KR20160121374A - 많은 (100) 패싯을 가지는 순수 귀금속 나노입자를 제조하는 방법, 그 방법으로 얻어지는 나노입자, 및 그것의 사용 - Google Patents

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Abstract

발명은 (100) 패싯을 가지는 제어된 크기의 순수 귀금속 나노입자를 제조하는 방법으로서, 시약용액에 함유된 전구물질을 시약용액에 함유된 환원제를 이용하여 환원반응시켜서 나노입자를 제공하며, 환원반응이 반응용액 온도를 빠르게 낮춤으로써 종결되는 방법을 제공한다. 발명의 공정에서는, 계면활성제 또는 다른 유기입자를 사용하여 (100) 패싯을 안정화시킬 필요가 없다.

Description

많은 (100) 패싯을 가지는 순수 귀금속 나노입자를 제조하는 방법, 그 방법으로 얻어지는 나노입자, 및 그것의 사용{A method of preparing pure precious metal nanoparticles with large fraction of (100) facets, nanoparticles obtained by this method and their use}
발명은 (100) 패싯을 가지는 순수 귀금속 나노입자를 제조하는 방법, 상기 방법으로 제조되는 나노입자, 및 그것의 사용을 제공한다.
귀금속 화합물의 환원에 기초하여 나노입자를 합성하는 방법이 공지되어 있으며 실제로 시행되고 있다. 어떠한 지지체도 없이 (즉, 다른 물질에 지지되지 않음) 나노입자 (예, 백금)를 얻는 가장 인기있는 방법은 환원제 및 나노입자 형성 크기를 제어하는 물질을 함유하는 환경에서 백금 염 또는 복합체의 화학적 환원을 사용한다. 예를 들면, Pt(II) 또는 Pt(IV) 화합물이 알콜, 및 에틸렌 글리콜 [1-6], 히드라진 [7,8] 또는 수소화붕소나트륨 [9]으로 환원된다. 크기제어는 PVP (폴리비닐피롤리돈) 등의 초기 나노입자의 표면에 강하게 흡착하는 유기 화합물 (계면활성제) 또는 다른 강하게 흡착하는 고분자를 첨가하여 수행한다 [1-11].
그러나, 요즘 사용되는 대부분의 합성법은 형성된 나노입자의 표면에 강하게 흡착하는 물질 (계면활성제)을 첨가하지 않고서는 형성된 나노입자의 크기를 제어하지 못한다. 그렇게 얻어진 나노입자의 표면은 계면활성제 또는 그것의 열화 생성물로 오염되어 촉매활성의 저하 및 얻어진 나노입자의 정제과정을 채택할 필요성으로 인해 그것의 사용 가능성을 제한하게 한다. 많은 정제방법이 흡착된 계면활성제의 화학적 또는 전기화학적 산화에 기반하여 개발되었다 [7, 8, 10, 12]. 전기화학적 정제는 흡착된 계면활성제를 산화시키기 위해 선택된 값들 사이의 나노입자-함유 전극의 전위 사이클에 기반을 두고 있다. 상기 전위는 백금 산화물 형성을 위한 것이며 또는 산소방출 전위이다. 전위 사이클링은 시스템의 정전류 응답에 도달할 정도로 충분히 길게 지속된다. 그러나, 전기화학적 정제는 모든 나노입자를 전극과 전기적으로 접촉시켜야만 하기 때문에 더 많은 물질로 인해 비실용적이라는 것을 강조해야만 한다. 상기 방법은 보통 전극 위의 얇은 층으로 침적되는 매우 적은 양의 물질로 인해 사용되는 것이다.
화학적 정제방법은 과망간산 칼륨, 중크롬산 칼륨 등의 강산화제를 사용한다. 나노입자는 산화제 용액의 산화작용을 받는다. 그것의 산화특성으로 인해, 그러한 물질을 사용하는 데에는 세심한 주의가 요구되며 적은 양의 나노입자를 정제하는 데에도 상당한 양의 산화제를 필요로 하는데, 이는 공정을 담당하는 사람 및 환경을 위해 정해지는 것이다 [13].
또한 정제과정이 나노입자 표면을 계면활성제 또는 그것의 분해 생성물로부터 완벽히 정제시킨다고 확신할 수 없다는 것을 유념해야 한다. 소정 환경에서는 표면의 (적어도 부분적으로는) 정제를 달성할 수 있으나 [10, 12], 제거되는 계면활성제의 양은 추가 검사 없이 결정할 수 없다. 또한 흡착된 계면활성제의 산화공정을 사용하는 나노입자 표면의 정제방법은 표면에 침적되는 탄소원소를 형성시킨다는 것이 알려져 있다. 그러한 촉매표면을 차단하는 잔여물은 실제로 제거하기에 불가능하며 검출하기가 매우 어렵다 [14].
더욱이, 흡착된 계면활성제의 산화를 사용하는 정제법은 단지 대부분의 귀금속 (예, 백금)의 (부분적) 정제만을 허용하며, 다른 나노입자 (예, 팔라듐)은 그러한 처리하에서 용해될 것이다.
계면활성제 (예, PVP) 사용의 장점은 그것의 형성된 나노입자 표면과의 강한 상호작용으로 인해 그것의 사용으로 나노입자벽에서 우선적 결정학적 도메인을 얻어낸다는 사실을 포함한다 [15]. 계면활성제 작용의 안정화로 인해, 그것의 열역학적 불안정성으로 인해 다른 방법으로 얻기 어려운 (100) 패싯을 가지는 나노입자를 얻는 것이 가능하다. 그러나, 화학적 또는 전기화학적 정제방법의 사용은 그러한 결정학적 도메인을 파괴시킨다. 따라서, 계면활성제의 사용은 상당한 정도까지 촉매에서 (100) 패싯을 가지는 나노입자의 사용가능성을 제한하게 된다.
계면활성제에서의 화학적 환원 및 그렇게 얻어진 나노입자의 정제에 대한 대안은 계면활성제를 사용하지 않는 방법이다. 그러한 방법은 예를 들면 음극부식 또는 스퍼터링을 포함하지만, 그러한 방법의 효율은 실용성을 찾기에 너무 낮다. 최근, 순수 은 나노입자를 물에 침지된 금속의 레이저 융삭으로 얻을 수 있다는 것이 알려져 있다 [16]. 형성된 입자의 응집으로 인해, 상기 방법은 저농도에서 단지 나노입자의 콜로이드를 얻게 한다. 또한, 상기 방법은 그것의 사용을 추가로 한정하는 매우 값비싼 기반시설을 포함한다.
