KR20170057867A - Inspection method and inspection device - Google Patents

Inspection method and inspection device Download PDF

Info

Publication number
KR20170057867A
KR20170057867A KR1020170059291A KR20170059291A KR20170057867A KR 20170057867 A KR20170057867 A KR 20170057867A KR 1020170059291 A KR1020170059291 A KR 1020170059291A KR 20170059291 A KR20170059291 A KR 20170059291A KR 20170057867 A KR20170057867 A KR 20170057867A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
defect
optical image
unit
comparison
illumination light
Prior art date
Application number
KR1020170059291A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
히데오 츠치야
노부타카 키쿠이리
Original Assignee
가부시키가이샤 뉴플레어 테크놀로지
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 가부시키가이샤 뉴플레어 테크놀로지 filed Critical 가부시키가이샤 뉴플레어 테크놀로지
Publication of KR20170057867A publication Critical patent/KR20170057867A/en

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06T—IMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
    • G06T7/00—Image analysis
    • G06T7/0002—Inspection of images, e.g. flaw detection
    • G06T7/0004—Industrial image inspection
    • G06T7/001—Industrial image inspection using an image reference approach
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
    • G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
    • G01N21/95—Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
    • G01N21/956—Inspecting patterns on the surface of objects
    • G01N21/95607—Inspecting patterns on the surface of objects using a comparative method
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06T—IMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
    • G06T7/00—Image analysis
    • G06T7/0002—Inspection of images, e.g. flaw detection
    • G06T7/0004—Industrial image inspection
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06V—IMAGE OR VIDEO RECOGNITION OR UNDERSTANDING
    • G06V10/00—Arrangements for image or video recognition or understanding
    • G06V10/98—Detection or correction of errors, e.g. by rescanning the pattern or by human intervention; Evaluation of the quality of the acquired patterns
    • G06V10/993—Evaluation of the quality of the acquired pattern
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/20—Sequence of activities consisting of a plurality of measurements, corrections, marking or sorting steps
    • H01L22/24—Optical enhancement of defects or not directly visible states, e.g. selective electrolytic deposition, bubbles in liquids, light emission, colour change
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
    • G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
    • G01N21/95—Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
    • G01N21/956—Inspecting patterns on the surface of objects
    • G01N21/95607—Inspecting patterns on the surface of objects using a comparative method
    • G01N2021/95615—Inspecting patterns on the surface of objects using a comparative method with stored comparision signal
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
    • G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
    • G01N21/95—Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
    • G01N21/956—Inspecting patterns on the surface of objects
    • G01N2021/95676—Masks, reticles, shadow masks
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N2201/00—Features of devices classified in G01N21/00
    • G01N2201/12—Circuits of general importance; Signal processing
    • G01N2201/126—Microprocessor processing
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N2201/00—Features of devices classified in G01N21/00
    • G01N2201/12—Circuits of general importance; Signal processing
    • G01N2201/127—Calibration; base line adjustment; drift compensation
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06T—IMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
    • G06T2207/00—Indexing scheme for image analysis or image enhancement
    • G06T2207/30—Subject of image; Context of image processing
    • G06T2207/30108—Industrial image inspection
    • G06T2207/30148—Semiconductor; IC; Wafer

Abstract

An inspection apparatus according to embodiments includes a lightening unit, an imaging unit, a first storage unit, a comparison unit, and a first determination unit. The lighting unit irradiates a sample including a defect to be inspected with a lighting light. The imaging unit obtains an optical image formed by the lightening light transmitted through or reflected by the sample to be inspected. The first storage unit stores information on a defect correction method for the defect. The comparison unit compares the optical image and a reference image based on the information on the defect correction method. The first determination unit determines, based on a comparison result by the comparison unit and the information on the defect correction method, whether correction of the defect is appropriate.

Description

검사 방법 및 검사 장치{INSPECTION METHOD AND INSPECTION DEVICE}{INSPECTION METHOD AND INSPECTION DEVICE}

본 발명은 검사 장치 및 검사 방법에 관한 것이다. 예를 들면, 반도체 소자의 제조 등에 이용되는 마스크 등의 피검사 시료에 레이저광을 조사하여 패턴상의 광학 화상을 취득하여 패턴을 검사하는 검사 장치 및 검사 방법에 관한 것이다.The present invention relates to an inspection apparatus and an inspection method. The present invention relates to an inspection apparatus and an inspection method for inspecting a pattern by irradiating a laser beam to a sample to be inspected such as a mask used for manufacturing a semiconductor device to obtain an optical image on a pattern.

최근, 반도체 소자에 요구되는 회로 선폭의 정밀도 관리의 요구는 더 높아지고 있다. 이러한 반도체 소자는, 회로 패턴이 형성된 원화 패턴(마스크 혹은 레티클이이라고도 함. 이하, 마스크라고 총칭함)을 이용하여, 이른바 스테퍼라고 불리는 축소 투영 노광 장치로 웨이퍼 상에 패턴을 노광 전사하여 회로 형성함으로써 제조된다. 따라서, 이러한 미세한 회로 패턴을 웨이퍼에 전사하기 위한 포토리소그래피 마스크의 제조에는, 미세한 회로 패턴을 묘화할 수 있는 전자빔을 이용한 패턴 묘화 장치를 이용한다. 이러한 패턴 묘화 장치를 이용하여 웨이퍼에 직접 패턴 회로를 묘화하는 경우도 있다.2. Description of the Related Art In recent years, there is a growing demand for precision management of circuit line widths required for semiconductor devices. Such a semiconductor device is subjected to exposure and transfer of a pattern on a wafer by a reduced projection exposure apparatus called a so-called stepper by using a circle pattern (also referred to as a mask or a reticle, hereinafter collectively referred to as a mask) . Therefore, for manufacturing a photolithography mask for transferring such a fine circuit pattern onto a wafer, a pattern writing apparatus using an electron beam capable of drawing a fine circuit pattern is used. In some cases, a pattern circuit is directly drawn on a wafer by using such a pattern writing apparatus.

그리고, 다대한 제조 코스트가 드는 CPU(Central Processing Unit) 또는 FPGA(Field Programmable Gate Array) 등의 LSI의 제조에 있어, 수율의 향상은 빠뜨릴 수 없다. 수율을 저하시키는 큰 요인 중 하나로서, 반도체 웨이퍼 상에 초미세 패턴을 포토리소그래피 기술로 노광, 전사할 시에 사용되는 포토리소그래피 마스크의 패턴 결함을 들 수 있다. 최근, 반도체 웨이퍼 상에 형성되는 LSI 패턴 치수의 미세화에 수반하여, 패턴 결함으로서 검출해야 하는 치수도 매우 작은 것으로 되어 있다. 이 때문에, LSI 제조에 사용되는 전사용 마스크의 결함을 검사하는 패턴 검사 장치의 고정밀화가 바람직하다고 되어 있다.In the manufacture of LSIs such as a CPU (Central Processing Unit) or an FPGA (Field Programmable Gate Array) for which various manufacturing costs are incurred, improvement in the yield is indispensable. One of the major factors for lowering the yield is pattern defects of photolithography masks used for exposure and transfer of ultrafine patterns on a semiconductor wafer by photolithography. In recent years, along with the miniaturization of LSI pattern dimensions formed on semiconductor wafers, the dimensions to be detected as pattern defects are very small. For this reason, it is said that a high precision of a pattern inspection apparatus for inspecting defects of transfer masks used for manufacturing LSIs is desirable.

검사 방법으로서는, 확대 광학계를 이용하여 포토리소그래피 마스크 등의 시료 상에 형성되어 있는 패턴을 소정의 배율로 촬상한 광학 화상과, 설계 데이터, 혹은 시료 상의 동일 패턴을 촬상한 광학 화상과 비교함으로써 검사를 행하는 방법이 알려져 있다. 예를 들면, 패턴 검사 방법으로서, 동일 마스크 상의 상이한 장소의 동일 패턴을 촬상한 광학 화상 데이터끼리를 비교하는 'die to die(다이 - 다이) 검사' 또는 패턴 설계된 CAD 데이터를 마스크에 패턴을 묘화할 때에 묘화 장치가 입력하기 위한 장치 입력 포맷으로 변환된 묘화 데이터(패턴 데이터)를 검사 장치에 입력하여, 이것을 베이스로 설계 화상 데이터(참조 화상)를 생성하여, 그것과 패턴을 촬상한 측정 데이터가 되는 광학 화상을 비교하는 'die to database(다이 - 데이터 베이스) 검사'가 있다. 이러한 검사 장치에 있어서의 검사 방법에서는, 시료는 스테이지 상에 재치되어 스테이지가 움직임으로써 광속(光束)이 시료 상을 주사하여 검사가 행해진다. 시료에는 광원 및 조명 광학계에 의해 광속이 조사된다. 시료를 투과 혹은 반사한 광은 광학계를 개재하여, 광검출기 상에 결상된다. 광검출기로 촬상된 화상은 측정 데이터로서 비교 회로로 보내진다. 비교 회로에서는, 화상끼리의 위치 맞춤 후, 측정 데이터와 참조 데이터를 적절한 알고리즘에 따라 비교하고, 일치하지 않는 경우에는, 패턴 결함 있음으로 판정한다.As an inspection method, a magnification optical system is used to compare an optical image obtained by imaging a pattern formed on a sample such as a photolithography mask at a predetermined magnification with an optical image obtained by imaging design data or the same pattern on a sample, Is known. For example, as a pattern inspection method, a "die to die inspection" for comparing optical image data obtained by picking up the same pattern at a different place on the same mask, or a method of drawing a pattern on a mask-designed CAD data Drawing data (pattern data) converted into a device input format for inputting by the drawing apparatus is input to the inspection apparatus, and design image data (reference image) is generated based on the drawing data. There is a 'die to database test' to compare optical images. In this inspection method in the inspection apparatus, the sample is placed on the stage, and the stage is moved so that the light beam (light beam) is scanned on the sample surface to be inspected. The sample is irradiated with a light flux by a light source and an illumination optical system. Light transmitted through or reflected from the sample is imaged on the photodetector via the optical system. The image picked up by the photodetector is sent to the comparison circuit as measurement data. In the comparison circuit, after the images are aligned with each other, the measurement data and the reference data are compared in accordance with an appropriate algorithm. If they do not match, it is determined that there is a pattern defect.

패턴 검사에 의해 판정된 결함의 결함 보정 방법은 다양화되고 있다. 종래부터, 패턴을 FIB(Focused Ion Beam)로 스패터링하여 제거하는 방법, 레이저 CVD(Chemical Vapor Deposition)에 의해 금속막을 퇴적시키는 방법, FIB 또는 전자선에 의해 어모퍼스 카본막을 패턴으로서 퇴적시키는 방법 등이, 보정 방법으로서 사용되어 왔다. 일본특허공개공보 2012 - 022323호에는, 포토리소그래피 마스크의 패턴을 가지는 기판의 투과율을 펨토초 레이저 펄스로 변화시켜, 포토리소그래피 마스크의 전사상을 보정하는 방법이 기재되어 있다.Defect correction methods for defects determined by pattern inspection have been diversified. Conventionally, a method of removing a pattern by sputtering with a FIB (Focused Ion Beam), a method of depositing a metal film by laser CVD (Chemical Vapor Deposition), a method of depositing an amorphous carbon film by a FIB or an electron beam as a pattern, Have been used as calibration methods. Japanese Patent Application Laid-Open No. 2012-022732 discloses a method of correcting the transfer image of a photolithography mask by changing the transmittance of a substrate having a pattern of the photolithography mask with a femtosecond laser pulse.

이와 같이 결함의 검사 방법과 결함 보정 방법이 다양화되고 있기 때문에, 결함의 결함 보정 방법에 기초하여 결함의 과잉 검출을 방지한 포토리소그래피 마스크의 검사를 할 수 있는 검사 장치 및 검사 방법이 요구되고 있었다.As described above, a defect inspection method and a defect correction method are diversified. Therefore, an inspection apparatus and an inspection method capable of inspecting a photolithography mask that prevents excessive detection of defects based on a defect defect correction method are required .

본 발명의 실시 형태는, 결함의 결함 보정 방법에 기초하여 결함의 과잉 검출을 방지한 포토리소그래피 마스크의 검사를 할 수 있는 검사 장치 및 검사 방법을 제공한다.An embodiment of the present invention provides an inspection apparatus and an inspection method capable of inspecting a photolithography mask that prevents excessive detection of defects based on a defect defect correction method.

실시 형태의 검사 장치는, 결함을 가지는 피검사 시료에 조명광을 조사하는 조명부와, 피검사 시료를 투과한 또는 피검사 시료에 의해 반사된 조명광을 결상한 광학 화상을 취득하는 결상부와, 결함의 결함 보정 방법 정보를 보존하는 제1 기억부와, 결함 보정 방법 정보에 기초하여 광학 화상과 참조 화상의 비교를 행하는 비교부와, 비교부에 있어서의 비교의 결과와 결함 보정 방법 정보에 기초하여 결함의 보정의 적합 여부를 판단하는 제1 판단부를 구비한다.An inspection apparatus of an embodiment includes an illumination unit for irradiating illumination light to a sample to be inspected having a defect, an imaging unit for acquiring an optical image of imaging illumination light reflected by the sample to be inspected, A comparison unit for comparing the optical image and the reference image based on the defect correction method information; and a correction unit for correcting the defect based on the result of the comparison in the comparison unit and the defect correction method information And a first judgment unit for judging whether or not the correction of the correction value is satisfied.

실시 형태의 검사 방법은, 결함을 가지는 피검사 시료에 조명광을 조사하고, 피검사 시료를 투과한 조명광을 결상한 제1 광학 화상과 피검사 시료에 의해 반사된 조명광을 결상한 제2 광학 화상 중 어느 일방 또는 양방을 취득하고, 피검사 시료를 투과한 조명광을 결상한 광학 화상의 참조가 되는 제1 참조 화상과 제1 광학 화상을 비교하고 또는 피검사 시료에 의해 반사된 조명광을 결상한 광학 화상의 참조가 되는 제2 참조 화상과 제2 광학 화상을 비교하고, 결함의 결함 보정의 필요 여부를 판단하고, 결함의 결함 보정 방법을 판단하고, 결함의 결함 보정 방법 정보를 보존하고, 결함 보정 방법을 이용하여 결함을 보정하고, 피검사 시료에 조명광을 조사하고, 피검사 시료를 투과한 조명광을 결상한 제3 광학 화상과 피검사 시료에 의해 반사된 조명광을 결상한 제4 광학 화상 중 어느 일방 또는 양방을 취득하고, 결함 보정 방법 정보에 기초하여 제1 참조 화상과 제3 광학 화상을 비교 또는 제2 참조 화상과 제4 광학 화상을 비교하여, 비교의 결과와 결함 보정 방법 정보에 기초하여 보정의 적합 여부를 판단한다.In the inspection method of the embodiment, illumination light is irradiated to a sample to be inspected having a defect, and a first optical image formed by the illumination light transmitted through the sample to be inspected and a second optical image formed by imaging the illumination light reflected by the sample to be inspected And compares the first reference image, which is a reference of an optical image formed by imaging the illumination light transmitted through the inspection subject sample, with the first optical image, or compares the first optical image with the first reference image, The second reference image and the second optical image are compared with each other to judge whether or not the defect is to be corrected for defects, the defect correction method of the defect is determined, the defect correction method information of the defect is stored, Corrects the defect, irradiates the inspection object with the illumination light, and outputs the third optical image formed by the illumination light transmitted through the inspection object and the illumination light reflected by the inspection object And acquires either one or both of the formed fourth optical images and compares the first reference image and the third optical image based on the defect correction method information or compares the second reference image and the fourth optical image, And the defect correction method information.

도 1은 제1 실시 형태에 있어서의 검사 장치의 주요부의 모식도이다.
도 2a ~ 도 2d는 제1 실시 형태에 있어서의 기판의 투과율을 감소시키는 보정을 행한 마스크를 투과한 조명광을 결상한 광학 화상의 단면을 나타내는 모식도이다.
도 3은 제1 실시 형태에 있어서의 결함을 가지는 마스크의 검사 장치의 주요부의 모식도이다.
도 4는 제1 실시 형태에 있어서의 결함을 보정한 마스크의 검사 장치의 주요부의 모식도이다.
도 5는 제1 실시 형태에 있어서의 마스크의 검사 방법의 순서도이다.
도 6은 제2 실시 형태에 있어서의 결함을 보정한 마스크의 검사 장치의 주요부의 모식도이다.
도 7은 제3 실시 형태에 있어서의 결함을 보정한 마스크의 검사 장치의 주요부의 모식도이다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS FIG. 1 is a schematic view of a main part of an inspection apparatus in the first embodiment. FIG.
Figs. 2A to 2D are schematic views showing cross sections of an optical image obtained by imaging illumination light transmitted through a mask which has undergone correction for reducing the transmittance of the substrate in the first embodiment. Fig.
3 is a schematic view of a main part of a mask inspection apparatus having a defect in the first embodiment.
4 is a schematic view of a main portion of a mask inspection apparatus in which defects are corrected in the first embodiment.
5 is a flowchart of a mask inspection method in the first embodiment.
6 is a schematic diagram of a main part of a mask inspection apparatus in which defects are corrected in the second embodiment.
Fig. 7 is a schematic diagram of a main portion of a mask inspection apparatus in which defects are corrected in the third embodiment. Fig.

이하, 본 발명의 실시 형태에 대해 도면을 참조하여 설명한다.BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.

또한, 이하의 기재에 있어서는, 포토리소그래피 마스크(피검사 시료)를 단순히 마스크라고 표기한다.In the following description, a photolithography mask (inspection sample) is simply referred to as a mask.

(제1 실시 형태)(First Embodiment)

도 1은 제1 실시 형태에 있어서의 검사 장치(1000)의 모식도이다. 본 실시 형태의 검사 장치는, 마스크의 결함 검사를 행하는 패턴 검사 장치이다.1 is a schematic diagram of an inspection apparatus 1000 according to the first embodiment. The inspection apparatus of the present embodiment is a pattern inspection apparatus that performs defect inspection of a mask.

보지부(保持部)(100)에는 마스크(M)가 재치(載置)된다.The mask M is placed on the holding portion (holding portion) 100.

스테이지(200)는 보지부(100)의 아래에 배치되고, 보지부(100)를 지지한다. 스테이지(200)는, 서로 직교하는 횡방향인 X 방향 및 Y 방향으로, 각각 제1 모터(210a) 및 제2 모터(210b)에 의해 이동된다. 또한, 스테이지(200)는, 연직 방향으로 수직인 면내에서, 제3 모터(210c)에 의해 회전된다. 레이저 측장계(220)는, 스테이지(200)의 X 방향에 있어서의 위치 및 Y 방향에 있어서의 위치를 측정한다.The stage 200 is disposed below the holding portion 100 and supports the holding portion 100. [ The stage 200 is moved by the first motor 210a and the second motor 210b in X direction and Y direction, which are transverse directions orthogonal to each other. Further, the stage 200 is rotated by the third motor 210c in a plane perpendicular to the vertical direction. The laser side instrument 220 measures the position of the stage 200 in the X direction and the position in the Y direction.

이동 제어부(300)는, 후술하는 제어 계산기(650)에 버스 라인(670)을 개재하여 접속되는 주사 범위 설정 기구(310)와, 주사 범위 설정 기구(310)로 설정되는 주사 범위 내에서 스테이지(200)가 이동되도록 제1 모터(210a), 제2 모터(210b) 및 제3 모터(210c)를 제어하는 모터 제어 기구(320)를 구비한다.The movement control unit 300 includes a scan range setting mechanism 310 connected to a control computer 650 to be described later via a bus line 670 and a scanning range setting unit 310 connected to the stage And a motor control mechanism 320 for controlling the first motor 210a, the second motor 210b and the third motor 210c so that the first motor 210a, the second motor 210b and the third motor 210c are moved.

조명부(400)는, 광원(410)과, 제1 조명부용 렌즈(420)와, 제2 조명부용 렌즈(430)와, 제1 조명부용 미러(440)와, 콘덴서 렌즈(450)와, 제1 조명부용 광속 분배 수단(460)과, 제2 조명부용 미러(470)와, 제2 조명부용 광속 분배 수단(480)과, 대물 렌즈(490)를 구비한다.The illumination unit 400 includes a light source 410, a lens 420 for a first illumination unit, a lens 430 for a second illumination unit, a mirror 440 for a first illumination unit, a condenser lens 450, 1 light beam distributing means 460, a second illuminating unit mirror 470, a second illuminating unit light beam distributing means 480, and an objective lens 490.

광원(410)으로부터 출사된 레이저광 등의 조명광은, 제1 조명부용 렌즈(420) 및 제2 조명부용 렌즈(430)에 의해 평행한 광속으로 직경이 확장된다. 확경된 광속은, 제1 조명부용 미러(440)와 콘덴서 렌즈(450)에 의해 마스크(M)의 상면에 조사된다. 제1 조명부용 렌즈(420)와, 제2 조명부용 렌즈(430)와, 제1 조명부용 미러(440)와, 콘덴서 렌즈(450)는 투과 조명계를 구성한다. 또한, 광원(410)의 파장은, 마스크(M)를 이용하여 노광이 행해진 경우에 가까운 상태에서 마스크(M)의 검사를 할 수 있기 때문에, 마스크(M)가 이용되는 노광 장치가 가지는 광원의 파장과 동일한 정도인 것이 바람직하다.The illumination light such as the laser light emitted from the light source 410 is expanded in diameter to the parallel light flux by the lens 420 for the first illumination part and the lens 430 for the second illumination part. The enlarged light beam is irradiated onto the upper surface of the mask M by the mirror 440 for the first illumination unit and the condenser lens 450. [ The lens 420 for the first illumination unit, the lens 430 for the second illumination unit, the mirror 440 for the first illumination unit, and the condenser lens 450 constitute a transmission illumination system. Since the wavelength of the light source 410 can be inspected in a state close to the case where the exposure is performed using the mask M, the wavelength of the light source 410 of the exposure apparatus in which the mask M is used It is preferably the same as the wavelength.

또한, 광원(410)으로부터 출사된 레이저광 등의 조명광은, 제1 조명부용 렌즈(420) 및 제2 조명부용 렌즈(430)에 의해 평행한 광속으로 확경된 후, 제2 조명부용 렌즈(430)와 제1 조명부용 미러(440)의 사이에 배치된 제1 조명부용 광속 분배 수단(460)에 의해 반사된다. 제1 조명부용 광속 분배 수단(460)에 의해 반사된 조명광은, 제2 조명부용 미러(470)와 제2 조명부용 광속 분배 수단(480)에 의해 마스크(M)의 하면에 조사된다. 제1 조명부용 광속 분배 수단(460)과 제2 조명부용 미러(470)와 제2 조명부용 광속 분배 수단(480)은 반사 조명계를 구성한다. 또한, 제1 조명부용 광속 분배 수단(460) 및 제2 조명부용 광속 분배 수단(480)으로서는, 구체적으로는, 하프 미러, 슬릿, 편광 빔 스플리터 등을 바람직하게 이용할 수 있다.The illumination light such as the laser light emitted from the light source 410 is expanded to a parallel light flux by the lens 420 for the first illumination unit and the lens 430 for the second illumination unit and thereafter the illumination light for the second illumination unit 430 And the mirror 440 for the first illuminating unit, as shown in Fig. The illumination light reflected by the light beam distribution means 460 for the first illumination unit is irradiated to the lower surface of the mask M by the mirror 470 for the second illumination unit and the light beam distribution means 480 for the second illumination unit. The light flux distributing means 460 for the first lighting part, the mirror 470 for the second lighting part, and the light flux distributing means 480 for the second lighting part constitute a reflective illumination system. As the light beam distributing means 460 for the first illuminating unit and the light beam distributing means 480 for the second illuminating unit, specifically, a half mirror, a slit, a polarizing beam splitter, or the like can be preferably used.

결상부(500)는, 제1 광검출기(510)와, 제1 결상부용 렌즈(520)와, 제2 광검출기(530)와, 제2 결상부용 렌즈(540)와, 분리 미러(550)를 구비한다.The imaging unit 500 includes a first optical detector 510, a first imaging unit lens 520, a second optical detector 530, a second imaging unit lens 540, a separation mirror 550, Respectively.

투과 조명계에 의해 마스크(M)의 상면에 조사되어 마스크(M)를 투과한 조명광은, 투과광이라고 불린다. 또한, 반사 조명계에 의해 마스크(M)의 하면에 조사된 후, 마스크(M)에 의해 반사된 조명광은, 반사광이라고 불린다. 투과광과 반사광은, 대물 렌즈(490)와 제2 조명부용 광속 분배 수단(480)을 통하여 분리 미러(550)에 입사된다. 투과광은, 분리 미러(550)로부터 제1 결상부용 렌즈(520)를 통하여 제1 광검출기(510)에 결상된다. 또한, 반사광은, 분리 미러(550)로부터 제2 결상부용 렌즈(540)를 통하여 제2 광검출기(530)에 결상된다.The illumination light that is irradiated onto the upper surface of the mask M by the transmission illumination system and transmitted through the mask M is called transmitted light. The illumination light reflected by the mask M after being irradiated to the lower surface of the mask M by the reflective illumination system is called reflected light. The transmitted light and the reflected light are incident on the separating mirror 550 through the objective lens 490 and the light beam distributing means 480 for the second illuminating unit. Transmitted light is imaged on the first photodetector 510 from the separation mirror 550 through the lens 520 for the first imaging unit. Further, the reflected light is imaged on the second photodetector 530 from the separating mirror 550 through the lens 540 for the second imaging unit.

제어 회로(600)는, 제1 비교부(비교부)(610)와, 제2 비교부(612)와, 참조부(620)와, 전개부(622)와, 제1 판단부(판단부)(624)와, 제2 판단부(626)와, 제3 판단부(628)와, 제4 판단부(629)와, 패턴 데이터 기억부(630)와, 제1 기억부(632)와, 제2 기억부(634)와, 제3 기억부(636)와, 제4 기억부(638)와, 제5 기억부(639)와, 위치 검출부(640)와, 제어 계산기(650)와, 맵 작성부(660)와, 버스 라인(670)과, 리뷰부(680)와, 전사상 작성부(690)를 구비한다.The control circuit 600 includes a first comparison section 610, a second comparison section 612, a reference section 620, a development section 622, a first determination section (determination section) A second determination unit 626, a third determination unit 628, a fourth determination unit 629, a pattern data storage unit 630, a first storage unit 632, A fourth storage unit 638, a fifth storage unit 639, a position detection unit 640, a control calculator 650, and a second storage unit 634, a third storage unit 636, A map creating unit 660, a bus line 670, a review unit 680, and a transfer image creating unit 690. [

맵 작성부(660)는 마스크(M)의 결함의 맵을 작성한다. 여기서, 마스크(M)의 결함이란, 마스크(M)의 패턴 엣지의 러프니스, 마스크(M)의 선폭의 분포(CD 맵), 마스크(M)의 패턴의 위치 이탈(REG 맵) 등을 들 수 있다.The map creating unit 660 creates a map of defects of the mask (M). Here, the defect of the mask M refers to the roughness of the pattern edge of the mask M, the distribution of the line width of the mask M (CD map), the deviation of the pattern of the mask M (REG map) .

오토 포커스부(700)는, 오토 포커스 광속 분배 수단(710)과, 포커스 이탈 검출 기구(720)와, 포커스 제어 기구(730)와, 오토 포커스부용 모터(740)를 구비한다.The autofocus unit 700 includes an autofocus light flux distribution unit 710, a focus deviation detection mechanism 720, a focus control mechanism 730, and a motor 740 for the autofocus unit.

오토 포커스 광속 분배 수단(710)은, 반사광을 포커스 이탈 검출부(720)에 입사시킨다. 포커스 이탈 검출부(720)는, 입사된 반사광으로부터 포커스 이탈의 정도를 검출하고, 포커스 제어부(730)에 포커스 이탈의 정도를 입력한다. 포커스 제어부(730)는, 입력된 포커스 이탈의 정도에 기초하여, 오토 포커스 수단용 모터(740)를 제어하여 대물 렌즈(490)를 높이 방향으로 움직여, 대물 렌즈(490)의 초점을 마스크(M) 상에 맞춘다. 또한, 스테이지(200)를 연직 방향으로 움직여도 된다. 또한, 오토 포커스 광속 분배 수단(710)으로서는, 구체적으로는, 하프 미러, 슬릿, 편광 빔 스플리터 등을 바람직하게 이용할 수 있다.The autofocus beam splitter 710 causes the reflected light to enter the focus deviation detector 720. The focus deviation detection unit 720 detects the degree of focus deviation from the incident reflected light and inputs the degree of focus deviation to the focus control unit 730. [ The focus control unit 730 controls the motor 740 for the autofocus unit based on the inputted degree of focus deviation to move the objective lens 490 in the height direction so that the focus of the objective lens 490 is moved to the mask M ). Further, the stage 200 may be moved in the vertical direction. As the autofocus light beam distributing means 710, a half mirror, a slit, a polarizing beam splitter, or the like can be preferably used.

마스크(M)의 검사 방법으로서는, 예를 들면 X 축 방향을 주주사 방향, Y 축 방향을 부주사 방향으로 하여, 스테이지(200)의 X 축 방향의 이동에 의해 조명광을 X 축 방향으로 주사하고, 스테이지(200)의 Y 축 방향의 이동에 의해 주사 위치를 Y 축 방향으로 소정의 피치로 이동시킨다. 또한, 마스크(M)의 검사 방법은 상기의 기재에 한정되지 않는다.As a method of inspecting the mask M, illumination light is scanned in the X-axis direction by movement of the stage 200 in the X-axis direction, for example, with the X-axis direction being the main scanning direction and the Y- The scanning position is moved in the Y-axis direction at a predetermined pitch by the movement of the stage 200 in the Y-axis direction. The method of inspecting the mask M is not limited to the above description.

도 2a ~ 도 2d는 본 실시 형태에 있어서의 기판(S)의 투과율을 감소시키는 보정을 행한 마스크(M)를 투과한 조명광을 결상한 광학 화상의 단면을 나타내는 모식도이다.Figs. 2A to 2D are schematic diagrams showing cross sections of an optical image obtained by imaging illumination light transmitted through a mask M corrected for decreasing the transmittance of the substrate S in the present embodiment. Fig.

기판(S)은 예를 들면 석영으로 이루어지고, 차광막(F)은 크롬 등의 금속의 박막으로 이루어진다. 차광막(F)은 패턴을 구성한다. 도 2a는 결함을 가지는 마스크(M), 도 2b는 결함이 보정된 후의 마스크(M), 도 2c는 결함을 가지는 마스크(M)의 A-A' 단면에 있어서의 투과광 화상, 도 2d는 결함이 보정된 후의 마스크(M)의 B-B' 단면에 있어서의 투과광 화상이다. 도 2a의 중앙의 차광막(F)은, 차광막(F)의 일부가 결락되어 있는 백색 결함(I)을 결함으로서 가진다. 이 백색 결함이 배치되어 있는 부분은, 도 2c와 같이, 다른 차광막(F)이 배치되어 있는 부분에 비해, 투과광의 양이 많아진다.The substrate S is made of, for example, quartz, and the light-shielding film F is made of a thin film of metal such as chromium. The light-shielding film F constitutes a pattern. FIG. 2C shows a transmitted light image on the AA 'cross section of the mask M having a defect, FIG. 2C shows a defect corrected (corrected) Is the transmitted light image at the BB 'cross section of the mask M after the exposure. The light shield film F at the center of FIG. 2A has a white defect I in which a part of the light shield film F is missing as a defect. As shown in Fig. 2C, the portion where the white defect is disposed has a larger amount of transmitted light than the portion where the other light-shielding film F is disposed.

도 2b의 마스크(M)는, 백색 결함(I) 부근의 기판을 펨토초 레이저 펄스로 용해시켜 기판의 투과율이 감소된 부분(C)을 가진다. 이 때문에, 도 2d에서는, 중앙의 차광막이 배치되어 있는 부분의 주위와 다른 차광막이 배치되어 있는 부분의 주위에서, 투과광의 양이 동일하게 되어 있다. 이와 같이 하여, 결함을 보정할 수 있다. 또한, 예를 들면 기판(S)의 막 두께를 얇게 함으로써, 투과율을 증가시키는 보정을 하는 것도 가능하다.The mask M shown in Fig. 2B has a portion C where the transmittance of the substrate is reduced by dissolving the substrate near the white defect I in a femtosecond laser pulse. Therefore, in FIG. 2 (D), the amount of transmitted light is the same around the periphery of the portion where the central light-shielding film is disposed and the portion where the other light-shielding film is disposed. In this manner, defects can be corrected. Further, for example, by making the film thickness of the substrate S thin, it is also possible to perform correction for increasing the transmittance.

도 3은 본 실시 형태에 있어서의 결함을 가지는 마스크(M)의 검사 장치의 주요부의 모식도이다.3 is a schematic diagram of a main part of an inspection apparatus for a mask M having defects in the present embodiment.

도 4는 본 실시 형태에 있어서의 결함을 보정한 마스크(M)의 검사 장치의 주요부의 모식도이다.4 is a schematic diagram of a main part of an inspection apparatus for a mask M in which defects are corrected in the present embodiment.

도 5는 본 실시 형태에 있어서의 마스크(M)의 검사 방법의 순서도이다.Fig. 5 is a flowchart of the inspection method of the mask M in the present embodiment.

먼저, 제어 계산기(650)가, 조명부(400)를 이용하여, 결함을 가지는 마스크(M)에 조명광을 조사하고(S10), 결상부(500)를 이용하여 마스크(M)를 투과한 조명광을 결상한 제1 광학 화상과 마스크(M)에 의해 반사된 조명광을 결상한 제2 광학 화상을 취득한다(S12). 또한, 제1 광학 화상과 제2 광학 화상 중 어느 일방을 취득해도 된다. 취득된 제1 광학 화상과 제2 광학 화상은, 제2 비교부(612)로 보내진다.First, the control calculator 650 irradiates illumination light on a mask M having a defect using the illumination unit 400 (S10), and irradiates the illumination light that has passed through the mask M using the imaging unit 500 A second optical image obtained by imaging the formed first optical image and the illumination light reflected by the mask (M) is acquired (S12). Further, either one of the first optical image and the second optical image may be acquired. The obtained first optical image and second optical image are sent to the second comparator 612.

이어서, 제어 계산기(650)가, 패턴 데이터 기억부(630)에 보존되어 있는 패턴 데이터를, 전개부(622)에 입력하여, 각 층마다 전개한다. 패턴 데이터는 설계자에 의해 미리 작성되어 있다. 여기서, 패턴 데이터는 통상 검사 장치(1000)에 의해 직접 판독되도록 설계되어 있지 않다. 이 때문에, 패턴 데이터는, 먼저 각 층(레이어)마다 작성된 중간 데이터로 변환된 후, 각 검사 장치(1000)에 의해 직접 판독되는 형식의 데이터로 변환되고, 그 후 전개부(622)에 입력된다.Subsequently, the control computer 650 inputs the pattern data stored in the pattern data storage unit 630 to the developing unit 622, and expands it for each layer. The pattern data is prepared in advance by the designer. Here, the pattern data is not designed to be directly read by the inspection apparatus 1000 normally. Therefore, the pattern data is first converted into intermediate data created for each layer (layer), then converted into data of a format directly read by each inspection apparatus 1000, and then input to the development section 622.

이어서, 제어 계산기(650)가, 참조부(620)를 이용하여, 전개부(622)로 각 층마다 전개된 패턴 데이터로부터, 마스크(M)를 투과한 조명광을 결상한 광학 화상의 참조가 되는 제1 참조 화상과, 마스크(M)에 의해 반사된 조명광을 결상한 광학 화상의 참조가 되는 제2 참조 화상 중 어느 일방 혹은 그 양방을 작성한다.Subsequently, the control computer 650 uses the reference unit 620 to generate, from the pattern data developed for each layer by the developing unit 622, the reference image 620, which is the reference of the optical image formed by the illumination light transmitted through the mask M 1 reference image and a second reference image which is a reference of an optical image formed by imaging the illumination light reflected by the mask M are created.

이어서, 제어 계산기(650)가, 제2 비교부(612)를 이용하여, 제1 참조 화상과 제1 광학 화상을 비교하고, 제2 참조 화상과 제2 광학 화상을 비교한다(S14). 또한, 결함의 종별에 따라서는, 제1 참조 화상과 제1 광학 화상의 비교와 제2 참조 화상과 제2 광학 화상의 비교 중 어느 일방이어도 된다. 여기서 비교 방법의 일례로서는, 제1 광학 화상의 패턴의 개소의 투과광량과, 대응하는 제1 참조 화상의 패턴의 개소의 투과광량을 비교하는 방법을 들 수 있다. 또한, 제2 광학 화상의 패턴의 개소의 반사광량과, 대응하는 제2 참조 화상의 패턴의 개소의 반사광량을 비교하는 방법을 들 수 있다.Subsequently, the control computer 650 compares the first reference image with the first optical image using the second comparator 612, and compares the second reference image with the second optical image (S14). Further, depending on the kind of the defect, either of the comparison between the first reference image and the first optical image and the comparison between the second reference image and the second optical image may be performed. As an example of the comparison method, there is a method of comparing the amount of transmitted light at a portion of the pattern of the first optical image with the amount of transmitted light at a portion of the corresponding pattern of the first reference image. A method of comparing the amount of reflected light at a portion of the pattern of the second optical image with the amount of reflected light at a portion of the pattern of the corresponding second reference image.

제1 광학 화상과 제1 참조 화상 또는 제2 광학 화상과 제2 참조 화상은, 리뷰부(680)로 보내져, 오퍼레이터에 의한 리뷰가 행해진다. 여기서 리뷰란, 오퍼레이터에 의한 광학 화상과 참조 화상의 비교의 작업을 말한다.The first optical image and the first reference image or the second optical image and the second reference image are sent to the review unit 680 and reviewed by the operator. Here, the review refers to an operation of comparing an optical image with a reference image by an operator.

또한, 제1 비교부(610)와 제2 비교부(612)와 리뷰부(680)에는, 위치 검출부(640)에 의해 구해진 마스크(M)의 결함 좌표가 입력된다. 위치 검출부(640)는, 예를 들면, 마스크(M)의 광학 화상으로 기준이 되는 마크와 결함의 장소와의 상대적인 위치 관계를 측정하고, 상대적인 좌표로서 나타냄으로써, 결함의 장소를 검출한다. 여기서, 기준이 되는 마크로서는, 마스크(M) 상의 검사 영역의 네 모서리에 배치되어 플레이트 회전 얼라인먼트에 사용하는 얼라인먼트 마크 중 하나를 정의하는 것이 바람직하게 이용된다.The defect coordinates of the mask M obtained by the position detecting unit 640 are input to the first comparing unit 610, the second comparing unit 612, and the review unit 680. The position detection unit 640 detects the position of the defect by, for example, measuring the positional relationship between the reference mark and the place of the defect in the optical image of the mask M, and expressing the relative position as relative coordinates. Here, as a reference mark, it is preferable to define one of the alignment marks arranged at the four corners of the inspection area on the mask M and used for plate rotation alignment.

이어서, 제4 판단부(629) 또는 오퍼레이터가, 제2 비교부(612)에 있어서의 비교의 결과에 기초하여, 마스크(M)의 결함의 보정의 필요 여부를 판단한다(S16). 여기서 판단 방법의 일례로서는, 제1 광학 화상의 패턴의 개소의 투과광량과, 대응하는 제1 참조 화상의 패턴의 개소의 투과광량의 차에 기초하여 판단하는 방법을 들 수 있다. 또한, 제2 광학 화상의 패턴의 개소의 반사광량과, 대응하는 제2 참조 화상의 패턴의 개소의 반사광량의 차에 기초하여 판단하는 방법을 들 수 있다. 본 실시 형태에 있어서는, 마스크(M)가 백색 결함(I)를 가지는 점에서, 제1 참조 화상과 제1 광학 화상과의 비교로 결함의 보정이 바람직하다고 판단되고, 또한, 제2 참조 화상과 제2 광학 화상과의 비교로 결함의 보정이 바람직하다고 판단된다.Subsequently, the fourth judging unit 629 or the operator judges whether or not the correction of the defect of the mask M is necessary based on the result of the comparison in the second comparing unit 612 (S16). An example of the judging method here is a method of judging based on the difference between the amount of transmitted light at a portion of the pattern of the first optical image and the amount of transmitted light at a portion of the pattern of the corresponding first reference image. It is also possible to judge based on the difference between the amount of reflected light at the portion of the pattern of the second optical image and the amount of reflected light at the portion of the pattern of the corresponding second reference image. In the present embodiment, it is determined that the correction of the defect is preferable by comparing the first reference image with the first optical image in that the mask M has the white defect (I) It is determined that correction of the defect is preferable by comparison with the second optical image.

이어서, 제2 판단부(626) 또는 오퍼레이터가, 결함의 보정이 바람직하다고 인정된 마스크(M)의 결함의 결함 종별을 판단한다(S18). 판단된 결함 종별에 관한 결함의 결함 종별 정보는 제3 기억부(636)에 보존된다(S20). 여기서 결함의 결함 종별 정보란, 마스크(M)의 결함의 종별을 나타내는 정보이며, 예를 들면, 패턴의 형상의 결함, 패턴의 선폭의 결함, 또는 패턴의 위치 이탈의 결함과 같은 정보이다. 또한, 예를 들면, 반사광에 의한 광학 화상에 의해 발견된 결함인지, 혹은 투과광에 의한 광학 화상에 의해 발견된 결함인지, 와 같은 정보여도 된다. 본 실시 형태에 있어서의 결함의 결함 종별은 백색 결함이며, 본 실시 형태에 있어서의 결함의 결함 종별 정보는 '결함은 백색 결함임'이라고 하는 정보이다.Then, the second determination unit 626 or the operator determines the defect type of the defect of the mask M in which the correction of the defect is deemed desirable (S18). The defect type information of the defect related to the determined defect type is stored in the third storage unit 636 (S20). Here, the defect type information of the defect is information indicating the defect type of the mask M, for example, information such as defects in the shape of the pattern, defects in the line width of the pattern, or defects in the displacement of the pattern. It may also be information such as, for example, a defect found by an optical image due to reflected light, or a defect found by an optical image due to transmitted light. The defect type of the defect in the present embodiment is a white defect, and the defect type information of the defect in this embodiment is information that the defect is a white defect.

또한, 제3 판단부(628) 또는 오퍼레이터가, 결함의 결함 보정 방법을 판단한다(S22).In addition, the third determination unit 628 or the operator determines a defect defect correction method (S22).

판단된 결함 보정 방법에 관한 결함의 결함 보정 방법 정보는, 제1 기억부(632)에 보존된다(S24). 여기서 결함 보정 방법 정보란, 그 보정이 바람직하다고 판단된 결함을 보정하는 방법의 정보이다. 여기서 결함 보정 방법으로서는, 예를 들면, 차광막(F)의 근방의 기판의 일부를 펨토초 레이저 펄스 등으로 용해시키는 등에 의해 기판의 투과율을 감소시키는 결함 보정 방법, 기판의 막 두께를 감소시키는 등에 의해 기판의 투과율을 증가시키는 결함 보정 방법, 잉여의 차광막(F)을 레이저광 또는 FIB(Focused Ion Beam)에 의해 제거하는 결함 보정 방법, 마스크(M)의 일부를 국소적으로 부식성 가스 분위기로 하여 잉여의 차광막(F)을 FIB 또는 전자선에 의해 제거하는 결함 보정 방법, 잉여의 차광막(F)을 AFM 캔틸레버의 인선(刃先)으로 제거하는 결함 보정 방법, 레이저 CVD(Chemical Vapor Deposition)에 의해 금속막을 퇴적시키는 결함 보정 방법, FIB 또는 전자선에 의해 어모퍼스 카본막을 퇴적시키는 결함 보정 방법을 들 수 있다. 본 실시 형태의 보정 방법은 기판의 투과율을 감소시키는 방법이며, 본 실시 형태의 결함 보정 방법 정보는 기판의 투과율을 감소시키는 결함 보정 방법이라고 하는 정보이다.The defect correction method information of the defect relating to the determined defect correction method is stored in the first storage unit 632 (S24). Here, the defect correction method information is information on a method of correcting a defect determined to be desirable for the correction. As a defect correction method, for example, there are a defect correction method in which the transmittance of the substrate is reduced by dissolving a part of the substrate near the light shielding film F with a femtosecond laser pulse or the like, A defect correcting method for removing a surplus light shielding film F by a laser beam or a FIB (Focused Ion Beam), a method of locally forming a part of the mask M in a corrosive gas atmosphere, A defect correction method for removing the light shielding film F by FIB or electron beam, a defect correction method for removing the surplus light shielding film F by a cutting edge of the AFM cantilever, a laser CVD (Chemical Vapor Deposition) A defect correction method, and a defect correction method for depositing an amorphous carbon film by an FIB or an electron beam. The correction method of the present embodiment is a method for reducing the transmittance of the substrate, and the defect correction method information of this embodiment is information called a defect correction method for reducing the transmittance of the substrate.

이어서, 제4 판단부(629) 또는 오퍼레이터가, 보정이 바람직한 마스크(M)의 좌표를 정리한 보정 개소 좌표 리스트를 작성하여, 제4 기억부(638)에 보존한다.Subsequently, the fourth determination unit 629 or the operator creates a correction point coordinate list in which the coordinates of the mask M to be corrected are summarized, and stores it in the fourth memory unit 638.

보정 개소 좌표 리스트와 결함 종별 정보와 결함 보정 방법 정보는, 인터페이스(800)를 통하여, 보정 장치(2000)로 보내진다. 보정 장치(2000)는, 보정 개소 좌표 리스트와 결함 종별 정보와 결함 보정 방법 정보를 이용하여 마스크(M)의 결함의 보정을 행한다(S26).The correction position coordinate list, the defect type information, and the defect correction method information are sent to the correction apparatus 2000 through the interface 800. [ The correction apparatus 2000 corrects the defect of the mask M using the correction point coordinate list, the defect type information, and the defect correction method information (S26).

이어서, 제어 계산기(650)가, 조명부(400)를 이용하여 마스크(M)에 조명광을 조사한다(S28). 이어서, 제어 계산기(650)가, 결상부(500)를 이용하여, 마스크(M)를 투과한 조명광을 결상한 제3 광학 화상과 마스크(M)에 의해 반사된 조명광을 결상한 제4 광학 화상을 취득한다(S30). 또한, 제3 광학 화상과 제4 광학 화상 중 어느 일방을 취득해도 된다. 취득된 제3 광학 화상과 제4 광학 화상은, 제1 비교부(610)로 보내진다.Then, the control calculator 650 irradiates the mask M with the illumination light using the illumination unit 400 (S28). Subsequently, the control computer 650 uses the imaging unit 500 to generate a fourth optical image of the illumination light transmitted through the mask M and a fourth optical image of the illumination light reflected by the mask M, (S30). Further, either the third optical image or the fourth optical image may be acquired. The acquired third optical image and fourth optical image are sent to the first comparator 610.

이어서, 제어 계산기(650)가, 제1 비교부(610)를 이용하여, 보정 개소 좌표 리스트와 결함 종별 정보와 결함 보정 방법 정보에 기초하여, 제1 참조 화상과 제3 광학 화상의 비교와 제2 참조 화상과 제4 광학 화상의 비교를 행한다(S32). 또한, 제1 참조 화상과 제3 광학 화상의 비교와 제2 참조 화상과 제4 광학 화상의 비교 중 어느 일방이어도 된다.Subsequently, the control computer 650 compares the first reference image with the third optical image based on the correction point coordinate list, the defect type information, and the defect correction method information using the first comparison unit 610, 2 reference image and the fourth optical image (S32). Further, either one of the comparison of the first reference image and the third optical image and the comparison of the second reference image and the fourth optical image may be performed.

또한, 제3 광학 화상과 제1 참조 화상 또는 제4 광학 화상과 제2 참조 화상은, 리뷰부(680)로 보내져, 오퍼레이터에 의한 리뷰가 행해진다.The third optical image and the first reference image or the fourth optical image and the second reference image are sent to the review unit 680 and reviewed by the operator.

본 실시 형태에 있어서는, 결함 종별 정보는 '결함은 백색 결함임'이라고 하는 정보이며, 결함 보정 방법 정보는 '기판의 투과율을 감소시키는 결함 보정 방법'이라고 하는 정보이다. 이 때문에, 보정된 개소에서, 투과광에 의한 광학 화상과 반사광에 의한 광학 화상 모두 참조 화상과 비교하는 것이 바람직하다. 여기서 제어 계산기(650)는, 제1 비교부(610)를 이용하여, 보정된 개소의 좌표에서 제3 광학 화상과 제1 참조 화상 및 제4 광학 화상과 제2 참조 화상의 비교를 행한다.In the present embodiment, the defect type information is information that the defect is a white defect, and the defect correction method information is information called a defect correction method for reducing the transmittance of the substrate. Therefore, in the corrected position, it is preferable to compare both the optical image by the transmitted light and the optical image by the reflected light with the reference image. Here, the control calculator 650 compares the third optical image, the first reference image, the fourth optical image, and the second reference image with the coordinates of the corrected portion using the first comparison unit 610. [

이어서, 제1 판단부(624) 또는 오퍼레이터가, 제1 비교부(610)에 있어서의 비교의 결과와 결함 종별 정보와 결함 보정 방법 정보에 기초하여 보정의 적합 여부를 판단한다(S34). 본 실시 형태에 있어서는, 차광막(F)의 형상을 변경하고 있지 않다. 이 때문에, 마스크(M)에 의해 반사된 조명광을 결상한 광학 화상에는, 보정 전후로 차가 나타나지 않고, 제4 광학 화상에는 결함이 검출된다. 한편, 마스크(M)를 투과한 조명광을 결상한 광학 화상에는 보정 전후로 차가 나타나고, 보정이 적절하면 제3 광학 화상에는 결함이 검출되지 않는다. 여기서 본 실시 형태에 있어서는, 제1 참조 화상과 제3 광학 화상의 비교에 의해 결함이 검출되지 않으면, 제2 참조 화상과 제4 광학 화상의 비교에 의해 결함이 검출되어도, 보정은 적절하다고 판단한다.Subsequently, the first determination unit 624 or the operator determines whether or not the correction is suitable based on the comparison result in the first comparison unit 610, the defect type information, and the defect correction method information (S34). In the present embodiment, the shape of the light-shielding film F is not changed. Therefore, no difference appears in the optical image formed by imaging the illumination light reflected by the mask M before and after the correction, and a defect is detected in the fourth optical image. On the other hand, a difference appears before and after the correction in the optical image formed by imaging the illumination light transmitted through the mask M, and no defect is detected in the third optical image if the correction is appropriate. In this embodiment, if a defect is not detected by the comparison between the first reference image and the third optical image, even if a defect is detected by comparison between the second reference image and the fourth optical image, the correction is determined to be appropriate .

이어서, 본 실시 형태의 작용 효과를 설명한다.Next, the operation and effect of the present embodiment will be described.

본 실시 형태에 있어서의 기판의 투과율을 변화시키는 보정은, 차광막(F)의 형상에 변화를 주지 않는 것이다. 이 때문에, 결함 보정 전의 마스크(M)에 의해 반사된 조명광을 결상한 광학 화상과 결함 보정 후의 마스크(M)에 의해 반사된 조명광을 결상한 광학 화상에 변화는 검출되지 않는다. 따라서, 결함 종별 정보와 결함 보정 방법 정보를 이용하지 않고 보정의 적합 여부를 판단하면, 보정이 적절히 행해지지 않았다고 하는 판단이 되어, 결함을 과다하게 검출할 우려가 있다. 본 실시 형태와 같이, 결함 종별 정보와 결함 보정 방법 정보에 기초하여 판단함으로써, 결함의 과잉 검출을 방지하고, 보정의 적합 여부를 적절히 판단하는 것이 가능해진다.The correction for changing the transmittance of the substrate in the present embodiment does not change the shape of the light-shielding film F. [ Therefore, no change is detected in the optical image formed by imaging the illumination light reflected by the mask M before the defect correction and the optical image formed by the illumination light reflected by the mask M after the defect correction. Therefore, if it is determined whether or not the correction is appropriate without using the defect type information and the defect correction method information, it is determined that the correction is not properly performed, and there is a fear that the defect is detected excessively. It is possible to prevent excessive detection of defects and appropriately judge whether or not the correction is appropriate by judging based on the defect type information and the defect correcting method information as in the present embodiment.

또한, 결함 종별 정보를 이용하면, 전개부(622)를 이용하여, 제1 광학 화상과 제2 광학 화상 중 결함이 검출된다고 예상되는 쪽의 광학 화상에 대응하는 참조 화상만을 전개하는 것과 같은 처리가 가능해진다. 이에 의해, 참조 화상을 작성하는 시간을 줄여, 마스크(M)의 검사를 신속하게 행할 수 있다. 또한, 결함을 검출하는 공정에서 광학 화상과 참조 화상의 비교를 위하여 광학 화상과 참조 화상의 화상 얼라인먼트를 맞출 때, 결함 종별 정보와 보정 개소 좌표 리스트를 이용하고, 결함을 가지는 장소에 대해서는 화상 얼라인먼트를 맞추기 위하여 이용하지 않도록 할 수 있다. 이에 의해, 광학 화상과 참조 화상의 비교를 보다 엄밀하게 행할 수 있다. 특히 결함을 가지는 장소에 대국적인 선폭의 굵음 또는 얇음이 있는 경우에는, 화상 얼라인먼트를 맞추는 정밀도가 크게 향상된다.Further, by using the defect type information, it is possible to perform processing such that only the reference image corresponding to the optical image on the side of the first optical image and the second optical image that is expected to be defective is developed, using the developing section 622 It becomes. Thereby, it is possible to quickly check the mask M by reducing the time for creating a reference image. When the image alignment between the optical image and the reference image is matched for the comparison of the optical image and the reference image in the process of detecting the defect, the defect type information and the correction spot coordinate list are used, and image alignment You can not use it to match. This makes it possible to more strictly compare the optical image and the reference image. Particularly, in the case where there is a large or thin line width of a nationwide line in a place having a defect, the accuracy of aligning the image is greatly improved.

또한, 결함 종별 정보를 이용하면, 제1 비교부(610)를 이용하여, 제1 광학 화상과 제2 광학 화상 중 결함이 있다고 판정된 조명광에 대응하는 광학 화상에 대해서만, 참조 화상과 비교를 할 수 있다. 이에 의해, 마스크(M)의 검사를 신속하게 행할 수 있다. 또한, 패턴의 형상의 결함인지, 패턴의 선폭의 결함인지, 패턴의 위치 이탈의 결함인지와 같은 정보가 제1 비교부(610)에 입력됨으로써, 마스크(M)의 검사 순서를 생략할 수 있기 때문에, 마스크(M)의 검사를 효율적으로 행할 수 있다.Using the defect type information, only the optical image corresponding to the illumination light determined to be defective in the first optical image and the second optical image is compared with the reference image using the first comparator 610 . Thereby, the inspection of the mask M can be performed quickly. In addition, information such as whether the defect of the pattern shape, the line width of the pattern, or the deficiency of the positional deviation of the pattern is inputted to the first comparator 610 so that the inspection order of the mask M can be omitted Therefore, inspection of the mask M can be performed efficiently.

보정 개소 좌표 리스트를 이용하면, 여분의 패턴을 FIB로 스패터링하여 제거하는 방법 및, 레이저 CVD에 의해 금속막을 퇴적시키는 방법 및, FIB 또는 전자선에 의해 어모퍼스 카본막을 패턴으로서 퇴적시키는 방법과 달리, 보정 시에 이용되는 차광막의 원료가 파편으로서 마스크(M) 상에 잔류하지 않는다. 이 때문에, 결함이라고 판정된 좌표 개소를 중심으로 하는 소정의 치수 범위에 대해서만 광학 화상과 참조 화상의 비교를 행하면 충분하다. 이에 의해, 마스크(M)의 검사를 효율적으로 행하는 것이 가능해진다. 또한, 상기의 소정의 치수 범위는, 예를 들면, 10 μm에서 1 mm정도이며, 보정의 규모에 따라 적절히 설정할 수 있다.Unlike the method of sputtering an extra pattern by FIB, the method of depositing a metal film by laser CVD, and the method of depositing an amorphous carbon film as a pattern by FIB or electron beam, The raw material of the light-shielding film used for the mask M does not remain on the mask M as fragments. Therefore, it is sufficient to compare the optical image and the reference image only for a predetermined dimension range centered on the coordinate point determined to be defective. Thereby, inspection of the mask M can be performed efficiently. The above-mentioned predetermined range of dimensions is, for example, about 10 μm to 1 mm, and can be appropriately set according to the scale of correction.

이상과 같이, 본 실시 형태의 검사 장치 및 검사 방법에 의하면, 다양화되는 포토리소그래피 마스크의 결함 보정 방법에 기초하여 결함의 과잉 검출을 방지한 포토리소그래피 마스크의 검사를 할 수 있는 검사 장치 및 검사 방법의 제공이 가능해진다.As described above, according to the inspection apparatus and inspection method of the present embodiment, inspection apparatuses and inspection methods capable of inspecting a photolithography mask that prevents excessive detection of defects based on the defect correction methods of various photolithography masks Can be provided.

(제2 실시 형태)(Second Embodiment)

본 실시 형태의 검사 장치는, 전사 파라미터와 광학 화상에 기초하여 전사상을 작성하는 전사상 작성부를 더 구비하는 점에서, 제1 실시 형태의 검사 장치와 상이하다. 여기서, 제1 실시 형태와 중복되는 점에 대해서는 기재를 생략한다.The inspection apparatus of the present embodiment is different from the inspection apparatus of the first embodiment in that the inspection apparatus further includes a transfer image creating section for creating a transfer image based on the transfer parameters and the optical image. Here, the description of the points overlapping with those of the first embodiment will be omitted.

도 6은 본 실시 형태에 있어서의 결함을 보정한 후의 마스크의 검사 장치의 모식도이다.Fig. 6 is a schematic diagram of an apparatus for inspecting a mask after correcting defects in the present embodiment.

제5 기억부(639)에 보존되어 있는 전사 파라미터는, 예를 들면, 점광원 또는 다이 폴 광원과 같은 노광에 이용되는 광원의 종류, 노광에 이용되는 파장, 노광에 이용되는 렌즈의 개구 수이다.The transfer parameter stored in the fifth memory 639 is, for example, the type of a light source used for exposure such as a point light source or a dipole light source, a wavelength used for exposure, and a numerical aperture of a lens used for exposure .

전사상 작성부(690)에서는, 상기의 전사 파라미터와, 결상부(500)에 의해 얻어진 광학 화상에 기초하여, 결함을 보정한 후의 마스크를 이용했다고 가정한 경우에 있어서의 웨이퍼에 전사하였을 때의 전사상을 작성한다. 작성된 전사상은 제1 비교부(610)로 보내지고, 리뷰부(680)에서 리뷰에 이용된다.In the transfer image forming section 690, based on the above-mentioned transfer parameters and the optical image obtained by the image forming section 500, it is assumed that a mask after correcting the defect is used, I will write my thoughts. The created transfer image is sent to the first comparing unit 610 and used for review in the review unit 680. [

본 실시 형태에 있어서는, 결함의 보정이 충분한 것인지 여부를, 웨이퍼에 전사하였다고 가정한 경우의 전사상에 의해 확인할 수 있다. 이에 의해, 보정의 가능 여부를 보다 구체적으로 판단하는 것이 가능해지기 때문에, 마스크(M)의 보정의 수율을 향상시키는 것이 가능해진다.In the present embodiment, whether or not the correction of defects is sufficient can be confirmed by the transfer image in the case where it is assumed that the defect is transferred to the wafer. As a result, it is possible to more specifically determine whether or not the correction can be performed, and it becomes possible to improve the yield of correction of the mask M.

이상과 같이, 본 실시 형태의 검사 장치에 의하면, 다양화되는 포토리소그래피 마스크의 결함 보정 방법에 기초하여 결함의 과잉 검출을 방지한 포토리소그래피 마스크의 검사를 할 수 있는 검사 장치 및 검사 방법의 제공이 가능해진다.As described above, according to the inspection apparatus of the present embodiment, it is possible to provide an inspection apparatus and an inspection method capable of inspecting a photolithography mask that prevents excessive detection of defects based on a defect correction method of a photolithography mask It becomes possible.

(제3 실시 형태)(Third Embodiment)

본 실시 형태의 검사 장치는, 비교부에서 이용하는 감도 지정 데이터를 기억하는 제2 기억부를 더 구비하는 점에서, 제1 실시 형태 및 제2 실시 형태의 검사 장치와 상이하다. 여기서, 제1 실시 형태 및 제2 실시 형태와 중복되는 점에 대해서는, 기재를 생략한다.The inspection apparatus of the present embodiment is different from the inspection apparatuses of the first embodiment and the second embodiment in that the inspection apparatus further includes a second storage section for storing sensitivity designation data used in the comparison section. Here, the description of the points overlapping with those of the first embodiment and the second embodiment will be omitted.

도 7은 본 실시 형태에 있어서의 결함을 보정한 후의 마스크의 검사 장치의 모식도이다.Fig. 7 is a schematic diagram of a mask inspection apparatus after correcting defects in the present embodiment.

어시스트 바 등의 웨이퍼 상에 전사되지 않는 패턴 또는 CMP를 균일하게 행하기 위한 더미 패턴의 결함은, 웨이퍼 상에 전사되는 트랜지스터 등의 패턴의 결함과 비교하여, 엄밀하게 판정되지 않아도 된다. 여기서, 어시스트 바 또는 더미 패턴이 배치되는 부분은, 결함 판정의 감도가 낮아지도록 감도 지정 데이터를 결정한다. 이에 의해, 마스크(M)의 수율을 높일 수 있다.Defects in the dummy pattern for transferring the pattern on the wafer such as the assist bar or the dummy pattern for uniformly performing the CMP may not be strictly determined as compared with the defects in the pattern of the transistor or the like transferred onto the wafer. Here, the sensitivity designation data is determined such that the sensitivity of the defect determination becomes low at the portion where the assist bar or the dummy pattern is disposed. Thus, the yield of the mask M can be increased.

또한, 본 실시 형태의 검사 장치에 의해 패턴의 선폭 또는 위치 이탈의 결함은 보정할 수 있었지만 패턴의 형상 결함이 아직 남아 있다고 하는 경우가 있다. 이 때에는, 결함 판정의 감도가 높아지도록 감도 지정 데이터를 결정함으로써, 형상 결함을 엄밀하게 판정할 수 있다.In addition, although the line width of the pattern or the defect of displacement can be corrected by the inspection apparatus of the present embodiment, the defect of the shape of the pattern may still remain. In this case, the shape defect can be strictly determined by determining the sensitivity designation data such that the sensitivity of the defect determination is high.

본 실시 형태의 검사 장치에 의하면, 다양화되는 포토리소그래피 마스크의 결함 보정 방법에 기초하여 결함의 과잉 검출을 방지한 포토리소그래피 마스크의 검사를 할 수 있는 검사 장치 및 검사 방법의 제공이 가능해진다.According to the inspection apparatus of the present embodiment, it is possible to provide an inspection apparatus and an inspection method capable of inspecting a photolithography mask that prevents excessive detection of defects based on the defect correction method of the photolithography mask.

본 실시 형태의 검사 장치는, 결함을 가지는 피검사 시료에 조명광을 조사하는 조명부와, 피검사 시료를 투과한 또는 피검사 시료에 의해 반사된 조명광을 결상한 광학 화상을 취득하는 결상부와, 결함의 결함 보정 방법 정보를 보존하는 제1 기억부와, 결함 보정 방법 정보에 기초하여 광학 화상과 참조 화상의 비교를 행하는 비교부와, 비교부에 있어서의 비교의 결과와 결함 보정 방법 정보에 기초하여 결함의 보정의 적합 여부를 판단하는 판단부를 구비함으로써, 다양화되는 포토리소그래피 마스크의 결함 보정 방법에 기초하여 결함의 과잉 검출을 방지한 포토리소그래피 마스크의 검사를 할 수 있는 검사 장치의 제공이 가능해진다.The inspection apparatus of the present embodiment includes an illumination unit for irradiating illumination light to a specimen to be inspected having defects, an imaging unit for acquiring an optical image that has imaged the illumination light reflected by the inspected specimen or passed through the inspected specimen, A comparison unit for comparing the optical image and the reference image based on the defect correction method information, and a comparison unit for comparing the result of the comparison in the comparison unit and the defect correction method information It is possible to provide an inspection apparatus capable of inspecting a photolithography mask that prevents excessive detection of defects based on the defect correction method of the photolithography mask that is diversified by providing the determination unit that determines whether or not the defect is corrected .

이상의 설명에 있어서, '기억부'의 처리 내용 혹은 동작 내용은, 컴퓨터로 동작 가능한 프로그램에 의해 구성할 수 있다. 혹은, 소프트웨어가 되는 프로그램뿐 아니라, 하드웨어와 소프트웨어의 조합에 의해 실시시켜도 상관없다. 혹은, 펌 웨어와의 조합이어도 상관없다. 또한, 프로그램에 의해 구성되는 경우, 프로그램은 도시하고 있지 않은 자기 디스크 장치, 자기 테이프 장치, FD, ROM(리드 온리 메모리), SSD(솔리드 스테이트 드라이브)의 기록 매체에 기록된다.In the above description, the processing content or operation content of the 'storage unit' can be configured by a computer-executable program. Alternatively, it may be implemented by a combination of hardware and software as well as a program which becomes software. Alternatively, it may be a combination with firmware. In addition, when configured by a program, the program is recorded on a recording medium of a magnetic disk device, a magnetic tape device, an FD, a ROM (read only memory), and an SSD (solid state drive).

실시 형태에서는, 구성 등, 본 발명의 설명에 직접 필요로 하지 않는 부분 등에 대해서는 기재를 생략했지만, 필요로 하는 구성 등을 적절히 선택하여 이용할 수 있다. 또한, 본 발명의 요소를 구비하고, 당업자가 적절히 설계 변경할 수 있는 모든 검사 장치 및 검사 방법은, 본 발명의 범위에 포함된다. 본 발명의 범위는, 특허 청구 범위 및 그 균등물의 범위에 의해 정의되는 것이다.In the embodiment, the description of the configuration or the like, which is not directly required in the description of the present invention, is omitted, but the necessary configuration and the like can be appropriately selected and used. Further, all inspection apparatuses and inspection methods which are equipped with the elements of the present invention and can be appropriately designed and modified by those skilled in the art are included in the scope of the present invention. The scope of the present invention is defined by the appended claims and their equivalents.

Claims (10)

결함을 가지는 피검사 시료에 조명광을 조사하는 조명부와,
상기 피검사 시료를 투과한 또는 상기 피검사 시료에 의해 반사된 상기 조명광을 결상한 광학 화상을 취득하는 결상부와,
상기 결함의 결함 보정 방법 정보를 보존하는 제1 기억부와,
상기 결함 보정 방법 정보에 기초하여 상기 광학 화상과 참조 화상의 비교를 행하는 비교부와,
상기 비교부에 있어서의 비교의 결과와 상기 결함 보정 방법 정보에 기초하여 상기 결함의 보정의 적합 여부를 판단하는 제1 판단부
를 구비하는 검사 장치.An illumination unit for irradiating the inspection object having defects with illumination light,
An imaging unit that acquires an optical image that has imaged the illumination light transmitted through the inspection target sample or reflected by the inspection target sample,
A first storage unit for storing defect correction method information of the defect,
A comparison unit for comparing the optical image and the reference image based on the defect correction method information,
A first determination unit for determining whether the correction of the defect is suitable based on the comparison result in the comparison unit and the defect correction method information,
. 제1항에 있어서,
전사 파라미터와 상기 광학 화상에 기초하여 전사상을 작성하는 전사상 작성부를 더 구비하는 검사 장치.The method according to claim 1,
And a transfer image creating unit for creating a transfer image based on the transfer parameter and the optical image. 제1항에 있어서,
상기 비교부에서 이용하는 감도 지정 데이터를 보존하는 제2 기억부를 더 구비하는 검사 장치.The method according to claim 1,
And a second storage unit for storing the sensitivity designation data used by the comparison unit. 제1항에 있어서,
상기 결함의 결함 종별 정보를 보존하는 제3 기억부를 더 구비하고,
상기 비교부는 또한 상기 결함 종별 정보에 기초하여 상기 광학 화상과 상기 참조 화상의 비교를 행하고,
상기 제1 판단부는 또한 상기 결함 종별 정보에 기초하여 상기 결함의 보정의 적합 여부를 판단하는, 검사 장치The method according to claim 1,
Further comprising a third storage unit for storing defect type information of the defect,
Wherein the comparison unit further compares the optical image and the reference image based on the defect type information,
Wherein the first determination unit further determines, based on the defect type information, whether the correction of the defect is suitable or not, 제1항에 있어서,
상기 결함의 결함 종별을 판단하는 제2 판단부를 더 구비하는 검사 장치.The method according to claim 1,
And a second judging unit for judging a defect type of the defect. 제1항에 있어서,
상기 결함의 결함 보정 방법을 판단하는 제3 판단부를 더 구비하는 검사 장치.The method according to claim 1,
And a third determination unit that determines a defect correction method of the defect. 결함을 가지는 피검사 시료에 조명광을 조사하고,
상기 피검사 시료를 투과한 상기 조명광을 결상한 제1 광학 화상과 상기 피검사 시료에 의해 반사된 상기 조명광을 결상한 제2 광학 화상 중 어느 일방 또는 양방을 취득하고,
상기 피검사 시료를 투과한 상기 조명광을 결상한 광학 화상의 참조가 되는 제1 참조 화상과 상기 제1 광학 화상을 비교하고 또는 상기 피검사 시료에 의해 반사된 상기 조명광을 결상한 광학 화상의 참조가 되는 제2 참조 화상과 상기 제2 광학 화상을 비교하고,
상기 결함의 결함 보정의 필요 여부를 판단하고,
상기 결함의 결함 보정 방법을 판단하고,
상기 결함의 결함 보정 방법 정보를 보존하고,
상기 결함 보정 방법을 이용하여 상기 결함을 보정하고,
상기 피검사 시료에 조명광을 조사하고,
상기 피검사 시료를 투과한 상기 조명광을 결상한 제3 광학 화상과 상기 피검사 시료에 의해 반사된 상기 조명광을 결상한 제4 광학 화상 중 어느 일방 또는 양방을 취득하고,
상기 결함 보정 방법 정보에 기초하여 상기 제1 참조 화상과 상기 제3 광학 화상을 비교 또는 상기 제2 참조 화상과 상기 제4 광학 화상을 비교하고,
상기 비교의 결과와 상기 결함 보정 방법 정보에 기초하여 상기 보정의 적합 여부를 판단하는 검사 방법.Irradiating the defective sample to be inspected with illumination light,
Acquiring either or both of a first optical image formed by imaging the illumination light transmitted through the inspected specimen and a second optical image formed by imaging the illumination light reflected by the inspected specimen,
A reference image of the optical image obtained by imaging the illumination light reflected by the specimen to be inspected is compared with a first reference image which is a reference of an optical image formed by imaging the illumination light transmitted through the specimen to be inspected The second reference image is compared with the second optical image,
Determining whether or not the defects of the defects need correction,
Determining a defect correction method of the defect,
The defect correction method information of the defect is stored,
Correcting the defect using the defect correction method,
Irradiating the object to be inspected with illumination light,
Acquiring either one or both of a third optical image formed by imaging the illumination light transmitted through the inspected specimen and a fourth optical image formed by imaging the illumination light reflected by the inspected specimen,
Comparing the first reference image with the third optical image, or comparing the second reference image and the fourth optical image based on the defect correction method information,
And determining whether the correction is suitable based on the comparison result and the defect correction method information. 제7항에 있어서,
상기 피검사 시료는 기판과, 상기 기판 상에 배치된 차광막을 가지고,
상기 결함 보정 방법은 상기 기판의 투과율을 감소시키는 방법이며,
상기 결함 보정 방법 정보는 상기 기판의 투과율을 감소시키는 방법이라고 하는 정보이며,
상기 제1 참조 화상과 상기 제1 광학 화상의 비교에 의해 상기 결함은 검출되고, 상기 제2 참조 화상과 상기 제2 광학 화상의 비교에 의해 상기 결함은 검출되고, 상기 제1 참조 화상과 상기 제3 광학 화상의 비교에 의해 상기 결함은 검출되지 않고, 상기 제2 참조 화상과 상기 제4 광학 화상의 비교에 의해 상기 결함은 검출될 때, 상기 보정은 적절하다고 판단하는, 검사 방법.8. The method of claim 7,
Wherein the object to be inspected comprises a substrate and a light-shielding film disposed on the substrate,
The defect correction method is a method of reducing the transmittance of the substrate,
The defect correction method information is information indicating a method of reducing the transmittance of the substrate,
Wherein the defect is detected by comparison between the first reference image and the first optical image, the defect is detected by comparison between the second reference image and the second optical image, The defect is not detected by comparison of three optical images, and when the defect is detected by comparison of the second reference image and the fourth optical image, it is determined that the correction is appropriate. 제7항에 있어서,
상기 결함의 결함 종별을 더 판단하는 검사 방법.8. The method of claim 7,
Wherein the defect type of the defect is further determined. 제9항에 있어서,
상기 결함 종별은 백색 결함인, 검사 방법.10. The method of claim 9,
Wherein the defect type is a white defect.
KR1020170059291A 2014-12-15 2017-05-12 Inspection method and inspection device KR20170057867A (en)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014252961A JP6386898B2 (en) 2014-12-15 2014-12-15 Inspection method and inspection apparatus
JPJP-P-2014-252961 2014-12-15

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020150173157A Division KR20160072784A (en) 2014-12-15 2015-12-07 Inspection method and inspection device

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20170057867A true KR20170057867A (en) 2017-05-25

Family

ID=56111640

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020150173157A KR20160072784A (en) 2014-12-15 2015-12-07 Inspection method and inspection device
KR1020170059291A KR20170057867A (en) 2014-12-15 2017-05-12 Inspection method and inspection device

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020150173157A KR20160072784A (en) 2014-12-15 2015-12-07 Inspection method and inspection device

Country Status (4)

Country Link
US (1) US20160171674A1 (en)
JP (1) JP6386898B2 (en)
KR (2) KR20160072784A (en)
TW (1) TWI579558B (en)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6513951B2 (en) 2015-01-08 2019-05-15 株式会社ニューフレアテクノロジー Inspection method
DE102017203879B4 (en) * 2017-03-09 2023-06-07 Carl Zeiss Smt Gmbh Method for analyzing a defect site of a photolithographic mask
US11048163B2 (en) * 2017-11-07 2021-06-29 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Inspection method of a photomask and an inspection system

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3848006B2 (en) * 1999-03-15 2006-11-22 株式会社東芝 Mask defect correction method
TWI229894B (en) * 2002-09-05 2005-03-21 Toshiba Corp Mask defect inspecting method, semiconductor device manufacturing method, mask defect inspecting apparatus, generating method of defect influence map, and computer program product
US7221788B2 (en) * 2003-07-01 2007-05-22 Infineon Technologies Ag Method of inspecting a mask or reticle for detecting a defect, and mask or reticle inspection system
JP4758427B2 (en) * 2004-07-21 2011-08-31 ケーエルエー−テンカー コーポレイション Computer-implemented method for generating input for simulation programs or for generating simulated images of reticles
KR20070083191A (en) * 2006-02-20 2007-08-23 호야 가부시키가이샤 Method of detecting defect in photomask and photomask
JP2007315811A (en) * 2006-05-23 2007-12-06 Sharp Corp Flaw inspection device, program thereof, recording medium, flaw inspection system and flaw inspection method
JP4949928B2 (en) * 2006-06-20 2012-06-13 Ｈｏｙａ株式会社 Pattern defect inspection method, pattern defect inspection apparatus, photomask product manufacturing method, and display device substrate manufacturing method
DE102007028172B3 (en) * 2007-06-20 2008-12-11 Advanced Mask Technology Center Gmbh & Co. Kg EUV mask and procedure for repairing an EUV mask
JP5127328B2 (en) * 2007-07-11 2013-01-23 オムロンレーザーフロント株式会社 Photomask white defect correction method
JP2009300426A (en) * 2008-05-16 2009-12-24 Nuflare Technology Inc Reticle defect inspection device and reticle defect inspection method
JP5353179B2 (en) * 2008-10-22 2013-11-27 ソニー株式会社 Defect correction apparatus and defect correction method
DE102009016952A1 (en) * 2009-04-07 2010-10-21 Carl Zeiss Sms Gmbh Verification method for repairs on photolithographic masks
TWI472751B (en) * 2011-05-03 2015-02-11 Hermes Microvision Inc Charged particle system for reticle / wafer defects inspection and review
JP5859039B2 (en) * 2014-02-10 2016-02-10 株式会社ニューフレアテクノロジー Inspection device

Also Published As

Publication number Publication date
TW201632875A (en) 2016-09-16
TWI579558B (en) 2017-04-21
US20160171674A1 (en) 2016-06-16
KR20160072784A (en) 2016-06-23
JP2016114460A (en) 2016-06-23
JP6386898B2 (en) 2018-09-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP7035069B2 (en) Inspection of photomasks by comparing two photomasks
TWI475597B (en) Pattern evaluation method and pattern evaluation device
US9922415B2 (en) Inspection method, inspection apparatus, and inspection system
US9063098B2 (en) Method of inspecting mask, mask inspection device, and method of manufacturing mask
WO2016064685A1 (en) Critical dimension uniformity enhancement techniques and apparatus
JP5301405B2 (en) Surface defect inspection equipment
WO2017040857A1 (en) Techniques and systems for model-based critical dimension measurements
US7167582B2 (en) Mask inspection method, mask defect inspection system, and method of production of mask
JP4860294B2 (en) electronic microscope
KR20170057867A (en) Inspection method and inspection device
US10504219B2 (en) Inspection apparatus and inspection method
JP2009150718A (en) Inspecting device and inspection program
US10267749B2 (en) Inspection method
WO2012157181A1 (en) Pattern inspecting apparatus and pattern inspecting method
JP2019003203A (en) Inspection method and inspection apparatus
JP6688273B2 (en) Lithographic apparatus, lithographic method, determination method, and article manufacturing method
JP2016148701A (en) Position measuring device and method
JP4131728B2 (en) Image creation method, image creation apparatus, and pattern inspection apparatus
JP2019128271A (en) Inspection device
JP2000089129A (en) Method for positioning phase difference imparting member
CN116097418A (en) Alignment of samples in inspection and other processes

Legal Events

Date Code Title Description
A107 Divisional application of patent