KR20170078532A - 투명 기판의 측면 피막 형성 방법 및 이에 따른 투명 기판 - Google Patents
투명 기판의 측면 피막 형성 방법 및 이에 따른 투명 기판 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20170078532A KR20170078532A KR1020160180181A KR20160180181A KR20170078532A KR 20170078532 A KR20170078532 A KR 20170078532A KR 1020160180181 A KR1020160180181 A KR 1020160180181A KR 20160180181 A KR20160180181 A KR 20160180181A KR 20170078532 A KR20170078532 A KR 20170078532A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- transparent substrate
- ceramic powder
- coating
- side coating
- present
- Prior art date
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 96
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 43
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims abstract description 100
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims abstract description 89
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims abstract description 65
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims abstract description 56
- 239000000443 aerosol Substances 0.000 claims abstract description 9
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 239000004033 plastic Substances 0.000 claims description 9
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 claims description 9
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 8
- -1 YF 3 Substances 0.000 claims description 7
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 claims description 7
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 6
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims description 6
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 claims description 6
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 claims description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 claims description 5
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 5
- RUDFQVOCFDJEEF-UHFFFAOYSA-N yttrium(III) oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Y+3].[Y+3] RUDFQVOCFDJEEF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 28
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 18
- 230000035882 stress Effects 0.000 description 7
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 4
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 4
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 4
- 239000005341 toughened glass Substances 0.000 description 4
- 230000006355 external stress Effects 0.000 description 3
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 3
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004696 Poly ether ether ketone Substances 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- 238000005524 ceramic coating Methods 0.000 description 2
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 2
- 229920003207 poly(ethylene-2,6-naphthalate) Polymers 0.000 description 2
- 229920002530 polyetherether ketone Polymers 0.000 description 2
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 229920001169 thermoplastic Polymers 0.000 description 2
- 239000004416 thermosoftening plastic Substances 0.000 description 2
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 2
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001871 amorphous plastic Polymers 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- JUPQTSLXMOCDHR-UHFFFAOYSA-N benzene-1,4-diol;bis(4-fluorophenyl)methanone Chemical compound OC1=CC=C(O)C=C1.C1=CC(F)=CC=C1C(=O)C1=CC=C(F)C=C1 JUPQTSLXMOCDHR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 1
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 1
- 230000015271 coagulation Effects 0.000 description 1
- 238000005345 coagulation Methods 0.000 description 1
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 1
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 1
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 1
- 229920001887 crystalline plastic Polymers 0.000 description 1
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 1
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 description 1
- 239000005400 gorilla glass Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001230 polyarylate Polymers 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 238000010298 pulverizing process Methods 0.000 description 1
- 238000005488 sandblasting Methods 0.000 description 1
- 229920006126 semicrystalline polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 238000005728 strengthening Methods 0.000 description 1
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05D—PROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05D5/00—Processes for applying liquids or other fluent materials to surfaces to obtain special surface effects, finishes or structures
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05D—PROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05D1/00—Processes for applying liquids or other fluent materials
- B05D1/02—Processes for applying liquids or other fluent materials performed by spraying
- B05D1/04—Processes for applying liquids or other fluent materials performed by spraying involving the use of an electrostatic field
- B05D1/06—Applying particulate materials
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05D—PROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05D7/00—Processes, other than flocking, specially adapted for applying liquids or other fluent materials to particular surfaces or for applying particular liquids or other fluent materials
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05D—PROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05D7/00—Processes, other than flocking, specially adapted for applying liquids or other fluent materials to particular surfaces or for applying particular liquids or other fluent materials
- B05D7/02—Processes, other than flocking, specially adapted for applying liquids or other fluent materials to particular surfaces or for applying particular liquids or other fluent materials to macromolecular substances, e.g. rubber
- B05D7/04—Processes, other than flocking, specially adapted for applying liquids or other fluent materials to particular surfaces or for applying particular liquids or other fluent materials to macromolecular substances, e.g. rubber to surfaces of films or sheets
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05D—PROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05D2201/00—Polymeric substrate or laminate
- B05D2201/02—Polymeric substrate
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05D—PROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05D2203/00—Other substrates
- B05D2203/30—Other inorganic substrates, e.g. ceramics, silicon
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05D—PROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05D2203/00—Other substrates
- B05D2203/30—Other inorganic substrates, e.g. ceramics, silicon
- B05D2203/35—Glass
Landscapes
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Wood Science & Technology (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
- Other Surface Treatments For Metallic Materials (AREA)
Abstract
본 발명은 파괴 강도를 향상시킨 투명 기판의 측면 피막 형성 방법 및 이에 따른 투명 기판에 관한 것이다. 이를 위해 본 발명은 이송 가스 공급부로부터 이송 가스를 공급받고, 분말 공급부로부터 세라믹 분말을 공급받아, 상기 세라믹 분말을 에어로졸 상태로 이송하는 단계; 및 상기 에어로졸 상태로 이송된 상기 세라믹 분말을 공정 챔버 내에 위치된 투명 기판의 측면에 충돌 및 파쇄시켜, 상기 투명 기판의 측면에 측면 피막을 형성하는 단계로 이루어진 투명 기판의 측면 피막 형성 방법 및 이에 따른 투명 기판을 개시한다.