본 발명가들은 또한 계면활성제를 사용하지 않고 나노구조를 합성하려는 시도를 하였다. WO 2013/186740는 유동시스템에서 나노구조를 합성하는 공정으로서, 전구물질 용액을 환원제 용액을 사용하여 환원반응시키며, 나노입자를 생성시키며, 환원반응이 환원제를 중화시키는 시약을 첨가함으로써 종결되는 공정을 개시한다. 야누스체스카 등에 의한 발표 [17]에는 에틸렌 글리콜로 백금 염 또는 복합체를 원 위치내 환원시킴으로써 백금 나노입자를 합성하는 공정을 개시하고 있다. 여기서 제공된 연구의 결과는 상기 방법이 (111) 및 (100) 패싯의 존재에 의해 도시되는 비교적 높은 표면 조직을 특징으로 하는 초순수 백금 나노입자를 얻게 한다는 것을 보여준다.
그러나, 종래에 알려진 방법들은 여전히 미흡하다. 높은 표면순도 및 제어된 크기의 나노입자를 제조하는 환경친화적인 간단한 방법으로서 계면활성제를 사용하지 않아 정제과정이 생략되는 방법을 개발할 필요가 있다. 또한 방법에서 그것의 촉매특성을 크게 증가시키는 잘 조직된 표면 (예, (100) 패싯을 특징으로 하는)을 가지는 순수 나노입자를 얻는 것이 바람직하다.
발명은 제어된 크기의 (100) 패싯을 가지는 순수 귀금속 나노입자를 제조하는 방법으로서 시약용액에 함유된 전구물질을 시약용액에 함유된 환원제를 사용하여 환원반응시켜 나노입자를 형성시키며, 상기 환원반응이 계면활성제 없이 수행되며 반응 혼합물의 온도를 빠르게 낮춤으로써 소정시간 (t), 바람직하게는 14 초 내지 2 시간 범위의 시간 후에 종결되는 것을 특징으로 하는 방법을 제공한다. 시약용액은 환원반응이 수행되며 전구물질 및 환원제를 포함하며 합성된 나노입자가 환원반응의 과정속에 생기는 용액을 의미한다. 반응용액에 의해, 상기 용액은 합성된 나노입자 및 선택적 미반응 시약이 존재 (즉, 전구물질 및/또는 환원제) 한다는 것을 의미하게 된다.
임의의 이론으로 한정되는 것을 원치 않지만 본 발명가들은 반응용액의 냉각속도가 (100) 패싯을 가지는 나노입자의 개수를 증가시키는데 중요할 수 있다는 것을 알아냈다. 따라서, 발명에 따르면, 반응용액 온도를 0.15°C/s 이상의 속도로 낮춘다. 그러한 조건은, 예를 들면 반응용액 (예, 그로부터 형성되는 튜브 또는 루프에 존재하는 용매, 나노입자 및 선택적으로 미반응시약의 혼합물)을 0°C에서의 욕에 둘 때 (예, 물-얼음 혼합물), 또는 유동 시스템에 존재하는 반응 혼합물을 유동 시스템의 냉각지대에 펌핑하며 그로부터 형성되는 튜브 또는 루프가 상기한 욕에 침지될 때 만족된다.
발명에 따른 방법의 또 다른 바람직한 실시예에서는 환원반응이 실온 이하 (즉, 냉각상태)에서 미리 제조되는 시약용액의 온도를 빠르게 증가시킨다. 예를 들면, 미리 제조되는 시약용액은 실온 이하에서 유동 시스템의 반응 시스템 또는 반응 지대 (예, 환원반응을 수행하기에 적당한 온도에서 욕에 침지된 그것으로부터 형성되는 튜브 또는 루프)로 충전되며 따라서 그것의 온도를 증가시킨다.
다시, 임의의 이론으로 한정되는 것을 원치 않지만, 시약용액을 가열하는 속도가 또한 얻어지는 (100) 패싯의 수에 대한 핵심인자로 여겨진다. 따라서, 발명에 따르면, 시약용액 온도를 0.15°C/s 이상의 속도로 증가시킨다.
바람직하게는 환원반응이 종결되는 시간 (t)은 1 분, 2 분, 5 분, 15 분, 30 분 또는 1 시간과 같다. 전구물질 환원반응이 종결되는 시간은 또한 시약용액을 가열하는 단계를 포함하는 것으로 인정되어야 한다.
바람직한 실시예에서는, 발명의 방법은 시약용액 및 반응용액이 흐르는 그로부터 형성되는 상호연결된 튜브 또는 루프를 포함하는 유동 시스템에서 수행되며, 상기 튜브 또는 루프는 유동 시스템의 반응 및 냉각지대에 위치하며, 시약용액이 충전되는 반응지대에서의 튜브 또는 루프 길이뿐만 아니라 용액의 유동속도가 환원반응의 적절한 시간 (t)을 제공하기 위해 선택되며 냉각지대는 내부에 위치하는 튜브 또는 루프를 통해 흐르는 반응용액을 빠르게 냉각시킨다.
이와 같은 시스템에서, 정지된 흐름으로 합성시키는 방법 (정지-유동형 방법) 이 또한 사용될 수 있다. 그것은 시약용액이 냉각지대에 위치하는 그로부터 형성된 튜브 또는 루프로 도입된 후 용액의 유동이 멈추게 된다는 것을 의미한다. 용액의 온도는 빠르게 상승하며 나노입자를 형성시키는 환원공정이 일어난다. 소정 시간 (t) 이후 환원반응은 유동을 재개하고 반응용액을 반응용액을 빠르게 냉각시키는 시스템의 냉각지대에 위치하는 그것으로부터 형성되는 튜브 또는 루프에 통과시킴으로써 종결된다.
발명에 따른 방법의 대체 실시예에서는 환원반응을 시약용액을 반응 시스템에 위치하는 그것으로부터 형성되는 튜브 또는 루프에 충전함으로써 수행하며, 소정 시간 (t) 이후 반응용액을 함유하는 상기 튜브 또는 루프는 반응용액 온도를 빠르게 낮추는 냉각 시스템으로 이송된다.
