KR20170075519A - 사파이어 웨이퍼상의 질화갈륨의 제거 방법 - Google Patents

사파이어 웨이퍼상의 질화갈륨의 제거 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20170075519A
KR20170075519A KR1020150185280A KR20150185280A KR20170075519A KR 20170075519 A KR20170075519 A KR 20170075519A KR 1020150185280 A KR1020150185280 A KR 1020150185280A KR 20150185280 A KR20150185280 A KR 20150185280A KR 20170075519 A KR20170075519 A KR 20170075519A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
epi
wafer
pss
acid
heating
Prior art date
Application number
KR1020150185280A
Other languages
English (en)
Inventor
김석진
김종규
김재욱
유정열
Original Assignee
김석진
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 김석진 filed Critical 김석진
Priority to KR1020150185280A priority Critical patent/KR20170075519A/ko
Publication of KR20170075519A publication Critical patent/KR20170075519A/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02002—Preparing wafers
    • H01L21/02005—Preparing bulk and homogeneous wafers
    • H01L21/02032—Preparing bulk and homogeneous wafers by reclaiming or re-processing
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02079—Cleaning for reclaiming
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204—Optical Diode
    • H01L2924/12041—LED

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Led Devices (AREA)

Abstract

본 발명은 LED 제조공정에서 에피성장공정 전후에서 불량으로 판정된 에피웨이퍼에서 신속하고 경제적으로 패터닝된 사파이어 기판(PSS)을 재생하는 방법 및 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 (A) 80℃ 이상의 조건을 유지하는 pH 3 이하의 산(acid) 용액에 에피웨이퍼를 침지한 후 초음파를 가하면서 30분~2시간 처리하는 단계; (B) 이어서 상기 에피웨이퍼를 세정하는 단계;를 포함하는 에피웨이퍼에서 PSS를 재생하는 방법 및 이를 위한 장치에 관한 것이다.

