KR20170001748A - 비시안계 전해 금도금액 - Google Patents

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KR20170001748A
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gold plating
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plating
electrolytic
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준코 츠유키
마사히로 이토
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니혼 엘렉트로플레이팅 엔지니어스 가부시키가이샤
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Abstract

본 발명은, 열처리를 행한 경우여도, 고경도를 유지할 수 있는 도금 피막을 형성 가능한 비시안계 전해 금도금액을 제공한다. 본 발명은, 아황산금알칼리염 또는 아황산금암모늄으로 이루어지는 금원(金源)과, 아황산염 및 황산염으로 이루어지는 전도염을 함유하는 비시안계 전해 금도금액에 있어서, 이리듐, 루테늄, 로듐 중 어느 1종 이상의 염을 금속 농도로서 1~3000㎎/L 함유하는 것을 특징으로 한다. 결정 조정제를 더 함유하는 것이 바람직하며, 탈륨이 특히 바람직하다.

Description

비시안계 전해 금도금액{NON-CYANOGEN TYPE ELECTROLYTIC GOLD PLATING SOLUTION}
본 발명은 비시안계의 전해 금도금액에 관한 것으로, 특히, 범프(bump) 형성에 호적한 금도금 처리를 행할 수 있는 비시안계 전해 금도금액 및 그것을 사용한 금도금 방법에 관한 것이다.
금도금 처리는, 그 우수한 전기적 특성으로부터 전자, 전기 부품, 음향 기기 부품 등의 공업 분야에서 널리 이용되고 있다. 예를 들면, 반도체의 전기 소자 등의 전자 부품에 있어서의 범프의 형성에서는, 전기적인 접합을 확보하기 위해 금도금 처리가 많이 이용되고 있다.
이러한 금도금 처리에 사용하는 금도금액으로서는, 시안계와 비시안계의 금도금액이 각종 제안되어 있다. 시안계 금도금액은, 시안화금염을 금의 공급원으로 하는 것이며, 도금액의 안정성이 높고, 도금 조건의 제어가 용이하며, 도금액 자체가 저렴하다는 점에서 종래부터 다용되고 있다. 그러나, 최근에는, 환경 문제 등의 관점에서, 비시안계 전해 금도금액이 많이 제안되어 있고, 예를 들면, 아황산금나트륨 등의 아황산금염을 금의 공급원으로 한 것이 알려져 있다(특허문헌 1, 2 참조).
그런데, 최근, 제조하는 전기 소자의 경박단소화(輕薄短小化)가 놀랍고, 형성되는 범프 형상도 미소한 것으로 되어 있으며, 최근에는 수십 ㎛각(micrometer square)의 범프의 형성도 행해지고 있다. 그러한 미소한 범프를 형성하는 경우, 열처리 후의 범프의 경도가 중요한 요인이 된다. 미소한 범프의 경우, 범프끼리나 배선 회로 등과의 갭 사이가 좁아지고, 열처리에 의해 범프의 경도가 작으면, 범프에 의한 전기적 접속의 신뢰성이 저하할 뿐만 아니라, 단락(短絡)(쇼트) 등의 불량 원인이 발생하는 경향으로 된다.
그리고, 열처리 후의 금도금 경도를 높게 하기 위해서, 비시안계 전해 금도금액에 유기 화합물을 첨가하는 것이 제안되어 있지만(특허문헌 2 참조), 유기 화합물의 분해나 소모에 의해 액안정성을 확보할 수 없다는 문제점도 지적되고 있다.
일본국 특개2008-115449호 공보 일본국 특개2008-115450호 공보
본 발명은, 이러한 사정을 배경으로 이루어진 것이며, 비시안계의 전해 금도금액에서, 열처리를 행한 경우여도, 높은 도금 경도를 갖는 금도금을 처리할 수 있는 비시안계 전해 금도금액을 제공하는 것이다.
본 발명자는, 종래의 비시안계 전해 금도금액에 대해, 각종 첨가제에 대해서 예의 연구를 행한 결과, 본 발명에 따른 금도금액을 상도하기에 이르렀다.
