KR20170123949A - Organic light emitting display device and method for manufacturing the same - Google Patents

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KR20170123949A
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Abstract

According to the present invention, an organic light emitting display device is disclosed. The organic light emitting display device comprises: a flexible substrate; a pixel driving circuit arranged on one surface of the flexible substrate; and a conductive shielding layer installed to correspond to the entire part of any one surface of the flexible substrate and to suppress moisture, inputted through the flexible substrate, from being spread into the pixel driving circuit.

Description

유기발광 표시장치 및 제조방법{ORGANIC LIGHT EMITTING DISPLAY DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME}Technical Field [0001] The present invention relates to an organic light emitting display device,

본 명세서는 유기발광 표시장치 및 그 제조방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an organic light emitting display and a method of manufacturing the same.

다양한 정보를 화면으로 구현해 주는 영상표시장치는 정보 통신 시대의 핵심 기술로 더 얇고 더 가볍고 휴대가 가능하면서도 고성능의 방향으로 발전하고 있다. 이에 유기 발광 소자의 발광량을 제어하여 영상을 표시하는 유기발광 표시장치 등이 각광받고 있다.The image display device that realizes various information on the screen is a core technology of the information communication age and it is becoming thinner, lighter, more portable and higher performance. Accordingly, an organic light emitting display device for displaying an image by controlling the amount of light emitted from the organic light emitting device has attracted attention.

유기발광 소자는 전극 사이의 얇은 발광층을 이용한 자발광 소자로 박막화가 가능하다는 장점이 있다. 일반적인 유기발광 표시장치는 기판에 화소구동 회로와 유기발광소자가 형성된 구조를 갖고, 유기발광소자에서 방출된 빛이 기판 또는 배리어층을 통과하면서 화상을 표시하게 된다.The organic light emitting device is advantageous in that it can be made thin as a self-luminous device using a thin light emitting layer between electrodes. A general organic light emitting display has a structure in which a pixel driving circuit and an organic light emitting element are formed on a substrate, and light emitted from the organic light emitting element passes through a substrate or a barrier layer to display an image.

유기발광 표시장치는 별도의 광원장치 없이 구현되기 때문에, 플렉서블(flexible) 표시장치로 구현되기에 용이하다. 이때, 플라스틱, 박막 금속(metal foil) 등의 플렉서블 재료가 유기발광 표시장치의 기판으로 사용된다. 상기 플렉서블 재료 중에서 일반적으로 폴리이미드(PI)가 유기발광 표시장치의 기판으로 채용된다. 폴리이미드는 표시장치의 제조 공정을 견딜만한 내열성이 있지만, 흡습성이 커서 이를 보완하기 위한 연구가 이루어지고 있다.Since the organic light emitting display device is implemented without a separate light source device, it is easy to be implemented as a flexible display device. At this time, a flexible material such as plastic or metal foil is used as the substrate of the organic light emitting display device. Among the above flexible materials, polyimide (PI) is generally employed as a substrate of an organic light emitting display device. Polyimide has heat resistance enough to withstand the manufacturing process of a display device, but has a large hygroscopicity and is being studied to supplement it.

본 명세서는 유기발광 표시장치 및 상기의 유기발광 표시장치에 적용되는 공정을 제안하는 것을 목적으로 한다. 본 명세서의 과제들은 이상에서 언급한 과제들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.It is an object of the present invention to propose a process applied to an organic light emitting display and the organic light emitting display. The problems of the present invention are not limited to the above-mentioned problems, and other problems not mentioned can be clearly understood by those skilled in the art from the following description.

본 명세서의 일 실시예에 따라 유기발광 표시장치가 제공된다. 상기 유기발광 표시장치는, 플렉서블(flexible) 기판; 상기 플렉서블 기판의 일 면 상에 배열된 픽셀구동회로; 상기 플렉서블 기판의 어느 한 면의 전부와 대응하고, 상기 플렉서블 기판을 통하여 유입된 수분이 상기 픽셀구동회로로 확산되는 것을 억제하도록 구비된 전도성 차폐층을 포함할 수 있다.According to an embodiment of the present invention, an organic light emitting display is provided. The OLED display includes a flexible substrate; A pixel driving circuit arranged on one surface of the flexible substrate; And a conductive shielding layer corresponding to all of the surfaces of the flexible substrate and configured to prevent moisture introduced through the flexible substrate from diffusing into the pixel driving circuit.

상기 플렉서블 기판은 폴리이미드(polyimide)로 만들어질 수 있다.The flexible substrate may be made of polyimide.

상기 전도성 차폐층은 상기 플렉서블 기판보다 작은 WVTR(water vapor transmission rate)을 가질 수 있다.The conductive shield layer may have a lower water vapor transmission rate (WVTR) than the flexible substrate.

상기 전도성 차폐층은 금속, 전도성 고분자(conducting polymer) 및 그래핀(graphene) 중 어느 하나 이상의 물질로 만들어질 수 있다.The conductive shielding layer may be made of at least one of a metal, a conductive polymer, and a graphene.

상기 전도성 차폐층은 ITO(Indium Tin Oxide) 또는 IZO(Indium Zinc Oxide) 등의 투명한 물질로 이루어질 수 있다.The conductive shielding layer may be made of a transparent material such as ITO (Indium Tin Oxide) or IZO (Indium Zinc Oxide).

기타 실시예의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.The details of other embodiments are included in the detailed description and drawings.

본 명세서의 실시예들은, 장기 신뢰성, 특히 침습에 의한 잔상 문제가 개선된 플렉서블 유기발광 표시장치를 제공할 수 있다. 또한 본 명세서의 실시예들은, 상기 특징을 갖는 플렉서블 유기발광 표시장치를 용이하게 제조할 수 있는 방법을 제공할 수 있다. 이에 따라 본 명세서의 실시예에 따른 플렉서블 유기발광 표시장치는 높은 신뢰성을 가지면서도 낮은 제조비용으로 생산될 수 있다. 본 명세서의 실시예들에 따른 효과는 이상에서 예시된 내용에 의해 제한되지 않으며 더욱 다양한 효과들이 본 명세서 내에 포함되어 있다.Embodiments of the present invention can provide a flexible organic light emitting display in which long term reliability, especially afterimage problem, is improved. Further, the embodiments of the present invention can provide a method capable of easily manufacturing a flexible organic light emitting display having the above characteristics. Accordingly, the flexible organic light emitting display according to the embodiment of the present invention can be manufactured with high reliability and low manufacturing cost. The effects according to the embodiments of the present invention are not limited by the contents exemplified above, and more various effects are included in the specification.

도 1은 본 명세서의 일 실시예에 따른 유기발광 표시장치를 나타낸 평면도이다.
도 2는 본 명세서의 제1 실시예에 따른 유기발광 표시장치의 표시 영역 중 일부를 나타낸 단면도이다.
도 3은 본 명세서의 제2 실시예에 따른 유기발광 표시장치를 나타낸 단면도이다.
도 4a 및 4b는 본 명세서의 제2 실시예에 따른 유기발광 표시장치의 제조 공정 중 일부를 나타낸 도면이다.
도 5는 본 명세서의 제3 실시예에 따른 유기발광 표시장치를 나타낸 도면이다.
도 6은 본 명세서의 제4 실시예에 따른 유기발광 표시장치를 나타낸 도면이다.1 is a plan view showing an organic light emitting display according to an embodiment of the present invention.
2 is a cross-sectional view illustrating a part of a display region of an OLED display according to a first embodiment of the present invention.
3 is a cross-sectional view illustrating an organic light emitting display according to a second embodiment of the present invention.
4A and 4B are views showing a part of the manufacturing process of the organic light emitting diode display according to the second embodiment of the present invention.
5 is a diagram illustrating an OLED display according to a third embodiment of the present invention.
6 is a view illustrating an OLED display according to a fourth embodiment of the present invention.

본 명세서의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.Brief Description of the Drawings The advantages and features of the present disclosure, and how to accomplish them, will become apparent with reference to the embodiments described in detail below with reference to the accompanying drawings. The present invention may, however, be embodied in many different forms and should not be construed as being limited to the embodiments set forth herein. Rather, these embodiments are provided so that this disclosure will be thorough and complete, and will fully convey the scope of the invention to those skilled in the art. Is provided to fully convey the scope of the invention to those skilled in the art, and the invention is only defined by the scope of the claims.