Description
본 발명의 일 실시예는 투명 기판의 측면 피막 형성 방법 및 이에 따른 투명 기판에 관한 것이다.
스마트 기기용 투명 기판은, 일반적으로, 상면과 하면이 압축 및 강화 처리되어, 기계적 특성이 향상되도록 함으로써, 투명 기판이 외부 충격으로부터 손상되거나 파괴되지 않도록 하고 있다.
한편, 이러한 투명 기판의 측면은, 스마트 기기의 형상 제작을 위해, 레이저 빔 또는 다이아몬드 블레이드에 의해 절단되는데, 이때 절단 공정에 의한 응력이 측면에 흡수되어, 약한 외부 충격에도 투명 기판이 측면이 쉽게 파괴되는 문제가 있다.
본 발명의 일 실시예는 파괴 강도를 향상시킨 투명 기판의 측면 피막 형성 방법 및 이에 따른 투명 기판을 제공한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 투명 기판의 측면 피막 형성 방법은 이송 가스 공급부로부터 이송 가스를 공급받고, 분말 공급부로부터 세라믹 분말을 공급받아, 상기 세라믹 분말을 에어로졸 상태로 이송하는 단계; 및 상기 에어로졸 상태로 이송된 상기 세라믹 분말을 공정 챔버 내에 위치된 투명 기판의 측면에 충돌 및 파쇄시켜, 상기 투명 기판의 측면에 측면 피막을 형성하는 단계를 포함한다.
상기 투명 기판은 평평한 상면과, 상기 상면의 반대면으로서 평평한 하면을 갖되, 상기 측면은 상기 상면과 하면 사이에 형성되고, 상기 상면 및 하면의 면적보다 작은 면적을 가질 수 있다.
상기 투명 기판의 상면에 상면 피막을 더 형성할 수 있다.
상기 측면 및 측면 피막은 평면 또는 곡면 형태로 형성될 수 있다.
상기 분말 공급부로부터 공급되는 세라믹 분말은 알루미나(Al2O3), 지르코니아(ZrO2), 탄소(C), 이트리아(Y2O3), YAG(Y3Al5O12), 규소(SiO2), 이산화티탄(TiO2), YF3 및 그 혼합물 중 적어도 하나일 수 있다.
상기 측면 피막의 두께가 100 nm ~ 10 ㎛ 일 경우, 가시광선에 대한 상기 측면 피막의 투과율은 85% ~ 92%일 수 있다.
상기 투명 기판은 글래스, 사파이어, 쿼츠 또는 플라스틱일 수 있다.
본 발명은 평평한 상면과, 상기 상면의 반대면으로서 평평한 하면과, 상기 상면과 하면 사이에 형성된 측면을 포함하는 투명 기판에 있어서, 상기 측면에 측면 피막이 더 형성된다.
상기 투명 기판의 상면에 상면 피막이 더 형성될 수 있다.
상기 측면 및 측면 피막은 평면 또는 곡면 형태로 형성될 수 있다.
상기 측면 피막은 알루미나(Al2O3), 지르코니아(ZrO2), 탄소(C), 이트리아(Y2O3), YAG(Y3Al5O12), 규소(SiO2), 이산화티탄(TiO2), YF3 및 그 혼합물 중 적어도 하나로 형성될 수 있다.
상기 측면 피막의 두께가 100 nm ~ 10 ㎛ 일 경우, 가시광선에 대한 상기 측면 피막의 투과율은 85% ~ 92%일 수 있다.
상기 투명 기판은 글래스, 사파이어, 쿼츠 또는 플라스틱일 수 있다.
본 발명은 파괴 강도를 향상시킨 투명 기판의 측면 피막 형성 방법 및 이에 따른 투명 기판을 제공한다. 즉, 본 발명은 2D, 2.5D 또는 3D 투명 기판(예를 들면, 글래스, 사파이어, 쿼츠, 플라스틱 등등)의 측면에 대략 100 nm ~ 10 ㎛의 세라믹 피막을 3차원 상온 진공 분사 기술을 이용하여 형성함으로써, 투명 기판에 대한 파괴 강도를 향상시킨다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 측면 피막 형성을 위한 장치를 도시한 개략도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 측면 피막 형성 방법을 도시한 순서도이다.
도 3a, 도 3b 및 도 3c는 본 발명의 일 실시예에 따른 측면 피막이 형성되는 2D 투명 기판, 2.5D 투명 기판 및 3D 투명 기판의 일례를 도시한 단면도이다.
도 4a, 도 4b 및 도 4c는 측면 피막의 형성 전 상태를 도시한 사진이다.
도 5a, 도 5b 및 도 5c는 본 발명의 일 실시예에 따른 측면 피막이 형성된 상태를 도시한 사진이다.
도 6은 기존의 투명 기판, 본 발명에 따라 측면 피막이 형성된 투명 기판, 측면 피막 및 상면 피막이 형성된 투명 기판의 변형 대 하중 사이의 관계를 도시한 그래프이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 측면 피막 형성 방법을 도시한 순서도이다.
도 3a, 도 3b 및 도 3c는 본 발명의 일 실시예에 따른 측면 피막이 형성되는 2D 투명 기판, 2.5D 투명 기판 및 3D 투명 기판의 일례를 도시한 단면도이다.
도 4a, 도 4b 및 도 4c는 측면 피막의 형성 전 상태를 도시한 사진이다.
