KR20170046536A - Silicon carbide composite and power strage divice - Google Patents

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KR20170046536A
KR20170046536A KR1020150146996A KR20150146996A KR20170046536A KR 20170046536 A KR20170046536 A KR 20170046536A KR 1020150146996 A KR1020150146996 A KR 1020150146996A KR 20150146996 A KR20150146996 A KR 20150146996A KR 20170046536 A KR20170046536 A KR 20170046536A
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강석민
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엘지이노텍 주식회사
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Abstract

According to the embodiment, a silicon carbide composite comprises: a first crystal including silicon carbide; and at least one second crystal disposed on the first crystal and including carbon, wherein a plurality of pores are formed in at least one of the first crystal and the second crystal. The embodiment aims to provide the silicon carbide composite having improved specific surface area and a power storage device comprising the same.

Description

탄화규소 복합체 및 이를 포함하는 전기 저장 장치{SILICON CARBIDE COMPOSITE AND POWER STRAGE DIVICE}Technical Field [0001] The present invention relates to a silicon carbide composite,

실시예는 탄화규소 복합체 및 이를 포함하는 전기 저장 장치에 관한 것이다.An embodiment relates to a silicon carbide composite and an electric storage device comprising the same.

탄화규소 분말은 최근에 다양한 전자 소자 및 목적을 위한 반도체 재료로서 사용되고 있다. 탄화규소 분말은 특히 물리적 강도 및 화학적 공격에 대한 높은 내성으로 인해 유용하다. 탄화규소 분말은 또한 방사 경도(radiation hardness), 비교적 넓은 밴드갭, 높은 포화 전자 드리프트 속도(saturated electron drift velocity), 높은 조작 온도, 및 스펙트럼의 청색(blue), 보라(violet), 및 자외(ultraviolet) 영역에서의 높은 에너지 양자의 흡수 및 방출을 포함하는 우수한 전자적 성질을 가진다.Silicon carbide powder has recently been used as a semiconductor material for various electronic devices and purposes. Silicon carbide powders are particularly useful due to their physical strength and high resistance to chemical attack. Silicon carbide powders can also be used in a variety of applications including, but not limited to, radiation hardness, a relatively wide bandgap, a high saturated electron drift velocity, a high operating temperature, and blue, violet, and ultraviolet Quot;) < / RTI > region.

탄화규소 분말의 제조방법으로는 다양한 방법이 있으며, 일례로, 애치슨법, 탄소열환원공법, 액상고분자열분해법 또는 CVD 공법 등을 이용하고 있다. 특히 고순도의 탄화규소 분말 합성 공법은 액상고분자열분해법 또는 탄소열환원공법을 이용하고 있다.The silicon carbide powder may be produced by a variety of methods, for example, the Acheson method, the carbon thermal reduction method, the liquid polymer thermal decomposition method, or the CVD method. Particularly, the high-purity silicon carbide powder synthesis method uses a liquid phase polymer decomposition method or a carbon thermal reduction method.

이러한 탄화규소 분말은 단독 또는 다른 물질과 혼합하여 탄화규소 복합체를 형성하고, 이러한 탄화규소 복합체는 슈퍼캐패시터, 울트라캐패시터 등의 다양한 전기 저장 장치의 전극층에 적용될 수 있다.The silicon carbide powder may be used alone or in combination with other materials to form a silicon carbide composite. The silicon carbide composite may be applied to electrode layers of various electric storage devices such as supercapacitors and ultracapacitors.

이때, 이러한 전극층에 적용되는 경우, 비표면적 등이 전기 저장 장치의 효율 및 저장 용량을 결정하는 중요한 요인이 될 수 있다.At this time, when applied to such an electrode layer, the specific surface area or the like may be an important factor for determining the efficiency and storage capacity of the electric storage device.

이에 따라, 향상된 비표면적을 가지는 탄화규소 복합체가 요구된다.Accordingly, there is a demand for a silicon carbide composite having an improved specific surface area.

실시예는 향상된 비표면적을 가지는 탄화규소 복합체 및 이를 포함하는 전기 저장 장치를 제공하고자 한다.The embodiments are directed to a silicon carbide composite having an improved specific surface area and an electric storage device comprising the same.

실시예에 따른 탄화규소 복합체는, 탄화규소를 포함하는 제 1 결정 및 상기 제 1 결정 상에 배치되고, 탄소를 포함하는 적어도 하나의 제 2 결정을 포함하고, 상기 제 1 결정 및 상기 제 2 결정 중 적어도 하나의 결정에는 복수 개의 기공이 형성A silicon carbide composite according to an embodiment comprises a first crystal comprising silicon carbide and at least one second crystal arranged on the first crystal and comprising carbon, and the first crystal and the second crystal A plurality of pores are formed in at least one of the crystals

실시예에 따른 탄화규소 복합체는 전극 물질에 적용될 때, 비표면적이 향상될 수 있다. 즉, 제 1 결정 및 제 2 결정이 다공성 결정으로 형성됨에 따라, 전극 물질이 기재 등에 배치될 때, 기재와 접촉하는 탄화규소 복합체의 면적이 향상될 수 있다.When the silicon carbide composite according to the embodiment is applied to an electrode material, the specific surface area can be improved. That is, as the first and second crystals are formed of porous crystals, when the electrode material is disposed on the substrate or the like, the area of the silicon carbide composite contacting the substrate can be improved.