본 발명에 따른 비시안계 전해 금도금액은, 아황산금알칼리염 또는 아황산금암모늄으로 이루어지는 금원(金源)과, 아황산염 및 황산염으로 이루어지는 전도염을 함유하는 비시안계 전해 금도금액에 있어서, 이리듐, 루테늄, 로듐 중 어느 1종 이상의 염을 금속 농도로서 1~3000㎎/L 함유하는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 의하면, 열처리 후에서 높은 경도를 갖는 금도금 피막을 형성하는 것이 가능해지므로, 미세한 금 범프를 형성한 경우여도, 접합시의 압착력 등으로 범프 형상의 변형, 예를 들면, 범프의 찌그러짐 등의 변형을 효과적으로 방지할 수 있기 때문에, 금 범프의 신뢰성의 향상을 도모할 수 있다.
본 발명에 있어서의 이리듐, 루테늄, 로듐 중 어느 1종 이상의 염에 대해서는, 금속 농도로서 1㎎/L 미만이면, 열처리 후의 경도가 저하하는 경향으로 되고, 3000㎎/L를 초과하면, 이리듐이나 루테늄이 용해하기 어려워져, 침전이 발생하는 경향으로 된다. 이 이리듐, 루테늄 중 어느 하나 혹은 양쪽을 함유시키는 경우, 바람직하게는 1㎎/L~50㎎/L이며, 또한 3㎎/L~30mg/L 함유시키는 것이 보다 바람직하다.
본 발명에 따른 비시안계 전해 금도금액은, 추가로 결정 조정제를 함유하는 것이 바람직하다. 결정 조정제를 함유시킴으로써, 금도금의 석출을 촉진시키는 효과가 있다. 이 결정 조정제는, 탈륨, 비스무트, 납, 안티몬 등을 사용하는 것이 바람직하며, 특히 탈륨이 호적하다.
본 발명에서, 금원은 금 농도로서 5~20g/L, 결정 조정제가 1~50㎎/L이며, 전도염이 50~300g/L인 것이 바람직하다. 금 농도가 5g/L 미만이면, 도금 피막의 결정이 조립(粗粒)이 되는 경향으로 되며, 20g/L를 초과하면 비용적으로 불리해진다. 결정 조정제가 1㎎/L 미만이면, 열처리 후의 경도가 너무 낮은 경향으로 되고, 50㎎/L를 초과하면 도금 피막의 결정이 조립이 되는 경향으로 된다.
본 발명에 있어서의 비시안계 전해 금도금액은, 전류 밀도 0.2~2.0A/dm2, 액온 40~65℃의 조건으로 전해 도금을 행하는 것이 바람직하다. 전류 밀도가, 0.2A/dm2 미만이면 결정이 조립이 되는 경향으로 되고, 2.0A/dm2를 초과하면 버닝(burning) 도금의 경향으로 된다. 또한, 액온도가, 40℃ 미만이면 결정이 작아지는 경향으로 되며, 65℃를 초과하면 결정이 조립이 되는 경향으로 된다. 실용적으로는, 전류 밀도 0.2~1.2A/dm2, 액온 50~60℃로 하는 것이 특히 바람직하다.
본 발명에 따른 비시안계 전해 금도금액은, 웨이퍼 등의 기판 위에 전해 금도금 처리를 행하고, 패터닝해서, 금 범프나 금 배선을 형성하는 경우에, 매우 호적한 것이다. 본 발명에 따른 비시안계 전해 금도금액에 의해 형성된 금도금 피막(15㎛)은, 250℃, 2시간의 열처리를 실시해도, 비커스 경도(Vickers hardness) 70Hv 이상의 경도를 실현할 수 있다. 추가로, 본 발명에 따른 비시안계 전해 금도금액에 의해 형성된 금도금 피막(15㎛)은, 300℃, 2시간의 고온 열처리를 실시해도, 비커스 경도 70Hv 이상의 고경도를 실현할 수 있는 경우가 있다.
상술한 본 발명에 따른 비시안계 전해 금도금액은, 액의 안정성을 높이기 위한 산화 방지제나, 석출물의 평활성을 높이기 위한 평활화제 또는 도금액의 표면 장력을 낮추기 위한 계면 활성제를 적의(適宜) 첨가하는 것도 가능하다.
