KR20160134924A - 기판 처리 장치 및 세정 방법 - Google Patents

기판 처리 장치 및 세정 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20160134924A
KR20160134924A KR1020150066787A KR20150066787A KR20160134924A KR 20160134924 A KR20160134924 A KR 20160134924A KR 1020150066787 A KR1020150066787 A KR 1020150066787A KR 20150066787 A KR20150066787 A KR 20150066787A KR 20160134924 A KR20160134924 A KR 20160134924A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
plate
support plate
cleaning
nozzle
Prior art date
Application number
KR1020150066787A
Other languages
English (en)
Other versions
KR102310462B1 (ko
Inventor
김대민
이슬
박정영
Original Assignee
세메스 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 세메스 주식회사 filed Critical 세메스 주식회사
Priority to KR1020150066787A priority Critical patent/KR102310462B1/ko
Publication of KR20160134924A publication Critical patent/KR20160134924A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102310462B1 publication Critical patent/KR102310462B1/ko

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041Cleaning
    • H01L21/02043Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
    • H01L21/02052Wet cleaning only
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

본 발명은 기판을 처리하는 장치 및 세정 방법에 관한 것이다. 본 발명의 일 실시 예에 따르면, 내부에 기판을 처리하는 처리공간을 가지는 용기와 상기 처리공간 내에 위치하여 기판을 지지하는 지지판, 상기 지지판의 중앙 영역에 제공되며 상기 지지판에 놓인 기판의 저면으로 유체를 공급하는 분사헤드 그리고 상기 분사헤드를 상기 지지판에 체결하는 체결 부재를 가지는 지지유닛과 상기 지지판의 상면을 세정하는 세정 유닛을 포함하되 상기 세정 유닛은 세정액을 공급하는 노즐과 상기 노즐을 이동시키는 노즐 구동 부재와 상기 노즐 구동 부재를 제어하는 제어기를 포함하되 상기 제어기는 상기 지지판의 상면을 세정 시 상기 노즐로부터 상기 세정액의 토출 위치가 상기 지지판의 중심과 상기 체결 부재 사이가 되도록 상기 노즐 구동 부재를 제어하는 기판 처리 장치를 포함한다.

Description

기판 처리 장치 및 세정 방법{Apparatus for treating a substrate and method for cleaning}
본 발명은 기판을 처리하는 장치 및 세정 방법에 관한 것으로, 보다 구체적으로 기판을 처리하는 장치를 세정하는 기판 처리 장치 및 세정 방법에 관한 것이다.
반도체 소자가 고밀도, 고집적화, 고성능화됨에 따라 회로 패턴의 미세화가 급속히 진행됨으로써, 기판 표면에 잔류하는 파티클(Particle), 유기 오염물, 금속 오염물 등의 오염 물질은 소자의 특성과 생산 수율에 많은 영향을 미치게 된다. 이 때문에 기판 표면에 부착된 각종 오염 물질을 제거하는 세정 공정이 반도체 제조 공정에서 매우 중요하게 대두되고 있으며, 반도체를 제조하는 각 단위 공정의 전후 단계에서 기판을 세정 처리하는 공정이 실시되고 있다.
일반적으로 기판의 세정은 케미칼을 이용하여 기판 상에 잔류하는 금속 이물질, 유기 물질, 또는 파티클 등을 제거하는 케미칼 처리 공정, 순수를 이용하여 기판 상에 잔류하는 케미칼을 제거하는 린스 공정, 그리고 유기 용제 또는 질소 가스 등을 이용하여 기판을 건조하는 건조 공정을 포함한다.
이러한 세종 공정을 수행하는 기판 처리 장치는 공정 중 발생된 파티클이나 이물질, 또는 케미칼액 등이 기화되어 기판 처리 장치에 남아 있을 수 있다. 이러한 이물질들은 다음 기판 처리 시 기판으로 이동할 수 있으며, 기판 처리 공정에 불량을 야기하는 원인이 된다.
따라서, 기판 처리 장치를 주기적으로 세정을 하여 기판 처리 공정에 불량을 방지하는 것이 필요하다.
본 발명은 기판을 처리하는 장치를 세정하는 기판 처리 장치 및 세정 방법을 제공하기 위한 것이다.
또한, 본 발명은 기판을 지지하는 지지 유닛의 상면을 세정 시 기판의 후면을 세정하는 백노즐의 오염을 방지하는 기판 처리 장치 및 세정 방법을 제공하기 위한 것이다.
본 발명은 기판을 처리하는 장치를 제공한다.
