KR20170113191A - Apparatus and Method of Forming EMI Shield Layer for Semi-conductor Package - Google Patents

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Abstract

본 발명은 반도체 패키지의 전자파 차폐막 형성 장치 및 반도체 패키지의 전자파 차폐막 형성 방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 점성 용액을 반도체 부품과 같은 자재의 정확한 영역에 정확한 용량으로 도포하는 반도체 패키지의 전자파 차폐막 형성 장치 및 반도체 패키지의 전자파 차폐막 형성 방법에 관한 것이다.
본 발명의 반도체 패키지의 전자파 차폐막 형성 장치 및 반도체 패키지의 전자파 차폐막 형성 방법은, 점성 용액의 도포량을 정확하게 조절하는 것이 가능하고 점성 용액의 도포 영역을 미세하게 조절하는 것이 가능한 반도체 패키지의 전자파 차폐막 형성 장치 및 반도체 패키지의 전자파 차폐막 형성 방법을 제공하는 효과가 있다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an electromagnetic wave shielding film forming apparatus and a method of forming an electromagnetic wave shielding film in a semiconductor package. More particularly, the present invention relates to an electromagnetic wave shielding film forming apparatus in a semiconductor package for applying a viscous solution to an accurate region of a material, And a method of forming an electromagnetic wave shielding film of a semiconductor package.
The electromagnetic wave shielding film forming apparatus of the semiconductor package of the present invention and the electromagnetic wave shielding film forming method of the semiconductor package are capable of precisely controlling the application amount of the viscous solution and finely adjusting the application region of the viscous solution, And a method of forming an electromagnetic wave shielding film of a semiconductor package.

Figure P1020170036323
Figure P1020170036323

Description

반도체 패키지의 전자파 차폐막 형성 장치 및 반도체 패키지의 전자파 차폐막 형성 방법{Apparatus and Method of Forming EMI Shield Layer for Semi-conductor Package}TECHNICAL FIELD [0001] The present invention relates to an electromagnetic wave shielding film forming apparatus and a method for forming an EMI shielding film in a semiconductor package,

본 발명은 반도체 패키지의 전자파 차폐막 형성 장치 및 반도체 패키지의 전자파 차폐막 형성 방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 반도체 패키지의 상면과 측면에 잔자파를 차단하기 위한 차폐막을 형성하는 장치와 그 장치에 의해 전자파 차폐막을 형성하는 방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an electromagnetic wave shielding film forming apparatus and a method of forming an electromagnetic wave shielding film in a semiconductor package. More particularly, the present invention relates to an apparatus for forming a shielding film for shielding residual electromagnetic waves on the upper and / And a method of forming a shielding film.

반도체 패키지는 전자파의 방출이나 외부 전자파에 의한 내부 회로의 파손을 방지하기 위하여 외면에 전자파 차폐막을 형성하는 것이 일반적이다. The semiconductor package generally has an electromagnetic wave shielding film formed on the outer surface thereof to prevent the emission of electromagnetic waves and the breakage of an internal circuit by external electromagnetic waves.

종래에는 반도체 패키지에 도전성막을 스퍼터링(증착) 공정에 의해 형성하는 방법으로 전자파 차폐막을 형성하였다.Conventionally, an electromagnetic wave shielding film is formed by a method of forming a conductive film in a semiconductor package by a sputtering (vapor deposition) process.

스퍼터링 공정에 의한 방법의 경우 반도체 패키지의 측면에 도전성막이 균일한 두께로 형성되지 않는 문제점이 있다. 또한, 스퍼터링 공정 중에 발생하는 열에 의해 반도체 패키지 내부의 반도체 소자가 손상될 수도 있다. 공정 자체의 원가가 높아지는 문제점도 있다.There is a problem that the conductive film is not formed in a uniform thickness on the side surface of the semiconductor package in the case of the sputtering process. In addition, the semiconductor elements in the semiconductor package may be damaged by the heat generated during the sputtering process. There is also a problem that the cost of the process itself increases.

용액을 도포하는 펌프를 이용하여 반도체 패키지에 도전성 용액을 도포하는 방법도 시도되었으나, 반도체 패키지의 측면에 도전성 용액을 도포하는 것이 쉽지 않은 문제점이 있다. 또한, 도전성 용액의 표면 장력으로 인해 반도체 패키지의 모서리 주위와 모서리에서 떨어진 위치의 사이에 도전성 막의 두께가 균일하지 않게 도포되는 문제점이 있다. 특히, 종래의 용액 디스펜서에서 사용하는 액적(droplet)을 연속적으로 토출시키는 방법으로 용액을 도포하는 방법에 있어서 용액의 표면 장력에 의한 두께 불균일 문제의 발생 가능성이 높다.A method of applying a conductive solution to a semiconductor package using a pump for applying a solution has also been attempted, but there is a problem that it is difficult to apply a conductive solution to a side surface of the semiconductor package. In addition, there is a problem that the thickness of the conductive film is not uniformly applied around the edge of the semiconductor package and the position away from the edge due to the surface tension of the conductive solution. Particularly, in a method of applying a solution by a method of continuously discharging a droplet used in a conventional solution dispenser, there is a high possibility that a thickness unevenness problem due to the surface tension of the solution occurs.

본 발명은 상술한 바와 같은 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 반도체 패키지의 상면과 측면에 균일한 두께로 도전성 용액을 도포할 수 있는 반도체 패키지의 전자파 차폐막 형성 장치 및 반도체 패키지의 전자파 차폐막 형성 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention is conceived to solve the problems described above, and it is an object of the present invention to provide an electromagnetic shielding film forming apparatus and a method of forming an electromagnetic shielding film of a semiconductor package, which can apply a conductive solution with uniform thickness to the upper and side surfaces of a semiconductor package The purpose is to provide.

상술한 바와 같은 목적을 해결하기 위한 본 발명의 반도체 패키지의 전자파 차폐막 형성 장치는, 반도체 패키지의 외면에 전자파 차폐막을 형성하기 위하여 도전성 용액을 코팅하는 반도체 패키지의 전자파 차폐막 형성 장치에 있어서, 상기 도전성 용액을 분사할 수 있도록 하측 방향으로 배치된 제1노즐과, 상기 제1노즐에서 분사되는 상기 도전성 용액의 분사 방향이 상기 반도체 패키지의 측면을 향하여 변경되도록 수직 방향에 대해 경사진 방향으로 기체를 분사하는 틸트 노즐과, 상기 제1노즐에 상기 도전성 용액을 스프레이 형태로 공급하는 제1스프레이 공급부를 구비하는 제1스프레이 모듈; 상기 제1스프레이 모듈의 상기 제1노즐 및 틸트 노즐을 상기 반도체 패키지에 대해 이송하는 제1스프레이 이송 유닛; 상기 반도체 패키지의 상면에 상기 도전성 용액을 분사할 수 있도록 상기 반도체 패키지의 상면을 향해 형성된 제2노즐과, 상기 제2노즐에 상기 도전성 용액을 스프레이 형태로 공급하는 제2스프레이 공급부를 구비하는 제2스프레이 모듈; 상기 제2스프레이 모듈의 제2노즐을 상기 반도체 패키지에 대해 이송하는 제2스프레이 이송 유닛; 및 상기 제1스프레이 모듈 및 제2스프레이 모듈에 대해 상기 반도체 패키지를 이송하는 자재 이송 유닛;을 포함하는 점에 특징이 있다.According to another aspect of the present invention, there is provided an apparatus for forming an electromagnetic wave shielding film of a semiconductor package, the apparatus comprising: a conductive package for forming an electromagnetic wave shielding film on an outer surface of a semiconductor package, A first nozzle arranged in a downward direction so as to inject the conductive solution into the semiconductor package and a second nozzle disposed in the semiconductor package so that the injecting direction of the conductive solution injected from the first nozzle changes toward the side surface of the semiconductor package A first spray module having a tilt nozzle and a first spray supplying part for spraying the conductive solution into the first nozzle; A first spray transfer unit for transferring the first nozzle and tilt nozzle of the first spray module to the semiconductor package; A second nozzle formed to face the upper surface of the semiconductor package so as to spray the conductive solution onto the upper surface of the semiconductor package, and a second spray supplying part supplying the conductive solution in a form of a spray to the second nozzle, Spray module; A second spray transfer unit for transferring a second nozzle of the second spray module to the semiconductor package; And a material transfer unit for transferring the semiconductor package to the first spray module and the second spray module.

또한, 본 발명의 반도체 패키지의 전자파 차폐막 형성 방법은, 반도체 패키지의 외면에 전자파 차폐막을 형성하기 위하여 도전성 용액을 코팅하는 반도체 패키지의 전자파 차폐막 형성 방법에 있어서, (a) 하측 방향으로 배치되는 제1노즐과, 수직 방향에 대해 경사진 방향으로 형성되어 기체를 분사하는 틸트 노즐과, 상기 제1노즐에 상기 도전성 용액을 스프레이 형태로 공급하는 제1스프레이 공급부를 구비하는 제1스프레이 모듈을 이용하여 상기 반도체 패키지의 측면에 상기 도전성 용액을 분사하는 단계; (b) 상기 반도체 패키지의 상면을 향해 형성된 제2노즐과, 상기 제2노즐에 상기 도전성 용액을 스프레이 형태로 공급하는 제2스프레이 공급부를 구비하는 제2스프레이 모듈을 이용하여 상기 반도체 패키지의 상면에 상기 도전성 용액을 분사하는 단계; 및 (c) 상기 반도체 패키지를 상기 제1스프레이 모듈과 제2스프레이 모듈 중 어느 하나의 하측에서 다른 하나의 하측으로 이송하는 단계;를 포함하는 점에 특징이 있다.The method for forming an electromagnetic wave shielding film of a semiconductor package according to the present invention is a method for forming an electromagnetic wave shielding film of a semiconductor package for coating an electroconductive solution to form an electromagnetic wave shielding film on an outer surface of a semiconductor package, A first spray module including a nozzle, a tilt nozzle formed in a direction inclined with respect to a vertical direction to jet a gas, and a first spray supplying unit for supplying the conductive solution in the form of a spray to the first nozzle, Spraying the conductive solution on the side surface of the semiconductor package; (b) a second spray module provided with a second nozzle formed toward an upper surface of the semiconductor package and a second spray supplying part supplying the conductive solution in a form of a spray to the second nozzle, Spraying the conductive solution; And (c) transferring the semiconductor package from one of the first spray module and the second spray module to another one of the first spray module and the second spray module.

본 발명의 반도체 패키지의 전자파 차폐막 형성 장치 및 반도체 패키지의 전자파 차폐막 형성 방법은, 반도체 패키지의 상면과 측면에 균일한 두께로 도전성 용액을 도포할 수 있는 장점이 있다. The electromagnetic wave shielding film forming apparatus of the semiconductor package and the electromagnetic wave shielding film forming method of the semiconductor package of the present invention are advantageous in that the conductive solution can be applied to the upper and side surfaces of the semiconductor package with a uniform thickness.

또한 본 발명의 반도체 패키지의 전자파 차폐막 형성 장치 및 반도체 패키지의 전자파 차폐막 형성 방법은, 반도체 패키지의 상면과 측면에 도포되는 도전성 용액의 두께를 정밀하고 정확하게 조절할 수 있는 장점이 있다.The electromagnetic wave shielding film forming apparatus and the electromagnetic wave shielding film forming method of the semiconductor package of the present invention are advantageous in that the thickness of the conductive solution applied to the top and side surfaces of the semiconductor package can be precisely and accurately controlled.

도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 반도체 패키지의 전자파 차폐막 형성 장치의 평면도이다.
도 2는 도 1에 도시된 반도체 패키지의 전자파 차폐막 형성 장치의 정면도이다.
도 3은 도 1에 도시된 반도체 패키지의 전자파 차폐막 형성 장치의 제1스프레이 공급부를 설명하기 위한 개략도이다.
도 4는 도 1에 도시된 반도체 패키지의 전자파 차폐막 형성 장치의 제1스프레이 공급부를 다른 실시예를 설명하기 위한 개략도이다.1 is a plan view of an electromagnetic shielding film forming apparatus of a semiconductor package according to an embodiment of the present invention.
2 is a front view of an electromagnetic wave shielding film forming apparatus of the semiconductor package shown in FIG.
3 is a schematic view for explaining a first spray supplying portion of the electromagnetic shielding film forming apparatus of the semiconductor package shown in FIG.
4 is a schematic view for explaining another embodiment of the first spray supplying unit of the electromagnetic shielding film forming apparatus of the semiconductor package shown in FIG.

이하, 본 발명에 따른 반도체 패키지의 전자파 차폐막 형성 장치를 도면을 참조하여 상세히 설명한다.Hereinafter, an electromagnetic shielding film forming apparatus of the semiconductor package according to the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 반도체 패키지의 전자파 차폐막 형성 장치의 평면도이고, 도 2는 도 1에 도시된 반도체 패키지의 전자파 차폐막 형성 장치의 정면도이다.FIG. 1 is a plan view of an electromagnetic shielding film forming apparatus of a semiconductor package according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a front view of an electromagnetic shielding film forming apparatus of the semiconductor package shown in FIG.

도 1 및 도 2를 참조하면 본 실시예의 반도체 패키지의 전자파 차폐막 형성 장치는 제1스프레이 모듈(100)과 제1스프레이 이송 유닛(200)과 제2스프레이 모듈(300)과 제2스프레이 이송 유닛(400)과 자재 이송 유닛(500)을 포함하여 이루어진다.1 and 2, the electromagnetic shielding film forming apparatus of the semiconductor package of the present embodiment includes a first spray module 100, a first spray transfer unit 200, a second spray module 300, and a second spray transfer unit 400) and a material transfer unit (500).

제1스프레이 모듈(100)은 반도체 패키지(C)의 측면에 도전성 용액을 도포하고 제2스프레이 모듈(300)은 반도체 패키지(C)의 상면에 도전성 용액을 도포한다. 제1스프레이 모듈(100)은 제1스프레이 이송 유닛(200)에 의해 전후좌우로 이송되고 상하로 승강된다. 제2스프레이 모듈(300)은 제2스프레이 이송 유닛(400)에 의해 전후좌우로 이송된다.The first spray module 100 applies a conductive solution to a side surface of the semiconductor package C and the second spray module 300 applies a conductive solution to an upper surface of the semiconductor package C. [ The first spray module 100 is transported forward, backward, leftward and rightward by the first spray transfer unit 200, and is lifted up and down. The second spray module 300 is transported forward, backward and leftward by the second spray transfer unit 400.

자재 이송 유닛(500)은 트레이(T)에 거치된 복수의 반도체 패키지(C)를 제1스프레이 모듈(100)과 제2스프레이 모듈(300)의 하측에서 이송한다.The material transfer unit 500 transfers a plurality of semiconductor packages C mounted on the tray T from below the first spray module 100 and the second spray module 300.

제1스프레이 모듈(100)은 제1노즐(101)과 틸트 노즐(104)과 제1스프레이 공급부(102)를 구비한다. 제1노즐(101)은 도전성 용액을 분사할 수 있도록 하측을 향하여 배치된다. 틸트 노즐(104)는 수직 방향에 대해 경사진 방향으로 배치된다. 틸트 노즐(104)에서 기체를 분사하여 제1노즐(101)에서 분사되는 도전성 용액의 분사 방향을 변경한다. 제1노즐(101)에서 분사되는 도전성 용액의 방향이 틸트 노즐(104)에 의해 측방향으로 기울어져서 반도체 패키지(C)의 측면에 도전성 용액을 분사할 수 있게 된다. 본 실시예의 제1스프레이 모듈(100)은 4개의 틸트 노즐(104)을 구비한다. 4개의 틸트 노즐(104)은 각각 전후좌우 방향을 향하도록 배치된다. 이와 같은 4개의 틸트 노즐(104)에 의해 본 실시예의 제1스프레이 모듈(100)은 대해 제1노즐(101)에서 분사되는 도전성 용액의 방향을 각각 반도체 패키지(C)의 전후좌우 네 측면을 향하도록 조절할 수 있다. 도 3 및 도 4에는 편의상 서로 동일한 방향으로 배치된 4개의 틸트 노즐(104)을 도시하였다.The first spray module 100 includes a first nozzle 101, a tilt nozzle 104, and a first spray supply unit 102. The first nozzle 101 is disposed downward so as to inject the conductive solution. The tilt nozzle 104 is disposed in an inclined direction with respect to the vertical direction. The tilt nozzle 104 injects gas to change the direction of injection of the conductive solution injected from the first nozzle 101. The direction of the conductive solution injected from the first nozzle 101 is laterally tilted by the tilt nozzle 104 so that the conductive solution can be injected onto the side surface of the semiconductor package C. The first spray module 100 of the present embodiment has four tilt nozzles 104. The four tilt nozzles 104 are arranged so as to face the front, rear, left, and right directions, respectively. With the four tilt nozzles 104, the direction of the conductive solution injected from the first nozzle 101 is directed to the front, rear, left, and right sides of the semiconductor package C, respectively, in the first spray module 100 of the present embodiment. . 3 and 4 show four tilt nozzles 104 arranged in the same direction for the sake of convenience.

4개의 틸트 노즐(104)는 각각 기체 펌프(150)에 연결되어 압축 기체를 공급 받는다. 틸트 노즐(104)와 기체 펌프(150) 사이에는 각각 틸트 밸브(134)가 설치된다. 틸트 밸브(134)의 개폐에 의해 각 틸트 노즐(104)에 대한 압축 기체의 공급이 조절된다. The four tilt nozzles 104 are respectively connected to the gas pump 150 to receive the compressed gas. A tilt valve 134 is provided between the tilt nozzle 104 and the gas pump 150, respectively. The supply of the compressed gas to each tilt nozzle 104 is controlled by opening and closing the tilt valve 134.

도 1 및 도 2를 참조하면, 제1스프레이 이송 유닛(200)은 제1스프레이 승강부(201)를 구비한다. 제1스프레이 승강부(201)는 제1노즐(101) 및 틸트 노즐(104)를 동시에 승강시킨다.Referring to FIGS. 1 and 2, the first spray transfer unit 200 includes a first spray elevator 201. The first spray elevating portion 201 simultaneously lifts the first nozzle 101 and the tilt nozzle 104.

제1스프레이 공급부(102)는 제1노즐(101)에 도전성 용액을 스프레이 형태로 공급할 수 있도록 구성된다. 제1스프레이 공급부(102)는 도전성 용액을 스프레이 형태로 공급할 수 있는 구성이라면 어떠한 구성이든지 사용이 가능하다.The first spray supplying unit 102 is configured to supply a conductive solution to the first nozzle 101 in the form of a spray. The first spray supplying unit 102 can be used in any configuration as long as it is capable of supplying a conductive solution in a spray form.

본 실시예에서는 도 3에 도시한 것과 같은 구조의 제1스프레이 공급부(102)를 사용하는 경우를 예로 들어 설명한다.In the present embodiment, the case where the first spray supplying unit 102 having the structure as shown in FIG. 3 is used will be described as an example.

도 3을 참조하면, 제1스프레이 공급부(102)는 저장부(110)와 에어로졸 발생 유닛(121)과 챔버(130)와 공급관(133)과 공급 펌프(131)를 포함하여 이루어진다.Referring to FIG. 3, the first spray supply unit 102 includes a storage unit 110, an aerosol generation unit 121, a chamber 130, a supply pipe 133, and a supply pump 131.

저장부(110)에는 자재에 도포하고자 하는 도전성 용액이 저장된다. 본 실시예에서 사용하는 도전성 용액은 은 페이스트(Silver Paste)이다.The conductive solution to be applied to the material is stored in the storage unit 110. The conductive solution used in this embodiment is silver paste.

에어로졸 발생 유닛(121)은 저장부(110)에서 전달 받은 도전성 용액을 미세 입자 상태의 에어로졸로 변환한다. 본 실시예의 경우 도 3에 도시한 것과 같이 에어로졸 발생 유닛(121)이 저장부(110) 내부에 설치된다. 본 실시예는 초음파 진동판을 구비하는 에어로졸 발생 유닛(121)을 사용한다. 초음파 진동판이 저장부(110) 내부의 도전성 용액에 진동을 가하여 도전성 용액을 무화(霧化)시킴으로써 수㎛ 내외 또는 그보다 작은 크기의 입자 상태로 에어로졸을 발생시킨다.The aerosol generating unit 121 converts the conductive solution transferred from the storage unit 110 into fine aerosol particles. In this embodiment, the aerosol generating unit 121 is installed inside the storage unit 110 as shown in FIG. The present embodiment uses an aerosol generating unit 121 having an ultrasonic diaphragm. The ultrasonic diaphragm vibrates the conductive solution in the storage part 110 to atomize the conductive solution to generate the aerosol in a particle size of about several micrometers or less.

에어로졸 발생 유닛(121)에 의해 생성된 에어로졸은 저장부(110)에 연결된 챔버(130)로 전달된다. 저장부(110)에서 챔버(130)로 전달된 에어로졸은 챔버(130)에 저장된다. 저장부(110)와 챔버(130)는 전달관(113)으로 연결된다. 전달관(113)에는 전달 밸브(112)가 설치되어 전달관(113)을 개폐하거나 유량을 조절한다. 저장부(110)에는 전달 펌프(111)가 설치되어 저장부(110)의 압력을 조절함으로써 에어로졸이 챔버(130)로 전달되도록 한다.The aerosol generated by the aerosol generating unit 121 is transferred to the chamber 130 connected to the storage unit 110. The aerosol transferred from the storage unit 110 to the chamber 130 is stored in the chamber 130. The storage unit 110 and the chamber 130 are connected to the transfer pipe 113. The transfer pipe 113 is provided with a transfer valve 112 to open or close the transfer pipe 113 or to regulate the flow rate. The storage unit 110 is provided with a transfer pump 111 to control the pressure of the storage unit 110 to transfer the aerosol to the chamber 130.

에어로졸 발생 유닛(121)과 전달 펌프(111)와 전달 밸브(112)의 작동은 각각 별도로 마련된 제어부에 의해 조절된다.The operation of the aerosol generating unit 121, the transfer pump 111, and the transfer valve 112 is controlled by a separately provided control unit.

챔버(130)에는 공급관(133)이 연결되고, 공급관(133)에는 제1노즐(101)이 연결된다. 즉, 공급관(133)이 챔버(130)와 제1노즐(101)을 연결한다. 챔버(130)에 저장된 에어로졸은 공급관(133)을 통해 제1노즐(101)로 전달되어 분사된다. 틸트 노즐(104)에서 분사되는 압축 기체에 의해 제1노즐(101)에서 분사되는 에어로졸의 방향이 기울어지면(변경되면), 도전성 용액이 반도체 패키지(C)의 측면에 도포될 수 있다.A supply pipe 133 is connected to the chamber 130 and a first nozzle 101 is connected to the supply pipe 133. That is, the supply pipe 133 connects the chamber 130 and the first nozzle 101. The aerosol stored in the chamber 130 is transferred to the first nozzle 101 through the supply pipe 133 and is injected. The conductive solution can be applied to the side surface of the semiconductor package C if the direction of the aerosol ejected from the first nozzle 101 is changed (changed) by the compressed gas ejected from the tilt nozzle 104. [

챔버(130)에는 공급 펌프(131)가 설치되어 챔버(130)의 압력을 조절한다. 공급관(133)에는 공급 밸브(132)가 설치되어 공급관(133)을 개폐한다. 공급관(133)은 공급 펌프(131)와 공급 밸브(132)를 작동시킨다. 제어부는 공급 펌프(131)에 의해 챔버(130)에 압력을 가하고 공급 밸브(132)의 작동을 조절함으로써 제1노즐(101)을 통해 분사되는 에어로졸의 양을 조절할 수 있다.The chamber 130 is provided with a supply pump 131 to regulate the pressure of the chamber 130. A supply valve 132 is provided in the supply pipe 133 to open and close the supply pipe 133. The supply pipe 133 operates the supply pump 131 and the supply valve 132. The control unit can adjust the amount of aerosol dispensed through the first nozzle 101 by applying pressure to the chamber 130 by the supply pump 131 and regulating the operation of the supply valve 132. [

챔버(130)와 저장부(110) 사이에는 순환관(140)이 설치된다. 챔버(130)에 저장된 에어로졸은 순환관(140)을 통해 에어로졸 발생 유닛(121)으로 전달될 수 있다. 순환관(140)에는 순환 밸브(141)가 설치된다. 순환 밸브(141)의 작동은 제어부에 의해 조절된다. 공급 펌프(131)에 의해 증가된 챔버(130)의 압력과 순환 밸브(141) 및 공급 밸브(132)의 개폐 조작에 따라 챔버(130)에 저장된 에어로졸이 순환관(140)을 통해 저장부(110)로 전달되어 순환할 수 있다. 에어로졸 발생 유닛(121)에 의해 생성되어 챔버(130)로 전달된 에어로졸 중에 제1노즐(101)로 분사되지 않은 에어로졸은 순환관(140)을 통해 저장부(110)로 전달되어 재사용된다.A circulation pipe 140 is installed between the chamber 130 and the storage unit 110. The aerosol stored in the chamber 130 may be transferred to the aerosol generating unit 121 through the circulation pipe 140. A circulation valve 141 is installed in the circulation pipe 140. The operation of the circulation valve 141 is controlled by the control unit. The pressure of the chamber 130 increased by the supply pump 131 and the opening of the circulation valve 141 and the supply valve 132 cause the aerosol stored in the chamber 130 to flow through the circulation pipe 140 110 to be circulated. The aerosol generated by the aerosol generating unit 121 and not sprayed to the first nozzle 101 among the aerosols transferred to the chamber 130 is transferred to the storage unit 110 through the circulation pipe 140 and reused.

상술한 바와 같은 구조를 가진 제1스프레이 모듈(100)의 제1노즐(101)은 제1스프레이 이송 유닛(200)에 의해 이송된다. 제1스프레이 모듈(100)은 제1노즐(101)과 4개의 틸트 노즐(104)을 동시에 전후좌우로 움직이고, 제1스프레이 승강부(201)에 의해 제1노즐(101)과 4개의 틸트 노즐(104)을 승강시킨다. The first nozzle 101 of the first spray module 100 having the structure as described above is transported by the first spray transport unit 200. The first spray module 100 moves the first nozzle 101 and the four tilt nozzles 104 at the same time in the front and rear direction and the left and right directions and moves the first nozzle 101 and the four tilt nozzles 104 by the first spray elevator 201, (104).

도 1을 참조하면, 제2스프레이 모듈(300)은 제2노즐(301)과 제2스프레이 공급부(302)를 구비한다. Referring to FIG. 1, the second spray module 300 includes a second nozzle 301 and a second spray supply unit 302.

제2노즐(301)은 반도체 패키지(C)의 상면에 도전성 용액을 분사할 수 있도록 반도체 패키지(C)의 상면을 향해 형성된다. 제2스프레이 공급부(302)는 제2노즐(301)에 도전성 용액을 스프레이 형태로 공급한다. 제2스프레이 공급부(302)는 앞에서 설명한 제1스프레이 공급부(102)와 같은 구조로 구성될 수도 있고 일반적인 스프레이 분사 장치 구조로 형성될 수도 있다.The second nozzle 301 is formed toward the upper surface of the semiconductor package C so as to inject the conductive solution onto the upper surface of the semiconductor package C. The second spray supplying unit 302 supplies a conductive solution to the second nozzle 301 in the form of a spray. The second spray supplying part 302 may have the same structure as the first spray supplying part 102 described above or may be formed by a general spraying device structure.

제2스프레이 이송 유닛(400)은 제2스프레이 모듈(300)의 제2노즐(301)을 반도체 패키지(C)에 대해 이송한다. 트레이(T)에 배열된 복수의 반도체 패키지들(C)의 상면에 도전성 용액을 도포할 수 있도록 제2스프레이 이송 유닛(400)은 제2스프레이 모듈(300)을 전후좌우로 이송한다. 필요에 따라서는 제2노즐(301)을 승강시키는 것도 가능하도록 제2스프레이 이송 유닛(400)을 구성하는 것도 가능하다.The second spray transfer unit 400 transfers the second nozzle 301 of the second spray module 300 to the semiconductor package C. The second spray transfer unit 400 transfers the second spray module 300 back and forth so as to apply the conductive solution to the upper surface of the plurality of semiconductor packages C arranged in the tray T. It is possible to configure the second spray transfer unit 400 so that the second nozzle 301 can be raised and lowered if necessary.

자재 이송 유닛(500)은 도 1 및 도 2에 도시된 것과 같이 트레이(T)에 일정 간격으로 배열된 반도체 패키지들(C)을 제1스프레이 모듈(100) 및 제2스프레이 모듈(300)에 대해 이송한다. 본 실시예의 경우 자재 이송 유닛(500)은 먼저 반도체 패키지들(C)을 제1스프레이 모듈(100)의 하측에 배치하여 작업을 수행하도록 한 후 다시 반도체 패키지들(C)을 제2스프레이 모듈(300)의 하측으로 이송한다.The material transfer unit 500 transfers the semiconductor packages C arranged at regular intervals to the first spray module 100 and the second spray module 300 on the tray T as shown in FIGS. . In this embodiment, the material transfer unit 500 firstly arranges the semiconductor packages C on the lower side of the first spray module 100 to perform the operation, and then the semiconductor packages C again to the second spray module 300).

이하 상술한 바와 같이 구성된 반도체 패키지의 전자파 차폐막 형성 장치를 이용하여 본 발명에 따른 반도체 패키지의 전자파 차폐막 형성 방법을 실시하는 과정을 설명한다.A process of forming the electromagnetic wave shielding film of the semiconductor package according to the present invention will be described below using an electromagnetic wave shielding film forming apparatus of the semiconductor package constructed as described above.

먼저, 제1스프레이 모듈(100)을 이용하여 반도체 패키지(C)의 측면에 도전성 용액을 분사하는 단계를 실시한다((a) 단계).First, a step of spraying a conductive solution onto the side surface of the semiconductor package C is performed using the first spray module 100 (step (a)).

(a) 단계는 구체적으로 다음 과정을 거쳐서 수행된다.Step (a) is performed in the following manner.

제1스프레이 이송 유닛(200)에 의해 제1노즐(101) 및 틸트 노즐(104)을 하강시켜 반도체 패키지(C)의 측면과 근접시킨다((a-1) 단계). The first nozzle 101 and the tilt nozzle 104 are lowered by the first spray transfer unit 200 to approach the side surface of the semiconductor package C (step (a-1)).

이와 같은 상태에서 제1스프레이 공급부(102)를 작동시켜 제1노즐(101)을 통해 도전성 용액을 스프레이 분사하면서 틸트 노즐(104)로 기체를 분사하여 도전성 용액의 분사 방향을 반도체 패키지(C)의 측면 방향으로 변경한다((a-2) 단계). 틸트 밸브(134) 중 하나를 개방하여 틸트 노즐(104)을 통해 기체를 분사함으로써, 반도체 패키지(C)의 측면 방향으로 제1노즐(101)의 스프레이 분사 방향을 변경한다. In this state, the first spray supplying part 102 is operated to spray the conductive solution through the first nozzle 101, and the gas is sprayed to the tilt nozzle 104, Side direction (step (a-2)). The spraying direction of the first nozzle 101 is changed in the lateral direction of the semiconductor package C by opening one of the tilt valves 134 and injecting the gas through the tilt nozzle 104. [

제1노즐(101)을 통해 도전성 용액이 스프레이 분사되는 동안, 제1스프레이 이송 유닛(200)을 작동시켜 제1노즐(101) 및 틸트 노즐(104)를 반도체 패키지(C)의 측면을 따라 이송한다((a-3) 단계). 도 1 및 도 3을 참조하면 제1스프레이 이송 유닛(200)이 제1노즐(101)을 Y방향을 따라 이송하면서 같은 열에 배치된 반도체 패키지들(C)의 좌측면이 모두 도전성 용액에 의해 도포되도록 한다. 한 열의 반도체 패키지들(C)에 대한 좌측면 도포가 모두 완료되면 제1노즐(101)을 X방향으로 한칸 피치 이송하여 다음 열의 반도체 패키지들(C)의 좌측면에 도전성 용액을 스프레이 분사한다.The first spray transfer unit 200 is operated to transfer the first nozzle 101 and the tilt nozzle 104 along the side surface of the semiconductor package C while the conductive solution is sprayed through the first nozzle 101 (Step (a-3)). 1 and 3, when the first spray transfer unit 200 transfers the first nozzle 101 along the Y direction and the left side surfaces of the semiconductor packages C arranged in the same column are all coated with the conductive solution . The first nozzle 101 is moved by one pitch in the X direction to spray the conductive solution on the left side of the semiconductor packages C in the next row.

다음으로 Y방향을 향하도록 배치된 틸트 노즐(104)의 틸트 밸브(134)를 개방하여 위 (a-1) 단계 내지 (a-3) 단계를 반복한다. 이와 같은 방법으로 트레이(T)에 배치된 반도체 패키지들(C)의 전면에 대한 도전용 용액 도포 작업이 완료된다. 동일한 방법으로 반도체 패키지들(C)의 후면과 우측면에 대해서도 도전성 용액 도포 작업을 수행하게 된다.Next, the tilt valve 134 of the tilt nozzle 104 arranged to face the Y direction is opened to repeat the above steps (a-1) to (a-3). In this way, the application of the conductive solution onto the entire surface of the semiconductor packages C arranged on the tray T is completed. The conductive solution coating operation is performed on the rear surface and the right surface of the semiconductor packages C in the same manner.

트레이(T)에 배치된 모든 반도체 패키지들(C)의 각 측면에 도전성 용액을 도포하는 작업이 완료되면, 제1스프레이 이송 유닛(200)을 작동시켜 틸트 노즐(101)을 반도체 패키지(C)의 측면에 대해 상승시킨다((a-4) 단계).The first spray transfer unit 200 is operated to transfer the tilt nozzle 101 to the semiconductor package C after the application of the conductive solution to each side of all the semiconductor packages C arranged in the tray T is completed, (Step (a-4)).

위와 같은 과정을 거쳐서 반도체 칩들의 측면에 대해 도전용 용액을 도포하는 (a) 단계가 모두 완료된다.Through the above-described process, step (a) of applying the conductive solution to the side surfaces of the semiconductor chips is completed.

이와 같이 (a) 단계가 완료되면, 자재 이송 유닛(500)을 작동시켜 트레이(T)에 거치된 복수의 반도체 패키지들(C)을 제1스프레이 모듈(100)의 하측에서 제2스프레이 모듈(300)의 하측으로 이송한다((c) 단계).When the step (a) is completed, the material transfer unit 500 is operated to transfer the plurality of semiconductor packages C mounted on the tray T from the lower side of the first spray module 100 to the second spray module 300) (step (c)).

이와 같이 트레이(T)에 거치된 반도체 패키지들(C)이 제2스프레이 모듈(300)의 하측에 배치되면, 제2스프레이 모듈(300)을 이용하여 반도체 패키지(C)의 상면에 상기 도전성 용액을 분사한다((b) 단계). 제2스프레이 이송 유닛(400)을 이용하여 제2스프레이 모듈(300)을 전후좌우로 움직이면서 제2스프레이 모듈(300)을 작동시켜서 트레이(T)에 배치된 모든 반도체 패키지들(C)의 상면에 도전성 용액을 도포하게 된다. 필요에 따라서는 제2스프레이 이송 유닛(400)에 의해 제2노즐(301)을 하강시켜 반도체 패키지들(C)의 상면에 제2노즐(301)을 근접시킨 상태에서 반도체 패키지들(C)의 상면에 도전성 용액 도포작업을 수행할 수도 있다. 이 경우 도포 작업이 완료되면 다시 제2스프레이 이송 유닛(400)으로 제2노즐(301)을 상승시키게 된다.When the semiconductor packages C mounted on the tray T are disposed on the lower side of the second spray module 300 as described above, (Step (b)). The second spraying module 300 is operated while moving the second spraying module 300 in the front, rear, left, and right directions using the second spraying transfer unit 400, so that the second spraying module 300 is operated on the upper surface of all the semiconductor packages C arranged in the tray T The conductive solution is applied. The second nozzle 301 may be lowered by the second spray transfer unit 400 so that the second nozzles 301 are brought close to the upper surface of the semiconductor packages C, The conductive solution coating operation may be performed on the upper surface. In this case, when the application operation is completed, the second nozzle 301 is raised by the second spray transfer unit 400 again.

상술한 바와 같이 반도체 패키지(C)의 "측면"에 대한 도전성 용액의 도포 작업과 "상면"에 대한 도포 작업을 분리하여 각각 별도로 수행함으로써, 반도체 패키지(C)의 측면에 도포되는 도전성 용액의 두께를 균일하게 할 수 있는 장점이 있다. 특히, 반도체 패키지(C)의 측면을 향해 경사지도록 형성된 틸트 노즐(104)을 사용하면, 전체 장비의 구성을 비교적 간단하게 구성하여 낮은 원가로 반도체 패키지의 전자파 차폐막 형성 장치를 제작할 수 있다. 또한, 반도체 패키지(C)의 외면(특히, 측면)에 전자파 차폐막을 높은 품질로 형성할 수 있는 장점이 있다. 또한, 상술한 바와 같은 구조의 제1노즐(101) 및 틸트 노즐(104)을 사용하므로, 매우 얇은 두께를 가지는 반도체 패키지(C)의 측면에 대해서도 균일하고 치밀하게 도전성 용액을 도포하는 것이 가능하다.As described above, the application of the conductive solution to the "side surface" of the semiconductor package C and the application operation to the "upper surface " are separately performed to separate the thickness of the conductive solution Can be made uniform. Particularly, when the tilt nozzle 104 formed to be inclined toward the side surface of the semiconductor package C is used, the electromagnetic wave shielding film forming apparatus of the semiconductor package can be manufactured at a low cost by constituting the entire equipment in a relatively simple manner. In addition, there is an advantage that the electromagnetic wave shielding film can be formed on the outer surface (particularly, the side surface) of the semiconductor package C with high quality. Further, since the first nozzle 101 and the tilt nozzle 104 having the above-described structure are used, it is possible to uniformly and densely coat the side surface of the semiconductor package C having a very thin thickness with the conductive solution .

특히, 본 발명의 경우 종래의 일반적인 용액 도포 방법과 달리 반도체 패키지(C)의 측면과 상면에 각각 별도로 스프레이 분사 방법을 수행함으로써, 반도체 패키지(C)에 도포된 용액의 표면 장력에 의해 도포된 용액의 두께가 불균일하게 되는 문제의 발생할 방지할 수 있는 장점이 있다. 특히, 스프레이 분사되는 다수의 도전성 용액 미세 입자를 이용하므로 종래의 방법과 달리 도전성 용액의 도포량을 매우 정밀하게 조절하는 것이 가능하고 용액의 표면 장력에 의한 영향을 최소화하는 것이 가능하다.Particularly, in the case of the present invention, unlike the conventional solution application method of the related art, by spraying the side surface and the upper surface of the semiconductor package C separately, the solution applied by the surface tension of the solution applied to the semiconductor package (C) It is possible to prevent the occurrence of a problem that the thickness of the film becomes uneven. In particular, since a plurality of conductive solution fine particles to be sprayed are used, it is possible to control the application amount of the conductive solution very precisely and to minimize the influence of the surface tension of the solution, unlike the conventional method.

상술한 바와 같은 과정을 거쳐서 상면과 측면에 각각 도전성 용액이 도포된 반도체 패키지들(C)은 오븐으로 전달되고, 오븐의 열에 의해 반도체 패키지들(C)에 도포된 도전성 용액은 경화된다.The semiconductor packages C coated with the conductive solution on the upper and the side surfaces are transferred to the oven through the process described above and the conductive solution applied to the semiconductor packages C is cured by the heat of the oven.

이하에서는 앞에서 도 3을 참조하여 설명한 것과 같은 구조를 가지는 제1스프레이 모듈(100)을 이용하여 반도체 칩의 측면에 도전성 용액을 분사하는 (a-2) 단계를 수행하는 과정을 더욱 구체적으로 설명한다. Hereinafter, a process of performing the step (a-2) of spraying the conductive solution on the side surface of the semiconductor chip using the first spray module 100 having the structure described with reference to FIG. 3 will be described in more detail .

먼저, 에어로졸의 형태로 분사할 도전성 용액을 저장부(110)에 저장한다((a-2-1) 단계). 상술한 바와 같이 은 페이스트 용액이 저장부(110)에 저장될 수 있다.First, a conductive solution to be sprayed in the form of an aerosol is stored in the storage part 110 (step (a-2-1)). The silver paste solution can be stored in the storage unit 110 as described above.

다음으로, 에어로졸 발생 유닛(121)을 이용하여 저장부(110)에 저장된 도전성 용액을 미세 입자 상태의 에어로졸로 변환한다((a-2-2) 단계). 본 실시예에서는 상술한 바와 같이 저장부(110)에 설치된 초음파 진동판을 이용하여 도전성 용액에 진동을 가하는 방법으로 에어로졸을 발생시킨다. 도전성 용액의 종류에 따라 진동판의 진동수를 조절하는 방법으로 다양하게 에어로졸을 생성하는 것이 가능하다. 에어로졸을 생성하는 방법에 따라 에어로졸의 입자의 크기를 수㎛ 보다 작게 가능하기 때문에 도전성 용액의 도포 용량을 미세하게 조절하는 것이 가능하고 극히 가느다란 선의 형태로 도전성 용액을 도포하는 것도 가능하다.Next, using the aerosol generating unit 121, the conductive solution stored in the storage unit 110 is converted into fine aerosol particles (step (a-2-2)). In this embodiment, as described above, aerosol is generated by applying vibration to the conductive solution by using the ultrasonic diaphragm provided in the storage unit 110. It is possible to produce aerosols in various ways by adjusting the frequency of the diaphragm according to the type of the conductive solution. Since the particle size of the aerosol can be made smaller than several micrometers depending on the method of generating the aerosol, it is possible to finely adjust the application volume of the conductive solution and to apply the conductive solution in the form of an extremely thin line.

에어로졸 발생 유닛(121)에 의해 생성된 에어로졸은 챔버(130)로 전달된다((a-2-3) 단계). 챔버(130)에 저장된 에어로졸은 제1노즐(101)을 통해 분사된다((a-2-4) 단계). 챔버(130)에 저장된 에어로졸 중 일부는 순환관(140)을 통해 저장부(110)의 에어로졸 발생 유닛(121)으로 전달하여 순환하게 된다((a-2-5) 단계).The aerosol generated by the aerosol generating unit 121 is transferred to the chamber 130 (step (a-2-3)). The aerosol stored in the chamber 130 is injected through the first nozzle 101 (step (a-2-4)). A part of the aerosols stored in the chamber 130 is transferred to the aerosol generating unit 121 of the storage unit 110 through the circulation pipe 140 and circulated (step (a-2-5)).

제어부는 에어로졸 발생 유닛(121), 공급 펌프(131), 공급 밸브(132), 순환 밸브(141)를 조작하여 제1노즐(101)을 통해 분사되는 에어로졸의 양과 순환관(140)을 통해 저장부(110)로 전달되는 에어로졸의 양을 조절하게 된다. 공급 펌프(131)를 통해 외부 공기가 챔버(130)에 유입되도록 함으로써 제1노즐(101)을 통해서 분사될 에어로졸의 농도를 조절하는 것도 가능하다.The controller controls the operation of the aerosol generating unit 121, the supply pump 131, the supply valve 132 and the circulation valve 141 to store the amount of aerosol sprayed through the first nozzle 101 and the amount of aerosol sprayed through the circulation pipe 140 The amount of aerosol delivered to the unit 110 is controlled. It is also possible to control the concentration of the aerosol to be injected through the first nozzle 101 by allowing the external air to flow into the chamber 130 through the supply pump 131.

이상 본 발명의 반도체 패키지의 전자파 차폐막 형성 장치 및 반도체 패키지의 전자파 차폐막 형성 방법에 대해 바람직한 예를 들어 설명하였으나 본 발명의 범위가 앞에서 설명하고 도시한 형태로 한정되는 것은 아니다. While the preferred embodiments of the electromagnetic wave shielding film forming apparatus and the electromagnetic wave shielding film forming method of the semiconductor package of the present invention have been described above, the scope of the present invention is not limited to the above described and illustrated forms.

예를 들어, 앞에서 순환관(140)을 구비하는 반도체 패키지의 전자파 차폐막 형성 장치를 예로 들어 설명하였으나 경우에 따라서는 순환관(140)을 구비하지 않는 실시예를 구성하는 것도 가능하다. 순환관(140)이 없는 경우에는 챔버 내부의 에어로졸을 순환시키지 않고 전부 사용하거나 외부로 배출하게 된다. 이 경우, 반도체 패키지의 전자파 차폐막 형성 방법은, 챔버의 에어로졸을 순환시키는 (a-2-5) 단계를 수행하지 않게 된다.For example, the electromagnetic wave shielding film forming apparatus of the semiconductor package having the circulation pipe 140 has been described as an example, but in some cases, the circulation pipe 140 may not be provided. In the absence of the circulation pipe 140, the entire aerosol in the chamber is used without being circulated, or is discharged to the outside. In this case, the electromagnetic shielding film forming method of the semiconductor package does not perform the step (a-2-5) for circulating the aerosol of the chamber.

또한, 앞에서 반도체 패키지(C)의 측면에 도전성 용액을 도포하는 (a) 단계를 먼저 실시하고 (c) 단계에서 반도체 패키지(C)를 제2스프레이 모듈(300)의 하측으로 이송한 후 반도체 패키지(C)의 상면에 도전성 용액을 도포하는 (b) 단계를 실시하는 것으로 설명하였으나, 반대의 순서로 반도체 패키지의 전자파 차폐막 형성 방법을 실시하는 것도 가능하다. 즉, 반도체 패키지(C)의 상면에 먼저 도전성 용액을 도포하고, 반도체 패키지(C)의 측면에 도전성 용액을 도포하는 단계를 나중에 수행하는 것도 가능하다.The step (a) of applying the conductive solution to the side surface of the semiconductor package C is performed first, the semiconductor package C is transferred to the lower side of the second spray module 300 in the step (c) (B) of applying the conductive solution to the upper surface of the semiconductor substrate (C), but it is also possible to carry out the method of forming the electromagnetic wave shielding film of the semiconductor package in the reverse order. That is, it is possible to apply the conductive solution to the upper surface of the semiconductor package (C) first, and then apply the conductive solution to the side surface of the semiconductor package (C).

또한, 앞에서 제1스프레이 공급부(102)는 전달 펌프(111), 공급 펌프(131), 전달 밸브(112), 공급 밸브(132) 및 순환 밸브(141)를 구비하는 경우를 예로 들어 설명하였으나 경우에 따라서는 이들 중 일부만을 구비하는 구성도 가능하고 추가로 별도의 밸브와 펌프를 구비하는 구성도 가능하다. 예를 들어 전달 펌프(111)가 없는 경우에도 저장부에서 에어로졸이 발생하는 압력에 의해 자연적으로 에어로졸이 챔버로 전달될 수 있다.Although the first spray supplying unit 102 has been described above as including the transfer pump 111, the supply pump 131, the transfer valve 112, the supply valve 132 and the circulation valve 141, It is possible to provide only a part of them, and further, it is also possible to provide a separate valve and a pump. For example, even in the absence of the transfer pump 111, the aerosol can naturally be delivered to the chamber by the pressure generated by the aerosol in the reservoir.

또한, 도 3을 참조하여 설명한 반도체 패키지의 전자파 차폐막 형성 장치의 제1스프레이 공급부(102)에서 에어로졸 발생 유닛(121)은 저장부(110)에 설치되는 것으로 설명하였으나 경우에 따라서는 저장부와 챔버의 사이에 에어로졸 발생 유닛을 설치하는 것도 가능하다. 즉, 저장부에 저장된 용액을 에어로졸 발생 유닛이 전달 받아 에어로졸을 발생시키고 그 에어로졸이 챔버로 전달되도록 구성하는 것도 가능하다. 제1스프레이 공급부의 구성은 꼭 에어로졸의 형태가 아니라도 도전성 용액을 스프레이 상태로 발생시킬 수 있는 구성이라면 다른 다양한 구성의 사용이 가능하다.Although the aerosol generating unit 121 is installed in the storage unit 110 in the first spray supplying unit 102 of the electromagnetic shielding film forming apparatus of the semiconductor package described with reference to FIG. 3, It is also possible to install an aerosol generating unit between the two units. That is, it is also possible that the aerosol generating unit receives the solution stored in the storage unit to generate an aerosol and the aerosol is transferred to the chamber. The configuration of the first spray supplying unit may be various other configurations as long as the spraying unit can generate the conductive solution in a sprayed state, not necessarily in the form of an aerosol.

예를 들어, 도 4에 도시한 것과 같은 구조의 제1스프레이 공급부(103)를 구성하는 것도 가능하다. 도 4에 도시된 실시예의 제1스프레이 공급부(103)는 도 3을 참조하여 설명한 실시예와 에어로졸 발생 유닛(160)의 구성을 제외한 나머지 구성이 모두 동일하다. 편의상 에어로졸 발생 유닛(160)을 제외한 나머지 구성에 대해서는 도 3과 동일한 부재번호를 부여하여 도시하여 설명하기로 한다. For example, it is also possible to construct the first spray supplying section 103 having the structure as shown in Fig. The first spray supplying unit 103 of the embodiment shown in FIG. 4 is the same as the embodiment described with reference to FIG. 3 except for the configuration of the aerosol generating unit 160. For the sake of convenience, the remaining components except the aerosol generating unit 160 are denoted by the same reference numerals as in FIG.

도 4에 도시한 제1스프레이 공급부(103)는 일반적인 스프레이 형태의 에어로졸 발생 유닛(160)을 구비한다. 에어로졸 발생 유닛(160)은 스프레이 관(163)과 스프레이 노즐(162)을 구비한다. 스프레이 관(163)은 저장부(110)에 설치되어 저장부(110)에 저장된 용액을 공급한다. 스프레이 노즐(162)은 스프레이 관(163)에 연결된다. 스프레이 노즐(162)은 스프레이 펌프(161)에 연결되어 공압이 공급된다. 스프레이 펌프(161)에 의해 고압의 공기가 공급되면 스프레이 관(163)을 통해 공급된 용액과 공기가 섞이면서 용액이 에어로졸 형태로 스프레이 분사된다. 스프레이 펌프(161)의 작동은 제어부에 의해 조절된다. The first spray supply unit 103 shown in FIG. 4 has a general spray type aerosol generation unit 160. The aerosol generating unit 160 has a spray pipe 163 and a spray nozzle 162. The spray tube 163 is installed in the storage part 110 and supplies the solution stored in the storage part 110. The spray nozzle 162 is connected to the spray pipe 163. The spray nozzle 162 is connected to the spray pump 161 and supplied with air pressure. When high pressure air is supplied by the spray pump 161, the solution is sprayed in an aerosol form while the solution and the air supplied through the spray pipe 163 are mixed. The operation of the spray pump 161 is controlled by the control unit.

도 4에 도시한 구조의 제1스프레이 공급부(103)를 사용하는 경우 본 발명의 다른 실시예에 따른 반도체 패키지의 전자파 차폐막 형성 방법은, 앞에서 설명한 진동판을 사용하지 않고 스프레이 관(163)을 통해 공급된 용액을 스프레이 노즐(163)을 통해 압축 공기와 혼합되도록 함으로써 에어로졸을 발생시키는 에어로졸 발생 유닛(121)을 이용하여 (a-2-2) 단계를 수행하게 된다.In the case of using the first spray supplying portion 103 having the structure shown in FIG. 4, the electromagnetic wave shielding film forming method of the semiconductor package according to another embodiment of the present invention may be applied to the case where the electromagnetic wave shielding film (A-2-2) using an aerosol generating unit 121 that generates an aerosol by causing the mixed solution to be mixed with compressed air through a spray nozzle 163.

또한, 앞에서 도 1 및 도 2를 참조하여 설명한 반도체 패키지의 전자파 차폐막 형성 장치의 경우 서로 다른 방향으로 배치된 4개의 틸트 노즐(104)을 구비하는 것으로 설명하였으나, 틸트 노즐의 개수는 실시예에 따라 달라질 수 있다. 경우에 따라서는 하나의 틸트 노즐만을 구비하고, 그 틸트 노즐을 상하방향 중심축을 중심으로 회전시킬 수 있도록 구성된 제1스프레이 모듈 및 제1스프레이 이송 유닛을 구성하는 것도 가능하다. 이 경우 도전성 용액을 도포하고자 하는 반도체 패키지(C)의 측면 방향에 따라 틸트 노즐을 회전시키면서 (a) 단계를 수행할 수 있다.In the case of the electromagnetic shielding film forming apparatus of the semiconductor package described above with reference to FIGS. 1 and 2, four tilt nozzles 104 arranged in different directions are provided. However, the number of tilt nozzles may vary depending on the embodiment It can be different. In some cases, it is also possible to constitute a first spray module and a first spray transfer unit configured to have only one tilt nozzle and to rotate the tilt nozzle about the vertical center axis. In this case, step (a) may be performed while rotating the tilt nozzle along the lateral direction of the semiconductor package (C) to which the conductive solution is to be applied.

이 경우 앞에서 설명한 실시예의 반도체 패키지의 전자파 차폐막 형성 방법에 있어서, (a-1) 단계 내지 (a-4) 단계와 (a-2-1) 단계 내지 (a-2-5) 단계는 다른 다양한 방법으로 변경될 수 있다.(A-1) to (a-4) and (a-2-1) to (a-2-5) in the method of forming an electromagnetic wave shielding film of the semiconductor package of the embodiment described above, Method can be changed.

100: 제1스프레이 모듈 101: 제1노즐
104: 틸트 노즐 150: 기체 펌프
134: 틸트 밸브
102, 103: 제1스프레이 공급부 200: 제1스프레이 이송 유닛
201: 제1스프레이 승강부 300: 제2스프레이 모듈
301: 제2노즐 302: 제2스프레이 공급부
400: 제2스프레이 이송 유닛 500: 자재 이송 유닛
C: 반도체 패키지 T: 트레이
110: 저장부 111: 전달 펌프
112: 전달 밸브 121, 160: 에어로졸 발생 유닛
161: 스프레이 펌프 162: 스프레이 노즐
163: 스프레이 관 130: 챔버
131: 공급 펌프 132: 공급 밸브
113: 전달관 133: 공급관
140: 순환관 141: 순환 밸브100: first spray module 101: first nozzle
104: tilt nozzle 150: gas pump
134: Tilt valve
102, 103: first spray supply unit 200: first spray delivery unit
201: first spray elevator 300: second spray module
301: second nozzle 302: second spray supply part
400: second spray transfer unit 500: material transfer unit
C: Semiconductor package T: Tray
110: storage part 111: transfer pump
112: transfer valve 121, 160: aerosol generating unit
161: Spray pump 162: Spray nozzle
163: Spray tube 130: Chamber
131: feed pump 132: feed valve
113: delivery pipe 133: supply pipe
140: circulation pipe 141: circulation valve

Claims (10)

반도체 패키지의 외면에 전자파 차폐막을 형성하기 위하여 도전성 용액을 코팅하는 반도체 패키지의 전자파 차폐막 형성 장치에 있어서,
상기 도전성 용액을 분사할 수 있도록 하측 방향으로 배치된 제1노즐과, 상기 제1노즐에서 분사되는 상기 도전성 용액의 분사 방향이 상기 반도체 패키지의 측면을 향하여 변경되도록 수직 방향에 대해 경사진 방향으로 기체를 분사하는 틸트 노즐과, 상기 제1노즐에 상기 도전성 용액을 스프레이 형태로 공급하는 제1스프레이 공급부를 구비하는 제1스프레이 모듈;
상기 제1스프레이 모듈의 상기 제1노즐 및 틸트 노즐을 상기 반도체 패키지에 대해 이송하는 제1스프레이 이송 유닛;
상기 반도체 패키지의 상면에 상기 도전성 용액을 분사할 수 있도록 상기 반도체 패키지의 상면을 향해 형성된 제2노즐과, 상기 제2노즐에 상기 도전성 용액을 스프레이 형태로 공급하는 제2스프레이 공급부를 구비하는 제2스프레이 모듈;
상기 제2스프레이 모듈의 제2노즐을 상기 반도체 패키지에 대해 이송하는 제2스프레이 이송 유닛; 및
상기 제1스프레이 모듈 및 제2스프레이 모듈에 대해 상기 반도체 패키지를 이송하는 자재 이송 유닛;을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지의 전자파 차폐막 형성 장치.An electromagnetic shielding film forming apparatus of a semiconductor package for coating a conductive solution to form an electromagnetic wave shielding film on an outer surface of a semiconductor package,
A first nozzle arranged in a downward direction so as to spray the conductive solution; a second nozzle arranged in a direction inclined with respect to the vertical direction so that an injection direction of the conductive solution injected from the first nozzle is changed toward a side surface of the semiconductor package; A first spray module having a tilt nozzle for spraying the conductive solution and a first spray supplying part for supplying the conductive solution in the form of a spray to the first nozzle;
A first spray transfer unit for transferring the first nozzle and tilt nozzle of the first spray module to the semiconductor package;
A second nozzle formed to face the upper surface of the semiconductor package so as to spray the conductive solution onto the upper surface of the semiconductor package, and a second spray supplying part supplying the conductive solution in a form of a spray to the second nozzle, Spray module;
A second spray transfer unit for transferring a second nozzle of the second spray module to the semiconductor package; And
And a material transfer unit for transferring the semiconductor package to the first spray module and the second spray module. 제1항에 있어서,
상기 제1스프레이 모듈의 틸트 노즐은 복수로 구비되고 상기 복수의 틸트 노즐은 각각 다른 방향으로 배치되며,
상기 제1스프레이 이송 유닛은, 상기 제1노즐 및 복수의 틸트 노즐을 승강시키는 제1스프레이 승강부를 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지의 전자파 차폐막 형성 장치.The method according to claim 1,
Wherein a plurality of tilt nozzles of the first spray module are provided and the plurality of tilt nozzles are arranged in different directions,
Wherein the first spray transfer unit comprises a first spray up / down part for moving up and down the first nozzle and the plurality of tilt nozzles. 제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 제1스프레이 모듈의 제1스프레이 공급부는,
상기 도전성 용액이 저장되는 저장부와
상기 저장부에서 전달 받은 상기 도전성 용액을 미세 입자 상태의 에어로졸로 변환하는 에어로졸 발생 유닛과,
상기 에어로졸 발생 유닛에서 생성된 상기 에어로졸을 전달 받아 저장하는 챔버와,
상기 챔버와 제1노즐을 연결하는 공급관, 및
상기 공급관을 통해 상기 챔버에서 상기 제1노즐로 전달되는 상기 에어로졸에 압력을 가하는 공급 펌프를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지의 전자파 차폐막 형성 장치.3. The method according to claim 1 or 2,
Wherein the first spray supply portion of the first spray module comprises:
A storage part for storing the conductive solution;
An aerosol generating unit for converting the conductive solution transferred from the storage unit into an aerosol in a fine particle state,
A chamber for receiving and storing the aerosol generated in the aerosol generating unit;
A supply pipe connecting the chamber and the first nozzle, and
And a supply pump for applying pressure to the aerosol transferred from the chamber to the first nozzle through the supply pipe. 제3항에 있어서,
상기 제1스프레이 공급부의 에어로졸 발생 유닛은, 상기 저장부에 저장된 도전성 용액에 진동을 가하여 에어로졸을 발생시키는 초음파 진동판을 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지의 전자파 차폐막 형성 장치.The method of claim 3,
Wherein the aerosol generating unit of the first spray supplying unit comprises an ultrasonic diaphragm for generating aerosols by applying vibration to the conductive solution stored in the storing unit. 제3항에 있어서,
상기 에어로졸 발생 유닛은, 상기 저장부의 도전성 용액을 공급하는 스프레이 관과 상기 스프레이 관에 공압을 분사하는 스프레이 노즐을 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지의 전자파 차폐막 형성 장치.The method of claim 3,
Wherein the aerosol generating unit comprises a spray pipe for supplying a conductive solution of the storage part and a spray nozzle for spraying air pressure to the spray pipe. 제3항에 있어서,
상기 제1스프레이 공급부는,
상기 챔버에 저장된 상기 에어로졸을 상기 에어로졸 발생 유닛으로 전달하는 순환관 및
상기 순환관의 유량을 조절하는 순환 밸브를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지의 전자파 차폐막 형성 장치.The method of claim 3,
Wherein the first spray supply unit comprises:
A circulation pipe for transferring the aerosol stored in the chamber to the aerosol generation unit and
Further comprising a circulation valve for controlling the flow rate of the circulation pipe. 반도체 패키지의 외면에 전자파 차폐막을 형성하기 위하여 도전성 용액을 코팅하는 반도체 패키지의 전자파 차폐막 형성 방법에 있어서,
(a) 하측 방향으로 배치된 제1노즐과, 수직 방향에 대해 경사진 방향으로 형성되어 기체를 분사하는 틸트 노즐과, 상기 제1노즐에 상기 도전성 용액을 스프레이 형태로 공급하는 제1스프레이 공급부를 구비하는 제1스프레이 모듈을 이용하여 상기 반도체 패키지의 측면에 상기 도전성 용액을 분사하는 단계;
(b) 상기 반도체 패키지의 상면을 향해 형성된 제2노즐과, 상기 제2노즐에 상기 도전성 용액을 스프레이 형태로 공급하는 제2스프레이 공급부를 구비하는 제2스프레이 모듈을 이용하여 상기 반도체 패키지의 상면에 상기 도전성 용액을 분사하는 단계; 및
(c) 상기 반도체 패키지를 상기 제1스프레이 모듈과 제2스프레이 모듈 중 어느 하나의 하측에서 다른 하나의 하측으로 이송하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지의 전자파 차폐막 형성 방법.A method of forming an electromagnetic wave shielding film of a semiconductor package for coating a conductive solution to form an electromagnetic wave shielding film on an outer surface of a semiconductor package,
(a) a first nozzle provided in a downward direction, a tilt nozzle formed in a direction inclined with respect to a vertical direction, for jetting a gas, and a first spray supply unit for supplying the conductive solution in the form of a spray to the first nozzle Spraying the conductive solution onto a side surface of the semiconductor package using a first spray module;
(b) a second spray module provided with a second nozzle formed toward an upper surface of the semiconductor package and a second spray supplying part supplying the conductive solution in a form of a spray to the second nozzle, Spraying the conductive solution; And
(c) transferring the semiconductor package from the lower side of one of the first spray module and the second spray module to the other lower side of the semiconductor package. 제7항에 있어서,
상기 (a) 단계는,
(a-1) 상기 제1노즐 및 틸트 노즐을 이송하는 제1스프레이 이송 유닛에 의해 상기 제1노즐 및 틸트 노즐을 하강시켜 상기 반도체 패키지의 측면과 근접시키는 단계와,
(a-2) 상기 제1스프레이 공급부를 작동시켜 상기 제1노즐로 상기 도전성 용액을 스프레이 분사하면서 상기 틸트 노즐로 기체를 분사하여 상기 도전성 용액의 분사 방향을 상기 반도체 패키지의 측면 방향으로 변경하는 단계와,
(a-3) 상기 제1스프레이 이송 유닛을 작동시켜 상기 제1노즐 및 틸트 노즐을 상기 반도체 패키지의 측면을 따라 이송하는 단계와,
(a-4) 상기 제1스프레이 이송 유닛을 작동시켜 상기 제1노즐 및 틸트 노즐을 상기 반도체 패키지의 측면에 대해 상승시키는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지의 전자파 차폐막 형성 방법.8. The method of claim 7,
The step (a)
(a-1) lowering the first nozzle and the tilt nozzle by a first spray transfer unit for transferring the first nozzle and the tilt nozzle to bring the first nozzle and the tilt nozzle close to the side surface of the semiconductor package,
(a-2) operating the first spray supplying part to spray the conductive solution onto the first nozzle, spraying gas to the tilted nozzle to change the spraying direction of the conductive solution to the side direction of the semiconductor package Wow,
(a-3) operating the first spray transfer unit to transfer the first nozzle and tilt nozzle along a side surface of the semiconductor package,
(a-4) activating the first spray transfer unit to raise the first nozzle and the tilt nozzle with respect to the side surface of the semiconductor package. 제7항 또는 제8항에 있어서,
상기 (a) 단계를 먼저 수행한 후,
상기 반도체 패키지를 상기 제1스프레이 모듈의 하측에서 제2스프레이 모듈의 하측으로 이송하도록 상기 (c) 단계를 수행 후,
상기 (b) 단계를 수행하는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지의 전자파 차폐막 형성 방법.9. The method according to claim 7 or 8,
After the step (a) is performed first,
Performing the step (c) to transfer the semiconductor package from below the first spray module to the underside of the second spray module,
And the step (b) is performed. 제8항에 있어서,
상기 (a-2) 단계는,
(a-2-1) 상기 도전성 용액을 저장부에 저장하는 단계와,
(a-2-2) 에어로졸 발생 유닛을 이용하여 상기 저장부에 저장된 도전성 용액을 미세 입자 상태의 에어로졸로 변환하는 단계와,
(a-2-3) 상기 (a-2-3) 단계에서 발생한 에어로졸을 챔버로 전달하는 단계와,
(a-2-4) 상기 챔버에 저장된 에어로졸을 상기 제1노즐을 통해 분사하는 단계와,
(a-2-5) 상기 챔버에 저장된 상기 에어로졸을 상기 에어로졸 발생 유닛으로 전달하여 순환시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지의 전자파 차폐막 형성 방법.9. The method of claim 8,
The step (a-2)
(a-2-1) storing the conductive solution in a storage portion,
(a-2-2) converting the conductive solution stored in the reservoir into an aerosol in a fine particle state using an aerosol generating unit,
(a-2-3) transmitting the aerosol generated in the step (a-2-3) to the chamber,
(a-2-4) injecting an aerosol stored in the chamber through the first nozzle,
(a-2-5) transferring the aerosol stored in the chamber to the aerosol generating unit, and circulating the aerosol.
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