KR20170003239A - Conductive laminate, method for manufacturing thereof, transparent electrode comprising thereof and electronic device comprising thereof - Google Patents

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KR20170003239A KR1020150093638A KR20150093638A KR20170003239A KR 20170003239 A KR20170003239 A KR 20170003239A KR 1020150093638 A KR1020150093638 A KR 1020150093638A KR 20150093638 A KR20150093638 A KR 20150093638A KR 20170003239 A KR20170003239 A KR 20170003239A
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Abstract

The present invention relates to a conductive laminate, a method of manufacturing the same, and a transparent electrode and an electronic device comprising thereof.

Description

전도성 적층체, 이의 제조방법, 이를 포함하는 투명 전극 및 전자소자{CONDUCTIVE LAMINATE, METHOD FOR MANUFACTURING THEREOF, TRANSPARENT ELECTRODE COMPRISING THEREOF AND ELECTRONIC DEVICE COMPRISING THEREOF}TECHNICAL FIELD [0001] The present invention relates to a conductive laminate, a method of manufacturing the same, a transparent electrode and an electronic device including the conductive laminate,

본 명세서는 전도성 적층체, 이의 제조방법, 이를 포함하는 투명 전극 및 전자소자에 관한 것이다.TECHNICAL FIELD The present invention relates to a conductive laminate, a method of manufacturing the same, a transparent electrode including the same, and an electronic device.

첨단 정보기술산업과 함께 신재생 에너지산업이 급부상하면서 전기 전도성과 광투과성을 동시에 갖춘 투명전극에 관한 관심이 높아지고 있다. 유기 전자소자에서의 투명전극은 얇은 투명기판으로 빛이 투과해야 되고, 동시에 전기 전도성도 우수해야 한다.With the emergence of the new and renewable energy industry together with the high-tech information technology industry, there is a growing interest in transparent electrodes having both electric conductivity and light transmittance. Transparent electrodes in organic electronic devices must transmit light through a thin transparent substrate, and at the same time have good electrical conductivity.

최근 폴리머 기판을 활용한 다양한 디스플레이 및 태양광을 포함한 플렉서블 광학 기술의 발전으로 인해 유연성을 가지고 있는 고투과 투명 전극 개발이 요구되고 있다. 현재까지 가장 많이 사용되고 있는 투명 전극용 물질로는 투명 전도성 산화물(Transparent Conducting Oxide: TCO)을 예로 들 수 있다. 구체적으로, 상기 투명 전도성 산화물은 ITO가 대표적이다. 다만, 투명 전도성 산화물은 재료에서 기인한 깨지기 쉬운 특성으로 인하여 벤딩 테스트 진행에 따른 전기적 특성 열화가 확인되고 있다. Recently, development of flexible transparent optoelectronic devices including flexibility and optical technology including various displays and solar cells using polymer substrates is required. Transparent conductive oxide (TCO) is one of the most widely used transparent electrode materials. Specifically, the transparent conductive oxide is typically ITO. However, due to the fragile characteristics of the transparent conductive oxide due to the material, deterioration of electrical characteristics due to progress of the bending test has been confirmed.

그러므로, ITO 등의 투명 전도성 산화물로 이루어진 투명 전극을 대체할 수 있는 전도성 적층체의 개발이 필요하다. Therefore, it is necessary to develop a conductive laminate capable of replacing a transparent electrode made of a transparent conductive oxide such as ITO.

한국 공개 공보 10-2010-0036957호Korean Laid-Open Publication No. 10-2010-0036957

본 명세서는 전도성 적층체, 이의 제조방법, 이를 포함하는 투명 전극 및 전자소자를 제공한다.TECHNICAL FIELD The present invention relates to a conductive laminate, a method for producing the same, a transparent electrode including the same, and an electronic device.

본 명세서의 일 실시상태는, 제1 금속 산화물층; 상기 제1 금속 산화물층 상에 구비된 은을 포함하는 금속층; 및 상기 금속층 상에 구비된 제2 금속 산화물층을 포함하는 전도성 적층체에 있어서, One embodiment of the present disclosure relates to a semiconductor device comprising: a first metal oxide layer; A metal layer comprising silver provided on the first metal oxide layer; And a second metal oxide layer provided on the metal layer,

상기 금속층의 두께는 5 ㎚ 이상 20 ㎚ 이하이며, 상기 금속층의 산소 원자의 함량은 6.5 at% 이상 15 at% 이하이며, 상기 전도성 적층체의 광투과도는 550 nm 파장의 빛에서 80 % 이상인 전도성 적층체를 제공한다. Wherein the thickness of the metal layer is 5 nm or more and 20 nm or less, the content of oxygen atoms in the metal layer is 6.5 at% or more and 15 at% or less, and the light transmittance of the conductive laminate is 80% Provide sieve.

본 명세서의 일 실시상태는, 상기 전도성 적층체를 포함하는 투명 전극을 제공한다. One embodiment of the present disclosure provides a transparent electrode comprising the conductive laminate.

본 명세서의 일 실시상태는, 상기 전도성 적층체를 포함하는 전자 소자를 제공한다. An embodiment of the present disclosure provides an electronic device including the conductive laminate.

본 명세서의 일 실시상태는, 제1 전도성 산화물층을 형성하는 단계; 상기 제1 전도성 산화물층 상에 은을 포함하는 금속층을 형성하는 단계; 및 상기 금속층 상에 제2 전도성 산화물층을 형성하는 단계를 포함하고, An embodiment of the present disclosure is a method of manufacturing a semiconductor device, comprising: forming a first conductive oxide layer; Forming a metal layer including silver on the first conductive oxide layer; And forming a second conductive oxide layer on the metal layer,

상기 금속층을 형성하는 단계는 산소 분압 10% 이하의 분위기에서 은을 증착 소스로 증착법을 이용하는 것인 상기 전도성 적층체의 제조방법을 제공한다. Wherein the forming of the metal layer comprises using a deposition method using silver as an evaporation source in an atmosphere having an oxygen partial pressure of 10% or less.

본 명세서의 일 실시상태에 따른 전도성 적층체는 높은 광 투과도 및 낮은 면저항 값을 갖는 장점이 있다. The conductive laminate according to one embodiment of the present invention has an advantage of having a high light transmittance and a low sheet resistance value.

또한, 본 명세서의 일 실시상태에 따른 전도성 적층체는 우수한 내구성을 가진다. 구제척으로, 본 명세서의 일 실시상태에 따른 전도성 적층체는 가혹한 환경 조건에서도 성능의 저하가 최소화될 수 있으므로, 제품의 신뢰도가 우수한 장점이 있다.Further, the conductive laminate according to one embodiment of the present specification has excellent durability. As a matter of fact, the conductive laminate according to one embodiment of the present invention has an advantage in that the reliability of the product is excellent because deterioration in performance can be minimized even under harsh environmental conditions.

또한, 본 명세서의 일 실시상태에 따른 전도성 적층체는 금속층이 금속 산화물층 사이에 구비되는 구조적인 특성에 의하여 대기 중의 산소와 반응하여 금속층이 산화되는 문제를 방지할 수 있다. In addition, the conductive laminate according to one embodiment of the present invention can prevent the problem that the metal layer is oxidized by reacting with oxygen in the atmosphere due to the structural characteristic that the metal layer is provided between the metal oxide layers.