이에 따라, 실시예에 따른 탄화규소 복합체가 슈퍼 캐패시터 또는 울트라 캐패시터 등의 전기 저장 장치에 적용될 때, 향상된 비표면적에 의해 전기 용량을 향상시킬 수 있으므로, 대용량의 전기 저장 장치를 구현할 수 있다.Accordingly, when the silicon carbide composite according to the embodiment is applied to an electric storage device such as a supercapacitor or an ultracapacitor, the electric capacity can be improved by the improved specific surface area, so that a large-capacity electric storage device can be realized.

도 1 및 도 2는 실시예들에 따른 탄화규소 복합체의 단면도를 도시한 도면들이다.
도 3는 도 1의 A 영역의 확대 단면도를 도시한 도면이다.
도 4는 도 1의 B 영역의 확대 단면도를 도시한 도면이다.
도 5는 실시예에 따른 탄화규소 복합체 제조 방법의 공정 흐름도를 도시한 도면이다.
도 6은 실시예에 따른 탄화규소 복합체가 적용되는 전기 저장 장치의 단면도를 도시한 도면이다.
도 7은 전기 저장 장치의 양극 전극의 단면도를 도시한 도면이다. 1 and 2 are sectional views of a silicon carbide composite according to embodiments.
3 is an enlarged cross-sectional view of region A of Fig.
4 is an enlarged sectional view of the region B in Fig.
FIG. 5 is a flowchart showing a process for producing a silicon carbide composite according to an embodiment.
6 is a cross-sectional view of an electric storage device to which the silicon carbide composite according to the embodiment is applied.
7 is a cross-sectional view of the anode electrode of the electric storage device.

실시예들의 설명에 있어서, 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들이 기판, 각 층(막), 영역, 패드 또는 패턴들의 “상/위(on)”에 또는 “하/아래(under)”에 형성된다는 기재는, 직접(directly) 또는 다른 층을 개재하여 형성되는 것을 모두 포함한다. 각 층의 상/위 또는 하/아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다. In the description of the embodiments, it is to be understood that each layer (film), area, pattern or structure may be referred to as being "on" or "under / under" Quot; includes all that is formed directly or through another layer. The criteria for top / bottom or bottom / bottom of each layer are described with reference to the drawings.

도면에서 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들의 두께나 크기는 설명의 명확성 및 편의를 위하여 변형될 수 있으므로, 실제 크기를 전적으로 반영하는 것은 아니다. The thickness or the size of each layer (film), region, pattern or structure in the drawings may be modified for clarity and convenience of explanation, and thus does not entirely reflect the actual size.

이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세하게 설명하면 다음과 같다.
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1 내지 도 4를 참조하면, 실시예에 따른 탄화규소 복합체는 제 1 결정(100) 및 제 2 결정(200)을 포함할 수 있다.Referring to FIGS. 1 to 4, the silicon carbide composite according to an embodiment may include a first crystal 100 and a second crystal 200.

상기 제 1 결정(100)은 탄소 및 규소를 포함할 수 있다. 자세하게, 상기 제 1 결정(100)은 탄화규소(SiC)를 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 결정(100)은 베타상 탄화규소 및 알파상 탄화규소 중 적어도 하나의 탄화규소를 포함할 수 있다. 상기 제 1 결정(100)은 탄화규소 분말일 수 있다. 상기 제 1 결정(100)은 탄화규소 입자일 수 있다. 상기 제 1 결정(100)은 탄화규소 결정일 수 있다.The first crystal 100 may include carbon and silicon. In detail, the first crystal 100 may include silicon carbide (SiC). For example, the first crystal 100 may comprise at least one of silicon carbide of beta-phase silicon carbide and alpha phase silicon carbide. The first crystal 100 may be a silicon carbide powder. The first crystal 100 may be silicon carbide particles. The first crystal 100 may be a silicon carbide crystal.

상기 제 1 결정(100)은 구형으로 형성될 수 있다, 그러나, 실시예는 이에 제한되지 않고, 상기 제 1 결정(100)은 삼각형, 사각형 등의 다각형 형상, 원형, 타원형 등의 형상으로 형성될 수 있다.The first crystal 100 may be formed in a shape of a polygonal shape such as a triangle, a square, etc., a circle, an ellipse, or the like .

상기 제 1 결정(100)의 입경은 수 마이크로미터(㎛)일 수 있다. 자세하게, 상기 제 1 결정(100)의 입경은 약 1㎛ 내지 약 10㎛일 수 있다. 상기 제 1 결정(100)의 크기가 약 10㎛을 초과하는 경우, 고온의 입성장 공정이 요구되어 공정 효율이 저하될 수 있다.The particle diameter of the first crystal 100 may be several micrometers (占 퐉). In detail, the first crystal 100 may have a particle size of about 1 탆 to about 10 탆. If the size of the first crystal 100 exceeds about 10 탆, a high-temperature grain growth process may be required and the process efficiency may be lowered.

상기 제 2 결정(200)은 상기 제 1 결정(100) 상에 배치될 수 있다. 자세하게, 상기 제 2 결정(200)은 상기 제 1 결정(100)을 둘러싸며 배치될 수 있다. 상기 제 2 결정(200)은 상기 제 1 결정(100)과 접촉하며 배치될 수 있다. 즉, 상기 제 1 결정(100)과 상기 제 2 결정(200)은 계면을 형성하며, 또한, 서로 접촉될 수 있다. 상기 제 2 결정(200)은 상기 제 1 결정(100)과 물리적으로 및/또는 화학적으로 접촉될 수 있다.The second crystal 200 may be disposed on the first crystal 100. In detail, the second crystal 200 may be disposed to surround the first crystal 100. The second crystal 200 may be disposed in contact with the first crystal 100. That is, the first crystal 100 and the second crystal 200 form an interface and can also be in contact with each other. The second crystal 200 may be physically and / or chemically contacted with the first crystal 100.