도 5a, 도 5b 및 도 5c는 본 발명의 일 실시예에 따른 측면 피막이 형성된 상태를 도시한 사진이다.
도 6은 기존의 투명 기판, 본 발명에 따라 측면 피막이 형성된 투명 기판, 측면 피막 및 상면 피막이 형성된 투명 기판의 변형 대 하중 사이의 관계를 도시한 그래프이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다.
본 발명의 실시예들은 당해 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위하여 제공되는 것이며, 하기 실시예는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 하기 실시예에 한정되는 것은 아니다. 오히려, 이들 실시예는 본 개시를 더욱 충실하고 완전하게 하고, 당업자에게 본 발명의 사상을 완전하게 전달하기 위하여 제공되는 것이다.
또한, 본 명세서에서 사용된 용어는 특정 실시예를 설명하기 위하여 사용되며, 본 발명을 제한하기 위한 것이 아니다. 본 명세서에서 사용된 바와 같이, 단수 형태는 문맥상 다른 경우를 분명히 지적하는 것이 아니라면, 복수의 형태를 포함할 수 있다. 또한, 본 명세서에서 사용되는 경우 "포함한다(comprise)" 및/또는 "포함하는(comprising)"은 언급한 형상, 단계, 숫자, 동작, 부재, 요소 및/또는 이들 그룹의 존재를 특정하는 것이며, 하나 이상의 다른 형상, 단계, 숫자, 동작, 부재, 요소 및 /또는 이들 그룹의 존재 또는 부가를 배제하는 것이 아니다. 또한, 본 명세서에서 사용된 바와 같이, 용어 "및/또는"은 해당 열거된 항목 중 어느 하나 및 하나 이상의 모든 조합을 포함한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 측면 피막 형성을 위한 장치를 도시한 개략도이고, 도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 측면 피막 형성 방법을 도시한 순서도이다.
도 1에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 측면 피막 형성 장치(200)는 이송 가스 공급부(210), 세라믹 분말(ceramic powder)을 보관 및 공급하는 분말 공급부(220), 분말 공급부(220)로부터 세라믹 분말을 이송 가스를 이용하여 에어로졸(aerosol) 상태로 고속으로 이송하는 이송관(222), 이송관(222)으로부터의 세라믹 분말을 투명 기판(231)에 코팅/적층 또는 스프레잉하는 노즐(232), 노즐(232)로부터의 세라믹 분말이 투명 기판(231)의 표면에 충돌 및 파쇄되도록 함으로써, 일정 두께의 측면 피막이 형성되도록 하는 공정 챔버(230)를 포함한다. 여기서, 에어로졸이란 이송 가스 내에 입경 범위가 대략 0.1 ㎛ ~ 10 ㎛인 세라믹 분말이 분산된 것을 의미한다.
도 1 및 도 2를 함께 참조하여, 본 발명에 따른 측면 피막 형성 방법을 설명한다.
이송 가스 공급부(210)에 저장된 이송 가스는 산소, 헬륨, 질소, 아르곤, 이산화탄소, 수소 및 그 등가물로 이루어지는 그룹으로부터 선택되는 1종 또는 2종의 혼합물일 수 있지만, 본 발명에서 이송 가스의 종류가 한정되지 않는다. 이송 가스는 이송 가스 공급부(210)로부터 파이프(211)를 통해 분말 공급부(220)로 직접 공급되며, 유량 조절기(250)에 의해 그 유량 및 압력이 조절될 수 있다.
분말 공급부(220)는 다량의 세라믹 분말을 보관 및 공급하는데, 이러한 세라믹 분말은 상술한 이송 가스 공급부(210)의 이송 가스에 의해 에어로졸 상태로 되어 이송관(222) 및 노즐(232)을 통해 공정 챔버(230)에 구비된 투명 기판(232)에 공급된다.
공정 챔버(230)는 측면 피막 형성 중에 진공 상태를 유지하며, 이를 위해 진공 유닛(240)이 연결될 수 있다. 좀 더 구체적으로, 공정 챔버(230)의 압력은 대략 1 파스칼 ~ 800 파스칼이고, 고속 이송관(222)에 의해 이송되는 세라믹 분말의 압력은 대략 500 파스칼 ~ 2000 파스칼일 수 있다. 다만, 어떠한 경우에도, 공정 챔버(230)의 압력에 비해 고속 이송관(222)의 압력이 높아야 한다.
더불어, 공정 챔버(230)의 내부 온도 범위는 대략 0 ℃ ~ 30 ℃로 유지되며, 따라서 별도로 공정 챔버(230)의 내부 온도를 증가시키거나 감소시키기 위한 부재가 없어도 좋다. 즉, 이송 가스 또는/및 투명 기판이 별도로 가열되지 않고, 0 ℃ ~ 30 ℃의 온도로 유지될 수 있다. 따라서, 본 발명에서는 기판의 측면에 측면 피막 형성 시, 투명 기판이 열적으로 충격을 받지 않게 된다.