또한, 본 명세서의 일 실시상태에 따른 전도성 적층체는 금속층에 의하여 우수한 연성을 확보할 수 있으므로, 플렉서블 투명 전극으로서의 활용이 가능한 장점이 있다.In addition, the conductive laminate according to one embodiment of the present invention has an advantage that it can be utilized as a flexible transparent electrode because it can secure excellent ductility by the metal layer.

도 1은 본 명세서의 일 실시상태에 따른 전도성 적층체의 적층 구조를 도시한 것이다.
도 2는 상기 비교예, 실시예 1 내지 5에 따라 제조된 전도성 적층체의 파장에 따른 광투과도를 나타낸 것이다.
도 3은 실험예에 따라 진행된 시간에 따른 전도성 적층체의 헤이즈 값의 변화를 나타낸 것이다.1 shows a laminated structure of a conductive laminate according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 shows light transmittance according to wavelengths of the conductive laminate prepared according to the above-described Comparative Example and Examples 1 to 5.
FIG. 3 shows the change in haze value of the conductive laminate according to the time elapsed according to the experimental example.

본 명세서에서 어떤 부재가 다른 부재 "상에" 위치하고 있다고 할 때, 이는 어떤 부재가 다른 부재에 접해 있는 경우뿐 아니라 두 부재 사이에 또 다른 부재가 존재하는 경우도 포함한다.When a member is referred to herein as being "on " another member, it includes not only a member in contact with another member but also another member between the two members.

본 명세서에서 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함" 한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성 요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다. Whenever a component is referred to as "comprising ", it is to be understood that the component may include other components as well, without departing from the scope of the present invention.

이하, 본 명세서에 대하여 더욱 상세하게 설명한다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail.

본 명세서는 제1 금속 산화물층; 상기 제1 금속 산화물층 상에 구비된 금속층; 및 상기 금속층 상에 구비된 제2 금속 산화물층을 포함하는 전도성 적층체에 관한 것이다. The disclosure includes a first metal oxide layer; A metal layer provided on the first metal oxide layer; And a second metal oxide layer provided on the metal layer.

본 발명자들은 2개의 금속 산화물층 사이에 은으로 이루어진 금속층이 구비된 전도성 적층체에 있어서, 금속층의 성능이 저하(degradation)되는 문제점을 발견하였다. 이와 같은 문제점은 금속층을 형성하는 은이 표면 자유 에너지(surface free energy)를 줄이기 위한 성질에 의하여, 은 입자간에 응집(agglomeration)하는 형상 및 외부환경에 의한 부식 등에 의하여 발생할 수 있다. 나아가, 고온, 다습한 조건에서는 금속층의 성능 저하가 더 가속화되어 전도성 적층체의 광투과도, 헤이즈 및 전기 전도성과 같은 성능의 하락 원인이 될 수 있다. The present inventors have found that the performance of a metal layer is degraded in a conductive laminate having a metal layer made of silver between two metal oxide layers. Such a problem may occur due to the nature of the silver forming the metal layer to reduce the surface free energy, the shape of agglomeration between the silver particles and the corrosion caused by the external environment. Further, under high temperature and high humidity conditions, the performance degradation of the metal layer is further accelerated, which may cause deterioration of performance such as light transmittance, haze and electrical conductivity of the conductive laminate.

이에 본 발명자들은 상기와 같은 문제점을 해결할 수 있는 전도성 적층체를 발명하였다. 구체적으로, 본 명세서의 일 실시상태에 따른 전도성 적층체는 은을 포함하는 금속층의 산소 원자의 함량은 6.5 at% 이상 15 at% 이하이고, 상기 금속층의 두께는 5 ㎚ 이상 20 ㎚ 이하인 것을 특징으로 한다. Accordingly, the present inventors have invented a conductive laminate capable of solving the above problems. Specifically, the conductive laminate according to one embodiment of the present invention is characterized in that the content of oxygen atoms in the metal layer containing silver is 6.5 at% or more and 15 at% or less, and the thickness of the metal layer is 5 nm or more and 20 nm or less do.

본 명세서에 있어서, 전도성은 전기 전도성을 의미한다.In this specification, conductivity means electrical conductivity.

구체적으로, 본 명세서의 일 실시상태는, 제1 금속 산화물층; 상기 제1 금속 산화물층 상에 구비된 은을 포함하는 금속층; 및 상기 금속층 상에 구비된 제2 금속 산화물층을 포함하는 전도성 적층체에 있어서, Specifically, one embodiment of the present disclosure relates to a semiconductor device comprising: a first metal oxide layer; A metal layer comprising silver provided on the first metal oxide layer; And a second metal oxide layer provided on the metal layer,

상기 금속층의 두께는 5 ㎚ 이상 20 ㎚ 이하이며, 상기 금속층의 산소 원자의 함량은 6.5 at% 이상 15 at% 이하이며, 상기 전도성 적층체의 광투과도는 550 nm 파장의 빛에서 80 % 이상인 전도성 적층체를 제공한다. Wherein the thickness of the metal layer is 5 nm or more and 20 nm or less, the content of oxygen atoms in the metal layer is 6.5 at% or more and 15 at% or less, and the light transmittance of the conductive laminate is 80% Provide sieve.

본 명세서의 일 실시상태에 따른 전도성 구조체는 높은 광 투과도를 가지며, 내부의 금속층에 의하여 높은 전기 전도도를 구현할 수 있다. 나아가, 본 명세서의 일 실시상태에 따른 전도성 적층체는 금속층이 금속 산화물층 사이에 구비되는 구조적인 특성에 의하여 대기 중의 산소와 반응하여 금속층이 산화되는 문제를 방지할 수 있다.The conductive structure according to one embodiment of the present disclosure has a high light transmittance and can realize a high electrical conductivity by an inner metal layer. Further, the conductive laminate according to one embodiment of the present invention can prevent the problem that the metal layer is oxidized by reacting with oxygen in the atmosphere due to the structural characteristic that the metal layer is provided between the metal oxide layers.

도 1은 본 명세서의 일 실시상태에 따른 전도성 적층체의 적층 구조를 도시한 것이다. 구체적으로, 도 1은 제1 금속 산화물층(101); 금속층(301); 및 제2 금속 산화물층(201)이 순차적으로 구비된 전도성 적층체를 도시한 것이다. 1 shows a laminated structure of a conductive laminate according to an embodiment of the present invention. Specifically, Figure 1 shows a first metal oxide layer 101; A metal layer 301; And a second metal oxide layer 201 are successively formed on the first conductive layer.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 금속층의 두께는 5 ㎚ 이상 15 ㎚ 이하일 수 있다. 또한, 본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 금속층의 두께는 8 ㎚ 이상 12 ㎚ 이하일 수 있다. 구체적으로, 본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 금속층의 두께는 10 ㎚일 수 있다. According to one embodiment of the present invention, the thickness of the metal layer may be 5 nm or more and 15 nm or less. According to an embodiment of the present invention, the thickness of the metal layer may be 8 nm or more and 12 nm or less. Specifically, according to one embodiment of the present disclosure, the thickness of the metal layer may be 10 nm.

