KR20170109154A - Display device - Google Patents

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KR20170109154A
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Abstract

The present invention relates to a reflective display apparatus for increasing luminance while maintaining a color reproduction rate at the same level. The display apparatus comprises: a substrate; a thin film transistor disposed on the substrate; an insulating layer disposed on the thin film transistor and having a contact hole exposing the thin film transistor; and a first reflection pattern disposed on the insulating layer and connected to the thin film transistor through the contact hole.

Description

표시 장치{DISPLAY DEVICE}Display device {DISPLAY DEVICE}

본 발명은 반사형 표시 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 반사율을 증가시켜 휘도를 향상시키는 반사형 표시 장치에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0002] The present invention relates to a reflective display device, and more particularly, to a reflective display device that improves luminance by increasing reflectance.

최근 기존의 브라운관을 대체하여 액정 표시 장치, 전기 영동 표시 장치 등의 표시 장치가 많이 사용되고 있다. 상기 표시 장치는 수광형 소자로서 별도의 광원이 필요하다. 이에 따라, 상기 표시 장치는 내장된 백라이트를 광원으로 이용하여 화상을 표시하는 투과형 표시 장치와 백라이트의 사용없이 자연광을 광원으로 이용하여 화상을 표시하는 반사형 표시 장치로 구분된다.Recently, display devices such as liquid crystal display devices and electrophoretic display devices have been widely used instead of conventional CRTs. The display device requires a separate light source as the light receiving element. Accordingly, the display device is divided into a transmissive display device that displays an image using a built-in backlight as a light source, and a reflective display device that displays an image using natural light as a light source without using a backlight.

최근, 반사형 표시 장치는 휘도 향상을 위해 색필터에 개구부를 형성한다. 반사층에서 반사된 외부광이 색필터의 개구부를 통해 출사되어 휘도 향상에 기여하게 된다. 그러나 휘도 향상 목적으로 색필터에 개구부를 형성할 경우, 색재현율이 낮아지고 개구부 근처에서 빛샘 현상이 발생하고 액정 제어력이 낮아지는 문제점이 있다.BACKGROUND ART [0002] In recent years, a reflection type display device has formed an opening in a color filter for improving brightness. External light reflected by the reflective layer is emitted through the opening of the color filter to contribute to brightness enhancement. However, when an opening is formed in the color filter for the purpose of improving the luminance, the color reproduction rate is lowered, light leakage occurs near the opening, and the liquid crystal controlling power is lowered.

본 발명은 색재현율을 동등하게 유지하면서 휘도를 높이는 반사형 표시 장치를 제안하고자 한다.The present invention intends to propose a reflection type display device which increases the luminance while keeping the color reproduction rate at the same level.

본 발명의 일 실시예는 기판; 상기 기판 위에 배치된 박막 트랜지스터; 상기 박막 트랜지스터 위에 위치하고 상기 박막 트랜지스터를 노출시키는 접촉 구멍을 갖는 절연층; 및 상기 절연층 상에 배치되고 상기 접촉 구멍을 통해서 상기 박막 트랜지스터와 연결된 제1 반사 패턴;을 포함하는 표시 장치를 제공한다.One embodiment of the present invention provides a semiconductor device comprising: a substrate; A thin film transistor disposed on the substrate; An insulating layer disposed on the thin film transistor and having a contact hole exposing the thin film transistor; And a first reflective pattern disposed on the insulating layer and connected to the thin film transistor through the contact hole.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 제1 반사 패턴은 상기 접촉 구멍을 통해서 상기 박막 트랜지스터의 드레인 전극과 연결될 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the first reflection pattern may be connected to the drain electrode of the thin film transistor through the contact hole.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 화소 전극 영역과 연결 전극 영역을 갖는 복수의 화소를 포함하고, 상기 제1 반사 패턴은 상기 화소 전극 영역과 상기 연결 전극 영역에 배치될 수 있다.According to an embodiment of the present invention, a plurality of pixels having a pixel electrode region and a connection electrode region may be disposed, and the first reflection pattern may be disposed in the pixel electrode region and the connection electrode region.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 화소 전극 영역과 연결 전극 영역을 갖는 복수의 화소를 포함하고, 상기 제1 반사 패턴은 상기 연결 전극 영역에 배치되고, 상기 제1 반사 패턴과 이격되어 상기 화소 전극 영역에 배치되는 제2 반사 패턴을 더 포함할 수 있다.According to an embodiment of the present invention, there is provided a liquid crystal display device including a plurality of pixels each having a pixel electrode region and a connecting electrode region, the first reflective pattern being disposed in the connection electrode region, And a second reflection pattern disposed in the second region.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 제2 반사 패턴은 상기 화소 전극 영역들 사이에 연장될 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the second reflective pattern may extend between the pixel electrode regions.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 접촉 구멍 내에 배치된 절연 패턴을 더 포함할 수 있다.According to an embodiment of the present invention, an insulating pattern disposed in the contact hole may be further included.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 제1 반사 패턴은 상기 절연 패턴 위에 배치될 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the first reflection pattern may be disposed on the insulation pattern.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 절연층과 상기 절연 패턴은 동일한 물질로 이루어질 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the insulating layer and the insulating pattern may be made of the same material.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 절연 패턴은 평면 상에서 상기 접촉 구멍의 면적보다 작은 면적을 가질 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the insulating pattern may have an area smaller than an area of the contact hole in a plan view.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 절연 패턴은 기둥 형상을 가질 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the insulating pattern may have a columnar shape.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 제1 반사 패턴 위에 배치된 색필터;를 더 포함할 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the color filter may further include a color filter disposed on the first reflection pattern.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 색필터는 상기 접촉 구멍 내에 배치될 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the color filter may be disposed in the contact hole.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 접촉 구멍 내에 배치된 백색 물질을 더 포함할 수 있다.According to an embodiment of the present invention, it may further comprise a white material disposed in the contact hole.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 색필터는 백색 필터를 포함하고, 상기 백색 물질은 상기 백색 필터와 동일한 물질로 이루어질 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the color filter includes a white filter, and the white material may be made of the same material as the white filter.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 제1 반사 패턴 위에 배치되고 상기 제1 반사 패턴과 연결되는 화소 전극을 더 포함할 수 있다.According to an embodiment of the present invention, a pixel electrode disposed on the first reflection pattern and connected to the first reflection pattern may be further included.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 제1 반사 패턴과 상기 화소 전극 사이에 배치되는 색필터를 더 포함할 수 있다.According to an embodiment of the present invention, a color filter may be further disposed between the first reflective pattern and the pixel electrode.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 제1 반사 패턴과 상기 색필터는 상기 접촉 구멍 내에 배치될 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the first reflection pattern and the color filter may be disposed in the contact hole.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 접촉 구멍 내에 배치된 절연 패턴을 더 포함하고, 상기 제1 반사 패턴은 상기 절연 패턴 위에 배치될 수 있다.According to an embodiment of the present invention, it is possible to further include an insulation pattern disposed in the contact hole, and the first reflection pattern may be disposed on the insulation pattern.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 절연층과 상기 절연 패턴은 동일한 물질로 이루어질 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the insulating layer and the insulating pattern may be made of the same material.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 절연 패턴은 평면 상에서 상기 접촉 구멍의 면적보다 작은 면적을 가질 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the insulating pattern may have an area smaller than an area of the contact hole in a plan view.

