KR20170030715A - Method of manufacturing semiconductor light emitting device - Google Patents

Method of manufacturing semiconductor light emitting device

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KR20170030715A
KR20170030715A KR1020150127848A KR20150127848A KR20170030715A KR 20170030715 A KR20170030715 A KR 20170030715A KR 1020150127848 A KR1020150127848 A KR 1020150127848A KR 20150127848 A KR20150127848 A KR 20150127848A KR 20170030715 A KR20170030715 A KR 20170030715A
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Abstract

Disclosed is a semiconductor light emitting element manufacturing method comprising the steps of: removing a first conductive part, a second conductive part, and a part of an insulation layer of the lower part of a substrate, wherein the substrate comprises the first conductive part, the second conductive part, and the insulation layer formed between the first conductive part and the second conductive part (S1); forming a pattern on the upper part of the substrate (S2); forming a first cavity and a second cavity by pressing the pattern side (S3); electrically connecting a semiconductor light emitting element chip to the pattern (S4); and electrically connecting a protection element to the second cavity (S5).

Description

반도체 발광소자를 제조하는 방법{METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE}BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to a method of manufacturing a semiconductor light-

본 개시(Disclosure)는 전체적으로 반도체 발광소자에 관한 것으로, 특히 기판을 눌러 캐비티를 형성하고, 간단한 제조방법으로 반도체 발광소자를 제조하는 방법에 관한 것이다.Disclosure relates generally to a semiconductor light emitting device, and more particularly, to a method of manufacturing a semiconductor light emitting device by a simple process by forming a cavity by pressing a substrate.

여기서는, 본 개시에 관한 배경기술이 제공되며, 이들이 반드시 공지기술을 의미하는 것은 아니다(This section provides background information related to the present disclosure which is not necessarily prior art).Herein, the background art relating to the present disclosure is provided, and these are not necessarily meant to be known arts.

도 1은 한국 공개특허공보 제 10-2011-0000830호에 개시된 반도체 발광소자의 일 예를 나타내는 도면이다. 도 1에서는 열 전달율이 높은 금속기판(30,32)을 사용하여 반도체 발광소자 칩(25)의 열을 전달하도록 한다. 세라믹 기판(34) 위에 전기가 흐르는 배선(24b)을 하여 반도체 발광소자 칩(25)과 연결한다. 세라믹 기판(34)은 소성을 해야하는 공정이 있고, 배선(24b)을 한 후 금속기판(30,32)과 세라믹 기판(34)을 접합해야 하므로 공정이 단순하지 않다. 1 is a view showing an example of a semiconductor light emitting device disclosed in Korean Patent Laid-Open No. 10-2011-0000830. 1, the heat of the semiconductor light emitting device chip 25 is transferred using the metal substrates 30 and 32 having high heat transfer rates. Wiring 24b through which electricity flows is formed on the ceramic substrate 34 and is connected to the semiconductor light emitting device chip 25. [ Since the ceramic substrate 34 has a step of firing, the process is not simple since the metal substrates 30 and 32 and the ceramic substrate 34 must be bonded after the wiring 24b is formed.

도 2는 한국 등록특허공보 제 10-0616692호에 개시된 반도체 발광소자의 일 예를 나타내는 도면이다. 금속기판(11)을 관통하여 절연층(10)이 형성되어 있고, 기판에 반도체 발광소자 칩(12)의 전극을 연결하였다. 절연층(10)은 금속기판(11)에 틈을 생성하고, 틈 내부에 절연재를 충전하여 형성할 수 있다. 틈에 충전하기 때문에 틈 안에서 기포가 생성되거나, 틈 내부에 절연재가 확실히 들어갔는지 확인할 수 없는 문제점이 있고, 상부 기판(13)을 따로 제작하여 설치해야한다.2 is a view showing an example of a semiconductor light emitting device disclosed in Korean Patent Publication No. 10-0616692. An insulating layer 10 is formed through the metal substrate 11 and electrodes of the semiconductor light emitting device chip 12 are connected to the substrate. The insulating layer 10 can be formed by forming a gap in the metal substrate 11 and filling the gap with an insulating material. There is a problem that bubbles are generated in the gap or whether the insulating material is surely inserted into the gap. Therefore, the upper substrate 13 must be separately manufactured and installed.

이에 대하여 '발명의 실시를 위한 구체적인 내용'의 후단에 기술한다.This will be described later in the Specification for Implementation of the Invention.

여기서는, 본 개시의 전체적인 요약(Summary)이 제공되며, 이것이 본 개시의 외연을 제한하는 것으로 이해되어서는 아니된다(This section provides a general summary of the disclosure and is not a comprehensive disclosure of its full scope or all of its features).SUMMARY OF THE INVENTION Herein, a general summary of the present disclosure is provided, which should not be construed as limiting the scope of the present disclosure. of its features).

본 개시에 따른 일 태양에 의하면(According to one aspect of the present disclosure), 반도체 발광소자를 제조하는 방법에 있어서, 제1 도전부, 제2 도전부 그리고 제1 도전부 및 제2 도전부 사이에 형성되는 절연층을 구비하는 기판에서, 기판 하부의 제1 도전부, 제2 도전부 및 절연층의 일부를 제거하는 단계(S1); 기판 상부에 패턴을 형성하는 단계(S2); 패턴측을 눌러 제1 캐비티와 제2 캐비티를 형성하는 단계(S3); 패턴에 반도체 발광소자 칩을 전기적으로 연결하는 단계(S4); 그리고, 제2 캐비티에 보호소자를 전기적으로 연결하는 단계(S5);를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자를 제조하는 방법이 제공된다.According to one aspect of the present disclosure, there is provided a method of manufacturing a semiconductor light emitting device, the method comprising: forming a first conductive portion, a second conductive portion, and a second conductive portion between the first conductive portion and the second conductive portion, (S1) of removing a portion of a first conductive portion, a second conductive portion, and an insulating layer under a substrate, in a substrate having an insulating layer to be formed; Forming a pattern on the substrate (S2); Forming a first cavity and a second cavity by pressing the pattern side (S3); Electrically connecting the semiconductor light emitting device chip to the pattern (S4); And a step (S5) of electrically connecting the protection element to the second cavity.

이에 대하여 '발명의 실시를 위한 구체적인 내용'의 후단에 기술한다.This will be described later in the Specification for Implementation of the Invention.

도 1은 한국 등록특허공보 제 10-14767710000호에 개시된 반도체 발광소자의 일 예를 나타내는 도면,
도 2는 한국 등록특허공보 제 10-0616692호에 개시된 반도체 발광소자의 일 예를 나타내는 도면,
도 3은 본 개시에 따른 반도체 발광소자를 제조하는 방법의 순서도,
도 4는 본 개시에 따른 반도체 발광소자를 제조하는 방법의 일 예를 나타내는 도면,
도 5는 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 일 예를 나타내는 도면,
도 6은 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 다른 예를 나타내는 도면,
도 7은 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 또 다른 예를 나타내는 도면,
도 8은 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 또 다른 예를 나타내는 도면,
도 9는 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 또 다른 예를 나타내는 도면,
도 10은 본 개시에 따른 패턴에 반도체 발광소자 칩을 전기적으로 연결한 반도체 발광소자의 사시도의 일 예,
도 11은 본 개시에 따른 패턴에 반도체 발광소자 칩을 전기적으로 연결한 반도체 발광소자의 사시도의 다른 예.1 is a view showing an example of a semiconductor light emitting device disclosed in Korean Patent Registration No. 10-14767710000,
2 is a view showing an example of a semiconductor light emitting device disclosed in Korean Patent Publication No. 10-0616692,
3 is a flowchart of a method of manufacturing a semiconductor light emitting device according to the present disclosure,
4 is a view showing an example of a method of manufacturing a semiconductor light emitting device according to the present disclosure,
5 is a view showing an example of a semiconductor light emitting device according to the present disclosure,
6 is a view showing another example of the semiconductor light emitting device according to the present disclosure,
7 is a view showing still another example of the semiconductor light emitting device according to the present disclosure,
8 is a view showing still another example of the semiconductor light emitting device according to the present disclosure,
9 is a view showing still another example of the semiconductor light emitting device according to the present disclosure,
10 is a perspective view of a semiconductor light emitting device in which a semiconductor light emitting device chip is electrically connected to a pattern according to the present disclosure,
11 is another perspective view of a semiconductor light emitting device in which a semiconductor light emitting device chip is electrically connected to a pattern according to the present disclosure.

이하, 본 개시를 첨부된 도면을 참고로 하여 자세하게 설명한다(The present disclosure will now be described in detail with reference to the accompanying drawing(s)). The present disclosure will now be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 3은 본 개시에 따른 반도체 발광소자를 제조하는 방법의 순서도이다.3 is a flowchart of a method of manufacturing a semiconductor light emitting device according to the present disclosure.

반도체 발광소자의 제조 방법에서, 먼저, 제1 도전부, 제2 도전부 그리고 제1 도전부 및 제2 도전부 사이에 형성되는 절연층을 구비하는 기판에서, 기판 하부의 제1 도전부, 제2 도전부 및 절연층의 일부를 제거한 기판을 준비한다(S1). 이후, 기판 상부에 패턴을 형성한다(S2). 다음으로, 패턴측을 눌러 제1 캐비티와 제2 캐비티를 형성한다(S3). 패턴에 반도체 발광소자 칩을 전기적으로 연결하여(S4) 반도체 발광소자를 제조한다. 그리고, 제2 캐비티에 보호소자를 전기적으로 연결한다.(S5)In a method of manufacturing a semiconductor light emitting device, first, a substrate having a first conductive portion, a second conductive portion, and an insulating layer formed between the first conductive portion and the second conductive portion, 2 A substrate on which a conductive part and a part of an insulating layer are removed is prepared (S1). Thereafter, a pattern is formed on the substrate (S2). Next, the first cavity and the second cavity are formed by pressing the pattern side (S3). The semiconductor light emitting device chip is electrically connected to the pattern (S4) to manufacture the semiconductor light emitting device. Then, the protective device is electrically connected to the second cavity (S5)

도 4는 본 개시에 따른 반도체 발광소자를 제조하는 방법의 일 예를 나타내는 도면이다.4 is a view showing an example of a method of manufacturing the semiconductor light emitting device according to the present disclosure.

도 4a와 같은 기판(100) 하부의 일부가 제거된 기판(100)을 준비한다. 기판(100)은 제1 도전부(101), 제2 도전부(102) 및 절연층(110)을 포함한다. 4A, a substrate 100 on which a part of the lower part of the substrate 100 is removed is prepared. The substrate 100 includes a first conductive portion 101, a second conductive portion 102, and an insulating layer 110.

도 4b와 같이 패턴(300)을 기판(100) 상부에 형성한다. 패턴(300)은 마스크를 이용하여 형성될 수 있다. 마스크를 이용하여 패턴(300)을 증착하고, 마스크는 제거될 수 있다. 또한, 전극 부분만 패턴(300)을 형성하고, 도금하여 형성할 수 있다. The pattern 300 is formed on the substrate 100 as shown in FIG. 4B. The pattern 300 may be formed using a mask. The pattern 300 is deposited using a mask, and the mask can be removed. In addition, the pattern 300 can be formed by plating only the electrode portion.

도 4a와 도 4b의 순서는 바뀔 수 있다.The order of FIGS. 4A and 4B can be changed.

이후, 도 4c와 같이 패턴(300)측을 눌러 제1 캐비티(301)와 제2 캐비티(302)를 형성한다. 기판(100) 상부에 형성된 패턴(300)측을 눌러 제1 캐비티(301)와 제2 캐비티(302)를 형성할 수 있다. 예를 들면, 프레스(900)를 이용하여 제1 캐비티(301)와 제2 캐비티(302)를 형성할 수 있다. 또한, 기계 가공을 이용하여 기판(100)의 일부를 제거하여, 제1 캐비티(301)와 제2 캐비티(302)를 형성할 수 있다.4C, the first cavity 301 and the second cavity 302 are formed by pressing the pattern 300 side. The first cavity 301 and the second cavity 302 can be formed by pressing the side of the pattern 300 formed on the substrate 100. For example, the first cavity (301) and the second cavity (302) can be formed by using the press (900). In addition, a part of the substrate 100 may be removed by machining to form the first cavity 301 and the second cavity 302. [

이후, 도 4d와 같이 제1 캐비티(301) 내에 반도체 발광소자 칩(200)을 실장한다. 반도체 발광소자 칩(200)은 레터럴칩, 버티컬칩, 플립칩을 사용할 수 있다. 또한, 반도체 발광소자 칩(200)은 자외선, 적외선, 가시광선 등을 발광할 수 있다. Then, as shown in FIG. 4D, the semiconductor light emitting device 200 is mounted in the first cavity 301. The semiconductor light emitting device chip 200 may use a letter chip, a vertical chip, or a flip chip. Further, the semiconductor light emitting device chip 200 may emit ultraviolet rays, infrared rays, visible rays, or the like.

또한, 제2 캐비티(302) 내에 보호소자(500)를 실장 할 수 있다.In addition, the protection element 500 can be mounted in the second cavity 302.

패턴(300)에 반도체 발광소자 칩(200)을 전기적으로 연결하는 단계(S4) 그리고, 제2 캐비티(302)에 보호소자(500)를 전기적으로 연결하는 단계(S5)의 단계는 서로 바꿀 수 있다. 그 후, 제2 캐비티를 봉지재로 봉지할 수 있다.The step S4 of electrically connecting the semiconductor light emitting device chip 200 to the pattern 300 and the step S5 of electrically connecting the protection device 500 to the second cavity 302 may be replaced with each other have. Thereafter, the second cavity can be sealed with an encapsulating material.

제조 방법의 순서가 변경되어도 발명의 특징이 변하지 않는 내에서 당업자가 변경할 수 있다.Even if the order of the manufacturing method is changed, those skilled in the art can change it without changing the characteristics of the invention.

도 5는 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 일 예를 나타내는 도면이다. 반도체 발광소자는 기판(100), 패턴(300), 제1 캐비티(301), 제2 캐비티(302) 및 반도체 발광소자 칩(200)을 포함한다. 기판(100)은 제1 도전부(101), 제2 도전부(102), 제1 도전부(101)와 제2 도전부(102) 사이에 있는 절연층(110)을 포함한다. 제1 도전부(101)와 제2 도전부(102)는 서로 닿지 않도록 하고, 전기가 통하는 재료로 형성한다. 바람직하게는 금속으로 형성될 수 있다. 제1 도전부(101)와 제2 도전부(102)는 같은 재료로 형성될 수 있으며, 각자 다른 재료로 형성될 수도 있다. 예를 들면, 제1 도전부(101)와 제2 도전부(102)의 재료는 알루미늄(AL)으로 형성될 수 있다. 절연층(110)은 제1 도전부(101)와 제2 도전부(102) 사이에 형성되며, 제1 도전부(101)와 제2 도전부(102)가 전기적으로 통하지 않도록 절연한다. 절연층(110)의 두께(l)는 50um~300um 정도로 형성될 수 있다. 예를 들어, 절연층(110)은 에폭시 계열로 형성될 수 있다. 또한, 필요에 따라서 에폭시에 세라믹 파우더가 포함될 수 있다.5 is a view showing an example of a semiconductor light emitting device according to the present disclosure. The semiconductor light emitting device includes a substrate 100, a pattern 300, a first cavity 301, a second cavity 302, and a semiconductor light emitting device chip 200. The substrate 100 includes a first conductive portion 101, a second conductive portion 102, and an insulating layer 110 between the first conductive portion 101 and the second conductive portion 102. The first conductive portion 101 and the second conductive portion 102 are formed of a material that does not touch each other and is electrically conductive. Preferably a metal. The first conductive portion 101 and the second conductive portion 102 may be formed of the same material or may be formed of different materials. For example, the material of the first conductive portion 101 and the second conductive portion 102 may be formed of aluminum (AL). The insulating layer 110 is formed between the first conductive portion 101 and the second conductive portion 102 and insulates the first conductive portion 101 from the second conductive portion 102 so as not to electrically communicate with each other. The thickness (1) of the insulating layer 110 may be about 50 .mu.m to about 300 .mu.m. For example, the insulating layer 110 may be formed of an epoxy series. In addition, ceramic powder may be included in the epoxy if necessary.

패턴(300)은 은으로 형성될 수 있다. 제1 캐비티(301)는 기판(100) 상부에 형성된다. 제1 캐비티(301) 내에 반도체 발광소자 칩(200)이 실장되며, 옆으로 퍼지는 빛을 모아줄 수 있다. 제1 캐비티(301) 내부에 패턴(300)이 형성될 수 있다. 기판(100)을 눌러 제1 캐비티(301)를 형성할 때, 패턴(300)이 있는 기판(100) 상부를 눌러 형성하기 때문이다. 패턴(300)은 은으로 형성될 수 있다. The pattern 300 may be formed of silver. A first cavity (301) is formed on the substrate (100). The semiconductor light emitting device chip 200 may be mounted in the first cavity 301 to collect light emitted sideways. A pattern 300 may be formed in the first cavity 301. This is because when the first cavity 301 is formed by pressing the substrate 100, the upper portion of the substrate 100 on which the pattern 300 is formed is pressed. The pattern 300 may be formed of silver.

제2 캐비티(302) 내에는 보호소자(500)가 실장되며, 보호소자(500)는 반도체 발광소자 칩(200)의 정전기 방지를 위해 실장된다. 또한, 보호소자(500)는 정전기 또는 역방향 전기로부터 반도체 발광소자 칩(200)을 보호하기 위한 것으로, 반도체 발광소자 칩(200)과 역방향으로 병렬연결되어 있다. 보호소자(200)로서, 주로 제너다이오드가 이용되지만, pn 다이오드, TSV 또는 capacitor 등을 이용하는 것도 가능하다. A protection element 500 is mounted in the second cavity 302 and the protection element 500 is mounted to prevent static electricity of the semiconductor light emitting element 200. The protection element 500 protects the semiconductor light emitting device chip 200 from static electricity or reverse electricity and is connected in parallel to the semiconductor light emitting device chip 200 in the opposite direction. As the protection element 200, a zener diode is mainly used, but it is also possible to use a pn diode, a TSV, a capacitor, or the like.

도 6은 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 다른 예를 나타내는 도면이다. 도 5에서 형성된 반도체 발광소자에는 봉지재(310)가 형성될 수 있다. 패턴(300)에 반도체 발광소자 칩(200)을 전기적으로 연결하는 단계(도 3:S4) 후에 제1 캐비티(도 5:301)를 봉지재(310)로 봉지할 수 있다. 봉지재(310)에 파장변환재를 섞어 반도체 발광소자 칩(200)에서 나오는 빛의 색을 바꾸거나 파장을 바꿀 수 있다. 봉지재(310)는 반도체 발광소자 칩(200)을 외부의 습기, 먼지 등으로부터 보호할 수 있다. 또한, 반도체 발광소자가 자외선을 발광할 때에는, 바람직하게는, 봉지재(310)는 사용하지 않고, 제1 캐비티(301)를 유리로 밀봉할 수 있다. 또한,보호소자(200)는 와이어 본딩칩 및 플립칩으로 형성될 수 있다.6 is a view showing another example of the semiconductor light emitting device according to the present disclosure. An encapsulant 310 may be formed on the semiconductor light emitting device formed in FIG. The first cavity (FIG. 5: 301) may be sealed with the sealing material 310 after electrically connecting the semiconductor light emitting device chip 200 to the pattern 300 (FIG. 3: S4). The encapsulating material 310 may be mixed with a wavelength converting material to change the color of the light emitted from the semiconductor light emitting device chip 200 or to change the wavelength. The sealing material 310 can protect the semiconductor light emitting device chip 200 from external moisture, dust, and the like. Further, when the semiconductor light emitting element emits ultraviolet light, the first cavity 301 can be sealed with glass, preferably without using the sealing material 310. Further, the protection element 200 may be formed of a wire bonding chip and a flip chip.

도 7은 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 또 다른 예를 나타내는 도면이다.도 7은 제1 캐비티(301) 내에 봉지재가 형성되어 있고, 봉지재 위에 반사방지막(320)이 형성된 예이다. 반도체 발광소자 칩(200)에서 발광된 빛이 봉지재(310)를 통해 제1 캐비티(301)의 외부로 나갈 때, 봉지재(310)와 외부의 경계에서 빛의 일부는 내부로 반사될 수 있다. 빛이 내부로 반사되는 만큼 외부로 나가는 빛의 세기가 줄어들고, 내부에 열이 발생한다. 이를 방지하기 위해, 봉지재(310) 위에 반사방지막(320)을 구비할 수 있다. 반사방지막(320)에는 많은 돌기나 굴절율이 다른 층으로 이루어져 공기와 봉지재(310)의 경계에서 반사 없이 빛이 통과할 수 있다. 또한, 봉지재(310) 없이 반사방지막(320)을 사용하여 제1 캐비티(301)를 밀봉 할 수 있다. 또한, 제1 캐비티(301)는 봉지재(310) 없이 유리로 밀봉된 후 유리에 반사방지막(320)을 형성할 수 있다 . 예를 들면, 반사방지막(320)은 AR 처리(Anti Reflection)나 AG처리(Anti-Glare) 한 필름을 사용할 수 있다. 패턴(300)에 반도체 발광소자 칩(200)을 전기적으로 연결 한(도 3:S4) 후에 제1 캐비티(301)에 봉지재(310)를 봉지하고, 봉지재(310) 위에 반사방지막(320)을 구비하는 반도체 발광소자를 제조할 수 있다. 또한 절연층(110)은 그림과 같이 바닥면(150)에 수직 하지않고, 비스듬하게 형성될 수 있다. 또한, 반도체 발광소자가 자외선을 발광할 때에는, 바람직하게는, 제1 캐비티는 봉지재(310) 없이 유리로 밀봉된 후 유리 위에 반사방지막(320)을 형성할 수 있다.7 is a view showing another example of the semiconductor light emitting device according to the present disclosure. FIG. 7 is an example in which an encapsulating material is formed in the first cavity 301 and an antireflection film 320 is formed on the encapsulating material. When light emitted from the semiconductor light emitting device chip 200 goes out of the first cavity 301 through the sealing material 310, a part of the light at the boundary between the sealing material 310 and the outside may be reflected to the inside have. As the light is reflected inside, the intensity of light going out is reduced, and heat is generated inside. In order to prevent this, an anti-reflection film 320 may be provided on the sealing material 310. The antireflection film 320 may have many protrusions or different refractive index layers, and light may pass through the boundary between the air and the encapsulant 310 without reflection. Also, the first cavity 301 can be sealed by using the anti-reflection film 320 without the sealing material 310. In addition, the first cavity 301 may be sealed with glass without the sealing material 310, and then the antireflection film 320 may be formed on the glass . For example, the antireflection film 320 may be an antireflection film or an anti-glare film. The sealing material 310 is sealed in the first cavity 301 after the semiconductor light emitting device chip 200 is electrically connected to the pattern 300 (Fig. 3: S4), and the antireflection film 320 ) Can be manufactured. The insulating layer 110 may be formed obliquely rather than perpendicular to the bottom surface 150 as shown in FIG. When the semiconductor light emitting device emits ultraviolet light, it is preferable that the first cavity is sealed with glass without the sealing material 310, and then the antireflection film 320 is formed on the glass.

제2 캐비티(302)에 실장된 보호소자(500)는 봉지재(340)로 봉지 될 수 있다. 제2 캐비티(302)에 사용된 봉지재(340)는 제1 캐비티(301)에 사용된 봉지재(310)를 함께 사용할 수 있지만, 서로 다른 재료를 사용할 수 있다.The protection element 500 mounted on the second cavity 302 can be sealed with the sealing material 340. The encapsulant 340 used in the second cavity 302 can be used together with the encapsulant 310 used in the first cavity 301, but different materials can be used.

도 8은 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 또 다른 예를 나타내는 도면이다. 도 8과 같이 제1 캐비티(301)는 반사층(330)을 포함한다. 반사층(330)은 제1 캐비티(301)에 형성된다. 반사층(330)은 반도체 발광소자 칩(200)에서 나오는 빛 중 제1 캐비티(301) 내부로 향하는 빛을 반사한다. 반사층(330)은 빛의 파장에 따라 반사율이 다르고, 빛의 파장에 따라 다른 재료를 사용할 수 있다. 예를 들면, 반사층(330)은 절연반사층으로 형성될 수 있다. 반도체 발광소자를 제조할 때, 기판(100) 상부에 패턴(300)을 형성(도 4:S2) 한 후, 패턴(300) 주위에 절연반사층을 형성할 수 있다. 8 is a view showing still another example of the semiconductor light emitting device according to the present disclosure. As shown in FIG. 8, the first cavity 301 includes a reflection layer 330. The reflective layer 330 is formed in the first cavity 301. The reflective layer 330 reflects light that is emitted from the semiconductor light emitting device chip 200 and directed toward the inside of the first cavity 301. The reflective layer 330 may have different reflectance depending on the wavelength of light and may use other materials depending on the wavelength of the light. For example, the reflective layer 330 may be formed of an insulating reflective layer. An insulating reflection layer may be formed around the pattern 300 after the pattern 300 is formed on the substrate 100 (FIG. 4: S2) when the semiconductor light emitting device is manufactured.

제1 도전부(101)와 제2 도전부(102)가 알루미늄(AL)으로 형성되면, 알루미늄(AL)은 자외선 반사율이 높기 때문에, 제1 도전부와 제2 도전부가 반사층이 될 수 있다. 하지만 적외선이나 가시광선을 발광하는 반도체 발광소자 칩(200)은 적절한 반사층(330)을 사용할 수 있다.When the first conductive portion 101 and the second conductive portion 102 are formed of aluminum (AL), the aluminum (AL) has a high ultraviolet reflectivity, and thus the first conductive portion and the second conductive portion can be a reflective layer. However, a suitable reflective layer 330 may be used for the semiconductor light emitting device chip 200 that emits infrared rays or visible rays.

절연층(110)은 두께가 일정하지 않게 형성될 수 있다. 절연층(110)의 두께는 반도체 발광소자 칩(200)의 종류에 따라서 달라질 수 있다. 플립칩을 실장할 때, 절연층(110)의 두께는 150um~250um로 형성될 수 있다. 레터럴칩과 버티컬칩을 실장할 때는 와이어로 연결할 수 있기 때문에 절연층(110)의 두께는 상관없다. 하지만, 절연층(110)이 300um이상이 되면 열저항이 높아지고, 절연층(110)이 50um이하가 되면 쇼트가 발생할 수 있다. 바람직하게 절연층(110)의 두께는 50um~300um로 형성될 수 있다. 도 8에서 l1과 l2는 50um~300um로 형성될 수 있다. The insulating layer 110 may be formed to have a constant thickness. The thickness of the insulating layer 110 may vary depending on the type of the semiconductor light emitting device 200. When the flip chip is mounted, the thickness of the insulating layer 110 may be formed to be 150um to 250um. The thickness of the insulating layer 110 does not matter because a wire can be used to mount a letter chip and a vertical chip. However, when the insulating layer 110 is 300 m or more, thermal resistance is increased, and when the insulating layer 110 is 50 m or less, a short circuit may occur. Preferably, the thickness of the insulating layer 110 may be in the range of 50 [mu] m to 300 [mu] m. In FIG. 8, l1 and l2 can be formed to be 50 .mu.m to 300 .mu.m.

도 9는 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 또 다른 예를 나타내는 도면이다. 일반적으로 반도체 발광소자를 외부에 연결할 때, 솔더를 반도체 발광소자에 형성한다. 이때, 솔더와 솔더가 닿으면 쇼트가 될 수 있기 때문에, 솔더와 솔더 사이에 솔더레지스터를 사용하여 쇼트를 방지할 수 있다. 알루미늄(AL)으로 형성된 제1 도전부(101)와 제2 도전부(102)를 가질 때, 알루미늄(AL)은 솔더와 접촉력이 좋지 않아서 솔더를 알루미늄(AL)에 형성할 수 없다. 접착력을 높이기 위해서 제1 도전부(101) 하부와 제2 도전부(102) 하부에 전극층(400)을 형성한다. 이때, 전극층(400) 사이의 거리(l3)는 400um 이상 떨어져야 한다. 9 is a view showing still another example of the semiconductor light emitting device according to the present disclosure. Generally, when the semiconductor light emitting element is connected to the outside, the solder is formed in the semiconductor light emitting element. At this time, when the solder and the solder contact with each other, the solder resistor can be used between the solder and the solder to prevent the short. When the first conductive portion 101 and the second conductive portion 102 are formed of aluminum (AL), the aluminum (AL) has poor contact with the solder, and the solder can not be formed in the aluminum (AL). An electrode layer 400 is formed under the first conductive portion 101 and under the second conductive portion 102 in order to increase the adhesive strength. At this time, the distance (l3) between the electrode layers 400 should be 400um or more.

제1 도전부(101) 하부와 제2 도전부(102) 하부에 형성되는 전극층(400)은 마스크를 이용하여 형성될 수 있다. 또한, 전극층(400)은 증착되어 형성될 수 있다. 전극층(400)의 재료는 은으로 형성될 수 있다.The electrode layer 400 formed under the first conductive portion 101 and under the second conductive portion 102 may be formed using a mask. Also, the electrode layer 400 may be formed by vapor deposition. The material of the electrode layer 400 may be formed of silver.

도 9는 제2 캐비티(302)가 형성된 반도체 발광소자이다. 제2 캐비티(302)는 제1 캐비티(301)가 형성되는 단계에서 함께 형성될 수 있다. 프레스(도 4: 900)로 기판(101,102,110)을 누를 때, 바닥까지 누르지 않고 제2 캐비티(302)의 높이를 남겨두고 눌러, 제1캐비티(301)와 제2 캐비티(302)를 동시에 형성할 수 있다. 또한, 제2 캐비티(302) 높이의 돌출부를 가진 판을 기판(101,102,110) 아래에 두고, 프레스(도 4:900)로 기판(101,102,110)을 눌러 제1 캐비티(301)와 제2 캐비티(302)를 형성할 수 있다. 제2 캐비티(302)를 형성함으로써 전극층(400)이 형성되는 제1 도전부(101) 하부와 제2 도전부(102) 하부의 거리(l3)가 충분히 멀어질 수 있다. .9 is a semiconductor light emitting element in which the second cavity 302 is formed. The second cavity 302 may be formed together in the step of forming the first cavity 301. The first cavity 301 and the second cavity 302 are simultaneously formed by pressing the substrate 101, 102, 110 with the press (FIG. 4: 900) . The first cavity 301 and the second cavity 302 are formed by pressing the substrates 101, 102 and 110 with a press (Fig. 4: 900) with the plate having the protrusions of the height of the second cavity 302 under the substrates 101, 102, Can be formed. The distance l3 between the lower portion of the first conductive portion 101 and the lower portion of the second conductive portion 102 where the electrode layer 400 is formed can be sufficiently distanced by forming the second cavity 302. [ .

기판(100) 하부의 제1 도전부(101), 제2 도전부(102), 그리고 제1 도전부(101)와 제2 도전부(102) 사이의 절연층(110) 일부가 제거된 부분을 오목부(도 4:800)라고 할 때, 패턴(390)은 오목부(도 4:800) 내에 형성될 수 있다. 또한, 오목부(도 4:800) 내에 형성되는 패턴(390)은 기판 상부에 패턴(300)을 형성하는 단계(도 4:S2)에서 형성될 수 있다.A portion of the insulating layer 110 between the first conductive portion 101 and the second conductive portion 102 is removed from the first conductive portion 101 and the second conductive portion 102 under the substrate 100, (Fig. 4: 800), the pattern 390 may be formed in the concave portion (Fig. 4 (800)). Further, the pattern 390 formed in the concave portion (Fig. 4: 800) may be formed in the step of forming the pattern 300 on the substrate (Fig. 4: S2).

패턴(300)에 반도체 발광소자 칩(200)을 전기적으로 연결한(S4) 이후, 제1 도전부(101) 하부와 제2 도전부(102) 하부에 전극층(400)을 형성하고, 전극층(400) 사이의 거리(l3)가 400um이상이 되도록 한다. The electrode layer 400 is formed under the first conductive portion 101 and the second conductive portion 102 after the semiconductor light emitting device chip 200 is electrically connected to the pattern 300 at step S4, 400 is greater than or equal to 400 [mu] m.

도 10은 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 사시도의 일 예를 나타내는 도면이다. 10 is a view showing an example of a perspective view of a semiconductor light emitting device according to the present disclosure.

본 예는 제1 캐비티(301)를 절연층(110)을 따라 길게 형성된 예이다. 제1 캐비티(301)에 다수의 반도체 발광소자 칩(200)이 구비되어, 바(bar) 형태의 반도체 발광소자가 제조될 수 있다. 이때, A-A'방향으로 잘라내어 바(bar) 형태의 반도체 발광소자로 사용될 수 있다. 또한 제1 캐비티(301)에 다수의 반도체 발광소자 칩(302)이 구비되고, A-A'방향과 반도체 발광소자 칩 사이를 B-B' 방향으로 잘라서 반도체 발광소자를 제조할 수 있다.The present example is an example in which the first cavity 301 is elongated along the insulating layer 110. A plurality of semiconductor light emitting device chips 200 may be provided in the first cavity 301 to form a bar-shaped semiconductor light emitting device. At this time, it can be used as a bar-shaped semiconductor light emitting device by cutting in the direction of A-A '. A plurality of semiconductor light emitting device chips 302 may be provided in the first cavity 301 and the semiconductor light emitting device may be manufactured by cutting the semiconductor light emitting device chip between the A-A 'direction and the semiconductor light emitting device chip in the B-B' direction.

제2 캐비티(302)는 기판(100)의 절연층(110)을 따라 길게 형성될 수 있고, 제2 캐비티(302) 내에 보호소자(500)가 실장될 수 있다.The second cavity 302 may be elongated along the insulation layer 110 of the substrate 100 and the protection device 500 may be mounted in the second cavity 302.

도 11은 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 사시도의 다른 예를 나타내는 도면이다. 11 is a view showing another example of a perspective view of a semiconductor light emitting device according to the present disclosure.

기판(100)의 제1 캐비티(301)는 기판(100)의 절연층(110)을 따라 형성되며, 기판(100) 내에 다수의 제1 캐비티(301)가 형성된다. 도 13a에는 제1 캐비티(301)와 제2 캐비티(302)가 형성될 수 있다. 도 13a와 같은 캡슐모양의 제1 캐비티(301)가 형성될 수 있으며, 도 13b와 같은 원형 제1 캐비티(301)가 형성될 수 있다. 제1 캐비티(301)와 제2 캐비티(302)의 모양은 다양하게 형성될 수 있다.A first cavity 301 of the substrate 100 is formed along an insulating layer 110 of the substrate 100 and a plurality of first cavities 301 are formed in the substrate 100. 13A, a first cavity 301 and a second cavity 302 may be formed. A first cavity 301 in the form of a capsule as shown in FIG. 13A may be formed, and a circular first cavity 301 as shown in FIG. 13B may be formed. The shapes of the first cavity 301 and the second cavity 302 may be variously formed.

제2 캐비티(302)는 도 11a와 도 11b에서도 형성되는데, 제1 캐비티(301)의 하부에 형성된다.The second cavity 302 is also formed in FIGS. 11A and 11B, and is formed under the first cavity 301.

이하 본 개시의 다양한 실시 형태에 대하여 설명한다.Various embodiments of the present disclosure will be described below.

(1) 반도체 발광소자를 제조하는 방법에 있어서, 제1 도전부, 제2 도전부 그리고 제1 도전부 및 제2 도전부 사이에 형성되는 절연층을 구비하는 기판에서, 기판 하부의 제1 도전부, 제2 도전부 및 절연층의 일부를 제거하는 단계(S1) 기판 상부에 패턴을 형성하는 단계(S2) 패턴측을 눌러 제1 캐비티와 제2 캐비티를 형성하는 단계(S3) 패턴에 반도체 발광소자 칩을 전기적으로 연결하는 단계(S4) 그리고,제2 캐비티에 보호소자를 전기적으로 연결하는 단계(S5)를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자를 제조하는 방법.(1) A method of manufacturing a semiconductor light emitting device, comprising: a first conductive portion, a second conductive portion, and an insulating layer formed between the first conductive portion and the second conductive portion, (S1) forming a pattern on the substrate (S2); pressing the pattern side to form a first cavity (S3); forming a second cavity (S4) electrically connecting the light emitting device chip to the first cavity, and electrically connecting the protection device to the second cavity (S5).

(2) 패턴에 반도체 발광소자 칩을 전기적으로 연결하는 단계(S4) 후에 봉지재로 제1 캐비티를 봉지하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자를 제조하는 방법.(2) a step of electrically connecting the semiconductor light emitting device chip to the pattern (S4), and then sealing the first cavity with an encapsulating material.

(3) 제2 캐비티에 보호소자를 전기적으로 연결하는 단계(S5) 후에 봉지재로 제2 캐비티를 봉지하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자를 제조하는 방법.(3) A method for manufacturing a semiconductor light emitting device, comprising: sealing a second cavity with an encapsulating material after a step (S5) of electrically connecting a protective element to a second cavity.

(4) 반도체 발광소자 칩은 자외선을 발광하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.(4) A semiconductor light emitting device, wherein the semiconductor light emitting device chip emits ultraviolet light.

(5) 제1 도전부와 제 2도전부는 알루미늄으로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.(5) The semiconductor light emitting device according to (5), wherein the first conductive portion and the second conductive portion are formed of aluminum.

(6) 기판 상부에 패턴을 형성하는 단계(S2) 후에 제1 캐비티 내에 절연반사층이 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.(6) An insulating reflection layer is formed in the first cavity after the step (S2) of forming a pattern on the substrate.

(7) 절연층의 두께는 50um~300um 사이인 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.(7) The semiconductor light emitting device according to any one of (1) to (3), wherein the thickness of the insulating layer is between 50 μm and 300 μm.

(8) 보호소자는 반도체 발광소자 칩과 역방향 병렬연결되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.(8) The semiconductor light emitting device according to (8), wherein the protection element is connected in parallel to the semiconductor light emitting element chip in the reverse direction.

(9) 보호소자는 제너다이오드 인 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.(9) The semiconductor light emitting device according to (9), wherein the protection element is a Zener diode.

(10) 기판 상부에 패턴을 형성하는 단계(S2)에서 기판 하부에도 패턴이 형성되며, 패턴측을 눌러 제1 캐비티와 제2 캐비티를 형성하는 단계(S3)에서 제2 캐비티 내에 패턴이 구비되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자를 제조하는 방법.(10) A pattern is formed in the lower part of the substrate in the step (S2) of forming a pattern on the substrate. In step (S3) of pressing the pattern side to form the first cavity and the second cavity, Wherein the semiconductor light emitting device is a semiconductor light emitting device.

(11) 패턴은 은으로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자를 제조하는 방법.(11) The method of manufacturing a semiconductor light emitting device according to claim 1, wherein the pattern is formed of silver.

본 개시에 의하면, 열 방출이 쉽고, 상부기판 없이 간단한 제조공정을 통해 제조할 수 있는 반도체 발광소자를 제조하는 방법을 제공한다.According to the present disclosure, there is provided a method of manufacturing a semiconductor light emitting device that is easy to dissipate heat and can be manufactured through a simple manufacturing process without an upper substrate.

또한 본 개시에 의하면, 반도체 발광소자를 보호하는 보호소자를 구비하는 반도체 발광소자를 제조하는 방법을 제공한다.According to the present disclosure, there is also provided a method of manufacturing a semiconductor light emitting device having a protection element for protecting a semiconductor light emitting element.

또한 본 개시에 의하면, 기판에 패턴을 형성하여 반도체 발광소자 칩의 접촉력이 향상되도록 반도체 발광소자를 제조하는 방법을 제공한다.According to the present disclosure, there is also provided a method of manufacturing a semiconductor light emitting device so as to improve the contact force of a semiconductor light emitting device chip by forming a pattern on a substrate.

또한 본 개시에 의하면, 반도체 발광소자와 회로기판을 연결하기 위해 솔더를 형성할 때, 솔더가 쇼트되지 않도록 전극층 사이의 거리를 400um이상으로 형성하여 반도체 발광소자를 제조하는 방법을 제공한다.According to the present invention, there is provided a method of manufacturing a semiconductor light emitting device by forming a distance between electrode layers of 400 m or more so as to prevent solder from shorting when forming a solder for connecting a semiconductor light emitting device and a circuit board.

Claims (11)

반도체 발광소자를 제조하는 방법에 있어서,
제1 도전부, 제2 도전부 그리고 제1 도전부 및 제2 도전부 사이에 형성되는 절연층을 구비하는 기판에서, 기판 하부의 제1 도전부, 제2 도전부 및 절연층의 일부를 제거하는 단계(S1);
기판 상부에 패턴을 형성하는 단계(S2);
패턴측을 눌러 제1 캐비티와 제2 캐비티를 형성하는 단계(S3);
패턴에 반도체 발광소자 칩을 전기적으로 연결하는 단계(S4); 그리고,
제2 캐비티에 보호소자를 전기적으로 연결하는 단계(S5);를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자를 제조하는 방법.A method of manufacturing a semiconductor light emitting device,
In the substrate having the first conductive portion, the second conductive portion, and the insulating layer formed between the first conductive portion and the second conductive portion, a part of the first conductive portion, the second conductive portion, and the insulating layer under the substrate is removed (S1);
Forming a pattern on the substrate (S2);
Forming a first cavity and a second cavity by pressing the pattern side (S3);
Electrically connecting the semiconductor light emitting device chip to the pattern (S4); And,
And electrically connecting the protection device to the second cavity (S5). 청구항 1에 있어서,
패턴에 반도체 발광소자 칩을 전기적으로 연결하는 단계(S4); 후에
봉지재로 제1 캐비티를 봉지하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자를 제조하는 방법.The method according to claim 1,
Electrically connecting the semiconductor light emitting device chip to the pattern (S4); after
And sealing the first cavity with an encapsulating material. 청구항 1에 있어서,
제2 캐비티에 보호소자를 전기적으로 연결하는 단계(S5); 후에
봉지재로 제2 캐비티를 봉지하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자를 제조하는 방법.The method according to claim 1,
Electrically connecting the protection element to the second cavity (S5); after
And encapsulating the second cavity with an encapsulating material. 청구항 1에 있어서,
반도체 발광소자 칩은 자외선을 발광하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.The method according to claim 1,
Wherein the semiconductor light emitting device chip emits ultraviolet light. 청구항 1에 있어서,
제1 도전부와 제2 도전부는 알루미늄으로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.The method according to claim 1,
Wherein the first conductive portion and the second conductive portion are formed of aluminum. 청구항 1에 있어서,
기판 상부에 패턴을 형성하는 단계(S2); 후에
제1 캐비티 내에 절연반사층이 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.The method according to claim 1,
Forming a pattern on the substrate (S2); after
Wherein an insulating reflection layer is formed in the first cavity. 청구항 1에 있어서,
절연층의 두께는 50um~300um 사이인 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.The method according to claim 1,
Wherein the thickness of the insulating layer is between 50 [mu] m and 300 [mu] m. 청구항 1에 있어서,
제2 캐비티에 보호소자를 전기적으로 연결하는 단계(S5); 후에
제1 도전부 하부와 제2 도전부 하부에 거리가 400um이상으로 전극층이 형성되는 단계; 를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자를 제조하는 방법.The method according to claim 1,
Electrically connecting the protection element to the second cavity (S5); after
Forming an electrode layer on the lower part of the first conductive part and the lower part of the second conductive part with a distance of 400um or more; And forming a second electrode on the semiconductor layer. 청구항 1에 있어서,
보호소자는 제너다이오드 인 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.The method according to claim 1,
Wherein the protection element is a Zener diode. 청구항 1에 있어서,
기판 상부에 패턴을 형성하는 단계(S2);에서
기판 하부에도 패턴이 형성되며,
패턴측을 눌러 제1 캐비티와 제2 캐비티를 형성하는 단계(S3);에서
제2 캐비티 내에 패턴이 구비되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자를 제조하는 방법.The method according to claim 1,
Forming a pattern on the substrate (S2)
A pattern is also formed under the substrate,
Forming a first cavity and a second cavity by pressing the pattern side (S3);
Wherein a pattern is provided in the second cavity. 청구항 1에 있어서,
패턴은 은으로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자를 제조하는 방법.The method according to claim 1,
Wherein the pattern is formed of silver.
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