KR20170124705A - Etchant composition for titanium nitride layer - Google Patents

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KR20170124705A KR1020160054410A KR20160054410A KR20170124705A KR 20170124705 A KR20170124705 A KR 20170124705A KR 1020160054410 A KR1020160054410 A KR 1020160054410A KR 20160054410 A KR20160054410 A KR 20160054410A KR 20170124705 A KR20170124705 A KR 20170124705A
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Abstract

The present invention relates to an etchant composition for a titanium nitride (TiN) film. According to an embodiment of the present invention, the etchant composition for a TiN film includes 1,1-carbonylimidazole to adjust the etching speed and selectively etch TiN. The etchant composition includes: an amino-oxide-based compound or a quaternary ammonium-based compound; an oxidant; and water. The amino-oxide-based compound can be one or more substances selected from a group including pyridine-N-oxides, 4-nitropyridine-N-oxides, trimethylamine-N-oxides, and N-methylmorpholine-N-oxides.

Description

질화티타늄 막의 식각액 조성물{ETCHANT COMPOSITION FOR TITANIUM NITRIDE LAYER}[0001] ETCHANT COMPOSITION FOR TITANIUM NITRIDE LAYER [0002]

본 발명은 질화티타늄 막을 선택적으로 식각할 수 있는 질화티타늄 막의 식각액 조성물에 관한 것이다.The present invention relates to an etchant composition of a titanium nitride film capable of selectively etching a titanium nitride film.

티탄계 금속인 질화티타늄(TiN)은 반도체 디바이스, 액정 디스플레이, 미세전자제어기술(Micro Electro Mechanical Systems, MEMS) 디바이스, 프린트 배선기판 등에 귀금속이나 알루미늄(Al), 구리(Cu) 배선의 하지층, 캡층으로서 이용된다. 또한, 반도체 디바이스에서는 배리어 메탈, 게이트 메탈로서 사용되는 경우도 있다.Titanium nitride (TiN), which is a titanium-based metal, is used as a base layer of noble metal or aluminum (Al) or copper (Cu) wiring for semiconductor devices, liquid crystal displays, microelectromechanical systems And is used as a cap layer. Further, the semiconductor device may be used as a barrier metal or a gate metal.

상기 질화 티타늄 또는 질화 티탄계 금속과 함께 텅스텐 또는 텅스텐계 금속이 액정 디스플레이, 반도체 디바이스의 박막 트랜지스터의 게이트 전극, 배선, 배리어층이나 콘택트홀, 비어홀의 매립 등에 사용된다. 또한, 미세전자제어기술 분야에서는 텅스텐 히터로서도 이용된다.Tungsten or a tungsten-based metal together with the titanium nitride or the titanium nitride-based metal is used for a liquid crystal display, a gate electrode, a wiring, a barrier layer, a contact hole, and a via hole of a thin film transistor of a semiconductor device. It is also used as a tungsten heater in the field of fine electronic control technology.

특히, 질화티타늄 등의 질화 금속막은 배리어층으로 식각액 조성물로부터 에칭을 억제시켜 하부의 재질이 식각되는 것을 막아주는 역할을 하고 있다. 따라서 일반적으로 알려진 식각액으로는 질화티타늄 등의 질화 금속막을 식각시키는 것이 어려워 식각액의 화학적 성질과 연마에 의한 물리적 효과를 더한 화학적 기계적 연마(CMP)방식을 이용하여 제거하는 방법이 일반적이다.In particular, a metal nitride film such as titanium nitride serves as a barrier layer to inhibit etching from the etchant composition and to prevent the underlying material from being etched. Therefore, it is generally difficult to etch a metal nitride film such as titanium nitride with a known etchant. Thus, a chemical mechanical polishing (CMP) method is generally employed in which the chemical properties of the etchant and the physical effects by polishing are added.

하지만, 상기 화학적 기계적 연마 방식의 경우 공정이 복잡하고, 공정적용에 한계가 있으며, 다른 오염의 발생소지가 많으며, 비용이 일반 습식공정에 비하여 높기 때문에 비효율적이다.However, in the case of the chemical mechanical polishing method, the process is complicated, the process application is limited, other contamination is likely to occur, and the cost is inefficient because the cost is higher than that of a general wet process.

대한민국 공개특허 제10-2015-0071790호는 질화 금속막 식각액 조성물에 관한 것으로, 아미노 옥사이드계 화합물, 산화제 및 물을 포함함으로써, 질화 금속막만을 선택적으로 식각할 수 있는 질화 금속막 식각액 조성물을 개시하고 있다. 그러나, 상기 선행문헌의 식각액 조성물은 특히 하부막질인 저유전체(low-k)에 손상을 주지 않기 위해 플라즈마에 잘 견디는 하드마스크로서 이용되는 질화티타늄 막을 선택적으로 식각하는 데는 충분하지 못한 문제점이 있다.Korean Patent Laid-Open No. 10-2015-0071790 relates to a metal nitride film etchant composition, which discloses a metal nitride film etchant composition capable of selectively etching only a metal nitride film by including an amino-oxide-based compound, an oxidizing agent and water have. However, the etchant composition of the prior art has a problem in that it is not enough to selectively etch a titanium nitride film used as a hard mask to withstand a plasma, in order not to damage the low dielectric constant (low-k) of the underlying film.

대한민국 공개특허 제10-2015-0071790호(2015.06.29. 동우화인켐 주식회사)Korean Patent Publication No. 10-2015-0071790 (June 27, 2015, Dongwoo Fine-Chem Co., Ltd.)

본 발명은 상기와 같은 문제를 해결하기 위한 것으로서, 1,1-카르보닐 이미다졸을 포함함으로써 식각 속도를 조절할 수 있으며, 질화티타늄(TiN)을 선택적으로 식각할 수 있는 질화티타늄 막의 식각액 조성물을 제공하는 데 그 목적이 있다.The present invention provides an etchant composition for a titanium nitride film capable of selectively etching titanium nitride (TiN), which can control an etch rate by including 1,1-carbonylimidazole. The purpose is to do.

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 질화티타늄 막의 식각액 조성물은 1,1-카르보닐 이미다졸을 포함하는 것을 특징으로 한다.According to an aspect of the present invention, an etchant composition for a titanium nitride film includes 1,1-carbonylimidazole.

상기한 바와 같이 본 발명에 따른 질화티타늄 막의 식각액 조성물은 1,1-카르보닐 이미다졸을 포함함으로써 식각 속도를 조절할 수 있으며, 질화티타늄(TiN)을 선택적으로 식각할 수 있는 효과가 있다.As described above, the etchant composition of the titanium nitride film according to the present invention contains 1,1-carbonylimidazole to control the etching rate and can selectively etch titanium nitride (TiN).

일반적으로 질화티타늄(TiN)은 반도체 소자를 구성하는 금속이나 금속 산화물 박막들을 식각할 때 하부막질인 로우-K(low-K)에 손상(damage)를 주지 않기 위해 플라즈마에 잘 견디는 하드 마스크(hard mask)로써 질화티타늄 금속을 사용한다. In general, titanium nitride (TiN) is a hard mask that is resistant to plasma to prevent damage to low-K, which is the underlying film when metal or metal oxide films constituting a semiconductor device are etched. mask using a titanium nitride metal.

따라서, 본 발명은 반도체 제조 공정에서 하드마스크로 사용하는 질화티타늄 금속을 제거하기 위한 조성물로 1,1-카르보닐 이미다졸(Carbonyldiimidazole, CDIZ)을 포함하는 것을 특징으로 한다. Accordingly, the present invention is characterized by including 1,1-carbonyldiimidazole (CDIZ) as a composition for removing titanium nitride metal used as a hard mask in a semiconductor manufacturing process.

또한, 질화티타늄 막의 식각액 조성물은 아미노옥사이드계 화합물 또는 수산화 제4급 암모늄계 화합물; 산화제; 및 물;을 더 포함할 수 있다.Also, the etching solution composition of the titanium nitride film may be an amino-oxide-based compound or a quaternary ammonium-based compound; Oxidant; And water.

상기 1,1-카르보닐 이미다졸은 질화티타늄(TiN)의 식각속도를 높일 수 있다.The 1,1-carbonylimidazole can increase the etching rate of titanium nitride (TiN).

