KR20170137046A

KR20170137046A - 감마그래피에 의해 구조를 비파괴 검사하기 위한 장치

Info

Publication number: KR20170137046A
Application number: KR1020177024543A
Authority: KR
Inventors: 알렉시스 블레트너
Original assignee: 앵스띠뛰 드 수뒤르
Priority date: 2015-02-02
Filing date: 2016-02-02
Publication date: 2017-12-12
Also published as: RU2017128069A3; EP3254091B1; RU2708092C2; MY190029A; MA41447B1; FR3032275A1; EP3254091A1; RU2017128069A; WO2016124602A1; CN107850557A; FR3032275B1; KR102489908B1

Abstract

감마그래피 장치(1)가 제안되며, 상기 장치는: 하우징(3) 외부로 이온화 방사선을 방출하기 위한 발사 오리피스(firing orifice)(10)를 갖는 하우징(3), 분석될 구조(T)를 둘러싸기 위한 홀딩 후프(holding hoop)(5)를 포함하고, 상기 감마그래피 장치(1)는: 상기 홀딩 후프(5) 주변의 미리 설정되고 상이한 각도 위치들에서 상기 하우징(30)을 패스닝(fastening)하기 위한 여러 패스닝 요소(52)를 포함하며, 상기 홀딩 후프(5)에 상기 하우징(3)을 탈착가능하게 패스닝하기 위한 수단, 그리고, 상기 구조(T)가 상기 홀딩 후프(5)에 의해 둘러싸이고 상기 하우징(3)은 상기 패스닝 요소들 중 하나에 의해 상기 홀딩 후프(5)에 고정될 때 상기 발사 오리피스(10)는 상기 구조(T) 상에 이온화 방사선을 지향시키도록 배열된다.

Description

감마그래피에 의해 구조를 비파괴 검사하기 위한 장치

본 발명은 배관(pipework)과 같은 구조의 비파괴 검사의 영역에 관한 것이다.

본 발명은 더욱 구체적으로 감마그래피 장치 및 방법에 관한 것이다.

감마그래피(Gammagraphy)는 구조의 품질을 비파괴 검사하기 위해 프랑스에서 특히 널리 사용되는 프로세스이다.

감마그래피는 다음과 같이 작동한다: 전리 방사선은 방사선 소스에 의해 분석될 구조의 표면으로 방출되고, 표면 상의 반사가 방사선 투과 필름(radiographic film)상에 투영된다.

감마그래피 사용의 주요 단점은 이온화 방사선으로 인하여 제한적인 안전 경계선을 소유자에게 설정해야하거나 교대 작업으로 되돌아 가서 상당한 간접 비용을 발생시킬 위험이 있다는 것이다.

규제 조건은 또한 방사성 소스의 운송, 보관 및 관리면에서 갈수록 까다로워지며, 이는 항상 산업 조건에서의 사용을 더욱 복잡하게 만들고 운영비를 점차 증가시킨다.

이온화 방사선을 방출하는 움직일 수 있는 장치에 의한 피스 또는 오브젝트의 시험 동안 적용 가능한 규칙은 특히 제한적인 태깅에 의해 구체화된 작업 구역의 경계를 설정한다.

공개공보 WO 2011/023960 A1는 하우징 외부에서 방사선을 방출하기 위한 발사 오리피스를 갖는 하우징과 분석될 구조을 둘러싸는 홀딩 후프를 포함하는 감마그래피 장치가 개시한다. 하우징은 후프 주변에서 연장하는 레일상의 후프 주변에서 이동 가능한 전동 캐리지(motorised carriage) 상에 장착된다. 후프 주위로 레일을 따라 캐리지를 이동시키는 것은 발사 오리피스가 후프 주위의 상이한 각 위치에 위치하도록 허용한다.

그러나, WO 2011/023960 A1에 기술된 장치에 대한 단점은, 전동 캐리지가 분석될 구조쪽으로 방사선을 방출하는 동안 이동하도록 구성된다는 것이다. 이 경우, 방사선 필름 상에 투영된 패턴은 스크램블링되고, 구조 상에 존재하는 임의의 결함은 방사선 필름의 베이스 상에 덜 정밀하게 그 위치가 찾아진다(located).

본 발명의 목적은 수행될 비파괴 검사이 정확도를 손상시키지 않고 이온화 방사선을 사용하여 감마그래피에 의해 구조의 비파괴 검사를 수행해야 하는 오퍼레이터에 대한 보호를 개선하는 것이다.

이 점에 있어서, 감마그래피 장치가 제안되고, 상기 장치는:

하우징 외부로 이온화 방사선을 방출하기 위한 발사 오리피스(firing orifice)를 갖는 하우징,

분석될 구조를 둘러싸기 위한 홀딩 후프(holding hoop),

상기 홀딩 후프 주변의 미리 설정되고 상이한 각도 위치들에서 상기 하우징을 패스닝(fastening)하기 위한 여러 패스닝 요소를 포함하는, 상기 홀딩 후프에 상기 하우징을 탈착가능하게 패스닝하기 위한 수단을 포함하고, 상기 구조가 상기 홀딩 후프에 의해 둘러싸이고 상기 하우징은 상기 패스닝 요소들 중 하나에 의해 상기 홀딩 후프에 고정될 때 상기 발사 오리피스는 상기 구조상에 이온화 방사선을 지향시키도록 배열된다.

여기에 제안된 장치는 분석될 구조에 그리고 홀딩 후프를 사용하여 고정시킨다. 따라서 발사 오리피스와 분석될 표면 사이의 거리가 감소된다. 따라서, 구조가 후프에 둘러싸일 시에 구조와 발사 오리피스 사이에서 오퍼레이터의 바디의 일부가 방사선 필드에 들어갈 위험은 상당히 줄어든다.

또한, 다수의 패스닝 요소는 후프 주위의 상이한 각도 위치에서 발사 오리피스를 연속적으로 위치시킨다. 따라서 제안된 장치는 상대적으로 제한된 양의 방출 된 이온화 방사선에 대해 구조 둘레의 비파괴 검사를 수행 할 수 있다. 따라서, 제안된 장치는 배관, 전형적으로는 관형 배관을 검사하는 데 특히 유리하다.

