KR20170024520A - 음향파 디바이스 및 그 제조방법 - Google Patents

음향파 디바이스 및 그 제조방법 Download PDF

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KR20170024520A
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정태성
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Abstract

본 발명의 일 실시예에 따른 음향파 디바이스는 일면에 음향파 발생부가 구비된 기판, 상기 기판의 일면에 상기 음향파 발생부와 이격되게 구비되는 지지부, 상기 지지부에 결합되어 상기 음향파 발생부와 소정간격 이격되게 구비되는 보호 부재 및 상기 보호 부재를 밀봉하는 실링부를 포함할 수 있다.

Description

음향파 디바이스 및 그 제조방법{ACOUSTIC WAVE DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF}
본 발명은 음향파 디바이스 및 그 제조방법에 관한 것이다.
대역 통과 필터(Band Pass Filter)는 여러 주파수중 필요한 주파수 대역의 신호만 선별하여 송수신하는 통신용 기기의 핵심부품이다.
이러한, 대역 통과 필터의 대표 적인예로 표면 음향파(Surface Acoustic Wave, SAW) 필터 및 벌크 음향파(Bulk Acoustic Wave, BAW) 필터 등이 있다.
음향파 디바이스는 작동 특성상, 음향파 발생부와 캡 부재 사이에 소정의 공간이 요구되며, 따라서, 음향파 디바이스 제작 시 음향파 발생부와 캡 부재 사이에 간극이 형성되게 제작된다.
그런데, 음향파 디바이스를 메인 보드에 실장하고, 에폭시 재료 등으로 음향파 디바이스를 밀봉하는 경우 사출압에 의해 음향파 디바이스의 캡 부재가 변형을 일으켜 간극이 좁아 지거나 음향파 발생부와 접촉되는 문제가 있다.
본 발명의 목적은 사출 성형과 같은 외력에 의한 변형을 최소화할 수 있는 음향파 디바이스와 그 제조 방법을 제공하는 데에 있다.
본 발명의 실시예에 따른 음향파 디바이스는 일면에 음향파 발생부가 구비된 기판, 상기 기판의 일면에 상기 음향파 발생부와 이격되게 구비되는 지지부, 상기 지지부에 결합되며 상기 음향파 발생부와 소정간격 이격 배치되는 보호 부재, 및 상기 보호 부재를 밀봉하는 실링부를 포함할 수 있다.
또한 본 발명의 실시예에 따른 음향파 디바이스 제조방법은 기판을 마련하는 단계, 상기 기판의 일면에 음향파 발생부를 형성하는 단계, 상기 기판의 일면에 상기 음향파 발생부의 둘레를 따라 지지부를 형성하고, 상기 지지부에 상기 음향파 발생부와 소정간격 이격되게 보호 부재를 접착하는 단계, 및 상기 보호 부재와 상기 지지부를 밀봉하도록 실링부를 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 음향파 디바이스는 사출 성형을 이용한 패키징 과정에서 변형을 최소화할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 음향파 디바이스의 개략 평면도.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 음향파 디바이스의 개략 단면도.
도 3은 도 2의 A부분 확대도.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 음향파 디바이스의 개략 단면도.
도 5는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 음향파 디바이스의 개략 단면도.
도 6은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 음향파 디바이스의 개략 단면도.
도 7 및 도 8은 도 2에 도시된 음향파 디바이스 제조방법을 설명하기 위한 도면.
도 9a 및 도 9b는 본 발명의 다른 실시예에 따른 음향파 디바이스 제조 방법을 설명하기 위한 도면.
도 10a 내지 도 10c는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 음향파 디바이스 제조 방법을 설명하기 위한 도면.
도 11 내지 도 13은 각각 본 발명의 또 다른 실시예들에 따른 음향파 디바이스의 개략 단면도.
도 14는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 음향파 디바이스를 개략적으로 도시한 사시도.
도 15는 도 14에 도시된 음향파 디바이스의 분해 사시도.
도 16 및 도 17은 각각 본 발명의 다른 실시예들에 따른 음향파 디바이스 패키지를 개략적으로 도시한 단면도.
본 발명의 상세한 설명에 앞서, 이하에서 설명되는 본 명세서 및 청구범위에 사용된 용어나 단어는 통상적이거나 사전적인 의미로 한정해서 해석되어서는 아니 되며, 발명자는 그 자신의 발명을 가장 최선의 방법으로 설명하기 위해 용어의 개념으로 적절하게 정의할 수 있다는 원칙에 입각하여 본 발명의 기술적 사상에 부합하는 의미와 개념으로 해석되어야만 한다. 따라서 본 명세서에 기재된 실시예와 도면에 도시된 구성은 본 발명의 가장 바람직한 실시예에 불과할 뿐, 본 발명의 기술적 사상을 모두 대변하는 것은 아니므로, 본 출원시점에 있어서 이들을 대체할 수 있는 다양한 균등물과 변형 예들이 있을 수 있음을 이해하여야 한다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예들을 상세히 설명한다. 이때, 첨부된 도면에서 동일한 구성 요소는 가능한 동일한 부호로 나타내고 있음을 유의해야 한다. 또한, 본 발명의 요지를 흐리게 할 수 있는 공지 기능 및 구성에 대한 상세한 설명은 생략할 것이다. 마찬가지의 이유로 첨부 도면에 있어서 일부 구성요소는 과장되거나 생략되거나 또는 개략적으로 도시되었으며, 각 구성요소의 크기는 실제 크기를 전적으로 반영하는 것이 아니다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 음향파 디바이스의 개략 평면도이고, 도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 음향파 디바이스의 개략 단면도이고, 도 3은 도 2의 A부분 확대도이다.
도 1 내지 도 3을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 음향파 디바이스(10)는 기판(100), 지지부(200), 보호 부재(300), 및 실링부(400)를 포함한다. 여기서 음향파 디바이스(10)는 표면 음향파(Surface Acoustic Wave, SAW) 필터, 벌크 음향파(Bulk Acoustic Wave, BAW) 필터 및 듀플렉서(duplexer) 등 승인된 주파수 대역을 통과시키는 필터소자를 포함하는 개념임을 밝혀둔다.
기판(100)은 SAW 필터일 경우 압전기판으로 구비될 수 있으며, BAW 필터일 경우 Si 기판을 사용할 수 있다.
예를 들어 기판(100)은 LiTaO3, LiNbO3, Li2B4O7, 또는 SiO2 , Silicon 등의 단결정이 사용될 수 있다. 이와 함께, PZT 계의 다결정이나 ZnO 박막이 사용될 수 있다.
다만, 음향파 디바이스(10)에 사용되는 기판은 상기 실시예에 제한 되는 것은 아니며, 당업계에서 통용되는 다양한 기판으로 대체될 수 있다.
기판(100)의 일면에는 음향파 발생부(110)가 구비될 수 있다.
음향파 디바이스(10)가 표면 음향파(SAW) 필터로 구비되는 경우 음향파 발생부(110)는 도 2에 도시된 바와 같이 금속 전극의 형태로 구비될 수 있다. 음향파 발생부(110)는 알루미늄 또는 구리로 구비될 수 있으며, 빗살형태로 다수의 전극을 교대로 교차시킨 인터디지털 트랜스듀서(InterDigital Transducer, IDT) 전극을 포함할 수 있다.
이 경우, 음향파 발생부(110)는 기판(100)상에 금속층을 형성하고, 이를 포토리소그래피(Photolithography) 방법을 통해 소정의 전극형태로 가공하여 구비될 수 있다.
한편, 음향파 디바이스(10)가 벌크 음향파(BAW) 필터로 구비되는 경우 음향파 발생부(110)는 별도의 구조체를 형성하여 구비될 수 있다. 예를 들어 음향파 발생부(110)는 전기적 신호를 기계적 신호로 변환하거나 기계적 신호를 전기적 신호로 변환하는 압전 박막 공진자(PIEZOELECTRIC THIN FILM RESONATOR)가 구비될 수 있다.
이 경우, 음향파 발생부(110)는 도 2에 도시된 바와 같이, 아래에서부터 하부전극, 압전층, 상부전극이 순서대로 적층되어 공진부를 형성한다.
기판(100)의 일면에는 음향파 발생부(110)와 이격되게 지지부(200)가 구비될 수 있다.
지지부(200)는 음향파 발생부(110)의 테두리를 따라 음향파 발생부(110)의 둘레를 감싸는 형태로 연속적으로 형성될 수 있다. 예를 들어, 음향파 발생부(110)에서 일정 거리(예컨대, 3um 이상) 이격되어 음향파 발생부(110)의 둘레를 감싸는 형태로 연속적으로 지지부(200)를 구성할 수 있다.
더하여, 지지부(200)는 기판의(100)의 일면에서 소정 거리 돌출된다. 이때, 지지부(200)의 돌출 거리는 음향파 발생부(110)의 두께보다 크게 형성된다. 이에 따라 지지부(200) 상에 안착되는 보호 부재(300)와 음향파 발생부(110) 사이에는 간극이 형성된다.
따라서, 본 실시예에 따른 지지부(200)의 구조는 상기한 구성으로 한정되지 않으며, 보호 부재(300)와 음향파 발생부(110) 사이에 간극을 형성하는 구조라면 다양하게 변경될 수 있다.
지지부(200)는 수지나 폴리머와 같은 절연성 재질로 형성된다. 그러나 이에 한정되지 않으며, 지지부(200)를 음향파 발생부(110)와 충분히 이격 배치하거나 상호 간에 절연이 확보되는 경우, 지지부(200)를 금속 재질로 형성할 수도 있다.
지지부(200) 상에는 보호 부재(300)가 배치된다. 지지부(200)는 음향파 발생부(110)가 공진하며 변형될 때 보호 부재(300)와 접촉하지 않도록 음향파 발생부(110)와 보호 부재(300)를 이격시킨다.
따라서, 지지부(200)에 의해 음향파 발생부(110)와 보호 부재(300) 사이에는 공간부(d)가 형성되며, 공간부(d)는 음향파 디바이스(10) 구동 시 음향파 발생부(110)의 변형 공간으로 이용된다.
보호 부재(300)는 음향파 발생부(110)의 상부를 전체적으로 덮도록 구비될 수 있다.
본 실시예에 따른 보호 부재(300)는 편평한 판 형태로 형성될 수 있으며, 강성을 제공하기 위해 금속 재질(예컨대 동판)로 형성될 수 있다. 그러나 이에 한정되는 것은 아니며, 금속과 동등한 강성을 제공할 수 있다면 수지 등 다른 재질로 형성될 수도 있다.
보호 부재(300)는 지지부(200) 상부면의 일부분과 접촉될 수 있으며, 이때, 보호 부재(300)의 외측과 지지부(200)에는 단차부(210)가 구비될 수 있다.
다시 말해, 보호 부재(300)는 지지부(200) 상부면 중 음향파 발생부(110)가 구비된 방향쪽 일부에만 접촉되어 구비됨으로써, 보호 부재(300)와 지지부(200)의 테두리는 계단 형상의 단차부(210)를 형성할 수 있다.
이와 같이 단차부(210)를 형성하는 경우 후술할 실링부(400)와의 접촉 면적을 증가시켜 공간부(d)를 외부 환경으로부터 밀폐시키는 데에 유리하다.
보호 부재(300)는 별도로 제조한 후, 지지부(200) 상에 접합할 수 있다. 또한, 지지부(200) 상에 직접 적층하여 형성하는 등 다양한 변형이 가능하다.
보호 부재(300)와 지지부(200)의 외부는 실링부(400)에 의해 밀봉될 수 있다.
실링부(400)는 보호 부재(300)와 지지부(200)의 외부를 밀봉함으로써, 보호 부재(300)와 지지부(200) 내부에 형성되는 공간부(d)에 습기 및 이물질의 침입을 방지한다.
실링부(400)는 박막층으로 구비될 수 있다. 예를 들어 실링부(400)는 silicon nitride (SixNy), silicon dioxide (SiO2), silicon oxy-nitride (SiOxNy), silicon carbide (SiC)로 이루어지는 군 중 적어도 하나의 성분을 포함하는 박막층으로 구비될 수 있다.
그러나 이에 한정되지 않으며, 필요에 따라 Au, Ni, Pt, Cu, Al 등과 같은 금속 재질로 실링부(400)를 형성하는 것도 가능하다.
여기서, 본 발명의 실시예에 따른 음향파 디바이스(10)의 변형을 최소화하는 원리에 대해 간략히 설명한다.
음향파 디바이스(10)는 일반적으로 패키지 기판(도 17의 2)에 실장되며, 음향파 디바이스(10)의 보호 및 밀봉을 위해 음향파 디바이스(10)를 매립하는 밀봉부(3)을 사출 성형하여 형성한다. 이때, 에폭시 등의 수지재가 주입되면서 음향파 디바이스(10)의 실링부(400)나 캡을 압박하게 되며, 이러한 사출압에 의해 실링부(400)가 변형되는 경우 음향파 발생부(110)와 접촉되는 등의 문제가 발생할 수 있다.
그러나, 본 발명의 일 실시예에 따른 음향파 디바이스(10)는 실링부(400)와 음향파 발생부(110) 사이에 별도의 보호 부재(300)를 구비한다. 보호 부재(300)는 실링부(400)의 강성을 보완하므로, 보호 부재(300)에 의해 실링부(400)가 외력에 의해 내측으로 변형되는 현상을 최소화할 수 있다.
따라서, 음향파 디바이스(10)를 패키징 하기 위해 사출 성형을 수행하는 경우에도 음향파 디바이스(10)의 변형을 최소화할 수 있다.
한편, 기판(100)의 일면에는 전극 패드(120) 및 전극 패드(120)와 음향파 발생부(110)를 전기적으로 연결하는 배선 패턴(미도시)이 구비될 수 있다. 또한 전극 패드(120)는 실링부(400)의 외측에 배치될 수 있다.
기판(100)의 일면에는 음향파 발생부(110)와 전기적으로 연결된 접속 단자(500)가 배치될 수 있다. 접속 단자(500)는 실링부(400)의 외측에 구비되며, 전극 패드(120)를 매개로 기판(100)에 접합될 수 있다.
접속 단자(500)는 솔더 볼이나 솔더 범프 등의 형태로 형성될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
이러한 접속 단자(500)는 패키지 기판(도 17의 2)과 음향파 디바이스(10)의 전기적 결합을 위해 구비된다. 예를 들어, 음향파 디바이스(10)는 접속 단자(500)와 패키지 기판(2)을 솔더링(Soldering)함으로써 패키지 기판(2)에 실장될 수 있다.
여기서, 도 3에 도시된 바와 같이, 음향파 디바이스(10)와 패키지 기판(2)의 용이한 결합을 위해 기판(100)의 일면에서 접속 단자(500) 상측까지의 수직 길이(L1)는 기판(100)의 일면에서 실링부(400)까지의 수직 길이(L2)보다 길게 형성된다.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 음향파 디바이스의 개략 단면도이다. 이하에서는 도 4를 참조하여, 본 발명의 다른 실시예에 따른 음향파 디바이스(10)에 대해 설명한다.
도 4를 참조하면, 본 발명의 다른 실시예에 따른 음향파 디바이스(10a)는 일면에 음향파 발생부(110)가 구비된 기판(100), 기판(100)의 일면에서 음향파 발생부(110)와 이격되게 구비되는 지지부(200), 지지부(200)에 결합되어 음향파 발생부(110)와 소정간격 이격되게 구비되는 보호 부재(300), 보호 부재(300)와 지지부(200)의 외부를 밀봉하도록 구비되는 실링부(400), 및 기판(100)의 일면의 반대면인 타면에 구비되는 접속 단자(500) 포함할 수 있다.
여기서, 본 실시예에 따른 음향파 디바이스(10a)는 접속 단자(500)의 배치구성을 제외하고는 도 1 내지 도 3에 도시된 음향파 디바이스(10)와 다른 구성은 실질적으로 동일하다.
따라서, 동일 구성에 대한 상세한 설명은 생략하고 상기한 설명에 갈음하기로 한다.
본 실시예에 따른 음향파 디바이스(10a)에서 기판(100)의 일면의 반대면인 타면에는 접속 단자(500)가 구비될 수 있으며, 상기 접속 단자(500)는 도전성 비아(600)에 의해 음향파 발생부(110)와 전기적으로 연결될 수 있다.
예를 들어, 기판(100)의 타면에는 전극 패드(120)가 구비될 수 있으며, 상기 전극 패드(120)에는 접속 단자(500)가 결합될 수 있다.
이때, 전극 패드(120)는 기판(100)을 관통하여 구비되는 도전성 비아(600)에 의해 음향파 발생부(110)와 전기적으로 연결되므로, 접속 단자(500)와 음향파 발생부(110)는 전기적으로 연결될 수 있다.
도전성 비아(600)는 접속 단자(500)와 음향파 발생부(110)의 전기적 연결을 위해 구비되며, 기판(100)을 관통하여 구비될 수 있다.
이때 도전성 비아(600)는 기판(100)의 관통된 구멍을 메우거나 관통된 구명의 내벽면에 도전성 재료를 도포함으로써 구비될 수 있다.
도전성 비아(600)를 형성하는 도전성 재료는 Cu, Ag, Au, Ni, Pt, Pd 또는 이들의 합금으로 구비될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
도 5는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 음향파 디바이스의 개략 단면도이다.
도 5를 참조하면, 본 실시예에 따른 음향파 디바이스(10b)는 기판(100), 지지부(200), 보호 부재(300), 실링부(400)를 포함할 수 있으며, 상기 보호 부재(300)의 일면에는 밀폐층(390)이 구비된다.
여기서, 본 실시예에 따른 음향파 디바이스(10b)는 도 1 내지 3에 도시된 음향파 디바이스(10)와 유사하게 구성되며 밀폐층(390)의 구성에 있어서만 차이를 갖는다. 따라서 동일 구성에 대한 상세한 설명은 생략한다.
본 실시예에 따른 음향파 디바이스(10b)는, 보호 부재(300)의 저면, 다시 말해 보호 부재(300)의 음향파 발생부(110)와 대향하는 일면에 밀폐층(390)이 배치된다.
보호 부재(300)가 금속 재질이 아닌, 절연성 재질이나 수지 재질로 형성되는 경우, 금속 재질에 비해 습기의 침투가 용이하다. 따라서 본 실시예와 같이 보호 부재(300)를 수지 재질로 형성하게 되면, 습기가 보호 부재(300)를 관통하여 음향파 발생부(110) 측으로 유입될 수 있다.
이에, 본 실시예서는 음향파 발생부(110)로 습기가 침투하는 것을 최대한 방지하기 위해, 보호 부재(300)의 일면에 밀폐층(390)을 형성한다. 따라서 밀폐층(390)을 통해 음향파 디바이스(10)의 방습 성능을 향상시킬 수 있다.
한편, 보호 부재(300)만으로 습기의 침투를 충분히 방지할 수 있는 경우, 본 단계(S6)와 밀폐층(390)은 생략될 수 있다.
밀폐층(390)은 박막층으로 구비될 수 있다. 예를 들어 밀폐층(390)은 silicon nitride (SixNy), silicon dioxide (SiO2), silicon oxy-nitride (SiOxNy), silicon carbide (SiC)로 이루어지는 군 중 적어도 하나의 성분을 포함하는 박막층 또는 산화막과 같은 얇은 절연층으로 구비될 수 있다.
밀폐층(390)은 기상 증착법을 통해 형성될 수 있다. 예를 들어 실링부(400)는 PVD(Physical Vapor Deposition) 방법이나, CVD(Chemical Vapor Deposition) 방법을 통해 형성될 수 있다.
그러나 이에 한정되지 않으며, 필요에 따라 도금이나 페인팅 등의 방식을 통해 형상하는 것도 가능하다.
도 6은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 음향파 디바이스의 개략 단면도이다.
도 6을 참조하면, 본 실시예에 따른 음향파 디바이스(10c)는 기판(100), 지지부(200), 보호 부재(300), 실링부(400), 및 기판(100)의 일면에 배치되어 음향파 발생부(110)와 전기적으로 연결되는 접속 단자(500)를 포함한다. 또한 보호 부재(300)의 저면에는 필요에 따라 밀폐층(390)이 배치될 수 있다.
본 실시예에 따른 음향파 디바이스(10c)에서 기판(100)의 일면의 반대면인 타면에는 전극 패드(120)가 구비되며, 전극 패드(120)에는 접속 단자(500)가 결합된다.
전극 패드(120)와 접속 단자(500)는 기판(100)을 관통하여 구비되는 도전성 비아(600)에 의해 음향파 발생부(110)와 전기적으로 연결된다.
도 7 및 도 8은 도 2에 도시된 음향파 디바이스 제조방법을 설명하기 위한 도면이다. 도 7 및 도 8을 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 음향파 디바이스 제조방법에 대해 설명하면 다음과 같다.
본 실시예에 따른 음향파 디바이스 제조방법은, 보호 부재(도 2의 300)가 음향파 발생부(도 2의 110)와 별도로 제조된 후 결합된다.
먼저 보호 부재(300)의 제조 방법을 설명한다.
베이스 기판(310)의 일면에 접착층(320)을 형성하는 단계(S1)가 수행된다.
베이스 기판(310)으로는 웨이퍼(wafer)가 이용될 수 있다. 또한, 접착층(320)은 접착 테이프를 통해 형성될 수 있다. 예를 들어, 본 실시예의 접착층(320)은 열박리형 양면 점착 테이프가 이용될 수 있다.
이어서, 접착층(320) 상에 금속층(350)을 형성하는 단계(S2)가 수행된다.
금속층(350)은 접착층(320) 상면 전체에 형성되며, 구리(Cu) 재질로 형성될 수 있다. 그러나, 금속층(350)의 재질이 이에 한정되는 것은 아니며, 구리와 유사하거나 그 이상의 강성을 제공할 수 있는 금속이라면 다양하게 적용될 수 있다.
이어서, 금속층(350) 상에 마스크층(330)을 형성하는 단계(S3)와, 마스크층(330)을 이용하여 금속층(350)을 패터닝하는 단계(S4)가 순차적으로 수행된다.
여기서, 마스크층(330)은 감광성 필름(DFR: Dry Film Photoresist)을 이용하여 형성할 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.
이어서 마스크층(330)을 제거한 후, 금속층(350)의 표면에 절연층(300a)을 형성하는 단계(S5)를 수행하여 보호 부재(300)를 완성한다. 이에 따라 보호 부재(300)는 전체 또는 표면이 절연성 재질로 형성된다. 절연층(300a)은 산화막의 형태로 형성될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
절연층(300a)은 금속 재질의 보호 부재(300)가 음향파 발생부(110)나 기판(100)의 배선 등과 전기적인 간섭이 발생되는 것을 방지하기 위해 구비된다. 따라서 상기한 요소들 간의 절연이 확보된다면 보호 부재(300)의 표면에 절연층(300a)을 형성하는 단계는 생략될 수 있다.
이어서, 음향파 디바이스에 사용되는 기판(100)에 음향파 발생부(110)를 형성하는 단계(S6)가 수행된다.
기판(100)은 전술한 바와 같이, SAW 필터일 경우 압전기판으로 구비될 수 있으며 BAW 필터일 경우 Si 기판을 사용할 수 있다.
다만, 음향파 디바이스에 사용되는 기판(100)은 상기 실시예에 제한되는 것은 아니며, 당업계에서 통용되는 다양한 기판으로 대체될 수 있다.
전술한 바와 같이, 음향파 디바이스(10)가 SAW 필터로 이용되는 경우, 음향파 발생부(110)는 알루미늄 또는 구리로 구비될 수 있으며, 빗살형태로 다수의 전극을 교대로 교차시킨 구조로 형성될 수 있다. 이 경우 음향파 발생부(110)는 기판(100)상에 도체층을 형성하고, 이를 포토리소그래피(Photolithography) 방법을 통해 소정의 전극형태로 가공하여 구비될 수 있다.
또한, 음향파 디바이스(10)가 BAW 필터로 이용되는 경우, 음향파 발생부(110)는 하부전극, 압전층, 상부전극이 순차적으로 적층된 별도의 구조체로 기판(100)의 일면에 구비될 수 있다.
본 단계에서, 음향파 발생부(110)의 주변에는 음향파 발생부(110)와 전기적으로 연결된 전극 패드(120)가 형성된다. 전극 패드(120)는 음향파 발생부(110)와 함께 형성되거나, 음향파 발생부(110)를 형성한 이후에 형성될 수 있다. 기판(100) 상에 전극 패드(120)를 형성하는 방법은 후술되는 실시예에서 보다 상세히 설명하기로 한다.
기판(100)에 음향파 발생부(110)를 형성한 후에는, 기판(100)의 일면에 음향파 발생부(110)의 둘레를 따라 지지부(200)를 형성하는 단계(S7)가 수행된다.
지지부(200)는 수지나 폴리머와 같은 절연성 재질로 형성된다. 그러나 필요에 따라 금속 재질로 형성할 수도 있다.
지지부(200)는 포토리소그래피 방식을 통해 형성될 수 있다. 그러나 이에 한정되는 것은 아니다.
이어서, 지지부(200)에 S5 단계에서 제조된 보호 부재(300)를 전사하는 단계(S8)가 수행된다. 이때, 보호 부재(300)는 음향파 발생부(110)와 소정간격 이격되며 지지부(200) 상에 안착된다.
보호 부재(300)는 음향파 발생부(110)의 상부를 전체적으로 덮도록 배치된다. 따라서, 음향파 발생부(110)는 보호 부재(300)와 지지부(200)에 의해 형성되는 공간부(d) 내에 배치된다.
여기서, 보호 부재(300)는 지지부(200) 상부면의 일부분과 접촉되도록 구비될 수 있으며, 이때, 보호 부재(300)의 외측과 지지부(200)에는 단차부(210)가 구비될 수 있다.
본 단계에서 보호 부재(300)는 베이스 기판(310)에 부착되어 있는 상태로 지지부(200)에 접착된다. 따라서 보호 부재(300)의 두께가 얇더라도 취급이 용이하다.
보호 부재(300)가 지지부(200)에 전사되면, 접착층(320)을 매개로 보호 부재(300)에 부착되어 있는 베이스 기판(310)을 제거하는 단계(S9)가 수행된다. 전술한 바와 같이 접착층(320)은 열박리형 점착 테이프가 이용될 수 있다. 따라서 접착층(320)에 열을 가함으로써 베이스 기판(310)을 보호 부재(300)로부터 용이하게 박리할 수 있다. 한편, 접착층(320)을 UV 테이프로 형성하는 경우, 접착층(320)에 자외선을 조사하여 베이스 기판(310)을 보호 부재(300)로부터 박리할 수 있다.
이어서, 보호 부재(300)와 지지부(200)를 밀봉하는 실링부(400)를 형성하는 단계(S10)가 수행된다.
실링부(400)를 형성하는 공정은, 보호 부재(300)가 배치된 기판(100)의 일면 전체에 실링층을 형성하는 공정과, 포토리소그래피 방식으로 실링층의 일부를 제거하여 전극 패드(120)를 외부로 노출시키는 공정을 포함할 수 있다.
여기서, 상기한 실링층은 기상 증착법을 통해 형성될 수 있다. 예를 들어 실링부(400)는 PVD(Physical Vapor Deposition) 방법이나, CVD(Chemical Vapor Deposition) 방법을 통해 형성될 수 있다.
보다 구체적으로, 스퍼터링(Sputtering), 전자빔증착법(E-beam evaporation), 열증착법(Thermal evaporation), 레이저분자빔증착법(L-MBE, Laser Molecular Beam Epitaxy), 펄스레이저증착법(PLD, Pulsed Laser Deposition), MOCVD(Metal-Organic Chemical Vapor Deposition), HVPE(Hydride Vapor Phase Epitaxy), PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) 중 어느 하나의 방법이 이용될 수 있다.
이어서, 기판(100)의 일면에 접속 단자(500)를 형성하여 도 2에 도시된 음향파 디바이스(10)를 완성한다.
접속 단자(500)는 기판(100)의 일면에 형성된 전극 패드(120)에 형성된다. 다만, 접속 단자(500)가 구비되는 위치는 기판(100)의 일면에 한정되는 것은 아니고, 도 4에 도시된 바와 같이 기판(100)의 일면의 반대면인 타면에 구비될 수도 있다. 이 경우 음향파 발생부(110)와 접속 단자(500)를 전기적으로 연결하는 도전성 비아(도 4의 600)를 형성하는 단계가 추가될 수 있다.
한편 본 발명의 실시예에 따른 음향파 디바이스 제조 방법은 전술한 실시예에 한정되지 않으며, 다양한 변형이 가능하다.
도 9a 및 도 9b는 본 발명의 다른 실시예에 따른 음향파 디바이스 제조 방법을 설명하기 위한 도면이다.
도 9a 및 도 9b를 참조하면, 본 실시예에 따른 음향파 디바이스 제조 방법은 먼저 기판(100)에 음향파 발생부(110)를 형성하는 단계(S1)가 수행된다.
음향파 발생부(110)는 기판(100) 상에 도체층을 형성하고, 포토리소그래피(Photolithography) 방법을 통해 도체층을 소정의 전극형태로 가공하여 구비될 수 있다.
음향파 디바이스가 SAW 필터인 경우, 도체층은 알루미늄(Al) 재질로 형성될 수 있다. 그러나 이에 한정되는 것은 아니다.
음향파 발생부(110)의 주변에는 음향파 발생부(110)와 전기적으로 연결되는 배선 패턴(미도시)이 함께 형성된다. 또한 배선 패턴은 추후에 전극 패드(120)로 형성되는 다수의 배선층(121)을 포함한다.
음향파 발생부(110)와 배선 패턴의 표면에는 SiO2막과 같은 절연 보호막(미도시)이 부가될 수 있다. 그러나 배선 패턴의 배선층(121)은 절연 보호막의 외부로 노출된다.
한편, 본 실시예는 음향파 발생부(110)가 금속 전극의 형태로 형성되는 SAW 필터를 제조하는 경우를 예로 들고 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어 음향파 발생부(110)를 압전 박막 공진자의 형태로 형성하여 BAW 필터로 제조하는 것도 가능하다.
이어서, 음향파 발생부(110)와 배선층(121) 상에 시드층(122)을 형성하는 단계(S2)가 수행된다. 시드층(122)은 전해 도금을 실시하기 위해 구비되며, 스퍼터링 방식을 통해 구리(Cu) 재질로 형성될 수 있다. 그러나 이에 한정되는 것은 아니다.
음향파 발생부(110) 상에는 절연막이 형성되어 있다. 따라서 시드층(122)은 절연막의 외부로 노출된 배선층(121)에만 직접적으로 접합된다.
이어서, 시드층(122) 상에 마스크층(125)을 형성한 후, 시드층(122)의 일부가 노출되도록 마스크층(125)을 제거하는 단계(S3)가 수행된다. 이때, 시드층(122)은 상기한 배선층(121)과 대응하는 영역이 노출된다.
이어서, 노출된 시드층(122) 상에 도금층(123)을 형성하여 전극 패드(120)의 형상을 형성하는 단계(S4)가 수행된다. 도금층(123)은 시드층(122)을 이용한 전해 도금을 통해 형성될 수 있다. 그러나 이에 한정되는 것은 아니며 필요에 따라 무전해 도금을 이용할 수도 있다.
본 실시예에 따른 도금층(123)은 니켈(Ni) 층과 금(Au) 층을 시드층(122) 상에 차례로 적층하여 형성할 수 있다. 그러나 이에 한정되는 것은 아니다.
이어서, 마스크층(125)과 시드층(122)을 제거하는 단계(S5)가 수행된다. 시드층(122)은 전극 패드(120) 이외의 영역에 형성된 부분들이 제거된다. 이에 기판(100) 상에 전극 패드(120)와 음향파 발생부(110)가 완성된다.
한편, 본 실시예와 같이 음향파 디바이스가 SAW 필터 구조로 제조되는 경우, 배선층(121)은 알루미늄(Al) 재질로 형성될 수 있다. 이 경우 추후에 진행되는 포토리소그래피 또는 에칭 과정에서 외부로 노출된 배선층(121)이 함께 제거될 수 있다. 따라서 이를 방지하기 위해, 본 실시예에 따른 음향파 디바이스는 배리어 층(barrier layer)으로 도금층(123)을 노출된 배선층(121) 상에 형성한다.
그러나 음향파 디바이스가 BAW 필터 구조로 제조되는 경우, 배선층(121)은 에칭 과정에서 쉽게 제거되지 않는 몰리브덴(Mo) 또는 금(Au) 재질로 형성되므로, 상기한 도금층(123)이나 시드층(122), 그리고 이들을 형성하는 단계는 생략될 수 있다.
이어서, 기판(100)의 일면에 지지층(201)을 형성하는 단계(S6)와, 지지층(201)을 부분적으로 제거하여 음향파 발생부(110)의 둘레를 따라 지지부(200)를 형성하는 단계(S7)가 순차적으로 수행된다.
지지부(200)는 수지나 폴리머와 같은 절연성 재질로 형성된다. 그러나 필요에 따라 금속 재질로 형성할 수도 있다. 또한 지지부(200)는 포토리소그래피 방식을 통해 형성될 수 있다. 그러나 이에 한정되는 것은 아니다.
이어서, 지지부(200)에 보호 부재(300)를 적층하는 단계(S8)가 수행된다. 이때, 보호 부재(300)는 음향파 발생부(110)와 소정간격 이격되며 지지부(200) 상에 안착된다.
보호 부재(300)는 한 장의 금속 시트로 형성될 수 있다. 예를 들어, 보호 부재는 구리(Cu) 시트가 이용될 수 있다.
또한, 도 15에 도시된 바와 같이, 본 실시예에 따른 보호 부재(300)는 넓은 면적의 금속 시트로 형성되며, 다수의 음향파 발생부(110)를 함께 덮을 수 있는 크기와 형상으로 형성될 수 있다. 따라서 지지부(200)와 접촉하며 지지되는 면적이 공간부(도 2의 d)를 형성하는 면적과 유사하거나 더 크게 형성되므로, 지지부(200) 상에 적층되더라도 편평한 시트 형상을 유지할 수 있다.
이어서, 보호 부재(300) 상에 마스크층(303)을 형성하여 보호 부재(300)를 패터닝하는 단계(S9)가 수행된다. 본 단계도 포토리소그래피 공정을 통해 수행될 수 있다.
이어서, 보호 부재(300)와 지지부(200)을 밀봉하는 실링부(400)를 형성하는 단계(S10)가 수행된다.
실링부(400)는 전술한 바와 같이 절연성 재질의 박막층으로 형성될 수 있다.
그러나 이에 한정되지 않으며, 필요에 따라 금속 재질로 실링부(400)를 형성하는 것도 가능하다.
또한 전술한 바와 같이 기상 증착법을 통해 형성될 수 있다. 그러나 이에 한정되지 않으며 도금 방식을 이용하는 등 다양한 변형이 가능하다.
이어서, 전극 패드(120) 상에 접속 단자(500)를 형성하는 단계(S11)를 통해 음향파 디바이스를 완성한다.
도 10a 내지 도 10c는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 음향파 디바이스 제조 방법을 설명하기 위한 도면으로, 도 5에 도시된 음향파 디바이스에 대한 제조 방법을 나타낸다.
여기서, 도 10a는 보호 부재(300)를 형성하는 방법을 도시하고 있으며, 도 10b 및 도 10c는 보호 부재(300)를 기판에 결합하여 음향파 디바이스를 완성하는 방법을 도시하고 있다.
먼저 도 10a를 참조하여 보호 부재(300)를 형성하는 방법을 설명한다.
베이스 기판(310a) 상에 시드층(312)을 형성하는 단계(S1)가 수행된다. 시드층(312)은 티타늄(Ti), 알루미늄(Al), 구리(Cu) 등의 재질이 이용될 수 있으며, 베이스 기판(310a)으로는 웨이퍼((wafer)가 이용될 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.
이어서, 시드층(312) 상에 마스크층(330a)을 형성하는 단계(S2)와, 마스크층(330a)을 이용하여 도금층(315)을 형성하는 단계(S3)가 순차적으로 수행된다. 도금층(315)은 시드층(312)과 동일한 재질로 형성될 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.
이후, 마스크층(330a)을 제거하고, 시드층(312)과 도금층(315)의 표면에 코팅층(317)을 형성하는 단계(S4)가 수행되며, 이에 보호 부재(300)를 형성하기 위한 프레임(360)이 완성된다.
코팅층(317)은 후술되는 수지 재질의 절연 부재(370)를 프레임(360)으로부터 용이하게 분리시키기 위해 구비된다. 코팅층(317)은 불소를 함유하는 재질로 형성될 수 있으며, 예를 들어 테프론(Teflon) 재질로 형성될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
이어서, 프레임(360)을 금형(미도시) 내에 배치하고 사출 성형을 통해 프레임(360)에 절연 부재(370)를 형성하는 단계(S5)가 수행된다. 또한 절연 부재(370)의 외측에는 절연 부재(370)를 용이하게 취급할 수 있도록 이송 기판(380)이 배치된다.
절연 부재(370)는 시드층(312)과 도금층(315)의 형상을 따라 형성된다. 따라서 시드층(312)만 형성된 부분에서는 두께가 두껍게 형성되고, 도금층(315)이 형성된 부분은 두께가 상대적으로 얇게 형성된다.
도 10a에 도시된 절연 부재(370)는 두께가 두꺼운 부분이 하나만 도시되어 있으나, 이에 한정되지 않으며 두께가 두꺼운 부분과 얇은 부분은 다수 개가 반복적으로 배치될 수 있다.
절연 부재(370)는 두께가 두꺼운 부분이 최종적으로 보호 부재(300)로 형성된다. 반면에 두께가 얇은 부분은 최종적으로 제거된다. 따라서 두께가 얇은 부분은 두께가 두꺼운 부분들을 상호 연결하는 연결부의 기능을 갖는다.
이송 기판(380)으로는 접착 및 박리가 용이한 기판이 이용될 수 있으며, 예를 들어, 열박리형 필름이나, UV 필름, 더미 웨이퍼 등이 이용될 수 있으며, 연성을 갖는 필름이나 강성을 갖는 기판이 모두 이용될 수 있다.
이어서, 절연 부재(370)를 프레임(360)으로부터 분리한 후, 절연 부재(370)의 표면에 밀폐층(390)을 형성하는 단계(S6)가 수행된다. 전술한 바와 같이, 밀폐층은 silicon nitride (SixNy), silicon dioxide (SiO2), silicon oxy-nitride (SiOxNy), silicon carbide (SiC)로 이루어지는 군 중 적어도 하나의 성분을 포함하는 박막층 또는 산화막으로 형성될 수 있다.
절연 부재(370)는 수지 재질로 형성되므로, 금속 재질에 비해 습기의 침투가 용이하다. 따라서 본 실시예와 같이 보호 부재(300)를 수지 재질로 형성하게 되면, 습기가 보호 부재(300)를 관통하여 음향파 발생부(110) 측으로 유입될 수 있다.
이에, 본 실시예서는 음향파 발생부(110)로 습기가 침투하는 것을 최대한 방지하기 위해, 보호 부재(300)의 일면에 밀폐층(390)을 형성한다.
한편, 보호 부재(300)만으로 습기의 침투를 충분히 방지할 수 있는 경우, 본 단계(S6)와 밀폐층(390)은 생략될 수 있다.
다음으로, 도 10b 및 도 10c를 참조하여 보호 부재(300)를 기판(100)에 결합하여 음향파 디바이스를 완성하는 방법을 설명한다.
먼저 음향파 디바이스에 사용되는 기판(100)에 음향파 발생부(110)를 형성하는 단계(S7)가 수행된다. 이때, 음향파 발생부(110)를 형성한 후에 기판(100)의 일면에 음향파 발생부(110)와 전기적으로 연결된 전극 패드(120)를 형성할 수 있다.
이어서, 기판(100) 상에 음향파 발생부(110)의 둘레를 따라 지지부(200)를 형성하는 단계(S8)가 수행된다. 지지부(200)는 수지나 폴리머와 같은 절연성 재질로 형성된다. 그러나 필요에 따라 금속 재질로 형성할 수도 있다. 또한 지지부(200)는 포토리소그래피 방식을 통해 형성될 수 있다. 그러나 이에 한정되는 것은 아니다.
이어서, 지지부(200)에 절연 부재(370)를 전사하는 단계(S9)가 수행된다. 이때, 절연 부재(370)는 음향파 발생부(110)와 소정간격 이격되며 지지부(200) 상에 안착된다.
또한, 절연 부재(370)는 일면에 형성된 밀폐층(390)이 지지부(200) 상부면과 접촉하며 지지부(200)에 전사된다.
절연 부재(370)가 지지부(200)에 전사되면, 절연 부재(370)에 부착되어 있는 이송 기판(380)을 제거하고, 절연 부재(370)의 불필요한 부분을 제거하는 단계(S10)가 수행된다. 예를 들어, 절연 부재(370)는 얇은 두께로 연마될 수 있으며, 이에 도 5에 도시된 보호 부재(300)가 완성된다.
한편, 도시되어 있지 않지만, 절연 부재(370)를 연마함에 따라 절연 부재(370)에서 두께가 얇은 부분은 모두 제거되며, 이에 다수의 두께가 두꺼운 부분들은 서로 분리되어 각각 보호 부재(300)로 형성된다. 따라서 다수의 보호 부재(300)를 다수의 음향파 발생부(110) 상에 일괄적으로 배치할 수 있다.
이후, 보호 부재(300)를 매립하는 실링부(400)를 형성하기 위해, 보호 부재(300) 상에 실링층(401)을 형성하는 단계(S11)와, 실링층(401) 상에 마스크층(330c)을 형성하여 실링층(401)을 부분적으로 제거하는 단계(S12), 및 마스크층(330c)을 제거하여 실링부(400)를 완성하는 단계(S13)가 순차적으로 수행된다.
그리고 접속 단자(500)를 전극 패드(120)에 접합하여 도 5에 도시된 구조의 음향파 디바이스(10b)를 완성한다.
실링부(400)와 접속 단자(200)는 전술한 실시예와 유사하게 제조될 수 있으므로, 이에 대한 설명은 생략한다.
도 11 내지 도 13은 각각 본 발명의 또 다른 실시예들에 따른 음향파 디바이스의 개략 단면도이다.
먼저 도 11를 참조하면, 본 실시예에 따른 음향파 디바이스는 안테나를 구비하는 듀플렉서(duplexer)로 이용된다.
이를 위해 본 실시예에 따른 음향파 디바이스는 적어도 하나의 안테나(190)를 더 구비한다.
안테나(190)는 기판(100) 상에 배선 패턴의 일부로 형성될 수 있으며, 음향파 발생부(110)와 전기적으로 연결될 수 있다.
본 실시예에 따른 안테나(190)는 음향파 발생부(110)로부터 일정 거리 이격 배치되며, 음향파 발생부(110)와 함께 공간부(d) 내에 배치된다.
그러나 본 발명의 구성이 이에 한정되는 것은 아니며, 도 12에 도시된 바와 같이, 공간부(d)가 아닌, 공간부(d)의 외부에 안테나(190)를 배치하는 것도 가능하다.
또한 도 13에 도시된 바와 같이 안테나(190)가 기판(100)과 지지부(200) 사이에 개재되도록 구성하는 것도 가능하다. 이 경우, 음향파 디바이스는 기판(100) 상에 안테나(190)를 형성한 후, 그 위에 지지부(200)를 형성함으로써 제조될 수 있다.
이처럼 본 발명에 따른 음향파 디바이스는 다양한 변형이 가능하다.
도 14는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 음향파 디바이스를 개략적으로 도시한 사시도이고, 도 15는 도 14에 도시된 음향파 디바이스의 분해 사시도이다.
도 14 및 도 15를 참조하면, 본 실시예에 따른 음향파 디바이스는 하나의 기판(110) 상에 다수의 음향파 발생부(110)가 배치된다.
지지부(200)는 한 층의 시트 형태로 형성되며 내부에는 음향파 발생부(110)가 배치되는 다수의 구멍(H)을 구비한다.
보호 부재(300)는 한 층의 시트 형태로 형성되어 지지부(200) 상에 적층되며 지지부(200)에 형성된 구멍들(H)을 마감한다.
보호 부재(300) 상에는 실링부(400)가 배치된다.
보호 부재(300)는 금속 플레이트나 금속 시트로 형성되며, 실링부(400)는 보호 부재(300)를 덮는 절연성 재질로 형성된다.
이와 같이 구성되는 본 실시예에 따른 음향파 디바이스는 한 층의 지지부(200)와 한 층의 보호 부재(300)를 적층함으로써, 음향파 발생부(110)가 수용되는 다수의 공간부(도 2의 d)를 일괄적으로 형성할 수 있다.
도 16 및 도 17은 각각 본 발명의 다른 실시예들에 따른 음향파 디바이스 패키지를 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 16 및 도 17을 참조하면, 음향파 디바이스 패키지는 패키지 기판(2)과, 패키지 기판(2) 상에 실장되는 다수의 전자 소자들(1), 및 밀봉부(3)를 포함한다.
전자 소자(1)는 패키지 기판(2) 상에 실장될 수 있는 전자 부품들이라면 모두 전자 소자(1)로 이용될 수 있다. 예를 들어, 전자 소자(1)는 능동 소자 또는 수동 소자일 수 있다.
또한 본 실시예에 따른 전자 소자들(1)은 적어도 하나의 음향파 디바이스(10a)와 기타 소자들(11)을 포함한다. 도 16은 도 4에 도시된 음향파 디바이스(10a)를 이용하는 경우를 도시하고 있으며, 도 17은 도 5에 도시된 음향파 디바이스(10b)를 이용하는 경우를 도시하고 있다. 그러나 본 발명의 구성이 이에 한정되는 것은 아니다.
패키지 기판(2)은 당 기술분야에서 잘 알려진 다양한 종류의 기판(예를 들어, 세라믹 기판, 인쇄 회로 기판, 유리 기판, 연성 기판 등)이 이용될 수 있으며 적어도 어느 한 면에 적어도 하나의 전자 소자(1)가 실장될 수 있다. 또한 패키지 기판(2)의 타면에는 다수의 외부 접속용 단자들(2a)이 배치될 수 있다.
밀봉부(3)는 패키지 기판(2)에 실장된 전자 소자들(1)을 밀봉한다. 또한 패키지 기판(2)에 실장된 전자 소자들(1) 사이에 충진됨으로써, 전자 소자들(1) 상호 간의 전기적인 단락이 발생되는 것을 방지하고, 전자 소자들(1)의 외부를 둘러싸며 전자 소자(1)를 패키지 기판(2) 상에 고정시켜 외부의 충격으로부터 전자 소자들(1)을 안전하게 보호한다.
밀봉부(3)는 사출 형성 방식에 의해 형성될 수 있으며, 예를 들어, 에폭시 몰드 컴파운드(EMC: Epoxy Mold Compound)가 밀봉부(3)의 재질로 사용될 수 있다. 그러나 본 발명은 이에 한정되지 않으며, 밀봉부(3)를 형성하기 위해 필요에 따라 반경화 상태의 수지를 압착하는 방법을 이용하는 등 다양한 방법이 이용될 수 있다.
도 16을 참조하면, 본 실시예에 따른 음향파 디바이스 패키지는 패키지 기판(2)과 평행하게 이격 배치되는 보호 부재(300), 그리고 보호 부재(300)와 패키지 기판(2) 사이에 배치되는 음향파 발생부(110)와 음향파 디바이스 기판(100)를 포함한다.
또한 음향파 발생부(110)는 보호 부재(300)와 음향파 디바이스 기판(100) 사이에 배치된다.
도 17을 참조하면, 본 실시예에 따른 음향파 디바이스 패키지는 서로 평행하게 배치되는 음향파 디바이스 기판(100)과 패키지 기판(2), 그리고 상기한 두 기판(100, 2) 사이에 배치되는 보호 부재(300)를 포함한다.
또한 보호 부재(300)와 음향파 디바이스 기판(100) 사이에는 음향파 발생부가(110) 배치되며, 음향파 발생부(110)와 대면하는 보호 부재(300)의 일면에는 밀폐층(390)이 배치된다.
도 16 및 도 17에 도시된 음향파 디바이스 패키지들은 적어도 하나의 접속 단자(500)를 통해 패키지 기판(2)의 접지와 음향파 디바이스(10a, 10b)의 접지가 서로 전기적으로 연결된다.
이상에서 본 발명의 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리범위는 이에 한정되는 것은 아니고, 청구범위에 기재된 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 수정 및 변형이 가능하다는 것은 당 기술분야의 통상의 지식을 가진 자에게는 자명할 것이다.
10, 10a ~ 10c: 음향파 디바이스
100: 기판
110: 음향파 발생부 120: 전극 패드
200: 지지부 300: 보호 부재
390: 밀폐층 400: 실링부
500: 접속 단자 600: 도전성 비아

Claims (16)

  1. 일면에 음향파 발생부가 구비된 기판;
    상기 기판의 일면에 상기 음향파 발생부와 이격되게 구비되는 지지부;
    상기 지지부에 결합되며, 상기 음향파 발생부와 소정간격 이격 배치되는 보호 부재; 및
    상기 보호 부재를 밀봉하는 실링부;를 포함하는 음향파 디바이스.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 지지부는 상기 음향파 발생부 둘레를 따라 구비되는 음향파 디바이스.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 보호 부재는 편평한 판 형태로 형성되어 상기 음향파 발생부 상부를 덮도록 구비되는 음향파 디바이스.
  4. 제1 항에 있어서,
    상기 보호 부재는 상기 지지부 상부면의 일부분과 접촉되어, 상기 보호 부재의 외측과 상기 지지부에는 단차부가 구비되는 음향파 디바이스.
  5. 제1 항에 있어서,
    상기 보호 부재의 저면에는 추가 실링부가 구비되는 음향파 디바이스.
  6. 제1 항에 있어서,
    상기 실링부는 silicon nitride (SixNy), silicon dioxide (SiO2), silicon oxy-nitride (SiOxNy), silicon carbide (SiC)로 이루어지는 군 중 적어도 하나의 성분을 포함하는 박막 필름으로 구비되는 음향파 디바이스.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 기판의 일면에는 상기 음향파 발생부과 전기적으로 연결된 접속 단자가 구비되는 음향파 디바이스.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 접속 단자는 상기 실링부의 외측에 구비되는 음향파 디바이스.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 기판의 일면에서 상기 접속 단자 상측까지의 수직 길이는 상기 기판의 일면에서 상기 실링부까지의 수직 길이보다 길게 구비되는 음향파 디바이스.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 기판의 일면의 반대면인 타면에는 접속 단자가 구비되고, 상기 접속 단자는 상기 기판을 관통하여 구비되는 도전성 비아에 의해 상기 음향파 발생부와 전기적으로 연결되는 음향파 디바이스.
  11. 제1항에 있어서,
    상기 기판 상에 배선 패턴의 형태로 형성되는 안테나를 더 포함하는 음향파 디바이스.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 안테나는 상기 실링부의 내부 또는 외부에 배치되는 음향파 디바이스.
  13. 제11항에 있어서,
    상기 안테나는 상기 기판과 상기 지지부 사이에 개재되는 음향파 디바이스.
  14. 기판을 마련하는 단계;
    상기 기판의 일면에 음향파 발생부를 형성하는 단계;
    상기 기판의 일면에 상기 음향파 발생부의 둘레를 따라 지지부를 형성하고, 상기 지지부에 상기 음향파 발생부와 소정간격 이격되게 보호 부재를 접착하는 단계; 및
    상기 보호 부재와 상기 지지부를 밀봉하도록 실링부를 증착하는 단계;를 포함하는 음향파 디바이스 제조방법.
  15. 제14항에 있어서,
    상기 기판의 일면 또는 상기 기판 일면의 반대면인 타면 중 적어도 하나의 면에 상기 실링부 외측과 이격되고, 상기 음향파 발생부와 전기적으로 연결된 접속 단자를 형성하는 단계를 더 포함하는 음향파 디바이스 제조방법.
  16. 제14항에 있어서,
    상기 실링부는 박막 필름으로 구비되는 음향파 디바이스 제조방법.
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