상기 1,1-카르보닐 이미다졸은 질화티타늄 막의 식각액 조성물 총 중량%에 대하여, 0.1 내지 5중량%를 포함하는 것이 바람직하다. 상기 1,1-카르보닐 이미다졸의 함량이 상기 범위를 벗어날 경우에는 질화티타늄을 선택적으로 식각할 수 없으며, 식각 속도를 조절할 수 없는 문제점이 있다.The 1,1-carbonylimidazole preferably comprises 0.1 to 5% by weight based on the total weight% of the etchant composition of the titanium nitride film. When the content of 1,1-carbonylimidazole is out of the above range, titanium nitride can not be selectively etched and the etching rate can not be controlled.

상기 아미노옥사이드계 화합물 또는 수산화 제4급 암모늄계 화합물은 질화티타늄(TiN)의 식각속도를 제어할 수 있다.The amino-oxide-based compound or the quaternary ammonium hydroxide-based compound can control the etching rate of titanium nitride (TiN).

상기 아미노옥사이드계 화합물은 피리딘-N-옥사이드, 4-니트로피리딘-N-옥사이드, 트리메틸아민-N-옥사이드 및 N-메틸모폴린-N-옥사이드로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 1종인 것이 바람직하다.The amino-oxide-based compound is preferably at least one selected from the group consisting of pyridine-N-oxide, 4-nitropyridine-N-oxide, trimethylamine-N-oxide and N-methylmorpholine-N-oxide.

상기 수산화 제4급 암모늄계 화합물은 탄소수가 1 내지 4의 알킬기를 포함하는 수산화테트라알킬암모늄인 것이 바람직하다.The quaternary ammonium hydroxide compound is preferably tetraalkylammonium hydroxide containing an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms.

본 발명에서 언급하는 알킬기는 직쇄형 또는 분지형을 포함하고, 일례로 메틸, 에틸, n-프로필, i-프로필, n-부틸, 이소부틸, t-부틸, n-펜틸, n-헥실, n-옥틸, n-데실 등을 포함하는 것이 바람직하며, 탄소수 1 내지 4의 알킬기인 것이 보다 바람직하다.The alkyl group referred to in the present invention includes straight or branched one, and examples thereof include methyl, ethyl, n-propyl, i-propyl, n-butyl, isobutyl, Octyl, n-decyl and the like, and more preferably an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms.

상기 아미노옥사이드계 화합물 또는 수산화 제4급 암모늄계 화합물은 질화티타늄 막의 식각액 조성물 총 중량%에 대하여, 0.1 내지 20중량%를 포함하는 것이 바람직하다. 상기 아미노옥사이드계 화합물 또는 수산화 제4급 암모늄계 화합물이 상기 범위 미만일 경우에는 질화티타늄의 식각속도를 효율적으로 제어할 수 없으며, 상기 범위를 초과할 경우에는 질화알루미늄막(AlN)에 손상 발생할 수 있다.The amino-oxide-based compound or the quaternary ammonium hydroxide-based compound preferably contains 0.1 to 20% by weight based on the total weight% of the etchant composition of the titanium nitride film. If the amount of the amino-oxide-based compound or the quaternary ammonium hydroxide-based compound is less than the above range, the etching rate of titanium nitride can not be controlled efficiently, and if it exceeds the above range, the aluminum nitride film (AlN) .

상기 산화제는 질화티타늄의 주산화제로 질화티타늄(TiN)을 식각하는 성분이다.The oxidizing agent is a component for etching titanium nitride (TiN) with a peroxide as a peroxide for titanium nitride.

상기 산화제는 과산화수소, 과탄산나트륨, 과탄산칼륨, 과붕산나트륨, 질산칼륨, 질산암모늄, 과망간산칼륨 및 암모늄퍼설페이트로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 1종인 것이 바람직하다.The oxidizing agent is preferably at least one selected from the group consisting of hydrogen peroxide, sodium percarbonate, potassium percarbonate, sodium perborate, potassium nitrate, ammonium nitrate, potassium permanganate, and ammonium persulfate.

상기 산화제는 질화티타늄 막의 식각액 조성물 총 중량%에 대하여, 50 내지 95중량%를 포함하는 것이 바람직하다.The oxidizing agent preferably comprises 50 to 95% by weight based on the total weight% of the etching composition of the titanium nitride film.

상기 산화제의 함량이 상기 범위를 벗어날 경우에는 질화티타늄 막을 선택적으로 식각할 수 없으며 식각 속도를 조절할 수 없는 문제점이 있다. When the content of the oxidizing agent is out of the above range, the titanium nitride film can not be selectively etched and the etching rate can not be controlled.

상기 물은 탈이온수(Delonized water)인 것이 바람직하며, 이때 물은 물속에서 이온이 제거된 정도를 보여주는 물의 비저항값이 18MΩ·㎝이상인 탈이온수를 사용하는 것이 보다 바람직하다.It is preferable that the water is deionized water, and it is more preferable to use deionized water having a resistivity value of 18 MΩ · cm or more to show the degree of removal of ions in water.

상기 물은 질화티타늄 막의 식각액 조성물 총 중량%에 대하여, 잔부로 포함되는 것이 바람직하다.It is preferable that the water is included as the balance with respect to the total weight% of the etching solution composition of the titanium nitride film.

또한, 본 발명의 질화티타늄 막의 식각액 조성물은 식각 성능을 향상시키기 위하여 당 업계에 통상적으로 사용되는 임의의 첨가제를 더 포함할 수 있다. 상기 첨가제로는 예를 들면 계면 활성제, 금속 이온 봉쇄제 및 부식 방지제를 사용할 수 있다.In addition, the etchant composition of the titanium nitride film of the present invention may further include any additive conventionally used in the art to improve the etching performance. As the additive, for example, a surfactant, a metal ion blocking agent, and a corrosion inhibitor may be used.

본 발명의 질화티타늄 막의 식각액 조성물을 이용하여 질화티타늄 막을 식각하는 공정은 당 업계 주지의 방법에 따라 수행될 수 있으며, 침지시키는 방법, 분사하는 방법 등을 사용할 수 있다. 이때, 식각공정 시 식각용액의 온도는 20 내지 70℃에서 수행될 수 있으며, 적정온도는 다른 공정과 기타 요인을 고려하여 필요에 따라 변경할 수 있다.The step of etching the titanium nitride film using the etchant composition of the titanium nitride film of the present invention can be performed according to a well-known method in the art, and a method of dipping or spraying can be used. At this time, the temperature of the etching solution in the etching process may be 20 to 70 ° C, and the optimum temperature may be changed as necessary in consideration of other processes and other factors.

이하에서, 실시예를 통하여 본 발명을 보다 상세히 설명한다. 그러나, 하기의 실시예는 본 발명을 더욱 구체적으로 설명하기 위한 것으로서, 본 발명의 범위가 하기의 실시예에 의하여 한정되는 것은 아니다. 하기의 실시예는 본 발명의 범위 내에서 당업자에 의해 적절히 수정, 변경될 수 있다. 또한, 이하에서 함유량을 나타내는 "%" 및 "부"는 특별히 언급하지 않는 한 중량 기준이다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail by way of examples. However, the following examples are intended to further illustrate the present invention, and the scope of the present invention is not limited by the following examples. The following examples can be appropriately modified and changed by those skilled in the art within the scope of the present invention. In the following, "%" and "part" representing the content are by weight unless otherwise specified.

실시예Example 1 내지 14 및  1 to 14 and 비교예Comparative Example 1 내지 6 1 to 6

하기 표 1 의 성분 및 조성(중량%)를 포함하는 질화티타늄 막의 식각액 조성물을 제조하였다.An etching solution composition of a titanium nitride film containing the components and composition (% by weight) shown in the following Table 1 was prepared.

(중량%)(weight%) 1,1-카르보닐 이미다졸1,1-Carbonylimidazole 1,2-디메틸이미다졸1,2-dimethylimidazole 수산화 제4급 암모늄계 화합물Quaternary ammonium hydroxide compound 아미노옥사이드계 화합물Amino-oxide-based compound 과산화수소Hydrogen peroxide 탈이온수Deionized water TMAHTMAH NMMONMMO 실시예 1Example 1 0.10.1 -- 55 -- 8080 잔부Remainder 실시예 2Example 2 0.50.5 -- 55 -- 8080 잔부Remainder 실시예3Example 3 1One -- 55 -- 8080 잔부Remainder 실시예4Example 4 4.54.5 -- 55 -- 8080 잔부Remainder 실시예5Example 5 0.10.1 -- -- 55 8080 잔부Remainder 실시예6Example 6 0.50.5 -- -- 55 8080 잔부Remainder 실시예7Example 7 1One -- -- 55 8080 잔부Remainder 실시예8Example 8 4.54.5 -- -- 55 8080 잔부Remainder 실시예9Example 9 0.50.5 -- 1010 -- 8080 잔부Remainder 실시예10Example 10 0.50.5 -- -- 1010 8080 잔부Remainder 실시예11Example 11 0.50.5 -- 1010 -- 6060 잔부Remainder 실시예12Example 12 0.50.5 -- 55 -- 9090 잔부Remainder 실시예13Example 13 0.50.5 -- -- 1010 6060 잔부Remainder 실시예14Example 14 0.50.5 -- -- 55 9090 잔부Remainder 비교예 1Comparative Example 1 66 -- 55 -- 8080 잔부Remainder 비교예 2Comparative Example 2 66 -- -- 55 8080 잔부Remainder 비교예 3Comparative Example 3 -- -- -- 3030 1212 잔부Remainder 비교예 4Comparative Example 4 -- -- -- 1010 8080 잔부Remainder 비교예 5Comparative Example 5 -- 4.54.5 55 -- 8080 잔부Remainder 비교예 6Comparative Example 6 -- 4.54.5 -- 55 8080 잔부Remainder TMAH: 수산화테트라메틸암모늄
NMMO: N-메틸모폴린 N-옥사이드TMAH: tetramethylammonium hydroxide
NMMO: N-methylmorpholine N-oxide

실험예Experimental Example 1:  One: 질화티타늄Titanium nitride (( TiNTiN ) ) 식각속도Etching rate 평가 evaluation

200Å 두께의 질화티타늄 웨이퍼를 2×2cm2의 크기로 시편을 제조하여, 60℃의 상기 표 1의 질화티타늄 막의 식각액 조성물에 30초간 침지시킨 후, 탈이온수(DIW)로 세정 후 건조하여 평가하였으며, 엘립소미터(Ellipsometer)로 막 두께를 측정하여 그 결과를 하기 표 2에 기재하였다.A specimen was prepared with a thickness of 200 Å of a titanium nitride wafer of 2 × 2 cm 2 , immersed in an etchant composition of the titanium nitride film of Table 1 at 60 ° C. for 30 seconds, washed with deionized water (DIW), dried and evaluated , And the film thickness was measured with an ellipsometer. The results are shown in Table 2 below.

실험예Experimental Example 2: Low-k 손상 여부 평가 2: Evaluation of low-k damage

1000Å 두께의 SiO2 웨이퍼를 2×2cm2의 크기로 시편을 제조하여, 60℃의 상기 표 1의 질화티타늄 막의 식각액 조성물에 3분간 침지시킨 후, 탈이온수로 세정 후 건조하여 평가하였으며, 엘립소미터로 손상(damage) 여부를 확인하여 그 결과를 하기 표 2에 기재하였다.A SiO 2 wafer having a thickness of 1000 Å was formed to a size of 2 × 2 cm 2 , immersed in an etchant composition of the titanium nitride film of Table 1 at 60 ° C. for 3 minutes, washed with deionized water, dried and evaluated. The damage was confirmed by the meter and the results are shown in Table 2 below.

실험예Experimental Example 3:  3: AlN의Of AlN 손상 평가 Damage assessment

1000Å 두께의 AIN 웨이퍼를 2×2cm2의 크기로 시편을 제조하여, 60℃의 상기 표 1의 질화티타늄 막의 식각액 조성물에 3분간 침지시킨 후, 탈이온수로 세정 후 건조하여 평가하였으며, 엘립소미터로 손상여부를 확인 하여 그 결과를 하기 표 2에 기재하였다.The AIN wafer having a thickness of 1000 ANGSTROM was fabricated to a size of 2 x 2 cm 2 , immersed in an etchant composition of the titanium nitride film of Table 1 at 60 DEG C for 3 minutes, washed with deionized water, dried and evaluated. And the results are shown in Table 2. < tb >< TABLE >


TiN
식각속도
(Å/min)TiN
Etching rate
(Å / min) Low-k(SiO2)
손상
(Å/min)Low-k (SiO 2 )
damaged
(Å / min) AlN
손상
(Å/min)AlN
damaged
(Å / min) 실시예 1Example 1 357.2357.2 <1<1 <1<1 실시예 2Example 2 379.5379.5 <1<1 <1<1 실시예 3Example 3 387.7387.7 <1<1 <1<1 실시예 4Example 4 452.4452.4 <1<1 <1<1 실시예 5Example 5 216.4216.4 <1<1 <1<1 실시예 6Example 6 344.5344.5 <1<1 <1<1 실시예 7Example 7 366.0366.0 <1<1 <1<1 실시예 8Example 8 389.4389.4 <1<1 <1<1 실시예 9Example 9 432.7432.7 <1<1 <1<1 실시예 10Example 10 323.5323.5 <1<1 <1<1 실시예 11Example 11 345.4345.4 <1<1 <1<1 실시예 12Example 12 395.2395.2 <1<1 <1<1 실시예 13Example 13 290.7290.7 <1<1 <1<1 실시예 14Example 14 352.1352.1 <1<1 <1<1 비교예 1Comparative Example 1 504.6504.6 <1<1 8.48.4 비교예 2Comparative Example 2 457.4457.4 <1<1 6.26.2 비교예 3Comparative Example 3 136.0136.0 <1<1 <1<1 비교예 4Comparative Example 4 184.0184.0 <1<1 <1<1 비교예 5Comparative Example 5 182.7182.7 <1<1 <1<1 비교예 6Comparative Example 6 174.5174.5 <1<1 <1<1

상기 표 2를 참조하면, 수산화테트라메틸암모늄(TMAH)를 포함한 실시예 1 내지 4는 1,1-카르보닐 이미다졸의 함량이 증가할수록 질화티타늄의 식각속도가 증가하고, N-메틸모폴린 N-옥사이드를 포함한 실시예 5 내지 8은 질화티타늄의 식각속도는 떨어지지만 실시예 1 내지 4와 같이 1,1-카르보닐 이미다졸의 함량이 증가할수록 질화티타늄의 식각속도가 증가하는 것을 알 수 있다. 또한, 실시예 9 내지 14는 수산화테트라메틸암모늄 및 N-메틸모폴린 N-옥사이드의 함량을 통해 질화티타늄의 식각속도를 제어할 수 있는 것을 알 수 있다. 1,1-카르보닐 이미다졸의 함량을 최대 5중량%로 첨가한 실시예 4 및 8은 TiN 식각속도를 높일 수 있으나, Low-k나 AIN에 대한 손상은 없는 것을 알 수 있다. Referring to Table 2, in Examples 1 to 4 including tetramethylammonium hydroxide (TMAH), as the content of 1,1-carbonylimidazole was increased, the etching rate of titanium nitride increased and N-methylmorpholine N -Oxide in Examples 5 to 8 shows that the etching rate of titanium nitride is decreased, but the etching rate of titanium nitride is increased as the content of 1,1-carbonylimidazole is increased as in Examples 1 to 4 . In addition, it can be seen that Examples 9 to 14 can control the etching rate of titanium nitride through the contents of tetramethylammonium hydroxide and N-methylmorpholine N-oxide. Examples 4 and 8 in which the content of 1,1-carbonylimidazole was added in an amount of up to 5 wt% can increase the etching rate of TiN, but it can be seen that there is no damage to Low-k or AIN.

반면에, 1,1-카르보닐 이미다졸의 함량이 5중량%를 초과한 비교예 1 및 2는 Low-k의 손상은 없으나, AIN에 손상은 발생한 것을 알 수 있으며, 1,1-카르보닐 이미다졸을 포함하지 않은 비교예 3 및 4과 1,1-카르보닐 이미다졸 대신에 1,2-디메틸이미다졸을 포함한 비교예 5 및 6의 경우, TiN 식각속도를 높일 수 없는 것을 알 수 있다.On the other hand, Comparative Examples 1 and 2 in which the content of 1,1-carbonylimidazole was more than 5% by weight showed no damage to Low-k, but it was found that damage to AIN occurred, and 1,1-carbonyl It can be seen that the TiN etching rate can not be increased in the case of Comparative Examples 3 and 4 which do not contain imidazole and Comparative Examples 5 and 6 which contain 1,2-dimethylimidazole instead of 1,1-carbonylimidazole have.

Claims (8)

1,1-카르보닐 이미다졸를 포함하는 것을 특징으로 하는 질화티타늄 막의 식각액 조성물.Wherein the titanium nitride film is formed on the surface of the substrate. 제1항에 있어서,
상기 질화티타늄 막의 식각액 조성물은
아미노옥사이드계 화합물 또는 수산화 제4급 암모늄계 화합물;
산화제; 및
물;을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 질화티타늄 막의 식각액 조성물.The method according to claim 1,
The etchant composition of the titanium nitride film
An amino-oxide-based compound or a quaternary ammonium-based compound;
Oxidant; And
Further comprising water. &Lt; RTI ID = 0.0 &gt; 11. &lt; / RTI &gt; 제1항에 있어서,
상기 질화티타늄 막의 식각액 조성물 총 중량%에 대하여,
1,1-카르보닐 이미다졸 0.1 내지 5중량%를 포함하는 것을 특징으로 하는 질화티타늄 막의 식각액 조성물.The method according to claim 1,
Based on the total weight percent of the etchant composition of the titanium nitride film,
And 0.1 to 5% by weight of 1,1-carbonylimidazole. 제2항에 있어서,
상기 질화티타늄 막의 식각액 조성물 총 중량%에 대하여,
상기 아미노옥사이드계 화합물 또는 수산화 제4급 암모늄계 화합물 0.1 내지 20중량%;
상기 산화제 50 내지 95중량%; 및
상기 물 잔부를 포함하는 것을 특징으로 하는 질화티타늄 막의 식각액 조성물.3. The method of claim 2,
Based on the total weight percent of the etchant composition of the titanium nitride film,
0.1 to 20% by weight of the amino-oxide-based compound or the quaternary ammonium-based compound;
50 to 95 wt% of the oxidizing agent; And
And the remaining water is contained in the etchant. 제2항에 있어서,
상기 아미노옥사이드계 화합물은
피리딘-N-옥사이드, 4-니트로피리딘-N-옥사이드, 트리메틸아민-N-옥사이드 및 N-메틸모폴린-N-옥사이드로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 1종인 것을 특징으로 하는 질화티타늄 막의 식각액 조성물.3. The method of claim 2,
The amino-oxide-based compound
Wherein the titanium nitride film is at least one selected from the group consisting of pyridine-N-oxide, 4-nitropyridine-N-oxide, trimethylamine-N-oxide and N-methylmorpholine-N-oxide. 제2항에 있어서,
상기 수산화 제4급 암모늄계 화합물은
탄소수가 1 내지 4의 알킬기를 포함하는 수산화테트라알킬암모늄인 것을 특징으로 하는 질화티타늄 막의 식각액 조성물.3. The method of claim 2,
The quaternary ammonium hydroxide compound
Wherein the titanium nitride film is tetraalkylammonium hydroxide containing an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms. 제2항에 있어서,
상기 산화제는
과산화수소, 과탄산나트륨, 과탄산칼륨, 과붕산나트륨, 질산칼륨, 질산암모늄, 과망간산칼륨 및 암모늄퍼설페이트로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 1종인 것을 특징으로 하는 질화티타늄 막의 식각액 조성물.3. The method of claim 2,
The oxidant
Wherein the etching solution is at least one selected from the group consisting of hydrogen peroxide, sodium percarbonate, potassium percarbonate, sodium perborate, potassium nitrate, ammonium nitrate, potassium permanganate, and ammonium persulfate. 제2항에 있어서,
상기 물은
탈이온수인 것을 특징으로 하는 질화티타늄 막의 식각액 조성물.
3. The method of claim 2,
The water
Wherein the titanium nitride film is deionized water.
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