그러나, 경우에 따라 측면 피막의 증착 효율 및 치밀도 향상을 위해, 이송 가스 또는/및 투명 기판이 대략 30 ℃ ~ 900 ℃의 온도로 가열될 수도 있다. 즉, 별도의 도시되지 않은 히터에 의해 이송 가스 공급부(210) 내의 이송 가스가 가열되거나, 또는 별도의 도시되지 않은 히터에 의해 공정 챔버(230) 내의 투명 기판(231)이 가열될 수 있다. 이러한 이송 가스 또는/및 투명 기판의 가열에 의해 측면 피막 형성 시 세라믹 분말에 가해지는 스트레스가 감소함으로써, 기공률이 작고 치밀한 측면 피막이 얻어진다. 여기서, 이송 가스 또는/및 투명 기판이 대략 900 ℃의 온도보다 높을 경우, 세라믹 분말이 용융되면서 급격한 상전이를 일으키고, 이에 따라 측면 피막의 기공률이 높아지고(충진률이 낮아지고) 측면 피막의 내부 구조가 불안정해질 수 있다.
그러나, 본 발명에서 이러한 온도 범위를 한정하는 것은 아니며, 피막이 형성될 투명 기판의 특성에 따라 이송 가스, 투명 기판 및/또는 공정 챔버의 내부 온도 범위는 0 ℃ ~ 900 ℃ 사이에서 조정될 수 있다.
한편, 상술한 바와 같이, 공정 챔버(230)와 고속 이송관(222)(또는 이송 가스 공급부(210) 또는 분말 공급부(220)) 사이의 압력 차이는 대략 1.5배 ~ 2000배 일 수 있다. 압력 차이가 대략 1.5배보다 작을 경우 세라믹 분말의 고속 이송이 어려울 수 있고, 압력 차이가 대략 2000배보다 클 경우 세라믹 분말에 의해 오히려 투명 기판의 표면이 과도하게 에칭될 수 있다.
이러한 공정 챔버(230)와 이송관(222)의 압력 차이에 따라, 분말 공급부(220)로부터의 세라믹 분말은 이송관(222)을 통해 분사하는 동시에, 고속으로 공정 챔버(230)에 전달된다.
또한, 공정 챔버(230) 내에는 이송관(222)에 연결된 노즐(232)이 구비되어,대략 100 ~ 500m/s의 속도로 세라믹 분말을 투명 기판(231)의 측면에 충돌시킨다. 즉, 노즐(232)을 통한 세라믹 분말은 이송 중 얻은 운동 에너지와 고속 충돌 시 발생하는 충돌 에너지에 의해 파쇄 및/또는 분쇄되면서 투명 기판(231)의 측면에 일정 두께의 측면 피막을 형성하게 된다. 물론, 이와 같이 투명 기판(231)의 측면에 측면 피막을 형성하기 위해, 노즐(232)은 3차원적으로 움직일 수 있는 로봇 노즐이 이용될 수 있음은 당연하다.
한편, 분말 공급부로부터 공급되는 세라믹 분말은 알루미나(Al2O3), 지르코니아(ZrO2), 탄소(C), 이트리아(Y2O3), YAG(Y3Al5O12), 규소(SiO2), 이산화티탄(TiO2), YF3 및 그 혼합물 중 적어도 하나일 수 있다.
상술한 세라믹 분말은 입경 범위가 대략 0.1 ㎛ ~ 10 ㎛일 수 있다. 일례로, 세라믹 분말은 평균 입경이 대략 1 ㎛ ~ 6 ㎛의 평균 입경을 가질 수 있다.
세라믹 분말의 입경 범위가 대략 0.1 ㎛보다 작을 경우 세라믹 분말의 보관 및 공급이 어려울 뿐만 아니라, 세라믹 분말 보관 및 공급 중 응집 현상으로 인해, 분말의 분사, 충돌, 파쇄 및/또는 분쇄 시 0.1 ㎛보다 작은 입자들이 뭉쳐져 있는 형태인 압분체(壓粉體)가 형성되기 쉬울 뿐만 아니라 대면적의 측면 피막의 형성도 어려운 단점이 있다.
또한, 세라믹 분말의 입경 범위가 대략 10 ㎛보다 클 경우, 세라믹 분말의 분사, 충돌, 파쇄 및/또는 분쇄 시 기판의 측면을 깍아 내는 샌드블라스팅(sand blasting) 현상이 발생하기 쉬울 뿐만 아니라, 일부 형성된 측면 피막 내의 입자 입경이 상대적으로 크게 형성되어, 측면 피막 구조가 불안정해지고 또한 측면 피막 내부 또는 표면의 기공률이 커져서 소재 본연의 특성을 발휘하지 못할 수 있다.
세라믹 분말의 입경 범위가 대략 0.1 ㎛ ~ 10 ㎛ 일 경우, 기공률(공극률)이 상대적으로 작고(즉, 충진율이 상대적으로 크고), 세라믹 입자의 입경 범위가 나노 단위를 가지며, 표면 마이크로 크랙 현상이 없고, 세라믹 분말 제어가 용이한 측면 피막을 얻을 수 있다. 또한, 세라믹 분말의 입경 범위가 대략 0.1 ㎛ ~ 10 ㎛ 일 경우, 측면 피막의 적층 속도가 상대적으로 높고, 투명하며, 소재 특성 구현이 용이한 측면 피막을 얻을 수 있다.
한편, 세라믹 분말은 고속 이송에 유리한 대략 구형일 수 있으나, 이러한 형태로 본 발명이 한정되지 않으며, 세라믹 분말은 층상 구조, 침상 구조 또는 다각 구조도 가능하다.
세라믹 분말의 입경(입도) 분석은 레이저 회절 기술을 이용하여 수행하는데, 이와 같이 세라믹 분말의 크기를 측정하는 장비의 일례로서 Beckman Coulter사의 LS 13 320과 같은 분석 장비가 있다. 구체적으로, 세라믹 분말의 입경(입도) 분석 방법을 설명하면, 물과 같은 용매에 세라믹 분말을 넣어 대략 10%의 농도를 갖는 현탁액으로 희석하여 슬러리(slurry)를 만든다. 그런 후, 이러한 슬러리를 초음파나 회전자를 이용하여 세라믹 분말이 균일하게 분산되도록 한다. 그런 후, 이와 같이 분산된 슬러리 상태의 세라믹 분말을 순환시키며 레이저 빔을 상기 분산된 슬러리 상태의 세라믹 분말에 입사시키고, 이때 세라믹 분말을 통과하여 산란되는 레이저 빔의 세기를 측정해서 세라믹 분말의 입경을 측정한다. 이러한 분석 장비에 의한 세라믹 분말의 분석 범위는 모델마다 약간 상이하기는 하나 대체로 대략 0.017 ㎛~ 2,000 ㎛이다.
또한, 측면 피막은 입자 입경 범위가 대략 1 nm ~ 1 ㎛, 더욱 바람직하기로 1 nm ~ 200 nm일 수 있다. 일례로, 측면 피막은 입자 입경이 1 nm에서 가장 많이 관찰되고, 입자 입경이 커질수록 적게 관찰된다(실질적으로, 측면 피막의 입자 입경이 1 nm 이하인 것은 측정이 곤란하다). 또한, 실질적으로 측면 피막은 거의 벌크 상태로 관찰된다. 이와 같이, 측면 피막은 입자 입경 범위가 대부분 나노 크기를 갖기 때문에, 기공률이 작고(즉, 충진률이 높고) 투과율이 높게 나타난다.
여기서, 측면 피막을 이루는 측면 피막의 입자 입경(입도) 분석은 주사전자현미경[Scanning Electron Microscope, 예를 들면, SNE-4500M 분석 장비]으로 수행하였다. 좀 더 구체적으로, 세라믹 입자의 입경 분석 방법을 설명하면, 우선 피막(코팅층 또는 성막)을 갖는 분석 시편을 절단하여 단면을 얻고, 이러한 단면을 연마하였다. 이어서, 측면 피막을 주사전자현미경으로 촬영하고, 촬영된 영상을 영상 처리 소프트웨어로 처리함으로써, 세라믹 입자의 입경을 분석하였다. 또한, 본 발명에서, 예를 들면, 대략 110 ㎛2의 측면 피막 단면적을 촬영하여, 세라믹 입자의 입경을 분석하였다.
도 3a, 도 3b 및 도 3c는 본 발명의 일 실시예에 따른 측면 피막이 형성되는 2D 투명 기판, 2.5D 투명 기판 및 3D 투명 기판의 일례를 도시한 단면도이다.
도 3a 내지 도 3c에 도시된 바와 같이, 투명 기판(231a,231b,231c)은 기본적으로 대략 평평하고 상대적으로 넓은 면적을 갖는 상면(241)과, 상면의 반대면으로서 대략 평평하고 상대적으로 넓은 면적을 갖는 하면(242)과, 상면(241)과 하면(242) 사이에 형성된 측면(243a,243b,243c)을 포함한다. 도 3a에 도시된 바와 같이, 2D 투명 기판(231a)은 측면(243a)이 대략 평평한 평면일 수 있다. 또한, 도 3b에 도시된 바와 같이, 2.5D 투명 기판(231b)은 측면(243b)이 대략 1/4 원 형태 또는 1/4 곡면 형태일 수 있다. 더욱이, 도 3c에 도시된 바와 같이, 3D 투명 기판(231c) 역시 측면(243c)이 대략 1/2 원 형태 또는 1/2 곡면 형태일 수 있다.
여기서, 도 3a 내지 도 3c에 도시된 투명 기판(231a,231b,231c)은 측면(243a,243b,243c)이 레이저 빔 또는 다이아몬드 블레이드로 절단된 이후, 연마 또는 폴리싱되어 표면 거칠기가 어느 정도 작아질 수 있으나, 여전히 외부 응력을 흡수한 상태이기 때문에, 측면이 불안정한 상태이다.
도 4a, 도 4b 및 도 4c는 측면 피막의 형성 전 투명 기판의 측면을 도시한 사진이다.
도 4a는 투명 기판의 측면 전체 이미지이고, 도 4b는 투명 기판의 측면 중앙 확대 이미지(1,000배)이며, 도 4c 역시 투명 기판의 측면의 중앙 확대 이미지(10,000배)이다.
투명 기판의 측면은 통상 레이저 빔 또는 다이아몬드 블레이드 등으로 절단되어 형성되므로, 도 4a 내지 도 4c에 도시된 바와 같이, 표면 거칠기가 매우 크다. 즉, 투명 기판의 측면에는 수많은 요철 및/또는 크랙이 형성될 수 있다. 이러한 투명 기판의 측면은 절단 공정 중 많은 응력을 받음으로써, 외부의 작은 충격에도 투명 기판이 쉽게 파괴될 수 있다.
도 5a, 도 5b 및 도 5c는 본 발명의 일 실시예에 따른 측면 피막이 형성된 상태를 도시한 사진이다.
도 5a는 투명 기판의 측면 피막 전체 이미지이고, 도 5b는 투명 기판의 측면 피막의 중앙 확대 이미지(1,000배)이며, 도 5c 역시 투명 기판의 측면 피막의 중앙 확대 이미지(10,000배)이다.
이러한 측면 피막은, 도 5a 내지 도 5c의 사진에서 볼 수 있는 바와 같이, 측면 피막의 표면이 상당히 매끈하고 부드러워졌음을 알 수 있다. 즉, 측면 피막의 표면 조도가, 측면 피막이 형성되기 전의 측면이 갖는 표면 조도에 비하여, 상당히 감소하였음을 알 수 있다.
물론, 측면 피막 역시 측면을 따라 형성되므로, 측면 피막은 평면 또는 곡면 형태로 형성될 수 있다.
더불어, 측면 피막은 두께가 대략 100 nm ~ 2 ㎛ 일 경우, 가시광선에 대한 측면 피막의 투과율이 대략 85% ~ 92%로 관찰되었다. 따라서, 본 발명에 따른 투명 기판은 측면 역시 디스플레이 영역으로도 사용될 수 있다.
투명 기판은 글래스, 사파이어, 쿼츠, 또는 플라스틱일 수 있으며, 본 발명에서 투명 기판의 종류를 한정하는 것은 아니다.
여기서, 플라스틱 기판은 대략 140°C 정도의 Tg(연화점, glass transition temperature)와 대략 340°C 정도의 Tm(녹는점, melting temperature)을 갖는 PET(Polyethylene Terephthalate), PEN(Polyethylene naphthalate), PEEK(Polyetheretherketon) 등의 열가소성 세미결정성 플라스틱(thermoplastic semicrystalline polymer)을 포함할 수 있다. 또한, 플라스틱 기판은 상술한 세미결정성 플라스틱보다 Tg가 높고, Tm을 보이지 않는 대략 150°C의 Tg를 갖는 PC, 220°C의 Tg를 갖는 PES 등의 열가소성 무정형(amorphous) 플라스틱을 포함할 수 있다. 또한, 플라스틱 기판은 상대적으로 높은 내열성을 가진 PI(Polyimide), polyarylate, PAR 등으로 제조된 것일 수 있다.
또한, 측면 피막을 이루는 입자 입경은 대략 1 nm ~ 1 ㎛로 관찰되었다.
도 6은 기존의 투명 기판(Smart Window), 본 발명에 따라 측면 피막이 형성된 투명 기판(Side Coating), 측면 피막 및 상면 피막이 형성된 투명 기판(Top+Side Coating)의 변형 대 하중 사이의 관계를 도시한 그래프이다.
도 6에서 X축은 변형량(mm)이고, Y축은 하중(kgf)이다. 테스트는 2개의 강봉 사이에 평평한 투명 기판을 올려 놓고, 투명 기판의 중앙을 눌러서 투명 기판이 파괴될 때의 변형량 및 하중값을 확인하였다. 더불어, 투명 기판은 코닝사에서 제조 및 판매하는 디스플레이용 강화 유리로서 고릴라 글래스를 이용하였다.
일반적으로 강화 유리의 파괴는 취약 부분으로부터 시작되어 전체 영역의 파괴로 이루어진다고 볼 수 있다. 강화 유리는 표면부와 중심부에 서로 인장응력과 압축응력이 작용하고 있으며, 표면의 상태는 취약부를 대략 완전히 제거하여 파괴에 안정성이 높은 형태를 유지하고 있다. 그러나 측면에는 무수히 많은 취약부가 존재하며, 이는 외부의 응력(상부의 하중)이 발생시 본 취약부로부터 크랙(crack)이 전이되어, 높은 응력이 걸려있는 강화 유리의 전체가 파손된다고 볼 수 있다.
본 발명에서는 취약부의 취약점을 상술한 바와 같이 세라믹 코팅 기술로 측면 피막을 형성 및 보완하여, 취약부를 제거함으로써, 크랙의 전이 시점이 늦어 지게 하고 이로 인해 더 높은 외부의 응력(상부의 하중)에서 강화 유리의 파손이 발생하게 된다.
| Force (kgf) |
Deformation (mm) |
bending stress (kgf/cm2) |
|
| 측면 피막 없음 | 25.65 | 6.39 | 6970.17 |
| 측면 피막 | 27.66 | 6.42 | 7514.51 |
| 측면 및 상면 피막 | 27.6 | 6.28 | 7498.04 |
도 6 및 표 1에 도시된 바와 같이, 측면 피막이 없을 경우 25.65 kgf의 하중에서 6.39 mm의 변형량을 가지며 투명 기판이 파괴되었다. 그러나, 본 발명에 따른 측면 피막을 갖는 투명 기판의 경우 27.66 kgf의 하중에서 6.42mm의 변형량을 가지며 투명 기판이 파괴되었다. 한편, 본 발명에 따른 측면 피막 및 상면 피막을 갖는 투명 기판의 경우 27.6 kgf의 하중에서 6.28 mm의 변형량을 가지며 투명 기판이 파괴되었다.
