KR20170105174A - 터치 센서들을 가지는 표시장치와 그 게이트 구동회로 - Google Patents

터치 센서들을 가지는 표시장치와 그 게이트 구동회로 Download PDF

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Abstract

본 발명은 표시패널에 터치 센서들이 내장된 표시장치와 그 게이트 구동회로에 관한 것이다. 이 표시장치의 게이트 구동회로는 종속적으로 접속된 스테이지들 각각의 Q 노드의 전압에 응답하여 게이트 신호를 시프트시키는 시프트 레지스터를 포함한다. 이 시프트 레지스터에서 앞단 게이트 출력에 응답하여 각 블록의 첫 번째 게이트 라인으로 상기 게이트 신호를 출력하는 제1 스테이지들 각각은, Q 노드와 QB 노드 사이에 접속되어 상기 터치 센싱 기간에서 상기 Q 노드의 전압이 방전되는 것을 보상하는 인버터부를 포함한다.

Description

터치 센서들을 가지는 표시장치와 그 게이트 구동회로{DISPLAY DEVICE HAVING TOUCH SENSORS AND GATE DRIVING CIRCUIT THEREOF}
본 발명은 표시패널에 터치 센서들이 내장된 표시장치와 그 게이트 구동회로에 관한 것이다.
유저 인터페이스(User Interface, UI)는 사람(사용자)과 각종 전기, 전자 기기 등의 통신을 가능하게 하여 사용자가 기기를 쉽게 자신이 원하는 대로 쉽게 제어할 수 있게 한다. 유저 인터페이스의 대표적인 예로는 키패드, 키보드, 마우스, 온스크린 디스플레이(On Screen Display, OSD), 적외선 통신 혹은 고주파(RF) 통신 기능을 갖는 원격 제어기(Remote controller) 등이 있다. 유저 인터페이스 기술은 사용자 감성과 조작 편의성을 높이는 방향으로 발전을 거듭하고 있다. 최근, 유저 인터페이스는 터치 UI, 음성 인식 UI, 3D UI 등으로 진화되고 있다.
터치 UI는 휴대용 정보기기에 필수적으로 채택되고 있는 추세에 있으며, 가전 제품에도 확대 적용되고 있다. 정전 용량 방식의 터치 센싱 시스템은 터치 스크린의 구조가 기존의 저항막 방식에 비하여 내구성과 선명도가 높고, 다양한 어플리케이션에 적용될 수 있는 장점이 있다.
인셀 터치(In-cell Touch) 기술은 표시패널의 픽셀 어레이에 터치 센서들을 내장한다. 인셀 터치 기술은 터치 센서들과 픽셀들이 전기적으로 커플링(coupling)되기 때문에 픽셀들에 인가되는 신호가 터치 센서들에 노이즈로 작용할 수 있다. 표시패널에 터치 센서들이 내장된 경우에, 픽셀들과 터치 센서들의 상호 영향을 줄이기 위하여, 표시패널의 1 프레임 기간(Frame period)을 픽셀들에 입력 영상의 데이터를 기입하는 디스플레이 기간과, 터치 센서들을 구동하는 터치 센싱 기간으로 시분할할 수 있다.
터치 감도 향상을 위하여, 터치 레포트 레이트(Touch Report Rate)는 기존의 60Hz에서 100Hz 이상으로 증가하는 추세에 있다. 인셀 터치 기술에서 60Hz의 터치 레포트 레이트로 터치 입력을 센싱하는 방법은 1 프레임 기간 내에서 1 프레임 데이터를 모두 픽셀들에 기입한 후에 터치 입력을 센싱한다. 이에 비하여, 120Hz 이상의 터치 레포트 레이트로 터치 입력을 센싱하는 방법은 도 1 및 도 2와 같이 1 프레임 기간 내에서 디스플레이 기간을 다수로 분할하고 그 사이 마다 터치 입력을 센싱한다. 그런데 이 방법은 게이트 구동회로의 회로 특성 때문에 디스플레이 기간 사이의 터치 센싱 기간 직후 디스플레이 기간이 다시 시작하는 첫 번째 라인에서 게이트 신호의 전압이 낮아져 라인 형태로 밝기가 낮아지는 소위 라인 딤(Line Dim) 현상이 발생된다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 표시패널의 1 프레임 기간은 다수의 디스플레이 기간과, 다수의 터치 센싱 기간으로 시분할될 수 있다. 표시패널의 화면이 도 1과 같이 제1 및 제2 블록(B1, B2)으로 분할되면, 제1 디스플레이 기간(Td1) 동안 제1 블록(B1)의 픽셀들에 입력 영상의 데이터들이 기입된 후, 제1 터치 센싱 기간(Tt1) 동안 터치 센서들을 구동하여 터치 입력을 센싱한다. 이어서, 제2 디스플레이 기간(Td2) 동안 제2 블록(B2)의 픽셀들에 입력 영상의 데이터들이 기입된 후, 제2 터치 센싱 기간(Tt2) 동안 터치 센서들을 구동하여 터치 입력을 센싱한다.
게이트 구동회로는 시프트 레지스터(shift register)를 이용하여 게이트 라인들에 인가되는 게이트 신호를 순차적으로 시프트(shift)한다. 게이트 신호는 입력 영상의 데이터 신호에 동기되어 데이터 신호이 충전될 픽셀들을 1 라인씩 순차적으로 선택한다. 이를 위해, 게이트 구동회로의 시프트 레지스터는 종속적으로 접속된 스테이지들을 포함한다. 시프트 레지스터의 스테이지들은 종속적으로 접속되어 스타트 펄스 또는 앞단 스테이지의 출력을 입력 받아 Q 노드를 충전한다. 디스플레이 기간이 분할되지 않고 연속되면 시프트 레지스터의 모든 스테이지들은 Q 노드 충전 기간(이하, Q Stanby 기간)이 대략 k(k는 2 이상의 자연수) 수평 기간으로 같다.
그러나 도 2와 같이 디스플레이 기간이 분할되고 그 사이에서 터치 센싱 기간이 할당되면, 터치 센싱 기간 직후 첫 번째 출력을 생성하는 스테이지의 Q 노드는 도 3과 같이 터치 센싱 기간만큼 방전(decay)되어 비정상적인 낮은 출력을 생성한다. 즉, 제2 블록(B2)의 첫 번째 게이트라인에 접속된 스테이지의 Q 노드는, 제1 블록(B1)의 마지막 번째 게이트라인에 인가되는 게이트신호에 의해 충전된 후 터치 센싱 기간만큼 방전(decay)되어 낮은 출력을 생성한다. FHD(Full High Definition)의 경우에 1 수평 기간은 대략 6.0 μs 이고 터치 센싱 기간은 100 μs 이상이다. 따라서, 터치 센싱 기간 직후 첫 번째 출력을 생성하는 스테이지의 Q Stanby 기간은 100 μs 이상인 반면에 그 이외의 다른 스테이지의 Q Stanby 기간은 12.0 μs 정도이다. Q Stanby 기간이 길수록 Q 노드의 방전 시간(decay time)이 길어지기 때문에 터치 센싱 기간 직후 디스플레이 기간이 다시 시작하는 첫 번째 라인에서 라인 딤(Line Dim) 현상이 보이게 된다. 또한, Q Stanby 기간이 길수록 Q 노드의 방전 시간(decay time)이 길어지기 때문에, 터치 센싱 기간 직후 첫 번째 출력을 생성하는 특정 스테이지에서 부트 스트랩핑(Bootstraping)이 이뤄지지 않아 게이트신호를 출력하지 못하게 되고, 이에 따라 특정 스테이지 보다 늦게 게이트신호를 출력하는 뒷단 스테이지들에서도 연쇄적으로 게이트신호를 출력하지 못하게 될 수 있다.
이러한 문제를 해결하기 위해 터치 센싱 기간 직후 첫 번째 출력을 생성하는 스테이지에 앞단 스테이지의 출력 대신에 별도의 스타트 펄스를 인가하는 방안을 고려해 볼 수 있다. 스타트 펄스를 인가하기 위한 신호 배선은 게이트 시프트 클럭들을 인가하기 위한 신호 배선들과 함께 표시패널의 비 표시영역(베젤 영역)에 형성되므로, 스타트 펄스를 인가하기 위한 신호 배선의 개수가 늘어나면 베젤 사이즈가 증가하는 단점이 있다.
따라서, 본 발명의 목적은 표시패널에 터치 센서들이 내장된 표시장치에서 베젤 사이즈의 증가 없이 터치 센싱 기간 직후 첫 번째 출력을 생성하는 스테이지에서 비 정상적인 출력을 방지할 수 있는 표시장치와 그 게이트 구동회로를 제공하는 데 있다.
본 발명의 표시장치는 터치 센서들이 내장된 픽셀 어레이를 포함하고, 상기 픽셀 어레이가 다수의 블록들로 분할 구동되는 표시패널과, 디스플레이 기간 동안, 상기 블록들에 입력 영상의 데이터가 기입되도록 게이트 신호를 상기 표시패널의 게이트 라인들에 순차적으로 공급하는 게이트 구동회로와, 디스플레이 기간들 사이의 터치 센싱 기간 동안, 터치 인에이블 신호에 응답하여 상기 터치 센서들을 구동하는 터치 센싱 회로를 포함한다. 상기 게이트 구동회로는 종속적으로 접속된 스테이지들 각각의 Q 노드의 전압에 응답하여 상기 게이트 신호를 시프트시키는 시프트 레지스터를 포함하고, 상기 시프트 레지스터에서 앞단 게이트 출력에 응답하여 각 블록의 첫 번째 게이트 라인으로 상기 게이트 신호를 출력하는 제1 스테이지들 각각은, Q 노드와 QB 노드 사이에 접속되어 상기 터치 센싱 기간에서 상기 Q 노드의 전압이 방전되는 것을 보상하는 인버터부를 포함한다.
본 발명은 터치 센싱 기간 직후 첫 번째 출력을 생성하는 스테이지에 인버터부를 추가하고, 그 인버터부를 이용하여 해당 스테이지의 Q 노드를 터치 센싱 기간에 충전한다. 그 결과, 본 발명의 표시장치는 표시패널에 터치 센서들이 내장된 표시장치에서 디스플레이 기간이 재개될 때 비 정상적인 게이트 출력으로 인한 라인 딤 현상 등을 방지하여 화질을 향상시킬 수 있다.
나아가, 본 발명은 터치 센싱 기간 직후 첫 번째 출력을 생성하는 스테이지에 별도의 스타트 펄스를 인가하지 않고 앞단 스테이지의 게이트 출력을 캐리 신호로 인가하기 때문에, 스타트 펄스를 인가하기 위한 신호 배선수를 최소한으로 할 수 있고, 그 결과 베젤 사이즈의 증가없이도 위와 같은 기술적 효과를 달성할 수 있다.
도 1은 표시패널의 화면이 2 분할된 예를 보여 주는 도면이다.
도 2는 도 1과 같은 표시패널의 픽셀들과 터치 센서들을 시분할 구동하는 방법을 보여 주는 타이밍도이다.
도 3은 도 2와 같은 시분할 구동시 터치 센싱 기간 직후 첫 번째 출력을 생성하는 스테이지에서 비 정상적인 출력이 발생되는 원리를 설명하기 위한 도면이다.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 표시장치를 보여 주는 블록도이다.
도 5는 픽셀 어레이에 내장된 터치 센서의 일 예를 보여 주는 도면이다.
도 6은 도 4와 같은 표시패널의 픽셀들과 터치 센서들을 시분할 구동하는 방법을 보여 주는 타이밍도이다.
도 7은 게이트 구동회로의 시프트 레지스터 구성을 개략적으로 보여 주는 도면이다.
도 8은 시프트 레지스터의 스테이지들을 구성하는 회로 타입의 일 예를 보여주는 도면이다.
도 9는 시프트 레지스터의 스테이지들을 구성하는 회로 타입의 다른 예를 보여주는 도면이다.
도 10a 및 도 10b는 본 발명에 따른 인버터부를 포함하지 않는 도 8의 회로 타입 A에 대한 예들을 보여주는 도면들이다.
도 11a 및 도 11b는 본 발명에 따른 인버터부를 포함하는 도 8 및 도 9의 회로 타입 B에 대한 예들을 보여주는 도면들이다.
도 12 및 도 13은 본 발명에 따른 인버터부의 다양한 예들을 보여주는 도면들이다.
도 14는 도 12 및 도 13의 인버터부의 입력 및 출력 신호와 그에 따른 결과를 보여주는 파형도이다.
도 15는 터치 센싱 기간 직후 첫 번째 출력을 생성하는 제n+1 스테이지에서 Q 노드의 방전이 보상되어 정상적인 출력이 생성되는 것을 보여주는 도면이다.
본 발명의 표시장치는 액정표시장치(Liquid Crystal Display, LCD), 전계방출 표시장치(Field Emission Display, FED), 플라즈마 디스플레이 패널(Plasma Display Panel, PDP), 유기발광 다이오드 표시장치(Organic Light Emitting Display, OLED), 전기영동 표시소자(Electrophoresis, EPD) 등의 평판 표시장치로 구현될 수 있다.
이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 바람직한 실시예들을 상세히 설명한다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호들은 실질적으로 동일한 구성요소들을 의미한다. 이하의 설명에서, 본 발명과 관련된 공지 기능 혹은 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우, 그 상세한 설명을 생략한다.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 표시장치를 보여 준다. 도 5는 픽셀 어레이에 내장된 터치 센서의 일 예를 보여 준다. 도 6은 도 4와 같은 표시패널의 픽셀들과 터치 센서들을 시분할 구동하는 방법을 보여 준다. 그리고, 도 7은 게이트 구동회로의 시프트 레지스터 구성을 개략적으로 보여 준다.
도 4 내지 도 6을 참조하면, 본 발명의 표시장치는 표시패널(10), 데이터 구동회로(12), 게이트 구동회로(13), 터치 센싱 회로(20) 등을 포함한다.
표시패널(10)의 1 프레임 기간은 다수의 디스플레이 기간들(Td1,Td2,…Td20)과, 다수의 터치 센싱 기간들(Tt1,Tt2,…Tt20)로 시분할될 수 있다. 표시패널(10)은 둘 이상의 블록들(B1~B20)로 분할된다. 블록들(B1~B20)은 디스플레이 기간 내에 구동되는 픽셀 영역을 의미한다. 도 4에서 표시패널(10)의 화면이 20개의 블록들(B1~B20)로 분할된 예가 도시되어 있지만, 본 발명의 기술적 사상은 이에 한정되지 않는다.
표시패널(10)의 화면은 입력 영상이 재현되는 픽셀 어레이(pixel array)를 포함한다. 픽셀 어레이는 m(m은 양의 정수) 개의 데이터 라인들(14)과 n(n은 양의 정수) 개의 게이트 라인들(15)에 의해 정의된 픽셀 영역에 형성된 m×n 개의 픽셀들(101)을 포함한다. 픽셀들(101) 각각은 데이터 라인들(14)과 게이트 라인들(15)의 교차부들에 형성된 TFT들(Thin Film Transistor), 데이터 신호를 충전하는 픽셀전극, 픽셀전극에 접속되어 데이터 신호를 유지하는 스토리지 커패시터(Storage Capacitor, Cst) 등을 포함하여 입력 영상을 표시한다. 평판 표시장치의 구동 특성에 따라 픽셀들의 구조는 변경될 수 있다.
표시패널(10)의 픽셀 어레이는 터치 센서들(C1~C4)과, 터치 센서들(C1~C4)과 연결된 센서 라인들(L1~Li, i는 m, n 보다 작은 양의 정수)을 포함한다. 픽셀들(101)의 공통전극(COM)은 다수의 세그먼트들(segment)로 분할된다. 터치 센서들(C1~C4)은 분할된 공통전극(COM)으로 구현된다. 하나의 공통전극 세그먼트(segment)는 다수의 픽셀들(101)에 공통으로 연결되고 하나의 터치 센서를 형성한다. 따라서, 터치 센서들(C1~C4)은 디스플레이 기간(Td1,Td2,…Td20) 동안 픽셀들(101)에 공통전압(Vcom)을 공급하고, 터치 센싱 기간(Tt1,Tt2,…Tt20) 동안 터치 구동 신호(Vac)를 입력 받아 터치 입력을 센싱한다.
픽셀 어레이에 내장된 터치 센서들(C1~C4)은 정전 용량(capacitance) 타입의 터치 센서들로 구현될 수 있다. 정전 용량 방식은 자기 정전 용량(Self capacitance)이나 상호 정전 용량(Mutual capacitance)으로 나뉘어질 수 있다. 자기 정전 용량은 한 방향으로 형성된 단층의 도체 배선을 따라 형성된다. 상호 정전 용량은 직교하는 두 도체 배선들 사이에 형성된다. 도 5는 자기 정전 용량 타입의 터치 센서를 도시하였으나, 터치 센서들(C1~C4)은 이에 한정되지 않는다.
표시패널(10)의 상부 기판에는 블랙매트릭스, 컬러필터 등이 형성될 수 있다.
데이터 구동회로(12)와 게이트 구동회로(13)는 디스플레이 구동회로에 포함된다. 디스플레이 구동회로는 입력 영상의 데이터를 표시패널(10)의 픽셀들(101)에 기입한다. 디스플레이 구동회로(12)는 1 프레임 기간 중의 디스플레이 기간들(Td1,Td2,…Td20)에서 블록(B1~B20) 단위로 픽셀들에 입력 영상의 데이터를 기입한다.
데이터 구동회로(12)는 디스플레이 기간(Td1,Td2,…Td20) 동안 타이밍 콘트롤러(11)로부터 입력되는 입력 영상의 디지털 비디오 데이터를 아날로그 정극성/부극성 감마보상전압으로 변환하여 출력 채널들을 통해 데이터 신호를 출력한다. 데이터 구동회로(12)로부터 출력된 데이터 신호는 디스플레이 기간(Td1,Td2,…Td20) 동안 데이터 라인들(14)에 공급된다. 데이터 구동회로(12)의 출력 채널들은 터치 센싱 기간(Tt1,Tt2,…Tt20) 동안 데이터 라인들(14)과 분리되어 하이 임피던스(high impedence) 상태를 유지할 수 있다. 데이터 구동회로(12)는 픽셀들(101)과 터치 센서(C1~C4) 사이의 기생 용량을 줄이기 위하여 터치 센싱 기간(Tt1,Tt2,…Tt20) 동안 터치 구동 신호(Vac)와 같은 위상의 교류 신호를 공급할 수 있다. 픽셀들(101)의 전압은 터치 센싱 기간(Tt1,Tt2,…Tt20) 동안 TFT들이 턴-온 되지 않으므로 스토리지 커패시터에 의해 데이터 신호로 유지된다.
게이트 구동회로(13)는 디스플레이 기간(Td1,Td2,…Td20) 동안 데이터 신호에 동기되는 게이트 신호(또는 스캔펄스)를 게이트 라인들(15)에 순차적으로 공급하여 입력 영상의 데이터가 기입되는 표시패널(10)의 픽셀 라인을 선택한다.
게이트 구동회로(13)는 Q 노드의 전압에 응답하여 표시패널(10)의 게이트 라인들(15)에 게이트 신호를 순차적으로 출력하는 시프트 레지스터를 포함한다. 이 시프트 레지스터는 종속적으로 접속된 다수의 스테이지들을 구비한다. 이 시프트 레지스터에서 앞단 게이트 출력에 응답하여 각 블록(B2~B20)의 첫 번째 게이트 라인(15)으로 게이트 신호를 출력하는 제1 스테이지들 각각은, Q 노드와 QB 노드 사이에 접속되어 터치 센싱 기간(Tt1,Tt2,…Tt20)에서 Q 노드의 전압이 방전되는 것을 보상하는 인버터부를 포함한다.
게이트 구동회로(13)의 시프트 레지스터는 픽셀 어레이와 함께 표시패널(10)의 하부 기판 상에 직접 형성되는 GIP(Gate In Panel) 회로로 구현될 수 있고, 별도의 IC에 집적되어 기판 상에 접착될 수 있다. GIP 회로의 일 예는 도 10a 내지 도 11b와 같다.
타이밍 콘트롤러(11)는 도시하지 않은 호스트 시스템으로부터 수신된 입력 영상의 디지털 비디오 데이터를 데이터 구동회로(12)에 전송한다. 타이밍 콘트롤러(11)는 입력 영상의 디지털 비디오 데이터와 동기되어 호스트 시스템으로부터 수신된 수직 동기신호(Vsync), 수평 동기신호(Hsync), 데이터 인에이블 신호(Data Enable, DE), 메인 클럭(MCLK) 등의 타이밍신호를 이용하여 데이터 구동회로(12)의 동작 타이밍을 제어하기 위한 데이터 타이밍 제어신호와, 게이트 구동회로(13)의 동작 타이밍을 동작 타이밍을 제어시키기 위한 게이트 타이밍 제어신호를 출력한다. 타이밍 콘트롤러(11)는 디스플레이 구동회로(12, 13)와 터치 센싱 회로(20)를 동기시킨다. 타이밍 콘트롤러(11)는 프레임 주파수를 N(N은 2 이상의 양의 정수)배 체배할 수 있다. 프레임 주파수는 PAL(Phase Alternate Line) 방식에서 50Hz이고 NTSC(National Television Standards Committee) 방식에서 60Hz이다.
데이터 타이밍 제어신호는 소스 스타트 펄스(Source Start Pulse, SSP), 소스 샘플링 클럭(Source Sampling Clock, SSC), 극성제어신호(Polarity, POL), 및 소스 출력 인에이블신호(Source Output Enable, SOE) 등을 포함한다. 소스 스타트 펄스(SSP)는 데이터 구동회로(12)의 샘플링 스타트 타이밍을 제어한다. 소스 샘플링 클럭(SSC)은 데이터 샘플링 타이밍을 시프트시키는 클럭이다. 극성제어신호(POL)는 데이터 구동회로(12)로부터 출력되는 데이터 신호의 극성을 제어한다. 타이밍 콘트롤러(11)와 데이터 구동회로(12)사이의 신호 전송 인터페이스가 mini LVDS(Low Voltage Differential Signaling) 인터페이스라면, 소스 스타트 펄스(SSP)와 소스 샘플링 클럭(SSC)은 생략될 수 있다.
게이트 타이밍 제어신호는 게이트 스타트 펄스(Gate Start Pulse, GSP), 게이트 시프트 클럭(Gate Shift Clock, 이하 "CLK"이라 함), 게이트 출력 인에이블신호(Gate Output Enable, GOE) 등을 포함한다. GIP 회로의 경우에, 게이트 출력 인에이블신호(Gate Output Enable, GOE)는 생략될 수 있다. 게이트 스타트 펄스(GSP)는 시프트 레지스터에 입력되어 시프트 레지스터로부터 제1 게이트 신호가 출력되는 스타트 타이밍을 제어한다. 게이트 시프트 클럭(GSC)은 시프트 레지스터에 입력되어 시프트 레지스트의 시프트 타이밍을 제어한다. 게이트 출력 인에이블 신호(GOE)는 게이트 신호의 펄스폭을 정의한다. 게이트 구동회로(13)가 GIP 회로로 구현되면, 타이밍 콘트롤러(11)로부터 발생된 게이트 타이밍 제어신호는 도시하지 않은 레벨 시프터(Level shifter)에 의해 게이트 하이 전압(VGH)과 게이트 로우 전압(VGL) 사이에서 스윙하는 전압으로 변환되어 GIP 회로에 입력된다. 따라서, GIP 회로에 입력되는 게이트 스타트 펄스(GSP)와 게이트 시프트 클럭(CLK)은 게이트 하이 전압(VGH)과 게이트 로우 전압(VGL) 사이에서 스윙한다. 게이트 하이 전압(VGH)은 GIP 회로를 구성하는 트랜지스터들의 문턱 전압 보다 높은 전압이다. 게이트 로우 전압(VGL)은 그 트랜지스터들의 문턱 전압 보다 낮은 전압이다.
호스트 시스템은 텔레비젼 시스템, 셋톱박스, 네비게이션 시스템, DVD 플레이어, 블루레이 플레이어, 개인용 컴퓨터(PC), 홈 시어터 시스템, 폰 시스템(Phone system) 중 어느 하나로 구현될 수 있다. 호스트 시스템은 스케일러(scaler)를 내장한 SoC(System on chip)을 포함하여 입력 영상의 디지털 비디오 데이터를 표시패널(10)에 표시하기에 적합한 포맷으로 변환한다. 호스트 시스템은 입력 영상의 디지털 비디오 데이터와 함께 타이밍 신호들(Vsync, Hsync, DE, MCLK)을 타이밍 콘트롤러(11)로 전송한다. 또한, 호스트 시스템은 터치 센싱 회로(20)로부터 수신된 터치 입력의 좌표 정보와 연계된 응용 프로그램을 실행한다.
터치 센싱 회로(20)는 타이밍 콘트롤러(11) 또는 호스트 시스템으로부터 입력되는 터치 인에이블 신호(TEN)에 응답하여 터치 센싱 기간(Tt1,Tt2,…Tt20) 동안 터치 센서들을 구동한다. 터치 센싱 회로(20)는 터치 센싱 기간(Tt1,Tt2,…Tt20) 동안 터치 구동 신호(Vac)를 센서 라인들(L1~Li)을 통해 터치 센서들(C1~C4)에 공급하여 터치 입력을 센싱한다. 터치 센싱 회로(20)는 터치 입력 유무에 따라 달라지는 터치 센서의 전하 변화량을 분석하여 터치 입력을 판단하고, 터치 입력 위치의 좌표를 계산한다. 터치 입력 위치의 좌표 정보는 호스트 시스템으로 전송된다.
1 프레임 기간 내에서 디스플레이 기간(Td1,Td2,…Td20)과 터치 센싱 구동 기간(Tt1,Tt2,…Tt20)이 각각 도 6과 같이 20 개의 구간들로 분할되면, 터치 센싱 회로(20)는 일정 주기로 터치 입력의 좌표 정보를 호스트 시스템으로 전송한다. 따라서, 프레임 레이트(Frame rate) 보다 터치 레포트 레이트(Touch report rate)가 더 높다. 프레임 레이트는 1 프레임 이미지가 픽셀 어레이에 기입되는 프레임 주파수이다. 터치 레포트 레이트는 터치 입력의 좌표 정보가 발생되는 속도이다. 터치 레포트 레이트가 높을 수록 터치 입력의 좌표 인식 속도가 빨라지므로 터치 감도가 좋아진다.
GIP 회로로 구현되는 시프트 레지스터는 도 7과 같이 게이트 스타트 펄스(GSP)와 게이트 시프트 클럭들(CLK)이 입력된 다수의 스테이지들(ST1~STn+2)을 포함한다.
스테이지들(ST1~STn+2) 각각은 풀업 트랜지스터(Pull-up transistor), 풀다운 트랜지스터(Pull-down transistor), 풀업 트랜지스터를 제어하는 Q 노드, 풀다운 트랜지스터를 제어하는 QB 노드, Q 노드와 QB 노드를 충방전시키는 다수의 트랜지스터들을 포함한다. 트랜지스터들은 n type MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)로 구현될 수 있으나 이에 한정되지 않는다. 최상단 스테이지(ST1)의 Q 노드는 타이밍 콘트롤러(11)로부터 인가되는 게이트 스타트 펄스(GSP)에 동기하여 충전되고, 그 외 스테이지들(ST2~STn+2)의 Q 노드는 각각 앞단 스테이지들(ST1~STn+1)의 게이트 출력(캐리 신호)에 따라 충전될 수 있다. 예를 들어, 제n(n은 양의 정수) 스테이지(ST(n))에 인가되는 캐리 신호는 제n-1 스테이지(ST(n-1))의 게이트 출력으로 선택될 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.
제n(n은 양의 정수) 스테이지(ST(n))를 제1 블록(B1)의 마지막 번째 스테이지라 하고, 제n+1 스테이지(ST(n+1))를 제2 블록(B2)의 첫 번째 스테이지라 할 때, 제n+1 스테이지(ST(n+1))는 터치 센싱 기간(Tt1) 직후 디스플레이 기간(Td2)이 다시 시작할 때 첫 번째 게이트 신호를 제n+1 게이트 라인(G(n+1))에 공급한다. 이때, 제n+1 스테이지(ST(n+1))에 포함된 인버터부는 터치 센싱 기간(Tt1)에서 자신의 Q 노드 전압이 방전되는 것을 보상함으로써 비 정상적인 게이트 출력을 미연에 방지할 수 있다.
도 8 및 도 9는 시프트 레지스터의 스테이지 개수가 1085 개이고 하나의 디스플레이 기간에서 구동되는 스테이지 개수가 31 개일 때 스테이지들의 회로 타입의 다양한 예들을 보여준다. 도 10a 및 도 10b는 본 발명에 따른 인버터부를 포함하지 않는 도 8의 회로 타입 A에 대한 예들을 보여준다. 그리고, 도 11a 및 도 11b는 본 발명에 따른 인버터부를 포함하는 도 8 및 도 9의 회로 타입 B에 대한 예들을 보여준다.
도 8을 참조하면, 본 발명의 시프트 레지스터는 전체 스테이지들 중에서 앞단 게이트 출력에 응답하여 각 블록(B2~B20)의 첫 번째 게이트 라인으로 게이트 신호를 출력하는 제1 스테이지들(ST32, ST63,…ST1055)만 도 11a 및 도 11b와 같이 인버터부(30)를 포함한 회로 타입 B로 구성되고, 제1 스테이지들(ST32, ST63,… ST1055)을 제외한 나머지 스테이지들(ST1~ST31,ST33~ST62,… ST1056~ST1085)은 도 10a 및 도 10b와 같이 인버터부(30)를 비 포함한 회로 타입 A 로 구성될 수 있다. 도 8과 같이 시프트 레지스터를 설계하면, 시프트 레지스터가 차지하는 면적이 줄어들어 베젤 영역의 사이즈 감소에 효과적이다.
반면, 도 9를 참조하면, 본 발명의 시프트 레지스터는 전체 스테이지들 중에서 앞단 게이트 출력에 응답하여 각 블록(B2~B20)의 첫 번째 게이트 라인으로 게이트 신호를 출력하는 제1 스테이지들(ST32, ST63,…ST1055) 뿐만 아니라 제1 스테이지들(ST32, ST63,… ST1055)을 제외한 나머지 스테이지들(ST1~ST31,ST33~ST62,… ST1056~ST1085)도 모두 도 11a 및 도 11b와 같이 인버터부(30)를 포함한 회로 타입 B로 구성될 수 있다. 도 9와 같이 시프트 레지스터를 설계하면, 어떠한 분할 구동 방식에도 적용될 수 있어 모델 호환성이 좋아진다.
회로 타입 A로 구성되는 일 스테이지는 도 10a와 같이, Q 노드, QB 노드, 제어부, 및 다수의 TFT들을 포함하며, 인버터부(30)를 비 포함한다.
도 10a에서, 제1 TFT(T1)는 게이트 스타트 펄스(GSP) 또는 앞단 스테이지로부터 출력된 게이트 신호에 따라 턴-온(turn-on)되어 고전위 전원(VDD)을 Q 노드에 공급하여 Q 노드의 전위를 게이트 하이 전압(VGH) 레벨로 충전한다. 제1 TFT(T1)의 게이트는 스타트 신호(VST)의 입력 단자에 접속되고, 제1 TFT(T1)의 드레인은 고전위 전원(VDD)에 접속되고, 제1 TFT(T1)의 소스는 Q 노드에 접속된다.
제2 TFT(T2)는 QB 노드의 전압에 응답하여 턴-온되어 Q 노드의 전위를 게이트 로우 전압(VGL) 레벨로 방전시킨다. 제2 TFT(T2)의 게이트는 QB 노드에 접속된다. 제2 TFT(T2)의 드레인은 Q 노드에 접속되고, 제2 TFT(T2)의 소스는 저전위 전원(VSS)에 접속된다.
제어부는 다수의 TFT들을 포함하여, Q 노드의 방전 동작과, QB 노드의 충전 및 방전 동작을 제어한다.
제3 TFT(T3)는 풀업 트랜지스터로 동작한다. 제3 TFT(T3)는 Q 노드 전위가 게이트 하이 전압(VGH)보다 높은 레벨로 부트스트랩핑 될 때 턴-온 되어 게이트 쉬프트 클럭(CLK)의 하이 전압을 제1 출력 단자(No)에 공급하여 제1 출력 단자(No)의 전압을 충전시킨다. 제3 TFT(T3)의 게이트는 Q 노드에 접속된다. 제3 TFT(T3)의 드레인은 게이트 쉬프트 클럭(CLK)의 입력 단자에 접속되고, 제3 TFT(T3)의 소스는 제1 출력 단자(No)에 접속된다.
Q 노드가 게이트 하이 전압(VGH)만큼 프리 차징(pre-charging)된 상태에서, 게이트 쉬프트 클럭(CLK)의 입력 단자에 게이트 쉬프트 클럭(CLK)이 입력되면, 제3 TFT(T3)의 게이트-드레인간 기생용량 전압으로 인하여 Q 노드의 전압이 더 상승하는 부트스트래핑(bootstrapping)이 일어나고, 그 결과 제3 TFT(T3)가 턴 온 되어 제1 출력 단자(No)의 전압이 게이트 쉬프트 클럭(CLK)으로 충전된다.
제4 TFT(T4)는 풀다운 트랜지스터로 동작한다. 제4 TFT(T4)는 QB 노드가 게이트 하이 전압(VGH)으로 충전되어 있을 때 턴-온 되어 제1 출력 단자(No)를 방전시킨다. 제4 TFT(T4)의 게이트는 QB 노드에 접속된다. 제4 TFT(T4)의 드레인은 제1 출력 단자(No)에 접속되고, 제4 TFT(T4)의 소스는 저전위 전원(VSS)에 접속된다.
한편, 회로 타입 A로 구성되는 일 스테이지는 도 10b와 같이, Q 노드, QB 노드, 제어부, 및 다수의 TFT들을 포함하며, 인버터부(30)를 비 포함한다.
도 10b의 일 스테이지는 도 10a와 비교하여 제5 TFT(T5)와 제6 TFT(T6)를 더 포함하여, 뒷단에 인가될 캐리 신호를 게이트 신호와 분리한다. 도 10b의 일 스테이지에서 캐리 신호가 출력되는 제2 출력 노드(Nx)는 게이트 라인으로부터 분리된다. 이렇게 캐리 신호를 게이트 신호와 분리하면, 게이트 라인에 걸리는 부하로 인해 캐리 신호가 왜곡되는 것을 방지할 수 있다.
제5 TFT(T5)도 풀업 트랜지스터로 동작한다. 제5 TFT(T5)는 Q 노드 전위가 게이트 하이 전압(VGH)보다 높은 레벨로 부트스트랩핑 될 때 턴-온 되어 게이트 쉬프트 클럭(CLK)의 하이 전압을 제2 출력 단자(Nx)에 공급하여 제2 출력 단자(Nx)의 전압을 충전시킨다. 제5 TFT(T5)의 게이트는 Q 노드에 접속된다. 제5 TFT(T5)의 드레인은 게이트 쉬프트 클럭(CLK)의 입력 단자에 접속되고, 제5 TFT(T5)의 소스는 제2 출력 단자(Nx)에 접속된다.