본 발명에 따른 금도금액에 의해 금도금 피막을 형성한 경우, 금도금 피막 중에는, 0.05wt% 이하의 이리듐, 루테늄, 로듐이 함유된다. 이 피막 중에 함유된 이리듐, 루테늄, 로듐이, 열처리를 행해도 금도금을 단단하게 유지하는 작용이 있는 것으로 추측된다.
본 발명의 비시안계 전해 금도금액에 의하면, 250℃의 열처리를 행해도 경도가 높은 금도금 피막을 실현할 수 있다.
이하에, 본 발명의 실시형태에 대해서, 실시예에 의거하여 설명한다.
제 1 실시형태: 이 제 1 실시형태에서, 이리듐(Ir)을 함유시킨 비시안계 전해 금도금액을 검토한 결과에 대해서 설명한다. 우선, 먼저 이리듐 농도를 검토한 전해 금도금액의 각 조성을 표 1에 나타낸다.
[표 1]
Figure pat00001
금원: 아황산금나트륨(금환산 농도 15g/L)
Ir: 이리듐 화합물 헥사브로모이리듐산나트륨
전도염: 아황산나트륨 50g/L
액온: 60℃
전류 밀도: 0.8A/dm2
비교를 위해, Ir을 함유하지 않는 경우와, 본 발명에 있어서의 Ir 함유량 범위를 벗어난 금도금액을 평가했다(비교예 1-1~1-3). 각 금도금액의 평가에 대해서는, 금도금 피막의 경도 측정, 범프 형성 후의 표면 조도(粗度) 및 외관 관찰을 행했다.
표 1에 나타내는 각 금도금액을 제작했다. 40㎛×60㎛의 크기의 각(角) 범프(높이 15㎛)를 형성할 수 있도록 패터닝된 레지스트를, Au 스퍼터 웨이퍼 기판에 도포하여, 시험 샘플 기판으로 했다. 각 금도금액으로, 전류 밀도 0.8A/dm2, 액온 60℃로 해서, 금도금 처리를 행했다.
그리고, 레지스트를 제거한 후, 각주상(角柱狀)의 범프 표면의 경도 및 조도의 측정을 행했다. 그 결과를 표 1에 나타낸다.
또, 경도 측정에 대해서는, 질소 분위기 중, 250℃의 열처리 온도에서 2시간의 각 열처리를 행하고, 열처리 전후에 있어서의 금도금의 비커스 경도 측정을 행했다. 비커스 경도 측정은, 미소 경도계<(주)휴츄아테크(Future-Tech Corp.)제>를 사용해서, 하중 15g, 부하 시간 15초로 하고, 5개소를 측정해서 그 평균값을 경도값으로 했다. 또한, 표면 조도(Ra)는, 표면 조도 측정기(텐코르(Tencor)): 케이엘에이·텐코르(KLA-Tencor)(주)제)를 사용해서 행했다.
표 1에 나타내는 결과로부터, 실시예 1-1~1-5의 금도금액이면, 열처리 후의 경도가 70Hv 이상이 되어, 고경도를 유지할 수 있음이 판명되었다. 또한, 표면 조도(Ra)에 대해서도, 범프의 밀착 특성으로부터 요구되는 실용적인 표면 조도 400Å~2000Å의 범위에 포함되어 있었다. 한편, 비교예 1-3에서는, 도금액을 제작했을 때에 침전이 발생하여, 금도금 처리를 행할 수 없었다. 또한, 이리듐을 함유하지 않는 액조성의 비교예 1-1에서는, 열처리 후의 경도가 60.5로 낮아지고, 이리듐을 0.5㎎/L 함유한 액조성의 비교예 1-2에서도, 열처리 후의 경도가 65.1로 낮은 값이 되었다.
다음으로, 이리듐과 결정 조정제(탈륨)의 관계에 대해 검토한 결과 에 대해서 설명한다. 표 2에는, 평가한 도금액 조성을 나타낸다. 또한, 각 금도금액을 사용해서 형성한 금도금 피막에 대해서, 경도 및 조도를 측정했다. 시험 샘플 기판, 도금, 측정 조건은 표 1에서 설명한 것과 동일하게 했다. 그 경도 및 조도의 결과도 표 2에 나타낸다.
[표 2]
Figure pat00002
금원: 아황산금나트륨(금환산 농도 15g/L)
Ir: 이리듐 화합물 헥사브로모이리듐산나트륨
결정 조정제: 포름산탈륨
전도염: 아황산나트륨 50g/L
액온: 60℃
전류 밀도: 0.8A/dm2
표 2의 결과로부터, 결정 조정제로서 탈륨을 첨가함으로써, 표면 조도, 경도에 관한 특성은, 표 1에서 나타낸 탈륨을 첨가하지 않은 금도금액보다, 동등 혹은 약간 양호한 결과를 나타냄이 판명되었다. 추가로, 도금 외관을 확인한 바, 탈륨을 가하고 있지 않은 표 1의 경우는, 도금 표면이 거칠고, 요철이 있는 외관을 나타내고 있는 것에 대해, 탈륨을 첨가한 표 2의 경우는, 평활한 표면의 외관이었다.
제 2 실시형태: 이 제 2 실시형태에서, 루테늄(Ru)을 함유시킨 비시안계 전해 금도금액을 검토한 결과에 대해서 설명한다. 우선, 루테늄 농도를 검토한 전해 금도금액의 각 조성을 표 3에 나타낸다.
[표 3]
Figure pat00003
금원: 아황산금나트륨(금환산 농도 15g/L)
Ru: 염화루테늄
전도염: 아황산나트륨 50g/L
액온: 55℃
전류 밀도: 0.8A/dm2
비교를 위해서, Ru을 함유하지 않는 경우와, 본 발명에 있어서의 Ru 함유량 범위를 벗어난 금도금액을 평가했다. 각 금도금액의 평가에 대해서는, 금도금 피막의 경도 측정, 범프 형성 후의 표면 조도 측정을 행했다. 각 평가 방법은, 제 1 실시형태와 동일하며, 그 결과를 표 3에 나타낸다.
표 3의 결과로부터, 실시예 2-1~2-3의 금도금액이면, 250℃ 열처리 후의 경도가 70Hv 이상이 되어, 고경도를 유지할 수 있음이 판명되었다. 또한, 표면조도(Ra)에 대해서도, 범프의 밀착 특성으로부터 요구되는 실용적인 표면 조도 400Å~2000Å의 범위에 포함되어 있었다. 한편, 비교예 2-1과 같이, 루테늄을 함유하지 않는 경우, 열처리 후의 경도가 60Hv로 낮아졌다. 또한, 루테늄이 4000㎎/L인 경우, 도금액에 침전이 발생하여, 도금 처리를 행할 수 없었다.
다음으로, 루테늄과 결정 조정제(탈륨)의 관계에 대해 검토한 결과 에 대해서 설명한다. 표 4에, 평가한 도금액 조성을 나타낸다. 또한, 각 금도금액을 사용해서 형성한 금도금 피막에 대해서, 경도 및 조도를 측정했다. 시험 샘플 기판, 도금, 측정 조건은 제 1 실시형태에서 설명한 것과 동일하게 했다. 그 경도 및 조도의 결과도 표 4에 나타낸다.
[표 4]
Figure pat00004
금원: 아황산금나트륨(금환산 농도 15g/L)
Ru: 염화루테늄
결정 조정제: 포름산탈륨
전도염: 아황산나트륨 50g/L
액온: 55℃
전류 밀도: 0.8A/dm2
표 4의 결과로부터, 결정 조정제로서 탈륨을 첨가함으로써, 표면 조도, 경도에 관한 특성은, 표 3에서 나타낸 탈륨을 첨가하지 않은 금도금액보다, 동등 혹은 약간 양호한 결과를 나타냄이 판명되었다. 추가로, 도금 외관을 확인한 바, 탈륨을 가하고 있지 않은 표 3의 경우는, 도금 표면이 거칠고, 요철이 있는 외관을 나타내고 있는 것에 대해, 탈륨을 첨가한 표 4의 경우는, 평활한 표면의 외관이었다.
제 3 실시형태: 이 제 3 실시형태에서는, 로듐(Rh)을 함유시킨 비시안계 전해 금도금액을 검토한 결과에 대해서 설명한다. 이 로듐의 경우는, 결정 조정제(탈륨)의 유무에 대해서도 아울러 평가했다. 검토한 전해 금도금액의 각 조성을 표 5에 나타낸다.
[표 5]
Figure pat00005
금원: 아황산금나트륨(금환산 농도 15g/L)
Rh: 황산로듐
결정 조정제: 포름산탈륨
전도염: 아황산나트륨 50g/L
액온: 60℃
전류 밀도: 0.8A/dm2
각 금도금액의 평가에 대해서는, 금도금 피막의 경도 측정, 범프 형성 후의 표면 조도 측정을 행했다. 각 평가 방법은, 제 1 실시형태와 동일하다. 그 결과를 표 5에 나타낸다.
표 5의 결과로부터, 로듐만, 로듐과 탈륨을 첨가한 금도금액이면, 열처리 후의 경도가 70Hv 이상이 되어, 고경도를 유지할 수 있음이 판명되었다. 또한, 표면 조도(Ra)에 대해서도, 범프의 밀착 특성으로부터 요구되는 실용적인 표면조도 400Å~2000Å의 범위에 포함되어 있었다. 한편, 로듐을 함유하지 않는 경우, 열처리 후의 경도가 70Hv보다 낮은 값이 되었다. 추가로, 도금 외관을 확인한 바, 탈륨을 가하고 있지 않은 실시예 3-1의 경우는, 도금 표면이 거칠고, 요철이 있는 외관을 나타내고 있는 것에 대해, 탈륨을 첨가한 실시예 3-2의 경우는, 실시예 3-1보다 평활한 표면의 외관이었다.
제 4 실시형태: 이 제 4 실시형태에서, 이리듐(Ir)을 함유시킨 비시안계 전해 금도금액에 의해 형성한 금 범프에 대해서, 300℃의 고온 열처리를 행한 경우에 대해서 설명한다. 금 범프를 형성한 전해 금도금액은 다음과 같다. 또, 금 범프의 형성, 경도, 표면 조도의 측정은, 제 1 실시형태와 동일하다.
금원: 아황산금나트륨(금환산 농도 15g/L)
Ir: 이리듐 화합물 헥사브로모이리듐산나트륨
(이리듐 농도 10㎎/L)
결정 조정제: 포름산탈륨(탈륨 농도 15㎎/L)
전도염: 아황산나트륨 50g/L
액온: 55℃
전류 밀도: 0.8A/dm2
형성한 금 범프에 대해서, 열처리 전과 300℃, 2시간의 고온 열처리 후의 경도를 측정했다. 열처리 전은 117.3Hv이고, 열처리 후는 97.5Hv였다.
본 발명에 의하면, 비시안계 전해 금도금액에 의해, 열처리를 행해도 높은 경도를 유지할 수 있는 금도금 피막을 형성할 수 있으므로, 전기 소자 등에 호적한 범프를 형성할 수 있다.

Claims (6)

  1. 아황산금알칼리염 또는 아황산금암모늄으로 이루어지는 금원(金源)과, 아황산염 및 황산염으로 이루어지는 전도염을 함유하는 비시안계 전해 금도금액에 있어서,
    이리듐, 루테늄, 로듐 중 어느 1종 이상의 염을 금속 농도로서 1~3000㎎/L 함유하는 것을 특징으로 하는 비시안계 전해 금도금액.
  2. 제1항에 있어서,
    결정 조정제를 더 함유하는 비시안계 전해 금도금액.
  3. 제2항에 있어서,
    결정 조정제는, 탈륨인 비시안계 전해 금도금액.
  4. 제2항 또는 제3항에 있어서,
    금원은 금 농도로서 5~20g/L이며, 결정 조정제가 1~50㎎/L이고, 전도염이 50~300g/L인 비시안계 전해 금도금액.
  5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 기재된 비시안계 전해 금도금액을 사용해서 패터닝된 웨이퍼 위에 전해 금도금을 하는 금 범프 또는 금 배선의 형성 방법.
  6. 제5항에 기재된 금 범프 또는 금 배선의 형성 방법을 사용해서 제조된 전자 부품.
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