발명에 따른 방법의 바람직한 실시예에서는 냉각단계에서 (즉, 냉각 시스템 또는 유동 시스템의 냉각지대에 위치할 때) 그것으로부터 형성되는 튜브 또는 루프에 함유되는 반응용액을 초음파처리한다. 이것은 나노입자의 튜브벽에의 접착을 방지하며 특히 사용된 튜브가 테플론 튜브인 경우 및/또는 환원반응도 냉각도 용액의 동시 유동으로 수행되지 않는 경우 중요하다. 다른 물질로 만들어진 튜브를 사용하는 경우, 초음파의 사용이 필요하지 않을 수 있다. 초음파처리는 초음파처리 욕에 냉각 시스템을 배치함으로써 수행할 수 있다.
반응 지대 또는 반응 시스템은 전구물질의 환원이 발생하는 온도를 제어하게 한다. 바람직하게는, 반응 지대 또는 반응 시스템은 욕 (예, 가열수단을 구비하는 에틸렌 글리콜을 가지는 욕) 및 온도 제어기를 포함한다. 이는 환원반응을 수행하는 온도를 유지시키게 한다. 바람직하게는, 환원반응은 70°C 내지 190°C, 좀더 바람직하게는 약 82°C, 95°C, 109°C, 120°C, 130°C, 140°C, 147°C 또는 150°C에서의 온도에서 수행된다. 여기서 정의된 용어 반응 지대 또는 반응 시스템은 적절한 온도를 제공하는 요소 (예, 온도 제어기를 가지는 욕) 및 그것으로부터 형성되는 튜브 또는 루프가 제공되며 시약용액이 도입되는 및/또는 통과되는 그런 요소를 둘 다 지칭한다.
냉각지대 또는 냉각 시스템은 반응용액 온도를 빠르게 낮추어서 수행되는 환원반응을 종결시킨다. 가장 바람직하게는, 반응용액 온도는 0°C의 온도에서의 수욕에서의 침지에 의해 시간 (t) 이후 낮아진다. 따라서, 냉각지대 또는 냉각 시스템은 적절히 낮은 온도에서의 욕 (예, 0°C에서의 물-얼음 욕)을 포함한다. 여기서 정의된 용어 냉각지대 또는 냉각 시스템은 적절한 냉각온도를 제공하는 요소와 그것으로부터 형성되는 튜브 또는 루프가 제공되며 시약용액이 존재하는 및/또는 통과되는 그런 요소를 둘 다 지칭한다.
본 반응에 따르면, 반응용액의 냉각 뿐만 아니라 환원반응이 25 cm의 길이, 1/8 인치의 외경, 및 1/16 인치의 내경을 가지는 테플론 튜브로 만들어지는 루프에서 수행된다. 바람직하게는, 루프의 직경은 6 cm 이다. 튜브의 길이는 유동 합성법의 경우에만 중요한 것이며 환원반응의 시간을 결정하기 때문에 얻어지는 나노입자의 양과 그것의 크기에 영향을 미친다. 다른 합성 시스템 인자들, 예를 들면 튜브의 단면은 내부에 함유된 용액의 냉각 및 가열 속도에 영향을 미친다.
발명에 따른 방법의 더 바람직한 단계는 나노입자를 반응용액으로부터 원심분리하여 분리시키는 단계를 포함한다. 분리된 나노입자는 바람직하게는 세척 (예, 증류수로) 및 재원심분리된다. 바람직하게는, 증류수로 세척 및 원심분리하는 단계를 세시간 수행한다.
바람직하게는, 발명의 방법에서는 귀금속의 전구체 또는 귀금속의 전구체들의 혼합물이 전구물질로서 사용된다. 좀더 바람직하게는, 금속 전구체는 그것의 염 또는 복합체 또는 다양한 금속의 염들 또는 복합체들의 혼합물을 포함한다. 가장 바람직하게는, 금속은 백금, 팔라듐, 은, 금, 루테늄, 오스뮴, 이리듐 및 로듐을 포함하는 군으로부터 선택된다. 바람직한 실시예에서, 전구물질은 AgNO3, AgClO4, AgHSO4, Ag2SO4, AgF, AgBF4, AgPF6, CH3COOAg, AgCF3SO3, H2PtCl6, H6Cl2N2Pt, PtCl2, PtBr2, K2PtCl4, Na2[PtCl4], Li2[PtCl4], H2Pt(OH)6, Pt(NO3)2, [Pt(NH3)4]Cl2, [Pt(NH3)4](HCO3)2, [Pt(NH3)4](OAc)2, (NH4)2PtBr6, K2PtCl6, PtSO4, Pt(HSO4)2, Pt(ClO4)2, H2PdCl6, H6Cl2N2Pd, PdCl2, PdBr2, K2[PdCl4], Na2[PdCl4], Li2[PdCl4], H2Pd(OH)6, Pd(NO3)2, [Pd(NH3)4]Cl2, [Pd(NH3)4](HCO3)2, [Pd(NH3)4](OAc)2, (NH4)2PdBr6, (NH3)2PdCl6, PdSO4, Pd(HSO4)2, Pd(ClO4)2, HAuCl4, AuCl3, AuCl, AuF3, (CH3)2SAuCl, AuF, AuCl(SC4H8), AuBr, AuBr3, Na3Au(S2O3)2, HAuBr4, K[Au(CN)2], RuCl2 ((CH3)2SO)4, RuCl3, [Ru(NH3)5(N2)]Cl2, Ru(NO3)3, RuBr3, RuF3, Ru(ClO4)3, OsI, OsI2, OsBr3 , OsCl4, OsF5, OsF6, OsOF5, OsF7, IrF6, IrCl3, IrF4, IrF5, Ir(ClO4)3, K3[IrCl6], K2[IrCl6], Na3[IrCl6], Na2[IrCl6], Li3[IrCl6], Li2[IrCl6], [Ir(NH3)4Cl2]Cl, RhF3, RhF4, RhCl3, [Rh(NH3)5Cl]Cl2, RhCl[P(C6H5)3]3, K[Rh(CO)2Cl2], Na[Rh(CO)2Cl2] Li[Rh(CO)2Cl2], Rh2(SO4)3, Rh(HSO4)3 및 Rh(ClO4)3, 그것의 수화물 또는 그것의 염들 및/또는 수화물들의 혼합물을 포함하는 군으로부터 선택되는 염을 포함한다. 가장 바람직하게는, 전구물질은 K2PtCl4이다. 시약용액내 전구물질의 초기농도는 바람직하게는 1 mM 내지 1 M, 좀더 바람직하게는 50 mM 내지 100 mM, 및 가장 바람직하게는 약 70 mM이다. 전구물질의 포화용액을 사용하는 것이 가능하다.
바람직하게는, 전구물질은 또한 특히 할로겐화물 및/또는 유사할로겐화물, 및 염화물의 소스이다. 전구물질은 시약용액을 할로겐화물 및/또는 유사할로겐화물과 함께 바로 제공할 수 있으며, 폭주반응의 결과로 반응 혼합물에서 보이는 할로겐화물 및/또는 유사할로겐화물의 소스를 구성할 수 있다.
발명의 공정에서 바람직하게 사용될 수 있는 환원제는 에틸렌 글리콜, 히드라진, 아스코르브산, 수소화붕소나트륨, 차아인산나트륨, 리튬 테트라에틸로수소화붕소, 메틸 알콜, 1,2-헥사데칸디올, 히드록실아민 및 디메틸보라잔 DMAB을 포함하는 군으로부터 선택된다. 가장 바람직하게는, 에틸렌 글리콜이 환원제로 사용된다. 시약용액에서의 환원제의 초기농도는 0.5 mM 내지 4 M이다.
발명에 따른 방법의 특히 바람직한 실시예에서는 시약용액은 에틸렌 글리콜내 전구물질의 용액을 포함하며, 전구물질 바람직하게는 K2PtCl4는 주변온도 (즉, 냉각상태)에서 에틸렌 글리콜에 용해되며, 에틸렌 글리콜은 환원제 뿐만 아니라 용매의 역할을 동시에 수행한다.
발명의 방법의 바람직한 실시예에서는 시약용액은 비교적 높은 농도로 할로겐화물 및/또는 유사할로겐화물을 함유한다. 할로겐화물 및/또는 유사할로겐화물은 바람직하게는 반응용액에 20 mM을 초과하는, 바람직하게는 40 mM을 초과하는, 좀더 바람직하게는 250 mM을 초과하는, 및 가장 바람직하게는 280 mM의 농도로 존재한다. 또 다르게는, 시약용액은 할로겐화물 및/또는 유사할로겐화물 염의 포화용액이다. 특히 바람직한 실시예에서는, 반응용액에서의 할로겐화물의 농도는 전구물질의 환원 (분해) 및 구성성분 할로겐화물의 방출의 결과로 증가한다. 예를 들면, 전구물질이 K2PtCl4 일 때, 반응용액에서의 염화물의 농도는 환원공정에서 증가한다.
발명의 방법에서 사용되는 할로겐화물은 바람직하게는 플루오르화물, 염화물, 브롬화물 및 요오드화물을 포함하는 군으로부터 선택되며, 유사할로겐화물은 시안화물, 시안산염, 이소시안산염 및 티오시안산염을 포함하는 군으로부터 선택된다. 가장 바람직하게는 할로겐화물 및/또는 유사할로겐화물은 시약용액에 리튬, 칼륨 또는 칼슘 염의 형태로 도입된다. 또한, 할로겐화물 및/또는 유사할로겐화물은 반응용액에 전구물질, 예를 들면, PtCl2 또는 K2PtCl4의 형태로 바로 도입될 수 있다.
임의의 이론으로 한정되는 것을 원치 않지만 본 발명가들은 고농도의 할로겐화물 및/또는 유사할로겐화물이 형성된 나노입자의 (100) 패싯에 안정화 영향을 줄 수 있다는 것을 발견하였다. 참조예에서, 야누스체스카 등에 의한 발표 [17]에 개시된 합성조건을 재현하였고, K2PtCl4의 초기농도는 약 4.5 mM이었으나, 발명의 방법에서는 K2PtCl4의 농도는 약 72 mM이었다. 따라서, 발명의 방법에서는, 합성의 과정에서 나타나는 염화물의 농도가 현저하게 더 높았다. 결과적으로, 반응 혼합물에서 나타나는 염화물 이온이 초기 나노입자 표면의 결정구조에 이로운 영향을 미칠 수 있다.
따라서 본 발명가들은 유동법 및 정지-유동법 두가지에 의해 유동 시스템에서 귀금속 화합물을 환원시킴으로써 귀금속 나노입자를 제조하는 유효한 방법을 개발하였다. 환원제 및 전구체의 혼합물은 유동 시스템으로 공급된다. 반응기간은 유동이 멈춘 후 시스템에 존재하는 용액의 유동속도 및/또는 시간에 의해 제어되며, 얻어진 나노입자의 크기는 기간 및 반응온도 등의 공정 인자들에 의존한다. 정지-유동법을 사용하는 경우, 얻어지는 나노입자의 양은 또한 반응이 수행되는 튜브의 길이에 의존한다. 그러한 기술적 용액의 특징은 반응기간의 정밀한 제어 및 유동 시스템 및 정지-유동 시스템에서의 반응 혼합물의 매우 높은 가열 및 냉각속도이다. 높은 가열속도 및 종결온도의 안정화는 핵형성 공정 뿐만 아니라 환원을 제어하여 계면활성제를 추가하지 않고서도 형성되는 나노입자의 크기를 제어할 수 있게 한다. 발명의 기술적 용액에 사용되는 합성조건은 비평형 상태를 동결시킨다 (금속유리 특성을 가지는 나노입자, 정상조건에서 분리되는 비-분리 금속들의 합금 등을 얻는다). 반응기간 및 온도를 제어함으로써 나노입자의 크기 형태 및 그것의 표면의 결정특성에 대한 제어를 얻었다.
발명은 또한 발명의 방법으로 제조되는 귀금속 나노입자, 및 비균일 촉매와 같은 입자의 사용을 제공한다. 발명에 따른 나노입자는 높은 순도 (그것의 정제는 필요하지 않은데, 그것의 제조방법에서 계면활성제를 사용하지 않기 때문이다) 및 특히 상당한 갯수의 (100) 패싯 (하기 예들로부터 야누스체스카 A 등에 의한 발표 [17]에 개시된 합성공정의 경우보다 패싯의 종류의 갯수가 평균 두 배 더 많은 것이 명백한 바와 같다)을 특징으로 한다. 따라서 발명의 방법으로 제조되는 나노입자는 반응용액으로부터 격리되고 세척된 후 비균일 촉매작용에서 바로 사용될 수 있다. 화학적 또는 전기화학적 정제가 필요하지 않다는 사실은 발명의 방법으로 제조되는 나노입자를 촉매로서 사용하기에 적합하게 한다. 더욱이 마찬가지로 많은 수의 (100) 패싯은 그것의 촉매특성을 강화시킨다.