본 명세서의 실시예를 설명하기 위한 도면에 개시된 형상, 크기, 비율, 각도, 개수 등은 예시적인 것이므로 본 명세서가 도시된 사항에 한정되는 것은 아니다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어서, 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명은 생략한다. 본 명세서 상에서 언급된 '포함한다', '갖는다', '이루어진다' 등이 사용되는 경우 '~만'이 사용되지 않는 이상 다른 부분이 추가될 수 있다. 구성 요소를 단수로 표현한 경우에 특별히 명시적인 기재 사항이 없는 한 복수를 포함하는 경우를 포함한다. 구성 요소를 해석함에 있어서, 별도의 명시적 기재가 없더라도 오차 범위를 포함하는 것으로 해석한다.The shapes, sizes, ratios, angles, numbers and the like disclosed in the drawings for describing the embodiments of the present invention are illustrative, and thus the present invention is not limited thereto. Like reference numerals refer to like elements throughout the specification. In the following description, well-known functions or constructions are not described in detail since they would obscure the invention in unnecessary detail. Where the terms "comprises", "having", "done", and the like are used in this specification, other portions may be added unless "only" is used. Unless the context clearly dictates otherwise, including the plural unless the context clearly dictates otherwise. In interpreting the constituent elements, it is construed to include the error range even if there is no separate description.

위치 관계에 대한 설명일 경우, 예를 들어, '~상에', '~상부에', '~하부에', '~옆에' 등으로 두 부분의 위치 관계가 설명되는 경우, '바로' 또는 '직접'이 사용되지 않는 이상 두 부분 사이에 하나 이상의 다른 부분이 위치할 수도 있다. 소자 또는 층이 다른 소자 또는 층 "위 (on)"로 지칭되는 것은 다른 소자 바로 위에 또는 중간에 다른 층 또는 다른 소자를 개재한 경우를 모두 포함한다. 어떤 구성 요소가 다른 구성요소에 "연결", "결합" 또는 "접속"된다고 기재된 경우, 그 구성 요소는 그 다른 구성요소에 직접적으로 연결되거나 또는 접속될 수 있지만, 각 구성 요소 사이에 다른 구성 요소가 "개재"되거나, 각 구성 요소가 다른 구성 요소를 통해 "연결", "결합" 또는 "접속"될 수도 있다고 이해되어야 할 것이다. In the case of a description of the positional relationship, for example, if the positional relationship between two parts is described as 'on', 'on top', 'under', and 'next to' Or " direct " is not used, one or more other portions may be located between the two portions. An element or layer is referred to as being another element or layer "on ", including both intervening layers or other elements directly on or in between. When a component is described as being "connected", "coupled", or "connected" to another component, the component may be directly connected or connected to the other component, Quot; intervening "or that each component may be" connected, "" coupled, "or " connected" through other components.

비록 제1, 제2 등이 다양한 구성요소들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 구성요소들은 이들 용어에 의해 제한되지 않는다. 이들 용어들은 단지 하나의 구성요소를 다른 구성요소와 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제1 구성요소는 본 발명의 기술적 사상 내에서 제2 구성요소일 수도 있다.Although the first, second, etc. are used to describe various components, these components are not limited by these terms. These terms are used only to distinguish one component from another. Therefore, the first component mentioned below may be the second component within the technical spirit of the present invention.

도면에서 나타난 각 구성의 크기 및 두께는 설명의 편의를 위해 도시된 것이며, 본 발명이 도시된 구성의 크기 및 두께에 반드시 한정되는 것은 아니다. 이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 다양한 실시예들을 상세히 설명한다.The sizes and thicknesses of the individual components shown in the figures are shown for convenience of explanation and the present invention is not necessarily limited to the size and thickness of the components shown. Various embodiments of the present invention will now be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 명세서의 실시예에 따른 유기발광 표시장치를 나타낸 평면도이다.1 is a plan view showing an organic light emitting display according to an embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면, 상기 유기발광 표시장치(100)는 적어도 하나의 표시 영역(active area, A/A)을 포함하고, 상기 표시 영역에는 픽셀(pixel)들의 어레이(array)가 배치된다. 하나 이상의 비표시 영역(inactive area, I/A)이 상기 표시 영역의 주위에 배치될 수 있다. 즉, 상기 비표시 영역은, 표시 영역의 하나 이상의 측면에 인접할 수 있다. 도 1에서, 상기 비표시 영역은 사각형 형태의 표시 영역을 둘러싸고 있다. 그러나, 표시 영역의 형태 및 표시 영역에 인접한 비표시 영역의 형태/배치는 도 1에 도시된 예에 한정되지 않는다. 상기 표시 영역 및 상기 비표시 영역은, 상기 표시장치(100)를 탑재한 전자장치의 디자인에 적합한 형태일 수 있다. 상기 표시 영역의 예시적 형태는 오각형, 육각형, 원형, 타원형 등이다.Referring to FIG. 1, the OLED display 100 includes at least one active area (A / A), and an array of pixels is disposed in the display area. At least one non-display area (I / A) may be disposed around the display area. That is, the non-display area may be adjacent to one or more sides of the display area. In Fig. 1, the non-display area surrounds a display area of a rectangular shape. However, the shape of the display region and the shape / arrangement of the non-display region adjacent to the display region are not limited to the example shown in Fig. The display area and the non-display area may be in a form suitable for the design of the electronic device on which the display device 100 is mounted. Illustrative forms of the display area are pentagonal, hexagonal, circular, oval, and the like.

상기 표시 영역(A/A) 내의 각 픽셀은 픽셀구동회로와 연관될 수 있다. 상기 픽셀구동회로는, 하나 이상의 스위칭 트랜지스터 및 하나 이상의 구동 트랜지스터를 포함할 수 있다. 각 픽셀구동회로는, 상기 비표시 영역에 위치한 게이트 드라이버, 데이터 드라이버 등과 통신하기 위해 게이트 라인 및 데이터 라인과 전기적으로 연결될 수 있다.Each pixel in the display area A / A may be associated with a pixel driving circuit. The pixel driving circuit may include one or more switching transistors and one or more driving transistors. Each pixel driving circuit may be electrically connected to a gate line and a data line to communicate with a gate driver, a data driver, and the like located in the non-display area.

상기 게이트 드라이버, 데이터 드라이버는 상기 비표시 영역(I/A)에 TFT(thin film transistor)로 구현될 수 있다. 이러한 드라이버는 GIP(gate-in-panel)로 지칭될 수 있다. 또한, 데이터 드라이버 IC와 같은 몇몇 부품들은, 분리된 인쇄 회로 기판에 탑재되고, FPCB(flexible printed circuit board), COF(chip-on-film), TCP(tape-carrier-package) 등과 같은 회로 필름을 통하여 상기 비표시 영역에 배치된 연결 인터페이스(패드, 범프, 핀 등)와 결합될 수 있다. 상기 인쇄 회로(COF, PCB 등)는 상기 표시장치(100)의 뒤편에 위치될 수 있다.The gate driver and the data driver may be implemented as a thin film transistor (TFT) in the non-display area I / A. Such a driver may be referred to as a gate-in-panel (GIP). In addition, some components, such as a data driver IC, are mounted on a separate printed circuit board, and circuit films such as flexible printed circuit boards (FPCB), chip-on-film (COF), tape- (Pads, bumps, pins, etc.) disposed in the non-display area. The printed circuit (COF, PCB, etc.) may be located behind the display device 100.

상기 유기발광 표시장치(100)는, 다양한 신호를 생성하거나 표시 영역내의 픽셀을 구동하기 위한, 다양한 부가 요소들 포함할 수 있다. 상기 픽셀을 구동하기 위한 부가 요소는 인버터 회로, 멀티플렉서, 정전기 방전(electro static discharge) 회로 등을 포함할 수 있다. 상기 유기발광 표시장치(100)는 픽셀 구동 이외의 기능과 연관된 부가 요소도 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 유기발광 표시장치(100)는 터치 감지 기능, 사용자 인증 기능(예: 지문 인식), 멀티 레벨 압력 감지 기능, 촉각 피드백(tactile feedback) 기능 등을 제공하는 부가 요소들을 포함할 수 있다. 상기 언급된 부가 요소들은 상기 비표시 영역 및/또는 상기 연결 인터페이스와 연결된 외부 회로에 위치할 수 있다.The organic light emitting display 100 may include various additional components for generating various signals or driving pixels in the display area. The additional element for driving the pixel may include an inverter circuit, a multiplexer, an electrostatic discharge circuit, and the like. The OLED display 100 may also include additional components associated with functions other than pixel driving. For example, the organic light emitting diode display 100 may include additional elements for providing a touch sensing function, a user authentication function (e.g., fingerprint recognition), a multi-level pressure sensing function, a tactile feedback function, have. The above-mentioned additional elements may be located in the non-display area and / or an external circuit connected to the connection interface.

본 명세서에 따른 유기발광 표시장치는, 박막 트랜지스터 및 유기발광소자가 배열된 기판(101), 봉지 층(120), 배리어 필름(140) 등을 포함할 수 있다.The organic light emitting display according to the present invention may include a substrate 101 on which a thin film transistor and an organic light emitting diode are arranged, an encapsulation layer 120, a barrier film 140, and the like.

기판(101)은 유기발광 표시장치(100)의 다양한 구성요소들을 지지한다. 기판(101)은 투명한 절연 물질, 예를 들어 유리, 플라스틱 등과 같은 절연 물질로 형성될 수 있다. 기판(어레이 기판)은, 그 위에 형성된 소자 및 기능 층, 예를 들어 스위칭 TFT, 스위칭 TFT와 연결된 구동 TFT, 구동 TFT와 연결된 유기발광소자, 보호막 등을 포함하는 개념으로 지칭되기도 한다.The substrate 101 supports the various components of the organic light emitting diode display 100. The substrate 101 may be formed of a transparent insulating material, for example, an insulating material such as glass, plastic, or the like. The substrate (array substrate) may also be referred to as a concept including an element and a functional layer formed thereon, for example, a switching TFT, a driving TFT connected to the switching TFT, an organic light emitting element connected to the driving TFT,

유기발광소자는 기판(101) 상에 배치된다. 유기발광소자는 애노드, 애노드 상에 형성된 유기발광층 및 유기발광층 상에 형성된 캐소드를 포함한다. 상기 유기발광소자는 하나의 빛을 발광하는 단일 발광층 구조로 구성될 수도 있고, 복수 개의 발광층으로 구성되어 백색 광을 발광하는 구조로 구성될 수도 있다. 유기발광소자가 백색 광을 발광하는 경우, 컬러 필터가 더 구비될 수도 있다. 유기발광소자는 표시 영역에 대응하도록 기판(101)의 중앙 부분에 형성될 수 있다.The organic light emitting element is disposed on the substrate 101. The organic light emitting device includes an anode, an organic light emitting layer formed on the anode, and a cathode formed on the organic light emitting layer. The organic light emitting device may have a single light emitting layer structure that emits one light, or may include a plurality of light emitting layers to emit white light. When the organic light emitting element emits white light, a color filter may further be provided. The organic light emitting element may be formed at the central portion of the substrate 101 to correspond to the display area.

봉지 층(120)이 유기발광소자를 덮을 수 있다. 상기 봉지 층(encapsulation layer)은 유기발광소자를 외부의 수분 또는 산소로부터 보호한다. 배리어 필름(barrier film)은 봉지 층 상에 위치한다.The sealing layer 120 may cover the organic light emitting element. The encapsulation layer protects the organic light emitting device from external moisture or oxygen. A barrier film is placed on the encapsulating layer.

도 2는 본 명세서의 제1 실시예에 따른 유기발광 표시장치의 표시 영역 중 일부를 나타낸 단면도이다.2 is a cross-sectional view illustrating a part of a display region of an OLED display according to a first embodiment of the present invention.

도 2를 참조하면, 기판(101) 상에 박막트랜지스터(102, 104, 106, 108), 유기발광소자(112, 114, 116) 및 각종 기능 층(layer)이 위치하고 있다. Referring to FIG. 2, thin film transistors 102, 104, 106 and 108, organic light emitting elements 112, 114 and 116, and various functional layers are disposed on a substrate 101.

기판(또는 어레이 기판)은 유리 또는 플라스틱 기판일 수 있다. 플라스틱 기판인 경우, 폴리이미드 계열 또는 폴리 카보네이트 계열 물질이 사용되어 가요성(flexibility)를 가질 수 있다. 특히, 폴리이미드는 고온의 공정에 적용될 수 있고, 코팅이 가능한 재료이기에 플라스틱 기판으로 많이 사용된다.The substrate (or array substrate) may be a glass or plastic substrate. In the case of a plastic substrate, a polyimide-based material or a polycarbonate-based material may be used to have flexibility. In particular, polyimide can be applied to high-temperature processes and is widely used as a plastic substrate because it is a material that can be coated.

버퍼 층(130)은 기판(101) 또는 하부의 층들에서 유출되는 알칼리 이온 등과 같은 불순물로부터 박막트랜지스터를 보호하기 위한 기능 층이다. 상기 버퍼 층(buffer layer)은 실리콘 산화물(SiOx), 실리콘 질화물(SiNx) 또는 이들의 다층으로 이루어질 수 있다. 상기 버퍼 층(130)은 멀티 버퍼(multi buffer, 131) 및/또는 액티브 버퍼(active buffer, 132)를 포함할 수 있다. 상기 멀티 버퍼(131)는 질화실리콘(SiNx) 및 산화실리콘(SiOx)이 교대로 적층되어 이루어질 수 있으며, 기판(101)에 침투한 수분 및/또는 산소가 확산되는 것을 지연시킬 수 있다. 상기 액티브 버퍼(132)는 트랜지스터의 반도체 층(102)을 보호하며, 기판(101)으로부터 유입되는 다양한 종류의 결함을 차단하는 기능을 수행한다. 상기 액티브 버퍼(132)는 a-Si 등으로 형성될 수 있다.The buffer layer 130 is a functional layer for protecting the thin film transistor from impurities such as alkali ions or the like flowing out from the substrate 101 or the lower layers. The buffer layer may be formed of silicon oxide (SiOx), silicon nitride (SiNx), or a multilayer thereof. The buffer layer 130 may include a multi-buffer 131 and / or an active buffer 132. The multi-buffer 131 may be formed by alternately stacking silicon nitride (SiNx) and silicon oxide (SiOx), and may delay diffusion of moisture and / or oxygen impregnated into the substrate 101. The active buffer 132 protects the semiconductor layer 102 of the transistor and functions to block various kinds of defects introduced from the substrate 101. The active buffer 132 may be formed of a-Si or the like.

박막트랜지스터는 반도체 층(102), 게이트 절연막(103), 게이트 전극(104), 층간 절연막(105), 소스 및 드레인 전극(106, 108)이 순차적으로 배치된 형태일 수 있다. 상기 박막트랜지스터(TFT)는 P형 TFT 또는 N형 TFT일 수 있다. 상기 P형(P-type) TFT는, 전류 흐름이 정공(hole)의 이동에 의해 이루어지도록 채널(channel)의 이온(ion)이 붕소(boron) 등의 3족 원소로 도핑(doping)된 TFT이며, PMOS로 호칭되기도 한다. 상기 N형(N-type) TFT는, 전류 흐름이 전자(electron)의 이동에 의해 이루어지도록 채널(channel)의 이온(ion)이 인(phosphorus) 등의 5족 원소로 도핑(doping)된 TFT이며, NMOS로 호칭되기도 한다. 반도체 층(102)은 상기 버퍼 층(130) 상에 위치한다. 반도체 층(102)은 폴리 실리콘(p-Si)으로 만들어질 수 있으며, 이 경우 소정의 영역이 불순물로 도핑될 수도 있다. 또한, 반도체 층(102)은 아몰포스 실리콘(a-Si)으로 만들어질 수도 있고, 펜타센 등과 같은 다양한 유기 반도체 물질로 만들어질 수도 있다. 나아가 반도체 층(102)은 산화물(oxide)로 만들어질 수도 있다.게이트 절연막(103)은 실리콘 산화물(SiOx) 또는 실리콘 질화물(SiNx) 등과 같은 절연성 무기물로 형성될 수 있으며, 이외에도 절연성 유기물 등으로 형성될 수도 있다. 게이트 전극(104)은 다양한 도전성 물질, 예컨대, 마그네슘(Mg), 알루미늄(Al), 니켈(Ni), 크롬(Cr), 몰리브덴(Mo), 텅스텐(W), 금(Au) 또는 이들의 합금 등으로 형성될 수 있다.The thin film transistor may have a configuration in which a semiconductor layer 102, a gate insulating film 103, a gate electrode 104, an interlayer insulating film 105, and source and drain electrodes 106 and 108 are sequentially arranged. The thin film transistor (TFT) may be a P-type TFT or an N-type TFT. The P-type TFT is a TFT in which an ion of a channel is doped with a Group III element such as boron so that a current flow is caused by the movement of a hole, And may be referred to as PMOS. The N-type TFT is a TFT in which an ion of a channel is doped with a Group 5 element such as phosphorus so that a current flow is caused by electron movement. And may be referred to as NMOS. The semiconductor layer 102 is located on the buffer layer 130. The semiconductor layer 102 may be made of polysilicon (p-Si), in which case a predetermined region may be doped with an impurity. Further, the semiconductor layer 102 may be made of amorphous silicon (a-Si), or may be made of various organic semiconductor materials such as pentacene. The gate insulating layer 103 may be formed of an insulating inorganic material such as silicon oxide (SiOx) or silicon nitride (SiNx), or may be formed of an insulating organic material or the like. . The gate electrode 104 may be formed of various conductive materials such as Mg, Al, Ni, Cr, Mo, W, Au, Or the like.

층간 절연막(105)은 실리콘 산화물(SiOx) 또는 실리콘 질화물(SiNx) 등과 같은 절연성 물질로 형성될 수 있으며, 이외에도 절연성 유기물 등으로 형성될 수도 있다. 층간 절연막(105)과 게이트 절연막(103)의 선택적 제거로 소스 및 드레인 영역이 노출되는 컨택 홀(contact hole)이 형성될 수 있다.The interlayer insulating film 105 may be formed of an insulating material such as silicon oxide (SiOx) or silicon nitride (SiNx), or may be formed of an insulating organic material or the like. A contact hole through which the source and drain regions are exposed may be formed by selective removal of the interlayer insulating film 105 and the gate insulating film 103.

소스 및 드레인 전극(106, 108)은 층간 절연막(105) 상에 전극용 물질로 단일층 또는 다층의 형상으로 형성된다.The source and drain electrodes 106 and 108 are formed on the interlayer insulating film 105 in the form of a single layer or a multi-layered structure as an electrode material.

평탄화 층(107)이 박막트랜지스터 상에 위치할 수 있다. 평탄화 층(107)은 박막트랜지스터를 보호하고 그 상부를 평탄화한다. 평탄화 층(107)은 다양한 형태로 구성될 수 있는데, BCB(Benzocyclobutene) 또는 아크릴(Acryl) 등과 같은 유기 절연막, 또는 실리콘 질화막(SiNx), 실리콘 산화막(SiOx)와 같은 무기 절연막으로 형성될 수도 있고, 단층으로 형성되거나 이중 혹은 다중 층으로 구성될 수도 있는 등 다양한 변형이 가능하다.The planarizing layer 107 may be located on the thin film transistor. The planarizing layer 107 protects the thin film transistor and flattenes the top surface thereof. The planarization layer 107 may be formed in various shapes and may be formed of an organic insulating film such as BCB (benzocyclobutene) or acrylic or an inorganic insulating film such as a silicon nitride film (SiNx) or a silicon oxide film (SiOx) It may be formed as a single layer, or it may be composed of a double layer or a multi layer.

하부보호금속(109)은 트랜지스터의 하부에 형성되어, 외부로부터 유입되는 수분으로부터 상기 트랜지스터의 소자 특성(예: 문턱 전압 등)이 변동되는 것을 억제한다. 이로써 상기 하부보호금속(BSM: Bottom Shield Metal)은 픽셀 간 휘도 불균형(얼룩, 잔상으로 나타남)을 방지할 수 있다. 또한, 상기 하부보호금속(109)은, 플렉서블 유기발광 표시장치의 제조 공정(예: 유리기판을 떼어내는 과정)에서, 트랜지스터가 물리적으로 손상되는 것을 최소화할 수도 있다.The lower protective metal 109 is formed under the transistor so as to suppress variations in the device characteristics (e.g., threshold voltage and the like) of the transistor from moisture introduced from the outside. As a result, the bottom shield metal (BSM) can prevent the unevenness of the luminance between pixels (unevenness and residual image). Further, the lower protective metal 109 may minimize the physical damage of the transistor in the manufacturing process of the flexible organic light emitting display device (e.g., the process of removing the glass substrate).

폴리이미드(PI)는 WVTR(water vapor transmission rate)이 수~수십g/m224hr 수준으로 흡습성이 높은 편이다. 따라서 기판(101)으로 폴리이미드(PI)가 사용되면, 기판을 통해 유입되는 수분(H2O)이 많을 수 있다. 이때 H2O의 H+ 및 OH- 이온이 TFT 쪽으로 확산된다. 확산된 상기 이온들은 이동성 전하(mobile charge)로 작용하여 TFT 구동에 영향을 주며(예: Vth 변동), 이에 따라 TFT 소자 성능이 열화된다. Polyimide (PI) is highly hygroscopic at water vapor transmission rate (WVTR) of several tens g / m 2 24 hr. Therefore, when polyimide (PI) is used as the substrate 101, there may be a large amount of water (H 2 O) flowing through the substrate. At this time, the H + and OH - ions of H 2 O are diffused toward the TFT. The diffused ions act as a mobile charge to affect the TFT driving (e.g., Vth fluctuation), thereby deteriorating the TFT device performance.

버퍼 층(130)은 WVTR이 수X10-3g/m224hr 수준으로 상기 이온의 확산을 막는 데 효과적이지 않기 때문에, TFT의 하부(예: 반도체 층의 하부)에 하부보호금속(109)을 패터닝(patterning)하여 수분 및/또는 그 이온을 차단한다. The lower protective metal 109 on (lower part of the semiconductor layer for example) due to the buffer layer 130 may not be the WVTR X10 -3 g / m 2 24hr level to be effective in preventing the diffusion of the ion, the lower portion of the TFT And patterning to block moisture and / or ions thereof.

한편, 하부보호금속(109)은 금속 재질이기 때문에, 소정의 커패시턴스(capacitance)를 형성하는 소자가 되기도 한다. 이때, 하부보호금속(109)이 전기적으로 플로팅(floating) 되어있으면 커패시턴스의 변동이 나타나게 되므로, 연결부재(109-1)를 통해 하부보호금속(109)을 소스/드레인에 접지하여 커패시턴스가 일정하게 유지되도록 할 수 있다. On the other hand, since the lower protective metal 109 is made of a metal, it also becomes a device that forms a predetermined capacitance. At this time, if the lower protective metal 109 is electrically floating, variations in the capacitance are exhibited. Therefore, the lower protective metal 109 is grounded to the source / drain via the connecting member 109-1 so that the capacitance is constant .

본 명세서의 실시예에 따른 플렉서블 유기발광 표시장치는, 하부보호금속(109)이 모든 트랜지스터의 반도체 층 하부에 위치할 수도 있고, 필요에 따라 특정 트랜지스터(예: 구동 트랜지스터)의 반도체 층 하부에만 위치할 수도 있다.In the flexible organic light emitting display according to the embodiment of the present invention, the lower protective metal 109 may be located below the semiconductor layer of all the transistors, and may be located only below the semiconductor layer of a specific transistor You may.

유기발광소자는 제1 전극(112), 유기발광 층(114), 제2 전극(116)이 순차적으로 배치된 형태일 수 있다. 즉, 유기발광소자는 평탄화 층(107) 상에 형성된 제1 전극(112), 제1 전극(112) 상에 위치한 유기발광 층(114) 및 유기발광 층(114) 상에 위치한 제2 전극(116)으로 구성될 수 있다.The organic light emitting device may have a structure in which a first electrode 112, an organic light emitting layer 114, and a second electrode 116 are sequentially arranged. That is, the organic light emitting device includes a first electrode 112 formed on the planarization layer 107, an organic light emitting layer 114 disposed on the first electrode 112, and a second electrode (not shown) disposed on the organic light emitting layer 114 116).

제1 전극(112)은 컨택 홀을 통해 구동 박막트랜지스터의 드레인 전극(108)과 전기적으로 연결된다. 유기발광 표시장치(100)가 상부 발광(top emission) 방식인 경우, 이러한 제1 전극(112)은 반사율이 높은 불투명한 도전 물질로 만들어질 수 있다. 예를 들면, 제1 전극(112)은 은(Ag), 알루미늄(Al), 금(Au), 몰리브덴(Mo), 텅스텐(W), 크롬(Cr) 또는 이들의 합금 등으로 형성될 수 있다.The first electrode 112 is electrically connected to the drain electrode 108 of the driving thin film transistor through the contact hole. When the organic light emitting display 100 is a top emission type, the first electrode 112 may be made of an opaque conductive material having high reflectance. For example, the first electrode 112 may be formed of silver (Ag), aluminum (Al), gold (Au), molybdenum (Mo), tungsten (W), chromium (Cr) .