제6 TFT(T6)도 풀다운 트랜지스터로 동작한다. 제6 TFT(T6)는 QB 노드가 게이트 하이 전압(VGH)으로 충전되어 있을 때 턴-온 되어 제2 출력 단자(Nx)를 방전시킨다. 제6 TFT(T6)의 게이트는 QB 노드에 접속된다. 제6 TFT(T6)의 드레인은 제2 출력 단자(Nx)에 접속되고, 제6 TFT(T6)의 소스는 저전위 전원(VSS)에 접속된다.
회로 타입 B로 구성되는 일 스테이지는 도 11a 및 도 11b와 같이, Q 노드, QB 노드, 제어부, 및 다수의 TFT들을 포함하며, 인버터부(30)를 더 포함한다. 도 11a 및 도 11b에서, 인버터부(30)를 제외한 나머지 구성은 도 10a 및 도 10b에서 설명한 것과 실질적으로 동일하다.
터치 센싱 기간 직후 첫 번째 출력을 생성하는 스테이지(도 8 및 도 9의 ST32,ST63,ST1055 등)의 Q Stanby 기간은 길어진다. Q Stanby 기간이 길수록 Q 노드의 방전 시간(decay time)이 길어지기 때문에 터치 센싱 기간 직후 디스플레이 기간이 다시 시작하는 첫 번째 라인에서 라인 딤(Line Dim) 현상이 보일 수 있다. 또한, Q Stanby 기간이 길수록 Q 노드의 방전 시간(decay time)이 길어지기 때문에, 터치 센싱 기간 직후 첫 번째 출력을 생성하는 특정 스테이지에서 부트 스트랩핑(Bootstraping)이 이뤄지지 않아 게이트신호를 출력하지 못하게 되고, 이에 따라 특정 스테이지 보다 늦게 게이트신호를 출력하는 뒷단 스테이지들에서도 연쇄적으로 게이트신호를 출력하지 못하게 될 수 있다.
본 발명은 인버터부(30)를 통해 Q 노드를 충전함으로써, Q Stanby 기간이 긴 스테이지의 Q 노드 방전을 최소화하여 디스플레이 기간이 재개(再開)될 때 라인 딤 현상을 생기는 방지할 수 있고, 나아가 연쇄적으로 게이트신호가 출력되지 못하는 문제를 해결할 수 있다.
이러한 인버터부(30)의 입력단은 QB 노드에 접속되고, 인버터부(30)의 출력단은 Q 노드에 접속된다.
도 12 및 도 13은 본 발명에 따른 인버터부의 다양한 예들을 보여준다. 그리고, 도 14는 도 12 및 도 13의 인버터부의 입력 및 출력 신호와 그에 따른 결과를 보여준다.
도 12를 참조하면, 본 발명에 따른 인버터부(30)는 다수의 스위치들(T31~T36)을 포함한다.
스위치 T31은 고전위 전원(VDD)에 응답하여 터치 센싱 기간에서 고전위 전원(VDD)을 노드 Na에 인가한다. 스위치 T31의 게이트 및 드레인은 고전위 전원(VDD)에 접속되고, 스위치 T31의 소스는 노드 Na에 접속된다.
스위치 T32는 QB 노드의 전위에 응답하여 터치 센싱 기간에서 노드 Na와 저전위 전원(VSS) 간의 전류 흐름을 오프 시킨다. 스위치 T32의 게이트는 QB 노드에 접속되고, 스위치 T32의 드레인은 노드 Na에 접속되며, 스위치 T32의 소스는 저전위 전원(VSS)에 접속된다.
스위치 T33은 노드 Na의 전위에 응답하여 터치 센싱 기간에서 고전위 전원(VDD)을 노드 Nb에 인가한다. 스위치 T33의 게이트는 노드 Na에 접속되고, 스위치 T33의 드레인은 고전위 전원(VDD)에 접속되며, 스위치 T33의 소스는 노드 Nb에 접속된다.
스위치 T34는 QB 노드의 전위에 응답하여 터치 센싱 기간에서 노드 Nb와 저전위 전원(VSS) 간의 전류 흐름을 오프 시킨다. 스위치 T34의 게이트는 QB 노드에 접속되고, 스위치 T34의 드레인은 노드 Nb에 접속되며, 스위치 T34의 소스는 저전위 전원(VSS)에 접속된다.
스위치 T35는 노드 Nb의 전위(INV)에 응답하여 터치 센싱 기간에서 고전위 전원(VDD)을 Q 노드에 인가함으로써, 터치 센싱 기간에서 Q 노드 방전을 최소화한다. 스위치 T35의 게이트는 노드 Nb에 접속되고, 스위치 T35의 드레인은 고전위 전원(VDD)에 접속되며, 스위치 T35의 소스는 Q 노드에 접속된다.
스위치 T36은 QB 노드의 전위에 응답하여 터치 센싱 기간에서 Q 노드와 저전위 전원(VSS) 간의 전류 흐름을 오프시킨다. 스위치 T36의 게이트는 QB 노드에 접속되고, 스위치 T36의 드레인은 Q 노드에 접속되며, 스위치 T36의 소스는 저전위 전원(VSS)에 접속된다.
도 14를 결부하여 도 12의 인버터부(30)의 동작을 설명하면 다음과 같다. Q Stanby 기간 즉, 터치 센싱 기간에서 QB 노드의 전위는 비 활성 레벨인 게이트 로우 전압(VGL)으로 방전되기 때문에, 스위치 T32, T34 및 T36은 모두 턴 오프 된다. 그리고, 노드 Na는 스위치 T31을 통해 고전위 전원(VDD)에 연결되어 게이트 하이 전압(VGH)으로 충전되고, 스위치 T33을 턴 온 시킨다. 노드 Nb는 스위치 T33을 통해 고전위 전원(VDD)에 연결되어 게이트 하이 전압(VGH)으로 충전되고, 스위치 T35를 턴 온 시킨다. Q 노드는 스위치 T35을 통해 고전위 전원(VDD)에 연결되어 게이트 하이 전압(VGH)으로 충전된다. 이에 따라, Q 노드는 Q Stanby 기간에서 계속적으로 게이트 하이 전압(VGH)을 공급받음으로써 부트 스트랩이 가능한 전압을 유지할 수 있다. Q 노드의 전위가 게이트 하이 전압(VGH)보다 높은 레벨로 부트 스트랩핑 될 때 게이트 신호가 왜곡없이 정상적으로 출력된다.
도 13을 참조하면, 본 발명에 따른 인버터부(30)는 다수의 스위치들(T31~T37)을 포함한다.
스위치 T37은 고전위 전원(VDD)에 응답하여 터치 센싱 기간에서 고전위 전원(VDD)을 노드 Nc에 인가한다. 스위치 T37의 게이트 및 드레인은 고전위 전원(VDD)에 접속되고, 스위치 T37의 소스는 노드 Nc에 접속된다.
스위치 T31은 노드 Nc의 전위에 응답하여 터치 센싱 기간에서 고전위 전원(VDD)을 노드 Na에 인가한다. 스위치 T31의 게이트는 노드 Nc에 접속되고, 스위치 T31의 드레인은 고전위 전원(VDD)에 접속되고, 스위치 T31의 소스는 노드 Na에 접속된다.
스위치 T32는 QB 노드의 전위에 응답하여 터치 센싱 기간에서 노드 Na와 저전위 전원(VSS) 간의 전류 흐름을 오프 시킨다. 스위치 T32의 게이트는 QB 노드에 접속되고, 스위치 T32의 드레인은 노드 Na에 접속되며, 스위치 T32의 소스는 저전위 전원(VSS)에 접속된다.
스위치 T33은 노드 Na의 전위에 응답하여 터치 센싱 기간에서 고전위 전원(VDD)을 노드 Nb에 인가한다. 스위치 T33의 게이트는 노드 Na에 접속되고, 스위치 T33의 드레인은 고전위 전원(VDD)에 접속되며, 스위치 T33의 소스는 노드 Nb에 접속된다.
스위치 T34는 QB 노드의 전위에 응답하여 터치 센싱 기간에서 노드 Nb와 저전위 전원(VSS) 간의 전류 흐름을 오프 시킨다. 스위치 T34의 게이트는 QB 노드에 접속되고, 스위치 T34의 드레인은 노드 Nb에 접속되며, 스위치 T34의 소스는 저전위 전원(VSS)에 접속된다.
스위치 T35는 노드 Nb의 전위(INV)에 응답하여 터치 센싱 기간에서 고전위 전원(VDD)을 Q 노드에 인가함으로써, 터치 센싱 기간에서 Q 노드 방전을 최소화한다. 스위치 T35의 게이트는 노드 Nb에 접속되고, 스위치 T35의 드레인은 고전위 전원(VDD)에 접속되며, 스위치 T35의 소스는 Q 노드에 접속된다.
스위치 T36은 QB 노드의 전위에 응답하여 터치 센싱 기간에서 Q 노드와 저전위 전원(VSS) 간의 전류 흐름을 오프시킨다. 스위치 T36의 게이트는 QB 노드에 접속되고, 스위치 T36의 드레인은 Q 노드에 접속되며, 스위치 T36의 소스는 저전위 전원(VSS)에 접속된다.
도 14를 결부하여 도 13의 인버터부(30)의 동작을 설명하면 다음과 같다. Q Stanby 기간 즉, 터치 센싱 기간에서 QB 노드의 전위는 비 활성 레벨인 게이트 로우 전압(VGL)으로 방전되기 때문에, 스위치 T32, T34 및 T36은 모두 턴 오프 된다. 그리고, 노드 Nc는 스위치 T37을 통해 고전위 전원(VDD)에 연결되어 게이트 하이 전압(VGH)으로 충전되고, 스위치 T31을 턴 온 시킨다. 노드 Na는 스위치 T31을 통해 고전위 전원(VDD)에 연결되어 게이트 하이 전압(VGH)으로 충전되고, 스위치 T33을 턴 온 시킨다. 노드 Na가 고전위 전원(VDD)에 연결될 때 노드 Nc는 커패시터 커플링으로 인해 부트 스트랩핑되고 그에 따라 T31의 소스-드레인 전류가 증가한다. 그 결과 노드 Na가 게이트 하이 전압(VGH)으로 충전되는데 소요되는 시간이 감소하여 인버터부(30)의 응답성이 좋아진다. 이어서, 노드 Nb는 스위치 T33을 통해 고전위 전원(VDD)에 연결되어 게이트 하이 전압(VGH)으로 충전되고, 스위치 T35를 턴 온 시킨다. Q 노드는 스위치 T35을 통해 고전위 전원(VDD)에 연결되어 게이트 하이 전압(VGH)으로 충전된다. 이에 따라, Q 노드는 Q Stanby 기간에서 계속적으로 게이트 하이 전압(VGH)을 공급받음으로써 부트 스트랩이 가능한 전압을 유지할 수 있다. Q 노드의 전위가 게이트 하이 전압(VGH)보다 높은 레벨로 부트 스트랩핑 될 때 게이트 신호가 왜곡없이 정상적으로 출력된다.
도 15는 터치 센싱 기간 직후 첫 번째 출력을 생성하는 제n+1 스테이지에서 Q 노드의 방전이 보상되어 정상적인 출력이 생성되는 것을 보여준다.
도 15를 참조하면, 제n(n은 양의 정수) 스테이지(ST(n))를 제1 블록(B1)의 마지막 번째 스테이지라 하고, 제n+1 스테이지(ST(n+1))를 제2 블록(B2)의 첫 번째 스테이지라 할 때, 제n+1 스테이지(ST(n+1))는 터치 센싱 기간(Tt1) 직후 디스플레이 기간이 다시 시작할 때 첫 번째 게이트 신호를 제n+1 게이트 라인(G(n+1))에 공급한다. 이때, 제n+1 스테이지(ST(n+1))에 포함된 인버터부는 터치 센싱 기간(Tt1)에서 자신의 Q 노드 전압이 방전되는 것을 보상함으로써 비 정상적인 게이트 출력을 미연에 방지할 수 있다.
전술한 바와 같이, 본 발명은 터치 센싱 기간 직후 첫 번째 출력을 생성하는 스테이지에 인버터부를 추가하고, 그 인버터부를 이용하여 해당 스테이지의 Q 노드를 터치 센싱 기간에 충전한다. 그 결과, 본 발명의 표시장치는 표시패널에 터치 센서들이 내장된 표시장치에서 디스플레이 기간이 재개될 때 비 정상적인 게이트 출력으로 인한 라인 딤 현상 등을 방지하여 화질을 향상시킬 수 있다.
나아가, 본 발명은 터치 센싱 기간 직후 첫 번째 출력을 생성하는 스테이지에 별도의 스타트 펄스를 인가하지 않고 앞단 스테이지의 게이트 출력을 캐리 신호로 인가하기 때문에, 스타트 펄스를 인가하기 위한 신호 배선수를 최소한으로 할 수 있고, 그 결과 베젤 사이즈의 증가없이도 위와 같은 기술적 효과를 달성할 수 있다.
이상 설명한 내용을 통해 당업자라면 본 발명의 기술사상을 일탈하지 아니하는 범위에서 다양한 변경 및 수정이 가능함을 알 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허 청구의 범위에 의해 정하여져야만 할 것이다.
10 : 표시패널 11 : 타이밍 콘트롤러
12 : 데이터 구동회로 13 : 게이트 구동회로
20 : 터치 센싱 회로 30 : 인버터부

Claims (12)

  1. 터치 센서들이 내장된 픽셀 어레이를 포함하고, 상기 픽셀 어레이가 다수의 블록들로 분할 구동되는 표시패널;
    디스플레이 기간 동안, 상기 블록들에 입력 영상의 데이터가 기입되도록 게이트 신호를 상기 표시패널의 게이트 라인들에 순차적으로 공급하는 게이트 구동회로; 및
    디스플레이 기간들 사이의 터치 센싱 기간 동안, 터치 인에이블 신호에 응답하여 상기 터치 센서들을 구동하는 터치 센싱 회로를 포함하고,
    상기 게이트 구동회로는 종속적으로 접속된 스테이지들 각각의 Q 노드의 전압에 응답하여 상기 게이트 신호를 시프트시키는 시프트 레지스터를 포함하고, 상기 시프트 레지스터에서 앞단 게이트 출력에 응답하여 각 블록의 첫 번째 게이트 라인으로 상기 게이트 신호를 출력하는 제1 스테이지들 각각은, Q 노드와 QB 노드 사이에 접속되어 상기 터치 센싱 기간에서 상기 Q 노드의 전압이 방전되는 것을 보상하는 인버터부를 포함하는 표시장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 스테이지들 중에서 상기 제1 스테이지들을 제외한 나머지 스테이지들은 상기 인버터부를 비 포함하는 표시장치.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 스테이지들 중에서 상기 제1 스테이지들을 제외한 나머지 스테이지들도 상기 인버터부를 포함하는 표시장치.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 인버터부의 입력단은 상기 QB 노드에 접속되고, 상기 인버터부의 출력단은 상기 Q 노드에 접속되는 표시장치.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 인버터부는,
    고전위 전원에 응답하여 상기 터치 센싱 기간에서 상기 고전위 전원을 노드 Na에 인가하는 스위치 T31과,
    상기 QB 노드의 전위에 응답하여 상기 터치 센싱 기간에서 상기 노드 Na와 저전위 전원 간의 전류 흐름을 오프 시키는 스위치 T32와,
    상기 노드 Na의 전위에 응답하여 상기 터치 센싱 기간에서 상기 고전위 전원을 노드 Nb에 인가하는 스위치 T33과,
    상기 QB 노드의 전위에 응답하여 상기 터치 센싱 기간에서 상기 노드 Nb와 상기 저전위 전원 간의 전류 흐름을 오프 시키는 스위치 T34와,
    상기 노드 Nb의 전위에 응답하여 상기 터치 센싱 기간에서 상기 고전위 전원을 상기 Q 노드에 인가하는 스위치 T35와,
    상기 QB 노드의 전위에 응답하여 상기 터치 센싱 기간에서 상기 Q 노드와 상기 저전위 전원 간의 전류 흐름을 오프 시키는 스위치 T36을 포함하는 표시장치.
  6. 제 4 항에 있어서,
    상기 인버터부는,
    고전위 전원에 응답하여 상기 터치 센싱 기간에서 상기 고전위 전원을 노드 Nc에 인가하는 스위치 T37과,
    상기 노드 Nc의 전위에 응답하여 상기 터치 센싱 기간에서 상기 고전위 전원을 노드 Na에 인가하는 스위치 T31과,
    상기 QB 노드의 전위에 응답하여 상기 터치 센싱 기간에서 상기 노드 Na와 저전위 전원 간의 전류 흐름을 오프 시키는 스위치 T32와,
    상기 노드 Na의 전위에 응답하여 상기 터치 센싱 기간에서 상기 고전위 전원을 노드 Nb에 인가하는 스위치 T33과,
    상기 QB 노드의 전위에 응답하여 상기 터치 센싱 기간에서 상기 노드 Nb와 상기 저전위 전원 간의 전류 흐름을 오프 시키는 스위치 T34와,
    상기 노드 Nb의 전위에 응답하여 상기 터치 센싱 기간에서 상기 고전위 전원을 상기 Q 노드에 인가하는 스위치 T35와,
    상기 QB 노드의 전위에 응답하여 상기 터치 센싱 기간에서 상기 Q 노드와 상기 저전위 전원 간의 전류 흐름을 오프 시키는 스위치 T36을 포함하는 표시장치.
  7. 터치 센서들이 내장된 픽셀 어레이를 포함하고, 상기 픽셀 어레이가 다수의 블록들로 분할 구동되는 표시패널을 갖는 표시장치의 게이트 구동회로에 있어서,
    디스플레이 기간 동안 상기 표시패널의 게이트 라인들에 순차적으로 공급되는 게이트 신호에 동기하여 상기 블록들에는 입력 영상의 데이터가 기입되고, 디스플레이 기간들 사이의 터치 센싱 기간 동안 상기 터치 센서들에는 터치 인에이블 신호에 따라 상기 터치 센서들이 구동되며,
    상기 게이트 구동회로는 종속적으로 접속된 스테이지들 각각의 Q 노드의 전압에 응답하여 상기 게이트 신호를 시프트시키는 시프트 레지스터를 포함하고,
    상기 시프트 레지스터에서 앞단 게이트 출력에 응답하여 각 블록의 첫 번째 게이트 라인으로 상기 게이트 신호를 출력하는 제1 스테이지들 각각은, Q 노드와 QB 노드 사이에 접속되어 상기 터치 센싱 기간에서 상기 Q 노드의 전압이 방전되는 것을 보상하는 인버터부를 포함하는 게이트 구동회로.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 스테이지들 중에서 상기 제1 스테이지들을 제외한 나머지 스테이지들은 상기 인버터부를 비 포함하는 게이트 구동회로.
  9. 제 7 항에 있어서,
    상기 스테이지들 중에서 상기 제1 스테이지들을 제외한 나머지 스테이지들도 상기 인버터부를 포함하는 게이트 구동회로.
  10. 제 7 항에 있어서,
    상기 인버터부의 입력단은 상기 QB 노드에 접속되고, 상기 인버터부의 출력단은 상기 Q 노드에 접속되는 게이트 구동회로.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 인버터부는,
    고전위 전원에 응답하여 상기 터치 센싱 기간에서 상기 고전위 전원을 노드 Na에 인가하는 스위치 T31과,
    상기 QB 노드의 전위에 응답하여 상기 터치 센싱 기간에서 상기 노드 Na와 저전위 전원 간의 전류 흐름을 오프 시키는 스위치 T32와,
    상기 노드 Na의 전위에 응답하여 상기 터치 센싱 기간에서 상기 고전위 전원을 노드 Nb에 인가하는 스위치 T33과,
    상기 QB 노드의 전위에 응답하여 상기 터치 센싱 기간에서 상기 노드 Nb와 상기 저전위 전원 간의 전류 흐름을 오프 시키는 스위치 T34와,
    상기 노드 Nb의 전위에 응답하여 상기 터치 센싱 기간에서 상기 고전위 전원을 상기 Q 노드에 인가하는 스위치 T35와,
    상기 QB 노드의 전위에 응답하여 상기 터치 센싱 기간에서 상기 Q 노드와 상기 저전위 전원 간의 전류 흐름을 오프 시키는 스위치 T36을 포함하는 게이트 구동회로.
  12. 제 10 항에 있어서,
    상기 인버터부는,
    고전위 전원에 응답하여 상기 터치 센싱 기간에서 상기 고전위 전원을 노드 Nc에 인가하는 스위치 T37과,
    상기 노드 Nc의 전위에 응답하여 상기 터치 센싱 기간에서 상기 고전위 전원을 노드 Na에 인가하는 스위치 T31과,
    상기 QB 노드의 전위에 응답하여 상기 터치 센싱 기간에서 상기 노드 Na와 저전위 전원 간의 전류 흐름을 오프 시키는 스위치 T32와,
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