상기 제 2 결정(200)은 적어도 하나 이상 상기 제 1 결정(100)의 표면에 증착될 수 있다.The second crystal 200 may be deposited on at least one surface of the first crystal 100.

예를 들어, 도 1과 같이, 상기 제 1 결정(100)의 표면에는 복수 개의 제 2 결정들이 증착될 수 있다. 상기 제 2 결정들은 서로 이격하거나 또는 서로 접촉하면서 상기 제 1 결정(100)의 표면에 증착될 수 있다.For example, as shown in FIG. 1, a plurality of second crystals may be deposited on the surface of the first crystal 100. The second crystals may be deposited on the surface of the first crystal 100 either spaced apart or in contact with each other.

또는, 도 2와 같이, 상기 제 1 결정(100)의 표면에는 단일의 제 2 결정들이 증착될 수 있다. 즉, 복수 개의 제 2 결정들이 서로 이격하지 않고, 일체로 형성되어 상기 제 1 결정(100)의 표면에 증착될 수 있다.Alternatively, as shown in FIG. 2, a single second crystal may be deposited on the surface of the first crystal 100. That is, the plurality of second crystals may be integrally formed without being separated from each other and deposited on the surface of the first crystal 100.

상기 제 2 결정(200)은 상기 제 1 결정(100)과 다른 물질을 포함할 수 있다. 자세하게, 상기 제 1 결정(200)은 탄소(C)를 포함할 수 있다. 상기 제 2 결정(200)은 탄소 분말일 수 있다. 상기 제 2 결정(200)은 탄소 입자일 수 있다. 상기 제 2 결정(200)은 탄소 결정일 수 있다.The second crystal 200 may include a material different from the first crystal 100. In detail, the first crystal 200 may include carbon (C). The second crystal 200 may be a carbon powder. The second crystal 200 may be carbon particles. The second crystal 200 may be carbon crystals.

도 3 및 도 4를 참조하면, 상기 제 1 결정(100) 및 상기 제 2 결정(200) 중 적어도 하나의 결정에는 기공이 형성될 수 있다.Referring to FIGS. 3 and 4, pores may be formed in at least one of the first crystal 100 and the second crystal 200.

도 3을 참조하면, 상기 제 1 결정(100)에는 제 1 기공(P1)이 형성될 수 있다. 자세하게, 상기 제 1 결정(100)을 구성하는 복수 개의 단위 제 1 결정들 사이에는 제 1 기공(P1)이 형성될 수 있다.Referring to FIG. 3, a first pore P1 may be formed in the first crystal 100. In detail, a first pore P1 may be formed between a plurality of unit first crystals constituting the first crystal 100.

도 4를 참조하면, 상기 제 2 결정(200)에는 제 2 기공(P2)이 형성될 수 있다. 자세하게, 상기 제 2 결정(200)을 구성하는 복수 개의 단위 제 2 결정들 사이에는 제 2 기공(P2)이 형성될 수 있다.Referring to FIG. 4, a second pore P2 may be formed in the second crystal 200. In detail, a second pore P2 may be formed between a plurality of unit second crystals constituting the second crystal 200.

예를 들어, 상기 제 2 결정(200)에만 기공들이 형성될 수 있다. 또는 상기 제 1 결정(100) 및 상기 제 2 결정(200)에 모두 기공들이 형성될 수 있다. 즉, 상기 제 1 결정(100) 및 상기 제 2 결정(200) 중 적어도 하나의 결정은 다공성 결정 구조일 수 있다.For example, pores may be formed only in the second crystal 200. Or pores may be formed in both the first crystal 100 and the second crystal 200. That is, the crystal of at least one of the first crystal 100 and the second crystal 200 may have a porous crystal structure.

상기 제 1 결정(100)의 밀도와 상기 제 2 결정(200)의 밀도는 상이할 수 있다. The density of the first crystal 100 and the density of the second crystal 200 may be different.

자세하게, 상기 제 1 결정(100)의 밀도는 상기 제 2 결정(200)의 밀도보다 클 수 있다. 즉, 탄화규소를 포함하는 상기 제 1 결정(100)의 밀도는 탄소를 포함하는 상기 제 2 결정(200)의 밀도보다 클 수 있다.In detail, the density of the first crystals 100 may be greater than the density of the second crystals 200. That is, the density of the first crystal 100 including silicon carbide may be greater than the density of the second crystal 200 including carbon.

상기 제 1 결정(100)의 분자량과 상기 제 2 결정(200)의 분자량은 상이할 수 있다. The molecular weight of the first crystal 100 and the molecular weight of the second crystal 200 may be different.

자세하게, 상기 제 1 결정(100)의 분자량은 상기 제 2 결정(200)의 분자량보다 클 수 있다. 즉, 탄화규소를 포함하는 상기 제 1 결정(100)의 분자량은 탄소를 포함하는 상기 제 2 결정(200)의 분자량보다 클 수 있다.
In detail, the molecular weight of the first crystal 100 may be greater than the molecular weight of the second crystal 200. That is, the molecular weight of the first crystal 100 containing silicon carbide may be larger than the molecular weight of the second crystal 200 containing carbon.

