KR20170009254A - Circuit for cancelling offset capacitance of capacitive touch screen panel and device having the same - Google Patents

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KR20170009254A
KR20170009254A KR1020150101003A KR20150101003A KR20170009254A KR 20170009254 A KR20170009254 A KR 20170009254A KR 1020150101003 A KR1020150101003 A KR 1020150101003A KR 20150101003 A KR20150101003 A KR 20150101003A KR 20170009254 A KR20170009254 A KR 20170009254A
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Abstract

A touch screen controller for removing the offset capacitance of a capacitive touch screen includes a code generator for generating a time invariant digital code and a time varying digital code during an offset removal time, and a switched-capacitor array for converting the time-invariant digital code and the time-varying digital code into an amount of electrical charges corresponding to the offset capacitance, to remove the offset capacitance.

Description

정전용량식 터치 스크린 패널의 오프셋 커패시턴스를 제거하는 회로와 이를 포함하는 장치{CIRCUIT FOR CANCELLING OFFSET CAPACITANCE OF CAPACITIVE TOUCH SCREEN PANEL AND DEVICE HAVING THE SAME}BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a circuit for eliminating the offset capacitance of a capacitive touch screen panel and a device including the circuit.

본 발명의 개념에 따른 실시 예는 반도체 장치에 관한 것으로, 특히 정전용량식 터치 스크린 패널의 터치 센서의 오프셋 커패시턴스를 제거할 수 있는 회로와 이를 포함하는 장치들에 관한 것이다.An embodiment according to the concept of the present invention relates to a semiconductor device, and more particularly, to a circuit capable of eliminating the offset capacitance of a touch sensor of a capacitive touch screen panel and devices including the same.

정전용량식 터치 스크린(capacitive touch screen)은 상호 정전용량 (mutual- capacitance) 감지 방식을 사용하는 정전용량식 터치 스크린과 자기 정전용량(self-capacitance) 감지 방식을 사용하는 정전용량식 터치 스크린으로 크게 분류된다.A capacitive touch screen is a capacitive touch screen that uses a mutual-capacitance sensing method and a capacitive touch screen that uses a self-capacitance sensing method. .

상호 정전용량 감지 방식을 사용하는 정전용량식 터치 스크린에서, 일반적으로 오프셋(offset) 커패시턴스는 수 pF(picofarad)이고 신호 커패시턴스는 수십 fF (femtofarad)이다. 상기 오프셋 커패시턴스는 정전용량식 터치 스크린에 구현된 터치 센서의 커패시턴스를 의미할 수 있고, 상기 신호 커패시턴스는 손가락과 같은 터치 물체에 의해 상기 터치 센서에 의해 생성된 커패시턴스를 의미할 수 있다. 자기 정전용량 감지 방식을 사용하는 정전용량식 터치 스크린에서, 일반적으로 오프셋 커패시턴스는 수십 pF이고 신호 커패시턴스는 수십 fF이다.In capacitive touchscreens that use reciprocal capacitance sensing, the offset capacitance is typically a few pF (picofarad) and the signal capacitance is tens of fF (femtofarad). The offset capacitance may refer to a capacitance of a touch sensor implemented in a capacitive touch screen, and the signal capacitance may refer to a capacitance generated by the touch sensor by a touch object such as a finger. In capacitive touchscreens that employ self-capacitance sensing, the offset capacitance is typically tens of pF and the signal capacitance is tens of fF.

정전용량식 터치 스크린에서, 오프셋 커패시턴스는 신호 커패시턴스에 비해 상당히 큰 값을 갖는다. 오프셋 커패시턴스가 제거되지 않으면 신호 커패시턴스가 감지되지 않을 수 있으므로, 오프셋 커패시턴스는 정전용량식 터치 스크린의 감도에 큰 영향을 준다.In capacitive touchscreens, the offset capacitance has a considerably larger value than the signal capacitance. Since the signal capacitance may not be sensed unless the offset capacitance is removed, the offset capacitance greatly affects the sensitivity of the capacitive touch screen.

본 발명이 이루고자 하는 기술적인 과제는 오프셋 제거 해상도보다 큰 커패시턴스를 갖는 단위 커패시터를 이용하여 정전용량식 터치 스크린 패널에 포함된 터치 센서의 오프셋 커패시턴스를 제거할 수 있는 회로와 이를 포함하는 장치를 제공하는 것이다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention provides a circuit capable of removing an offset capacitance of a touch sensor included in a capacitive touch screen panel using a unit capacitor having a capacitance larger than an offset removing resolution and an apparatus including the same will be.

본 발명의 실시 예에 따른, 정전용량식(capacitive) 터치 스크린의 오프셋 커패시턴스를 제거하는 터치 스크린 컨트롤러는, 오프셋 제거시간 동안, 시불변 디지털 코드와 시변 디지털 코드를 생성하는 코드 생성기와, 상기 오프셋 커패시턴스를 제거하기 위해, 상기 시불변 디지털 코드와 상기 시변 디지털 코드를 상기 오프셋 커패시턴스에 상응하는 전기적인 전하들의 양으로 변환하는 스위치드-커패시터 어레이를 포함한다.A touch screen controller for eliminating the offset capacitance of a capacitive touch screen according to an embodiment of the present invention includes a code generator for generating a time invariant digital code and a time varying digital code during an offset cancellation time, And a switched-capacitor array for converting the time-invariant digital code and the time-varying digital code into an amount of electrical charges corresponding to the offset capacitance, to remove the time-constant digital code.

상기 코드 생성기는 상기 오프셋 커패시턴스에 해당하는 비트들 중에서 MSB (most significant bit)를 포함하는 제1부분을 제어하는 상기 시불변 디지털 코드와 상기 비트들 중에서 LSB(least significant bit)를 포함하는 제2부분을 제어하는 상기 시변 디지털 코드를 생성한다.The code generator includes the time constant digital code for controlling a first part including a MSB (most significant bit) among the bits corresponding to the offset capacitance, and a second part including a LSB (least significant bit) And generates the time-varying digital code for controlling the time-varying digital code.

상기 스위치드-커패시터 어레이는 상기 시불변 디지털 코드를 상기 전하들의 양의 제1부분으로 변환하는 제1스위치드-커패시터 어레이와, 상기 시변 디지털 코드를 상기 전하들의 양의 나머지 제2부분으로 변환하는 제2스위치드-커패시터 어레이와, 상기 제1부분과 상기 제2부분을 합산하는 합산 노드를 포함한다. 상기 제1부분은 상기 제2부분보다 큰다.Wherein the switched-capacitor array comprises a first switched-capacitor array for converting the time-invariant digital code into a first portion of the positive amount of charges, and a second switched-capacitor array for converting the time- A switched-capacitor array, and a summation node for summing the first portion and the second portion. The first portion is larger than the second portion.

상기 제2스위치드-커패시터 어레이는 단위 커패시터를 포함하고, 상기 단위 커패시터의 커패시턴스는 상기 오프셋 커패시턴스와 관련된 오프셋 제거 해상도보다 크다.The second switched-capacitor array includes a unit capacitor, and the capacitance of the unit capacitor is larger than the offset removal resolution associated with the offset capacitance.

상기 터치 스크린 컨트롤러는 상기 전기적인 전하들의 양을 전압으로 변환하는 커패시턴스-전압 변환기와, 상기 커패시턴스-전압 변환기에 접속된 적분기를 더 포함한다. 상기 시변 디지털 코드에 의해 제거되는 상기 오프셋 커패시턴스의 오프셋 제거 해상도는 상기 적분기의 적분 횟수와 관련된다.The touch screen controller further includes a capacitance-to-voltage converter for converting the amount of electrical charges to a voltage, and an integrator connected to the capacitance-to-voltage converter. The offset removal resolution of the offset capacitance removed by the time-varying digital code is related to the integral number of the integrator.

상기 스위치드-커패시터 어레이는 복수의 단위 커패시터들을 포함하고, 상기 시변 디지털 코드에 의해 한 번에 제거되는 상기 오프셋 커패시터의 양은 상기 복수의 단위 커패시터들 중에서 어느 하나의 커패시턴스와 상기 적분기의 적분 횟수에 따라 결정되다.Wherein the switched-capacitor array includes a plurality of unit capacitors, and the amount of the offset capacitors removed at one time by the time-varying digital code is determined according to the integral number of the capacitors and the integrator among the plurality of unit capacitors become.

상기 터치 스크린 컨트롤러는 상기 적분기의 출력 신호를 디지털 코드를 변환하는 아날로그-디지털 변환기와, 상기 시불변 디지털 코드와 상기 시변 디지털 코드를 저장하는 메모리 장치를 더 포함하고, 상기 코드 생성기는 기준 코드와 상기 아날로그-디지털 변환기의 출력 코드가 동일할 때에 결정된 상기 시불변 디지털 코드와 상기 시변 디지털 코드를 상기 메모리 장치에 저장한다.Wherein the touch screen controller further comprises an analog-to-digital converter for converting a digital code of the output signal of the integrator, and a memory device for storing the time-invariant digital code and the time-varying digital code, The time constant digital code and the time-varying digital code determined when the output code of the analog-to-digital converter is the same are stored in the memory device.

상기 시변 디지털 코드는 상기 스위치드-커패시터 어레이에 포함된 적어도 하나의 커패시터의 충전 횟수와 관련된다.The time-varying digital code is related to the number of times of charging of at least one capacitor included in the switched-capacitor array.

본 발명의 실시 예에 따른 터치 스크린 시스템은 터치 센서를 포함하는 정전용량식 터치 스크린 패널과, 상기 정전용량식 터치 스크린 패널에 접속된 터치 스크린 컨트롤러를 포함한다. 상기 터치 스크린 컨트롤러는 오프셋 제거시간 동안, 시불변 디지털 코드와 시변 디지털 코드를 생성하는 코드 생성기와, 상기 터치 센서의 오프셋 커패시턴스를 제거하기 위해, 상기 시불변 디지털 코드와 상기 시변 디지털 코드를 상기 오프셋 커패시턴스에 상응하는 전기적인 전하들의 양으로 변환하는 스위치드-커패시터 어레이를 포함한다.A touch screen system according to an embodiment of the present invention includes a capacitive touch screen panel including a touch sensor and a touch screen controller connected to the capacitive touch screen panel. Wherein the touch screen controller comprises a code generator for generating a time invariant digital code and a time varying digital code during an offset cancellation time and a time code generator for generating the time constant digital code and the time varying digital code to remove offset capacitances of the touch sensor, To an amount of electrical charges corresponding to the voltage across the switched capacitor array.

상기 터치 스크린 컨트롤러는 상기 오프셋 제거시간 동안, 상기 적분기의 적분 횟수만큼의 펄스 시퀀스를 갖는 구동 신호를 상기 터치 센서로 전송하는 드라이버를 더 포함한다.The touch screen controller further includes a driver for transmitting a driving signal having a pulse sequence corresponding to the integration number of the integrator to the touch sensor during the offset removing time.

본 발명의 실시 예에 따른 스위치드-커패시터 디지털-아날로그 변환기는 작동시간 동안에 입력된 시불변 디지털 코드를 제1전하들의 양으로 변환하는 제1스위치드-커패시터 어레이와, 상기 작동시간 동안에 입력된 시변 디지털 코드를 제2전하들의 양으로 변환하는 제2스위치드-커패시터 어레이와, 입력 노드를 통해 입력된 커패시턴스로부터 상기 제1전하들의 양과 상기 제2전하들의 양을 합을 감산하는 감산 회로를 포함한다.A switched-capacitor digital-to-analog converter according to an embodiment of the present invention includes a first switched-capacitor array for converting a time-invariant digital code input during an operation time into an amount of first charges, And a subtracting circuit for subtracting the sum of the amount of the first charges and the amount of the second charges from the capacitance input through the input node.

상기 제1스위치드-커패시터 어레이는 상기 감산 회로에 접속된 복수의 스위치드-커패시터들을 포함하고, 상기 제2스위치드-커패시터 어레이는 상기 감산 회로에 접속된 적어도 하나의 스위치드-커패시터를 포함하고, 상기 복수의 스위치드-커패시터들의 총 커패시턴스는 상기 커패시턴스에 해당하는 비트들 중에서 MSB를 포함하는 부분과 관련된 상기 시불변 디지털 코드에 기초하여 제어되고, 상기 적어도 하나의 스위치드-커패시터의 총 커패시턴스는 상기 비트들 중에서 LSB를 포함하는 부분과 관련된 상기 시변 디지털 코드에 기초하여 제어된다.Wherein the first switched-capacitor array includes a plurality of switched-capacitors connected to the subtracting circuit and the second switched-capacitor array includes at least one switched-capacitor connected to the subtracting circuit, Wherein the total capacitance of the switched-capacitors is controlled based on the time-invariant digital code associated with the portion comprising the MSB among the bits corresponding to the capacitance, and wherein the total capacitance of the at least one switched- And is controlled based on the time-varying digital code associated with the portion containing the time-varying digital code.

본 발명의 실시 예에 따른 터치 스크린 컨트롤러는 터치 스크린 패널에 포함된 정전용량식 센서들 각각의 오프셋 커패시턴스를 제거하여 신호 동적 범위 (signal dynamic range)를 확보할 수 있는 효과가 있다.The touch screen controller according to the embodiment of the present invention has the effect of securing the signal dynamic range by removing the offset capacitance of each of the capacitive sensors included in the touch screen panel.

상기 터치 스크린 컨트롤러에 포함된 오프셋 제거 회로들 각각의 크기가 줄어들게(shrink)됨에 따라, 상기 터치 스크린 컨트롤러의 크기가 작아지는 효과가 있다.As the size of each of the offset elimination circuits included in the touch screen controller is shrinked, the size of the touch screen controller is reduced.

상기 터치 스크린 컨트롤러는 터치 스크린 패널의 오프셋 커패시턴스의 오프셋 제거 해상도를 상기 터치 스크린 컨트롤러에 구현된 단위 커패시터의 커패시턴스보다 작게 할 수 있으므로, 상기 터치 스크린 컨트롤러는 상기 터치 스크린 패널로부터 출력된 터치 또는 신호의 감도를 향상시킬 수 있는 효과가 있다.The touch screen controller can reduce the offset elimination resolution of the offset capacitance of the touch screen panel to be smaller than the capacitance of the unit capacitor implemented in the touch screen controller so that the sensitivity of the touch or signal output from the touch screen panel Can be improved.

상기 터치 스크린 컨트롤러는 오프셋 커패시턴스를 제거하기 위한 선형성 (linearity)을 확보할 수 있으므로, 상기 터치 스크린 컨트롤러는 상기 오프셋 커패시턴스를 제거하기 위한 교정 시간(calibration time)을 줄일 수 있는 효과가 있다.Since the touch screen controller can secure linearity for eliminating the offset capacitance, the touch screen controller can reduce the calibration time for removing the offset capacitance.

적분기를 포함하는 상기 터치 스크린 컨트롤러는 상기 적분기의 적분 횟수에 따라 오프셋 제거 해상도를 조절할 수 있으므로, 상기 터치 스크린 컨트롤러의 제조사는 단위 커패시터를 제조하는 공정상의 제약을 받지 않고 상기 단위 커패시터를 설계할 수 있는 효과가 있다.The touch screen controller including the integrator can adjust the offset elimination resolution according to the number of integration times of the integrator so that the manufacturer of the touch screen controller can design the unit capacitor without being restricted by the process of manufacturing the unit capacitor It is effective.

상기 터치 스크린 컨트롤러에 구현된 단위 커패시터의 커패시턴스가 종래의 터치 스크린 컨트롤러에 구현된 최소 단위 커패시터의 커패시턴스보다 크고 상기 터치 스크린 컨트롤러에 구현된 단위 커패시터들의 개수가 종래의 터치 스크린 컨트롤러에 구현된 최소 단위 커패시터들의 개수보다 적으므로, 상기 터치 스크린 컨트롤러는 그 안에 구현된 단위 커패시터들 제어하기 위한 제어 신호들의 개수와 상기 제어 신호들과 관련된 스위치들의 개수를 종래의 터치 스크린 컨트롤러에 포함된 그것들에 비해 줄일 수 있는 효과가 있다.The capacitance of the unit capacitor implemented in the touch screen controller is larger than the capacitance of the minimum unit capacitor implemented in the conventional touch screen controller and the number of unit capacitors implemented in the touch screen controller is smaller than the minimum unit capacitor implemented in the conventional touch screen controller The touch screen controller can reduce the number of control signals for controlling the unit capacitors implemented therein and the number of switches related to the control signals compared to those included in the conventional touch screen controller It is effective.

본 발명의 상세한 설명에서 인용되는 도면을 보다 충분히 이해하기 위하여 각 도면의 상세한 설명이 제공된다.
도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 터치 스크린 컨트롤러를 포함하는 터치 스크린 시스템의 블록도를 나타낸다.
도 2는 도 1에 도시된 오프셋 제거 회로의 개략적인 블록도를 나타낸다.
도 3은 도 1에 도시된 오프셋 제거 회로의 구체적인 블록도를 나타낸다.
도 4는 도 3에 도시된 제2스위치드-커패시터 어레이에 포함된 스위치 제어 회로의 실시 예이다.
도 5는 도 3에 도시된 제1스위치드-커패시터 어레이에 포함된 스위치 제어 회로의 실시 예이다.
도 6은 본 발명의 실시 예를 설명하기 위한 적분 횟수에 대응되는 구동 신호들의 파형들을 나타낸다.
도 7은 터치 스크린 패널의 터치 센서의 오프셋 커패시턴스를 제거할 수 있는 본 발명의 실시 예에 따른 오프셋 제거 방법을 설명하기 위한 개념도이다.
도 8은 도 7에 도시된 오프셋 제거 방법을 실행할 수 있는 본 발명의 실시 예에 따른 오프셋 제거 회로의 실시 예이다.
도 9는 본 발명의 실시 예에 따른 오프셋 제거 회로에 포함된 커패시터 어레이 레이아웃의 실시 예이다.
도 10은 도 1에 도시된 터치 스크린 패널에 포함된 터치 센서들 각각의 오프셋을 제거하기 위한 디지털 코드들을 저장하는 테이블의 실시 예이다.
도 11은 도 1에 도시된 오프셋 제거 회로를 이용하여 터치를 처리하는 과정을 설명하는 개념도이다.
도 12는 도 1에 도시된 터치 스크린 컨트롤러를 포함하는 터치 스크린 시스템의 블록도를 나타낸다.
도 13은 본 발명의 실시 예에 따른 터치 스크린 컨트롤러의 작동 방법을 설명하기 위한 플로우 차트이다.
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS In order to more fully understand the drawings recited in the detailed description of the present invention, a detailed description of each drawing is provided.
1 is a block diagram of a touch screen system including a touch screen controller in accordance with an embodiment of the present invention.
Fig. 2 shows a schematic block diagram of the offset elimination circuit shown in Fig.
FIG. 3 shows a specific block diagram of the offset eliminating circuit shown in FIG.
4 is an embodiment of a switch control circuit included in the second switched-capacitor array shown in FIG.
5 is an embodiment of a switch control circuit included in the first switched-capacitor array shown in FIG.
6 shows waveforms of driving signals corresponding to integration times for explaining an embodiment of the present invention.
7 is a conceptual diagram for explaining an offset removing method according to an embodiment of the present invention capable of removing an offset capacitance of a touch sensor of a touch screen panel.
8 is an embodiment of an offset cancellation circuit according to an embodiment of the present invention which can perform the offset cancellation method shown in Fig.
Figure 9 is an embodiment of a capacitor array layout included in an offset cancellation circuit according to an embodiment of the present invention.
FIG. 10 is an example of a table storing digital codes for eliminating the offsets of the touch sensors included in the touch screen panel shown in FIG.
11 is a conceptual diagram illustrating a process of processing a touch using the offset elimination circuit shown in FIG.
FIG. 12 shows a block diagram of a touch screen system including the touch screen controller shown in FIG.
13 is a flowchart illustrating an operation method of a touch screen controller according to an embodiment of the present invention.

본 명세서에 개시되어 있는 본 발명의 개념에 따른 실시 예들에 대해서 특정한 구조적 또는 기능적 설명은 단지 본 발명의 개념에 따른 실시 예들을 설명하기 위한 목적으로 예시된 것으로서, 본 발명의 개념에 따른 실시 예들은 다양한 형태들로 실시될 수 있으며 본 명세서에 설명된 실시 예들에 한정되지 않는다.It is to be understood that the specific structural or functional description of embodiments of the present invention disclosed herein is for illustrative purposes only and is not intended to limit the scope of the inventive concept But may be embodied in many different forms and is not limited to the embodiments set forth herein.

본 발명의 개념에 따른 실시 예들은 다양한 변경들을 가할 수 있고 여러 가지 형태들을 가질 수 있으므로 실시 예들을 도면에 예시하고 본 명세서에서 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명의 개념에 따른 실시 예들을 특정한 개시 형태들에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물, 또는 대체물을 포함한다.The embodiments according to the concept of the present invention can make various changes and can take various forms, so that the embodiments are illustrated in the drawings and described in detail herein. It should be understood, however, that it is not intended to limit the embodiments according to the concepts of the present invention to the particular forms disclosed, but includes all modifications, equivalents, or alternatives falling within the spirit and scope of the invention.

제1 또는 제2 등의 용어는 다양한 구성 요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성 요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성 요소를 다른 구성 요소로부터 구별하는 목적으로만, 예컨대 본 발명의 개념에 따른 권리 범위로부터 벗어나지 않은 채, 제1구성 요소는 제2구성 요소로 명명될 수 있고 유사하게 제2구성 요소는 제1구성 요소로도 명명될 수 있다.The terms first, second, etc. may be used to describe various elements, but the elements should not be limited by the terms. The terms may be named for the purpose of distinguishing one element from another, for example, without departing from the scope of the right according to the concept of the present invention, the first element may be referred to as a second element, The component may also be referred to as a first component.

어떤 구성 요소가 다른 구성 요소에 "연결되어" 있다거나 "접속되어" 있다고 언급된 때에는, 그 다른 구성 요소에 직접적으로 연결되어 있거나 또는 접속되어 있을 수도 있지만, 중간에 다른 구성 요소가 존재할 수도 있다고 이해되어야 할 것이다. 반면에, 어떤 구성 요소가 다른 구성 요소에 "직접 연결되어" 있다거나 "직접 접속되어" 있다고 언급된 때에는 중간에 다른 구성 요소가 존재하지 않는 것으로 이해되어야 할 것이다. 구성 요소들 간의 관계를 설명하는 다른 표현들, 즉 "~사이에"와 "바로 ~사이에" 또는 "~에 이웃하는"과 "~에 직접 이웃하는" 등도 마찬가지로 해석되어야 한다.It is to be understood that when an element is referred to as being "connected" or "connected" to another element, it may be directly connected or connected to the other element, . On the other hand, when an element is referred to as being "directly connected" or "directly connected" to another element, it should be understood that there are no other elements in between. Other expressions that describe the relationship between components, such as "between" and "between" or "neighboring to" and "directly adjacent to" should be interpreted as well.

본 명세서에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시 예를 설명하기 위해 사용된 것으로서, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 명세서에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 본 명세서에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성 요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성 요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.The terminology used herein is for the purpose of describing particular embodiments only and is not intended to be limiting of the invention. The singular expressions include plural expressions unless the context clearly dictates otherwise. In this specification, the terms "comprises" or "having" and the like are used to specify that there are features, numbers, steps, operations, elements, parts or combinations thereof described herein, But do not preclude the presence or addition of one or more other features, integers, steps, operations, components, parts, or combinations thereof.

다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 나타낸다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥상 가지는 의미와 일치하는 의미를 갖는 것으로 해석되어야 하며, 본 명세서에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.Unless otherwise defined, all terms used herein, including technical or scientific terms, have the same meaning as commonly understood by one of ordinary skill in the art to which this invention belongs. Terms such as those defined in commonly used dictionaries are to be interpreted as having a meaning consistent with the meaning of the context in the relevant art and, unless explicitly defined herein, are to be interpreted as ideal or overly formal Do not.

이하, 본 명세서에 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 실시 예들을 상세히 설명한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings attached hereto.

도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 터치 스크린 컨트롤러를 포함하는 터치 스크린 시스템의 블록도를 나타낸다. 도 1을 참조하면, 터치 스크린 시스템(10)은 터치 스크린 패널(100)과 터치 스크린 컨트롤러(200)를 포함할 수 있다. 터치 스크린시스템(10)은 PC(personal computer) 또는 모바일 장치(mobile device)를 의미할 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다. 터치 스크린 패널(100)은 터치 스크린으로도 불릴 수 있다.1 is a block diagram of a touch screen system including a touch screen controller in accordance with an embodiment of the present invention. Referring to FIG. 1, the touch screen system 10 may include a touch screen panel 100 and a touch screen controller 200. The touch screen system 10 may refer to a personal computer (PC) or a mobile device, but is not limited thereto. The touch screen panel 100 may also be referred to as a touch screen.

상기 모바일 장치는 랩탑 컴퓨터(laptop computer), 이동 전화기, 스마트폰 (smart phone), 태블릿(tablet) PC, PDA(personal digital assistant), EDA (enterprise digital assistant), 디지털 스틸 카메라(digital still camera), 디지털 비디오 카메라(digital video camera), PMP(portable multimedia player), PND(personal navigation device 또는 portable navigation device), 휴대용 게임 콘솔(handheld game console), 모바일 인터넷 장치(mobile internet device(MID)), 웨어러블 컴퓨터, 사물 인터넷(internet of things(IoT)) 장치, 만물 인터넷 (internet of everything(IoE)) 장치, 드론(drone), 또는 e-북(e-book)으로 구현될 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.The mobile device may be a laptop computer, a mobile phone, a smart phone, a tablet PC, a personal digital assistant (PDA), an enterprise digital assistant (EDA), a digital still camera, A digital video camera, a portable multimedia player (PMP), a personal navigation device or a portable navigation device (PND), a handheld game console, a mobile internet device (MID) But is not limited to, an Internet of things (IoT) device, an internet of everything (IoE) device, a drone, or an e-book.

터치 스크린 패널(100)은 복수의 감지 요소들(sensing elements), 예컨대 정전용량식 터치 센서들(101)을 포함할 수 있다. 터치 스크린 컨트롤러(200)는 터치 스크린 패널(100)에 포함된 정전용량식 터치 센서들(101) 각각의 오프셋 커패시턴스를 제거할 수 있다. 오프셋 커패시턴스는 하나 또는 그 이상의 감지 요소들에 의해 생성된 커패시턴스를 의미할 수 있다.The touch screen panel 100 may include a plurality of sensing elements, such as capacitive touch sensors 101. The touch screen controller 200 may remove the offset capacitance of each of the capacitive touch sensors 101 included in the touch screen panel 100. Offset capacitance may refer to a capacitance created by one or more sensing elements.

비록, 도 1에는 상호 정전용량 감지 방식을 사용하는 정전용량식 터치 스크린 패널(100)이 예시적으로 도시되어 있으나, 본 발명의 기술적 사상에 따른 감지 요소(예컨대, 터치 센서)의 오프셋 커패시턴스를 제거하는 방법은 이에 한정되는 것은 아니다. 예컨대, 각 정전용량식 터치 센서(101)는 각 터치(또는 각 터치 이벤트(touch event))를 감지하는 각 감지 전극과, 각 구동 신호를 전송하는 각 구동 전극에 접속될 수 있다.Although the capacitive touch screen panel 100 using the mutual capacitance sensing method is illustrated in FIG. 1, the offset capacitance of the sensing element (for example, a touch sensor) according to the technical idea of the present invention is removed Is not limited thereto. For example, each capacitive touch sensor 101 may be connected to each sensing electrode for sensing each touch (or each touch event) and each driving electrode for transmitting each driving signal.

터치 스크린 컨트롤러(200)는 디스플레이 드라이버 IC와 별개의 IC로 구현될 수도 있다. 터치 스크린 컨트롤러(200)는 상기 디스플레이 드라이버 IC에 머지된 (merged) 형태로 구현될 수 있다. 예컨대, 터치 스크린 컨트롤러(200)의 기능을 수행할 수 있는 터치 스크린 컨트롤러 블록과 디스플레이 드라이버 IC의 기능을 수행할 수 있는 디스플레이 드라이버 블록은 하나의 반도체 칩으로 구현될 수 있다.The touch screen controller 200 may be implemented as a separate IC from the display driver IC. The touch screen controller 200 may be implemented in a form merged with the display driver IC. For example, the touch screen controller block capable of performing the functions of the touch screen controller 200 and the display driver block capable of performing the functions of the display driver IC may be implemented as one semiconductor chip.

터치 스크린 컨트롤러(200)는 복수의 오프셋 제거 회로들(210-1~210-n; n은 4 이상의 자연수), 선택 회로(230), 아날로그-디지털 변환기(analog-to-digital converter(ADC); 235), 컨트롤 로직 회로(240), 및 메모리 장치(250)를 포함할 수 있다. 터치 스크린 컨트롤러(200)는 드라이버 블록(260)을 더 포함할 수 있다.The touch screen controller 200 includes a plurality of offset elimination circuits 210-1 to 210-n (n is a natural number of 4 or more), a selection circuit 230, an analog-to-digital converter (ADC) 235, a control logic circuit 240, and a memory device 250. The touch screen controller 200 may further include a driver block 260.

복수의 오프셋 제거 회로들(210-1~210-n) 각각의 구조와 작동은 동일 또는 유사하므로, 본 명세서에서는 제1오프셋 제거 회로(210-1)의 구조와 작동이 대표적으로 설명된다. 오프셋 제거시간은 교정(calibration) 단계에서 정전용량식 터치 센서(101)의 오프셋 커패시턴스를 제거하는 시간 또는 사용자의 터치를 처리하기 위해 정전용량식 터치 센서(101)의 오프셋 커패시턴스를 제거하는 시간을 의미할 수 있다.Since the structure and operation of each of the plurality of offset elimination circuits 210-1 to 210-n are the same or similar to each other, the structure and operation of the first offset elimination circuit 210-1 will be exemplarily described herein. The offset removal time means a time for removing the offset capacitance of the capacitive touch sensor 101 in the calibration step or a time for removing the offset capacitance of the capacitive touch sensor 101 for processing the touch of the user can do.

제1오프셋 제거시간 동안, 드라이버 블록(260)에 포함된 제1드라이버(261)가 제1구동 신호(TX1)를 제1구동 전극으로 구동하면, 제1구동 신호(TX1)를 전송하는 상기 제1구동 전극에 접속된 정전용량식 터치 센서들(101) 각각의 오프셋 커패시턴스는 감지 전극들 각각을 통해 복수의 오프셋 제거 회로들(210-1~210-n) 각각으로 공급될 수 있다. 복수의 오프셋 제거 회로들(210-1~210-n) 각각은 제1컬럼에 배치된 정전용량식 터치 센서들(101) 각각의 오프셋 커패시턴스를 본 발명의 실시 예에 따른 방법으로 제거하거나 제거할 수 있는 각 디지털 코드(CODE1~CODEn)를 생성할 수 있다.When the first driver 261 included in the driver block 260 drives the first driving signal TX1 as the first driving electrode during the first offset canceling time, The offset capacitance of each of the capacitive touch sensors 101 connected to the one drive electrode may be supplied to each of the plurality of offset elimination circuits 210-1 through 210-n through each of the sense electrodes. Each of the plurality of offset elimination circuits 210-1 to 210-n may be configured to remove or remove the offset capacitance of each of the capacitive touch sensors 101 disposed in the first column in a method according to an embodiment of the present invention It is possible to generate each digital code CODE1 to CODEn.

제2오프셋 제거시간 동안, 드라이버 블록(260)에 포함된 제2드라이버가 제2구동 신호(TX2)를 제2구동 전극으로 구동하면, 제2구동 신호(TX2)를 전송하는 상기 제2구동 전극에 접속된 정전용량식 터치 센서들 각각의 오프셋 커패시턴스는 감지 전극들 각각을 통해 복수의 오프셋 제거 회로들(210-1~210-n) 각각으로 공급될 수 있다. 복수의 오프셋 제거 회로들(210-1~210-n) 각각은 제2컬럼에 배치된 정전용량식 터치 센서들 각각의 오프셋 커패시턴스를 본 발명의 실시 예에 따른 방법으로 제거하거나 제거할 수 있는 각 디지털 코드(CODE1~CODEn)를 생성할 수 있다.During the second offset removal time, if the second driver included in the driver block 260 drives the second driving signal TX2 to the second driving electrode, the second driving signal TX2, which transmits the second driving signal TX2, The offset capacitance of each of the capacitive touch sensors connected to the offset canceling circuits 210-1 to 210-n may be supplied to each of the plurality of offset eliminating circuits 210-1 to 210-n through the sense electrodes. Each of the plurality of offset cancellation circuits 210-1 to 210-n may be configured to receive the offset capacitance of each of the capacitive touch sensors disposed in the second column, Digital codes CODE1 to CODEn can be generated.

제3오프셋 제거시간 동안, 드라이버 블록(260)에 포함된 제3드라이버가 제3구동 신호(TX3)를 제3구동 전극으로 구동하면, 제3구동 신호(TX3)를 전송하는 상기 제3구동 전극에 접속된 정전용량식 터치 센서들 각각의 오프셋 커패시턴스는 감지 전극들 각각을 통해 복수의 오프셋 제거 회로들(210-1~210-n) 각각으로 공급될 수 있다. 복수의 오프셋 제거 회로들(210-1~210-n) 각각은 제3컬럼에 배치된 정전용량식 터치 센서들 각각의 오프셋 커패시턴스를 본 발명의 실시 예에 따른 방법으로 제거하거나 제거할 수 있는 각 디지털 코드(CODE1~CODEn)를 생성할 수 있다.If the third driver included in the driver block 260 drives the third driving signal TX3 to the third driving electrode during the third offset canceling time, the third driving signal TX3, which transmits the third driving signal TX3, The offset capacitance of each of the capacitive touch sensors connected to the offset canceling circuits 210-1 to 210-n may be supplied to each of the plurality of offset eliminating circuits 210-1 to 210-n through the sense electrodes. Each of the plurality of offset elimination circuits 210-1 to 210-n is connected to a respective one of the plurality of offset elimination circuits 210-1 to 210-n so that the offset capacitance of each of the capacitive touch sensors disposed in the third column can be removed or removed by the method according to the embodiment of the present invention. Digital codes CODE1 to CODEn can be generated.

제m오프셋 제거시간 동안, 드라이버 블록(260)에 포함된 제m드라이버가 제m구동 신호(TXm, m은 4 이상의 자연수)를 제m구동 전극으로 구동하면, 제m구동 신호 (TXm)를 전송하는 상기 제m구동 전극에 접속된 정전용량식 터치 센서들 각각의 오프셋 커패시턴스는 감지 전극들 각각을 통해 복수의 오프셋 제거 회로들(210-1~210-n) 각각으로 공급될 수 있다. 복수의 오프셋 제거 회로들(210-1~210-n) 각각은 제m컬럼에 배치된 정전용량식 터치 센서들 각각의 오프셋 커패시턴스를 본 발명의 실시 예에 따른 방법으로 제거하거나 제거할 수 있는 각 디지털 코드 (CODE1~CODEn)를 생성할 수 있다.When the m-th driver included in the driver block 260 drives the m-th driving signal (TXm, m is a natural number of 4 or more) to the m-th driving electrode during the m-th offset eliminating time, The offset capacitance of each capacitive touch sensor connected to the mth driving electrode may be supplied to each of the plurality of offset eliminating circuits 210-1 through 210-n through each of the sensing electrodes. Each of the plurality of offset elimination circuits 210-1 to 210-n may include an offset canceling circuit 210-1 to 210-n that can remove or remove the offset capacitance of each of the capacitive touch sensors disposed in the m-th column in the method according to the embodiment of the present invention. Digital codes CODE1 to CODEn can be generated.

각 오프셋 제거시간은 서로 중첩되지 않을 수 있다. 각 오프셋 제거시간 동안, 각 구동 신호(TX1~TXm)는 각 오프셋 제거 회로(210-1~210-n)에 포함된 적분기의 적분 횟수만큼 토글링(toggling)할 수 있다.The offset elimination times may not overlap with each other. During each offset removal time, each of the driving signals TX1 to TXm can be toggled by the integral number of the integrator included in each of the offset elimination circuits 210-1 to 210-n.

해당 오프셋 제거시간 동안, 오프셋 제거 회로들(210-1~210-n) 중에서 어느 하나는, 정전용량식 터치 센서들(101) 중에서 어느 하나의 오프셋 커패시턴스를 제거하기 위해, 상기 어느 하나에 포함된 스위치드-커패시터 디지털-아날로그 변환기 (digital-to-analog converter(DAC))를 이용하여 시불변(time-invariant) 디지털 코드와 시변(time-variant) 디지털 코드를 상기 오프셋 커패시턴스에 상응하는 전기적인 전하들(electric charges)의 양(amount)로 변환할 수 있다.During the offset removal time period, any one of the offset elimination circuits 210-1 to 210-n may be configured to remove any one of the capacitance capacitive touch sensors 101, Time-invariant digital code and time-variant digital code using a switched-capacitor digital-to-analog converter (DAC) to generate electrical charges corresponding to the offset capacitance to the amount of electric charges.

선택 회로(230)는, 선택 신호들(SEL)에 응답하여, 오프셋 제거 회로들(210-1~210-n)의 출력 신호들(OUT1~OUTn) 중에서 어느 하나를 ADC(235)로 출력할 수 있다. 예컨대, 선택 회로(230)는 멀티플렉서(multiplexer)로 구현될 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다. 즉, 선택 회로(230)는, 선택 신호들(SEL)에 응답하여, 오프셋 제거 회로들(210-1~210-n)의 출력 신호들(OUT1~OUTn) 각각의 출력 타이밍을 제어할 수 있다.The selection circuit 230 outputs one of the output signals OUT1 to OUTn of the offset elimination circuits 210-1 to 210-n to the ADC 235 in response to the selection signals SEL . For example, the selection circuit 230 may be implemented with a multiplexer, but is not limited thereto. That is, the selection circuit 230 can control the output timing of each of the output signals OUT1 to OUTn of the offset eliminating circuits 210-1 to 210-n in response to the selection signals SEL .

ADC(235)는 선택 회로(230)로부터 출력된 각 출력 신호(OUT1~OUTn)를 각 출력 디지털 신호들(OCODE)로 변환할 수 있다. 출력 디지털 신호들(OCODE)은 출력 디지털 코드를 의미할 수 있다.The ADC 235 can convert the output signals OUT1 to OUTn output from the selection circuit 230 into respective output digital signals OCODE. The output digital signals (OCODE) may refer to an output digital code.

컨트롤 로직 회로(240)는 각 디지털 코드(CODE1~CODEn)를 생성할 수 있는 코드 생성기의 기능을 포함할 수 있다. 교정 작동(calibration operation) 동안, 컨트롤 로직 회로(240)는, 기준 디지털 신호들(RCODE)과 출력 디지털 신호들(OCODE)이 동일해질 때까지, 각 디지털 코드(CODE1~CODEn)를 변경할 수 있다. 각 디지털 코드(CODE1~CODEn)는 각 시불변 디지털 코드와 각 시변 디지털 코드를 포함할 수 있다.The control logic circuit 240 may include the function of a code generator capable of generating each of the digital codes CODE1 to CODEn. During a calibration operation, the control logic circuit 240 may change each of the digital codes CODE1 to CODEn until the reference digital signals RCODE and the output digital signals OCODE become equal. Each digital code CODE1 to CODEn may include a time-invariant digital code and a time-varying digital code.

기준 디지털 신호들(RCODE)은 기준 디지털 코드를 의미할 수 있다. 예컨대, 기준 디지털 코드(RCODE)의 값은 출력 디지털 코드(OCODE)의 값의 절반에 해당할 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다. 예컨대, 출력 디지털 코드(OCODE)가 십진수 2047에 해당하는 이진수로 표현될 때, 기준 디지털 코드(RCODE)는 십진수 1023에 해당하는 이진수로 표현될 수 있다.The reference digital signals RCODE may refer to a reference digital code. For example, the value of the reference digital code RCODE may correspond to half the value of the output digital code OCODE, but is not limited thereto. For example, when the output digital code (OCODE) is represented by a binary number corresponding to a decimal number 2047, the reference digital code (RCODE) can be represented by a binary number corresponding to a decimal number 1023.

컨트롤 로직 회로(240)는 선택 신호들(SEL)을 생성할 수 있고, 드라이버 블록(260)을 제어할 수 있다. 컨트롤 로직 회로(240)는 각 구동 신호(TX1~TXm)의 생성 타이밍과 토글링 횟수를 제어할 수 있다. 컨트롤 로직 회로(240)는 각 오프셋 제거 회로(210-1~210-n)에 구현된 적분기의 작동과 적분 횟수를 제어할 수 있다. 상기 적분 횟수는 외부로부터 프로그램가능하다.Control logic circuit 240 may generate selection signals SEL and control driver block 260. [ The control logic circuit 240 can control the generation timing of the driving signals TX1 to TXm and the number of times of toggling. The control logic circuit 240 may control the operation of the integrator implemented in each of the offset eliminating circuits 210-1 to 210-n and the number of integrations. The integral number is programmable from the outside.

교정 작동 동안, 컨트롤 로직 회로(240)는 기준 디지털 코드(RCODE)와 출력 디지털 코드(OCODE)가 동일해할 때에 결정된 각 디지털 코드(CODE1~CODEn)를 각 오프셋 제거 회로(210-1~210-n)로 출력하거나 메모리 장치(250)에 저장할 수 있다. 예컨대, 메모리 장치(250)는 SRAM(static random access memory)로 구현될 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.During the calibration operation, the control logic circuit 240 outputs each of the digital codes CODE1 to CODEn determined when the reference digital code RCODE and the output digital code OCODE are equal to each offset eliminating circuit 210-1 to 210- n, or may be stored in the memory device 250. For example, the memory device 250 may be implemented as a static random access memory (SRAM), but is not limited thereto.

교정 작동 동안, 컨트롤 로직 회로(240)는 컬럼마다 배치된 정전용량식 터치 센서들(101) 각각의 오프셋 커패시턴스를 제거하기 위한 각 디지털 코드 (CODE1~CODEn)를 생성하고 각 디지털 코드(CODE1~CODEn)를 테이블(255) 형태로 메모리 장치(250)에 저장할 수 있다. 테이블(255)에 대한 구체적인 실시 예는 도 10을 참조하여 설명될 것이다.During the calibration operation, the control logic circuit 240 generates respective digital codes CODE1 to CODEn for eliminating the offset capacitance of each of the capacitive touch sensors 101 arranged for each column, and generates digital codes CODE1 to CODEn ) May be stored in the memory device 250 in the form of a table 255. A specific embodiment of the table 255 will be described with reference to FIG.