상기 금속층의 두께는 상기 전도성 적층체에 구비된 금속층의 평균 두께를 의미할 수 있다. 또한, 상기 금속층의 두께는 표준 편차가 1 ㎚ 이상 2 ㎚ 이하일 수 있다. The thickness of the metal layer may mean an average thickness of the metal layer provided in the conductive laminate. The thickness of the metal layer may have a standard deviation of 1 nm or more and 2 nm or less.

상기 금속층의 두께가 상기 범위 내에 있는 경우, 상기 전도성 적층체는 우수한 전기 전도도 및 낮은 저항값을 가질 수 있는 장점이 있다. 구체적으로, 상기 금속층의 두께가 5 nm 미만인 경우 연속적인 막이 형성되기 어려우므로 저저항을 구현하기 곤란한 문제점이 있으며, 20 nm 초과인 경우 전도성 적층체의 광투과도가 낮아지는 문제점이 발생할 수 있다.When the thickness of the metal layer is within the above range, the conductive laminate has an advantage that it can have a good electrical conductivity and a low resistance value. In particular, when the thickness of the metal layer is less than 5 nm, it is difficult to form a continuous film because it is difficult to form a continuous film. When the thickness exceeds 20 nm, light transmittance of the conductive laminate may be lowered.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 금속층은 은을 주재료로서 포함할 수 있다. 구체적으로, 본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 금속층은 은을 주재료로 포함하고, 산소 함량이 6.5 at% 이상 15 at% 이하인 것일 수 있다. 다만, 제조 공정상 불순물이 일부 포함될 수 있다. According to an embodiment of the present invention, the metal layer may include silver as a main material. Specifically, according to an embodiment of the present invention, the metal layer may include silver as a main material and have an oxygen content of 6.5 at% or more and 15 at% or less. However, some impurities may be contained in the manufacturing process.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 금속층의 산소 원자의 함량은 7 at% 이상 13 at% 이하일 수 있다, According to an embodiment of the present invention, the content of oxygen atoms in the metal layer may be 7 at% to 13 at%

상기 금속층의 산소 원자의 함량이 상기 범위 내에 있는 경우, 금속층 내의 은의 응집 현상을 최소화할 수 있으며, 나아가, 금속층의 환경에 대한 내구성을 향상시킬 수 있다. When the content of oxygen atoms in the metal layer is within the above range, aggregation of silver in the metal layer can be minimized and the durability of the metal layer can be improved.

또한, 상기 금속층의 산소 원자 함량이 상기 범위 내에 있는 경우, 상기 전도성 적층체는 우수한 광투과도 및 전도성을 가질 수 있다. 구체적으로, 상기 금속층의 산소 원자 함량이 상기 범위 내에 있는 경우, 80% 이상의 우수한 광투과도 및 20 Ω/□ 이하의 낮은 면저항 값을 가지는 전도성 적층체의 구현이 가능하다. 또한, 상기 금속층의 산소 원자 함량이 상기 범위 내에 있는 경우, 상기 전도성 적층체는 환경에 대한 내구성이 우수한 장점이 있다. 구체적으로, 상기 전도성 적층체는 시간에 따른 성능 저하가 최소화될 수 있고, 고온, 다습한 환경에 대하여 우수한 내구성을 가질 수 있다. In addition, when the oxygen atom content of the metal layer is within the above range, the conductive laminate can have excellent light transmittance and conductivity. Specifically, when the oxygen atom content of the metal layer is within the above range, it is possible to realize a conductive laminate having an excellent light transmittance of 80% or more and a low sheet resistance value of 20 Ω / □ or less. Also, when the oxygen atom content of the metal layer is within the above range, the conductive laminate has an advantage of excellent durability against the environment. Specifically, the conductive laminate can minimize deterioration in performance over time, and can have excellent durability against high temperature and high humidity environments.

상기 산소 원자 함량은 XPS(x-ray photoelectron spectroscopy) 분석을 통하여, 상기 금속층의 은 원자에 대한 산소 원자의 비를 통하여 측정할 수 있다. 구체적으로, 상기 산소 원자 함량(at%)은 XPS 분석을 통하여 구하여지는 은원자의 수에 대한 산소 원자의 수를 통하여 구하여질 수 있다.The oxygen atom content can be measured through X-ray photoelectron spectroscopy ("XPS") analysis through the ratio of oxygen atoms to silver atoms of the metal layer. Specifically, the oxygen atom content (at%) can be obtained through the number of oxygen atoms with respect to the number of silver atoms obtained through XPS analysis.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 제1 금속 산화물층의 굴절률은 550 ㎚ 파장의 빛에서 1.2 이상 2.8 이하일 수 있다. 구체적으로, 상기 제1 금속 산화물층의 굴절율은 1.9 이상 2.75 이하일 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the refractive index of the first metal oxide layer may be 1.2 or more and 2.8 or less in light of 550 nm wavelength. Specifically, the refractive index of the first metal oxide layer may be 1.9 or more and 2.75 or less.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 제2 금속 산화물층의 굴절률은 550 ㎚ 파장의 빛에서 1.5 이상 2.5 이하일 수 있다. According to an embodiment of the present invention, the refractive index of the second metal oxide layer may be 1.5 or more and 2.5 or less in light with a wavelength of 550 nm.

본 명세서에서, 상기 굴절률은 광굴절률을 의미한다.In the present specification, the refractive index means a refractive index of light.

상기 제1 금속 산화물층은 고굴절 물질로서, 금속층을 이용한 다층막의 전도성 적층체의 광투과도를 높이는 역할 및 금속층의 증착이 용이하도록 하는 역할을 할 수 있다.The first metal oxide layer may serve as a high refractive index material to improve the light transmittance of the conductive laminate of the multilayer film using the metal layer and facilitate the deposition of the metal layer.

상기 각 층의 굴절률은 상기 전도성 적층체의 광투과도를 80 % 이상으로 구현할 수 있도록, 광설계를 통하여 얻어진 것이다. 그러므로, 상기 굴절률의 범위를 벗어나는 경우, 전도성 적층체의 광투과도가 80 % 이하로 떨어지는 문제가 있다.The refractive index of each of the layers is obtained through optical design so that the light transmittance of the conductive laminate can be 80% or more. Therefore, when the refractive index is out of the range, the light transmittance of the conductive laminate falls to 80% or less.