본 발명은 박막 트랜지스터를 노출시키는 접촉 구멍에 제1 반사 패턴을 배치함에 따라 외부광의 반사율을 높이고 표시 장치의 휘도를 높일 수 있다.The present invention can increase the reflectance of external light and increase the luminance of the display device by disposing the first reflection pattern in the contact hole for exposing the thin film transistor.

또한, 본 발명은 접촉 구멍에도 색필터를 배치함에 따라 색재현율을 높일 수 있고 색필터의 개구부를 제거함에 따라 빛샘 현상을 방지할 수 있다.In addition, according to the present invention, the color reproducibility can be increased by disposing the color filter in the contact hole, and the light leakage phenomenon can be prevented by removing the opening of the color filter.

또한, 본 발명은 접촉 구멍에 절연 패턴을 배치함에 따라 접촉 구멍 위치에서 액정 제어력이 향상된다.Further, according to the present invention, the liquid crystal control force at the contact hole position is improved by disposing the insulating pattern in the contact hole.

도 1은 본 발명의 실시예1에 따른 복수의 화소를 개략적으로 나타낸 평면도이다.
도 2는 도 1의 I-I’선을 따라 절단한 단면도이다.
도 3은 도 1의 반사 패턴을 개략적으로 나타낸 평면도이다.
도 4는 본 발명의 실시예 2에 따른 표시 장치를 나타낸 단면도이다.
도 5는 A 영역을 개략적으로 나타낸 평면도이다.
도 6은 본 발명의 실시예 3에 따른 표시 장치의 단면도이다.
도 7은 본 발명의 실시예 4에 따른 제1 반사 패턴을 개략적으로 나타낸 평면도이다.
도 8은 본 발명의 실시예 5에 따른 반사 패턴을 개략적으로 나타낸 평면도이다.1 is a plan view schematically showing a plurality of pixels according to a first embodiment of the present invention.
2 is a cross-sectional view taken along line I-I 'of FIG.
3 is a plan view schematically showing the reflection pattern of FIG.
4 is a cross-sectional view showing a display device according to a second embodiment of the present invention.
FIG. 5 is a plan view schematically showing the area A. FIG.
6 is a cross-sectional view of a display device according to a third embodiment of the present invention.
7 is a plan view schematically showing a first reflection pattern according to a fourth embodiment of the present invention.
8 is a plan view schematically showing a reflection pattern according to a fifth embodiment of the present invention.

본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 따라서, 몇몇 실시예에서, 잘 알려진 공정 단계들, 잘 알려진 소자 구조 및 잘 알려진 기술들은 본 발명이 모호하게 해석되는 것을 피하기 위하여 구체적으로 설명되지 않는다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS The advantages and features of the present invention and the manner of achieving them will become apparent with reference to the embodiments described in detail below with reference to the accompanying drawings. The present invention may, however, be embodied in many different forms and should not be construed as being limited to the embodiments set forth herein. Rather, these embodiments are provided so that this disclosure will be thorough and complete, and will fully convey the scope of the invention to those skilled in the art. Is provided to fully convey the scope of the invention to those skilled in the art, and the invention is only defined by the scope of the claims. Thus, in some embodiments, well known process steps, well known device structures, and well-known techniques are not specifically described to avoid an undesirable interpretation of the present invention. Like reference numerals refer to like elements throughout the specification.

공간적으로 상대적인 용어인 "아래(below)", "아래(beneath)", "하부(lower)", "위(above)", "상부(upper)" 등은 도면에 도시되어 있는 바와 같이 하나의 소자 또는 구성 요소들과 다른 소자 또는 구성 요소들과의 상관관계를 용이하게 기술하기 위해 사용될 수 있다. 공간적으로 상대적인 용어는 도면에 도시되어 있는 방향에 더하여 사용시 또는 동작시 소자의 서로 다른 방향을 포함하는 용어로 이해되어야 한다. 예를 들면, 도면에 도시되어 있는 소자를 뒤집을 경우, 다른 소자의 "아래(below)"또는 "아래(beneath)"로 기술된 소자는 다른 소자의 "위(above)"에 놓여질 수 있다. 따라서, 예시적인 용어인 "아래"는 아래와 위의 방향을 모두 포함할 수 있다. 소자는 다른 방향으로도 배향될 수 있고, 이에 따라 공간적으로 상대적인 용어들은 배향에 따라 해석될 수 있다.The terms spatially relative, "below", "beneath", "lower", "above", "upper" May be used to readily describe a device or a relationship of components to other devices or components. Spatially relative terms should be understood to include, in addition to the orientation shown in the drawings, terms that include different orientations of the device during use or operation. For example, when inverting an element shown in the figures, an element described as "below" or "beneath" of another element may be placed "above" another element. Thus, the exemplary term "below" can include both downward and upward directions. The elements can also be oriented in different directions, so that spatially relative terms can be interpreted according to orientation.

본 명세서에서 사용된 용어는 실시예들을 설명하기 위한 것이며 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다. 본 명세서에서, 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는 한 복수형도 포함한다. 명세서에서 사용되는 "포함한다(comprises)" 및/또는 "포함하는(comprising)"은 언급된 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자는 하나 이상의 다른 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자의 존재 또는 추가를 배제하지 않는다.The terminology used herein is for the purpose of illustrating embodiments and is not intended to be limiting of the present invention. In the present specification, the singular form includes plural forms unless otherwise specified in the specification. It is noted that the terms "comprises" and / or "comprising" used in the specification are intended to be inclusive in a manner similar to the components, steps, operations, and / Or additions.

다른 정의가 없다면, 본 명세서에서 사용되는 모든 용어(기술 및 과학적 용어를 포함)는 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 공통적으로 이해될 수 있는 의미로 사용될 수 있을 것이다. 또 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 용어들은 명백하게 특별히 정의되어 있지 않은 한 이상적으로 또는 과도하게 해석되지 않는다.Unless defined otherwise, all terms (including technical and scientific terms) used herein may be used in a sense commonly understood by one of ordinary skill in the art to which this invention belongs. Also, commonly used predefined terms are not ideally or excessively interpreted unless explicitly defined otherwise.

먼저, 도 1 내지 도 3을 참고하여 본 발명의 실시예1에 따른 표시 장치에 대하여 설명한다. 특별한 언급이 없는 한 본 실시예 1에서 액정 표시 장치는 반사형 액정 표시 장치임을 전제한다. 반사형 액정 표시 장치는 입사된 자연광 또는 외부광이 반사 패턴(130)에 반사되어 액정층(3)을 통과시키고 화상을 표시한다.First, a display device according to a first embodiment of the present invention will be described with reference to Figs. 1 to 3. Fig. Unless otherwise specified, it is assumed that the liquid crystal display device in Embodiment 1 is a reflection type liquid crystal display device. The reflection type liquid crystal display device reflects the incident natural light or external light on the reflection pattern 130, passes through the liquid crystal layer 3, and displays an image.

도 1은 본 발명의 실시예1 에 따른 복수의 화소를 개략적으로 나타낸 평면도이다. 도 2 는 도 1의 I-I’선을 따라 절단한 단면도이다. 도 3은 도 1의 반사 패턴을 개략적으로 나타낸 평면도이다.1 is a plan view schematically showing a plurality of pixels according to a first embodiment of the present invention. 2 is a cross-sectional view taken along line I-I 'of FIG. 3 is a plan view schematically showing the reflection pattern of FIG.

도 1 내지 도 3을 참조하면, 본 발명의 실시예1에 따른 액정 표시 장치는 복수의 화소(R, G, B, W)를 포함한다. 복수의 화소(R, G, B, W)는 적색 화소(R), 녹색 화소(G), 청색 화소(B), 및 백색 화소(W)를 포함한다. 게이트선(121)과 데이터선(171)은 매트릭스(matrix) 형태로 배열되어 복수의 화소(R, G, B, W)를 정의한다. 예를 들면, 도 1에 도시된 바와 같이 적색 화소(R), 녹색 화소(G), 청색 화소(B), 및 백색 화소(W)는 1 X 4의 행렬로 배치되어 있으며 한 화소군을 이룬다. 도 1에서 설명의 편의상 하나의 화소군만을 표시하였으나, 실제로는 화소군이 복수의 열과 복수의 행을 가진 매트릭스 형태로 배열된다. 화소군은 서로 동일한 구조를 가지므로 이하에서는, 설명의 편의상 하나의 화소군만을 일예로서 설명한다. 여기서, 화소군은 1 X 4의 행렬로 도시하였으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 화소군의 형상은 라인 형상, V 자 형상, Z 자 형상 등 다양하게 변형될 수 있다.1 to 3, a liquid crystal display according to a first embodiment of the present invention includes a plurality of pixels R, G, B, and W. The plurality of pixels R, G, B and W includes a red pixel R, a green pixel G, a blue pixel B and a white pixel W. The gate line 121 and the data line 171 are arranged in a matrix form to define a plurality of pixels R, G, B, and W, respectively. 1, a red pixel R, a green pixel G, a blue pixel B, and a white pixel W are arranged in a matrix of 1 X 4 and form one pixel group . Although only one pixel group is shown for convenience of explanation in FIG. 1, the pixel group is actually arranged in a matrix form having a plurality of rows and a plurality of rows. Since the pixel groups have the same structure, only one pixel group will be described as an example for convenience of explanation. Here, the pixel group is shown as a matrix of 1 X 4, but the present invention is not limited thereto. The shape of the pixel group can be variously modified, such as a line shape, a V shape, and a Z shape.

제1 기판(110)은 화소 전극 영역(10), 연결 전극 영역(20), 및 트랜지스터 영역(30)을 포함한다. 복수의 화소(R, G, B, W)는 화소 전극 영역(10), 연결 전극 영역(20), 및 트랜지스터 영역(30)에 배치된다. 도 1에 도시된 바와 같이 화소 전극 영역(10)은 화소 전극(191)이 배치되는 영역이고 화상을 표시하는 영역이다. 연결 전극 영역(20)은 화소 전극(191)에서 연장된 연결 전극(199)이 배치되는 영역이고 화상을 표시하는 영역이다. 트랜지스터 영역(30)은 박막 트랜지스터(TFT)가 배치되는 영역이고 비표시부이다.The first substrate 110 includes a pixel electrode region 10, a connecting electrode region 20, and a transistor region 30. The plurality of pixels R, G, B, and W are disposed in the pixel electrode region 10, the connecting electrode region 20, and the transistor region 30. As shown in Fig. 1, the pixel electrode region 10 is an area in which the pixel electrode 191 is arranged and is an area for displaying an image. The connection electrode region 20 is a region where the connection electrode 199 extending from the pixel electrode 191 is disposed and is an area for displaying an image. The transistor region 30 is a region where the thin film transistor (TFT) is disposed and is a non-display portion.

한편, 설명의 편의를 위해 적색 색필터(230R)가 배치된 적색 화소(R)를 예를 들어 설명한다. 도 1 에 도시된 복수의 화소(R, G, B, W)는 색필터(230R, 230G, 230B, 230W)의 배치를 제외하고 동일한 구성을 갖는다.Meanwhile, for convenience of explanation, the red pixel R in which the red color filter 230R is arranged will be described as an example. The plurality of pixels R, G, B, and W shown in FIG. 1 have the same configuration except for the arrangement of the color filters 230R, 230G, 230B, and 230W.

액정 표시 장치를 이루는 각각의 구성에 대해 자세히 설명하면 다음과 같다.Each of the constituent elements of the liquid crystal display device will be described in detail as follows.

액정 표시 장치는 서로 마주하는 하부 표시판(100)과 상부 표시판(200) 및 이들 두 표시판(100, 200) 사이에 위치하는 액정층(3)을 포함한다.The liquid crystal display includes a lower panel 100, an upper panel 200, and a liquid crystal layer 3 positioned between the two panels 100 and 200.

먼저, 하부 표시판(100)에 대하여 설명한다.First, the lower panel 100 will be described.

제1 기판(110) 위에 복수의 게이트선(gate line)(121)이 형성되어 있다.A plurality of gate lines 121 are formed on the first substrate 110.

게이트선(121)은 게이트 신호를 전달하고 주로 가로 방향으로 뻗는다. 각 게이트선(121)은 복수의 게이트 전극(gate electrode)(124)을 포함한다.The gate line 121 transmits the gate signal and extends mainly in the horizontal direction. Each gate line 121 includes a plurality of gate electrodes 124.

게이트선(121) 위에 게이트 절연막(gate insulating layer)(140)이 형성되어 있다. 게이트 절연막(140)은 질화규소(SiNx) 또는 산화규소(SiOx) 따위의 무기 절연물 등으로 만들어질 수 있다.A gate insulating layer 140 is formed on the gate line 121. The gate insulating film 140 may be made of an inorganic insulating material such as silicon nitride (SiNx) or silicon oxide (SiOx).

게이트 절연막(140) 위에 복수의 반도체(154)가 형성되어 있다. 반도체(154)는 게이트 전극(124)을 따라 뻗어 있는 돌출부를 포함한다. 이외에도, 반도체(154)는 게이트 전극(124) 위에만 배치될 수도 있다.A plurality of semiconductors 154 are formed on the gate insulating film 140. Semiconductor 154 includes a protrusion extending along gate electrode 124. In addition, the semiconductor 154 may be disposed only on the gate electrode 124.

반도체(154)는 비정질 규소, 다결정 규소, 또는 산화물 반도체를 포함할 수 있다. 산화물 반도체는 아연(Zn), 갈륨(Ga), 인듐(In) 및 주석(Sn)으로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있다.The semiconductor 154 may comprise amorphous silicon, polycrystalline silicon, or oxide semiconductors. The oxide semiconductor may include at least one selected from the group consisting of zinc (Zn), gallium (Ga), indium (In), and tin (Sn).

예컨대, 산화물 반도체는 아연(Zn), 갈륨(Ga), 주석(Sn) 또는 인듐(In)을 기본으로 하는 산화물, 또는 복합 산화물인 산화아연(ZnO), 인듐-갈륨-아연 산화물(InGaZnO4), 인듐-아연 산화물(In-Zn-O), 아연-주석 산화물(Zn-Sn-O) 등과 같은 산화물 반도체 재료를 이용하여 만들어질 수 있다.For example, the oxide semiconductor may be an oxide based on zinc (Zn), gallium (Ga), tin (Sn) or indium (In), or a complex oxide such as zinc oxide (ZnO), indium- gallium- zinc oxide (InGaZnO4) For example, an oxide semiconductor material such as indium-zinc oxide (In-Zn-O), zinc-tin oxide (Zn-Sn-O)

구체적으로, 산화물 반도체는 인듐(In), 갈륨(Ga), 아연(Zn) 및 산소(O)를 포함하는 IGZO계의 산화물을 포함할 수 있다. 이외에도 산화물 반도체는 In-Sn-Zn-O계 금속 산화물, In-Al-Zn-O계 금속 산화물, Sn-Ga-Zn-O계 금속 산화물, Al-Ga-Zn-O계 금속 산화물, Sn-Al-Zn-O계 금속 산화물, In-Zn-O계 금속 산화물, Sn-Zn-O계 금속 산화물, Al-Zn-O계 금속 산화물, In-O계 금속 산화물, Sn-O계 금속 산화물, 및 Zn-O계 금속 산화물을 포함할 수 있다.Specifically, the oxide semiconductor may include an oxide of an IGZO system including indium (In), gallium (Ga), zinc (Zn), and oxygen (O). In addition, the oxide semiconductor may be an In-Sn-Zn-O based metal oxide, an In-Al-Zn-O based metal oxide, a Sn-Ga-Zn-O based metal oxide, Al-Zn-O based metal oxide, In-Zn-O based metal oxide, Sn-Zn-O based metal oxide, Al-Zn-O based metal oxide, In-O based metal oxide, Sn- And a Zn-O-based metal oxide.

반도체(154) 및 반도체 돌출부 위에 복수의 저항성 접촉 부재(ohmic contact)(161, 163, 165)가 형성되어 있다. 저항성 접촉 부재 (161, 163, 165)는 게이트 전극(124)을 중심으로 서로 마주하며 쌍을 이루어 반도체(154) 위에 배치되어 있다.A plurality of ohmic contacts 161, 163, and 165 are formed on the semiconductor 154 and the semiconductor protrusions. The resistive contact members 161, 163, and 165 are disposed on the semiconductor 154 in pairs, facing each other with the gate electrode 124 as a center.

저항성 접촉 부재(161, 163, 165)는 인 따위의 n형 불순물이 고농도로 도핑되어 있는 n+ 수소화 비정질 규소 따위의 물질로 만들어지거나 실리사이드(silicide)로 만들어질 수 있다.The resistive contact members 161, 163, and 165 may be made of a material such as n + hydrogenated amorphous silicon to which phosphorus type n-type impurities are heavily doped, or may be made of silicide.

저항성 접촉 부재(161, 163, 165) 위에 복수의 데이터선(data line)(171)과 복수의 드레인 전극(drain electrode)(175)을 포함하는 데이터 도전체가 형성되어 있다.A data conductor including a plurality of data lines 171 and a plurality of drain electrodes 175 is formed on the resistive contact members 161,

데이터선(171)은 데이터 신호를 전달하며 주로 세로 방향으로 뻗어 게이트선(121)과 교차한다. 각 데이터선(171)은 게이트 전극(124)을 향하여 뻗은 복수의 소스 전극(source electrode)(173)을 포함한다.The data line 171 transmits a data signal and extends mainly in the vertical direction and crosses the gate line 121. Each data line 171 includes a plurality of source electrodes 173 extending toward the gate electrode 124.

드레인 전극(175)은 게이트 전극(124)을 중심으로 소스 전극(173)과 마주한다.The drain electrode 175 faces the source electrode 173 with the gate electrode 124 as a center.

게이트 전극(124), 소스 전극(173) 및 드레인 전극(175)은 반도체(154)와 함께 스위칭 소자인 박막 트랜지스터(thin film transistor, TFT)를 이룬다. 반도체(154)는 데이터선(171), 드레인 전극(175) 및 그 하부의 저항성 접촉 부재(161, 163, 165)와 거의 동일한 평면 형태를 가질 수 있다.The gate electrode 124, the source electrode 173 and the drain electrode 175 constitute a thin film transistor (TFT) as a switching element together with the semiconductor 154. The semiconductor 154 may have substantially the same planar shape as the data line 171, the drain electrode 175 and the resistive contact members 161, 163, and 165 below the data line 171, the drain electrode 175, and the like.

데이터 도전체(171, 175) 및 노출된 반도체(154) 위에 보호막(180)이 위치하며, 보호막(180)은 유기 절연 물질 또는 무기 절연 물질 등으로 이루어질 수 있다. 보호막(180)은 박막 트랜지스터(TFT)를 노출시키는 개구부를 가진다. 한편, 보호막(180)은 생략될 수 있다.The protective film 180 is formed on the data conductors 171 and 175 and the exposed semiconductor 154 and the protective film 180 may be formed of an organic insulating material or an inorganic insulating material. The protective film 180 has an opening for exposing the thin film transistor TFT. On the other hand, the protective film 180 may be omitted.

보호막(180) 위에 절연층(190)이 형성된다. 절연층(190)은 유기물질로 이루어질 수 있다. 절연층(190)은 게이트선(121), 데이터선(171) 및 박막 트랜지스터(TFT) 위에 위치한다. 절연층(190)은 박막 트랜지스터(TFT)를 노출시키는 접촉 구멍(185)을 갖는다. 예를 들어 절연층(190)은 박막 트랜지스터(TFT)의 드레인 전극(175)을 노출시킨다.An insulating layer 190 is formed on the protective film 180. The insulating layer 190 may be made of an organic material. The insulating layer 190 is located on the gate line 121, the data line 171, and the thin film transistor TFT. The insulating layer 190 has a contact hole 185 for exposing the thin film transistor (TFT). For example, the insulating layer 190 exposes the drain electrode 175 of the thin film transistor (TFT).

반사 패턴(130)은 절연층(190) 상에 배치되어 외부광을 반사시킨다. 반사 패턴(130)은 알루미늄, 은, 크롬 또는 그 합금 등의 반사성 금속으로 만들어질 수 있다. 반사층(130)은 외부로부터 입사되는 광의 반사효율을 높이기 위해 표면에 요철(미도시)이 형성될 수 있다.The reflective pattern 130 is disposed on the insulating layer 190 to reflect external light. The reflective pattern 130 may be made of a reflective metal such as aluminum, silver, chromium, or an alloy thereof. The reflective layer 130 may have concavities and convexities (not shown) on its surface to enhance the efficiency of reflection of light incident from the outside.

구체적으로 반사 패턴(130)은 제1 반사 패턴(131)과 제2 반사 패턴(132)을 포함한다.Specifically, the reflection pattern 130 includes a first reflection pattern 131 and a second reflection pattern 132.

제1 반사 패턴(131)은 절연층(190) 상에 배치되고 접촉 구멍(185)을 통해서 박막 트랜지스터(TFT)와 연결된다. 예를 들어 제1 반사 패턴(131)은 접촉 구멍(185) 내에 배치되어 드레인 전극(175)과 연결된다. 또한, 제1 반사 패턴(131)은 후술할 화소 전극(191)의 연결 전극(199)과도 연결된다. 따라서, 제1 반사 패턴(131)은 드레인 전극(175)과 화소 전극(191)을 전기적으로 연결시킨다.The first reflective pattern 131 is disposed on the insulating layer 190 and is connected to the thin film transistor TFT through the contact hole 185. For example, the first reflection pattern 131 is disposed in the contact hole 185 and connected to the drain electrode 175. The first reflection pattern 131 is also connected to the connection electrode 199 of the pixel electrode 191 to be described later. Accordingly, the first reflective pattern 131 electrically connects the drain electrode 175 and the pixel electrode 191.

제1 반사 패턴(131)은 각각의 화소(R, G, B, W)에 배치된다. 즉, 제1 반사 패턴(131)은 매트릭스 형태로 배열된 각각의 화소(R, G, B, W)마다 배치된다. 예를 들어 도 3에 도시된 바와 같이 제1 반사 패턴(131)은 접촉 구멍(185)에 배치되어 드레인 전극(175)과 연결되기 위하여 연결 전극 영역(20)에 배치된다. 또한, 외부광 반사 효율을 높이기 위해 제1 반사 패턴(131)은 트랜지스터 영역(30)에도 배치된다.The first reflection pattern 131 is disposed in each of the pixels R, G, B, and W. That is, the first reflection patterns 131 are arranged for each of the pixels R, G, B, and W arranged in a matrix form. For example, as shown in FIG. 3, the first reflection pattern 131 is disposed in the contact hole 185 and is disposed in the connection electrode region 20 to be connected to the drain electrode 175. The first reflection pattern 131 is also disposed in the transistor region 30 to enhance the external light reflection efficiency.

제2 반사 패턴(132)은 제1 반사 패턴(131)과 이격되어 화소 전극 영역(10)에 배치된다. 도 3에 도시된 바와 같이 제2 반사 패턴(132)은 화소 전극 영역(10)들 사이에 연장된다. 즉, 제2 반사 패턴(132)은 매트릭스 형태로 배열된 복수의 화소(R, G, B, W)에서 각 행마다 라인 형상으로 길게 연장되어 배치된다.The second reflective pattern 132 is disposed in the pixel electrode region 10 away from the first reflective pattern 131. The second reflective pattern 132 extends between the pixel electrode regions 10 as shown in FIG. That is, the second reflection patterns 132 are arranged so as to extend in a line shape for each row in the plurality of pixels R, G, B, and W arranged in a matrix.

한편, 제2 반사 패턴(132)은 게이트선(121)이나 데이터선(171) 등의 신호선과 연결되지 않고 외부에서 입사된 광을 반사시키는 역할만을 한다.The second reflective pattern 132 is not connected to the signal line such as the gate line 121 or the data line 171, but reflects the light incident from the outside.

이와 같이 제1 반사 패턴(131)을 접촉 구멍(185) 내에도 배치함에 따라 외부광의 반사 효율이 올라가고 표시 장치의 휘도를 높일 수 있다.By disposing the first reflection pattern 131 in the contact hole 185 as described above, the reflection efficiency of external light can be increased and the luminance of the display device can be increased.

색필터(230R, 230G, 230B, 230W)는 반사 패턴(130)과 절연층(190) 위에 배치된다. 색필터(230R, 230G, 230B, 230W)는 접촉 구멍(185) 내에 배치된다.The color filters 230R, 230G, 230B, and 230W are disposed on the reflection pattern 130 and the insulating layer 190. [ The color filters 230R, 230G, 230B, and 230W are disposed in the contact hole 185.

색필터(230R, 230G, 230B, 230W)는 화소(R, G, B, W)에 각각 중첩하는 적색 색필터(230R), 녹색 색필터(230G), 청색 색필터(230B) 및 백색 색필터(230W)를 포함한다. 색필터(230R, 230G, 230B, 230W)는 기본색(primary color) 중 하나를 고유하게 표시할 수 있으며, 기본색의 예로는 적색, 녹색, 청색 등 삼원색 또는 황색(yellow), 청록색(cyan), 자홍색(magenta) 등을 들 수 있다. 색필터(230R, 230G, 230B)는 유기 물질로 이루어진다. 한편, 백색 색필터(230W)는 생략될 수 있다.The color filters 230R, 230G, 230B and 230W have red color filters 230R, green color filters 230G, blue color filters 230B, and white color filters 230R, (230W). The color filters 230R, 230G, 230B and 230W can uniquely display one of the primary colors. Examples of the primary colors include three primary colors such as red, green, and blue, or yellow, cyan, , Magenta (magenta), and the like. The color filters 230R, 230G, and 230B are made of an organic material. On the other hand, the white color filter 230W may be omitted.

이와 같이 색필터(230R, 230G, 230B, 230W)를 접촉 구멍(185)내에도 배치함에 따라 색재현율을 높일 수 있고 색필터(230R, 230G, 230B, 230W)의 개구부를 제거함에 따라 빛샘 현상을 방지할 수 있다.By arranging the color filters 230R, 230G, 230B and 230W in the contact holes 185 as well, the color reproduction ratio can be increased and the opening of the color filters 230R, 230G, 230B and 230W is removed, .

색필터(230R, 230G, 230B, 230W), 절연층(190), 및 반사 패턴(130) 위에 화소 전극(191) 및 연결 전극(199)이 배치된다. 화소 전극(191)은 제2 반사 패턴(132)위에 배치되어, 연결 전극(199)을 통해 제1 반사 패턴(131)과 연결된다. 제1 반사 패턴(131)은 접촉 구멍(185)을 통하여 드레인 전극(175)과 전기적으로 연결되므로 화소 전극(191)은 제1 반사 패턴(131)을 통하여 데이터 전압을 전달받는다. 데이터 전압을 인가받은 화소 전극(191)은 공통 전압을 인가받은 공통 전극(270)과 함께 액정층(3)에 전기장을 생성한다. 화소 전극(191)은 각각의 화소 전극 영역(10)에 배치된다.The pixel electrode 191 and the connection electrode 199 are disposed on the color filters 230R, 230G, 230B and 230W, the insulating layer 190, and the reflection pattern 130. [ The pixel electrode 191 is disposed on the second reflection pattern 132 and connected to the first reflection pattern 131 through the connection electrode 199. The first reflective pattern 131 is electrically connected to the drain electrode 175 through the contact hole 185 so that the pixel electrode 191 receives the data voltage through the first reflective pattern 131. The pixel electrode 191 receiving the data voltage generates an electric field in the liquid crystal layer 3 together with the common electrode 270 to which the common voltage is applied. The pixel electrodes 191 are arranged in the respective pixel electrode regions 10.

