KR20170003248A - 발광 장치 - Google Patents
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Abstract
발광 장치가 개시된다. 발광 장치는, 기판; 기판 상에 위치하는 발광 다이오드 칩; 발광 다이오드 칩 상에 위치하는 파장변환부; 및 발광 다이오드 칩의 측면과 파장변환부의 측면의 일부를 둘러싸되, 파장변환부 측면의 적어도 일부와, 발광 다이오드 칩의 측면의 적어도 일부에 접촉하는 측벽부를 포함하고, 파장변환부는 상면에 형성되며, 파장변환부를 적어도 부분적으로 관통하는 하나 이상의 홈을 포함한다.
Description
본 발명은 발광 장치에 관한 것으로, 특히, 색 좌표 조절이 용이한 고출력 발광 장치에 관한 것이다.
발광 다이오드는 상대적으로 좁은 반치폭을 갖는 광을 방출하므로, 일반적인 발광 다이오드는 대체로 단색에 가까운 광을 방출한다. 따라서 발광 다이오드를 포함하는 발광 장치에서 백색광을 구현하기 위해서, 일반적으로 형광체를 이용하여 광의 혼색을 유도하여 백색광을 구현한다. 형광체는 상대적으로 파장이 짧은 광을 흡수하여 상대적으로 파장이 긴 광을 방출하므로, 청색 발광 다이오드 또는 UV 발광 다이오드와 같은 짧은 파장의 광을 방출하는 발광 다이오드를 형광체로 도포하여 발광 장치에서 백색광이 방출되도록 하는 구성을 이용한다.
이러한 백색 발광 장치에 있어서, 방출되는 백색광의 색 좌표 및 색 온도를 변경하는 경우, 파장이 다른 발광 다이오드를 적용하거나, 형광체 부분을 다시 형성하여야 한다. 이에 따라, 방출되는 백색광의 색 좌표 및 색 온도를 변경하기 위하여 발광 다이오드 제조 공정부터 형광체 제조 공정까지 제조 공정 전반에 걸친 변경이 요구된다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는, 발광 장치에서 방출되는 백색광의 색 좌표 및 색 온도 등의 발광 특성을 용이하게 변경할 수 있는 발광 장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 일 측면에 따른 발광 장치는, 기판; 상기 기판 상에 위치하는 발광 다이오드 칩; 상기 발광 다이오드 칩 상에 위치하는 파장변환부; 및 상기 발광 다이오드 칩의 측면과 상기 파장변환부의 측면의 일부를 둘러싸되, 상기 파장변환부 측면의 적어도 일부와, 상기 발광 다이오드 칩의 측면의 적어도 일부에 접촉하는 측벽부를 포함하고, 상기 파장변환부는 상면에 형성되며, 상기 파장변환부를 적어도 부분적으로 관통하는 하나 이상의 홈을 포함한다.
상기 홈의 형상은 규칙적인 패턴 형상을 가질 수 있다.
상기 홈은 복수의 아일랜드 패턴, 복수의 스트라이프 패턴 및 메쉬 패턴 중 적어도 하나의 형상으로 형성될 수 있다.
상기 발광 장치는, 상기 홈의 적어도 일부를 채우는 추가 파장변환부를 더 포함할 수 있다.
상기 파장변환부에서 파장변환된 광의 평균 피크 파장은 상기 추가 파장변환부에서 파장변환된 광의 평균 피크 파장보다 짧을 수 있다.
상기 파장변환부는 1종 이상의 녹색 형광체, 1종 이상의 시안 형광체, 1종 이상의 황색 형광체 중 적어도 하나를 포함할 수 있고, 상기 추가 파장변환부는 1종 이상의 적색 형광체를 포함할 수 있다.
상기 추가 파장변환부의 상면은 볼록한 면을 포함할 수 있다.
상기 추가 파장변환부의 상면의 최고점은 상기 파장변환부의 상면보다 높게 위치할 수 있다.
상기 파장변환부는 시트 또는 플레이트 형태를 가지며, PiG(phosphor in Glass), PiC(phosphor in Ceramic), 단결정 형광체 시트(또는 플레이트) 및 다결정 형광체 시트(또는 플레이트) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
상기 파장변환부의 적어도 일 측면은 제1 면 및 상기 제1 면 상에 위치하는 제2 면을 포함할 수 있으며, 상기 제1 면과 상기 파장변환부의 하면 간의 각은 상기 제2 면과 상기 파장변환부의 하면 간의 각보다 클 수 있고, 상기 제2 면의 적어도 일부는 노출될 수 있다.
상기 제2 면은 상기 측벽부의 상면보다 상부로 돌출되어 위치할 수 있으며, 상기 파장변환부의 상면은 상기 측벽부의 상면보다 높게 위치할 수 있다.
상기 제1 면은 상기 파장변환부의 하면에 대해 수직으로 형성될 수 있고, 상기 제2 면은 상기 파장변환부의 하면에 대해 예각을 이루도록 형성될 수 있다.
상기 파장변환부는 4개의 측면을 포함할 수 있고, 상기 4개의 측면 각각은 상기 제2 면을 포함할 수 있다.
발광 다이오드 칩은 그 하부에 형성된 제1 전극 패드 및 제2 전극 패드를 포함할 수 있다.
상기 기판은, 베이스; 및 상기 베이스 상에 위치하는 제1 상부 전극 및 제2 상부 전극을 포함할 수 있고, 상기 제1 및 제2 전극 패드 각각은 상기 제1 및 제2 상부 전극 각각에 전기적으로 연결될 수 있으며, 상기 측벽부는 상기 제1 및 제2 상부 전극의 상면의 일부를 더 덮을 수 있다.
상기 발광 장치는, 상기 파장변환부와 상기 발광 다이오드 칩의 사이에 위치하는 접착부를 더 포함할 수 있다.
상기 접착부는 상기 발광 다이오드 칩의 측면의 적어도 일부로 더 연장되어 위치할 수 있으며, 상기 발광 다이오드 칩의 측면에 위치하는 접착부는 상기 측벽부와 상기 발광 다이오드 칩의 사이에 개재될 수 있다.
상기 발광 다이오드 칩의 측면에 위치하는 접착부의 부분은, 경사진 측면을 가질 수 있고, 상기 접착부의 경사진 측면은 평평한 면 및/또는 오목한 면을 포함할 수 있다.
상기 파장변환부는 1종 이상의 녹색 형광체, 1종 이상의 시안 형광체 및 1종 이상의 황색 형광체 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
상기 접착부는 1종 이상의 적색 형광체를 포함할 수 있다.
본 발명의 실시예들에 따르면, 적어도 하나의 홈을 포함하는 파장변환부를 갖는 발광 장치를 제공하여, 다른 부분에 대한 변경없이 파장변환부만을 가공함으로써 용이하게 방출 광의 색 좌표 및 색 온도를 변경할 수 있는 발광 장치를 제공할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 장치를 설명하기 위한 사시도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 장치를 설명하기 위한 평면도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 장치를 설명하기 위한 단면도이다.
도 4 및 도 5는 본 발명의 다른 실시예들에 따른 발광 장치를 설명하기 위한 평면도들이다.
도 6 및 도 7은 본 발명의 다른 실시예들에 따른 발광 장치를 설명하기 위한 평면도 및 단면도이다.
도 8은 본 발명의 실시예들에 따른 발광 장치의 색 좌표 변화를 설명하기 위한 그래프이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 장치를 설명하기 위한 평면도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 장치를 설명하기 위한 단면도이다.
도 4 및 도 5는 본 발명의 다른 실시예들에 따른 발광 장치를 설명하기 위한 평면도들이다.
도 6 및 도 7은 본 발명의 다른 실시예들에 따른 발광 장치를 설명하기 위한 평면도 및 단면도이다.
도 8은 본 발명의 실시예들에 따른 발광 장치의 색 좌표 변화를 설명하기 위한 그래프이다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명한다. 다음에 소개되는 실시예들은 본 발명이 속하는 기술분야의 통상의 기술자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 예로서 제공되는 것이다. 따라서, 본 발명은 이하 설명되는 실시예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 그리고 도면들에 있어서, 구성요소의 폭, 길이, 두께 등은 편의를 위하여 과장되어 표현될 수 있다. 또한, 하나의 구성요소가 다른 구성요소의 "상부에" 또는 "상에" 있다고 기재된 경우 각 부분이 다른 부분의 "바로 상부" 또는 "바로 상에" 있는 경우뿐만 아니라 각 구성요소와 다른 구성요소 사이에 또 다른 구성요소가 있는 경우도 포함한다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호들은 동일한 구성요소들을 나타낸다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 장치를 설명하기 위한 사시도이고, 도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 장치를 설명하기 위한 평면도이며, 도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 장치를 설명하기 위한 단면도이며, 도 3은 도 1 및 도 2의 A-A'선에 대응하는 부분의 단면을 도시한다.
도 1 내지 도 3을 참조하면, 상기 발광 장치는 발광 다이오드 칩(110), 파장변환부(120) 및 측벽부(140)를 포함한다. 나아가, 상기 발광 장치는 기판(200), 접착부(130) 및 보호 소자(150)를 더 포함할 수 있다.
기판(200)은 상기 발광 장치의 저부에 위치할 수 있으며, 발광 다이오드 칩(110)와 측벽부(140)를 지지하는 역할을 할 수 있다. 기판(200)은 절연성 또는 도전성 기판일 수 있으며, 또한, 도전성 패턴을 포함하는 PCB일 수 있다. 기판(200)이 절연성 기판인 경우, 기판(200)은 폴리머 물질, 또는 세라믹 물질을 포함할 수 있고, 예를 들어, AlN와 같이 열전도성이 우수한 세라믹 물질을 포함할 수 있다. 기판(200)이 도전성 패턴을 포함하는 PCB를 포함하는 경우, 기판(200)은 베이스 및 적어도 2 이상의 전극을 포함하는 도전성 패턴을 포함할 수 있다.
구체적으로 예를 들어, 도 3에 도시된 바와 같이, 기판(200)은 베이스(210)를 포함할 수 있고, 나아가, 제1 전극(220) 및 제2 전극(230)을 더 포함할 수 있다. 이때, 베이스(210)는 전극들(220, 230)을 지지하는 역할을 할 수 있으며, 전극들(220, 230)을 서로 절연시키기 위하여 절연성 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 베이스(210)는 열전도성이 우수한 AlN과 같은 세라믹 물질을 포함할 수 있다.
제1 전극(220)은 제1 상부 전극(221)을 포함하고, 제2 전극(230)은 제2 상부 전극(231)을 포함한다. 나아가, 제1 전극(220)은 제1 하부 전극(225) 및 제1 연결 전극(223)을 더 포함할 수 있고, 제2 전극(230)은 제2 하부 전극(235) 및 제2 연결 전극(233)을 더 포함할 수 있다.
제1 상부 전극(221) 및 제2 상부 전극(231)은 각각 베이스(210)의 상면 상에 위치할 수 있고, 발광 다이오드 칩(110)과 전기적으로 연결될 수 있다. 제1 하부 전극(225)은 베이스(210)의 하면의 아래에 위치할 수 있다. 이때, 제1 연결 전극(223)은 베이스(210)를 관통하여 제1 상부 및 제1 하부 전극(221, 225)을 전기적으로 연결할 수 있다. 이와 유사하게, 제2 하부 전극(235)은 베이스(210)의 하면 상에 위치할 수 있고, 제2 연결 전극(233)은 베이스(210)를 관통하여 제2 상부 및 제2 하부 전극(231, 235)을 전기적으로 연결할 수 있다.
다만, 본 발명은 이에 한정되지 않으며, 제1 상부 전극(221) 및 제1 하부 전극(225)은 베이스(210)의 측면을 따라 위치하는 연결 전극(미도시)에 의해 전기적으로 연결될 수도 있다. 나아가, 제1 하부 전극(225)은 베이스(210)의 아래에 위치하지 않고, 베이스(210)의 측면으로부터 돌출되어 연장되는 형태로 형성될 수도 있다. 제2 상부 전극(231)과 제2 하부 전극(235)의 경우에도 이와 유사한 형태로 형성될 수 있다.
한편, 제1 상부 전극(221)과 제2 상부 전극(231) 간의 간격(D1)은 제1 하부 전극(225)과 제2 하부 전극(235) 간의 간격(D3)보다 작을 수 있다. 예를 들어, 제1 및 제2 상부 전극(221, 231) 간의 간격(D1)은 약 30 내지 80㎛ 일 수 있다. 발광 다이오드 칩(110)과 연결되는 제1 및 제2 상부 전극(221, 231) 간의 간격을 상술한 범위 내로 설정함으로써, 상기 발광 장치 동작 시 발광 다이오드 칩(110)에서 방출되는 열을 효과적으로 외부로 방출시킬 수 있어, 발광 장치의 열 방출 효율이 향상될 수 있다. 따라서 고전류에서 구동하더라도 열로 인한 발광 장치의 신뢰성 저하를 방지할 수 있다. 또한, 제1 및 제2 하부 전극(225, 235) 간의 간격(D3)은 약 150㎛ 이상일 수 있다. 이에 따라, 제1 및 제2 하부 전극(225, 235) 간의 간격을 상술한 범위로 설정함으로써, 상기 발광 장치가 별도의 2차 기판 등에 실장되는 경우에 제1 및 제2 하부 전극(225, 235) 간의 전기적 쇼트가 발생하는 것을 최소화할 수 있다.
또한, 제1 및 제2 상부 전극(221, 231) 각각의 면적을 더한 값은 파장변환부(120)의 수평 면적보다 클 수 있다. 따라서, 도시된 바와 같이, 제1 및 제2 상부 전극(221, 231)은 파장변환부(120)에 비해 수평 방향으로 더 연장된 형태로 형성될 수 있다.
한편, 기판(200)은 베이스(210)의 하면에 위치하거나 베이스(210)를 적어도 부분적으로 관통하는 방열 패드(미도시)를 더 포함할 수 있다. 상기 방열 패드는 기판(200)의 열 방출 효율을 더욱 향상시킬 수 있다. 상기 방열 패드는 제1 및 제2 하부 전극(225, 235)의 사이에 위치할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 전극들(220, 230)은 전기적 도전성 물질을 포함할 수 있고, 예를 들어, Ni, Pt, Pd, Rh, W, Ti, Al, Ag, Au, Cu 등과 같은 금속을 포함할 수 있다.
보호 소자(150)는 기판(200)의 일 표면 상에 위치할 수도 있고, 기판(200) 내에 위치할 수도 있다. 본 실시예에 있어서, 보호 소자(150)는 베이스(210)의 내부에 위치하여, 보호 소자(150)로 인한 광의 흡수를 방지할 수 있다. 보호 소자(150)는 정전기 방전 또는 서지(surge)로부터 발광 다이오드 칩(110)을 보호하는 역할을 할 수 있고, 예컨대, 제너 다이오드, TVS 다이오드 등을 포함할 수 있다.
발광 다이오드 칩(110)은 기판(200) 상에 위치할 수 있고, 발광 구조체(111), 제1 패드 전극(113) 및 제2 패드 전극(115)을 포함할 수 있다.
발광 구조체(111)는 n형 반도체층, p형 반도체층 및 n형 반도체층과 p형 반도체층의 사이에 위치하는 활성층을 포함할 수 있고, 이에 따라, 발광 다이오드 칩(110)에 전원이 공급되는 경우 광이 방출될 수 있다. 발광 다이오드(110)는 청색광 또는 UV광을 방출할 수 있으나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 제1 패드 전극(113)과 제2 패드 전극(115)은 각각 n형 반도체층 및 p형 반도체층(또는 반대로)에 전기적으로 연결될 수 있다. 특히, 이에 따라, 제1 및 제2 패드 전극(113, 115)은 발광 다이오드 칩(110)의 하부에 위치할 수 있고, 예컨대, 도시된 바와 같이, 제1 패드 전극(113)과 제2 패드 전극(115)은 발광 구조체(111)로부터 아래 방향으로 연장되어 형성될 수 있다. 다양한 실시예들에서, 제1 및 제2 패드 전극(113, 115)은 발광 구조체(111)의 하면과 대체로 동일한 평면상에 나란하게 위치할 수도 있고, 발광 구조체(111)의 하면보다 높게 위치할 수도 있다. 제1 및 제2 패드 전극(113, 115)가 발광 구조체(111)의 하면 보다 높게 위치하는 경우, 발광 구조체(111)의 하면에는 홈들이 형성될 수 있고, 상기 홈에 제1 및 제2 패드 전극(113, 115)가 노출될 수 있다. 발광 다이오드 칩(110)의 구조적인 형태는 제한되지 않으며, 예를 들어, 제1 패드 전극(113)과 제2 패드 전극(115)이 발광 구조체(111)의 일면 상에 위치하는 플립칩형 반도체 발광 소자일 수 있다.
제1 및 제2 패드 전극(113, 115)은 각각 기판(200)의 제1 전극(221) 및 제2 전극(231)에 전기적으로 연결될 수 있다. 이에 따라, 제1 및 제2 전극(221, 231)을 통해 발광 다이오드 칩(110)에 전원이 공급될 수 있다. 한편, 제1 및 제2 패드 전극(113, 115) 간의 간격(D2)은 제1 상부 전극(221)과 제2 상부 전극(231) 간의 간격(D1)보다 크거나 또는 대체로 동일할 수 있다. 이에 따라, 발광 다이오드 칩(110)에서 발생하는 열을 더욱 효율적으로 기판(200) 측으로 전달하여 발광 장치의 열 방출 효율을 향상시킬 수 있다.
또한, 제1 및 제2 패드 전극(113, 115)의 수평 면적은 제1 및 제2 상부 전극(221, 231)의 수평 면적보다 작을 수 있다. 나아가, 제1 및 제2 패드 전극(113, 115)의 두께는 제1 및 제2 상부 전극(221, 231)의 두께보다 작을 수 있다. 이에 따라, 발광 구조체(111)로부터 제1 및 제2 상부 전극(221, 231)까지의 거리를 감소시켜 열 방출 효율을 향상시킴과 동시에, 열 방출 경로를 제1 및 제2 상부 전극(221, 231) 위주로 형성하여 발광 장치의 열 방출 효율을 향상시킬 수 있다.
한편, 제1 및 제2 패드 전극(113, 115)은 각각 제1 및 제2 상부 전극(221, 231)에 본딩될 수 있다. 이에 따라, 제1 및 제2 패드 전극(113, 115) 각각과 제1 및 제2 상부 전극(221, 231) 각각의 사이에는 본딩층(160)이 개재될 수 있다. 본딩층(160)은 공정 구조(Eutectic structure)를 가질 수 있고, 예컨대, 공정 본딩(Eutectic bonding)된 AuSn을 포함할 수 있다. 본딩층(160)을 공정 본딩된 AuSn으로 형성함으로써, 본딩층(160)의 열 전도성을 향상시킬 수 있다.
파장변환부(120)는 발광 다이오드 칩(110) 상에 위치할 수 있고, 적어도 발광 다이오드 칩(110)의 상면의 적어도 일부를 덮을 수 있다. 파장변환부(120)는 그 상면에 형성된 적어도 하나의 홈(123)을 포함할 수 있다. 나아가, 파장변환부(120)의 면적은 발광 다이오드 칩(110)의 상면 면적보다 더 클 수 있고, 이와 달리, 파장변환부(120)는 발광 다이오드 칩(110)의 상면과 대체로 동일한 면적으로 형성될 수 있다. 또한, 파장변환부(120) 측면의 적어도 일부는 광 반사성을 갖는 측벽부(140)와 접촉할 수 있다.
파장변환부(120)는 시트 형태를 가질 수 있으며, 상기 시트 형태의 파장변환부(120)는 발광 다이오드 칩(110) 상에 접착될 수 있다. 시트 형태의 파장변환부(120)는 접착부(130)에 의해 접착될 수 있고, 접착부(130)와 관련하여서는 후술하여 상세하게 설명한다.
파장변환부(120)는 1종 이상의 녹색 형광체, 1종 이상의 시안 형광체 및 1종 이상의 황색 형광체 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 나아가, 파장변환부(120)는 1종 이상의 적색 형광체를 더 포함할 수 있다. 예를 들어, 파장변환부(120)는 가넷형 형광체, 알루미네이트 형광체, 황화물 형광체, 산질화물 형광체, 질화물 형광체, 불화물계 형광체, 규산염 형광체 등을 포함할 수 있고, 발광 다이오드 칩(110)에서 방출된 광을 파장변환하여 다양한 색의 광을 방출하도록 할 수 있다. 예를 들어, 발광 다이오드 칩(110)이 청색광 대역의 피크 파장을 갖는 광을 방출하는 경우, 파장변환부(120)는 청색광보다 긴 파장의 피크 파장을 갖는 광(예를 들어, 녹색광, 적색광 또는 황색광)을 방출시키는 형광체를 포함할 수 있다. 또는, 발광 다이오드 칩(110)이 UV 대역의 피크 파장을 갖는 광을 방출하는 경우, 파장변환부(120)는 UV광보다 긴 파장의 피크 파장을 갖는 광(예를 들어, 청색광, 녹색광, 적색광 또는 황색광)을 방출시키는 형광체를 포함할 수 있다. 이에 따라, 발광 장치(10)에서 백색광이 방출되도록 할 수 있다. 다만, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며, 특히, 본 실시예에 있어서, 파장변환부(120)는 1종의 형광체를 포함할 수 있다.
몇몇 실시예들에 있어서, 파장변환부(120)는 형광체 및 상기 형광체를 담지하는 담지부를 포함할 수 있다. 상기 담지부는 폴리머 수지 또는 유리, 알루미나와 같은 세라믹 등을 포함할 수 있다. 상기 형광체는 담지부 내에 무작위로 배치될 수 있다. 예를 들어, 파장변환부(120)는 Si계열의 담지부 내에 형광체가 배치된 PiS(phosphor in silicone), Al2O3 담지부 내에 형광체가 배치된 PiC(phosphor in ceramic), 또는 유리 담지부 내에 형광체가 배치된 PiG(phosphor in glass) 등을 포함할 수 있다. 상술한 구조를 포함하는 파장변환부(120)는 시트 내지 플레이트 형태로 제조되어 발광 다이오드 칩(110) 상에 위치되거나 발광 다이오드 칩(110)에 접착될 수 있다. 파장변환부(120)의 담지체로, 유리 또는 세라믹을 이용함으로써, 발광 장치의 고전류 구동 시의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
또한, 다양한 실시예들에서, 파장변환부(120)는 형광체 물질로 형성된 단결정 또는 다결정 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 파장변환부(120)는 단결정 형광체(single crystal phosphor) 또는 다결정 형광체(polycrystal phosphor)를 포함할 수 있다. 단결정 형광체 또는 다결정 형광체를 포함하는 파장변환부(120)는 형광체 시트 내지 플레이트 형태로 제공될 수 있다. 상기 시트 내지 플레이트 형태의 파장변환부(120)는 형광체로 이루어질 수 있으며, 예를 들어, 상기 단결정 형광체는 단결정의 YAG:Ce일 수 있다. 단결정 또는 다결정의 형광체 시트(또는 플레이트) 형태의 파장변환부(120)를 통과하는 광은 대체로 일정한 색좌표를 갖는 광을 방출시킬 수 있어, 상기 단결정 또는 다결정 형광체 시트(또는 플레이트)를 포함하는 파장변환부(120)가 복수의 발광 장치들에 적용되는 경우 상기 복수의 발광 장치들 간의 색좌표 편차를 감소시킬 수 있다.
또한, 파장변환부(120)는 그 상면에 형성된 적어도 하나의 홈(123)을 포함한다. 도 1 내지 도 3에 도시된 바와 같이, 적어도 하나의 홈(123)은 파장변환부(120)를 적어도 부분적으로 관통할 수 있다. 파장변환부(120)의 홈(123)은 다양한 공지의 방법을 통해 파장변환부(120)를 부분적으로 제거함으로써 형성될 수 있다. 예컨대, 상기 홈(123)은 식각 공정 또는 레이저 처리 공정 등을 통해 형성될 수 있다. 파장변환부(120)가 하나 이상의 홈(123)을 포함함으로써, 발광 다이오드 칩(110)으로부터 방출된 광의 일부가 파장변환부(120)를 통과하는 경로가 홈(123)이 형성되지 않은 파장변환부(120)를 통과하는 경로에 비해 짧아질 수 있다. 이에 따라, 파장변환부(120)에 홈(123)을 형성함으로써, 발광 다이오드 칩(110)으로부터 방출된 광 중 파장변환되지 않은 광의 비율을 향상시킬 수 있다.
예를 들어, 발광 다이오드 칩(110)이 청색광을 방출하고, 파장변환부(120)가 녹색 형광체, 황색 형광체 및 적색 형광체 중 적어도 하나를 포함하는 경우, 상기 발광 장치에서 방출된 광은 상대적으로 청색광이 강한 백색광이 방출될 수 있다. 즉, 상기 발광 장치에서 방출된 백색광은 홈(123)을 포함하지 않는 파장변환부(120)를 통과하여 방출되는 백색광에 비해 높은 색 온도의 광을 방출할 수 있다. 또한, 상기 발광 장치에서 방출된 백색광은 홈(123)을 포함하지 않는 파장변환부(120)를 통과하여 방출되는 백색광에 비해 낮은 CIEx값 및 낮은 CIEy값을 갖는 색 좌표의 광을 방출할 수 있다. 이와 같이, 파장변환부(120) 상면을 가공하여 홈(123)을 형성하는 공정만을 추가적으로 수행하는 것을 통해, 발광 장치에서 방출되는 광의 색 좌표 및 색 온도를 제어할 수 있다.
파장변환부(120)의 홈(123)은 규칙적인 패턴 형상을 가질 수 있다. 특히, 파장변환부(120) 상면 전체에 걸쳐 대체로 균일하게 분포된 패턴 형상을 가질 수 있다. 이에 따라, 상기 발광 장치의 파장변환부(120) 상면, 즉 상기 발광 장치의 발광면 전체에 걸쳐 균일한 색의 발광 패턴을 갖는 발광 장치가 제공될 수 있다. 예를 들어, 파장변환부(120)의 홈(123)은 복수의 아일랜드 패턴(도 1 내지 도 3 참조), 복수의 스트라이프 패턴(도 4 참조), 및 메쉬 패턴(도 5 참조) 중 적어도 하나의 형상으로 형성될 수 있다. 또한, 홈(123)의 형상은 음각 패턴일 수도 있고, 양각 패턴일 수도 있다. 또한, 홈(123)의 단면 형상은 다양하게 변형될 수 있고, 예컨대, 상기 단면 형상은 사각 기둥, 삼각뿔, 사각뿔, U자 형, 다각 기둥 등 다양한 형상으로 형성될 수 있다. 이러한 홈(123)의 패턴 및 형상은 요구되는 방출 광의 특성에 따라 다양하게 변형될 수 있다.
이러한 파장변환부(120)에 홈(123)을 형성하여 발광 장치의 방출 광을 제어하는 것은, 파장변환부(120)가 미리 제조된 시트 또는 플레이트 형태로 제공되는 경우 더욱 유용하게 적용될 수 있다. 즉, PiC(phosphor in ceramic) 시트(또는 플레이트), PiG(phosphor in glass) 시트(또는 플레이트)의 경우, 별도로 제조된 파장변환 시트 또는 플레이트를 이용하므로, 파장변환부(120) 내에 포함된 형광체를 조절하려면 파장변환 시트 또는 플레이트를 새롭게 제조하여야 한다. 나아가, 단결정 형광체 시트(또는 플레이트), 다결정 형광체 시트(또는 플레이트)의 경우는 형광체의 농도를 조절하기 어려우므로, 파장변환부(120)에서 방출되는 광의 특성을 변경하는 것이 어렵다. 그러나 본 실시예에 따르면, 상술한 종류의 파장변환부(120)의 경우에도 용이하게 방출되는 광의 특성(색 좌표 및 색 온도 등)을 간단한 추가 공정을 통해 제어할 수 있다.
한편, 파장변환부(120)의 적어도 일 측면은 제1 면(121) 및 제1 면(121) 상에 위치하는 제2 면(122)을 포함할 수 있다. 이때, 제2 면(122)은 제1 면(121)보다 큰 경사를 가질 수 있고, 제1 면(121)이 파장변환부(120)의 하면과 이루는 각은 제2 면(122)이 파장변환부(120)의 하면과 이루는 각보다 클 수 있다. 예컨대, 도시된 바와 같이, 파장변환부(120)는 직육면체 형태로 형성되어, 상기 직육면체의 네 측면은 모두 제1 면(121)과 제2 면(122)을 포함할 수 있다. 이때, 제1 면(121)은 파장변환부(120)의 하면에 대해 대체로 수직으로 형성될 수 있다. 제2 면(122)은 파장변환부(120)의 하면에 대해 예각을 이루도록 형성될 수 있다.
또한, 파장변환부(120)의 제2 면(122)의 적어도 일부는 외부로 노출될 수 있다. 파장변환부(120)의 적어도 일 측면의 일부는, 측벽부(140)에 둘러싸여 덮여질 수 있고, 이때, 제2 면(122)의 적어도 일부는 측벽부(140)에 덮여지지 않고 발광 장치의 상부로 노출될 수 있다. 몇몇 실시예들에서, 제1 면(121)의 일부가 더 발광 장치의 상부로 노출될 수도 있다. 이에 따라, 파장변환부(120)의 일부는 측벽부(140)의 상면보다 상부로 돌출될 수 있어, 파장변환부(120)의 상면은 측벽부(140)의 상면보다 높게 위치할 수 있다. 예컨대, 도시된 바와 같이, 파장변환부(120)의 파장변환부(120)는 직육면체 형태로 형성되어, 상기 직육면체의 네 측면은 모두 제1 면(121)과 제2 면(122)을 포함할 수 있다. 이때, 제1 면(121)은 측벽부(140)에 의해 덮여질 수 있고, 제2 면(122)은 발광 장치의 상부로 노출될 수 있다.
파장변환부(120)의 적어도 일 측면이 제1 및(121) 및 제2 면(122)을 포함함으로써, 발광 장치의 발광면에서 방출되는 광의 색 편차를 감소시킬 수 있고, 광의 광 추출 효율을 향상시킬 수 있다. 예를 들어, 발광 구조체(111)에서 방출되는 광이 청색광이고, 파장변환부(120)가 황색 형광체를 포함하는 경우, 발광면의 테두리 주변 영역을 향하는 광이 전반사되지 않고 제2 면(122)을 통해 외부로 방출될 수 있어, 발광면의 테두리 주변 영역에서의 발광 색이 발광면의 나머지 부분에서의 발광 색에 비해 더 황색이 강하게 나타나는 현상을 방지할 수 있다. 따라서, 본 실시예에 따르면, 발광 장치의 발광 면 전반에 걸쳐 균일한 발광 특성을 제공할 수 있다. 이에 따라, 부분적으로 색편차가 발생하여 발광 장치에서 방출되는 광의 색 좌표가 의도한 바와 다른 색 좌표로 변형되는 것을 방지할 수 있다.
접착부(130)는 발광 다이오드 칩(110)와 파장변환부(120) 사이에 위치할 수 있고, 발광 다이오드 칩(110)와 파장변환부(120)를 접착하는 역할을 할 수 있다. 접착부(130)는 접착성 물질을 포함할 수 있으며, 나아가, 형광체를 더 포함할 수 있다. 접착성 물질은 폴리머 접착제, 실리콘 접착제 등 일반적일 접착제일 수 있다.
접착부(130)는 발광 다이오드 칩(110)과 파장변환부(120)의 사이에 위치하여 발광 다이오드 칩(110)과 파장변환부(120)를 접합할 수 있다. 나아가, 접착부(130)는 발광 다이오드 칩(110) 측면의 적어도 일부를 더 덮을 수 있다. 파장변환부(120)의 면적이 발광 다이오드 칩(110)의 상면보다 더 큰 경우, 도시된 바와 같이, 발광 다이오드 칩(110)의 측면 상에 형성된 접착부(130)는 경사를 가질 수 있다. 이때, 접착부(130)는 그것의 표면 장력에 의하여 위에서 아래 방향으로 갈수록 그 폭이 좁아지는 형태로 형성될 수 있다. 발광 다이오드 칩(110)의 측면 상에 형성된 접착부(130)의 표면은 평평한 면 및/또는 오목한 면을 포함할 수 있다.
접착부(130)가 발광 다이오드 칩(110)의 측면에도 형성되는 경우, 상기 접착부(130)의 일부는 발광 다이오드 칩(110)과 측벽부(140)의 사이에 개재될 수 있다. 이때, 발광 다이오드 칩(110)의 측면을 덮는 측벽부(140)에도, 발광 다이오드 칩(110)의 측면에 형성된 접착부(130)의 경사면에 대응하는 경사면이 형성될 수 있다. 따라서 발광 다이오드 칩(110)의 측면으로 방출되는 광이 상기 측벽부(140)의 경사면에서 반사될 수 있어, 발광 장치의 광 추출 효율이 향상될 수 있다. 또한, 발광 다이오드 칩(110)과 측벽부(140)의 사이에 개재된 접착부(130)에 의해 광이 산란되거나 발광 다이오드 칩(110)의 측면 부분에서의 전반사가 감소할 수 있어, 발광 장치의 발광 효율이 향상될 수 있다.
다만, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며, 접착부(130)는 발광 다이오드 칩(110)의 하면까지 연장되어 형성될 수 있으며, 나아가 제1 및 제2 패드 전극(113, 115)의 측면에도 접촉될 수도 있다.
또한, 접착부(130)는 형광체를 더 포함할 수 있고, 상기 형광체는 발광 다이오드 칩(110)로부터 방출된 광을 파장변환할 수 있다. 이에 따라, 다양한 실시예에 따른 발광 장치에 있어서, 발광 다이오드 칩(110)에서 방출된 광은 접착부(130)에서 1차로 파장변환되고, 이어서 파장변환부(120)에서 2차로 파장변환될 수도 있다. 이때, 접착부(130)의 형광체에서 방출되는 파장변환된 광의 파장과 파장변환부(120)에 의해 파장변환된 광의 파장은 서로 다를 수 있고, 접착부(130)의 형광체에 의해 파장변환된 광의 피크 파장은 파장변환부(120)에 의해 파장변환된 광의 피크 파장보다 길 수 있다. 예를 들어, 접착부(130)의 형광체는 적색 형광체일 수 있고, 파장변환부(120)는 녹색 형광체, 시안 형광체 및 황색 형광체 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 이에 따라, 접착부(130)에서 1차로 파장변환된 광이 파장변환부(120)에서 다시 파장변환되어, 발광 장치에서 방출되는 광이 예상하지 못한 색 좌표를 갖는 것을 방지할 수 있다.
본 실시예에 따르면, 발광 다이오드 칩(110)에서 방출된 광이 접착부(130)에 포함된 형광체(133)에 의해 1차로 파장변환되고, 이어서 파장변환부(120)에 의해 2차로 파장변환된다. 이에 따라, 발광 다이오드 칩(110)에서 방출된 광이 2단계에 걸쳐 파장변환되므로, 복수의 발광 장치들에 대해서 대체로 균일한 색좌표를 갖는 광이 방출될 수 있다. 즉, 복수의 발광 장치들 간의 색좌표 편차를 감소시킬 수 있다.
나아가, 접착부(130)에 포함된 형광체의 종류 및 농도 등을 조절하여, 발광 장치에서 방출되는 광의 색좌표를 용이하게 조절할 수 있다. 특히, 복수의 발광 장치들에 대해서 동일한 파장변환부들을 적용하더라도, 접착부(130)에 포함되는 형광체만을 조절함으로써, 간단하게 발광 장치들의 색좌표를 조절할 수 있다. 특히, 파장변환부(120)가 단결정 또는 다결정 형광체 시트(또는 플레이트)를 포함하는 경우, 단결정 또는 다결정 형광체 시트(또는 플레이트)는 형광체의 농도 등을 조절할 수 없어 파장변환부(120)로부터 방출되는 광의 색 좌표는 거의 일정하다. 이때, 접착부(130)에 포함되는 형광체의 종류 및 농도를 조절하여 발광 장치(10)로부터 방출되는 광의 색좌표는 용이하게 조절할 수 있다.
즉, 본 실시예에 따르면, 파장변환부(120)에 홈(123)을 형성하는 것과 더불어, 접착부(130)에 형광체를 더 포함시켜 용이하게 발광 장치의 발광 색 특성을 제어할 수 있다.
측벽부(140)는 기판(200) 상에 위치할 수 있고, 발광 다이오드 칩(110)의 측면 및 파장변환부(120) 측면의 일부를 둘러쌀 수 있다. 또한, 측벽부(140)는 파장변환부(120)의 일부 측면과 발광 다이오드 칩(110)의 적어도 일부 측면에 접촉할 수 있다. 측벽부(140)는 파장변환부(120)의 제1 면(121)의 적어도 일부와 접할 수 있고, 나아가 제2 면(121)의 적어도 일부는 측벽부(140)에 덮이지 않고 노출된다. 다만, 몇몇 실시예들에 있어서, 접착부(130)가 발광 다이오드 칩(110)의 측면을 완전히 덮는 경우, 측벽부(140)와 발광 다이오드 칩(110)의 사이에는 접착부(130)가 개재되며, 발광 다이오드 칩(110)의 측면은 접착부(130)를 통해 측벽부(140)와 접할 수 있다. 측벽부(140)가 발광 다이오드 칩(110) 및 파장변환부(120)와 접하도록 형성됨으로써, 측벽부(140)에 의해 반사되는 광의 효율을 높여 발광 장치의 발광 효율을 향상시킬 수 있다. 또한, 측벽부(140)의 측면은 기판(200)의 측면과 대체로 나란하게 형성될 수 있다. 나아가, 측벽부(140)는 제1 및 제2 상부 전극(221, 231)의 상면 및 측면의 일부를 더 덮을 수 있다.
측벽부(140)는 절연성의 폴리머 물질 또는 세라믹을 포함할 수 있고, 나아가, 광을 반사시키거나 산란시킬 수 있는 필러를 더 포함할 수 있다. 측벽부(140)는 광투과성, 광 반투과성 또는 광 반사성을 가질 수 있다. 예를 들어, 측벽부(140)는 실리콘 수지, 또는 에폭시 수지, 폴리이미드 수지, 우레탄 수지 등과 같은 폴리머 수지를 포함할 수 있다. 본 실시예에서 상기 측벽부(140)는 광 반사성을 갖는 백색 실리콘 수지를 포함할 수 있다.
상기 필러는 측벽부(140) 내에 균일하게 분산 배치될 수 있다. 상기 필러는 광을 반사시키거나 산란시킬 수 있는 물질이면 제한되지 않으며, 예를 들어, 산화티탄(TiO2), 산화규소(SiO2), 또는 산화지르코늄(ZrO2) 등일 수 있다. 측벽부(140)는 상기 필러들 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 필러의 종류 또는 농도 등을 조절함으로써, 측벽부(300)의 반사도 또는 광의 산란 정도 등을 조절할 수 있다. 특히, 측벽부(140)가 TiO2를 포함하는 경우, TiO2에 의해 측벽부(140)를 통한 열 전도 효율이 향상될 수 있어 발광 장치의 열 방출 효율이 향상될 수 있다. 특히, 측벽부(140)는 제1 및 제2 상부 전극(221, 231)에 접촉될 수 있어, 제1 및 제2 상부 전극(221, 231)으로부터 측벽부(140)를 통한 열 전달 효율이 향상될수록 발광 장치의 방열 효율이 향상될 수 있다.
한편, 측벽부(140)의 상면(140u)은 대체로 평평하게 형성될 수 있다. 본 실시예의 파장변환부(120)는 적어도 일부가 외부로 노출되는 제2 면(122)을 포함하므로, 파장변환부(120)의 상면은 측벽부(140)의 상면(140u)보다 높게 위치할 수 있다. 다만, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며, 측벽부(140)의 상면(140u)은 경사를 가질 수 있다. 경사를 갖는 측벽부(140)의 상면(140u)의 발광 장치의 중심으로부터 외부로 향하는 방향에 따라 낮아지는 경사를 가질 수 있다. 또한, 상기 상면(140u)은 곡면을 포함할 수 있다. 측벽부(140)의 상면(140u)이 측벽부(140)의 측면 방향으로 갈수록 낮아지는 경사진 면을 포함함으로써, 제조 과정에서의 공정 편차로 인해 측벽부(140)의 상면(140u)이 제2 면(122)의 최하부보다 높게 형성되어, 제2 면(122)을 통과한 광이 측벽부(140)에 의해 반사되는 것을 방지할 수 있다. 따라서, 측벽부(140)가 공정 편차로 인해 비교적 높게 형성되더라도 발광 장치의 발광면에 색편차가 발생하는 것을 최소화할 수 있다.
상술한 실시예들에 따른 발광 장치의 구조는 복수의 발광 다이오드 칩을 갖는 경우에도 유사하게 적용될 수 있다.
도 6 및 도 7은 본 발명의 다른 실시예들에 따른 발광 장치를 설명하기 위한 평면도 및 단면도이다. 도 7은 도 6의 A-A'선에 대응하는 부분의 단면을 도시한다.
도 6 및 도 7의 발광 장치는 도 1 내지 도 3을 참조하여 설명한 발광 장치에 비해 추가 파장변환부(125)를 더 포함하는 점에서 차이가 있다. 이하 차이점을 중심으로 본 실시예의 발광 장치에 관하여 설명하며, 동일한 구성에 대한 상세한 설명은 생략한다.
상기 발광 장치는, 발광 다이오드 칩(110), 파장변환부(120), 측벽부(140) 및 추가 파장변환부(125)를 포함한다. 나아가, 상기 발광 장치는 기판(200), 접착부(130) 및 보호 소자(150)를 더 포함할 수 있다.
추가 파장변환부(125)는 파장변환부(120)의 홈(123)을 적어도 부분적으로 채울 수 있다. 추가 파장변환부(125)는 형광체와 같은 파장변환 물질을 포함할 수 있으며, 상기 파장변환 물질을 담지하는 담지부를 더 포함할 수 있다. 예를 들어, 추가 파장변환부(125)는 Si 수지 계열의 담지부 및 상기 담지부에 담지된 1종 이상의 형광체를 포함할 수 있다.
또한, 추가 파장변환부(125)에서 파장변환되는 광은 파장변환부(120)에서 파장변환되는 광과 다를 수 있다. 특히, 추가 파장변환부(125)에서 파장변환된 광의 평균 피크 파장은 파장변환부(120)에서 파장변환된 광의 평균 피크 파장보다 길 수 있다. 예를 들어, 파장변환부(120)는 1종 이상의 녹색 형광체, 1종 이상의 시안 형광체, 1종 이상의 황색 형광체 중 적어도 하나를 포함할 수 있고, 추가 파장변환부(125)는 1종 이상의 적색 형광체를 포함할 수 있다. 이 경우, 추가 파장변환부(125)에 의해 적색으로 파장변환된 광의 비율이 증가할 수 있어, 상기 발광 장치에서 방출되는 광은 도 1 내지 도 3의 발광 장치에서 방출된 광에 비해 더 낮은 색 온도를 갖는 광이 방출될 수 있다. 또한, 상기 발광 장치에서 방출되는 광은 도 1 내지 도 3의 발광 장치에서 방출된 광에 비해 더 낮은 CIEy값을 갖는 광을 방출할 수 있다. 이와 같이, 파장변환부(120)의 홈(123)을 적어도 부분적으로 채우는 추가 파장변환부(125)를 형성함으로써, 상기 발광 장치에서 방출되는 광의 색 좌표 및 색 온도를 추가로 변경할 수 있다.
추가 파장변환부(125)의 상면은 오목한 면, 평평한 면 및 볼록한 면 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 또한, 추가 파장변환부(125)가 볼록한 면을 포함하는 경우, 추가 파장변환부(125)의 상면은 파장변환부(120)의 상면보다 높게 위치할 수 있다. 즉, 추가 파장변환부(125)는 파장변환부(120)의 상면으로부터 돌출된 볼록 렌즈와 유사한 형태로 형성될 수 있다. 이와 반대로, 추가 파장변환부(125)가 오목한 면을 포함하는 경우, 추가 파장변환부(125)의 상면은 파장변환부(120)보다 낮게 위치할 수 있다. 이러한 경우, 파장변환부(120)의 상면에 복수의 미세 렌즈가 형성되거나 요철 패턴이 형성된 경우와 유사한 형상이 파장변환부(120)의 상면에 형성될 수 있고, 따라서 발광 장치의 광 추출 효율이 향상될 수 있다.
도 8은 본 발명의 실시예들에 따른 발광 장치의 색 좌표 변화를 설명하기 위한 그래프이다.