본 발명의 일 실시 예에 따르면, 상기 기판 처리 장치는 내부에 기판을 처리하는 처리공간을 가지는 용기와 상기 처리공간 내에 위치하여 기판을 지지하는 지지판, 상기 지지판의 중앙 영역에 제공되며 상기 지지판에 놓인 기판의 저면으로 유체를 공급하는 분사헤드, 그리고 상기 분사헤드를 상기 지지판에 체결하는 체결 부재를 가지는 지지유닛과 상기 지지판의 상면을 세정하는 세정 유닛을 포함하되 상기 세정 유닛은 세정액을 공급하는 노즐과 상기 노즐을 이동시키는 노즐 구동 부재와 상기 노즐 구동 부재를 제어하는 제어기를 포함하되 상기 제어기는 상기 지지판의 상면을 세정 시 상기 노즐로부터 상기 세정액의 토출 위치가 상기 지지판의 중심과 상기 체결 부재 사이가 되도록 상기 노즐 구동 부재를 제어할 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 상기 분사 헤드는 상기 지지판 상에 위치되는 베이스판과 상기 베이스판 상에 설치되는 하나 또는 복수의 백 노즐을 포함하고 상기 체결 부재는 상기 베이스판을 상기 고정판에 고정하는 복수의 볼트들을 포함할 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 상기 볼트들은 상기 지지판의 중심으로부터 동일한 거리에 위치될 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 상기 지지판은 고정판과 상기 고정판을 감싸도록 배치되는 회전판과 그리고 상기 회전판을 회전시키는 구동기를 포함할 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 상기 제어기는 상기 구동기를 제어하며 상기 제어기는 상기 노즐에서 상기 세정액을 토출 시 상기 회전판을 회전시키도록 상기 구동기를 제어할 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 상기 세정액 토출 위치는 상기 베이스판과 상기 체결 부재 사이에 위치될 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 상기 제어기는 상기 베이스판과 상기 체결 부재 사이의 영역을 이동하면서 상기 세정액을 토출하도록 상기 노즐 구동 부재를 제어할 수 있다.
본 발명은 기판 처리 장치를 세정하는 방법을 제공한다.
본 발명의 일 실시 예에 따르면, 상기 세정 방법은 기판의 저면에 유체를 공급하는 분사헤드가 중앙 영역에 위치하며 기판을 지지하는 지지판에 세정액을 공급함과 동시에 상기 지지판을 회전시켜 상기 지지판과 상기 지지판을 둘러싸는 용기를 세정하되 상기 세정은 상기 지지판에서 기판이 제거된 상태에서 이루어지고 상기 세정액의 토출 위치는 상기 지지판의 중심과 상기 분사헤드를 상기 지지판에 체결하는 체결 부재 사이에 위치될 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 상기 분사 헤드는 상기 지지판 상에 위치되는 베이스판과 상기 베이스판 상에 설치되는 하나 또는 복수의 백 노즐을 포함하고 상기 체결 부재는 상기 베이스판을 상기 고정판에 고정하는 복수의 볼트들을 포함하며 상기 세정액의 토출 위치는 상기 베이스판과 상기 체결 부재 사이에 위치될 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 상기 세정액은 상기 베이스판과 상기 체결 부재 사이의 영역을 이동하면서 공급될 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에 의하면, 기판을 처리하는 장치를 세정하는 기판 처리 장치 및 세정 방법을 제공하여 기판 처리 공정에 효율을 향상시킬 수 있다.
또한, 본 발명의 일 실시 예에 의하면, 기판 처리 장치를 세정 시 기판의 후면을 세정하는 백노즐의 오염을 최소화할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 설비를 개략적으로 나타낸 평면도이다.
도 2는 도 1의 공정 챔버에 제공되는 기판 처리 장치를 보여주는 단면도이다.
도 3은 도 2의 지지 유닛의 상면을 보여주는 사시도이다.
도 4는 도 3의 지지 유닛을 보여주는 단면도이다.
도 5는 도 2의 기판 처리 장치를 세정하는 모습을 보여주는 개락적인 도면이다.
도 6과 도 7은 지지 유닛의 상면에 세정액이 공급되는 위치에 따른 세정액의 유동을 보여주는 개략적인 도면이다.
도 8은 본 발명의 일 실시 예에 따른 지지 유닛의 상면에 세정액이 공급되는 영역을 보여주는 도면이다.
이하, 본 발명의 실시 예를 첨부된 도면들을 참조하여 더욱 상세하게 설명한다. 본 발명의 실시 예는 여러 가지 형태로 변형할 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래의 실시 예들로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시 예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해 과장되었다.
도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 설비를 개략적으로 나타낸 평면도이다. 도 1을 참조하면, 기판 처리 설비(1)는 인덱스 모듈(10)과 공정처리모듈(20)을 가지고, 인덱스 모듈(10)은 로드포트(120) 및 이송프레임(140)을 가진다. 로드포트(120), 이송프레임(140), 그리고 공정처리모듈(20)은 순차적으로 일렬로 배열된다. 이하, 로드포트(120), 이송프레임(140), 그리고 공정처리모듈(20)이 배열된 방향을 제1방향(12)이라 한다. 상부에서 바라볼 때 제1방향(12)과 수직한 방향을 제2방향(14)이라 하고, 제1방향(12)과 제2방향(14)을 포함한 평면에 수직인 방향을 제3방향(16)이라 한다.
로드포트(120)에는 기판(W)이 수납된 캐리어(130)가 안착된다. 로드포트(120)는 복수 개가 제공되며 이들은 제2방향(14)을 따라 일렬로 배치된다. 도 1에서는 네 개의 로드포트(120)가 제공된 것으로 도시하였다. 그러나 로드포트(120)의 개수는 공정처리모듈(20)의 공정효율 및 풋 프린트 등의 조건에 따라 증가하거나 감소할 수도 있다. 캐리어(130)에는 기판의 가장자리를 지지하도록 제공된 슬롯(도시되지 않음)이 형성된다. 슬롯은 제3방향(16)을 복수 개가 제공되고, 기판은 제3방향(16)을 따라 서로 이격된 상태로 적층되게 캐리어 내에 위치된다. 캐리어(130)로는 전면 개방 일체형 포드(Front Opening Unified Pod;FOUP)가 사용될 수 있다.
공정처리모듈(20)은 버퍼유닛(220), 이송챔버(240), 그리고 공정챔버(260)를 가진다. 이송챔버(240)는 그 길이 방향이 제1방향(12)과 평행하게 배치된다. 제2방향(14)를 따라 이송챔버(240)의 일측 및 타측에는 각각 공정챔버들(260)이 배치된다. 이송챔버(240)의 일측에 위치한 공정챔버들(260)과 이송챔버(240)의 타측에 위치한 공정챔버들(260)은 이송챔버(240)를 기준으로 서로 대칭이 되도록 제공된다. 공정챔버(260)들 중 일부는 이송챔버(240)의 길이 방향을 따라 배치된다. 또한, 공정챔버(260)들 중 일부는 서로 적층되게 배치된다. 즉, 이송챔버(240)의 일측에는 공정챔버(260)들이 A X B(A와 B는 각각 1이상의 자연수)의 배열로 배치될 수 있다. 여기서 A는 제1방향(12)을 따라 일렬로 제공된 공정챔버(260)의 수이고, B는 제3방향(16)을 따라 일렬로 제공된 공정챔버(260)의 수이다. 이송챔버(240)의 일측에 공정 챔버(260)가 4개 또는 6개 제공되는 경우, 공정챔버(260)들은 2 X 2 또는 3 X 2의 배열로 배치될 수 있다. 공정챔버(260)의 개수는 증가하거나 감소할 수도 있다. 상술한 바와 달리, 공정챔버(260)는 이송챔버(240)의 일측에만 제공될 수 있다. 또한, 상술한 바와 달리, 공정챔버(260)는 이송챔버(240)의 일측 및 양측에 단층으로 제공될 수 있다.
버퍼유닛(220)은 이송프레임(140)과 이송챔버(240) 사이에 배치된다. 버퍼 유닛(220)은 이송챔버(240)와 이송프레임(140) 간에 기판(W)이 반송되기 전에 기판(W)이 머무르는 공간을 제공한다. 버퍼유닛(220)은 그 내부에 기판(W)이 놓이는 슬롯(미도시)이 제공되며, 슬롯(미도시)들은 서로 간에 제3방향(16)을 따라 이격되도록 복수 개 제공된다. 버퍼유닛(220)에서 이송프레임(140)과 마주보는 면과 이송챔버(240)와 마주보는 면 각각이 개방된다.
이송프레임(140)은 로드포트(120)에 안착된 캐리어(130)와 버퍼유닛(220) 간에 기판(W)을 반송한다. 이송프레임(140)에는 인덱스레일(142)과 인덱스로봇(144)이 제공된다. 인덱스레일(142)은 그 길이 방향이 제2방향(14)과 나란하게 제공된다. 인덱스로봇(144)은 인덱스레일(142) 상에 설치되며, 인덱스레일(142)을 따라 제2방향(14)으로 직선 이동된다. 인덱스로봇(144)은 베이스(144a), 몸체(144b), 그리고 인덱스암(144c)을 가진다. 베이스(144a)는 인덱스레일(142)을 따라 이동 가능하도록 설치된다. 몸체(144b)는 베이스(144a)에 결합된다. 몸체(144b)는 베이스(144a) 상에서 제3방향(16)을 따라 이동 가능하도록 제공된다. 또한, 몸체(144b)는 베이스(144a) 상에서 회전 가능하도록 제공된다. 인덱스암(144c)은 몸체(144b)에 결합되고, 몸체(144b)에 대해 전진 및 후진 이동 가능하도록 제공된다. 인덱스암(144c)은 복수 개 제공되어 각각 개별 구동되도록 제공된다. 인덱스암(144c)들은 제3방향(16)을 따라 서로 이격된 상태로 적층되게 배치된다. 인덱스암(144c)들 중 일부는 공정처리모듈(20)에서 캐리어(130)로 기판(W)을 반송할 때 사용되고, 다른 일부는 캐리어(130)에서 공정처리모듈(20)로 기판(W)을 반송할 때 사용될 수 있다. 이는 인덱스로봇(144)이 기판(W)을 반입 및 반출하는 과정에서 공정 처리 전의 기판(W)으로부터 발생된 파티클이 공정 처리 후의 기판(W)에 부착되는 것을 방지할 수 있다.
이송챔버(240)는 버퍼유닛(220)과 공정챔버(260) 간에, 그리고 공정챔버(260)들 간에 기판(W)을 반송한다. 이송챔버(240)에는 가이드레일(242)과 메인로봇(244)이 제공된다. 가이드레일(242)은 그 길이 방향이 제1방향(12)과 나란하도록 배치된다. 메인로봇(244)은 가이드레일(242) 상에 설치되고, 가이드레일(242) 상에서 제1방향(12)을 따라 직선 이동된다. 메인로봇(244)은 베이스(244a), 몸체(244b), 그리고 메인암(244c)을 가진다. 베이스(244a)는 가이드레일(242)을 따라 이동 가능하도록 설치된다. 몸체(244b)는 베이스(244a)에 결합된다. 몸체(244b)는 베이스(244a) 상에서 제3방향(16)을 따라 이동 가능하도록 제공된다. 또한, 몸체(244b)는 베이스(244a) 상에서 회전 가능하도록 제공된다. 메인암(244c)은 몸체(244b)에 결합되고, 이는 몸체(244b)에 대해 전진 및 후진 이동 가능하도록 제공된다. 메인암(244c)은 복수 개 제공되어 각각 개별 구동되도록 제공된다. 메인암(244c)들은 제3방향(16)을 따라 서로 이격된 상태로 적층되게 배치된다. 버퍼유닛(220)에서 공정챔버(260)로 기판을 반송할 때 사용되는 메인암(244c)과 공정챔버(260)에서 버퍼유닛(220)으로 기판을 반송할 때 사용되는 메인암(244c)은 서로 상이할 수 있다.
공정챔버(260) 내에는 기판(W)에 대해 세정 공정을 수행하는 기판 처리 장치(300)가 제공된다. 각각의 공정챔버(260) 내에 제공된 기판 처리 장치(300)는 수행하는 세정 공정의 종류에 따라 상이한 구조를 가질 수 있다. 선택적으로 각각의 공정챔버(260) 내의 기판 처리 장치(300)는 동일한 구조를 가질 수 있다. 선택적으로 공정챔버(260)들은 복수 개의 그룹으로 구분되어, 동일한 그룹에 속하는 공정챔버(260)에 제공된 기판 처리 장치(300)들은 서로 동일한 구조를 가지고, 상이한 그룹에 속하는 공정챔버(260)에 제공된 기판 처리 장치(300)들은 서로 상이한 구조를 가질 수 있다. 예컨대, 공정챔버(260)가 2개의 그룹으로 나누어지는 경우, 이송챔버(240)의 일측에는 제1그룹의 공정챔버들(260)이 제공되고, 이송챔버(240)의 타측에는 제2그룹의 공정 챔버들(260)이 제공될 수 있다. 선택적으로 이송챔버(240)의 일측 및 타측 각각에서 하층에는 제1그룹의 공정챔버(260)들이 제공되고, 상층에는 제2그룹의 공정챔버(260)들이 제공될 수 있다. 제1그룹의 공정챔버(260)와 제2그룹의 공정챔버(260)는 각각 사용되는 케미컬의 종류나, 세정 방식의 종류에 따라 구분될 수 있다.
아래에서는 처리액을 이용하여 기판(W)을 세정하는 기판 처리 장치(300)의 일 예를 설명한다. 도 2는 도 1의 공정 챔버에 제공되는 기판 처리 장치를 보여주는 단면도이다. 도 2를 참조하면, 기판 처리 장치(300)는 용기(320), 지지유닛(340), 승강유닛(360), 그리고 세정 유닛(380)을 가진다.
용기(320)는 기판 처리 공정이 수행되는 공간을 제공한다. 용기(320)는 그 상부가 개방된다. 용기(320)는 내부회수통(322), 중간회수통(324), 그리고 외부회수통(326)을 가진다. 각각의 회수통(322,324,326)은 공정에 사용된 처리액 중 서로 상이한 처리액을 회수한다.
내부회수통(322)은 지지유닛(340)을 감싸는 환형의 링 형상으로 제공된다. 중간회수통(324)은 내부회수통(322)을 감싸는 환형의 링 형상으로 제공된다. 외부회수통(326)은 중간회수통(324)을 감싸는 환형의 링 형상으로 제공된다. 내부회수통(322)의 내측공간(322a), 내부회수통(322)과 중간회수통(324)의 사이 공간(324a) 그리고 중간회수통(324)과 외부회수통(326)의 사이 공간(326a)은 각각 내부회수통(322), 중간회수통(324), 그리고 외부회수통(326)으로 처리액이 유입되는 유입구로서 기능한다. 각각의 회수통(322,324,326)에는 그 저면 아래 방향으로 수직하게 연장되는 회수라인(322b,324b,326b)이 연결된다. 각각의 회수라인(322b,324b,326b)은 각각의 회수통(322,324,326)을 통해 유입된 처리액을 배출한다. 배출된 처리액은 외부의 처리액 재생 시스템(미도시)을 통해 재사용될 수 있다.
도 3은 도 2의 지지 유닛의 상면을 보여주는 사시도이고, 도 4는 도 3의 지지 유닛을 보여주는 단면도이다. 이하, 도 2 내지 도 4를 참조하면, 지지유닛(340)은 용기(320) 내에 배치된다. 지지유닛(340)은 공정 진행 중 기판을 지지하고 기판을 회전시킨다. 지지유닛(340)은 지지판(341), 분사 헤드(342), 체결 부재(343), 지지 핀(346), 척 핀(346), 그리고 지지축(348)을 가진다.
지지판(341)는 상부에서 바라볼 때 대체로 원형으로 제공되는 상부면을 가진다. 지지판(341)은 고정판(341b), 회전판(341a) 그리고 구동기(349)를 포함한다.
고정판(341b)은 상부에서 바라 볼 때, 대체로 원형으로 제공되는 상부면을 가진다. 고정판(341b)에는 후술하는 분사 헤드(342)가 위치된다. 고정판(341b)에는 후술하는 체결 부재(343)가 체결되도록 복수의 홀(미도시)을 가진다. 복수의 홀은 고정판(341b)의 가장자리 영역에 제공된다. 복수의 홀은 고정판(341b)의 중심으로부터 동일한 거리에 위치된다. 회전판(341a)은 고정판(341b)을 감싸며 제공된다. 회전판(341a)은 상부에서 바라 볼 때, 원형으로 제공되는 상부면을 가진다. 회전판(341a)은 지지축(348)과 고정결합되며, 구동기(349)에 의해서 회전된다. 일 예로 구동기(349)는 모터로 제공될 수 있다.
분사 헤드(342)는 기판의 후면으로 유체를 공급하여 기판의 후면을 세정한다. 분사 헤드(342)는 지지판(341)의 중앙 영역에 위치된다. 분사 헤드(342)는 고정판(341b)에 배치된다. 분사 헤드(342)는 베이스판(342a)과 백 노즐(342b)을 가진다. 베이스판(342a)은 지지판 상에 위치된다. 베이스판(342a) 은 고정판(341b)에 배치된다. 베이스판(342a)은 고정판(341b)의 중앙 영역에 위치된다. 베이스판(342a)은 상부에서 바라 볼 때 원형의 형상으로 제공되는 상부면을 가진다.
백 노즐(342b)은 유체를 기판의 후면으로 공급한다. 유체는 세정액일 수 있다. 일 예로 세정액은 순수로 제공될 수 있다. 백 노즐(342b)에서 공급되는 세정액은 기판의 후면을 세정한다. 백 노즐(342b)은 베이스판(342a)을 관통하여 제공된다. 백 노즐(342b)은 베이스판(342a)의 중앙영역을 관통하여 제공된다. 백 노즐(342b)은 복수개 제공된다. 일 예로 백 노즐(342b)은 3개가 제공된다. 이와는 달리 본 실시 예와 상이한 개수로 백 노즐(342b)이 제공될 수 있다.
체결 부재(343)는 분사 헤드(342)를 지지판에 체결한다. 체결 부재(343)는 분사 헤드(342)를 고정판(341b)에 고정한다. 체결 부재(343)는 복수개 제공된다. 일 예로 체결 부재(343)는 볼트(341a)로 제공된다. 복수의 볼트(341a)는 지지판의 중심으로부터 동일한 거리에 위치된다. 본 실시 예에서는 6개의 볼트(341a)가 제공되는 것을 예로 들었으나, 이와는 달리 본 실시 예와 상이한 개수로 제공될 수 있다.
지지 핀(346)은 복수 개 제공된다. 지지 핀(346)은 지지판(341)의 상부면의 가장자리부에 소정 간격으로 이격되게 배치되고 지지판(341)에서 상부로 돌출된다. 지지 핀들(346)은 서로 간에 조합에 의해 전체적으로 환형의 링 형상을 가지도록 배치된다. 지지 핀(346)은 지지판(341)의 상부면으로부터 기판이 일정거리 이격되도록 기판의 후면 가장자리를 지지한다. 척 핀(346)은 복수 개 제공된다. 척 핀(346)은 지지판(341)의 중심에서 지지 핀(346)보다 멀리 떨어지게 배치된다. 척 핀(346)은 지지판(341)에서 상부로 돌출되도록 제공된다. 척 핀(346)은 지지 유닛(340)이 회전될 때 기판이 정 위치에서 측 방향으로 이탈되지 않도록 기판의 측부를 지지한다. 척 핀(346)은 지지판(341)의 반경 방향을 따라 대기 위치와 지지 위치 간에 직선 이동 가능하도록 제공된다. 대기 위치는 지지 위치에 비해 지지판(341)의 중심으로부터 멀리 떨어진 위치이다. 기판이 지지유닛(340)에 로딩 또는 언 로딩시에는 척 핀(346)은 대기 위치에 위치되고, 기판에 대해 공정 수행시에는 척 핀(346)은 지지 위치에 위치된다. 지지 위치에서 척 핀(346)은 기판의 측부와 접촉된다.
승강유닛(360)은 용기(320)를 상하 방향으로 직선 이동시킨다. 용기(320)가 상하로 이동됨에 따라 지지유닛(340)에 대한 용기(320)의 상대 높이가 변경된다. 승강유닛(360)은 브라켓(362), 이동축(364), 그리고 구동기(366)를 가진다. 브라켓(362)은 용기(320)의 외벽에 고정설치된다. 브라켓(362)에는 구동기(366)에 의해 상하 방향으로 이동되는 이동축(364)이 고정결합된다. 기판(W)이 지지유닛(340)에 놓이거나, 지지유닛(340)로부터 들어올려 질 때 지지유닛(340)이 용기(320)의 상부로 돌출되도록 용기(320)는 하강된다. 또한, 공정이 진행될 시에는 기판(W)에 공급된 처리액의 종류에 따라 처리액이 기설정된 회수통(360)으로 유입될 수 있도록 용기(320)의 높이가 조절한다. 예컨대, 제1처리액으로 기판을 처리하고 있는 동안에 기판은 내부회수통(322)의 내측공간(322a)과 대응되는 높이에 위치된다. 또한, 제2처리액, 그리고 제3처리액으로 기판을 처리하는 동안에 각각 기판은 내부회수통(322)과 중간회수통(324)의 사이 공간(324a), 그리고 중간회수통(324)과 외부회수통(326)의 사이 공간(326a)에 대응되는 높이에 위치될 수 있다. 상술한 바와 달리 승강유닛(360)은 용기(320) 대신 지지유닛(340)을 상하 방향으로 이동시킬 수 있다.
세정 유닛(380)는 기판 처리 공정 시 기판(W)으로 세정액을 공급한다. 세정 유닛(380)는 노즐 지지대(382), 노즐(381), 지지축(386), 노즐 구동 부재(388) 그리고 제어기(389)을 가진다.
지지축(386)은 그 길이 방향이 제3방향(16)을 따라 제공된다. 지지축(386)의 하단에는 노즐 구동 부재(388)가 결합된다. 노즐 구동 부재(388)는 지지축(386)을 회전 및 승강 운동한다. 노즐 지지대(382)는 노즐 구동 부재(388)와 결합된 지지축(386)의 끝단 반대편과 수직하게 결합된다. 노즐(381)은 노즐 지지대(382)의 끝단 저면에 설치된다. 노즐(381)은 노즐 구동 부재(388)에 의해 공정 위치와 대기 위치로 이동된다. 공정 위치는 노즐(381)이 용기(320)의 수직 상부에 배치된 위치이고, 대기 위치는 노즐(381)이 용기(320)의 수직 상부로부터 벗어난 위치이다. 노즐(381)은 기판의 상면에 세정액을 공급할 수 있다. 이와는 달리 노즐(381)은 지지판(341)의 상면을 세정 시 지지판(341)에 세정액을 공급 할 수 있다. 노즐(381)에서 토출되는 세정액의 위치는 베이스판(342a)과 체결 부재(343) 사이에 위치된다. 즉, 세정액의 토출 위치는 도 8과 같이 베이스판(342a)과 체결 부재(343) 사이의 고정판(341b)의 영역(A)이다. 세정 유닛(380)은 하나 또는 복수 개가 제공될 수 있다.
제어기(389)는 노즐 구동 부재(388)를 제어한다. 제어기(389)는 지지판(341)의 상면을 세정 시 세정액의 토출 위치가 지지판(341)의 중심과 체결 부재(343) 사이가 되도록 노즐 구동 부재(388)를 제어한다.
제어기(389)는 구동기(349)를 제어할 수 있다. 제어기(389)는 노즐(381)에서 세정액을 토출시 회전판(341a)을 회전시키도록 구동기(349)를 제어한다.
이하에서는 기판 처리 장치(300)를 세정하는 세정방법을 설명한다.
기판 처리 장치(300)는 세정 유닛(380)에서 세정액을 공급하여 세정한다. 기판 처리 장치(300)의 세정은 기판이 제거된 상태에서 이루어진다. 세정액은 기판이 제거된 상태에서 지지판(341)의 상면에 제공된다. 세정액이 공급되는 위치는 도 8과 같이 베이스판(342a)과 체결 부재(343) 사이의 고정판(341b) 영역(A)이다.
세정액이 지지판(341)의 상면으로 공급 시 회전판(341a)은 회전된다. 세정액은 노즐 구동 부재(388)에 의해 세정액이 공급되는 고정판(341b)의 영역에 이동하면서 세정액을 공급한다. 지지판(341)의 회전으로 세정액은 지지판(341)에서 비산되어 척 핀(347), 지지 핀(346), 그리고 용기(320)를 향해 비산된다. 이 과정에서 척 핀(347), 지지 핀(346), 지지판(341), 그리고 용기(320)는 세정된다.
도 5와 도 7과 같이 세정액을 베이스판(342a)과 체결 부재(343) 사이에 공급하여 세정액이 백 노즐(342b)로 비산되는 것을 최소화 할 수 있다. 만약 세정액을 도 6과 같이 회전판(341a)에 공급 시 세정액이 체결 부재(343)로 일부 비산되며, 체결 부재(343)로 비산된 세정액은 백 노즐(342b)로 재비산된다. 백 노즐(342b)로 비산된 세정액은 이 후 세정과정에서 제거가 힘들며, 이 후 기판 처리 공정에서 이물질로 남아 기판 처리 공정에 불량을 야기하는 문제점이 있다.
이와는 달리, 본 발명의 일 실시 예에 따르면, 도 5와 도 7과 같이 세정액을 베이스판(342a)과 체결 부재(343) 사이에 공급되어 체결 부재(343)로 비산된 세정액은 용기(320)나 고정판(341b)에 재비산되며, 백 노즐(342b)로 비산되는 것을 최소화 할 수 있다. 또한, 본 발명의 세정 방법은 지지판(341)의 상면 및 척 핀(347), 지지 핀(346), 그리고 용기(320)를 효과적으로 세정 할 수 있다.
이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 전술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내어 설명하는 것이며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 저술한 실시예는 본 발명의 기술적 사상을 구현하기 위한 최선의 상태를 설명하는 것이며, 본 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.
300: 기판 처리 장치 320: 용기
340: 지지 유닛 341: 지지판
341a: 회전판 341b: 고정판
342: 분사 헤드 342a: 베이스판
342b: 백 노즐 343: 체결 부재
349: 구동기 380: 세정 유닛
381: 노즐 388: 노즐 구동 부재
389: 제어기

Claims (10)

  1. 기판을 처리하는 장치에 있어서,
    내부에 기판을 처리하는 처리공간을 가지는 용기와;
    상기 처리공간 내에 위치하여 기판을 지지하는 지지판, 상기 지지판의 중앙 영역에 제공되며 상기 지지판에 놓인 기판의 저면으로 유체를 공급하는 분사헤드, 그리고 상기 분사헤드를 상기 지지판에 체결하는 체결 부재를 가지는 지지유닛과;
    상기 지지판의 상면을 세정하는 세정 유닛을 포함하되,
    상기 세정 유닛은,
    세정액을 공급하는 노즐과;
    상기 노즐을 이동시키는 노즐 구동 부재와;
    상기 노즐 구동 부재를 제어하는 제어기를 포함하되,
    상기 제어기는 상기 지지판의 상면을 세정 시 상기 노즐로부터 상기 세정액의 토출 위치가 상기 지지판의 중심과 상기 체결 부재 사이가 되도록 상기 노즐 구동 부재를 제어하는 기판 처리 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 분사 헤드는
    상기 지지판 상에 위치되는 베이스판과;
    상기 베이스판 상에 설치되는 하나 또는 복수의 백 노즐을 포함하고,
    상기 체결 부재는 상기 베이스판을 상기 고정판에 고정하는 복수의 볼트들을 포함하는 기판 처리 장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 볼트들은 상기 지지판의 중심으로부터 동일한 거리에 위치되는 기판 처리 장치.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 지지판은,
    고정판과;
    상기 고정판을 감싸도록 배치되는 회전판과; 그리고
    상기 회전판을 회전시키는 구동기를 포함하는 기판 처리 장치.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 제어기는 상기 구동기를 제어하며,
    상기 제어기는 상기 노즐에서 상기 세정액을 토출 시 상기 회전판을 회전시키도록 상기 구동기를 제어하는 기판 처리 장치.
  6. 제2항에 있어서,
    상기 세정액 토출 위치는 상기 베이스판과 상기 체결 부재 사이에 위치되는 기판 처리 장치.
  7. 제2항에 있어서,
    상기 제어기는 상기 베이스판과 상기 체결 부재 사이의 영역을 이동하면서 상기 세정액을 토출하도록 상기 노즐 구동 부재를 제어하는 기판 처리 장치.
  8. 기판 처리 장치를 세정하는 방법에 있어서,
    기판의 저면에 유체를 공급하는 분사헤드가 중앙 영역에 위치하며 기판을 지지하는 지지판에 세정액을 공급함과 동시에 상기 지지판을 회전시켜 상기 지지판과 상기 지지판을 둘러싸는 용기를 세정하되,
    상기 세정은 상기 지지판에서 기판이 제거된 상태에서 이루어지고,
    상기 세정액의 토출 위치는 상기 지지판의 중심과 상기 분사헤드를 상기 지지판에 체결하는 체결 부재 사이에 위치되는 세정 방법.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 분사 헤드는
    상기 지지판 상에 위치되는 베이스판과;
    상기 베이스판 상에 설치되는 하나 또는 복수의 백 노즐을 포함하고,
    상기 체결 부재는 상기 베이스판을 상기 고정판에 고정하는 복수의 볼트들을 포함하며,
    상기 세정액의 토출 위치는 상기 베이스판과 상기 체결 부재 사이에 위치되는 세정방법.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 세정액은 상기 베이스판과 상기 체결 부재 사이의 영역을 이동하면서 공급되는 세정방법.
KR1020150066787A 2015-05-13 2015-05-13 기판 처리 장치 및 세정 방법 KR102310462B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020150066787A KR102310462B1 (ko) 2015-05-13 2015-05-13 기판 처리 장치 및 세정 방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020150066787A KR102310462B1 (ko) 2015-05-13 2015-05-13 기판 처리 장치 및 세정 방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20160134924A true KR20160134924A (ko) 2016-11-24
KR102310462B1 KR102310462B1 (ko) 2021-10-13

Family

ID=57705749

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020150066787A KR102310462B1 (ko) 2015-05-13 2015-05-13 기판 처리 장치 및 세정 방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR102310462B1 (ko)

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100890615B1 (ko) * 2007-10-08 2009-03-27 세메스 주식회사 기판 세정 장치 및 기판 세정 장치의 세정 방법

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100890615B1 (ko) * 2007-10-08 2009-03-27 세메스 주식회사 기판 세정 장치 및 기판 세정 장치의 세정 방법

Also Published As

Publication number Publication date
KR102310462B1 (ko) 2021-10-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN106816399B (zh) 基板处理装置及方法
KR101329319B1 (ko) 노즐 및 이를 갖는 기판처리장치
KR20150020634A (ko) 기판 처리 방법
KR20160147163A (ko) 기판 처리 장치 및 세정 방법
KR101870666B1 (ko) 기판 처리 장치
KR102096945B1 (ko) 기판처리장치 및 방법
KR101736853B1 (ko) 기판 처리 장치 및 방법
KR101817211B1 (ko) 기판 처리 장치 및 방법
KR101842125B1 (ko) 기판 처리 장치 및 방법
KR101591960B1 (ko) 기판 처리 장치
KR20160134922A (ko) 기판 처리 장치 및 방법
KR20180013327A (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR20170046490A (ko) 기판 처리 장치 및 방법
KR102310462B1 (ko) 기판 처리 장치 및 세정 방법
KR101927919B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR20140090588A (ko) 기판 처리 방법
KR102505075B1 (ko) 기판 처리 장치 및 방법
KR20190087369A (ko) 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치
KR102193031B1 (ko) 기판처리장치 및 방법
KR101909480B1 (ko) 기판 처리 장치
KR20200078791A (ko) 기판 처리 장치, 그리고 노즐 세정 방법
KR20140144800A (ko) 기판처리장치
KR20140101947A (ko) 기판처리장치
KR102283587B1 (ko) 기판 처리 장치 및 방법
KR102497794B1 (ko) 기판 처리 장치 및 용기 세정 방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right