연결 전극 영역(20)에 연결 전극(199)이 배치되고 화소 전극(191)과 연결된다. 연결 전극(199)은 화소 전극(191)에서 연장되거나 화소 전극(191)과 이격되어 별도로 형성될 수 있다. 연결 전극(199)이 화소 전극(191)과 이격되어 형성될 경우 브릿지 방식 등을 통하여 화소 전극(191)과 연결시켜야 한다. 화소 전극(191)과 연결 전극(199)이 배치된 영역(10, 20)에 색필터(230R, 230G, 230B, 230W)가 배치된다. 색필터(230R, 230G, 230B, 230W)는 제1 반사 패턴(131)과 화소 전극(191) 사이에 배치된다. 따라서, 화소 전극 영역(10)과 연결 전극 영역(20)은 표시 영역으로 기능한다.A connection electrode 199 is disposed in the connection electrode region 20 and is connected to the pixel electrode 191. The connection electrode 199 may extend from the pixel electrode 191 or may be formed separately from the pixel electrode 191. When the connection electrode 199 is formed apart from the pixel electrode 191, the connection electrode 199 should be connected to the pixel electrode 191 through a bridge method or the like. The color filters 230R, 230G, 230B, and 230W are disposed in the regions 10 and 20 where the pixel electrode 191 and the connection electrode 199 are disposed. The color filters 230R, 230G, 230B, and 230W are disposed between the first reflective pattern 131 and the pixel electrode 191. [ Therefore, the pixel electrode region 10 and the connecting electrode region 20 function as a display region.

화소 전극(191) 및 연결 전극(199)은 ITO 또는 IZO 등의 투명한 도전 물질로 만들어질 수 있다.The pixel electrode 191 and the connection electrode 199 may be made of a transparent conductive material such as ITO or IZO.

그러면, 상부 표시판(200)에 대하여 설명한다.The upper display panel 200 will now be described.

제2 기판(210) 위에 게이트선(121), 데이터선(171) 및 트랜지스터 영역(30)과 대응하는 부분에 블랙 매트릭스(black matrix)라고 하는 차광 부재(220)가 형성되어 있다. 차광 부재(220)는 빛샘을 막아준다. 차광 부재(220)는 화소 전극(191)과 마주보며 화소 전극(191)과 거의 동일한 모양을 가지는 복수의 개구부를 가지고 있다. 그러나 차광 부재(220)는 게이트선(121) 및 데이터선(171)에 대응하는 부분과 트랜지스터 영역(30)에 대응하는 부분으로 이루어질 수 있다. 차광 부재(220) 위에 덮개막(250)이 형성되어 있다. 덮개막(250)은 차광 부재(220)가 노출되는 것을 방지하고 평탄면을 제공하는 것으로, 생략할 수 있다.A light shielding member 220 called a black matrix is formed on a portion of the second substrate 210 corresponding to the gate line 121, the data line 171 and the transistor region 30. The light shielding member 220 blocks light leakage. The light shielding member 220 has a plurality of openings facing the pixel electrode 191 and having substantially the same shape as the pixel electrode 191. However, the light shielding member 220 may be composed of a portion corresponding to the gate line 121 and the data line 171 and a portion corresponding to the transistor region 30. A cover film (250) is formed on the light shielding member (220). The cover film 250 prevents the light shielding member 220 from being exposed and provides a flat surface, which can be omitted.

덮개막(250) 위에 공통 전극(common electrode)(270)이 형성되어 있다. 공통 전극(270)은 ITO 또는 IZO 등의 투명한 도전 물질로 만들어질 수 있다. 공통 전극(270)은 면형으로서 제2 기판(210) 전면 위에 통판으로 형성되어 있을 수 있다.A common electrode 270 is formed on the cover film 250. The common electrode 270 may be made of a transparent conductive material such as ITO or IZO. The common electrode 270 may be formed as a through-hole on the front surface of the second substrate 210 as a planar surface.

두 표시판(100, 200)의 안쪽 면에는 배향막(alignment layer)(미도시)이 각각 형성되어 있다. 표시판(100, 200)의 바깥쪽 면에 편광판(polarizer)(미도시)이 각각 구비되어 있는데, 두 편광판의 편광축은 직교 또는 평행하다. 반사형 액정 표시 장치의 경우에는 두 개의 편광판 중 하나가 생략될 수 있다.An alignment layer (not shown) is formed on the inner surfaces of the two display panels 100 and 200, respectively. A polarizer (not shown) is provided on the outer surface of the display panels 100 and 200, respectively. The polarization axes of the two polarizers are orthogonal or parallel. In the case of a reflective liquid crystal display device, one of the two polarizing plates may be omitted.

하부 표시판(100)과 상부 표시판(200) 사이에 들어 있는 액정층(3)은 액정 분자(도시하지 않음)를 포함하며 액정 분자는 전기장이 없는 상태에서 그 장축이 두 표시판(100, 200)의 표면에 대하여 수평을 이루도록 배향되어 있을 수 있다.The liquid crystal layer 3 disposed between the lower panel 100 and the upper panel 200 includes liquid crystal molecules (not shown) And may be oriented to be horizontal with respect to the surface.

액정층(3)은 양의 유전율 이방성을 가질 수 있고, 음의 유전율 이방성을 가질 수도 있다. 액정층(3)의 액정 분자는 일정한 방향으로 선경사를 가지도록 배향되어 있을 수 있고, 이러한 액정 분자의 선경사 방향은 액정층(3)의 유전율 이방성에 따라 변화가능하다.The liquid crystal layer 3 may have a positive dielectric anisotropy and a negative dielectric anisotropy. The liquid crystal molecules of the liquid crystal layer 3 may be oriented so as to have a linear gradient in a certain direction and the linear inclination direction of the liquid crystal molecules may vary in accordance with the dielectric anisotropy of the liquid crystal layer 3. [

데이터 전압이 인가된 화소 전극(191)은 공통 전압을 인가받는 공통 전극(270)과 함께 액정층(3)에 전기장을 생성함으로써 액정층(3)의 액정 분자의 방향을 결정하고 해당 영상을 표시한다.The pixel electrode 191 to which the data voltage is applied generates an electric field in the liquid crystal layer 3 together with the common electrode 270 to which the common voltage is applied to thereby determine the direction of the liquid crystal molecules of the liquid crystal layer 3, do.

하기에서 도 4 및 도 5를 참조하여 본 발명의 실시예 2에 따른 액정 표시 장치를 설명한다. 설명의 편의를 위해 실시예 1과 동일한 구성에 대한 설명은 생략한다.A liquid crystal display according to a second embodiment of the present invention will now be described with reference to FIGS. 4 and 5. FIG. The description of the same configuration as that of the first embodiment is omitted for the convenience of explanation.