또한, 상기 각 층의 굴절율은 두께에 의하여 조절되는 것 외에도, 증착 공정을 조절하는 것에 의하여 조절될 수 있다. 구체적으로, 각 층의 증착 조건을 조절하여 결정화도를 조절할 수 있으며, 이에 따라 동일한 두께 및 재료라고 하더라도 굴절율이 상이할 수 있게 된다.In addition, the refractive index of each layer can be controlled by controlling the deposition process in addition to being controlled by the thickness. Specifically, the crystallization degree can be controlled by controlling the deposition conditions of each layer, so that the refractive index can be different even if the same thickness and material are used.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 제1 금속 산화물층의 두께는 20 ㎚ 이상 60 ㎚ 이하일 수 있다. 구체적으로, 본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 제1 금속 산화물층의 두께는 30 nm 이상 40 nm 이하일 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the thickness of the first metal oxide layer may be 20 nm or more and 60 nm or less. Specifically, according to one embodiment of the present invention, the thickness of the first metal oxide layer may be 30 nm or more and 40 nm or less.

상기 제1 금속 산화물층의 두께가 상기 범위 내에 있는 경우 다층 박막 형태의 상기 전도성 적층체의 광투과도이 우수한 장점이 있다. 구체적으로, 상기 제1 금속 산화물층의 두께가 상기 범위를 벗어나는 경우, 전도성 적층체의 광투과도가 낮아지는 문제가 발생한다. 또한, 상기 두께 범위를 벗어나는 경우, 증착된 금속층의 불량률이 높아질 수 있다.When the thickness of the first metal oxide layer is within the above range, the light transmittance of the conductive laminate in the form of a multilayer thin film is advantageous. Specifically, when the thickness of the first metal oxide layer is out of the above-mentioned range, there arises a problem that the light transmittance of the conductive laminate is lowered. Further, when the thickness is out of the above range, the defective rate of the deposited metal layer can be increased.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 제2 금속 산화물층의 두께는 20 ㎚ 이상 80 ㎚ 이하일 수 있다. 구체적으로, 본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 제2 금속 산화물층의 두께는 40 nm 이상 50 nm 이하일 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the thickness of the second metal oxide layer may be 20 nm or more and 80 nm or less. Specifically, according to an embodiment of the present invention, the thickness of the second metal oxide layer may be 40 nm or more and 50 nm or less.

상기 제2 금속 산화물층의 두께가 상기 범위 내에 있는 경우, 상기 전도성 적층체는 우수한 전기 전도도 및 낮은 저항값을 가질 수 있는 장점이 있다. 구체적으로, 상기 제2 금속 산화물층의 두께 범위는 광학 설계를 통하여 얻어진 것으로서, 상기 두께 범위를 벗어나는 경우 전도성 적층체의 광투과도가 낮아지는 문제가 있다.When the thickness of the second metal oxide layer is within the above range, the conductive laminate has an advantage that it can have a good electrical conductivity and a low resistance value. Specifically, the thickness range of the second metal oxide layer is obtained through optical design. When the thickness of the second metal oxide layer is out of the range, the light transmittance of the conductive laminate is lowered.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 제1 금속 산화물층 및 상기 제2 금속 산화물층은 각각, Sb, Ba, Ga, Ge, Hf, In, La, Ma, Se, Si, Ta, Se, Ti, V, Y, Zn 및 Zr로 이루어진 군에서 선택되는 1 이상을 포함하는 산화물을 포함할 수 있다. According to an embodiment of the present invention, the first metal oxide layer and the second metal oxide layer may be formed of a material selected from the group consisting of Sb, Ba, Ga, Ge, Hf, In, La, , V, Y, Zn, and Zr.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 전도성 적층체는 투명 지지체를 더 포함하고, 상기 투명 지지체 상에 상기 제1 금속 산화물층이 구비될 수 있다.According to one embodiment of the present disclosure, the conductive laminate further includes a transparent support, and the first metal oxide layer may be provided on the transparent support.

상기 투명 지지체는 투명성, 표면평활성, 취급용이성 및 방수성이 우수한 유리기판 또는 투명 플라스틱 기판이 될 수 있으나, 이에 한정되지 않으며, 전자소자에 통상적으로 사용되는 기판이면 제한되지 않는다. 구체적으로, 상기 기재로는 유리; 우레탄 수지; 폴리이미드 수지; 폴리에스테르수지; (메타)아크릴레이트계 고분자 수지; 폴리에틸렌 또는 폴리프로필렌 등의 폴리 올레핀계 수지 등으로 이루어진 것이 될 수 있다. The transparent support may be a glass substrate or a transparent plastic substrate having excellent transparency, surface smoothness, ease of handling, and waterproofness, but is not limited thereto and is not limited as long as it is a substrate commonly used in electronic devices. Specifically, the substrate may be glass; Urethane resin; Polyimide resin; Polyester resin; (Meth) acrylate-based polymer resin; A polyolefin-based resin such as polyethylene or polypropylene, or the like.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 전도성 적층체의 H/H0는 5 이하일 수 있다. 상기 H0는 전도성 적층체의 초기 헤이즈 값이고, H는 85 ℃ 및 85 RH%의 분위기에서 36 시간 경과 후의 전도성 적층체의 헤이즈 값을 의미한다. According to one embodiment of the present invention, the H / H 0 of the conductive laminate may be 5 or less. H 0 is the initial haze value of the conductive laminate, and H is the haze value of the conductive laminate after 36 hours in an atmosphere of 85 ° C and 85% RH.

본 명세서의 일 실시상태에 따른 전도성 적층체는 85 ℃ 온도와 85 RH% 에서 36 시간을 경과하는 조건에도 불구하고, 헤이즈 값이 크게 변하지 않을 수 있다. 본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 금속층 내의 산소 함량이 15 at% 이하인 경우, 금속층 내의 은의 응집 현상 및 산화를 최소화될 수 있기 때문이다.The conductive laminate according to one embodiment of the present invention may not significantly change the haze value even though the condition is elapsed at 85 ° C and 36 hours at 85 ° C. According to one embodiment of the present disclosure, when the oxygen content in the metal layer is 15 at% or less, the agglomeration phenomenon and oxidation of silver in the metal layer can be minimized.

그러므로, 본 명세서의 일 실시상태에 따른 전도성 적층체는 가혹한 환경 조건에서도 성능의 저하가 최소화될 수 있으므로, 제품의 신뢰도가 우수한 장점이 있다. Therefore, the conductive laminate according to one embodiment of the present invention has an advantage in that the reliability of the product is excellent since deterioration in performance can be minimized even under harsh environmental conditions.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 전도성 적층체의 면저항 값은 20 Ω/□ 이하일 수 있다. 구체적으로, 본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 투명전극의 면저항 값은 10 Ω/□ 이하일 수 있다.According to one embodiment of the present invention, the sheet resistance value of the conductive laminate may be 20? /? Or less. Specifically, according to one embodiment of the present invention, the sheet resistance value of the transparent electrode may be 10 Ω / □ or less.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 투명전극의 면저항 값은 0.1 Ω/□ 이상 20 Ω/□ 이하의 값을 가질 수 있다. 상기 투명전극의 면저항 값은 상기 금속층에 의하여 결정될 수 있으며, 상기 금속층의 두께 범위 및 상기 제2 금속 산화물층의 두께 범위에 의하여 낮은 값의 면저항 값이 구현 가능하다.According to one embodiment of the present invention, the sheet resistance value of the transparent electrode may have a value of 0.1 Ω / □ or more and 20 Ω / □ or less. The sheet resistance value of the transparent electrode can be determined by the metal layer, and a low value of sheet resistance value can be realized depending on a thickness range of the metal layer and a thickness range of the second metal oxide layer.