실시예에 따른 탄화규소 복합체는 제 1 결정 및 제 2 결정 중 적어도 하나의 결정에 복수 개의 기공들이 형성될 수 있다. 이에 따라, 실시예에 따른 탄화규소 복합체를 전극 물질에 적용할 때, 탄화규소 복합체의 비표면적을 증가시킬 수 있다. 이에 따라, 실시예에 따른 탄화규소 복합체를 전극 물질에 적용하여 전기 저장 장치 등에 활용하는 경우, 전기 저장 장치의 전기 용량을 향상시킬 수 있다.
In the silicon carbide composite according to an embodiment, a plurality of pores may be formed in at least one of the first crystal and the second crystal. Accordingly, when the silicon carbide composite according to the embodiment is applied to an electrode material, the specific surface area of the silicon carbide composite can be increased. Accordingly, when the silicon carbide composite according to the embodiment is applied to an electrode material to be used in an electric storage device or the like, the electric capacity of the electric storage device can be improved.

이하, 도 5를 참조하여, 실시예에 따른 탄화규소 복합체 제조 방법을 설명한다.Hereinafter, a method for manufacturing a silicon carbide composite according to an embodiment will be described with reference to FIG.

도 5를 참조하면, 실시예에 따른 탄화규소 복합체 제조 방법은, 탄소원 및 규소원을 합성하여 제 1 결정을 형성하는 단계(ST10) 및 상기 제 1 결정의 표면에 제 2 결정을 형성하는 단계(ST20)를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 5, a method of manufacturing a silicon carbide composite according to an embodiment of the present invention includes the steps of forming a first crystal (ST10) by synthesizing a carbon source and a silicon source, and forming a second crystal on the surface of the first crystal ST20).

상기 탄소원 및 규소원을 합성하여 제 1 결정을 형성하는 단계(ST10)에서는 제 1 결정을 형성할 수 있다. 즉, 상기 탄소원 및 규소원을 합성하여 제 1 결정을 형성하는 단계(ST10)에서는 다공성의 제 1 결정을 형성할 수 있다. 즉, 상기 탄소원 및 규소원을 합성하여 제 1 결정을 형성하는 단계(ST10)에서는 복수 개의 기공이 형성된 탄화규소 분말을 형성할 수 있다.The first crystal may be formed in the step ST10 of synthesizing the carbon source and the silicon source to form the first crystal. That is, in the step ST10 of forming the first crystal by synthesizing the carbon source and the silicon source, a porous first crystal can be formed. That is, in step ST10 of forming the first crystal by synthesizing the carbon source and the silicon source, a silicon carbide powder having a plurality of pores may be formed.

상기 탄소원은 고체 탄소원 또는 유기 탄소 화합물을 포함할 수 있다. The carbon source may comprise a solid carbon source or an organic carbon compound.

고체 탄소원으로는 흑연(graphite), 카본 블랙(carbon black), 카본 나노 튜브(carbon nano tube, CNT), 풀러렌(fullerene, C60) 등을 들 수 있다. Examples of the solid carbon source include graphite, carbon black, carbon nano tube (CNT), and fullerene (C 60 ).

유기 탄소 화합물로는 에탄올(ethanol), 메탄올(methanol), 페놀(penol), 프랑(franc), 자일렌(xylene), 폴리이미드(polyimide), 폴리우레탄(polyunrethane), 폴리비닐알콜(polyvinyl alcohol), 폴리아크릴로니트릴(polyacrylonitrile), 또는 폴리비닐아세테이트 (poly (vinyl acetate)) 등을 들 수 있다. 그 외에도 셀룰로오스(cellulose), 제당, 피치(pitch), 타르(tar) 등을 사용할 수 있다. Examples of the organic carbon compound include ethanol, methanol, penol, franc, xylene, polyimide, polyunrethane, polyvinyl alcohol, Polyacrylonitrile, or poly (vinyl acetate), and the like. In addition, cellulose, sugar, pitch, tar and the like can be used.

상기 규소원은 규소를 제공할 수 있는 다양한 물질을 포함할 수 있다. 일례로, 상기 규소원은 실리카(silica)를 포함할 수 있다. 또한, 실리카 이외에도, 상기 규소원으로는 실리카 분말, 실리카 솔(sol), 실리카 겔(gel), 석영 분말 등이 이용될 수 있다. 그러나 실시예가 이에 한정되는 것은 아니며 규소를 포함하는 유기 규소 화합물을 규소원으로 사용할 수 있다.The silicon source may include various materials capable of providing silicon. For example, the silicon source may comprise silica. In addition to the silica, the silica source may be silica powder, silica sol, silica gel, quartz powder, or the like. However, the embodiment is not limited thereto, and an organosilicon compound containing silicon may be used as a silicon source.

상기 탄소원 및 규소원을 합성하여 제 1 결정을 형성하는 단계(ST10)는 상기 탄소원 및 상기 규소원을 반응시킬 수 있다.The step of synthesizing the carbon source and the silicon source to form the first crystal (ST10) may react the carbon source and the silicon source.

자세하게, 반응 챔버 내에 상기 실리콘 분말과 같은 규소원을 배치한 후, 약 약 600℃ 내지 약 1200℃의 온도에서, 아르곤 가스(Ar) 등과 함께 비활성 분위기에서 상기 탄소원을 상기 챔버 내로 투입할 수 있다. 이때, 제 1 결정에 기공을 형성하기 위하여 탄소원과 함께 산소(O2) 가스 및 전기 전도성을 향상시키기 위해 질소(N2) 가스를 함께 투입할 수 있다.In detail, after the silicon source such as the silicon powder is disposed in the reaction chamber, the carbon source can be introduced into the chamber in an inert atmosphere together with argon gas (Ar) at a temperature of about 600 캜 to about 1200 캜. At this time, in order to form pores in the first crystal, an oxygen (O 2 ) gas together with a carbon source and a nitrogen (N 2 ) gas may be added together to improve the electrical conductivity.

이에 따라, 상기 탄소원은 상기 챔버 내로 주입되면서 탄화되고, 이에 따라, 상기 탄소원은 흑연(graphite), 그래핀(grapgene), 탄소나노튜브(carbon nano tube) 등의 탄소 결정 구조체로 변환될 수 있다.Accordingly, the carbon source is carbonized while being injected into the chamber, whereby the carbon source can be converted into a carbon crystal structure such as graphite, graphene, or a carbon nano tube.

이어서, 공정 온도를 약 1300℃ 내지 약 1900℃의 온도로 상승시킨 후, 탄소원과 규소원을 반응시켰다.Then, the process temperature was raised to a temperature of about 1300 ° C to about 1900 ° C, and then the carbon source and the silicon source were reacted.

이러한 반응에 의해, 하기 반응식 1 및 반응식 2의 단계에 따른 반응식 3의 전체 반응식에 의하여 탄화규소를 포함하는 제 1 결정이 형성될 수 있다.By this reaction, a first crystal including silicon carbide can be formed by the reaction formula of Reaction Formula 3 according to the following Reaction Schemes 1 and 2.

[반응식 1][Reaction Scheme 1]

SiO2(s) + C(s) -> SiO(g) + CO(g) SiO2 (s) + C (s) - > SiO (g) + CO (g)

[반응식 2][Reaction Scheme 2]

SiO(g) + 2C(s) -> SiC(s) + CO(g)SiO (g) + 2C (s) - > SiC (s) + CO (g)

[반응식 3][Reaction Scheme 3]

SiO2(s) + 3C(s) -> SiC(s) + 2CO(g)
SiO2 (s) + 3C (s) - > SiC (s) + 2CO (g)

또한, 상기 제 1 결정은 약 1㎛ 내지 약 10㎛의 입경을 가질 수 있다.
Further, the first crystal may have a particle diameter of about 1 탆 to about 10 탆.

이어서, 상기 제 1 결정의 표면에 제 2 결정을 형성하는 단계(ST20)가 수행될 수 있다. 즉, 상기 단계(ST10)에서 제조되는 다공성을 가지는 제 1 결정 표면에 제 2 결정을 증착할 수 있다. 즉, 다공성을 가지는 탄화규소 분말의 표면에 제 2 결정을 증착할 수 있다.Then, a step ST20 of forming a second crystal on the surface of the first crystal may be performed. That is, the second crystal may be deposited on the porous first crystal surface prepared in step ST10. That is, the second crystal can be deposited on the surface of the porous silicon carbide powder.

자세하게, 상기 반응 챔버 내에 앞선 단계에서 제조된 제 1 결정이 배치되고, 아르곤 가스(Ar) 등과 함께 비활성 분위기에서 탄소원을 아르곤 가스(Ar) 등과 함께 비활성 분위기에서 상기 챔버 내로 투입할 수 있다. 이때, 제 2 결정에 기공을 형성하기 위하여, 탄소원과 함께 산소(O2) 가스 및 전기 전도성을 향상시키기 위해 질소(N2) 가스를 함께 투입할 수 있다.In detail, the first crystal produced in the preceding step in the reaction chamber is placed, and the carbon source together with argon gas (Ar) and the like can be introduced into the chamber in an inert atmosphere together with argon gas (Ar) or the like in an inert atmosphere. At this time, in order to form pores in the second crystal, oxygen (O 2 ) gas together with a carbon source and nitrogen (N 2 ) gas may be added together to improve electrical conductivity.

이러한 반응에 의해, 상기 제 1 결정의 표면에는 상기 탄소원에 의해 탄소를 포함하는 제 2 결정이 증착될 수 있다.By this reaction, a second crystal containing carbon by the carbon source can be deposited on the surface of the first crystal.

상기 제 2 결정을 형성하는 단계는 약 1200℃ 내지 약 1400℃의 온도에서 진행될 수 있다.The step of forming the second crystal may be performed at a temperature of about 1200 ° C to about 1400 ° C.

약 1200℃ 미만의 온도에서 상기 제 2 결정을 형성하는 경우, 온도가 너무 낮아, 상기 탄소원이 상기 제 1 결정에 증착될 수 었고, 약 1400℃를 초과하는 경우, 고온에 의해 탄화규소 분말에서 규소원이 기화될 수 있다.
If the second crystal is formed at a temperature less than about 1200 ° C, the temperature is too low to allow the carbon source to be deposited on the first crystal, and if it exceeds about 1400 ° C, the silicon carbide powder The circle can be vaporized.

이하, 도 6 및 도 7을 참조하여, 실시예에 따른 탄화규소 복합체가 적용되는 전기 저장 장치를 설명한다.Hereinafter, an electric storage device to which the silicon carbide composite according to the embodiment is applied will be described with reference to FIGS. 6 and 7. FIG.

도 6 및 도 7을 참조하면, 실시예에 따른 전기 저장 장치는 양극 전극 및 음극 전극, 상기 양극 전극 및 상기 음극 전극 사이에 배치되는 전해질 및 세퍼레이터를 포함할 수 있다.6 and 7, the electric storage device according to the embodiment may include a positive electrode and a negative electrode, an electrolyte disposed between the positive electrode and the negative electrode, and a separator.