이와 같이 하여, 투명 기판에 측면 피막이 형성되거나, 또는 측면 피막과 상면 피막이 함께 형성될 경우, 기본적으로, 외부 하중에 대하여 견디는 힘이 더 증가한 것을 확인할 수 있다.
측면 피막은 두께가 1 ㎛ ~ 2 ㎛일 경우, 가시광선(380nm ~ 780nm)에 대한 측면 피막의 투과율이 대략 85% ~ 92%로 관찰되었다. 따라서, 본 발명에 따른 측면 피막은 표시 장치의 측면 표시 영역으로도 충분히 이용될 수 있음을 알 수 있다.
아래의 표 2는 세라믹 분말을 이용한 측면 피막의 경도, 접합 강도 및 기공률 특성을 도시한 표이다.
| 측면 피막 | |
| 경도 | 9~20 GPa |
| 접합 강도 | 70~90 MPa |
| 기공률 | 0.01~1.0 % |
표 2에 기재된 바와 같이, 세라믹 분말을 이용한 측면 피막의 경도는 9~20 Gpa이고, 측면 피막의 접합 강도는 70~90 MPa이며, 세라믹 분말을 이용한 측면 피막의 기공률은 0.01~0.1%로 관찰되었다.
이와 같이 본 발명은 측면 피막의 경도, 접합 강도 및 기공률이 모두 우수하고, 이에 따라 측면 피막이 투명 기판의 측면을 적절히 보호할 수 있음을 알 수 있다.
여기서, 경도는 다이아몬드 사각뿔로 측면 피막을 눌러서 생긴 자국으로 측정하고, 접합 강도는 투명 기판에 형성된 측면 피막을 로드 셀로 잡아 당겨서 측정한다. 또한, 기공률은 측면 피막을 절단하여 전자 현미경으로 촬영하여 이미지를 얻고, 이러한 이미지를 영상 처리 소프트웨어가 설치된 컴퓨터로 분석하여 측정한다. 이러한 여러가지 측정 방법은 당업자에게 이미 주지된 내용이므로, 이에 대한 상세한 설명은 생략한다.
이상에서 설명한 것은 본 발명에 따른 투명 기판의 측면 피막 형성 방법 및 이에 따른 투명 기판을 실시하기 위한 하나의 실시예에 불과한 것으로서, 본 발명은 상기한 실시예에 한정되지 않고, 이하의 특허청구범위에서 청구하는 바와 같이 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 누구든지 다양한 변경 실시가 가능한 범위까지 본 발명의 기술적 정신이 있다고 할 것이다.
110; 투명 기판
120; 측면 피막
Claims (13)
- 이송 가스 공급부로부터 이송 가스를 공급받고, 분말 공급부로부터 세라믹 분말을 공급받아, 상기 세라믹 분말을 에어로졸 상태로 이송하는 단계; 및
상기 에어로졸 상태로 이송된 상기 세라믹 분말을 공정 챔버 내에 위치된 투명 기판의 측면에 충돌 및 파쇄시켜, 상기 투명 기판의 측면에 측면 피막을 형성하는 단계를 포함함을 특징으로 하는 투명 기판의 측면 피막 형성 방법. - 제 1 항에 있어서,
상기 투명 기판은 평평한 상면과, 상기 상면의 반대면으로서 평평한 하면을 갖되,
상기 측면은 상기 상면과 하면 사이에 형성되고, 상기 상면 및 하면의 면적보다 작은 면적을 갖는 것을 특징으로 하는 투명 기판의 측면 피막 형성 방법. - 제 1 항에 있어서,
상기 투명 기판의 상면에 상면 피막을 더 형성함을 특징으로 하는 투명 기판의 측면 피막 형성 방법. - 제 1 항에 있어서,
상기 측면 및 측면 피막은 평면 또는 곡면 형태로 형성된 것을 특징으로 하는 투명 기판의 측면 피막 형성 방법. - 제 1 항에 있어서,
상기 분말 공급부로부터 공급되는 세라믹 분말은 알루미나(Al2O3), 지르코니아(ZrO2), 탄소(C), 이트리아(Y2O3), YAG(Y3Al5O12), 규소(SiO2), 이산화티탄(TiO2), YF3 및 그 혼합물 중 적어도 하나인 것을 특징으로 하는 투명 기판의 측면 피막 형성 방법. - 제 1 항에 있어서,
상기 측면 피막의 두께가 100 nm ~ 10 ㎛ 일 경우,
가시광선에 대한 상기 측면 피막의 투과율은 85% ~ 92%인 것을 특징으로 하는 투명 기판의 측면 피막 형성 방법. - 제 1 항에 있어서,
상기 투명 기판은 글래스, 사파이어, 쿼츠 또는 플라스틱인 것을 특징으로 하는 투명 기판의 측면 피막 형성 방법. - 평평한 상면과, 상기 상면의 반대면으로서 평평한 하면과, 상기 상면과 하면 사이에 형성된 측면을 포함하는 투명 기판에 있어서,
상기 측면에 측면 피막이 더 형성된 것을 특징으로 하는 투명 기판. - 제 8 항에 있어서,
상기 투명 기판의 상면에 상면 피막이 더 형성된 것을 특징으로 하는 투명 기판. - 제 8 항에 있어서,
상기 측면 및 측면 피막은 평면 또는 곡면 형태로 형성된 것을 특징으로 하는 투명 기판. - 제 8 항에 있어서,
상기 측면 피막은 알루미나(Al2O3), 지르코니아(ZrO2), 탄소(C), 이트리아(Y2O3), YAG(Y3Al5O12), 규소(SiO2), 이산화티탄(TiO2), YF3 및 그 혼합물 중 적어도 하나로 형성된 것을 특징으로 하는 투명 기판. - 제 8 항에 있어서,
상기 측면 피막의 두께가 100 nm ~ 10 ㎛ 일 경우,
가시광선에 대한 상기 측면 피막의 투과율은 85% ~ 92%인 것을 특징으로 하는 투명 기판. - 제 8 항에 있어서,
상기 투명 기판은 글래스, 사파이어, 쿼츠 또는 플라스틱인 것을 특징으로 하는 투명 기판.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PCT/KR2017/015573 WO2018124740A1 (ko) | 2015-12-28 | 2017-12-27 | 투명 기판의 측면 피막 형성 방법 및 이에 따른 투명 기판 |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR20150187613 | 2015-12-28 | ||
| KR1020150187613 | 2015-12-28 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20170078532A true KR20170078532A (ko) | 2017-07-07 |
Family
ID=59353892