유동-관통 시스템에서 나노입자를 제조하는 방법이 당업계에 알려져 있다. 그러나, 크기는 주로 pH 값 또는 조성 등의 반응 혼합물의 물리화학적 특성을 변화시킴으로써 제어된다. 바움가드 J 등에 의한 발표에는 사용되는 합성조건에 의존하여 NaOH를 사용하여 유동 시스템에서 백금 염을 에틸렌 글리콜로 환원시켜서 pH 수준 및 PVP를 제어하여 크기를 안정화시키고 1 내지 4 nm의 크기의 나노입자를 생산하는 공정을 개시하고 있다 [18]. 그것은 특히 온도, pH 및 유동속도가 얻어지는 나노입자의 크기를 어떻게 제어하는지를 보여주고 있다. 두 종류의 유동 시스템이 사용되었다: 첫번째에서는 나노입자를 일단계 공정으로 제조하였고, 두번째에서는 핵형성 및 나노입자 성장의 단계를 두가지 독립 단계로 나누었다. 사용되는 시스템과 관계없이 계면활성제 (PVP)의 첨가를 사용하였다.
또 다른 연구작업에서는 유동 시스템을 사용하였으며, 전구체 및 환원제의 혼합물을 마이크로파로 가열하였다. 다시, 이 경우, 개시물질의 혼합물은 계면활성제 (동일 PVP)를 함유하였다. 형성된 나노입자의 크기 및 공정온도 사이에 아무 연관성이 없으며 (합성이 일정온도, 즉 160°C에서 수행되었다) 오로지 두 반응 시간 (2.8 및 28.3 초) 에 대해서만 입증되었다 [19].
제어된 형태의 나노입자의 제조를 펠리우 등 [15]이 기재하고 있으나, 이러한 목적으로 계면활성제를 사용하였다.
본 출원에 개시된 나노입자를 제조하는 방법은 계면활성제를 포함하지 않으나, 형태를 합성조건을 제어함으로써 제어해낸다. 이로써 얻어지는 나노입자의 화학적 또는 전기화학적 정제가 요구되지 않게 된다. 발명에 따른 방법의 또 다른 장점은 얻어지는 나노입자에서 존재하는 (100) 패싯이 증가하여 그것의 촉매특성을 상당한 정도로 강화시킨다는 것이다.
발명이 도면에 의해 예시된다:
도 1은 발명에 따른 방법으로 제조되는 Pt 나노입자에 대해 기록된 전압곡선의 예를 도시한다;
도 2는 발명에 따른 방법 (150°C에서 1 시간 동안 수행되는 환원반응에서)으로 제조되는 Pt 나노입자 및 야누스체스카 A 등에 의한 발표 [17]에 개시된 방법에 의한 참조예에서 얻어진 Pt 나노입자에 대해 기록된 전압곡선의 비교를 도시한다;
도 3은 120°C, 130°C, 140°C 및 150°C에서 1 시간 동안 수행되는 환원반응에 의해 제조되는 Pt 나노입자에 대해 기록된 전압곡선을 도시한다;
도 4는 147°C에서 1 시간 동안 수행되는 환원반응에 의해 제조되는 Pt 나노입자의 TEM 현미경 사진을 도시한다.
실시예
실시예 1. Pt 나노입자를 제조하는 방법
반응 시스템
나노입자의 합성에는 25 cm의 길이, 1/8 인치의 내경, 및 1/16 인치의 외경을 가지는 테플론 튜브로 만들어지는 루프를 사용한다. 루프의 직경은 약 6 cm이고, 그것의 부피는 약 1.8 cm3이다.
유동법 또는 정지-유동법에 의한 합성에는 두가지 연결되는 루프, 즉 반응 및 냉각 루프를 포함하는 시스템을 사용한다. 반응 루프는 에틸렌 글리콜 욕에 제공되며 반응온도로 가열된다. 에틸렌 글리콜 욕의 온도는 온도 제어기로 제어되며, 추가로 전체 욕에 동일한 온도를 제공하기 위해 그것의 내용물을 자석 교반기로 교반한다. 냉각 루프는 0°C에서의 물을 가지는 초음파처리 욕에 위치한다. 시약용액은 연동펌프를 사용하여 반응 루프로 보내고 시약용액으로서 냉각 루프로 펌핑되어서 초음파처리된다. 유동을 종결하여 환원 및/또는 냉각 시간을 늘릴 수 있다.
또 다르게는 반응온도로 가열되는 상기한 에틸렌 글리콜 욕으로 초기에 도입되며 시약용액을 연동펌프를 사용하여 보내게 되는 단독 루프를 사용한다. 그러면, 반응이 완결된 후, 루프가 0°C에서의 물을 가지는 초음파처리 욕으로 이송되어 빠르게 반응용액을 냉각시킨다.
실험에서 루프(s)에서의 유동속도는 0.12 cm3 초-1 (1.7cm 초- 1)이다.
시약용액
백금 나노입자의 합성을 위해, 에틸렌 글리콜 (EG) (99.5% - 플루카)내 K2PtCl4 (99.9% - 알파 에이서)의 용액을 사용한다. 한 부피의 루프에 대해 50 mg (약 30 mg/cm3 (~ 72 mM)의 농도에 대응)의 상기한 백금 염을 사용한다. 백금 염 용액은 “냉각상태”에서 (즉, 실온에서) 제조된다.
EG내 Pt 염농도는 따라서 종래기술에서 보다 훨씬 더 높다 [17].
나노입자의 유동 시스템에서의 합성
실온에서의 EG내 백금 염 용액 (시약용액)이 연동펌프를 사용하여 반응온도에서 유지되는 반응 루프로 보내지고 반응용액을 빠르게 냉각시키기 위한 냉각 루프로 흘러간다 (유동속도는 12 cm3s-1이다). 반응용액이 냉각 루프로 펌핑된 후 약 5분 동안 유동이 멈춘다. 냉각 과정에서, 냉각 루프에 존재하는 반응용액이 초음파처리된다. 냉각 후 루프 내용물을 샘플 수용기로서의 시험튜브에 대해 펌핑한다.
유동 시스템에서의 나노입자는 다양한 온도에서 반응 루프를 유지함으로써 합성된다. 그 결과는 82°C, 95°C, 109°C 및 147°C에서 수행되는 환원반응에 대응한다는 것을 보여준다. 82°C 및 95°C에서 12 cm3s-1의 유동속도에서는 나노입자가 얻어지지 않았다. 109°C 및 147°C에서의 유동 시스템에 의해 생성되는 Pt 나노입자를 더 조사하였다.