상기 양극 전극 및 상기 음극 전극은 기판(10) 및 상기 기판(10) 상의 전극층(20)을 포함할 수 있다. 실시예에 따른 탄화규소 복합체는 상기 전극층(20)에 적용될 수 있다.The anode electrode and the cathode electrode may include a substrate 10 and an electrode layer 20 on the substrate 10. The silicon carbide composite according to the embodiment may be applied to the electrode layer 20.

상기 기판(10)은 금속을 포함할 수 있다. 자세하게, 상기 기판(10)은 알루미늄(Al), 구리(Cu), 니켈(Ni) 또는 이들의 합금을 포함할 수 있다. The substrate 10 may comprise a metal. In detail, the substrate 10 may include aluminum (Al), copper (Cu), nickel (Ni), or an alloy thereof.

자세하게, 상기 기판(10) 상에 탄화규소 복합체, 바인더를 혼합한 전극 물질을 인쇄 또는 증착하여 전극층(20)을 형성할 수 있다. 상기 전극층(20)은 상기 기판(10) 상에 약 100㎛ 내지 약 500㎛의 두께로 형성될 수 있다.In detail, the electrode layer 20 may be formed by printing or vapor-depositing an electrode material in which a silicon carbide composite and a binder are mixed on the substrate 10. The electrode layer 20 may be formed on the substrate 10 to a thickness of about 100 탆 to about 500 탆.

상기 바인더는 상기 탄화규소 복합체를 상기 기판 상에 인쇄 또는 증착하기 위한 물질로서 Polyvinylidene Fluoride(PVDF), Polytetrafluoroethylene(PTFE), carboxymethyl cellulose(CMC) 및 styrene-butadiene rubbe(SBR) 중 적어도 하나의 바인더를 포함할 수 있다.The binder includes at least one binder selected from the group consisting of PVDF, PTFE, carboxymethyl cellulose (CMC), and styrene-butadiene rubbe (SBR) as a material for printing or depositing the silicon carbide composite on the substrate can do.

도 7을 참조하면, 상기 전극층(20)은 상기 기판(10) 상에 약 100㎛ 내지 약 300㎛의 두께(T)로 배치될 수 있다, 상기 전극층(20)의 두께가 약 100㎛ 미만으로 배치되는 경우, 상기 전극층의 전도성이 저하될 수 있고, 상기 전극층(20)의 두께가 약 300㎛을 초과하여 배치되는 경우, 전기 저장 장치의 전체적인 크기가 증대될 수 있다.Referring to FIG. 7, the electrode layer 20 may be disposed on the substrate 10 at a thickness T of about 100 μm to about 300 μm. When the thickness of the electrode layer 20 is less than about 100 μm The conductivity of the electrode layer may be deteriorated and the overall size of the electric storage device may be increased when the thickness of the electrode layer 20 is greater than about 300 mu m.

상기 전극층(20)은 도전재를 더 포함할 수 있다. 상기 도전재는 상기 전극층의 전자의 이동을 원활하게 하는 역할을 할 수 있다. 그러나, 실시예는 이에 제한되지 않고, 상기 전극층(20)은 도전재를 포함하지 않고, 상기 탄화규소 복합체가 도전재 역할을 함께 할 수 있다.The electrode layer 20 may further include a conductive material. The conductive material may serve to smooth the movement of electrons in the electrode layer. However, the embodiment is not limited to this, and the electrode layer 20 does not include a conductive material, and the silicon carbide composite may serve as a conductive material.

또한, 상기 양극 전극(21) 및 상기 음극 전극(22) 사이에는 전해질(30) 및 상기 양극 전극(21)과 상기 음극 전극(22)의 접촉을 방지하는 세퍼레이터(40)가 배치될 수 있다.
An electrolyte 30 and a separator 40 for preventing contact between the positive electrode 21 and the negative electrode 22 may be disposed between the positive electrode 21 and the negative electrode 22.

실시예에 따른 탄화규소 복합체는 전극 물질에 적용될 때, 비표면적이 향상될 수 있다. 즉, 제 1 결정 및 제 2 결정이 다공성 결정으로 형성됨에 따라, 전극 물질이 기재 등에 배치될 때, 기재와 접촉하는 탄화규소 복합체의 면적이 향상될 수 있다.When the silicon carbide composite according to the embodiment is applied to an electrode material, the specific surface area can be improved. That is, as the first and second crystals are formed of porous crystals, when the electrode material is disposed on the substrate or the like, the area of the silicon carbide composite contacting the substrate can be improved.

이에 따라, 실시예에 따른 탄화규소 복합체가 슈퍼 캐패시터 또는 울트라 캐패시터 등의 전기 저장 장치에 적용될 때, 향상된 비표면적에 의해 전기 용량을 향상시킬 수 있으므로, 대용량의 전기 저장 장치를 구현할 수 있다.
Accordingly, when the silicon carbide composite according to the embodiment is applied to an electric storage device such as a supercapacitor or an ultracapacitor, the electric capacity can be improved by the improved specific surface area, so that a large-capacity electric storage device can be realized.

이하, 실시예들 및 비교예들에 따른 탄화규소 복합체의 제조 방법을 통하여 본 발명을 좀더 상세하게 설명한다. 이러한 실시예는 본 발명을 좀더 상세하게 설명하기 위하여 예시로 제시한 것에 불과하다. 따라서 본 발명이 이러한 실시예에 한정되는 것은 아니다.
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to the method for producing a silicon carbide composite according to Examples and Comparative Examples. These embodiments are merely illustrative of the present invention in order to explain the present invention in more detail. Therefore, the present invention is not limited to these embodiments.

실시예Example

규소원으로서 실리콘 분말을 탄소원으로서 메탄올을 준비하였다.Methanol was prepared using silicon powder as a silicon source as a carbon source.

이어서, 실리콘 분말을 챔버 내에 투입한 후, 주입구를 통해 메탄올을 약 600℃ 내지 약 1200℃의 온도에서 아르곤(Ar) 가스 분위기하에서 주입하였다. 이때, 산소 가스 및 질소 가스를 메탄올과 함께 주입하였다.Subsequently, after the silicon powder was charged into the chamber, methanol was injected through the injection port at a temperature of about 600 ° C to about 1200 ° C under an argon (Ar) gas atmosphere. At this time, oxygen gas and nitrogen gas were injected together with methanol.

이어서, 상기 챔버의 온도를 약 1300℃의 온도까지 상승시킨 후, 탄소원과 규소원의 합성 반응을 시켜 탄화규소 분말을 형성하였다.Next, the temperature of the chamber was raised to a temperature of about 1300 ° C., and a synthesis reaction of a carbon source and a silicon source was performed to form a silicon carbide powder.

이어서, 상기 챔버의 온도를 약 1200℃의 온도로 유지한 후, 주입구를 통해 메탄올을 아르곤(Ar) 가스 분위기하에서 주입하였다. 이때, 산소 가스 및 질소 가스를 함께 주입하였다.Subsequently, the temperature of the chamber was maintained at a temperature of about 1200 DEG C, and then methanol was injected through an injection port under an argon (Ar) gas atmosphere. At this time, oxygen gas and nitrogen gas were injected together.

상기 공정에 의해, 상기 탄화규소 분말에 복수 개의 탄소 분말이 증착된 탄화규소 복합체를 제조하였다.By this process, a silicon carbide composite in which a plurality of carbon powders were deposited on the silicon carbide powder was prepared.

이때, 각각의 공정 온도를 달리하여, 실시예 1 내지 실시예 5의 탄화규소 복합체를 제조하였다.At this time, silicon carbide composites of Examples 1 to 5 were prepared at different process temperatures.

이어서, 상기 탄화규소 복합체, 바인더로서 Polyvinylidene Fluoride를 혼합하고, 상기 혼합 물질을 알루미늄 기재 상에 도포하여, 양극 및 음극의 전극층을 형성하였다.Subsequently, the silicon carbide composite and polyvinylidene fluoride as a binder were mixed and the mixed material was coated on an aluminum substrate to form an electrode layer of an anode and a cathode.

이어서, 양극 전극 및 음극 전극 사이에 수계 또는 비수계 전해질 및 세퍼래이터를 배치하여, 전기 저장 장치를 제조하였다.Subsequently, an aqueous or non-aqueous electrolyte and a separator were disposed between the positive electrode and the negative electrode to prepare an electric storage device.

이어서, 상기 전극 물질의 비표면적 및 상기 전기 저장 장치의 단위 체적당 용량을 측정하였다.
Then, the specific surface area of the electrode material and the capacity per unit volume of the electric storage device were measured.

비교예Comparative Example

전극 물질로서, 활성탄 및 카본블랙, 바인더를 혼합하였다는 점을 제외하고는 실시예와 동일하게 전기 저장 장치를 제조하였다.An electric storage device was prepared in the same manner as in Example except that activated carbon, carbon black and a binder were mixed as an electrode material.

이어서, 양극 전극 및 음극 전극 사이에 수계 또는 비수계 전해질 및 세퍼래이터를 배치하여, 전기 저장 장치를 제조하였다.Subsequently, an aqueous or non-aqueous electrolyte and a separator were disposed between the positive electrode and the negative electrode to prepare an electric storage device.

이어서, 상기 전극 물질 비표면적 및 상기 전기 저장 장치의 단위 체적당 용량을 측정하였다.
Then, the electrode material specific surface area and the capacity per unit volume of the electric storage device were measured.

비표면적(㎡/g)Specific surface area (m < 2 > / g) 단위체적당 전기용량(F/cc)Capacity per unit volume (F / cc) 실시예 1Example 1 10001000 1414 실시예 2Example 2 19201920 1919 실시예 3Example 3 26872687 2828 실시예 4Example 4 35803580 3939 실시예 5Example 5 40004000 5050 비교예Comparative Example 720720 99

표 1을 참조하면, 실시예1 내지 실시예 5의 전극 물질은 비교예의 전극 물질에 비해 비표면적이 향상되고, 이에 따라, 단위 체적당 전기 용량이 큰 것을 알 수 있다.Referring to Table 1, it can be seen that the electrode materials of Examples 1 to 5 have an increased specific surface area as compared with the electrode materials of the comparative examples, and accordingly, the electric capacity per unit volume is large.

즉, 탄화규소 분말 결정의 표면에 다수의 기공이 형성된 탄소 분말에 의해 탄화규소 복합체가 기재 상에 전극 물질로서 증착될 때, 비표면적이 증가되는 것을 알 수 있다.That is, it can be seen that when the silicon carbide composite is deposited as an electrode material on the substrate by the carbon powder in which a large number of pores are formed on the surface of the silicon carbide powder crystal, the specific surface area is increased.

이에 따라, 전극 물질의 비표면적이 증가함에 따라, 전기 저장 장치의 전체적인 전기 용량도 향상되는 것을 알 수 있다.
Thus, it can be seen that as the specific surface area of the electrode material increases, the overall electric capacity of the electric storage device also improves.

이상에서 실시예들을 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예들에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부한 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments, but, on the contrary, It will be understood that various modifications and applications are possible. For example, each component specifically shown in the embodiments may be modified and implemented. It is to be understood that the present invention may be embodied in many other specific forms without departing from the spirit or essential characteristics thereof.

Claims (12)

탄화규소를 포함하는 제 1 결정; 및
상기 제 1 결정 상에 배치되고, 탄소를 포함하는 적어도 하나의 제 2 결정을 포함하고,
상기 제 1 결정 및 상기 제 2 결정 중 적어도 하나의 결정에는 복수 개의 기공이 형성되는 탄화규소 복합체.A first crystal comprising silicon carbide; And
At least one second crystal disposed on the first crystal and comprising carbon,
Wherein at least one of the first crystal and the second crystal has a plurality of pores formed therein. 제 1항에 있어서,
상기 제 1 결정 상에는 복수 개의 제 2 결정들이 배치되는 탄화규소 복합체.The method according to claim 1,
And a plurality of second crystals are disposed on the first crystal. 제 2항에 있어서,
상기 복수 개의 제 2 결정들은 일체로 형성되는 탄화규소 복합체.3. The method of claim 2,
Wherein the plurality of second crystals are integrally formed. 제 1항에 있어서,
상기 제 2 결정에는 복수 개의 기공이 형성되는 탄화규소 복합체.The method according to claim 1,
And a plurality of pores are formed in the second crystal. 제 1항에 있어서,
상기 제 1 결정 및 상기 제 2 결정에는 복수 개의 기공이 형성되는 탄화규소 복합체.The method according to claim 1,
Wherein a plurality of pores are formed in the first crystal and the second crystal. 제 1항에 있어서,
상기 제 2 결정의 입경은 0.5㎛ 내지 10㎛인 탄화규소 복합체.The method according to claim 1,
And the second crystal has a grain size of 0.5 탆 to 10 탆. 탄소원 및 규소원을 합성하여 제 1 결정을 형성하는 단계; 및
상기 제 1 결정의 표면에 제 2 결정을 형성하는 단계를 포함하고,
상기 제 2 결정을 형성하는 단계는 1200℃ 내지 1500℃의 온도에서 진행되는 탄화규소 복합체 제조 방법.Synthesizing a carbon source and a silicon source to form a first crystal; And
And forming a second crystal on a surface of the first crystal,
Wherein the forming of the second crystal is performed at a temperature of 1200 ° C to 1500 ° C. 제 7항에 있어서,
상기 제 1 결정 및 상기 제 2 결정 중 적어도 하나의 결정에는 복수 개의 기공이 형성되는 탄화규소 복합체 제조 방법.8. The method of claim 7,
Wherein a plurality of pores are formed in at least one of the first crystal and the second crystal. 제 7항에 있어서,
상기 탄소원은 흑연(graphite), 카본 블랙(carbon black), 카본 나노 튜브(carbon nano tube, CNT), 풀러렌(fullerene, C60), 메탄올, 에탄올, 페놀(penol), 프랑(franc), 자일렌(xylene), 폴리이미드(polyimide), 폴리우레탄(polyunrethane), 폴리비닐알콜(polyvinyl alcohol), 폴리아크릴로니트릴(polyacrylonitrile), 폴리비닐아세테이트 (poly (vinyl acetate)), 셀룰로오스(cellulose), 제당, 피치(pitch) 또는 타르(tar)를 포함하는 탄화규소 복합체 제조 방법.8. The method of claim 7,
The carbon source may be selected from the group consisting of graphite, carbon black, carbon nano tube (CNT), fullerene (C 60 ), methanol, ethanol, phenol, polyolefins such as xylene, polyimide, polyunrethane, polyvinyl alcohol, polyacrylonitrile, poly (vinyl acetate), cellulose, sugar, A method of making a silicon carbide composite comprising a pitch or tar. 제 7항에 있어서,
상기 규소원은 실리카, 실리카 분말, 실리카 솔(sol), 실리카 겔(gel) 또는 석영 분말을 포함하는 탄화규소 복합체 제조 방법.8. The method of claim 7,
Wherein the silicon source comprises silica, silica powder, silica sol, silica gel or quartz powder. 양극 전극 및 음극 전극; 및
상기 양극 전극 및 상기 음극 전극 사이의 전해질을 포함하고.
상기 양극 전극 및 음극 전극은,
기판;
상기 기판 상의 전극층을 포함하고,
상기 전극층은 제 1항 내지 제 6항 중 어느 한 항에 따른 탄화규소 복합체를 포함하는 전기 저장 장치.An anode electrode and a cathode electrode; And
And an electrolyte between the anode electrode and the cathode electrode.
The positive electrode and the negative electrode may be made of,
Board;
And an electrode layer on the substrate,
Wherein the electrode layer comprises the silicon carbide composite according to any one of claims 1 to 6. 제 11항에 있어서,
상기 탄화규소 복합체의 비표면적은 1000㎡/g 내지 4000㎡/g인 전기 저장 장치.12. The method of claim 11,
Wherein the specific surface area of the silicon carbide composite is 1000 m < 2 > / g to 4000 m < 2 > / g.
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