도 4는 본 발명의 실시예 2에 따른 표시 장치를 나타낸 단면도이다. 도 5는 A 영역을 개략적으로 나타낸 평면도이다.4 is a cross-sectional view showing a display device according to a second embodiment of the present invention. FIG. 5 is a plan view schematically showing the area A. FIG.

도 4 및 도 5를 참조하면, 본 발명의 실시예 2에 따른 표시 장치는 접촉 구멍(185) 내에 배치된 절연 패턴(192)을 더 포함한다.Referring to Figs. 4 and 5, the display device according to Embodiment 2 of the present invention further includes an insulating pattern 192 disposed in the contact hole 185. Fig.

절연 패턴(192)은 절연층(190)과 동시에 형성되어 동일한 물질로 이루어진다. 절연 패턴(192)은 기둥 형상을 갖고 평면 상에서 접촉 구멍(185)의 면적보다 작은 면적을 갖는다. 즉, 복수의 절연 패턴(192)이 접촉 구멍(185) 내에서 도 5에 도시된 바와 같이 배치된다. 한편, 절연 패턴(192) 위에 제1 반사 패턴(131)과 색필터(230R, 230B, 230G, 230W, 도1에 도시)가 순차적으로 배치된다.The insulating pattern 192 is formed simultaneously with the insulating layer 190 and made of the same material. The insulating pattern 192 has a columnar shape and has an area smaller than the area of the contact hole 185 on a plane. That is, a plurality of insulating patterns 192 are arranged in the contact hole 185 as shown in FIG. On the other hand, the first reflection pattern 131 and the color filters 230R, 230B, 230G, and 230W (shown in FIG. 1) are sequentially arranged on the insulating pattern 192. FIG.

이와 같이 접촉 구멍(185) 내에 절연 패턴(192)를 배치함에 따라 단차가 보상되고, 접촉 구멍(185) 근처에서 액정 제어력이 향상된다.By arranging the insulating pattern 192 in the contact hole 185 as described above, the step difference is compensated and the liquid crystal control force is improved in the vicinity of the contact hole 185.

하기에서 도 6 내지 도 8을 참고하여 본 발명의 실시예 3 내지 5에 따른 액정 표시 장치를 설명한다. 설명의 편의를 위해 실시예 1과 동일한 구성에 대한 설명은 생략한다.Hereinafter, a liquid crystal display according to embodiments 3 to 5 of the present invention will be described with reference to FIGS. 6 to 8. FIG. The description of the same configuration as that of the first embodiment is omitted for the convenience of explanation.

도 6은 본 발명의 실시예 3에 따른 표시 장치의 단면도이다. 도 7은 본 발명의 실시예 4에 따른 제1 반사 패턴을 개략적으로 나타낸 평면도이다. 도 8은 본 발명의 실시예 5에 따른 반사 패턴을 개략적으로 나타낸 평면도이다.6 is a cross-sectional view of a display device according to a third embodiment of the present invention. 7 is a plan view schematically showing a first reflection pattern according to a fourth embodiment of the present invention. 8 is a plan view schematically showing a reflection pattern according to a fifth embodiment of the present invention.

도 1 및 도 6을 참조하면, 본 발명의 실시예 3에 따른 표시 장치는 접촉 구멍(185) 내에 백색 물질(240)이 배치된다. 백색 물질(240)은 투명한 물질로서 예를 들어 화이트(White) 포토레지스트 물질일 수 있다. 백색 물질(240)은 백색 필터(230W)와 동일한 물질로 이루어질 수 있다. 즉, 실시예 1과 달리 적색 색필터(230R), 녹색 색필터(230G) 및 청색 색필터(230B)는 접촉 구멍(185) 근처에 배치되지 않고 백색 물질(240)이 배치되어 접촉 구멍(185) 근처의 단차를 보상할 수 있다. 따라서, 접촉 구멍(185) 근처에서의 액정 제어력이 향상될 수 있다.Referring to FIGS. 1 and 6, a display device according to Embodiment 3 of the present invention has a white material 240 disposed in a contact hole 185. The white material 240 may be, for example, a white photoresist material as a transparent material. The white material 240 may be made of the same material as the white filter 230W. That is, unlike the first embodiment, the red color filter 230R, the green color filter 230G, and the blue color filter 230B are not disposed near the contact hole 185, ) Can be compensated for. Therefore, the liquid crystal control force near the contact hole 185 can be improved.

도 1 및 도 7을 참조하면, 본 발명의 실시예 4에 따른 제1 반사 패턴(131)은 각각의 화소(R, G, B, W)에 배치된다. 구체적으로 실시예 1과 달리 제1 반사 패턴(131)은 화소 전극 영역(10), 연결 전극 영역(20) 및 트랜지스터 영역(30)에 모두 배치되고 제2 반사 패턴(132)은 제거된다. 또한, 제1 반사 패턴(131)은 서로 이격되고 화소 전극 영역(10) 사이에 연장되지 않는다. 즉, 실시예 4에 따른 제1 반사 패턴(131)은 각 화소(R, G, B, W)에 대응하여 화소(R, G, B, W)의 개수와 동일한 개수로 배치된다. 이와 같이 제1 반사 패턴(131)을 배치하여도 실시예 1과 동일하게 표시 장치의 휘도를 높일 수 있다.Referring to FIGS. 1 and 7, the first reflection pattern 131 according to the fourth embodiment of the present invention is disposed in each of the pixels R, G, B, and W. FIG. Specifically, unlike the first embodiment, the first reflection pattern 131 is disposed in both the pixel electrode region 10, the connection electrode region 20, and the transistor region 30, and the second reflection pattern 132 is removed. Further, the first reflection patterns 131 are spaced apart from each other and do not extend between the pixel electrode regions 10. That is, the first reflection patterns 131 according to the fourth embodiment are arranged in the same number as the number of the pixels R, G, B, and W corresponding to the respective pixels R, G, B, and W. Even if the first reflection pattern 131 is disposed in this manner, the brightness of the display device can be increased as in the first embodiment.

도 1 및 도 8을 참조하면, 본 발명의 실시예 5에 따른 제2 반사 패턴(132)은 화소 전극 영역(10) 사이에 연장되지 않는다. 즉, 제2 반사 패턴(132)은 서로 이격되어 각각의 화소 전극 영역(10)에 배치된다. 이와 같이 제2 반사 패턴(132)을 배치하여도 실시예 1과 동일하게 표시 장치의 휘도를 높일 수 있다.Referring to FIGS. 1 and 8, the second reflective pattern 132 according to the fifth embodiment of the present invention does not extend between the pixel electrode regions 10. In other words, the second reflection patterns 132 are spaced from each other and disposed in the respective pixel electrode regions 10. Even if the second reflective pattern 132 is disposed in this manner, the brightness of the display device can be increased as in the first embodiment.

이상에서 설명된 본 발명의 표시 장치의 실시예는 예시적인 것에 불과하며, 본 발명의 보호범위는 본 발명 기술분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등예를 포함할 수 있다.The embodiments of the display device of the present invention described above are merely illustrative, and the scope of protection of the present invention may include various modifications and equivalents to those skilled in the art.

