KR20170080452A

KR20170080452A - Synapse and neuromorphic device including the same

Info

Publication number: KR20170080452A
Application number: KR1020160146577A
Authority: KR
Inventors: 박상수; 이형동
Original assignee: 에스케이하이닉스 주식회사
Priority date: 2015-12-30
Filing date: 2016-11-04
Publication date: 2017-07-10

Abstract

시냅스 및 뉴로모픽 장치가 제공된다. 본 발명의 일 실시예에 따른 시냅스는, 제1 전극; 상기 제1 전극과 이격된 제2 전극; 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 개재되는 산소 보유층; 상기 산소 보유층과 상기 제2 전극 사이에 개재되고, 상기 산소 보유층의 산소 이온과 반응할 수 있는 복수의 반응성 금속층; 및 상기 산소 보유층과 상기 제2 전극 사이에 개재되고, 상기 복수의 반응성 금속층과 교대로 배열되는 복수의 산소 확산 저지층 - 여기서, 상기 복수의 산소 확산 저지층은 상기 산소 보유층으로부터 상기 복수의 반응성 금속층으로의 산소 이온 이동을 방해함. - 을 포함할 수 있다.Synaptic and neuromotor devices are provided. A synapse according to an embodiment of the present invention includes a first electrode; A second electrode spaced apart from the first electrode; An oxygen-containing layer interposed between the first electrode and the second electrode; A plurality of reactive metal layers interposed between the oxygen holding layer and the second electrode and capable of reacting with oxygen ions in the oxygen holding layer; And a plurality of oxygen diffusion-blocking layers interposed between the oxygen-containing layer and the second electrode and alternately arranged with the plurality of reactive metal layers, wherein the plurality of oxygen diffusion-blocking layers extend from the oxygen- Interfering oxygen ion transport to reactive metal layer. - < / RTI >

Description

시냅스 및 이를 포함하는 뉴로모픽 장치{SYNAPSE AND NEUROMORPHIC DEVICE INCLUDING THE SAME}SYNAPSE AND NEUROMORPHIC DEVICE INCLUDING THE SAME < RTI ID = 0.0 >

본 특허 문헌은 인간의 신경계를 모사하는 뉴로모픽 장치 및 이들의 응용에 관한 것이다.This patent document relates to a neuromotor apparatus for simulating a human nervous system and their applications.

최근 전자기기의 소형화, 저전력화, 고성능화, 다양화 등에 따라, 대용량의 정보를 효율적으로 처리할 수 있는 기술이 요구되고 있다. 특히, 인간의 신경계를 모사하는 뉴로모픽 기술(neuromorphic technology)에 관한 관심이 증대되고 있다. 인간의 신경계에는 수천억 개의 뉴런(neuron)과 뉴런 사이의 접합부인 시냅스(synapse)가 존재한다. 뉴로모픽 기술에서는 이러한 뉴런과 시냅스에 각각 대응하는 뉴런 회로와 시냅스 회로를 설계함으로써 뉴로모픽 장치를 구현하고자 한다. 뉴로모픽 장치는 데이터 분류, 패턴 인식 등 다양한 분야에서 활용될 수 있다.BACKGROUND ART In recent years, there has been a demand for a technology capable of efficiently processing a large amount of information in accordance with miniaturization, low power consumption, high performance, and diversification of electronic devices. In particular, there is growing interest in neuromorphic technology, which simulates the human nervous system. There are hundreds of billions of neurons in the human nervous system and synapses that are the junctions between neurons. In the neuromotor technology, we try to implement a neuromotor device by designing neuron circuits and synapse circuits corresponding to these neurons and synapses, respectively. The NyomopliK device can be used in various fields such as data classification and pattern recognition.

본 발명의 실시예들이 해결하려는 과제는, 대칭성 및 선형성이 향상된 시냅스 및 이를 포함하는 뉴로모픽 장치를 제공하는 것이다.The problem to be solved by the embodiments of the present invention is to provide a synapse having improved symmetry and linearity, and a neuromotor apparatus including the same.

상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 시냅스는, 제1 전극; 상기 제1 전극과 이격된 제2 전극; 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 개재되는 산소 보유층; 상기 산소 보유층과 상기 제2 전극 사이에 개재되고, 상기 산소 보유층의 산소 이온과 반응할 수 있는 복수의 반응성 금속층; 및 상기 산소 보유층과 상기 제2 전극 사이에 개재되고, 상기 복수의 반응성 금속층과 교대로 배열되는 복수의 산소 확산 저지층 - 여기서, 상기 복수의 산소 확산 저지층은 상기 산소 보유층으로부터 상기 복수의 반응성 금속층으로의 산소 이온 이동을 방해함. - 을 포함할 수 있다.According to an aspect of the present invention, there is provided a synapse comprising: a first electrode; A second electrode spaced apart from the first electrode; An oxygen-containing layer interposed between the first electrode and the second electrode; A plurality of reactive metal layers interposed between the oxygen holding layer and the second electrode and capable of reacting with oxygen ions in the oxygen holding layer; And a plurality of oxygen diffusion-blocking layers interposed between the oxygen-containing layer and the second electrode and alternately arranged with the plurality of reactive metal layers, wherein the plurality of oxygen diffusion-blocking layers extend from the oxygen- Interfering oxygen ion transport to reactive metal layer. - < / RTI >

위 실시예에 있어서, 상기 시냅스는, 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극에 인가되는 전압 또는 전류에 따라, 상기 복수의 반응성 금속층 중 적어도 하나가 상기 산소 이온과 반응하여 대응하는 상기 산소 확산 저지층과의 계면에 절연성 산화물층이 생성되거나, 또는, 상기 절연성 산화물층이 소멸될 수 있다. 또한, 상기 시냅스는, 상기 절연성 산화물층의 두께가 증가할수록 전도도가 감소하고, 상기 절연성 산화물층의 두께가 감소할수록 전도도가 증가할 수 있다. 상기 시냅스는, 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극을 통하여 인가되는 제1 극성의 전기적 펄스의 개수가 증가할수록, 상기 절연성 산화물층의 두께가 증가하고, 상기 제1 및 제2 전극을 통하여 인가되는 상기 제1 극성과 상이한 제2 극성의 전기적 펄스의 개수가 증가할수록, 상기 절연성 산화물층의 두께가 감소할 수 있다. 상기 제1 극성의 전기적 펄스 및 상기 제2 극성의 전기적 펄스 각각은, 일정한 폭 및 일정한 크기를 가질 수 있다. 상기 산소 확산 저지층은, 상기 산소 이온의 이동을 완전히 차단하지 않는 두께를 가질 수 있다. 상기 산소 확산 저지층은, 절연 물질, 반도체 물질 또는 이들의 조합을 포함할 수 있다. 상기 시냅스는, 상기 제1 전극과 상기 산소 보유층 사이, 및 상기 제2 전극과 상기 복수의 반응성 금속층 중 상기 제2 전극과 가장 인접한 반응성 금속층 사이 중 적어도 하나에 위치하여 저항을 증가시키는 저항층을 더 포함할 수 있다. 상기 저항층은, 절연 물질, 반도체 물질 또는 이들의 조합을 포함할 수 있다. 상기 제1 및 제2 전극을 통하여 인가되는 제1 극성의 전기적 펄스의 개수가 증가할수록 전도도가 감소하는 억제 동작이 수행되는 경우, 상기 제1 극성과 상이한 제2 극성의 전기적 펄스의 개수가 증가할수록 전도도가 증가하는 강화 동작이 수행될 수 있다. 상기 강화 동작시의 전도도와 상기 억제 동작시의 전도도가 실질적으로 대칭일 수 있다. 상기 강화 동작 및 상기 억제 동작 각각에서, 전도도의 변화율이 실질적으로 일정할 수 있다. 상기 제1 극성의 전기적 펄스 및 상기 제2 극성의 전기적 펄스 각각은, 일정한 폭 및 일정한 크기를 가질 수 있다. 상기 제1 극성의 전기적 펄스 및 상기 제2 극성의 전기적 펄스 각각의 폭 및 크기 중 적어도 하나가 소정 임계값 미만인 경우, 전도도가 변하지 않을 수 있다.In the above embodiment, the synapse may be configured such that, depending on the voltage or current applied to the first electrode and the second electrode, at least one of the plurality of reactive metal layers reacts with the oxygen ions, An insulating oxide layer may be formed at the interface with the insulating oxide layer, or the insulating oxide layer may be destroyed. In addition, the conductivity of the synapse decreases as the thickness of the insulating oxide layer increases, and the conductivity increases as the thickness of the insulating oxide layer decreases. As the number of electrical pulses of the first polarity applied through the first electrode and the second electrode increases, the synapse increases in thickness of the insulating oxide layer and increases through the first and second electrodes As the number of electrical pulses of the second polarity different from the first polarity is increased, the thickness of the insulating oxide layer can be reduced. Each of the electrical pulses of the first polarity and the electrical pulses of the second polarity may have a constant width and a constant magnitude. The oxygen diffusion inhibiting layer may have a thickness that does not completely block the movement of the oxygen ions. The oxygen diffusion barrier layer may include an insulating material, a semiconductor material, or a combination thereof. The synapse is located in at least one of the first electrode and the oxygen retention layer and between the second electrode and the reactive metal layer closest to the second electrode among the plurality of reactive metal layers to increase the resistance . The resistive layer may comprise an insulating material, a semiconductor material, or a combination thereof. When the suppression operation is performed such that the conductivity decreases as the number of electrical pulses of the first polarity applied through the first and second electrodes increases, as the number of electrical pulses of the second polarity different from the first polarity increases An enrichment operation in which the conductivity increases can be performed. The conductivity at the time of the reinforcing operation and the conductivity at the time of the suppressing operation may be substantially symmetrical. In each of the enrichment operation and the suppression operation, the rate of change of conductivity may be substantially constant. Each of the electrical pulses of the first polarity and the electrical pulses of the second polarity may have a constant width and a constant magnitude. If at least one of the width and the magnitude of each of the first polarity electrical pulse and the second polarity electrical pulse is less than a predetermined threshold, the conductivity may not change.

또한, 상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 뉴로모픽 장치는, 제1 뉴런; 제2 뉴런; 상기 제1 뉴런에 연결되고, 제1 방향으로 연장하는 제1 배선; 상기 제2 뉴런에 연결되고, 상기 제1 배선과 교차하도록 제2 방향으로 연장하는 제2 배선; 및 상기 제1 배선과 상기 제2 배선의 사이에서 상기 제1 배선과 상기 제2 배선의 교차점에 위치하는 시냅스를 포함하고, 상기 시냅스는, 산소 보유층; 상기 산소 보유층과 상기 제2 전극 사이에 개재되고, 상기 산소 보유층의 산소 이온과 반응할 수 있는 복수의 반응성 금속층; 및 상기 산소 보유층과 상기 제2 전극 사이에 개재되고, 상기 복수의 반응성 금속층과 교대로 배열되는 복수의 산소 확산 저지층 - 여기서, 상기 복수의 산소 확산 저지층은 상기 산소 보유층으로부터 상기 복수의 반응성 금속층으로의 산소 이온 이동을 방해함. - 을 포함할 수 있다. According to another aspect of the present invention, there is provided a neuromotion apparatus comprising: a first neuron; A second neuron; A first wiring connected to the first neuron and extending in a first direction; A second wiring connected to the second neuron and extending in a second direction so as to intersect with the first wiring; And a synapse located at an intersection of the first wiring and the second wiring between the first wiring and the second wiring, wherein the synapse includes an oxygen holding layer; A plurality of reactive metal layers interposed between the oxygen holding layer and the second electrode and capable of reacting with oxygen ions in the oxygen holding layer; And a plurality of oxygen diffusion-blocking layers interposed between the oxygen-containing layer and the second electrode and alternately arranged with the plurality of reactive metal layers, wherein the plurality of oxygen diffusion-blocking layers extend from the oxygen- Interfering oxygen ion transport to reactive metal layer. - < / RTI >

위 실시예에 있어서, 상기 제1 배선 및 상기 제2 배선을 통하여 상기 시냅스에 인가되는 전압 또는 전류에 따라, 상기 복수의 반응성 금속층 중 적어도 하나가 상기 산소 이온과 반응하여 대응하는 상기 산소 확산 저지층과의 계면에 절연성 산화물층이 생성되거나, 또는, 상기 절연성 산화물층이 소멸될 수 있다. 상기 절연성 산화물층의 두께가 증가할수록 상기 시냅스의 전도도가 감소하고, 상기 절연성 산화물층의 두께가 감소할수록 상기 시냅스의 전도도가 증가할 수 있다. 상기 제1 뉴런은, 상기 제1 배선 및 상기 제2 배선 중 적어도 하나를 제1 극성의 전기적 펄스 및 상기 제1 극성과 상이한 제2 극성의 전기적 펄스로 구동하고, 상기 제1 극성의 전기적 펄스의 개수가 증가할수록, 상기 절연성 산화물층의 두께가 증가하고, 상기 제2 극성의 전기적 펄스의 개수가 증가할수록, 상기 절연성 산화물층의 두께가 감소할 수 있다. 상기 제1 극성의 전기적 펄스 및 상기 제2 극성의 전기적 펄스 각각은, 일정한 폭 및 일정한 크기를 가질 수 있다. 상기 시냅스는, 상기 제1 배선과 상기 산소 보유층 사이 및 상기 제2 배선과 상기 복수의 반응성 금속층 중 상기 제2 배선과 가장 인접한 반응성 금속층 사이 중 적어도 하나에 위치하여 저항을 증가시키는 저항층을 더 포함할 수 있다.In the above embodiment, at least one of the plurality of reactive metal layers reacts with the oxygen ions according to the voltage or current applied to the synapse through the first wiring and the second wiring, An insulating oxide layer may be formed at the interface with the insulating oxide layer, or the insulating oxide layer may be destroyed. As the thickness of the insulating oxide layer increases, the conductivity of the synapse decreases, and as the thickness of the insulating oxide layer decreases, the conductivity of the synapse increases. Wherein the first neuron drives at least one of the first wiring and the second wiring with an electrical pulse of a first polarity and an electrical pulse of a second polarity different from the first polarity, As the number increases, the thickness of the insulating oxide layer increases, and as the number of electrical pulses of the second polarity increases, the thickness of the insulating oxide layer may decrease. Each of the electrical pulses of the first polarity and the electrical pulses of the second polarity may have a constant width and a constant magnitude. The synapse is located in at least one of the first wiring and the oxygen holding layer and between the second wiring and the reactive metal layer closest to the second wiring among the plurality of reactive wiring layers to further increase the resistance .

상술한 본 발명의 실시예들에 의하면, 시냅스의 대칭성 및 선형성을 향상시킬 수 있고 그에 따라 뉴로모픽 장치의 동작 특성을 향상시킬 수 있다.According to the embodiments of the present invention described above, the symmetry and linearity of the synapse can be improved, thereby improving the operation characteristics of the neuromorphic device.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 뉴로모픽 장치 및 그 동작 방법을 설명하기 위한 도면이다.
도 2a 내지 도 2d는 도 1의 각 시냅스(30)에 요구되는 특성을 설명하기 위한 도면이다.
도 3a는 비교예의 시냅스를 설명하기 위한 단면도이고, 도 3b 및 도 3c는 도 3a의 시냅스의 특성을 설명하기 위한 도면이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 시냅스를 설명하기 위한 단면도이다.
도 5는 본 발명의 다른 일 실시예에 따른 시냅스를 설명하기 위한 단면도이다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 패턴 인식 시스템의 일 예이다.1 is a view for explaining a neuromotion apparatus and an operation method thereof according to an embodiment of the present invention.
FIGS. 2A to 2D are views for explaining characteristics required for each synapse 30 of FIG. 1. FIG.
FIG. 3A is a cross-sectional view for explaining the synapse of the comparative example, and FIGS. 3B and 3C are views for explaining the characteristics of the synapse of FIG. 3A.
4 is a cross-sectional view illustrating a synapse according to an embodiment of the present invention.
5 is a cross-sectional view illustrating a synapse according to another embodiment of the present invention.
6 is an example of a pattern recognition system according to an embodiment of the present invention.

이하에서는, 첨부된 도면을 참조하여 다양한 실시예들이 상세히 설명된다. In the following, various embodiments are described in detail with reference to the accompanying drawings.

도면은 반드시 일정한 비율로 도시된 것이라 할 수 없으며, 몇몇 예시들에서, 실시예들의 특징을 명확히 보여주기 위하여 도면에 도시된 구조물 중 적어도 일부의 비례는 과장될 수도 있다. 도면 또는 상세한 설명에 둘 이상의 층을 갖는 다층 구조물이 개시된 경우, 도시된 것과 같은 층들의 상대적인 위치 관계나 배열 순서는 특정 실시예를 반영할 뿐이어서 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며, 층들의 상대적인 위치 관계나 배열 순서는 달라질 수도 있다. 또한, 다층 구조물의 도면 또는 상세한 설명은 특정 다층 구조물에 존재하는 모든 층들을 반영하지 않을 수도 있다(예를 들어, 도시된 두 개의 층 사이에 하나 이상의 추가 층이 존재할 수도 있다). 예컨대, 도면 또는 상세한 설명의 다층 구조물에서 제1 층이 제2 층 상에 있거나 또는 기판상에 있는 경우, 제1 층이 제2 층 상에 직접 형성되거나 또는 기판상에 직접 형성될 수 있음을 나타낼 뿐만 아니라, 하나 이상의 다른 층이 제1 층과 제2 층 사이 또는 제1 층과 기판 사이에 존재하는 경우도 나타낼 수 있다.The drawings are not necessarily drawn to scale, and in some instances, proportions of at least some of the structures shown in the figures may be exaggerated to clearly show features of the embodiments. When a multi-layer structure having two or more layers is disclosed in the drawings or the detailed description, the relative positional relationship or arrangement order of the layers as shown is only a specific example and the present invention is not limited thereto. The order of relationships and arrangements may vary. In addition, a drawing or a detailed description of a multi-layer structure may not reflect all layers present in a particular multi-layer structure (e.g., there may be more than one additional layer between the two layers shown). For example, if the first layer is on the substrate or in the multilayer structure of the drawings or the detailed description, the first layer may be formed directly on the second layer or may be formed directly on the substrate As well as the case where more than one other layer is present between the first layer and the second layer or between the first layer and the substrate.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 뉴로모픽 장치 및 그 동작 방법을 설명하기 위한 도면이다.1 is a view for explaining a neuromotion apparatus and an operation method thereof according to an embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 뉴로모픽 장치는 복수의 프리 시냅틱 뉴런(presynaptic neuron, 10), 복수의 포스트 시냅틱 뉴런(postsynaptic neuron, 20), 및 복수의 프리 시냅틱 뉴런(10)과 복수의 포스트 시냅틱 뉴런(20) 사이의 각각의 연결을 제공하는 시냅스(30)를 포함할 수 있다. 1, a neuromotry device according to an embodiment of the present invention includes a plurality of presynaptic neurons 10, a plurality of postsynaptic neurons 20, and a plurality of presynaptic neurons 10) and a plurality of post-synaptic neurons 20, respectively.

본 실시예의 뉴로모픽 장치는, 4개의 프리 시냅틱 뉴런(10), 4개의 포스트 시냅틱 뉴런(20) 및 16개의 시냅스(30)를 포함하고 있으나, 이들 개수는 다양하게 변형될 수 있다./ 프리 시냅틱 뉴런(10)의 개수가 N개(여기서, N은 2 이상의 자연수임)이고, 포스트 시냅틱 뉴런(20)의 개수가 M개(여기서, M은 2 이상의 자연수이고, N과 같거나 다를 수 있음)인 경우, N*M개의 시냅스(30)가 매트릭스 형태로 배열될 수 있다. /이를 위하여, 복수의 프리 시냅틱 뉴런(10) 각각과 연결되고 제1 방향 예컨대, 가로 방향으로 연장하는 배선(12)과, 복수의 포스트 시냅틱 뉴런(20) 각각과 연결되고 제1 방향과 교차하는 제2 방향 예컨대, 세로 방향으로 연장하는 배선(22)이 제공될 수 있다./ 이하, 설명의 편의를 위하여, 제1 방향으로 연장하는 배선(12)을 로우 배선(row line)이라 하고, 제2 방향으로 연장하는 배선(22)을 컬럼 배선(column line)이라 하기로 한다. 복수의 시냅스(30)는 로우 배선(12)과 컬럼 배선(22)의 교차점마다 배치되어 대응하는 로우 배선(12)과 대응하는 컬럼 배선(22)을 서로 연결시킬 수 있다. /The neuromotry device of the present embodiment includes four pre-synaptic neurons 10, four post-synaptic neurons 20, and sixteen synapses 30, but these numbers can be varied. Wherein the number of synaptic neurons 10 is N (where N is a natural number of 2 or more), the number of post-synaptic neurons 20 is M (where M is a natural number of 2 or more, ), The N * M synapses 30 may be arranged in a matrix form. A plurality of post synaptic neurons 20 connected to each of the plurality of pre-synaptic neurons 10 and extending in a first direction, e.g., a transverse direction, For convenience of explanation, the wiring 12 extending in the first direction is referred to as a row line, and the wiring 12 extending in the second direction is referred to as a row line. The wiring 22 extending in two directions is referred to as a column line. A plurality of synapses 30 may be arranged at each intersection of the row wiring 12 and the column wiring 22 to connect the corresponding row wiring 12 and the corresponding column wiring 22 to each other. /

프리 시냅틱 뉴런(10)은 신호 예컨대, 특정 데이터에 해당하는 신호를 생성하여 로우 배선(12)으로 보내는 역할을 수행하고, 포스트 시냅틱 뉴런(20)은 시냅스 소자(30)를 거친 시냅틱 신호를 컬럼 배선(22)을 통하여 수신하고 처리하는 역할을 수행할 수 있다. 로우 배선(12)은 프리 시냅틱 뉴런(10)의 액손(axon)에 대응하고, 컬럼 배선(22)은 포스트 시냅틱 뉴런(20)의 덴드라이트(dendrite)에 대응할 수 있다. 그러나, 프리 시냅틱 뉴런인지 포스트 시냅틱 뉴런인지 여부는 다른 뉴런과의 상대적인 관계에 의해 결정될 수 있다. 예컨대, 프리 시냅틱 뉴런(10)이 다른 뉴런과의 관계에서 시냅틱 신호를 수신하는 경우 포스트 시냅틱 뉴런으로 기능할 수 있다. 유사하게, 포스트 시냅틱 뉴런(20)이 다른 뉴런과의 관계에서 신호를 보내는 경우 프리 시냅틱 뉴런으로 기능할 수 있다. 프리 시냅틱 뉴런(10) 및 포스트 시냅틱 뉴런(20)은 CMOS 등 다양한 회로로 구현될 수 있다./The pre-synaptic neuron 10 generates a signal corresponding to a specific data, for example, and sends it to the row wiring 12. The post-synaptic neuron 20 transmits a synaptic signal through the synapse element 30 to the column wiring 12. [ And receive and process the data through the network 22. The row wiring 12 corresponds to the axon of the presynaptic neuron 10 and the column wiring 22 corresponds to the dendrite of the post synaptic neuron 20. However, whether it is a pre-synaptic neuron or a post-synaptic neuron can be determined by its relative relationship with other neurons. For example, a presynaptic neuron 10 may function as a post-synaptic neuron if it receives a synaptic signal in relation to another neuron. Similarly, post-synaptic neurons 20 can function as presynaptic neurons when they send signals in relation to other neurons. The pre-synaptic neuron 10 and the post-synaptic neuron 20 may be implemented with various circuits such as CMOS.

프리 시냅틱 뉴런(10)과 포스트 시냅틱 뉴런(20) 사이의 연결은 시냅스(30)를 통하여 이루어질 수 있다. 여기서, 시냅스(30)는 양단에 인가되는 전기적 펄스 예컨대, 전압 또는 전류에 따라 전기적 전도도(electrical conductance) 혹은 가중치(weight)가 변하는 소자이다. The connection between the presynaptic neuron 10 and the post-synaptic neuron 20 may be via the synapse 30. Here, the synapse 30 is an element whose electrical conductance or weight changes in accordance with an electric pulse applied to both ends, for example, a voltage or a current.

시냅스(30)는 예컨대, 가변 저항 소자를 포함할 수 있다. 가변 저항 소자는 양단에 인가되는 전압 또는 전류에 따라 서로 다른 저항 상태 사이에서 스위칭할 수 있는 소자로서, 복수의 저항 상태를 가질 수 있는 다양한 물질 예컨대, 전이 금속 산화물, 페로브스카이트(perovskite)계 물질 등과 같은 금속 산화물, 칼코게나이드(chalcogenide)계 물질 등과 같은 상변화 물질, 강유전 물질, 강자성 물질 등을 포함하는 단일막 구조 또는 다중막 구조를 가질 수 있다. 가변 저항 소자 및/또는 시냅스(30)가 고저항 상태에서 저저항 상태로 변하는 동작을 셋(set) 동작이라 하고, 저저항 상태에서 고저항 상태로 변하는 동작을 리셋(reset) 동작이라 할 수 있다. The synapse 30 may comprise, for example, a variable resistive element. The variable resistive element is an element that can switch between different resistance states depending on the voltage or current applied to both ends. The variable resistive element includes various materials capable of having a plurality of resistance states, such as a transition metal oxide, a perovskite system And may have a single-layer structure or a multi-layer structure including a phase-change material such as a metal oxide such as a material, a chalcogenide-based material, a ferroelectric material, a ferromagnetic material and the like. The operation in which the variable resistance element and / or the synapse 30 changes from the high resistance state to the low resistance state is referred to as a set operation and the operation in which the resistance state changes from the low resistance state to the high resistance state is referred to as a reset operation .

단, 뉴로모픽 장치의 시냅스(30)는, RRAM, PRAM, FRAM, MRAM 등의 메모리 장치에 이용되는 가변 저항 소자와 달리, 셋 동작과 리셋 동작에서 급격한(abrupt) 저항 변화가 없고, 입력되는 전기적 펄스의 개수에 따라 전도도가 점진적으로 변화하는 아날로그 거동(analog behavior)을 보이는 등, 메모리에서의 가변 저항 소자와 구별되는 여러가지 특성을 갖도록 구현될 수 있다. 이는 메모리에서 가변 저항 소자에 요구되는 특성과 뉴로모픽 장치에서 시냅스(30)에 요구되는 특성이 서로 상이하기 때문이다. 참고로, 메모리에 이용되는 가변 저항 소자는 전기적 펄스가 반복하여 인가되더라도, 셋 동작 또는 리셋 동작이 수행되기 전에는 자신의 전도도를 유지하는 것이 바람직하다. 저저항 상태와 고저항 상태 사이의 구분을 명확하게 하여 서로 다른 데이터를 저장하기 위함이다. 뉴로모픽 장치에 적합한 시냅스(30)의 특성에 관하여는 후술하는 도 2a 내지 도 2d를 참조하여 보다 상세히 설명하기로 한다.However, unlike the variable resistive element used in the memory device such as the RRAM, the PRAM, the FRAM and the MRAM, the synapse 30 of the neuromodule device has no abrupt resistance change in the set operation and the reset operation, It can be implemented to have various characteristics that distinguish it from the variable resistance element in the memory, such as showing analog behavior in which the conductivity gradually changes according to the number of electric pulses. This is because the characteristics required for the variable resistive element in the memory and the characteristics required for the synapse 30 in the neuromotor device are different from each other. For reference, it is preferable that the variable resistive element used in the memory maintains its conductivity before the set operation or the reset operation is performed even if the electric pulse is repeatedly applied. To distinguish between the low-resistance state and the high-resistance state, thereby storing different data. The characteristics of the synapse 30 suitable for a neurometer device will be described in more detail with reference to FIGS. 2A to 2D, which will be described later.

한편, 위와 같은 뉴로모픽 장치의 학습 동작을 예시적으로 설명하면 다음과 같다. 설명의 편의를 위하여, 로우 배선(12)을 위에서부터 제1 로우 배선(12A), 제2 로우 배선(12B), 제3 로우 배선(12C) 및 제4 로우 배선(12D)이라 하고, 컬럼 배선(22)을 왼쪽에서부터 제1 컬럼 배선(22A), 제2 컬럼 배선(22B), 제3 컬럼 배선(22C) 및 제4 컬럼 배선(22D)이라 할 수 있다.The learning operation of the neuromodule device will be described below as an example. For convenience of explanation, the row wiring 12 is referred to as a first row wiring 12A, a second row wiring 12B, a third row wiring 12C and a fourth row wiring 12D from above, The first column wiring 22 may be referred to as a first column wiring 22A, a second column wiring 22B, a third column wiring 22C and a fourth column wiring 22D from the left.

최초 상태에서, 시냅스(30) 전부는 고저항 상태에 있을 수 있다. 시냅스(30)의 적어도 일부가 저저항 상태인 경우, 이들을 고저항 상태로 만드는 초기화 동작이 추가로 필요할 수 있다. 시냅스(30) 각각은 소정의 임계값을 가질 수 있다. 보다 구체적으로, 각 시냅스(30)의 양단에 소정 임계값보다 작은 크기의 전압 또는 전류가 인가되면 시냅스(30)의 전도도는 변하지 않고, 시냅스(30)에 소정 임계값 이상의 전압 또는 전류가 인가되면 시냅스(30)의 전도도는 변화할 수 있다.In the initial state, all of the synapses 30 may be in a high resistance state. If at least a portion of the synapse 30 is in a low resistance state, an initialization operation may be further required to render them in a high resistance state. Each of the synapses 30 may have a predetermined threshold value. More specifically, when a voltage or current of a magnitude less than a predetermined threshold value is applied to both ends of each synapse 30, the conductivity of the synapse 30 does not change, and when a voltage or current of a predetermined threshold value or more is applied to the synapse 30 The conductivity of synapse 30 may vary.

이 상태에서, 특정 데이터를 특정 컬럼 배선(22)에 학습하는 동작을 수행하기 위하여, 특정 데이터에 해당하는 입력 신호가 로우 배선(12)으로 들어올 수 있다. 입력 신호는 로우 배선(12) 각각에 대한 전기적 펄스의 인가로 나타날 수 있다. 일례로서, 로우 배선(12)으로 '0011'의 데이터에 해당하는 입력 신호가 들어오는 경우, '0'에 대응하는 로우 배선(12) 예컨대, 제1 및 제2 로우 배선(12A, 12B)에는 전기적 펄스가 인가되지 않고, '1'에 대응하는 로우 배선(12) 예컨대, 제3 및 제4 로우 배선(12C, 12D)에만 전기적 펄스가 인가될 수 있다. In this state, in order to perform the operation of learning the specific data to the specific column wiring 22, the input signal corresponding to the specific data may enter the row wiring 12. [ The input signal may appear as an application of an electrical pulse to each of the row wirings 12. [ For example, when the input signal corresponding to the data '0011' is input to the row wiring 12, the row wiring 12 corresponding to '0', for example, the first and second row wirings 12A and 12B, The pulse is not applied and the electric pulse can be applied only to the row wiring 12 corresponding to '1', for example, the third and fourth row wirings 12C and 12D.

이때, 컬럼 배선(22)은 학습을 위하여 적절한 전압 또는 전류로 구동될 수 있다. At this time, the column wiring 22 may be driven with appropriate voltage or current for learning.

일례로서, 특정 데이터를 학습할 컬럼 배선(22)이 이미 정하여진 경우, 이 컬럼 배선(22)은 '1'에 대응하는 로우 배선(12)과의 교차점에 위치하는 시냅스(30)가 셋 동작시 요구되는 전압(이하, 셋 전압) 이상의 크기를 갖는 전압을 인가받도록 구동되고, 나머지 컬럼 배선(22)은 나머지 시냅스(30)가 셋 전압보다 작은 크기의 전압을 인가받도록 구동될 수 있다. 예컨대, 셋 전압의 크기가 Vset이고, '0011'의 데이터를 학습할 컬럼 배선(22)이 제3 컬럼 배선(22C)으로 정하여진 경우, 제3 컬럼 배선(22C)과 제3 및 제4 로우 배선(12C, 12D)과의 교차점에 위치하는 제1 및 제2 시냅스(30A, 30B)가 Vset 이상의 전압을 인가받도록, 제3 및 제4 로우 배선(12C, 12D)에 인가되는 전기적 펄스의 크기는 Vset 이상일 수 있고 제3 컬럼 배선(22C)에 인가되는 전압은 0V일 수 있다. 그에 따라 제1 및 제2 시냅스(30A, 30B)는 저저항 상태가 될 수 있다. 저저항 상태의 제1 및 제2 시냅스(30A, 30B)의 전도도는 전기적 펄스의 개수가 증가할수록 점진적으로 증가할 수 있다. 제1 및 제2 시냅스(30A, 30B)를 제외한 나머지 시냅스(30)는 Vset 보다 작은 전압을 인가받도록, 나머지 컬럼 배선 즉, 제1, 제2 및 제4 컬럼 배선(22A, 22B, 22D)에 인가되는 전압은 0V와 Vset 사이의 값 예컨대, 1/2Vset의 값을 가질 수 있다. 그에 따라, 제1 및 제2 시냅스(30A, 30B)를 제외한 나머지 시냅스(30)의 저항 상태는 변화하지 않을 수 있다. For example, when the column wiring 22 to learn specific data is already determined, the column wiring 22 has a synapse 30 positioned at the intersection with the row wiring 12 corresponding to '1' The remaining column wirings 22 can be driven so that the remaining synapses 30 are supplied with a voltage smaller than the set voltage. For example, when the set voltage level is Vset and the column wiring 22 to learn the data of '0011' is defined as the third column wiring 22C, the third column wiring 22C and the third and fourth rows The magnitudes of the electric pulses applied to the third and fourth row wirings 12C and 12D are set such that the first and second synapses 30A and 30B located at the intersections with the wirings 12C and 12D receive a voltage equal to or greater than Vset. May be equal to or greater than Vset, and the voltage applied to the third column wiring 22C may be 0V. Accordingly, the first and second synapses 30A and 30B can be in a low resistance state. The conductivity of the first and second synapses 30A and 30B in the low resistance state can be gradually increased as the number of electrical pulses increases. The remaining synapses 30 except for the first and second synapses 30A and 30B are connected to the remaining column wirings, that is, the first, second and fourth column wirings 22A, 22B and 22D, The applied voltage may have a value between 0 V and Vset, for example, 1/2 Vset. Accordingly, the resistance state of the remaining synapses 30 except for the first and second synapses 30A and 30B may not change.

위와 같은 방식으로 로우 배선(12) 및 컬럼 배선(22)이 구동되면, 전기적 펄스를 인가받는 시냅스(30) 예컨대, 제3 및 제4 로우 배선(12C, 12D)과 제3 컬럼 배선(22C)의 교차점에 위치하는 제1 및 제2 시냅스(30A, 30B)의 전도도가 점진적으로 증가하면서 이들을 통하여 제3 컬럼 배선(22C)으로 흐르는 전류가 증가할 수 있다. 제3 컬럼 배선(22C)에 흐르는 전류를 측정하여, 이 전류가 소정 임계 전류에 도달하면 제3 컬럼 배선(22C)은 '특정 데이터를 학습한 컬럼 배선' 예컨대, '0011'의 데이터를 학습한 컬럼 배선이 될 수 있다. The third and fourth row wirings 12C and 12D and the third column wirings 22C to which the electric pulse is applied are driven when the row wirings 12 and the column wirings 22 are driven in the above- The conductivity of the first and second synapses 30A and 30B located at the intersections of the first and second synapses 30A and 30B gradually increases and the current flowing through the third column line 22C may increase. The current flowing through the third column wiring 22C is measured. When the current reaches the predetermined threshold current, the third column wiring 22C learns the data of 'column wiring', for example, '0011' Column wiring.

다른 일례로서, 특정 데이터를 학습할 컬럼 배선(22)이 정하여져 있지 않을 수도 있다. 이러한 경우, 특정 데이터에 해당하는 전기적 펄스를 로우 배선(12)으로 인가하면서 컬럼 배선(22) 각각에 흐르는 전류를 측정하여 가장 먼저 소정 임계 전류에 도달하는 컬럼 배선(22)이 특정 데이터를 학습한 컬럼 배선(22)이 될 수 있다. As another example, the column wiring 22 to learn specific data may not be defined. In this case, the electric current corresponding to the specific data is applied to the row wiring 12 while measuring the electric current flowing through each of the column wirings 22, and the column wiring 22, which firstly reaches the predetermined threshold current, It may be a column wiring 22.

이상으로 설명한 방식에 의하여, 서로 다른 데이터가 서로 다른 컬럼 배선(22)에 각각 학습될 수 있다.According to the above-described method, different data can be learned in different column wirings 22, respectively.

한편, 위의 학습 과정에서는 고저항 상태의 시냅스(30)를 저저항 상태로 변경시키는 셋 동작 및 그 전도도를 증가시키는 동작에 대하여만 설명하였으나, 필요에 따라, 저저항 상태의 시냅스(30)를 다시 고저항 상태로 변경시키는 리셋 동작 및 그 전도도를 감소시키는 동작이 요구될 수도 있다. 예를 들어, 전술한 초기화 동작이 그러하다. 시냅스(30)의 셋 동작 및 전도도 증가시 인가되는 펄스의 극성은, 시냅스(30)의 리셋 동작 및 전도도 감소시 인가되는 펄스의 극성과 반대일 수 있다. 시냅스(30)의 전도도가 증가하는 동작을 강화(potentiation) 동작이라 할 수 있고, 시냅스(30)의 전도도가 감소하는 동작을 억제(depression) 동작라 할 수 있다.In the above learning process, only the set operation for changing the high resistance state of the synapse 30 to the low resistance state and the operation for increasing the conductivity thereof are described. However, if necessary, the low resistance state of the synapse 30 A reset operation for changing to a high resistance state again and an operation for reducing the conductivity may be required. For example, the initialization operation described above is the case. The polarity of the pulse applied in the set operation of the synapse 30 and in increasing the conductivity may be opposite to the polarity of the pulse applied in the reset operation of the synapse 30 and in decreasing conductivity. The operation in which the conductivity of the synapse 30 is increased may be referred to as a potentiation operation and the operation in which the conductivity of the synapse 30 is decreased may be referred to as a depression operation.

한편, 위와 같은 뉴로모픽 장치에 적합한 시냅스(30)의 특성을 아래의 도 2a 내지 도 2d를 참조하여 보다 구체적으로 설명하기로 한다.The characteristics of the synapse 30 suitable for the above-described neurometer apparatus will be described in more detail with reference to FIGS. 2A to 2D.

도 2a 내지 도 2d는 도 1의 각 시냅스(30)에 요구되는 특성을 설명하기 위한 도면이다. FIGS. 2A to 2D are views for explaining characteristics required for each synapse 30 of FIG. 1. FIG.

구체적으로, 도 2a 및 도 2b는 시냅스(30)에 입력되는 전기적 펄스의 개수에 따른 시냅스(30)의 전도도(G)를 나타낸다. 도 2c는 시냅스(30)의 저항(R) 또는 전도도(G)에 따른 시냅스의 가중치 변화율(△W)을 나타낸다. 도 2d는 시냅스(30)에 인가되는 전압(V)의 크기에 따른 시냅스(30)의 가중치 변화율(△W)을 나타낸다.2A and 2B show the conductance G of the synapse 30 according to the number of electrical pulses input to the synapse 30. FIG. 2C shows the weight change rate DELTA W of the synapses according to the resistance R or the conductivity G of the synapse 30. Fig. 2D shows the weight change rate DELTA W of the synapse 30 according to the magnitude of the voltage V applied to the synapse 30. Fig.

도 2a 및 도 2b를 참조하면, 저저항 상태의 시냅스(30)에 대해, 소정 임계값 이상을 갖는 제1 극성의 전압 펄스 예컨대, 음전압의 펄스를 반복하여 인가하는 경우, 시냅스(30)의 전도도(G)는 점차 증가할 수 있다. 시냅스(30)의 전도도(G)가 증가하는 방향을 G+ 방향 또는 강화(potentiation) 방향이라 할 수 있다. 2A and 2B, when a voltage pulse of a first polarity, for example, a negative voltage, having a predetermined threshold value or more is repeatedly applied to the synapse 30 in a low resistance state, The conductivity (G) may gradually increase. The direction in which the conductivity G of the synapse 30 increases may be referred to as a G + direction or a potentiation direction.

이러한 시냅스(30)에 리셋 전압 이상의 크기를 갖는 제2 극성의 전압 펄스 예컨대, 양전압의 펄스가 인가되면 시냅스(30)의 저항 상태가 고저항 상태로 변하는 리셋 동작이 수행될 수 있다.When a voltage pulse of a second polarity having a magnitude equal to or greater than the reset voltage, for example, a positive voltage pulse, is applied to the synapse 30, a reset operation in which the resistance state of the synapse 30 changes to a high resistance state can be performed.

고저항 상태의 시냅스(30)에 대해, 제2 극성의 전압 펄스가 반복하여 인가되면, 시냅스(30)의 전도도(G)는 점차 감소할 수 있다. 시냅스(30)의 전도도(G)가 감소하는 방향을 G- 방향 또는 억제(depression) 방향이라 할 수 있다.When the voltage pulse of the second polarity is repeatedly applied to the synapse 30 in the high resistance state, the conductivity G of the synapse 30 may gradually decrease. The direction in which the conductivity G of the synapse 30 decreases may be referred to as a G-direction or a depression direction.

이러한 시냅스(30)에 다시 셋 전압 이상의 제1 극성의 전압 펄스가 인가되면, 시냅스(30)의 저항 상태가 저저항 상태로 변하는 셋 동작이 수행될 수 있다.When the voltage pulse of the first polarity is applied again to the synapse 30, the set operation in which the resistance state of the synapse 30 changes to the low resistance state can be performed.

이때, 펄스의 크기 및 폭이 일정하더라도, 강화 동작 및 억제 동작에서 시냅스(30)의 전도도(G)는 실질적으로 대칭이면서, 전도도(G)의 변화율이 실질적으로 일정한 것이 바람직할 수 있다. 다시 말하면, 강화 동작 및 억제 동작에서 시냅스(30)의 전도도(G)는 선형성 및 대칭성을 갖는 것이 바람직할 수 있다. 이는, 셋 동작 및 리셋 동작시, 시냅스(30)의 급격한 저항 변화를 방지하기 위함이다. 펄스의 크기 및/또는 폭을 가변시킴으로써 위와 같은 시냅스(30)의 선형성 및 대칭성을 확보하는 것도 고려할 수는 있으나, 다양한 펄스를 생성하기 위해서는 추가적인 회로의 구현이 필요하기 때문에, 면적이나 파워 측면에서 불리할 수 있다. 따라서, 본 시냅스(30)의 구동시 펄스의 크기 및 폭은 일정하게 제어되는 것이 바람직하다.At this time, it is preferable that the conductivity G of the synapse 30 is substantially symmetrical in the strengthening operation and the suppression operation, and the rate of change of the conductivity G is substantially constant even if the pulse size and width are constant. In other words, the conductivity G of the synapse 30 in the strengthening operation and the suppression operation may preferably be linear and symmetrical. This is to prevent abrupt resistance change of the synapse 30 during the set operation and the reset operation. It is also possible to secure the linearity and symmetry of the synapse 30 by varying the size and / or width of the pulse. However, since it is necessary to implement an additional circuit to generate various pulses, can do. Therefore, it is preferable that the magnitude and the width of the pulse when the present synapse 30 is driven are controlled to be constant.

강화 동작 및 억제 동작에서 시냅스(30)의 전도도(G)가 선형성 및 대칭성을 갖는 것은, 가중치의 변화율이 작은 경우(△W1 참조)나 가중치의 변화율이 큰 경우(△W2 참조)에 관계없이 요구될 수 있다. 단, 펄스의 크기 혹은 폭이 충분하지 않은 경우, 펄스의 개수와 관계없이 시냅스(30)의 전도도(G)는 변화하지 않을 수 있다.The reason why the conductance G of the synapse 30 has linearity and symmetry in the strengthening operation and the suppression operation is that regardless of whether the rate of change of the weight is small (see? W1) or when the rate of change of the weight is large . However, if the magnitude or width of the pulse is not sufficient, the conductivity G of the synapse 30 may not change irrespective of the number of pulses.

도 2c를 참조하면, 시냅스(30)의 현재 상태와 관계 없이, 즉, 시냅스(30)의 현재 저항(R)이나 현재 전도도(G)와 관계 없이, 시냅스(30)의 가중치 변화율(△W)은 실질적으로 일정한 것이 바람직할 수 있다. 2C, the weight change rate DELTA W of the synapse 30, regardless of the current state of the synapse 30, i.e., regardless of the current resistance R or the current conductance G of the synapse 30, May be preferably substantially constant.

도 2d를 참조하면, 소정 임계값 즉, V3 이하의 전압에서 시냅스(30)의 가중치 및/또는 전도도는 가변되지 않을 수 있다. 즉, 시냅스(30)의 가중치 변화율(△W)은 0일 수 있다. 반면, 소정 임계값보다 큰 전압 예컨대, V4 이상의 전압에서 시냅스(30)의 가중치 변화율(△W)은 증가할 수 있다. 이때, 시냅스(30)의 가중치 변화율(△W)은 전압의 크기에 실질적으로 비례하여 증가할 수 있다.Referring to FIG. 2D, the weight and / or the conductivity of the synapse 30 may not vary at a predetermined threshold value, that is, a voltage lower than V3. That is, the weight change rate? W of the synapse 30 may be zero. On the other hand, the weight change rate? W of the synapse 30 may increase at a voltage higher than a predetermined threshold value, for example, a voltage higher than V4. At this time, the weight change rate? W of the synapse 30 may increase substantially in proportion to the magnitude of the voltage.

요약하자면, 뉴로모픽 장치의 시냅스(30)는, 전도도(G)가 시냅스(30)의 현재 상태와 관계 없이, 전기적 펄스의 개수에 실질적으로 비례하여 증가 또는 감소하는 특성을 갖고, 강화 동작시 전도도(G)와 억제 동작시 전도도(G)가 실질적으로 대칭인 것이 바람직하다. 여기서, 시냅스(30)의 전도도(G) 변화는 소정 임계값 이상에서만 가능한 것이 바람직하다. 시냅스(30)의 특성이 이에 가까울수록 뉴로모픽 장치의 학습 및 인식 정확도가 증가하는 등 동작 특성이 향상될 수 있기 때문이다.In summary, the synapse 30 of the neuromotor device has the property that the conductivity G increases or decreases substantially in proportion to the number of electrical pulses, regardless of the current state of the synapse 30, It is preferable that the conductivity G and the conductivity G in the restraining operation are substantially symmetrical. Here, it is preferable that the change in the conductivity G of the synapse 30 is possible only at a predetermined threshold value or more. This is because the closer the characteristics of the synapse 30 are, the more improved the learning characteristics such as learning and recognition accuracy of the neuromotor device can be improved.

본 실시예에서는 위와 같은 특성을 최대한 만족시킬 수 있는 시냅스를 구현하고자 한다. 본 실시예의 설명에 앞서, 비교예의 시냅스를 먼저 설명하기로 한다.In this embodiment, a synapse which can satisfy the above characteristics as much as possible is realized. Prior to the description of this embodiment, the synapse of the comparative example will be described first.

도 3a는 비교예의 시냅스를 설명하기 위한 단면도이고, 도 3b 및 도 3c는 도 3a의 시냅스의 특성을 설명하기 위한 도면이다.FIG. 3A is a cross-sectional view for explaining the synapse of the comparative example, and FIGS. 3B and 3C are views for explaining the characteristics of the synapse of FIG. 3A.

도 3a를 참조하면, 비교예의 시냅스(100)는, 제1 전극(110), 제2 전극(140), 제1 전극(110)과 제2 전극(140) 사이에 개재되는 산소 보유층(120), 및 산소 보유층(120)과 제2 전극(140) 사이에 개재되고 산소 보유층(120)의 산소와 반응할 수 있는 반응성 금속층(130)을 포함할 수 있다. 3A, the synapse 100 of the comparative example includes a first electrode 110, a second electrode 140, an oxygen-containing layer 120 interposed between the first electrode 110 and the second electrode 140, And a reactive metal layer 130 interposed between the oxygen holding layer 120 and the second electrode 140 and capable of reacting with oxygen in the oxygen holding layer 120.

제1 및 제2 전극(110, 140)은 전압 또는 전류 인가를 위한 시냅스(100)의 단부로서, 금속, 금속 질화물 등 다양한 도전 물질로 형성될 수 있다. 제1 전극(110)은 도 1의 로우 배선(12) 및 컬럼 배선(22) 중 어느 하나와 연결될 수 있고, 제2 전극(140)은 도 1의 로우 배선(12) 및 컬럼 배선(22) 중 다른 하나와 연결됨으로써, 시냅스(100)는 전기적 펄스로 구동될 수 있다. 제1 및 제2 전극(110, 140) 중 적어도 하나는 생략될 수 있고, 이러한 경우, 로우 배선(12) 또는 컬럼 배선(22)이 제1 전극(110) 또는 제2 전극(140)을 대체할 수 있다.The first and second electrodes 110 and 140 may be formed of various conductive materials such as metals, metal nitrides and the like as ends of the synapse 100 for applying a voltage or a current. The first electrode 110 may be connected to one of the row wiring 12 and the column wiring 22 of FIG. 1 and the second electrode 140 may be connected to the row wiring 12 and the column wiring 22 of FIG. The synapse 100 can be driven by an electrical pulse. At least one of the first and second electrodes 110 and 140 may be omitted and the row wiring 12 or the column wiring 22 may be replaced with the first electrode 110 or the second electrode 140 can do.

산소 보유층(120)은 산소를 포함하는 층으로서, Ti, Ni, Al, Nb, Hf, V 등과 같은 전이 금속의 산화물, PCMO, LCMO 등과 같은 페로브스카이트계 산화물 등 다양한 금속의 산화물을 포함할 수 있다. The oxygen-containing layer 120 is a layer containing oxygen and includes oxides of transition metals such as Ti, Ni, Al, Nb, Hf, and V, and perovskite-type oxides such as PCMO and LCMO .

반응성 금속층(130)은 산소 이온과 반응하여 절연성의 산화물을 형성할 수 있는 층으로서, Al, Ti, Ta, Mo 등의 금속 또는 이 금속의 질화물을 포함할 수 있다. The reactive metal layer 130 may include a metal such as Al, Ti, Ta, Mo, or a nitride of the metal, which is capable of reacting with oxygen ions to form an insulating oxide.

최초 상태에서, 시냅스(100)는 상대적으로 저저항 상태일 수 있다. 전술한 뉴로모픽 장치의 동작을 위하여 시냅스(100)를 고저항 상태로 만드는 초기화 동작이 필요할 수 있다.In the initial state, the synapse 100 may be in a relatively low resistance state. An initialization operation may be required to turn the synapse 100 into a high-resistance state for operation of the above-described neuromotor device.

저저항 상태의 시냅스(100)에 제1 및 제2 전극(110, 140)을 통하여 소정 극성의 전압 펄스가 인가되면, 산소 보유층(120) 내의 산소 이온이 반응성 금속층(130) 쪽으로 이동하여 반응성 금속층(130) 내에 포함된 금속과 반응함으로써 반응성 금속층(130)과의 계면에서 절연성 산화물층을 형성할 수 있다. 결과적으로, 시냅스(100)의 저항 상태가 고저항 상태로 변경될 수 있다. 전압 펄스의 개수가 증가할수록 절연성 산화물층의 두께가 증가하므로 시냅스(100)의 전도도는 점진적으로 감소할 수 있다. When a voltage pulse of a predetermined polarity is applied to the synapse 100 in a low resistance state through the first and second electrodes 110 and 140, oxygen ions in the oxygen holding layer 120 move toward the reactive metal layer 130, The insulating oxide layer can be formed at the interface with the reactive metal layer 130 by reacting with the metal contained in the metal layer 130. As a result, the resistance state of the synapse 100 can be changed to the high resistance state. As the number of voltage pulses increases, the thickness of the insulating oxide layer increases, so that the conductivity of the synapse 100 may gradually decrease.

반대로, 고저항 상태의 시냅스(100)에 반대 극성의 전압 펄스가 인가되면, 산소 보유층(120) 내의 산소 이온은 반응성 금속층(130)의 반대쪽으로 이동하므로, 기 형성된 절연성 산화물층의 두께가 얇아질 수 있다. 결과적으로, 시냅스(100)의 저항 상태가 저저항 상태로 변경될 수 있다. 전압 펄스의 개수가 증가할수록 절연성 산화물층의 두께가 감소하므로 시냅스(100)의 전도도는 점진적으로 증가할 수 있다. On the contrary, when the voltage pulse of the opposite polarity is applied to the synapse 100 in the high resistance state, oxygen ions in the oxygen holding layer 120 move to the opposite side of the reactive metal layer 130, so that the thickness of the preformed insulating oxide layer is thin Can be. As a result, the resistance state of the synapse 100 can be changed to the low resistance state. As the number of voltage pulses increases, the thickness of the insulating oxide layer decreases, so that the conductivity of the synapse 100 may gradually increase.

이와 같은 방식으로 시냅스(100)가 고저항 상태와 저저항 상태 사이에서 스위칭하면서 전압 펄스에 의하여 산화물층의 두께가 점진적으로 증가 또는 감소하기 때문에, 고저항 상태 및 저저항 상태 각각에서 시냅스(100)의 전도도가 점진적으로 변화하는 아날로그 거동이 보여질 수 있다. 그러나, 도 2a 내지 도 2d에서 설명한 시냅스 특성을 만족시키기에는 부족할 수 있다. 이에 관하여는 도 3b 및 도 3c를 참조하여 설명하기로 한다.In this way, since the thickness of the oxide layer gradually increases or decreases due to the voltage pulse while the synapse 100 switches between the high resistance state and the low resistance state, the potential of the synapse 100 in the high resistance state and the low resistance state, Can be seen. However, it may be insufficient to satisfy the synapse characteristics described in Figs. 2A to 2D. This will be described with reference to Figs. 3B and 3C.

도 3b를 참조하면, 저저항 상태의 시냅스(100)에 제1 극성의 전압 펄스가 인가되는 경우, 전압 펄스의 개수가 증가할수록 시냅스(100)의 전도도(G)가 점진적으로 증가함을 알 수 있다. 그런데, 전도도(G)의 증가율은 저저항 상태로 변경되는 셋 동작 초기에 매우 크고 시간이 지날수록 감소함을 알 수 있다. 따라서, 시냅스(100)의 선형성이 만족되지 않는 문제가 있다.Referring to FIG. 3B, when the voltage pulse of the first polarity is applied to the low-resistance state synapse 100, the conductivity G of the synapse 100 gradually increases as the number of voltage pulses increases have. However, it can be seen that the increase rate of the conductivity G is very large at the beginning of the set operation, which is changed to a low resistance state, and decreases with time. Therefore, there is a problem that the linearity of the synapse 100 is not satisfied.

또한, 저저항 상태의 시냅스(100)에 리셋 전압 이상의 크기를 갖는 제2 극성의 전압 펄스가 인가되면 시냅스(100)의 저항 상태가 고저항 상태로 변하는 리셋 동작이 수행될 수 있다. 고저항 상태의 시냅스(100)에 인가되는 전압 펄스의 개수가 증가할수록 시냅스(100)의 전도도(G)는 점진적으로 감소할 수 있다. 그런데, 리셋 동작시 급격한 전도도(G)의 감소가 발생함을 알 수 있다. 또한, 전도도(G)의 감소율은 리셋 동작 초기에 매우 크고 시간이 지날수록 감소함을 알 수 있다. 리셋 동작 초기의 전도도(G)의 감소 정도는 셋 동작 초기의 전도도(G)의 증가 정도보다 훨씬 더 클 수 있다. 따라서, 시냅스(100)의 선형성 및 대칭성이 만족되지 않는 문제가 있다.In addition, when a voltage pulse of a second polarity having a magnitude equal to or greater than the reset voltage is applied to the low-resistance state synapse 100, a reset operation in which the resistance state of the synapse 100 changes to a high resistance state can be performed. As the number of voltage pulses applied to the synapse 100 in the high resistance state increases, the conductivity G of the synapse 100 may gradually decrease. However, it can be seen that the abrupt decrease of the conductivity G occurs in the reset operation. It can also be seen that the reduction rate of the conductivity G is very large at the beginning of the reset operation and decreases with time. The degree of decrease in the conductivity G at the beginning of the reset operation may be much larger than the degree of increase in the conductivity G at the beginning of the set operation. Therefore, there is a problem that the linearity and symmetry of the synapse 100 are not satisfied.

도 3c를 참조하면, 시냅스(100)의 현재 저항(R)에 따라, 시냅스(100)의 가중치 변화율(△W)이 일정하지 않음을 알 수 있다. G+ 방향에서, 시냅스(100)의 현재 저항(R)이 상대적으로 큰 경우 예컨대, R5 혹은 R6의 값을 갖는 경우 시냅스(100)의 가중치 변화율(△W)이 증가할 수 있다. 다시 말하면, 상대적으로 저항(R)이 큰 셋 동작 초기에 시냅스(100)의 전도도 변화율이 클 수 있다. 반대로 G- 방향에서, 시냅스(100)의 현재 저항(R)이 상대적으로 작은 경우 예컨대, R1의 값을 갖는 경우 시냅스(100)의 가중치 변화율(△W)이 증가할 수 있다. 다시 말하면, 상대적으로 저항(R)이 작은 리셋 동작 초기에 시냅스(100)의 전도도 변화율이 클 수 있다. 이는 시냅스(100)의 선형성이 만족되지 않음을 보여준다.Referring to FIG. 3C, it can be seen that the weight change rate? W of the synapse 100 is not constant according to the current resistance R of the synapse 100. In the G + direction, when the current resistance R of the synapse 100 is relatively large, for example, when the value of R5 or R6 has a value, the weight change rate? W of the synapse 100 may increase. In other words, the rate of change of the conductivity of the synapse 100 may be large at the beginning of the set operation in which the resistance R is relatively large. Conversely, in the G-direction, when the current resistance R of the synapse 100 is relatively small, for example, when the value of R1 has a value of R1, the weight change rate? W of the synapse 100 may increase. In other words, the rate of change of the conductivity of the synapse 100 may be large at the beginning of the reset operation in which the resistance R is relatively small. This shows that the linearity of the synapse 100 is not satisfied.

게다가, 동작 초기에 G- 방향에서의 가중치 변화율(△W)이 G+ 방향에서의 가중치 변화율(△W)보다 더 큼을 알 수 있다. 즉, 시냅스(100)의 대칭성이 만족되지 않음을 보여준다.In addition, it can be seen that the weight change rate? W in the G-direction at the beginning of operation is larger than the weight change rate? W in the G + direction. That is, the symmetry of synapse 100 is not satisfied.

위와 같은 문제가 발생하는 것은, 셋 동작 및 리셋 동작 각각의 초기에 펄스 개수에 따른 시냅스(100)의 저항 변화율이 크고, 계면 산화물층이 소멸되는 셋 동작에 비하여 계면 산화물층이 생성되는 리셋 동작의 속도가 훨씬 더 크기 때문이다.The reason why the above problem arises is that the reset operation in which the rate of change of the synapse 100 according to the number of pulses at the beginning of each of the set operation and the reset operation is large and the interface oxide layer is generated compared with the set operation in which the interface oxide layer is destroyed The speed is much greater.

본 실시예에서는 비교예의 문제점을 해결할 수 있는 시냅스를 제공하고자 한다.The present embodiment provides a synapse which can solve the problems of the comparative example.

도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 시냅스를 설명하기 위한 단면도이다. 4 is a cross-sectional view illustrating a synapse according to an embodiment of the present invention.

도 4를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 시냅스(200)는, 제1 전극(210), 제2 전극(240), 제1 전극(210)과 제2 전극(240) 사이에 개재되는 산소 보유층(220), 및 산소 보유층(220)과 제2 전극(240) 사이에 개재되고 복수의 반응성 금속층(230A, 230B, 230C, 230D)과 복수의 산소 확산 저지층(250A, 250B, 250C, 250D)이 교대로 적층된 적층 구조물을 포함할 수 있다. Referring to FIG. 4, a synapse 200 according to an embodiment of the present invention includes a first electrode 210, a second electrode 240, a first electrode 210, a second electrode 240, A plurality of reactive metal layers 230A, 230B, 230C and 230D and a plurality of oxygen diffusion barrier layers 250A and 250B interposed between the oxygen holding layer 220 and the second electrode 240, , 250C, and 250D may be alternately stacked.

제1 및 제2 전극(210, 240)은 전압 또는 전류 인가를 위한 시냅스(200)의 단부로서, 금속, 금속 질화물 등 다양한 도전 물질로 형성될 수 있다. 제1 전극(210)은 도 1의 로우 배선(12) 및 컬럼 배선(22) 중 어느 하나와 연결될 수 있고, 제2 전극(240)은 도 1의 로우 배선(12) 및 컬럼 배선(22) 중 다른 하나와 연결됨으로써, 시냅스(200)는 전기적 펄스로 구동될 수 있다. 제1 및 제2 전극(210, 240) 중 적어도 하나는 생략될 수 있고, 이러한 경우, 로우 배선(12) 또는 컬럼 배선(22)이 제1 전극(210) 또는 제2 전극(240)을 대체할 수 있다.The first and second electrodes 210 and 240 may be formed of various conductive materials such as metal, metal nitride and the like as ends of the synapse 200 for applying voltage or current. The first electrode 210 may be connected to one of the row wiring 12 and the column wiring 22 of FIG. 1 and the second electrode 240 may be connected to the row wiring 12 and the column wiring 22 of FIG. The synapse 200 can be driven by an electrical pulse. At least one of the first and second electrodes 210 and 240 may be omitted and the row wiring 12 or the column wiring 22 may be replaced with the first electrode 210 or the second electrode 240 can do.

산소 보유층(220)은 산소를 포함하는 층으로서, Ti, Ni, Al, Nb, Hf, V 등과 같은 전이 금속의 산화물, PCMO, LCMO 등과 같은 페로브스카이트계 산화물 등 다양한 금속의 산화물을 포함할 수 있다. The oxygen-containing layer 220 is a layer containing oxygen, and includes oxides of transition metals such as Ti, Ni, Al, Nb, Hf, and V, and perovskite-type oxides such as PCMO and LCMO .

반응성 금속층(230A, 230B, 230C, 230D)은 산소 이온과 반응하여 절연성의 산화물을 형성할 수 있는 층으로서, Al, Ti, Ta, Mo 등의 금속 또는 이 금속의 질화물을 포함할 수 있다. 본 실시예에서, 네 개의 반응성 금속층(230A, 230B, 230C, 230D)이 도시되어 있으나, 반응성 금속층(230A, 230B, 230C, 230D)의 개수는 다양하게 변형될 수 있다. 이하, 설명의 편의를 위하여 네 개의 반응성 금속층(230A, 230B, 230C, 230D)을 각각 제1 내지 제4 반응성 금속층(230A, 230B, 230C, 230D)이라 하기로 한다. The reactive metal layers 230A, 230B, 230C, and 230D may include a metal such as Al, Ti, Ta, or Mo or a nitride of this metal as a layer capable of reacting with oxygen ions to form an insulating oxide. In this embodiment, four reactive metal layers 230A, 230B, 230C, and 230D are shown, but the number of reactive metal layers 230A, 230B, 230C, and 230D can be variously modified. For convenience of explanation, the four reactive metal layers 230A, 230B, 230C and 230D will be referred to as first to fourth reactive metal layers 230A, 230B, 230C and 230D, respectively.

산소 확산 저지층(250A, 250B, 250C, 250D)은 산소 보유층(220)과 반응성 금속층(230A, 230B, 230C, 230D) 사이에서 산소 보유층(220)으로부터 반응성 금속층(230A, 230B, 230C, 230D)으로의 산소 이온 이동을 저지하는 역할을 수행할 수 있다. 특히, 제1 내지 제4 산소 확산 저지층(250A, 250B, 250C, 250D) 각각은 대응하는 제1 내지 제4 반응성 금속층(230A, 230B, 230C, 230D) 각각으로의 산소 이온 이동을 저지할 수 있다. 본 실시예에서, 네 개의 반응성 금속층(230A, 230B, 230C, 230D) 각각에 대응하여 네 개의 산소 확산 저지층(250A, 250B, 250C, 250D)이 도시되어 있으나, 산소 확산 저지층(250A, 250B, 250C, 250D)의 개수는 반응성 금속층(230A, 230B, 230C, 230D)의 개수에 따라 다양하게 변형될 수 있다. 산소 확산 저지층(250A, 250B, 250C, 250D)은, 산화물, 질화물, 또는 이들의 조합 등 다양한 절연 물질 혹은 반도체 물질로 형성될 수 있다. 산소 확산 저지층(250A, 250B, 250C, 250D)은 산소 이온의 이동을 완전히 차단하지 않는 것을 전제로 산소 이온의 이동을 방해함으로써, 산소 확산 저지층(250A, 250B, 250C, 250D) 각각과의 계면에서 반응성 금속층(230A, 230B, 230C, 230D) 각각에 생성되는 절연성 산화물층의 형성 속도를 감소시킬 수 있다. 산소 확산 저지층(250A, 250B, 250C, 250D) 각각은 산소 이온의 이동을 완전히 차단하지 않는 얇은 두께 예컨대, 10nm 미만이 두께를 가질 수 있다.The oxygen diffusion barrier layers 250A, 250B, 250C and 250D are formed by depositing the reactive metal layers 230A, 230B, 230C, and 230D from the oxygen holding layer 220 between the oxygen holding layer 220 and the reactive metal layers 230A, 230B, 230D to prevent oxygen ions from migrating into the second chamber. Particularly, each of the first to fourth oxygen diffusion-blocking layers 250A, 250B, 250C and 250D can prevent oxygen ion migration into each of the corresponding first to fourth reactive metal layers 230A, 230B, 230C and 230D have. Although four oxygen diffusion barrier layers 250A, 250B, 250C and 250D are shown corresponding to each of the four reactive metal layers 230A, 230B, 230C and 230D in this embodiment, the oxygen diffusion barrier layers 250A and 250B , 250C, and 250D may be variously modified depending on the number of the reactive metal layers 230A, 230B, 230C, and 230D. The oxygen diffusion barrier layers 250A, 250B, 250C, and 250D may be formed of various insulating materials or semiconductor materials such as oxides, nitrides, or combinations thereof. The oxygen diffusion inhibiting layers 250A, 250B, 250C and 250D interfere with the movement of oxygen ions on the premise that they do not completely block the movement of oxygen ions, The formation rate of the insulating oxide layer generated in each of the reactive metal layers 230A, 230B, 230C, and 230D at the interface can be reduced. Each of the oxygen diffusion barrier layers 250A, 250B, 250C, and 250D may have a thin thickness, for example, less than 10 nm, which does not completely block the movement of oxygen ions.

최초 상태에서, 시냅스(200)는 상대적으로 저저항 상태일 수 있다. 전술한 뉴로모픽 장치의 동작을 위하여 시냅스(200)를 고저항 상태로 만드는 초기화 동작이 필요할 수 있다.In the initial state, the synapse 200 may be in a relatively low resistance state. An initialization operation may be required to turn the synapse 200 into a high resistance state for operation of the neuromotor device described above.

저저항 상태의 시냅스(200)에 제1 및 제2 전극(210, 240)을 통하여 소정 극성의 전압 펄스가 인가되면, 산소 보유층(220) 내의 산소 이온이 반응성 금속층(230A, 230B, 230C, 230D) 쪽으로 이동할 수 있다. 인가되는 전압의 크기, 산소 확산 저지층(250A, 250B, 250C, 250D)의 개수 및/또는 두께 등에 따라 산소 이온은 제1 반응성 금속층(230A)까지 이동할 수도 있고, 제1 및 제2 반응성 금속층(230A, 230B)까지 이동할 수도 있고, 제1 내지 제3 반응성 금속층(230A, 230B, 230C)까지 이동할 수도 있고, 제1 내지 제4 반응성 금속층(230A, 230B, 230C, 230D)까지 이동할 수도 있다. 이들 산소 이온은 반응성 금속층(230A, 230B, 230C, 230D) 내에 포함된 금속과 반응함으로써 대응하는 산소 확산 저지층(250A, 250B, 250C, 250D)과의 계면에서 절연성 산화물층을 형성할 수 있다. 결과적으로, 시냅스(200)의 저항 상태가 고저항 상태로 변경될 수 있다. 전압 펄스의 개수가 증가할수록 절연성 산화물층의 두께가 증가하므로 시냅스(200)의 전도도는 점진적으로 감소할 수 있다. When a voltage pulse of a predetermined polarity is applied to the synapse 200 in a low resistance state through the first and second electrodes 210 and 240, oxygen ions in the oxygen retention layer 220 react with the reactive metal layers 230A, 230B, 230C, 230D. Depending on the size of the applied voltage, the number and / or thickness of the oxygen diffusion barrier layers 250A, 250B, 250C and 250D, the oxygen ions may move to the first reactive metal layer 230A and the first and second reactive metal layers 230A and 230B and may move to the first to third reactive metal layers 230A, 230B and 230C and may move to the first to fourth reactive metal layers 230A, 230B, 230C and 230D. These oxygen ions react with the metal contained in the reactive metal layers 230A, 230B, 230C and 230D to form an insulating oxide layer at the interface with the corresponding oxygen diffusion inhibiting layers 250A, 250B, 250C and 250D. As a result, the resistance state of the synapse 200 can be changed to the high resistance state. As the number of voltage pulses increases, the thickness of the insulating oxide layer increases, so that the conductivity of the synapse 200 may gradually decrease.

반대로, 고저항 상태의 시냅스(200)에 반대 극성의 전압 펄스가 인가되면, 반응성 금속층(230A, 230B, 230C, 230D)으로부터 산소 이온이 산소 보유층(220) 쪽으로 이동하므로, 반응성 금속층(230A, 230B, 230C, 230D) 내에 기 형성된 절연성 산화물층의 두께가 얇아질 수 있다. 결과적으로, 시냅스(200)의 저항 상태가 저저항 상태로 변경될 수 있다. 전압 펄스의 개수가 증가할수록 절연성 산화물층의 두께가 감소하므로 시냅스(200)의 전도도는 점진적으로 증가할 수 있다. Conversely, when a voltage pulse of the opposite polarity is applied to the synapse 200 in the high resistance state, oxygen ions move from the reactive metal layers 230A, 230B, 230C, and 230D toward the oxygen holding layer 220, 230B, 230C, and 230D may be thinned. As a result, the resistance state of the synapse 200 can be changed to the low resistance state. As the number of voltage pulses increases, the thickness of the insulating oxide layer decreases, so that the conductivity of the synapse 200 may gradually increase.

이와 같은 방식으로 시냅스(200)가 고저항 상태와 저저항 상태 사이에서 스위칭하면서 전압 펄스에 의하여 산화물층의 두께가 점진적으로 증가 또는 감소하기 때문에, 고저항 상태 및 저저항 상태 각각에서 시냅스(200)의 전도도가 점진적으로 변화하는 아날로그 거동이 보여질 수 있다. 특히, 산소 확산 저지층(250A, 250B, 250C, 250D)에 의해 절연성 산화물층의 생성 속도가 감소하기 때문에, 리셋 동작 초기시 급격한 저항 변화를 방지할 수 있고, 전반적으로 리셋 동작의 속도를 감소시킬 수 있다. 결과적으로, 셋 동작에 비하여 리셋 동작시 시냅스(200)의 전도도가 급격히 변화하는 현상이 방지됨으로써, 시냅스(200)의 대칭성이 향상될 수 있다. In this way, since the thickness of the oxide layer gradually increases or decreases due to the voltage pulse while the synapse 200 switches between the high resistance state and the low resistance state, the potential of the synapse 200 in the high resistance state and the low resistance state, Can be seen. Particularly, since the generation rate of the insulating oxide layer is reduced by the oxygen diffusion-blocking layers 250A, 250B, 250C, and 250D, the rapid change in resistance can be prevented at the initial stage of the reset operation and the overall speed of the reset operation can be reduced . As a result, the synapse 200 can be improved in symmetry by preventing the conductivity of the synapse 200 from changing rapidly during the reset operation as compared with the set operation.

게다가, 산소 확산 저지층(250A, 250B, 250C, 230D)이 반도체 물질 혹은 절연 물질인 경우, 시냅스(200)의 고저항 상태의 저항값 및 저저항 상태의 저항값이 전반적으로 증가할 수 있다. 특히, 저저항 상태의 저항값의 증가가 더 크게 나타난다. 따라서, 펄스 개수에 따른 시냅스(200)의 저항 변화율이 감소할 수 있고, 그에 따라, 셋 동작 및 리셋 동작 초기에 시냅스(200)의 저항값이 급격히 증가 또는 감소하는 현상이 방지될 수 있다. 결과적으로, 시냅스(200)의 선형성이 향상될 수 있다. In addition, when the oxygen diffusion barrier layers 250A, 250B, 250C, and 230D are semiconductor materials or insulating materials, the resistance values of the high resistance state and the low resistance state of the synapse 200 can be increased overall. In particular, the increase in the resistance value in the low resistance state becomes larger. Accordingly, the resistance change rate of the synapse 200 according to the number of pulses can be reduced, and accordingly, the resistance value of the synapse 200 can be prevented from rapidly increasing or decreasing at the beginning of the set operation and the reset operation. As a result, the linearity of the synapse 200 can be improved.

도 5는 본 발명의 다른 일 실시예에 따른 시냅스를 설명하기 위한 단면도이다. 도 4의 실시예와 실질적으로 동일한 부분에 대해서는 그 상세한 설명을 생략하기로 한다.5 is a cross-sectional view illustrating a synapse according to another embodiment of the present invention. The detailed description of the portions substantially the same as those in the embodiment of FIG. 4 will be omitted.

도 5를 참조하면, 본 발명의 다른 일 실시예에 따른 시냅스(300)는, 제1 전극(310), 제2 전극(340), 제1 전극(310)과 제2 전극(340) 사이에 개재되는 산소 보유층(320), 산소 보유층(320)과 제2 전극(340) 사이에 개재되고 복수의 반응성 금속층(330A, 330B, 330C, 330D)과 복수의 산소 확산 저지층(350A, 350B, 350C, 350D)이 교대로 적층된 적층 구조물, 및 이 적층 구조물과 제2 전극(340) 사이에 개재되는 저항층(360)을 포함할 수 있다. Referring to FIG. 5, a synapse 300 according to another embodiment of the present invention includes a first electrode 310, a second electrode 340, a first electrode 310, a second electrode 340, And a plurality of reactive metal layers 330A, 330B, 330C, and 330D and a plurality of oxygen diffusion barrier layers 350A and 350B interposed between the oxygen retaining layer 320 and the second electrode 340, , 350C, and 350D are stacked alternately, and a resistance layer 360 interposed between the stacked structure and the second electrode 340.

제1 전극(310), 산소 보유층(320), 제2 전극(340) 및 복수의 반응성 금속층(330A, 330B, 330C, 330D)과 복수의 산소 확산 저지층(350A, 350B, 350C, 350D)의 교대 적층 구조물은 도 4의 실시예의 제1 전극(210), 산소 보유층(220), 제2 전극(240) 및 복수의 반응성 금속층(230A, 230B, 230C, 230D)과 복수의 산소 확산 저지층(250A, 250B, 250C, 250D)의 교대 적층 구조물 각각과 실질적으로 동일할 수 있다.The first electrode 310, the oxygen holding layer 320, the second electrode 340 and the plurality of reactive metal layers 330A, 330B, 330C and 330D and the plurality of oxygen diffusion barrier layers 350A, 350B, 350C and 350D, The oxygen-containing layer 220, the second electrode 240, the plurality of reactive metal layers 230A, 230B, 230C, and 230D, and the plurality of oxygen diffusion barrier layers 230A, Layer structure of layers 250A, 250B, 250C, and 250D, respectively.

저항층(360)은 반도체 물질 또는 절연 물질을 포함할 수 있고, 시냅스(300)의 고저항 상태의 저항값 및 저저항 상태의 저항값을 전반적으로 더 증가시키는 역할을 할 수 있다. 특히, 저저항 상태의 저항값의 증가가 더 크게 나타날 수 있다. 따라서, 도 4의 실시예에 비하여, 펄스 개수에 따른 시냅스(300)의 저항 변화율이 더 감소할 수 있고, 그에 따라, 셋 동작 및 리셋 동작 초기에 시냅스(100)의 저항값이 급격히 증가 또는 감소하는 현상이 더 방지될 수 있다. 결과적으로, 시냅스(300)의 선형성이 더 향상될 수 있다. The resistance layer 360 may include a semiconductor material or an insulating material and may serve to further increase the resistance value of the high resistance state and the resistance value of the low resistance state of the synapse 300. [ In particular, the increase in the resistance value in the low resistance state may be larger. 4, the resistance change rate of the synapse 300 according to the number of pulses can be further reduced, so that the resistance value of the synapse 100 rapidly increases or decreases at the initial stage of the set operation and the reset operation Can be prevented. As a result, the linearity of the synapse 300 can be further improved.

본 실시예에서 저항층(360)은 제2 전극(340)과 제4 반응성 금속층(330D) 사이에 개재되었으나, 저항층(360)의 위치는 다양하게 변형될 수 있다. 예컨대, 저항층(360)은 제2 전극(340)과 제4 반응성 금속층(330D) 사이 대신 제1 전극(310)과 산소 보유층(320) 사이에 개재될 수 있다. 또는, 저항층(360)은 제2 전극(340)과 제4 반응성 금속층(330D) 사이 및 제1 전극(310)과 산소 보유층(320) 사이에 개재될 수 있다. Although the resistance layer 360 is interposed between the second electrode 340 and the fourth reactive metal layer 330D in this embodiment, the position of the resistance layer 360 may be variously modified. For example, a resistive layer 360 may be interposed between the first electrode 310 and the oxygen retention layer 320 instead of between the second electrode 340 and the fourth reactive metal layer 330D. Alternatively, a resistive layer 360 may be interposed between the second electrode 340 and the fourth reactive metal layer 330D and between the first electrode 310 and the oxygen retention layer 320.

전술한 실시예들의 뉴로모픽 장치는 다양한 장치 또는 시스템에 이용될 수 있다. 이에 대해서는 도 6을 참조하여 예시적으로 설명하기로 한다. The neurometric device of the above-described embodiments may be used in various devices or systems. This will be described by way of example with reference to FIG.

도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 패턴 인식 시스템의 일 예이다. 본 실시예의 패턴 인식 시스템은 음성 인식 시스템(speech recognition system), 영상 인식 시스템(imaging recognition system) 등 다양한 종류의 패턴을 인식하기 위한 시스템일 수 있다. 본 실시예의 패턴 인식 시스템은 전술한 실시예들의 뉴로모픽 장치를 갖도록 구현될 수 있다.6 is an example of a pattern recognition system according to an embodiment of the present invention. The pattern recognition system of the present embodiment may be a system for recognizing various kinds of patterns such as a speech recognition system and an imaging recognition system. The pattern recognition system of this embodiment can be implemented with the neurometric apparatus of the above-described embodiments.

도 6을 참조하면, 본 실시예의 패턴 인식 시스템(400)은 중앙 처리 장치(CPU, 410), 메모리 장치(420), 통신 제어 장치(430), 네트워크(440), 패턴 출력 장치(450), 패턴 입력 장치(460), 아날로그-디지털 변환기(ADC, 470), 뉴로모픽 장치(480), 버스 라인(490) 등을 포함할 수 있다.6, the pattern recognition system 400 of the present embodiment includes a central processing unit (CPU) 410, a memory device 420, a communication control device 430, a network 440, a pattern output device 450, A pattern input device 460, an analog-to-digital converter (ADC) 470, a nebulizer device 480, a bus line 490, and the like.

중앙 처리 장치(410)는 뉴로모픽 장치(480)의 학습을 위하여 다양한 신호를 생성 및 전달하고, 뉴로모픽 장치(480)로부터의 출력에 따라 음성, 영상 등과 같은 패턴을 인식하기 위한 다양한 처리 및 기능을 수행할 수 있다. 이러한 중앙 처리 장치(410)는 메모리 장치(420), 통신 제어 장치(430), 패턴 출력 장치(450), 아날로그-디지털 변환기(470) 및 뉴로모픽 장치(480)에 버스 라인(490)을 통하여 연결될 수 있다. The central processing unit 410 generates and transmits various signals for the learning of the neuromorphic device 480 and performs various processes for recognizing patterns such as voice, And functions. This central processing unit 410 includes a bus line 490 to the memory device 420, the communication control device 430, the pattern output device 450, the analog-to-digital converter 470 and the neuromotion device 480 Lt; / RTI >

메모리 장치(420)는 패턴 인식 시스템(400)에서 저장이 요구되는 다양한 정보를 저장할 수 있으며, 이를 위하여 서로 다른 종류의 메모리들을 포함할 수 있다. 예컨대, 메모리 장치(420)는 롬(ROM, 422), 램(RAM, 424) 등을 포함할 수 있다. 롬(422)은 뉴로모픽 장치(480)의 학습, 패턴 인식 등을 처리하고 제어하기 위하여 중앙 처리 장치(410)에 이용되는 다양한 프로그램 또는 데이터를 저장하는 기능을 수행할 수 있다. ROM(424)은 롬(422)의 프로그램 또는 데이터를 다운로드하여 저장하거나, 또는, 아날로그-디지털 변환기(470)에 의해 변환 및 분석된 음성, 영상 등의 데이터를 저장할 수 있다. The memory device 420 may store various information required to be stored in the pattern recognition system 400 and may include different kinds of memories for this purpose. For example, the memory device 420 may include a ROM (ROM) 422, a RAM (RAM) 424, and the like. The ROM 422 may store various programs or data used in the central processing unit 410 to process and control the learning, pattern recognition, and the like of the neuromorphic device 480. The ROM 424 may download and store the program or data of the ROM 422 or may store data such as voice and image converted and analyzed by the analog-to-digital converter 470.

통신 제어 장치(430)는 인식된 음성, 영상 등의 데이터를 네트워크(440)를 통하여 다른 통신 제어 장치와 교환할 수 있다.The communication control device 430 can exchange the recognized voice and video data with another communication control device through the network 440. [

패턴 출력 장치(450)는 인식된 음성, 영상 등의 데이터를 다양한 방식으로 출력할 수 있다. 예컨대, 패턴 인식 장치(450)는 프린터, 디스플레이 유닛 등을 포함할 수 있으며, 음성을 파형으로 보여주거나 이미지를 디스플레이할 수 있다.The pattern output device 450 can output the recognized voice, image, and other data in various ways. For example, the pattern recognition device 450 can include a printer, a display unit, and the like, and can display a waveform as a waveform or display an image.

패턴 입력 장치(460)는 아날로그 형태의 음성, 영상 등을 입력받는 부분으로서, 마이크로폰, 카메라 등을 포함할 수 있다. The pattern input device 460 is a part for receiving analog voice, image, etc., and may include a microphone, a camera, and the like.

아날로그-디지털 변환기(470)는 패턴 입력 장치(460)로부터 입력된 아날로그 데이터를 디지털 데이터로 변환할 수 있고 이 디지털 데이터의 분석을 실행할 수도 있다. The analog-to-digital converter 470 can convert the analog data input from the pattern input device 460 into digital data and perform analysis of the digital data.

뉴로모픽 장치(480)는 아날로그-디지털 변환기(470)로부터 출력된 데이터를 이용하여 학습, 인식 등을 수행할 수 있고, 인식된 패턴에 대응하는 데이터를 출력할 수 있다. 뉴로모픽 장치(480)는 전술한 실시예들의 뉴로모픽 장치 및 시냅스 중 하나 이상을 포함할 수 있다. 예컨대, 뉴로모픽 장치(480)는 복수의 시냅스를 포함할 수 있고, 복수의 시냅스 각각은, 제1 전극; 상기 제1 전극과 이격된 제2 전극; 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 개재되는 산소 보유층; 상기 산소 보유층과 상기 제2 전극 사이에 개재되고, 상기 산소 보유층의 산소 이온과 반응할 수 있는 복수의 반응성 금속층; 및 상기 산소 보유층과 상기 제2 전극 사이에 개재되고, 상기 복수의 반응성 금속층과 교대로 배열되는 복수의 산소 확산 저지층 - 여기서, 상기 복수의 산소 확산 저지층은 상기 산소 보유층으로부터 상기 복수의 반응성 금속층으로의 산소 이온 이동을 방해함. - 을 포함할 수 있다. 이를 통해 시냅스의 대칭성 및 선형성이 확보될 수 있다. 이로써, 뉴로모픽 장치(480)의 동작 특성이 향상될 수 있고, 그에 따라, 패턴 인식 시스템(400)의 동작 특성이 향상될 수 있다. The neurometer device 480 can perform learning, recognition, and the like using data output from the analog-to-digital converter 470, and can output data corresponding to the recognized pattern. The nebulizer device 480 may include one or more of the neurometric devices and synapses of the embodiments described above. For example, the neurometer device 480 may comprise a plurality of synapses, each of the plurality of synapses comprising: a first electrode; A second electrode spaced apart from the first electrode; An oxygen-containing layer interposed between the first electrode and the second electrode; A plurality of reactive metal layers interposed between the oxygen holding layer and the second electrode and capable of reacting with oxygen ions in the oxygen holding layer; And a plurality of oxygen diffusion-blocking layers interposed between the oxygen-containing layer and the second electrode and alternately arranged with the plurality of reactive metal layers, wherein the plurality of oxygen diffusion-blocking layers extend from the oxygen- Interfering oxygen ion transport to reactive metal layer. - < / RTI > This allows the symmetry and linearity of the synapse to be secured. As a result, the operating characteristics of the neurometer device 480 can be improved, and thus the operating characteristics of the pattern recognition system 400 can be improved.

기타, 패턴 인식 시스템(400)은 자신의 기능을 적절히 수행하기 위하여 필요한 다른 구성 요소들을 더 포함할 수 있다. 예컨대, 패턴 인식 시스템(400)의 구동을 위한 다양한 파라미터나 셋팅 조건 등을 입력하기 위한 입력 유닛으로서 키보드, 마우스 등을 더 포함할 수 있다.In addition, the pattern recognition system 400 may further include other components needed to properly perform its function. For example, the input unit may further include a keyboard, a mouse, and the like as an input unit for inputting various parameters and setting conditions for driving the pattern recognition system 400.

이상으로 해결하고자 하는 과제를 위한 다양한 실시예들이 기재되었으나, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자진 자라면 본 발명의 기술사상의 범위 내에서 다양한 변경 및 수정이 이루어질 수 있음은 명백하다.While the present invention has been described in connection with what is presently considered to be practical exemplary embodiments, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed embodiments, but, on the contrary, .

200: 시냅스 210: 제1 전극
220: 산소 보유층 230A, 230B, 230C, 230D: 반응성 금속층
240: 제2 전극 250A, 250B, 250C, 250D: 산소 확산 저지층200: Synapse 210: First electrode
220: Oxygen holding layers 230A, 230B, 230C, 230D:
240: second electrode 250A, 250B, 250C, 250D: oxygen diffusion prevention layer

Claims

제1 전극;
상기 제1 전극과 이격된 제2 전극;
상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 개재되는 산소 보유층;
상기 산소 보유층과 상기 제2 전극 사이에 개재되고, 상기 산소 보유층의 산소 이온과 반응할 수 있는 복수의 반응성 금속층; 및
상기 산소 보유층과 상기 제2 전극 사이에 개재되고, 상기 복수의 반응성 금속층과 교대로 배열되는 복수의 산소 확산 저지층 - 여기서, 상기 복수의 산소 확산 저지층은 상기 산소 보유층으로부터 상기 복수의 반응성 금속층으로의 산소 이온 이동을 방해함. - 을 포함하는
시냅스.
A first electrode;
A second electrode spaced apart from the first electrode;
An oxygen-containing layer interposed between the first electrode and the second electrode;
A plurality of reactive metal layers interposed between the oxygen holding layer and the second electrode and capable of reacting with oxygen ions in the oxygen holding layer; And
A plurality of oxygen diffusion barrier layers interposed between the oxygen holding layer and the second electrode and alternately arranged with the plurality of reactive metal layers, wherein the plurality of oxygen diffusion barrier layers are formed from the plurality of reactive metals Interferes with oxygen ion transport into the metal layer. - containing
Synapse.

제1 항에 있어서,
상기 제1 전극 및 상기 제2 전극에 인가되는 전압 또는 전류에 따라, 상기 복수의 반응성 금속층 중 적어도 하나가 상기 산소 이온과 반응하여 대응하는 상기 산소 확산 저지층과의 계면에 절연성 산화물층이 생성되거나, 또는, 상기 절연성 산화물층이 소멸되는
시냅스.The method according to claim 1,
At least one of the plurality of reactive metal layers reacts with the oxygen ions according to the voltage or current applied to the first electrode and the second electrode to generate an insulating oxide layer at the interface with the corresponding oxygen diffusion blocking layer , Or the insulating oxide layer is destroyed
Synapse.

제2 항에 있어서,
상기 절연성 산화물층의 두께가 증가할수록 전도도가 감소하고, 상기 절연성 산화물층의 두께가 감소할수록 전도도가 증가하는
시냅스.
3. The method of claim 2,
As the thickness of the insulating oxide layer increases, the conductivity decreases, and as the thickness of the insulating oxide layer decreases, the conductivity increases
Synapse.

제2 항에 있어서,
상기 제1 및 제2 전극을 통하여 인가되는 제1 극성의 전기적 펄스의 개수가 증가할수록, 상기 절연성 산화물층의 두께가 증가하고,
상기 제1 및 제2 전극을 통하여 인가되는 상기 제1 극성과 상이한 제2 극성의 전기적 펄스의 개수가 증가할수록, 상기 절연성 산화물층의 두께가 감소하는
시냅스.
3. The method of claim 2,
As the number of electrical pulses of the first polarity applied through the first and second electrodes increases, the thickness of the insulating oxide layer increases,
As the number of electrical pulses of the second polarity different from the first polarity applied through the first and second electrodes increases, the thickness of the insulating oxide layer decreases
Synapse.

제4 항에 있어서,
상기 제1 극성의 전기적 펄스 및 상기 제2 극성의 전기적 펄스 각각은, 일정한 폭 및 일정한 크기를 갖는
시냅스.
5. The method of claim 4,
Each of the first polarity electrical pulses and the second polarity electrical pulses having a constant width and a constant magnitude
Synapse.

제1 항에 있어서,
상기 산소 확산 저지층은,
상기 산소 이온의 이동을 완전히 차단하지 않는 두께를 갖는
시냅스.
The method according to claim 1,
Wherein the oxygen diffusion-
Having a thickness that does not completely block the movement of the oxygen ions
Synapse.

제1 항에 있어서,
상기 산소 확산 저지층은,
절연 물질, 반도체 물질 또는 이들의 조합을 포함하는
시냅스.
The method according to claim 1,
Wherein the oxygen diffusion-
An insulating material, a semiconductor material, or a combination thereof.
Synapse.

제1 항에 있어서,
상기 제1 전극과 상기 산소 보유층 사이, 및 상기 제2 전극과 상기 복수의 반응성 금속층 중 상기 제2 전극과 가장 인접한 반응성 금속층 사이 중 적어도 하나에 위치하여 저항을 증가시키는 저항층을 더 포함하는
시냅스.
The method according to claim 1,
Further comprising a resistance layer located in at least one of the first electrode and the oxygen retention layer and between the second electrode and the reactive metal layer closest to the second electrode among the plurality of reactive metal layers to increase the resistance
Synapse.

제8 항에 있어서,
상기 저항층은,
절연 물질, 반도체 물질 또는 이들의 조합을 포함하는
시냅스.
9. The method of claim 8,
The resistive layer
An insulating material, a semiconductor material, or a combination thereof.
Synapse.

제2 항에 있어서,
상기 제1 및 제2 전극을 통하여 인가되는 제1 극성의 전기적 펄스의 개수가 증가할수록 전도도가 감소하는 억제 동작이 수행되는 경우, 상기 제1 극성과 상이한 제2 극성의 전기적 펄스의 개수가 증가할수록 전도도가 증가하는 강화 동작이 수행되는
시냅스.
3. The method of claim 2,
When the suppression operation is performed such that the conductivity decreases as the number of the first polarity electrical pulses applied through the first and second electrodes increases, as the number of electrical pulses of the second polarity different from the first polarity is increased When an enrichment operation is performed in which the conductivity is increased
Synapse.

제10 항에 있어서,
상기 강화 동작시의 전도도와 상기 억제 동작시의 전도도가 실질적으로 대칭인
시냅스.
11. The method of claim 10,
Wherein the conductivity in the reinforcing operation and the conductivity in the suppressing operation are substantially symmetrical
Synapse.

제10 항에 있어서,
상기 강화 동작 및 상기 억제 동작 각각에서, 전도도의 변화율이 실질적으로 일정한
시냅스.
11. The method of claim 10,
In each of the energizing operation and the energizing operation, the rate of change of the conductivity is substantially constant
Synapse.

제10 항에 있어서,
상기 제1 극성의 전기적 펄스 및 상기 제2 극성의 전기적 펄스 각각은, 일정한 폭 및 일정한 크기를 갖는
시냅스.
11. The method of claim 10,
Each of the first polarity electrical pulses and the second polarity electrical pulses having a constant width and a constant magnitude
Synapse.

제10 항에 있어서,
상기 제1 극성의 전기적 펄스 및 상기 제2 극성의 전기적 펄스 각각의 폭 및 크기 중 적어도 하나가 소정 임계값 미만인 경우, 전도도가 변하지 않는
시냅스.
11. The method of claim 10,
Wherein at least one of the width and the magnitude of each of the first polarity electrical pulse and the second polarity electrical pulse is less than a predetermined threshold,
Synapse.

제1 뉴런;
제2 뉴런;
상기 제1 뉴런에 연결되고, 제1 방향으로 연장하는 제1 배선;
상기 제2 뉴런에 연결되고, 상기 제1 배선과 교차하도록 제2 방향으로 연장하는 제2 배선; 및
상기 제1 배선과 상기 제2 배선의 사이에서 상기 제1 배선과 상기 제2 배선의 교차점에 위치하는 시냅스를 포함하고,
상기 시냅스는,
산소 보유층;
상기 산소 보유층과 상기 제2 배선 사이에 개재되고, 상기 산소 보유층의 산소 이온과 반응할 수 있는 복수의 반응성 금속층; 및
상기 산소 보유층과 상기 제2 배선 사이에 개재되고, 상기 복수의 반응성 금속층과 교대로 배열되는 복수의 산소 확산 저지층 - 여기서, 상기 복수의 산소 확산 저지층은 상기 산소 보유층으로부터 상기 복수의 반응성 금속층으로의 산소 이온 이동을 방해함. - 을 포함하는
뉴로모픽 장치.
A first neuron;
A second neuron;
A first wiring connected to the first neuron and extending in a first direction;
A second wiring connected to the second neuron and extending in a second direction so as to intersect with the first wiring; And
And a synapse located at an intersection of the first wiring and the second wiring between the first wiring and the second wiring,
The synapse,
Oxygen holding layer;
A plurality of reactive metal layers interposed between the oxygen holding layer and the second wiring and capable of reacting with oxygen ions in the oxygen holding layer; And
A plurality of oxygen diffusion barrier layers interposed between the oxygen holding layer and the second wirings and alternately arranged with the plurality of reactive metal layers, wherein the plurality of oxygen diffusion barrier layers are formed from the plurality of reactive metals Interferes with oxygen ion transport into the metal layer. - containing
New LomoPick device.

제15 항에 있어서,
상기 제1 배선 및 상기 제2 배선을 통하여 상기 시냅스에 인가되는 전압 또는 전류에 따라, 상기 복수의 반응성 금속층 중 적어도 하나가 상기 산소 이온과 반응하여 대응하는 상기 산소 확산 저지층과의 계면에 절연성 산화물층이 생성되거나, 또는, 상기 절연성 산화물층이 소멸되는
뉴로모픽 장치.
16. The method of claim 15,
Wherein at least one of the plurality of reactive metal layers reacts with the oxygen ions according to a voltage or current applied to the synapse through the first wiring and the second wiring to form an insulating oxide Layer is formed, or the insulating oxide layer is destroyed
New LomoPick device.

제16 항에 있어서,
상기 절연성 산화물층의 두께가 증가할수록 상기 시냅스의 전도도가 감소하고, 상기 절연성 산화물층의 두께가 감소할수록 상기 시냅스의 전도도가 증가하는
뉴로모픽 장치.
17. The method of claim 16,
As the thickness of the insulating oxide layer increases, the conductivity of the synapse decreases, and as the thickness of the insulating oxide layer decreases, the conductivity of the synapse increases
New LomoPick device.

제16 항에 있어서,
상기 제1 뉴런은, 상기 제1 배선 및 상기 제2 배선 중 적어도 하나를 제1 극성의 전기적 펄스 및 상기 제1 극성과 상이한 제2 극성의 전기적 펄스로 구동하고,
상기 제1 극성의 전기적 펄스의 개수가 증가할수록, 상기 절연성 산화물층의 두께가 증가하고,
상기 제2 극성의 전기적 펄스의 개수가 증가할수록, 상기 절연성 산화물층의 두께가 감소하는
뉴로모픽 장치.
17. The method of claim 16,
The first neuron drives at least one of the first wiring and the second wiring with an electrical pulse of a first polarity and an electrical pulse of a second polarity different from the first polarity,
As the number of electrical pulses of the first polarity increases, the thickness of the insulating oxide layer increases,
As the number of electrical pulses of the second polarity increases, the thickness of the insulating oxide layer decreases
New LomoPick device.

제18 항에 있어서,
상기 제1 극성의 전기적 펄스 및 상기 제2 극성의 전기적 펄스 각각은, 일정한 폭 및 일정한 크기를 갖는
뉴로모픽 장치.
19. The method of claim 18,
Each of the first polarity electrical pulses and the second polarity electrical pulses having a constant width and a constant magnitude
New LomoPick device.

제15 항에 있어서,
상기 시냅스는,
상기 제1 배선과 상기 상기 산소 보유층 사이 및 상기 제2 배선과 상기 복수의 반응성 금속층 중 상기 제2 배선과 가장 인접한 반응성 금속층 사이 중 적어도 하나에 위치하여 저항을 증가시키는 저항층을 더 포함하는
뉴로모픽 장치.16. The method of claim 15,
The synapse,
Further comprising a resistance layer located in at least one of the first wiring and the oxygen holding layer and between the second wiring and the reactive metal layer closest to the second wiring among the plurality of reactive wiring layers to increase the resistance
New LomoPick device.