나노입자의 정지-유동법에 의한 합성
실온에서 EG내 백금 염 용액 (시약용액)을 연동펌프를 사용하여 반응온도에서 유지되는 반응 루프로 보낸다. 용액 전체를 반응 루프로 도입한 후, 유동은 소정 시간 (t) 동안 멈추게 된다. 반응 시간 만료 후, 반응용액의 빠른 냉각은 용액을 반응 루프로부터 냉각 루프로 펌핑하거나 또는 반응 루프를 냉각 시스템 (0°C에서의 수욕)으로 이송하는 것에 영향을 받는다. 냉각중 용액은 초음파처리된다. 약 5 분간의 냉각 후 루프 내용물을 샘플 수용기로서의 시험튜브에 대해 펌핑한다.
정지-유동 시스템에서의 나노입자는 다양한 온도에서 반응 루프를 유지함으로써 합성된다. 그 결과는 82°C, 95°C, 109°C, 120°C, 130°C, 140°C, 147°C 및 150°C에서 1 분, 2 분, 5 분, 15 분, 30 분 및 1 시간동안 수행되는 환원반응에 대응한다는 것을 보여준다.
82°C에서는 15 분, 5 분, 2 분 및 1 분 동안 수행되는 합성중 나노입자를 얻지 못하였다. 2 분 및 1 분 동안 수행되는 합성중 95°C에서 나노입자를 얻지 못하였다. 이러한 방법으로 생성되는 Pt 나노입자를 더 조사하였다.
나노입자의 분리
원심분리를 사용하여 나노입자를 후반응 혼합물로부터 분리하였다. 원심분리 후 반응용액 상청액을 폐기하고, 나노입자를 증류수로 세 번 세척하고 원심분리로 다시 분리하였다.
실시예 2. 전기화학적 방법으로 조사된 Pt 나노입자의 성질
전기화학적 측정
Pt 나노입자의 특성을 전기화학적 방법으로 조사하기 위하여, 실시예 1에서 얻어지는 Pt 나노입자의 현탁액을 Au 기판에 자동 측정 피펫으로 가하고 방치하여 공기건조시킨다. 검사배열은 수은-황산염 기준전극 (Hg/Hg2SO4/0.1M H2SO4), 금 보조전극 및 작용전극으로서 금 기판에 침적된 나노입자로 구성된다. 연구를 주 전해질로서 0.5 M 황산 (VI)에서 수행한다. 모든 전극을 비이커에 둔다. 시스템을 꼭 맞는 테플론 뚜껑으로 밀봉한 후 35 분 동안 아르곤으로 공기배기함으로써 산소를 제거하였다.
금 전극과 테플론 뚜껑을 가지는 비이커를 사용 전에 카로산에서 세정한다.
모든 전압곡선은 5 mV/s의 속도로 기록한다. 데이터를 표준화하기 위해, 산화층을 환원하기 위한 전하는 0.5 내지 1.1 V의 전위범위에서 각 전극에 대해 결정된다.
결과 및 토의
도 1은 실시예 1에서 얻어지는 Pt 나노입자에 대해 기록된 예시적 전압곡선을 도시한다. 전압곡선에 표시된 피크는 얻어진 모든 나노입자에 대해 특징적인 피크이다. 피크 1, 2 및 3은 Pt 표면에서 수소의 흡착으로 연결된다. 피크 3은 (100) 패싯에서 흡착에 대한 특징피크이며, 피크 2는 (100) 패싯에서 흡착의 기여를 포함한다. 4로 표시된 전류는 보통 이중 층을 충전하면서 연결된다. 그 값이 나노입자 표면에서의 벽의 종류에 독립적이어야만 하기 때문에 추가적 표준화 값으로 사용하여 그 값을 피크에 대한 전류 값으로부터 기본 값으로 공제한 후 피크높이에서의 변화를 결정해낸다.
전압곡선의 형태는 실시예 1에서 얻어지는 나노입자가 높은 표면순도 및 상당한 숫자의 (100) 패싯의 존재로 특징지워진다는 사실을 확인해 준다.
(100) 패싯에서의 수소흡착과 연결되는 신호들의 분석 값 및 야누스체스카 A 등에 의한 발표 [17]에 기재된 방법으로 얻어지는 나노입자에 대한 유사 데이터를 그것과 비교한 것은 발명의 방법으로 얻어지는 나노입자에서의 (100) 패싯의 숫자가 두 배 더 높게 초과한다는 것을 보여준다.
도 2는 150°C의 온도에서 1 시간 동안 수행되는 환원반응에 의해 실시예 1에서 얻어지는 Pt 나노입자 및 야누스체스카 A 등에 의한 발표 [17]에 개시된 방법에 의해 얻어지는 Pt 나노입자에 대해 기록된 전압곡선의 비교를 도시한다.
다양한 온도에서 얻어지는 나노입자에 대한 (100) 패싯에서의 수소흡착과 연결되는 신호들의 분석은 (100) 패싯의 숫자가 환원반응을 수행하는 온도에 의존하지 않는다는 것을 보여준다 (기준신호 높이에 대한 특징신호 높이의 비는 사실상 일정하다).
도 3은 120°C, 130°C, 140°C 및 150°C에서 1 시간 동안 수행되는 환원반응에 의해 얻어지는 Pt 나노입자에 대해 기록된 전압곡선을 도시한다. 표 1은 도 3에서 제공되는 전압곡선에 대한 피크 값의 목록을 보여주고 있으며 그것들을 문헌 데이터 [17]와 비교하고 있다. 숫자는 Pt 나노입자 표면의 cm2 당 μA으로 전류세기의 값을 나타낸다. 전류세기 상대값을 계산하기 위해 (표의 가장 오른쪽의 두 열), 상대값을 계산하기 전에 피크 1, 2 및 3에 대한 전류세기의 값을 피크 1, 2 및 3 전류값으로부터 뺀 진상전류 값으로 보정하였다. 가장 오른쪽 열에서 계산된 값은 특히나 중요한 분석 값인데 이는 샘플에 존재하는 (100) 패싯의 숫자와 바로 연결되기 때문이다.
