KR20170077169A - Materials for electronic devices - Google Patents

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Abstract

본 출원은 정의된 화학식의 모노아릴아민 및 정의된 화학식의 p-도판트를 포함하는 재료에 관한 것이다. 본 출원은 추가로 전자 소자 (소자는 바람직하게는 유기 전계발광 소자 (OLED) 임) 의 유기 층 내의 상기 재료의 용도에 관한 것이다.The present application relates to materials comprising a monoarylamine of the defined formula and a p-dopant of the defined formula. The present application further relates to the use of said material in an organic layer of an electronic device (the device is preferably an organic electroluminescent device (OLED)).

Description

전자 소자용 재료 {MATERIALS FOR ELECTRONIC DEVICES}{MATERIALS FOR ELECTRONIC DEVICES}

본 출원은 정의된 화학식의 모노아릴아민 및 정의된 화학식의 금속 착물을 포함하는 재료에 관한 것이다. 본 출원은 추가로 전자 소자 (소자는 바람직하게는 유기 전계발광 소자 (OLED) 임) 의 유기 층 내의 상기 재료의 용도에 관한 것이다.The present application relates to materials comprising a monoarylamine of the defined formula and a metal complex of the defined formula. The present application further relates to the use of said material in an organic layer of an electronic device (the device is preferably an organic electroluminescent device (OLED)).

용어 "~ 를 포함하는" 은 본 출원의 문맥에서 추가 구성성분 또는 단계가 존재할 수 있는 것을 의미하는 것으로 이해된다. 부정관사는 복수를 제외하지 않는다.The term " comprising "is understood to mean that there may be additional components or steps in the context of the present application. An indefinite article does not exclude revenge.

전자 소자는 본 출원의 문맥에서 유기 반도체 재료를 기능적 재료로서 함유하는, 유기 전자 소자로 불리는 것을 의미하는 것으로 이해된다.Electronic devices are understood to mean, in the context of the present application, what is termed an organic electronic device, containing an organic semiconductor material as a functional material.

유기 화합물이 기능적 재료로서 사용되는 OLED 의 구조는 예를 들어, US 4539507, US 5151629, EP 0676461 및 WO 98/27136 에 기재된다. 일반적으로, 용어 OLED 는 유기 화합물을 포함하는 하나 이상의 층을 갖고 전기 전압의 적용 시 빛을 방출하는 전자 소자를 의미하는 것으로 이해된다.The structure of an OLED in which an organic compound is used as a functional material is described, for example, in US 4539507, US 5151629, EP 0676461 and WO 98/27136. In general, the term OLED is understood to mean an electronic device having one or more layers comprising organic compounds and emitting light upon application of an electrical voltage.

전자 소자의 성능 데이터에 대한 큰 영향은 정공-수송 기능을 갖는 층 (정공-수송층), 예를 들어 정공 주입층, 정공 수송층 및 전자 차단층에 의해 소유된다.A great influence on the performance data of the electronic device is possessed by a layer having a hole-transporting function (hole-transporting layer), for example, a hole injecting layer, a hole transporting layer and an electron blocking layer.

종래 기술은 정공-수송층에 대한 재료로서 모노아릴아민의 사용을 기재한다. 이러한 모노아릴아민은 예를 들어, JP 1995/053955, WO 2006/123667, JP 2010/222268, WO 2012/034627, WO 2013/120577, WO 2014/015938 및 WO 2014/015935 에 기재된다.The prior art describes the use of monoarylamines as materials for the hole-transporting layer. Such monoarylamines are described, for example, in JP 1995/053955, WO 2006/123667, JP 2010/222268, WO 2012/034627, WO 2013/120577, WO 2014/015938 and WO 2014/015935.

부가적으로, 종래 기술은 OLED 의 정공-수송층 내에 정공 수송 재료와 조합으로의 p-도판트의 사용을 기재한다. p-도판트는 여기서 주 성분에 대한 미량 성분으로서 첨가되는 경우, 정공에 대한 이의 전도성을 상당히 증가시키는 화합물을 의미하는 것으로 이해된다.Additionally, the prior art describes the use of p-dopants in combination with hole transport materials in the hole-transport layer of an OLED. The p-dopant is understood to mean a compound that significantly increases its conductivity to hole when added as a minor component here for the main component.

종래 기술에서 공지된 p-도판트는 유기 전자 수용체 화합물, 예를 들어 7,7,8,8-테트라시아노-2,3,5,6-테트라플루오로퀴노디메탄 (F4TCNQ) 이다. 종래 기술은 추가로, 예를 들어 WO 2011/33023 및 WO 2013/182389 에서, p-도판트로서, 전이 금속 양이온 및 주족 금속 양이온의 금속 착물을 기재한다.The p-dopants known in the art are organic electron acceptor compounds, such as 7,7,8,8-tetracyano-2,3,5,6-tetrafluoroquinodimethane (F4TCNQ). The prior art further describes, for example, in WO 2011/33023 and WO 2013/182389 metal complexes of transition metal cations and metal cations as p-dopants.

종래 기술에서 공지된 정공 수송 재료 및 종래 기술에서 공지된 p-도판트는 매우 다양한 잠재적으로 가능한 조합을 초래한다. 이들 중에서, 오직 일부만이 종래 기술에 기재되어 있다. 여기서 OLED 의 정공 수송층 내에 테트라아민과 p-도판트로서의 주족 금속 착물의 조합, 예를 들어 2,2',7,7'-테트라(N,N-디-p-톨릴)아미노-9,9-스피로비플루오렌이 예로서 언급될 수 있다. 이것은 WO 2013/182389 에 기재된다. 종래 기술로부터의 추가 예는 OLED 의 정공 수송층 내에 모노아릴아민, 예를 들어 트리스-파라-비페닐아민과 F4TCNQ 의 조합이다. 이것은 WO 2013/135352 에 기재된다.Known hole transport materials in the prior art and p-dopants known in the prior art result in a wide variety of potentially possible combinations. Of these, only a few are described in the prior art. Here, a combination of a tetraamine and a rare earth metal complex as a p-dopant in the hole transporting layer of the OLED, for example, a combination of 2,2 ', 7,7'-tetra (N, N-di- - spirobi [omega] fluorene can be mentioned as an example. This is described in WO 2013/182389. A further example from the prior art is the combination of monoarylamines, such as tris-para-biphenylamine and F4TCNQ, in the hole transport layer of the OLED. This is described in WO 2013/135352.

그러나, 정공 수송층 내에 상기 재료를 포함하는 OLED 는 수명 및 효율과 관련하여 개선의 필요가 있다.However, OLEDs containing such materials in the hole transport layer need to be improved in terms of lifetime and efficiency.

부가적으로 저-지대 (low-lying) HOMO 를 갖는 정공 수송 재료, 특히 -5.2 내지 -5.7 eV 의 범위 내의 HOMO 를 갖는 것들을 효율적으로 도핑할 수 있는 p-도판트에 대한 필요성이 있고, 이런식으로 적합한 전도성 및 낮은 HOMO 에너지 수준 둘 다를 갖는 도판트-정공 수송 재료 조합을 수득하는 것이 가능하다. 여기서 적합하고 바람직한 전도성은 10-4 S/m 내지 10-3 S/m 의 범위이다. 저-지대 HOMO 를 갖는 정공 수송 재료의 사용이 고도로 바람직한데, 이것이 정공 수송층과 방출층 사이에 저 HOMO 를 갖는 추가의 층을 삽입하는 필요성을 생략하기 때문이다. 이것은 OLED 의 더욱 단순한 구축 및 그러므로 좀더 효율적인 제조 방법을 가능하게 한다. 추가의 층이 정공 수송층과 방출층 사이에 삽입되는 경우, 저 HOMO 를 갖는 정공 수송층의 바람직한 경우에서 정공 수송층의 HOMO 가 정공 수송층과 방출층 사이의 층의 HOMO 보다 높지 않다는 점에 비추어 정공 장벽 및 그러므로 정공 수송층과 방출층 사이의 전압 강하를 회피하는 것이 가능하다. 이것은 예를 들어, 정공 수송층 및 정공 수송층과 방출층 사이의 추가의 층 내의 동일한 재료의 사용을 통해 가능하다.There is a further need for p-dopants capable of efficiently doping hole transport materials with low-lying HOMO, especially those with HOMO in the range of -5.2 to -5.7 eV, It is possible to obtain a dopant-hole transporting material combination having both a suitable conductivity and a low HOMO energy level. Suitable and preferred conductivities here are in the range of 10 -4 S / m to 10 -3 S / m. The use of hole-transporting materials with low-zone HOMOs is highly desirable because it obviates the need to insert additional layers with low HOMO between the hole-transporting layer and the emissive layer. This enables a simpler construction of the OLED and therefore a more efficient manufacturing method. In the preferred case of a hole transport layer with a low HOMO, when the additional layer is interposed between the hole transport layer and the emissive layer, the HOMO of the hole transport layer is not higher than the HOMO of the layer between the hole transport layer and the emissive layer, It is possible to avoid a voltage drop between the hole transporting layer and the emission layer. This is possible, for example, through the use of the same material in a further layer between the hole transport layer and the hole transport layer and the emissive layer.

부가적으로 가시 영역 (VIS 영역) 에서 오로지 낮은 흡수를 갖는 정공 수송 재료-도판트 조합에 대한 필요성이 있다. 종래 기술에 공지된 p-도판트, 예를 들어 NDP-2 또는 몰리브덴 옥시드 도판트는, 표준 정공 수송 재료와 조합으로 VIS 영역에서 흡수를 갖는다. VIS 영역에서 낮은 흡수 밴드가 매우 바람직한데, VIS 영역에서의 흡수가 OLED 의 방출 특징에 영향을 주고 이의 효율을 악화시키기 때문이다.Additionally, there is a need for hole transport material-dopant combinations that have only low absorption in the visible region (VIS region). The p-dopants known in the art, such as NDP-2 or molybdenum oxide dopants, have absorption in the VIS region in combination with standard hole transport materials. A low absorption band in the VIS region is highly desirable because absorption in the VIS region affects the emission characteristics of the OLED and deteriorates its efficiency.

정공 수송층에서의 사용을 위한 p-도판트 및 정공 수송 재료의 가능한 조합의 연구에서, 이제 예상치 않게, 특정 화학식 (A) 의 모노아릴아민 및 비스무트 착물을 포함하는 재료는 수명 및 효율과 관련하여 종래 기술과 비교하여 우수한 값을 제공한다는 것을 발견하였다. 부가적으로, 본 발명의 재료는 종래 기술에 따른 재료보다 OLED 에서 사용하는 경우 더 낮은 누출 전류를 갖는다. 상기 이론에 구애되지 않고, 이것은 OLED 의 도핑된 층의 더 낮은 측면 전도성에 의해 야기될 수 있다. 디스플레이 내의 픽셀이 심지어 더 작아지면, 누출 전류는 이들이 픽셀 간의 혼선을 야기할 수 있기 때문에 큰 문제이다. 이들의 회피는 따라서 바람직하다. 본 발명의 재료의 또다른 특징은 VIS 영역에서 흡수 밴드가 없다는 것이다. 또다른 특징은, 모노아릴아민의 낮은 HOMO 위치로 인해, 본 발명의 재료를 포함하는 정공 수송층과 방출층 사이에 임의의 부가적인 층을 가질 필요가 없고 따라서 좀더 효과적인 방식으로 제조될 수 있는 OLED 를 제조하는 것이, 본 발명의 재료로 가능하다는 것이다.In studies of possible combinations of p-dopants and hole transport materials for use in the hole transport layer, it has now unexpectedly been found that materials comprising monoarylamine and bismuth complexes of certain formula (A) And provides superior values in comparison with the technology. Additionally, the materials of the present invention have lower leakage current when used in OLEDs than materials according to the prior art. Without being bound by the theory above, this can be caused by the lower lateral conductivity of the doped layer of the OLED. If the pixels in the display are even smaller, the leakage current is a big problem because they can cause cross-talk between pixels. Their avoidance is therefore desirable. Another feature of the material of the present invention is that there is no absorption band in the VIS region. Another feature is that OLEDs that do not need to have any additional layers between the hole transport layer and the emissive layer comprising the material of the present invention due to the low HOMO position of the monoarylamine and thus can be manufactured in a more efficient manner Is made by the material of the present invention.

본 출원은 그러므로 비스무트의 착물인 화합물 P 및 화학식 (A) 의 화합물 A 를 포함하는 재료를 제공한다:The present application thus provides a material comprising compound P which is a complex of bismuth and compound A of formula (A)

Figure pct00001
Figure pct00001

화학식 (A)(A)

(식 중, 발생하는 변수는 하기와 같다:(Wherein the variables that occur are as follows:

A1 은 각 경우 동일 또는 상이하고, H, 1 내지 20 개의 탄소 원자를 갖고 하나 이상의 R1 라디칼로 치환될 수 있는 알킬 기, 또는 Ar1 이고;A 1 is in each case the same or different and is H, an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms and which may be substituted with at least one R 1 radical, or Ar 1 ;

Ar1 은 각 경우 동일 또는 상이하고, 6 내지 60 개의 방향족 고리 원자를 갖고 하나 이상의 R1 라디칼로 치환될 수 있는 방향족 고리계, 또는 5 내지 60 개의 방향족 고리 원자를 갖고 하나 이상의 R1 라디칼로 치환될 수 있는 헤테로방향족 고리계이고; Ar1 및/또는 A1 기는 여기서 R1 라디칼을 통해 서로 결합될 수 있고;Ar 1 is an aromatic ring system which in each case is the same or different and has 6 to 60 aromatic ring atoms and may be substituted with one or more R 1 radicals or an aromatic ring system having 5 to 60 aromatic ring atoms and being substituted with at least one R 1 radical Lt; / RTI > is a heteroaromatic ring system; Ar 1 and / or A 1 group, where may be bonded to each other via the R 1 radical;

R1 은 각 경우 동일 또는 상이하고, H, D, F, C(=O)R2, CN, Si(R2)3, P(=O)(R2)2, OR2, S(=O)R2, S(=O)2R2, 1 내지 20 개의 탄소 원자를 갖는 직쇄 알킬 또는 알콕시 기, 3 내지 20 개의 탄소 원자를 갖는 분지형 또는 환형 알킬 또는 알콕시 기, 2 내지 20 개의 탄소 원자를 갖는 알케닐 또는 알키닐 기, 6 내지 40 개의 방향족 고리 원자를 갖는 방향족 고리계, 및 5 내지 40 개의 방향족 고리 원자를 갖는 헤테로방향족 고리계로부터 선택되고; 이때 2 개 이상의 R1 라디칼은 서로 연결될 수 있고 고리를 형성할 수 있고; 언급된 알킬, 알콕시, 알케닐 및 알키닐 기 및 언급된 방향족 고리계 및 헤테로방향족 고리계는 각각 하나 이상의 R2 라디칼로 치환될 수 있고; 언급된 알킬, 알콕시, 알케닐 및 알키닐 기 중의 하나 이상의 CH2 기는 -R2C=CR2-, -C≡C-, Si(R2)2, C=O, C=NR2, -C(=O)O-, -C(=O)NR2-, P(=O)(R2), -O-, -S-, SO 또는 SO2 로 대체될 수 있고;R 1 is in each case the same or different and is H, D, F, C (═O) R 2 , CN, Si (R 2 ) 3 , P (═O) (R 2 ) 2 , OR 2 , R 2 , S (= O) 2 R 2 , a straight chain alkyl or alkoxy group having 1 to 20 carbon atoms, a branched or cyclic alkyl or alkoxy group having 3 to 20 carbon atoms, 2 to 20 carbons An alkenyl or alkynyl group having an atom, an aromatic ring system having 6 to 40 aromatic ring atoms, and a heteroaromatic ring system having 5 to 40 aromatic ring atoms; Wherein two or more R < 1 > radicals may be connected to one another and may form a ring; The mentioned alkyl, alkoxy, alkenyl and alkynyl groups and the mentioned aromatic and heteroaromatic ring systems may each be substituted by one or more R 2 radicals; At least one CH 2 group of the mentioned alkyl, alkoxy, alkenyl and alkynyl groups may be replaced by -R 2 C═CR 2 -, -C≡C-, Si (R 2 ) 2 , C═O, C═NR 2 , - C (= O) O-, -C (= O) NR 2 -, P (= O) (R 2 ), -O-, -S-, SO or SO 2 ;

R2 는 각 경우 동일 또는 상이하고, H, D, F, CN, 1 내지 20 개의 탄소 원자를 갖는 알킬 기, 6 내지 40 개의 방향족 고리 원자를 갖는 방향족 고리계 및 5 내지 40 개의 방향족 고리 원자를 갖는 헤테로방향족 고리계로부터 선택되고; 이때 2 개 이상의 R2 라디칼은 서로 연결될 수 있고 고리를 형성할 수 있고; 언급된 알킬 기, 방향족 고리계 및 헤테로방향족 고리계는 F 또는 CN 으로 치환될 수 있음);R 2 is in each case the same or different and represents H, D, F, CN, an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, an aromatic ring system having 6 to 40 aromatic ring atoms and 5 to 40 aromatic ring atoms Lt; / RTI > Wherein at least two R < 2 > radicals may be connected to one another and may form a ring; The alkyl groups, aromatic ring systems and heteroaromatic ring systems mentioned may be substituted by F or CN;

이때, 화학식 (A) 의 범주는 하기 화학식 (B) 의 화합물을 제외한다:Here, the category of formula (A) excludes compounds of formula (B): < EMI ID =

Figure pct00002
Figure pct00002

화학식 (B)(B)

(식 중, 발생하는 새로운 변수는 하기와 같다:(Where the new variables that occur are:

V 는 CR1 이고;V is CR < 1 >;

Ar3 은 각 경우 동일 또는 상이하고, 6 내지 30 개의 방향족 고리 원자를 갖고 하나 이상의 R1 라디칼로 치환될 수 있는 방향족 고리계, 또는 5 내지 30 개의 방향족 고리 원자를 갖고 하나 이상의 R1 라디칼로 치환될 수 있는 헤테로방향족 고리계이고; Ar1 기는 여기서 R1 라디칼을 통해 서로 결합될 수 있음).Ar 3 is an aromatic ring system which in each case is the same or different, and which has 6 to 30 aromatic ring atoms and may be substituted with at least one R 1 radical, or an aromatic ring system having 5 to 30 aromatic ring atoms and being substituted with at least one R 1 radical Lt; / RTI > is a heteroaromatic ring system; Ar 1 group may be bonded to each other via the radicals R 1 here).

본 발명의 문맥에서 방향족 고리계는 고리계 내에 6 내지 60 개의 탄소 원자를 함유한다. 이것은 방향족 고리 원자로서 임의의 헤테로원자를 포함하지 않는다. 본 발명의 문맥에서 방향족 고리계는 따라서 임의의 헤테로아릴 기를 함유하지 않는다. 본 발명의 문맥에서 방향족 고리계는 오로지 아릴 기 만을 반드시 함유하지는 않으나, 또한 다수의 아릴 기가 단일 결합에 의해 또는 비-방향족 단위 (예를 들어 하나 이상의 임의로 치환된 C, Si, N, O 또는 S 원자) 에 의해 결합되는 것이 가능한 시스템을 의미하는 것으로 이해될 것이다. 이 경우, 비-방향족 단위는 시스템 내 H 이외의 원자의 총 수에 대해, 바람직하게는 10% 미만의 H 이외의 원자를 포함한다. 예를 들어, 9,9'-스피로비플루오렌, 9,9'-디아릴플루오렌, 트리아릴아민, 디아릴 에테르 및 스틸벤과 같은 시스템은 또한 본 발명의 문맥에서 방향족 고리계, 마찬가지로 2 개 이상의 아릴 기가 예를 들어, 선형 또는 환형 알킬, 알케닐 또는 알키닐 기에 의해 또는 실릴 기에 의해 연결되는 시스템으로서 간주되어 진다. 부가적으로, 2 개 이상의 아릴 기가 단일 결합을 통해 서로 연결되는 시스템은 또한 본 발명의 문맥에서 방향족 고리계로서, 예를 들어 비페닐 및 터페닐과 같은 시스템으로서 간주되어 진다.In the context of the present invention, the aromatic ring system contains 6 to 60 carbon atoms in the ring system. It does not contain any heteroatoms as aromatic ring atoms. The aromatic ring system in the context of the present invention thus does not contain any heteroaryl groups. In the context of the present invention, an aromatic ring system does not necessarily contain only an aryl group, but may also contain a plurality of aryl groups, either by a single bond or by a non-aromatic unit (e.g., one or more optionally substituted C, Si, N, Quot; atom "). In this case, the non-aromatic units include atoms other than H, preferably less than 10%, relative to the total number of atoms other than H in the system. Systems such as, for example, 9,9'-spirobifluorene, 9,9'-diarylfluorene, triarylamine, diaryl ether and stilbene may also be used in the context of the present invention as aromatic ring systems, More than two aryl groups are connected by, for example, a linear or cyclic alkyl, alkenyl or alkynyl group or by a silyl group. In addition, a system in which two or more aryl groups are connected to each other through a single bond is also regarded as an aromatic ring system in the context of the present invention, for example, as a system such as biphenyl and terphenyl.

본 발명의 문맥에서 헤테로방향족 고리계는 5 내지 60 개의 방향족 고리 원자를 함유하며, 이 중 하나 이상은 헤테로원자이다. 헤테로방향족 고리계의 헤테로원자는 바람직하게는 N, O 및/또는 S 로부터 선택된다. 헤테로방향족 고리계는 방향족 고리계의 상기 언급된 정의에 상응하나, 방향족 고리 원자 중 하나로서 적어도 하나의 헤테로원자를 갖는다. 이러한 방식으로, 이것은 본 정의에 따르면, 방향족 고리 원자로서 임의의 헤테로원자를 함유할 수 없는 본 출원의 정의의 의미에서의 방향족 고리계와 상이하다.In the context of the present invention, the heteroaromatic ring system contains from 5 to 60 aromatic ring atoms, of which at least one is a heteroatom. The heteroatom of the heteroaromatic ring system is preferably selected from N, O and / or S. The heteroaromatic ring system corresponds to the above-mentioned definition of an aromatic ring system, but has at least one heteroatom as one of the aromatic ring atoms. In this way it differs from the aromatic ring system in the sense of the definition of the present application which, according to this definition, can not contain any heteroatoms as aromatic ring atoms.

본 발명의 문맥에서 아릴 기는 6 내지 40 개의 방향족 고리 원자를 함유하며, 이 중 어느 것도 헤테로원자가 아니다. 본 발명의 문맥에서 아릴 기는 단순 방향족 사이클, 즉, 벤젠, 또는 융합 방향족 폴리사이클, 예를 들어 나프탈렌, 페난트렌 또는 안트라센을 의미하는 것으로 이해된다. 융합 방향족 폴리사이클은 본 출원의 문맥에서 서로 융합된 2 개 이상의 단순 방향족 사이클로 이루어진다. 사이클 간의 융합은 여기서 사이클이 서로 적어도 하나의 모서리를 공유하는 것을 의미하는 것으로 이해된다.In the context of the present invention an aryl group contains from 6 to 40 aromatic ring atoms, none of which is a heteroatom. In the context of the present invention an aryl group is understood to mean a simple aromatic cycle, i. E. Benzene, or a fused aromatic polycycle, for example naphthalene, phenanthrene or anthracene. Fused aromatic polycycles are composed of two or more simple aromatic cycles fused together in the context of the present application. Fusion between cycles is understood herein to mean that the cycles share at least one corner with each other.

본 발명의 문맥에서 헤테로아릴 기는 5 내지 40 개의 방향족 고리 원자를 함유하고 이 중 적어도 하나는 헤테로원자이다. 헤테로아릴 기의 헤테로원자는 바람직하게는 N, O 및 S 로부터 선택된다. 본 발명의 문맥에서 헤테로아릴 기는 단순 헤테로방향족 사이클, 예를 들어 피리딘, 피리미딘 또는 티오펜, 또는 융합 헤테로방향족 폴리사이클, 예를 들어 퀴놀린 또는 카르바졸을 의미하는 것으로 이해된다. 본 출원의 문맥에서 융합 헤테로방향족 폴리사이클은 서로 융합된 2 개 이상의 단순 헤테로방향족 사이클로 이루어진다. 사이클 간의 융합은 사이클이 서로 적어도 하나의 모서리를 공유하는 것을 의미하는 것으로 이해된다.In the context of the present invention a heteroaryl group contains from 5 to 40 aromatic ring atoms and at least one of them is a heteroatom. The heteroatom of the heteroaryl group is preferably selected from N, O and S. In the context of the present invention, a heteroaryl group is understood to mean a simple heteroaromatic cycle, for example pyridine, pyrimidine or thiophene, or a fused heteroaromatic poly cycle, for example quinoline or carbazole. In the context of the present application, a fused heteroaromatic poly cycle consists of two or more simple heteroaromatic cycles fused together. Fusion between cycles is understood to mean that the cycles share at least one edge with respect to each other.

6 내지 40 개의 방향족 고리 원자를 갖는 방향족 고리계 또는 5 내지 40 개의 방향족 고리 원자를 갖는 헤테로방향족 고리계는 특히 아릴 기 및 헤테로아릴 기 하에 상기 언급된 기로부터, 및 비페닐, 터페닐, 쿼터페닐, 플루오렌, 스피로비플루오렌, 디히드로페난트렌, 디히드로피렌, 테트라히드로피렌, 인데노플루오렌, 트룩센, 이소트룩센, 스피로트룩센, 스피로이소트룩센, 인데노카르바졸로부터, 또는 이들 기의 조합으로부터 유도되는 기를 의미하는 것으로 이해된다.An aromatic ring system having 6 to 40 aromatic ring atoms or a heteroaromatic ring system having 5 to 40 aromatic ring atoms is particularly preferred from the above-mentioned groups under aryl and heteroaryl groups, and biphenyl, terphenyl, , Indolefluene, indolefluene, tolyloxene, isotropexene, spirotroxene, spiroisosetluxene, indenocarbazole, or combinations thereof. Gt; is understood to mean a group derived from a combination of groups.

아릴 또는 헤테로아릴 기 (이의 각각은 상기 언급된 라디칼로 치환될 수 있고 임의의 원하는 위치를 통해 방향족 또는 헤테로방향족 시스템에 연결될 수 있음) 는, 특히 벤젠, 나프탈렌, 안트라센, 페난트렌, 피렌, 디히드로피렌, 크리센, 페릴렌, 트리페닐렌, 플루오란텐, 벤즈안트라센, 벤조페난트렌, 테트라센, 펜타센, 벤조피렌, 푸란, 벤조푸란, 이소벤조푸란, 디벤조푸란, 티오펜, 벤조티오펜, 이소벤조티오펜, 디벤조티오펜, 피롤, 인돌, 이소인돌, 카르바졸, 피리딘, 퀴놀린, 이소퀴놀린, 아크리딘, 페난트리딘, 벤조-5,6-퀴놀린, 벤조-6,7-퀴놀린, 벤조-7,8-퀴놀린, 페노티아진, 페녹사진, 피라졸, 인다졸, 이미다졸, 벤즈이미다졸, 나프트이미다졸, 페난트리미다졸, 피리디미다졸, 피라진이미다졸, 퀴녹살린이미다졸, 옥사졸, 벤족사졸, 나프톡사졸, 안트록사졸, 페난트록사졸, 이속사졸, 1,2-티아졸, 1,3-티아졸, 벤조티아졸, 피리다진, 벤조피리다진, 피리미딘, 벤조피리미딘, 퀴녹살린, 피라진, 페나진, 나프티리딘, 아자카르바졸, 벤조카르볼린, 페난트롤린, 1,2,3-트리아졸, 1,2,4-트리아졸, 벤조트리아졸, 1,2,3-옥사디아졸, 1,2,4-옥사디아졸, 1,2,5-옥사디아졸, 1,3,4-옥사디아졸, 1,2,3-티아디아졸, 1,2,4-티아디아졸, 1,2,5-티아디아졸, 1,3,4-티아디아졸, 1,3,5-트리아진, 1,2,4-트리아진, 1,2,3-트리아진, 테트라졸, 1,2,4,5-테트라진, 1,2,3,4-테트라진, 1,2,3,5-테트라진, 퓨린, 프테리딘, 인돌리진 및 벤조티아디아졸로부터 유도되는 기를 의미하는 것으로 이해된다.Aryl or heteroaryl groups each of which may be substituted with the radicals mentioned above and which may be connected to the aromatic or heteroaromatic system through any desired position are, in particular, benzene, naphthalene, anthracene, phenanthrene, pyrene, dihydro Examples of the organic peroxides include pyrene, chrysene, perylene, triphenylene, fluoranthene, benzanthracene, benzophenanthrene, tetracene, pentacene, benzopyrylene, furan, benzofuran, isobenzofuran, dibenzofuran, thiophene, benzothiophene , Isobenzothiophene, dibenzothiophene, pyrrole, indole, isoindole, carbazole, pyridine, quinoline, isoquinoline, acridine, phenanthridine, benzo-5,6-quinoline, Quinoline, benzo-7,8-quinoline, phenothiazine, phenoxazine, pyrazole, indazole, imidazole, benzimidazole, naphthimidazole, phenanthymidazole, pyridimidazole, pyrazinimidazole, Quinoxaline imidazole, oxazole, benzoxazole, naphthoxazole, Benzothiazide, pyridazine, benzopyridazine, pyrimidine, benzopyrimidine, quinoxaline, pyrazine, phenazine, naphtho, phenanthroline, isothiazole, 1,2,4-triazole, 1,2,4-triazole, benzotriazole, 1,2,3-oxadiazole, 1,2, Oxadiazole, 1,2,4-thiadiazole, 1,2,4-thiadiazole, 1,2,3-thiadiazole, 1,2,4- 1,3,4-thiadiazole, 1,3,5-triazine, 1,2,4-triazine, 1,2,3-triazine, tetrazole, 1,2, Is understood to mean a group derived from 4,5-tetrazine, 1,2,3,4-tetrazine, 1,2,3,5-tetrazine, purine, pteridine, indolizine and benzothiadiazole do.

본 발명의 문맥에서, 1 내지 20 개의 탄소 원자를 갖는 직쇄 알킬 기 및 3 내지 20 개의 탄소 원자를 갖는 분지형 또는 환형 알킬 기 및 2 내지 20 개의 탄소 원자를 갖는 알케닐 또는 알키닐 기 (이때 개별 수소 원자 또는 CH2 기는 또한 라디칼의 정의에서 상기 언급된 기로 대체될 수 있음) 는 바람직하게는 메틸, 에틸, n-프로필, i-프로필, n-부틸, i-부틸, s-부틸, t-부틸, 2-메틸부틸, n-펜틸, s-펜틸, 시클로펜틸, 네오펜틸, n-헥실, 시클로헥실, 네오헥실, n-헵틸, 시클로헵틸, n-옥틸, 시클로옥틸, 2-에틸헥실, 트리플루오로메틸, 펜타플루오로에틸, 2,2,2-트리플루오로에틸, 에테닐, 프로페닐, 부테닐, 펜테닐, 시클로펜테닐, 헥세닐, 시클로헥세닐, 헵테닐, 시클로헵테닐, 옥테닐, 시클로옥테닐, 에티닐, 프로피닐, 부티닐, 펜티닐, 헥시닐 또는 옥티닐 라디칼을 의미하는 것으로 이해된다.In the context of the present invention, a straight chain alkyl group having from 1 to 20 carbon atoms and a branched or cyclic alkyl group having from 3 to 20 carbon atoms and an alkenyl or alkynyl group having from 2 to 20 carbon atoms, A hydrogen atom or a CH 2 group may also be replaced by the above-mentioned groups in the definition of a radical) is preferably methyl, ethyl, n-propyl, i-propyl, n-butyl, N-pentyl, n-pentyl, neopentyl, n-hexyl, cyclohexyl, neohexyl, n-heptyl, cycloheptyl, n-octyl, cyclooctyl, Propyl, butenyl, pentenyl, cyclopentenyl, hexenyl, cyclohexenyl, heptenyl, cycloheptenyl, cyclopentenyl, cycloheptenyl , Octenyl, cyclooctenyl, ethynyl, propynyl, butynyl, pentynyl, hexynyl or octynyl radicals It is understood that.

1 내지 20 개의 탄소 원자를 갖는 알콕시 또는 티오알킬 기 (이때 개별 수소 원자 또는 CH2 기는 또한 라디칼의 정의에서 상기 언급된 기로 대체될 수 있음) 는 바람직하게는 메톡시, 트리플루오로메톡시, 에톡시, n-프로폭시, i-프로폭시, n-부톡시, i-부톡시, s-부톡시, t-부톡시, n-펜톡시, s-펜톡시, 2-메틸부톡시, n-헥속시, 시클로헥실옥시, n-헵톡시, 시클로헵틸옥시, n-옥틸옥시, 시클로옥틸옥시, 2-에틸헥실옥시, 펜타플루오로에톡시, 2,2,2-트리플루오로에톡시, 메틸티오, 에틸티오, n-프로필티오, i-프로필티오, n-부틸티오, i-부틸티오, s-부틸티오, t-부틸티오, n-펜틸티오, s-펜틸티오, n-헥실티오, 시클로헥실티오, n-헵틸티오, 시클로헵틸티오, n-옥틸티오, 시클로옥틸티오, 2-에틸헥실티오, 트리플루오로메틸티오, 펜타플루오로에틸티오, 2,2,2-트리플루오로에틸티오, 에테닐티오, 프로페닐티오, 부테닐티오, 펜테닐티오, 시클로펜테닐티오, 헥세닐티오, 시클로헥세닐티오, 헵테닐티오, 시클로헵테닐티오, 옥테닐티오, 시클로옥테닐티오, 에티닐티오, 프로피닐티오, 부티닐티오, 펜티닐티오, 헥시닐티오, 헵티닐티오 또는 옥티닐티오를 의미하는 것으로 이해된다.An alkoxy or thioalkyl group having from 1 to 20 carbon atoms wherein the individual hydrogen atoms or CH 2 groups may also be replaced by the abovementioned groups in the definition of radicals are preferably methoxy, trifluoromethoxy, ethoxy n-propoxy, i-propoxy, n-butoxy, i-butoxy, s-butoxy, t-butoxy, n-pentoxy, s-pentoxy, Cyclohexyloxy, cyclohexyloxy, cyclohexyloxy, cycloheptyloxy, cyclohexyloxy, cyclohexyloxy, 2-ethylhexyloxy, pentafluoroethoxy, 2,2,2-trifluoroethoxy, Propylthio, n-butylthio, i-butylthio, s-butylthio, t-butylthio, n-pentylthio, , Cyclohexylthio, n-heptylthio, cycloheptylthio, n-octylthio, cyclooctylthio, 2-ethylhexylthio, trifluoromethylthio, pentafluoroethylthio, 2,2,2-trifluoro ethyl Cyclohexenylthio, heptenylthio, cycloheptenylthio, octenylthio, cyclooctenylthio, cyclopentenylthio, cyclohexenylthio, cyclohexenylthio, heptenylthio, cycloheptenylthio, Ethynylthio, propynylthio, butynylthio, pentynylthio, hexynylthio, heptynylthio or octynylthio.

2 개 이상의 라디칼이 함께 고리를 형성할 수 있다는 말은, 본 출원의 문맥에서, 특히, 2 개의 라디칼이 화학 결합에 의해 서로 연결되는 것을 의미하는 것으로 이해될 것이다. 부가적으로, 그러나, 상기 언급된 말은 또한 2 개의 라디칼 중 하나가 수소인 경우, 두번째 라디칼이 수소 원자가 결합된 위치에 결합되어, 고리를 형성하는 것을 의미하는 것으로 이해될 것이다.The term that two or more radicals can form a ring together means that, in the context of the present application, in particular, two radicals are connected to one another by chemical bonds. In addition, however, the above-mentioned mention also will be understood to mean that when one of the two radicals is hydrogen, the second radical is bonded at the position at which the hydrogen atom is bonded to form a ring.

화합물 A 는 바람직하게는 모노아릴아민이다. 모노아릴아민은 여기서 단일 아릴아미노 기 및 1 개 이하를 갖는 화합물을 의미하는 것으로 이해된다. 바람직하게는, 화합물은 모노트리아릴아미노 화합물로, 이것은 단일 트리아릴아미노 기를 갖는 것을 의미한다. 용어 "트리아릴아미노 기" 는 바람직하게는 또한 아미노 질소에 결합된 헤테로아릴 기를 함유하는 화합물을 의미하는 것으로 이해된다. 추가로 바람직하게는, 화합물 A 는 단일 아미노 기를 갖는다. 본 출원의 정의에 따르면, 카르바졸 기는 아릴아미노 기 또는 아미노 기로서 계수되지 않는다는 것을 유념해야만 한다.Compound A is preferably a monoarylamine. Monoarylamine is understood herein to mean a compound having a single arylamino group and not more than one. Preferably, the compound is a monotriarylamino compound, meaning that it has a single triarylamino group. The term "triarylamino group" is preferably understood also to mean a compound containing a heteroaryl group also bonded to an amino nitrogen. Further preferably, compound A has a single amino group. According to the definition of the present application, it should be noted that the carbazole group is not counted as an arylamino group or an amino group.

본 발명의 추가의 바람직한 구현예에 따르면, 화합물 A 는 10 개 초과의 방향족 고리 원자를 갖는 융합 아릴 기 또는 14 개 초과의 방향족 고리 원자를 갖는 융합 헤테로아릴 기 어느 것도 함유하지 않는다.According to a further preferred embodiment of the invention, compound A contains neither a fused aryl group having more than 10 aromatic ring atoms or a fused heteroaryl group having more than 14 aromatic ring atoms.

바람직하게는, A1 은 각 경우 동일 또는 상이하고, 1 내지 20 개의 탄소 원자를 갖고 하나 이상의 R1 라디칼로 치환될 수 있는 알킬 기, 또는 Ar1 이다. 바람직하게는, 화합물 A 중의 적어도 하나의 A1 기는 Ar1 이고; 더욱 바람직하게는, 화합물 A 중의 두 A1 기는 Ar1 이다.Preferably, A 1 is each occurrence the same or different, one to the alkyl group which may be substituted having to 20 carbon atoms with one or more radicals R 1, or Ar 1. Preferably, at least one A 1 group in Compound A is Ar 1 ; More preferably, the two A < 1 > groups in compound A are Ar < 1 & gt ;.

Ar1 은 바람직하게는 각 경우 동일 또는 상이하고, 6 내지 40 개의 방향족 고리 원자를 갖고 하나 이상의 R1 라디칼로 치환될 수 있는 방향족 고리계, 또는 5 내지 40 개의 방향족 고리 원자를 갖고 하나 이상의 R1 라디칼로 치환될 수 있는 헤테로방향족 고리계이다.Ar 1 is preferably an aromatic ring system which is in each case the same or different, and which has 6 to 40 aromatic ring atoms and may be substituted with at least one R 1 radical, or an aromatic ring system having 5 to 40 aromatic ring atoms and having at least one R 1 Lt; / RTI > is a heteroaromatic ring system that may be substituted with a radical.

바람직하게는, 화학식 (A) 의 화합물 중의 적어도 하나의 Ar1 기는 하나 이상의 R1 라디칼로 임의로 치환되고 페닐, 비페닐, 터페닐, 쿼터페닐, 나프틸, 페난트릴, 플루오란테닐, 플루오레닐, 인데노플루오레닐, 스피로비플루오레닐, 푸라닐, 벤조푸라닐, 이소벤조푸라닐, 디벤조푸라닐, 티오페닐, 벤조티오페닐, 이소벤조티오페닐, 디벤조티오페닐, 인돌릴, 이소인돌릴, 카르바졸릴, 인돌로카르바졸릴, 인데노카르바졸릴, 피리딜, 퀴놀리닐, 이소퀴놀리닐, 아크리딜, 페난트리딜, 벤즈이미다졸릴, 피리미딜, 피라지닐 및 트리아지닐로부터 선택되는 기이고; 이들 중에서 특히 바람직한 것은 페닐, 비페닐, 터페닐, 쿼터페닐, 나프틸, 페난트릴, 플루오란테닐, 플루오레닐, 인데노플루오레닐, 스피로비플루오레닐, 디벤조푸라닐, 디벤조티오페닐, 카르바졸릴, 아크리딜 및 페난트리딜이다.Preferably, at least one Ar 1 group in the compound of formula (A) is optionally substituted with one or more R 1 radicals and is selected from the group consisting of phenyl, biphenyl, terphenyl, quarter phenyl, naphthyl, phenanthryl, fluoranthenyl, fluorenyl , Indanofluorenyl, spirobifluorenyl, furanyl, benzofuranyl, isobenzofuranyl, dibenzofuranyl, thiophenyl, benzothiophenyl, isobenzothiophenyl, dibenzothiophenyl, indolyl, Isoindolyl, carbazolyl, indolocarbazolyl, indenocarbazolyl, pyridyl, quinolinyl, isoquinolinyl, acridyl, phenanthridyl, benzimidazolyl, pyrimidyl, pyrazinyl And triazinyl; Especially preferred among these are phenyl, biphenyl, terphenyl, quaterphenyl, naphthyl, phenanthryl, fluoranthenyl, fluorenyl, indenofluorenyl, spirobifluorenyl, dibenzofuranyl, Phenyl, carbazolyl, acridyl and phenanthridyl.

R1 은 바람직하게는 각 경우 동일 또는 상이하고, H, D, F, CN, Si(R2)3, 1 내지 10 개의 탄소 원자를 갖는 직쇄 알킬 또는 알콕시 기, 3 내지 10 개의 탄소 원자를 갖는 분지형 또는 환형 알킬 또는 알콕시 기, 6 내지 40 개의 방향족 고리 원자를 갖는 방향족 고리계 및 5 내지 40 개의 방향족 고리 원자를 갖는 헤테로방향족 고리계로부터 선택되고; 이때 언급된 알킬 및 알콕시 기, 언급된 방향족 고리계 및 언급된 헤테로방향족 고리계는 각각 하나 이상의 R2 라디칼로 치환될 수 있고; 언급된 알킬 또는 알콕시 기 중의 하나 이상의 CH2 기는 -C≡C-, -R2C=CR2-, Si(R2)2, C=O, C=NR2, -O-, -S-, -C(=O)O- 또는 -C(=O)NR2- 로 대체될 수 있다.R 1 is preferably identical or different in each case and is selected from the group consisting of H, D, F, CN, Si (R 2 ) 3 , a straight chain alkyl or alkoxy group having 1 to 10 carbon atoms, Branched or cyclic alkyl or alkoxy group, an aromatic ring system having 6 to 40 aromatic ring atoms and a heteroaromatic ring system having 5 to 40 aromatic ring atoms; The alkyl and alkoxy groups mentioned, the mentioned aromatic ring systems and the mentioned heteroaromatic ring systems may each be substituted by one or more R < 2 > radicals; At least one CH 2 of the mentioned alkyl or alkoxy groups are -C≡C-, -R 2 C = CR 2 -, Si (R 2) 2, C = O, C = NR 2, -O-, -S- , -C (= O) O-, or -C (= O) NR 2 -.

바람직하게는, 화학식 (A) 의 화합물에서 적어도 하나의 Ar1 기, 더욱 바람직하게는 모든 Ar1 기는 각 경우 동일 또는 상이하고, 하기 기로부터 선택되고, 이들 각각은 제시된 비치환된 위치 중 임의의 것에서 하나 이상의 R1 라디칼로 치환될 수 있다:Preferably, at least one Ar 1 group, more preferably all Ar 1 groups in the compounds of formula (A) are in each case the same or different and are selected from the following groups, Lt; RTI ID = 0.0 > Rl < / RTI > radicals:

Figure pct00003
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Figure pct00004
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Figure pct00005
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Figure pct00006
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Figure pct00007
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Figure pct00008
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바람직하게는, 화합물 A 는 상기 정의된 바와 같은 화학식 (B) 의 화합물을 제외한, 하기 화학식 중 하나에 상응한다:Preferably, compound A corresponds to one of the following formulas, except for the compound of formula (B) as defined above:

Figure pct00009
Figure pct00009

Figure pct00010
Figure pct00010

(식 중, 하나 이상의 R1 라디칼은 제시된 비치환된 위치 중 임의의 것에 결합될 수 있고, 발생하는 변수는 하기와 같다:Wherein one or more of the R < 1 > radicals can be attached to any of the indicated unsubstituted positions and the resulting variables are as follows:

Z 는 각 경우 동일 또는 상이하고, CR1 또는 N 이고;Z is in each case the same or different and is CR < 1 > or N;

X 는 각 경우 동일 또는 상이하고, 단일 결합, O, S, C(R1)2, Si(R1)2, PR1, C(R1)2-C(R1)2, 또는 CR1=CR1 이고;X which may be the same or different and each occurrence, a single bond, O, S, C (R 1) 2, Si (R 1) 2, PR 1, C (R 1) 2 -C (R 1) 2, or CR 1 = CR < 1 & gt ;;

Y 는 각 경우 동일 또는 상이하고, O, S, C(R1)2, Si(R1)2, PR1, NR1, C(R1)2-C(R1)2, 또는 CR1=CR1 이고;Y which may be the same or different and each occurrence, O, S, C (R 1) 2, Si (R 1) 2, PR 1, NR 1, C (R 1) 2 -C (R 1) 2, or CR 1 = CR < 1 & gt ;;

Ar1 은 상기 정의된 바와 같고;Ar < 1 > is as defined above;

Ar2 는 6 내지 20 개의 방향족 고리 원자를 갖고 하나 이상의 R1 라디칼로 치환될 수 있는 방향족 고리계, 또는 5 내지 20 개의 방향족 고리 원자를 갖고 하나 이상의 R1 라디칼로 치환될 수 있는 헤테로방향족 고리계이고;Ar 2 represents an aromatic ring system having 6 to 20 aromatic ring atoms and which may be substituted with at least one R 1 radical or a heteroaromatic ring system having 5 to 20 aromatic ring atoms and which may be substituted with at least one R 1 radical ego;

n, p, q 는 동일 또는 상이하고 각각 0 또는 1 임).n, p, q Are the same or different and each is 0 or 1).

하나의 고리 중의 3 개 이하의 Z 기가 N 인 것이 바람직하다. 바람직하게는 2 개 이하의 인접 Z 기는 N 이다. 더욱 바람직하게는, Z 는 CR1 이다.It is preferred that at most three of the Z groups in one ring are N. Preferably, not more than two adjacent Z groups are N. More preferably, Z is CR < 1 & gt ;.

X 는 각 경우 동일 또는 상이하고, 단일 결합, O, S 또는 (CR1)2 인 것이 바람직하다.X is in each case the same or different and is preferably a single bond, O, S or (CR < 1 >) 2 .

바람직하게는, 지수 p 및 q 중 적어도 하나는 1 이다. 바람직하게는, 지수 p 및 q 의 총 합은 1 이다.Preferably, at least one of the indices p and q is one. Preferably, the sum of the exponents p and q is one.

바람직하게는, 상기 언급된 화학식 중의 Ar1 은 Ar1 의 상기 언급된 바람직한 구현예로부터 선택되는 (A-I) 내지 (A-IX) 이다.Preferably, Ar 1 in the above-mentioned formula is (AI) to (A-IX) is selected from the above-mentioned preferred embodiment of Ar 1.

바람직하게는, Ar2 는 벤젠, 나프탈렌, 페난트렌, 플루오란텐, 비페닐, 터페닐, 쿼터페닐, 플루오렌, 인데노플루오렌, 스피로비플루오렌, 푸란, 벤조푸란, 이소벤조푸란, 디벤조푸란, 티오펜, 벤조티오펜, 이소벤조티오펜, 디벤조티오펜, 인돌, 이소인돌, 카르바졸, 인돌로카르바졸, 인데노카르바졸, 피리딘, 퀴놀린, 이소퀴놀린, 아크리딘, 페난트리딘, 벤즈이미다졸, 피리미딘, 피라진 및 트리아진으로부터 선택되는 적어도 하나의 기를 포함하고, 이때 언급된 기는 하나 이상의 R1 라디칼로 치환될 수 있다. 바람직하게는, Ar2 는 오로지 상기 언급된 기 중 하나 또는 다수의 상기 언급된 기의 조합으로 이루어진다.Preferably Ar 2 is selected from the group consisting of benzene, naphthalene, phenanthrene, fluoranthene, biphenyl, terphenyl, quaterphenyl, fluorene, indenofluorene, spirobifluorene, furan, benzofuran, isobenzofuran, di Benzofuran, thiophene, benzothiophene, isobenzothiophene, dibenzothiophene, indole, isoindole, carbazole, indolocarbazole, indenocarbazole, pyridine, quinoline, isoquinoline, acridine, tree Dean, benz may already be substituted with imidazole, pyrimidine, pyrazine and triazine and at least one contains a group, wherein the abovementioned one or more groups R 1 radicals are selected from. Preferably, Ar < 2 > consists solely of a combination of one or more of the above-mentioned groups.

바람직하게는, Ar2 는 각 경우 동일 또는 상이하고, 하기 기로부터 선택되고, 이들 각각은 제시된 비치환된 위치 중 임의의 것에서 하나 이상의 R1 라디칼로 치환될 수 있다:Preferably, Ar 2 is in each case the same or different and is selected from the following radicals, each of which may be substituted by one or more R 1 radicals at any of the indicated unsubstituted positions:

Figure pct00011
Figure pct00011

Figure pct00012
Figure pct00012

화학식 (A) 의 화합물의 바람직한 구현예는 하기 화합물이다:Preferred embodiments of the compounds of formula (A) are the following compounds:

Figure pct00013
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화합물 A 의 다양한 구현예에 대한 제조 방법이 종래 기술에 공지된다. 다른 문헌 중에서, 당업자는 문헌 WO 2006/122630, WO 2006/100896, EP 1661888, WO 2012/034627, WO 2013/120577, WO 2014/015937, WO 2014/015938, WO 2014/015935, WO 2013/083216 및 WO 2012/150001 의 기재를 참조할 수 있다.Methods for making various embodiments of Compound A are known in the art. Among other documents, those skilled in the art will appreciate that in WO 2006/122630, WO 2006/100896, EP 1661888, WO 2012/034627, WO 2013/120577, WO 2014/015937, WO 2014/015938, WO 2014/015935, WO 2013/083216 and WO 2012/150001 can be referred to.

화합물 P 는 상기 언급된 정의의 의미에서 p-도판트이다. 상기 이론에 구애되지 않고, 화합물 P 가 화합물 A 와 혼합되어 존재하는 경우, 화합물 A 와 착물을 형성하는 루이스 산이라고 가정된다. 화합물 A 는 여기서 루이스 염기로서 작용한다. 상기 이론에 구애되지 않고, 착물은 화합물 P 의 비스무트 금속 원자와 상호작용하는 화합물 A 중의 자유 전자쌍에 의해 형성된다.Compound P is a p-dopant in the sense of the above-mentioned definition. Without being bound by the above theories, it is assumed that when compound P is present in admixture with compound A, it is a Lewis acid which forms a complex with compound A. Compound A functions here as a Lewis base. Without being bound by any of the above theories, the complex is formed by a free electron pair in compound A that interacts with the bismuth metal atom of compound P. [

화합물 P 는 비스무트의 단핵 착물, 비스무트의 이핵 착물 또는 비스무트의 다핵 착물일 수 있다. 화합물 P 가 이것이 기체 상에 존재하는 경우에는 비스무트의 단핵 착물이고, 이것이 고체 상에 존재하는 경우에는 비스무트의 다핵 착물인 것이 가능하다. 이것은 화합물 P 가 물질의 상태에 따라 중합 또는 해중합될 수 있는 것을 의미한다.The compound P may be a mononuclear complex of bismuth, a bismuth binuclear complex or a polynuclear complex of bismuth. Compound P is a mononuclear complex of bismuth when it is present in a gaseous phase, and it can be a polynuclear complex of bismuth when it is present in a solid phase. This means that the compound P can be polymerized or depolymerized depending on the state of the substance.

비스무트의 착물은 바람직하게는 (II), (III) 또는 (V) 산화 상태로의 비스무트의 착물이다. 이것은 더욱 바람직하게는 (III) 산화 상태로의 비스무트의 착물이다.The complex of bismuth is preferably a complex of bismuth into the (II), (III) or (V) oxidation state. This is more preferably a complex of bismuth to the (III) oxidation state.

바람직하게는, 비스무트의 착물은 유기 화합물인 적어도 하나의 리간드 L 을 갖는다. 리간드 L 은 바람직하게는 한자리, 두자리 및 세자리 리간드로부터, 더욱 바람직하게는 한자리 리간드로부터 선택된다. 추가로 바람직하게는, 리간드 L 은 음으로 하전되고, 바람직하게는 삼중으로, 이중으로 또는 단일로 음으로 하전되고, 더욱 바람직하게는 단일로 음으로 하전된다.Preferably, the complex of bismuth has at least one ligand L which is an organic compound. The ligand L is preferably selected from mono-, bi- and tridentate ligands, more preferably monodentate ligands. Further preferably, the ligand L is negatively charged, preferably negatively charged in triplicate, doubly or singly, and more preferably negative negatively.

비스무트 원자에 결합하는 리간드 L 의 기는 바람직하게는 카르복실산 기, 티오카르복실산 기, 특히 티올산 기, 티온산 기 및 디티올산 기, 카르복사미드 기 및 카르복시미드 기로부터, 더욱 바람직하게는 카르복실산 기로부터 선택된다.The group of the ligand L bonded to the bismuth atom is preferably selected from a carboxylic acid group, a thiocarboxylic acid group, particularly a thiol acid group, a thionic acid group and a dithiolic acid group, a carboxamide group and a carboximide group, Carboxylic acid group.

바람직하게는, 리간드 L 은 하기 화학식 (L-I), (L-II), (L-III) 및 (L-IV) 중 하나에 상응한다:Preferably, the ligand L corresponds to one of the following formulas (L-I), (L-II), (L-III) and (L-IV)

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(식 중:(Wherein:

W 는 카르복실산 기, 티오카르복실산 기, 특히 티올산 기, 티온산 기 및 디티올산 기, 카르복사미드 기 및 카르복시미드 기로부터, 더욱 바람직하게는 카르복실산 기로부터 선택되고;W is selected from a carboxylic acid group, a thiocarboxylic acid group, in particular a thiol acid group, a thionic acid group and a dithiolic acid group, a carboxamide group and a carboximide group, more preferably a carboxylic acid group;

U 는 각 경우 동일 또는 상이하고, W 기가 그곳에 결합되지 않는 경우 N 및 CR3 으로부터 선택되고, U 는 W 기가 그곳에 결합되는 경우 C 이고;U is in each case the same or different and is selected from N and CR 3 when the W group is not bonded thereto and U is C when the W group is bonded thereto;

R3 은 각 경우 동일 또는 상이하고, H, D, F, Cl, Br, I, CN, NO2, CF3, 1 내지 20 개의 탄소 원자를 갖는 직쇄 알킬 또는 알콕시 기, 3 내지 20 개의 탄소 원자를 갖는 분지형 또는 환형 알킬 또는 알콕시 기, 2 내지 20 개의 탄소 원자를 갖는 알케닐 또는 알키닐 기, 6 내지 40 개의 방향족 고리 원자를 갖는 방향족 고리계, 및 5 내지 40 개의 방향족 고리 원자를 갖는 헤테로방향족 고리계로부터 선택되고; 이때 언급된 알킬, 알콕시, 알케닐 및 알키닐 기 및 언급된 방향족 고리계 및 헤테로방향족 고리계는 각각 하나 이상의 R4 라디칼로 치환될 수 있고; 언급된 알킬, 알콕시, 알케닐 및 알키닐 기 중의 하나 이상의 CH2 기는 -R4C=CR4-, -C≡C-, Si(R4)2, C=O, C=NR4, -C(=O)O-, -C(=O)NR4-, P(=O)(R4), -O-, -S-, SO 또는 SO2 로 대체될 수 있고;R 3 is in each case the same or different and is selected from H, D, F, Cl, Br, I, CN, NO 2 , CF 3 , a straight chain alkyl or alkoxy group having from 1 to 20 carbon atoms, , An aromatic ring system having 6 to 40 aromatic ring atoms, and an aromatic ring system having 5 to 40 aromatic ring atoms and having a substituent selected from the group consisting of a branched or cyclic alkyl or alkoxy group having 1 to 20 carbon atoms, an alkenyl or alkynyl group having 2 to 20 carbon atoms, An aromatic ring system; The alkyl, alkoxy, alkenyl and alkynyl groups mentioned and the aromatic and heteroaromatic ring systems mentioned may each be substituted by one or more R < 4 > radicals; At least one CH 2 group of the mentioned alkyl, alkoxy, alkenyl and alkynyl groups may be replaced by -R 4 C═CR 4 -, -C≡C-, Si (R 4 ) 2 , C═O, C═NR 4 , C (= O) O-, -C (= O) NR 4 -, P (= O) (R 4), -O-, -S-, may be replaced by SO or SO 2;

R4 는 각 경우 동일 또는 상이하고, H, D, F, Cl, CN, NO2, 1 내지 20 개의 탄소 원자를 갖는 알킬 기, 6 내지 40 개의 방향족 고리 원자를 갖는 방향족 고리계 및 5 내지 40 개의 방향족 고리 원자를 갖는 헤테로방향족 고리계로부터 선택되고; 이때 2 개 이상의 R4 라디칼은 서로 연결될 수 있고 고리를 형성할 수 있고; 언급된 알킬 기, 방향족 고리계 및 헤테로방향족 고리계는 F, Cl, CN 및 NO2 로 치환될 수 있고;R 4 is in each case the same or different and represents H, D, F, Cl, CN, NO 2 , an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, an aromatic ring system having 6 to 40 aromatic ring atoms, Heteroaromatic ring system having one or more aromatic ring atoms; Wherein two or more R < 4 > radicals may be connected to one another and may form a ring; The alkyl groups, aromatic ring systems and heteroaromatic ring systems mentioned may be substituted by F, Cl, CN and NO 2 ;

R5 는 각 경우 동일 또는 상이하고, H, D, F, C(=O)R4, CN, Si(R4)3, P(=O)(R4)2, OR4, S(=O)R4, S(=O)2R4, 1 내지 20 개의 탄소 원자를 갖는 직쇄 알킬 또는 알콕시 기, 3 내지 20 개의 탄소 원자를 갖는 분지형 또는 환형 알킬 또는 알콕시 기, 2 내지 20 개의 탄소 원자를 갖는 알케닐 또는 알키닐 기, 6 내지 40 개의 방향족 고리 원자를 갖는 방향족 고리계, 및 5 내지 40 개의 방향족 고리 원자를 갖는 헤테로방향족 고리계로부터 선택되고; 이때 2 개 이상의 R1 라디칼은 서로 연결될 수 있고 고리를 형성할 수 있고; 언급된 알킬, 알콕시, 알케닐 및 알키닐 기 및 언급된 방향족 고리계 및 헤테로방향족 고리계는 각각 하나 이상의 R4 라디칼로 치환될 수 있고; 언급된 알킬, 알콕시, 알케닐 및 알키닐 기 중의 하나 이상의 CH2 기는 -R4C=CR4-, -C≡C-, Si(R4)2, C=O, C=NR4, -C(=O)O-, -C(=O)NR4-, P(=O)(R4), -O-, -S-, SO 또는 SO2 로 대체될 수 있고;R 5 is the same or different in each case and is H, D, F, C (═O) R 4 , CN, Si (R 4 ) 3 , P (═O) (R 4 ) 2 , OR 4 , O) R 4 , S (= O) 2 R 4 , a straight chain alkyl or alkoxy group having 1 to 20 carbon atoms, a branched or cyclic alkyl or alkoxy group having 3 to 20 carbon atoms, An alkenyl or alkynyl group having an atom, an aromatic ring system having 6 to 40 aromatic ring atoms, and a heteroaromatic ring system having 5 to 40 aromatic ring atoms; Wherein two or more R < 1 > radicals may be connected to one another and may form a ring; The alkyl, alkoxy, alkenyl and alkynyl groups mentioned and the aromatic and heteroaromatic ring systems mentioned may each be substituted by one or more R < 4 > radicals; At least one CH 2 group of the mentioned alkyl, alkoxy, alkenyl and alkynyl groups may be replaced by -R 4 C═CR 4 -, -C≡C-, Si (R 4 ) 2 , C═O, C═NR 4 , C (= O) O-, -C (= O) NR 4 -, P (= O) (R 4), -O-, -S-, may be replaced by SO or SO 2;

R6 은 각 경우 동일 또는 상이하고, H, D, F, Cl, Br, I, CN, NO2, CF3, 1 내지 20 개의 탄소 원자를 갖는 직쇄 알킬 또는 알콕시 기, 3 내지 20 개의 탄소 원자를 갖는 분지형 또는 환형 알킬 또는 알콕시 기, 2 내지 20 개의 탄소 원자를 갖는 알케닐 또는 알키닐 기, 6 내지 40 개의 방향족 고리 원자를 갖는 방향족 고리계, 및 5 내지 40 개의 방향족 고리 원자를 갖는 헤테로방향족 고리계로부터 선택되고; 언급된 알킬, 알콕시, 알케닐 및 알키닐 기 및 언급된 방향족 고리계 및 헤테로방향족 고리계는 각각 하나 이상의 R4 라디칼로 치환될 수 있고; 언급된 알킬, 알콕시, 알케닐 및 알키닐 기 중의 하나 이상의 CH2 기는 -R4C=CR4-, -C≡C-, Si(R4)2, C=O, C=NR4, -C(=O)O-, -C(=O)NR4-, P(=O)(R4), -O-, -S-, SO 또는 SO2 로 대체될 수 있음).R 6 is the same or different in each case and is selected from H, D, F, Cl, Br, I, CN, NO 2 , CF 3 , a straight chain alkyl or alkoxy group having 1 to 20 carbon atoms, , An aromatic ring system having 6 to 40 aromatic ring atoms, and an aromatic ring system having 5 to 40 aromatic ring atoms and having a substituent selected from the group consisting of a branched or cyclic alkyl or alkoxy group having 1 to 20 carbon atoms, an alkenyl or alkynyl group having 2 to 20 carbon atoms, An aromatic ring system; The alkyl, alkoxy, alkenyl and alkynyl groups mentioned and the aromatic and heteroaromatic ring systems mentioned may each be substituted by one or more R < 4 > radicals; At least one CH 2 group of the mentioned alkyl, alkoxy, alkenyl and alkynyl groups may be replaced by -R 4 C═CR 4 -, -C≡C-, Si (R 4 ) 2 , C═O, C═NR 4 , C (= O) O-, -C (= O) NR 4 -, P (= O) (R 4), may be replaced by -O-, -S-, SO or SO 2).

바람직하게는, 화학식 (L-I) 내지 (L-III) 각각에서, F, Cl, Br, I, CN, NO2 및 1 내지 20 개의 탄소 원자 및 F, Cl, CN 및 NO2 로부터 선택되는 적어도 하나의 치환기를 갖는 알킬 기로부터 선택되는, 적어도 하나의 R3 기가 존재한다. 언급된 기 중에서, 특히 바람직한 것은 F, Cl, CN 및 CF3 이다.Preferably, in each of formulas (LI) to (L-III), at least one selected from F, Cl, Br, I, CN, NO 2 and 1 to 20 carbon atoms and F, Cl, CN and NO 2 ≪ / RTI > wherein at least one R < 3 > group is present. Of the mentioned group, especially preferred is F, Cl, CN and CF 3.

더욱 바람직하게는, 상기 종류의 1 개, 2 개 또는 3 개의 R3 기, 가장 바람직하게는 3 개가 존재한다.More preferably, there are one, two or three R < 3 > groups of this kind, most preferably three.

바람직하게는, 화학식 (L-IV) 에서, F, Cl, Br, I, CN, NO2 및 1 내지 20 개의 탄소 원자 및 F, Cl, CN 및 NO2 로부터 선택되는 적어도 하나의 치환기를 갖는 알킬 기로부터 선택되는, 적어도 하나의 R6 기가 존재한다. 언급된 기 중에서, 특히 바람직한 것은 F, Cl, CN 및 CF3 이다.Preferably, in the formula (L-IV), alkyl having at least one substituent selected from F, Cl, Br, I, CN, NO 2 and 1 to 20 carbon atoms and F, Cl, CN and NO 2 Gt; R < 6 > groups are present. Of the mentioned group, especially preferred is F, Cl, CN and CF 3.

더욱 바람직하게는, 상기 종류의 1 개, 2 개 또는 3 개의 R6 기, 가장 바람직하게는 3 개가 존재한다.More preferably, there are one, two or three R < 6 > groups of this kind, most preferably three.

바람직한 리간드 L 은 불소화된 벤조산 유도체, 불소화된 또는 비-불소화된 페닐아세트산 유도체 및 불소화된 또는 비-불소화된 아세트산 유도체로부터 선택된다.Preferred ligands L are selected from fluorinated benzoic acid derivatives, fluorinated or non-fluorinated phenylacetic acid derivatives and fluorinated or non-fluorinated acetic acid derivatives.

바람직한 불소화된 벤조산 유도체의 예는 2-(트리플루오로메틸)벤조산; 3,5-디플루오로벤조산; 3-히드록시-2,4,6-트리요오도벤조산; 3-플루오로-4-메틸벤조산; 3-(트리플루오로메톡시)벤조산; 4-(트리플루오로메톡시)벤조산; 4-클로로-2,5-디플루오로벤조산; 2-클로로-4,5-디플루오로벤조산; 2,4,5-트리플루오로벤조산; 2-플루오로벤조산; 4-플루오로벤조산; 2,3,4-트리플루오로벤조산; 2,3,5-트리플루오로벤조산; 2,3-디플루오로벤조산; 2,4-비스(트리플루오로메틸)벤조산; 2,4-디플루오로벤조산; 2,5-디플루오로벤조산; 2,6-비스(트리플루오로메틸)벤조산; 2,6-디플루오로벤조산; 2-클로로-6-플루오로벤조산; 2-플루오로-4-(트리플루오로메틸)벤조산; 2-플루오로-5-(트리플루오로메틸)벤조산; 2-플루오로-6-(트리플루오로메틸)벤조산; 3,4,5-트리플루오로벤조산; 3,4-디플루오로벤조산; 3,5-비스(트리플루오로메틸)벤조산; 3-(트리플루오로메틸)벤조산; 3-클로로-4-플루오로벤조산; 3-플루오로-5-(트리플루오로메틸)벤조산; 3-플루오로벤조산; 4-플루오로-2-(트리플루오로메틸)벤조산; 4-플루오로-3-(트리플루오로메틸)벤조산; 5-플루오로-2-메틸벤조산; 2-(트리플루오로메톡시)벤조산; 2,3,5-트리클로로벤조산; 4-(트리플루오로메틸)벤조산; 펜타플루오로벤조산; 및 2,3,4,5-테트라플루오로벤조산이다.Examples of preferred fluorinated benzoic acid derivatives include 2- (trifluoromethyl) benzoic acid; 3,5-difluorobenzoic acid; 3-hydroxy-2,4,6-triiodobenzoic acid; 3-fluoro-4-methylbenzoic acid; 3- (trifluoromethoxy) benzoic acid; 4- (trifluoromethoxy) benzoic acid; 4-chloro-2,5-difluorobenzoic acid; 2-chloro-4,5-difluorobenzoic acid; 2,4,5-trifluorobenzoic acid; 2-fluorobenzoic acid; 4-fluorobenzoic acid; 2,3,4-trifluorobenzoic acid; 2,3,5-trifluorobenzoic acid; 2,3-difluorobenzoic acid; 2,4-bis (trifluoromethyl) benzoic acid; 2,4-difluorobenzoic acid; 2,5-difluorobenzoic acid; 2,6-bis (trifluoromethyl) benzoic acid; 2,6-difluorobenzoic acid; 2-chloro-6-fluorobenzoic acid; 2-fluoro-4- (trifluoromethyl) benzoic acid; 2-fluoro-5- (trifluoromethyl) benzoic acid; 2-fluoro-6- (trifluoromethyl) benzoic acid; 3,4,5-trifluorobenzoic acid; 3,4-difluorobenzoic acid; 3,5-bis (trifluoromethyl) benzoic acid; 3- (trifluoromethyl) benzoic acid; 3-chloro-4-fluorobenzoic acid; 3-fluoro-5- (trifluoromethyl) benzoic acid; 3-fluorobenzoic acid; 4-fluoro-2- (trifluoromethyl) benzoic acid; 4-fluoro-3- (trifluoromethyl) benzoic acid; 5-fluoro-2-methylbenzoic acid; 2- (trifluoromethoxy) benzoic acid; 2,3,5-trichlorobenzoic acid; 4- (trifluoromethyl) benzoic acid; Pentafluorobenzoic acid; And 2,3,4,5-tetrafluorobenzoic acid.

불소화된 또는 비-불소화된 페닐아세트산 유도체의 예는 2-플루오로페닐아세트산; 3-플루오로페닐아세트산; 4-플루오로페닐아세트산; 2,3-디플루오로페닐아세트산; 2,4-디플루오로페닐아세트산; 2,6-디플루오로페닐아세트산; 3,4-디플루오로페닐아세트산; 3,5-디플루오로페닐아세트산; 펜타플루오로-페닐아세트산; 2-클로로-6-플루오로페닐아세트산; 2-클로로-3,6-디플루오로페닐아세트산; 3-클로로-2,6-디플루오로페닐아세트산; 3-클로로-4-플루오로페닐아세트산; 5-클로로-2-플루오로페닐아세트산; 2,3,4-트리플루오로페닐아세트산; 2,3,5-트리플루오로페닐아세트산; 2,3,6-트리플루오로페닐아세트산; 2,4,5-트리플루오로페닐아세트산; 2,4,6-트리플루오로페닐아세트산; 3,4,5-트리플루오로페닐아세트산; 3-클로로-2-플루오로페닐아세트산; 6-플루오로페닐아세트산; 4-클로로-2-플루오로페닐아세트산; 2-클로로-4-플루오로페닐아세트산이다.Examples of fluorinated or non-fluorinated phenylacetic acid derivatives include 2-fluorophenylacetic acid; 3-fluorophenylacetic acid; 4-fluorophenylacetic acid; 2,3-difluorophenylacetic acid; 2,4-difluorophenylacetic acid; 2,6-difluorophenylacetic acid; 3,4-difluorophenylacetic acid; 3,5-difluorophenylacetic acid; Pentafluoro-phenylacetic acid; 2-chloro-6-fluorophenylacetic acid; 2-chloro-3,6-difluorophenylacetic acid; 3-chloro-2,6-difluorophenylacetic acid; 3-chloro-4-fluorophenylacetic acid; 5-chloro-2-fluorophenylacetic acid; 2,3,4-Trifluorophenylacetic acid; 2,3,5-Trifluorophenylacetic acid; 2,3,6-Trifluorophenylacetic acid; 2,4,5-trifluorophenylacetic acid; 2,4,6-trifluorophenylacetic acid; 3,4,5-trifluorophenylacetic acid; 3-chloro-2-fluorophenylacetic acid; 6-fluorophenylacetic acid; 4-chloro-2-fluorophenylacetic acid; 2-chloro-4-fluorophenylacetic acid.

불소화된 또는 비-불소화된 아세트산 유도체의 예는 디플루오로아세트산; 트리플루오로아세트산; 클로로디플루오로아세트산; (3-클로로페닐)디플루오로아세트산; (3,5-디플루오로페닐)디플루오로아세트산; (4-부틸페닐) 디플루오로아세트산; (4-tert-부틸페닐)디플루오로아세트산; (3,4-디메틸페닐)디플루오로아세트산; (3-클로로-4-플루오로페닐)-디플루오로아세트산; (4-클로로페닐)-디플루오로아세트산; 2-비페닐-3',5'-디플루오로아세트산; 3-비페닐-3',5'-디플루오로아세트산; 4-비페닐-3',5'-디플루오로아세트산; 2-비페닐-3',4'-디플루오로아세트산; 3-비페닐-3',4'-디플루오로아세트산; 4-비페닐-3',4'-디플루오로아세트산 및 2,2-디플루오로프로피온산 및 이의 고차 상동체이다.Examples of fluorinated or non-fluorinated acetic acid derivatives include difluoroacetic acid; Trifluoroacetic acid; Chlorodifluoroacetic acid; (3-chlorophenyl) difluoroacetic acid; (3,5-difluorophenyl) difluoroacetic acid; (4-butylphenyl) difluoroacetic acid; (4-tert-butylphenyl) difluoroacetic acid; (3,4-dimethylphenyl) difluoroacetic acid; (3-chloro-4-fluorophenyl) -difluoroacetic acid; (4-chlorophenyl) -difluoroacetic acid; 2-biphenyl-3 ', 5'-difluoroacetic acid; 3-biphenyl-3 ', 5'-difluoroacetic acid; 4-biphenyl-3 ', 5'-difluoroacetic acid; 2-biphenyl-3 ', 4 ' -difluoroacetic acid; 3-biphenyl-3 ', 4 ' -difluoroacetic acid; 4-biphenyl-3 ', 4'-difluoroacetic acid and 2,2-difluoropropionic acid and their higher order homologues.

상기 목록에 탈양자화된 형태로 언급된 화합물은 또한 본 발명에 따른 양자화된 형태로 존재할 수 있다. 이들은 바람직하게는 탈양자화된 형태이다. 상기 목록에 양자화된 형태로 언급된 화합물은 또한 탈양자화된 형태로 존재할 수 있고, 이것이 본 발명에 따라 바람직하다.The compounds mentioned in the above list in the dequantized form can also be present in the quantified form according to the invention. These are preferably in a de-quantized form. The compounds mentioned in quantitated form in the above list may also be present in a de-quantized form, which is preferred according to the invention.

본 발명의 재료는 추가의 화합물을 함유할 수 있다. 이것은 바람직하게는 배타적으로 정확하게 하나의 화합물 A 및 정확하게 하나의 화합물 P 만을 본질적으로 함유한다. 추가의 화합물이 존재하는 경우, 이들은 바람직하게는 화학식 (A) 에 따른 화합물이다. 본 발명의 하나의 가능한 구현예에서, 정확하게 2 개의 상이한 화합물 A 및 정확하게 하나의 화합물 P 가 본 발명의 재료에 존재한다.The materials of the present invention may contain additional compounds. It essentially contains exactly one compound A and precisely one compound P, preferably exclusively. When additional compounds are present, they are preferably compounds according to formula (A). In one possible embodiment of the invention, exactly two different compounds A and exactly one compound P are present in the material of the present invention.

화합물 P 는 바람직하게는 본 발명의 재료 내의 도판트로서 존재한다. 본 발명의 재료가 0.1% 내지 20%, 더욱 바람직하게는 0.5% 내지 12%, 더 더욱 바람직하게는 1% 내지 8%, 가장 바람직하게는 2% 내지 6% 의 농도로 화합물 P 를 함유하는 것이 바람직하다.The compound P preferably exists as a dopant in the material of the present invention. It is preferred that the material of the present invention contains the compound P in a concentration of 0.1% to 20%, more preferably 0.5% to 12%, even more preferably 1% to 8%, and most preferably 2% to 6% desirable.

본 출원의 문맥에서 백분율은 기체 상 증착의 경우에는 부피% 및 액체 상으로부터의 적용의 경우에는 중량% 를 의미하는 식으로 언급된다.Percentages in the context of the present application are referred to as vol% in the case of gas phase deposition and in% by weight in the case of application from a liquid phase.

본 발명의 재료는 바람직하게는 전자 소자의 박층, 더욱 바람직하게는 기능층의 형태이다. 본 발명은 따라서 또한 본 발명의 재료를 포함하는 층, 바람직하게는 반도체 층을 제공한다.The material of the present invention is preferably a thin layer of an electronic device, more preferably in the form of a functional layer. The present invention therefore also provides a layer, preferably a semiconductor layer, comprising the material of the invention.

본 발명의 재료를 포함하는 층은 바람직하게는 1 내지 500 nm, 더욱 바람직하게는 5 내지 300 nm, 가장 바람직하게는 8 내지 250 nm 의 두께를 갖는다. 이것은 바람직하게는 하기에 추가로 상세히 제시되는 바와 같은, 바람직하게는 OLED 의 전자 소자 중의 정공-수송층으로서 사용된다.The layer comprising the material of the present invention preferably has a thickness of 1 to 500 nm, more preferably 5 to 300 nm, most preferably 8 to 250 nm. This is preferably used as the hole-transporting layer in the electronic device of the OLED, as further detailed below.

본 발명의 재료는 예를 들어 OVPD (유기 증기상 증착) 방법에 의해 또는 운반체 기체 승화의 도움으로, 기체 상으로부터 층의 형태로 적용될 수 있다. 이 경우, 재료가 10-5 mbar 내지 1 bar 의 압력으로 적용된다. 이러한 방법의 특별한 경우는 OVJP (유기 증기 제트 인쇄) 방법인데, 이때 재료는 노즐에 의해 직접 적용되고 따라서 구조화된다 (예를 들어 M. S. Arnold et al., Appl. Phys. Lett. 2008, 92, 053301). 대안적으로는, 재료는 또한 액체 상으로부터, 예를 들어 스핀-코팅에 의해, 또는 임의의 인쇄 방법, 예를 들어 스크린 인쇄, 플렉소그래피 인쇄, 노즐 인쇄 또는 오프셋 인쇄, 바람직하게는 LITI (광유도 열 인쇄, 열전사 인쇄) 또는 잉크젯 인쇄에 의해 제조될 수 있다.The material of the present invention can be applied in the form of a layer from a gas phase, for example, by an OVPD (organic vapor phase deposition) process or with the aid of carrier gas sublimation. In this case, the material is applied at a pressure of 10 -5 mbar to 1 bar. A special case of this method is the OVJP (organic vapor jet printing) method, in which the material is directly applied by the nozzle and is thus structured (see for example MS Arnold et al., Appl. Phys. Lett. 2008, 92, 053301) . Alternatively, the material can also be removed from the liquid phase, for example by spin-coating, or by any printing method such as screen printing, flexographic printing, nozzle printing or offset printing, preferably LITI Thermal printing, thermal transfer printing) or ink jet printing.

예를 들어 상기 언급된 방법에 의한, 액체 상으로부터의 본 발명의 재료의 프로세싱을 위해, 제형이 요구된다. 이들 제형은 예를 들어, 용액, 분산액 또는 에멀젼일 수 있다. 본 목적을 위해, 2 개 이상의 용매의 혼합물을 사용하는 것이 바람직할 수 있다. 적합하고 바람직한 용매는 예를 들어, 톨루엔, 아니솔, o-, m- 또는 p-자일렌, 메틸 벤조에이트, 메시틸렌, 테트랄린, 베라트롤, THF, 메틸-THF, THP, 클로로벤젠, 디옥산, 페녹시톨루엔, 특히 3-페녹시톨루엔, (-)-펜촌, 1,2,3,5-테트라메틸벤젠, 1,2,4,5-테트라메틸벤젠, 1-메틸나프탈렌, 2-메틸벤조티아졸, 2-페녹시에탄올, 2-피롤리디논, 3-메틸아니솔, 4-메틸아니솔, 3,4-디메틸아니솔, 3,5-디메틸아니솔, 아세토페논, α-테르피네올, 벤조티아졸, 부틸 벤조에이트, 큐멘, 시클로헥산올, 시클로헥사논, 시클로헥실벤젠, 데칼린, 도데실벤젠, 에틸 벤조에이트, 인단, 메틸 벤조에이트, NMP, p-시멘, 페네톨, 1,4-디이소프로필벤젠, 디벤질 에테르, 디에틸렌 글리콜 부틸 메틸 에테르, 트리에틸렌 글리콜 부틸 메틸 에테르, 디에틸렌 글리콜 디부틸 에테르, 트리에틸렌 글리콜 디메틸 에테르, 디에틸렌 글리콜 모노부틸 에테르, 트리프로필렌 글리콜 디메틸 에테르, 테트라에틸렌 글리콜 디메틸 에테르, 2-이소프로필나프탈렌, 펜틸벤젠, 헥실벤젠, 헵틸벤젠, 옥틸벤젠, 1,1-비스(3,4-디메틸페닐)에탄 또는 이들 용매의 혼합물이다.For the processing of the materials of the present invention from a liquid phase, for example, by the above-mentioned methods, formulations are required. These formulations may be, for example, solutions, dispersions or emulsions. For this purpose, it may be desirable to use a mixture of two or more solvents. Suitable and preferred solvents include, for example, toluene, anisole, o-, m- or p-xylene, methylbenzoate, mesitylene, tetralin, veratrol, THF, methyl-THF, THP, chlorobenzene, Dioxane, phenoxytoluene, especially 3-phenoxytoluene, (-) - pentane, 1,2,3,5-tetramethylbenzene, 1,2,4,5-tetramethylbenzene, 1-methylnaphthalene, 2 Methylbenzothiazole, 2-phenoxyethanol, 2-pyrrolidinone, 3-methyl anisole, 4-methyl anisole, 3,4-dimethyl anisole, 3,5-dimethyl anisole, acetophenone, But are not limited to, benzoic acid, benzoic acid, benzoic acid, benzoic acid, benzoic acid, terpineol, benzothiazole, butylbenzoate, cumene, cyclohexanol, cyclohexanone, cyclohexylbenzene, decalin, dodecylbenzene, ethylbenzoate, Benzyl ether, diethylene glycol butyl methyl ether, triethylene glycol butyl methyl ether, diethylene glycol dibutyl ether, triethylene glycol dime Diethyleneglycol monobutyl ether, tripropylene glycol dimethyl ether, tetraethylene glycol dimethyl ether, 2-isopropylnaphthalene, pentylbenzene, hexylbenzene, heptylbenzene, octylbenzene, 1,1-bis (3,4- Phenyl) ethane or mixtures of these solvents.

본 발명은 따라서 본 발명의 재료 및 하나 이상의 용매, 바람직하게는 유기 용매를 포함하는 제형, 특히 용액, 분산액 또는 에멀젼을 추가로 제공한다. 이러한 제형, 특히 이러한 용액이 제조될 수 있는 방식은 당업자에게 공지되어 있고, 예를 들어, WO 2002/072714, WO 2003/019694 및 그곳에 언급된 문헌에 기재되어 있다.The present invention thus further provides formulations, in particular solutions, dispersions or emulsions, comprising the materials of the invention and one or more solvents, preferably organic solvents. Such formulations, and the manner in which such solutions can be prepared, are known to those skilled in the art and are described, for example, in WO 2002/072714, WO 2003/019694 and the references mentioned therein.

기체 상 증착의 경우, 화합물 P 및 화합물 A 둘 다는 바람직하게는 상이한 증기 증착 공급원으로부터 공동증발되고, 층으로서 증착된다. 액체 상으로부터의 적용의 경우에, 화합물 P 및 화합물 A 를 용매에 용해한 다음, 상기 언급된 인쇄 기법에 의해 적용한다. 본 발명의 재료를 포함하는 층은 용매를 증발시킴으로써 최종적으로 수득된다.In the case of gas phase deposition, both compound P and compound A are preferably co-evaporated from different vapor deposition sources and deposited as a layer. In the case of application from a liquid phase, the compound P and the compound A are dissolved in a solvent and then applied by the above-mentioned printing technique. The layer comprising the material of the present invention is finally obtained by evaporating the solvent.

따라서 본 출원은 또한 화합물 A 및 화합물 P 가 기체 상으로부터 함께 적용되거나, 또는 본 발명의 재료를 포함하는 제형이 액체 상으로부터 적용되는 것을 특징으로 하는, 본 발명의 재료를 포함하는 층의 제조 방법을 제공한다.Thus, the present application also relates to a process for the preparation of a layer comprising a material according to the invention, characterized in that the compound A and the compound P are applied together from a gas phase or a formulation comprising the material of the invention is applied from a liquid phase to provide.

본 발명의 재료는, 바람직하게는 유기 집적 회로 (OIC), 유기 전계-효과 트랜지스터 (OFET), 유기 박막 트랜지스터 (OTFT), 유기 발광 트랜지스터 (OLET), 유기 태양 전지 (OSC), 유기 광학 검출기, 유기 광수용체, 유기 전계-켄치 소자 (OFQD), 유기 발광 전기화학 전지 (OLEC), 유기 레이저 다이오드 (O-lasers) 및 더욱 바람직하게는 유기 전계발광 소자 (OLED) 로 이루어지는 군으로부터 선택되는 전자 소자에서 사용하기에 적합하다.The material of the present invention is preferably an organic semiconductor such as an organic integrated circuit (OIC), an organic field effect transistor (OFET), an organic thin film transistor (OTFT), an organic light emitting transistor (OLET), an organic solar cell (OSC) An electronic device selected from the group consisting of an organic photoreceptor, an organic field-quench device (OFQD), an organic light emitting electrochemical cell (OLEC), an organic laser diode (O-lasers) and more preferably an organic electroluminescent device Lt; / RTI >

상기 재료는 상이한 기능에서 사용될 수 있다. 바람직한 것은 정공-수송층, 예를 들어 정공 주입층, 정공 수송층, 엑시톤 차단층 또는 전자 차단층에서의 재료의 사용이다. 재료의 상기-기재된 용도는 마찬가지로 본 발명의 주제의 일부를 형성한다.The material can be used in different functions. Preferred is the use of a material in a hole-transporting layer, for example a hole injecting layer, a hole transporting layer, an exciton blocking layer, or an electron blocking layer. The above-described uses of the material likewise form part of the subject matter of the present invention.

본 출원에 따른 정공 수송층은 애노드와 방출층 사이에서 정공-수송 기능을 갖는 층이다.The hole transporting layer according to the present application is a layer having a hole-transporting function between the anode and the emitting layer.

정공 주입층 및 전자 차단층은 본 출원의 문맥에서 정공 수송층의 특정한 구현예인 것으로 이해된다. 정공 주입층은, 애노드와 방출층 사이의 다수의 정공 수송층의 경우에, 애노드에 직접 인접하거나 또는 오로지 애노드의 단일 코팅에 의해서만 그로부터 분리되는 정공 수송층이다. 전자 차단층은, 애노드와 방출층 사이의 다수의 정공 수송층의 경우에, 애노드 면 상의 방출층에 직접 인접하는 정공 수송층이다.It is understood that the hole injecting layer and the electron blocking layer are specific embodiments of the hole transporting layer in the context of the present application. The hole injecting layer is a hole transporting layer that is directly adjacent to the anode in the case of a plurality of hole transporting layers between the anode and the emitting layer or is separated therefrom only by a single coating of the anode. The electron blocking layer is a hole transporting layer directly adjacent to the emitting layer on the anode surface in the case of a plurality of hole transporting layers between the anode and the emitting layer.

본 발명은 추가로 본 발명의 재료를, 바람직하게는 층의 형태로 포함하는 전자 소자를 제공한다. 상기 전자 소자는 바람직하게는 상기 언급된 소자로부터 선택된다. 더욱 바람직하게는, 전자 소자는 적어도 하나의 층, 바람직하게는 정공-수송층이 본 발명의 재료를 포함하는 것을 특징으로 하는, 애노드, 캐소드 및 적어도 하나의 방출층을 포함하는 OLED 이다.The present invention further provides an electronic device comprising the material of the present invention, preferably in the form of a layer. The electronic device is preferably selected from the above-mentioned devices. More preferably, the electronic device is an OLED comprising an anode, a cathode and at least one emissive layer, characterized in that at least one layer, preferably a hole-transporting layer, comprises the material of the present invention.

캐소드, 애노드 및 방출층 외에, OLED 는 바람직하게는 더욱 추가의 기능 층을 포함한다. 이들은 예를 들어, 각 경우 하나 이상의 정공 주입층, 정공 수송층, 정공 차단층, 전자 수송층, 전자 주입층, 전자 차단층, 엑시톤 차단층, 사이층, 전하 발생층 (IDMC 2003, Taiwan; Session 21 OLED (5), T. Matsumoto, T. Nakada, J. Endo, K. Mori, N. Kawamura, A. Yokoi, J. Kido, Multiphoton Organic EL Device Having Charge Generation Layer) 및/또는 유기 또는 무기 p/n 정션 (junction) 으로부터 선택된다.In addition to the cathode, the anode and the emissive layer, the OLED preferably further comprises a further functional layer. These include, for example, at least one or more of a hole injection layer, a hole transport layer, a hole blocking layer, an electron transport layer, an electron injection layer, an electron blocking layer, an exciton blocking layer, a interlayer, a charge generating layer (IDMC 2003, (5), T. Matsumoto, T. Nakada, J. Endo, K. Mori, N. Kawamura, A. Yokoi, J. Kido, Multiphoton Organic EL Device Having Charge Generation Layer ) and / Junction. ≪ / RTI >

본 발명의 재료를 포함하는 OLED 의 층의 순서는 바람직하게는 하기와 같다:The order of the layers of the OLED comprising the material of the present invention is preferably as follows:

-애노드- Anode

-정공 주입층- Hole injection layer

-정공 수송층- Hole transport layer

-임의로 추가의 정공 수송층Optionally an additional hole transport layer

-임의로 전자 차단층Optionally an electron blocking layer

-방출층- emissive layer

-임의로 정공 차단층- optionally a hole blocking layer

-전자 수송층- Electron transport layer

-전자 주입층- electron injection layer

-캐소드.- Cathode.

그러나, 언급된 모든 층이 존재할 필요는 없으며, 추가의 층이 부가적으로 존재할 수 있다.However, not all layers mentioned need be present, and additional layers may additionally be present.

본 발명의 OLED 는 여러 개의 방출층을 포함할 수 있다. 더욱 바람직하게는, 이들 방출층은 이 경우 전체적으로 380 nm 내지 750 mm 사이의 여러 개의 방출 최대를 가지며, 전반적인 결과는 백색 방출이고; 다른 말로는, 형광 또는 인광을 낼 수 잇으며, 청색, 황색, 녹색, 오렌지색 또는 적색 광을 방출하는 다양한 방출 화합물이 방출층에 사용된다. 특히 바람직한 것은 3 층 시스템, 즉, 3 개의 방출층을 갖는 시스템으로, 이때 3 개의 층이 청색, 녹색 및 오렌지색 또는 적색 방출을 보인다 (기본 구조에 대해서는, 예를 들어, WO 2005/011013 을 참고한다).The OLED of the present invention may include several emission layers. More preferably, these emissive layers have in this case a total of several emission maxima between 380 nm and 750 mm overall and the overall result is a white emission; In other words, various emission compounds that emit fluorescence or phosphorescence and emit blue, yellow, green, orange or red light are used in the emissive layer. Particularly preferred is a three layer system, i.e. a system with three emissive layers, in which three layers show blue, green and orange or red emission (for a basic structure see, for example, WO 2005/011013 ).

바람직하게는, OLED 는 애노드와 방출층 사이에 배치되는 정공-수송층 중에 본 발명의 재료를, 바람직하게는 본 발명의 재료를 포함하는 층과 방출층 사이에 존재하는 하나 이상의 추가의 층과 함께 포함한다. 바람직하게는, 상기 추가의 층은 정공 수송층, 더욱 바람직하게는 전자 차단층이다. 언급되는 추가의 층은 p-도핑되거나 비-p-도핑될 수 있다.Preferably, the OLED comprises the material of the present invention in a hole-transporting layer disposed between the anode and the emissive layer, preferably with one or more additional layers present between the layer comprising the material of the present invention and the emissive layer do. Preferably, said additional layer is a hole transport layer, more preferably an electron blocking layer. Additional layers referred to may be p-doped or non-p-doped.

본 발명의 바람직한 구현예에서, 정공-수송층 (HTL) 및 정공-수송층과 방출층 사이의 층 (EBL) 의 HOMO 수준은 하기 조건을 충족한다:In a preferred embodiment of the present invention, the HOMO level of the hole-transporting layer (HTL) and the layer (EBL) between the hole-transporting layer and the emitting layer meets the following conditions:

HOMO(HTL) <= HOMO(EBL).HOMO (HTL) < = HOMO (EBL).

이런 방식으로, 정공 장벽 및 그러므로 정공 수송층과 방출층 사이의 전압 강하를 회피하는 것이 가능하다. 이것은 예를 들어, 정공 수송층 및 정공 수송층과 방출층 사이의 추가의 층 내의 동일한 재료의 사용을 통해 유리하게는 가능하다.In this way, it is possible to avoid the voltage drop between the hole barrier and therefore the hole transport layer and the emissive layer. This is advantageously possible, for example, through the use of the same material in the additional layer between the hole transport layer and the hole transport layer and the emissive layer.

그러나, 또한 본 발명의 재료가 방출층에 직접 인접하는 정공-수송층 내에 배치되는 것이 바람직할 수 있다.However, it may also be desirable that the material of the present invention be disposed in a hole-transporting layer directly adjacent to the emissive layer.

본 발명의 재료를 포함하는 층과 방출층 사이에 배치되는 정공 수송층은 바람직하게는 화학식 (A) 의 하나 이상의 동일 또는 상이한 화합물, 바람직하게는 화학식 (A) 의 상이한 화합물을 포함한다.The hole transporting layer disposed between the layer comprising the material of the present invention and the emissive layer preferably comprises one or more of the same or different compounds of formula (A), preferably different compounds of formula (A).

본 발명의 OLED 는 다수의 정공 수송층을 가질 수 있다. 바람직하게는 1 개, 2 개, 3 개, 4 개 또는 5 개의 정공 수송층, 더욱 바람직하게는 2 개, 3 개 또는 4 개의 정공 수송층이 있으며, 이 중 적어도 하나는 본 발명의 재료를 포함한다.The OLED of the present invention may have a plurality of hole transporting layers. Preferably, there are one, two, three, four or five hole transporting layers, more preferably two, three or four hole transporting layers, at least one of which includes the material of the present invention.

OLED 가 애노드에 직접 인접하는 층 중에 본 발명의 재료를 포함하는 것이 추가로 바람직하다.It is further preferred that the OLED comprises the material of the present invention in a layer immediately adjacent to the anode.

더욱 바람직하게는, 본 발명의 OLED 는 하기 층 구조 중 하나를 포함한다:More preferably, the OLED of the present invention comprises one of the following layer structures:

a) 애노드 -- 본 발명의 재료를 포함하는 층 -- 전자 차단층 -- 방출층;a) an anode - a layer comprising the material of the invention - electron blocking layer - emitting layer;

b) 애노드 -- 본 발명의 재료를 포함하는 층 -- 정공 수송층-- 전자 차단층 -- 방출층;b) an anode - a layer comprising the material of the invention - a hole transporting layer - an electron blocking layer - emitting layer;

c) 애노드 -- 본 발명의 재료를 포함하는 제 1 층 -- 정공 수송층 -- 본 발명의 재료를 포함하는 제 2 층 -- 전자 차단층 -- 방출층.c) anode - first layer comprising the material of the invention - hole transport layer - second layer comprising the material of the invention - electron blocking layer - emission layer.

바람직하게는 캐소드 면 상의 방출층에 인접하는 이들 층은 이들 위치에 상기 언급된 바람직한 층, 즉 하나 이상의 정공 차단층, 전자 수송층 및 전자 주입층에 상응한다.These layers, which are preferably adjacent to the emissive layer on the cathode side, correspond to the above-mentioned preferred layers, i.e. one or more hole blocking layers, electron transporting layer and electron injecting layer, in these positions.

구조 a) 에서, 본 발명의 재료를 포함하는 층과 전자 차단층 둘 다가 화학식 (A) 의 동일한 화합물을 포함하는 것이 가능하다. 구조 c) 에서, 본 발명의 재료를 포함하는 층과 정공 수송층 둘 다가 화학식 (A) 의 동일한 화합물을 포함할 수 있고/있거나 본 발명의 재료를 포함하는 제 2 층과 전자 차단층 둘 다가 화학식 (A) 의 동일한 화합물을 포함할 수 있다.In structure a) it is possible that both the layer comprising the material of the invention and the electron blocking layer comprise the same compound of formula (A). In structure c), both the layer comprising the material of the present invention and the hole transport layer may comprise the same compound of formula (A) and / or both the second layer comprising the material of the invention and the electron blocking layer have the formula ( A). &Lt; / RTI &gt;

본 발명의 OLED 중에 전자 차단층, 또는 애노드 면 상의 방출층에 직접 인접하는 층이, 화학식 (A) 의 화합물, 특히 모노아릴아민인 화학식 (A) 의 화합물을 포함하는 것이 부가적으로 바람직하다.It is additionally preferred that the electroluminescent layer in the OLED of the present invention, or the layer directly adjacent to the emissive layer on the anode side, comprises a compound of formula (A), especially a monoarylamine.

본 발명의 재료가 하나 이상의 인광 방출 화합물을 포함하는 OLED 에서 사용되는 경우가 바람직하다. 용어 "인광 방출 화합물" 은 전형적으로 빛의 방출이 스핀-금지된 전이, 예를 들어 여기된 3중 상태 또는 고차 스핀 양자수를 갖는 상태, 예를 들어 5중 상태로부터의 전이를 통해 영향을 받는 화합물을 포함한다.It is preferred if the material of the present invention is used in an OLED comprising at least one phosphorescent emitting compound. The term "phosphorescent emission compound" typically refers to a compound in which the emission of light is affected by a transition from a spin-inhibited transition, for example, a state having an excited triplet state or a higher order spin quantum number, &Lt; / RTI &gt;

적합한 인광 방출 화합물 (= 3중 방출체) 은 특히 적합하게 여기되는 경우, 바람직하게는 가시 영역에서, 빛을 방출하고, 또한 20 초과, 바람직하게는 38 초과, 내지 84 미만, 더욱 바람직하게는 56 초과 내지 80 미만의 원자 번호의 적어도 하나의 원자를 함유하는 화합물이다. 바람직한 인광 방출 화합물은 구리, 몰리브덴, 텅스텐, 레늄, 루테늄, 오스뮴, 로듐, 이리듐, 팔라듐, 백금, 은, 금 또는 유로퓸을 함유하는 화합물, 특히 이리듐, 백금 또는 구리를 함유하는 화합물이다. 본 발명의 문맥에서, 모든 발광 이리듐, 백금 또는 구리 착물이 인광 방출 화합물인 것으로 고려된다.Suitable phosphorescent emitting compounds (= triplet emitters) emit light and preferably more than 20, preferably more than 38, more preferably less than 84, more preferably 56 Lt; RTI ID = 0.0 &gt; 80 &lt; / RTI &gt; to less than 80 atoms. Preferred phosphorescent emitting compounds are compounds containing copper, molybdenum, tungsten, rhenium, ruthenium, osmium, rhodium, iridium, palladium, platinum, silver, gold or europium, especially compounds containing iridium, platinum or copper. In the context of the present invention, it is contemplated that all luminescent iridium, platinum or copper complexes are phosphorescent emitting compounds.

상기 기재된 방출 화합물의 예는 출원 WO 00/70655, WO 01/41512, WO 02/02714, WO 02/15645, EP 1191613, EP 1191612, EP 1191614, WO 05/033244, WO 05/019373 및 US 2005/0258742 에서 찾을 수 있다. 일반적으로, 유기 전계발광 소자의 분야의 당업자에게 공지되고 종래 기술에 따른 인광 OLED 에 사용되는 모든 인광 착물이 적합하다. 당업자에 있어서, 진보성 없이, 추가의 인광 착물을 OLED 에서 본 발명의 재료와 조합으로 사용하는 것이 또한 가능하다.Examples of the above-described release compounds are described in applications WO 00/70655, WO 01/41512, WO 02/02714, WO 02/15645, EP 1191613, EP 1191612, EP 1191614, WO 05/033244, WO 05/019373 and US 2005 / 0.0 &gt; 0258742. &Lt; / RTI &gt; In general, all phosphorescent complexes known to those skilled in the art of organic electroluminescent devices and used in conventional phosphorescent OLEDs are suitable. It is also possible for those skilled in the art to use additional phosphorescent complexes in OLEDs in combination with the materials of the present invention, without inventive step.

대안적인 구현예에서, 재료가 그의 방출층 내에 형광 방출 화합물을 포함하는 OLED 에서 사용되는 것이 바람직하다. 바람직하게는, 방출층은 이 경우 아릴아미노 화합물을 형광 방출 화합물로서, 더욱 바람직하게는 호스트 재료와 조합으로 포함한다. 이 경우 호스트 재료는 바람직하게는 하나 이상의 안트라센 기를 포함하는 화합물로부터 선택된다.In an alternative embodiment, it is preferred that the material is used in an OLED comprising a fluorescent emission compound in its emissive layer. Preferably, the emissive layer comprises in this case an arylamino compound as a fluorescence emitting compound, more preferably in combination with a host material. In this case, the host material is preferably selected from compounds comprising at least one anthracene group.

전자 소자 중의 상이한 기능적 재료의 바람직한 구현예가 하기 본원에 나열된다.Preferred embodiments of different functional materials in electronic devices are listed herein below.

바람직한 인광 방출 화합물은 상기 언급된 화합물이다.Preferred phosphorescent emitting compounds are the above-mentioned compounds.

바람직한 형광 방출 화합물은 아릴아민의 계열로부터 선택된다. 아릴아민 또는 방향족 아민은 본 발명의 문맥에서 질소에 직접 결합된 3 개의 치환된 또는 비치환된 방향족 또는 헤테로방향족 고리계를 함유하는 화합물을 의미하는 것으로 이해된다. 바람직하게는, 상기 방향족 또는 헤테로방향족 고리계 중 적어도 하나는 융합된 고리계, 더욱 바람직하게는 적어도 14 개의 방향족 고리 원자를 갖는 것이다. 이들의 바람직한 예는 방향족 안트라센아민, 방향족 안트라센디아민, 방향족 피렌아민, 방향족 피렌디아민, 방향족 크리센아민 또는 방향족 크리센디아민이다. 방향족 안트라센아민은 디아릴아미노 기가, 바람직하게는 9 위치에서, 안트라센 기에 직접 결합되는 화합물을 의미하는 것으로 이해된다. 방향족 안트라센디아민은 2 개의 디아릴아미노 기가, 바람직하게는 9,10 위치에서, 안트라센 기에 직접 결합되는 화합물을 의미하는 것으로 이해된다. 방향족 피렌아민, 피렌디아민, 크리센아민 및 크리센디아민은 유사하게 정의되며, 피렌 중의 디아릴아미노 기는 바람직하게는 1 위치 또는 1,6 위치에서 결합된다. 추가의 바람직한 방출 화합물은 인데노플루오렌아민 또는 -디아민 (예를 들어 WO 2006/108497 또는 WO 2006/122630 에 따름), 벤조인데노플루오렌아민 또는 -디아민 (예를 들어 WO 2008/006449 에 따름), 및 디벤조인데노플루오렌아민 또는 -디아민 (예를 들어 WO 2007/140847 에 따름), 및 WO 2010/012328 에 기재된 융합 아릴 기를 갖는 인데노플루오렌 유도체이다. 마찬가지로 바람직한 것은 WO 2012/048780 및 WO 2013/185871 에 기재된 피렌아릴아민이다. 마찬가지로 바람직한 것은 WO 2014/037077 에 기재된 벤조인데노플루오렌아민, WO 2014/106522 에 기재된 벤조플루오렌아민 및 WO 2014/111269 에 기재된 연장된 벤조인데노플루오렌이다.Preferred fluorescent emission compounds are selected from the family of arylamines. An arylamine or an aromatic amine is understood to mean a compound containing three substituted or unsubstituted aromatic or heteroaromatic ring systems directly bonded to nitrogen in the context of the present invention. Preferably, at least one of said aromatic or heteroaromatic ring systems is a fused ring system, more preferably having at least 14 aromatic ring atoms. Preferred examples of these are aromatic anthracene amines, aromatic anthracene diamines, aromatic pyrene amines, aromatic pyrene diamines, aromatic chrysene amines or aromatic chrysene diamines. An aromatic anthracene amine is understood to mean a compound in which the diarylamino group is bonded directly to the anthracene group, preferably at the 9-position. An aromatic anthracene diamine is understood to mean a compound in which two diarylamino groups are bonded directly to the anthracene group, preferably at the 9,10 position. Aromatic pyrene amines, pyrene diamines, chrysene amines and chrysene diamines are similarly defined and the diarylamino groups in the pyrene are preferably bonded at the 1-position or 1,6-position. Further preferred releasing compounds include indenofluoreneamine or -diamine (for example according to WO 2006/108497 or WO 2006/122630), benzoindenofluoreneamine or -diamine (for example according to WO 2008/006449 ), And dibenzoindenofluorenamine or -diamine (for example according to WO 2007/140847), and an indenofluorene derivative having a fused aryl group as described in WO 2010/012328. Likewise preferred are the pyrene arylamine described in WO 2012/048780 and WO 2013/185871. Likewise preferred are the benzoindenofluorene amines described in WO 2014/037077, the benzofluorene amines described in WO 2014/106522 and the extended benzoindeno fluorenes described in WO 2014/111269.

바람직하게는 형광 방출 화합물에 대한 유용한 매트릭스 재료에는 다양한 성분 계열의 재료가 포함된다. 바람직한 매트릭스 재료는 올리고아릴렌의 계열 (예를 들어 EP 676461 에 따른 2,2',7,7'-테트라페닐스피로비플루오렌 또는 디나프틸안트라센), 특히 융합 방향족 기를 함유하는 올리고아릴렌의 계열, 올리고아릴렌비닐렌 (예를 들어 EP 676461 에 따른 DPVBi 또는 스피로-DPVBi), 폴리포달 (polypodal) 금속 착물 (예를 들어 WO 2004/081017 에 따름), 정공-전도 화합물 (예를 들어 WO 2004/058911 에 따름), 전자-전도 화합물, 특히 케톤, 포스핀 옥시드, 술폭시드, 등 (예를 들어 WO 2005/084081 및 WO 2005/084082 에 따름), 아트로프이성질체 (예를 들어 WO 2006/048268 에 따름), 보론산 유도체 (예를 들어 WO 2006/117052 에 따름) 또는 벤즈안트라센 (예를 들어 WO 2008/145239 에 따름) 으로부터 선택된다. 특히 바람직한 매트릭스 재료는 나프탈렌, 안트라센, 벤즈안트라센 및/또는 피렌 또는 상기 화합물의 아트로프이성질체를 포함하는 올리고아릴렌의 계열, 올리고아릴렌비닐렌, 케톤, 포스핀 옥시드 및 술폭시드로부터 선택된다. 매우 특히 바람직한 매트릭스 재료는 안트라센, 벤즈안트라센, 벤조페난트렌 및/또는 피렌 또는 또는 상기 화합물의 아트로프이성질체를 포함하는 올리고아릴렌의 계열로부터 선택된다. 본 발명의 문맥에서 올리고아릴렌은 적어도 3 개의 아릴 또는 아릴렌 기가 서로 결합되는 화합물을 의미하는 것으로 이해될 것이다. 바람직한 것은 추가로 WO 2006/097208, WO 2006/131192, WO 2007/065550, WO 2007/110129, WO 2007/065678, WO 2008/145239, WO 2009/100925, WO 2011/054442 및 EP 1553154 에 기재된 안트라센 유도체, 및 EP 1749809, EP 1905754 및 US 2012/0187826 에 기재된 피렌 화합물에 제공된다.A useful matrix material, preferably for a fluorescent emission compound, includes a variety of component-based materials. A preferred matrix material is a series of oligoarylene (for example 2,2 ', 7,7'-tetraphenyl spirobifluorene or dinaphthylanthracene according to EP 676461), especially of oligoarylene containing fused aromatic groups (For example DPVBi or Spiro-DPVBi according to EP 676461), polypodal metal complexes (for example according to WO 2004/081017), hole-conduction compounds (for example WO 2004/058911), electron-conducting compounds, in particular ketones, phosphine oxides, sulfoxides, etc. (for example according to WO 2005/084081 and WO 2005/084082), atropic isomers / 048268), boronic acid derivatives (for example according to WO 2006/117052) or benzanthracene (for example according to WO 2008/145239). Particularly preferred matrix materials are selected from the family of oligo- arylene containing naphthalene, anthracene, benzanthracene and / or pyrene or the atropisomers of such compounds, oligarylenevinylene, ketones, phosphine oxides and sulfoxides. A very particularly preferred matrix material is selected from the series of anthracene, benzanthracene, benzophenanthrene and / or pyrene, or oligoarylene comprising the atropisomer of the compound. In the context of the present invention, oligo- arylene will be understood to mean a compound in which at least three aryl or arylene groups are bonded to one another. Preferred are the anthracene derivatives described in WO 2006/097208, WO 2006/131192, WO 2007/065550, WO 2007/110129, WO 2007/065678, WO 2008/145239, WO 2009/100925, WO 2011/054442 and EP 1553154 , And in the pyrene compounds described in EP 1749809, EP 1905754 and US 2012/0187826.

인광 방출 화합물에 대한 바람직한 매트릭스 재료는 방향족 케톤, 방향족 포스핀 옥시드 또는 방향족 술폭시드 또는 술폰 (예를 들어 WO 2004/013080, WO 2004/093207, WO 2006/005627 또는 WO 2010/006680 에 따름), 트리아릴아민, 카르바졸 유도체 (예를 들어, WO 2005/039246, US 2005/0069729, JP 2004/288381, EP 1205527 또는 WO 2008/086851 에 기재된 CBP (N,N-비스카르바졸릴비페닐) 또는 카르바졸 유도체), 인돌로카르바졸 유도체 (예를 들어 WO 2007/063754 또는 WO 2008/056746 에 따름), 인데노카르바졸 유도체 (예를 들어 WO 2010/136109, WO 2011/000455 또는 WO 2013/041176 에 따름), 아자카르바졸 유도체 (예를 들어 EP 1617710, EP 1617711, EP 1731584, JP 2005/347160 에 따름), 2극성 매트릭스 재료 (예를 들어 WO 2007/137725 에 따름), 실란 (예를 들어 WO 2005/111172 에 따름), 아자보롤 또는 보론 에스테르 (예를 들어 WO 2006/117052 에 따름), 트리아진 유도체 (예를 들어 WO 2010/015306, WO 2007/063754 또는 WO 2008/056746 에 따름), 아연 착물 (예를 들어 EP 652273 또는 WO 2009/062578 에 따름), 디아자실롤 또는 테트라아자실롤 유도체 (예를 들어 WO 2010/054729 에 따름), 디아자포스폴 유도체 (예를 들어 WO 2010/054730 에 따름), 가교 카르바졸 유도체 (예를 들어 US 2009/0136779, WO 2010/050778, WO 2011/042107, WO 2011/088877 또는 WO 2012/143080 에 따름), 트리페닐렌 유도체 (예를 들어 WO 2012/048781 에 따름), 또는 락탐 (예를 들어 WO 2011/116865 또는 WO 2011/137951 에 따름) 이다.A preferred matrix material for the phosphorescent compound is an aromatic ketone, an aromatic phosphine oxide or an aromatic sulfoxide or sulfone (for example according to WO 2004/013080, WO 2004/093207, WO 2006/005627 or WO 2010/006680) (N, N-biscarbazolylbiphenyl) described in WO 2005/039246, US 2005/0069729, JP 2004/288381, EP 1205527 or WO 2008/086851 or a carbazole derivative Carbazole derivatives), indolocarbazole derivatives (for example according to WO 2007/063754 or WO 2008/056746), indenocarbazole derivatives (for example WO 2010/136109, WO 2011/000455 or WO 2013/041176 , Bipolar matrix materials (for example according to WO 2007/137725), silanes (for example, as described in EP 1617710, EP 1617711, EP 1731584, JP 2005/347160) WO 2005/111172), azaborol or boron esters (see, for example, WO 2006/117052 Triazine derivatives (for example according to WO 2010/015306, WO 2007/063754 or WO 2008/056746), zinc complexes (for example according to EP 652273 or WO 2009/062578), diazacillol or tetra Diazapphol derivatives (for example according to WO 2010/054730), crosslinked carbazole derivatives (for example, US 2009/0136779, WO 2010/050778, WO 2011/042107, WO 2011/088877 or WO 2012/143080), triphenylene derivatives (for example according to WO 2012/048781), or lactams (for example according to WO 2011/116865 or WO 2011/137951) ) to be.

본 발명의 전자 소자의 정공 주입 또는 정공 수송층 또는 전자 차단층 내에서 또는 전자 수송층 내에서 사용가능한 적합한 전하 수송 재료는 화학식 (A) 의 화합물 뿐 아니라, 예를 들어, 문헌 Y. Shirota et al., Chem. Rev. 2007, 107(4), 953-1010 에 기재된 화합물, 또는 종래 기술에 따른 상기 층에서 사용되는 다른 재료이다.Suitable charge transport materials usable in the hole injection or hole transporting layer or electron blocking layer of the electronic device of the present invention or in the electron transporting layer are not limited to the compounds of formula (A) as well as those described in, for example, Y. Shirota et al. Chem. Rev. 2007, 107 (4), 953-1010, or other materials used in the layer according to the prior art.

본 발명의 전자발광 소자에서의 정공 수송, 정공 주입 또는 전자 차단층에서 사용될 수 있는 바람직한 재료의 예는 화학식 (A) 의 화합물 뿐 아니라, 인데노플루오렌아민 유도체 (예를 들어 WO 06/122630 또는 WO 06/100896 에 따름), EP 1661888 에 기재된 아민 유도체, 헥사아자트리페닐렌 유도체 (예를 들어 WO 01/049806 에 따름), 융합 방향족 시스템을 갖는 아민 유도체 (예를 들어 US 5,061,569 에 따름), WO 95/09147 에 기재된 아민 유도체, 모노벤조인데노플루오렌아민 (예를 들어 WO 08/006449 에 따름), 디벤조인데노플루오렌아민 (예를 들어 WO 07/140847 에 따름), 스피로비플루오렌아민 (예를 들어 WO 2012/034627 및 WO 2013/120577 에 따름), 플루오렌아민 (예를 들어 WO 2014/015937, WO 2014/015938 및 WO 2014/015935 에 따름), 스피로디벤조피란아민 (예를 들어 WO 2013/083216 에 따름) 및 디히드로아크리딘 유도체 (예를 들어 WO 2012/150001 에 따름) 이다.Examples of preferred materials that may be used in the hole transport, hole injection or electron blocking layer in the electroluminescent device of the present invention include compounds of formula (A) as well as indenofluorene amine derivatives (e.g., those described in WO 06/122630 For example, according to WO 06/100896), amine derivatives as described in EP 1661888, hexaazatriphenylene derivatives (for example according to WO 01/049806), amine derivatives with a fused aromatic system (for example according to US 5,061,569) For example, amine derivatives as described in WO 95/09147, monobenzoindenofluorene amines (for example according to WO 08/006449), dibenzoindenofluorene amines (for example according to WO 07/140847) (For example according to WO-A-2014/015935 and WO-2014/015935), spirodibenzopyranamine (for example, For example according to WO 2013/083216) and dihydroarc (For example according to WO 2012/150001).

전자 수송층에 대해 사용되는 재료는 전자 수송층에서 전자 수송 재료로서 종래 기술에 따라 사용되는 바와 같은 임의의 재료일 수 있다. 특히 적합한 것은 알루미늄 착물, 예를 들어 Alq3, 지르코늄 착물, 예를 들어 Zrq4, 리튬 착물, 예를 들어 Liq, 벤즈이미다졸 유도체, 트리아진 유도체, 피리미딘 유도체, 피리딘 유도체, 피라진 유도체, 퀴녹살린 유도체, 퀴놀린 유도체, 옥사디아졸 유도체, 방향족 케톤, 락탐, 보란, 디아자포스폴 유도체 및 포스핀 옥시드 유도체이다. 추가의 적합한 재료는 JP 2000/053957, WO 2003/060956, WO 2004/028217, WO 2004/080975 및 WO 2010/072300 에 기재된 바와 같은 상기 언급된 화합물의 유도체이다.The material used for the electron transporting layer may be any material as used in the prior art as the electron transporting material in the electron transporting layer. Especially suitable are aluminum complexes, such as Alq 3, zirconium complexes, e.g. Zrq 4, lithium complexes, for example, Liq, benzamide utilizing imidazole derivatives, triazine derivatives, pyrimidine derivatives, pyridine derivatives, pyrazine derivatives, quinoxaline A quinoline derivative, an oxadiazole derivative, an aromatic ketone, a lactam, a borane, a diazapospole derivative, and a phosphine oxide derivative. Further suitable materials are derivatives of the above-mentioned compounds as described in JP 2000/053957, WO 2003/060956, WO 2004/028217, WO 2004/080975 and WO 2010/072300.

전자 소자의 바람직한 캐소드는 낮은 일함수를 갖는 금속, 다양한 금속, 예를 들어 알칼리 토금속, 알칼리 금속, 주족 금속 또는 란탄족원소 (예, Ca, Ba, Mg, Al, In, Mg, Yb, Sm 등) 로 구성되는 금속 합금 또는 다중층 구조이다. 부가적으로 적합한 것은 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속 및 은으로 구성되는 합금, 예를 들어 마그네슘 및 은으로 구성되는 합금이다. 다중층 구조의 경우에는, 언급된 금속 외에, 비교적 높은 일 함수를 갖는 추가의 금속, 예를 들어 Ag 또는 Al 을 사용하는 것이 또한 가능하고, 이 경우 예를 들어 Ca/Ag, Mg/Ag 또는 Ba/Ag 와 같은 금속의 조합이 일반적으로 사용된다. 또한 금속성 캐소드와 유기 반도체 사이에 높은 유전 상수를 갖는 재료의 얇은 중간층을 도입하는 것이 바람직할 수 있다. 본 목적을 위해 유용한 재료의 예는 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속 플루오라이드 뿐 아니라, 또한 상응하는 옥시드 또는 카르보네이트 (예, LiF, Li2O, BaF2, MgO, NaF, CsF, Cs2CO3, 등) 이다. 또한 상기 목적을 위해 리튬 퀴놀리네이트 (LiQ) 를 사용하는 것이 가능하다. 상기 층의 층 두께는 바람직하게는 0.5 내지 5 nm 이다.Preferred cathodes of electronic devices include metals having a low work function, a variety of metals such as alkaline earth metals, alkali metals, rare earth metals or lanthanides such as Ca, Ba, Mg, Al, In, Mg, ) Or a multilayer structure. Additionally suitable are alloys composed of alkali metals or alkaline earth metals and silver, for example magnesium and silver. In the case of a multilayer structure, it is also possible to use, in addition to the mentioned metals, additional metals having a relatively high work function, for example Ag or Al, for example Ca / Ag, Mg / Ag or Ba / Ag is commonly used. It may also be desirable to introduce a thin intermediate layer of material having a high dielectric constant between the metallic cathode and the organic semiconductor. Examples of useful materials for this purpose, as well as fluoride alkali metal or alkaline earth metal, and also corresponding oxide or carbonate to (for example, LiF, Li 2 O, BaF 2, MgO, NaF, CsF, Cs 2 CO 3 , Etc.). It is also possible to use lithium quinolinate (LiQ) for the above purpose. The layer thickness of the layer is preferably 0.5 to 5 nm.

바람직한 애노드는 높은 일 함수를 갖는 재료이다. 바람직하게는, 애노드는 진공에 대해 4.5 eV 초과의 일 함수를 갖는다. 첫번째로, 높은 산화환원 전위를 갖는 금속, 예를 들어 Ag, Pt 또는 Au 가, 본 목적을 위해 적합하다. 한편으로는, 금속/금속 옥시드 전극 (예, Al/Ni/NiOx, Al/PtOx) 이 또한 바람직할 수 있다. 일부 적용의 경우, 전극 중 하나 이상이, 유기 재료의 조사 (유기 태양 전지) 또는 광의 방출 (OLED, O-LASER) 을 가능하게 하기 위해 투명하거나 또는 부분적으로 투명해야만 한다. 바람직한 애노드 재료는 여기서 전도성 혼합 금속 옥시드이다. 특히 바람직한 것은 인듐 주석 옥시드 (ITO) 또는 인듐 아연 옥시드 (IZO) 이다. 바람직한 것은 추가로 전도성 도핑된 유기 재료, 특히 전도성 도핑된 중합체이다. 부가적으로, 애노드는 또한 2 개 이상의 층, 예를 들어 ITO 의 내부층 및 금속 옥시드, 바람직하게는 텅스텐 옥시드, 몰리브덴 옥시드 또는 바나듐 옥시드의 외부층으로 이루어질 수 있다.A preferred anode is a material having a high work function. Preferably, the anode has a work function of greater than 4.5 eV against vacuum. First, metals with high redox potentials, such as Ag, Pt or Au, are suitable for this purpose. On the other hand, metal / metal oxide electrodes (e.g., Al / Ni / NiO x , Al / PtO x ) may also be preferred. In some applications, one or more of the electrodes must be transparent or partially transparent to enable the irradiation of organic materials (organic solar cells) or the emission of light (OLED, O-LASER). A preferred anode material is a conductive mixed metal oxide here. Particularly preferred are indium tin oxide (ITO) or indium zinc oxide (IZO). Preferred are further conductive doped organic materials, in particular conductive doped polymers. Additionally, the anode may also consist of two or more layers, such as an inner layer of ITO and an outer layer of metal oxide, preferably tungsten oxide, molybdenum oxide or vanadium oxide.

물 및 공기에 의한 손상 영향을 제외하기 위해, 소자는 적합하게 (적용에 따라) 구조화되고, 접촉-연결되고, 최종적으로 밀봉된다.To exclude the effects of damage from water and air, the elements are suitably structured, contact-connected, and finally sealed (depending on application).

바람직한 구현예에서, 전자 소자는 하나 이상의 층이 승화 공정에 의해 코팅되는 것을 특징으로 한다. 이 경우, 재료는 10-5 mbar 미만, 바람직하게는 10-6 mbar 미만의 초기 압력에서 진공 승화 시스템 내의 증기 증착에 의해 적용된다. 이 경우, 그러나, 초기 압력이 심지어 더 적은, 예를 들어 10-7 mbar 미만인 것이 또한 가능하다. 기체 상으로부터의 층의 적용을 위한 바람직한 방법이 추가로 기재되고, 일반적으로 본 발명의 OLED 내의 층의 제조에 적용된다.In a preferred embodiment, the electronic device is characterized in that one or more layers are coated by a sublimation process. In this case, the material is applied by vapor deposition in a vacuum sublimation system at an initial pressure of less than 10 -5 mbar, preferably less than 10 -6 mbar. In this case, however, it is also possible that the initial pressure is even lower, for example less than 10 -7 mbar. A preferred method for application of a layer from a gaseous phase is further described and generally applied to the manufacture of a layer in an OLED of the present invention.

대안적인 구현예에서, 전자 소자는 하나 이상의 층이 용액으로부터 적용되는 것을 특징으로 한다. 용액으로부터의 층의 적용을 위한 바람직한 방법이 추가로 기재되고, 일반적으로 본 발명의 OLED 내의 층의 제조에 적용된다.In an alternative embodiment, the electronic device is characterized in that one or more layers are applied from solution. A preferred method for application of a layer from a solution is further described and generally applied to the manufacture of a layer in an OLED of the present invention.

본 발명의 전자 소자가 용액으로부터의 하나 이상의 층 및 승화 방법에 의해 하나 이상의 층을 적용함으로써 제조되는 것이 추가로 바람직하다.It is further preferred that the electronic device of the present invention is fabricated by applying one or more layers from a solution and one or more layers by a sublimation process.

본 발명의 OLED 는 디스플레이에서, 조명 적용에서의 광원으로서 및 의료 및/또는 화장 적용 (예를 들어 광선 요법) 에서의 광원으로서 사용될 수 있다.The OLED of the present invention can be used as a light source in displays, in illumination applications, and as a light source in medical and / or cosmetic applications (e.g., phototherapy).

작업예Example of work

A) 비스[[3,5-비스(트리플루오로메틸)벤조일]옥시]비스무타닐 3,5-비스(트리플루오로메틸)벤조에이트의 합성A) Synthesis of bis [[3,5-bis (trifluoromethyl) benzoyl] oxy] bismuthanyl 3,5-bis (trifluoromethyl) benzoate

Figure pct00046
Figure pct00046

50 g (113.56 mmol) 의 트리페닐비스무탄 (CAS No.: 603-33-8) 및 89.40 g 의 3,5-비스(트리플루오로메틸)벤조산 (340.36 mmol) 을 아르곤 하에 불활성화된 플라스크에 먼저 채우고, 1 l 의 건조 톨루엔을 첨가한다. 혼합물을 점차적으로 80℃ 로 가열한 다음, 상기 온도에서 추가 12 시간 동안 교반하였다. 이어서 혼합물을 실온으로 냉각시키고, 보호 기체 프릿을 통해 여과하고, 톨루엔으로 3 회 세척하고, 진공 펌프에서 건조시킨 다음, 고 진공 하에서 승화시킨다.
Triphenylbismuthane (CAS No. 603-33-8) and 89.40 g of 3,5-bis (trifluoromethyl) benzoic acid (340.36 mmol) were added to a solution of 50 g (113.56 mmol) And 1 l of dry toluene is added. The mixture was gradually heated to 80 &lt; 0 &gt; C and then stirred at this temperature for an additional 12 hours. The mixture is then cooled to room temperature, filtered through a protective gas frit, washed three times with toluene, dried on a vacuum pump and then sublimed under high vacuum.

B) 소자 예B) Device example

이어지는 예 I1 내지 I8 및 C1 내지 C2 에서, 다양한 OLED 의 데이터가 제시된다. 예 C1 내지 C2 는 종래 기술에 따른 비교예이고; 예 I1 내지 I8 은 본 발명의 OLED 의 데이터를 제시한다.In the following Examples I1 to I8 and C1 to C2, data of various OLEDs are presented. Examples C1 to C2 are comparative examples according to the prior art; Examples I1 to I8 present the data of the OLED of the present invention.

본 발명의 OLED 및 종래 기술에 따른 OLED 는 WO 2004/058911 에 따른 일반적인 방법에 의해 제조되며, 이것은 여기서 기술되는 상황에 맞게 각색된다 (층 두께, 재료의 변화). 50 nm 의 두께로 구조화된 ITO (인듐 주석 옥시드) 로 코팅되었던 유리 플라크가 OLED 에 대한 기판이다. 기판을 습윤 세척 (세척기, 세제: Merck Extran) 에 적용한 다음, 코팅 이전에 250℃ 에서 15 분 동안 베이크하고, 산소 플라즈마로 처리한다.The OLED of the present invention and the OLED according to the prior art are produced by the general method according to WO 2004/058911, which is adapted to the situation described here (layer thickness, material change). A glass plaque coated with structured ITO (Indium Tin Oxide) at a thickness of 50 nm is the substrate for OLEDs. The substrate is applied to wet cleaning (washer, detergent: Merck Extran), then baked at 250 ° C for 15 minutes prior to coating and treated with oxygen plasma.

다양한 층이 전처리된 기판에 적용된다: 제 1 정공 수송층 (HTL1) / 제 2 정공 수송층 (HTL2) / 방출층 (EML) / 전자 수송층 (ETL) / 전자 주입층 (EIL) 및 최종적으로 100 nm-두께 알루미늄 캐소드. OLED 의 정확한 구조는 표 1 에서 찾을 수 있다. OLED 의 제조에 사용되는 재료는 표 2 에 제시된다.A variety of layers are applied to the pretreated substrate: a first hole transport layer (HTL1) / a second hole transport layer (HTL2) / an emissive layer (EML) / an electron transport layer (ETL) / an electron injection layer (EIL) Thick aluminum cathode. The exact structure of the OLED can be found in Table 1. The materials used in the manufacture of OLEDs are shown in Table 2.

모든 재료는 진공 챔버 중의 열 증기 증착에 의해 적용된다. 이 경우에, 방출 층은 항상 적어도 하나의 매트릭스 재료 및 매트릭스 재료(들) 에 동시-증발에 의해 부피에 의한 특정 비율로 첨가되는 방출 화합물로 이루어진다. M1:D1 (95%:5%) 와 같은 그러한 형태로 제시되는 세부사항은 여기서 재료 M1 이 층 내에 95% 의 부피에 의한 비율로, D1 이 5% 의 부피에 의한 비율로 존재한다는 것을 의미한다. 유사하게, 전자 수송층은 또한 2 가지 재료의 혼합물로 이루어질 수 있다.All materials are applied by thermal vapor deposition in a vacuum chamber. In this case, the emissive layer always consists of at least one matrix material and a releasing compound added to the matrix material (s) at a certain rate by volume by co-evaporation. The details presented in such form M1: D1 (95%: 5%) indicate here that material M1 is present at a rate of 95% by volume within the layer and D1 at a rate of 5% by volume . Similarly, the electron transporting layer may also be composed of a mixture of two materials.

OLED 는 표준 방식으로 특징화된다. 본 목적을 위해, 전자발광 스펙트럼 및 외부 양자 효율 (EQE, 백분율로 측정됨) 은 Lambertian 방사 특징, 및 수명을 가정하는 전류-전압-휘도 특징 (IUL 특징) 으로부터 계산되는, 휘도의 함수로서 측정된다. 전자발광 스펙트럼은 1000 cd/m²의 휘도에서 측정되며, CIE 1931 x 및 y 색상 좌표가 그로부터 계산된다. 수명 LT80 은 휘도가 일정한 전류 밀도로의 작동 과정에서 출발 휘도로부터 시작 값의 80% 로 떨어지는 이후의 시간으로서 정의된다.OLEDs are characterized in a standard way. For this purpose, the electroluminescence spectrum and the external quantum efficiency (EQE, measured as a percentage) are measured as a function of the luminance, calculated from the Lambertian radiation characteristic and the current-voltage-luminance characteristic (IUL characteristic) . The electroluminescence spectrum is measured at a luminance of 1000 cd / m &lt; 2 &gt;, and the CIE 1931 x and y color coordinates are calculated therefrom. Lifetime LT80 is defined as the time after the luminance falls from the starting luminance to 80% of the starting value in the course of operation at a constant current density.

표 1: OLED 의 구조Table 1: Structure of OLED

Figure pct00047

Figure pct00047

표 2: OLED 에 대한 재료의 구조식Table 2: Structure of materials for OLED

Figure pct00048
Figure pct00048

Figure pct00049

Figure pct00049

예는 본 발명의 OLED 의 장점을 설명하기 위해, 본원에 이하 더욱 상세히 설명된다.An example is described in more detail below herein to illustrate the advantages of the OLED of the present invention.

본 발명의 샘플 I1 내지 I8 을 비교 샘플 C1 및 C2 와 비교한다. 샘플 I1 내지 I8 은, HTL 에 대한 재료로서 모노아릴아민을 함유하나, 디아민 또는 테트라아민을 함유하지 않는다는 것이, C1 및 C2 와는 상이하다. 모든 경우에서, p-도판트 BiC 가, 존재하는 2 개의 정공-수송층의 첫번째에서 사용된다. 모든 본 발명의 샘플 I1 내지 I8 은 전압에 대한 유사한 값을 가지며, 비교 샘플 C1 및 C2 보다 더욱 양호한 수명 및 효율을 갖는다 (표 3).Samples I1 to I8 of the present invention are compared with Comparative Samples C1 and C2. Samples I1 to I8 differ from C1 and C2 in that they contain monoarylamine as a material for HTL but do not contain diamines or tetraamines. In all cases, p-dopant BiC is used in the first of the two hole-transporting layers present. All inventive samples I1 to I8 have similar values for voltage and have better life and efficiency than comparative samples C1 and C2 (Table 3).

표 3: OLED 에 대한 결과Table 3: Results for OLED

Figure pct00050
Figure pct00050

제시된 예는 OLED 에서 정공 수송 재료로서의 비스무트 착물과 화학식 (A) 의 모노아릴아민의 본 발명의 조합의 장점을 나타낸다. 이들은 제한적인 방식으로 해석되어서는 안된다. 본 발명의 조합의 장점은 청구항에 정의된 재료 조합의 전체 범주에 걸쳐 확장된다.
The examples presented illustrate the advantages of the present combination of a bismuth complex as a hole transport material and a monoarylamine of formula (A) in an OLED. They should not be construed in a restrictive way. Advantages of the combination of the present invention extend over the whole range of material combinations defined in the claims.

Claims (21)

비스무트의 착물인 화합물 P 및 화학식 (A) 의 화합물 A 를 포함하는 재료:
Figure pct00051

화학식 (A)
(식 중, 발생하는 변수는 하기와 같다:
A1 은 각 경우 동일 또는 상이하고, H, 1 내지 20 개의 탄소 원자를 갖고 하나 이상의 R1 라디칼로 치환될 수 있는 알킬 기, 또는 Ar1 이고;
Ar1 은 각 경우 동일 또는 상이하고, 6 내지 60 개의 방향족 고리 원자를 갖고 하나 이상의 R1 라디칼로 치환될 수 있는 방향족 고리계, 또는 5 내지 60 개의 방향족 고리 원자를 갖고 하나 이상의 R1 라디칼로 치환될 수 있는 헤테로방향족 고리계이고; Ar1 및/또는 A1 기는 여기서 R1 라디칼을 통해 서로 결합될 수 있고;
R1 은 각 경우 동일 또는 상이하고, H, D, F, C(=O)R2, CN, Si(R2)3, P(=O)(R2)2, OR2, S(=O)R2, S(=O)2R2, 1 내지 20 개의 탄소 원자를 갖는 직쇄 알킬 또는 알콕시 기, 3 내지 20 개의 탄소 원자를 갖는 분지형 또는 환형 알킬 또는 알콕시 기, 2 내지 20 개의 탄소 원자를 갖는 알케닐 또는 알키닐 기, 6 내지 40 개의 방향족 고리 원자를 갖는 방향족 고리계, 및 5 내지 40 개의 방향족 고리 원자를 갖는 헤테로방향족 고리계로부터 선택되고; 이때 2 개 이상의 R1 라디칼은 서로 연결될 수 있고 고리를 형성할 수 있고; 언급된 알킬, 알콕시, 알케닐 및 알키닐 기 및 언급된 방향족 고리계 및 헤테로방향족 고리계는 각각 하나 이상의 R2 라디칼로 치환될 수 있고; 언급된 알킬, 알콕시, 알케닐 및 알키닐 기 중의 하나 이상의 CH2 기는 -R2C=CR2-, -C≡C-, Si(R2)2, C=O, C=NR2, -C(=O)O-, -C(=O)NR2-, P(=O)(R2), -O-, -S-, SO 또는 SO2 로 대체될 수 있고;
R2 는 각 경우 동일 또는 상이하고, H, D, F, CN, 1 내지 20 개의 탄소 원자를 갖는 알킬 기, 6 내지 40 개의 방향족 고리 원자를 갖는 방향족 고리계 및 5 내지 40 개의 방향족 고리 원자를 갖는 헤테로방향족 고리계로부터 선택되고; 이때 2 개 이상의 R2 라디칼은 서로 연결될 수 있고 고리를 형성할 수 있고; 언급된 알킬 기, 방향족 고리계 및 헤테로방향족 고리계는 F 또는 CN 으로 치환될 수 있음);
이때, 화학식 (A) 의 범주는 하기 화학식 (B) 의 화합물을 제외한다:
Figure pct00052

화학식 (B)
(식 중, 발생하는 새로운 변수는 하기와 같다:
V 는 CR1 이고;
Ar3 은 각 경우 동일 또는 상이하고, 6 내지 30 개의 방향족 고리 원자를 갖고 하나 이상의 R1 라디칼로 치환될 수 있는 방향족 고리계, 또는 5 내지 30 개의 방향족 고리 원자를 갖고 하나 이상의 R1 라디칼로 치환될 수 있는 헤테로방향족 고리계이고; Ar1 기는 여기서 R1 라디칼을 통해 서로 결합될 수 있음).A material comprising compound P which is a complex of bismuth and compound A of formula (A)
Figure pct00051

(A)
(Wherein the variables that occur are as follows:
A 1 is in each case the same or different and is H, an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms and which may be substituted with at least one R 1 radical, or Ar 1 ;
Ar 1 is an aromatic ring system which in each case is the same or different and has 6 to 60 aromatic ring atoms and may be substituted with one or more R 1 radicals or an aromatic ring system having 5 to 60 aromatic ring atoms and being substituted with at least one R 1 radical Lt; / RTI &gt; is a heteroaromatic ring system; Ar 1 and / or A 1 group, where may be bonded to each other via the R 1 radical;
R 1 is in each case the same or different and is H, D, F, C (═O) R 2 , CN, Si (R 2 ) 3 , P (═O) (R 2 ) 2 , OR 2 , R 2 , S (= O) 2 R 2 , a straight chain alkyl or alkoxy group having 1 to 20 carbon atoms, a branched or cyclic alkyl or alkoxy group having 3 to 20 carbon atoms, 2 to 20 carbons An alkenyl or alkynyl group having an atom, an aromatic ring system having 6 to 40 aromatic ring atoms, and a heteroaromatic ring system having 5 to 40 aromatic ring atoms; Wherein two or more R &lt; 1 &gt; radicals may be connected to one another and may form a ring; The mentioned alkyl, alkoxy, alkenyl and alkynyl groups and the mentioned aromatic and heteroaromatic ring systems may each be substituted by one or more R 2 radicals; At least one CH 2 group of the mentioned alkyl, alkoxy, alkenyl and alkynyl groups may be replaced by -R 2 C═CR 2 -, -C≡C-, Si (R 2 ) 2 , C═O, C═NR 2 , - C (= O) O-, -C (= O) NR 2 -, P (= O) (R 2 ), -O-, -S-, SO or SO 2 ;
R 2 is in each case the same or different and represents H, D, F, CN, an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, an aromatic ring system having 6 to 40 aromatic ring atoms and 5 to 40 aromatic ring atoms Lt; / RTI &gt; Wherein at least two R &lt; 2 &gt; radicals may be connected to one another and may form a ring; The alkyl groups, aromatic ring systems and heteroaromatic ring systems mentioned may be substituted by F or CN;
Here, the category of formula (A) excludes compounds of formula (B): &lt; EMI ID =
Figure pct00052

(B)
(Where the new variables that occur are:
V is CR &lt; 1 &gt;;
Ar 3 is an aromatic ring system which in each case is the same or different, and which has 6 to 30 aromatic ring atoms and may be substituted with at least one R 1 radical, or an aromatic ring system having 5 to 30 aromatic ring atoms and being substituted with at least one R 1 radical Lt; / RTI &gt; is a heteroaromatic ring system; Ar 1 group may be bonded to each other via the radicals R 1 here). 제 1 항에 있어서, 화합물 A 가 단일 아미노 기를 갖는 것을 특징으로 하는 재료.The material according to claim 1, wherein the compound A has a single amino group. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 화합물 A 가 10 개 초과의 방향족 고리 원자를 갖는 융합 아릴 기 또는 14 개 초과의 방향족 고리 원자를 갖는 융합 헤테로아릴 기 어느 것도 함유하지 않는 것을 특징으로 하는 재료.3. A material according to claim 1 or 2, characterized in that compound A contains neither a fused aryl group having more than 10 aromatic ring atoms or a fused heteroaryl group having more than 14 aromatic ring atoms. 제 1 항 내지 제 3 항 중 하나 이상에 있어서, 화합물 A 중의 두 A1 기가 Ar1 인 것을 특징으로 하는 재료.4. A material according to one or more of claims 1 to 3, wherein two A &lt; 1 &gt; groups in compound A are Ar &lt; 1 & gt ;. 제 1 항 내지 제 4 항 중 하나 이상에 있어서, 화합물 A 에서, Ar1 기는 각 경우 동일 또는 상이하고, 6 내지 40 개의 방향족 고리 원자를 갖고 하나 이상의 R1 라디칼로 치환될 수 있는 방향족 고리계, 또는 5 내지 40 개의 고리 원자를 갖고 하나 이상의 R1 라디칼로 치환될 수 있는 헤테로방향족 고리계인 것을 특징으로 하는 재료.Any one of claims 1 to 4, according to one or more of wherein in compound A, Ar 1 group is in each case identical or different and are from 6 to 40 aromatic ring in the aromatic may have a ring atom substituted with at least one R 1 radical-based, Or a heteroaromatic ring system having 5 to 40 ring atoms and which may be substituted with one or more R &lt; 1 &gt; radicals. 제 1 항 내지 제 5 항 중 하나 이상에 있어서, 화합물 A 에서, Ar1 기는 하나 이상의 R1 라디칼로 임의로 치환되고 페닐, 비페닐, 터페닐, 쿼터페닐, 나프틸, 페난트릴, 플루오란테닐, 플루오레닐, 인데노플루오레닐, 스피로비플루오레닐, 디벤조푸라닐, 디벤조티오페닐, 카르바졸릴, 아크리딜 및 페난트리딜로부터 선택되는 기인 것을 특징으로 하는 재료.Article according to one or more of claims 1 to 5, wherein in compound A, Ar 1 group is optionally substituted with one or more R 1 radical is phenyl, biphenyl, terphenyl, quarter phenyl, naphthyl, phenanthryl, fluoran ethenyl, A group selected from fluorenyl, indenofluorenyl, spearorbfluorenyl, dibenzofuranyl, dibenzothiophenyl, carbazolyl, acridyl and phenanthryl. 제 1 항 내지 제 6 항 중 하나 이상에 있어서, 화합물 P 가 (III) 산화 상태로의 비스무트의 착물인 것을 특징으로 하는 재료.7. A material as claimed in one or more of claims 1 to 6, characterized in that the compound P is a complex of bismuth to the (III) oxidation state. 제 1 항 내지 제 7 항 중 하나 이상에 있어서, 화합물 P 가 유기 화합물인 적어도 하나의 리간드 L 을 갖는 비스무트의 착물인 것을 특징으로 하는 재료.The material according to any one of claims 1 to 7, characterized in that the compound P is a complex of bismuth with at least one ligand L which is an organic compound. 제 8 항에 있어서, 리간드 L 이 단일로 음으로 하전되는 것을 특징으로 하는 재료.9. The material of claim 8 wherein the ligand L is singly negatively charged. 제 8 항 또는 제 9 항에 있어서, 비스무트 원자에 결합하는 리간드 L 중의 기가 카르복실산 기, 티오카르복실산 기, 카르복사미드 기 및 카르복시미드 기로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 재료.The material according to claim 8 or 9, wherein the group in the ligand L bonded to the bismuth atom is selected from a carboxylic acid group, a thiocarboxylic acid group, a carboxamide group and a carboximide group. 제 8 항에 있어서, 리간드 L 이 불소화된 벤조산 유도체, 불소화된 또는 비-불소화된 페닐아세트산 유도체 및 불소화된 또는 비-불소화된 아세트산 유도체로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 재료.The material according to claim 8, wherein the ligand L is selected from fluorinated benzoic acid derivatives, fluorinated or non-fluorinated phenylacetic acid derivatives and fluorinated or non-fluorinated acetic acid derivatives. 제 1 항 내지 제 11 항 중 하나 이상에 있어서, 화합물 P 가 도판트로서 0.1% 내지 20% 의 농도로 재료 중에 존재하는 것을 특징으로 하는 재료.12. A material according to one or more of claims 1 to 11, characterized in that the compound P is present in the material in a concentration of from 0.1% to 20% as a dopant. 제 1 항 내지 제 12 항 중 하나 이상에 따른 재료를 포함하는 층.A layer comprising a material according to one or more of claims 1 to 12. 제 1 항 내지 제 12 항 중 하나 이상에 따른 재료 및 적어도 하나의 용매를 포함하는 제형.13. A formulation comprising a material according to one or more of claims 1 to 12 and at least one solvent. 화합물 A 및 화합물 P 가 함께 기체 상으로부터 적용되거나, 또는 본 발명의 재료를 포함하는 제형이 액체 상으로부터 적용되는 것을 특징으로 하는, 제 13 항에 따른 층의 제조 방법.A process for producing a layer according to claim 13, characterized in that the compound A and the compound P are applied together from a gas phase or a formulation comprising the material of the invention is applied from a liquid phase. 유기 전계발광 소자, 유기 집적 회로, 유기 전계-효과 트랜지스터, 유기 박막 트랜지스터, 유기 발광 트랜지스터, 유기 태양 전지, 유기 광학 검출기, 유기 광수용체, 유기 전계-켄치 소자, 유기 발광 전기화학 전지 및 유기 레이저 다이오드로부터 선택되는 전자 소자에서의 제 1 항 내지 제 12 항 중 하나 이상에 따른 재료의 용도.An organic electroluminescent device, an organic electroluminescent device, an organic electroluminescent device, an organic electroluminescent device, an organic electroluminescent device, an organic electroluminescent device, an organic electroluminescent device, an organic electroluminescent device, 12. The use of a material according to any one of claims 1 to 12 in an electronic device. 제 1 항 내지 제 12 항 중 하나 이상에 따른 재료를 포함하는, 유기 전계발광 소자, 유기 집적 회로, 유기 전계-효과 트랜지스터, 유기 박막 트랜지스터, 유기 발광 트랜지스터, 유기 태양 전지, 유기 광학 검출기, 유기 광수용체, 유기 전계-켄치 소자, 유기 발광 전기화학 전지 및 유기 레이저 다이오드로부터 선택되는 전자 소자.An organic electroluminescent device, an organic integrated circuit, an organic field-effect transistor, an organic thin film transistor, an organic light-emitting transistor, an organic solar cell, an organic optical detector, an organic light-emitting device including the material according to one or more of claims 1 to 12 An organic electroluminescent electrochemical cell, and an organic laser diode. 제 17 항에 있어서, 애노드와 방출층 사이에 배치된 정공-수송층 중의 재료를, 재료를 포함하는 층과 방출층 사이에 존재하는 하나 이상의 추가의 층과 함께, 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 전계발광 소자.18. The organic electroluminescent device of claim 17, comprising a material in a hole-transporting layer disposed between the anode and the emissive layer, with at least one additional layer present between the layer comprising the material and the emissive layer device. 제 18 항에 있어서, 정공-수송층 (HTL) 및 정공-수송층과 방출층 사이의 하나의 층 (EBL) 의 HOMO 수준이 하기 조건을 충족하는 것을 특징으로 하는 유기 전계발광 소자:
HOMO(HTL) <= HOMO(EBL).19. The organic electroluminescent device according to claim 18, wherein the HOMO level of the hole-transporting layer (HTL) and one layer (EBL) between the hole-transporting layer and the emitting layer satisfies the following condition:
HOMO (HTL) < = HOMO (EBL). 제 18 항 또는 제 19 항에 있어서, 재료를 포함하는 층과 방출층 사이에 배치된 하나 이상의 추가의 층이 화학식 (A) 의 하나 이상의 동일 또는 상이한 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 전계발광 소자.The organic electroluminescent device according to claim 18 or 19, characterized in that at least one additional layer disposed between the material-containing layer and the emissive layer comprises at least one of the same or different compounds of formula (A) . 제 17 항 내지 제 20 항 중 하나 이상에 있어서, 애노드에 직접 인접하는 층 내에 재료를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 전계발광 소자.
The organic electroluminescent device according to any one of claims 17 to 20, comprising a material in a layer immediately adjacent to the anode.
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