예컨대, 교정 작동 동안 또는 교정 작동이 완료된 후, 컨트롤 로직 회로 (240)는 터치 스크린 패널(100)에 포함된 정전용량식 터치 센서들(101) 각각의 오프셋 커패시턴스를 제거하기 위한 각 디지털 코드(CODE1~CODEn)를 터치 스크린 컨트롤러(200)의 외부에 배치된 불휘발성 메모리 장치, 예컨대 플래시-기반 메모리 장치에 저장할 수 있다. 예컨대, 플래시-기반 메모리 장치는 NAND-타입 플래시 메모리 장치 또는 NOR-타입 플래시 메모리 장치일 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.For example, during a calibration operation or after a calibration operation is complete, the control logic circuit 240 generates a digital code (CODE1) for removing the offset capacitance of each of the capacitive touch sensors 101 included in the touch screen panel 100, CODEN) may be stored in a non-volatile memory device, such as a flash-based memory device, disposed outside the touch screen controller 200. For example, the flash-based memory device may be a NAND-type flash memory device or a NOR-type flash memory device, but is not limited thereto.

교정 작동이 완료된 후(또는 터치 스크린 컨트롤러(200)가 판매된 후), 터치 스크린 시스템(10)에 포함된 터치 스크린 컨트롤러(200)가 부트(boot)될 때, 터치 스크린 컨트롤러(200)의 컨트롤 로직 회로(240)는 상기 불휘발성 메모리 장치에 저장된 각 디지털 코드(CODE1~CODEn)를 메모리 장치(250)로 로드(load)할 수 있다.When the touch screen controller 200 included in the touch screen system 10 is booted after the calibration operation is completed (or after the touch screen controller 200 is sold), the control of the touch screen controller 200 The logic circuit 240 may load each of the digital codes CODE1 to CODEn stored in the nonvolatile memory device into the memory device 250. [

교정 작동이 완료된 후 터치 스크린 패널(100)과 터치 스크린 컨트롤러(200)를 포함하는 터치 스크린 시스템(10)을 이용하여 사용자의 터치 또는 터치 이벤트를 감지할 때, 각 오프셋 제거 회로(210-1~210-n)는 상기 불휘발성 메모리 장치로부터 메모리 장치(250)로 로드된 각 디지털 코드(CODE1~CODEn)를 이용하여 터치 스크린 패널(100)에 포함된 정전용량식 터치 센서들(101) 각각의 오프셋 커패시턴스를 제거할 수 있다.When the user touches or touches the touch screen system 10 including the touch screen panel 100 and the touch screen controller 200 after the calibration operation is completed, 210-n are connected to each of the capacitive touch sensors 101 included in the touch screen panel 100 using the digital codes CODE1 to CODEn loaded from the nonvolatile memory device to the memory device 250 Offset capacitance can be eliminated.

비록, 도 1에서는 드라이버 블록(260)이 각 오프셋 제거 회로(210-1~210-n)로 구동 신호(TXi, i는 자연수, 1≤i≤m)를 공급하는 실시 예가 도시되어 있으나 이에 한정되는 것은 아니다. 실시 예에 따라, 컨트롤 로직 회로(240)는 구동 신호 (TXi) 또는 구동 신호(TXi)에 해당하는 정보를 각 오프셋 제거 회로(210-1~210-n)로 공급할 수도 있다.Although an embodiment in which the driver block 260 supplies the driving signals TXi (i is a natural number, 1? I? M) to the offset eliminating circuits 210-1 to 210-n is shown in FIG. 1, It is not. The control logic circuit 240 may supply information corresponding to the driving signal TXi or the driving signal TXi to the respective offset elimination circuits 210-1 to 210-n.

도 2는 도 1에 도시된 오프셋 제거 회로의 개략적인 블록도를 나타낸다. 각 오프셋 제거 회로(210-1~210-n)의 구조와 작동은 동일 또는 유사하므로, 제1오프셋 제거 회로(210-1)가 대표적으로 도시된다.Fig. 2 shows a schematic block diagram of the offset elimination circuit shown in Fig. Since the structures and operations of the offset elimination circuits 210-1 to 210-n are the same or similar, the first offset elimination circuit 210-1 is representatively shown.

제1오프셋 제거 회로(210-1)는 입력 패드(또는 입력 노드; 201)를 통해 터치 스크린 패널(100)의 제1로우(row)에 배치된 각 정전용량식 터치 센서(101)의 오프셋 커패시턴스(또는 상기 오프셋 커패시턴스에 상응하는 신호)를 서로 다른 시점(또는, 서로 다른 오프셋 제거시간 동안)에서 수신할 수 있다.The first offset elimination circuit 210-1 receives the offset capacitance of each capacitive touch sensor 101 disposed at the first row of the touch screen panel 100 through the input pad 201 (Or a signal corresponding to the offset capacitance) at different points in time (or during different offset removal times).

노드(203)는 가산 회로(또는 가산기) 또는 감산 회로(또는 감산기)의 기능을 수행할 수 있다. 예컨대, 스위치드-커패시터 DAC(216)의 관점에서 볼 때, 노드 (203)는 시불변 디지털 코드(CCODE1)에 해당하는 제1전기적인 전하들의 양과 시변 디지털 코드(TCODE1)에 해당하는 제2전기적인 전하들의 양을 합산하는 합산 회로(또는 합산 노드)의 기능을 수행할 수 있다. 그러나 오프셋 커패시턴스의 제거 관점에서 볼 때, 노드(203)는 상기 오프셋 커패시턴스로부터 제1전기적인 전하들의 양과 상기 제2전기적인 전하들의 양의 합을 감산하는 감산 회로(또는 감산 노드)의 기능을 수행할 수 있다.The node 203 can perform the function of an adding circuit (or an adder) or a subtracting circuit (or a subtracter). For example, from the point of view of the switched-capacitor DAC 216, the node 203 receives the first electrical charges corresponding to the time-invariant digital code CCODE1 and the second electrical data corresponding to the time-varying digital code TCODE1 (Or a summing node) that sums the amounts of charges. However, in view of the elimination of the offset capacitance, the node 203 functions as a subtracting circuit (or subtracting node) for subtracting the sum of the amounts of the first electrical charges and the second electrical charges from the offset capacitance can do.

제1오프셋 제거 회로(210-1)는 터치 스크린 패널(100)의 감지 전극에 접속될 수 있는 입력 패드(201), 노드(203), 버퍼(213), 적분기(215), 및 스위치드-커패시터 DAC(216)를 포함할 수 있다.The first offset elimination circuit 210-1 includes an input pad 201 which can be connected to the sensing electrode of the touch screen panel 100, a node 203, a buffer 213, an integrator 215, and a switched- DAC < / RTI >

버퍼(213)는 노드(203)의 커패시턴스(또는 노드(203)에 의해 생성된 커패시턴스)를 전압(또는 전압 신호)으로 변환하는 커패시턴스-전압 변환기의 기능을 수행할 수 있다. 적분기(215)는 버퍼(213)로부터 출력된 전압을 적분(또는 누적)할 수 있다. 예컨대, 적분기(215)는, 컨트롤 로직 회로(240)의 제어에 따라, 적어도 두 번 이상 적분 작동들을 수행할 수 있다. 예컨대, 컨트롤 로직 회로(240)는 적분기(215)의 적분 횟수를 제어할 수 있다.The buffer 213 may perform the function of a capacitance-to-voltage converter that converts the capacitance of the node 203 (or the capacitance produced by the node 203) to a voltage (or voltage signal). The integrator 215 can integrate (or accumulate) the voltage output from the buffer 213. [ For example, the integrator 215 may perform integration operations at least two or more times under the control of the control logic circuit 240. For example, the control logic circuit 240 may control the number of integrations of the integrator 215.

스위치드-커패시터 DAC(216)는 시불변 디지털 코드(CCODE1)와 시변 디지털 코드(TCODE1)를 전기적인 전하들의 양으로 변환할 수 있다. 상기 전기적인 전하들의 양은 제1부분과 제2부분을 포함하고, 상기 제1부분은 상기 제2부분보다 클 수 있다.The switched-capacitor DAC 216 can convert the time constant digital code (CCODE1) and the time-varying digital code (TCODE1) into the amount of electrical charges. The amount of electrical charges may include a first portion and a second portion, wherein the first portion may be larger than the second portion.

예컨대, 스위치드-커패시터 DAC(216)는 시불변 디지털 코드(CCODE1)를 상기 제1부분(예컨대, 제1전기적인 전하들의 양)으로 변환하는 제1스위치드-커패시터 어레이(219)와, 시변 디지털 코드(TCODE1)를 상기 제2부분(예컨대, 제2전기적인 전하들의 양)으로 변환하는 제2스위치드-커패시터 어레이(217)을 포함할 수 있다. 스위치드-커패시터 DAC(216)은 스위치드-커패시터 어레이를 의미할 수 있다.For example, the switched-capacitor DAC 216 includes a first switched-capacitor array 219 for converting a time-invariant digital code CCODE1 into the first portion (e.g., the amount of first electrical charges) And a second switched-capacitor array 217 that converts the second portion TCODE1 to the second portion (e.g., the amount of second electrical charges). The switched-capacitor DAC 216 may refer to a switched-capacitor array.

제어 로직 회로(240)는 오프셋 커패시턴스에 해당하는 비트들 중에서 MSB (most significant bit)를 포함하는 제1부분(예컨대, 제1스위치드-커패시터 어레이(219)에 해당하는 부분)을 제어하는 시불변 디지털 코드(CCODE1)와 상기 비트들 중에서 LSB(least significant bit)를 포함하는 제2부분(예컨대, 제2스위치드-커패시터 어레이(217)에 해당하는 부분)을 제어하는 시변 디지털 코드(TCODE1)를 생성할 수 있다.The control logic circuit 240 includes a time constant digital circuit (not shown) that controls a first portion (e.g., a portion corresponding to the first switched-capacitor array 219) including the most significant bit (MSB) among the bits corresponding to the offset capacitance A time-varying digital code TCODE1 for controlling a second portion (e.g., a portion corresponding to the second switched-capacitor array 217) including a code CCODE1 and a least significant bit (LSB) among the bits .

시불변 디지털 코드(CCODE1)는 오프셋 제거 시간과 무관하게 오프셋 커패시턴스의 제1부분을 항상 제거하기 위해 사용될 수 있다. 시변 디지털 코드(TCODE1)는 상기 오프셋 제거 시간과 연관되어 상기 오프셋 커패시턴스의 나머지 제2부분을 제거하는 디지털 신호(예컨대, 로직 1과 로직 0 중에서 어느 하나)를 포함하거나 상기 나머지 제2부분을 제거하지 않는 디지털 신호(예컨대, 로직 1과 로직 0 중에서 다른 하나)를 포함할 수 있다. 예컨대, 시불변 디지털 코드(CCODE1)는 병렬 디지털 신호들일 수 있고, 시변 디지털 코드(TCODE1)는 직렬 디지털 신호(들)일 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.The time invariant digital code (CCODE1) can be used to always remove the first portion of the offset capacitance regardless of the offset removal time. The time-varying digital code TCODE1 includes a digital signal (e.g., either logic 1 or logic 0) that removes the remaining second portion of the offset capacitance in association with the offset removal time, or removes the remaining second portion (E.g., the other of logic 1 and logic 0). For example, the time invariant digital code CCODE1 may be a parallel digital signal, and the time varying digital code TCODE1 may be a serial digital signal (s), but is not limited thereto.

제1스위치드-커패시터 어레이(219)가, 시불변 디지털 코드(CCODE1)에 응답하여, 제1기준 전압(VREF1)을 전송하는 제1전송 라인에 접속되면 제1스위치드-커패시터 어레이(219)는 충전 작동(예컨대, 제1전기적인 전하들의 양을 증가시키는 작동)을 할 수 있다. 제1스위치드-커패시터 어레이(219)가, 시불변 디지털 코드 (CCODE1)에 응답하여, 제2기준 전압(VREF2)을 전송하는 제2전송 라인에 접속되면 제1스위치드-커패시터 어레이(219)는 방전 작동(예컨대, 제1전기적인 전하들의 양을 감소시키는 작동)을 할 수 있다. 제1스위치드-커패시터 어레이(219)는 상술한 작동과 반대 작동을 수행할 수도 있다.Capacitor array 219 is connected to a first transmission line that transmits a first reference voltage VREF1 in response to a time invariant digital code CCODE1, the first switched- (E. G., An operation that increases the amount of the first electrical charges). When the first switched-capacitor array 219 is connected to the second transmission line transmitting the second reference voltage VREF2 in response to the time constant digital code CCODE1, the first switched- (E. G., An operation that reduces the amount of the first electrical charges). The first switched-capacitor array 219 may perform an operation opposite to that described above.

제2스위치드-커패시터 어레이(217)가, 시변 디지털 코드(TCODE1)에 응답하여, 제1기준 전압(VREF1)을 전송하는 제1전송 라인에 접속되면 제2스위치드-커패시터 어레이(217)는 충전 작동(예컨대, 제2전기적인 전하들의 양을 증가시키는 작동)을 할 수 있다. 제2스위치드-커패시터 어레이(217)가, 시변 디지털 코드(TCODE1)에 응답하여, 제2기준 전압(VREF2)을 전송하는 제2전송 라인에 접속되면 제2스위치드-커패시터 어레이(217)는 방전 작동(예컨대, 제2전기적인 전하들의 양을 감소시키는 작동)을 할 수 있다. 제2스위치드-커패시터 어레이(217)는 상술한 작동과 반대 작동을 수행할 수도 있다.Capacitor array 217 is connected to the first transmission line that transmits the first reference voltage VREF1 in response to the time-varying digital code TCODE1, the second switched- (E. G., An operation that increases the amount of the second electrical charges). When the second switched-capacitor array 217 is connected to the second transmission line transmitting the second reference voltage VREF2 in response to the time-varying digital code TCODE1, the second switched- (E. G., An operation that reduces the amount of the second electrical charges). The second switched-capacitor array 217 may perform an operation opposite to that described above.

예컨대, 제1기준 전압(VREF1)은 제2기준 전압(VREF2)보다 높을 수 있다. 예컨대, 제2기준 전압(VREF2)은 접지 전압일 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.For example, the first reference voltage VREF1 may be higher than the second reference voltage VREF2. For example, the second reference voltage VREF2 may be a ground voltage, but is not limited thereto.

비록, 도 2에서는 제1스위치드-커패시터 어레이(219)가 시불변 디지털 코드 (CCODE1)에 응답하여 작동하고, 제2스위치드-커패시터 어레이(217)가 시변 디지털 코드(TCODE1)에 응답하여 작동하는 것으로 도시되어 있으나, 제1스위치드-커패시터 어레이(219)는 시불변 디지털 코드(CCODE1)와 제1제어 신호(예컨대, 도 3의 경우에는 TXi)의 조합에 응답하여 작동할 수 있고 제2스위치드-커패시터 어레이(217)는 시변 디지털 코드(TCODE1)와 제2제어 신호(예컨대, 도 3의 경우에는 TXi)에 응답하여 작동할 수 있다. 예컨대, 상기 제1제어 신호와 상기 제2제어 신호는 동일하거나 서로 다를 수 있다.Although the first switched-capacitor array 219 operates in response to the time constant digital code CCODE1 and the second switched-capacitor array 217 operates in response to the time-varying digital code TCODE1 The first switched-capacitor array 219 may operate in response to a combination of a time invariant digital code CCODE1 and a first control signal (e.g., TXi in the case of FIG. 3) and a second switched- The array 217 may operate in response to a time-varying digital code TCODE1 and a second control signal (e.g., TXi in the case of FIG. 3). For example, the first control signal and the second control signal may be the same or different from each other.

도 3은 도 1에 도시된 오프셋 제거 회로의 구체적인 블록도를 나타낸다. 도 2와 도 3을 참조하면, 제1스위치드-커패시터 어레이(219)는 복수의 커패시터들 (219-1~219-(k-1), k는 5 이상의 자연수)과 스위치 제어 회로들(221-1~221-(k-1))을 포함할 수 있다.FIG. 3 shows a specific block diagram of the offset eliminating circuit shown in FIG. 2 and 3, the first switched-capacitor array 219 includes a plurality of capacitors 219-1 to 219- (k-1), k is a natural number of 5 or more, and switch control circuits 221- 1 to 221- (k-1).

하나의 스위치드-커패시터는 하나의 커패시터와 하나의 스위치 제어 회로를 포함할 수 있다. 예컨대, 각 스위치드-커패시터는 각 커패시터(219-1~219-(k-1))와 각 스위치 제어 회로(221-1~221-(k-1))를 포함할 수 있다. 각 스위치 제어 회로 (221-1~221-(k-1))는, 시불변 디지털 코드(CCODE1[k-1:0])에 포함된 k-비트들 중에서 대응되는 비트와 구동 신호(TXi)에 응답하여, 제1기준 전압(VREF1)을 전송하는 제1전송 라인과 제2기준 전압(VREF2)을 전송하는 제2전송 라인 중에서 어느 하나에 접속될 수 있다. 각 커패시터(219-1~219-(k-1))의 커패시턴스는 도 3에 도시된 바와 같이 웨이트된 값(weighted value)일 수 있다.One switched-capacitor may include one capacitor and one switch control circuit. For example, each switched-capacitor may include respective capacitors 219-1 to 219- (k-1) and respective switch control circuits 221-1 to 221- (k-1). Each of the switch control circuits 221-1 to 221- (k-1) receives the corresponding bit among the k-bits included in the time invariant digital code (CCODE1 [k-1: 0] A first transmission line for transmitting the first reference voltage VREF1 and a second transmission line for transmitting the second reference voltage VREF2 in response to the control signal. The capacitance of each capacitor 219-1 through 219- (k-1) may be a weighted value as shown in FIG.

제2스위치드-커패시터 어레이(217)는 커패시터(217-1)와 스위치 제어 회로 (2217-3)을 포함할 수 있다. 예컨대, 커패시터(217-1)의 커패시턴스(Co)와 커패시터(219-1)의 커패시턴스(C)는 선형성(linearity) 보장을 위해 서로 동일할 수 있으나 서로 다르게 설계될 수도 있다.The second switched-capacitor array 217 may include a capacitor 217-1 and a switch control circuit 2217-3. For example, the capacitance Co of the capacitor 217-1 and the capacitance C of the capacitor 219-1 may be identical to each other to ensure linearity, but they may be designed differently.

스위치드-커패시터는 커패시터(217-1)와 스위치 제어 회로(217-3)를 포함할 수 있다. 스위치 제어 회로(217-3)는, 구동 신호(TXi)와 시변 디지털 코드(TCODE1)에 포함되고 시간에 따라 변하는 디지털 신호에 응답하여, 제1기준 전압(VREF1)을 전송하는 제1전송 라인과 제2기준 전압(VREF2)을 전송하는 제2전송 라인 중에서 어느 하나에 접속될 수 있다. 예컨대, 시변 디지털 코드(TCODE1)는 커패시터(217-1)와 제1기준 전압(VREF1)을 전송하는 제1전송 라인 사이의 접속 횟수를 대한 정보를 포함할 수 있다.The switched-capacitor may include a capacitor 217-1 and a switch control circuit 217-3. The switch control circuit 217-3 includes a first transmission line for transmitting the first reference voltage VREF1 and a second transmission line for transmitting the first reference voltage VREF1 in response to a digital signal included in the driving signal TXi and the time-varying digital code TCODE1, And a second transmission line for transmitting the second reference voltage VREF2. For example, the time-varying digital code TCODE1 may include information on the number of connections between the capacitor 217-1 and the first transmission line that transmits the first reference voltage VREF1.

도 4는 도 3에 도시된 제2스위치드-커패시터 어레이에 포함된 스위치 제어 회로의 실시 예이다. 도 3과 도 4를 참조하면, 스위치 회로(217-3)는 마스크 회로 (217-5)를 포함할 수 있다. 예컨대, 마스크 회로(217-5)는 시변 디지털 코드 (TCODE1)에 기초하여 구동 신호(TXi)의 전송을 제어할 수 있다. 예컨대, 마스크 회로(217-5)는 AND 게이트로 구현될 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다. 스위치 (SW1)는, 스위치 회로(217-3)의 출력 신호에 응답하여, 커패시터(217-1)를 제1기준 전압(VREF1)을 전송하는 제1전송 라인과 제2기준 전압(VREF2)을 전송하는 제2전송 라인 중에서 어느 하나에 접속시킬 수 있다.4 is an embodiment of a switch control circuit included in the second switched-capacitor array shown in FIG. Referring to Figs. 3 and 4, the switch circuit 217-3 may include a mask circuit 217-5. For example, the mask circuit 217-5 can control the transmission of the driving signal TXi based on the time-varying digital code TCODE1. For example, the mask circuit 217-5 may be implemented with an AND gate, but is not limited thereto. In response to the output signal of the switch circuit 217-3, the switch SW1 connects the capacitor 217-1 with the first transmission line for transmitting the first reference voltage VREF1 and the second reference voltage VREF2 The first transmission line and the second transmission line.

도 5는 도 3에 도시된 제1스위치드-커패시터 어레이에 포함된 스위치 제어 회로의 실시 예이다. 도 3과 도 5를 참조하면, 스위치 회로(221-1)는 마스크 회로 (223-1)를 포함할 수 있다. 예컨대, 마스크 회로(223-1)는 시불변 디지털 코드 (CCODE1[k-1:0])에 포함된 k-비트들 중에서 LSB(CCODE1[0])에 기초하여 구동 신호 (TXi)의 전송을 제어할 수 있다. 예컨대, 마스크 회로(223-1)는 AND 게이트로 구현될 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다. 스위치(SW2)는, 스위치 회로(221-1)의 출력 신호에 응답하여, 커패시터(219-1)를 제1기준 전압(VREF1)을 전송하는 제1전송 라인과 제2기준 전압(VREF2)을 전송하는 제2전송 라인 중에서 어느 하나에 접속시킬 수 있다.5 is an embodiment of a switch control circuit included in the first switched-capacitor array shown in FIG. Referring to FIGS. 3 and 5, the switch circuit 221-1 may include a mask circuit 223-1. For example, the mask circuit 223-1 may transmit the drive signal TXi based on the LSB (CCODE1 [0]) among the k-bits contained in the time invariant digital code (CCODE1 [k-1: 0] Can be controlled. For example, the mask circuit 223-1 may be implemented with an AND gate, but is not limited thereto. The switch SW2 is responsive to the output signal of the switch circuit 221-1 to supply the capacitor 219-1 with the first transmission line for transmitting the first reference voltage VREF1 and the second reference voltage VREF2 The first transmission line and the second transmission line.

도 6은 본 발명의 실시 예를 설명하기 위한 적분 횟수에 대응되는 구동 신호들의 파형들을 나타낸다. 각 오프셋 제거시간 동안(OCT1~OCTm), 각 구동 신호 (TX1~TXm)는 각 오프셋 제거 회로(210-1~210-n)에 포함된 적분기(215)의 적분 횟수에 해당하는 만큼 토글링한다. 여기서 한번 토글링은 구동 신호(TXi)의 하나의 주기라고 가정한다. 예컨대, 상기 적분 횟수가 4회일 때, 제1오프셋 제거시간 동안 (OCT1), 구동 신호(TXi)는 4번 토글링할 수 있다. 즉, 구동 신호(TXi)는 4개의 펄스 시퀀스를 가질 수 있다.6 shows waveforms of driving signals corresponding to integration times for explaining an embodiment of the present invention. During each offset removal time (OCT1 to OCTm), each of the driving signals TX1 to TXm is toggled by an amount corresponding to the integral number of the integrator 215 included in each of the offset eliminating circuits 210-1 to 210-n . Here, it is assumed that the toggling is one period of the driving signal TXi. For example, when the integration number is four, the driving signal TXi can be toggled four times during the first offset cancellation time (OCT1). That is, the driving signal TXi may have four pulse sequences.

도 7은 터치 스크린 패널의 터치 센서의 오프셋 커패시턴스를 제거할 수 있는 본 발명의 실시 예에 따른 오프셋 제거 방법을 설명하기 위한 개념도이고, 도 8은 도 7에 도시된 오프셋 제거 방법을 실행할 수 있는 본 발명의 실시 예에 따른 오프셋 제거 회로의 실시 예이고, 도 9는 본 발명의 실시 예에 따른 오프셋 제거 회로에 포함된 커패시터 어레이 레이아웃의 실시 예이다.FIG. 7 is a conceptual diagram for explaining an offset removing method according to an embodiment of the present invention, which can remove an offset capacitance of a touch sensor of a touch screen panel. FIG. FIG. 9 is an embodiment of an offset elimination circuit according to an embodiment of the present invention, and FIG. 9 is an embodiment of a capacitor array layout included in the offset elimination circuit according to the embodiment of the present invention.

비록, 도 7과 도 8에서는 설명의 편의를 위해 구체적인 숫자가 도시되어 있으나 이는 예시적인 것에 불과하다. 예컨대, 정전용량식 터치 센서(101)의 오프셋 커패시턴스(COFF)는 1.0625pF이고, 각 커패시터(217-1과 219-1)의 커패시턴스는 250fF이고, 커패시터(219-2)의 커패시턴스는 500fF이고, 커패시터(219-3)의 커패시턴스는 1pF이고, 커패시터(219-4)의 커패시턴스는 2pF이라고 가정한다. 시불변 디지털 코드(CCODE1[3:0])는 4b0100이고, 시변 디지털 코드(TCODE1)는 각 구간(T1, T2, T3 및 T4)에 따라 L(=0)→L(=0)→H(=1)→L(=0)으로 변하고, 적분기(215)의 적분 횟수는 4회라고 가정한다.Although specific numerals are shown in Figs. 7 and 8 for convenience of explanation, these are only illustrative. For example, the offset capacitance (COFF) of the capacitive touch sensor 101 is 1.0625 pF, the capacitance of each of the capacitors 217-1 and 219-1 is 250 fF, the capacitance of the capacitor 219-2 is 500 fF, It is assumed that the capacitance of the capacitor 219-3 is 1 pF and the capacitance of the capacitor 219-4 is 2 pF. The time constant digital code (CCODE1 [3: 0]) is 4b0100 and the time varying digital code TCODE1 is L (= 0) → L (= 0) → H (0) according to each interval T1, T2, T3 and T4 = 1) to L (= 0), and the number of integrations of the integrator 215 is assumed to be four.

또한, 각 AND 게이트(217-5, 223-1, 223-2, 223-3, 및 223-4)의 출력 신호가 로우 레벨(L)일 때 각 커패시터(217-1, 219-1, 219-2, 219-3, 및 219-4)는 제2전압 (VREF2)을 전송하는 제2전송 라인에 접속되고, 각 AND 게이트(217-5, 223-1, 223-2, 223-3, 및 223-4)의 출력 신호가 하이 레벨(H)일 때 각 커패시터(217-1, 219-1, 219-2, 219-3, 및 219-4)는 제1전압(VREF1)을 전송하는 제1전송 라인에 접속되다고 가정한다.When the output signals of the AND gates 217-5, 223-1, 223-2, 223-3, and 223-4 are low level (L), the capacitors 217-1, 219-1, 219 -2, 219-3, and 219-4 are connected to the second transmission line that transmits the second voltage VREF2, and each of the AND gates 217-5, 223-1, 223-2, 223-3, 219-1, 219-2, 219-3, and 219-4 transmit the first voltage VREF1 when the output signals of the capacitors 217-1, 223-4, and 223-4 are at the high level (H) And is connected to the first transmission line.

제1구간(T1)부터 제4구간(T4)까지로 정의되는 오프셋 제거시간 동안, 즉 교정시간 동안, 제1오프셋 제거 회로(210-1)는 기준 디지털 코드(RCODE)와 출력 디지털 코드(OCODE)가 동일해질 때까지 제1디지털 코드(CODE1)를 변경하면서 정전용량식 터치 센서(101)의 오프셋 커패시턴스(COFF)를 제거할 수 있다.The first offset elimination circuit 210-1 generates the reference digital code RCODE and the output digital code OCODE during the offset elimination time defined from the first interval T1 to the fourth interval T4, The offset capacitance COFF of the capacitive touch sensor 101 can be removed while the first digital code CODE1 is changed until the first digital code CODE1 becomes equal.

기준 디지털 코드(RCODE)와 출력 디지털 코드(OCODE)가 동일할 때 시불변 디지털 코드(CCODE1[3:0])가 420100이고, 시변 디지털 코드(TCODE1)는 도 8에 도시된 바와 같이 각 구간(T1~T4)에 따라 변경된다고 가정한다.When the reference digital code RCODE and the output digital code OCODE are the same, the time constant digital code CCODE1 [3: 0] is 420100 and the time varying digital code TCODE1 is the time constant T1 to T4).

제1구간(T1)에서, 제1스위치드-커패시터 어레이(219)로 시불변 디지털 코드 (CCODE1[3:0]=4b0100)가 입력되고 제2스위치드-커패시터 어레이(217)로 시변 디지털 코드(TCODE1=0)가 입력된다. 따라서, 노드(203)는 오프셋 커패시턴스 (COFF=1.0625pF)와 제1스위치드-커패시터 어레이(219)의 커패시턴스(CAP1=1pF)의 제1차이, 즉 0.0625pF을 출력한다. 버퍼(213)는 상기 제1차이에 해당하는 제1전압을 출력하고, 적분기(215)는 상기 제1전압을 제1출력 전압(OUT1)으로서 누적한다.In the first section T1, the time constant digital code (CCODE1 [3: 0] = 4b0100) is input to the first switched-capacitor array 219 and the time varying digital code TCODE1 = 0). Thus, the node 203 outputs a first difference between the offset capacitance (COFF = 1.0625 pF) and the capacitance of the first switched-capacitor array 219 (CAP1 = 1 pF), 0.0625 pF. The buffer 213 outputs the first voltage corresponding to the first difference, and the integrator 215 accumulates the first voltage as the first output voltage OUT1.

제2구간(T2)에서, 제1스위치드-커패시터 어레이(219)로 시불변 디지털 코드 (CCODE1[3:0]=4b0100)가 입력되고 제2스위치드-커패시터 어레이(217)로 시변 디지털 코드(TCODE1=0)가 입력된다. 따라서, 노드(203)는 오프셋 커패시턴스 (COFF=1.0625pF)와 제1스위치드-커패시터 어레이(219)의 커패시턴스(CAP1=1pF)의 제2차이, 즉 0.0625pF을 출력한다. 버퍼(213)는 상기 제2차이에 해당하는 제2전압을 출력하고, 적분기(215)는 상기 제1전압과 상기 제2전압을 제1출력 전압(OUT1)으로서 누적한다.In the second period T2, the time constant digital code (CCODE1 [3: 0] = 4b0100) is input to the first switched-capacitor array 219 and the time varying digital code TCODE1 = 0). Thus, the node 203 outputs a second difference between the offset capacitance (COFF = 1.0625 pF) and the capacitance of the first switched-capacitor array 219 (CAP1 = 1 pF), i.e. 0.0625 pF. The buffer 213 outputs the second voltage corresponding to the second difference, and the integrator 215 accumulates the first voltage and the second voltage as the first output voltage OUT1.

제3구간(T3)에서, 제1스위치드-커패시터 어레이(219)로 시불변 디지털 코드 (CCODE1[3:0]=4b0100)가 입력되고 제2스위치드-커패시터 어레이(217)로 시변 디지털 코드(TCODE1=1)가 입력된다. 따라서, 노드(203)는 오프셋 커패시턴스 (COFF=1.0625pF)로부터 제1스위치드-커패시터 어레이(219)의 커패시턴스(CAP1=1pF)와 제2스위치드-커패시터 어레이(217)의 커패시턴스(CAP2=0.25pF)의 합의 차이, 즉 제3차이(=1.0625pF-(1pF+0.25pF)=-0.1875pF)를 출력한다. 버퍼(213)는 상기 제3차이에 해당하는 제3전압을 출력하고, 적분기(215)는 상기 제1전압부터 상기 제3전압을 제1출력 전압(OUT1)으로서 누적한다.In the third period T3, the time constant digital code (CCODE1 [3: 0] = 4b0100) is input to the first switched-capacitor array 219 and the time varying digital code TCODE1 = 1). Thus, the node 203 has the capacitance (CAP1 = 1 pF) of the first switched-capacitor array 219 and the capacitance (CAP2 = 0.25 pF) of the second switched-capacitor array 217 from the offset capacitance (COFF = 1.0625 pF) (= 1.0625 pF- (1 pF + 0.25 pF) = - 0.1875 pF). The buffer 213 outputs a third voltage corresponding to the third difference, and the integrator 215 accumulates the first voltage to the third voltage as the first output voltage OUT1.

제4구간(T4)에서, 제1스위치드-커패시터 어레이(219)로 시불변 디지털 코드 (CCODE1[3:0]=4b0100)가 입력되고 제2스위치드-커패시터 어레이(217)로 시변 디지털 코드(TCODE1=0)가 입력된다. 따라서, 노드(203)는 오프셋 커패시턴스 (COFF=1.0625pF)와 제1스위치드-커패시터 어레이(219)의 커패시턴스(CAP1=1pF)의 제4차이, 즉 0.0625pF를 출력한다. 버퍼(213)는 상기 제4차이에 해당하는 제4전압을 출력하고, 적분기(215)는 상기 제1전압부터 상기 제4전압을 제1출력 전압(OUT1)으로서 누적한다. 이때, 적분기(215)에 의해 누적된 전압은 0이다. 적분기(215)에 의해 각 구간(T1~T4)에서의 커패시턴스는 누적되는 효과가 있다.In the fourth period T4, the time constant digital code (CCODE1 [3: 0] = 4b0100) is input to the first switched-capacitor array 219 and the time varying digital code TCODE1 = 0). Thus, the node 203 outputs a fourth difference between the offset capacitance (COFF = 1.0625 pF) and the capacitance of the first switched-capacitor array 219 (CAP1 = 1 pF), i.e. 0.0625 pF. The buffer 213 outputs the fourth voltage corresponding to the fourth difference and the integrator 215 accumulates the first voltage to the fourth voltage as the first output voltage OUT1. At this time, the voltage accumulated by the integrator 215 is zero. The integrator 215 has an effect of accumulating the capacitance in each section T1 to T4.

정전용량식 터치 센서(101)의 오프셋 커패시턴스(COFF)가 1.0625pF일 때, 종래의 터치 스크린 컨트롤러는 0.0625pF 단위(즉, 오프셋 제거 해상도)로 오프셋 커패시턴스(COFF)를 제거할 수 있었다. 따라서, 종래의 터치 스크린 컨트롤러에 구현되는 최소 단위(minimum unit) 커패시터의 커패시턴스는 0.0625pF이다.When the offset capacitance (COFF) of the capacitive touch sensor 101 was 1.0625 pF, the conventional touch screen controller was able to remove the offset capacitance (COFF) in units of 0.0625 pF (i.e. offset removal resolution). Therefore, the capacitance of the minimum unit capacitor implemented in the conventional touch screen controller is 0.0625 pF.

그러나 제2스위치드-커패시터 어레이(217)에 포함된 커패시터(217-1)의 커패시턴스(Co)가 250fF이고 적분기(215)의 적분 횟수가 4일 때, 본 발명의 실시 예에 따른 터치 스크린 컨트롤러(200)에 의해 제거될 수 있는 정전용량식 터치 센서 (101)의 오프셋 커패시턴스(COFF)의 양(예컨대, 오프셋 제거 해상도)은 62.5fF(=250fF/4)일 수 있다.However, when the capacitance Co of the capacitor 217-1 included in the second switched-capacitor array 217 is 250 fF and the integral number of the integrator 215 is 4, the touch screen controller according to the embodiment of the present invention The amount of offset capacitance COFF of the capacitive touch sensor 101 that can be removed by the touch sensor 200 may be 62.5 fF (= 250 fF / 4).

즉, 터치 스크린 컨트롤러(200)에 구현되는 단위 커패시터(UC)의 커패시턴스가 250fF이라도, 터치 스크린 컨트롤러(200)의 오프셋 제거 해상도는 62.5fF일 수 있다. 적분기(215)의 적분 횟수가 100회로 설정되면, 터치 스크린 컨트롤러(200)의 오프셋 제거 해상도는 2.5fF(=250fF/100)일 수 있다.That is, even if the capacitance of the unit capacitor UC implemented in the touch screen controller 200 is 250 fF, the offset removal resolution of the touch screen controller 200 may be 62.5 fF. When the number of integrations of the integrator 215 is set to 100, the offset removal resolution of the touch screen controller 200 may be 2.5 fF (= 250 fF / 100).

따라서, 터치 스크린 컨트롤러(200)에 2.5fF의 커패시턴스를 갖는 최소 단위 커패시터 대신에 250fF의 커패시턴스를 갖는 단위 커패시터(UC)가 구현되더라도 터치 스크린 컨트롤러(200)는 오프셋 제거 해상도(예컨대, 2.5fF)를 이용하여 오프셋 커패시턴스(COFF)를 제거할 수 있는 효과가 있다. 즉, 제조사는 공정상의 최소 단위 커패시터의 커패시턴스(예컨대, 2.5fF)에 대한 제약 없이 큰 커패시턴스(예컨대, 250fF)를 갖는 단위 커패시터를 제조할 수 있는 효과가 있고, 터치 스크린 컨트롤러(200)는 단위 커패시터(UC)의 커패시턴스(예컨대, 250fF)보다 작은 오프셋 제거 해상도(예컨대, 2.5fF)를 이용하여 오프셋 커패시턴스(COFF)를 제거할 수 있는 효과가 있다.Thus, even if a unit capacitor UC having a capacitance of 250 fF is implemented in the touch screen controller 200 instead of the minimum unit capacitor having a capacitance of 2.5 fF, the touch screen controller 200 can obtain an offset removal resolution (for example, 2.5 fF) There is an effect that the offset capacitance (COFF) can be removed. That is, the manufacturer has the effect of manufacturing a unit capacitor having a large capacitance (for example, 250 fF) without restriction on the capacitance of the minimum unit capacitor in the process (for example, 2.5 fF), and the touch- (COFF) using an offset removal resolution (for example, 2.5 fF) smaller than the capacitance (e.g., 250 fF) of the capacitance UC.

터치 스크린 컨트롤러(200)는, 적분기(215)의 적분 횟수에 기초하여, 터치 스크린 컨트롤러(200)의 오프셋 제거 해상도는 조절될 수 있다.On the touch screen controller 200, based on the number of integrations of the integrator 215, the offset removal resolution of the touch screen controller 200 can be adjusted.

터치 스크린 컨트롤러(200)의 오프셋 제거 해상도는 각 오프셋 제거 회로 (210-1~210-n)에 포함된 적분기(215)의 적분 횟수에 관련될 수 있다. 다시 말하면, 터치 스크린 컨트롤러(200)의 오프셋 제거 해상도는 각 오프셋 제거 회로(210-1~210-n)에 포함된 적분기(215)의 적분 횟수와 각 오프셋 제거 회로(210-1~210-n)에 포함된 단위 커패시터(UC)의 커패시턴스에 따라 결정될 수 있다.The offset removal resolution of the touch screen controller 200 may be related to the number of integrations of the integrator 215 included in each of the offset elimination circuits 210-1 to 210-n. In other words, the offset removal resolution of the touch screen controller 200 is calculated by integrating the integration number of the integrator 215 included in each of the offset elimination circuits 210-1 to 210-n and the offset elimination circuits 210-1 to 210-n The capacitance of the unit capacitor UC included in the unit capacitor UC may be determined.

예컨대, 시변 디지털 코드(TCODE1)는 커패시터(217-1)의 충전 횟수에 상응하는 정보를 포함할 수 있으므로, 상술한 예에서 커패시터(217-1)의 충전 횟수가 1이므로, 시변 디지털 코드(TCODE1)는 구간들(T1~T4) 중에서 어느 하나의 구간에서만 하이 레벨(H)이면 된다.For example, since the time-varying digital code TCODE1 may include information corresponding to the number of times of charging of the capacitor 217-1, the number of times of charging the capacitor 217-1 in the above example is 1, May be at a high level (H) only in one of the intervals T1 to T4.

실시 예에 따라, 도 3의 스위치 회로(217-3)는 커패시터(217-1)의 충전 횟수에 관련된 시변 디지털 코드(TCODE1)에 응답하여 상기 충전 횟수를 제어할 수 있다. 예컨대, 시변 디지털 코드(TCODE1)가 4비트이고 상기 충전 횟수가 2일 때 시변 디지털 코드(TCODE1)는 4b0010일 수 있고, 시변 디지털 코드 (TCODE1)가 4비트이고 상기 충전 횟수가 4일 때 시변 디지털 코드(TCODE1)는 4b0100일 수 있다.According to the embodiment, the switch circuit 217-3 in FIG. 3 can control the charging frequency in response to the time-varying digital code TCODE1 related to the number of times of charging the capacitor 217-1. For example, when the time-varying digital code TCODE1 is 4 bits and the charging time is 2, the time-varying digital code TCODE1 may be 4b0010, the time-varying digital code TCODE1 is 4 bits, The code TCODE1 may be 4b0100.

도 10은 도 1에 도시된 터치 스크린에 포함된 터치 센서들 각각의 오프셋을 제거하기 위한 코드들을 저장하는 테이블의 실시 예이다. 도 1과 도 10을 참조하면, 컨트롤 로직 회로(240)는 컬럼별로 감지 소자들, 예컨대 정전용량식 터치 센서들 각각에 대한 디지털 코드를 생성하고 생성된 각 디지털 코드를 메모리 장치 (250)에 테이블(255) 형태로 저장할 수 있다. 각 디지털 코드는 시불변 디지털 코드(CCODE)와 시변 디지털 코드(TCODE)를 포함할 수 있다.FIG. 10 is an example of a table for storing codes for eliminating the offsets of the touch sensors included in the touch screen shown in FIG. 1 and 10, the control logic circuit 240 generates a digital code for each of the sensing elements, e.g., capacitive touch sensors, for each column, and stores each digital code generated in the memory device 250 in a table (255). Each digital code may include a time invariant digital code (CCODE) and a time varying digital code (TCODE).

터치 스크린 패널(100)에 n*m 개의 감지 소자들이 생성될 때, SE21은 두번째 로우의 첫번째 컬럼에 배치된 감지 소자를 나타내고, CCODE21은 상기 SE21에 대한 시불변 디지털 코드를 나타내고, TCODE21은 상기 SE21에 대한 시변 디지털 코드를 나타낸다.When n * m sensing elements are generated in the touch screen panel 100, SE21 represents the sensing element disposed in the first column of the second row, CCODE21 represents the time-invariant digital code for the SE21, TCODE21 represents the SE21 ≪ / RTI >

도 11은 도 1에 도시된 오프셋 제거 회로를 이용하여 터치를 처리하는 과정을 설명하는 개념도이다. 제1오프셋 제거 회로(210-1)에 의해 터치가 처리되는 과정은 도 7, 도 8, 및 도 11을 참조하여 설명된다.11 is a conceptual diagram illustrating a process of processing a touch using the offset elimination circuit shown in FIG. The process of touch processing by the first offset removing circuit 210-1 will be described with reference to Figs. 7, 8, and 11. Fig.

도 7을 참조하여 설명된 교정 작동(calibration operation)을 통해 제1오프셋 제거 회로(210-1)에 대한 시불변 디지털 코드(CCODE1[3:0])는 4b0100으로 결정되고 시변 디지털 코드(TCODE1)는 도 8에 도시된 바와 같이 각 구간(T1~T4)에 따라 변경된다고 가정한다.The time invariant digital code (CCODE1 [3: 0]) for the first offset elimination circuit 210-1 through the calibration operation described with reference to Fig. 7 is determined as 4b0100 and the time constant digital code TCODE1 Is changed according to each of the intervals T1 to T4 as shown in FIG.

터치 스크린 패널(100)의 터치 센서(101)가 사용자의 손가락에 의해 터치되면, 터치에 의해 터치 센서(101)의 커패시턴스가 변할 수 있다. 이때, 오프셋 커패시턴스(COFF)는 터치 센서(101)의 커패시턴스이고 신호 커패시턴스(SIG)는 터치에 의해 변경된 터치 센서(101)와 관련된 커패시턴스라고 가정한다. 총 커패시턴스(CS)는 오프셋 커패시턴스(COFF)와 신호 커패시턴스(SIG)의 합이리고 가정한다.When the touch sensor 101 of the touch screen panel 100 is touched by the user's finger, the capacitance of the touch sensor 101 may be changed by touch. At this time, it is assumed that the offset capacitance COFF is the capacitance of the touch sensor 101 and the signal capacitance SIG is the capacitance associated with the touch sensor 101 changed by the touch. It is assumed that the total capacitance CS is the sum of the offset capacitance COFF and the signal capacitance SIG.

제1구간(T1)에서, 제1스위치드-커패시터 어레이(219)로 시불변 디지털 코드 (CCODE1[3:0]=4b0100)가 입력되고 제2스위치드-커패시터 어레이(217)로 시변 디지털 코드(TCODE1=0)가 입력되면, 노드(203)는 총 커패시턴스 (CS=COFF(=1.0625pF)+SIG)와 제1스위치드-커패시터 어레이(219)의 커패시턴스 (CAP1=1pF)의 제1차이, 즉 SIG+0.0625pF을 출력한다. 버퍼(213)는 상기 제1차이에 해당하는 제1전압을 출력하고, 적분기(215)는 상기 제1전압을 제1출력 전압(OUT1)으로서 누적한다.In the first section T1, the time constant digital code (CCODE1 [3: 0] = 4b0100) is input to the first switched-capacitor array 219 and the time varying digital code TCODE1 = 0), the node 203 sets the first difference between the total capacitance CS = COFF (= 1.0625 pF) + SIG and the capacitance of the first switched-capacitor array 219 (CAP1 = 1 pF) + 0.0625pF is output. The buffer 213 outputs the first voltage corresponding to the first difference, and the integrator 215 accumulates the first voltage as the first output voltage OUT1.

제2구간(T2)에서, 제1스위치드-커패시터 어레이(219)로 시불변 디지털 코드 (CCODE1[3:0]=4b0100)가 입력되고 제2스위치드-커패시터 어레이(217)로 시변 디지털 코드(TCODE1=0)가 입력되면, 노드(203)는 총 커패시턴스 (CS=COFF(=1.0625pF)+SIG)와 제1스위치드-커패시터 어레이(219)의 커패시턴스 (CAP1=1pF)의 제2차이, 즉 SIG+0.0625pF을 출력한다. 버퍼(213)는 상기 제2차이에 해당하는 제2전압을 출력하고, 적분기(215)는 상기 제1전압과 상기 제2전압을 제1출력 전압(OUT1)으로서 누적한다.In the second period T2, the time constant digital code (CCODE1 [3: 0] = 4b0100) is input to the first switched-capacitor array 219 and the time varying digital code TCODE1 = 0), the node 203 sets the second difference between the total capacitance CS = COFF (= 1.0625 pF) + SIG and the capacitance of the first switched-capacitor array 219 (CAP1 = 1 pF) + 0.0625pF is output. The buffer 213 outputs the second voltage corresponding to the second difference, and the integrator 215 accumulates the first voltage and the second voltage as the first output voltage OUT1.

제3구간(T3)에서, 제1스위치드-커패시터 어레이(219)로 시불변 디지털 코드 (CCODE1[3:0]=4b0100)가 입력되고 제2스위치드-커패시터 어레이(217)로 시변 디지털 코드(TCODE1=1)가 입력되면, 노드(203)는 총 커패시턴스 (CS=COFF(=1.0625pF)+SIG)로부터 제1스위치드-커패시터 어레이(219)의 커패시턴스 (CAP1=1pF)와 제2스위치드-커패시터 어레이(217)의 커패시턴스(CAP2=0.25pF)의 합의 차이, 즉 제3차이(=SIG+1.0625pF-(1pF+0.25pF)=-SIG+0.1875pF)를 출력한다. 버퍼(213)는 상기 제3차이에 해당하는 제3전압을 출력하고, 적분기(215)는 상기 제1전압부터 상기 제3전압을 제1출력 전압(OUT1)으로서 누적한다.In the third period T3, the time constant digital code (CCODE1 [3: 0] = 4b0100) is input to the first switched-capacitor array 219 and the time varying digital code TCODE1 = 1), the node 203 receives the capacitance (CAP1 = 1 pF) of the first switched-capacitor array 219 from the total capacitance (CS = COFF (= 1.0625 pF) + SIG) and the capacitance of the second switched- (= SIG + 1.0625 pF- (1 pF + 0.25 pF) = - SIG + 0.1875 pF) of the capacitance of the capacitor 217 (CAP2 = 0.25 pF). The buffer 213 outputs a third voltage corresponding to the third difference, and the integrator 215 accumulates the first voltage to the third voltage as the first output voltage OUT1.

제4구간(T4)에서, 제1스위치드-커패시터 어레이(219)로 시불변 디지털 코드 (CCODE1[3:0]=4b0100)가 입력되고 제2스위치드-커패시터 어레이(217)로 시변 디지털 코드(TCODE1=0)가 입력되면, 노드(203)는 총 커패시턴스 (CS=COFF(=1.0625pF)+SIG)와 제1스위치드-커패시터 어레이(219)의 커패시턴스 (CAP1=1pF)의 제4차이, 즉 SIG+0.0625pF를 출력한다. 버퍼(213)는 상기 제4차이에 해당하는 제4전압을 출력하고, 적분기(215)는 상기 제1전압부터 상기 제4전압을 제1출력 전압(OUT1)으로서 누적한다. 이때, 적분기(215)에 의해 누적된 전압, 즉 신호 커패시턴스(SIG)에 해당하는 전압은 4*SIG'이다. 적분기(215)에 의해 각 구간 (T1~T4)에서의 신호 커패시턴스(SIG)에 해당하는 전압(SIG')는 누적되는 효과가 있다.In the fourth period T4, the time constant digital code (CCODE1 [3: 0] = 4b0100) is input to the first switched-capacitor array 219 and the time varying digital code TCODE1 = 0), the node 203 sets the fourth difference between the total capacitance CS = COFF (= 1.0625 pF) + SIG and the capacitance of the first switched-capacitor array 219 (CAP1 = 1 pF) + 0.0625pF is output. The buffer 213 outputs the fourth voltage corresponding to the fourth difference and the integrator 215 accumulates the first voltage to the fourth voltage as the first output voltage OUT1. At this time, the voltage accumulated by the integrator 215, that is, the voltage corresponding to the signal capacitance SIG is 4 * SIG '. The integrator 215 has the effect of accumulating the voltage SIG 'corresponding to the signal capacitance SIG in each of the sections T1 to T4.

따라서, 제1오프셋 제거 회로(210-1)는 250fF의 커패시턴스를 갖는 단위 커패시터(UC)를 이용하여 62.5fF 단위로 오프셋 커패시터(COFF)를 제거할 수 있는 효과가 있다.Therefore, the first offset eliminating circuit 210-1 has the effect of removing the offset capacitor COFF in units of 62.5fF by using the unit capacitor UC having a capacitance of 250fF.

도 12는 도 1에 도시된 터치 스크린 컨트롤러를 포함하는 터치 스크린 시스템의 블록도를 나타낸다. 도 12를 참조하면, 터치 스크린 시스템(300)은 터치 스크린 패널(100), 터치 스크린 컨트롤러(200), 및 호스트(310)를 포함할 수 있다. 터치 스크린 패널(100)과 터치 스크린 컨트롤러(200)의 구조와 작동은 도 1부터 도 11을 참조하여 설명한 바와 동일 또는 유사하므로 이들(100과 200)에 대한 설명은 생략한다. 호스트(310)는 터치 스크린 컨트롤러(200)의 작동을 제어할 수 있는 프로세서를 의미할 수 있다. 호스트(310)는 집적 회로(IC), 시스템 온 칩(system on chip), 애플리케이션 프로세서(application processor(AP), 모바일 AP로 구현될 수 있다. 터치 스크린 시스템(300)은 도 1을 참조하여 설명한 바와 같이 모바일 장치를 의미할 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.FIG. 12 shows a block diagram of a touch screen system including the touch screen controller shown in FIG. Referring to FIG. 12, the touch screen system 300 may include a touch screen panel 100, a touch screen controller 200, and a host 310. The structure and operation of the touch screen panel 100 and the touch screen controller 200 are the same as or similar to those described with reference to FIGS. 1 to 11, and therefore, the description of these components 100 and 200 will be omitted. Host 310 may refer to a processor capable of controlling the operation of the touch screen controller 200. The host 310 may be implemented as an integrated circuit (IC), a system on chip, an application processor (AP), a mobile AP, etc. The touch screen system 300 may include, But is not limited to, a mobile device.

도 13은 본 발명의 실시 예에 따른 터치 스크린 컨트롤러의 작동 방법을 설명하기 위한 플로우 차트이다. 도 1부터 도 13을 참조하면, 터치 스크린 컨트롤러 (200)의 컨트롤 로직 회로(240)는, 오프셋 제거시간 동안(예컨대, 도 7을 참조하여 설명된 교정 작동 동안), 시불변 디지털 코드(CCODE1)와 시변 디지털 코드 (TCODE1)를 생성하고 시불변 디지털 코드(CCODE1)와 시변 디지털 코드(TCODE1)를 메모리 장치(250)에 저장할 수 있다 (S110).13 is a flowchart illustrating an operation method of a touch screen controller according to an embodiment of the present invention. 1 to 13, the control logic circuit 240 of the touch screen controller 200 may control the time constant digital code (CCODE1) during the offset removal time (e.g., during the calibration operation described with reference to FIG. 7) The time constant digital code TCODE1 and the time constant digital code CCODE1 and the time varying digital code TCODE1 may be stored in the memory device 250 at step S110.

컨트롤 로직 회로(240)는, 오프셋 제거시간 동안(예컨대, 도 11을 참조하여 설명된 신호 커패시턴스(SIG))를 처리하기 위한 오프셋 제거시간 동안), 시불변 디지털 코드(CCODE1)와 시변 디지털 코드(TCODE1)를 메모리 장치(250)로부터 리드하고 리드된 시불변 디지털 코드(CCODE1)와 시변 디지털 코드(TCODE1)를 제1오프셋 제거 회로(210-1)로 전송할 수 있다(S110).The control logic circuit 240 generates the time constant digital code (CCODE1) and the time varying digital code (" 0 ") during the offset removal time (e.g., during the offset removal time to process the signal capacitance SIG described with reference to Figure 11) TCODE1 from the memory device 250 and transmits the read time-invariant digital code CCODE1 and the time-varying digital code TCODE1 to the first offset cancellation circuit 210-1 (S110).

스위치드-커패시터 DAC(216) 또는 스위치드-커패시터 어레이(216)는, 상기 오프셋 제거시간 동안, 용량성 터치 센서(101)의 오프셋 커패시턴스(COFF)를 제거하기 위해 시불변 디지털 코드(CCODE1)와 시변 디지털 코드(TCODE1)를 오프셋 커패시턴스(COFF)에 상응하는 전기적인 전하들의 양으로 변환할 수 있다(S120).The switched-capacitor DAC 216 or the switched-capacitor array 216 is controlled by the time constant digital code (CCODE1) and the time varying digital code (CCODE2) to eliminate the offset capacitance (COFF) Code TCODE1 into the amount of electrical charges corresponding to the offset capacitance COFF (S120).

예컨대, 스위치드-커패시터 DAC(216) 또는 스위치드-커패시터 어레이(216)는, 상기 오프셋 제거시간 동안, 시불변 디지털 코드(CCODE1)와 시변 디지털 코드 TCODE1)에 응답하여 오프셋 커패시턴스(COFF)를 제거하기 위한 오프셋 제거 커패시턴스를 생성할 수 있다(S120).For example, the switched-capacitor DAC 216 or the switched-capacitor array 216 may be programmed to remove the offset capacitance (COFF) in response to a time constant digital code (CCODE1) and a time-varying digital code TCODE1 Offset elimination capacitance (S120).

버퍼(213), 즉 커패시턴스-전압 변환기(213)는 노드(203)에 관련된 커패시턴스를 전압으로 변환할 수 있다. 적분 작동을 복수회 수행할 수 있는 적분기(215)는 버퍼(213)의 출력 전압을 적분(또는 누적)하고, 적분(또는 누적) 결과에 따라 오프셋 커패시턴스(COFF)에 해당하는 전압을 제거할 수 있다. 즉, 제1오프셋 제거 회로(210)는 스위치드-커패시터 DAC(216)에 의해 생성된 전하들의 양을 이용하여 오프셋 커패시턴스(COFF)를 제거할 수 있다.The buffer 213, that is, the capacitance-to-voltage converter 213, can convert the capacitance associated with the node 203 into a voltage. The integrator 215, which can perform the integral operation a plurality of times, can integrate (or accumulate) the output voltage of the buffer 213 and remove the voltage corresponding to the offset capacitance (COFF) according to the integration have. That is, the first offset cancellation circuit 210 may use the amount of charges generated by the switched-capacitor DAC 216 to remove the offset capacitance (COFF).

본 발명은 도면에 도시된 실시 예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 본 기술 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시 예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 등록청구범위의 기술적 사상에 의해 정해져야 할 것이다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is evident that many alternatives, modifications and variations will be apparent to those skilled in the art. Accordingly, the true scope of the present invention should be determined by the technical idea of the appended claims.

10: 시스템
100: 터치 스크린 패널
200: 터치 스크린 컨트롤러
210-1~210-n: 오프셋 제거 회로
216: 스위치드-커패시터 DAC 또는 스위치드-커패시터 어레이
219: 제1스위치드-커패시터 어레이
217: 제2스위치드-커패시터 어레이
230: 선택 회로
235: 아날로그-디지털 변환기
240: 컨트롤 로직 회로
250: 메모리 장치
10: System
100: Touch screen panel
200: Touch screen controller
210-1 to 210-n: Offset elimination circuit
216: Switched-Capacitor DAC or Switched-Capacitor Array
219: First switched-capacitor array
217: second switched-capacitor array
230: selection circuit
235: Analog-to-digital converter
240: Control logic circuit
250: memory device

Claims (20)

정전용량식 터치 스크린 패널의 오프셋 커패시턴스를 제거하는 터치 스크린 컨트롤러에 있어서,
오프셋 제거시간 동안, 시불변 디지털 코드와 시변 디지털 코드를 생성하는 코드 생성기; 및
상기 오프셋 커패시턴스를 제거하기 위해, 상기 시불변 디지털 코드와 상기 시변 디지털 코드를 상기 오프셋 커패시턴스에 상응하는 전기적인 전하들의 양으로 변환하는 스위치드-커패시터 어레이를 포함하는 터치 스크린 컨트롤러.
A touch screen controller for eliminating offset capacitance of a capacitive touch screen panel,
A code generator for generating, during offset removal time, a time invariant digital code and a time varying digital code; And
And a switched-capacitor array for converting the time-invariant digital code and the time-varying digital code into an amount of electrical charges corresponding to the offset capacitance, to remove the offset capacitance.
제1항에 있어서, 상기 코드 생성기는,
상기 오프셋 커패시턴스에 해당하는 비트들 중에서 MSB(most significant bit)를 포함하는 제1부분을 제어하는 상기 시불변 디지털 코드와 상기 비트들 중에서 LSB(least significant bit)를 포함하는 제2부분을 제어하는 상기 시변 디지털 코드를 생성하는 터치 스크린 컨트롤러.
The apparatus of claim 1, wherein the code generator comprises:
A second portion including a least significant bit (LSB) of the bits and a time constant digital code for controlling a first portion including a MSB (most significant bit) among the bits corresponding to the offset capacitance; A touch screen controller that generates time-varying digital codes.
제1항에 있어서, 상기 스위치드-커패시터 어레이는,
상기 시불변 디지털 코드를 상기 전하들의 양의 제1부분으로 변환하는 제1스위치드-커패시터 어레이;
상기 시변 디지털 코드를 상기 전하들의 양의 나머지 제2부분으로 변환하는 제2스위치드-커패시터 어레이; 및
상기 제1부분과 상기 제2부분을 합산하는 합산 노드를 포함하는 터치 스크린 컨트롤러.
2. The switched-capacitor array of claim 1,
A first switched-capacitor array for converting said time invariant digital code into a first portion of said quantity of charges;
A second switched-capacitor array for converting the time-varying digital code into a remaining second portion of the amount of charges; And
And a summation node for summing the first portion and the second portion.
제3항에 있어서,
상기 제1부분은 상기 제2부분보다 큰 터치 스크린 컨트롤러.
The method of claim 3,
Wherein the first portion is larger than the second portion.
제3항에 있어서,
상기 제2스위치드-커패시터 어레이는 단위 커패시터를 포함하고,
상기 단위 커패시터의 커패시턴스는 상기 오프셋 커패시턴스와 관련된 오프셋 제거 해상도보다 큰 터치 스크린 컨트롤러.
The method of claim 3,
Wherein the second switched-capacitor array includes a unit capacitor,
Wherein the capacitance of the unit capacitor is greater than the offset removal resolution associated with the offset capacitance.
제1항에 있어서,
상기 전기적인 전하들의 양을 전압으로 변환하는 커패시턴스-전압 변환기; 및
상기 커패시턴스-전압 변환기에 접속된 적분기를 더 포함하는 터치 스크린 컨트롤러.
The method according to claim 1,
A capacitance-to-voltage converter for converting the amount of electrical charges into a voltage; And
Further comprising an integrator coupled to the capacitance-to-voltage converter.
제6항에 있어서,
상기 시변 디지털 코드에 의해 제거되는 상기 오프셋 커패시턴스의 오프셋 제거 해상도는 상기 적분기의 적분 횟수와 관련된 터치 스크린 컨트롤러.
The method according to claim 6,
Wherein the offset removal resolution of the offset capacitance removed by the time-varying digital code is related to the integral number of the integrator.
제6항에 있어서,
상기 스위치드-커패시터 어레이는 복수의 단위 커패시터들을 포함하고,
상기 시변 디지털 코드에 의해 한 번에 제거되는 상기 오프셋 커패시터의 양은 상기 복수의 단위 커패시터들 중에서 어느 하나의 커패시턴스와 상기 적분기의 적분 횟수에 따라 결정되는 터치 스크린 컨트롤러.
The method according to claim 6,
The switched-capacitor array includes a plurality of unit capacitors,
Wherein an amount of the offset capacitor removed at one time by the time-varying digital code is determined according to a capacitance of any one of the plurality of unit capacitors and an integration number of the integrator.
제8항에 있어서,
상기 적분기의 출력 신호를 디지털 코드를 변환하는 아날로그-디지털 변환기; 및
상기 시불변 디지털 코드와 상기 시변 디지털 코드를 저장하는 메모리 장치를 더 포함하고,
상기 코드 생성기는 기준 디지털 코드와 상기 아날로그-디지털 변환기의 출력 디지털 코드가 동일할 때에 결정된 상기 시불변 디지털 코드와 상기 시변 디지털 코드를 상기 메모리 장치에 저장하는 터치 스크린 컨트롤러.
9. The method of claim 8,
An analog-to-digital converter for converting the output signal of the integrator into a digital code; And
Further comprising a memory device for storing the time invariant digital code and the time varying digital code,
Wherein the code generator stores the time invariant digital code and the time-varying digital code determined when the reference digital code and the output digital code of the analog-to-digital converter are the same in the memory device.
제1항에 있어서,
상기 시변 디지털 코드는 상기 스위치드-커패시터 어레이에 포함된 적어도 하나의 커패시터의 충전 횟수와 관련된 터치 스크린 컨트롤러.
The method according to claim 1,
Wherein the time-varying digital code is related to the number of charge times of at least one capacitor included in the switched-capacitor array.
터치 센서를 포함하는 정전용량식 터치 스크린 패널; 및
상기 정전용량식 터치 스크린 패널에 접속된 터치 스크린 컨트롤러를 포함하고,
상기 터치 스크린 컨트롤러는,
오프셋 제거시간 동안, 시불변 디지털 코드와 시변 디지털 코드를 생성하는 코드 생성기; 및
상기 터치 센서의 오프셋 커패시턴스를 제거하기 위해, 상기 시불변 디지털 코드와 상기 시변 디지털 코드를 상기 오프셋 커패시턴스에 상응하는 전기적인 전하들의 양으로 변환하는 스위치드-커패시터 어레이를 포함하는 터치 스크린 시스템.
A capacitive touch screen panel including a touch sensor; And
And a touch screen controller connected to the capacitive touch screen panel,
The touch screen controller includes:
A code generator for generating, during offset removal time, a time invariant digital code and a time varying digital code; And
And a switched-capacitor array for converting the time-invariant digital code and the time-varying digital code into an amount of electrical charges corresponding to the offset capacitance, to remove the offset capacitance of the touch sensor.
제11항에 있어서, 상기 코드 생성기는,
상기 오프셋 커패시턴스에 해당하는 비트들 중에서 MSB를 포함하는 제1부분을 제어하는 상기 시불변 디지털 코드와 상기 비트들 중에서 LSB를 포함하는 제2부분을 제어하는 상기 시변 디지털 코드를 생성하는 터치 스크린 시스템.
12. The apparatus of claim 11, wherein the code generator comprises:
Wherein the time-varying digital code that controls the first portion including the MSB among the bits corresponding to the offset capacitance and the second portion including the LSB among the bits is generated.
제11항에 있어서, 상기 스위치드-커패시터 어레이는,
상기 시불변 디지털 코드를 상기 전하들의 양의 제1부분으로 변환하는 제1스위치드-커패시터 어레이;
상기 시변 디지털 코드를 상기 전하들의 양의 나머지 제2부분으로 변환하는 제2스위치드-커패시터 어레이; 및
상기 오프셋 커패시턴스로부터 상기 제1부분과 상기 제2부분을 합을 감산하는 감산 회로를 포함하는 터치 스크린 시스템.
12. The switched-capacitor array of claim 11,
A first switched-capacitor array for converting said time invariant digital code into a first portion of said quantity of charges;
A second switched-capacitor array for converting the time-varying digital code into a remaining second portion of the amount of charges; And
And a subtraction circuit for subtracting the sum of the first portion and the second portion from the offset capacitance.
제13항에 있어서,
상기 제2스위치드-커패시터 어레이는 단위 커패시터를 포함하고,
상기 단위 커패시터의 커패시턴스는 상기 오프셋 커패시턴스를 제거하기 위한 오프셋 제거 해상도보다 큰 터치 스크린 시스템.
14. The method of claim 13,
Wherein the second switched-capacitor array includes a unit capacitor,
Wherein the capacitance of the unit capacitor is greater than the offset removal resolution for removing the offset capacitance.
제11항에 있어서, 상기 터치 스크린 컨트롤러는,
상기 전기적인 전하들의 양을 전압으로 변환하는 커패시턴스-전압 변환기; 및
상기 커패시턴스-전압 변환기에 접속된 적분기를 더 포함하는 터치 스크린 시스템.
12. The touch screen controller of claim 11,
A capacitance-to-voltage converter for converting the amount of electrical charges into a voltage; And
And an integrator coupled to the capacitance-to-voltage converter.
제15항에 있어서,
상기 시변 디지털 코드에 의해 제거되는 상기 오프셋 커패시턴스의 오프셋 제거 해상도는 상기 적분기의 적분 횟수와 관련된 터치 스크린 시스템.
16. The method of claim 15,
Wherein the offset removal resolution of the offset capacitance removed by the time-varying digital code is related to the integral number of the integrator.
제15항에 있어서,
상기 스위치드-커패시터 어레이는 복수의 단위 커패시터들을 포함하고,
상기 시변 디지털 코드에 의해 한 번에 제거되는 상기 오프셋 커패시터의 양은 상기 복수의 단위 커패시터들 중에서 어느 하나의 커패시턴스와 상기 적분기의 적분 횟수에 따라 결정되는 터치 스크린 시스템.
16. The method of claim 15,
The switched-capacitor array includes a plurality of unit capacitors,
Wherein the amount of the offset capacitor removed at one time by the time-varying digital code is determined by the integral of the one of the plurality of unit capacitors and the integrator.
제14항에 있어서, 상기 터치 스크린 컨트롤러는,
상기 오프셋 제거시간 동안, 상기 적분기의 적분 횟수만큼의 펄스 시퀀스를 갖는 구동 신호를 상기 터치 센서로 전송하는 드라이버를 더 포함하는 터치 스크린 시스템.
15. The touch screen controller of claim 14,
And a driver for transmitting to the touch sensor a drive signal having a pulse sequence corresponding to an integration number of the integrator during the offset removal time.
작동시간 동안에 입력된 시불변 디지털 코드를 제1전하들의 양으로 변환하는 제1스위치드-커패시터 어레이;
상기 작동시간 동안에 입력된 시변 디지털 코드를 제2전하들의 양으로 변환하는 제2스위치드-커패시터 어레이; 및
입력 노드를 통해 입력된 커패시턴스로부터 상기 제1전하들의 양과 상기 제2전하들의 양을 합을 감산하는 감산 회로를 포함하는 스위치드-커패시터 디지털-아날로그 변환기.
A first switched-capacitor array for converting an input time constant digital code into an amount of first charges during an operating time;
A second switched-capacitor array for converting the time-varying digital code input during said operating time into the amount of second charges; And
And a subtracting circuit for subtracting the sum of the amount of the first charges and the amount of the second charges from the capacitance input through the input node.
제19항에 있어서,
상기 제1스위치드-커패시터 어레이는 상기 감산 회로에 접속된 복수의 스위치드-커패시터들을 포함하고,
상기 제2스위치드-커패시터 어레이는 상기 감산 회로에 접속된 적어도 하나의 스위치드-커패시터를 포함하고,
상기 복수의 스위치드-커패시터들의 총 커패시턴스는 상기 커패시턴스에 해당하는 비트들 중에서 MSB를 포함하는 부분과 관련된 상기 시불변 디지털 코드에 기초하여 제어되고,
상기 적어도 하나의 스위치드-커패시터의 총 커패시턴스는 상기 비트들 중에서 LSB를 포함하는 부분과 관련된 상기 시변 디지털 코드에 기초하여 제어되는 스위치드-커패시터 디지털-아날로그 변환기.
20. The method of claim 19,
Wherein the first switched-capacitor array includes a plurality of switched-capacitors connected to the subtraction circuit,
Wherein the second switched-capacitor array comprises at least one switched-capacitor connected to the subtraction circuit,
Wherein the total capacitance of the plurality of switched-capacitors is controlled based on the time invariant digital code associated with the portion comprising the MSB among the bits corresponding to the capacitance,
Wherein the total capacitance of the at least one switched-capacitor is controlled based on the time-varying digital code associated with the portion comprising the LSB among the bits.
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