또한, 다수의 패스닝 요소로 인해, 발사 오리피스는, 후프에 대해, 따라서 후프가 이 구조를 둘러쌀 때 분석 될 구조에 대해 상대적으로 견고하게 고정되어 위치 될 수 있는 것이 보장된다. 이러한 방식으로, 방사선은 분석될 구조의 매우 정밀한 부분으로 방사 될 수 있다. 구조에 존재하는 임의의 결함은 장치를 통해 실행된 감마그래피에 의해 보다 정확하게 위치가 찾아진다.

본 발명은 또한 단독으로 또는 기술적으로 가능한 임의의 조합으로 취해지는 다음의 특성들 의해 완성될 수 있다.

상기 패스닝 요소들은 상기 홀딩 후프의 방사상 외표면으로부터 돌출할 수 있고, 패스닝하기 위한 상기 수단은:

돌출하는 상기 패스닝 요소들 중 임의의 패스닝 요소를 수용하기 위한 노치를 포함하며, 상기 하우징에 고정되는(secured) 데크,

상기 노치에 수용된 돌출하는 상기 패스닝 요소에 대한 상기 데크의 잠금 요소를 더 포함한다.

또한,

돌출하는 상기 패스닝 요소들 중 적어도 하나는 관통로를 포함할 수 있고,

상기 데크는, 돌출하는 패스닝 요소가 상기 노치에 수용될 때 돌출하는 상기 패스닝 요소의 관통로와 정렬되도록 배열되고, 상기 노치에 의해 단절되는 관통로를 포함할 수 있으며,

돌출하는 상기 패스닝 요소에 대한 상기 데크의 잠금 요소는, 상기 패스닝 요소가 상기 노치에 수용될 때 상기 패스닝 요소 및 상기 데크와 정렬되는 관통로를 통과하게 되어 있는 로드를 포함하는 핀일 수 있다. 상기 핀은:

상기 로드의 후퇴 위치(retracted position)와, 볼이 상기 데크의 관통로를 통해 상기 로드를 잠그는, 상기 로드에 대한 돌출 위치(projecting position) 사이에서 이동가능한 적어도 하나의 볼 및

상기 버튼을 누르는 것에 응답하여 상기 로드내로 상기 볼을 후퇴시키도록 그리고 상기 버튼이 눌려지지 않을 때 그 돌출 위치를 향해 상기 볼을 압박하도록 되어있는 볼의 구동 메커니즘을 포함할 수 있으며, 상기 버튼은 예컨대 핀의 그립부 상에 형성된다.

각각의 패스닝 요소는 기준축에 평행하게 연장하는 2개의 반대 방향 측을 갖고, 상기 기준축 주변에서 상기 홀딩 후프가 연장하며, 상기 패스닝 요소의 관통로는 상기 2개의 반대 방향 측내로 나아간다.

인접한 패스닝 요소들의 각각의 쌍 사이의 각도 위치 편차가 일정할 수 있다.

2개 내지 8개의 패스닝 요소가 홀딩 후프 상에 제공될 수 있다.

후프는 전체적으로 고리 형상을 함께 형성하는(define) 2개의 부분 및 상기 2개의 부분 사이의 힌지 연결부를 포함할 수 있다.

상기 2개의 부분은 금속으로 구성될 수 있다.

상기 홀딩 후프는 부분들 중 하나의 부분을 다른 부분에 부착하기 위한 토글 패스너(toggle fastener)를 더 포함할 수 있다.

상기 토글 패스너는 지지부들 중 하나의 지지부에 대하여 이동가능하게 장착되는 레버 및 상기 레버에 대하여 이동가능하게 장착되는 다른 지지부에 대한 부착 헤드를 포함할 수 있으며, 상기 부착 헤드는 길이가 조절가능할 수 있다.

상기 하우징은 또한, 이온화 방사선에 대한 하나 이상의 스크린, 발사 오리피스를 향해 이온화하는 광선의 집속 빔을 생성하기 위해 상기 소스에 의해 생성 된 이온화 방사선의 시준기를 포함할 수 있다.

감마그래피 장치는 감마 방사선의 소스가 될 수도 있다. 이 방사선 소스는 하우징에 대해 탈착가능한 조사 동글에 포함될 수 있다.

감마그래피 장치는 또한 후프로 둘러싸인 구조에 침투한 후 이온화 방사선을 수신하도록 배열된 방사선 투과 필름일 수 있다.

본 발명은 또한 상기 감마그래피 장치를 사용하여 수행되는 감마그래피 방법에 관한 것이다. 이러한 방법은:

분석될 구조 주변에 홀딩 후프를 패스닝하는 단계,

패스닝 요소들 중 하나의 패스닝 요소에 의해 상기 홀딩 후프에 상기 하우징을 상기 홀딩 후프 주변의 미리 설정된 각도 위치로 패스닝하는 단계,

상기 하우징이 상기 홀딩 후프에 상기 미리 설정된 각도 위치로 고정된 동안 상기 홀딩 후프에 고정된 구조의 표면을 향하여 소스에 의해 생성된 이온화 방사선을 발사 오리피스를 통해 방출하는 단계를 포함하고,

상기 홀딩 후프에 하우징(3)을 패스닝하는 단계 및 상기 방출하는 단계는 상기 홀딩 후프 주변의 여러 상이한 미리 설정된 각도 위치에 대해 반복된다.

본 발명의 다른 특징들, 목적들 및 이점들은 단지 예시적이고 비제한적이며 첨부된 도면들과 관련하여 고려되어야 하는 다음의 설명으로부터 명백할 것이다:
- 도 1 및 도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 감마그래피 장치의 부분들을 구성하는 조사 동글, 시준 하우징 및 홀딩 후프의 3차원 도면이다.
- 도 3은 도 1 및 도 2에 부분적으로 도시된 장치의 일부를 형성하는 본 발명의 일 실시예에 따른 조사 동글의 측면도이다.
- 도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른도 1 및 도 2에 부분적으로 도시된 장치에 하우징된 데크의 개략적인 저면도이다.
- 도 5는 감마그래피 장치의 일부분을 구성하고 도 1 및 도 2에 도시된 홀딩 후프를 폐쇄하기 위한 시스템을 도시한다.
- 도 6은 도 1 및 도 2의 감마그래피 장치의 일부를 또한 형성하는 잠금 핀의 측면도이다.
- 도 7 내지 도 12는 분석할 구조에 패스닝하는 동안의 여러 상태의 장치를 보여준다.
모든 도면에서, 유사한 요소는 동일한 참조 번호를 갖는다.

도 1 및 도 2를 참조하면, 근접 감마그래피 장치(1)는 발사 장치를 포함한다.

