KR20170035225A - 금속막의 식각액 조성물 및 이를 이용한 액정표시장치용 어레이 기판의 제조방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 (a) 인산, (b) 질산, (c) 초산, (d) 함불소 화합물, (e) 황산계 화합물, 및 (f) 물을 포함하는 금속막 식각액 조성물로, 상기 (e) 황산계 화합물은 pKa값이 -1 내지 5인 것을 특징으로 하는 금속막 식각액 조성물에 대한 것이다.
Description
본 발명은 금속막의 식각액 조성물 및 이를 이용한 액정표시장치용 어레이 기판의 제조방법에 관한 것이다.
반도체 장치에서 기판 위에 금속 배선을 형성하는 과정은 통상적으로 스퍼터링 등에 의한 금속막 형성공정, 포토레지스트 도포, 노광 및 현상에 의한 선택적인 영역에서의 포토레지스트 형성공정 및 식각공정에 의한 단계로 구성되고, 개별적인 단위 공정 전후의 세정 공정 등을 포함한다. 이러한 식각공정은 포토레지스트를 마스크로 하여 선택적인 영역에 금속막을 남기는 공정을 의미하며, 통상적으로 플라즈마 등을 이용한 건식식각 또는 식각액 조성물을 이용하는 습식식각이 사용된다.
이러한 반도체 장치에서 최근 금속배선의 저항이 주요한 관심사로 떠오르고 있다. 왜냐하면 저항이 RC 신호지연을 유발하는 주요한 인자이므로, 특히 TFT-LCD(thin film transistor-liquid crystal display)의 경우 패널크기 증가와 고해상도 실현이 기술 개발에 관건이 되고 있기 때문이다. 따라서, TFT-LCD의 대형화에 필수적으로 요구되는 RC 신호지연의 감소를 실현하기 위해서는, 저-저항의 물질개발이 필수적이다. 따라서, 종래에 주로 사용되었던 크롬(Cr, 비저항: 12.7 ×10- 8Ωm), 몰리브덴(Mo, 비저항: 5×10- 8Ωm), 알루미늄(Al, 비저항: 2.65×10- 8Ωm) 및 이들의 합금은 대형 TFT LCD에 사용되는 게이트 및 데이터 배선 등으로 이용하기 어려운 실정이다.
이와 같은 배경 하에서, 새로운 저-저항 금속막으로서 구리막 및 구리 타타늄막 등의 구리계 금속막 및 이의 식각액 조성물에 대한 관심이 높아지고 있고, 이와 관련하여 대한민국 공개특허 제 10-2013-0046065호에서는 인산, 질산, 초산, 불소 함유화합물을 포함하는 다중금속막의 식각액 조성물을 개시하고 있다. 다만, pH가 낮은 식각액 조성에서 함불소 화합물이 존재할 시 발생하는 유리기판의 식각을 제어하기에 한계가 있으며, 두께가 5000Å 이상인 후막에서 Profile 및 유리식각에 대한 문제점이 개선되지 않는 한계점이 있다.
본 발명은 식각액 조성물은 구리막의 두께가 5000Å 이상인 후막에서 식각성능 (Profile) 및 유리식각에 대한 문제점을 개선시킨 면에서 우수한 식각 특성을 갖는 금속막의 식각액 조성물을 제공하는 것을 목적으로 한다.
또한, 본 발명은 상기 식각액 조성물을 사용하는 구리계 금속막의 식각방법 및 액정표시장치용 어레이 기판의 제조방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기 목적을 달성하기 위하여,
(a) 인산, (b) 질산, (c) 초산, (d) 함불소 화합물, (e) 황산계 화합물, 및 (f) 물을 포함하는 금속막 식각액 조성물로, 상기 (e) 황산계 화합물은 pKa값이 -1 내지 5인 것을 특징으로 하는 금속막 식각액 조성물을 제공한다.
이를 이용한 구리계 금속막의 식각방법 및 액정 표시 장치용 어레이 기판의 제조방법을 제공한다.
또한, 본 발명은 상기 본 발명의 제조방법으로 제조된 액정 표시 장치용 어레이 기판을 제공한다.
본 발명의 식각액 조성물은 식각액 조성물은 구리막의 두께가 5000Å 이상인 후막에서 식각성능(Profile) 및 유리식각에 대한 문제점을 개선시킨 면에서 우수한 식각 특성이 있다.
이하, 본 발명을 보다 자세히 설명한다.
본 발명은 (a) 인산, (b) 질산, (c) 초산, (d) 함불소 화합물, (e) 황산계 화합물, 및 (f) 물을 포함하는 금속막 식각액 조성물로, 상기 (e) 황산계 화합물은 pKa값이 -1 내지 5인 것을 특징으로 하는 금속막 식각액 조성물에 대한 것이다. 특히 본 발명은 구리계 금속막의 막 두께가 5,000Å 이상의 후막을 식각하기 위한 금속막 식각액 조성물, 식각방법, 액정표시장치용 어레이 기판 및 액정표시장치용 어레이 기판의 제조방법에 관한 것이다.
본 발명자는 황산계 화합물로 pKa를 조절함으로써 함불소화합물로 인해 발생하는 금속막 하부 유리기판의 식각율을 감소시킴을 실험적으로 확인하여, 본 발명을 완성하였다. 본 발명의 식각액 조성물은 구리막의 두께가 5000Å 이상인 후막에서 식각특성(Profile) 및 유리식각에 대한 문제점을 개선시킨 면에서 우수한 식각 특성을 갖는다.
본 발명은 바람직하게 구리계 금속막의 식각을 위한 것이며, 상기 구리계 금속막은 막의 구성성분 중에 구리가 포함되는 것으로서, 단일막 및 이중막 등의 다층막을 포함하며 상부막의 두께가 5000Å 이상인 후막이다. 예컨대, 구리 또는 구리 합금의 단일막, 티타늄 또는 티타늄 합금막, 다층막으로서 구리 티타늄막, 구리 티타늄 합금막 등이 포함된다. 상기 구리 티타늄막은 티타늄층과 상기 티타늄층 상에 형성된 구리층을 포함하는 것을 의미하며, 상기 구리 티타늄 합금막은 티타늄 합금층과 상기 티타늄 합금층 상에 형성된 구리층을 포함하는 것을 의미한다. 또한, 상기 티타늄 합금층은 예컨대, 몰리브데늄(Mo), 탄탈륨(Ta), 크롬(Cr), 니켈(Ni) 및 네오디늄(Nd) 등으로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상과 티타늄의 합금을 의미한다.
본 발명의 식각액 조성물은 게이트 전극과 게이트 배선 및 소스/드레인 전극과 데이터 배선의 일괄 식각이 가능한 구리계 금속막의 식각액 조성물로, (a) 인산, (b) 질산, (c) 초산, (d) 함불소 화합물, (e) 황산계 화합물, 및 (f) 물을 포함한다.
본 발명의 식각액 조성물에 포함되는 (d) 황산계 화합물은 pKa를 조절하여 유리 식각 속도 조절을 가능하게 한다.
이하, 본 발명을 구성 별로 상세히 설명한다.
(a) 인산
본 발명의 식각액에 포함되는 인산(H3PO4)은 주 산화제로 사용되는 성분으로서, 금속막을 산화시켜 습식 식각하는 역할을 수행한다.
그 함량은 식각액 조성물 총중량에 대하여 10 내지 50 중량%이며, 바람직하게는 10 내지 30 중량%로 포함된다. 인산의 함량이 상술한 범위 미만인 경우에는 구리의 식각 속도 저하와 잔사 발생에 따른 불량을 야기시킬 수 있으며, 범위를 초과하는 경우에는 티타늄막의 식각 속도는 저하되고, 구리막의 식각 속도는 너무 빨라져 티타늄막의 잔사 발생 및 구리막의 과식각 현상 발생으로 후속공정에 문제가 되는 불리한 점이 있다.
(b) 질산
본 발명의 식각액에 포함되는 질산(HNO3)은 보조 산화제로 사용되는 성분으로서, 금속막을 산화시켜 습식 식각하는 역할을 수행한다.
그 함량은 식각액 조성물 총 중량에 대하여 3 내지 8 중량%이다. 질산의 함량이 3 중량% 미만인 경우에는 금속막의 식각 속도 저하가 발생하며 이로써 기판내의 식각 균일성(Uniformity)이 불량해지므로 얼룩이 발생하며, 8 중량%를 초과하는 경우에는 금속막의 식각 속도가 가속화 되어 과식각이 발생할 수 있다.
(c) 초산
본 발명의 식각액에 포함되는 초산(CH3COOH)은 보조 산화제로 사용되는 성분으로서, 반응 속도 등을 조절하기 위해 완충제로도 작용하여 질산의 분해속도를 조절하며, 일반적으로 분해 속도를 감소시키는 역할을 한다.
그 함량은 식각액 조성물 총중량에 대하여 10 내지 60 중량%이다. 초산의 함량이 10 중량% 미만인 경우에는 기판 내의 식각 속도 불균일로 얼룩이 발생하는 문제점이 있고, 60 중량%를 초과하는 경우에는 거품발생이 야기되며 이러한 거품이 기판내에 존재하게 되면 완전한 식각이 이루어지지 않아 후속공정에 문제를 야기할 수 있다.
(d)
함불소
화합물
본 발명의 식각액 조성물에 포함되는 함불소화합물은 물에 해리되어 플루오르 이온을 낼 수 있는 화합물을 의미한다. 상기 불소화합물은 티타늄, 티타늄 합금막에서 필연적으로 발생하는 잔사를 제거해 주는 역할을 한다.
상기 함불소화합물은 이 분야에서 사용되는 물질로서 용액 내에서 플루오르 이온 혹은 다원자 플루오르 이온으로 해리될 수 있는 것이라면 특별히 한정되지 않는다. 하지만, 상기 불소화합물은 불화암모늄(ammonium fluoride: NH4F), 불화나트륨(sodium fluoride: NaF), 불화칼륨(potassium fluoride: KF), 중불화암모늄(ammonium bifluoride: NH4F·HF), 중불화나트륨(sodium bifluoride: NaF·HF) 및 중불화칼륨(potassium bifluoride: KF·HF)으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 또는 2종 이상인 것이 바람직하다.
상기 함불소화합물은 조성물 총 중량에 대하여 0.01 내지 2.0 중량%로 포함되고, 바람직하게는 0.05 내지 1.0 중량%로 포함된다. 상술한 범위 미만으로 포함되면, 티타늄, 티타늄 합금막의 식각 속도가 느려져 식각 잔사가 발생될 수 있다. 상술한 범위를 초과하여 포함되면, 유리 기판 식각율이 커지는 문제가 있다.
(e) 황산계 화합물
본 발명의 식각액 조성물에 포함되는 황산계 화합물은 화합물의 작용기에 따라 pKa 값을 조절할 수 있으며 높은 pKa값을 가진 황산계 화합물의 경우 식각액 내의 불소이온 활동도를 저하시켜 금속막 하부의 유리 식각에 따른 문제점을 개선해 주는 역할을 한다. 이러한 역할을 위해, 본 발명의 황산계 화합물은 pKa -1 내지 5를 갖는 것 일 수 있다.
구체적으로, pKa -1내지 5를 갖는, 본 발명의 황산계 화합물은 다음의 구조식을 갖는 화합물일 수 있다.
<화학식 1>
2-나프탈렌 술폰산(2-Naphthalene sulfonic acid)
<화학식 2>
술팜산(Sulfamic acid)
<화학식 3>
설파닐산(Sulfanilic acid)
<화학식 4>
3-아미노벤젠술폰산(3-Aminobenzene sulfonic acid)
<화학식 5>
4-하이드록시 벤젠술폰산(4-Hydroxy benzenesulfonic acid)
황산계 화합물의 pKa가 -1 미만일 경우에는 유리식각율 저하의 효과가 없고, 5를 초과할 경우에는 식각액의 산도(acidity)를 저하시켜 금속막의 식각속도에 부정적 영향을 미칠 수 있다.
상기 황산계 화합물은 조성물 총 중량에 대하여, 0.01 내지 10.0중량%으로 포함되고, 바람직하게는 0.1 내지 5.0중량%로 포함된다. 상술한 범위 미만으로 포함되면, 유리 식각율의 저하 효과가 없고. 상술한 범위를 초과하여 포함되어도 추가 개선 효과는 없다.
(f) 물
본 발명의 구리 티타늄 합금막 식각액 조성물에 포함되는 물은 조성물 총 중량이 100 중량%가 되도록 잔량 포함된다. 이때 물의 양이 총 중량의 30중량% 이상이 될 경우 식각액의 산화력이 현저히 저하되어 식각불량을 야기 할 수 있다. 상기 물은 특별히 한정하지 않으나, 탈이온수를 이용하는 것이 바람직하다. 그리고, 상기 물은 물속에 이온이 제거된 정도를 보여주는 물의 비저항값이 18㏁·㎝ 이상인 탈이온수를 이용하는 것이 좋다.
본 발명에서 사용되는 인산, 질산, 초산, 함불소화합물, 황 화합물 및 물 등은 통상적으로 공지된 방법에 의해서 제조가 가능하며, 본 발명의 식각액 조성물은 반도체 공정용의 순도를 가지는 것이 바람직하다.
또한, 본 발명은
Ⅰ)기판 상에 구리계 금속막을 형성하는 단계;
Ⅱ)상기 구리계 금속막 상에 선택적으로 광반응 물질을 남기는 단계; 및
Ⅲ)본 발명의 식각액 조성물을 사용하여 상기 구리계 금속막을 식각하는 단계를 포함하는 구리계 금속막의 식각방법에 관한 것이다.
본 발명의 식각방법에서, 상기 광반응 물질은 통상적인 포토레지스트 물질인 것이 바람직하며, 통상적인 노광 및 현상 공정에 의해 선택적으로 남겨질 수 있다.
또한, 본 발명은
a)기판 상에 게이트 전극을 형성하는 단계;
b)상기 게이트 전극을 포함한 기판 상에 게이트 절연층을 형성하는 단계;
c)상기 게이트 절연층 상에 반도체층을 형성하는 단계;
d)상기 반도체층 상에 소스/드레인 전극을 형성하는 단계; 및
e)상기 드레인 전극에 연결된 화소전극을 형성하는 단계를 포함하는 액정표시장치용 어레이 기판의 제조방법에 있어서,
상기 a)단계는 기판 상에 구리계 금속막을 형성하고 상기 구리계 금속막을 본 발명의 식각액 조성물로 식각하여 게이트 배선을 형성하는 단계를 포함하며,
상기 d)단계는 반도체층 상에 구리계 금속막을 형성하고 상기 구리계 금속막을 본 발명의 식각액 조성물로 식각하여 소스 및 드레인 전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치용 어레이 기판의 제조방법에 관한 것이다.
상기 액정표시장치용 어레이 기판은 박막트랜지스터(TFT) 어레이 기판일 수 있다.
또한, 상기 액정 표시 장치용 어레이 기판은 박막트랜지스터(TFT) 어레이 기판일 수 있다.
또한, 본 발명은 상기 제조방법으로 제조된 액정 표시 장치용 어레이 기판에 관한 것이다.
상기 액정 표시 장치용 어레이 기판은 본 발명의 식각액 조성물을 사용하여 식각된 게이트 배선 및/또는 소스 및 드레인 전극을 포함할 수 있다.
이하에서, 실시예를 통하여 본 발명을 보다 상세히 설명한다. 그러나, 하기의 실시예는 본 발명을 더욱 구체적으로 설명하기 위한 것으로서, 본 발명의 범위가 하기의 실시예에 의하여 한정되는 것은 아니다. 하기의 실시예는 본 발명의 범위 내에서 당업자에 의해 적절히 수정, 변경될 수 있다.
<본 발명 조성물의 우수한 식각특성 확인>
실시예1
내지
실시예2
,
비교예1
내지
비교예9
:
식각액
조성물의 제조
하기 표 1에 나타낸 조성에 따라(단위 : 중량%) 실시예 및 비교예의 식각액 조성물 각각 180㎏을 제조하였다.
| (a) 인산 | (b) 질산 | (c) 초산 | (d) 함불소화합물 | (e) | (f) DI | ||
| 설파닐산(Sulfanilic acid) | 3-아미노벤젠술폰산(3-Amino benzene sulfonic acid) | ||||||
| 실시예 1 | 30 | 5 | 40 | 0.5 | 3 | - | 잔량 |
| 실시예 2 | 30 | 5 | 40 | 0.5 | - | 3 | 잔량 |
| 비교예 1 | 5 | 5 | 30 | 0.5 | 5 | - | 잔량 |
| 비교예 2 | 60 | 3 | 15 | 0.6 | 3 | - | 잔량 |
| 비교예 3 | 30 | 1 | 30 | 0.5 | - | 5 | 잔량 |
| 비교예 4 | 20 | 10 | 30 | 0.5 | - | 5 | 잔량 |
| 비교예 5 | 15 | 7 | 5 | 0.7 | 3 | - | 잔량 |
| 비교예 6 | 15 | 5 | 65 | 0.7 | 3 | - | 잔량 |
| 비교예 7 | 20 | 5 | 40 | 0.005 | 5 | - | 잔량 |
| 비교예 8 | 20 | 5 | 40 | 3 | 5 | - | 잔량 |
| 비교예 9 | 20 | 5 | 40 | 0.7 | 0.005 | - | 잔량 |
실험예
1.
식각액
조성물의 특성평가
유리기판(100mmⅩ100mm)상에 티타늄합금막을 증착시키고 상기막 상에 구리막을 증착시킨 뒤 포토리소그래피(photolithography) 공정을 통하여 기판 상에 소정의 패턴을 가진 포토레지스트가 형성되도록 한 후, 실시예 1 내지 2 및 비교예 1 내지 9의 조성물을 각각 사용하여 구리계 금속막에 대하여 식각공정을 실시하였다. 분사식 식각 방식의 실험장비(모델명 : ETCHER(TFT), SEMES사)를 이용하였고, 식각공정시 식각액 조성물의 온도는 약 40℃ 내외로 하였으나, 적정온도는 다른 공정조건과 기타 요인에 의해 필요에 따라 변경될 수 있다. 식각시간은 식각 온도에 따라서 다를 수 있으나, 통상 50~180초 정도로 진행하였다. 상기 식각공정에서 식각된 구리계 금속막의 프로파일을 단면 SEM(Hitachi사 제품, 모델명 S-4700)을 사용하여 검사하였고, 결과를 표 2에 기재하였다.
<식각 평가 기준>
Cu Etch Rate : O (200Å/sec ~ 300Å/sec) , △(200Å/sec 미만, 300Å/sec 초과), X (Unetch)
Ti Etch Rate : O (10Å/sec 이상) , △(10Å/sec 미만), X (Unetch)
Cu Etch 균일도 : O (우수), △(보통), X(불량)
유리식각속도 : O (10Å/sec 이하) , X (10Å/sec 초과)
구리막이 Unetch 될 경우 하부 Ti와 유리식각속도 및 균일도는 측정불가함.
 |
표 2에서 알수 있듯이 실시예1 내지 실시예2의 식각액 조성물은 구리막의 두께가 5000Å 이상인 후막에서 Profile 및 유리식각에 대한 문제점을 개선시킨 면에서 우수한 식각 특성을 나타내었다.
반면 비교예1 내지 비교예9 의 경우 Etch Profile 에서 식각 균일도가 불량하고 얼룩이 발생하였으며 유리식각에 의한 문제점 또한 발생 하였다.
< 황산계 화합물의 pKa에 따른, 식각액 조성물의 식각특성 확인>
실시예3
내지
실시예4
,
비교예10
내지
비교예14
:
식각액
조성물의 제조
하기 표 3에 나타낸 조성에 따라(단위 : 중량%) 실시예 및 비교예 의 식각액 조성물 각각 180㎏을 제조하였으며, 각 조성물의 pKa를 나타내었다.
 |
실험예
2.
식각액
조성물의 특성평가
상기 실험예 1과 동일한 방법으로, 실시예와 비교예의 식각 조성물의 특성을 평가하여 표 4에 나타내었다.
| Cu E/R | 유리식각속도 | |
| 실시예 3 | O | O |
| 실시예 4 | O | ◎ |
| 비교예 10 | O | X |
| 비교예 11 | O | X |
| 비교예 12 | O | X |
| 비교예 13 | △ | ◎ |
| 비교예 14 | △ | ◎ |
표 4에서 알수 있듯이 pKa범위가 -1~5인 황산계 화합물을 사용한 실시예3 내지 실시예4의 식각액 조성물은, 구리막의 두께가 5000Å 이상인 후막에서 Profile 및 유리식각에 대한 문제점을 개선시킨 면에서 우수한 식각 특성을 나타내었다.
반면 pKa -1~5 범위를 벗어나는 황산계 화합물을 사용한, 비교예11 내지 비교예14 의 경우 Etch Profile 에서 구리 에칭속도가 충분하지 않거나, 유리식각에 의한 문제점이 발생 하였다.
상기 실험결과를 통해, 본 발명의 식각액 조성물은 pKa범위가 -1~5인 황산계 화합물을 사용함에 따라, 우수한 식각 특성을 가짐을 확인할 수 있었다.
Claims (10)
- (a) 인산, (b) 질산, (c) 초산, (d) 함불소 화합물, (e) 황산계 화합물, 및 (f) 물을 포함하는 금속막 식각액 조성물로, 상기 (e) 황산계 화합물은 pKa값이 -1 내지 5인 것을 특징으로 하는 금속막 식각액 조성물.
- 청구항 1에 있어서,
(e) 황산계 화합물은 하기 화합물 중 하나 이상인 금속막 식각액 조성물:
<화학식 1>
2-나프탈렌 술폰산(2-Naphthalene sulfonic acid)
<화학식 2>
술팜산(Sulfamic acid)
<화학식 3>
설파닐산(Sulfanilic acid)
<화학식 4>
3-아미노벤젠술폰산(3-Aminobenzene sulfonic acid)
<화학식 5>
4-하이드록시 벤젠술폰산(4-Hydroxy benzenesulfonic acid).
- 청구항 1에 있어서,
(d) 함불소 화합물은 불화암모늄(ammonium fluoride: NH4F), 불화나트륨(sodium fluoride: NaF), 불화칼륨(potassium fluoride: KF), 중불화암모늄(ammonium bifluoride: NH4F·HF), 중불화나트륨(sodium bifluoride: NaF·HF) 및 중불화칼륨(potassium bifluoride: KF·HF) 중 하나 이상인 금속막 식각액 조성물.
- 청구항 1에 있어서, 상기 식각액 조성물 총 중량에 대하여,
(a) 인산 10 내지 50 중량%,
(b) 질산 3 내지 8 중량%,
(c) 초산 10 내지 60 중량%,
(d) 함불소 화합물 0.01 내지 2.0중량%,
(e) 황산계 화합물 0.01 내지 10.0중량%, 및
(f) 물 잔량을 포함하는 금속막 식각액 조성물.
- 청구항 1에 있어서, 상기 금속막은 구리 또는 구리 합금의 단일막; 또는 구리 티타늄막 및 구리 티타늄 합금막으로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나 이상의 막을 포함하는 다층막인 구리계 금속막인 것을 특징으로 하는 금속막 식각액 조성물.
- 청구항 1에 있어서, 상기 금속막은 두께가 5000Å 이상인 구리계 금속막인 것을 특징으로 하는 금속막 식각액 조성물.
- Ⅰ)기판 상에 구리계 금속막을 형성하는 단계;
Ⅱ)상기 구리계 금속막 상에 선택적으로 광반응 물질을 남기는 단계; 및
Ⅲ) 청구항 1 내지 6 중 어느 한 항의 금속막 식각액 조성물을 사용하여 상기 구리계 금속막을 식각하는 단계를 포함하는 구리계 금속막의 식각방법.
- a)기판 상에 게이트 전극을 형성하는 단계;
b)상기 게이트 전극을 포함한 기판 상에 게이트 절연층을 형성하는 단계;
c)상기 게이트 절연층 상에 반도체층을 형성하는 단계;
d)상기 반도체층 상에 소스/드레인 전극을 형성하는 단계; 및
e)상기 드레인 전극에 연결된 화소전극을 형성하는 단계를 포함하는 액정표시장치용 어레이 기판의 제조방법에 있어서,
상기 a)단계는 기판 상에 구리계 금속막을 형성하고 상기 구리계 금속막을 청구항 1 내지 6 중 어느 한 항의 금속막 식각액 조성물로 식각하여 게이트 배선을 형성하는 단계를 포함하며,
상기 d)단계는 반도체층 상에 구리계 금속막을 형성하고 상기 구리계 금속막을 상기 금속막 식각액 조성물로 식각하여 소스 및 드레인 전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치용 어레이 기판의 제조방법.
- 청구항 8에 있어서, 상기 액정표시장치용 어레이 기판은 박막 트랜지스터(TFT) 어레이 기판인 것을 특징으로 하는 액정표시장치용 어레이 기판의 제조방법.
- 청구항 8의 제조방법으로 제조된 액정표시장치용 어레이 기판.
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