3: 액정층 100: 하부 표시판
110: 제1 기판 121: 게이트선
124: 게이트 전극 130: 반사 패턴
131: 제1 반사 패턴 132: 제2 반사 패턴
140: 게이트 절연막 154: 반도체
161, 163, 165: 저항성 접촉 부재
171: 데이터선 173: 소스 전극
175: 드레인 전극 180: 보호막
185: 접촉 구멍 190: 절연층
191: 화소 전극 199: 연결 전극
200: 상부 표시판 210: 제2 기판
220: 차광 부재 230R, 230G, 230B: 색필터
250: 덮개막 270: 공통 전극3: liquid crystal layer 100: lower panel
110: first substrate 121: gate line
124: gate electrode 130: reflection pattern
131: first reflection pattern 132: second reflection pattern
140: gate insulating film 154: semiconductor
161, 163, 165: Resistive contact member
171: Data line 173: Source electrode
175: drain electrode 180: protective film
185: contact hole 190: insulating layer
191: pixel electrode 199: connecting electrode
200: upper display panel 210: second substrate
220: shielding members 230R, 230G, 230B: color filter
250: cover film 270: common electrode

Claims (20)

기판;
상기 기판 위에 배치된 박막 트랜지스터;
상기 박막 트랜지스터 위에 위치하고 상기 박막 트랜지스터를 노출시키는 접촉 구멍을 갖는 절연층; 및
상기 절연층 상에 배치되고 상기 접촉 구멍을 통해서 상기 박막 트랜지스터와 연결된 제1 반사 패턴;을 포함하는 표시 장치.Board;
A thin film transistor disposed on the substrate;
An insulating layer disposed on the thin film transistor and having a contact hole exposing the thin film transistor; And
And a first reflection pattern disposed on the insulating layer and connected to the thin film transistor through the contact hole. 제1 항에 있어서,
상기 제1 반사 패턴은 상기 접촉 구멍을 통해서 상기 박막 트랜지스터의 드레인 전극과 연결되는 표시 장치.The method according to claim 1,
Wherein the first reflective pattern is connected to the drain electrode of the thin film transistor through the contact hole. 제1 항에 있어서,
화소 전극 영역과 연결 전극 영역을 갖는 복수의 화소를 포함하고,
상기 제1 반사 패턴은 상기 화소 전극 영역과 상기 연결 전극 영역에 배치된 표시 장치.The method according to claim 1,
A plurality of pixels each having a pixel electrode region and a connecting electrode region,
Wherein the first reflective pattern is disposed in the pixel electrode region and the connection electrode region. 제1 항에 있어서,
화소 전극 영역과 연결 전극 영역을 갖는 복수의 화소를 포함하고,
상기 제1 반사 패턴은 상기 연결 전극 영역에 배치되고,
상기 제1 반사 패턴과 이격되어 상기 화소 전극 영역에 배치되는 제2 반사 패턴을 더 포함하는 표시 장치.The method according to claim 1,
A plurality of pixels each having a pixel electrode region and a connecting electrode region,
Wherein the first reflection pattern is disposed in the connection electrode region,
And a second reflective pattern spaced apart from the first reflective pattern and disposed in the pixel electrode region. 제4 항에 있어서,
상기 제2 반사 패턴은 상기 화소 전극 영역들 사이에 연장된 표시 장치.5. The method of claim 4,
And the second reflective pattern extends between the pixel electrode regions. 제1 항에 있어서
상기 접촉 구멍 내에 배치된 절연 패턴을 더 포함하는 표시 장치.The method of claim 1, wherein
And an insulating pattern disposed in the contact hole. 제6 항에 있어서,
상기 제1 반사 패턴은 상기 절연 패턴 위에 배치된 표시 장치.The method according to claim 6,
Wherein the first reflection pattern is disposed on the insulation pattern. 제7 항에 있어서,
상기 절연층과 상기 절연 패턴은 동일한 물질로 이루어진 표시 장치.8. The method of claim 7,
Wherein the insulating layer and the insulating pattern are made of the same material. 제7 항에 있어서,
상기 절연 패턴은 평면 상에서 상기 접촉 구멍의 면적보다 작은 면적을 갖는 표시 장치.8. The method of claim 7,
Wherein the insulating pattern has an area smaller than an area of the contact hole in a plan view. 제9 항에 있어서,
상기 절연 패턴은 기둥 형상을 갖는 표시 장치.10. The method of claim 9,
Wherein the insulating pattern has a columnar shape. 제1 항에 있어서,
상기 제1 반사 패턴 위에 배치된 색필터;를 더 포함하는 표시 장치.The method according to claim 1,
And a color filter disposed on the first reflection pattern. 제11 항에 있어서,
상기 색필터는 상기 접촉 구멍 내에 배치된 표시 장치.12. The method of claim 11,
And the color filter is disposed in the contact hole. 제11 항에 있어서,
상기 접촉 구멍 내에 배치된 백색 물질을 더 포함하는 표시 장치.12. The method of claim 11,
And a white material disposed in the contact hole. 제13 항에 있어서,
상기 색필터는 백색 필터를 포함하고, 상기 백색 물질은 상기 백색 필터와 동일한 물질로 이루어진 표시 장치.14. The method of claim 13,
Wherein the color filter comprises a white filter and the white material comprises the same material as the white filter. 제1 항에 있어서,
상기 제1 반사 패턴 위에 배치되고 상기 제1 반사 패턴과 연결되는 화소 전극을 더 포함하는 표시 장치.The method according to claim 1,
And a pixel electrode disposed on the first reflection pattern and connected to the first reflection pattern. 제15 항에 있어서,
상기 제1 반사 패턴과 상기 화소 전극 사이에 배치되는 색필터를 더 포함하는 표시 장치.16. The method of claim 15,
And a color filter disposed between the first reflective pattern and the pixel electrode. 제16 항에 있어서,
상기 제1 반사 패턴과 상기 색필터는 상기 접촉 구멍 내에 배치된 표시 장치.17. The method of claim 16,
Wherein the first reflection pattern and the color filter are disposed in the contact hole. 제17 항에 있어서,
상기 접촉 구멍 내에 배치된 절연 패턴을 더 포함하고, 상기 제1 반사 패턴은 상기 절연 패턴 위에 배치된 표시 장치.18. The method of claim 17,
Further comprising an insulating pattern disposed in the contact hole, wherein the first reflective pattern is disposed on the insulating pattern. 제18 항에 있어서,
상기 절연층과 상기 절연 패턴은 동일한 물질로 이루어진 표시 장치.19. The method of claim 18,
Wherein the insulating layer and the insulating pattern are made of the same material. 제18 항에 있어서,
상기 절연 패턴은 평면 상에서 상기 접촉 구멍의 면적보다 작은 면적을 갖는 표시 장치.19. The method of claim 18,
Wherein the insulating pattern has an area smaller than an area of the contact hole in a plan view.
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