KR20170079268A - Rinsing and drying device - Google Patents

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KR20170079268A
KR20170079268A KR1020150189650A KR20150189650A KR20170079268A KR 20170079268 A KR20170079268 A KR 20170079268A KR 1020150189650 A KR1020150189650 A KR 1020150189650A KR 20150189650 A KR20150189650 A KR 20150189650A KR 20170079268 A KR20170079268 A KR 20170079268A
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정희철
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주식회사 케이씨텍
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Abstract

본 발명은 스핀식 헹굼 건조 장치에 관한 것으로, 스핀식 헹굼 건조 장치는, 상부에 기판이 안착되고 회전 가능하게 제공되는 기판거치부와, 기판 표면의 유체를 배기하기 위해 기판거치부의 둘레에 제공되는 유체배기부를 포함하며, 기판의 표면으로부터 배출되는 유체를 유체배기부를 통해 배기하여, 유체의 비산을 최소화하고 비산되는 유체에 의한 기판의 2차 오염을 방지할 수 있다.The present invention relates to a spin type rinsing and drying apparatus, and a spin type rinsing and drying apparatus includes a substrate mounting portion on which a substrate is placed and rotatably provided, The fluid discharged from the surface of the substrate is exhausted through the fluid exhaust portion to minimize scattering of the fluid and prevent secondary contamination of the substrate by the fluid to be scattered.

Description

스핀식 헹굼 건조 장치{RINSING AND DRYING DEVICE}BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to a spin-

본 발명은 스핀식 헹굼 건조 장치에 관한 것으로, 보다 구체적으로 기판의 세정 건조시 비정상적인 유체 유동에 의한 기판의 2차 오염을 방지할 수 있는 스핀식 헹굼 건조 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a spin-type rinsing and drying apparatus, and more particularly, to a spin-type rinsing and drying apparatus capable of preventing secondary contamination of a substrate due to abnormal fluid flow during cleaning and drying of a substrate.

화학 기계적 연마(Chemical Mechanical Polishing; CMP) 공정은 연마층이 구비된 반도체 제작을 위한 웨이퍼와 연마 정반의 사이에 슬러리를 공급한 상태로 상대 회전시킴으로써 웨이퍼의 표면을 평탄화하는 공정이다. A chemical mechanical polishing (CMP) process is a process of planarizing a surface of a wafer by relatively rotating the wafer in a state where a slurry is supplied between a wafer for manufacturing a semiconductor equipped with a polishing layer and a polishing table.

화학 기계식 연마 시스템은 웨이퍼 등의 기판을 화학 기계적으로 연마하는 다수의 연마 스테이션, 연마 공정 이후에 웨이퍼의 표면에 부착된 연마 입자 및 슬러리를 세정하는 세정 스테이션, 세정 스테이션에서 세정된 웨이퍼를 헹굼 건조시키는 헹굼 건조 스테이션으로 구성될 수 있다.A chemical mechanical polishing system includes a plurality of polishing stations for chemically mechanically polishing a substrate such as a wafer, a cleaning station for cleaning the abrasive particles and slurry attached to the surface of the wafer after the polishing process, a cleaning station for rinsing and drying the cleaned wafer And a rinse drying station.

여기서, 세정 공정은 2단계로 분류되어 수행될 수 있으며, 제1세정 스테이션에서는 암모니아액을 분사하면서 브러싱하여 1차적으로 세정하고, 제2세정 스테이션에서는 불산용액을 분사하면서 브러싱하여 2차적으로 세정하는 것에 의해 웨이퍼의 표면에 부착된 연마 입자와 슬러리를 제거한다. 그리고, 헹굼 건조 스테이션에서는 암모니아액 등의 약액을 헹구어 제거하고 웨이퍼를 건조시킬 수 있다.Here, the cleaning process can be performed in two stages. In the first cleaning station, the ammonia solution is sprayed while being brushed and then primarily cleaned. In the second cleaning station, the hydrofluoric acid solution is sprayed while being sprayed, Thereby removing abrasive particles and slurry adhering to the surface of the wafer. In the rinsing and drying station, the chemical liquid such as an ammonia solution can be rinsed and removed to dry the wafer.

도 1은 종래의 화학 기계적 연마시스템의 스핀식 헹굼 건조 장치의 구성을 도시한 도면이다. 도 1에 도시된 바와 같이, 건조 스테이션에서의 웨이퍼 스핀식 헹굼 건조 장치(1)는, 둘레가 커버(10)로 둘러싸인 공간 내에서 웨이퍼(W)를 파지하여 회전축(21)을 중심으로 모터에 의해 스핀 회전하는 웨이퍼 거치부(20)가 구비되고, 헹굼수 공급기(50)가 설치되어 헹굼수(desalted water) 또는 순수(deionized water)(55)를 분사하여 웨이퍼(W)의 표면에 묻어있는 약액을 헹구어 배기시키고, 고속으로 회전시키면서 웨이퍼(W)의 표면에 묻어있는 헹굼수를 원심력으로 배기시키면서 건조시킨다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS FIG. 1 is a view showing a configuration of a spin-type rinsing and drying apparatus of a conventional chemical mechanical polishing system. 1, the wafer spin type rinsing and drying apparatus 1 in the drying station holds the wafer W in a space surrounded by the cover 10 and rotates about the rotary shaft 21 to the motor And a wafer mounting portion 20 which is rotated by a rotation of the wafer W. A rinsing water feeder 50 is installed and sprayed with desalted water or deionized water 55, The chemical solution is rinsed and exhausted, and the rinsing water, which is on the surface of the wafer W while rotating at a high speed, is dried while discharging it by centrifugal force.

또한, 기체 공급부(30)로부터 케이싱(5)의 내부에 공기가 유입되면, 상단(44)보다 좁은 단면적의 하단(42)을 갖도록 형성된 유동 안내부(40)에 의하여 공기가 가속되면서 케이싱(5)의 내부로 배기됨으로써, 케이싱(5)의 내부에는 하방으로의 공기 유동장이 형성될 수 있고, 이를 통해 웨이퍼(W)의 표면으로부터 주변으로 튀어나가는 액적이 케이싱(5) 내에서 부유하는 것을 방지할 수 있다.When the air is introduced into the casing 5 from the gas supply unit 30, the air is accelerated by the flow guide unit 40 formed to have the lower end 42 having a cross-sectional area narrower than that of the upper end 44, An air flow field downward can be formed in the casing 5 to prevent a droplet protruding from the surface of the wafer W from floating around the casing 5 in the casing 5 can do.

그러나, 도 2에 도시된 바와 같이, 웨이퍼(W)의 표면에 묻어있는 헹굼수를 원심력으로 배기할 시 웨이퍼(W)로부터 배출된 헹굼수가 가드링(guard ring)(10)의 내벽면에 부딪힌 후 공기 중에 비산되는 문제점이 있고, 케이싱(5)의 내부에서 발생된 비정상적인 공기 유동에 의해 비산된 액적이 상방으로 이동할 경우에는 웨이퍼(W)의 2차 오염이 발생할 수 있는 문제점이 있다.2, when the rinse water on the surface of the wafer W is discharged by centrifugal force, the rinse water discharged from the wafer W hits the inner wall surface of the guard ring 10 There is a problem that secondary contamination of the wafer W may occur when the droplets scattered by the abnormal air flow generated in the casing 5 move upward.

특히, 먼지 등의 이물질이 포함된 액적이 상승된 후 웨이퍼(W)의 표면으로 낙하할 경우에는, 웨이퍼(W)에 반점이 생기는 치명적인 문제가 발생할 수 있다.Particularly, when a droplet containing foreign matter such as dust falls and then drops to the surface of the wafer W, a fatal problem that a spot on the wafer W occurs may occur.

이를 위해, 최근에는 케이싱 내부에서의 헹굼수 비산을 방지하고, 비정상적 유동에 의한 웨이퍼의 2차 오염을 방지하기 위한 다양한 검토가 이루어지고 있으나, 아직 미흡하여 이에 대한 개발이 요구되고 있다.To this end, in recent years, various studies have been made to prevent scattering of rinse water in the casing and to prevent secondary contamination of wafers due to abnormal flow, but there is still insufficient development and development thereof is required.

본 발명은 케이싱 내부에서의 비정상적 유체 유동을 방지하고, 비정상적 유체 유동에 의한 기판의 2차 오염을 방지할 수 있는 스핀식 헹굼 건조 장치를 제공하는 것을 그 목적으로 한다.An object of the present invention is to provide a spin-type rinsing and drying apparatus capable of preventing abnormal fluid flow inside a casing and preventing secondary contamination of the substrate due to abnormal fluid flow.

특히, 본 발명은 기판 표면의 헹굼수가 배기될 시, 헹굼수의 비산을 방지하고, 비산된 헹굼수에 의한 기판의 2차 오염을 방지할 수 있는 스핀식 헹굼 건조 장치를 제공하는 것을 그 목적으로 한다.In particular, it is an object of the present invention to provide a spin type rinsing and drying apparatus capable of preventing scattering of rinsing water and preventing secondary contamination of the substrate due to scattered rinsing water when the rinsing water on the surface of the substrate is exhausted do.

또한, 본 발명은 기판의 헹굼 건조 공정 중에 기판에 오염된 액적이 낙하함에 따른 반점 발생을 방지할 수 있으며, 헹굼 건조 공정에 소요되는 시간을 단축할 수 있는 스핀식 헹굼 건조 장치를 제공하는 것을 그 목적으로 한다.It is another object of the present invention to provide a spin-type rinsing and drying apparatus capable of preventing the generation of spots due to dropping of a droplet contaminated on a substrate during a rinsing and drying process of a substrate and shortening the time required for the rinsing and drying process. The purpose.

또한, 본 발명은 안정성 및 신뢰성을 향상시키고, 수율 향상에 기여할 수 있는 스핀식 헹굼 건조 장치를 제공하는 것을 그 목적으로 한다.It is another object of the present invention to provide a spin-type rinsing and drying apparatus capable of improving stability and reliability and contributing to improvement in yield.

상술한 본 발명의 목적들을 달성하기 위한 본 발명의 바람직한 실시예에 따르면, 스핀식 헹굼 건조 장치는, 상부에 기판이 안착되고 회전 가능하게 제공되는 기판거치부와, 기판 표면의 유체를 배기하기 위해 기판거치부의 둘레에 제공되는 유체배기부를 포함하며, 기판의 표면으로부터 배출되는 유체를 유체배기부를 통해 배기하여, 유체의 비산을 최소화하고 비산되는 유체에 의한 기판의 2차 오염을 방지할 수 있다.According to another aspect of the present invention, there is provided a spin type rinsing and drying apparatus comprising: a substrate mounting part on which a substrate is placed and rotatably provided; And a fluid exhaust portion provided around the substrate mounting portion. By discharging the fluid discharged from the surface of the substrate through the fluid discharge portion, it is possible to minimize scattering of the fluid and prevent secondary contamination of the substrate by the fluid to be scattered.

참고로, 본 발명에 기판이라 함은 스핀식 헹굼 건조 장치를 이용하여 헹굼 및 건조 처리될 수 있는 처리대상물로 이해될 수 있으며, 기판의 종류 및 특성에 의해 본 발명이 제한되거나 한정되는 것은 아니다. 일 예로, 기판으로서는 웨이퍼가 사용될 수 있다.For reference, the substrate according to the present invention can be understood as an object to be treated which can be rinsed and dried by using a spin-type rinsing and drying apparatus, and the present invention is not limited or limited by the type and characteristics of the substrate. As an example, a wafer may be used as the substrate.

참고로, 본 발명에서 기판 표면의 유체라 함은, 기판의 세정 건조 공정시 기판의 상부 표면에 분사된 헹굼수(desalted water) 또는 순수(deionized water)를 포함할 수 있으며, 유체의 종류 및 특성에 의해 본 발명이 제한되거나 한정되는 것은 아니다. 아울러, 기판 표면의 유체는 기판거치부가 회전함에 따라 원심력에 의해 기판의 표면으로부터 배출될 수 있으며, 기판으로부터 배출된 유체는 유체배기부를 통해 외부로 배출될 수 있다. 또한, 유체가 유체배기부를 통해 배출될 시 기체(예를 들어, 주변 공기)도 함께 배출될 수 있다.For reference, the fluid on the surface of the substrate in the present invention may include desalted water or deionized water sprayed on the upper surface of the substrate during the cleaning process of the substrate, The present invention is not limited thereto. In addition, the fluid on the substrate surface can be discharged from the surface of the substrate by centrifugal force as the substrate holder rotates, and the fluid discharged from the substrate can be discharged to the outside through the fluid discharge portion. In addition, a gas (e.g., ambient air) may be vented when the fluid is discharged through the fluid outlet.

유체배기부는 기판거치부의 측면 둘레에서 기판 표면의 유체를 배기 가능한 다양한 구조로 제공될 수 있다. 일 예로, 기판거치부의 측면 둘레에는 가드링(guard ring)이 배치될 수 있으며, 유체배기부는 가드링 상에 제공될 수 있다. 경우에 따라서는 가드링을 배제하고 유체배기부가 단독으로 기판거치부의 측면 둘레에 제공되도록 구성하는 것도 가능하다.The fluid evacuation portion may be provided in various structures capable of evacuating fluid on the substrate surface around the side of the substrate mount. In one example, a guard ring may be disposed around the side surface of the substrate mount, and the fluid exhaust portion may be provided on the guard ring. In some cases, it is also possible to exclude the guard ring and configure the fluid evacuation unit to be provided alone on the side surface of the substrate mount.

가드링의 형상 및 구조는 요구되는 조건에 따라 다양하게 변경될 수 있다. 바람직하게 기판으로부터 배출된 유체가 가운데 부위로 모아질 수 있도록 가드링은 절곡된 단면 형태를 갖도록 형성될 수 있다. 경우에 따라서는 가드링이 직선 단면 형태를 갖도록 형성되는 것도 가능하다.The shape and structure of the guard ring can be variously changed depending on the required conditions. Preferably, the guard ring may be formed to have a bent cross-sectional shape so that the fluid discharged from the substrate can be collected at the center portion. In some cases, the guard ring may be formed to have a linear cross-sectional shape.

유체배기부는 가드링의 내부와 연통되어 유체를 배기할 수 있는 홀 또는 배관 형태로 형성될 수 있다. 일 예로, 유체배기부는 가드링의 벽면에 관통 형성되는 배기홀, 및 배기홀로부터 가드링의 외측으로 연장 형성되는 배기관을 포함하여 구성될 수 있다.The fluid evacuation portion may be formed in the form of a hole or a pipe that can communicate with the interior of the guard ring to evacuate the fluid. For example, the fluid discharge portion may include an exhaust hole formed through a wall surface of the guard ring, and an exhaust pipe extending from the exhaust hole to the outside of the guard ring.

유체배기부의 출구는 요구되는 조건 및 설계 사양에 따라 케이싱의 내부 또는 케이싱의 외부에 배치될 수 있다. 일 예로, 유체배기부를 구성하는 배기관의 출구는 케이싱의 외측에 배치될 수 있다.The outlet of the fluid outlet can be located inside the casing or outside the casing, depending on the required conditions and design specifications. For example, the outlet of the exhaust pipe constituting the fluid exhaust portion may be disposed outside the casing.

유체배기구는 요구되는 조건 및 설계 사양에 따라 다양한 갯수 및 위치에 형성될 수 있다. 일 예로, 유체배기부는 가드링의 원주 방향을 따라 이격되게 복수개가 제공될 수 있다. 바람직하게, 유체배기부는 가드링의 접선 방향을 따라 형성될 수 있고, 유체배기부의 출구는 기판의 회전 방향에 대응되는 방향으로 형성될 수 있다. 더욱 바람직하게, 유체배기부는 기판이 배치되는 높이에 대응되는 높이에 형성될 수 있다.Fluid vents can be formed in various numbers and locations depending on the required conditions and design specifications. In one example, a plurality of fluid exhaust portions may be provided so as to be spaced along the circumferential direction of the guard ring. Preferably, the fluid evacuation portion may be formed along the tangential direction of the guard ring, and the outlet of the fluid evacuation portion may be formed in a direction corresponding to the rotation direction of the substrate. More preferably, the fluid evacuation portion may be formed at a height corresponding to the height at which the substrate is disposed.

또한, 유체배기부에는 배기압을 형성하기 위한 배기압 발생부가 연결될 수 있다. 배기압 발생부로서는 유체배기부에 의해 정의되는 배기유로 상에 배기압을 발생시킬 수 있는 다양한 구조로 제공될 수 있으며, 배기압 발생부의 종류 및 구조에 의해 본 발명이 제한되거나 한정되는 것은 아니다.Further, an exhaust pressure generating part for forming an exhaust pressure may be connected to the fluid exhaust part. The exhaust pressure generating part may be provided in various structures capable of generating exhaust pressure on the exhaust flow path defined by the fluid exhaust part, and the present invention is not limited or limited by the type and structure of the exhaust pressure generating part.

바람직하게 배기압 발생부에 의한 유체배기부의 배기압은 전술한 기체유동장보다 높은 압력으로 정의될 수 있다. 여기서, 유체배기부의 배기압이 기체유동장보다 높은 압력으로 정의된다 함은, 기체유동장의 유동 압력보다 유체배기부의 배기유로를 통해 유체가 배기되는 배기압력이 더 높은 것으로 이해될 수 있다.Preferably, the exhaust pressure of the fluid exhaust part by the exhaust pressure generating part can be defined as a pressure higher than the above-mentioned gas flow field. Here, the exhaust pressure of the fluid exhaust portion is defined as a pressure higher than the gas flow field. It can be understood that the exhaust pressure at which the fluid is exhausted through the exhaust passage of the fluid exhaust portion is higher than the flow pressure of the gas flow field.

상술한 바와 같이 본 발명에 따르면, 케이싱 내부에서의 비정상적 유체 유동을 방지하고, 비정상적 유체 유동에 의한 기판의 2차 오염을 방지할 수 있다.As described above, according to the present invention, abnormal fluid flow inside the casing can be prevented, and secondary contamination of the substrate due to abnormal fluid flow can be prevented.

특히, 본 발명에 따르면 기판 표면의 헹굼수가 배기될 시, 헹굼수가 유체배기부를 통해 직접 배기될 수 있게 함으로써, 헹굼수의 비산율을 최소화하고, 비산된 헹굼수에 의한 기판의 2차 오염을 방지할 수 있다.Particularly, according to the present invention, when the rinse water on the surface of the substrate is exhausted, the rinse water can be directly exhausted through the fluid exhaust portion, thereby minimizing the scattering rate of the rinse water and preventing secondary contamination of the substrate by the scattered rinse water can do.

또한, 본 발명에 따르면 가장 많은 양의 헹굼수가 배출되는 위치(기판의 상면 높이)에 가장 가까운 위치에서 헹굼수가 배기될 수 있기 때문에, 헹굼수의 비산을 최소화하고 헹굼수의 배기 효율을 향상시킬 수 있다.Further, according to the present invention, the rinsing water can be discharged at a position closest to the position where the greatest amount of rinsing water is discharged (the height of the top surface of the substrate), so that scattering of the rinsing water can be minimized and the exhaust efficiency of the rinsing water can be improved have.

또한, 본 발명에 따르면 기판의 헹굼 건조 공정 중에 기판에 오염된 액적이 낙하함에 따른 반점 발생을 방지할 수 있으며, 헹굼 건조 공정에 소요되는 시간을 단축할 수 있다.In addition, according to the present invention, it is possible to prevent the occurrence of spots due to droplets contaminated on the substrate during the rinsing and drying process of the substrate, and it is possible to shorten the time required for the rinsing and drying process.

또한, 본 발명에 따르면 안정성 및 신뢰성을 향상시키고, 수율 향상에 기여할 수 있다.Further, according to the present invention, stability and reliability can be improved and the yield can be improved.

도 1은 종래의 화학 기계식 연마시스템의 스핀식 헹굼 건조 장치를 설명하기 위한 도면,
도 2는 종래의 화학 기계식 연마시스템의 스핀식 헹굼 건조 장치로서, 기판의 표면에 위치된 헹굼수의 유동 상태를 도시한 도면,
도 3 및 도 4는 본 발명에 따른 스핀식 헹굼 건조 장치를 설명하기 위한 도면,
도 5는 본 발명에 따른 스핀식 헹굼 건조 장치를 설명하기 위한 단면도,
도 6은 본 발명에 따른 스핀식 헹굼 건조 장치로서, 유체배기부를 설명하기 위한 도면,
도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 스핀식 헹굼 건조 장치로서, 유체배기부의 변형예를 설명하기 위한 도면이다.1 is a view for explaining a spin-type rinsing and drying apparatus of a conventional chemical mechanical polishing system,
FIG. 2 is a spin-type rinsing and drying apparatus of a conventional chemical mechanical polishing system, showing a flow state of rinsing water placed on the surface of a substrate,
3 and 4 are views for explaining a spin-type rinsing and drying apparatus according to the present invention,
FIG. 5 is a sectional view for explaining a spin-type rinsing and drying apparatus according to the present invention,
Fig. 6 is a spin-type rinsing and drying apparatus according to the present invention,
FIG. 7 is a view for explaining a modified example of the fluid discharging unit, which is a spin type rinsing and drying apparatus according to another embodiment of the present invention.

이하 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세하게 설명하지만, 본 발명이 실시예에 의해 제한되거나 한정되는 것은 아니다. 참고로, 본 설명에서 동일한 번호는 실질적으로 동일한 요소를 지칭하며, 이러한 규칙 하에서 다른 도면에 기재된 내용을 인용하여 설명할 수 있고, 당업자에게 자명하다고 판단되거나 반복되는 내용은 생략될 수 있다.DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments. For reference, the same numbers in this description refer to substantially the same elements and can be described with reference to the contents described in the other drawings under these rules, and the contents which are judged to be obvious to the person skilled in the art or repeated can be omitted.

도 3 및 도 4는 본 발명에 따른 스핀식 헹굼 건조 장치를 설명하기 위한 도면이고, 도 5는 본 발명에 따른 스핀식 헹굼 건조 장치를 설명하기 위한 단면도이며, 도 6은 본 발명에 따른 스핀식 헹굼 건조 장치로서, 유체배기부를 설명하기 위한 도면이다.FIG. 5 is a cross-sectional view for explaining a spin-type rinsing and drying apparatus according to the present invention, and FIG. 6 is a cross-sectional view of a spin type rinsing and drying apparatus according to the present invention. Fig. 3 is a view for explaining a fluid exhausting unit as a rinsing and drying apparatus. Fig.

도 3 내지 도 6에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 헹굼 건조 장치는 케이싱(110), 기판거치부(120) 및 유체배기부(210)를 포함한다.3 to 6, the rinsing and drying apparatus according to the present invention includes a casing 110, a substrate mounting portion 120, and a fluid discharging portion 210.

상기 케이싱(110)은 내부에 소정 처리 공간을 갖도록 제공되며, 케이싱(110)의 사이즈 및 구조는 요구되는 조건 및 설계 사양에 따라 다양하게 변경될 수 있다.The casing 110 is provided with a predetermined processing space therein, and the size and structure of the casing 110 can be variously changed according to required conditions and design specifications.

상기 케이싱(110)의 내부 처리 공간에는 후술할 기체안내부(130)의 하단이 수용되고, 기판거치부(120)가 수용될 수 있다. 참고로, 상기 케이싱(110)의 내부 처리 공간은 외부와 완전히 밀폐된 공간, 및 외부와 연통될 수 있는 하나 또는 복수개의 구멍이 형성된 개방 공간을 모두 포함하는 개념으로 이해될 수 있다.A lower end of a gas guiding unit 130, which will be described later, is accommodated in the inner processing space of the casing 110, and the substrate mounting unit 120 can be accommodated. For reference, the internal processing space of the casing 110 may be understood as including both a space completely enclosed with the outside, and an open space formed with one or a plurality of holes communicating with the outside.

상기 케이싱(110)의 상부에는 케이싱(110)의 내부 기판을 향해 기체를 공급하기 위한 기체공급부(102)가 연결될 수 있다. 상기 기체공급부는 통상의 송풍기으로 형성되거나 반도체 제조 라인에 구비된 하방유동장치(FFT)로 형성될 수 있다.A gas supply unit 102 for supplying a gas toward the inner substrate of the casing 110 may be connected to the upper portion of the casing 110. The gas supply unit may be formed by a conventional blower or by a downflow device (FFT) provided in a semiconductor manufacturing line.

참고로, 상기 기체공급부를 통해 공급되는 기체로서는 요구되는 조건 및 처리 환경에 따라 다양한 기체가 사용될 수 있다. 일 예로, 상기 기체공급부는 수증기 또는 증기, 질소 가스 등을 공급하도록 구성될 수 있다. 경우에 따라서는 기체공급부로부터 공급되는 기체로서 기판의 표면에 불필요한 화학 작용을 야기시키지 않는 다양한 기체가 사용될 수 있으며, 기체의 종류 및 특성에 의해 본 발명이 제한되거나 한정되는 것은 아니다.For reference, a variety of gases may be used as the gas supplied through the gas supply unit depending on the required conditions and the process environment. For example, the gas supply unit may be configured to supply water vapor or steam, nitrogen gas, or the like. In some cases, various gases which do not cause undesired chemical action on the surface of the substrate may be used as the gas supplied from the gas supply unit, and the present invention is not limited or limited by the kind and characteristics of the gas.

상기 케이싱(110)의 상부에는 기체공급부를 통해 공급된 기체를 기판의 표면을 향해 기체를 안내하여, 기판의 상측에 기체유동장(gas flow field)을 형성하기 위한 기체안내부(130)가 형성된다.A gas guide portion 130 for forming a gas flow field on the upper side of the substrate is formed on the upper portion of the casing 110 by guiding the gas supplied through the gas supply portion toward the surface of the substrate .

상기 기체안내부(130)는 요구되는 조건 및 설계 사양에 따라 다양한 구조로 제공될 수 있다. 일 예로, 상기 기체안내부(130)는 중앙부를 통하여 기체가 통과할 수 있는 일종의 튜브 형태로 형성될 수 있는 바, 기체안내부(130)는 기체공급부로부터 기체가 유입되는 상단에 비해 케이싱(110)의 내부에 위치하는 하단이 상대적으로 작은 단면적을 갖도록 형성될 수 있다. 이와 같은 구조는, 기체공급부로부터 공급되는 기체의 유속이 작더라도, 기체안내부(130)의 상단 및 하단의 단면적 차이 만큼 유속이 증가하여, 케이싱(110) 내부에 의도된 유속의 기체유동장이 형성될 수 있게 한다. 이와 같은 기체유동장은 기판의 표면으로부터 주변으로 튀어나가는 액적이 케이싱(110)의 내부에서 부유하는 것을 방지할 수 있게 한다.The gas guide 130 may be provided in various structures according to required conditions and design specifications. For example, the gas guiding part 130 may be formed in the form of a tube through which the gas can pass through the center part. The gas guiding part 130 has a structure in which the casing 110 May be formed to have a relatively small cross-sectional area. Such a structure increases the flow velocity by the difference in sectional area between the upper end and the lower end of the gas guide portion 130 even if the flow rate of the gas supplied from the gas supply portion is small so that the gas flow field of the flow velocity intended in the casing 110 is formed . Such a gas flow field makes it possible to prevent droplets that protrude from the surface of the substrate to the periphery to float inside the casing 110.

상기 기판거치부(120)는 케이싱(110)의 내부에 회전 가능하게 제공되는 바, 상기 기판거치부(120)의 상부에는 기판이 거치될 수 있다.The substrate holder 120 is rotatably provided inside the casing 110, and a substrate may be mounted on the substrate holder 120.

상기 기판거치부(120)는 요구되는 조건 및 설계 사양에 따라 기판을 지지 가능한 다양한 구조로 제공될 수 있다. 일 예로, 상기 기판거치부(120)는 기판이 거치되는 기판거치대, 및 기판거치대를 회전 가능하게 지지하는 회전축(121)을 포함하여 구성될 수 있다.The substrate mounting part 120 may be provided in various structures capable of supporting the substrate according to required conditions and design specifications. For example, the substrate mount 120 may include a substrate mount on which the substrate is mounted, and a rotation shaft 121 for rotatably supporting the substrate mount.

상기 기판거치대는 요구되는 조건 및 설계 사양에 따라 다양한 형상으로 형성될 수 있다. 일 예로, 상기 기판거치대는 대략 십자 형태를 이루도록 제공될 수 있다. 경우에 따라서는 기판거치대가 원판 형태로 형성되거나 다각형 또는 여타 다른 기하학적 형태로 형성되는 것도 가능하다.The substrate holder may be formed in various shapes according to required conditions and design specifications. In one example, the substrate holder may be provided in a substantially cross shape. In some cases, the substrate holder may be formed in a disc shape, or may be formed in a polygonal or other geometric shape.

상기 기판거치대의 상면에는 기판의 저면이 거치되는 거치핀(122)이 형성될 수 있다. 일 예로, 상기 기판거치대의 상면에는 소정 간격을 두고 이격되게 복수개의 거치핀(122)이 형성될 수 있으며, 기판의 저면은 거치핀(122)의 상단에 거치될 수 있다. 상기 거치핀(122)의 갯수 및 배치구조는 요구되는 조건 및 설계 사양에 따라 다양하게 변경될 수 있다.A mount pin 122 may be formed on the upper surface of the substrate mount to mount the bottom surface of the mount. For example, a plurality of mounting pins 122 may be formed on the upper surface of the substrate holder at a predetermined distance, and a bottom surface of the substrate may be mounted on the upper end of the mounting pins 122. The number and arrangement of the fixing pins 122 may be variously changed according to required conditions and design specifications.

또한, 상기 기판거치대에는 기판의 가장자리가 거치되는 가장자리 거치부(124)가 제공될 수 있다. 바람직하게, 고속 회전중에 기판(10)이 요동하는 것을 방지할 수 있도록 가장자리 거치부에는 기판(10)의 외주 끝단을 수용 지지하기 위한 요입부(미도시)가 형성될 수 있다.In addition, the substrate holder may be provided with an edge mount 124 on which the edge of the substrate is mounted. Preferably, a recessed portion (not shown) for receiving and supporting the outer circumferential end of the substrate 10 may be formed on the edge mount portion so as to prevent the substrate 10 from swinging during high-speed rotation.

참고로, 상기 기판거치부(120)에는 화학 기계적 연마 공정을 마친 기판(예를 들어, 웨이퍼(120)10)이 거치될 수 있고, 기판은 회전축(121)의 회전 구동에 따라 300rpm ~ 2500rpm의 속도로 회전하게 된다. 아울러, 상기 기판(10)은 화학 기계적 연마 공정에서 연마된 연마면이 상면을 이루도록 기판거치부(120)에 거치될 수 있다.A substrate (for example, a wafer 120) having undergone a chemical mechanical polishing process may be mounted on the substrate holder 120, and the substrate may be rotated at 300 rpm to 2500 rpm Speed rotation. In addition, the substrate 10 may be mounted on the substrate mounting part 120 such that the polished surface formed on the polishing surface in the chemical mechanical polishing process forms an upper surface.

아울러, 상기 기판(10)의 상부에는 기판(10) 상에 헹굼수를 분사하기 위한 헹굼수 공급부(140)가 제공될 수 있다. 일 예로, 헹굼수 공급부(140)는 고속으로 회전하는 기판거치부(120)에 거치된 기판(10)의 상면에 순수 또는 탈염수로 이루어진 헹굼수를 고압으로 분사하도록 구성될 수 있다. 이를 통해, 스핀식 헹굼 건조 장치에 도달하기 이전의 세정 공정에서 기판(10)의 세정에 사용되었던 약액과 기판(10)의 표면에 잔류하는 입자 등의 이물질을 기판(10)의 표면에서 제거할 수 있다.In addition, a rinsing water supply unit 140 for spraying rinsing water on the substrate 10 may be provided on the substrate 10. For example, the rinsing water supply unit 140 may be configured to spray rinsing water composed of pure water or desalted water at a high pressure on the upper surface of the substrate 10, which is mounted on the substrate mount 120 rotating at high speed. Thus, foreign substances such as particles remaining on the surface of the substrate 10 and the chemical solution used for cleaning the substrate 10 are removed from the surface of the substrate 10 in the cleaning step before reaching the spin type rinsing and drying apparatus .

상기 유체배기부(210)는 기판거치부(120)의 측면 둘레에 제공되며, 기판 표면의 유체는 유체배기부(210)를 통해 배기될 수 있다.The fluid evacuation portion 210 is provided around the side surface of the substrate mounting portion 120 and the fluid on the substrate surface can be evacuated through the fluid evacuation portion 210.

참고로, 본 발명에서 기판 표면의 유체라 함은, 세정 건조 공정시 기판의 상부 표면에 분사된 헹굼수(desalted water) 또는 순수(deionized water)를 포함할 수 있으며, 유체의 종류 및 특성에 의해 본 발명이 제한되거나 한정되는 것은 아니다.For reference, the fluid on the surface of the substrate in the present invention may include desalted water or deionized water sprayed on the upper surface of the substrate during the cleaning and drying process, The present invention is not limited thereto or limited.

상기 기판 표면의 유체는 기판거치부(120)가 회전함에 따라 원심력에 의해 기판의 표면으로부터 배출될 수 있으며, 기판으로부터 배출된 유체는 유체배기부(210)를 통해 외부로 배출될 수 있다. 또한, 상기 유체가 유체배기부(210)를 통해 배출될 시 케이싱(110) 내부의 공기도 함께 배출될 수 있다.The fluid on the surface of the substrate can be discharged from the surface of the substrate by the centrifugal force as the substrate holder 120 rotates, and the fluid discharged from the substrate can be discharged to the outside through the fluid discharging portion 210. In addition, when the fluid is discharged through the fluid exhaust part 210, air inside the casing 110 may be discharged together.

상기 유체배기부(210)는 기판거치부(120)의 측면 둘레에서 기판 표면의 유체를 배기 가능한 다양한 구조로 제공될 수 있다. 일 예로, 상기 기판거치부(120)의 측면 둘레에는 케이싱(110)과 기판거치부(120)의 사이에 배치되도록 가드링(guard ring)(200)이 배치될 수 있으며, 상기 유체배기부(210)는 가드링(200) 상에 제공될 수 있다. 경우에 따라서는 가드링을 배제하고 유체배기부가 단독으로 기판거치부의 측면 둘레에 제공되도록 구성하는 것도 가능하다.The fluid evacuation unit 210 may be provided in various structures capable of evacuating the fluid on the substrate surface around the side surface of the substrate holder 120. For example, a guard ring 200 may be disposed around the side surface of the substrate mounting part 120 so as to be disposed between the casing 110 and the substrate mounting part 120, 210 may be provided on the guard ring 200. In some cases, it is also possible to exclude the guard ring and configure the fluid evacuation unit to be provided alone on the side surface of the substrate mount.

상기 가드링(200)은 소정 높이를 갖는 링 형태로 형성되며, 상기 기판은 가드링(200)의 내부 영역에 배치된 상태에서 회전할 수 있다. 바람직하게 기판으로부터 배출된 유체가 가운데 부위로 모아질 수 있도록 상기 가드링(200)은 절곡된 단면 형태를 갖도록 형성될 수 있다. 경우에 따라서는 가드링이 직선 단면 형태를 갖도록 형성되는 것도 가능하다.The guard ring 200 is formed in a ring shape having a predetermined height, and the substrate can be rotated in a state that it is disposed in an inner region of the guard ring 200. Preferably, the guard ring 200 may be formed to have a bent cross-sectional shape so that fluid discharged from the substrate can be collected at the center portion. In some cases, the guard ring may be formed to have a linear cross-sectional shape.

상기 유체배기부(210)는 가드링(200)의 내부와 연통되어 유체를 배기할 수 있는 홀 또는 배관 형태로 형성될 수 있다. 이하에서는 유체배기부(210)가 가드링(200)의 벽면에 관통 형성되는 배기홀(212), 및 상기 배기홀(212)로부터 가드링(200)의 외측으로 연장 형성되는 배기관(214)을 포함하여 구성된 예를 들어 설명하기로 한다.The fluid exhaust part 210 may be formed in the form of a hole or a pipe that communicates with the interior of the guard ring 200 to discharge the fluid. An exhaust hole 212 formed through the wall surface of the guard ring 200 and an exhaust pipe 214 extending from the exhaust hole 212 to the outside of the guard ring 200 The following description will be made by way of example with reference to FIG.

상기 유체배기부(210)의 출구는 요구되는 조건 및 설계 사양에 따라 케이싱(110)의 내부 또는 케이싱(110)의 외부에 배치될 수 있다. 일 예로, 상기 유체배기부(210)를 구성하는 배기관(214)의 출구는 케이싱(110)의 외측에 배치될 수 있으며, 기판으로부터 배출된 유체는 유체배기부(210)를 통해 케이싱(110)의 외측으로 배기될 수 있다.The outlet of the fluid exhaust part 210 may be disposed inside the casing 110 or outside the casing 110 according to the required conditions and design specifications. For example, the outlet of the exhaust pipe 214 constituting the fluid exhausting unit 210 may be disposed outside the casing 110, and the fluid discharged from the substrate may be discharged through the fluid exhausting unit 210 to the casing 110, As shown in Fig.

상기 유체배기구는 요구되는 조건 및 설계 사양에 따라 다양한 갯수 및 위치에 형성될 수 있다. 일 예로, 상기 유체배기부(210)는 가드링(200)의 원주 방향을 따라 이격되게 복수개가 제공될 수 있다.The fluid outlet may be formed in various numbers and locations depending on the required conditions and design specifications. A plurality of the fluid exhaust portions 210 may be provided so as to be spaced along the circumferential direction of the guard ring 200.

바람직하게, 기판으로부터 배출된 유체가 보다 효율적으로 배기될 수 있도록 유체배기부(210)는 가드링(200)의 접선 방향을 따라 형성될 수 있고, 상기 유체배기부(210)의 출구(배기관(214) 출구)는 기판의 회전 방향에 대응되는 방향으로 형성될 수 있다. 이와 같은 구조는 유체에 작용하는 원심력에 의해 유체가 자연스럽게 유체배기부(210)를 따라 배기될 수 있게 한다. 이하에서는 4개의 유체배기부(210)가 가드링(200)의 접선 방향을 따라 형성된 예를 들어 설명하기로 한다.The fluid outlet 210 may be formed along the tangential direction of the guard ring 200 so that the fluid discharged from the substrate may be exhausted more efficiently and the fluid outlet 210 of the fluid outlet 210 214) may be formed in a direction corresponding to the rotation direction of the substrate. Such a structure allows the fluid to be naturally exhausted along the fluid exhaust part 210 by the centrifugal force acting on the fluid. Hereinafter, an example in which four fluid exhaust portions 210 are formed along the tangential direction of the guard ring 200 will be described.

더욱 바람직하게, 상기 유체배기부(210)는 기판이 배치되는 높이에 대응되는 높이에 형성될 수 있다. 여기서, 상기 유체배기부(210)가 기판에 대응되는 높이로 형성된다 함은, 유체배기부(210)를 구성하는 배기홀(212)의 중심이 기판의 배치 높이에 대응되게 배치되는 것으로 이해될 수 있다. 이와 같은 구조는 기판으로부터 가장 많은 유체가 배출되는 위치(기판의 표면 높이)에 가장 가깝게 유체배기부(210)를 배치함으로써, 유체의 비산을 최소화하고 유체가 보다 원할하게 배기될 수 있게 하여 유체의 배기 특성을 높일 수 있다.More preferably, the fluid outlet 210 may be formed at a height corresponding to the height at which the substrate is disposed. Here, the fluid exhaust part 210 is formed at a height corresponding to the substrate. It is understood that the center of the exhaust hole 212 constituting the fluid exhaust part 210 is disposed corresponding to the arrangement height of the substrate . Such a structure minimizes the scattering of the fluid and allows the fluid to be discharged more smoothly by arranging the fluid exhaust part 210 closest to the position where the most fluid is discharged from the substrate (the surface height of the substrate) The exhaust characteristic can be enhanced.

또한, 상기 유체배기부(210)에는 배기압을 형성하기 위한 배기압 발생부(300)가 연결될 수 있다.In addition, an exhaust pressure generating part 300 for forming an exhaust pressure may be connected to the fluid exhaust part 210.

상기 배기압 발생부(300)는 유체배기부(210)에 연결되며, 유체배기부(210)에 의해 정의되는 배기유로 상에 배기압을 발생시키도록 구성된다.The exhaust pressure generating part 300 is connected to the fluid exhaust part 210 and is configured to generate an exhaust pressure on an exhaust flow path defined by the fluid exhaust part 210.

상기 배기압 발생부(300)로서는 유체배기부(210)에 의해 정의되는 배기유로 상에 배기압을 발생시킬 수 있는 다양한 구조로 제공될 수 있으며, 배기압 발생부(300)의 종류 및 구조에 의해 본 발명이 제한되거나 한정되는 것은 아니다. 일 예로, 상기 배기압 발생부(300)는 통상의 모터, 펌프 또는 팬을 이용하여 배기압을 발생시킬 수 있다. 바람직하게 상기 배기압 발생부(300)에 의한 유체배기부(210)의 배기압은 전술한 기체유동장보다 높은 압력으로 정의될 수 있다. 여기서, 유체배기부(210)의 배기압이 기체유동장보다 높은 압력으로 정의된다 함은, 기체유동장의 유동 압력보다 유체배기부(210)의 배기유로를 통해 유체가 배기되는 배기압력이 더 높은 것으로 이해될 수 있다.The exhaust pressure generating part 300 may be provided in various structures capable of generating an exhaust pressure on an exhaust flow path defined by the fluid exhaust part 210, The present invention is not limited thereto. For example, the exhaust pressure generating unit 300 may generate an exhaust pressure using a normal motor, a pump, or a fan. Preferably, the exhaust pressure of the fluid exhaust part 210 by the exhaust pressure generating part 300 may be defined to be higher than the above-mentioned gas flow field. Here, the exhaust pressure of the fluid exhaust part 210 is defined as a pressure higher than the gas flow field. The exhaust pressure at which the fluid is exhausted through the exhaust passage of the fluid exhaust part 210 is higher than the flow pressure of the gas flow field Can be understood.

전술 및 도시한 본 발명의 실시예에서는 기판 표면의 유체 및 케이싱(110) 내부의 공기가 유체배출구를 통해 배기되도록 구성된 예를 들어 설명하고 있지만, 경우에 따라서는 케이싱의 하부 일측에 액체 상태의 유체 또는 기체가 배기되기 위한 별도의 케이싱 배기구를 추가로 형성하는 것이 가능하며, 케이싱 하부로 흘러내린 액상의 유체 및 케이싱 하부의 공기가 케이싱 배기구를 통해 외부로 배기되도록 할 수 있다.In the above-described embodiment of the present invention, the fluid on the surface of the substrate and the air inside the casing 110 are configured to be exhausted through the fluid outlet. However, in some cases, Or a separate casing exhaust port for evacuating the gas can be additionally formed, and the liquid fluid flowing down to the lower portion of the casing and the air in the lower portion of the casing can be exhausted to the outside through the casing exhaust port.

한편, 도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 스핀식 헹굼 건조 장치로서, 유체배기부(210)의 변형예를 설명하기 위한 도면이다. 아울러, 전술한 구성과 동일 및 동일 상당 부분에 대해서는 동일 또는 동일 상당한 참조 부호를 부여하고, 그에 대한 상세한 설명은 생략하기로 한다.Meanwhile, FIG. 7 is a view for explaining a modified example of the fluid discharge unit 210 as a spin type rinsing and drying apparatus according to another embodiment of the present invention. In addition, the same or equivalent portions as those in the above-described configuration are denoted by the same or equivalent reference numerals, and a detailed description thereof will be omitted.

전술 및 도시한 본 발명의 실시예에서는 4개의 유체배기부가 가드링의 접선 방향을 따라 형성된 예를 들어 설명하고 있지만, 경우에 따라서는 가드링 상에 3개 이하 또는 5개 이상의 유체배기부를 형성하는 것이 가능하다.In the above-described embodiments of the present invention, the four fluid evacuation portions are formed along the tangential direction of the guard ring, but in some cases, three or less fluid evacuation portions may be formed on the guard ring It is possible.

일 예로, 도 7을 참조하면, 가드링(200)에는 접선 방향을 따라 단 하나의 유체배기부(210)가 형성될 수 있으며, 기판으로부터 배출된 유체는 가드링(200)의 내벽면을 따라 안내된 후 유체배기부(210)를 통해 배기될 수 있다. 경우에 따라서는 유체배기부의 배기홀이 가드링의 원주 방향을 따라 연속적인 링 형태로 형성되는 것도 가능하다.7, only one fluid evacuation portion 210 may be formed along the tangential direction on the guard ring 200, and the fluid discharged from the substrate may flow along the inner wall surface of the guard ring 200 And then exhausted through the fluid evacuation unit 210 after being guided. In some cases, it is also possible that the exhaust hole of the fluid exhaust portion is formed in a continuous ring shape along the circumferential direction of the guard ring.

상술한 바와 같이, 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만 해당 기술분야의 숙련된 당업자라면 하기의 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.Although the preferred embodiments of the present invention have been disclosed for illustrative purposes, those skilled in the art will appreciate that various modifications, additions and substitutions are possible, without departing from the scope and spirit of the invention as disclosed in the accompanying claims. It will be understood that the present invention can be changed.

110 : 케이싱 120 : 기판거치부
122 : 거치핀 124 : 가장자리 거치부
130 : 기체안내부 140 : 헹굼수 공급부
200 : 가드링 210 : 유체배기부
212 : 배기홀 214 : 배기관
300 : 배기압 발생부110: casing 120: substrate mounting part
122: mounting pin 124: edge mounting portion
130: gas guide part 140: rinse water supply part
200: Guard ring 210: Fluid exhaust part
212: exhaust hole 214: exhaust pipe
300: Exhaust pressure generating section

Claims (11)

스핀식 헹굼 건조 장치에 있어서,
상부에 기판이 안착되고, 회전 가능하게 제공되는 기판거치부와;
상기 기판거치부의 측면 둘레에 제공되며, 상기 기판 표면의 유체가 배기되는 유체배기부를;
포함하는 것을 특징으로 하는 스핀식 헹굼 건조 장치.
In the spin-type rinsing and drying apparatus,
A substrate holder on which a substrate is placed and rotatably provided;
A fluid exhaust portion provided on a side surface of the substrate mounting portion and through which fluid on the surface of the substrate is exhausted;
Wherein the spin-type rinsing and drying apparatus comprises:
제1항에 있어서,
상기 기판거치부의 측면 둘레에는 가드링(guard ring)이 배치되며,
상기 유체배기부는 상기 가드링의 내부와 연통되게 상기 가드링 상에 제공되는 것을 특징으로 하는 스핀식 헹굼 건조 장치.
The method according to claim 1,
A guard ring is disposed around the side surface of the substrate mounting portion,
Wherein the fluid discharge portion is provided on the guard ring so as to communicate with the inside of the guard ring.
제1항에 있어서,
상기 유체배기부는,
상기 가드링의 벽면에 관통 형성되는 배기홀과;
상기 배기홀로부터 상기 가드링의 외측으로 연장 형성되는 배기관을;
포함하는 것을 특징으로 하는 스핀식 헹굼 건조 장치.
The method according to claim 1,
Wherein the fluid exhaust portion includes:
An exhaust hole formed through the wall surface of the guard ring;
An exhaust pipe extending from the exhaust hole to the outside of the guard ring;
Wherein the spin-type rinsing and drying apparatus comprises:
제1항에 있어서,
상기 유체배기부는 상기 가드링의 원주 방향을 따라 이격되게 복수개가 제공된 것을 특징으로 하는 스핀식 헹굼 건조 장치.
The method according to claim 1,
Wherein a plurality of fluid exhaust portions are provided so as to be spaced apart along the circumferential direction of the guard ring.
제1항에 있어서,
상기 유체배기부는 상기 가드링의 접선 방향을 따라 형성되며, 상기 유체배기부의 출구는 상기 기판의 회전 방향에 대응되는 방향으로 형성된 것을 특징으로 하는 스핀식 헹굼 건조 장치.
The method according to claim 1,
Wherein the fluid discharging portion is formed along a tangential direction of the guard ring and the outlet of the fluid discharging portion is formed in a direction corresponding to a rotating direction of the substrate.
제1항에 있어서,
상기 유체배기부는 상기 기판의 높이에 대응되는 높이에 형성된 것을 특징으로 하는 스핀식 헹굼 건조 장치.
The method according to claim 1,
Wherein the fluid exhaust part is formed at a height corresponding to the height of the substrate.
제2항에 있어서,
상기 가드링은 절곡된 단면 형태를 갖도록 형성된 것을 특징으로 하는 스핀식 헹굼 건조 장치.
3. The method of claim 2,
Wherein the guard ring is formed to have a bent cross-sectional shape.
제1항에 있어서,
상기 유체배기부에 연결되며, 상기 유체배기부에 의해 정의되는 배기유로 상에 배기압을 발생시키는 배기압 발생부를 포함하는 것을 특징으로 하는 스핀식 헹굼 건조 장치.
The method according to claim 1,
And an exhaust pressure generating part connected to the fluid exhaust part and generating an exhaust pressure on an exhaust flow path defined by the fluid exhaust part.
제8항에 있어서,
상기 기판거치부의 상부에 제공되며, 상기 기판의 표면을 향해 기체를 안내하여 상기 기판의 상측에 기체유동장(gas flow field)을 형성하는 기체안내부를 포함하는 것을 특징으로 하는 스핀식 헹굼 건조 장치.
9. The method of claim 8,
And a gas guiding part provided on an upper portion of the substrate mounting part and guiding a gas toward the surface of the substrate to form a gas flow field on the upper side of the substrate.
제9항에 있어서,
상기 배기유로의 배기압은 상기 기체유동장보다 높은 압력으로 정의된 것을 특징으로 하는 스핀식 헹굼 건조 장치.
10. The method of claim 9,
Wherein the exhaust pressure of the exhaust passage is defined as a pressure higher than the gas flow field.
제1항에 있어서,
상기 기판거치부는 내부에 처리 공간을 갖는 케이싱의 내부에 제공되며,
상기 유체배기부의 출구는 상기 케이싱의 외측에 배치되는 것을 특징으로 하는 스핀식 헹굼 건조 장치.
The method according to claim 1,
Wherein the substrate mounting portion is provided inside a casing having a processing space therein,
And the outlet of the fluid exhausting portion is disposed outside the casing.
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