1 mm It is preferable to use a silicon (Si) wafer.

펠리클층(104)은 지지층(102)의 일면에 에피탁시 성장(Epitaxy growth), 화학기상증착(Chemical Vapor Deposition), 스퍼터링(Sputtering), 원자층증착(Automic Layer Deposition), 이온빔 증착(Ion Beam Deposition) 등의 방법을 통하여 20nm ~ 60nm의 두께를 갖도록 형성한다. 펠리클층(104)은 20nm 이하의 두께를 갖는 경우, EUV 노광광에 대한 투과율은 우수하나 기계적, 열적 강도가 저하될 수 있고, 60nm 이상의 두께를 갖는 경우 기계적 특성은 우수하나 EUV 노광광에 대한 투과율이 현저하게 낮아져 펠리클층으로써 적용이 불가능하다.The pellicle layer 104 may be formed on one surface of the support layer 102 by epitaxy growth, chemical vapor deposition, sputtering, atomic layer deposition, ion beam deposition Deposition) is formed to have a thickness of 20 nm to 60 nm. When the pellicle layer 104 has a thickness of 20 nm or less, the transmittance to the EUV exposure light is excellent, but the mechanical and thermal strength may be deteriorated. When the pellicle layer 104 has a thickness of 60 nm or more, Is significantly lowered and is not applicable as a pellicle layer.

펠리클층(104)은 EUV 포토리소그래피 공정에 사용 가능하도록 13.5nm 파장의 EUV 노광광에 대하여 80% 이상의 높은 투과율을 가져야 하며, 반복되는 노광 공정으로 발생되는 높은 열에너지에 대해 일정시간 동안 변형이 없는 상태가 유지되는 열적 신뢰성이 요구된다. 펠리클층(104)은 펠리클 제조를 위한 공정 과정 중 스테이지의 이동 가속도, 진공 환경 내 압력 변화 등의 외부 환경에 대하여 기계적 강도 역시 우수해야 한다. 이를 위해, 펠리클층(104)은 투과율이 상대적으로 우수한 단결정 실리콘(c-Si), 다결정 실리콘(p-Si) 또는 상기 실리콘(Si)들에 탄소(C), 질소(N) 중 하나 이상을 포함하는 실리콘(Si) 화합물로 형성한다.The pellicle layer 104 should have a high transmittance of at least 80% with respect to the EUV exposure light of 13.5 nm wavelength so that it can be used in the EUV photolithography process, Thermal reliability is required. The pellicle layer 104 should also have excellent mechanical strength against the external environment such as the movement of the stage during the process of manufacturing the pellicle and the change in pressure in the vacuum environment. For this purpose, the pellicle layer 104 may be made of at least one of single crystal silicon (c-Si), polycrystalline silicon (p-Si) or carbon (C) and nitrogen (Si) compound.

아울러, 도시하지는 않았지만, 펠리클층(104)의 상면 및 하면 중 일면 이상에 보강층을 더 형성할 수 있다. 상기 보강층은 공정 중 높은 열에너지로 인한 펠리클층(104)의 기계적 취약점을 보강할 뿐만 아니라, 펠리클층(104)의 표면 산화를 예방하는 역할을 한다. 이를 위해, 상기 보강층은 기계적, 열적 및 광학적 특성이 우수한 물질로 구성되며, 화학기상증착(Chemical Vapor Deposition), 스퍼터링(Sputtering), 원자층증착(Automic Layer Deposition), 이온빔 증착(Ion Beam Deposition) 등의 방법을 이용하여 바람직하게, 탄화규소(SiC), 질화규소(SiN), 탄화붕소(B4C), 몰리브덴(Mo), 루세늄(Ru), 지르코늄(Zr) 중 1 이상의 물질로 형성한다.Further, although not shown, a reinforcing layer may be further formed on at least one of the upper surface and the lower surface of the pellicle layer 104. The reinforcing layer not only reinforces the mechanical weakness of the pellicle layer 104 due to the high thermal energy in the process, but also serves to prevent surface oxidation of the pellicle layer 104. For this purpose, the reinforcing layer is made of a material having excellent mechanical, thermal, and optical properties. The reinforcing layer may be formed by a chemical vapor deposition (CVD), a sputtering, an atomic layer deposition (Ion Beam Deposition) (SiC), silicon nitride (SiN), boron carbide (B 4 C), molybdenum (Mo), ruthenium (Ru) or zirconium (Zr).