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020160180181A KR20170078532A (ko) | 2015-12-28 | 2016-12-27 | 투명 기판의 측면 피막 형성 방법 및 이에 따른 투명 기판 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR20170078532A (ko) |
| WO (1) | WO2018124740A1 (ko) |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4807917B2 (ja) * | 2000-10-23 | 2011-11-02 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | 構造物の製造方法、構造物形成粒子の製造方法 |
| KR101110371B1 (ko) * | 2010-04-26 | 2012-02-15 | 한국세라믹기술원 | 내플라즈마 결정질 세라믹 코팅막 및 그 제조방법 |
| KR101230242B1 (ko) * | 2010-11-22 | 2013-02-06 | 거림테크 주식회사 | 세라믹 분말 에어로졸 증착 방법 |
| US9573843B2 (en) * | 2013-08-05 | 2017-02-21 | Corning Incorporated | Polymer edge-covered glass articles and methods for making and using same |
| TWI515620B (zh) * | 2013-10-15 | 2016-01-01 | 恆顥科技股份有限公司 | 增加面板邊緣強度的方法 |
-
2016
- 2016-12-27 KR KR1020160180181A patent/KR20170078532A/ko not_active Application Discontinuation
-
2017
- 2017-12-27 WO PCT/KR2017/015573 patent/WO2018124740A1/ko active Application Filing
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO2018124740A1 (ko) | 2018-07-05 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP6058822B2 (ja) | プラズマ抵抗性が向上したセラミック被膜の形成方法およびこれによるセラミック被膜 | |
| CN1243848C (zh) | 复合构造物及其制作方法和制作装置 | |
| JP2007526628A (ja) | 制御された分割のための装置および方法 | |
| EP1637507B1 (en) | Alumina shock-absorbing ceramic products | |
| WO2016036750A1 (en) | Applying a coating to a substrate; composite structures formed by application of a coating | |
| TWI648231B (zh) | 脆性材料基板之分斷方法 | |
| US20130225052A1 (en) | "cmp pad conditioner and method for manufacturing the same" | |
| KR101476603B1 (ko) | 플라즈마 저항성이 향상된 세라믹 피막의 형성 방법 및 이에 따른 세라믹 피막 | |
| JP2020525640A (ja) | フッ化イットリウムオキシドコーティング膜の形成方法およびこれによるフッ化イットリウムオキシドコーティング膜 | |
| JP2020142831A (ja) | 粉体接触部材および粉体接触部材の表面処理方法 | |
| Khodaii et al. | Improvement of surface integrity in the grinding of bioceramic partially stabilized zirconia using analytical, numerical, and experimental methods | |
| KR20180129366A (ko) | 플로라이드화 이트륨 옥사이드 코팅막의 형성 방법 및 이에 따른 플로라이드화 이트륨 옥사이드 코팅막 | |
| US20080274333A1 (en) | Composite structure and production method thereof | |
| KR20130102521A (ko) | 스크라이빙 휠 및 그 제조 방법 | |
| KR20170078532A (ko) | 투명 기판의 측면 피막 형성 방법 및 이에 따른 투명 기판 | |
| Trott et al. | Glass wafer mechanical properties: A comparison to silicon | |
| KR102084235B1 (ko) | 투명 불소계 박막의 형성 방법 및 이에 따른 투명 불소계 박막 | |
| KR20170078542A (ko) | 투명 피막의 형성 방법 및 이에 따른 투명 피막 | |
| JP5656036B2 (ja) | 複合構造物 | |
| KR20180116042A (ko) | 다층막 구조체 및 그 제조 방법 | |
| KR101476602B1 (ko) | 복합 피막 입자 입경을 갖는 피막의 형성 방법 및 이에 따른 피막 | |
| KR102062397B1 (ko) | 플로라이드화 옥사이드 박막의 형성 방법 및 이에 따른 플로라이드화 옥사이드 박막 | |
| CN114845860B (zh) | 层叠体、层叠体的制造方法、层叠用膜、图像显示装置 | |
| Lv et al. | An experimental research on abrasive water jet polishing of the hard brittle ceramics | |
| US20220341018A1 (en) | Semiconductor manufacturing apparatus member and semiconductor manufacturing apparatus |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal |