KR20170079562A - Flexible device, and method for manufacturing the same - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 14
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 26
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims abstract description 118
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 27
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims abstract description 27
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 27
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 159
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 claims description 48
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 47
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 39
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 37
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 37
- 239000000806 elastomer Substances 0.000 claims description 28
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 claims description 27
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 26
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 23
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 23
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 15
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims description 10
- PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N Styrene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1 PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 claims description 6
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229920001225 polyester resin Polymers 0.000 claims description 5
- 239000004645 polyester resin Substances 0.000 claims description 5
- 229920005668 polycarbonate resin Polymers 0.000 claims description 4
- 239000004431 polycarbonate resin Substances 0.000 claims description 4
- 229920005672 polyolefin resin Polymers 0.000 claims description 4
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 claims description 4
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 claims description 4
- DLYUQMMRRRQYAE-UHFFFAOYSA-N tetraphosphorus decaoxide Chemical compound O1P(O2)(=O)OP3(=O)OP1(=O)OP2(=O)O3 DLYUQMMRRRQYAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 3
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 claims description 3
- 239000011342 resin composition Substances 0.000 claims description 2
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 claims description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 abstract description 6
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 abstract description 6
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 abstract description 4
- 230000008595 infiltration Effects 0.000 abstract description 3
- 238000001764 infiltration Methods 0.000 abstract description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 description 89
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 34
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 28
- IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N Dimethylsulphoxide Chemical compound CS(C)=O IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 22
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 20
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 14
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 12
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 9
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 8
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 8
- 239000011254 layer-forming composition Substances 0.000 description 8
- -1 polyphenylenevinylene Polymers 0.000 description 8
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 8
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N N-Butanol Chemical compound CCCCO LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 7
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N Dichloromethane Chemical compound ClCCl YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 6
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M lithium fluoride Chemical compound [Li+].[F-] PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 5
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 5
- HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N Chloroform Chemical compound ClC(Cl)Cl HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylacetamide Chemical compound CN(C)C(C)=O FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- OFBQJSOFQDEBGM-UHFFFAOYSA-N Pentane Chemical compound CCCCC OFBQJSOFQDEBGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 4
- XJHCXCQVJFPJIK-UHFFFAOYSA-M caesium fluoride Chemical compound [F-].[Cs+] XJHCXCQVJFPJIK-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- MVPPADPHJFYWMZ-UHFFFAOYSA-N chlorobenzene Chemical compound ClC1=CC=CC=C1 MVPPADPHJFYWMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N cyclohexanone Chemical compound O=C1CCCCC1 JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- BGTOWKSIORTVQH-UHFFFAOYSA-N cyclopentanone Chemical compound O=C1CCCC1 BGTOWKSIORTVQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 4
- 238000007764 slot die coating Methods 0.000 description 4
- VZGDMQKNWNREIO-UHFFFAOYSA-N tetrachloromethane Chemical compound ClC(Cl)(Cl)Cl VZGDMQKNWNREIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 3
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 3
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 3
- 239000002041 carbon nanotube Substances 0.000 description 3
- 229910021393 carbon nanotube Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 3
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 3
- 229920000547 conjugated polymer Polymers 0.000 description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 3
- 238000007602 hot air drying Methods 0.000 description 3
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 3
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 3
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 3
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000004702 methyl esters Chemical class 0.000 description 3
- 229920000553 poly(phenylenevinylene) Polymers 0.000 description 3
- 229920001467 poly(styrenesulfonates) Polymers 0.000 description 3
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 3
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 3
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 3
- 239000005518 polymer electrolyte Substances 0.000 description 3
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 3
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 3
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 3
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 3
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 3
- 239000011135 tin Substances 0.000 description 3
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 3
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- SCYULBFZEHDVBN-UHFFFAOYSA-N 1,1-Dichloroethane Chemical compound CC(Cl)Cl SCYULBFZEHDVBN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RELMFMZEBKVZJC-UHFFFAOYSA-N 1,2,3-trichlorobenzene Chemical compound ClC1=CC=CC(Cl)=C1Cl RELMFMZEBKVZJC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 1,4-Dioxane Chemical compound C1COCCO1 RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OCJBOOLMMGQPQU-UHFFFAOYSA-N 1,4-dichlorobenzene Chemical compound ClC1=CC=C(Cl)C=C1 OCJBOOLMMGQPQU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CXBDYQVECUFKRK-UHFFFAOYSA-N 1-methoxybutane Chemical compound CCCCOC CXBDYQVECUFKRK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910016036 BaF 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N C60 fullerene Chemical compound C12=C3C(C4=C56)=C7C8=C5C5=C9C%10=C6C6=C4C1=C1C4=C6C6=C%10C%10=C9C9=C%11C5=C8C5=C8C7=C3C3=C7C2=C1C1=C2C4=C6C4=C%10C6=C9C9=C%11C5=C5C8=C3C3=C7C1=C1C2=C4C6=C2C9=C5C3=C12 XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920002284 Cellulose triacetate Polymers 0.000 description 2
- XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N Cyclohexane Chemical compound C1CCCCC1 XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 2
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CSNNHWWHGAXBCP-UHFFFAOYSA-L Magnesium sulfate Chemical compound [Mg+2].[O-][S+2]([O-])([O-])[O-] CSNNHWWHGAXBCP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N N-Methylpyrrolidone Chemical compound CN1CCCC1=O SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920000144 PEDOT:PSS Polymers 0.000 description 2
- 239000004696 Poly ether ether ketone Substances 0.000 description 2
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 2
- 239000004697 Polyetherimide Substances 0.000 description 2
- 239000004734 Polyphenylene sulfide Substances 0.000 description 2
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 2
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L Sulfate Chemical compound [O-]S([O-])(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XSTXAVWGXDQKEL-UHFFFAOYSA-N Trichloroethylene Chemical group ClC=C(Cl)Cl XSTXAVWGXDQKEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NNLVGZFZQQXQNW-ADJNRHBOSA-N [(2r,3r,4s,5r,6s)-4,5-diacetyloxy-3-[(2s,3r,4s,5r,6r)-3,4,5-triacetyloxy-6-(acetyloxymethyl)oxan-2-yl]oxy-6-[(2r,3r,4s,5r,6s)-4,5,6-triacetyloxy-2-(acetyloxymethyl)oxan-3-yl]oxyoxan-2-yl]methyl acetate Chemical compound O([C@@H]1O[C@@H]([C@H]([C@H](OC(C)=O)[C@H]1OC(C)=O)O[C@H]1[C@@H]([C@@H](OC(C)=O)[C@H](OC(C)=O)[C@@H](COC(C)=O)O1)OC(C)=O)COC(=O)C)[C@@H]1[C@@H](COC(C)=O)O[C@@H](OC(C)=O)[C@H](OC(C)=O)[C@H]1OC(C)=O NNLVGZFZQQXQNW-ADJNRHBOSA-N 0.000 description 2
- MCEWYIDBDVPMES-UHFFFAOYSA-N [60]pcbm Chemical compound C123C(C4=C5C6=C7C8=C9C%10=C%11C%12=C%13C%14=C%15C%16=C%17C%18=C(C=%19C=%20C%18=C%18C%16=C%13C%13=C%11C9=C9C7=C(C=%20C9=C%13%18)C(C7=%19)=C96)C6=C%11C%17=C%15C%13=C%15C%14=C%12C%12=C%10C%10=C85)=C9C7=C6C2=C%11C%13=C2C%15=C%12C%10=C4C23C1(CCCC(=O)OC)C1=CC=CC=C1 MCEWYIDBDVPMES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920000122 acrylonitrile butadiene styrene Polymers 0.000 description 2
- 239000002313 adhesive film Substances 0.000 description 2
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- WUOACPNHFRMFPN-UHFFFAOYSA-N alpha-terpineol Chemical compound CC1=CCC(C(C)(C)O)CC1 WUOACPNHFRMFPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N anthracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C21 MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 2
- OSGAYBCDTDRGGQ-UHFFFAOYSA-L calcium sulfate Chemical compound [Ca+2].[O-]S([O-])(=O)=O OSGAYBCDTDRGGQ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- SQIFACVGCPWBQZ-UHFFFAOYSA-N delta-terpineol Natural products CC(C)(O)C1CCC(=C)CC1 SQIFACVGCPWBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229940117389 dichlorobenzene Drugs 0.000 description 2
- YWEUIGNSBFLMFL-UHFFFAOYSA-N diphosphonate Chemical compound O=P(=O)OP(=O)=O YWEUIGNSBFLMFL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 2
- 238000000313 electron-beam-induced deposition Methods 0.000 description 2
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000007646 gravure printing Methods 0.000 description 2
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011133 lead Substances 0.000 description 2
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 229910000480 nickel oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000007645 offset printing Methods 0.000 description 2
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 2
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 2
- SLIUAWYAILUBJU-UHFFFAOYSA-N pentacene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC4=CC5=CC=CC=C5C=C4C=C3C=C21 SLIUAWYAILUBJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N phthalocyanine Chemical class N1C(N=C2C3=CC=CC=C3C(N=C3C4=CC=CC=C4C(=N4)N3)=N2)=C(C=CC=C2)C2=C1N=C1C2=CC=CC=C2C4=N1 IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920000301 poly(3-hexylthiophene-2,5-diyl) polymer Polymers 0.000 description 2
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 description 2
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 2
- 229920002530 polyetherether ketone Polymers 0.000 description 2
- 229920001601 polyetherimide Polymers 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- 229920000069 polyphenylene sulfide Polymers 0.000 description 2
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 2
- 229920000128 polypyrrole Polymers 0.000 description 2
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011591 potassium Substances 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N propan-1-ol Chemical compound CCCO BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 2
- 238000001552 radio frequency sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 230000003252 repetitive effect Effects 0.000 description 2
- 230000000979 retarding effect Effects 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 2
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 2
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 2
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 2
- 238000010345 tape casting Methods 0.000 description 2
- 229940116411 terpineol Drugs 0.000 description 2
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K tri(quinolin-8-yloxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- YWLXZCAOJYQMKY-UHFFFAOYSA-N 1,2-dichlorobenzene Chemical compound ClC1=CC=CC=C1Cl.ClC1=CC=CC=C1Cl YWLXZCAOJYQMKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VUTWBSJIBAPTLY-UHFFFAOYSA-N 1-tert-butyl-2-(2-phenylethynyl)benzene Chemical group C(C)(C)(C)C1=C(C=CC=C1)C#CC1=CC=CC=C1 VUTWBSJIBAPTLY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IOPDYTCCKSYLJG-UHFFFAOYSA-N 3,3,3-trifluoroprop-1-ynylbenzene Chemical group FC(F)(F)C#CC1=CC=CC=C1 IOPDYTCCKSYLJG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FASNPPWZLHQZAJ-UHFFFAOYSA-N 3,3-dimethylbut-1-ynylbenzene Chemical group CC(C)(C)C#CC1=CC=CC=C1 FASNPPWZLHQZAJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WQYWXQCOYRZFAV-UHFFFAOYSA-N 3-octylthiophene Chemical compound CCCCCCCCC=1C=CSC=1 WQYWXQCOYRZFAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005725 8-Hydroxyquinoline Substances 0.000 description 1
- CKJRIVCXNKBSQQ-UHFFFAOYSA-N 9h-carbazole;2-phenylethynylbenzene Chemical group C1=CC=C2C3=CC=CC=C3NC2=C1.C1=CC=CC=C1C#CC1=CC=CC=C1 CKJRIVCXNKBSQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241001479434 Agfa Species 0.000 description 1
- 229920002799 BoPET Polymers 0.000 description 1
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AZSFNTBGCTUQFX-UHFFFAOYSA-N C12=C3C(C4=C5C=6C7=C8C9=C(C%10=6)C6=C%11C=%12C%13=C%14C%11=C9C9=C8C8=C%11C%15=C%16C=%17C(C=%18C%19=C4C7=C8C%15=%18)=C4C7=C8C%15=C%18C%20=C(C=%178)C%16=C8C%11=C9C%14=C8C%20=C%13C%18=C8C9=%12)=C%19C4=C2C7=C2C%15=C8C=4C2=C1C12C3=C5C%10=C3C6=C9C=4C32C1(CCCC(=O)OC)C1=CC=CC=C1 Chemical compound C12=C3C(C4=C5C=6C7=C8C9=C(C%10=6)C6=C%11C=%12C%13=C%14C%11=C9C9=C8C8=C%11C%15=C%16C=%17C(C=%18C%19=C4C7=C8C%15=%18)=C4C7=C8C%15=C%18C%20=C(C=%178)C%16=C8C%11=C9C%14=C8C%20=C%13C%18=C8C9=%12)=C%19C4=C2C7=C2C%15=C8C=4C2=C1C12C3=C5C%10=C3C6=C9C=4C32C1(CCCC(=O)OC)C1=CC=CC=C1 AZSFNTBGCTUQFX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UXVMQQNJUSDDNG-UHFFFAOYSA-L Calcium chloride Chemical compound [Cl-].[Cl-].[Ca+2] UXVMQQNJUSDDNG-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N Calcium oxide Chemical compound [Ca]=O ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004613 CdTe Inorganic materials 0.000 description 1
- XTEGARKTQYYJKE-UHFFFAOYSA-M Chlorate Chemical class [O-]Cl(=O)=O XTEGARKTQYYJKE-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910020366 ClO 4 Inorganic materials 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021591 Copper(I) chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910005191 Ga 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 description 1
- TWRXJAOTZQYOKJ-UHFFFAOYSA-L Magnesium chloride Chemical compound [Mg+2].[Cl-].[Cl-] TWRXJAOTZQYOKJ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- MPCRDALPQLDDFX-UHFFFAOYSA-L Magnesium perchlorate Chemical compound [Mg+2].[O-]Cl(=O)(=O)=O.[O-]Cl(=O)(=O)=O MPCRDALPQLDDFX-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 101100496858 Mus musculus Colec12 gene Proteins 0.000 description 1
- 229910019800 NbF 5 Inorganic materials 0.000 description 1
- 241000080590 Niso Species 0.000 description 1
- 229920000291 Poly(9,9-dioctylfluorene) Polymers 0.000 description 1
- 229920012266 Poly(ether sulfone) PES Polymers 0.000 description 1
- 239000004693 Polybenzimidazole Substances 0.000 description 1
- 239000004695 Polyether sulfone Substances 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- 239000004820 Pressure-sensitive adhesive Substances 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- PMZURENOXWZQFD-UHFFFAOYSA-L Sodium Sulfate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]S([O-])(=O)=O PMZURENOXWZQFD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- XBDYBAVJXHJMNQ-UHFFFAOYSA-N Tetrahydroanthracene Natural products C1=CC=C2C=C(CCCC3)C3=CC2=C1 XBDYBAVJXHJMNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910007340 Zn(OAc)2.2H2O Inorganic materials 0.000 description 1
- XECAHXYUAAWDEL-UHFFFAOYSA-N acrylonitrile butadiene styrene Chemical compound C=CC=C.C=CC#N.C=CC1=CC=CC=C1 XECAHXYUAAWDEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004676 acrylonitrile butadiene styrene Substances 0.000 description 1
- 229920001893 acrylonitrile styrene Polymers 0.000 description 1
- HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N alpha-acetylene Natural products C#C HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- SGUXGJPBTNFBAD-UHFFFAOYSA-L barium iodide Chemical compound [I-].[I-].[Ba+2] SGUXGJPBTNFBAD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N barium oxide Chemical compound [Ba]=O QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OOULUYZFLXDWDQ-UHFFFAOYSA-L barium perchlorate Chemical compound [Ba+2].[O-]Cl(=O)(=O)=O.[O-]Cl(=O)(=O)=O OOULUYZFLXDWDQ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N cadmium(2+);selenium(2-) Chemical compound [Se-2].[Cd+2] UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LYQFWZFBNBDLEO-UHFFFAOYSA-M caesium bromide Chemical compound [Br-].[Cs+] LYQFWZFBNBDLEO-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- FJDQFPXHSGXQBY-UHFFFAOYSA-L caesium carbonate Chemical compound [Cs+].[Cs+].[O-]C([O-])=O FJDQFPXHSGXQBY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910000024 caesium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- WGEFECGEFUFIQW-UHFFFAOYSA-L calcium dibromide Chemical compound [Ca+2].[Br-].[Br-] WGEFECGEFUFIQW-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GVPFVAHMJGGAJG-UHFFFAOYSA-L cobalt dichloride Chemical compound [Cl-].[Cl-].[Co+2] GVPFVAHMJGGAJG-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- KTVIXTQDYHMGHF-UHFFFAOYSA-L cobalt(2+) sulfate Chemical compound [Co+2].[O-]S([O-])(=O)=O KTVIXTQDYHMGHF-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000010924 continuous production Methods 0.000 description 1
- 150000004696 coordination complex Chemical class 0.000 description 1
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- OXBLHERUFWYNTN-UHFFFAOYSA-M copper(I) chloride Chemical compound [Cu]Cl OXBLHERUFWYNTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 230000001934 delay Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000007607 die coating method Methods 0.000 description 1
- XUCJHNOBJLKZNU-UHFFFAOYSA-M dilithium;hydroxide Chemical compound [Li+].[Li+].[OH-] XUCJHNOBJLKZNU-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- GNTDGMZSJNCJKK-UHFFFAOYSA-N divanadium pentaoxide Chemical compound O=[V](=O)O[V](=O)=O GNTDGMZSJNCJKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002534 ethynyl group Chemical group [H]C#C* 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 1
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 1
- 229910003472 fullerene Inorganic materials 0.000 description 1
- UIWYJDYFSGRHKR-UHFFFAOYSA-N gadolinium atom Chemical compound [Gd] UIWYJDYFSGRHKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000003365 glass fiber Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N heliogen blue Chemical compound [Cu].[N-]1C2=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=NC([N-]1)=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=N2 RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 1
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 150000002484 inorganic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- AMXOYNBUYSYVKV-UHFFFAOYSA-M lithium bromide Chemical compound [Li+].[Br-] AMXOYNBUYSYVKV-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- INHCSSUBVCNVSK-UHFFFAOYSA-L lithium sulfate Inorganic materials [Li+].[Li+].[O-]S([O-])(=O)=O INHCSSUBVCNVSK-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- OTCKOJUMXQWKQG-UHFFFAOYSA-L magnesium bromide Chemical compound [Mg+2].[Br-].[Br-] OTCKOJUMXQWKQG-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- BLQJIBCZHWBKSL-UHFFFAOYSA-L magnesium iodide Chemical compound [Mg+2].[I-].[I-] BLQJIBCZHWBKSL-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910052943 magnesium sulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000019341 magnesium sulphate Nutrition 0.000 description 1
- 229910001507 metal halide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000005309 metal halides Chemical class 0.000 description 1
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 1
- 229910000476 molybdenum oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002070 nanowire Substances 0.000 description 1
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Substances [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LGQLOGILCSXPEA-UHFFFAOYSA-L nickel sulfate Chemical compound [Ni+2].[O-]S([O-])(=O)=O LGQLOGILCSXPEA-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910000363 nickel(II) sulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N nonaoxidotritungsten Chemical compound O=[W]1(=O)O[W](=O)(=O)O[W](=O)(=O)O1 QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N oxomolybdenum Chemical compound [Mo]=O PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N oxonickel Chemical compound [Ni]=O GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229960003540 oxyquinoline Drugs 0.000 description 1
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 1
- AOLPZAHRYHXPLR-UHFFFAOYSA-I pentafluoroniobium Chemical compound F[Nb](F)(F)(F)F AOLPZAHRYHXPLR-UHFFFAOYSA-I 0.000 description 1
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 description 1
- CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N peryrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=3C2=C2C=CC=3)=C3C2=CC=CC3=C1 CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005191 phase separation Methods 0.000 description 1
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000264 poly(3',7'-dimethyloctyloxy phenylene vinylene) Polymers 0.000 description 1
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 1
- 229920006122 polyamide resin Polymers 0.000 description 1
- 229920002480 polybenzimidazole Polymers 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 229920000015 polydiacetylene Polymers 0.000 description 1
- 229920006393 polyether sulfone Polymers 0.000 description 1
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 1
- 229920006254 polymer film Polymers 0.000 description 1
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 1
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 description 1
- GHUURDQYRGVEHX-UHFFFAOYSA-N prop-1-ynylbenzene Chemical group CC#CC1=CC=CC=C1 GHUURDQYRGVEHX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SCUZVMOVTVSBLE-UHFFFAOYSA-N prop-2-enenitrile;styrene Chemical compound C=CC#N.C=CC1=CC=CC=C1 SCUZVMOVTVSBLE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- MCJGNVYPOGVAJF-UHFFFAOYSA-N quinolin-8-ol Chemical compound C1=CN=C2C(O)=CC=CC2=C1 MCJGNVYPOGVAJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 1
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 1
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 description 1
- SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N selenium;zinc Chemical compound [Se]=[Zn] SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920002379 silicone rubber Polymers 0.000 description 1
- KKCBUQHMOMHUOY-UHFFFAOYSA-N sodium oxide Chemical compound [O-2].[Na+].[Na+] KKCBUQHMOMHUOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052938 sodium sulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000011152 sodium sulphate Nutrition 0.000 description 1
- 229910001631 strontium chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- AHBGXTDRMVNFER-UHFFFAOYSA-L strontium dichloride Chemical compound [Cl-].[Cl-].[Sr+2] AHBGXTDRMVNFER-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- YRGLXIVYESZPLQ-UHFFFAOYSA-I tantalum pentafluoride Chemical compound F[Ta](F)(F)(F)F YRGLXIVYESZPLQ-UHFFFAOYSA-I 0.000 description 1
- RBTVSNLYYIMMKS-UHFFFAOYSA-N tert-butyl 3-aminoazetidine-1-carboxylate;hydrochloride Chemical compound Cl.CC(C)(C)OC(=O)N1CC(N)C1 RBTVSNLYYIMMKS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- IFLREYGFSNHWGE-UHFFFAOYSA-N tetracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC4=CC=CC=C4C=C3C=C21 IFLREYGFSNHWGE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002725 thermoplastic elastomer Polymers 0.000 description 1
- 229920002803 thermoplastic polyurethane Polymers 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- HDUMBHAAKGUHAR-UHFFFAOYSA-J titanium(4+);disulfate Chemical compound [Ti+4].[O-]S([O-])(=O)=O.[O-]S([O-])(=O)=O HDUMBHAAKGUHAR-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- UZIXCCMXZQWTPB-UHFFFAOYSA-N trimethyl(2-phenylethynyl)silane Chemical group C[Si](C)(C)C#CC1=CC=CC=C1 UZIXCCMXZQWTPB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CCGULKCUSSEENW-UHFFFAOYSA-N trimethyl-[2-(2-phenylethynyl)phenyl]silane Chemical group C[Si](C)(C)C1=CC=CC=C1C#CC1=CC=CC=C1 CCGULKCUSSEENW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 229910001930 tungsten oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- ZOYIPGHJSALYPY-UHFFFAOYSA-K vanadium(iii) bromide Chemical compound [V+3].[Br-].[Br-].[Br-] ZOYIPGHJSALYPY-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 1
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 1
- BEAZKUGSCHFXIQ-UHFFFAOYSA-L zinc;diacetate;dihydrate Chemical compound O.O.[Zn+2].CC([O-])=O.CC([O-])=O BEAZKUGSCHFXIQ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
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- H01L51/4273—
-
- H01L51/0097—
-
- H01L51/448—
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
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- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/549—Organic PV cells
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
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Abstract
본 발명은 유연소자 및 이의 제조 방법에 관한 것으로서, 상기 유연소자는 서로 마주보도록 배치되는 제 1 배리어 필름 및 제 2 배리어 필름, 상기 제 1 배리어 필름과 상기 제 2 배리어 필름 사이에 위치하며, 복수개의 단위 셀들을 포함하는 모듈부, 그리고 상기 모듈부의 측면을 둘러싸며, 수분 또는 산소와 반응할 수 있는 희생층을 포함한다.
상기 유연소자는 모듈의 측면 또는 접착면으로 침투하는 수분과 산소의 침투를 지연시키고 막아줌으로써 모듈의 수명을 늘릴 수 있다.The present invention relates to a flexible device and a method of manufacturing the same, wherein the flexible device comprises a first barrier film and a second barrier film disposed to face each other, a second barrier film disposed between the first barrier film and the second barrier film, A module portion including unit cells, and a sacrificial layer surrounding the side surface of the module portion and capable of reacting with moisture or oxygen.
The flexible device can extend the lifetime of the module by delaying and blocking infiltration of moisture and oxygen into the side or adhesive side of the module.
Description
본 발명은 유연소자 및 이의 제조 방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 모듈의 측면 또는 접착면으로 침투하는 수분과 산소의 침투를 지연시키고 막아줌으로써 모듈의 수명을 늘릴 수 있는 유연소자 및 이의 제조 방법에 관한 것이다. The present invention relates to a flexible device and a method of manufacturing the same, and more particularly, to a flexible device capable of increasing the lifetime of a module by delaying and preventing penetration of moisture and oxygen penetrating into a side surface or an adhesive surface of the module, and a manufacturing method thereof .
유연소자는 외부의 수분이나 산소의 침투에 의해 변성될 우려가 있는 바, 배리어(Barrier) 층에 의해 보호될 필요가 있다.The flexible element may be denatured by the penetration of moisture or oxygen from the outside, and needs to be protected by a barrier layer.
상기 배리어 층은 유연소자의 유연성을 손상시키지 않도록 연성의 필름 재질이어야 하고, 산소나 습기에 대한 저항성이 요구된다. 또한, 상기 배리어 층을 상기 유연소자에 부착하기 위해, 유연소자에 OCA/OCR 점착층을 배리어 필름에 부착하고 상기 배리어 층과 상기 유연소자를 라미네이팅 처리할 수 있다.The barrier layer should be made of a flexible film material so as not to impair the flexibility of the flexible element, and it is required to be resistant to oxygen and moisture. Further, in order to adhere the barrier layer to the flexible device, an OCA / OCR adhesive layer may be attached to the flexible film, and the barrier layer and the flexible device may be laminated.
그러나, 상기 배리어 필름을 상기 유연소자의 일면 또는 양면에 라미네이팅할 경우, 점착층이 맞닿는 영역에서 산소나 수분의 침투가 발생할 우려가 있으며, 이에 대한 보완책으로써, 라미네이팅된 배리어 층의 양측단에 레진(Resin)을 도포하거나, 추가적인 보호 필름을 부착하여 실링 처리하고 있다. 그러나, 레진 도포나 보호 필름을 부착하여 배리어 층을 실링하는 방법은 상기 유연소자의 생산성을 떨어뜨리는 것은 물론, 공정 추가에 따른 비용상승을 유발하고 있다.However, when the barrier film is laminated on one side or both sides of the flexible element, there is a fear that oxygen or moisture may be penetrated in a region where the adhesive layer is in contact. As a countermeasure against this, Resin) is applied, or an additional protective film is attached and sealed. However, the method of sealing the barrier layer by applying the resin coating or the protective film deteriorates the productivity of the flexible device, and causes an increase in cost due to the addition of the process.
본 발명의 목적은 모듈의 측면 또는 접착면으로 침투하는 수분과 산소의 침투를 지연시키고 막아줌으로써 모듈의 수명을 늘릴 수 있는 유연소자를 제공하는 것이다. It is an object of the present invention to provide a flexible element which can extend the lifetime of the module by retarding and blocking the infiltration of moisture and oxygen into the side or adhesive side of the module.
본 발명의 다른 목적은 상기 유연소자를 간단한 방법으로 제조할 수 있는 유연소자의 제조 방법을 제공하는 것이다. It is another object of the present invention to provide a method of manufacturing a flexible device capable of manufacturing the flexible device by a simple method.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 서로 마주보도록 배치되는 제 1 배리어 필름 및 제 2 배리어 필름, 상기 제 1 배리어 필름과 상기 제 2 배리어 필름 사이에 위치하며, 복수개의 단위 셀들을 포함하는 모듈부, 그리고 상기 모듈부의 측면을 둘러싸며, 수분 또는 산소와 반응할 수 있는 희생층을 포함하는 유연소자를 제공한다.According to an embodiment of the present invention, there is provided a plasma display panel comprising: a first barrier film and a second barrier film disposed to face each other; a module part positioned between the first barrier film and the second barrier film, And a sacrificial layer surrounding the side surface of the module portion and capable of reacting with moisture or oxygen.
상기 희생층은 수분 반응성 물질과 배리어성 수지를 포함할 수 있다.The sacrificial layer may comprise a water-reactive material and a barrier resin.
상기 수분 반응성 물질은 금속분말, 금속산화물, 금속염, 오산화인(P2O5) 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나일 수 있다.The water-reactive material may be any one selected from the group consisting of metal powder, metal oxide, metal salt, phosphorus pentoxide (P 2 O 5 ), and mixtures thereof.
상기 배리어성 수지는 스티렌계 수지 또는 엘라스토머, 폴리올레핀계 수지 또는 엘라스토머, 폴리옥시알킬렌계 수지 또는 엘라스토머, 폴리에스테르계 수지 또는 엘라스토머, 폴리염화비닐계 수지 또는 엘라스토머, 폴리카보네이트계 수지 또는 엘라스토머, 폴리페닐렌설파이드계 수지 또는 엘라스토머, 탄화수소의 혼합물, 폴리아미드계 수지 또는 엘라스토머, 아크릴레이트계 수지 또는 엘라스토머, 에폭시계 수지 또는 엘라스토머, 실리콘계 수지 또는 엘라스토머, 불소계 수지 또는 엘라스토머, 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나일 수 있다.The barrier resin may be a styrene resin or an elastomer, a polyolefin resin or an elastomer, a polyoxyalkylene resin or an elastomer, a polyester resin or an elastomer, a polyvinyl chloride resin or an elastomer, a polycarbonate resin or an elastomer, Based resin or elastomer, a fluorine-based resin or elastomer, and mixtures thereof. The thermoplastic resin composition according to the present invention is preferably selected from the group consisting of a fluorine-containing resin, a fluorine-containing resin, It can be either.
상기 희생층은 상기 수분 반응성 물질을, 상기 배리어성 수지 100 중량부에 대하여, 1 내지 95 중량부로 포함할 수 있다.The sacrificial layer may contain 1 to 95 parts by weight of the water-reactive substance, based on 100 parts by weight of the barrier resin.
상기 유연소자는 기판을 더 포함하며, 상기 기판의 일면에는 상기 모듈부가 위치하고, 상기 기판의 일면은 상기 모듈부가 위치하는 중앙 영역과 상기 모듈부가 위치하지 않는 테두리 영역을 포함하고, 상기 희생층은 상기 기판의 테두리 영역에 위치할 수 있다.Wherein the flexible device further comprises a substrate on one side of which the module part is located and one side of the substrate includes a central area where the module part is located and a rim area where the module part is not located, And may be located in the edge region of the substrate.
상기 희생층은 상기 기판의 양면 모두에 위치할 수 있다.The sacrificial layer may be located on both sides of the substrate.
상기 유연소자는 기판을 더 포함하며, 상기 기판의 일면에는 상기 모듈부가 위치하고, 상기 희생층은 상기 제 1 배리어 필름과 상기 제 2 배리어 필름 사이에 위치하고, 상기 기판의 측면에 위치할 수 있다.The flexible device further includes a substrate on one side of which the module portion is located and the sacrificial layer is located between the first barrier film and the second barrier film and located on a side surface of the substrate.
상기 유연소자는 상기 제 1 배리어 필름과 상기 모듈부 사이에 위치하는 제 1 점착층, 및 상기 제 2 배리어 필름과 상기 모듈부 사이에 제 2 점착층을 더 포함하며, 상기 희생층은 상기 제 1 점착층 및 상기 제 2 점착층 사이에 위치할 수 있다.Wherein the flexible device further comprises a first adhesive layer positioned between the first barrier film and the module portion and a second adhesive layer between the second barrier film and the module portion, The adhesive layer and the second adhesive layer.
상기 유연소자는 상기 제 1 배리어 필름과 상기 제 2 배리어 필름 사이에 위치하면서, 상기 모듈부의 측면에 위치하는 제 3 점착층을 더 포함하며, 상기 희생층은 상기 제 3 점착층으로 둘러싸인 영역 내부에 위치할 수 있다.Wherein the flexible device further comprises a third adhesive layer positioned between the first barrier film and the second barrier film and positioned on a side surface of the module portion and the sacrificial layer is disposed within a region surrounded by the third adhesive layer Can be located.
상기 희생층은 높이 방향으로 연장되어 상기 제 1 배리어 필름과 접촉되며, 상기 제 1 점착층은 상기 희생층에 의하여 둘러싸인 영역 내부에 위치하고, 상기 제 3 점착층은 상기 희생층에 의하여 둘러싸인 영역 외부에 위치할 수 있다.Wherein the sacrificial layer extends in a height direction and is in contact with the first barrier film, the first adhesive layer is located within an area surrounded by the sacrificial layer, and the third adhesive layer is located outside the area surrounded by the sacrificial layer Can be located.
상기 유연소자는 유기 태양 전지일 수 있다. The flexible device may be an organic solar cell.
본 발명의 다른 일 실시예에 따르면, 모듈부를 제조하는 단계, 수분 또는 산소와 반응할 수 있는 희생층을 상기 모듈부의 측면을 둘러싸도록 형성하는 단계, 그리고 상기 모듈부 위에 제 1 배리어 필름을 형성하고, 상기 모듈부 아래에 제 2 배리어 필름을 형성하여 상기 모듈부를 밀봉시키는 단계를 포함하는 유연소자의 제조 방법을 제공한다.According to another embodiment of the present invention, there is provided a method of manufacturing a module, comprising the steps of: preparing a module part, forming a sacrificial layer capable of reacting with moisture or oxygen to surround the side surface of the module part, and forming a first barrier film And forming a second barrier film below the module part to seal the module part.
본 발명의 유연소자는 모듈의 측면 또는 접착면으로 침투하는 수분과 산소의 침투를 지연시키고 막아줌으로써 모듈의 수명을 늘릴 수 있다. The flexible device of the present invention can extend the lifetime of the module by delaying and blocking infiltration of moisture and oxygen into the side or adhesive side of the module.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 유연소자를 개략적으로 나타내는 평면도이다.
도 2 내지 도 5는 상기 도 1에서 도시된 유연소자를 A-A'선으로 절단한 단면도로서, 각각 서로 다른 하나의 예시에 따른 단면도들이다.1 is a plan view schematically showing a flexible device according to an embodiment of the present invention.
FIGS. 2 to 5 are cross-sectional views taken along line A-A 'of the flexible device shown in FIG. 1, and are cross-sectional views according to different examples, respectively.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명한다. 이 때, 첨부된 도면에서 동일한 구성 요소는 가능한 동일한 부호로 나타내고 있음에 유의한다. 또한, 본 발명의 요지를 흐리게 할 수 있는 공지 기능 및 구성에 대한 상세한 설명은 생략할 것이다. 마찬가지 이유로 첨부 도면에 있어서 일부 구성요소는 과장되거나 생략되거나 개략적으로 도시되었다. 또한, 첨부된 도면에서 각 구성의 크기나 외형은 이해와 설명의 편의를 위해 과장되거나 축소되어 표현될 수 있음에 유의하여야 한다. Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. Note that, in the drawings, the same components are denoted by the same reference symbols as possible. Further, the detailed description of known functions and configurations that may obscure the gist of the present invention will be omitted. For the same reason, some of the components in the drawings are exaggerated, omitted, or schematically illustrated. It should be noted that the sizes and shapes of the components in the accompanying drawings may be exaggerated or reduced for convenience of understanding and explanation.
본 발명의 일 실시예에 따른 유연소자는 서로 마주보도록 배치되는 제 1 배리어 필름 및 제 2 배리어 필름, 상기 제 1 배리어 필름과 상기 제 2 배리어 필름 사이에 위치하며, 복수개의 단위 셀들을 포함하는 모듈부, 그리고 상기 모듈부의 측면을 둘러싸며, 수분 또는 산소와 반응할 수 있는 희생층을 포함한다.A flexible device according to an embodiment of the present invention includes a first barrier film and a second barrier film disposed to face each other, a module disposed between the first barrier film and the second barrier film, And a sacrificial layer surrounding the side surface of the module portion and capable of reacting with moisture or oxygen.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 유연소자를 개략적으로 나타내는 평면도이고, 도 2 내지 도 5는 상기 도 1에서 도시된 유연소자를 A-A'선으로 절단한 단면도로서, 각각 서로 다른 하나의 예시에 따른 단면도들이다. FIG. 1 is a plan view schematically showing a flexible device according to an embodiment of the present invention, and FIGS. 2 to 5 are sectional views of the flexible device shown in FIG. 1, taken along line A-A ' Are cross-sectional views according to the example of Fig.
상기 도 1 내지 도 5에서는 상기 유연소자로서 유기 태양 전지를 예로 들어 구체적으로 설명하지만, 상기 유연소자가 상기 유기 태양 전지로 한정되는 것은 아니다. 1 to 5 illustrate the organic solar cell as an example of the flexible device, but the flexible device is not limited to the organic solar cell.
상기 도 1 내지 도 5를 참고하면, 상기 유연소자(100)는 서로 마주보도록 배치되는 제 1 배리어 필름(121) 및 제 2 배리어 필름(122), 그리고 상기 제 1 배리어 필름(121)과 상기 제 2 배리어 필름(122) 사이에 위치하며, 복수개의 단위 셀들(111 내지 116)을 포함하는 모듈부(110)를 포함한다.1 to 5, the
상기 제 1 배리어 필름(121) 및 상기 제 2 배리어 필름(122)은 상기 단위 셀들(111 내지 116)이 산소 또는 수분과 접촉하여 성능이 저하되지 않도록, 상기 단위 셀들(111 내지 116)을 산소 또는 수분의 접촉을 차단하기 위한 것이다. The
상기 제 1 배리어 필름(121) 또는 상기 제 2 배리어 필름(122)은 통상 상기 유연소자(100)에서 상기 단위 셀들(111 내지 116)과 산소 또는 수분의 접촉을 방지하기 위한 필름으로 사용되는 것이라면 특별한 제한없이 이용될 수 있다. 구체적으로는 실리콘 옥사이드, 실리콘 나이트릴, 알루미늄 옥사이드 등과 같은 금속산화물 또는 금속질화물; 또는 아크릴 수지, 에폭시 수지, 실리콘 수지, 불소 수지, 스티렌 수지, 폴리올레핀 수지, 열가소성 엘라스토머, 폴리옥시알킬렌 수지, 폴리에스테르 수지, 폴리염화비닐 수지, 폴리카보네이트 수지, 폴리페닐렌설파이드 수지, 폴리아미드 수지 또는 이들의 혼합물 등이 예시될 수 있다. The
상기 제 1 배리어 필름(121) 또는 상기 제 2 배리어 필름(122)은 사용 물질에 따른 통상의 필름 형성 방법에 따라 형성될 수 있다.The
상기 모듈부(110)는 복수개의 단위 셀들(111 내지 116)을 포함할 수 있다.The
상기 단위 셀들(111 내지 116)은 서로 대향 배치되는 제 1 전극층 및 제 2 전극층, 및 상기 제 1 전극층 및 제 2 전극층 사이에 위치하는 활성층을 포함한다.The
상기 제 1 전극층은 빛이 상기 광활성층에 도달할 수 있도록 하는 경로가 되는 것으로, 높은 투명성과 함께 약 4.5 eV 이상의 높은 일함수 및 낮은 저항을 갖는 전도성 물질을 포함할 수 있다. 구체적인 예로는 주석도핑 산화인듐(ITO: tin-doped indium oxide), 불소도핑 산화주석(FTO: fluorine-doped tin oxide), 갈륨도핑 산화아연(GZO: gallium doped ZnO, ZnO-Ga2O3), 알루미늄도핑 산화아연(aluminum doped ZnO: AZO, ZnO-Al2O3), 인듐도핑 산화아연(IZO: indium doped ZnO, In2O3-ZnO) 또는 SnO2-Sb2O3 등의 투명산화물, 또는 이들이 산화물-금속-산화물 형태로 적층된 복합층; PEDOT:PSS, 폴리피롤 및 폴리아닐린 등의 전도성 고분자, 또는 이들에 금속이 도핑된 유/무기 하이브리드; 금, 백금, 은, 크롬, 코발트 등의 금속, 이들 금속의 합금, 이들 금속의 나노와이어, 이들 금속의 메쉬(metal mesh or imbeded metal mesh) 또는 이들 금속의 그리드(grid); 그라펜(graphene) 박막, 그라펜 산화물(graphene oxide) 박막, 탄소나노튜브 박막과 같은 유기 투명전극, 금속이 결합된 탄소나노튜브 박막과 같은 유-무기 결합 투명전극일 수 있다. The first electrode layer may include a conductive material having a high work function and a low resistance of about 4.5 eV or more with high transparency, which is a path through which light can reach the photoactive layer. Specific examples thereof include tin-doped indium oxide (ITO: tin-doped indium oxide ), tin fluorine-doped oxide (FTO: fluorine-doped tin oxide ), gallium-doped zinc oxide (GZO: gallium doped ZnO, ZnO -Ga 2 O 3), aluminum doped zinc oxide (aluminum doped ZnO: AZO, ZnO -Al 2 O 3), indium-doped zinc oxide: a transparent oxide, such as (IZO indium doped ZnO, in 2 O 3 -ZnO) , or SnO 2 -Sb 2 O 3, Or a composite layer in which they are stacked in an oxide-metal-oxide form; Conductive polymers such as PEDOT: PSS, polypyrrole and polyaniline, or organic / inorganic hybrid doped with metals; Metals such as gold, platinum, silver, chromium, cobalt, alloys of these metals, nanowires of these metals, metal meshes or imbeded metal meshes or grids of these metals; An inorganic transparent electrode such as a graphene thin film, a graphene oxide thin film, an organic transparent electrode such as a carbon nanotube thin film, or a metal bonded carbon nanotube thin film.
상기 제 2 전극은 일함수가 낮은 물질을 포함하며, 구체적으로는 마그네슘, 칼슘, 나트륨, 칼륨, 티타늄, 인듐, 이트륨, 리튬, 가돌리늄, 알루미늄, 은, 주석, 납, 스테인레스 스틸, 구리, 텅스텐과 같은 금속 또는 이들의 합금; LiF/Al, LiO2/Al, LiF/Fe, Al:Li, Al:BaF2, Al:BaF2:Ba와 같은 다층 구조의 물질 또는 실리콘 등일 수 있다. The second electrode includes a material having a low work function. Specifically, the second electrode includes at least one material selected from the group consisting of magnesium, calcium, sodium, potassium, titanium, indium, yttrium, lithium, gadolinium, aluminum, silver, tin, lead, stainless steel, The same metal or an alloy thereof; Layer material such as LiF / Al, LiO 2 / Al, LiF / Fe, Al: Li, Al: BaF 2 and Al: BaF 2 : Ba or silicon.
상기 활성층은 정공수용체(p형 반도체)와 전자수용체(n형 반도체)가 별개의 층으로 이루어진 바이레이어 p-n 접합(bi-layer p-n junction) 구조와 상기 정공수용체와 상기 전자수용체가 혼합된 벌크 이종 접합(bulk heterojunction) 구조의 광활성층일 수 있다. The active layer includes a bi-layer pn junction structure in which a hole receptor (p-type semiconductor) and an electron acceptor (n-type semiconductor) are separated from each other, a bulk heterojunction in which the hole receptor and the electron acceptor are mixed may be a photoactive layer having a bulk heterojunction structure.
상기 정공수용체는 전기 전도성 고분자 또는 유기 저분자 반도체 물질 등과 같은 유기 반도체로서, 상기 전기 전도성 고분자는 폴리티오펜(polythiphene), 폴리페닐렌비닐렌(polyphenylenevinylene), 폴리플루오렌(polyfulorene), 폴리피롤(polypyrrole), 이들의 공중합체 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나일 수 있으며, 상기 유기 저분자 반도체 물질은 펜타센(pentacene), 안트라센(anthracene), 테트라센(tetracene), 퍼릴렌(perylene), 올리고티오펜(oligothiphene), 이들의 유도체 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나일 수 있다. 구체적으로, 상기 정공수용체는 폴리-3-헥실티오펜[poly-3-hexylthiophene, P3HT], 폴리-3-옥틸티오펜[poly-3-octylthiophene, P3OT], 폴리파라페닐렌비닐렌[poly-p-phenylenevinylene, PPV], 폴리(디옥틸플루오렌)[poly(9,9'-dioctylfluorene)], 폴리(2-메톡시,5-(2-에틸-헥실옥시)-1,4-페닐렌비닐렌)[poly(2-methoxy,5-(2-ethyle-hexyloxy)-1,4-phenylenevinylene, MEH-PPV], 폴리(2-메틸,5-(3',7'-디메틸옥틸옥시))-1,4-페닐렌비닐렌[poly(2-methyl,5-(3',7'-dimethyloctyloxy))-1,4-phenylene vinylene, MDMOPPV] 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나일 수 있다. The hole-transporting material may be an organic semiconductor such as an electrically conductive polymer or an organic low-molecular semiconductor material. The electrically conductive polymer may be a polythiophene, polyphenylenevinylene, polyfulorene, polypyrrole, , Copolymers thereof, and combinations thereof. The organic low-molecular semiconductor material may be at least one selected from the group consisting of pentacene, anthracene, tetracene, perylene, Oligothiophenes, oligothiophenes, derivatives thereof, and combinations thereof. Specifically, the hole acceptor may be a poly-3-hexylthiophene (P3HT), a poly-3-octylthiophene (P3OT), a poly- p-phenylenevinylene, PPV, poly (9,9'-dioctylfluorene), poly (2-methoxy, 5- (2-ethyl-hexyloxy) Poly (2-methyloxy) -5- (3 ', 7'-dimethyloctyloxy) ) -1,4-phenylene vinylene, MDMOPPV], and combinations thereof. The term " poly (2-methyl) It can be either.
상기 전자수용체는 전자 친화도가 큰 유기, 무기 또는 유무기 화합물일 수 있다. 구체적으로, 풀러렌(fullerene, C60) 또는 풀러렌 유도체, 프탈로시아닌 유도체, 붕소 함유 중합체, CdS, CdSe, CdTe 및 ZnSe 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나의 Ⅱ-Ⅵ족 화합물 반도체 결정, ZnO, SiO2, TiO2, Al2O3 등의 산화물 반도체 결정, CuInSe2, CuInS 등의 화합물 반도체 결정 등일 수 있다. 구체적으로, 상기 전자수용체는 (6,6)-페닐-C61-부티릭에시드 메틸에스테르[(6,6)-phenyl-C61-butyric acid methyl ester; PCBM], (6,6)-페닐-C71-부티릭에시드 메틸에스테르[(6,6)-phenyl-C71-butyric acid methyl ester; C70-PCBM], (6,6)-티에닐-C61-부티릭에시드 메틸에스테르[(6,6)-thienyl-C61-butyric acid methyl ester; ThCBM], 탄소나노튜브 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나일 수 있다. The electron acceptor may be an organic, inorganic or organic compound having a high electron affinity. Specifically, any one of II-VI compound semiconductor crystals selected from the group consisting of fullerene (C 60 ) or a fullerene derivative, a phthalocyanine derivative, a boron-containing polymer, CdS, CdSe, CdTe and ZnSe, ZnO, Oxide semiconductor crystals such as SiO 2 , TiO 2 and Al 2 O 3 , compound semiconductor crystals such as CuInSe 2 and CuInS, and the like. Specifically, the electron acceptor (6,6) -phenyl -C 61 - butyric rigs Acid methyl ester [(6,6) -phenyl-C 61 -butyric acid methyl ester; PCBM], (6,6) - phenyl -C 71 - butyric rigs Acid methyl ester [(6,6) -phenyl-C 71 -butyric acid methyl ester; C 70 -PCBM], (6,6) - thienyl -C 61 - butyric rigs Acid methyl ester [(6,6) -thienyl-C 61 -butyric acid methyl ester; ThCBM], carbon nanotubes, and combinations thereof.
또한, 상기 단위 셀들(111 내지 116)은 선택적으로 상기 제 1 전극층 또는 상기 제 2 전극과 상기 활성층 사이에 정공전달층 또는 전자전달층을 더 포함할 수 있다. In addition, the
상기 정공전달층은 상기 활성층에서 발생된 정공을 전극으로 이동시키는 것을 도와주는 층으로서, 상기 정공전달층은 폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜)(PEDOT), 폴리(스티렌설포네이트)(PSS), 폴리아닐린, 프탈로시아닌, 펜타센, 폴리디페닐 아세틸렌, 폴리(t-부틸)디페닐아세틸렌, 폴리(트리플루오로메틸)디페닐아세틸렌, 구리 프탈로시아닌(Cu-PC) 폴리(비스트리플루오로메틸)아세틸렌, 폴리비스(T-부틸디페닐)아세틸렌, 폴리(트리메틸실릴) 디페닐아세틸렌, 폴리(카르바졸)디페닐아세틸렌, 폴리디아세틸렌, 폴리페닐아세틸렌, 폴리피리딘아세틸렌, 폴리메톡시페닐아세틸렌, 폴리메틸페닐아세틸렌, 폴리(t-부틸)페닐아세틸렌, 폴리니트로페닐아세틸렌, 폴리(트리플루오로메틸)페닐아세틸렌, 폴리(트리메틸실릴)페닐아세틸렌, 이들의 유도체; 몰리브데늄 산화물(MoOx); 바나듐 산화물(V2O5); 니켈 산화물(NiO); 및 텅스텐 산화물(WOx) 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나의 정공전달물질을 포함할 수 있다. 하나의 예시에서 상기 정공전달층(103)은 상기 PEDOT와 PSS의 혼합물을 포함할 수 있다. 또한, 상기 정공전달층은 Ni 같은 물질을 증착하여 열처리 하여 형성된 자기조립박막을 사용할 수 있다. (PEDOT), poly (styrenesulfonate) (PSS), and a hole transporting layer is a layer that helps to transfer holes generated in the active layer to an electrode. ), Polyaniline, phthalocyanine, pentacene, polydiphenylacetylene, poly (t-butyl) diphenylacetylene, polytrifluoromethyldiphenylacetylene, copper phthalocyanine (Cu-PC) poly (bistrifluoromethyl) (Acetylenic), poly (trimethylsilyl) diphenylacetylene, poly (carbazole) diphenylacetylene, polydiacetylene, polyphenylacetylene, polypyridine acetylene, polymethoxyphenylacetylene, poly Poly (trimethylsilyl) phenylacetylene, derivatives thereof; poly (methylmethacrylate), such as methylphenylacetylene, poly (t-butyl) phenylacetylene, polynitrophenylacetylene, poly (trifluoromethyl) phenylacetylene; Molybdenum oxide (MoO x ); Vanadium oxide (V 2 O 5 ); Nickel oxide (NiO); And a hole transporting material selected from the group consisting of tungsten oxide (WO x ), and combinations thereof. In one example, the hole transport layer 103 may comprise a mixture of PEDOT and PSS. The hole transport layer may be formed of a self-assembled thin film formed by depositing a material such as Ni and performing a heat treatment.
상기 전자전달층은 전자추출금속 산화물(electron-extracting metal oxides)을 포함할 수 있으며, 구체적으로 8-히드록시퀴놀린의 금속착물; 알루미늄 트리스(8-하이드록시퀴놀린)(aluminium tris(8-hydroxyquinoline), Alq3)를 포함한 착물; 리튬착체(8-hydroxy-quinolinato lithium, Liq)를 포함한 금속착물; 리튬플로라이드(LiF); Ca; 티타늄 산화물(TiOx); 아연 산화물(ZnO); 세슘 카보네이트(Cs2CO3); 비공액 고분자, 비공액 고분자 전해질, 공액 고분자 전해질, 또는 n-형 금속 산화물 등이 될 수 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다. 상기 n-형 금속 산화물은 일예로, TiOx, Li 또는 Al 등으로 도핑된 TiOx, ZnO 또는 Cs2CO3 일 수 있다. 또한, 상기 전자전달층으로 금속층의 자기조립 박막을 사용할 수 있고, 가역 에너지로 인한 산화상변화 등의 안정성 문제로 폴리머 기반 또는 유/무기 하이브리드 소재를 사용할 수도 있다. The electron transport layer may include electron-extracting metal oxides, specifically a metal complex of 8-hydroxyquinoline; Complexes comprising aluminum tris (8-hydroxyquinoline), Alq3); Metal complexes including a lithium complex (8-hydroxy-quinolinato lithium, Liq); Lithium fluoride (LiF); Ca; Titanium oxide (TiO x ); Zinc oxide (ZnO); Cesium carbonate (Cs 2 CO 3 ); A non-conjugated polymer electrolyte, a non-conjugated polymer electrolyte, a conjugated polymer electrolyte, an n-type metal oxide, and the like, but are not limited thereto. The n- type metal oxide may be in one example, TiO x, doped with Li or Al, such as TiO x, ZnO or Cs 2 CO 3. In addition, a self-assembled thin film of a metal layer may be used for the electron transport layer, and a polymer-based or organic / inorganic hybrid material may be used for stability problems such as acid image change due to reversible energy.
상기 단위 셀들(111 내지 116)은 상기 제 1 전극층(양극), 상기 정공전달층, 상기 활성층, 상기 전자전달층 및 상기 제 2 전극층(음극)이 순차적으로 적층되는 구조로 형성될 수 있고, 또는 상기 기판(130)으로부터 상기 제 1 전극층(음극), 상기 전자전달층, 상기 활성층, 상기 정공전달층 및 상기 제 2 전극층(양극)이 순차적으로 적층되는 역구조(inverted)로 형성될 수도 있다. The
상기 단위셀들(111 내지 116)은 서로 직렬 또는 병렬 연결되어 있을 수 있으며, 이를 위하여 상기 단위셀들(111 내지 116)을 전기적으로 연결시켜 주는 전극 연결선들이 형성될 수도 있다. 또한, 상기 모듈부(110)는 상기 단위셀들(111 내지 116)을 외부 기기와 전기적으로 연결하기 위한 전극 단자(161, 162)를 더 포함할 수 있다. 상기 전극 연결선들과 상기 전극 단자(161, 162)는 상기 제 2 전극과 같이 일함수가 낮은 물질을 포함할 수 있으며, 구체적으로는 마그네슘, 칼슘, 나트륨, 칼륨, 티타늄, 인듐, 이트륨, 리튬, 알루미늄, 은, 주석, 납, 스테인레스 스틸, 구리, 텅스텐 또는 실리콘 등일 수 있다. The
한편, 상기 유연소자(100)는 상기 모듈부(110)의 측면을 둘러싸며, 수분 또는 산소와 반응할 수 있는 희생층(150)을 포함한다. 상기 희생층(150)은 상기 모듈부(110)의 측면 또는 상기 제 1 배리어 필름(121)과 제 2 배리어 필름(122) 사이의 접착면부터 수분과 산소의 침투를 지연시키고 막아줌으로써 상기 모듈부(110)의 수명을 늘릴 수 있다.The
상기 희생층(150)은 수분 또는 산소와의 반응성이 큰 물질을 포함하는 것이 바람직하다. 예를 들어, 수분과 산소에 배리어 성능을 발현하는 배리어성 수지와 수분 반응성 물질을 혼합하여 제조되는 수분과 반응이 용이한 금속 페이스트류 및 그와 유사한 효과를 낼 수 있는 소재들을 사용할 수 있으며, 상기 수분 반응성 물질은 물리적 또는 화학적 반응 등을 통해, 외부로부터 유입되는 수분 또는 습기를 흡착 또는 제거할 수 있는 물질을 총칭하여 사용될 수 있다. 상기 수분 반응성 물질은 내부로 유입된 습기, 수분 또는 산소 등과 화학적으로 반응하여 수분 또는 습기를 흡착한다. 상기 수분 반응성 물질은 구체적으로 금속분말, 금속산화물, 금속염, 오산화인(P2O5) 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나일 수 있다.The
상기 금속산화물의 구체적인 예로는, 산화리튬(Li2O), 산화나트륨(Na2O), 산화바륨(BaO), 산화칼슘(CaO) 또는 산화마그네슘(MgO) 등을 들 수 있고, 상기 금속염의 예로는, 황산리튬(Li2SO4), 황산나트륨(Na2SO4), 황산칼슘(CaSO4), 황산마그네슘(MgSO4), 황산코발트(CoSO4), 황산갈륨(Ga2(SO4)3), 황산티탄(Ti(SO4)2) 또는 황산니켈(NiSO4) 등과 같은 황산염, 염화칼슘(CaCl2), 염화마그네슘(MgCl2), 염화스트론튬(SrCl2), 염화이트륨(YCl3), 염화구리(CuCl2), 불화세슘(CsF), 불화탄탈륨(TaF5), 불화니오븀(NbF5), 브롬화리튬(LiBr), 브롬화칼슘(CaBr2), 브롬화세슘(CeBr3), 브롬화셀레늄(SeBr4), 브롬화바나듐(VBr3), 브롬화마그네슘(MgBr2), 요오드화바륨(BaI2) 또는 요오드화마그네슘(MgI2) 등과 같은 금속할로겐화물; 또는 과염소산바륨(Ba(ClO4)2) 또는 과염소산마그네슘(Mg(ClO4)2) 등과 같은 금속염소산염 등을 들 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니며, 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나를 포함할 수 있다.Specific examples of the metal oxide include lithium oxide (Li 2 O), sodium oxide (Na 2 O), barium oxide (BaO), calcium oxide (CaO), magnesium oxide (MgO) Examples include lithium sulfate (Li 2 SO 4), sodium sulfate (Na 2 SO 4), calcium sulfate (CaSO 4), magnesium sulfate (MgSO 4), cobalt sulfate (CoSO 4), sulfate, gallium (Ga 2 (SO 4) 3), titanium sulfate (Ti (SO 4) 2) or nickel sulfate (a sulfate such as NiSO 4), calcium chloride (CaCl 2), magnesium chloride (MgCl 2), strontium chloride (SrCl 2), chloride, yttrium (YCl 3) , Cobalt chloride (CuCl 2 ), cesium fluoride (CsF), tantalum fluoride (TaF 5 ), niobium fluoride (NbF 5 ), lithium bromide (LiBr), calcium bromide (CaBr 2 ), cesium bromide (CeBr 3 ) (SeBr 4), vanadium bromide (VBr 3), a metal halide such as magnesium bromide (MgBr 2), barium iodide (BaI 2), or magnesium iodide (MgI 2); Or metal chlorates such as barium perchlorate (Ba (ClO 4 ) 2 ) or magnesium perchlorate (Mg (ClO 4 ) 2 ), but are not limited thereto, and any one selected from the group consisting of combinations thereof .
상기 수분 반응성 물질과 혼합하여 사용되는 배리어 성능을 발현하는 배리어성 수지는 스티렌계 수지 또는 엘라스토머, 폴리올레핀계 수지 또는 엘라스토머, 폴리옥시알킬렌계 수지 또는 엘라스토머, 폴리에스테르계 수지 또는 엘라스토머, 폴리염화비닐계 수지 또는 엘라스토머, 폴리카보네이트계 수지 또는 엘라스토머, 폴리페닐렌설파이드계 수지 또는 엘라스토머, 탄화수소의 혼합물, 폴리아미드계 수지 또는 엘라스토머, 아크릴레이트계 수지 또는 엘라스토머, 에폭시계 수지 또는 엘라스토머, 실리콘계 수지 또는 엘라스토머, 불소계 수지 또는 엘라스토머, 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나를 포함할 수 있다.The barrier resin that exhibits barrier performance to be used in admixture with the water-reactive substance may be a styrene resin or an elastomer, a polyolefin resin or an elastomer, a polyoxyalkylene resin or an elastomer, a polyester resin or an elastomer, a polyvinyl chloride resin Or an elastomer, a polycarbonate resin or elastomer, a polyphenylene sulfide resin or elastomer, a mixture of hydrocarbons, a polyamide resin or elastomer, an acrylate resin or elastomer, an epoxy resin or elastomer, a silicone resin or elastomer, Or an elastomer, and a mixture thereof.
상기 희생층(150)은 상기 수분 반응성 물질을, 상기 배리어성 수지 100 중량부에 대하여, 1 내지 95 중량부, 바람직하게는 5 내지 80 중량부로 포함할 수 있다. 상기 수분 반응성 물질의 함량을 1 중량부 이상으로 함량 제어함으로써, 상기 희생층(150)이 측면에서 침투하는 수분과 반응하여 우수한 수분 및 습기 차단성을 나타내도록 할 수 있다. 또한, 상기 수분 반응성 물질의 함량을 95 중량부 이하로 제어함으로써, 상기 수분 반응성 물질과 상기 배리어성 수지를 포함하는 희생층 형성용 조성물의 제조시 상기 배리어성 수지와 상기 수분 반응성 물질의 균일한 혼합이 되도록 하여 상기 희생층(150)의 인쇄 특성을 향상시켜, 우수한 수분 차단 특성을 나타내도록 할 수 있다.The
한편, 상기 유연소자(100)는 기판(130)을 더 포함할 수 있다. 상기 기판(130)의 일면에는 상기 모듈부(110)가 위치할 수 있다.Meanwhile, the
상기 기판(130)은 유연하고 형상의 변형이 가능하여 통상 유연소자(100)에 적용되는 것이라면 특별한 제한 없이 사용될 수 있다. 구체적으로는 상기 기판(130)은 알루미늄 등 금속 박막(Metal Foil); 석영 또는 유리 등을 포함하는 무기 박막; 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 폴리에틸렌나프탈레이트(PEN), 폴리카보네이트(PC), 폴리스티렌(PS), 폴리프로필렌(PP), 폴리이미드(PI), 폴리에틸렌설포네이트(PES), 폴리옥시메틸렌(POM), 폴리에테르에테르케톤(PEEK), 폴리에테르설폰(PES) 또는 폴리에테르이미드(PEI), AS 수지(acrylonitrile styrene copolymer), ABS 수지(acrylonitrile butadiene styrene copolymer), TAC(Triacetyl cellulose) 및 PAR(polyarylate) 등의 고분자필름; 섬유 기재; 및 유리섬유와 고분자의 복합재 등을 포함할 수 있으며, 이중에서도 유연하고 높은 화학적 안정성, 기계적 강도 및 투명도를 가지며, 다양한 형태로의 변형이 용이한 고분자 필름, 혹은 PET 필름을 포함하는 것이 보다 바람직할 수 있다. The
또한, 상기 유연소자(100)가 상기 기판(130)을 통한 빛의 투과가 이루어질 필요가 있는 경우, 상기 기판(130)은 투명성이 요구될 수도 있다. 이때 상기 기판(130)은 약 380 내지 780nm의 가시광 파장에서 적어도 70% 이상, 바람직하게는 80% 이상의 투과율을 갖는 것이 좋다.In addition, when the
상기 기판(130)은 상기 모듈부(110)가 위치하는 중앙 영역(130a)과 상기 모듈부(110)가 위치하지 않는 테두리 영역(130b)을 포함할 수 있다. 이때, 상기 희생층(150)은 상기 기판(130)의 테두리 영역(130b)에 위치할 수 있다. 상기 도 1에 도시된 바와 같이, 상기 희생층(150)은 상기 모듈부(110)가 위치하는 중앙 영역(130a)을 둘러싸는 격벽의 형태로 형성되어 상기 침투한 수분 또는 산소가 상기 모듈부(110)의 측면에 도달하는 것을 차단하며, 상기 희생층(150) 자체가 상기 수분 또는 산소와 반응성이 높은 물질을 포함하기 때문에 상기 침투한 수분 또는 산소와 먼저 반응하여 상기 수분 또는 산소를 소모시킴으로써 상기 모듈부(110)가 상기 수분 또는 산소로부터 공격받는 것을 방지할 수 있다.The
상기 도 2를 참고하면, 상기 희생층(150)은 상기 제 1 배리어 필름(121)과 상기 제 2 배리어 필름(122) 사이에 위치하면서, 상기 모듈부(110)와 상기 기판(130)의 측면에 위치할 수 있다. 2, the
또한, 상기 도 3을 참고하면, 상기 희생층(150)은 상기 제 1 배리어 필름(121)과 상기 제 2 배리어 필름(122) 사이에 위치하면서, 상기 모듈부(110)의 측면에 위치하지만, 상기 기판(130) 위에 위치할 수도 있다. 3, the
한편, 상기 기판(130) 자체가 배리어 특성을 가지는 경우에는 상기 제 2 배리어 필름(122)이 상기 기판(130)을 의미하는 것일 수 있다. 이 경우, 상기 희생층(150)은 상기 도 2에서 도시한 바와 같이 상기 제 2 배리어 필름(122)의 측면에 위치할 수도 있고, 상기 도 3에서 도시한 바와 같이 상기 제 2 배리어 필름(122)의 위에 위치할 수도 있다.Meanwhile, when the
또한, 상기 도 4를 참고하면, 상기 희생층(150)은 상기 기판(130) 위에 위치하면서, 상기 기판(130)의 양면 모두에 위치할 수 있다. 4, the
한편, 상기 제 1 배리어 필름(121) 및 상기 제 2 배리어 필름(122)은 상기 모듈부(110)를 완전히 밀봉시키기 위하여, 그 폭이 상기 기판(130) 또는 상기 모듈부(110)의 폭 보다 더 넓을 수 있으며, 상기 제 1 배리어 필름(121) 및 상기 제 2 배리어 필름(122)이 서로 맞닿아 부착되어, 상기 모듈부(110)를 밀봉시킬 수 있다. The width of the
또한, 상기 제 1 배리어 필름(121)과 상기 제 2 배리어 필름(122)의 부착을 위하여, 상기 유연소자(100)는 상기 제 1 배리어 필름(121)과 상기 모듈부(110) 사이에 제 1 점착층(141)을 더 포함하고, 상기 제 2 배리어 필름(122)과 상기 모듈부(110) 사이에 제 2 점착층(142)을 더 포함할 수 있다. 이 경우, 상기 희생층(150)은 상기 도 2 내지 도 4에서 도시된 바와 같이 상기 제 1 점착층(141) 및 상기 제 2 점착층(142) 사이에 위치할 수 있다. The
또한, 상기 유연소자(100)는 상기 제 1 배리어 필름(121)과 상기 제 2 배리어 필름(122) 사이에 위치하면서, 상기 모듈부(110)의 측면에 위치하는 제 3 점착층(143)을 더 포함할 수 있다. 즉, 상기한 바와 같이 상기 제 1 배리어 필름(121) 및 상기 제 2 배리어 필름(122)의 폭이 상기 기판(130) 또는 상기 모듈부(110) 폭 보다 더 넓은 경우, 상기 제 1 배리어 필름(121)과 상기 제 2 배리어 필름(122)이 서로 맞닿아 부착되는 영역에 상기 제 3 점착층(143)이 형성될 수 있다. 이 경우, 상기 희생층(150)은 상기 도 2 내지 도 4에 도시된 바와 같이 상기 제 3 점착층(143)으로 둘러싸인 영역 내부에 위치할 수 있다. The
한편, 상기 도 5를 참고하면, 상기 희생층(150)은 높이 방향으로 연장되어 상기 제 1 배리어 필름(121)과 접촉되며, 이때 상기 희생층(150)은 상기 점착층들을 분할하여, 상기 제 1 점착층(141)은 상기 희생층(150)에 의하여 둘러싸인 영역 내부에 위치하고, 상기 제 3 점착층(143)은 상기 희생층(150)에 의하여 둘러싸인 영역 외부에 위치할 수 있다. 또한, 상기 희생층(150)이 상기 기판(130)의 반대면에도 형성되는 경우, 상기 희생층(150)은 높이 방향으로 연장되어 상기 제 2 배리어 필름(122)과 접촉되며, 상기 제 2 점착층(142)은 상기 희생층(150)에 의하여 둘러싸인 영역 내부에 위치하고, 상기 제 3 점착층(143)은 상기 희생층(150)에 의하여 둘러싸인 영역 외부에 위치할 수 있다.5, the
상기 제 1 점착층(141), 상기 제 2 점착층(142) 및 상기 제 3 점착층(143)의 재질은 본 발명에서 특별히 한정되지 않으며, 상기 제 1 배리어 필름(121) 또는 상기 제 2 배리어 필름(122)을 고정시킬 수 있는 것이면 어느 것이나 사용 가능하다. 구체적으로 예를 들면, 에폭시 수지, 폴리에스테르 수지, 아크릴 수지, 페놀계 수지, 비닐 수지, 폴리이미드, 폴리벤즈이미다졸, 실리콘계 수지, 우레탄계 수지, 멜라민 요소 수지 등의 접착제 또는 점착제 등일 수 있고, 바람직하게 에틸렌 비닐 아세테이트(EVA), OCA(Optically Clear Adhesive) 또는 OCR(Optical Clear Resin) 점착층일 수 있다. The materials of the first
본 발명의 다른 일 실시예에 따른 유연소자(100) 제조 방법은 상기 모듈부(110)를 제조하는 단계, 상기 희생층(150)을 상기 모듈부(110)의 측면을 둘러싸도록 형성하는 단계, 그리고 상기 모듈부(110) 위에 상기 제 1 배리어 필름(121)을 형성하고, 상기 모듈부(110) 아래에 상기 제 2 배리어 필름(122)을 형성하여 상기 모듈부(110)를 밀봉시키는 단계를 포함한다.The manufacturing method of a
이하, 상기 유연소자(100) 제조 방법을 단계별로 구체적으로 설명한다. Hereinafter, a method of manufacturing the
우선, 상기 기판(130) 위에 상기 모듈부(110)를 제조한다. 다만, 상기한 바와 같이 상기 기판(130) 자체가 배리어 특성을 가지는 경우에는 상기 제 2 배리어 필름(122)이 상기 기판(130)을 의미하는 것일 수 있다. 이에 따라, 상기 모듈부(110)는 상기 제 2 배리어 필름(122) 위에 제조될 수도 있다. First, the
상기 제 1 전극층은 상기 기판(130) 위에 상기 제 1 전극층을 이루는 물질을 스크린 프린팅, 그라비어 프린팅, 그라비어 오프셋(Gravure-offset) 프린팅, 열 기상 증착, 전자 빔 증착, RF 또는 마그네트론 스퍼터링, 화학적 증착 또는 이와 유사한 방법을 통하여 형성할 수 있다. The first electrode layer may be formed on the
다음으로, 상기 제 1 전극층이 형성된 상기 기판(130)을 이송시키면서 상기 제 1 전극층 위에 박막층 형성용 조성물을 도포하여 상기 활성층, 및 선택적으로 상기 정공전달층 또는 전자전달층과 같은 박막층들을 형성한다. Next, while the
상기 박막층 형성용 조성물은 박막층 형성용 물질 및 용매를 포함할 수 있다. 상기 박막층 형성용 물질은 상기 유연소자(100)를 구성하는 각 박막에 포함되는 유기 또는 무기 물질일 수 있다. 상기 박막층 형성용 물질은 구체적으로 광활성층 형성용 물질, 정공전달층 형성용 물질 또는 전자전달층 형성용 물질 등으로 구분할 수 있으며, 그 종류에 대해서는 상기에서 설명하였는 바 반복적인 설명은 생략한다.The composition for forming a thin film layer may include a thin film layer forming material and a solvent. The thin film layer forming material may be an organic or inorganic material included in each thin film constituting the
상기 박막층 형성용 물질은 형성하고자 하는 박막의 용도에 따라 그 함량이 적절히 결정될 수 있는데, 구체적으로는 박막층 형성용 조성물 총 중량에 대하여 5 내지 99 중량%로 포함될 수 있다. The content of the thin film layer-forming material may be appropriately determined depending on the use of the thin film to be formed. Specifically, the content may be 5 to 99% by weight based on the total weight of the thin film layer-forming composition.
상기 용매로는 상기 박막층 형성용 물질을 용해시키거나 또는 분산시킬 수 있는 것이라면 특별한 제한없이 사용할 수 있다. 구체적으로는 상기 용매는 물; 에탄올, 메탄올, 프로판올, 이소프로필알코올, 부탄올 등의 알코올; 또는 아세톤, 펜탄, 톨루엔, 벤젠, 디에틸에테르, 메틸부틸에테르, N-메틸피롤리돈(NMP), 테트라하이드로퓨란(THF), 디메틸포름아마이드(DMF), 디메틸아세트아마이드(DMAC), 디메틸술폭사이드(DMSO), 카본테트라클로라이드, 디클로로메탄, 디클로로에탄, 트리클로로에틸렌, 클로로포름, 클로로벤젠, 디클로로벤젠, 트리클로로벤젠, 사이클로헥산, 사이클로펜타논, 사이클로헥사논, 디옥산, 터피네올, 메틸에텔케톤 등의 유기 용매, 또는 이들의 혼합물일 수 있으며, 상기 박막층 형성용 조성물 제조시 상기 박막층 형성용 물질의 종류에 따라 상기한 용매 물질들 중에서 적절히 선택하여 사용하는 것이 바람직하다. The solvent is not particularly limited as long as it can dissolve or disperse the thin film layer forming material. Specifically, the solvent is water; Alcohols such as ethanol, methanol, propanol, isopropyl alcohol and butanol; (DMF), dimethylacetamide (DMAC), dimethylsulfoxide (DMF), tetrahydrofuran (DMF), or the like, or a solvent such as acetone, pentane, toluene, benzene, diethyl ether, methyl butyl ether, N-methylpyrrolidone (DMSO), carbon tetrachloride, dichloromethane, dichloroethane, trichlorethylene, chloroform, chlorobenzene, dichlorobenzene, trichlorobenzene, cyclohexane, cyclopentanone, cyclohexanone, dioxane, terpineol, methyl Ether ketone and the like, or a mixture thereof. It is preferable to appropriately select and use the solvent from among the above-mentioned solvent materials according to the kind of the thin film layer forming material when preparing the composition for forming the thin film layer.
상기 용매는 상기 박막층 형성용 조성물 중 잔부의 양으로 포함될 수 있으며, 바람직하게는 상기 박막층 형성용 조성물 총 중량에 대하여 1 내지 95 중량%로 포함될 수 있다. 상기 용매의 함량이 95 중량%를 초과할 경우 원하는 박막층의 기능을 얻기 어렵고, 상기 용매의 함량이 1 중량% 미만일 경우 균일한 두께의 박막층 형성이 어려울 수 있다.The solvent may be contained in an amount of the remainder in the composition for forming a thin film layer, and preferably 1 to 95% by weight based on the total weight of the composition for forming a thin film layer. When the content of the solvent is more than 95% by weight, it is difficult to obtain a desired thin film layer function. When the content of the solvent is less than 1% by weight, it may be difficult to form a thin film having a uniform thickness.
상기와 같은 구성을 갖는 박막층 형성용 조성물은 상기 박막층 형성용 물질을 용매 중에 분산시키거나 용해시킴으로써 제조할 수 있다. The composition for forming a thin film having the above-described constitution can be produced by dispersing or dissolving the substance for forming a thin film layer in a solvent.
한편, 상기 기판(130)을 이송시키는 방법으로 롤투롤 방식을 이용하면 상기 유연소자(100)를 연속 공정으로 제조할 수 있다. 이때 기판(130)의 이송속도는 롤투롤 장비를 이용한 상기 박막층의 코팅 및 건조속도에 따라 최적화하여 사용할 수 있다.On the other hand, if the roll-to-roll method is used as a method of transferring the
상기 이송된 기판(130)에 대한 상기 박막층 형성용 조성물의 도포는 슬롯-다이(slot-die) 코팅, 스프레잉, 스핀 코팅, 딥핑, 프린팅, 또는 닥터블레이딩 등의 방법으로 실시될 수 있으며, 슬롯-다이 코팅법에 의해 실시하는 것이 바람직하다. 상기 박막층 형성용 조성물의 도포 후, 상기 기판(130)에 대해 선택적으로 건조 또는 열처리하는 후처리 공정을 실시할 수 있다. 상기 건조는 50 내지 400 ℃, 바람직하게는 70 내지 200 ℃에서 1 내지 30분 동안 열풍 건조, NIR 건조, 또는 UV 건조를 통하여 실시될 수 있다. The application of the composition for forming a thin film layer to the transferred
일례로, 상기 광활성층의 경우 코팅 공정 후 25 내지 150 ℃에서 5 내지 145 분 동안 건조 및 열처리하는 후처리 공정을 실시할 수 있다. 상기 건조 공정과 열처리 공정의 적절한 조절에 의하여 상기 전자수용체와 상기 정공수용체 사이에 적절한 상분리를 유도할 수 있고, 상기 전자수용체의 배향을 유도할 수 있다. 상기 열처리 공정의 경우, 온도가 25 ℃ 미만인 경우 상기 전자수용체 및 상기 정공수용체의 이동도가 낮아서 열처리 효과가 미미할 수 있고, 상기 열처리 온도가 150 ℃를 초과하는 경우 상기 전자수용체의 열화로 인하여 성능이 저하될 수 있다. 또한, 상기 열처리 시간이 5분 미만인 경우 상기 전자수용체 및 상기 정공수용체의 이동도가 낮아서 열처리 효과가 미미할 수 있고, 상기 열처리 시간이 145 분을 초과하는 경우 상기 전자수용체의 열화로 인하여 성능이 저하될 수 있다. For example, the photoactive layer may be post-treated by drying and heat treatment at 25 to 150 ° C for 5 to 145 minutes after the coating process. By appropriately controlling the drying step and the heat treatment step, appropriate phase separation can be induced between the electron acceptor and the hole acceptor, and the orientation of the electron acceptor can be induced. If the temperature is less than 25 ° C, the mobility of the electron acceptor and the hole acceptor may be low and the heat treatment effect may be insignificant. If the annealing temperature exceeds 150 ° C, Can be degraded. If the heat treatment time is less than 5 minutes, the mobility of the electron acceptor and the hole acceptor may be low and the heat treatment effect may be insufficient. If the heat treatment time exceeds 145 minutes, the performance deteriorates due to deterioration of the electron acceptor .
상기와 같은 방법에 따라 형성되는 박막층의 두께는 그 용도에 따라 적절히 결정될 수 있으며, 바람직하게는 10 nm 내지 10 ㎛, 보다 바람직하게 20 nm 내지 1 ㎛ 일 수 있다. 상기 박막층의 두께가 상기 범위 내인 경우 제조된 유연소자의 효율이 가장 우수할 수 있다. The thickness of the thin film layer formed according to the above-described method may be appropriately determined depending on the application, and may be preferably 10 nm to 10 mu m, more preferably 20 nm to 1 mu m. When the thickness of the thin film layer is within the above range, the efficiency of the manufactured flexible device can be most excellent.
다음으로, 상기 형성된 박막층위에 금속 전극을 형성한다. 상기 금속 전극은 상기 박막층 위에 금속 전극 형성 물질을 스크린 프린팅, 그라비어 프린팅, 그라비어 오프셋(Gravure-offset) 프린팅, 열 기상 증착, 전자 빔 증착, RF 또는 마그네트론 스퍼터링, 화학적 증착 또는 이와 유사한 방법을 통하여 형성할 수도 있다.Next, a metal electrode is formed on the thin film layer formed. The metal electrode may be formed on the thin film layer by screen printing, gravure printing, gravure-offset printing, thermal vapor deposition, electron beam deposition, RF or magnetron sputtering, chemical vapor deposition or the like It is possible.
상기와 같이 모듈부(110) 제조가 완료되면, 상기 희생층(150)을 상기 모듈부(110)의 측면을 둘러싸도록 형성한다. 상기 희생층(150)은 상기 희생층 형성용 조성물을 상기 기판(130) 또는 상기 제 2 배리어(122) 위에 도포하여 제조할 수 있다. 이때, 상기 희생층 형성용 조성물은 상기 기판(130) 또는 상기 제 2 배리어(122)의 테두리에 상기 모듈부(110)의 측면을 둘러싸도록 도포될 수 있다.When the
상기 희생층 형성용 조성물은 상기한 희생층 형성용 물질 및 용매를 포함할 수 있다. 상기 희생층 형성용 물질의 종류에 대해서는 상기에서 설명하였는 바 반복적인 설명은 생략한다. 상기 희생층 형성용 물질은 상기 희생층 형성용 조성물 총 중량에 대하여 5 내지 99 중량%로 포함될 수 있다. The composition for forming the sacrificial layer may include the sacrificial layer forming material and the solvent. As for the kind of the sacrificial layer forming material, the repetitive description is omitted. The sacrificial layer forming material may be included in an amount of 5 to 99% by weight based on the total weight of the sacrificial layer forming composition.
상기 용매로는 상기 희생층 형성용 물질을 용해시키거나 또는 분산시킬 수 있는 것이라면 특별한 제한없이 사용할 수 있다. 구체적으로는 상기 용매는 물; 에탄올, 메탄올, 프로판올, 이소프로필알코올, 부탄올 등의 알코올; 또는 아세톤, 펜탄, 톨루엔, 벤젠, 디에틸에테르, 메틸부틸에테르, N-메틸피롤리돈(NMP), 테트라하이드로퓨란(THF), 디메틸포름아마이드(DMF), 디메틸아세트아마이드(DMAC), 디메틸술폭사이드(DMSO), 카본테트라클로라이드, 디클로로메탄, 디클로로에탄, 트리클로로에틸렌, 클로로포름, 클로로벤젠, 디클로로벤젠, 트리클로로벤젠, 사이클로헥산, 사이클로펜타논, 사이클로헥사논, 디옥산, 터피네올, 메틸에텔케톤 등의 유기 용매, 또는 이들의 혼합물일 수 있으며, 코팅액 제조시 코팅 물질의 종류에 따라 상기한 용매 물질들 중에서 적절히 선택하여 사용하는 것이 바람직하다. The solvent is not particularly limited as long as it can dissolve or disperse the sacrificial layer forming material. Specifically, the solvent is water; Alcohols such as ethanol, methanol, propanol, isopropyl alcohol and butanol; (DMF), dimethylacetamide (DMAC), dimethylsulfoxide (DMF), tetrahydrofuran (DMF), or the like, or a solvent such as acetone, pentane, toluene, benzene, diethyl ether, methyl butyl ether, N-methylpyrrolidone (DMSO), carbon tetrachloride, dichloromethane, dichloroethane, trichlorethylene, chloroform, chlorobenzene, dichlorobenzene, trichlorobenzene, cyclohexane, cyclopentanone, cyclohexanone, dioxane, terpineol, methyl An organic solvent such as ether ketone, or a mixture thereof, and it is preferable that the solvent is appropriately selected from among the above-mentioned solvent materials depending on the type of the coating material when preparing the coating liquid.
상기 용매는 상기 희생층 형성용 조성물 중 잔부의 양으로 포함될 수 있으며, 바람직하게는 상기 희생층 형성용 조성물 총 중량에 대하여 1 내지 95 중량%로 포함될 수 있다. 상기 용매의 함량이 95 중량%를 초과할 경우 원하는 희생층의 기능을 얻기 어려울 수 있고, 상기 용매의 함량이 1 중량% 미만일 경우 균일한 두께의 희생층 형성이 어려울 수 있다.The solvent may be contained in an amount of the remainder in the composition for forming the sacrificial layer, and preferably 1 to 95% by weight based on the total weight of the composition for forming the sacrificial layer. If the content of the solvent exceeds 95 wt%, it may be difficult to obtain the desired sacrificial layer function. If the content of the solvent is less than 1 wt%, it may be difficult to form the sacrificial layer having a uniform thickness.
상기와 같은 구성을 갖는 희생층 형성용 조성물은 상기 희생층 형성용 물질을 상기 용매 중에 분산시키거나 용해시킴으로써 제조할 수 있다. The sacrificial layer forming composition having the above-described constitution can be prepared by dispersing or dissolving the sacrificial layer forming material in the solvent.
상기 희생층 형성용 조성물은 슬롯-다이(slot-die) 코팅, 스프레잉, 스핀 코팅, 딥핑, 프린팅, 또는 닥터블레이딩, 스크린 프린팅 등의 방법으로 도포할 수 있으며, 상기 희생층 형성용 조성물 도포 후, 선택적으로 건조 또는 열처리하는 후처리 공정을 실시할 수도 있다. 상기 건조는 50 내지 400 ℃, 바람직하게는 70 내지 200 ℃에서 1 내지 30 분 동안 열풍 건조, NIR 건조, 또는 UV 건조를 통하여 실시될 수 있다. The composition for forming the sacrificial layer may be applied by a method such as slot-die coating, spraying, spin coating, dipping, printing, doctor blading or screen printing, After that, a post-treatment process of selectively drying or heat-treating may be performed. The drying may be carried out by hot air drying, NIR drying, or UV drying at 50 to 400 ° C, preferably 70 to 200 ° C for 1 to 30 minutes.
상기와 같은 방법에 따라 형성되는 희생층(150)의 두께는 상기 모듈부(110)의 두께에 따라 적절히 조절될 수 있으며, 바람직하게는 0.1㎛ 내지 10㎛, 보다 바람직하게 0.5㎛ 내지 8㎛ 일 수 있다. 상기 희생층(150)의 두께가 상기 범위 내인 경우 상기 모듈부(110)의 측면으로 수분 또는 산소가 침투하는 것을 효율적으로 방지할 수 있다. The thickness of the
한편, 상기 유연소자(100) 제조 방법은 상기 모듈부(110) 위에 상기 제 1 배리어 필름(121)을 형성하고, 상기 모듈부(110) 아래에 상기 제 2 배리어 필름(122)을 형성하여 상기 유연소자(100)를 밀봉시키는 단계를 더 포함할 수 있다. The method of manufacturing the
또한, 상기 제 1 배리어 필름(121)과 상기 제 2 배리어 필름(122)의 부착을 위하여, 상기 모듈부(110) 위에 상기 제 1 점착층(141)을 형성한 후 상기 제 1 배리어 필름(121)을 부착할 수 있고, 상기 모듈부(110) 아래에 상기 제 2 점착층(142)을 형성한 후 상기 제 2 배리어 필름(122)을 부착할 수 있다. In order to attach the
또한, 상기 제 1 배리어 필름(121)의 배면에 먼저 상기 제 1 점착층(141)이 형성된 필름을 상기 모듈부(110) 위에 부착할 수 있고, 상기 모듈부(110) 아래에 상기 제 2 배리어 필름(122)의 배면에 먼저 상기 제 2 점착층(142)이 형성된 필름을 부착할 수 있다. 이때, 상기 제 1 또는 제 2 배리어 필름(121, 122)의 배면에 상기 제 1 또는 제 2 점착층(141, 142)을 형성하는 방법은 배면에 슬롯-다이(slot-die) 코팅, 마이크로그라비어, 콤마, 립(Lip) 코팅등 일련의 코팅 방법으로 형성할 수도 있고, 접착 필름을 상기 제 1 또는 제 2 배리어 필름(121, 122)과 합지하여 제작할 수도 있다. A film having the first
한편, 상기 제 1 점착층(141) 또는 상기 제 2 점착층(142)은 미리 형성된 상기 희생층(150)을 덮도록 상기 모듈부(110)에 도포될 수도 있고, 상기 제 1 점착층(141) 또는 상기 제 2 점착층(142)을 상기 희생층(150)에 의하여 둘러싸인 영역 내부에 도포하고 상기 제 3 점착층(143)을 상기 희생층(150)에 의하여 둘러싸인 영역 외부에 도포하여 상기 도 5에서와 같이 상기 희생층(150)이 상기 제 1 배리어 필름(121) 또는 상기 제 2 배리어 필름(122)과 접촉되도록 형성할 수도 있다.The first
또한, 상기 제 1 점착층(141) 또는 상기 제 2 점착층(142)을 상기 희생층(150)을 형성하기 전에 먼저 도포하고, 상기 1 점착층(141) 또는 상기 제 2 점착층(142) 중 상기 모듈부(110)를 둘러싸는 테두리 부분을 파내어 홈을 형성한 후, 상기 홈에 상기 희생층 형성용 조성물을 도포하여 상기 희생층(150)을 형성할 수도 있다.The first
이하, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 본 발명의 실시예에 대하여 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail so that those skilled in the art can easily carry out the present invention. The present invention may, however, be embodied in many different forms and should not be construed as limited to the embodiments set forth herein.
[제조예: 유기 태양 전지의 제조][Production Example: Production of Organic Solar Cell]
(실시예 1)(Example 1)
ITO층이 형성된 기재 필름을 롤투롤 방식으로 이송시키면서 상기 ITO층 위에 ZnO 함유 코팅액(Zn(OAC)2·2H2O 247mg, KOH 126mg 및 1-부탄올(1-Butanol) 1ml를 혼합하여 제조함)을 스트라이프 형태로 슬롯-다이 코팅한 후 120℃에서 건조하여 ZnO의 금속산화물 박막층을 형성하였다. (Prepared by mixing 247 mg of ZnO-containing coating solution (Zn (OAC) 2 .2H 2 O, 126 mg of KOH and 1 ml of 1-butanol) onto the ITO layer while transferring the base film on which the ITO layer was formed, Coated in a stripe form and then dried at 120 ° C to form a metal oxide thin film layer of ZnO.
이어서 상기 ZnO 금속산화물 박막층 위에 광활성층 형성용 코팅용액(lisicon® SP001(머크사제) 15mg, lisicon® A-600(머크사제) 12mg 및 1,2-디클로로벤젠(Dichlorobenzene) 1ml를 혼합하여 제조함)을 슬롯-다이 코팅하고 120℃에서 건조하여 광활성층을 제조하였다. Then the coating solution for forming the optically active layer on the ZnO thin film layer of metal oxide (prepared by mixing lisicon SP001 ® (Merck Ltd.) 15mg, lisicon ® A-600 ( Merck & Co.), and 12mg of 1,2-dichlorobenzene (Dichlorobenzene) 1ml) Was coated by a slot-die and dried at 120 DEG C to prepare a photoactive layer.
상기 광활성층 위에 PEDOT:PSS(Orgacon® EL-P 5010, agfa사제)를 포함하는 정공전달층 형성용 조성물을 슬롯-다이 코팅하고, 120℃에서 건조하여 정공전달층을 형성하였다. The optically active layer on a PEDOT: PSS (Orgacon ® EL- P 5010, agfa , Inc.) hole transport layer-forming composition for the slot containing the-die coating, and a hole transport layer was formed by drying at 120 ℃.
마지막으로 스크린 프린터를 이용하여 상기 정공전달층 위에 Ag 전극을 프린팅하였다. Finally, an Ag electrode was printed on the hole transport layer using a screen printer.
한편, 폴리 에폭시 수지(Maxive® M-100, Mitsubishi Gas Chemical사제) 100g에 수분 반응성 물질로 MgO를 50g을 메틸에틸케톤(MEK)에 혼합하여 희생층 형성용 조성물을 제조하였고, 이를 상기 희생층 형성용 조성물을 상기 기재 필름 위에 스크린 프린터 방법으로 도포한 후 열풍 건조 방법으로 건조하여 희생층을 형성하였다. 이때, 상기 희생층 형성용 조성물은 상기 기판의 테두리에 상기 형성된 모듈부의 측면을 둘러싸도록 도포하였다. 상기 형성된 희생층의 두께는 5㎛ 이었다.On the other hand, a polyepoxy resin by mixing the MgO 50g with water reactive material in (Maxive ® M-100, Mitsubishi Gas Chemical Co., Ltd.) 100g of methyl ethyl ketone (MEK) was prepared for forming the sacrificial layer composition, forming the sacrificial layer it Was coated on the base film by a screen printer method and then dried by a hot air drying method to form a sacrificial layer. At this time, the composition for forming the sacrificial layer was applied to the edge of the substrate so as to surround the side surface of the formed module portion. The thickness of the formed sacrificial layer was 5 mu m.
상기 희생층이 형성된 기재 필름의 양면에 접착필름(CS966S, 니또덴코사제)을 합지한 배리어 필름(Glastic®, 아이컴포넌트사제)을 이용하여 밀봉하였다.The sacrificial layer was sealed on both sides of the base film using a barrier film (Glastic ® , manufactured by i-Component) having an adhesive film (CS966S, manufactured by Nitto Denko).
(비교예 1)(Comparative Example 1)
상기 실시예 1에서 상기 희생층을 형성하지 않은 것을 제외하고는 상기 실시예 1과 동일하게 실시하여 유기 태양 전지를 제조하였다.An organic solar cell was prepared in the same manner as in Example 1, except that the sacrificial layer was not formed.
[시험예 1: 유기 태양 전지의 성능 평가][Test Example 1: Performance evaluation of organic solar cell]
상기 실시예 1 및 비교예 1에서 제조된 유기 태양 전지의 초기 성능과 85 ℃, 85 % RH 환경에서 1000 시간 처리 후 성능을 측정하였고, 그 결과를 하기 표 1에 나타내었다.The initial performance of the organic solar cell prepared in Example 1 and Comparative Example 1 and the performance after 1000 hours of treatment at 85 ° C and 85% RH were measured, and the results are shown in Table 1 below.
- Voc : open-circuit voltage, 개방전압- Voc: open-circuit voltage, open-circuit voltage
- Isc, Jsc : short-circuit photocurrent density, 단락전류밀도- Isc, Jsc: short-circuit photocurrent density, short-circuit current density
- FF : fill factor, 필팩터- FF: fill factor, fill factor
- Eff.: Efficiency, 효율- Eff .: Efficiency, Efficiency
상기 표 1을 참고하면, 본 발명의 희생층을 형성한 경우 측면으로 산소 및 수분의 침투를 지연시키고 막아 줌으로써 유기 소자의 수명을 늘릴 수 있는 것을 알 수 있다.Referring to Table 1, it can be seen that when the sacrificial layer of the present invention is formed, the lifetime of the organic device can be increased by retarding and blocking permeation of oxygen and moisture.
이상에서 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 속하는 것이다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments, Of the right.
100: 유연소자
110: 모듈부
111, 112, 113, 114, 115, 116: 단위 셀들
130: 기판
130a: 중앙 영역 130b: 테두리 영역
121: 제 1 배리어 필름 122: 제 2 배리어 필름
141: 제 1 점착층 142: 제 2 점착층
143: 제 3 점착층
150: 희생층
161, 162: 전극 단자100: Flexible device
110:
111, 112, 113, 114, 115, 116: unit cells
130: substrate
130a:
121: first barrier film 122: second barrier film
141: first adhesive layer 142: second adhesive layer
143: Third adhesive layer
150: sacrificial layer
161, 162: electrode terminal
Claims (13)
상기 제 1 배리어 필름과 상기 제 2 배리어 필름 사이에 위치하며, 복수개의 단위 셀들을 포함하는 모듈부, 그리고
상기 모듈부의 측면을 둘러싸며, 수분 또는 산소와 반응할 수 있는 희생층
을 포함하는 유연소자.A first barrier film and a second barrier film disposed to face each other,
A module part positioned between the first barrier film and the second barrier film and including a plurality of unit cells,
A sacrificial layer surrounding the side surface of the module section,
.
상기 희생층은 수분 반응성 물질과 배리어성 수지를 포함하는 것인 유연소자.The method according to claim 1,
Wherein the sacrificial layer comprises a water-reactive material and a barrier resin.
상기 수분 반응성 물질은 금속분말, 금속산화물, 금속염, 오산화인(P2O5) 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나인 것인 유연소자.3. The method of claim 2,
Wherein the water-reactive material is any one selected from the group consisting of metal powder, metal oxide, metal salt, phosphorus pentoxide (P 2 O 5 ), and mixtures thereof.
상기 배리어성 수지는 스티렌계 수지 또는 엘라스토머, 폴리올레핀계 수지 또는 엘라스토머, 폴리옥시알킬렌계 수지 또는 엘라스토머, 폴리에스테르계 수지 또는 엘라스토머, 폴리염화비닐계 수지 또는 엘라스토머, 폴리카보네이트계 수지 또는 엘라스토머, 폴리페닐렌설파이드계 수지 또는 엘라스토머, 탄화수소의 혼합물, 폴리아미드계 수지 또는 엘라스토머, 아크릴레이트계 수지 또는 엘라스토머, 에폭시계 수지 또는 엘라스토머, 실리콘계 수지 또는 엘라스토머, 불소계 수지 또는 엘라스토머, 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나인 것인 유연소자.3. The method of claim 2,
The barrier resin may be a styrene resin or an elastomer, a polyolefin resin or an elastomer, a polyoxyalkylene resin or an elastomer, a polyester resin or an elastomer, a polyvinyl chloride resin or an elastomer, a polycarbonate resin or an elastomer, Based resin or elastomer, a fluorine-based resin or elastomer, and mixtures thereof. The thermoplastic resin composition according to the present invention is preferably selected from the group consisting of a fluorine-containing resin, a fluorine-containing resin, The flexible device is any one.
상기 희생층은 상기 수분 반응성 물질을, 상기 배리어성 수지 100 중량부에 대하여, 1 내지 95 중량부로 포함하는 것인 유연소자.3. The method of claim 2,
Wherein the sacrificial layer contains the water-reactive substance in an amount of 1 to 95 parts by weight based on 100 parts by weight of the barrier resin.
상기 유연소자는 기판을 더 포함하며,
상기 기판의 일면에는 상기 모듈부가 위치하고,
상기 기판의 일면은 상기 모듈부가 위치하는 중앙 영역과 상기 모듈부가 위치하지 않는 테두리 영역을 포함하고,
상기 희생층은 상기 기판의 테두리 영역에 위치하는 것인 유연소자.The method according to claim 1,
Wherein the flexible element further comprises a substrate,
Wherein the module section is located on one side of the substrate,
Wherein one side of the substrate includes a central region in which the module portion is located and a rim region in which the module portion is not located,
Wherein the sacrificial layer is located in an edge region of the substrate.
상기 희생층은 상기 기판의 양면 모두에 위치하는 것인 유연소자.The method according to claim 6,
Wherein the sacrificial layer is located on both sides of the substrate.
상기 유연소자는 기판을 더 포함하며,
상기 기판의 일면에는 상기 모듈부가 위치하고,
상기 희생층은 상기 제 1 배리어 필름과 상기 제 2 배리어 필름 사이에 위치하고, 상기 기판의 측면에 위치하는 것인 유연소자.The method according to claim 1,
Wherein the flexible element further comprises a substrate,
Wherein the module section is located on one side of the substrate,
Wherein the sacrificial layer is located between the first barrier film and the second barrier film and is located on a side surface of the substrate.
상기 유연소자는
상기 제 1 배리어 필름과 상기 모듈부 사이에 위치하는 제 1 점착층, 및
상기 제 2 배리어 필름과 상기 모듈부 사이에 제 2 점착층을 더 포함하며,
상기 희생층은 상기 제 1 점착층 및 상기 제 2 점착층 사이에 위치하는 것인 유연소자.The method according to claim 1,
The flexible element
A first adhesive layer positioned between the first barrier film and the module, and
Further comprising a second adhesive layer between the second barrier film and the module portion,
Wherein the sacrificial layer is located between the first adhesive layer and the second adhesive layer.
상기 유연소자는
상기 제 1 배리어 필름과 상기 제 2 배리어 필름 사이에 위치하면서, 상기 모듈부의 측면에 위치하는 제 3 점착층을 더 포함하며,
상기 희생층은 상기 제 3 점착층으로 둘러싸인 영역 내부에 위치하는 것인 유연소자.10. The method of claim 9,
The flexible element
And a third adhesive layer positioned between the first barrier film and the second barrier film and positioned on a side surface of the module section,
Wherein the sacrificial layer is located within an area surrounded by the third adhesive layer.
상기 희생층은 높이 방향으로 연장되어 상기 제 1 배리어 필름과 접촉되며,
상기 제 1 점착층은 상기 희생층에 의하여 둘러싸인 영역 내부에 위치하고,
상기 제 3 점착층은 상기 희생층에 의하여 둘러싸인 영역 외부에 위치하는 것인 유연소자.11. The method of claim 10,
Wherein the sacrificial layer extends in a height direction and is in contact with the first barrier film,
Wherein the first adhesive layer is located within an area surrounded by the sacrificial layer,
Wherein the third adhesive layer is located outside the region surrounded by the sacrificial layer.
상기 유연소자는 유기 태양 전지인 것인 유연소자. The method according to claim 1,
Wherein the flexible device is an organic solar cell.
수분 또는 산소와 반응할 수 있는 희생층을 상기 모듈부의 측면을 둘러싸도록 형성하는 단계, 그리고
상기 모듈부 위에 제 1 배리어 필름을 형성하고, 상기 모듈부 아래에 제 2 배리어 필름을 형성하여 상기 모듈부를 밀봉시키는 단계
를 포함하는 유연소자의 제조 방법.Manufacturing the module portion,
Forming a sacrificial layer capable of reacting with moisture or oxygen so as to surround the side surface of the module portion, and
Forming a first barrier film on the module portion and forming a second barrier film below the module portion to seal the module portion
And a step of forming the flexible member.
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Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20110007166A (en) * | 2008-04-09 | 2011-01-21 | 에이전시 포 사이언스, 테크놀로지 앤드 리서치 | Multilayer film for encapsulating oxygen and/or moisture sensitive electronic devices |
| JP2013016358A (en) * | 2011-07-04 | 2013-01-24 | Sony Corp | Photoelectric conversion element module |
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2015
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