도 8의 그래프에서, C1은 홈(123)을 포함하지 않는 파장변환부를 갖는 발광 장치에서 방출된 광의 색 좌표를 나타내고, E1은 도 1 내지 도 3의 실시예에 따른 발광 장치에서 방출된 광의 색 좌표를 나타내며, E2는 도 6 및 도 7의 실시예에 따른 발광 장치에서 방출된 광의 색 좌표를 나타낸다. C1, 및 E1의 발광 장치들은 청색광을 방출하는 발광 다이오드 칩, 및 황색 형광체를 포함하는 파장변환부를 포함한다. 또한, E2의 발광 장치는 E1의 발광 장치에 더하여, 적색 형광체를 포함하는 추가 파장변환부를 더 포함한다. 도 8을 참조하면, E1은 C1에 비해 낮은 CIEx값 및 낮은 CIEy값을 갖는다. 또한, E1은 C1에 비해 높은 색 온도를 갖는다. E2는 E1에 비해 높은 CIEx값 및 낮은 CIEy값을 갖는다. 또한, E2는 E1에 비해 낮은 색 온도를 갖는다. 이와 같이, 동일한 파장변환부와 동일한 발광 다이오드 칩을 포함하면서도, 파장변환부에 홈을 형성하거나 상기 홈에 추가 파장변환부를 더 형성하는 방법을 이용하여 다양한 색 좌표 및 색 온도의 광을 방출하는 발광 장치들을 구현할 수 있다.
이상에서, 본 발명의 다양한 실시예들에 대하여 설명하였지만, 상술한 다양한 실시예들 및 특징들에 본 발명이 한정되는 것은 아니고, 본 발명의 특허청구범위에 의한 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 변형과 변경이 가능하다.
Claims (20)
- 기판;
상기 기판 상에 위치하는 발광 다이오드 칩;
상기 발광 다이오드 칩 상에 위치하는 파장변환부; 및
상기 발광 다이오드 칩의 측면과 상기 파장변환부의 측면의 일부를 둘러싸되, 상기 파장변환부 측면의 적어도 일부와, 상기 발광 다이오드 칩의 측면의 적어도 일부에 접촉하는 측벽부를 포함하고,
상기 파장변환부는 상면에 형성되며, 상기 파장변환부를 적어도 부분적으로 관통하는 하나 이상의 홈을 포함하는 발광 장치.
- 청구항 1에 있어서,
상기 홈의 형상은 규칙적인 패턴 형상을 갖는 발광 장치.
- 청구항 2에 있어서,
상기 홈은 복수의 아일랜드 패턴, 복수의 스트라이프 패턴 및 메쉬 패턴 중 적어도 하나의 형상으로 형성된 발광 장치.
- 청구항 1에 있어서,
상기 홈의 적어도 일부를 채우는 추가 파장변환부를 더 포함하는 발광 장치.
- 청구항 4에 있어서,
상기 파장변환부에서 파장변환된 광의 평균 피크 파장은 상기 추가 파장변환부에서 파장변환된 광의 평균 피크 파장보다 짧은 발광 장치.
- 청구항 5에 있어서,
상기 파장변환부는 1종 이상의 녹색 형광체, 1종 이상의 시안 형광체, 1종 이상의 황색 형광체 중 적어도 하나를 포함하고,
상기 추가 파장변환부는 1종 이상의 적색 형광체를 포함하는 발광 장치.
- 청구항 4에 있어서,
상기 추가 파장변환부의 상면은 볼록한 면을 포함하는 발광 장치.
- 청구항 7에 있어서,
상기 추가 파장변환부의 상면의 최고점은 상기 파장변환부의 상면보다 높게 위치하는 발광 장치.
- 청구항 1에 있어서,
상기 파장변환부는 시트 또는 플레이트 형태를 가지며, PiG(phosphor in Glass), PiC(phosphor in Ceramic), 단결정 형광체 시트(또는 플레이트) 및 다결정 형광체 시트(또는 플레이트) 중 적어도 하나를 포함하는 발광 장치.
- 청구항 1에 있어서,
상기 파장변환부의 적어도 일 측면은 제1 면 및 상기 제1 면 상에 위치하는 제2 면을 포함하며, 상기 제1 면과 상기 파장변환부의 하면 간의 각은 상기 제2 면과 상기 파장변환부의 하면 간의 각보다 크고,
상기 제2 면의 적어도 일부는 노출된 발광 장치.
- 청구항 10에 있어서,
상기 제2 면은 상기 측벽부의 상면보다 상부로 돌출되어 위치하며, 상기 파장변환부의 상면은 상기 측벽부의 상면보다 높게 위치하는 발광 장치.
- 청구항 10에 있어서,
상기 제1 면은 상기 파장변환부의 하면에 대해 수직으로 형성되고, 상기 제2 면은 상기 파장변환부의 하면에 대해 예각을 이루도록 형성되는 발광 장치.
- 청구항 10에 있어서,
상기 파장변환부는 4개의 측면을 포함하고, 상기 4개의 측면 각각은 상기 제2 면을 포함하는 발광 장치.
- 청구항 1에 있어서,
발광 다이오드 칩은 그 하부에 형성된 제1 전극 패드 및 제2 전극 패드를 포함하는 발광 장치.
- 청구항 14에 있어서,
상기 기판은,
베이스; 및
상기 베이스 상에 위치하는 제1 상부 전극 및 제2 상부 전극을 포함하고,
상기 제1 및 제2 전극 패드 각각은 상기 제1 및 제2 상부 전극 각각에 전기적으로 연결되며,
상기 측벽부는 상기 제1 및 제2 상부 전극의 상면의 일부를 더 덮는 발광 장치.
- 청구항 1에 있어서,
상기 파장변환부와 상기 발광 다이오드 칩의 사이에 위치하는 접착부를 더 포함하는 발광 장치.
- 청구항 16에 있어서,
상기 접착부는 상기 발광 다이오드 칩의 측면의 적어도 일부로 더 연장되어 위치하며,
상기 발광 다이오드 칩의 측면에 위치하는 접착부는 상기 측벽부와 상기 발광 다이오드 칩의 사이에 개재된 발광 장치.
- 청구항 17에 있어서,
상기 발광 다이오드 칩의 측면에 위치하는 접착부의 부분은, 경사진 측면을 갖고,
상기 접착부의 경사진 측면은 평평한 면 및/또는 오목한 면을 포함하는 발광 장치.
- 청구항 1에 있어서,
상기 파장변환부는 1종 이상의 녹색 형광체, 1종 이상의 시안 형광체 및 1종 이상의 황색 형광체 중 적어도 하나를 포함하는 발광 장치.
- 청구항 19에 있어서,
상기 접착부는 1종 이상의 적색 형광체를 포함하는 발광 장치.
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