KR20160145230A - 표시장치 - Google Patents
표시장치 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20160145230A KR20160145230A KR1020150081203A KR20150081203A KR20160145230A KR 20160145230 A KR20160145230 A KR 20160145230A KR 1020150081203 A KR1020150081203 A KR 1020150081203A KR 20150081203 A KR20150081203 A KR 20150081203A KR 20160145230 A KR20160145230 A KR 20160145230A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- flexible film
- substrate
- disposed
- display
- wiring portion
- Prior art date
Links
- 239000010408 film Substances 0.000 claims abstract description 81
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 54
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 22
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 49
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 22
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 14
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 12
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 claims description 11
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 claims description 8
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 6
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 claims description 5
- 229920003207 poly(ethylene-2,6-naphthalate) Polymers 0.000 claims description 5
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 claims description 5
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 claims description 5
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 claims description 5
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 claims description 4
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 claims description 4
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 claims description 4
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 claims description 4
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 3
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 10
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 9
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 8
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 6
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 6
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 5
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 4
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910001182 Mo alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 3
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 3
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 2
- 239000003870 refractory metal Substances 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 2
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 206010034972 Photosensitivity reaction Diseases 0.000 description 1
- 239000004695 Polyether sulfone Substances 0.000 description 1
- 239000004721 Polyphenylene oxide Substances 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 150000002825 nitriles Chemical class 0.000 description 1
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 1
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 230000036211 photosensitivity Effects 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000570 polyether Polymers 0.000 description 1
- 229920006393 polyether sulfone Polymers 0.000 description 1
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 1
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 1
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/1222—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or crystalline structure of the active layer
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1345—Conductors connecting electrodes to cell terminals
- G02F1/13452—Conductors connecting driver circuitry and terminals of panels
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/13306—Circuit arrangements or driving methods for the control of single liquid crystal cells
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1345—Conductors connecting electrodes to cell terminals
- G02F1/13454—Drivers integrated on the active matrix substrate
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/136286—Wiring, e.g. gate line, drain line
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/1368—Active matrix addressed cells in which the switching element is a three-electrode device
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/1218—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition or structure of the substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/301—Details of OLEDs
- H10K2102/311—Flexible OLED
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K77/00—Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
- H10K77/10—Substrates, e.g. flexible substrates
- H10K77/111—Flexible substrates
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
본 발명은 얇은 베젤을 갖는 표시장치에 관한 것으로, 표시부와 비표시부를 포함하는 제 1 기판 및 제 2 기판; 제 1 기판 상에 배치된 제 1 가요성막; 표시부의 제 1 가요성막 상에 배치되는 박막 트랜지스터; 비표시부의 제 1 가요성막 상에 배치되고, 신호배선을 포함하는 배선부; 비표시부의 배선부 상에 배치되고 제 1 기판 외부로 연장된 제 2 가요성막; 및 배선부와 연결된 구동회로부를 포함한다.
Description
본 발명은 표시장치에 관한 것으로, 특히 얇은 베젤을 갖는 표시장치에 대한 것이다.
최근의 정보화 사회에서 디스플레이(Display)는 시각정보 전달매체로서 중요성을 한층 인정받고 있으며, 저소비전력화, 박형화, 경량화, 고화질화 등을 요구 받고 있다.
이러한 디스플레이는 자체가 빛을 내는 브라운관(Cathode Ray Tube; CRT), 전계발광소자(Electro Luminescence; EL), 발광소자(Light Emitting Diode; LED), 진공형광표시장치(Vacuum Fluorescent Display; VFD), 전계방출디스플레이(Field Emission Display; FED), 플라스마 디스플레이 패널(Plasma Display Panel; PDP) 등의 발광형과 액정표시장치(Liquid Crystal Display; LCD)와 같이 자체가 빛을 내지 못하는 비발광형으로 나눌 수 있다.
이러한 표시장치는 박형화, 경량화되는 경향을 가지며, 또한 표시장치의 베젤도 그 폭이 감소하고 있다. 베젤의 폭이 좁아지면 디자인 면에서 우수할 뿐만 아니라, 수개의 표시 패널을 사용하여 대형 표시장치를 제조할 때 인접한 표시 패널 사이의 간격을 줄일 수 있는 장점이 있다.
하지만 표시부를 둘러싸는 비표시부에 위치하는 배선, 구동회로 및 밀봉재로 인해 얇은 베젤을 가진 표시장치를 구현하는데 어려움이 있다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 것으로, 얇은 베젤을 가진 표시장치 및 이의 제조방법을 제공하는데 그 목적이 있다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 표시장치는, 표시부와 비표시부를 포함하는 제 1 기판 및 제 2 기판; 제 1 기판 상에 배치된 제 1 가요성막; 표시부의 제 1 가요성막 상에 배치된 박막 트랜지스터; 비표시부의 제 1 가요성막 상에 배치되고, 신호배선을 포함하는 배선부; 비표시부의 배선부 상에 배치되고 제 1 기판 외부로 연장된 제 2 가요성막; 배선부와 연결된 구동회로부를 포함한다.
박막 트랜지스터는 게이트 전극, 반도체층, 소스 전극, 드레인 전극을 포함한다.
배선부는 제 1 기판 외부로 연장된다.
배선부 및 제 2 가요성막은 제 1 기판의 측부를 따라 절곡된다.
제 1 가요성막은 제 2 가요성막보다 더 얇은 두께를 가진다.
배선부는 게이트 전극과 동일한 재료로 이루어진다.
배선부는 박막 트랜지스터와 연결된다.
제 1 가요성막 및 제 2 가요성막은 폴리이미드(polyimide), 폴리에틸렌테레프탈레이트(polyethylene terephthalate), 폴리카보네이트(polycarbonate), 폴리에틸렌 나프탈레이트(polyethylene naphthalate) 및 폴리아크릴레이트(polyacrylate) 중 하나로 형성된다.
제 1 가요성막은 300℃이상의 온도에서 내열성을 갖는다.
배선부와 제 1 기판의 측부 사이에 배치되는 보호부재를 더 포함할 수 있다.
제 1 가요성막은 제 1 기판의 외부로 연장될 수 있다.
제 2 가요성막은 제 1 기판의 외부로 제 1 가요성막보다 더 길게 연장될 수 있다.
제 1 가요성막과 박막 트랜지스터 및 배선부 사이에 배치된 버퍼층을 포함할 수 있다.
구동회로부는 가요성 인쇄회로기판을 포함할 수 있다.
표시부의 박막 트랜지스터 상에 배치되는 층간절연막을 더 포함할 수 있다.
표시부의 층간절연막 상에 배치되며 박막 트랜지스터와 연결된 화소 전극을 더 포함한다.
제 2 기판 상에 배치되는 공통 전극을 더 포함한다.
제 1 기판과 제 2 기판 사이에 배치되는 실링부를 더 포함한다.
표시부의 박막 트랜지스터 상에 배치되는 컬러 필터를 더 포함할 수 있다.
본 발명에 따른 표시장치 및 이의 제조 방법은 다음과 같은 효과를 제공한다.
주변영역에 배치된 배선 및 구동회로를 하부 기판 측면으로 절곡하여 표시장치 베젤의 폭을 줄이는 효과가 있다. 이를 통해 사용자의 화면 몰입도를 향상시킬 수 있다.
또한, 박막 트랜지스터 상에 배치되는 제 2 가요성막으로 인해 배선의 단차가 해소되어 배선의 단락이 방지되는 효과가 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 하부 패널에 대한 평면도이다.
도 2는 패드부가 절곡되지 않은 도 1의 하부 패널에 대한 평면도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널에 포함된 화소들을 개략적으로 나타낸 평면도이다.
도 4는 도 1의 P부에 대한 확대도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 도 1의 Ⅰ- Ⅰ'선을 따라 자른 단면도 및 도 4의 Ⅱ - Ⅱ'선을 따라 자른 단면도이다.
도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 패널의 도 1의 Ⅰ- Ⅰ'선을 따라 자른 단면도 및 도 4의 Ⅱ - Ⅱ'선을 따라 자른 단면도이다.
도 7은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시 패널의 도 1의 Ⅰ- Ⅰ'선을 따라 자른 단면도 및 도 4의 Ⅱ - Ⅱ'선을 따라 자른 단면도이다.
도 8은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시 패널의 도 1의 Ⅰ- Ⅰ'선을 따라 자른 단면도 및 도 4의 Ⅱ - Ⅱ'선을 따라 자른 단면도이다.
도 2는 패드부가 절곡되지 않은 도 1의 하부 패널에 대한 평면도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널에 포함된 화소들을 개략적으로 나타낸 평면도이다.
도 4는 도 1의 P부에 대한 확대도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 도 1의 Ⅰ- Ⅰ'선을 따라 자른 단면도 및 도 4의 Ⅱ - Ⅱ'선을 따라 자른 단면도이다.
도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 패널의 도 1의 Ⅰ- Ⅰ'선을 따라 자른 단면도 및 도 4의 Ⅱ - Ⅱ'선을 따라 자른 단면도이다.
도 7은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시 패널의 도 1의 Ⅰ- Ⅰ'선을 따라 자른 단면도 및 도 4의 Ⅱ - Ⅱ'선을 따라 자른 단면도이다.
도 8은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시 패널의 도 1의 Ⅰ- Ⅰ'선을 따라 자른 단면도 및 도 4의 Ⅱ - Ⅱ'선을 따라 자른 단면도이다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 따라서, 몇몇 실시예에서, 잘 알려진 공정 단계들, 잘 알려진 소자 구조 및 잘 알려진 기술들은 본 발명이 모호하게 해석되는 것을 피하기 위하여 구체적으로 설명되지 않는다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.
도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었다. 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 동일한 도면 부호를 붙였다. 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "위에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우뿐 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 반대로 어떤 부분이 다른 부분 "바로 위에" 있다고 할 때에는 중간에 다른 부분이 없는 것을 뜻한다. 또한, 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "아래에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 아래에" 있는 경우뿐 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 반대로 어떤 부분이 다른 부분 "바로 아래에" 있다고 할 때에는 중간에 다른 부분이 없는 것을 뜻한다.
공간적으로 상대적인 용어인 "아래(below)", "아래(beneath)", "하부(lower)", "위(above)", "상부(upper)" 등은 도면에 도시되어 있는 바와 같이 하나의 소자 또는 구성 요소들과 다른 소자 또는 구성 요소들과의 상관관계를 용이하게 기술하기 위해 사용될 수 있다. 공간적으로 상대적인 용어는 도면에 도시되어 있는 방향에 더하여 사용시 또는 동작시 소자의 서로 다른 방향을 포함하는 용어로 이해되어야 한다. 예를 들면, 도면에 도시되어 있는 소자를 뒤집을 경우, 다른 소자의 "아래(below)"또는 "아래(beneath)"로 기술된 소자는 다른 소자의 "위(above)"에 놓여질 수 있다. 따라서, 예시적인 용어인 "아래"는 아래와 위의 방향을 모두 포함할 수 있다. 소자는 다른 방향으로도 배향될 수 있고, 이에 따라 공간적으로 상대적인 용어들은 배향에 따라 해석될 수 있다.
본 명세서에서 어떤 부분이 다른 부분과 연결되어 있다고 할 때, 이는 직접적으로 연결되어 있는 경우뿐 아니라, 그 중간에 다른 소자를 사이에 두고 전기적으로 연결되어 있는 경우도 포함한다. 또한, 어떤 부분이 어떤 구성 요소를 포함한다고 할 때, 이는 특별히 그에 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다.
본 명세서에서 제 1, 제 2, 제 3 등의 용어는 다양한 구성 요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 이러한 구성 요소들은 상기 용어들에 의해 한정되는 것은 아니다. 상기 용어들은 하나의 구성 요소를 다른 구성 요소들로부터 구별하는 목적으로 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위로부터 벗어나지 않고, 제 1 구성 요소가 제 2 또는 제 3 구성 요소 등으로 명명될 수 있으며, 유사하게 제 2 또는 제 3 구성 요소도 교호적으로 명명될 수 있다.
다른 정의가 없다면, 본 명세서에서 사용되는 모든 용어(기술 및 과학적 용어를 포함)는 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 공통적으로 이해될 수 있는 의미로 사용될 수 있을 것이다. 또 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 용어들은 명백하게 특별히 정의되어 있지 않은 한 이상적으로 또는 과도하게 해석되지 않는다.
이하, 도 1 내지 도 5를 참조하여 본 발명의 일 실시예를 설명한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 하부 패널에 대한 평면도이다.
도 2는 패드부가 절곡되지 않은 도 1의 하부 패널에 대한 평면도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널에 포함된 화소들을 개략적으로 나타낸 평면도이다.
도 4는 도 1의 P부에 대한 확대도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 도 1의 Ⅰ- Ⅰ'선을 따라 자른 단면도 및 도 4의 Ⅱ - Ⅱ'선을 따라 자른 단면도이다.
표시장치는, 표시 패널(100), 패드부(104) 및 구동회로부(105)를 포함한다.
표시 패널(100)은 영상을 표시한다. 표시 패널(100)은 액정 패널 또는 유기 발광 다이오드 패널일 수 있다. 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널(100)은 액정 패널이다.
본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널(100)은 액정층(103)과, 그리고 이 액정층(103)을 사이에 두고 서로 마주보는 하부 패널(101)과 상부 패널(102)을 포함한다.
표시 패널(100)은 표시부(111)와 비표시부(112)로 구분된다. 표시 패널(100)의 표시부(111)는 하부 패널(101)의 표시부(111) 및 상부 패널(102)의 표시부(111)에 대응된다. 표시 패널(100)의 비표시부(112)는 하부 패널(101)의 비표시부(112) 및 상부 패널(102)의 비표시부(112)에 대응된다.
구동회로부(105)는, 도 2에 도시된 바와 같이, 게이트 드라이버(GD), 게이트 구동 집적회로(G-IC), 데이터 드라이버(DD), 데이터 구동 집적회로(D-IC) 및 캐리어(carrier)(121)를 포함할 수 있다.
게이트 드라이버(GD)는 타이밍 컨트롤러로부터 제공된 게이트 제어신호에 따라 게이트 신호들을 생성하고, 그 게이트 신호들을 복수의 게이트 라인들에 차례로 공급한다. 게이트 드라이버(GD)는, 예를 들어, 게이트 쉬프트 클럭에 따라 게이트 스타트 펄스를 쉬프트 시켜 게이트 신호들을 발생시키는 쉬프트 레지스터(미도시)로 구성될 수 있다. 쉬프트 레지스터는 복수의 스위칭소자들로 구성될 수 있다.
데이터 구동 집적회로(D-IC)들은 타이밍 컨트롤러로부터 디지털 영상 데이터 신호들 및 데이터 제어신호를 공급받는다. 데이터 구동 집적회로(D-IC)들은 데이터 제어신호에 따라 디지털 영상 데이터 신호들을 샘플링한 후에, 매 수평기간마다 한 수평 라인에 해당하는 샘플링 영상 데이터 신호들을 래치하고 래치된 영상 데이터 신호들을 데이터 라인들에 공급한다. 즉, 데이터 구동 집적회로(D-IC)들은 타이밍 컨트롤러로부터의 디지털 영상 데이터 신호들을 전원공급부로부터 입력되는 감마전압을 이용하여 아날로그 영상 신호들로 변환하여 데이터 라인들로 공급한다.
데이터 구동 집적회로(D-IC)들은 캐리어(carrier)(121)에 하나씩 실장(mount)될 수 있다.
캐리어(carrier)(121)는 테이프(tape) 또는 필름(film) 형태로 제조될 수 있다.
캐리어(carrier)(121)들은 회로기판(122)과 박막 트랜지스터(TFT)를 전기적으로 연결한다. 이를 위해, 각 캐리어(121)는 복수의 패드 전극(미도시)들을 포함한다. 패드 전극들은 복수의 입력 단자들과 복수의 출력 단자들로 구분된다. 여기서, 캐리어(121)들의 입력 단자들은 회로기판(122)의 신호배선들에 접속되고, 캐리어(121)들의 출력 단자들은 하부 기판(401)의 비표시부(112)에 구비된 배선부(452)의 신호배선에 접속된다.
입력 단자들이 위치한 캐리어의 일측과 회로기판은 이방성 도전성 필름(Anisotropic conductive bonding Film) 또는 OLB(Outer Lead Bonding)에 의해 접착될 수 있다. 또한, 출력 단자들이 위치한 캐리어의 타측과 하부 기판(401)은 이방성 도전성 필름 또는 OLB(Outer Lead Bonding)에 의해 접착될 수 있다.
캐리어들은 구부러질 수 있는 연성 재질로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 캐리어들은 열팽창 계수(CTE: coefficient of thermal expansion)나 내구성이 우수한 재질인 폴리이미드(polyimide)로 제조될 수 있다. 그 외에도, 아크릴(acrylic), 폴리에테르니트릴(polyether nitrile), 폴리에테르술폰(polyethersulfone), 폴리에틸렌 테레프탈레이트(polyethylene terephthalate), 폴리에틸렌 나프탈레이트(polyethylenenaphthalate) 등의 합성수지가 사용될 수도 있다.
회로기판의 신호배선들 중 일부는 타이밍 컨트롤러로부터 제공된 영상 데이터 신호들 및 데이터 제어신호를 캐리어에 실장된 데이터 구동 집적회로(D-IC)들로 전송한다. 이때, 데이터 구동 집적회로(D-IC)는 캐리어에 구비된 입력신호배선들을 통해 영상 데이터 신호 및 데이터 제어신호를 제공받는다. 그리고, 데이터 구동 집적회로(D-IC)는 캐리어에 구비된 출력신호배선들을 통해 아날로그 영상 데이터 신호들을 출력한다. 여기서, 각 입력신호배선의 끝단이 전술된 입력 단자에 해당하며, 각 출력신호배선의 끝단이 전술된 출력단자에 해당된다.
회로기판의 신호배선들 중 다른 일부는, 어느 하나의 캐리어에 구비된 신호 배선들 및 하부 기판(401)의 비표시부(112)에 구비된 신호배선들을 통해, 게이트(GD) 드라이버로 게이트 제어신호를 전송할 수 있다. 신호배선들은 전체 캐리어들 중 최외각에 위치한 하나의 캐리어에 구비될 수 있다.
표시 패널(100)은, 도 3에 도시된 바와 같이, 복수의 화소들(R, G, B)을 포함한다. 화소들(R, G, B)은, 표시 패널(100)의 표시부(111)에 위치한다.
화소들(R, G, B)은 행렬 형태로 배열된다. 화소들(R, G, B)은 적색 영상을 표시하는 적색 화소(R), 녹색 영상을 표시하는 녹색 화소(G) 및 청색 영상을 표시하는 청색 화소(B)로 구분된다. 이때, 수평 방향으로 인접한 적색 화소(R), 녹색 화소(G) 및 청색 화소(B)는 하나의 단위 영상을 표시하기 위한 단위 화소가 될 수 있다. 그러나 본 발명의 실시예가 이에 한정되는 것은 아니며, 화소는 백색 화소(W)를 포함할 수 있다.
제 n 수평라인(n은 1 내지 i 중 어느 하나)을 따라 배열된 j개의 화소들(이하, 제 n 수평라인 화소들)은 제 1 내지 제 j 데이터 라인들(DL1 내지 DLj) 각각에 개별적으로 접속된다. 아울러, 이 제 n 수평라인 화소들은 제 n 게이트 라인에 공통으로 접속된다. 이에 따라, 제 n 수평라인 화소들은 제 n 게이트 신호를 공통으로 공급받는다. 즉, 동일 수평라인 상에 배열된 j개의 화소들은 모두 동일한 게이트 신호를 공급받지만, 서로 다른 수평라인 상에 위치한 화소들은 서로 다른 게이트 신호를 공급받는다. 예를 들어, 제 1 수평라인(HL1)에 위치한 적색 화소(R) 및 녹색 화소(G)는 모두 제 1 게이트 신호를 공급받는 반면, 제 2 수평라인(HL2)에 위치한 적색 화소(R) 및 녹색 화소(G)는 이들과는 다른 타이밍을 갖는 제 2 게이트 신호를 공급받는다.
각 화소(R, G, B)는 트랜지스터(TFT), 액정용량 커패시터(Clc) 및 보조용량 커패시터(Cst)를 포함한다. 박막 트랜지스터(TFT)는 게이트 라인(GLi)으로부터의 게이트 신호에 따라 턴-온된다. 턴-온된 박막 트랜지스터(TFT)는 데이터 라인(DLj)으로부터 제공된 아날로그 영상 데이터 신호를 액정용량 커패시터(Clc)및 보조용량 커패시터(Cst)로 공급한다. 액정용량 커패시터(Clc)는 서로 대향하여 위치한 화소 전극(431)과 공통 전극(432)을 포함한다. 보조용량 커패시터(Cst)는 서로 대향하여 위치한 화소 전극(431)과 대향 전극을 포함한다. 여기서, 대향 전극은 전단 게이트 라인(GLi-1) 또는 공통 전압을 전송하는 공통 라인(CL)일 수 있다.
도 3 내지 도 5에 도시된 바와 같이, 하부 패널(101)의 표시부(111)는 하부 기판(401), 상부 기판(402), 게이트 라인(GL), 데이터 라인(DL), 공통 라인(CL), 박막 트랜지스터(TFT), 게이트 절연층(421), 보호층(423), 컬러 필터(424), 드레인 컨택홀(425), 화소 전극(431), 및 제 1 가요성막(451)을 포함한다.
하부 기판(401)은 투명한 유리 또는 플라스틱 등으로 이루어진 절연 기판이 될 수 있다.
게이트 라인(GL)은, 다른 층 또는 외부 구동회로와의 접속을 위해, 이의 접속 부분(예를 들어, 끝 부분)이 이의 다른 부분보다 더 큰 면적을 가질 수 있다. 게이트 라인(GL), 게이트 전극(GE) 및 공통 라인(미도시) 중 적어도 하나는 알루미늄(Al)이나 알루미늄 합금과 같은 알루미늄 계열의 금속, 또는 은(Ag)이나 은 합금과 같은 은 계열의 금속, 또는 구리(Cu)나 구리 합금과 같은 구리 계열의 금속, 또는 몰리브덴(Mo)이나 몰리브덴 합금과 같은 몰리브덴 계열의 금속으로 만들어질 수 있다. 이와 달리, 게이트 라인(GL), 게이트 전극(GE) 및 공통 라인(CL) 중 적어도 하나는, 크롬(Cr), 탄탈륨(Ta) 및 티타늄(Ti) 중 어느 하나로 만들어질 수 있다. 또한, 게이트 라인(GL), 게이트 전극(GE) 및 공통 라인(CL) 중 적어도 하나는 물리적 성질이 다른 적어도 두 개의 도전막을 포함하는 다중막 구조를 가질 수도 있다.
데이터 라인(DL)은 게이트 절연층(421) 상에 위치한다. 데이터 라인(DL)은 다른 층 또는 외부 구동회로와의 접속을 위해, 이의 접속 부분(예를 들어, 끝 부분)이 이의 다른 부분보다 더 큰 면적을 가질 수 있다. 데이터 라인(DL)은 게이트 라인(GL)과 교차한다. 도시되지 않았지만, 데이터 라인(DL)과 게이트 라인(GL)이 교차하는 곳에서 데이터 라인(DL)과 게이트 라인(GL) 간의 기생 커패시턴스의 크기가 줄어들 수 있다. 데이터 라인(DL) 역시 전술된 소스 전극(SE)과 동일한 재료 및 구조(다중막 구조)를 가질 수 있다. 다시 말하여, 데이터 라인(DL)과 소스 전극(SE)은 동일한 공정으로 동시에 만들어질 수 있다.
소스 전극(SE)은 반도체층(411) 상의 한 부분에 위치한다. 소스 전극(SE)은 데이터 라인(DL)으로부터 연장된다. 예를 들어, 도 4에서 도시된 바와 같이, 이 소스 전극(SE)은 데이터 라인(DL)에서 게이트 전극(GE)을 향해 돌출된 형태를 갖는다. 소스 전극(SE)은 반도체층(411) 및 게이트 전극(GE)과 중첩된다. 소스 전극(SE)은 몰리브덴, 크롬, 탄탈륨 및 티타늄 등 내화성 금속(refractory metal) 또는 이들의 합금으로 만들어지는 것이 바람직하며, 내화성 금속막과 저저항 도전막을 포함하는 다중막 구조를 가질 수 있다. 다중막 구조의 예로는 크롬 또는 몰리브덴(또는 몰리브덴 합금) 하부막과 알루미늄(또는 알루미늄 합금) 중간막과 몰리브덴(또는 몰리브덴 합금) 상부막의 삼중막을 들 수 있다. 한편, 소스 전극(SE)은 이외에도 여러 가지 다양한 금속 또는 도전체로 만들어질 수 있다.
드레인 전극(DE)은 반도체층(411) 상에 다른 한 부분에 위치한다. 드레인 전극(DE)은 게이트 전극(GE) 및 반도체층(411)과 중첩된다. 드레인 전극(DE)은 드레인 컨택홀(425)에서 화소 전극(431)과 연결된다. 드레인 전극(DE) 역시 전술된 소스 전극(SE)과 동일한 재료 및 구조(다중막 구조)를 가질 수 있다. 다시 말하여, 드레인 전극(DE)과 소스 전극(SE)은 동일한 공정으로 만들어질 수 있다.
반도체층(411)은 게이트 절연층(421) 상에 위치한다. 이때, 반도체층(411)은 게이트 전극(GE)과 중첩한다. 반도체층(411)은 비정질 규소 또는 다결정 규소 등으로 만들어질 수 있다.
게이트 전극(GE), 소스 전극(SE) 및 드레인 전극(DE)은 반도체층(411)과 함께 박막 트랜지스터(TFT)를 이룬다. 이때, 박막 트랜지스터(TFT)의 채널(channel)은 소스 전극(SE)과 드레인 전극(DE) 사이의 반도체층(411) 부분에 위치한다. 채널 부분에 해당하는 반도체층(411) 부분은 다른 부분에 비하여 더 낮은 두께를 갖는다.
게이트 절연층(421)은 게이트 라인(GL), 게이트 전극(GE) 및 공통 라인(CL) 상에 위치한다. 이때, 게이트 절연층(421)은 그 게이트 라인(GL), 게이트 전극(GE) 및 공통 라인(CL)을 포함한 하부 기판(401)의 전면(全面)에 위치할 수 있다. 게이트 절연층(421)은 공통 라인(CL)을 노출시키는 공통 컨택홀(미도시)을 갖는다. 게이트 절연층(421)은 질화 규소(SiNx) 또는 산화 규소(SiOx) 등으로 만들어질 수 있다. 게이트 절연층(421)은 물리적 성질이 다른 적어도 두 개의 절연층들을 포함하는 다중막 구조를 가질 수 있다.
보호층(423)은 데이터 라인(DL), 소스 전극(SE), 드레인 전극(DE) 및 게이트 절연층(421) 상에 위치한다. 이때, 보호층(423)은 그 데이터 라인(DL), 소스 전극(SE), 드레인 전극(DE) 및 게이트 절연층(421)을 포함한 하부 기판(401)의 전면(全面)에 위치할 수 있다. 보호층(423)은 드레인 전극(DE)을 노출시키는 드레인 컨택홀(425) 및 공통 라인(CL)을 노출시키는 공통 컨택홀을 갖는다. 보호층(423)은 질화 규소(SiNx) 또는 산화 규소(SiOx)와 같은 무기 절연물로 만들어질 수 있는 바, 그 무기 절연물질로서 감광성(photosensitivity)을 가지며 유전 상수(dielectric constant)가 약 4.0인 것이 사용될 수 있다. 이와 달리, 보호층(423)은, 우수한 절연 특성을 가지면서도 노출된 반도체층(411) 부분에 손상을 주지 않도록, 하부 무기막과 상부 유기막의 이중막 구조를 가질 수도 있다. 보호층(423)의 두께는 약 5000Å 이상일 수 있고, 약 6000 Å 내지 약 8000 Å 일 수 있다.
도 5에 도시된 바와 같이, 컬러 필터(424)는 보호층(423) 상에 구비될 수 있다. 컬러 필터(424)의 가장자리는 게이트 라인(GL), 박막 트랜지스터(TFT) 및 데이터 라인(DL) 상에 위치할 수 있다. 컬러 필터(424)는 개구부를 포함하는 바, 이 컬러 필터(424)의 개구부는 드레인 컨택홀(425)에 대응하게 위치한다. 컬러 필터(424)의 가장자리는 이에 인접한 다른 컬러 필터의 가장자리와 중첩될 수 있다. 컬러 필터(424)는 감광성 유기 물질로 이루어질 수 있다.
화소 전극(431)은 도 5에 도시된 바와 같이, 컬러 필터(424) 상에 위치할 수 있다. 화소 전극(431)은 드레인 컨택홀(425)을 통해 드레인 전극(DE)과 연결된다.
화소 전극(431)은 ITO(Indium tin oxide) 또는 IZO(Indium zinc oxide) 등의 투명한 도전 물질로 만들어질 수 있다. 이때, ITO는 다결정 또는 단결정의 물질일 수 있으며, 또한, IZO 역시 다결정 또는 단결정의 물질일 수 있다.
상부 기판(402)은 차광부(BM) 및 공통 전극(432)을 포함한다.
차광부(BM)는 상부 기판(402) 상에 배치될 수 있다. 차광부(BM)는 화소 영역 이외의 부분에서 빛이 새는 것을 차단한다. 도시되지 않았으나, 차광부(BM)는 화소 전극(431)을 포함하는 하부 패널(101) 상에 위치할 수 있다.
공통 전극(432)은 상부 기판(402) 상에 배치될 수 있다. 공통 전극(432)은 ITO(Indium Tin Oxide) 또는 IZO(Indium Zinc Oxide) 등의 투명한 도전물질로 이루어 질 수 있다. 공통 전극(432)은 하부 기판(401)의 화소 전극(431)들과 함께 액정층(103)에 전계를 인가한다.
도 5에 도시된 바와 같이, 하부 패널(101) 및 상부 패널(102)의 비표시부(112)는 실링부(441)를 포함하고, 패드부(104)와 일부 중첩된다.
실링부(441)는 상부 패널(102)과 하부 패널(101) 사이에 위치한다. 구체적으로, 실링부(441)는, 예를 들어, 도 1 및 도 2에서 도시된 바와 같이, 표시부(111)를 둘러싸는 폐곡선 형상을 가질 수 있다.
패드부(104)는 제 1 가요성막(451), 배선부(452) 및 제 2 가요성막(453)을 포함한다. 패드부(104)는 하부 패널(101)과 일부 중첩되며, 하부 기판(401) 외부로 연장되어 배치되고, 하부 기판(401)의 외부에서 구동회로부(105)와 연결된다.
제 1 가요성막(451)은 하부 기판(401) 전면(全面)에 배치되며, 도면에 도시되지 않았으나, 패드부(104)와 같이 하부 기판(401) 외부로 연장되어 배치될 수 있다. 다시 말하여, 제 1 가요성막(451)은 하부 패널(101)과 패드부(104)에 동시에 포함될 수 있다. 제 1 가요성막은 구부러질 수 있는 연성 재질로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 폴리이미드(polyimide), 폴리에텔렌테레프탈레이트(polyethyleneterephthalate), 폴리카보네이트(polycarbonate), 폴리에틸렌 나프탈레이트(polyethylene naphthalate) 및 폴리아크릴레이트(polyacrylate) 중 하나로 만들어질 수 있다.
제 1 가요성막(451)은 300℃ 이상의 온도에서 내열성을 가진다. 이 때문에 고온의 제조공정에서 제 1 가요성막(451)은 손상 받지 않는다.
도시되지 않았으나, 상부 기판(402)과 중첩되지 않는 하부 기판(101) 영역에 레이저빔을 조사하여 제 1 가요성막(451)과 하부 기판(401)과의 접착력을 약화시킨다. 이후, 레이저 또는 절단기를 이용하여 하부 기판(101)의 일부를 제거한 후, 패드부(104)를 하부 기판(401)의 측면을 따라 절곡하여 표시장치의 베젤의 폭을 줄일 수 있다.
제 1 가요성막(451)은 10nm이상 100nm이하의 두께를 가질 수 있다.
배선부(452)와 구동회로부(105)가 전기적으로 접속되기 위해 제 1 가요성막(451)의 적어도 일부가 알칼리(Akali) 계열의 용액 또는 레이저를 통해 제거될 수 있다. 도면에는 하부 기판(401)의 외부에 위치하는 제 1 가요성막(451)이 전부 제거된 구조를 도시하였으나, 본 발명의 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다.
배선부(452)는 신호배선(미도시)을 포함하며, 제 1 가요성막(451) 상에 하부 기판(401) 외부로 연장되어 배치된다.
배선부(452)는 게이트 전극(GE) 및 게이트 라인(GL)과 동일한 재료로 이루어지며, 같은 층에 위치한다. 다시 말하여, 배선부(452)는 게이트 전극(GE) 및 게이트 라인(GL)과 동일한 공정으로 동시에 만들어질 수 있다.
제 2 가요성막(453)은 비표시부(112)의 배선부(452) 상에 배치되며, 도 5에 도시된 바와 같이, 하부 기판(401) 외부로 연장되어 배치된다. 제 2 가요성막(453)은 구부러질 수 있는 연성 재질로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 폴리이미드(polyimide), 폴리에텔렌테레프탈레이트(polyethyleneterephtalate), 폴리카보네이트(polycarbonate), 폴리에틸렌 나프탈레이트(polyethylene naphthalate) 및 폴리아크릴레이트(polyacrylate) 중 하나로 만들어질 수 있다. 제 1 가요성막(451)과 제 2 가요성막(453)은 동일한 재료로 이루어질 수 있다.
제 2 가요성막(453)의 두께는 제 1 가요성막(451)의 두께보다 두껍다.
도 6에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 표시장치는 하부 기판(401)의 측면과 패드부(104) 사이에 위치하는 보호부재(551)를 더 포함할 수 있다. 보호부재(551)는 배선부(452)의 손상을 방지하여 신호의 단락이 일어나는 것을 막을 수 있다.
도 7에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 표시장치의 제 1 가요성막(451) 상에 버퍼층(621)이 더 배치될 수 있다. 버퍼층(621)은 게이트 전극(GE), 게이트 라인(GL) 및 배선부(452)와 제 1 가요성막(451) 사이의 층간 접착 특성을 개선하는 역할을 한다. 예를 들어, 버퍼층(621)은 질화 규소(SiNx) 또는 산화 규소(SiOx) 등으로 만들어질 수 있다. 버퍼층(621)은 물리적 성질이 다른 적어도 두 개의 절연층들을 포함하는 다중막 구조를 가질 수 있다.
도 8에 도시된 바와 같이, 컬러 필터(424)는 공통 전극(432)를 포함하는 상부 패널(102) 상에 위치할 수 있다. 이때, 보호층(423)을 포함한 하부 패널(101)의 전면(全面)에 층간절연막(422)이 위치할 수 있고, 화소 전극(431)은 층간절연막(422) 상에 위치할 수 있다. 층간절연막(422)의 개구부는 드레인 컨택홀(425)에 대응되게 위치한다. 층간절연막(422)은 유기 물질로 이루어질 수 있다. 화소 전극(431)은 드레인 컨택홀(425)을 통해 드레인 전극(DE)과 연결된다.
이상에서 설명한 본 발명은 상술한 실시예 및 첨부된 도면에 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것이 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어 명백할 것이다.
100: 표시 패널
101: 하부 패널
102: 상부 패널 103: 액정층
104: 패드부 105: 구동회로부
111: 표시부 112: 비표시부
GE: 게이트 전극 SE: 소스 전극
DE: 드레인 전극 411: 반도체층
421: 게이트 절연층 422: 층간절연막
423: 보호층 424: 컬러 필터
425: 드레인 컨택홀 431: 화소 전극
432: 공통 전극 441: 실링부
451: 제 1 가요성막 452: 배선부
453: 제 2 가요성막 BM: 차광부
551: 보호부재 621: 버퍼층
102: 상부 패널 103: 액정층
104: 패드부 105: 구동회로부
111: 표시부 112: 비표시부
GE: 게이트 전극 SE: 소스 전극
DE: 드레인 전극 411: 반도체층
421: 게이트 절연층 422: 층간절연막
423: 보호층 424: 컬러 필터
425: 드레인 컨택홀 431: 화소 전극
432: 공통 전극 441: 실링부
451: 제 1 가요성막 452: 배선부
453: 제 2 가요성막 BM: 차광부
551: 보호부재 621: 버퍼층
Claims (18)
- 표시부와 비표시부를 포함하는 제 1 기판 및 제 2 기판;
상기 제 1 기판 상에 배치된 제 1 가요성막;
상기 표시부의 제 1 가요성막 상에 배치되며, 게이트 전극, 반도체층, 소스 전극, 드레인 전극을 포함하는 박막 트랜지스터;
상기 비표시부의 제 1 가요성막 상에 배치되고, 신호배선을 포함하는 배선부;
상기 비표시부의 배선부 상에 배치되고 상기 제 1 기판 외부로 연장된 제 2 가요성막; 및
상기 배선부와 연결된 구동회로부;
를 포함하는 표시장치. - 제 1 항에 있어서,
상기 배선부는 상기 제 1 기판 외부로 연장된 표시장치. - 제 1 항에 있어서,
상기 배선부 및 상기 제 2 가요성막은 상기 제 1 기판의 측부를 따라 절곡된 표시장치. - 제 3 항에 있어서,
상기 제 1 가요성막은 상기 제 2 가요성막보다 더 얇은 두께를 가지는 표시장치. - 제 1 항에 있어서,
상기 배선부는 상기 게이트 전극과 동일한 재료로 이루어진 표시장치. - 제 1 항에 있어서,
상기 배선부는 상기 박막 트랜지스터와 연결되는 표시장치. - 제 1 항에 있어서,
상기 제 1 가요성막 및 상기 제 2 가요성막은 폴리이미드(polyimide), 폴리에틸렌테레프탈레이트(polyethylene terephthalate), 폴리카보네이트(polycarbonate), 폴리에틸렌 나프탈레이트(polyethylene naphthalate) 및 폴리아크릴레이트(polyacrylate) 중 하나로 형성된 표시장치. - 제 7 항에 있어서,
상기 제 1 가요성막은 300℃이상의 온도에서 내열성을 갖는 표시장치. - 제 3 항에 있어서,
상기 배선부와 상기 제 1 기판의 측부 사이에 배치되는 보호부재를 더 포함하는 표시장치. - 제 3 항에 있어서,
상기 제 1 가요성막은 상기 제 1 기판의 외부로 연장된 표시장치. - 제 10 항에 있어서,
상기 제 2 가요성막은 상기 제 1 기판의 외부로 상기 제 1 가요성막보다 더 길게 연장된 표시장치. - 제 1 항에 있어서,
상기 제 1 가요성막과 상기 박막 트랜지스터 및 배선부 사이에 배치된 버퍼층을 포함하는 표시장치. - 제 1 항에 있어서,
상기 구동회로부는 가요성 인쇄회로기판을 포함하는 표시장치. - 제 1 항에 있어서,
상기 표시부의 박막 트랜지스터 상에 배치되는 층간절연막을 더 포함하는 표시장치. - 제 14 항 에 있어서,
상기 표시부의 층간절연막 상에 배치되며 상기 박막 트랜지스터와 연결된 화소 전극을 더 포함하는 표시장치. - 제 1 항에 있어서,
상기 제 2 기판 상에 배치되는 공통 전극을 더 포함하는 표시장치. - 제 1 항에 있어서,
상기 제 1 기판과 상기 제 2 기판 사이에 배치되는 실링부를 더 포함하는 표시장치. - 제 1 항에 있어서,
상기 표시부의 박막 트랜지스터 상에 배치되는 컬러 필터를 더 포함하는 표시장치.
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020150081203A KR102380057B1 (ko) | 2015-06-09 | 2015-06-09 | 표시장치 |
US15/045,509 US9529217B1 (en) | 2015-06-09 | 2016-02-17 | Display device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020150081203A KR102380057B1 (ko) | 2015-06-09 | 2015-06-09 | 표시장치 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20160145230A true KR20160145230A (ko) | 2016-12-20 |
KR102380057B1 KR102380057B1 (ko) | 2022-03-30 |
Family
ID=57515876
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020150081203A KR102380057B1 (ko) | 2015-06-09 | 2015-06-09 | 표시장치 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9529217B1 (ko) |
KR (1) | KR102380057B1 (ko) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20190029821A (ko) * | 2017-09-11 | 2019-03-21 | 삼성디스플레이 주식회사 | 폴딩 가능한 디스플레이 장치 및 그 제조방법 |
US10608201B2 (en) | 2018-03-08 | 2020-03-31 | Samsung Display Co., Ltd. | Foldable display apparatus and method of manufacturing the same |
WO2020101312A1 (en) * | 2018-11-16 | 2020-05-22 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Display module and large format display apparatus using the same |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102609533B1 (ko) * | 2016-11-30 | 2023-12-05 | 엘지디스플레이 주식회사 | 표시장치 |
KR102612998B1 (ko) * | 2016-12-30 | 2023-12-11 | 엘지디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 이를 이용한 멀티 스크린 표시 장치 |
KR102582059B1 (ko) | 2016-12-30 | 2023-09-21 | 엘지디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 이를 이용한 멀티 스크린 표시 장치 |
KR102502274B1 (ko) * | 2018-02-21 | 2023-02-22 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
KR102576868B1 (ko) * | 2018-07-31 | 2023-09-11 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시장치 |
KR102606567B1 (ko) * | 2018-11-07 | 2023-11-28 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
US20240055442A1 (en) | 2020-12-21 | 2024-02-15 | Kyocera Corporation | Display device and method for manufacturing display device |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20130022802A (ko) * | 2011-08-26 | 2013-03-07 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정표시장치 |
KR20140011793A (ko) * | 2012-07-19 | 2014-01-29 | 삼성디스플레이 주식회사 | 플렉서블 디스플레이 장치 및 그의 제조 방법 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5308749B2 (ja) * | 2008-09-05 | 2013-10-09 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 液晶表示装置 |
KR102032383B1 (ko) | 2013-06-03 | 2019-11-11 | 삼성디스플레이 주식회사 | 디스플레이 패널 및 그 제조방법 |
KR102062842B1 (ko) | 2013-06-03 | 2020-01-07 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
KR102087951B1 (ko) | 2013-07-25 | 2020-04-16 | 삼성디스플레이 주식회사 | 평판 디스플레이 장치 및 그 제조방법 |
KR102077525B1 (ko) | 2013-07-30 | 2020-02-14 | 엘지디스플레이 주식회사 | 표시장치 및 그 제조 방법 |
-
2015
- 2015-06-09 KR KR1020150081203A patent/KR102380057B1/ko active IP Right Grant
-
2016
- 2016-02-17 US US15/045,509 patent/US9529217B1/en active Active
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20130022802A (ko) * | 2011-08-26 | 2013-03-07 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정표시장치 |
KR20140011793A (ko) * | 2012-07-19 | 2014-01-29 | 삼성디스플레이 주식회사 | 플렉서블 디스플레이 장치 및 그의 제조 방법 |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20190029821A (ko) * | 2017-09-11 | 2019-03-21 | 삼성디스플레이 주식회사 | 폴딩 가능한 디스플레이 장치 및 그 제조방법 |
US10535826B2 (en) | 2017-09-11 | 2020-01-14 | Samsung Display Co., Ltd. | Foldable display apparatus including a sub-layer and a protective film and method of manufacturing the same |
US10608201B2 (en) | 2018-03-08 | 2020-03-31 | Samsung Display Co., Ltd. | Foldable display apparatus and method of manufacturing the same |
WO2020101312A1 (en) * | 2018-11-16 | 2020-05-22 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Display module and large format display apparatus using the same |
US11201202B2 (en) | 2018-11-16 | 2021-12-14 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Display module and large format display apparatus using the same |
US11849613B2 (en) | 2018-11-16 | 2023-12-19 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Display module comprising side wirings and large format display apparatus using the same |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US9529217B1 (en) | 2016-12-27 |
US20160363800A1 (en) | 2016-12-15 |
KR102380057B1 (ko) | 2022-03-30 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR102380057B1 (ko) | 표시장치 | |
US9098132B2 (en) | Line on glass type liquid crystal display device and method of fabricating the same | |
KR102473310B1 (ko) | 표시 장치 | |
KR20160049150A (ko) | 액정 표시장치 | |
KR101329078B1 (ko) | 액정표시장치 및 그 제조방법 | |
US8586987B2 (en) | Active matrix substrate and active matrix display device | |
CN107479277A (zh) | 显示装置及其显示衬底 | |
KR102622267B1 (ko) | 표시 장치 | |
CN110007535B (zh) | 显示装置 | |
KR20200038371A (ko) | 표시 장치 | |
US11730046B2 (en) | Display device having repair structure | |
KR20120061129A (ko) | 표시 장치 | |
KR20160084919A (ko) | 표시장치 | |
KR20190068084A (ko) | 유기 발광 표시 장치 | |
KR102526508B1 (ko) | 액정 표시 장치 | |
KR20180003663A (ko) | 액정 표시 장치 | |
KR20100068035A (ko) | 액정표시장치 | |
KR102162887B1 (ko) | 평판표시장치 | |
KR102047856B1 (ko) | 배면발광형 유기발광 표시장치 및 그 제조방법 | |
KR102622269B1 (ko) | 표시 장치 | |
KR20160150149A (ko) | 표시장치 및 이의 제조방법 | |
KR20190010327A (ko) | 투명 표시 장치 | |
KR101687227B1 (ko) | 씨오지 타입 어레이 기판 | |
KR102687853B1 (ko) | 표시 장치 | |
JP2024096055A (ja) | 表示装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant |