KR20170095304A - 경질 지방족 탄화수소에서 방향족으로의 전환 방법 - Google Patents

경질 지방족 탄화수소에서 방향족으로의 전환 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명에는 방향족 탄화수소로의 경질 지방족 탄화수소, 예컨대 프로판의 방향족화를 위한 공정이 개시되어 있다. 그 공정은 증가된 방향족 생성을 제공하는데, 이는 메탄 및 에탄 생성, 코우크 오염발생 및 중질 방향족을 감소시킨다. 경질 지방족 탄화수소의 방향족화에 있어서의 그러한 개선은 공급물 내의 경질 지방족 탄화수소의 중질물을 래그 반응기로 도입함으로써 달성된다.

Description

경질 지방족 탄화수소에서 방향족으로의 전환 방법{PROCESS FOR CONVERSION OF LIGHT ALIPHATIC HYDROCARBONS TO AROMATICS}
우선권 주장
본 출원은 2014년 12월 17일에 의해 출원된 미국 출원 번호 14/574,293를 우선권 주장의 기초 출원으로 한 것이고, 그 기초 출원의 내용은 전체가 본원에 참고 인용되어 있다.
기술분야
본 주제는 일반적으로 탄화수소의 전환 방법에 관한 것이다. 보다 구체적으로, 본 주제는 경질 지방족 탄화수소, 예컨대 프로판 또는 프로필렌의 2 이상의 분자가 함께 연결되어 생성물 방향족 탄화수소를 형성하는 탈수소고리이량체화(dehydrocyclodimerization)라고 칭하는 접촉 공정을 위한 방법에 관한 것이다.
탈수소고리올리고머화(dehydrocyclo-oligomerization)는 지방족 탄화수소가 촉매 상에서 반응되어 방향족, 수소 및 특정 부산물을 생성하게 되는 공정이다. 이 공정은 C6 및 고급 탄소수 반응물, 주로 파라핀 및 나프텐이 방향족으로 전환되는 보다 통상적인 리포밍(reforming)과는 명백히 구별된다. 통상적인 리포밍에 의해 생성된 방향족은 이것이 형성되는 반응물과 동일하거나 더 적은 수의 분자당 탄소 원자를 함유하는데, 이는 반응물 올리고머화 반응의 부재를 나타낸다. 이와 대조적으로, 탈수소고리올리고머화 반응은 전형적으로 반응물보다 더 많은 분자당 탄소 원자를 함유하는 방향족 생성물을 결과로 형성하는데, 이는 올리고머화 반응이 탈수소고리올리고머화 공정에서 중요 단계이다는 것을 나타낸다. 전형적으로, 탈수소고리올리고머화 반응은 산성 및 탈수소화 성분을 함유하는 이중 기능성 촉매를 사용하여 260℃의 과도한 온도에서 수행된다.
방향족, 수소, C4+ 비“‡향족 부산물 및 경질 목적물 부산물은 탈수소고리올리고머화 공정의 모든 생성물이다. 그 방향족은 가솔린 블렌딩 성분으로서 이용될 수 있거나 또는 석유화학의 생산에 이용될 수 있기 때문에 바람직한 반응 생성물이다. 그 수소는 수소 소모 정유 공정, 예컨대 수소화처리 또는 수소화분해 공정에서 효율적으로 이용될 수 있다. 탈수소고리올리고머화 공정의 최소한 바람직한 생성물은 경질 목적물 부산물이다. 이 경질 목적물 부산물은 열분해 부반응의 결과로서 생성된 C1 및 C2 탄화수소로 주로 구성된다.
전형적으로, 탈수소고리이량체화 공정은 C3 및 C4 둘 다를 갖는 조합된 반응기 공급물 및 재순환된 파라핀 공급물 성분을 포함한다. 공급물 내의 C4 함량을 증가시키는 것은 수율을 증가시키지만, 열분해 코우킹은 더욱더 심각하게 된다. 결과적으로, 온-스트림 효율은 반대 영향을 받는다. 반응기 내부구조물(internal)에서 열분해 코우킹은 공급물 스트림 내의 n-부탄 및 n-부텐으로부터의 디올레핀, 주로 부타디엔의 형성에 기인한다. 열분해 코우킹은 보다 낮은 수소 분압 및 낮은 방향족 성분으로 인하여 납 반응기(lead reactor)에서 가장 심각하다. 더구나, 경질 방향족 탄화수소의 반응성은 탄소 수가 증가하면서 증가한다. 그러므로, 부탄의 전환이 프로판보다 현저히 더 낮은 온도에서 일어나고, 변함없이 상당량의 프로판이 C4 농후 공급물에서 전환되지 않는다. 결과적으로, 프로판 전환이 제한되고, 상당한 프로판 재순환이 요구된다.
발명의 개요
특허청구된 주제는 C2-C3 탄화수소가 농후한 제1 경질 지방족 탄화수소 공급물 스트림을, 제1 촉매를 갖는 제1 반응 구역에 통과시켜 제1 반응 구역 유출물을 형성하는 단계를 포함하는, 방향족 탄화수소의 제조 방법을 포함한다. 이 방법은 제1 반응 구역 유출물, 및 C3-C5 탄화수소가 농후한 제2 경질 지방족 탄화수소 공급물 스트림을, 제2 촉매를 포함하는 제2 반응 구역에 통과시켜 제2 반응 구역 유출물을 형성하는 단계를 더 포함한다.
이 방법은, C2-C3이 공급물 내에 존재할 때, C4 농후 공급물을 납 반응기 내로 도입하지 않지만, 단지 래그 반응기(lag reactor)에만 도입한다. C4 농후 공급물을 H2 및 방향족이 존재하는 래그 반응기 내로 도입함으로써, 이것은 부타디엔을 형성하는 경향을 크게 전환시키므로, 코우크 오염발생(coke fouling)을 감소시킨다. 더구나, C4 전환에 대한 접촉 시간을 감소시키는 것은 중질 방향족 형성을 크게 경감시키므로, 바람직한 고급 방향족 생성물을 산출하고 래그 반응기에서 심한 오염발생을 경감시킨다. 추가로, C3 농후 공급물을 납 반응기 내로 도입하는 것은 보다 심각한 작동 온도 및 보다 낮은 압력이 코우킹 및 이로 인한 오염발생을 발생시키는 염려 없이 방향족 수율을 추진하는 것을 가능하게 하는 것으로 인지된다. 이는 또한 C4 또는 중질물의 열분해로부터 유도된 C1 및 C2를 포함하는 과도한 경질 목적물의 생성도 최소화한다.
예들의 추가 목적, 이점 및 새로운 특색은 후술하는 명세서에서 부분 설명되어 있고, 부분적으로 후술하는 명세서 및 수반되는 도면의 검토시 당업자에게 명백히 이해되거나, 또는 예들의 제조 또는 실시에 의해 이해될 수 있다. 그 사상의 목적 및 이점은 부가된 청구범위에서 구체적으로 지적된 방법, 수단 및 조합에 의해 실현 및 달성될 수 있다.
용어
본원에서 사용된 바와 같이, "탈수소고리이량체화(dehydrocyclodimerization)"는 또한 경질 파라핀의 방향족화라고 칭하기도 한다. 본 개시내용 내에서, 경질 탄화수소의 탈수소고리이량체화 및 방향족화가 상호 교환 가능하게 사용된다.
본원에서 사용된 바와 같이, 용어는 "스트림", "공급물", "생성물", "부분" 또는 "일부"는 다양한 탄화수소 분자, 예컨대 직쇄형, 분지형 또는 환형 알칸, 알켄, 알카디엔 및 알킨, 및 임의로 다른 물질, 예컨대 가스, 예를 들면 수소 또는 불순물, 예컨대 중금속, 및 황 및 질소 화합물을 포함할 수 있다. 스트림은 또한 방향족 및 비방향족 탄화수소를 포함할 수도 있다. 더구나, 탄화수소 분자는 C1, C2, C3, Cm으로 약칭될 수 있으며, 여기서 "n"은 하나 이상의 탄화수소 분자 내의 탄소 원자의 수를 나타내거나, 또는 그 약어는 예를 들어 비방향족 또는 화합물에 대한 형용사로서 사용될 수 있다. 유사하게도, 방향족 화합물은 A6, A7, A8, An으로 약칭될 수 있으며, 여기서 "n"은 하나 이상의 방향족 분자 내의 탄소 원자의 수를 나타낸다. 더구나, 윗첨자 "+" 또는 "-"는 약칭된 하나 이상의 탄화수소 표기, 예를 들면 C3+ 또는 C3-에 의해 사용될 수 있으며, 그것은 그 약칭된 하나 이상의 탄화수소를 포함한 것이다. 예로서, 약어 "C3+"는 3개 이상의 탄소 원자로 된 하나 이상의 탄화수소 분자를 의미한다.
본원에서 사용된 바와 같이, 용어 "구역"은 하나 이상의 장비 품목 및/또는 하나 이상의 서브구역을 포함하는 영역을 의미할 수 있다. 장비 품목은 하나 이상의 반응기 또는 반응기 용기, 분리 용기, 증류탑, 가열기, 교환기, 파이프, 펌프, 압축기, 및 제어기(이들에 국한되는 것은 아님)를 포함할 수 있다. 부가로, 장비 품목, 예컨대 반응기, 건조기, 또는 용기는 하나 이상의 구역 또는 서브구역을 추가로 포함할 수 있다.
본원에서 사용된 바와 같이, 용어 "농후(한)"는 스트림 내의 화합물 또는 화합물 부류의 일반적으로 50 몰% 이상, 바람직하게는 70 몰% 이상의 양을 의미할 수 있다.
본원에서 사용된 바와 같이, 용어 "실질적으로"는 스트림 내의 화합물 또는 화합물 부류의 일반적으로 80 몰% 또는 중량% 이상, 바람직하게는 90 몰% 또는 중량% 이상, 최적으로는 99 몰% 또는 중량% 이상의 양을 의미할 수 있다.
본원에서 사용된 바와 같이, 용어 "활성 금속(active metal)"은 6족, 7족, 8족, 9족, 10족 및 13족을 포함하는 IPUAC 족으로부터 선택된 금속, 예컨대 크롬, 몰리브덴, 텅스텐, 레늄, 백금, 팔라듐, 로듐, 이리듐, 루테늄, 오스뮴, 구리, 아연, 은, 갈륨 및 인듐을 포함할 수 있다.
본원에서 사용된 바와 같이, 용어 "개질자 금속(modifier matal)"은 11-17족을 포함하는 IUPAC 족으로부터 선택된 금속을 포함할 수 있다. IIPAC 족 11 내지 17은 황, 금, 주석, 게르마늄 및 납을 포함하지만, 이에 국한되는 것은 아니다.
도면은 단지 예를 들어 설명하지만, 제한하는 것이 아닌, 본 발명의 사상에 따른 하나 이상의 구현예를 도시한 것이다. 도면에서, 유사 참조번호는 동일하거나 유사한 요소를 의미한다.
도 1은 방향족의 제조를 위한 다양한 실시양태에 따른 예시적 방향족 제조 공정의 개략도이다.
도 2는 방향족의 제조를 위한 다양한 실시양태에 따른 다른 예시적 방향족 제조 공정의 개략도이다.
도 3은 방향족의 제조를 위한 다양한 실시양태에 따른 또 다른 예시적 방향족 제조 공정의 개략도이다.
도 4는 방향족의 제조를 위한 다양한 실시양태에 따른 다른 예시적 방향족 제조 공정의 개략도이다.
성세한 설명
후술하는 상세한 설명은 성질상 단지 예시적인 것일 뿐이고, 기술된 본 출원 및 실시양태의 용도를 제한하고자 하는 것은 아니다. 더구나, 선행하는 배경기술 또는 후술하는 상세한 설명에서 제시된 임의의 이론에 의해 구속하고자 하는 의도도 전혀 없다.
본원에서 기술된 다양한 실시양태는 탄화수소의 전환 방법에 관한 것이다. 보다 구체적으로, 본 주제는 예를 들어 프로판 또는 프로필렌과 같은 경질 지방족 탄화수소의 2 이상 분자가 함께 연결되어 방향족 탄화수소 생성물을 형성하게 되는 탈수소고리이량체화라고 칭하는 접촉 공정을 위한 방법에 관한 것이다. 그 공정의 기본적인 이용성은 저 비용 및 높은 이용가능성을 지닌 경질 지방족 탄화수소, 예를 들면 C3 및 C4 탄화수소를 보다 귀중한 방향족 탄화수소 및 수소로 전환시키는 것이다. 이는 단순히 탄화수소의 가치를 상향시키는데 바람직할 수 있다. 또한, 그것은 C3 및 C4 탄화수소의 대규모 공급을 이용하거나 방향족 탄화수소에 대한 필요성을 충족하는데 바람직할 수도 있다. 제조된 방향족 탄화수소는 벤젠, 폭 넓게 사용된 기본 공급 탄화수소 화학을 포함하는 광범위한 석유화학의 제조에서의 응용분야를 비롯한 다양한 응용분야에 이용될 수 있다. 생성물 방향족 탄화수소는 또한 고옥탄가 자동차 연료에서 블렌딩 성분으로서도 유용하다.
탈수소고리이량체화 공정에 대한 공급물 조성물은 경질 지방족 탄화수소 공급원의 조성에 따라 좌우된다. 한 양태에 따르면, 탈수소고리이량체화 공정으로의 공급물 화합물은 분자당 2개 내지 4개의 탄소 원자를 갖는 경질 지방족 탄화수소를 포함한다. 공급물 스트림은 C2, C3, 및 C4 화합물 중 단 하나만을 포함할 수 있거나, 이들 화합물 중 2 이상으로 된 혼합물을 포함할 수 있다. 하나의 예에서, 공급물 화합물은 프로판, 프로필렌, 부탄 및 부틸렌 중 하나 이상을 포함한다. 공정으로의 공급물 스트림은 또한 일부 C5 탄화수소를 함유할 수도 있다. 하나의 접근법에서, 탈수소고리이량체화 공정으로의 공급물 스트림 내의 C5 탄화수소의 농도는 최대 실제 수준, 바람직하게는 5 몰% 미만으로 유지된다. 한 양태에 의하면, 그 공정의 생성물은 C6+ 방향족 탄화수소를 포함한다. 원하는 C6+ 방향족 탄화수소 이외에도, 심지어는 포화 공급물로부터도, 일부 비방향족 C6+ 탄화수소가 생성될 수 있다. 프로판 및/또는 부탄으로 구성된 공급물을 처리할 때, C6+ 생성물 탄화수소의 대부분은 벤젠, 톨루엔 및 다양한 크실렌 이성질체가 될 것이다. 소량의 C9+ 방향족이 또한 생성될 수 있다.
한 양태에 따르면, 공정은 탈수소고리이량체화 반응 구역에서 생성되는 보다 귀중한 C7 및 C8　알킬방향족, 특히 톨루엔 및 크실렌의 양을 증가시키는 것을 포함한다. 예를 들지만 제한되지 않은, 본원에서 설명된 공정을 수행하기에 적합한 시스템은 미국 특허 번호 3,652,231; 3,692,496; 3,706,536; 3,785,963; 3,825,116; 3,839,196; 3,839,197; 3,854,887; 3,856,662; 3,918,930; 3,981,824; 4,094,814; 4,110,081; 및 4,403,909에 기술된 바와 같은 이동층 방사상 유동 다단 반응기를 포함한다. 본 공정에서 이용될 수 있는 시스템은 또한 이들 특허에서 기술된 바와 같이 재생 시스템 및 다양 양태의 이동 촉매층 조작 및 장비를 포함할 수 있다. 이 반응기 시스템은 나프타 분획의 리포밍에 상업적으로 널리 이용되고 있다. 그의 용도는 또한 경질 파라핀의 탈수소화에도 기술되어 있다.
반응 구역은 경질 지방족 방향족화 및 (지방족 탄화수소를 지닌 방향족의) 알킬화 조건 하에 작동한다. 그러므로, 반응 구역 작동 조건은 C2-C8 파라핀과 같은 경질 탄화수소로부터의 방향족, 및 나프텐 둘 다의 형성을 촉진한다.
경질 탄화수소의 방향족화에 대한 조건은 저압 및 고온을 선호하는 것으로 알려져 있다. 이에 따라, 탈수소고리이량체화에 전형적인 조건은 미국 특허 번호 4,642,402 A에 기술되어 있다. 바람직한 금속 성분은 앞서 인용된 미국 특허 번호 4,180,689에서 기술된 바와 같은 갈륨이다. 촉매의 잔량은 임의로 제조를 용이하게 하고, 강도를 제공하며, 그리고 비용을 절감하는 데 이용되는 내화성 바인더 또는 매트릭스로 구성될 수 있다. 적합한 바인더는 무기 산화물, 예컨대 알루미나, 마그네시아, 지르코니아, 크로미아, 티타니아, 보리아, 토리아, 아연 산화물 및 실리카 중 하나 이상을 포함할 수 있다. 적합한 바인더는 알루미늄, 지르코늄, 크롬, 티탄, 붕소, 토륨, 알루미늄, 아연, 규소, 및 이들의 혼합의 인산염을 포함할 수 있다.
본 발명 주제에 따른 방향족화 및 알킬화 조건은 350℃ 내지 650℃의 범위에 있는 온도를 포함한다. 또다른 접근법에서, 방향족화 및 알킬화 조건은 752℉ 내지 1328℉(400℃ 내지 720℃)의 온도를 포함할 수 있다.
본 발명의 예들에 따른 방향족화 및 알킬화 조건은 0.1 Psia 내지 500 Psia의 압력을 포함한다. 한 접근법에서, 방향족화 및 알킬화 조건은 200 psig 하의 압력을 포함할 수 있다. 또다른 접근법에서 방향족화 및 알킬화 조건은 5 Psia 내지 100 Psia의 압력을 포함한다. 이론에 의해 구속하고자 하는 것은 아니지만, 수소 생성 방향족화 반응은 일반적으로 저압 및 고온에 의해 선호되고, 따라서 한 접근법에서 조건은 경질 지방족 탄화수소가 농후한 반응 구역의 유출구에서 70 psig 하의 압력을 포함할 수 있다.
도 1은 본원에서 기술된 공정의 다양한 실시양태의 흐름도를 예시한 것이다. 당업자라면, 이러한 공정 흐름도는, 공정의 이해에 반드시 필요하지 않은, 예를 들어 열 교환기, 공정 제어 시스템, 펌프, 분별 컬럼 오버헤드 및 리보일러 시스템 등을 비롯한 공정 장비의 다수 피스의 제거에 의해 단순화되어 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 또한, 도면에서 제시된 공정 흐름은 기본적인 전체 개념으로부터 벗어나는 일 없이 다수의 양태에서 변형될 수 있다는 것을 용이하게 식별될 수도 있다. 예를 들면, 도면에서 요구된 열 교환기의 설명은 단순성의 목적상 최소로 유지되어 있다. 당업자라면, 공정 내에서 다양한 지점에서 필요한 가열 및 냉각을 얻는데 이용된 열 교환 방법의 선택은 그것이 수행되는 방법에 관한 다량의 변형에 종속된다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 이와 같이 복잡한 공정에서, 상이한 공정 스트림들 사이의 간접 열 교환에 대한 다수의 가능성이 존재한다. 주제 공정의 설치의 특정 위치 및 환경에 따라, 도면 상에 도시되어 있지 않은 다른 처리 유닛으로부터의 스팀, 고온 오일 또는 공정 스트림에 대한 열 교환을 이용하는 것도 바람직할 수 있다.
도 1은 특허청구된 주제를 예시하는 흐름도의 한 예를 도시한 것이다. 도 1을 참조하면, 다양한 실시양태에 따른 시스템 및 공정은 반응 구역(11)을 포함한다. 공급물 스트림(10)은 반응 구역(11)으로 진입한다. 반응 구역(11)은 경질 탄화수소 촉매의 전형적인 방향족화의 부재 하에서 경질 탄화수소 조건의 전형적인 방향족화 하에서 작동하고, 반응 구역 생성물 스트림(28)을 생성한다. 반응 구역(11)은 방향족화 촉매를 함유하는 하나 이상의 반응기 용기를 포함할 수 있다. 이들 반응기는 추가 분리 장비의 사용 유무 하에 추가 연결될 수 있으며, 직렬 또는 병렬로 연결될 수 있다. 반응 구역(11)은 하나 이상의 유출구 스트림(28)을 발생시킬 수 있다. 반응 구역 유출구 스트림(28)은 분리 구역(36)으로 이송될 수 있다.
도 1에서 예시된 예에서, 4개의 반응기가 존재한다. 그러나, 하나 이상의 반응기가 존재할 수 있는 것으로 고려된다. 제1 반응기(12)는 제1 촉매(44)를 함유한다. 공급물 스트림(10)은 제1 반응기(44)로 진입되고, 제1 촉매(44)와 접촉하며, 그리고 제1 반응기 유출물(30)을 형성한다. 이어서, 제1 반응기 유출물(30) 및 스트림(20)은 제1 반응기(14)로 진입되고, 제2 촉매(46)와 접촉하며, 그리고 제2 반응기 유출물(32)을 형성한다. 이어서, 제2 반응기 유출물(32) 및 스트림(22)은 제3 반응기(16)로 진입되고, 제3 촉매(48)와 접촉하며, 그리고 제3 반응기 유출물(34)을 형성한다. 제3 반응기 유출물(34) 및 스트림(26)은 제4 반응기(18)로 진입되고, 제4 촉매(50)와 접촉하며, 그리고 반응 구역 유출물(28)을 형성한다.
앞에서 논의되어 있는 바와 같이, 공급물 스트림(10)은 경질 지방족 화합물을 포함한다. 경질 방향족 화합물 스트림은 액체, 증기 또는 이들의 혼합물일 수 있는 형태로 반응 구역(11) 내로 도입될 수 있다. 하나의 예를 들면, C3 지방족 공급물의 새로운 부분은 액화 석유 가스로서 액체 형태로 이용가능할 수 있다.
하나의 예에서, 공급물 스트림(10)은 단지 C3 농후 탄화수소만을 포함한다. 그러므로, 단지 C3 농후 탄화수소만이 제1 반응기(12)로 진입된다. 스트림(22 및 26) 또는 스트림(20), 스트림(22) 및 스트림(26)은 단지 C4 농후 탄화수소만을 포함한다. 그러므로, C4 농후 탄화수소는 제1 반응기(12)로 진입되지 않고, 하지만 C4 농후 탄화수소는 단지 제2 및 제3 반응기로만, 또는 제2, 제3 및 제4 반응기로만 진입된다. 보다 덜 한 반응성 C3 농후 공급물을 제1 반응기(12) 내로 그리고 보다 더 한 반응성 C4 농후 공급물을 제2 반응기(14) 및 제3 반응기(16) 내로 또는 제2 반응기(14), 제3 반응기(16) 및 제4 반응기(18) 내로 공급함으로써, 보다 더 바람직한 방향족 수율이 결과로 형성된다. 이는 또한 감소된 원하지 않은 중질 방향족, C1 및 C2를 포함하는 감소된 경질 목적물, 및 납 반응기에서의 최소 열분해 코우킹 및 래그 반응기에서의 심한 오염발생을 결과로 야기하고, 반면에 C3 전환율을 최대화한다.
C4 농후 공급물이 래그 반응기 내로 도입되고 H2 및 방향족 둘 다가 존재하는 이러한 예에서, 그것은 부타디엔을 형성하는 경향을 크게 전환시키므로, 코우크 오염발생을 감소시킨다. 더구나, C4 전환에 대한 접촉 시간을 감소시키는 것은 중질 방향족 형성을 크게 경감시키므로, 바람직한 고급 방향족 생성물을 산출하고, 래그 반응기에서의 심한 오염발생을 경감시킨다. 추가로, C3 농후 탄화소를 납 반응기 내로 도입하는 것은 보다 높은 작동 온도 및 보다 낮은 압력이 방향족을 형성하는 보다 덜 한 반응성 C3 농후 탄화수소의 전환을 추진하는 것을 허용하는 것으로 인식된다. 이는 또한 코우크의 발생 및 이로 인한 오염발생을 최소화하고, 보다 더 한 반응성 C4의 열분해로부터 유도된, C1 및 C2를 포함하는 과도한 경질 목적물의 생성도 최소화한다.
한 예에서, 공급 스트림(10)은 단지 C3 탄화수소만을 포함한다. 그러므로, 단지 C3 농후 탄화수소만이 제1 반응기(12)로 진입된다. 스트림(20) 및 스트림(22)은 단지 C4 농후 탄화수소만을 포함한다. 그러므로, C4 농후 탄화수소는 제1 반응 구역(12)으로 진입되지 않고, 하지만 C4 농후 탄화수소는 단지 제2 및 제3 반응기로만 진입된다. 스트림(26)은 단지 C5 농후 탄화수소만을 포함한다.
이러한 실시양태에서, C5는 래그 반응기 내로 도입되어 납 및 래그 반응기에서 열분해 코우크 및 심한 오염발생을 생성하는 높은 경향을 최소화 및 제거하게 된다. C5는 탈수소고리이량체화 기술에서 공급물 성분이고, 전체 공급물에서 유의적인 백분율로 처리하는 곤란성을 갖는다.
한 예에서, 공급물 스트림(10)은 단지 C2 농후 탄화수소만을 포함한다. 그러므로, 단지 C2 농후 탄화수소만이 제2 반응기(12)로 진입된다. 스트림(20)은 단지 C3 농후 탄화수소만을 포함한다. 그러므로, C3 농후 탄화수소는 제1 반응기(12)로 진입되지 않고, 그러나 C3 농후 탄화수소는 제2 반응기(14)로만 진입된다. 스트림(22) 및 스트림(26)은 단지 C4 농후 탄화수소만을 포함한다. 그러므로, C4 탄화수소는 단지 제3 반응기(16) 및 제4 반응기(18)로만 진입된다.
이러한 실시양태에서, C2, C3 및 C4 농후 탄화수소는, 경질 목적물 및 중질 방향족 수율을 감소시키고 동시에 납 및 래그 반응기(들)에서 열분해 코우크 및 심한 오염발생을 경감하면서, 전체 방향족 수율을 최대화하는 감소하는 접촉 시간을 달성하도록 반응기 내로 도입된다.
또다른 예에서, 공급물 스트림(10)은 단지 C2 농후 탄화수소만을 포함한다. 그러므로, 단지 C2 농후 탄화수소만이 제1 반응기(12)로 진입된다. 스트림(20)은 단지 C3 농후 탄화수소만을 포함한다. 그러므로, C3 농후 탄화수소는 제1 반응기(12)로 진입되지 않고, 그러나 C3 농후 탄화수소는 단지 제2 반응기(14)로만 진입된다. 스트림(22)은 단지 C4 농후 탄화수소만을 포함한다. 그러므로, C4 농후 탄화수소는 단지 제3 반응기(16)로만 진입된다. 스트림(26)은 단지 C5 농후 탄화수소만을 포함한다. 그러므로, C5 탄화수소가 농후한 탄화수소 스트림이 단지 제4 반응기(18)로만 진입된다.
도 2는 도 1과 유사하지만, 도 2에는 재순환 스트림(42)이 존재한다. 그 재순환 스트림은 C2-C4 탄화수소를 함유한다. C2-C4 탄화수소를 함유하는 재순환 스트림(42)은 도 2에서 도시되어 있는 바와 같이 공급물(10)과 혼합될 수 있지만, 재순환 스트림(42)은 또한 반응기들 중 임의 또는 모든 반응기로 진입될 수도 있다. 예를 들면, 재순환 스트림(42)은 또한 제2 반응기(14), 제3 반응기(16) 및 제4 반응기(18)로 진입될 수도 있다.
도 2에 예시되어 있는 바와 같이, 일단 재순환 스트림(42)이 공급물(10)과 조합된 후에, 공급물(10)은 공급물(10) 내에 존재하는 어떠한 탄화수소라도 함유하고 또한 재순환 스트림(42) 내에 존재하는 C2-C4 탄화수소도 함유한다. 한 예에서, 공급물 스트림(10)은 C3 탄화수소가 농후한 탄화수소 스트림을 포함한다. 그러므로, C3 탄화수소가 농후한 탄화수소 스트림은 제1 반응기(12)로 진입된다. 본원에서 사용된 바와 같이, 용어 "농후(한)"는 스트림 내의 화합물 또는 화합물 부류의 일반적으로 50 몰% 이상, 바람직하게는 70 몰% 이상의 양을 의미한다. 스트림(20) 및 스트림(22)은 C4 탄화수소가 농후한 탄화수소 스트림을 포함한다. 그러므로, C4 탄화수소가 농후한 탄화수소 스트림이 제1 반응기(12)로 진입되지 않고, 그러나 C4 탄화수소가 농후한 탄화수소 스트림이 단지 제2 및 제3 반응기로만 진입된다. 스트림(26)은 C5 탄화수소가 농후한 탄화수소 스트림을 포함한다.
한 예에서, 공급물 스트림(10)은 C2 탄화수소가 농후한 탄화수소 스트림을 포함한다. 그러므로, C2 탄화수소가 농후한 탄화수소 스트림이 제2 반응기(12)로 진입된다. 스트림(20)은 C3 탄화수소가 농후한 탄화수소 스트림을 포함한다. 그러므로, C3 탄화수소가 농후한 탄화수소 스트림은 제1 반응기(12)로 진입되지 않고, 하지만 C3 탄화수소가 농후한 탄화수소 스트림은 단지 제2 반응기(14)로만 진입된다. 스트림(22) 및 스트림(26)은 C4 탄화수소가 농후하거나 또는 C4 탄화수소 및 C5 탄화수소가 농후한 탄화수소 스트림을 포함한다. 그러므로, C4 탄화수소가 농후한 탄화수소 스트림은 제3 반응기(16) 및 제4 반응기(18)로 진입되거나, 또는 C4 탄화수소는 제3 반응기(16)로 진입되고 C5 탄화수소는 제4 반응기(18)로 진입된다.
이러한 실시양태에서, C2, C3, C4, 및 C5가 농후한 탄화수소 스트림은, 납 및 래그 반응기(들)에서 코우크 및 심한 오염발생을 경감 또는 제거하면서, 경질 목적물 및 중질 방향족 수율을 감소시키는 것과 함께 전체 방향족 수율을 최대화하는 감소하는 접촉 시간을 달성하도록 반응기 내로 도입된다.
도 3은 도 2와 유사하지만, 도 3에서는 단지 제1 반응기(12)로만 진입되는 공급물은 재순환 스트림(42)이다. 스트림(20)은 제2 반응기(14)로 진입되는 C3 탄화수소 농후 스트림을 포함한다. 스트림(22) 및 스트림(26)은 C4 탄화수소가 농후한 탄화수소 스트림을 포함한다. 그러므로, C4 탄화수소가 농후한 탄화수소 스트림은 제3 반응기(16) 및 제4 반응기(18)로 진입된다.
도 3에서 예시된 또다른 예에서, 스트림(20)은 제2 반응기(14)로 진입되는 C3 탄화수소 농후 탄화수소 스트림을 포함한다. 스트림(22)은 C4 탄화수소가 농후한 탄화수소 스트림을 포함한다. 그러므로, C4 탄화수소가 농후한 탄화수소 스트림은 단지 제3 반응기(16)로만 진입된다. 스트림(26)은 C5 탄화수소가 농후한 탄화수소 스트림을 포함한다. 그러므로, C5 탄화수소가 농후한 탄화수소 스트림은 제4 반응기(18)로 진입된다.
임의의 적합한 촉매, 예컨대 임의의 적합한 물질, 예를 들면 알루미노실리케이트를 포함하는 하나 이상의 분자체가 이용될 수 있다. 그 촉매는 유효량의 분자체를 포함할 수 있으며, 그것은 10개 이상 구성원 고리 구조를 갖는 하나 이상의 소공을 지닌 제올라이트일 수 있고, 1 차원 이상을 가질 수 있다. 전형적으로, 그 제올라이트는 10:1 초과, 바람직하게는 20:1~60:1의 Si/Al 몰비를 가질 수 있다. 바람직한 분자체는 BEA, MTW, FAU(큐빅 및 헥사고날 형태 둘 다인 제올라이트 Y, 및 제올라이트 X를 포함함), MOR, MSE, LTL, ITH, ITW, MFI, MEL, MFI/MEL 호생(intergrowth), TUN, IMF, FER, TON, MFS, IWW, EUO, MTT, HEU, CHA, ERI, MWW, AEL, AFO, ATO, 및 LTA를 포함할 수 있다. 바람직하게는, 그 제올라이트는 MFI, MEL, MFI/MEL 호생, TUN, IMF, ITH 및/또는 MTW일 수 있다. 촉매 내의 적합한 제올라이트 양은 1-100 중량%, 바람직하게는 10-90 중량%의 범위일 수 있다.
일반적으로, 방향족화 및 알킬화 촉매는 활성 금속들로부터 선택된 하나 이상의 금속, 및 임의로 개질자 금속(modifier metal)으로부터 선택된 하나 이상의 금속을 포함하고, (파라핀에 의한 방향족의) 알킬화 촉매는 활성 금속을 임의로 포함하지 않는다. 중량 단위로 촉매 상의 총 활성 금속 함량은 5 중량% 미만이다. 일부 실시양태에서, 바람직한 총 활성 금속 함량은 2.5% 미만이고, 또다른 실시양태에서 바람작한 활성 금속 함량은 1.5% 미만이며, 또다른 실시양태에서, 중량 기준으로 촉매 상의 총 활성 금속 함량은 0.5 중량% 미만이다. 하나 이상의 금속은 6족, 7족, 8족, 9족, 10족 및 13족을 포함하는 IUPAC 족으로부터 선택된다. IUPAC 7족 내지 10족은 크롬, 몰리브덴, 텅스텐, 레늄, 백금, 팔라듐, 로듐, 이리듐, 루테늄, 오스뮴, 은 및 아연을 포함하지만, 이들에 국한되는 것은 아니다. IUPAC 13족은 갈륨 및 인듐을 포함하지만, 이들에 국한되는 것은 아니다. 하나 이상의 활성 금속 이외에도, 촉매는 또한 IUPAC 11족 내지 17족으로부터 선택된 하나 이상의 개질자 금속을 함유할 수도 있다. IUPAC 11족 내지 17족은 황, 금, 주석, 게르마늄 및 납을 포함하지만, 이들에 국한되는 것은 아니다.
제1 촉매(44), 제2 촉매(46), 제3 촉매(48) 및 제4 촉매(50)은 동일할 수 있는 것으로 고려된다. 그러나, 또한 제1 촉매(44), 제2 촉매(46), 제3 촉매(48) 및 제4 촉매(50)는 상이할 수 있는 것으로도 고려된다.
도 1에서 예시된 예에서, 반응 구역 생성물 스트림(28)은 경질 생성물 분리 구역(36)으로 이송되고, 여기서 하나 이상의 스트림이 발생된다. 이러한 예에서, 경질 생성물 분리 구역(36)은 제1 유출구 스트림(38), 제2 유출구 스트림(42) 및 제3 유출구 스트림(40)을 생성한다. 제1 경질 생성물 분리 구역 유출구 스트림(38)은 수소, C1 및 C2 탄화수소를 함유한다. 제2 경질 생성물 분리 구역 유출구 스트림(42)은 C2-C4 탄화수소가 농후하며, C2-C4 탄화수소의 퍼지를 포함할 수 있지만, 또한 공급물(10)과 혼합될 수 있도록 C2-C4 탄화수소를 재순환시킨다. 제3 경질 생성물 분리 구역 유출구 스트림(40)은 C6+ 방향족을 함유하고, 방향족 생성물 분리 구역으로 이송된다. 경질 생성물 분리 구역(36)은 다중 파이프 분리 용기를 가질 수 있으며, 그 각각은 수소, C1-C2 탄화수소 및 C2-C4 탄화수소를 포함하는 다중 유출구 스트림을 갖는다. 이들 용기는 플래시 드럼, 응축기, 리보일러, 트레이형 또는 팩형 탑, 증류탑, 흡착기, 극저온 루프, 압축기 및 이들의 조합을 포함할 수 있지만, 이들에 국한되는 것은 아니다.
C2-C4 탄화수소를 함유하는 재순환 스트림(42)은 앞에서 논의된 바와 같이 공급물(10)과 혼합될 수 있지만, 재순환 스트림(42)은 또한 반응기들 중 임의 또는 모든 반응기로 진입될 수 있다. 예를 들면, 재순환 스트림(42)은 또한 제2 반응기(14), 제3 반응기(16) 및 제4 반응기(18)로 진입된다.
도 4는 또다른 실시양태를 예시한 것이다. 도 4에서, C6+ 방향족을 함유하는 제3 경질 생성물 분리 구역 유출구 스트림(40)은 방향족 생성물 분리 구역으로 이송되고, 하지만 유출구 스트림(40)의 일부는 또한 제4 반응기(18)로, 또는 제3 반응기(16) 및 제4 반응기(18)로 이송된다. C6+ 방향족을 함유하는 스트림(40)은 추가 분리될 수 있어서, 제4 반응기(18) 또는 제3 반응기(16) 및 제4 반응기(18)로 이송된 선택적 방향족, 예컨대 크실렌, 톨루엔 또는 바람직하게는 벤젠 및 톨루엔 또는 가장 바람직하게는 벤젠을 갖게 될 수 있다. 한 실시양태에서, 제3 반응기(16) 및 제4 반응기(18)는 각 반응기로 진입되는 3개 스트림을 가질 수 있다. 그러므로, 방향족 농후 생성물 스트림(40)은 경질 지방족 탄화수소 스트림과 조합되어 제3 및 제4 촉매를 함유하는 제3 및 제4 반응기로 각각 공급된다. 또다른 실시양태에서, 경질 지방족 탄화수소는 제3 반응기(16) 또는 제4 반응기(18)로 도입되지 않는다. 이러한 실시양태에서, 미전환된 경질 지방족 탄화수소에 의한 방향족의 알킬화는 최대화되고, 미전환된 탄화수소의 양은 최소화된다. 결과적으로, 미전환된 경질 지방족 탄화수소를 재순환시키는 것은 최소화되거나 전적으로 제거된다. 이러한 실시양태에서, C2-C3 농후 공급물은 제1 반응기(12)로 진입되고, C3-C4 농후 공급물은 제2 반응기(14) 또는 제2 반응기(14) 및 제3 반응기(16)로 진입된다.
본원에서 기술된 본 발명의 바람직한 실시양태에 대한 다양한 변경예 및 변형예는 당업자에게 명백히 이해될 수 있다는 점을 유의해야 한다. 그러한 변경예 및 변형예는 본 발명의 주제의 사상 및 영역으로부터 벗어나는 일 없이 그리고 그의 수반되는 이점들을 소멸시키는 일 없이 이루어질 수 있다.
특정 실시양태
다음은 특정 실시양태와 결부하여 기술되어 있지만, 이러한 설명은 전술한 설명 및 첨부된 청구범위의 영역을 예시하는 것이지 제한하는 것이 아닌 것으로 의도된 것임을 이해할 수 있다.
본 발명의 제1 실시양태는 적어도 C2 탄화수소, C3 탄화수소 또는 이들의 조합이 농후한 제1 경질 지방족 탄화수소 공급물 스트림을, 제1 촉매를 갖는 제1 반응 구역에 통과시켜 제1 반응 구역 유출물을 형성하는 단계; 및 제1 반응 구역 유출물, 및 적어도 C3 탄화수소, C4 탄화수소, C5 탄화수소 또는 이들의 조합이 농후한 제2 경질 지방족 탄화수소 공급물 스트림을, 제2 촉매를 포함하는 제2 반응 구역에 통과시켜 제2 반응 구역 유출물을 형성하는 단계를 포함하는, 방향족 탄화수소의 제조 공정이다. 본 발명의 실시양태는 제3 경질 지방족 탄화수소 공급물 스트림을, 제3 촉매를 포함하는 제3 반응 구역 내에 통과시켜 제3 반응 구역 유출물을 형성하는 단계를 더 포함하는, 본 문단에서 제1 실시양태를 걸친 본 문단에서 선행 실시양태 중 하나, 임의 또는 모든 실시양태이다. 본 발명의 실시양태는 제4 경질 지방족 탄화수소 공급물 스트림을, 제4 촉매를 포함하는 제4 반응 구역 내에 통과시켜 제4 반응 구역 유출물을 형성하는 단계를 더 포함하는, 본 문단에서 제1 실시양태를 걸친 본 문단에서 선행 실시양태 중 하나, 임의 또는 모든 실시양태이다. 본 발명의 실시양태는, 제1 경질 지방족 탄화수소 스트림은 C3 탄화수소가 농후하고 제2 경질 지방족 탄화수소 스트림은 C4 탄화수소가 농후한 것인, 본 문단에서 제1 실시양태를 걸친 본 문단에서 선행 실시양태 중 하나, 임의 또는 모든 실시양태이다. 본 발명의 실시양태는, 제1 경질 지방족 탄화수소 스트림은 C2 탄화수소가 농후하고, 제2 경질 지방족 탄화수소 스트림은 C3 탄화수소가 농후한 것인, 본 문단에서 제1 실시양태를 걸친 본 문단에서 선행 실시양태 중 하나, 임의 또는 모든 실시양태이다. 본 발명의 실시양태는, 제1 경질 지방족 탄화수소 스트림은 C2 탄화수소가 농후하고 제2 및 제3 경질 지방족 탄화수소 스트림은 C3 및 C4 탄화수소가 농후한 것인, 본 문단에서 제1 실시양태를 걸친 본 문단에서 선행 실시양태 중 하나, 임의 또는 모든 실시양태이다. 본 발명의 실시양태는, 제1 경질 지방족 탄화수소 스트림은 C2 탄화수소가 농후하고, 제2, 제3 및 후속 경질 지방족 탄화수소 스트림은 C3, C4 및 C5 탄화수소가 농후한 것인, 본 문단에서 제1 실시양태를 걸친 본 문단에서 선행 실시양태 중 하나, 임의 또는 모든 실시양태이다. 본 발명의 실시양태는 개별 경질 탄화수소의 전체 전환율이 30% 내지 99.5% 전환율 내에 있는 것인, 본 문단에서 제1 실시양태를 걸친 본 문단에서 선행 실시양태 중 하나, 임의 또는 모든 실시양태이다. 본 발명의 실시양태는 개별 경질 탄화수소의 전체 전환율이 50% 내지 95% 전환율 내에 있는 것인, 본 문단에서 제1 실시양태를 걸친 본 문단에서 선행 실시양태 중 하나, 임의 또는 모든 실시양태이다. 본 발명의 실시양태는 제1 및 제2 반응 구역에서의 촉매가 동일 촉매이고, 공정이 고정층, 이동층 또는 유동층 반응기인, 본 문단에서 제1 실시양태를 걸친 본 문단에서 선행 실시양태 중 하나, 임의 또는 모든 실시양태이다. 본 발명의 실시양태는 제1 및 제2 반응 구역에서의 촉매가 상이하고, 공정이 고정층 반응기인, 본 문단에서 제1 실시양태를 걸친 본 문단에서 선행 실시양태 중 하나, 임의 또는 모든 실시양태이다. 본 발명의 실시양태는 반응기 유출물 내의 경질 지방족 탄화수소 및 중질 방향족의 일부가 단일 방향족 고리를 지니면서 6 내지 10개의 탄소 원자 수로 구성되는 방향족 생성물로부터 분리되고, 방향족 농후 생성물 스트림이 제2 촉매를 함유하는 제2 반응 구역으로 이송되는 것인, 본 문단에서 제1 실시양태를 걸친 본 문단에서 선행 실시양태 중 하나, 임의 또는 모든 실시양태이다. 본 발명의 실시양태는 반응기 유출물 내의 경질 지방족 탄화수소의 일부가 방향족 생성물로부터 분리되고 제1 경질 지방족 탄화수소와 배합되어 제1 촉매를 함유하는 제1 반응 구역으로 공급되는 것인, 본 문단에서 제1 실시양태를 걸친 본 문단에서 선행 실시양태 중 하나, 임의 또는 모든 실시양태이다. 본 발명의 실시양태는 반응기 유출물 내에 대부분 C2, C3 및 C4로 구성되는 경질 지방족 탄화수소의 일부가 방향족 생성물로부터 분리되고, 제1 반응기를 함유하는 제1 반응 구역으로 이송되며, 제1 경질 지방족 탄화수소가 제2 반응 구역 촉매를 함유하는 제2 반응 구역으로 공급되는 것인, 본 문단에서 제1 실시양태를 걸친 본 문단에서 선행 실시양태 중 하나, 임의 또는 모든 실시양태이다. 본 발명의 실시양태는 반응기 유출물 내의 방향족 생성물의 일부가 경질 지방족 탄화수소 및 중질 방향족 탄화수소로부터 분리되고, 제2 또는 제3 반응 구역 유출물과 조합되어 제3 또는 제4 촉매를 함유하는 제3 또는 제4 반응 구역으로 공급되는 것인, 본 문단에서 제1 실시양태를 걸친 본 문단에서 선행 실시양태 중 하나, 임의 또는 모든 실시양태이다. 본 발명의 실시양태는 벤젠, 톨루엔, 크실렌, 에틸벤젠, 트리메틸벤젠, 메틸에틸벤젠이고, 바람직하게는 벤젠, 톨루엔 및 크실렌이 농후한 것인, 본 문단에서 제1 실시양태를 걸친 본 문단에서 선행 실시양태 중 하나, 임의 또는 모든 실시양태이다. 본 발명의 실시양태는 제1 반응 구역의 압력이 0.1 내지 50 Psig이고, 온도가 400℃ 내지 850℃인, 본 문단에서 제1 실시양태를 걸친 본 문단에서 선행 실시양태 중 하나, 임의 또는 모든 실시양태이다. 본 발명의 실시양태는 제2 반응 구역의 압력이 1 Psig 내지 500 Psig이고, 온도가 300℃ 내지 750℃인, 본 문단에서 제1 실시양태를 걸친 본 문단에서 선행 실시양태 중 하나, 임의 또는 모든 실시양태이다. 본 발명의 실시양태는 제1 촉매 및 제2 촉매가 제올라이트 및 하나 이상의 활성 금속 함유 성분을 포함하는 것인, 본 문단에서 제1 실시양태를 걸친 본 문단에서 선행 실시양태 중 하나, 임의 또는 모든 실시양태이다. 본 발명의 실시양태는, 제2 경질 지방족 탄화수소 공급물 스트림은 제1 경질 지방족 탄화수소 공급물 스트림 내의 탄소 수보다 더 큰 탄소 수를 갖는 탄화수소가 농후한 것인, 본 문단에서 제1 실시양태를 걸친 본 문단에서 선행 실시양태 중 하나, 임의 또는 모든 실시양태이다.
추가 상세 설명 없다고 할지라도, 선행하는 설명을 이용하면, 당업자는 기술사상 및 그 영역으로부터 벗어나는 일 없이 본 발명을 그의 최대 범위로 이용할 수 있으며, 본 발명의 필수적인 특징을 용이하게 확인할 수 있으므로, 본 발명의 다양한 변경예 및 변형예를 구성하고 본 발명을 다양한 용도 및 조건에 채택할 수 있는 것으로 생각된다. 그러므로, 선행하는 바람직한 특정 실시양태는 본 개시내용의 나머지를 단지 예시하기 위한 것일뿐 어떠한 방식으로도 제한하기 위한 것이 아니며, 그리고 부가된 청구범위의 영역 내에 포함되는 다양한 변형예 및 등가 배열예를 포괄하는 것으로 의도된다는 점을 이해해야 한다.
전술한 설명에서, 달리 특별히 지시되어 있지 않는 한, 모든 온도는 썹씨 온도로 설정되어 있고, 모든 부 및 %는 중량 기준이다.

Claims (10)

  1. 방향족 탄화수소의 제조 방법으로서,
    적어도 C2 탄화수소, C3 탄화수소 또는 이들의 조합이 농후한 제1 경질 지방족 탄화수소 공급물 스트림을, 제1 촉매를 갖는 제1 반응 구역에 통과시켜 제1 반응 구역 유출물을 형성하는 단계, 및
    제1 반응 구역 유출물, 및 적어도 C3 탄화수소, C4 탄화수소, C5 탄화수소 또는 이들의 조합이 농후한 제2 경질 지방족 탄화수소 공급물 스트림을, 제2 촉매를 포함하는 제2 반응 구역에 통과시켜 제2 반응 구역 유출물을 형성하는 단계
    를 포함하는 제조 방법.
  2. 제1항에 있어서, 제3 경질 지방족 탄화수소 공급물 스트림을, 제3 촉매를 포함하는 제3 반응 구역 내에 통과시켜 제3 반응 구역 유출물을 형성하는 단계를 더 포함하는 제조 방법.
  3. 제1항에 있어서, 제3 경질 지방족 탄화수소 공급물 스트림을, 제3 촉매를 포함하는 제3 반응 구역 내에 통과시켜 제3 반응 구역 유출물을 형성하는 단계, 및 제4 경질 지방족 탄화수소 공급물 스트림을, 제4 촉매를 포함하는 제4 반응 구역 내에 통과시켜 제4 반응 구역 유출물을 형성하는 단계를 더 포함하는 제조 방법.
  4. 제1항에 있어서, 제1 경질 지방족 탄화수소 스트림은 C3 탄화수소가 농후하고, 제2 경질 지방족 탄화수소 스트림은 C4 탄화수소가 농후한 것인 제조 방법.
  5. 제1항에 있어서, 제1 경질 지방족 탄화수소 스트림은 C2 탄화수소가 농후하고, 제2 경질 지방족 탄화수소 스트림은 C3 탄화수소가 농후한 것인 제조 방법.
  6. 제1항에 있어서, 제1 경질 지방족 탄화수소 스트림은 C2 탄화수소가 농후하고, 제2 및 제3 경질 지방족 탄화수소 스트림은 C3 및 C4 탄화수소가 농후한 것인 제조 방법.
  7. 제1항에 있어서, 제1 경질 지방족 탄화수소 스트림은 C2 탄화수소가 농후하고, 제2, 제3 및 후속 경질 지방족 탄화수소 스트림은 C3, C4 및 C5 탄화수소가 농후한 것인 제조 방법.
  8. 제1항에 있어서, 개별 경질 탄화수소의 전체 전환율이 30% 내지 99.5% 전환율 내에 있는 것인 제조 방법.
  9. 제1항에 있어서, 개별 경질 탄화수소의 전체 전환율이 50% 내지 95% 전환율 내에 있는 것인 제조 방법.
  10. 제1항에 있어서, 제1 및 제2 반응 구역에서 촉매는 동일 촉매이고, 공정은 고정층, 이동층 또는 유동층 반응기인 제조 방법.


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