점화 장치는 특히 분석될 표면을 향하여 이온화 방사선을 방출하고 이 표면에서의 반사 후에 방사선을 수광하여 그 프로파일을 특징화하고 특히 그곳의 임의의 결함의 위치를 찾아내는 발사 오리피스(10)를 포함한다.

발사 장치는 2개의 부분, 즉 조사 동글(2)과 시준 하우징(3)을 포함한다.

도 3을 참조하면, 조사 동글(2)은 이온화 방사선을 생성하기 위한 소스(20)를 포함한다. 감마 방사선 소스(20)는 예를 들어 셀레늄 75(Se⁷⁵) 또는 이리듐 192(Ir¹⁹²)의 소스이다.

조사 동글(2)은 소스(20)를 하우징하는 바디를 포함한다.

조사 동글의 바디는 길이방향 축(X)을 따라 연장하며; 이 축을 따라서 근위 그립부(21) 및 원위부(22)를 연속적으로 포함한다.

원위부(22)는 노즐(2) 내부에 수용된 소스(20)에 의해 생성된 이온화 방사선을 확산시키기 위해 출구 오리피스(23)가 형성되는 원위 단부를 갖는다.

원위부(22)는 시준 하우징(3) 내로 삽입되도록 의도된 길이방향 축(X)을 따라 원통 형상을 갖는다. 원위부(22)는 예를 들어 관형(tubular)이다.

조사 동글은 원위부(22) 둘레에 장착된 잠금 링(24)을 더 포함한다.

잠금 링(24)은 방사상 외부 자유 표면을 포함한다. 방사상 외표면으로 통하는 적어도 하나의 공동(240)은 길이방향 축(X)에 대해 방사상으로 측정된 링의 두께로 규정된다. 이러한 공동(240)은 길이방향 축(X)을 중심으로 링(24)의 전체 둘레에 걸쳐서 연장하는 그루브의 형상을 갖는다.

잠금 링(24)은 출구 오리피스(23)로부터 거리(D2)에 배치된다.

잠금 링(24)은 원위부(22)에 대해 고정 될 수 있거나, 길이방향 축(X)에 평행한 원위부(22) 상에 슬라이딩 가능하게 장착되어 링(24)을 출구 오리피스(23)로부터 분리시키는 거리(D2)를 변경할 수 있다.

Se⁷⁵ 유형의 소스(20)에 대해, 방출 오리피스와 잠금 링 사이의 거리(D2)는 전형적으로 34 밀리미터와 동일하게 선택된다. Ir¹⁹² 유형의 소스(20)에 대해, 방출 오리피스와 잠금 링 사이의 거리(D2)는 전형적으로 36.5 밀리미터와 동일하게 선택된다.

잠금 링(24)은 하우징(3)의 노즐(2)의 삽입 경로를 제한하는 스탑을 구성하는 칼라(242)를 더 포함한다. 공동(240)은 칼라(242)와 출구 오리피스(23) 사이에 위치된다.

근위부(21)는 검지와 엄지 사이에 파지되는, 적응된 치수를 갖는 플라스틱 코팅(210)을 더 포함한다.

조사 동글(2)은 적절한 수단에 의해 근위부(21)에 부착되는 하나 또는 두개의 단부를 포함하는 체인(28)을 더 포함한다.

도 1 및 도 2를 다시 참조하면, 시준 하우징(3)은 입구 오리피스(31), 시준기(30) 및 발사 오리피스(10)를 포함한다.

시준기(30)는 입구 오리피스(31)로부터 발생하는 이온화 광선의 빔을 집속 하며 발사 오리피스(10)를 향하여 집속된 이러한 빔을 시준 하우징(3)의 외부로 다시 지향시키도록 적응된다.

시준 하우징(2)은 또한 시준 하우징(3)의 내부로부터 시준 하우징(3)의 외부로의 하우징(3)의 벽을 통한 이온화 방사선의 방출을 제한하도록 적응된 흡수 스크린(33)을 포함한다.

발사 오리피스(10)(도 2에 도시됨)는 분석될 구조의 표면을 향해 배치되도록 의도된다.

시준 하우징(2)은 입구 오리피스(31)에서 끝나는 하우징을 포함한다. 하우징은 잠금 링(24)의 부분을 포함하는, 조사 동글(2)의 원위부(22)를 수용하도록 적응된 치수를 가지며; 이 하우징은 시준 하우징(3) 내의 조사 동글(2)의 "삽입 하우징"으로서 이하에서 지칭될 것이다.

삽입 하우징은 시준기(30)와 광학적으로 통신하여, 입구 오리피스(31)에 의해 방출된 방사선이 시준기(30)에 의해 집속될 수 있다.

장치(1)는 조사 동글(2)로부터 하우징(3)으로 탈착가능한 패스닝 수단을 더 포함한다.

조사 동글(2)로부터 시준 하우징(3)으로 탈착가능한 패스닝 수단은 시준 하우징(3)에 대해 이동가능하게 장착 된 볼트(6) 및 공동(240)을 갖는 잠금 링(24)을 포함한다.

볼트(6)는 그립부(62)를 가지며, 그립부(62)는 하우징(3)에 대해 하우징 외부에서 돌출한다(도 1 및 도 2 참조).

볼트(6)는 그립부(62)에 고정되고 하우징(3)의 벽을 통과하여 조사 동글(2)의 삽입 하우징으로 이어지는 로드(도 1 및 도 2에 도시되지 않음)를 더 포함한다.

볼트(6)의 로드는 입구 오리피스(31)를 통해 삽입 하우징 내의 노즐의 삽입 축까지 횡방향 축을 따라 병진 운동이 가능하다. 볼트(6)의 로드는 노즐(2)이 하우징(3)의 하우징 내로 삽입 될 때 노즐(2)의 길이방향 축(X)에 수직인 축을 따라 이동가능하다.

상기 로드는 잠금 링(24)에 형성된 공동(240) 내에 수용되도록 치수가 정해진 원위 단부(미도시)를 갖는다. 로드는 로드의 원위 단부가 조사 동글(2)의 삽입 하우징 내로 돌출하는 후퇴 위치와 로드가 이 하우징 내로 돌출하지 않는 위치 사이에서 더욱 정확하게 이동가능하다. 볼트(6)는 그 후퇴 위치로의 로드의 리턴 수단(예를 들어, 로드 주변에 장착된 압축 작용을 하는 스프링)을 더 포함할 수 있다.

시준 하우징(2)은 데크(4)를 더 포함하며, 데크(4)에 고정된다.

예시적인 실시예에서의 데크(4)는 시준기(30) 및 입구 오리피스를 포함하는 바디에 부착된 독립적인 금속 피스로서 도면에 도시된다. 변형으로서, 데크(4)는 시준 하우징(2)의 단순한 벽이다.

도 4를 참조하면, 데크(4)는 시준기(30)를 향한 내측 표면(41)과, 내측 표면(41)의 반대 방향의 자유 표면(42)을 가지며, 자유 표면(42)은 분석될 구조의 표면을 향하여 위치되도록 의도된다.

이하에서, 데크의 두께는 내표면(41)과 자유 표면(42) 사이에서 측정 된 데크의 치수로서 규정된다.

데크(4)는 전체적으로 평행육면체 형상을 갖는다.

발사 오리피스(10)는 데크(4)의 자유 표면에 형성된다. 따라서, 데크(4)는 시준기와 광학적으로 소통하는 통로에 의해 그 내표면(41)과 자유 표면(42) 사이에서 피어싱되어서(pierced) 자유 표면(42)에 형성되는 발사 오리피스(10)에서 끝난다.

데크(4)는 외표면(42)으로 통하는 노치(40)를 더 포함한다.

노치(40)는 또한 내표면(41)에서 나아가고, 데크(4) 전체에 "U 자형"을 부여한다. 데크(4)는이 이러한 "U"의 브랜치를 형성하는 2개의 벽(422a 및 422b)이 그로부터 연장하는 베이스 플레이트(420)를 포함한다.

발사 오리피스(10)는 베이스 플레이트(420)에 위치한다.

노치(40)는 또한 내표면(41) 및 외표면(42)을 결합하는 데크(4)의 측방향 측부(44)를 단절한다. 이 측부(44)는 2개의 브랜치(422a, 422b)의 자유 단부에 의해 형성된다.

이는 측부(44)를 통해, 보다 정확하게는 2개의 벽(422a 및 422b)의 자유 단부들 사이에 남겨진 공간을 통해 외표면(42)에 실질적으로 평행한 방향으로(화살표(M)에 의해 도시된 방향으로) 노치(40)내로 오브젝트를 도입하는 것을 가능하게 한다.

2개의 브랜치(422a 및 422b)는 일정한 갭 폭에 따라 노치(40)에 의해 서로 일정 거리에 있으며 서로 평행하다. 2개의 브랜치(422a, 422b) 사이에는 직선형 패스닝 요소의 형상을 갖는 오브젝트가 도입될 수 있다.

데크(4)는 노치(40)와 횡 방향으로 교차하는 관통로(45)에 의해 추가로 피어싱된다.

통로는 예를 들어 노치(40) 내의 오브젝트가 측부(44)를 통해 삽입되는 방향에 수직으로 연장된다.

통로(45)는 데크(4)의 내표면(41)과 자유 표면(42) 사이에 한정되고, 데크(4)의 제 1 측부(46a)에 형성된 제 1 오리피스(460a)에서 끝나며, 또한 제 1 측부(46a)의 반대 방향의 제 2 측부(46b)에 형성된 제 2 오리피스(460b)에서 끝나고, 제 1 측부(46a) 및 제 2 측부(46b)는 내표면(41)과 자유 표면(42)을 각각 연결한다.

통로(45)는 2개의 브랜치(422a, 422b)의 두께로 형성된 2개의 횡방향 도관에 의해 더 정밀하게 형성되며, 2개의 도관은 노치(40)에 의해 정렬되고 분리된다.

이러한 방식으로, 예를 들어 도 5에서 G로 표시된 화살표에 의해 도시되는 방향으로 오리피스(460a) 내로 삽입된 로드는 노치를 통해 위치되고 다른 오리피스(460b)를 통해 나올 수 있다.

도 1 및 도 2를 다시 참조하면, 홀딩 후프(5)는 시준 하우징(2)에 독립적인 감마그래피 장치(1)의 요소를 구성한다.

후프(5)의 주요 기능은 시준 하우징에 대해 구조체를 고정시키고, 결과적으로 이 구조체의 표면에 대해 발사 오리피스(10)에 대한 고정된 위치를 규정하는 것이다.

후프(5)는 각각 "C-형" 프로파일을 갖는 2개의 부분(50a, 50b)을 포함한다.

이 2개의 부분은 분석될 구조, 예를 들어 관(tube) 형상을 둘러싸도록 기준 축(R) 둘레로 연장하는 전체적으로 고리 형상을 함께 형성한다.

상기 후프는 기준 축에 대해 방사상 내부에 자유 표면을 가지며, 분석될 구조의 표면에 적어도 부분적으로 기대도록 의도된다.

"C-형" 부분의 방사상 두께는 2 밀리미터 내지 10 밀리미터이다.

후프는 또한 2개의 "C-형"부분(50a, 50b) 사이에서 이동 가능한 연결 요소(51)를 포함한다. 2개의 C-형 부분은, 예를 들어, 기준 축(R)에 평행한 피벗 축 힌지 형태의 연결 요소(51)에 의해 서로 연결된다.

후프의 2개의 부분(50a, 50b)은 금속과 같은 강성 재료로 구성된다.

2개의 C-형 부분은 힌지(51)의 위치의 함수로서 변화하는 크기를 갖는 공간에 의해 서로 이격되며 2개의 면하는 자유 단부(500a, 500b)를 갖는다.

후프는 또한 2개의 면하는 자유 단부 상에 장착된 폐쇄 토글 패스너(54)를 포함하여, 후프를 자체적으로 다시 폐쇄시킨다.

토글 패스너(54)는 부착 위치와 분리 위치 사이에서 이동 가능하다.

토글 패스너(54)가 부착 위치에 있을 때, 2개의 "C-형" 부분(50a, 50b), 힌지(51) 및 토글 패스너 및 토글 패스너는 기준 축(R) 둘레의 폐쇄된 둘레를 공동으로 규정한다. 후프(5)는 이 주변에 둘러싸인 구조 상에 고정된 채로 유지될 수 있다.

토글 파스너(54)가 개방 위치에있을 때, 2개의 "C-형" 부분을 면하는 2개의 단부(500a, 500b)는 힌지(51)의 피봇팅(pivoting)에 의해 서로 이격될 수 있다.

도 5를 참조하면, 토글 패스너(54)는 "C-형" 부분들 중 하나(여기서는 부분(50a))에 대해 이동가능하게 장착된 레버(540) 및 다른 "C-형" 부분(50b)에 대한 부착 헤드(542)를 포함하고, 부착 헤드(542)는 레버(540)에 대해 이동가능하게 장착된다.

부착 헤드(542)는 단부(500b)로부터 기준 축(R)에 대해 방사상으로 돌출하는 피온(pion)을 둘러싸도록 적응된 루프에서 종결된다.

부착 헤드(542)는 헤드와 레버 사이의 거리를 조정하기 위해 나사-너트 시스템에 의해 레버(540)에 연결된다. 보다 명확하게 하기 위해 도 2에 부분적으로 도시된 토글 패스너(54)의 실시예에서, 이러한 나사-너트 시스템은 부착 헤드(542) 상에서 회전이동 가능한 제 1 너트(543), ("C-형" 부분(50a)에 대한 레버의 회전축에 평행한 축에 따라) 레버 상에 회전 가능하게 장착된 제 2 너트(544), 및 2개의 너트 각각과 협동하는 나사(545)를 포함한다.

너트(543, 544) 중 하나 및/또는 다른 하나에 대한 나사(545)의 회전은 2개의 너트(543, 544) 사이의 거리, 따라서 부착 헤드와 레버 사이의 거리를 변화시켜, 결과적으로 서로 마주하는 2개의 "C-형" 부분의 2개의 단부(500a, 500b) 사이의 토글 패스너에 의해 규정된 공간을 변화시킨다. 이러한 방식으로, 상이한 직경을 갖는 분석될 구조는 후프(5)에 의해 견고하게 둘러싸일 수 있다.

2개의 부분(50a, 50b)은 후프(5)의 방사상 외표면(53)을 공동으로 형성한다.

후프(5)는 또한 기준 축(R)에 대해 외표면(53)으로부터 방사상으로 돌출하는 복수의 패스닝 요소(52)를 포함한다. 각각의 패스닝 요소(52)는 후프(5)의 부분(50a 또는 50b) 중 하나의 부분 또는 다른 부분에 고정된다.

패스닝 요소(52)는 후프(5)의 미리 설정되고 상이한 각도 위치에서 후프(5) 둘레에 분포된다.

부분(50a, 50b)이 자유 단부(500a)로부터 자유 단부(500b)로 연속적으로 이동할 때 2개의 인접한 패스닝 요소를 분리하는 곡선 거리는 일정할 수 있다.

물론, 2개의 면하는 자유 단부(500a, 500b)를 분리하는 공간은 토글 패스너(54)의 가변 길이로 인해 가변 치수를 갖는다. 인접한 패스닝 요소의 각각의 쌍의 각도 편차가 2π/N인 후프(5)의 폐쇄 위치를 규정하는 토글 패스너의 길이가 존재하는 것이 이해된다.

패스닝 요소(52)의 개수(N)는 응용의 함수로서 적응가능하다. 가장 최근의 것은 2, 3, 4, 5 또는 6과 동일하다. 도 2는 N이 4와 동일한 실시예를 도시한다.

각 패스닝 요소는 노치(40)내에 적어도 부분적으로 수용되도록 적응된 형상을 갖는다.

각각의 패스닝 요소는 2개의 반대 방향 측부(521, 522)을 포함하고, 2개의 반대 방향 측부(521, 522)으로 통하는 관통로(520)에 의해 피어싱된다.

관통로(520)는 후프(5)의 방사상 외표면(53)에 대해 실질적으로 접선 방향으로 연장된다.

2개의 반대 방향 측부(521, 522)은 예를 들어 평평하며 요소(52)에 낮은 벽의 형상을 부여한다. 기타 돌출 형태가 패스닝 요소(52)에 가능하며, 예를 들어 피온(pion) 형상이 가능하다.

각각의 패스닝 요소(52)는, 각각의 패스닝 요소(52)의 2개의 측부(521, 522)이 후프(5)가 연장되는 기준 축(R)에 평행하게 연장되도록 후프(5) 상에 배향된다.

패스닝 요소(52) 중 어느 하나가 노치(40)에 수용될 때, 이 패스닝 요소(52)의 각각의 측부(521, 522)은 노치(40)를 규정하는 2개의 브랜치 중 하나를 면한다.

2개의 반대 방향 측부(521, 522) 사이에서 측정된 각각의 패스닝 요소(52)의 폭은 데크(4)의 2개의 브랜치(422a, 422b) 사이의 노치(40)에 의해 남겨진 공간과 같거나 실질적으로 동일하다.

이러한 방식으로, 패스닝 요소(52)가 노치(40)에 수용 될 때, 그 측부(521)은 데크(4)의 브랜치(422a)에 대해 가압되고 측부(522)는 데크(4)의 브랜치(422b)에 대해 가압된다.

데크(4)에 형성되며 노치(40)와 교차하는 관통로(45) 및 각 패스닝 요소(52)를 통해 형성된 관통로(520)는 패스닝 요소(52) 중 어느 하나가 노치(40)에 수용 될 때 정렬되도록 배치된다.

통로(45, 520)는 바람직하게는 패스닝 요소(52)가 베이스 플레이트(420)에 의해 형성된 노치(40)의 바닥에 대해 멈추게 될 때 정렬되도록 배치된다.

통로(45, 520)는 바람직하게 후프의 방사상 외표면(53)이 데크(4)의 자유 표면(42)에 놓일 때 정렬되도록 배치된다.

도 6을 참조하면, 감마그래피 장치(1)는 또한 후프(5)의 패스닝 요소(52)를 갖는 데크(4)의 잠금 핀(7)을 포함한다.

핀(7)은 예를 들어 핸들 형상의 근위 그립 부(70) 및 자유 단부(72)에서 끝나는 로드(71)를 형성하는 원위부를 포함한다.

로드(71)는 그립부(70)에 고정된다.

로드(71)는 데크(4)의 측부에 형성된 오리피스(460a, 460b) 중 하나 또는 다른 하나를 통해 데크의 관통로(45) 내로 삽입되게 적응된 단면을 갖는다.

로드(71)는 또한 각각의 패스닝 요소(52)의 통로(520) 내로 삽입되도록 된 단면을 갖는다.

그립부(70)는 로드(71)의 단면보다 큰 단면적을 갖는다.

핀(7)은 그립부(70)와 로드(71) 사이의 단면적의 변화에 의해 규정된 숄더(73)를 가지며, 이러한 숄더(73)는 데크(4)에 형성된 통로(45)에서 로드(71)의 삽입 경로를 제한하는 스탑을 규정한다.

도시된 바와 같은 핀의 실시 예에서, 그립부는 로드(71)의 축과 함께 시컨트(secant axis) 축의 핸들을 형성한다.

로드(71)가 노치(40)와 교차하는 통로를 통과 할 때, 핀(7)은 또한 데크(4)에 대해 로드를 잠그기 위한 수단을 포함한다.

잠금 수단은 볼(74)이 로드의 바디내로 후퇴하는 위치와 볼이 로드(71)의 축에 횡방향으로 로드의 바디에 대하여 돌출하는 위치 사이에서 이동가능한 적어도 하나의 볼(74)을 포함한다.

도 6에 도시 된 잠금 핀(7)은 예를 들어 로드(71)의 바디에 대해 2개의 반대방향 볼(74)을 포함한다.

로드(71)의 길이는 측부들(46a, 46b) 사이의 데크의 관통로(45)의 길이보다 크다. 이 길이는 숄더(73)가 데크의 측부(예를 들어 측부(46a))에 대해 멈추게 될 때, 각각의 후퇴가능한 볼(74)은 다른 측부(측부(46b))를 통해 데크(4) 밖으로 이동하므로 충분하다.

잠금 수단은 파지 부분(70)에 형성된 구동 버튼(75)뿐만 아니라 버튼(75)을로드(71)의 바디 내부에 하우징된 볼(74)에 연결하는 구동 메커니즘(도 5에 미도시)를 더 포함한다.

구동 메커니즘은 버튼(75)을 누르는 것에 응답하여 바디 로드(71) 내의 각각의 볼(74)을 후퇴시키고, 버튼(75)이 누름 해제(relax)될 때 각각의 볼(74)을 돌출 위치로 복귀 시키도록 적응된다. 구동 메커니즘은 예를 들어 버튼에 압력이 가해지지 않을 때 마다 그 돌출 위치를 향해 볼을 압박하도록 스프링과 같은 리턴 수단을 포함할 수 있다.

잠금 핀(7), 데크(4) 및 각각의 패스닝 요소(52)는 홀딩 후프(5)상의 시준 하우징(2)으로부터 탈착가능한 패스닝 수단을 공동으로 형성한다.

따라서, 후프(5)상의 상이한 미리 설정된 위치에 배치된 상이한 패스닝 요소(52)는, 이 구조가 후프(5)에 의해 둘러이고 시준될 하우징(2)이 후프(5)에 고정될 때, 분석될 구조의 표면에 면하는 발사 오리피스(10)의 복수의 상이한 위치를 규정한다.

분석되기 전의 구조에 감마그래피 장치(1)를 패스닝하기 위한 단계가 이제 기재될 것이다.

A) 분석될 구조에 홀딩 후프를 패스닝하는 단계

도 7을 참조하면, 예를 들어 관형의 파이프(T)는 그 표면에 분석될 용접 이음매(weld seam)(S)를 포함한다. 용접 이음매(S)는 파이프(T)의 원주의 전부 또는 일부에 걸쳐 연장된다.

오퍼레이터는 파이프(T)의 바디를 후프의 몸체들(50a, 50b) 사이에 형성된 공간으로 통과시킨다. 이를 위해, 오퍼레이터는 연결부(51)의 피봇팅에 의해 파이프(T)의 직경보다 큰 거리만큼 2개의 자유 단부(500a, 500b)를 서로 이격할 수 있다.

오퍼레이터는 용접 이음매(S)에 대해 50㎜ 정도의(기준 축(R)을 따라 측정됨) 거리에 홀딩 후프(5)를 위치시킨다.

오퍼레이터는 부분(50b)의 단부(500b)에 위치된 피언 주위로 부착 헤드(542)의 단부에 형성된 루프를 위치시킴으로써 부착 위치에 토글 파스너(54)를 구성한다.

오퍼레이터는 또한 후프(5)에 의한 구조의 충분한 클램핑을 생성하도록 직경 값으로 나사(545)의 회전에 의해 홀딩 후프(5)의 전체 직경을 조절할 수 있고, 따라서 파이프(T)가 후프(5)에 대해 견고하게 고정어 유지되는 것을 보장할 수 있다.

B) 시준 하우징에 조사 동글을 패스닝하는 단계

도 8을 참조하면, 오퍼레이터는 그립부(21)에 의해 조사 동글(2)을 파지한다.

상기 구동은 시준 하우징(3) 상에 형성된 입구 오리피스(31) 근처에 오리피스(23)가 형성된 원위부(22)의 자유 단부를 위치시킨다.

다른 자유로운 손을 사용하여, 오퍼레이터는 볼트(6)의 로드가 시준 하우징(3)에 형성된 조사 동글(2)의 삽입 하우징 내로 돌출하지 않도록 볼트(6)의 그립부(62)를 당긴다.

오퍼레이터는 칼라(242)가 시준 하우징(3)에 대해 정지 할 때까지 입구 오리피스(31)를 통해 조사 동글(2)의 원위부(22)를 이 하우징 내로 삽입한다. 잠금 링(24)의 방사상 외표면 상에 형성된 공동(240)은 이제 삽입 하우징 내부에 있고,보다 정확하게는 볼트(6)의 로드의 자유 단부에 반대 방향에 있다.

이어서, 오퍼레이터는, 삽입 하우징을 향해 볼트(6)의 그립부(62)를 누름으로써 (또는 볼트(6)가 리턴 수단에 의해 삽입 하우징의 그 후퇴된 돌출 위치에 그립부(62)를 단순히 누름 해제함으로써) 그 후퇴 위치에 볼트(6)를 위치시킨다.

볼트(6)의 후퇴 위치에서, 로드의 자유 단부는 삽입 하우징에 삽입된 잠금 링(24)의 공동(240)에 수용된다. 조사 동글(2)은 시준 하우징(3)에 형성된 삽입 하우징 내의 볼트(6)에 의해 길이 방향으로 블록된다.

C) 시준 하우징을 고정 후프에 패스닝하는 단계

도 9를 참조하면, 오퍼레이터는 시준 하우징(3)을 파지하고 파이프(T)의 전방에 데크(4)의 자유 표면(42)을 가져온다.

오퍼레이터는 홀딩 후프(5)의 방사상 외표면 상으로 돌출하는 제 1 패스닝 요소(52)에 대해 데크(4)를 우측으로 배향한다.

오퍼레이터는 패스닝 요소가 데크(4)의 베이스 플레이트(420)에서 멈출때 까지 측부(44)를 통해 자유 표면(42)에 그리고 기준 축(R)에 실질적으로 평행한 방향에서 노치(40)내로 제 1 패스닝 요소(52)를 삽입한다. 패스닝 요소(52)의 반대 방향 측부(521 및 522) 사이에 형성된 관통로(520)는 이제 U-형 데크의 브랜치(422a, 422b)를 통해 형성되는 통로(45)와 정렬된다.

패스닝 요소의 형상은 노치(40) 내의 2개의 통로(45, 520)를 동축으로 위치시킨다.

그의 자유로운 손을 사용하여, 오퍼레이터는 파지 부분(70)에 의해 잠금 핀(7)을 파지하고 데크(4)의 측부(46a)에 형성된 오리피스(460a) 근처에서 로드(71)의 단부(72)를 위치시킨다.

오퍼레이터는 엄지 손가락으로 구동 버튼(75)을 누르고, 로드(71) 내부에서 볼(74)을 수축시키는 효과를 갖는다.

오퍼레이터는 노치(40)에 의해 단절된 통로(45)를 통해 그리고 노치에 수용되고 통로(45)와 정렬된 패스닝 요소(52)에 형성된 통로(520)를 통과하여 로드(71)를 통과시킨다.

핀(7)의 숄더(73)가 데크(4)의 측부(46a)의 표면에 대해 정지할 때, 자유 단부(72) 및 볼(74)을 포함하는 로드(71)의 단부는 측부(46a)에 형성된 오리피스(460b)를 통해 데크(4)로부터 나온다.

오퍼레이터가 구동 버튼(75)을 누름 해제하고 볼(74)을 로드(71)의 바디에 대해 돌출 위치에 위치시키고 핀(7)을 로드(71)의 축 방향으로 관통로(45, 520)를 통해 잠금시킨다.

시준 하우징(3)은 데크(4), 핀(7) 및 패스닝 요소(52)에 의해 홀딩 후프(5)에 고정된다. 이 위치에서, 데크(4)의 베이스 플레이트(420)에 형성된 발사 오리피스(10)는 홀딩 후프(5)에 의해 둘러싸이는 파이프(T) 그리고 보다 정확하게 홀딩 후프(5)로부터 이격된 용접 이음매(S)에 면한다.

감마그래피 장치(1)는 이제 이러한 용접 이음매(S)를 검사할 준비가 되었다.

물론, 분석될 구조에 홀딩 후프를 패스닝하는 단계(A), 시준 하우징에 조사 동글을 패스닝하는 단계(B) 및 시준 하우징을 홀딩 후프에 패스닝하는 단계(C)는 임의의 순서로 수행 될 수있다.

장치(1)가 구조(T)에 고정 될 때, 발사 오리피스(10)는 홀딩 후프(5)의 방사상 두께에 대응하는 감소된 거리만큼 표면(T)으로부터 멀리 떨어져 있음이 명백하다.

따라서, 발사 오리피스에 의해 방출된 이온화된 광선에 의해 영향을 받는 오퍼레이터의 위험은 그것이 분석하고자 하는 구조에 고정되지 않은 감마그래피 장치를 사용하는 동안 발생하는 위험에 비해 현저히 감소된다.

D) 후프로 둘러 싸인 구조의 감마그래피 시험

조사 동글에 수용된 소스(20)는 이온화 방사선, 예를 들어 감마 방사선을 생성한다.

생성된 이온화 방사선은 오리피스(31)를 통해 시준 하우징(2)에 형성된 삽입 하우징에 삽입된 오리피스(23)를 통해 방출된다.

방사선은 시준 하우징(3)에 포함 된 시준기(30)를 향한다.

시준기(30)는 오리피스(31)로부터 유래된 이온화 방사선을 발사 오리피스(10)쪽으로 재지향된 이온화 광선의 집속된 빔에 집속한다.

시준 하우징(3)의 벽에 형성된 흡수 스크린(34)은 시준 하우징(3)의 벽을 통해 빠져 나가는 광선들을 방지한다.

이온화 광선의 집속된 빔은 용접 이음매(S)에 면하는 발사 오리피스(10)를 통해 시준 하우징(3)으로부터 빠져 나간다.

이러한 집속된 빔은 용접 이음매(S)의 표면에 도달하여 방사선 투과 필름상에 투영되기 전에 용접 이음매를 관통한다(penetrate).

분석이 완료되면, 오퍼레이터는 구동 버튼(75)을 누름으로써 관통로(45, 520)로부터 잠금 핀(7)을 철수시킨다(withdraw). 오퍼레이터는 데크(41)를 구조의 제 2 패스닝 요소에 부착하고, 전술한 단계들에 따라 그리고 잠금 핀(7)에 의해 기준 축(R)에 대한 이전 패스닝 요소의 위치와 상이한 제 2 각도 위치에 위치될 수있다.

제 2 패스닝 요소(52)는 용접 이음매(S)의 다른 부분에 면하는 발사 오리피스(10)를 위치시킨다.

감마그래피 시험은 이러한 제 2 각도 위치에서 반복된다.

제 2 각도 위치에서의 하우징(3)의 재배치는 유지 후프(5)가 구조체(T)에 고정되는 동안 수행되는 것이 바람직하다. 이러한 방식으로, 발사 오리피스(10)를 통한 다수의 연속적인 샷(shot)들 사이의 미리 설정된 각도 갭이 보장된다.

선행 단계는 용접 이음매(S)의 다수의 배치를 특징화하고 그 상태에 대한 충분한 정보를 검색하기 위해 고정 후프(5) 상에 패스닝 요소(52)가 존재하는 수만큼 반복될 수 있다.

Claims

감마그래피 장치(1)로서,
하우징(3) 외부로 이온화 방사선을 방출하기 위한 발사 오리피스(firing orifice)(10)를 갖는 상기 하우징(3),
분석될 구조(T)를 둘러싸기 위한 홀딩 후프(holding hoop)(5)를 포함하고,
상기 감마그래피 장치(1)는:
상기 홀딩 후프(5)에 상기 하우징(3)을 탈착가능하게 패스닝하기 위한 수단으로서, 상기 홀딩 후프(5) 주변의 미리 설정되고 상이한 각도 위치들에서 상기 하우징(3)을 패스닝(fastening)하기 위한 여러 패스닝 요소(52)를 포함하는 상기 수단을 특징으로 하고, 그리고, 상기 구조(T)가 상기 홀딩 후프(5)에 의해 둘러싸이고 상기 하우징(3)이 상기 패스닝 요소들 중 하나에 의해 상기 홀딩 후프(5)에 고정될 때 상기 발사 오리피스(10)는 상기 구조(T) 상으로 이온화 방사선을 지향시키도록 배열되는 것을 특징으로 하는 감마그래피 장치(1).
청구항 1에 있어서,
상기 패스닝 요소(52)들은 상기 홀딩 후프(5)의 방사상 외표면으로부터 돌출하고,
패스닝하기 위한 상기 수단은:
돌출하는 상기 패스닝 요소(52)들 중 임의의 패스닝 요소를 수용하기 위한 노치(40)를 포함하며, 상기 하우징(3)에 고정되는(secured) 데크(4),
상기 노치(40)에 수용된 돌출하는 상기 패스닝 요소(52)에 대한 상기 데크(4)의 잠금 요소(7)를 더 포함하는, 감마그래피 장치(1).
청구항 2에 있어서,
돌출하는 상기 패스닝 요소(52)들 중 적어도 하나는 관통로(520)를 포함하고,
상기 데크(4)는, 돌출하는 패스닝 요소(52)가 상기 노치(40)에 수용될 때 돌출하는 상기 패스닝 요소(52)의 관통로(45, 520)와 정렬되도록 배열되고, 상기 노치(40)에 의해 단절되는 관통로(45)를 포함하며,
돌출하는 상기 패스닝 요소(52)에 대한 상기 데크(4)의 잠금 요소는, 상기 패스닝 요소(52)가 상기 노치(40)에 수용될 때 상기 패스닝 요소(52) 및 상기 데크(4)와 정렬되는 관통로(45, 520)를 통과하게 되어 있는 로드(71)를 포함하는 핀(7)인, 감마그래피 장치(1).
청구항 3에 있어서, 상기 핀(7)은,
상기 로드(71)내의 후퇴 위치(retracted position)와,
볼(74)이 상기 데크(4)의 관통로(45, 520)를 통해 상기 로드를 잠그는(lock), 상기 로드(71)에 대한 돌출 위치(projecting position)
사이에서 이동가능한 적어도 하나의 볼(74)을 포함하는, 감마그래피 장치(1).
청구항 3 또는 청구항 4에 있어서, 상기 핀(7)은 버튼(75)을 포함하는 볼의 구동 메커니즘을 더 포함하고, 상기 구동 메커니즘은:
상기 버튼(75)을 누르는 것에 응답하여 상기 로드내로 상기 볼(74)을 후퇴시키도록 그리고
상기 버튼(74)이 눌려지지 않을 때 상기 볼(74)의 돌출 위치를 향해 상기 볼(74)을 압박하도록 되어있는, 감마그래피 장치(1).
청구항 5에 있어서, 상기 버튼은 상기 핀(7)의 그립부(74)에 형성되는, 감마그래피 장치(1).
청구항 1 내지 청구항 6 중 어느 한 항에 있어서, 각각의 패스닝 요소(52)는 기준축(R)에 평행하게 연장하는 2개의 반대 방향 측부(521, 522)를 갖고, 상기 기준축 주변으로 상기 홀딩 후프(5)가 연장하며, 상기 패스닝 요소(52)의 관통로(520)는 상기 2개의 반대 방향 측부(521, 522)를 통하는, 감마그래피 장치(1).
청구항 1 내지 청구항 7 중 어느 한 항에 있어서, 인접한 패스닝 요소(52)들의 각각의 쌍 사이의 각도 위치 편차가 일정한, 감마그래피 장치(1).
청구항 1 내지 청구항 8 중 어느 한 항에 있어서, 2개 내지 8개의 패스닝 요소(52)가 존재하는, 감마그래피 장치(1).
청구항 1 내지 청구항 9 중 어느 한 항에 있어서, 상기 홀딩 후프(5)는:
전체적으로 고리 형상을 함께 형성하는(define) 2개의 부분(50a, 50b) 및
상기 2개의 부분(50a, 50b) 사이의 힌지 연결부(51)를 가지고 구성되는, 감마그래피 장치(1).
청구항 1 내지 청구항 10 중 어느 한 항에 있어서, 상기 2개의 부분(50a, 50b)은 금속으로 구성되는, 감마그래피 장치(1).
청구항 10 또는 청구항 11에 있어서, 상기 홀딩 후프(5)는 하나의 부분(50a)을 다른 부분(50b)에 부착하기 위한 토글 패스너(toggle fastener)(54)를 더 포함하는, 감마그래피 장치(1).
청구항 12에 있어서, 상기 토글 패스너(54)는 지지부들 중 하나의 지지부(50a)에 대하여 이동가능하게 장착되는 레버(540) 및 상기 레버(542)에 대하여 이동가능하게 장착되는 다른 지지부에 대한 부착 헤드(542)를 포함하며, 상기 부착 헤드(542)는 길이가 조절가능한, 감마그래피 장치(1).
청구항 1 내지 청구항 13 중 어느 한 항에 있어서, 상기 하우징(3)은 이온화 방사선에 대한 적어도 하나의 스크린(33)을 포함하는, 감마그래피 장치(1).
청구항 1 내지 청구항 14 중 어느 한 항에 기재된 감마그래피 장치에 의해 수행되는 감마그래피 방법(gammagraphy process)으로서,
분석될 구조 주변에 홀딩 후프(5)를 패스닝하는 단계,
패스닝 요소(52)들 중 하나의 패스닝 요소에 의해 상기 홀딩 후프(5)에 상기 하우징(3)을 상기 홀딩 후프 주변의 미리 설정된 각도 위치로 패스닝하는 단계,
상기 하우징(3)이 상기 홀딩 후프(5)에 상기 미리 설정된 각도 위치로 고정된 동안 상기 홀딩 후프(5)에 고정된 구조의 표면을 향하여 소스(20)에 의해 생성된 이온화 방사선을 발사 오리피스(10)를 통해 방출하는 단계를 포함하고,
상기 홀딩 후프(5)에 하우징(3)을 패스닝하는 단계 및 상기 방출하는 단계는 상기 홀딩 후프(5) 주변의 여러 상이한 미리 설정된 각도 위치에 대해 반복되는, 감마그래피 방법.