Description

사파이어 에피웨이퍼에서 PSS를 재생하는 방법 및 장치{Method and Apparatus for Recycling PSS in Sapphire Epi-wafer}
본 발명은 LED 제조공정에서 에피성장공정 전후에서 불량으로 판정된 에피웨이퍼에서 신속하고 경제적으로 패터닝된 사파이어 기판(PSS)을 재생하는 방법 및 장치에 관한 것이다.
LED(Light-Emitting Diode)는 p-n접합 다이오드의 일종으로, 순방향으로 전압이 걸릴 때 단파장광(monochromatic light)이 방출되는 전기발광효과(electroluminescence)를 이용한 반도체 소자이다. 즉 순방향 전압 인가시 n층의 전자와 p층의 정공(hole)이 결합 하면서 전도대(conduction band)와 가전대(valance band)의 높이차이(에너지 갭)에 해당하는 만큼의 에너지를 발산 하는데, 이 에너지는 주로 열이나 빛의 형태로 방출되며, 빛의 형태로 발산 되면 LED가 되는 것이다.
LED 생산 공정은 ① 기판제조, ② 에피성장(Epitaxy), ③ 칩공정(Fabrication), ④ 패키징(Packaging) 및 모듈화(Module) 공정으로 나누어지며 단계별로 매우 다른 성격의 기술이 필요하다.
LED 제조를 위한 기판의 성분으로는 GaAs, 사파이어(Al2O3), SiC, InP, GaN 등이 이용되고 있는데, 기판제조공정은 이들 성분으로부터 큰 덩어리의 단결정 잉곳(Ingot)을 제조하고, 잉곳의 결정방향에 따라 얇은 판상의 기판으로 잘라내는 슬라이싱(Slicing)한 다음, 잘라진 기판의 양면을 평탄화하는 폴리싱 등을 거쳐 기판(substrate)을 완성하는 공정이다.
에피성장공정은, 기초 소재인 기판 위에 MOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition, 유기 금속 화학 증착) 장비 등을 이용하여 화합물 반도체를 성장시켜 에피웨이퍼를 제조하는 단계 이다. 에피성장공정을 청색 LED를 예를 들어 설명하면, 사파이어나 SiC 웨이퍼 상에 제1클래드층(N-GaN), 활성층(InGaN) 및 제2클래드층(P-GaN)이 차례로 증착 된다.
칩공정은, 에피성장을 통해 제작된 에피웨이퍼를 노광(Photolithgraphy), 식각(etching), 금속전극증착(metallization), 후면가공(lapping/polishing), 칩절단(scribing/breaking) 등의 정밀 단위 공정을 통해 0.3~1㎜ 크기의 개별 칩으로 분리하는 공정이다.
패키징(Packaging) 및 모듈화(Module)공정은 칩공정에서 개별로 분리된 칩이 다이접착, 선접착, 패키지 봉입 등의 과정을 거쳐 구동회로 및 광학기구와 조립되어 모듈 및 시스템으로 제작되는 단계이다. 이 단계에서 칩은 기계적, 환경적, 전기적 위험 요소인 외부로부터 보호하는 역할을 하며 광의제어 및 효율적인 열방출을 위한 광학설계가 필요하다.
한편, 동일한 효율을 갖는 LED를 제작하여도 빛을 외부로 방출하는 능력은 광 추출효율에 의해서 달라지게 된다. 즉 LED와 공기와의 굴절률 차이로 인해 내부 전반사에 의한 빛의 손실이 발생하게 되는데 이는 결국 LED의 광효율을 감소시키는 결정적인 원인을 제공한다. 광 추출효율을 높이기 위해서 플립칩(flip chip) 구조, chip shaping, 표면 요철형성(surface texturing), 요철이 형성된 사파이어 기판(patterned sapphire substrate: PSS), 광 결정(photonic crystal), 반사방지막(anti-reflection layer) 등의 기술이 알려져 있다. 이중 PSS는 LED의 외부양자효율을 향상시키기 위하여 사파이어기판 표면에 일정한 형태로 식각하여 패터닝(Patterning)하는 방법으로서 전반사되는 빛을 사파이어의 굴절률을 이용하여 광 추출효율을 획기적으로 개선한다.
통계에 의하면, 사파이어 기판으로 제작된 LED에서 패턴화된 사파이어 기판(PSS)의 원가비율이 약 30%(사파이어 기판 자체 18%, 기판 표면 패터닝 비용 12%)가 되고 있다.
한편, 에피성장공정에서 칩공정의 후면가공 전단계(기판에 물리적 변형이 가해지기 전단계)까지는 전체 LED 제조공정 중에서 가장 부가가치가 높은 반면 기술적 난이도가 매우 높아 이 공정에서의 불량률이 10% 내외인 것으로 알려져 있다. 이러한 불량 에피웨이퍼(epi-wafer; 에피성장공정~칩공정의 후면가공 전단계까지의 중간제품)를 재생하는 방법으로 레이저 리프트 오프 방법, 기계-화학적 연마방법, 드라이 에칭방법 등이 알려져 있다.
레이저 리프트 오프(Laser Lift Off : LLO) 법은, 본래 LED 발광효율을 증대시키기 위해 개발된 방법으로서, 엑시머 레이저(Eximaer Laser)를 사파이어 기판의 배면에서 기판과 GaN층 사이에 조사하는 것이다. 이때 레이저 빔의 에너지가 사파이어의 밴드갭(약 10.0 eV) 보다는 낮으며 GaN의 밴드갭(약 3.3 eV) 보다는 높으므로, 레이저 빔은 사파이어 기판에 흡수되지 않고 그대로 투과된 뒤 GaN층에 흡수되어 기판과 GaN층의 계면이 가열 및 분해됨으로써 기판과 GaN층이 분리되는 것이다. 그러나 이 방법에 의하면 고가의 LLO 장비가 필요하며 고도의 정밀성을 요하는 것이므로 기판의 재생용도로 활용하기에는 경제성이 없다.
기계-화학적 연마방법은 소정의 화학물질이 첨가된 폴리싱슬러리를 가하면서 에피웨이퍼의 에피층을 연마기(폴리싱 머신)로 연마하여 제거하는 방법이다. 이 방법에 의하면 비교적 빠른 시간 내에 에피층을 제거할 수 있으나 연마과정에서 PSS의 패턴이 동시에 마모되므로 다시 패터닝 작업을 추가해야 할 뿐만 아니라 기판의 두께가 얇아지고 불균일해지는 문제가 있어 재생 PSS의 품질 신뢰도가 매우 낮다.
드라이 에칭방법은 반도체 제조공정에서 웨이퍼 식각에 이용되는 드라이 에칭방법인 RIE를 활용한 것으로서, 진공용기내에서 플라즈마를 발생시켜 플라즈마 이온이 기판에 수직으로 입사되어 이온의 충격으로 에피층을 식각하여 제거하는 방법이다. 그러나 이 방법은 빠른 작업이 가능하지만 고온의 진공용기를 기본으로 하는 고가의 장비가 요구될 뿐만 아니라 고온에 의한 웨이퍼의 휘어짐 등 형태 변화를 초래하게 되므로 역시 에피웨이퍼 재생방법으로는 매우 비경제적이다.
한편, 본 발명의 발명자가 발명하여 등록받은 습식 재생방법(등록특허 10-1553241)이 알려져 있다. 이에 의하면 다른 방법에 비하여 경제적이면서도 신속하게 불량 에피웨이퍼를 재생할 수 있으나, 에피웨이퍼를 제1, 제2식각액에 비교적 장시간(총 6~12시간) 침지해야 하였다. 재생 시간의 단축을 위해 사전에 레이저 등을 이용하여 표면에 스크라이빙을 하는 경우도 있으나, 이에 의해 많은 시간이 단축되는 것은 아니며, 오히려 웨이퍼를 손상시킬 수도 있다. 따라서 재생시간을 단축시킬 수 있는 또 다른 발명이 요청되고 있다.
이렇듯 불량 에피웨이퍼의 일부가 재생되어 PSS로 재활용되고 있지만, 재생비용이 상당하고 재생과정에서 PSS의 패턴에 손상이 오는 경우가 많으므로 대부분이 폐기되는 것이 현실이다.
따라서 본 발명은 고가의 장비와 운영비가 요구되지 않는 불량 에피웨이퍼 재생방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
또한 본 발명은 레이저 등으로 표면처리하지 않아 PSS 기판 자체의 변형이나 손상을 초래하지 않는 불량 에피웨이퍼 재생방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
또한 본 발명은 대량의 불량 에피웨이퍼를 빠르게 재생시킬 수 있는 불량 에피웨이퍼 재생방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
전술한 목적을 달성하기 위한 본 발명은, (A) 80℃ 이상의 조건을 유지하는 pH 3 이하의 산(acid) 용액에 에피웨이퍼를 침지한 후 초음파를 가하면서 30분~2시간 처리하는 단계; (B) 이어서 상기 에피웨이퍼를 세정하는 단계;를 포함하는 에피웨이퍼에서 PSS를 재생하는 방법 및 이를 위한 장치인 것을 특징으로 한다.
이상과 같이 본 발명에 의하면 비교적 저가의 장비를 활용하여 대량으로 불량 에피웨이퍼에서 에피층을 제거하여 LED 제조공정에 활용될 수 있는 사파이어 기판을 재생할 수 있게 된다.
이에 의해 LED 제조원가의 약 30%를 차지하는 PSS를 경제적으로 재활용할 수 있게 되므로 보다 저렴한 LED의 생산을 가능하게 한다.
또한 본 발명에 의하면 레이저 등으로 표면을 전처리(스크라이빙)하지 않더라도, 종래 습식 재생방법에 비해 소요시간을 1/6~1/12로 줄일 수 있게 된다.
도 1은 본 발명에 의한 습식방식에 의해 에피웨이퍼가 PSS로 재생되는 것을 보여주는 개념도.
도 2a와 2b는 본 발명에 의한 재생장치의 개념적 단면도 및 가열수단의 개념적 단면도의 예.
도 3a와 3b는 처리전의 에피웨이퍼 표면사진과 수직단면 SEM 사진.
도 4a와 4b는 본 발명에 의한 실시예에서 재생 처리 20분 경과 후의 에피웨이퍼 표면과 수직단면 SEM 사진, 도 4c는 종래 레이저 스크라이빙에 의해 표면에 용융결함이 생긴 에피웨이퍼 표면 SEM 사진.
도 5a와 5b는 본 발명에 의한 실시예에서 재생 처리 50분 경과 후의 에피웨이퍼 표면과 수직단면 SEM 사진.
이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명을 보다 상세히 설명한다. 그러나 첨부된 도면은 본 발명의 기술적 사상의 내용과 범위를 쉽게 설명하기 위한 예시일 뿐, 이에 의해 본 발명의 기술적 범위가 한정되거나 변경되는 것은 아니다. 또한 이러한 예시에 기초하여 본 발명의 기술적 사상의 범위 안에서 다양한 변형과 변경이 가능함은 당업자에게는 당연할 것이다.
(방법에 대한 발명)
본 발명은, 고온 습식식각 방법을 적용함으로써 에피웨이퍼를 보다 빠르게 재생하고자 하는 것으로서, (A) 80~130℃의 조건을 유지하는 pH 3 이하의 산(acid) 용액에 에피웨이퍼를 침지한 후 초음파를 가하면서 30분~2시간 처리하여 PSS(patterned sapphire substrate)를 얻는 단계; (B) 이어서 상기 PSS를 세정하는 단계;를 포함하는 에피웨이퍼에서 PSS를 재생하는 방법에 관한 것이다(도 1 참조).
고온의 산에 침지된 상태에서 초음파 충격이 가해짐으로써 먼저 에피층의 최상층이 부분적으로 제거되고, 이어서 에피층의 최하층 즉, GaN층이 식각에 의해 제거되어 전체 에피층이 PSS로부터 탈락되는 현상이 발생한다.
산 용액의 온도가 80℃ 미만이면 제거효과가 미미하여 처리 시간이 과도하게 길어진다. 따라서 산 용액의 온도는 고온일수록 좋다. 그러나 130℃ 초과이면 산 용액의 온도유지가 어려울 뿐 아니라 산이 과도하게 증발되어 별도의 공기처리장치가 요구된다. 또한 산 용액의 pH가 3 초과인 경우 역시 처리 시간이 과도하게 길어졌다. 즉, 산 용액의 온도, 침지 시간이 상기 범위 미만이거나 pH가 상기 범위 초과인 경우 식각효과가 미미하였고, 그 반대인 경우 이미 에피층이 충분히 제거된 상태이므로 온도증가나 시간추가의 효과가 없었다. 에피의 두께 등 시료의 상태에 따라 온도와 시간, 산 농도 조건 등이 변동될 수 있음은 당연하다.
한편, 본 발명자들의 사전실험에 의하면, 초음파처리를 하지 않으면 다른 조건이 충족되더라도 처리시간이 24시간 경과하더라도 에피층이 거의 탈락되지 않았다. 따라서 처리시간 단축을 위해서 초음파처리는 필수적이었다.
당연히 상기 단계(A) 이전 또는 이후에, 유기용매, 알콜 또는 정제수로 상기 에피웨이퍼를 세정한다면 오염에 의한 식각효과 감소를 줄일 수 있을 것이다.
처리효율을 증대시키기 위해 소정의 케미칼을 산 용액에 추가할 수도 있다.
보다 신속한 GaN 층(에피층의 최하층)의 제거를 위해 기판의 표면에 작은 홈을 내어서 식각액에 침지하면 식각액이 파고들어 비교적 제거하기 쉬운 맨 아래 층의 N-GaN층을 식각하여 결과적으로 식각하기 어려운 N-GaN층 위의 P-GaN 등이 떨어져 나가는 효과를 얻을 수 있다. 이를 위해 샌드블러스트나 워터젯, 레이저 광원 등을 이용하여 상기 단계(A) 이전에, 상기 에피웨이퍼의 에피층에 에피층 두께보다 깊지 않게 미세홈을 형성하는 것이 바람직하다(도시 생략).
본 발명에서 상기 산은 에피웨이퍼의 계면으로 침투가 잘 이루어질 수 있도록 분자량이 작은 무기산인 것이 바람직하다. 예컨대 인산, 염산 또는 황산 중 어느 하나 또는 이들의 혼합인 것이 좋다.
한편, 본 발명에서 고온의 산에 침지된 에피웨이퍼는 식각액과 접촉하는 계면에서 화학반응이 일어나는 것이다. 따라서 효과적인 화학반응을 유도하기 위해 에피웨이퍼의 표면(계면)에 새로운 식각액이 계속적으로 접하도록 하는 것이 좋다. 이를 위하여 상기 단계(A)에서 에피웨이퍼의 에피층과 산 용액이 상대적으로 이동하도록 하는 것이 좋다. 예를 들면, 복수개의 에피웨이퍼를 소정의 간격으로 이격하여 반응조에 수직 또는 수평으로 적재하고, 산 용액을 수직 또는 수평방향으로 순환유동시키는 것이 바람직하다.
(장치에 관한 발명)
또한 본 발명은, 전술한 에피웨이퍼에서 PSS를 재생하는 방법을 적용하기 위한 장치로서, (A) 상기 산 용액이 담기는 내부용기(10); (B) 상기 내부용기(10)를 내장하며, 내부용기를 중탕할 수 있도록 소정의 열매체가 담겨지고, 열매체를 가열하기 위한 가열수단(21)이 장착된 중탕용기(20); (C) 상기 내부용기(10)에 초음파 진동을 가하는 초음파발생기(30);를 포함하는 PSS를 재생하기 위한 장치에 관한 것이다(도 2a 참조).
본 발명에 의한 장치는 일종의 중탕장치라 할 수 있다. 상기 초음파발생기(30)는 상황에 따라서 내부용기 내부나 외부, 중탕용기의 내부나 외부에 장착될 수도 있고, 또는 내부용기의 상부에 위치하여 초음파발생부가 산 용액에 침지되는 형태로 장착될 수도 있다.
한편, 중탕용기에 담겨서 내부용기의 산 용액을 가열하는 상기 열매체는 충분히 고온이면서 열전달이 우수한 광유나 냉각유 등을 적용할 수 있을 것이다. 본 발명에서는 비등점이 200℃에 가까우면서도 독성이 없고 취급이 용이한 에틸렌글리콜인 것이 바람직하다.
본 발명에서 상기 가열수단(21)은 도 2b에 단면도를 예시한 것처럼, 테프론이나 유리 석영 등 내열성 있고 열전달 특성이 우수한 재질의 관(이하 '테프론관'이라 통칭함)에 내장된 전열선(23) 및 상기 테프론관(24)의 내부에 충진된 열매체로 제작될 수 있다. 이때 충진된 열매체의 열팽창-수축을 고려하여 테프론관 내부에 소정의 진공영역을 두거나 테프론관 상단 일부에 미세관통공을 두어 온도변화에 의한 압력을 조절할 수 있도록 하는 것이 좋다. 또한 필요한 경우 열매체의 용이한 교환과 보충을 위하여 상부에 분리/조립 가능한 고무마개 등의 밀폐장치를 두는 것도 좋다(미도시).
도 3a에서는 하나의 가열수단을 중탕용기 내부에 설치한 것을 도시하였으나 가열수단의 수나 설치위치는 임의로 정할 수 있을 것이다. 예를 들면 산 용액의 온도를 더욱 높이기 위하여 가열수단을 내부용기에 설치할 수도 있다.
이상과 같은 방법 및 장치에 의해서, 아래 실시예에서 예시된 바와 같이, 에피웨이퍼의 GaN표면에 초음파에 의한 흠집이 만들어지면서 불규칙적인 모양으로 표면이 파괴되고, 균열된 틈 사이로 산이 침투하여 GaN표면이 에피웨이퍼에서 효과적으로 탈락되게 되는 것이다.
에피성장공정을 거친 4인치짜리 에피웨이퍼를 대상으로 실험을 수행하였다. 처리전의 에피웨이퍼 표면사진(3400배 확대)과 수직단면의 SEM 사진을 도 3a와 도 3b에 첨부하였다. 도면에서 볼 수 있듯이, 에피층을 통해 사파이어 기판에 형성된 패턴이 희미하게 보이고(도 3a) 사파이어 기판 위에 에피층이 6.43㎛ 정도 형성되어 있다(도 3b).
복수개의 에피웨이퍼를 정제수로 세정한 다음, 온도가 85℃로 유지되는 pH 2인 염산에 에피웨이퍼를 담근 후 초음파처리 하였다. 처리 20분 후와 50분 후에 에피웨이퍼를 꺼내어 정제수로 세정한 다음 에피웨이퍼 표면(3400배 확대)과 수직단면을 SEM 관찰하였다.
처리 20분 경과하였을 때 도면(도 4a, 4b)에서 볼 수 있듯이, 종래의 레이저 스크라이빙에 의한 방법(도 4c; 종래 레이저 스크라이빙한 경우 표면 SEM 사진)과는 달리, 에피웨이퍼의 표면이 불규칙적으로 마치 비늘처럼 균열이 지면서(도 4a) 탈락되어 에피웨이퍼의 표면에 GaN층이 상당부분 제거되어 있음(도 4b)을 알 수 있다.
처리 50분 경과하였을 때 도면(도 5a, 5b)에서 볼 수 있듯이, 에피웨이퍼의 표면에 GaN층이 대부분 제거되어 사파이어 기판이 온전히 노출되어 있었다.
이상과 같은 처리에 의해 패터닝된 사파이어 기판(PSS) 위의 에피층만이 완전히 제거되어 사파이어 기판의 패턴에 전혀 손상이 없어 ‘패턴 재형성’ 절차가 필요하지 않는 온전한 PSS를 얻을 수 있음을 확인하였다.
10. 내부용기
20. 중탕용기
21. 가열수단 23. 전열선 24. 테프론관
30. 초음파발생기

Claims (7)

  1. (A) 80℃ 이상의 조건을 유지하는 pH 3 이하의 산(acid) 용액에 에피웨이퍼를 침지한 후 초음파를 가하면서 30분~2시간 처리하는 단계;
    (B) 이어서 상기 에피웨이퍼를 세정하는 단계;
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 에피웨이퍼에서 PSS를 재생하는 방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 단계(A) 이전에,
    상기 에피웨이퍼의 에피층에 에피층 두께보다 깊지 않게 미세홈을 형성하는 것을 특징으로 하는 에피웨이퍼에서 PSS를 재생하는 방법.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 산은 인산, 염산 또는 황산 중 어느 하나 또는 이들의 혼합인 것을 특징으로 하는 에피웨이퍼에서 PSS를 재생하는 방법.
  4. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    복수개의 에피웨이퍼가 소정의 간격으로 이격되어 반응조에 수직 또는 수평으로 적재되어 있고, 상기 산 용액이 수직 또는 수평방향으로 순환유동하는 것을 특징으로 하는 에피웨이퍼에서 PSS를 재생하는 방법.
  5. 제 1 항에 의한 에피웨이퍼에서 PSS를 재생하는 방법을 적용하기 위한 장치로서,
    (A) 상기 산 용액이 담기는 내부용기;
    (B) 상기 내부용기를 내장하며, 내부용기를 중탕할 수 있도록 소정의 열매체가 담겨지고, 열매체를 가열하기 위한 가열수단이 장착된 중탕용기;
    (C) 상기 내부용기에 초음파 진동을 가하는 초음파발생기;
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 PSS를 재생하기 위한 장치.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 열매체는 에틸렌글리콜인 것을 특징으로 하는 PSS를 재생하기 위한 장치.
  7. 제 5 항 또는 제 6 항에 있어서,
    상기 가열수단은,
    밀폐된 테프론관, 상기 테프론관에 내장된 전열선 및 상기 테프론관의 내부에 충진된 열매체로 이루어진 것을 특징으로 하는 PSS를 재생하기 위한 장치.
KR1020150185280A 2015-12-23 2015-12-23 사파이어 웨이퍼상의 질화갈륨의 제거 방법 KR20170075519A (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020150185280A KR20170075519A (ko) 2015-12-23 2015-12-23 사파이어 웨이퍼상의 질화갈륨의 제거 방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020150185280A KR20170075519A (ko) 2015-12-23 2015-12-23 사파이어 웨이퍼상의 질화갈륨의 제거 방법

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20170075519A true KR20170075519A (ko) 2017-07-03

Family

ID=59357885

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020150185280A KR20170075519A (ko) 2015-12-23 2015-12-23 사파이어 웨이퍼상의 질화갈륨의 제거 방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20170075519A (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111048446A (zh) * 2019-11-25 2020-04-21 东台市高科技术创业园有限公司 一种高效二极管制备酸洗装置

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111048446A (zh) * 2019-11-25 2020-04-21 东台市高科技术创业园有限公司 一种高效二极管制备酸洗装置
CN111048446B (zh) * 2019-11-25 2022-09-30 东台市高科技术创业园有限公司 一种高效二极管制备酸洗装置

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8216867B2 (en) Front end scribing of light emitting diode (LED) wafers and resulting devices
US8507357B2 (en) Method for lift-off of light-emitting diode substrate
US8211781B2 (en) Semiconductor manufacturing method
TWI233216B (en) Semiconductor element and method for producing the same
JP5237763B2 (ja) 半導体素子の製造方法
CN107170668B (zh) 一种自支撑氮化镓制备方法
TWI469185B (zh) 分離基板的半導體結構及其製造方法
CN1943050A (zh) 化合物半导体发光器件晶片的制造方法
US10242970B2 (en) Discontinuous patterned bonds for semiconductor devices and associated systems and methods
US20110183453A1 (en) Method for manufacturing semiconductor device
US20130137244A1 (en) Method and apparatus for reconditioning a carrier wafer for reuse
JP2009032970A (ja) 窒化物半導体素子の製造方法
CN101866996B (zh) 基于激光器的led大面积可控表面粗化及刻蚀方法
CN101997068A (zh) 一种制备GaN基LED的方法
WO2015152817A1 (en) Methods of recycling substrates and carrier substrates
JP5237764B2 (ja) 半導体素子の製造方法
KR20130132137A (ko) 반도체 발광소자 제조방법
TWI734359B (zh) 用於製作光電半導體晶片的方法及其所使用的鍵合晶圓
KR102075994B1 (ko) 기판 분리 장치 및 기판 분리 시스템
KR20170075519A (ko) 사파이어 웨이퍼상의 질화갈륨의 제거 방법
KR101553241B1 (ko) 사파이어 에피웨이퍼에서 pss를 재생하는 방법
CN102110749A (zh) 基于激光器的SiC衬底LED大面积可控表面粗化刻蚀方法
US7696068B2 (en) Method for manufacturing vertical light-emitting diode
KR100990635B1 (ko) 수직구조 발광다이오드 소자의 제조방법
RU2546858C1 (ru) Способ изготовления полупроводниковых приборных структур, основанный на клонировании исходных подложек (варианты)