KR20170076090A

KR20170076090A - 칼라 레지스트 박리액 조성물

Info

Publication number: KR20170076090A
Application number: KR1020150185915A
Authority: KR
Inventors: 최경묵; 김우일; 방순홍
Original assignee: 동우 화인켐 주식회사
Priority date: 2015-12-24
Filing date: 2015-12-24
Publication date: 2017-07-04

Abstract

본 발명은 A) 무기염기 또는 그의 염; B) 4급암모늄염 화합물; C) 화학식 1의 알콕시알킬아민; D) 알킬렌글리콜알킬에테르; E) DMSO와 설포란을 포함하는 용제; F) 방식제; G) 황화합물 안정제; 및 H) 물을 포함하는 칼라 레지스트 박리액 조성물에 관한 것이다.

Description

칼라 레지스트 박리액 조성물{LIQUID COMPOSITION FOR STRIPPING A COLOR RESIST}

본 발명은 칼라필터의 경화된 칼라레지스트를 제거하여 칼라필터를 재사용하기 위한 칼라 레지스트 박리액 조성물에 관한 것이다.

칼라필터(color filter)는 상보성 금속 산화막 반도체(complementary metal oxide semiconductor, CMOS) 또는 전하결합소자(charge coupled device, CCD)와 같은 이미지 센서의 칼라 촬영 장치 내에 내장되어 실제로 칼라 화상을 얻는데 이용될 수 있으며, 이 밖에도 촬영소자, 플라즈마 디스플레이 패널(PDP), 액정표시장치(LCD), 전계방출 디스플레이(FEL) 및 발광 디스플레이(LED) 등에 널리 이용되는 것으로, 그 응용 범위가 급속히 확대되고 있다. 특히, 최근에는 LCD의 용도가 더욱 확대되고 있으며, 이에 따라 LCD의 색조를 재현하는데 있어서 칼라필터는 가장 중요한 부품 중의 하나로 인식되고 있다.

칼라필터 기판은 적(R), 녹(G), 청(B) 패턴과 각 화소 사이의 누설광을 차단하고 대비를 향상시키기 위한 역할을 하는 블랙 매트릭스, 그리고 액정셀에 전압을 인가하는 공통전극으로 구성되어 있다.

칼라필터는 용도에 따라 선택된 블랙매트릭스 재료를 유리 기판에 도포하고 블랙 마스크 패턴을 형성한 다음 칼라레지스트 패턴을 포토리소그래피 공정에 의해 형성함으로써 제조된다.

이러한 칼라필터 제조 공정 중 불가피하게 칼라레지스트 패턴의 불량이 발생할 수 있는데, 칼라레지스트는 한번 경화되면 잘못된 부분만을 제거하여 수리하는 것이 거의 불가능하며, 또한 칼라레지스트를 제거할 수 있는 용매가 거의 없었기 때문에 불량 칼라필터는 수리 등의 재작업을 거치지 않고 바로 대부분 폐기 처리되어 생산성이 저하되는 문제가 있다.

이를 해결하기 위해 경화된 칼라레지스트를 제거하기 위한 조성물이 개발되고 있다.

레지스트는 크게 포지티브형 레지스트와 네거티브형 레지스트로 나눌 수 있는데, 제거가 보다 용이하여 유기용매 기반의 박리제에 의해 40 내지 50의 온도 조건에서 1분 이내에 제거되는 포지티브형 레지스트와는 달리, 칼라레지스트는 경화도가 높고 열처리에 의해 단단해져 박리 제거가 어려운 네거티브형 레지스트의 특성을 갖고 있다. 이에 따라 칼라레지스트의 제거를 위해서는 70 이상의 온도 조건에서 5분 이상의 시간이 소요되므로, 보다 강력한 박리 성능이 요구된다.

또한 디스플레이의 고해상도 실현을 위해 패널의 픽셀수를 늘리게 되는데 이러한 패널의 광효율을 올리기 위한 4-픽셀구조를 이루는 RGBW의 투명 레지스트의 경우 칼라레지스트 또는 유기 절연막 보다 높은 경화도 뿐만 아니라 열안정성, 화학적 안정성이 높은 수지를 사용함으로써 제거가 더 어려운 문제가 있다.