표 1: 피크에 대한 전류세기 값 및 다양한 온도에서 1 시간에 얻어진 Pt 나노입자에 대한 전압전류법으로 기록한 진상전류의 값의 목록
백금 나노입자 합성온도 [°C] 피크 1에 대한 전류 밀도값 [μA/cm2] 피크 2에 대한 전류 밀도값 [μA/cm2] 피크 3에 대한 전류 밀도값 [μA/cm2] 진상전류 밀도값 (4) [μA/cm2] 피크 1에 대한 전류 밀도값에 대한 피크 2에 대한 전류 밀도값의 비 피크 4에 대한 전류 밀도값에 대한 피크 3에 대한 전류 밀도값의 비
120 6.94 7.958 2.617 0.794 1.17 2.30
130 7.417 7.546 2.141 0.761 1.02 1.81
140 7.564 7.927 2.539 0.799 1.05 2.18
150 7.442 7.707 1.806 0.543 1.04 2.33
문헌 데이터 [17] 7.092 7.189 1.2587 0.62478 1.01 1.01
실시예 3. Pt 나노입자의 TEM 이미징 및 그것의 크기의 결정
실시예 1에서 얻어지는 나노입자를 TEM으로 이미징하였다. 도 4는 147°C에서 1 시간 동안 수행되는 환원반응에 의해 얻어지는 Pt 나노입자의 예시적인 TEM 현미경 사진을 나타낸다. 나노입자의 형태는 (100) 패싯의 존재를 더욱 확인해 주는 것이다. 나노입자의 형태는 결정학적 벽을 지배함으로써 결정된다. TEM 현미경 사진에서는 특징적인 정육면체 형태의 나노입자가 보인다.
TEM 현미경 사진을 측정 IT 소프트웨어 팩을 사용하여 평균 나노입자 크기를 결정하는데 사용하였다. 표 2는 평균 입자크기 (직경) 대 환원시간 및 온도를 열거하고 있다.
표 2: 환원반응을 수행하는 시간 및 온도에 따른 Pt 나노입자 크기 (nm)의 목록
환원 온도
환원 시간 82°C 95°C 109°C 147°C
유동 시스템에서의 반응 - - 5.32357 8.15619
1 분 - - 5.512 8.34095
2 분 - - 5.1105 7.86286
5 분 - 3.51833 BD 8.39561
15 분 - 3.51527 5.35737 8.55111
30 분 5.30565 3.78313 6.3995 8.963
1 시간 3.89589 4.4196 9.36355 10.98344
- 는 나노입자가 얻어지지 않았음을 의미한다
BD는 데이터가 없음을 의미한다
다양한 숫자의 나노입자의 크기를 다양한 예로 측정하였다. 저온 및 짧은 환원시간에서 얻은 나노입자들은 응집하게 되어 스무개를 초과하는 나노입자에 대한 크기를 측정할 수 없게 된다.
얻어진 나노입자의 크기는 반응기간 (t) 및 반응 온도에 의존한다. 반응기간은 반응 루프내 시약용액 (EG내 Pt 염 용액)의 유동 속도 또는 시약용액이 유동을 후에 종결시키는 반응 루프에 존재하는 시간에 의존한다.
참조예 . 야누스체스카 등[17]에 의한 발표에 기재된 방법에 의한 나노입자의 제조
둥근바닥 플라스크에서 110 ml의 에틸렌 글리콜 (플루카)에 0.0005 mol의 K2PtCl4 (99.9% - 알파 에이서) (0.2083 g)를 첨가하여 약 4.56 mM의 농도로 K2PtCl4 용액을 제공하였다.
환원반응을 수반교반하며 환류하에 플라스크를 가열함으로써 수행하였다 (자석 교반기 사용).
플라스크 내용물을 실온에서부터 시작하여 분당 약 5°C의 속도로 112°C까지 가열하였다. 반응을 약 5 분간 수행하였다. 반응 과정에서 온도를 123.7°C로 올리고, 반응을 2 분 동안 지속하면서 119.6°C로 떨어뜨렸다.
후반응용액에서의 염화물의 농도는 약 18.25 mM 이었다.
반응을 완료한 후, 플라스크를 방치하여 실온에서 냉각시켰다. 나노입자를 글리콜로부터 원심분리 및 세척에 의해 분리하였다 (실시예 1에 기재된 바와 같다).
도 2는 이러한 방법으로 얻어지는 나노입자의 전압곡선을 도시한다.
참고문헌

Claims (30)

  1. (100) 패싯을 가지는 제어된 크기의 순수 귀금속 나노입자를 제조하는 방법으로서, 시약용액에 함유된 전구물질이 시약용액에 함유된 환원제에 의해 환원반응하여 나노입자를 제공하며, 환원반응이 계면활성제 없이 수행되며 반응용액 온도를 빠르게 낮춤으로써 소정시간 (t)후에 종결되는 것을 특징으로 하는 방법.
  2. 제1항에 있어서, 환원반응을 실온 이하에서 미리 제조된 시약용액 온도를 빠르게 증가시켜서 수행하는 것을 특징으로 하는 공정.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 0.15°C/s 이상의 속도로 시약용액 온도를 증가시키거나 또는 반응용액 온도를 감소시키는 것을 특징으로 하는 공정.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 시간 (t)이 14초 내지 2 시간의 범위에 있는 것을 특징으로 하는 공정.
  5. 제4항에 있어서, 시간 (t)이 1 분, 2 분, 5 분, 15 분, 30 분, 또는 1 시간인 것을 특징으로 하는 공정.
  6. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 반응이 시약용액 및 반응용액이 흐르는 상호연결된 루프를 포함하는 유동 시스템에서 수행되며, 상기 루프가 유동 시스템의 반응 및 냉각지대에 놓이며, 시약용액이 도입되는 반응지대에서의 루프의 길이 및 용액 유동속도가 냉각지대가 내부에 함유된 루프를 통해 흐르는 반응용액을 빠르게 냉각시키면서 적절한 환원반응 시간 (t)을 제공하도록 선택되는 것을 특징으로 하는 공정.
  7. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 환원반응이 시약용액을 반응 시스템에 위치하는 루프에 충전시켜서 수행되며, 소정시간 (t)후 반응용액을 함유하는 루프를 반응용액 온도를 빠르게 감소시키는 냉각 시스템으로 이송하는 것을 특징으로 하는 공정.
  8. 제7항에 있어서, 냉각 시스템에서의 루프에 함유된 반응용액을 초음파처리하는 것을 특징으로 하는 공정.
  9. 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서, 얻어진 나노입자를 원심분리에 의해 반응용액으로부터 분리하는 것을 특징으로 하는 공정.
  10. 제9항에 있어서, 분리된 나노입자를 세척하고 다시 원심분리하는 것을 특징으로 하는 공정.
  11. 제1항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서, 전구물질이 귀금속 염 또는 귀금속 복합체, 또는 다양한 귀금속의 혼합물 염 및/또는 복합체를 포함하는 것을 특징으로 하는 공정.
  12. 제1항 내지 제11항 중 어느 한 항에 있어서, 귀금속이 백금, 팔라듐, 은, 금, 루테늄, 오스뮴, 이리듐 및 로듐을 포함하는 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 공정.
  13. 제1항 내지 제12항 중 어느 한 항에 있어서, 전구물질이 AgNO3, AgClO4, AgHSO4, Ag2SO4, AgF, AgBF4, AgPF6, CH3COOAg, AgCF3SO3, H2PtCl6, H6Cl2N2Pt, PtCl2, PtBr2, K2PtCl4, Na2[PtCl4], Li2[PtCl4], H2Pt(OH)6, Pt(NO3)2, [Pt(NH3)4]Cl2, [Pt(NH3)4](HCO3)2, [Pt(NH3)4](OAc)2, (NH4)2PtBr6, K2PtCl6, PtSO4, Pt(HSO4)2, Pt(ClO4)2, H2PdCl6, H6Cl2N2Pd, PdCl2, PdBr2, K2[PdCl4], Na2[PdCl4], Li2[PdCl4], H2Pd(OH)6, Pd(NO3)2, [Pd(NH3)4]Cl2, [Pd(NH3)4](HCO3)2, [Pd(NH3)4](OAc)2, (NH4)2PdBr6, (NH3)2PdCl6, PdSO4, Pd(HSO4)2, Pd(ClO4)2, HAuCl4, AuCl3, AuCl, AuF3, (CH3)2SAuCl, AuF, AuCl(SC4H8), AuBr, AuBr3, Na3Au(S2O3)2, HAuBr4, K[Au(CN)2], RuCl2 ((CH3)2SO)4, RuCl3, [Ru(NH3)5(N2)]Cl2, Ru(NO3)3, RuBr3, RuF3, Ru(ClO4)3, OsI, OsI2, OsBr3 , OsCl4, OsF5, OsF6, OsOF5, OsF7, IrF6, IrCl3, IrF4, IrF5, Ir(ClO4)3, K3[IrCl6], K2[IrCl6], Na3[IrCl6], Na2[IrCl6], Li3[IrCl6], Li2[IrCl6], [Ir(NH3)4Cl2]Cl, RhF3, RhF4, RhCl3, [Rh(NH3)5Cl]Cl2, RhCl[P(C6H5)3]3, K[Rh(CO)2Cl2], Na[Rh(CO)2Cl2] Li[Rh(CO)2Cl2], Rh2(SO4)3, Rh(HSO4)3 및 Rh(ClO4)3, 그것의 수화물 또는 그것의 염들 및/또는 수화물들의 혼합물을 포함하는 군으로부터 선택되는 염을 포함하는 것을 특징으로 하는 공정.
  14. 제13항에 있어서, 전구물질이 K2PtCl4인 것을 특징으로 하는 공정.
  15. 제1항 내지 제14항 중 어느 한 항에 있어서, 시약용액에서의 전구물질의 초기농도가 20 mM 내지 1 M인 것을 특징으로 하는 공정.
  16. 제15항에 있어서, 전구물질 농도가 50 mM 내지 100 mM인 것을 특징으로 하는 공정.
  17. 제1항 내지 제16항 중 어느 한 항에 있어서, 환원제가 에틸렌 글리콜, 히드라진, 아스코르브산, 수소화붕소나트륨, 차아인산나트륨, 리튬 테트라에틸로수소화붕소, 메틸 알콜, 1,2-헥사데칸디올, 히드록실아민 및 디메틸보라잔 DMAB을 포함하는 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 공정.
  18. 제17항에 있어서, 환원제가 에틸렌 글리콜인 것을 특징으로 하는 공정.
  19. 제1항 내지 제18항 중 어느 한 항에 있어서, 시약용액에서의 환원제의 초기농도가 0.5 mM 내지 4 M인 것을 특징으로 하는 공정.
  20. 제1항 내지 제18항 중 어느 한 항에 있어서, 시약용액이 에틸렌 글리콜내 전구물질의 용액을 포함하며, 상기 전구물질이 실온 이하에서 에틸렌 글리콜에 용해되는 것을 특징으로 하는 공정.
  21. 제20항에 있어서, 전구물질이 K2PtCl4인 것을 특징으로 하는 공정.
  22. 제1항 내지 제21항 중 어느 한 항에 있어서, 환원반응을 70 내지 190°C의 온도에서 수행하는 것을 특징으로 하는 공정.
  23. 제22항에 있어서, 환원반응을 82°C, 95°C°C, 109°C, 120°C, 130°C, 140°C, 147°C 또는 150°C의 온도에서 수행하는 것을 특징으로 하는 공정.
  24. 제1항 내지 제23항 중 어느 한 항에 있어서, 시간 (t) 이후 반응용액 온도를 0°C에서 수욕에 용액을 침지시킴으로써 낮추는 것을 특징으로 하는 공정.
  25. 제1항 내지 제24항 중 어느 한 항에 있어서, 시약용액이 5 mM을 초과하는, 바람직하게는 40 mM을 초과하는, 더욱 바람직하게는 250 mM을 초과하는, 가장 바람직하게는 280 mM의 농도의 할로겐화물 및/또는 유사할로겐화물을 포함하거나, 또는 할로겐화 및/또는 유사할로겐화 염의 포화용액을 포함하며, 반응용액에서의 할로겐화물의 농도가 전구물질 환원의 결과로 증가하는 것을 특징으로 하는 공정.
  26. 제25항에 있어서, 할로겐화물은 플루오르화물, 염화물, 브롬화물 및 요오드화물을 포함하는 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 공정.
  27. 제25항에 있어서, 유사할로겐화물은 시안화물, 시안산염, 이소시안산염 및 티오시안산염을 포함하는 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 공정.
  28. 제25항, 제26항 또는 제27항에 있어서 할로겐화물을 시약용액에 리튬 또는 칼슘 염의 형태로 충전하는 것을 특징으로 하는 공정.
  29. 제1항 내지 제28항 중 한 항에서 정의된 공정으로 제조되는 증가된 함량의 (100) 패싯을 가지는 순수 나노입자.
  30. 제1항 내지 제28항에서 정의된 공정으로 제조되는 나노입자의 비균일 촉매로서의 사용.
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