상기 보강층은 펠리클층(104)의 투과율에 미치는 영향을 최소화하기 위해 펠리클층(104)보다 얇은 두께와 높은 투과율을 갖는 것이 바람직하다. 즉, 상기 보강층은 바람직하게, 2nm ~ 10nm의 두께를 가지며, 13.5nm 파장의 EUV 노광광에 대하여 80% 이상의 투과율을 갖는다.It is preferable that the reinforcing layer has a thickness smaller than that of the pellicle layer 104 and a high transmittance so as to minimize the influence on the transmittance of the pellicle layer 104. That is, the reinforcing layer preferably has a thickness of 2 nm to 10 nm and has a transmittance of 80% or more with respect to EUV exposure light having a wavelength of 13.5 nm.

도 1(b)를 참조하면, 지지층(102)의 타면에 마스크층(106)을 형성한다. 마스크층(106)은 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 금(Au), 실리콘 질화물, 실리콘 산화물 중 1 이상의 물질로 형성한다. 마스크층(106)은 30nm ~ 500nm의 두께를 갖도록 화학기상증착, 스퍼터링법, 원자층증착 및 이온빔 증착 등의 방법을 이용하여 형성한다.Referring to FIG. 1 (b), a mask layer 106 is formed on the other surface of the support layer 102. The mask layer 106 is formed of at least one of aluminum (Al), chromium (Cr), gold (Au), silicon nitride, and silicon oxide. The mask layer 106 is formed using a method such as chemical vapor deposition, sputtering, atomic layer deposition, and ion beam deposition so as to have a thickness of 30 nm to 500 nm.

여기서, 상술한 펠리클층(104) 및 마스크층(106)은 그들의 형성 순서를 바꾸어 마스크층(106)을 우선적으로 형성한 후, 펠리클층(104)을 형성할 수 있다. Here, the above-described pellicle layer 104 and the mask layer 106 can be formed by preferentially forming the mask layer 106 by changing the formation order of the pellicle layer 104 and the mask layer 106.

도 1(c)를 참조하면, 마스크층(106) 상에 노광광이 투과되는 영역 및 분리패턴(111)이 형성될 영역을 노출시키는 레지스트막 패턴(108a)을 형성하고, 레지스트막 패턴(108a)을 식각 마스크로 마스크층(106)을 식각하여 지지층(102)의 하면에 마스크층 패턴(106a)을 형성한다. 1C, a resist film pattern 108a exposing a region through which exposure light is transmitted and a region where a separation pattern 111 is to be formed is formed on the mask layer 106, and a resist film pattern 108a The mask layer 106 is etched with an etching mask to form a mask layer pattern 106a on the lower surface of the supporting layer 102. [

도 1(d) 및 도 2를 참조하면, 마스크층 패턴(106a)을 식각 마스크로 마스크층 패턴(106a)에 의해 노출된 지지층(102) 부분을 펠리클층(104)이 노출되도록 식각하여 노광광이 투과되는 투과영역(T) 및 분리패턴(111)이 구비된 지지층 패턴(102a)을 형성한다. 여기서, 지지층(102)의 식각은 습식 또는 건식 식각 공정으로 진행하며, 본 발명에서는 습식 식각 공정으로 수행하는 것이 바람직하다.Referring to FIG. 1D and FIG. 2, the supporting layer 102 exposed by the mask layer pattern 106a is etched using the mask layer pattern 106a as an etching mask to expose the pellicle layer 104, Thereby forming a support layer pattern 102a having the transmission region T and the separation pattern 111 which are to be transmitted therethrough. Here, the etching of the support layer 102 proceeds to a wet or dry etching process, and in the present invention, it is preferable to perform the wet etching process.

분리패턴(111)은 지지층(102)으로부터 펠리클을 용이하게 분리하기 위하여 형성하는 패턴으로서, 펠리클 영역(P)의 가장자리, 즉, 노광광이 투과되는 영역(T)을 감싸는 지지층 패턴(102a)의 외곽을 따라 형성한다. 예를 들어, 펠리클 영역(P)이 사각형의 형상을 갖는 경우, 분리패턴(111)은 사각형 형상의 각 변을 따라 형성된다. The separation pattern 111 is a pattern formed to easily separate the pellicle from the support layer 102 and is a pattern of the support layer pattern 102a surrounding the edge of the pellicle region P, It forms along the outer perimeter. For example, when the pellicle region P has a rectangular shape, the separation pattern 111 is formed along each side of the rectangular shape.

분리패턴(111)은 직선 또는 곡선의 바(Bar) 형상을 가지며, 상호 이격된 적어도 2개 이상으로 형성하고, 펠리클을 파손 및 오염 없이 지지층(102)으로부터 용이하게 분리하기 위하여 노광광이 투과되는 영역(T)으로부터 5mm ~ 7mm의 간격으로 이격하여 형성된다. The separation pattern 111 has a straight or curved bar shape and is formed with at least two mutually spaced apart portions and the exposure light is transmitted to easily separate the pellicle from the supporting layer 102 without breakage or contamination Spaced apart from the region T by an interval of 5 mm to 7 mm.

분리패턴(111)은 지지층의 식각 후에 지지층 패턴(102a)의 단면 형상을 고려하여 습식 식각의 경우, 1.1mm 이상의 폭(w)을 갖도록 식각 공정을 진행하는 것이 바람직하고, 건식 식각의 경우, 0.05mm 이상의 폭(w)을 갖도록 식각 공정을 진행하는 것이 바람직하다.It is preferable that the etching process is performed so that the separation pattern 111 has a width w of 1.1 mm or more in the case of wet etching in consideration of the sectional shape of the supporting layer pattern 102a after etching of the supporting layer, mm or more in width (w).

도 1(e)를 참조하면, 상기 분리패턴을 이용하여 지지층(102)으로부터 펠리클층(104)을 분리하여 본 발명에 따른 극자외선 리소그래피용 펠리클(100)의 제조를 완료한다. 이때, 마스크층 패턴(106a)은 잔류하거나 제거될 수 있다.Referring to FIG. 1 (e), the pellicle layer 104 is separated from the support layer 102 using the separation pattern to complete the manufacture of the pellicle 100 for extreme ultraviolet lithography according to the present invention. At this time, the mask layer pattern 106a may remain or be removed.

도 3은 본 발명의 제2 실시예에 따른 극자외선 리소그래피용 펠리클의 제조 방법을 도시한 단면도이며, 도 4는 본 발명의 제2 실시예에 따른 분리패턴이 형성된 웨이퍼를 도시한 평면도 및 배면도이다.FIG. 3 is a cross-sectional view illustrating a method of manufacturing a pellicle for extreme ultraviolet lithography according to a second embodiment of the present invention. FIG. 4 is a plan view showing a wafer having a separation pattern according to a second embodiment of the present invention, to be.

도 3을 참조하면, 본 발명의 제2 실시예에 따른 극자외선 리소그래피용 펠리클 제조 방법은 지지층으로부터 펠리클을 더욱 용이하게 분리하기 위해 펠리클층 분리패턴(112)을 형성하는 공정을 더 수행할 수 있다. 여기서, 제2 실시예는 제1 실시예의 (a) 및 (b)와 동일한 공정으로 지지층(102)의 일면에 펠리클층(104)을 형성하고, 타면에 마스크층(106)을 형성할 수 있다.Referring to FIG. 3, the method of manufacturing a pellicle for extreme ultraviolet lithography according to the second embodiment of the present invention may further include forming a pellicle layer separation pattern 112 to more easily separate the pellicle from the support layer . Here, in the second embodiment, the pellicle layer 104 can be formed on one side of the support layer 102 and the mask layer 106 can be formed on the other side by the same processes as (a) and (b) .

도 3(c)를 참조하면, 지지층(102) 일면의 펠리클층(104) 및 타면의 마스크층(106) 상에 레지스트막 패턴(108a)을 각각 형성한다. 여기서, 지지층(102) 일면에 형성하는 레지스트막 패턴(108a)은 후속 공정에서 형성되는 펠리클층 분리패턴이 형성될 영역을 노출시키고, 타면에 형성하는 레지스트막 패턴(108a)은 노광광이 투과되는 영역 및 분리패턴이 형성될 영역을 노출시키도록 형성한다. 3 (c), a resist film pattern 108a is formed on the pellicle layer 104 on one surface of the support layer 102 and the mask layer 106 on the other surface. Here, the resist film pattern 108a formed on one surface of the support layer 102 exposes a region where a pellicle layer separation pattern to be formed in a subsequent process is to be formed, and the resist film pattern 108a formed on the other surface transmits exposure light Regions and a region where a separation pattern is to be formed are exposed.

도 3(d)를 참조하면, 레지스트막 패턴(108a)을 식각 마스크로 펠리클층(104) 및 마스크층(106)을 각각 식각하여 지지층(102)의 일면에 펠리클층 패턴(104a)을 형성하고, 타면에 마스크층 패턴(106a)을 각각 형성한다. 3 (d), the pellicle layer 104 and the mask layer 106 are etched using the resist film pattern 108a as an etching mask to form a pellicle layer pattern 104a on one side of the supporting layer 102 , And a mask layer pattern 106a is formed on the other surface.

이후, 후술될 지지층(102)의 식각 공정 시에 펠리클층 패턴(104a)을 보호하기 위하여 지지층(102)의 일면 상에 펠리클층 패턴(104a)을 가리는 홀더(200, One side holder)를 장착한다.Thereafter, a holder 200 (One side holder) for covering the pellicle layer pattern 104a is mounted on one surface of the supporting layer 102 in order to protect the pellicle layer pattern 104a during the etching process of the supporting layer 102 .

도 3(e) 및 도 4를 참조하면, 마스크층 패턴(106a)을 식각 마스크로 마스크층 패턴(106a)에 의해 노출된 지지층(102) 부분을 펠리클층 패턴(104a)이 노출되도록 식각하여 노광광이 투과되는 투과영역(T), 분리패턴(111) 및 펠리클층 분리패턴(112)이 구비된 지지층 패턴(102a)을 형성한다. 지지층(102)의 식각은 습식 또는 건식 식각 공정으로 진행하며, 상술한 제1 실시예의 (d)와 동일한 공정으로 수행하며, 분리패턴(111)은 상술한 실시예 1과 동일하게 형성된다. 3 (e) and FIG. 4, the support layer 102 exposed by the mask layer pattern 106a is etched using the mask layer pattern 106a as an etching mask so that the pellicle layer pattern 104a is exposed, A separation layer pattern 111 and a pellicle layer separation pattern 112 are formed on the support layer pattern 102a. Etching of the support layer 102 proceeds in a wet or dry etching process and is performed in the same process as in (d) of the first embodiment, and the separation pattern 111 is formed in the same manner as in the first embodiment.

펠리클층 분리패턴(112)은 지지층(102)으로부터 펠리클을 더욱 용이하게 분리하기 위하여 형성하는 패턴으로서, 펠리클 영역(P)의 가장자리를 따라 노광광이 투과되는 영역으로부터 5mm ~ 7mm의 간격으로 이격되도록 구비된 분리패턴(111) 영역 내에 형성된다. 즉. 펠리클층 분리패턴(112)은 직선 또는 곡선의 바(Bar) 형상을 가지며, 상호 이격된 분리패턴(111) 영역 내에 적어도 2개 이상 이격되게 형성하여 분리패턴(111) 영역의 펠리클층(104a)을 분리시킨다. The pellicle layer separation pattern 112 is a pattern formed to more easily separate the pellicle from the support layer 102 so that the pellicle layer separation pattern 112 is spaced at intervals of 5 mm to 7 mm from the region through which the exposure light is transmitted along the edge of the pellicle region P. And is formed in the region of the separation pattern 111 provided. In other words. The pellicle layer separation pattern 112 has a straight or curved bar shape and is formed so as to be separated from the pellicle layer 104a in the separation pattern 111 region by at least two spaces in the separation pattern region 111, .

펠리클층 분리패턴(112)은 사선 형상으로 형성하며, 도시하지는 않았지만, 사선 형상에 한정되지 않고 사각형, 원형, 삼각형, 다각형 등 다양한 형상으로 구성될 수 있다. The pellicle layer separation pattern 112 is formed in an oblique shape and may be formed in various shapes such as a square, a circle, a triangle, and a polygonal shape without being limited to the oblique shape, though it is not shown.

도 3(f)를 참조하면, 상기 분리패턴(111) 및 펠리클층 분리패턴(112)을 이용하여 지지층(102)으로부터 펠리클을 분리하여 본 발명에 따른 극자외선 리소그래피용 펠리클(100)의 제조를 완료한다. 이때, 도시하지는 않았지만 마스크 패턴(106a)은 잔류하거나 제거될 수 있다.Referring to FIG. 3 (f), the pellicle 100 is separated from the support layer 102 using the separation pattern 111 and the pellicle layer separation pattern 112 to produce the pellicle 100 for extreme ultraviolet lithography according to the present invention. Complete. At this time, though not shown, the mask pattern 106a may remain or be removed.

이상에서와 같이 본 발명은 펠리클의 제조를 위한 식각 공정 시, 분리패턴이 포함되도록 펠리클층을 지지하는 지지층 패턴을 형성함으로써 펠리클을 오염이나 파손 없이 지지층으로부터 펠리클을 용이하게 분리할 수 있다. 또한, 본 발명은 펠리클의 분리를 위한 다이싱 공정이 필요 없어 공정이 단순화됨에 따라 펠리클의 제조 비용을 줄일 수 있으며, 제조 수율을 향상시킬 수 있다.As described above, the present invention can easily separate the pellicle from the support layer without causing contamination or breakage of the pellicle by forming the support layer pattern supporting the pellicle layer so that the separation pattern is included in the etching process for manufacturing the pellicle. Further, since the present invention does not require a dicing step for separating pellicles, the manufacturing process can be simplified and the production cost of the pellicle can be reduced and the production yield can be improved.

이상, 본 발명을 가장 바람직한 실시예를 이용하여 설명하였지만, 본 발명의 기술적 범위는, 상기 실시예에 기재된 범위에 한정되지 않는다. 상기 실시예에 다양한 변경 또는 개량을 가하는 것이 가능하다는 것은 해당 기술분야의 일반적인 기술자라면 용이하게 알 수 있을 것이다. 그와 같은 변경 또는 개량을 가한 형태도 본 발명의 기술적 범위에 포함될 수 있다는 것이 특허 청구 범위의 기재로부터 분명하다.While the present invention has been described with reference to the preferred embodiments, the technical scope of the present invention is not limited to the range described in the above embodiments. It will be readily apparent to those skilled in the art that various changes and modifications can be made to the embodiments described above. It is apparent from the description of the claims that the form of such modification or improvement can be included in the technical scope of the present invention.

102 : 지지층 또는 기판
102a : 지지층 패턴
104 : 펠리클층
104a : 펠리클층 패턴
106 : 마스크층
106a : 마스크층 패턴
108 : 레지스트막
108a : 레지스트막 패턴
111 : 분리패턴
112 : 펠리클층 분리패턴102: support layer or substrate
102a: supporting layer pattern
104: Pellicle layer
104a: Pellicle layer pattern
106: mask layer
106a: mask layer pattern
108: resist film
108a: resist film pattern
111: separation pattern
112: Pellicle layer separation pattern

Claims (18)

지지층을 준비하는 단계;
상기 지지층의 일면에 펠리클층을 형성하고, 타면에 노광광이 투과되는 영역 및 분리패턴이 형성되는 영역의 상기 지지층의 타면 부분을 노출시키는 마스크층 패턴을 형성하는 단계;
상기 노출된 지지층 부분을 상기 펠리클층이 노출되도록 식각하여 상기 펠리클층을 지지하는 지지층 패턴 및 분리패턴을 형성하는 단계; 및
상기 분리패턴을 이용한 분리 공정으로 지지층으로부터 펠리클을 분리하는 단계;를 포함하는 극자외선 리소그래피용 펠리클 제조 방법.
Preparing a support layer;
Forming a pellicle layer on one surface of the support layer and forming a mask layer pattern exposing a surface of the support layer in a region where the exposure light is transmitted and a region where the exposure pattern is formed on the other surface;
Etching the exposed support layer portion to expose the pellicle layer to form a support layer pattern and a separation pattern for supporting the pellicle layer; And
And separating the pellicle from the support layer by a separation process using the separation pattern.
지지층을 준비하는 단계;
상기 지지층의 일면에 펠리클층을 형성하고, 타면에 마스크층을 형성하는 단계;
상기 펠리클층 및 마스크층을 패터닝하여 상기 지지층의 일면을 노출시키는 펠리클층 분리 패턴을 형성하고, 타면에 노광광이 투과되는 영역과 분리패턴이 형성되는 영역의 상기 지지층의 타면 부분을 노출시키는 마스크층 패턴을 형성하는 단계;
상기 지지층 타면의 노출된 지지층 부분을 상기 펠리클층 및 펠리클층 분리 패턴이 노출되도록 식각하여 상기 펠리클층을 지지하는 지지층 패턴 및 분리패턴을 형성하는 단계; 및
상기 분리패턴 및 펠리클층 분리 패턴을 이용한 분리 공정으로 지지층으로부터 펠리클을 분리하는 단계;를 포함하는 극자외선 리소그래피용 펠리클 제조 방법.
Preparing a support layer;
Forming a pellicle layer on one side of the support layer and forming a mask layer on the other side;
The pellicle layer and the mask layer are patterned to form a pellicle layer separation pattern exposing one surface of the support layer, and a mask layer for exposing the other surface of the support layer in a region where exposure light is transmitted to the other surface, Forming a pattern;
Etching the exposed support layer portion of the other surface of the support layer such that the pellicle layer and the pellicle layer separation pattern are exposed to form a support layer pattern and a separation pattern for supporting the pellicle layer; And
And separating the pellicle from the support layer by a separation process using the separation pattern and the pellicle layer separation pattern.
제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 분리패턴은 상기 노광광이 투과되는 영역을 감싸는 상기 지지층 패턴의 외곽을 따라 형성하는 것을 특징으로 하는 극자외선 리소그래피용 펠리클 제조 방법.
3. The method according to claim 1 or 2,
Wherein the separation pattern is formed along an outer periphery of the support layer pattern surrounding the region through which the exposure light is transmitted. ≪ RTI ID = 0.0 > 15. < / RTI >
제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 분리패턴은 상기 노광광이 투과되는 영역으로부터 5mm ~ 7mm의 간격으로 이격되게 형성하는 것을 특징으로 하는 극자외선 리소그래피용 펠리클 제조 방법.
3. The method according to claim 1 or 2,
Wherein the separation pattern is spaced apart from the region through which the exposure light is transmitted, the distance being 5 mm to 7 mm.
제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 분리패턴은 직선 또는 곡선의 바(Bar) 형상을 가지며, 상호 이격된 적어도 2개 이상으로 형성하는 것을 특징으로 하는 극자외선 리소그래피용 펠리클 제조 방법.
3. The method according to claim 1 or 2,
Wherein the separation pattern has a straight or curved bar shape and is formed of at least two or more spaced apart pellicles.
제2항에 있어서,
상기 펠리클층 분리패턴은 상기 분리패턴 영역 내에 형성하는 것을 특징으로 하는 극자외선 리소그래피용 펠리클 제조 방법.
3. The method of claim 2,
Wherein the pellicle layer separation pattern is formed in the separation pattern region.
제2항에 있어서,
상기 분리패턴은 직선 또는 곡선의 바(Bar) 형상을 가지며, 상호 이격된 적어도 2개 이상으로 형성하고, 상기 펠리클층 분리 패턴은 상기 하나의 분리 패턴 영역 내에 적어도 2개 이상 이격되도록 형성하는 것을 특징으로 하는 극자외선 리소그래피용 펠리클 제조 방법.
3. The method of claim 2,
Wherein the separation pattern has a straight or curved bar shape and is formed of at least two mutually spaced apart pellicle layer separation patterns so that at least two or more pellicle layer separation patterns are separated from each other in the one separation pattern area Of the pellicle.
제7항에 있어서,
상기 펠리클층 분리 패턴은 사선, 사각형, 원형, 삼각형을 포함하는 다각형 형상으로 형성하는 것을 특징으로 하는 극자외선 리소그래피용 펠리클 제조 방법.
8. The method of claim 7,
Wherein the pellicle layer separation pattern is formed in a polygonal shape including an oblique line, a quadrangle, a circle, and a triangle.
제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 펠리클층은 20nm ~ 60nm의 두께로 형성하는 것을 특징으로 하는 극자외선 리소그래피용 펠리클 제조 방법.
3. The method according to claim 1 or 2,
Wherein the pellicle layer has a thickness of 20 nm to 60 nm.
제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 펠리클층은 단결정 실리콘(c-Si), 다결정 실리콘(p-Si) 또는 상기 실리콘(Si)들에 탄소(C), 질소(N) 중 하나 이상을 포함하는 실리콘(Si) 화합물로 형성하는 것을 특징으로 하는 극자외선 리소그래피용 펠리클 제조 방법.
3. The method according to claim 1 or 2,
The pellicle layer is formed of a single crystal silicon (c-Si), polycrystalline silicon (p-Si) or a silicon (Si) compound containing at least one of carbon (C) and nitrogen (N) ≪ / RTI > wherein the pellicle is a pellicle.
제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 펠리클층 또는 마스크층 패턴은 에피탁시 성장(Epitaxy growth), 화학기상증착(Chemical Vapor Deposition), 스퍼터링(Sputtering), 원자층증작(Automic Layer Deposition) 및 이온빔 증착 (Ion Beam Deposition)중 하나로 형성하는 것을 특징으로 하는 극자외선 리소그래피용 펠리클 제조 방법
3. The method according to claim 1 or 2,
The pellicle layer or the mask layer pattern may be formed by any one of epitaxy growth, chemical vapor deposition, sputtering, atomic layer deposition, and ion beam deposition. A method for manufacturing a pellicle for extreme ultraviolet lithography
제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 마스크층 패턴은 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 금(Au), 실리콘 질화물, 실리콘 산화물 중 1 이상의 물질을 포함하여 형성하는 것을 특징으로 하는 극자외선 리소그래피용 펠리클 제조 방법.
3. The method according to claim 1 or 2,
Wherein the mask layer pattern comprises at least one of aluminum (Al), chromium (Cr), gold (Au), silicon nitride, and silicon oxide.
제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 마스크층 패턴은 30nm ~ 500nm의 두께로 형성하는 것을 특징으로 하는 극자외선 리소그래피용 펠리클의 제조 방법.
3. The method according to claim 1 or 2,
Wherein the mask layer pattern is formed to a thickness of 30 nm to 500 nm.
제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 펠리클층을 형성하는 단계 후, 상기 펠리클층의 상면 및 하면 중 일면 이상에 보강층을 형성하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 극자외선 리소그래피용 펠리클의 제조 방법.
3. The method according to claim 1 or 2,
And forming a reinforcing layer on at least one of the upper and lower surfaces of the pellicle layer, after forming the pellicle layer.
제14항에 있어서,
상기 보강층은 탄화규소(SiC), 질화규소(SiN), 탄화붕소(B4C), 몰리브덴(Mo), 루세늄(Ru), 지르코늄(Zr) 중 1 이상의 물질을 포함하여 형성하는 것을 특징으로 하는 극자외선 리소그래피용 펠리클의 제조 방법.
15. The method of claim 14,
Wherein the reinforcing layer comprises at least one of silicon carbide (SiC), silicon nitride (SiN), boron carbide (B4C), molybdenum (Mo), ruthenium (Ru), and zirconium (Zr) A method of manufacturing a pellicle for lithography.
제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 분리패턴은 1.1mm 이상의 폭을 갖도록 습식 식각 공정으로 형성하는 것을 특징으로 하는 극자외선 리소그래피용 펠리클의 제조 방법.
3. The method according to claim 1 or 2,
Wherein the separation pattern is formed by a wet etching process so as to have a width of 1.1 mm or more.
제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 분리패턴은 0.05mm 이상의 폭을 갖도록 건식 식각 공정으로 형성하는 것을 특징으로 하는 극자외선 리소그래피용 펠리클의 제조 방법.
3. The method according to claim 1 or 2,
Wherein the separation pattern is formed by a dry etching process so as to have a width of 0.05 mm or more.
제1항 내지 제2항 중 어느 한 항의 극자외선 리소그래피용 펠리클의 제조 방법으로 제조된 극자외선 리소그래피용 펠리클.A pellicle for extreme ultraviolet lithography produced by the process for producing a pellicle for extreme ultraviolet lithography according to any one of claims 1 to 2.
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