이와 관련하여, 대한민국 공개특허 제2007-0075277호에는 용제로써 황화합물을 포함하는 칼라레지스트 박리액 조성물이 기재되어 있으나, 칼라레지스트에 대한 박리성을 충분히 높일 수 없으며, 일부 황화합물의 경우 산소와 결합하여 조성물의 변색을 유발시키는 문제점이 있다.

대한민국 공개특허 제2007-0075277호

본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 본 발명은 조성물의 변색을 최소화할 뿐 아니라, 하부막의 부식을 일으키지 않으면서, 현저히 우수한 박리성으로 칼라필터의 경화된 칼라레지스트, 유기절연막, 투명레진을 제거하여, 칼라필터의 재사용을 가능하게 하는 칼라레지스트 박리액 조성물을 제공하는 것을 목적으로 한다.

상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은 A) 무기염기 또는 그의 염; B) 4급암모늄염 화합물; C) 화학식 1의 알콕시알킬아민; D) 알킬렌글리콜알킬에테르; E) DMSO와 설포란을 포함하는 용제; F) 방식제; G) 황화합물 제거제; 및 H) 물을 포함하며, 상기 DMSO의 함량이 설포란의 함량과 같거나 과량인 것을 특징으로 하는 칼라 레지스트 박리액 조성물을 제공한다.

또한, 본 발명은 상기 칼라레지스트 박리액 조성물을 사용하여 플랫 패널 디스플레이 기판을 세정하는 공정을 포함하는 플랫 패널 디스플레이 기판의 제조 방법을 제공한다.

본 발명에 따른 칼라레지스트 박리액 조성물은 변색을 최소화할 뿐 아니라, 하부막의 부식을 일으키지 않으면서, 현저히 우수한 박리성으로 칼라필터의 경화된 칼라레지스트, 유기절연막, 투명레진을 제거하여, 칼라필터의 재사용을 가능하게 한다.

이하, 본 발명을 더욱 상세히 설명한다.

본 발명은 칼라 레지스트 박리액 조성물로써, A) 무기염기 또는 그의 염; B) 4급암모늄염 화합물; C) 알콕시알킬아민; D) 알킬렌글리콜알킬에테르; E) DMSO와 설포란을 포함하는 용제; F) 방식제; G) 황화합물 안정제; 및 H) 물을 포함하며, 상기 DMSO의 함량이 설포란의 함량과 같거나 과량인 것을 특징으로 한다. 본 발명의 칼라레지스트 박리액 조성물은 경화된 칼라레지스트에 대하여 신속하고 강력한 박리 성능을 나타낸다. 특히, 본 발명은, DMSO와 설포란을 동시에 포함하는 용제 및 황화합물 안정제가 칼라레지스트 박리액 조성물에 포함되는 경우 박리액 조성물의 변색을 최소화할 뿐 아니라, 하부막의 부식을 일으키지 않으면서, 박리성이 현저히 향상됨을 실험적으로 확인하여 완성되었다.

이하, 본 발명의 각 구성을 상세히 설명한다.

A) 무기염기 또는 그의 염

본 발명의 무기염기 또는 그의 염은 유기계 절연막에 대한 박리력을 향상시키는 역할을 한다.

상기 무기염기 또는 그의 염은 수산화나트륨, 수산화칼륨, 탄산나트륨, 탄산칼륨, 중탄산나트륨, 질산나트륨, 질산칼륨, 황산나트륨, 황산칼륨, 규산나트륨 및 규산칼륨으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상일 수 있다.

본 발명의 무기염기 또는 그의 염은 조성물 총 중량에 대하여 0.01-2 중량%의 함량으로 포함되는 것이 바람직하다. 본 발명의 세정제 조성물에 상기 무기염기 또는 그의 염의 함량이, 0.01 중량% 미만이면 유기계 절연막에 대한 박리력이 떨어지며, 2 중량%를 초과하면 증량에 따른 효과가 미미하며 경제적이지 못하다.

B) 4급암모늄염 화합물

본 발명의 4급암모늄염 화합물은 히드록시드 이온을 배출하고, 이는 레지스트내로 침투하여 고분자 레지스트의 용해를 촉진하는 역할을 한다.

상기 4급암모늄염 화합물은 테트라메틸암모늄 히드록시드(TMAH), 테트라에틸암모늄 히드록시드(TEAH), 테트라프로필암모늄 히드록시드(TPAH) 및 테트라부틸암모늄 히드록시드(TBAH)로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상일 수 있다.

본 발명의 4급암모늄염 화합물은 조성물 총 중량에 대하여 1-10 중량%의 함량으로 포함되는 것이 바람직하다. 본 발명의 세정제 조성물에 상기 4급암모늄염 화합물이 1 중량% 미만으로 포함되면 하이드록사이드 이온의 칼라 레지스트 고분자 내로 침투력이 감소되며, 10 중량%를 초과하면 물의 함량이 증가되어 고분자 레진에 대한 용해력이 감소되는 문제가 있다.

C) 알콕시알킬아민

본 발명의 알콕시알킬아민은 경화된 레진 내 침투하여 결합을 끊어 고분자를 용해시키는 역할을 한다

본 발명에서, 상기 알콕시알킬아민은 하기 화학식 1로 표시되는 화합물이다.

[화학식 1]

상기 화학식 1에서, R₁은 C₁~C₆의 사슬형 또는 고리형 알콕시기이며, 상기 알콕시기는 C₁~C₆의 사슬형 또는 고리형 알킬기, 또는 C₁~C₃의 알콕시기로 치환된 것 일 수 있고, R₂ 및 R₃는 각각 독립적으로 수소, 또는 C₁~C₆의 사슬형 또는 고리형 알킬기이고, n은 1 내지 4의 정수이다.

구체적으로, 상기 화학식 1로 표시되는 알콕시알킬아민은 메톡시에틸아민, 메톡시프로필아민, 에톡시프로필아민, 프로폭시에틸아민, 이소프로폭시프로필아민, 메톡시에톡시프로필아민, 옥솔란-2-일-메탄아민, (옥솔란-2-일-메틸)부탄-1-아민 및 메틸옥솔란-2-일-메탄아민으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 일 수 있다.

본 발명의 알콕시 알킬아민은 조성물 총 중량에 대하여 1-20 중량%로 포함되는 것이 바람직하다. 본 발명의 세정제 조성물에 상기 알콕시 알킬아민이 1 중량% 미만으로 포함되면 경화된 레진 내 침투에 의한 결합을 끊는 힘이 떨어지게 되고, 20 중량%를 초과하면 4급암모늄염 화합물 및 용제의 상대적 감소로 인해 고분자 레지스트의 용해력이 저하된다.

D) 알킬렌글리콜알킬에테르

본 발명의 알킬렌글리콜알킬에테르는 유기절연막에 침투하여 팽윤시켜 기판에서의 탈착을 촉진하는 역할을 한다.

상기 알킬렌글리콜디알킬에테르는 에틸렌글리콜디메틸에테르, 디에틸렌글리콜디메틸에테르, 트리에틸렌글리콜디메틸에테르, 디에틸렌글리콜디에틸에테르, 디에틸렌글리콜메틸에틸에테르, 디에틸렌글리콜메틸부틸에테르, 프로필렌글리콜디메틸에테르 및 디프로필렌글리콜디메틸에테르로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상일 수 있다.

본 발명의 알킬렌글리콜디알킬에테르는 조성물 총 중량에 대하여 1-20 중량%로 포함되는 것이 바람직하다. 본 발명의 세정제 조성물에 상기 알킬렌글리콜디알킬에테르의 함량이 1 중량% 미만이면 레지스트 고분자의 팽윤 효과가 감소되어 하이드록사이드 이온의 레지스트 내로 침투력이 감소되며, 20 중량%를 초과하면 증량에 따른 효과가 더 이상 없으며 무기염의 용해력이 감소되는 문제가 있다.

E) DMSO와 설포란을 동시에 포함하는 용제

본 발명의 DMSO와 설포란은 레지스트에 침투하여 팽윤성을 증가시켜 기판 표면으로부터 박리력을 증가시킨다. 또한, 본 발명의 레지스트 박리액 조성물의 물에 대한 용해력을 향상시키고, 이후 수세 공정에서 잔류물 제거가 용이하도록 한다.

본 발명의 DMSO와 설포란을 포함하는 용제는 조성물 총 중량에 대하여 20-70 중량%의 함량으로 포함되는 것이 바람직하다. 본 발명의 세정제 조성물에 상기 극성용제가 20 중량% 미만으로 포함되면 고분자 레진의 용해력이 떨어지게 되고, 70 중량%를 초과하면 암모늄염 화합물의 활성을 저해하여 오히려 제거성이 떨어지게 된다.

또한 상기 DMSO의 함량이 설포란의 함량과 같거나 과량인 것이 바람직한데, 이 경우 레지스트에 침투하여 팽윤성을 증가시켜 기판 표면으로부터 박리력을 증가시킬 수 있다. DMSO 함량이 설포란의 함량보다 적으면 레지스트에 팽윤성을 떨어 뜨려 박리력이 떨어진다.

F) 방식제

본 발명의 방식제는 특별히 한정되지 않으며, 예를 들면 벤조트리아졸, 톨리트리아졸, 메틸 톨리트리아졸, 2,2'-[[[벤조트리아졸]메틸]이미노]비스에탄올, 2,2'-[[[메틸-1수소-벤조트리아졸-1-일]메틸]이미노]비스메탄올, 2,2'-[[[에틸-1수소 벤조트리아졸-1-일]메틸]이미노]비스에탄올, 2,2'-[[[메틸-1수소-벤조트리아졸-1-일]메틸]이미노]비스에탄올, 2,2'-[[[메틸-1수소-벤조트리아졸-1-일]메틸]이미노]비스카르복시산, 2,2'-[[[메틸-1수소-벤조트리아졸-1-일]메틸]이미노]비스메틸아민, 2,2'-[[[아민-1수소-벤조트리아졸-1-일]메틸]이미노]비스에탄올을 포함하는 아졸계 화합물; 1,2-벤조퀴논, 1,4-벤조퀴논, 1,4-나프토퀴논, 안트라퀴논을 포함하는 퀴논계 화합물; 카테콜; 파이로갈롤, 메틸갈레이트, 프로필갈레이트, 도데실갈레이트, 옥틸갈레이트, 갈릭산을 포함하는 알킬 갈레이트류 화합물 등을 들 수 있다. 이들은 단독 또는 2종 이상 혼합하여 사용할 수 있다.

방식제는 레지스트 박리액 조성물 총 중량을 기준으로 0.1 내지 5중량%로 포함될 수 있다. 방식제의 함량이 0.1중량% 미만인 경우 박리 혹은 탈이온수 린스 공정에서 알루미늄 또는 알루미늄 합금 및 구리 또는 구리 합금으로 이루어진 금속배선에 부식이 발생할 수 있으며, 5중량% 초과인 경우 표면의 흡착에 의한 2차 오염 및 박리력 저하가 발생할 수 있다.

G) 황화합물 안정제

본 발명의 황화합물 안정제는 하기 화학식 2의 구조를 갖는 화합물일 수 있다.

[화학식 2]

상기 화학식 2에서,

R₄및 R₅는, 각각 독립적으로, C₁~C₁₀의 알킬기, 페닐기 또는 벤질기이며, 상기 C₁~C₁₀의 알킬기, 페닐기 또는 벤질기는 C₁~C₁₀의 알킬기, C₂~C₁₀의 알케닐기, C₁~C₁₀의 히드록시알킬기, 카르복실기, 히드록시기, 또는 C₁~C₁₀의 알콕시기로 치환된 것일 수 있다.

황화합물 안정제는 레지스트 박리액 조성물 총 중량을 기준으로 0.1 내지 5중량%로 포함될 수 있다. 함량이 0.1중량% 미만인 경우 박리 혹은 탈이온수 린스 공정에서 알루미늄 또는 알루미늄 합금 및 구리 또는 구리 합금으로 이루어진 금속배선에 부식이 발생할 수 있으며, 5중량% 초과인 경우 표면의 흡착에 의한 2차 오염 및 박리력 저하가 발생할 수 있다 또한 0.1중량 % 미만 일 경우 황화합물 안정성에 도움을 주지 못 하며 5중량% 초과인 경우 표면의 흡착에 의한 2차 오염 및 박리력 저하가 발생할 수 있다.

H) 물

본 발명의 레지스트 박리액 조성물은 상기 성분들을 구체적인 필요에 따라 적절하게 채택한 후, 물을 첨가하여 전체 조성을 조절하게 되어 전체 조성물의 잔량은 물이 차지한다. 바람직하게는 상기 성분들이 전술한 함량 범위를 갖도록 조절한다.

물의 종류는 특별히 한정되지 않으나, 탈이온 증류수인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 반도체 공정용 탈이온 증류수로서 비저항값이 18㏁·㎝ 이상인 것이 좋다.

본 발명은 상기 기재된 칼라레지스트 박리액 조성물을 사용하여 하부막질 및 각종 금속 배선을 포함하는 플랫 패널 디스플레이 기판을 세정하는 공정을 포함하는 플랫 패널 디스플레이 기판의 제조 방법을 제공한다. 상기 하부 막질은 Cu, Mo, 및 Al 중 하나 이상을 포함할 수 있으며 이에 한정되는 것은 아니다.

이하에서, 실시예를 통하여 본 발명을 보다 상세히 설명한다. 그러나, 하기의 실시예는 본 발명을 더욱 구체적으로 설명하기 위한 것으로서, 본 발명의 범위가 하기의 실시예에 의하여 한정되는 것은 아니다. 하기의 실시예는 본 발명의 범위 내에서 당업자에 의해 적절히 수정, 변경될 수 있다.

실시예 및 비교예 : 레지스트 박리액 조성물의 제조

하기 기재된 조성 및 함량(중량%)에 잔량의 물을 첨가하여 레지스트 박리액 조성물을 제조하였다.

	A) 무기염기 또는 그의 염		B) 4급암모늄염 화합물		C) 화학식1의 알콕시알킬아민		D) 알킬렌글리콜알킬에테 르		E) DMSO와 설포란을 포함하는 용제				F) 방식제		G) 황화합물 안정제
	성분	중량	성분	중량	성분	중량	성분	중량	성분	중량	성분	중량	성분	중량	성분	중량
실시예 1	KOH	0.4	TMAH	7	A1	15	G1	20	S1	20	S3	10	BTA	0.1	H1	3
실시예 2	KOH	0.1	TMAH	5	A1	15	G1	10	S1	35	S3	15	BTA	1	H2	1
실시예 3	KOH	1	TMAH	10	A1	15	G1	15	S1	25	S3	25	BTA	0.3	H1	0.1
실시예 4	KOH	0.1	TMAH	5	A2	15	G1	10	S1	35	S3	15	BTA	1	H1	1
실시예 5	KOH	0.1	TMAH	5	A2	15	G2	10	S1	35	S3	15	BTA	1	H2	1
비교예 1	KOH	0.5	TMAH	7	A1	10	G1	20	S1	15	S3	30	BTA	1.5
비교예 2	KOH	0.3	TMAH	8	A1	20	G1	15			S3	40	BTA	2	H2	5
비교예 3	KOH	0.7	TMAH	9	A1	15	G1	20	S1	45			BTA	0.5	H1	2
비교예 4	KOH	0.4	TMAH	10	A1	10	G1	10	S1	30	S3	25	BTA	1	HA	1
비교예 5	KOH	0.4	TMAH	7	A1	15	G2	20	S1	20	S2	10	BTA	0.1	H1	3

KOH : 수산화칼륨

TMAH : 테트라메틸암모늄 히드록사이드

A1 : 3-메톡시프로필아민

A2 : 3-에톡시프로필아민

G1 : 디에틸렌글리콜디메틸에테르

G2 : 트리에틸렌글리콜디메틸에테르

S1 : 디메틸설폭사이드

S2 : 디프로필설폭사이드

S3 : 설포란

H1 : 디에틸히드록실아민

H2 : 디메틸히드록실아민

HA : 히드록실아민

BTA : 벤조트리아졸

<실험예 1> 박리액의 박리력 평가

칼라레지스트의 제거 평가는 Red, Green, Blue(이하 RGB)가 각각 도포되어 있는 칼라필터 기판을 사용하였다.

칼라레지스트는 도포 후 90℃에서 120초간 프리베이크한 뒤, 노광을 시킨 다음, 현상하였다. 그 후, 오븐에서 패턴이 형성된 기판을 220℃ 오븐에서 하드베이크 하여 제작하였다.

칼라레지스트의 제거성을 확인하기 위해 75도의 용액에 3분, 5분, 10분간 침적하여 광학현미경으로 레지스트의 잔존 여부를 확인 하였다. 하기의 기준으로 평가하여 그 결과를 표 2에 기재하였다.

◎ : 레지스트 100% 제거

○ : 레지스트 80%이상 제거

△ : 레지스트 80%미만 제거

X : 레지스트 제거 안됨

<실험예 2> 박리액의 변색성 평가

상기 실시예 및 비교예의 조성물을 75도에서 방치하면서, 색의 변화를 관찰하였다. 하기의 기준으로 평가하여 그 결과를 표 2에 기재하였다.

◎; 12시간 후 변색이 관찰되지 않음.

○; 9시간 후 변색이 확인됨.

△; 6시간 후 변색이 확인됨.

×; 3시간 후 변색이 확인됨.

<실험예 3> 박리액의 하부막 부식 평가

상기 실시예 및 비교예의 75도 조성물에 기판을 침적하여, 광학현미경으로 구리 부식을 관찰하였다. 하기의 기준으로 평가하여 그 결과를 표 2에 기재하였다.

◎; 3시간 후 하부막 부식 확인 되지 않음.

○; 2시간 후 하부막 부식 확인됨.

△; 1시간 후 하부막 부식 확인됨.

×; 0.5시간 후 하부막 부식 확인됨.

	박리성	변색성	하부막 부식
실시예 1	◎	◎	◎
실시예 2	◎	◎	◎
실시예 3	◎	◎	◎
실시예 4	◎	◎	◎
실시예 5	◎	◎	◎
비교예 1	△	×	△
비교예 2	△	◎	◎
비교예 3	△	◎	◎
비교예 4	△	×	△
비교예 5	△	◎	◎
비교예 6	△	◎	◎

상기 표 2에 나타난 바와 같이, 실시예의 포토레지스트 박리액을 사용하였을 경우, 비교예의 포토레지스트 박리액 조성물을 사용했을 때와 비교하여 박리성, 변색성 및 하부막 부식 평가 모두에서 매우 우수한 효과를 나타내는 것으로 확인하였다.

Claims

A) 무기염기 또는 그의 염; B) 4급암모늄염 화합물; C) 화학식 1의 알콕시알킬아민; D) 알킬렌글리콜알킬에테르; E) DMSO와 설포란을 포함하는 용제; F) 방식제; G) 황화합물 안정제; 및 H) 물을 포함하며, 상기 DMSO의 함량이 설포란의 함량과 같거나 과량인 것을 특징으로 하는 칼라 레지스트 박리액 조성물:
[화학식 1]

상기 화학식 1에서, R₁은 C₁~C₆의 사슬형 또는 고리형 알콕시기이며, 상기 알콕시기는 C₁~C₆의 사슬형 또는 고리형 알킬기, 또는 C₁~C₃의 알콕시기로 치환된 것 일 수 있고, R₂ 및 R₃는 각각 독립적으로 수소, 또는 C₁~C₆의 사슬형 또는 고리형 알킬기이고, n은 1 내지 4의 정수이다.
청구항 1에 있어서, 조성물 총 중량에 대하여
A) 무기염기 또는 그의 염 0.01-2중량%;
B) 4급암모늄염 화합물 1-10중량%;
C) 화학식 1의 알콕시알킬아민 1-20중량%;
D) 알킬렌글리콜알킬에테르 1-20 중량%;
E) DMSO와 설포란을 포함하는 용제 20-70 중량%;
F) 방식제 0.1-5 중량%;
G) 황화합물 안정제 0.1-5중량%; 및
H) 물 잔량을 포함하는 칼라 레지스트 박리액 조성물.
청구항 1에 있어서, 상기 G) 황화합물 안정제는 하기 화학식 2의 구조를 갖는것인 칼라 레지스트 박리액 조성물:
[화학식 2]

상기 화학식 2에서,
R₄및 R₅는, 각각 독립적으로, C₁~C₁₀의 알킬기, 페닐기 또는 벤질기이며, 상기 C₁~C₁₀의 알킬기, 페닐기 또는 벤질기는 C₁~C₁₀의 알킬기, C₂~C₁₀의 알케닐기, C₁~C₁₀의 히드록시알킬기, 카르복실기, 히드록시기, 또는 C₁~C₁₀의 알콕시기로 치환된 것일 수 있다.
청구항 1에 있어서, 상기 A) 무기염기 또는 그의 염은 수산화나트륨, 수산화칼륨, 탄산나트륨, 탄산칼륨, 중탄산나트륨, 질산나트륨, 질산칼륨, 황산나트륨, 황산칼륨, 규산나트륨 및 규산칼륨에서 선택되는 하나 이상인 칼라 레지스트 박리액 조성물.
청구항 1에 있어서, 상기 B) 4급암모늄염 화합물은 테트라메틸암모늄 히드록시드(TMAH), 테트라에틸암모늄 히드록시드(TEAH), 테트라프로필암모늄 히드록시드(TPAH) 및 테트라부틸암모늄 히드록시드(TBAH)에서 선택되는 하나 이상인 칼라 레지스트 박리액 조성물.
청구항 1에 있어서, 상기 C) 화학식 1의 알콕시알킬아민은 알콕시 알킬아민은 메톡시에틸아민, 메톡시프로필아민, 에톡시프로필아민, 프로폭시에틸아민, 이소프로폭시프로필아민, 메톡시에톡시프로필아민, 옥솔란-2-일-메탄아민, (옥솔란-2-일-메틸)부탄-1-아민 및 메틸옥솔란-2-일-메탄아민에서 선택되는 하나 이상인 칼라 레지스트 박리액 조성물.
청구항 1에 있어서, 상기 D) 알킬렌글리콜알킬에테르는 에틸렌글리콜디메틸에테르, 디에틸렌글리콜디메틸에테르, 트리에틸렌글리콜디메틸에테르, 디에틸렌글리콜디에틸에테르, 디에틸렌글리콜메틸에틸에테르, 디에틸렌글리콜메틸부틸에테르, 프로필렌글리콜디메틸에테르 및 디프로필렌글리콜디메틸에테르에서 선택되는 하나 이상인 칼라 레지스트 박리액 조성물.
청구항 1에 있어서, 상기 F) 방식제는 벤조트리아졸, 톨리트리아졸, 메틸 톨리트리아졸, 2,2'-[[[벤조트리아졸]메틸]이미노]비스에탄올, 2,2'-[[[메틸-1수소-벤조트리아졸-1-일]메틸]이미노]비스메탄올, 2,2'-[[[에틸-1수소 벤조트리아졸-1-일]메틸]이미노]비스에탄올, 2,2'-[[[메틸-1수소-벤조트리아졸-1-일]메틸]이미노]비스에탄올, 2,2'-[[[메틸-1수소-벤조트리아졸-1-일]메틸]이미노]비스카르복시산, 2,2'-[[[메틸-1수소-벤조트리아졸-1-일]메틸]이미노]비스메틸아민, 2,2'-[[[아민-1수소-벤조트리아졸-1-일]메틸]이미노]비스에탄올을 포함하는 아졸계 화합물; 1,2-벤조퀴논, 1,4-벤조퀴논, 1,4-나프토퀴논, 안트라퀴논을 포함하는 퀴논계 화합물; 카테콜; 및 파이로갈롤, 메틸갈레이트, 프로필갈레이트, 도데실갈레이트, 옥틸갈레이트, 갈릭산을 포함하는 알킬 갈레이트류 화합물에서 선택되는 하나 이상인 칼라 레지스트 박리액 조성물.
청구항 1 내지 청구항 8 중 어느 한 항의 칼라 포토레지스트 박리액 조성물을 사용하여 플랫 패널 디스플레이 기판을 세정하는 공정을 포함하는 플랫 패널 디스플레이 기판의 제조 방법.