상기 투명 전극은 낮은 면저항 값에 의하여 전자소자에 적용하는 경우, 전자소자의 효율을 높일 수 있는 장점이 있다. 나아가, 낮은 면저항 값에도 불구하고, 높은 광투과도를 가지고 있는 장점이 있다.When the transparent electrode is applied to an electronic device by a low sheet resistance value, the efficiency of the electronic device is increased. Furthermore, despite its low sheet resistance value, it has the advantage of having high light transmittance.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 전도성 적층체의 전체 두께는 50 ㎚ 이상 300 ㎚ 이하일 수 있다. According to one embodiment of the present invention, the total thickness of the conductive laminate may be 50 nm or more and 300 nm or less.

상기 전도성 적층체의 두께는 광설계를 통하여 결정할 수 있다. 광설계를 위하여 상기 전도성 적층체의 각 층별 굴절률이 필요하며, 이 값을 통하여 각 층의 두께를 결정할 수 있다. 즉, 상기 전도성 적층체의 광투과도를 80 % 이상으로 구현하기 위하여는 상기 전도성 적층체의 전체 두께가 50 nm 이상 300 nm 이하일 수 있으며, 보다 구체적으로 70 nm 이상 200 nm 이하일 수 있다.The thickness of the conductive laminate can be determined through optical design. For optical design, the refractive index of each layer of the conductive laminate is required, and the thickness of each layer can be determined through this value. That is, in order to realize the light transmittance of the conductive laminate by 80% or more, the total thickness of the conductive laminate may be 50 nm or more and 300 nm or less, more specifically 70 nm or more and 200 nm or less.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 전도성 적층체의 광투과도는 550 nm 파장의 빛에서 80 % 이상일 수 있다. 구체적으로, 본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 전도성 적층체의 광투과도는 550 nm 파장의 빛에서 85 % 이상 또는 90 % 이상일 수 있다.According to one embodiment of the present disclosure, the light transmittance of the conductive laminate may be 80% or more at a wavelength of 550 nm. Specifically, according to one embodiment of the present disclosure, the light transmittance of the conductive laminate may be 85% or more or 90% or more in light with a wavelength of 550 nm.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 전도성 적층체의 헤이즈 값은 1 이하일 수 있다. 구체적으로, 본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 전기 전도성층의 헤이즈 값은 0.5 이하일 수 있다. According to one embodiment of the present invention, the haze value of the conductive laminate may be 1 or less. Specifically, according to one embodiment of the present disclosure, the haze value of the electrically conductive layer may be 0.5 or less.

상기 헤이즈 값은 고온 고습의 분위기를 거치기 전의 상기 전도성 적층체의 헤이즈 값을 의미한다.The haze value means a haze value of the conductive laminate before passing through an atmosphere of high temperature and high humidity.

본 명세서에서 "헤이즈 값"은 Murakami사의 color research laboratory HM-150 Hazemeter 를 이용하여 측정한 값이다.In the present specification, "haze value" is a value measured using a color research laboratory HM-150 hazemeter of Murakami.

본 명세서의 일 실시상태에 따른 전도성 적층체는 광투과도가 우수하고, 헤이즈 값이 낮으므로, 전자소자의 투명 전극의 용도로 사용이 가능하다. 나아가, 상기 전도성 적층체는 높은 광투과도로 인하여 광손실율이 적어 전자소자의 효율을 높일 수 있다. The conductive laminate according to one embodiment of the present invention has excellent light transmittance and low haze value, and thus can be used as a transparent electrode of an electronic device. Furthermore, the conductive laminate has a low light loss rate due to high light transmittance and can increase the efficiency of the electronic device.

본 명세서의 일 실시상태는, 상기 전도성 적층체를 포함하는 투명 전극을 제공한다. One embodiment of the present disclosure provides a transparent electrode comprising the conductive laminate.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 투명 전극은 플렉서블한 것일 수 있다. According to one embodiment of the present disclosure, the transparent electrode may be flexible.

본 명세서의 일 실시상태는, 상기 전도성 적층체를 포함하는 전자 소자를 제공한다. An embodiment of the present disclosure provides an electronic device including the conductive laminate.

또한, 본 명세서의 일 실시상태는, 상기 투명 전극을 포함하는 전자 소자를 제공한다. In addition, one embodiment of the present invention provides an electronic device including the transparent electrode.

상기 전도성 적층체를 포함하는 투명 전극을 포함하는 전자소자는 높은 광투과도 및 낮은 면저항의 상기 전도성 적층체로 인하여, 높은 반응 속도를 구현할 수 있다. The electronic device including the transparent electrode including the conductive laminate can realize a high reaction rate due to the conductive laminate having high light transmittance and low sheet resistance.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 전자 소자는 터치 패널, 발광 유리, 발광 소자, 태양 전지 또는 트랜지스터일 수 있다. According to an embodiment of the present invention, the electronic device may be a touch panel, a light emitting glass, a light emitting device, a solar cell, or a transistor.

상기 터치 패널, 발광 유리, 발광 소자, 태양 전지 및 트랜지스터는 당업계에 일반적으로 알려져 있는 것일 수 있으며, 전극을 본 명세서의 투명전극으로 사용한 것일 수 있다. The touch panel, the light emitting glass, the light emitting device, the solar cell, and the transistor may be commonly known in the art, and the electrode may be used as the transparent electrode of the present invention.

본 명세서의 일 실시상태는, 상기 전도성 적층체의 제조방법을 제공한다. 구체적으로, 본 명세서의 일 실시상태는, 제1 전도성 산화물층을 형성하는 단계; 상기 제1 전도성 산화물층 상에 은을 포함하는 금속층을 형성하는 단계; 및 상기 금속층 상에 제2 전도성 산화물층을 형성하는 단계를 포함하고, One embodiment of the present invention provides a method of manufacturing the conductive laminate. Specifically, one embodiment of the present disclosure includes: forming a first conductive oxide layer; Forming a metal layer including silver on the first conductive oxide layer; And forming a second conductive oxide layer on the metal layer,

상기 금속층을 형성하는 단계는 산소 분압 10% 이하의 분위기에서 은을 증착 소스로 증착법을 이용하는 것인 상기 전도성 적층체의 제조방법을 제공한다. Wherein the forming of the metal layer comprises using a deposition method using silver as an evaporation source in an atmosphere having an oxygen partial pressure of 10% or less.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 금속층을 형성하는 단계는 증착시의 산소 분압을 조절하여 상기 금속층 내의 산소 함량을 조절할 수 있다. According to an embodiment of the present invention, the step of forming the metal layer may control the oxygen content in the metal layer by controlling the oxygen partial pressure during deposition.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 증착 소스는 은 함량이 99 at% 이상인 것일 수 있다.According to one embodiment of the present disclosure, the deposition source may have a silver content of 99 at% or more.

또한, 본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 제2 금속 산화물층을 형성하는 단계는 산소 분압을 제거한 상태에서 증착법을 이용할 수 있다. 이는 상기 제2 금속 산화물층 형성시, 상기 금속층 내의 산소 원자 함량이 상승하는 것을 방지하기 위함이다. According to an embodiment of the present invention, the step of forming the second metal oxide layer may use a deposition method with the oxygen partial pressure removed. This is to prevent the oxygen atom content in the metal layer from rising during the formation of the second metal oxide layer.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 제2 금속 산화물층을 형성하는 단계는 산소 분압 0 %의 분위기에서 증착법을 이용하는 것일 수 있다, 구체적으로, 본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 제2 금속 산화물층을 형성하는 단계는 아르곤과 수소 가스의 분압이 100 %인 분위기에서 증착법을 이용하는 것일 수 있다,According to one embodiment of the present disclosure, the step of forming the second metal oxide layer may be a deposition method using an atmosphere having an oxygen partial pressure of 0%. Specifically, according to one embodiment of the present disclosure, The step of forming the oxide layer may be a deposition method in an atmosphere having a partial pressure of argon and hydrogen gas of 100%

이하, 본 명세서를 구체적으로 설명하기 위해 실시예를 들어 상세하게 설명하기로 한다. 그러나, 본 명세서에 따른 실시예들은 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 명세서의 범위가 아래에서 기술하는 실시예들에 한정되는 것으로 해석되지 않는다. 본 명세서의 실시예들은 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 명세서를 보다 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다.Hereinafter, the present invention will be described in detail by way of examples with reference to the drawings. However, the embodiments according to the present disclosure can be modified in various other forms, and the scope of the present specification is not construed as being limited to the embodiments described below. Embodiments of the present disclosure are provided to more fully describe the present disclosure to those of ordinary skill in the art.

[비교예][Comparative Example]

유리 기판 상에 DC sputter 방식을 이용하여 Nb 산화물을 30 nm의 두께로 증착하여 제1 금속 산화물층을 형성하였다. 상기 제1 금속 산화물층 상에, Ag를 증착 소스로 하고, 산소 분압 0 % 분위기에서 DC sputter 방식을 이용하여 금속층을 10 nm 두께로 증착하였다. 상기 금속층 상에 제2 금속 산화물층으로서 Al을 도핑한 산화 아연층(AZO)을 50 nm 두께로 증착하여 전도성 적층체를 제조하였다.Nb oxide was deposited on the glass substrate by DC sputtering to a thickness of 30 nm to form a first metal oxide layer. On the first metal oxide layer, a metal layer was deposited to a thickness of 10 nm using Ag as an evaporation source and a DC sputtering method in an oxygen partial pressure of 0% atmosphere. A zinc oxide layer (AZO) doped with Al as a second metal oxide layer was deposited on the metal layer to a thickness of 50 nm to prepare a conductive laminate.

상기 비교예와 같이 제조된 전도성 적층체의 금속층의 임의의 두 지점에서의 산소 원자 함량을 측정한 결과, 5.5 at% 및 6.3 at% 였다.The oxygen atom content at any two points of the metal layer of the conductive laminate prepared as in the above Comparative Example was measured to be 5.5 at% and 6.3 at%.

상기 비교예와 같이 제조된 전도성 적층체의 550 ㎚ 파장에서의 광투과도는 88.1 %이고, 헤이즈 값은 0.1 이며, 면저항은 4.99 Ω/□이었다. The conductive laminate prepared as in the above Comparative Example had a light transmittance of 88.1% at a wavelength of 550 nm, a haze value of 0.1, and a sheet resistance of 4.99 Ω / □.

[실시예 1] [Example 1]

유리 기판 상에 DC sputter 방식을 이용하여 Nb 산화물을 30 nm의 두께로 증착하여 제1 금속 산화물층을 형성하였다. 상기 제1 금속 산화물층 상에, Ag를 증착 소스로 하고, 산소 분압 2 % 분위기에서 DC sputter 방식을 이용하여 금속층을 10 nm 두께로 증착하였다. 상기 금속층 상에 제2 금속 산화물층으로서 Al을 도핑한 산화 아연층(AZO)을 50 nm 두께로 증착하여 전도성 적층체를 제조하였다.Nb oxide was deposited on the glass substrate by DC sputtering to a thickness of 30 nm to form a first metal oxide layer. On the first metal oxide layer, a metal layer was deposited to a thickness of 10 nm by using DC sputtering in a 2% oxygen partial pressure atmosphere using Ag as an evaporation source. A zinc oxide layer (AZO) doped with Al as a second metal oxide layer was deposited on the metal layer to a thickness of 50 nm to prepare a conductive laminate.

상기 실시예 1과 같이 제조된 전도성 적층체의 금속층의 임의의 두 지점에서의 산소 원자 함량을 측정한 결과, 7.6 at% 및 7.8 at% 였다. The oxygen atom content at any two points of the metal layer of the conductive laminate prepared as in Example 1 was measured to be 7.6 at% and 7.8 at%.

상기 실시예 1과 같이 제조된 전도성 적층체의 550 ㎚ 파장에서의 광투과도는 90 %이고, 헤이즈 값은 0.2 이며, 면저항은 6.02 Ω/□이었다.The conductive laminate produced in the same manner as in Example 1 had a light transmittance of 90% at a wavelength of 550 nm, a haze value of 0.2, and a sheet resistance of 6.02? / ?.

[실시예 2][Example 2]

유리 기판 상에 DC sputter 방식을 이용하여 Nb 산화물을 30 nm의 두께로 증착하여 제1 금속 산화물층을 형성하였다. 상기 제1 금속 산화물층 상에, Ag를 증착 소스로 하고, 산소 분압 4 % 분위기에서 DC sputter 방식을 이용하여 금속층을 10 nm 두께로 증착하였다. 상기 금속층 상에 제2 금속 산화물층으로서 Al을 도핑한 산화 아연층(AZO)을 50 nm 두께로 증착하여 전도성 적층체를 제조하였다.Nb oxide was deposited on the glass substrate by DC sputtering to a thickness of 30 nm to form a first metal oxide layer. On the first metal oxide layer, a metal layer was deposited to a thickness of 10 nm by using DC sputtering in a 4% oxygen partial pressure atmosphere using Ag as an evaporation source. A zinc oxide layer (AZO) doped with Al as a second metal oxide layer was deposited on the metal layer to a thickness of 50 nm to prepare a conductive laminate.

상기 실시예 2과 같이 제조된 전도성 적층체의 금속층의 임의의 두 지점에서의 산소 원자 함량을 측정한 결과, 12.2 at% 및 12.5 at% 였다.The oxygen atom content at any two points of the metal layer of the conductive laminate prepared as in Example 2 was 12.2 at% and 12.5 at%.

상기 실시예 2와 같이 제조된 전도성 적층체의 550 ㎚ 파장에서의 광투과도는 89.8 %이고, 헤이즈 값은 0.1 이며, 면저항은 7.3 Ω/□이었다.The conductive laminate prepared as in Example 2 had a light transmittance of 89.8% at a wavelength of 550 nm, a haze value of 0.1, and a sheet resistance of 7.3 Ω / □.

[실시예 3][Example 3]

유리 기판 상에 DC sputter 방식을 이용하여 Nb 산화물을 30 nm의 두께로 증착하여 제1 금속 산화물층을 형성하였다. 상기 제1 금속 산화물층 상에, Ag를 증착 소스로 하고, 산소 분압 6 % 분위기에서 DC sputter 방식을 이용하여 금속층을 10 nm 두께로 증착하였다. 상기 금속층 상에 제2 금속 산화물층으로서 Al을 도핑한 산화 아연층(AZO)을 50 nm 두께로 증착하여 전도성 적층체를 제조하였다.Nb oxide was deposited on the glass substrate by DC sputtering to a thickness of 30 nm to form a first metal oxide layer. A metal layer was deposited to a thickness of 10 nm on the first metal oxide layer using Ag as an evaporation source and a DC sputtering method in an oxygen partial pressure of 6% atmosphere. A zinc oxide layer (AZO) doped with Al as a second metal oxide layer was deposited on the metal layer to a thickness of 50 nm to prepare a conductive laminate.

상기 실시예 3과 같이 제조된 전도성 적층체의 금속층의 임의의 두 지점에서의 산소 원자 함량을 측정한 결과, 11.7 at% 및 11.5 at% 였다.The oxygen atom content at any two points of the metal layer of the conductive laminate prepared as in Example 3 was measured to be 11.7 at% and 11.5 at%.

상기 실시예 3과 같이 제조된 전도성 적층체의 550 ㎚ 파장에서의 광투과도는 88.4 %이고, 헤이즈 값은 0.1 이며, 면저항은 9.34 Ω/□이었다.The conductive laminate prepared as in Example 3 had a light transmittance of 88.4% at a wavelength of 550 nm, a haze value of 0.1, and a sheet resistance of 9.34? / ?.

[실시예 4][Example 4]

유리 기판 상에 DC sputter 방식을 이용하여 Nb 산화물을 30 nm의 두께로 증착하여 제1 금속 산화물층을 형성하였다. 상기 제1 금속 산화물층 상에, Ag를 증착 소스로 하고, 산소 분압 8 % 분위기에서 DC sputter 방식을 이용하여 금속층을 10 nm 두께로 증착하였다. 상기 금속층 상에 제2 금속 산화물층으로서 Al을 도핑한 산화 아연층(AZO)을 50 nm 두께로 증착하여 전도성 적층체를 제조하였다.Nb oxide was deposited on the glass substrate by DC sputtering to a thickness of 30 nm to form a first metal oxide layer. A metal layer was deposited to a thickness of 10 nm on the first metal oxide layer using Ag as an evaporation source and a DC sputtering method in an oxygen partial pressure of 8% atmosphere. A zinc oxide layer (AZO) doped with Al as a second metal oxide layer was deposited on the metal layer to a thickness of 50 nm to prepare a conductive laminate.

상기 실시예 4와 같이 제조된 전도성 적층체의 550 ㎚ 파장에서의 광투과도는 88.4 %이고, 헤이즈 값은 0.1 이며, 면저항은 9.34 Ω/□이었다.The conductive laminate prepared as in Example 4 had a light transmittance of 88.4% at a wavelength of 550 nm, a haze value of 0.1, and a sheet resistance of 9.34? / ?.

[실시예 5][Example 5]

유리 기판 상에 DC sputter 방식을 이용하여 Nb 산화물을 30 nm의 두께로 증착하여 제1 금속 산화물층을 형성하였다. 상기 제1 금속 산화물층 상에, Ag를 증착 소스로 하고, 산소 분압 10 % 분위기에서 DC sputter 방식을 이용하여 금속층을 10 nm 두께로 증착하였다. 상기 금속층 상에 제2 금속 산화물층으로서 Al을 도핑한 산화 아연층(AZO)을 50 nm 두께로 증착하여 전도성 적층체를 제조하였다.Nb oxide was deposited on the glass substrate by DC sputtering to a thickness of 30 nm to form a first metal oxide layer. On the first metal oxide layer, a metal layer was deposited to a thickness of 10 nm by using DC sputtering in an oxygen partial pressure of 10% atmosphere using Ag as an evaporation source. A zinc oxide layer (AZO) doped with Al as a second metal oxide layer was deposited on the metal layer to a thickness of 50 nm to prepare a conductive laminate.

상기 실시예 5와 같이 제조된 전도성 적층체의 금속층의 임의의 두 지점에서의 산소 원자 함량을 측정한 결과, 12.6 at% 및 12.3 at% 였다.The oxygen atom content at any two points of the metal layer of the conductive laminate prepared as in Example 5 was measured to be 12.6 at% and 12.3 at%.

상기 실시예 5와 같이 제조된 전도성 적층체의 550 ㎚ 파장에서의 광투과도는 87 %이고, 헤이즈 값은 0.2 이며, 면저항은 11.02 Ω/□이었다.The conductive laminate prepared as in Example 5 had a light transmittance of 87% at a wavelength of 550 nm, a haze value of 0.2, and a sheet resistance of 11.02? / ?.

도 2는 상기 비교예, 실시예 1 내지 5에 따라 제조된 전도성 적층체의 파장에 따른 광투과도를 나타낸 것이다. FIG. 2 shows light transmittance according to wavelengths of the conductive laminate prepared according to the above-described Comparative Example and Examples 1 to 5.

도 2에 따르면, 실시예에 따른 전도성 적층체는 550 ㎚ 자장 범위의 빛에서 85 % 이상의 광투과도를 나타내며, 가시 광선 전 영역에서 높은 광투과도를 나타내는 것을 알 수 있다. 또한, 실시예 1 및 2에 따른 전도성 적층체는 특히 우수한 광투과도를 나타내는 것을 알 수 있다. 구체적으로, 금속층 형성시 산소분압이 4 % 이하로 조절하는 경우, 가시 광선에서의 단파장 및 장파장 영역에서 보다 우수한 광투과도를 나타낼 수 있다. Referring to FIG. 2, the conductive laminate according to the embodiment exhibits a light transmittance of 85% or more in a light having a wavelength of 550 nm and exhibits a high light transmittance in the entire visible light region. In addition, it can be seen that the conductive laminate according to Examples 1 and 2 exhibits particularly excellent light transmittance. Specifically, when the oxygen partial pressure is adjusted to 4% or less in the formation of the metal layer, better light transmittance can be exhibited in a short wavelength and a long wavelength region in visible light.

[실험예] - 내환경성 평가[Experimental Example] - Evaluation of environmental resistance

상기 비교예 및 실시예에 따라 제조된 전도성 적층체의 내구성을 측정하기 위하여, 85 ℃ 및 85 RH%의 분위기에서 시간의 경과에 따른 헤이즈 값의 변화를 측정하였다. In order to measure the durability of the conductive laminate produced according to the comparative examples and the examples, the change in haze value over time was measured in an atmosphere of 85 ° C and 85% RH.

도 3은 실험예에 따라 진행된 시간에 따른 전도성 적층체의 헤이즈 값의 변화를 나타낸 것이다. FIG. 3 shows the change in haze value of the conductive laminate according to the time elapsed according to the experimental example.

도 3에 따르면, 비교예에 따른 전도성 구조체의 헤이즈 값은 내환경성 평가 시간이 지남에 따라 급격하게 증가하지만, 실시예에 따른 전도성 구조체는 헤이즈 값이 증가가 적은 것을 알 수 있다. Referring to FIG. 3, it can be seen that the haze value of the conductive structure according to the comparative example sharply increases with the endurance evaluation time, but the haze value of the conductive structure according to the embodiment increases little.

이는 실시예에 따른 전도성 적층체의 금속층은 적절한 산소 원자의 함량에 의하여 금속층 내의 은의 뭉침이 없게되어 내환경성이 우수한 것을 의미한다.This means that the metal layer of the conductive laminate according to the embodiment is free from the lump of silver in the metal layer due to the content of the proper oxygen atoms and thus is excellent in environmental resistance.

101: 제1 금속 산화물층
201: 제2 금속 산화물층
301: 금속층101: a first metal oxide layer
201: a second metal oxide layer
301: metal layer

Claims (16)

제1 금속 산화물층; 상기 제1 금속 산화물층 상에 구비된 은을 포함하는 금속층; 및 상기 금속층 상에 구비된 제2 금속 산화물층을 포함하는 전도성 적층체에 있어서,
상기 금속층의 두께는 5 ㎚ 이상 20 ㎚ 이하이며,
상기 금속층의 산소 원자의 함량은 6.5 at% 이상 15 at% 이하이며,
상기 전도성 적층체의 광투과도는 550 nm 파장의 빛에서 80 % 이상인 전도성 적층체.A first metal oxide layer; A metal layer comprising silver provided on the first metal oxide layer; And a second metal oxide layer provided on the metal layer,
The thickness of the metal layer is 5 nm or more and 20 nm or less,
The content of oxygen atoms in the metal layer is not less than 6.5 at% and not more than 15 at%
Wherein the light transmittance of the conductive laminate is 80% or more at a light having a wavelength of 550 nm. 청구항 1에 있어서,
상기 금속층의 산소 원자의 함량은 7 at% 이상 13 at% 이하인 것인 전도성 적층체.The method according to claim 1,
Wherein the content of oxygen atoms in the metal layer is 7 at% or more and 13 at% or less. 청구항 1에 있어서,
상기 제1 금속 산화물층의 굴절률은 550 ㎚ 파장의 빛에서 1.2 이상 2.8 이하인 것인 전도성 적층체.The method according to claim 1,
Wherein the refractive index of the first metal oxide layer is 1.2 or more and 2.8 or less in light with a wavelength of 550 nm. 청구항 1에 있어서,
상기 제1 금속 산화물층의 두께는 20 ㎚ 이상 60 ㎚ 이하인 것인 전도성 적층체.The method according to claim 1,
Wherein the thickness of the first metal oxide layer is 20 nm or more and 60 nm or less. 청구항 1에 있어서,
상기 제2 금속 산화물층의 굴절률은 550 ㎚ 파장의 빛에서 1.5 이상 2.5 이하인 것인 전도성 적층체.The method according to claim 1,
Wherein the refractive index of the second metal oxide layer is 1.5 or more and 2.5 or less in a light having a wavelength of 550 nm. 청구항 1에 있어서,
상기 제2 금속 산화물층의 두께는 20 ㎚ 이상 80 ㎚ 이하인 것인 전도성 적층체.The method according to claim 1,
Wherein the thickness of the second metal oxide layer is 20 nm or more and 80 nm or less. 청구항 1에 있어서,
상기 제1 금속 산화물층 및 상기 제2 금속 산화물층은 각각, Sb, Ba, Ga, Ge, Hf, In, La, Ma, Se, Si, Ta, Se, Ti, V, Y, Zn 및 Zr로 이루어진 군에서 선택되는 1 이상을 포함하는 산화물을 포함하는 것인 전도성 적층체.The method according to claim 1,
The first metal oxide layer and the second metal oxide layer may be formed of at least one selected from the group consisting of Sb, Ba, Ga, Ge, Hf, In, La, Ma, Se, Si, Ta, Se, Ti, V, And an oxide containing at least one selected from the group consisting of the above-mentioned oxides. 청구항 1에 있어서,
상기 전도성 적층체의 H/H0는 5 이하이고,
상기 H0는 전도성 적층체의 초기 헤이즈 값이고, H는 85 ℃ 및 85 RH%의 분위기에서 36 시간 경과 후의 전도성 적층체의 헤이즈 값인 것인 전도성 적층체. The method according to claim 1,
The H / H 0 of the conductive laminate is 5 or less,
Wherein H 0 is the initial haze value of the conductive laminate and H is the haze value of the conductive laminate after 36 hours in an atmosphere of 85 ° C and 85% RH. 청구항 1에 있어서,
상기 전도성 적층체의 면저항 값은 20 Ω/□ 이하인 것인 전도성 적층체.The method according to claim 1,
And the sheet resistance value of the conductive laminate is 20? /? Or less. 청구항 1에 있어서,
상기 전도성 적층체의 헤이즈 값은 1 이하인 것인 전도성 적층체. The method according to claim 1,
Wherein the haze value of the conductive laminate is 1 or less. 청구항 1 내지 10 중 한 항에 따른 전도성 적층체를 포함하는 투명 전극.A transparent electrode comprising a conductive laminate according to any one of claims 1 to 10. 청구항 11에 있어서,
상기 투명 전극은 플렉서블한 것인 투명 전극.The method of claim 11,
Wherein the transparent electrode is flexible. 청구항 1 내지 10 중 한 항에 따른 전도성 적층체를 포함하는 전자소자. An electronic device comprising a conductive laminate according to any one of claims 1 to 10. 제1 전도성 산화물층을 형성하는 단계;
상기 제1 전도성 산화물층 상에 은을 포함하는 금속층을 형성하는 단계; 및
상기 금속층 상에 제2 전도성 산화물층을 형성하는 단계를 포함하고,
상기 금속층을 형성하는 단계는 산소 분압 10% 이하의 분위기에서 은을 증착 소스로 증착법을 이용하는 것인 청구항 1에 따른 전도성 적층체의 제조방법.Forming a first conductive oxide layer;
Forming a metal layer including silver on the first conductive oxide layer; And
And forming a second conductive oxide layer on the metal layer,
The method according to claim 1, wherein the forming of the metal layer comprises depositing silver using an evaporation source in an atmosphere having an oxygen partial pressure of 10% or less. 청구항 14에 있어서,
상기 제2 금속 산화물층을 형성하는 단계는 산소 분압 0 %의 분위기에서 증착법을 이용하는 것인 전도성 적층체의 제조방법.15. The method of claim 14,
Wherein the step of forming the second metal oxide layer uses an evaporation method in an atmosphere of an oxygen partial pressure of 0%. 청구항 14에 있어서,
상기 증착 소스는 은 함량이 99 at% 이상인 것인 전도성 적층체의 제조방법.15. The method of claim 14,
Wherein the deposition source has a silver content of 99 at% or more.
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