뱅크(110)는 발광 영역을 제외한 나머지 영역에 형성된다. 이에 따라, 뱅크(110)는 발광 영역과 대응되는 제1 전극(112)을 노출시키는 뱅크 홀을 가진다. 뱅크(110)는 실리콘 질화막(SiNx), 실리콘 산화막(SiOx)와 같은 무기 절연 물질 또는 BCB, 아크릴계 수지 또는 이미드계 수지와 같은 유기 절연물질로 만들어질 수 있다.The bank 110 is formed in the remaining region except for the light emitting region. Accordingly, the bank 110 has a bank hole for exposing the first electrode 112 corresponding to the light emitting region. The bank 110 may be made of an inorganic insulating material such as a silicon nitride film (SiNx), a silicon oxide film (SiOx), or an organic insulating material such as BCB, acrylic resin or imide resin.

유기발광 층(114)이 뱅크(110)에 의해 노출된 제1 전극(112) 상에 위치한다. 유기발광 층(114)은 발광층, 전자주입층, 전자수송층, 정공수송층, 정공주입층 등을 포함할 수 있다.The organic light emitting layer 114 is positioned on the first electrode 112 exposed by the bank 110. [ The organic light emitting layer 114 may include a light emitting layer, an electron injection layer, an electron transport layer, a hole transport layer, a hole injection layer, and the like.

제2 전극(116)이 유기발광층(114) 상에 위치한다. 유기발광 표시장치(100)가 상부 발광(top emission) 방식인 경우, 제2 전극(116)은 인듐 틴 옥사이드(Indium Tin Oxide; ITO) 또는 인듐 징크 옥사이드(Induim Zinc Oxide; IZO) 등과 같은 투명한 도전 물질로 형성됨으로써 유기발광 층(114)에서 생성된 광을 제2 전극(116) 상부로 방출시킨다.And the second electrode 116 is located on the organic light emitting layer 114. When the OLED display 100 is a top emission type, the second electrode 116 may be a transparent conductive layer such as indium tin oxide (ITO) or indium zinc oxide (IZO) Thereby emitting the light generated in the organic light emitting layer 114 to the upper portion of the second electrode 116.

보호 층(118)과 봉지 층(120)이 제2 전극(116) 상에 위치한다. 상기 보호 층(118)과 봉지 층(120)은, 발광 재료와 전극 재료의 산화를 방지하기 위하여, 외부로부터의 산소 및 수분 침투를 막는다. 유기발광소자가 수분이나 산소에 노출되면, 발광 영역이 축소되는 화소 수축(pixel shrinkage) 현상이 나타나거나, 발광 영역 내 흑점(dark spot)이 생길 수 있다. 상기 보호 층(passivation layer) 및/또는 상기 봉지 층(encapsulation layer)은 유리, 금속, 산화 알루미늄(AlOx) 또는 실리콘(Si) 계열 물질로 이루어진 무기막으로 구성되거나, 또는 유기막과 무기막이 교대로 적층된 구조일 수도 있다. 무기막은 수분이나 산소의 침투를 차단하는 역할을 하고, 유기막은 무기막의 표면을 평탄화하는 역할을 한다. 봉지 층을 여러 겹의 박막 층으로 형성하는 이유는, 단일 층에 비해 수분이나 산소의 이동 경로를 길고 복잡하게 하여, 유기발광소자까지 수분/산소의 침투를 어렵게 만들려는 것이다.The protective layer 118 and the encapsulation layer 120 are located on the second electrode 116. The protective layer 118 and the sealing layer 120 prevent oxygen and moisture penetration from the outside in order to prevent oxidation of the light emitting material and the electrode material. When the organic light emitting device is exposed to moisture or oxygen, a pixel shrinkage phenomenon in which the light emitting region is reduced or a dark spot in the light emitting region may occur. The passivation layer and / or the encapsulation layer may be composed of an inorganic film made of glass, metal, aluminum oxide (AlOx), or silicon (Si) material, or alternatively, It may be a laminated structure. The inorganic film serves to block penetration of moisture or oxygen, and the organic film serves to flatten the surface of the inorganic film. The reason why the encapsulation layer is formed of a plurality of thin film layers is to make the movement path of water or oxygen longer and more complicated than in the case of a single layer so as to make penetration of moisture / oxygen into the organic light emitting element difficult.

배리어 필름(140)이 봉지 층(120) 상에 위치하여 유기발광소자를 포함하는 기판(101) 전체를 봉지한다. 배리어 필름(140)은 위상차 필름 또는 광등방성 필름일 수 있다. 배리어 필름이 광등방성 성질을 가지면, 배리어 필름에 입사된 입사된 광을 위상지연 없이 그대로 투과시킨다. 또한, 배리어 필름 상부 또는 하부면에는 유기막 또는 무기막이 더 위치할 수 있다. 배리어 필름 상부 또는 하부면에 형성되는 유기막 또는 무기막은 외부의 수분이나 산소의 침투를 차단하는 역할을 한다. The barrier film 140 is positioned on the sealing layer 120 to encapsulate the entire substrate 101 including the organic light emitting device. The barrier film 140 may be a phase difference film or an optically isotropic film. When the barrier film has optically isotropic properties, the incident light incident on the barrier film is transmitted without phase delay. Further, an organic film or an inorganic film may be further disposed on the upper or lower surface of the barrier film. The organic film or the inorganic film formed on the upper or lower surface of the barrier film serves to prevent penetration of moisture or oxygen from the outside.

접착 층이 배리어 필름(140)과 봉지 층(120) 사이에 위치할 수 있다. 접착 층은 봉지 층(120)과 배리어 필름(140)을 접착시킨다. 접착 층은 열 경화형 또는 자연 경화형의 접착제일 수 있다. 예를 들어, 접착 층은 B-PSA(Barrier pressure sensitive adhesive)와 같은 물질로 구성될 수 있다.An adhesive layer may be positioned between the barrier film 140 and the encapsulating layer 120. The adhesive layer bonds the sealing layer 120 and the barrier film 140 together. The adhesive layer may be a thermosetting or natural curing adhesive. For example, the adhesive layer may be made of a material such as B-PSA (Barrier pressure sensitive adhesive).

배리어 필름(140) 상에 터치 패널(필름), 편광 필름, 상면 커버 등이 더 위치할 수도 있다.A touch panel (film), a polarizing film, a top cover, and the like may be further disposed on the barrier film 140.

도 3은 본 명세서의 제2 실시예에 따른 유기발광 표시장치를 나타낸 단면도이다.3 is a cross-sectional view illustrating an organic light emitting display according to a second embodiment of the present invention.

상기 유기발광 표시장치(100)는 어레이 기판(101), 버퍼 층(130), 픽셀구동회로 및 유기발광소자(TFT/OLED), 봉지 층(120), 배리어 필름(140), 지지 층(150), 전도성 차폐층(160)을 포함할 수 있다. The OLED display 100 includes an array substrate 101, a buffer layer 130, a pixel driving circuit and an organic light emitting diode (TFT) / OLED, an encapsulation layer 120, a barrier film 140, ), And a conductive shielding layer 160.

어레이 기판(101)은 절연 물질로 형성되며, 유기발광 표시장치(100)의 다양한 구성요소들을 지지한다. 상기 어레이 기판(101)은 폴리이미드 계열, 폴리 카보네이트 계열 등의 물질로 이루어진 플렉서블 기판일 수 있다. The array substrate 101 is formed of an insulating material and supports various components of the OLED display 100. The array substrate 101 may be a flexible substrate made of a material such as a polyimide-based material, a polycarbonate-based material, or the like.

픽셀구동회로 및 유기발광소자(TFT/OLED)는 어레이 기판(110)의 일 면 상에 배치된다. 유기발광소자는 애노드(anode), 애노드 상에 형성된 유기발광 층, 유기발광 층 상에 형성된 캐소드(cathode)를 포함한다. 유기발광 층은 하나의 빛을 발광하는 단일 발광층 구조일 수도 있고, 복수 개의 발광층으로 구성되어 백색 광을 발광하는 구조일 수도 있다. 유기발광소자는 표시 영역에 대응하도록 어레이 기판(110)의 중앙 부분에 형성될 수 있다. 유기발광소자를 구동하기 위한 픽셀구동회로, 즉 박막 트랜지스터(thin film transistor), 커패시터(capacitor) 등의 다양한 소자 및 배선들이 유기발광소자와 연관되어 배치될 수 있다. 픽셀구동회로 및 유기발광소자의 예시적인 구조와 기능은 도 2에서 설명된 것과 실질적으로 동일하다. 즉, 픽셀구동회로 및 유기발광소자(TFT/OLED)는 어레이 기판(101) 상에 데이터 라인, 게이트 라인, 박막 트랜지스터(예: P형 박막트랜지스터, N형 박막트랜지스터 등), 유기 발광다이오드 등의 소자가 배치된 층으로 볼 수 있다. A pixel driver circuit and an organic light emitting element (TFT / OLED) are disposed on one side of the array substrate 110. The organic light emitting device includes an anode, an organic light emitting layer formed on the anode, and a cathode formed on the organic light emitting layer. The organic light emitting layer may have a single light emitting layer structure that emits one light or a structure that includes a plurality of light emitting layers to emit white light. The organic light emitting device may be formed in the central portion of the array substrate 110 to correspond to the display area. Various devices and wirings such as a pixel driver circuit for driving the organic light emitting element, i.e., a thin film transistor, a capacitor, and the like may be disposed in association with the organic light emitting element. The exemplary structure and function of the pixel driver circuit and the organic light emitting element are substantially the same as those described in Fig. That is, the pixel driver circuit and the organic light emitting element (TFT / OLED) are formed on the array substrate 101 by using a data line, a gate line, a thin film transistor (for example, a P type thin film transistor or an N type thin film transistor), an organic light emitting diode It can be seen as a layer in which devices are placed.

상기 어레이 기판(101)과 상기 픽셀구동회로 및 유기발광소자(TFT/OLED)의 사이에 버퍼 층(130)이 위치할 수 있다. 상기 버퍼 층(130)의 예시적인 구조와 기능은 도 2에서 설명된 것과 실질적으로 동일하다.A buffer layer 130 may be positioned between the array substrate 101 and the pixel driving circuit and the organic light emitting diode (TFT / OLED). The exemplary structure and function of the buffer layer 130 are substantially the same as those described in Fig.

봉지 층(120)은 픽셀구동회로 및 유기발광소자(TFT/OLED)를 커버하여 외부로부터 산소 및 수분이 그 내부로 침투하는 것을 방지한다. 상기 봉지 층(120)은 무기 보호막과 유기 보호막이 번갈아 배치되는 복수의 층으로 이루어질 수 있다. 무기 보호막은 산소 및 수분의 침투를 방지하는데 있어 유기 보호막보다 적합하며, 유기 보호막은 무기 보호막의 내충격성을 보완하는 역할을 할 수 있다. The sealing layer 120 covers the pixel driving circuit and the organic light emitting diode (TFT / OLED) to prevent oxygen and moisture from penetrating into the inside thereof. The sealing layer 120 may be formed of a plurality of layers in which an inorganic protective film and an organic protective film are alternately disposed. The inorganic protective film is more suitable than the organic protective film in preventing penetration of oxygen and moisture, and the organic protective film can complement the impact resistance of the inorganic protective film.

배리어 필름(140)이 봉지 층(120) 상에 위치하여 유기발광소자를 포함하는 기판(101) 전체를 봉지한다. 배리어 필름(140)은 위상차 필름 또는 광등방성 필름일 수 있다. 배리어 필름이 광등방성 성질을 가지면, 배리어 필름에 입사된 입사된 광을 위상지연 없이 그대로 투과시킨다. 배리어 필름(140) 상에 터치 패널(필름), 편광 필름, 상면 커버 등이 더 위치할 수도 있다.The barrier film 140 is positioned on the sealing layer 120 to encapsulate the entire substrate 101 including the organic light emitting device. The barrier film 140 may be a phase difference film or an optically isotropic film. When the barrier film has optically isotropic properties, the incident light incident on the barrier film is transmitted without phase delay. A touch panel (film), a polarizing film, a top cover, and the like may be further disposed on the barrier film 140.

한편, 어레이 기판(101) 아래에는 전도성 차폐층(160)과 지지 층(150) 이 순차적으로 형성되어 있다. On the other hand, a conductive shielding layer 160 and a supporting layer 150 are sequentially formed under the array substrate 101.

지지 층(150)은 기판(101)이 너무 쉽게 휘지 않도록 지지하는 백플레이트(Back-plate)이다. 상기 지지 층(150)은 폴리에틸렌 나프탈레이트(Polyethylene Naphthalate; PEN), 폴리에틸렌 테레프탈레이트(Ployethylene Terephthalate; PET), 폴리에틸렌 에테르프탈레이트 (polyethylene ether phthalate), 폴리카보네이트(polycarbonate), 폴리아릴레이트(polyarylate), 폴리에테르이미드(polyether imide), 폴리에테르술폰산(polyether sulfonate), 폴리이미드(polyimide) 또는 폴리아크릴레이트(polyacrylate)에서 선택된 하나 이상의 유기 물질로 형성될 수 있다.The support layer 150 is a back-plate that supports the substrate 101 so as not to bend too easily. The support layer 150 may be formed of a material selected from the group consisting of polyethylene naphthalate (PEN), polyethylene terephthalate (PET), polyethylene ether phthalate, polycarbonate, polyarylate, And may be formed of at least one organic material selected from polyether imide, polyether sulfonate, polyimide, or polyacrylate.

전도성 차폐층(160)은 어레이 기판(101)의 하면 전체와 맞닿아 있으며, 외부(하부)로부터 수분 또는 산소가 어레이 기판(101)으로 침투하는 것을 억제한다. 즉, 상기 전도성 차폐층(160)은 상기 플렉서블 기판을 통하여 유입된 수분이 상기 픽셀구동회로로 확산되는 것을 억제하도록 구비된다.The conductive shielding layer 160 is in contact with the entire lower surface of the array substrate 101 and inhibits moisture or oxygen from penetrating into the array substrate 101 from the outside (lower). That is, the conductive shield layer 160 is provided to prevent the moisture introduced through the flexible substrate from diffusing into the pixel driving circuit.

상기 전도성 차폐층(160)은 상기 플렉서블 기판(101)의 어느 한 면(상면 또는 하면)의 전부(전체 영역)와 대응하도록 마련된다. 즉, 상기 전도성 차폐층(160)은 상기 플렉서블 기판의 어느 한 면을 전부 덮을 수 있다. 상기 전도성 차폐층(160)은 2000~3000Å 두께로 마련될 수 있다.The conductive shielding layer 160 is provided so as to correspond to all (entire region) of one surface (upper surface or lower surface) of the flexible substrate 101. That is, the conductive shield layer 160 may completely cover one surface of the flexible substrate. The conductive shield layer 160 may be formed to a thickness of 2000 to 3000 ANGSTROM.

도 2의 제1 실시예와 같이 하부보호금속(109)이 특정 영역에 부분적으로 패터닝(patterning)되면, 하부보호금속(109)이 없는 영역에는 이동성 전하(mobile charge)가 누적되어 TFT특성의 열화를 초래할 수 있다. 이러한 열화는 유기발광 표시장치의 장기 신뢰성(예: 복원 잔상)에 악영향을 미칠 수 있다. 또한, 하부보호금속(109)에 일정 전압을 공급하기 위한 연결부재(109-1, B-CNT)를 만들어야 한다. 따라서 하부보호금속(109) 및 연결부재(109-1)를 형성하는 2개의 공정과 마스크(mask)가 필요하게 된다.When the lower protective metal 109 is partially patterned in a specific region as in the first embodiment of FIG. 2, a mobile charge accumulates in a region where the lower protective metal 109 is not present, ≪ / RTI > Such deterioration may adversely affect the long-term reliability (e.g., restoration afterimage) of the organic light emitting display. Further, a connection member 109-1 (B-CNT) for supplying a constant voltage to the lower protective metal 109 should be formed. Therefore, two processes for forming the lower protective metal 109 and the connecting member 109-1 and a mask are required.

반면, 도 3의 제2 실시예에서는, 전도성 차폐층(160)이 기판(101) 하부 면(기판의 양 면 중 픽셀구동회로가 배열된 면의 반대 면) 전체를 덮도록 마련된다. 따라서, 상기의 2 마스크를 통한 보호금속(109) 패터닝 공정이 생략될 수 있다. 이는 제조 원가 절감, 생산성 향상 및 패널 설계 자유도 측면에서 매우 유리하다.On the other hand, in the second embodiment of Fig. 3, the conductive shielding layer 160 is provided so as to cover the entire lower surface of the substrate 101 (the opposite surface of the surface on which the pixel driving circuits are arranged on both surfaces of the substrate). Thus, the protective metal 109 patterning process through the two masks described above can be omitted. This is very advantageous in terms of manufacturing cost reduction, productivity improvement, and freedom of panel design.

한편, 상기 전도성 차폐층(160)으로는 어레이 기판(101) 재료보다 WVTR이 작은(약 1/1000 이하) 재료가 사용되기 때문에 어레이 기판(101)을 통한 투습이 거의 차단된다. 또한 상기 전도성 차폐층(160)은 도전성 물질로 형성되므로, 전압을 인가받아 이동성 이온(H+, OH-)을 붙잡아 두어 TFT로 이동하지 못하도록 할 수 있다.On the other hand, since the conductive shielding layer 160 uses a material having a smaller WVTR (about 1/1000 or less) than the material of the array substrate 101, the moisture permeation through the array substrate 101 is substantially blocked. In addition, since the conductive shielding layer 160 is formed of a conductive material, it can be prevented from moving to the TFT by holding the mobile ions (H + , OH - ) with a voltage applied thereto.

상기 도전성 물질의 예로는 금속, 전도성 고분자(conducting polymer), 그래핀(graphene) 등이 있다. 전도성 고분자는 일반적으로 전도율 10- 7Scm-1 이상의 값을 표시하는 고분자이며, 전자 수용체 또는 전자 공여체를 고분자에 투여(doping)함으로써 높은 전도율이 얻어지는 경우가 많다. 도핑된 폴리에틸렌, 폴리피롤, 폴리티오펜 등이 대표적인 전도성 고분자이다. 그래핀은 탄소 원자들이 평면에서 벌집 구조를 이루는 물질이다. 그래핀은 매우 얇고 투명하며, 화학적 안전성과 전기 전도성이 뛰어나다. 특히 신축성이 좋아서 늘이거나 접어도 전기 전도성을 잃지 않는 특징도 있다.Examples of the conductive material include a metal, a conducting polymer, and a graphene. Conductive polymers generally have a conductivity of 10 - 7 Scm -1 or higher. High conductivity is often obtained by doping an electron acceptor or an electron donor to a polymer. Doped polyethylene, polypyrrole, and polythiophene are typical conductive polymers. Graphene is a material in which carbon atoms form a honeycomb structure in a plane. Graphene is very thin and transparent, and has excellent chemical safety and electrical conductivity. Particularly, there is also a feature that does not lose its electric conductivity even when stretched or folded because of its good elasticity.

상기 전도성 차폐층(160)은, 플렉서블 유기발광 표시장치에 적합하도록, 소정 곡률 반경으로 구부러질 수 있는(bendable) 재료로 만들어질 수 있다. 상기 금속, 전도성 고분자, 그래핀 등은 이러한 유연성을 가진다.The conductive shielding layer 160 may be made of a material that is bendable at a predetermined radius of curvature so as to be suitable for a flexible organic light emitting display. The metal, conductive polymer, graphene, and the like have such flexibility.

구리, 알루미늄, 은 등의 금속은 WVTR이 수X10-6g/m224hr 정도로 수분 차단 능력이 매우 우수하다. 다만, 상기 금속들은 불투명하기 때문에 적용 제품이 제한될 수 있다. 반면 상기 전도성 차폐층(160)은 유기발광 표시장치의 특성에 따라 투명한 물질로 이루어질 수도 있다. 이 경우, 상기 전도성 차폐층(160)은 ITO(Indium Tin Oxide) 또는 IZO(Indium Zinc Oxide) 등과 같은 투명 전극 물질로 이루어질 수 있다. ITO, IZO도 WVTR이 10-3~10-6g/m224hr 정도로 방습 능력이 우수한 편에 속한다.The metals such as copper, aluminum, and silver have a WVTR of about X10 -6 g / m 2 24 hr and have excellent moisture barrier properties. However, since the metals are opaque, the applicable products may be limited. On the other hand, the conductive shield layer 160 may be formed of a transparent material according to characteristics of the OLED. In this case, the conductive shield layer 160 may be formed of a transparent electrode material such as ITO (Indium Tin Oxide) or IZO (Indium Zinc Oxide). ITO and IZO also have excellent WVTR of 10 -3 to 10 -6 g / m 2 24 hr.

본 명세서의 제2 실시예를 적용한 플렉서블 유기발광 표시장치는, 제1 실시예에 따른 구조에 비하여 동등 이상의 방습 성능을 가질 뿐만 아니라, 더 간소화된 공정으로 제조될 수 있다. 즉, 본 명세서의 제2 실시예를 적용한 플렉서블 유기발광 표시장치는 제조 비용 절감에 더 유리한 장점을 갖는다. The flexible organic light emitting display device to which the second embodiment of the present invention is applied can have a moisture-proof performance equal to or higher than that of the structure according to the first embodiment, and can be manufactured in a simpler process. That is, the flexible organic light emitting display device to which the second embodiment of the present invention is applied has an advantage of being more advantageous in reducing manufacturing cost.

도 4a 및 4b는 본 명세서의 제2 실시예에 따른 유기발광 표시장치의 제조 공정 중 일부를 나타낸 도면이다.4A and 4B are views showing a part of the manufacturing process of the organic light emitting diode display according to the second embodiment of the present invention.

도 3의 제2 실시예와 같이 어레이 기판(101) 아래에 전도성 차폐층(160)을 형성하는 방법으로 다음 두 가지의 예가 있다. There are two examples of the method of forming the conductive shielding layer 160 below the array substrate 101 as in the second embodiment of FIG.

먼저, 도 4a는 전도성 차폐층(160)을 상면에 구비한 지지 층(150)을 어레이 기판(101)의 하면에 부착하는 방법을 나타낸다. 즉, 지지 층(150)의 일 면에 증착 등의 방식으로 전도성 차폐층(160)이 형성된 후에, 전도성 차폐층(160)과 어레이 기판(101)이 마주보며 부착된다. 이때 PSA(pressure sensitive adhesive) 등의 접착제가 사용될 수 있다.4A shows a method of attaching the supporting layer 150 having the conductive shielding layer 160 on the upper surface thereof to the lower surface of the array substrate 101. FIG. That is, after the conductive shielding layer 160 is formed on one surface of the support layer 150 by a deposition method or the like, the conductive shielding layer 160 and the array substrate 101 are adhered to each other. At this time, an adhesive such as a pressure sensitive adhesive (PSA) may be used.

도 4b는 어레이 기판(101)의 하면에 전도성 차폐층(160)을 형성한 후에 지지 층(150)을 부착하는 방법이다. 이 방법에 따르면, 먼저 어레이 기판(101)의 하면에 증착 등의 방식으로 전도성 차폐층(160)이 형성되고, 전도성 차폐층(160)의 바깥쪽에 통상적으로 사용되는 지지 층(150)이 부착된다. 이때에도 PSA(pressure sensitive adhesive) 등의 접착제가 사용될 수 있다.4B shows a method of attaching the supporting layer 150 after forming the conductive shielding layer 160 on the lower surface of the array substrate 101. FIG. According to this method, a conductive shielding layer 160 is first formed on the lower surface of the array substrate 101 by deposition or the like, and a support layer 150 typically used outside of the conductive shielding layer 160 is attached . At this time, an adhesive such as a pressure sensitive adhesive (PSA) may also be used.

도 5는 본 명세서의 제3 실시예에 따른 유기발광 표시장치를 나타낸 도면이다.5 is a diagram illustrating an OLED display according to a third embodiment of the present invention.

도 5의 제3 실시예는, 어레이 기판(101)의 상부에 전도성 차폐층(160)이 위치하는 것 외에는 도 3의 제2 실시예와 동일하다. 즉, 제3 실시예는, 기판(101) 상에 전도성 차폐층(160)이 위치하고, 전도성 차폐층(160)이 상에 버퍼 층(130), 픽셀구동회로 및 유기발광소자(TFT/OLED), 봉지 층(120) 등이 차례로 적층된 구조이다. The third embodiment of FIG. 5 is the same as the second embodiment of FIG. 3 except that the conductive shielding layer 160 is located on the upper portion of the array substrate 101. That is, in the third embodiment, the conductive shielding layer 160 is disposed on the substrate 101, and the conductive shielding layer 160 is formed on the buffer layer 130, the pixel driving circuit, and the organic light emitting element (TFT / OLED) A sealing layer 120, and the like are stacked in this order.

상기 전도성 차폐층(160)은, 픽셀구동회로와 어레이 기판(101) 사이에, 보다 구체적으로는 상기 버퍼 층(130)과 상기 어레이 기판(101) 사이에 마련된다. 상기 버퍼 층(130)은 픽셀구동회로 및 유기발광소자(TFT/OLED)와 어레이 기판(101) 사이에 있다. 이때, 지지 층(150)은 어레이 기판(101)의 바깥쪽에 위치하게 된다.The conductive shielding layer 160 is provided between the pixel driver circuit and the array substrate 101, more specifically, between the buffer layer 130 and the array substrate 101. The buffer layer 130 is between the pixel driving circuit and the organic light emitting diode (TFT / OLED) and the array substrate 101. At this time, the support layer 150 is positioned outside the array substrate 101.

도 6은 본 명세서의 제4 실시예에 따른 유기발광 표시장치를 나타낸 도면이다.6 is a view illustrating an OLED display according to a fourth embodiment of the present invention.

도 6의 제4 실시예는, 어레이 기판(101)의 중간에 전도성 차폐층(160)이 위치하는 것 외에는 도 3의 제2 실시예와 동일하다. 즉, 제4 실시예는, 두 개의 분리된 층으로 구성된 기판(101) 사이에 전도성 차폐층(160)이 위치하고, 어레이 기판101)이 상에 버퍼 층(130), 픽셀구동회로 및 유기발광소자(TFT/OLED), 봉지 층(120) 등이 차례로 적층된 구조이다. The fourth embodiment of FIG. 6 is the same as the second embodiment of FIG. 3 except that the conductive shielding layer 160 is located in the middle of the array substrate 101. That is, in the fourth embodiment, the conductive shielding layer 160 is positioned between the substrate 101 composed of two separate layers, and the buffer layer 130, the pixel driving circuit, and the organic light emitting element (TFT / OLED), an encapsulating layer 120, and the like.

제4 실시예에서 어레이 기판(101)은 2 개 이상의 분리된 층(layer)으로 이루어지는데, 각 층은 서로 같은 물질일 수도 있고, 서로 다른 물질일 수도 있다. 전도성 차폐층(160)은 상기 분리된 층 사이에 샌드위치된다.In the fourth embodiment, the array substrate 101 is made up of two or more separate layers, which may be the same material or different materials. A conductive shielding layer 160 is sandwiched between the separated layers.

본 명세서의 제3, 제4 실시예를 적용한 플렉서블 유기발광 표시장치 역시, 제1 실시예에 따른 구조에 비하여 동등 이상의 방습 성능을 가질 뿐만 아니라, 더 간소화된 공정으로 제조될 수 있다. 즉, 본 명세서의 제3, 제4 실시예를 적용한 플렉서블 유기발광 표시장치 역시도 제조 비용과 패널 설계 자유도 측면에 더 유리한 장점을 갖는다. The flexible organic light emitting display device to which the third and fourth embodiments of the present invention are applied can be fabricated in a simpler process as well as having the same or higher moisture permeability as compared with the structure according to the first embodiment. That is, the flexible organic light emitting display device to which the third and fourth embodiments of the present invention are applied has an advantage in terms of manufacturing cost and freedom of panel design.

이상 첨부된 도면을 참조하여 본 명세서의 실시예들을 상세하게 설명하였으나, 본 명세서는 반드시 이러한 실시예로 국한되는 것은 아니고, 그 기술사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양하게 변형 실시될 수 있다. 따라서, 본 명세서에 개시된 실시예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 여러 실시예들의 각각 특징들이 부분적으로 또는 전체적으로 서로 결합 또는 조합 가능하고, 당업자에 의해 기술적으로 다양하게 연동 및 구동될 수 있으며, 각 실시예들이 서로에 대하여 독립적으로 실시되거나 연관 관계로 함께 실시될 수도 있다.While the embodiments of the present invention have been described in detail with reference to the accompanying drawings, it is to be understood that the present invention is not limited to those embodiments, and various modifications may be made without departing from the scope of the present invention. Therefore, the embodiments disclosed herein are for the purpose of describing rather than limiting the technical spirit of the present invention, and the scope of the technical idea of the present invention is not limited by these embodiments. It is to be understood that each of the features of the various embodiments of the present invention may be combined or combined with each other, partially or wholly, and may be technically variously interlocked and driven by one of ordinary skill in the art and that each embodiment may be implemented independently of one another, .

본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.The scope of protection of the present invention should be construed according to the following claims, and all technical ideas within the scope of equivalents should be construed as falling within the scope of the present invention.

Claims (12)

플렉서블(flexible) 기판;
상기 플렉서블 기판의 일 면 상에 배열된 픽셀구동회로; 및
상기 플렉서블 기판의 어느 한 면의 전부와 대응하고, 상기 플렉서블 기판을 통하여 유입된 수분이 상기 픽셀구동회로로 확산되는 것을 억제하도록 구비된 전도성 차폐층을 포함하는 유기발광 표시장치.A flexible substrate;
A pixel driving circuit arranged on one surface of the flexible substrate; And
And a conductive shielding layer corresponding to all of the one surface of the flexible substrate and configured to suppress diffusion of moisture introduced through the flexible substrate into the pixel driving circuit. 제1 항에 있어서,
상기 플렉서블 기판은 폴리이미드(polyimide)로 만들어진 유기발광 표시장치.The method according to claim 1,
Wherein the flexible substrate is made of polyimide. 제1 항에 있어서,
상기 전도성 차폐층은, 상기 플렉서블 기판의 양면 중 상기 픽셀구동회로가 배열된 면의 반대 면을 덮도록 위치한 유기발광 표시장치.The method according to claim 1,
Wherein the conductive shielding layer is disposed so as to cover an opposite surface of a surface of the flexible substrate on which the pixel driving circuits are arranged. 제1 항에 있어서,
상기 플렉서블 기판과 상기 픽셀구동회로와 사이에 있는 버퍼 층을 더 포함하고,
상기 전도성 차폐층은, 상기 버퍼 층과 상기 플렉서블 기판 사이에 위치하는 유기발광 표시장치.The method according to claim 1,
Further comprising a buffer layer between the flexible substrate and the pixel driving circuit,
Wherein the conductive shielding layer is positioned between the buffer layer and the flexible substrate. 제1 항에 있어서,
상기 플렉서블 기판은 2개의 분리된 층이고,
상기 전도성 차폐층은, 상기 분리된 층 사이에 위치하는 유기발광 표시장치.The method according to claim 1,
Wherein the flexible substrate is two separate layers,
Wherein the conductive shielding layer is located between the separated layers. 제1 항에 있어서,
상기 전도성 차폐층은 상기 플렉서블 기판보다 작은 WVTR(water vapor transmission rate)을 갖는 유기발광 표시장치.The method according to claim 1,
Wherein the conductive shielding layer has a WVTR (water vapor transmission rate) smaller than that of the flexible substrate. 제6 항에 있어서,
상기 전도성 차폐층의 WVTR은, 상기 플렉서블 기판의 WVTR의 1/1000 이하인 유기발광 표시장치.The method according to claim 6,
Wherein the WVTR of the conductive shielding layer is 1/1000 or less of the WVTR of the flexible substrate. 제6 항에 있어서,
상기 전도성 차폐층은 금속, 전도성 고분자(conducting polymer) 및 그래핀(graphene) 중 어느 하나 이상의 물질로 만들어진 유기발광 표시장치.The method according to claim 6,
Wherein the conductive shielding layer is made of at least one of a metal, a conducting polymer, and a graphene. 제1 항에 있어서,
상기 전도성 차폐층은 투명한 물질로 이루어진 유기발광 표시장치.The method according to claim 1,
Wherein the conductive shielding layer is made of a transparent material. 제9 항에 있어서,
상기 전도성 차폐층은 ITO(Indium Tin Oxide) 또는 IZO(Indium Zinc Oxide)로 이루어진 유기발광 표시장치.10. The method of claim 9,
Wherein the conductive shield layer is made of indium tin oxide (ITO) or indium zinc oxide (IZO). 제1 항에 있어서,
상기 전도성 차폐층은 소정 곡률 반경으로 구부러질 수 있는(bendable) 유기발광 표시장치.The method according to claim 1,
Wherein the conductive shield layer is bendable with a predetermined radius of curvature. 제1 항에 있어서,
상기 픽셀구동회로는 P형 박막트랜지스터(P-type TFT)를 포함하는 유기발광 표시장치.The method according to claim 1,
Wherein the pixel driving circuit includes a P-type TFT (P-type TFT).
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