KR20160115777A - Substrate liquid processing apparatus, substrate liquid processing method, and computer-readable storage medium storing substrate liquid processing program - Google Patents

Substrate liquid processing apparatus, substrate liquid processing method, and computer-readable storage medium storing substrate liquid processing program Download PDF

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Abstract

The purpose of the present invention is to increase a yield rate by processing a substrate with liquid consistently even if the concentration of the processing liquid, which has been diluted with a diluent by a concentration measuring part, cannot be measured normally. A substrate liquid processing device according to the present invention comprises: a liquid processing part (38) for processing a substrate (8) with processing liquid diluted with a diluent; a processing liquid supply part (39) for supplying the processing liquid; a diluent supply part (40) for supplying a diluent for diluting the processing liquid; a concentration measuring part [concentration sensor (54)] for measuring the concentration of the processing liquid diluted with the diluent; and a control part (7) for controlling the processing liquid supply part and the diluent supply part depending on the concentration of the processing liquid diluted with the diluent, which has been measured by the concentration measuring part. The substrate is processed consistently by the liquid processing part by maintaining the supply state of the processing liquid and the diluent in a predetermined supply state if it is determined that the concentration of the processing liquid cannot be measured normally by the concentration measuring part while the substrate is being processed by the liquid processing part.

Description

기판 액처리 장치, 기판 액처리 방법 및 기판 액처리 프로그램을 기억한 컴퓨터 판독 가능한 기억 매체{SUBSTRATE LIQUID PROCESSING APPARATUS, SUBSTRATE LIQUID PROCESSING METHOD, AND COMPUTER-READABLE STORAGE MEDIUM STORING SUBSTRATE LIQUID PROCESSING PROGRAM}TECHNICAL FIELD [0001] The present invention relates to a substrate liquid processing apparatus, a substrate liquid processing method, and a computer-readable storage medium storing a substrate liquid processing program. BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001]

본 발명은 기판을 처리하기 위한 처리액이 흐르는 처리액 유로를 세정 유체로 세정하는 기판 액처리 장치 및 기판 액처리 방법 및 기판 액처리 프로그램을 기억한 컴퓨터 판독 가능한 기억 매체에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate liquid processing apparatus and a substrate liquid processing apparatus for cleaning a processing liquid flow path through which a processing liquid flows for processing a substrate with a cleaning fluid, and a computer readable storage medium storing a substrate liquid processing program.

반도체 부품이나 플랫 패널 디스플레이 등의 제조에는, 반도체 웨이퍼나 액정 기판 등의 기판을 세정액이나 에칭액 등의 처리액으로 처리하는 기판 액처리 장치가 이용되고 있다.BACKGROUND ART [0002] In the manufacture of semiconductor components and flat panel displays, a substrate liquid processing apparatus for processing a substrate such as a semiconductor wafer or a liquid crystal substrate with a processing liquid such as a cleaning liquid or an etching liquid is used.

예컨대, 특허문헌 1에 개시된 기판 액처리 장치에서는, 처리조에 저류한 처리액(에칭액: 인산 수용액)에 기판을 침지시켜, 기판의 표면에 형성한 질화막을 에칭하는 처리를 행한다.For example, in the substrate liquid processing apparatus disclosed in Patent Document 1, the substrate is immersed in the treatment liquid (etching liquid: phosphoric acid aqueous solution) stored in the treatment tank, and the nitriding film formed on the surface of the substrate is etched.

이 기판 액처리 장치에서는, 처리액으로서 인산을 순수(純水)로 미리 정해진 농도로 희석한 인산 수용액을 이용하고 있다. 그리고, 기판 액처리 장치에서는, 인산 수용액을 미리 정해진 농도로 할 때에, 인산을 순수로 희석한 인산 수용액을 미리 정해진 온도로 가열하여 비등시키고, 인산 수용액의 농도를 그 온도(비점)에 있어서의 농도가 되도록 제어한다. 또한, 인산 수용액을 가열하여 비등시켰을 때에 수분의 증발에 의해 농도가 변동하기 때문에, 인산 수용액에 순수를 보급하여 인산 수용액이 미리 정해진 농도가 되도록 제어한다. 그 때문에, 기판 액처리 장치에는, 처리액의 농도를 계측하기 위한 농도 센서가 설치되어 있다. 그리고, 기판 액처리 장치에서는, 농도 센서에 의해 계측한 처리액의 농도에 따라 처리액이나 희석액의 공급을 제어한다.In this substrate liquid processing apparatus, a phosphoric acid aqueous solution in which phosphoric acid is diluted with pure water to a predetermined concentration is used as the treatment liquid. In the substrate liquid processing apparatus, when the aqueous solution of phosphoric acid is brought to a predetermined concentration, the aqueous solution of phosphoric acid in which the phosphoric acid is diluted with pure water is heated and boiled to a predetermined temperature, and the concentration of the aqueous phosphoric acid solution is adjusted to the concentration . Further, since the concentration of the phosphoric acid aqueous solution is changed by evaporation of water when heated by boiling, pure water is supplied to the aqueous phosphoric acid solution to control the aqueous phosphoric acid solution to a predetermined concentration. Therefore, the substrate liquid processing apparatus is provided with a concentration sensor for measuring the concentration of the processing liquid. In the substrate liquid processing apparatus, the supply of the processing liquid and the diluting liquid is controlled according to the concentration of the processing liquid measured by the concentration sensor.

[특허문헌 1] 일본 특허 공개 제2013-93478호 공보[Patent Document 1] Japanese Patent Laid-Open Publication No. 2013-93478

그러나, 상기 종래의 기판 액처리 장치에서는, 농도 센서의 고장이나 배선의 절단이나 농도 센서의 접액(接液) 부분의 더러워짐 등에 의해 농도 센서에 의해 처리액의 농도를 정상적으로 계측할 수 없게 된 경우, 기판의 액처리를 중단하고, 액처리 도중의 기판을 폐기하고 있다. 이에 의해, 종래의 기판 액처리 장치에서는, 기판의 처리에 낭비가 발생하여, 수율의 저하를 초래할 우려가 있다.However, in the above-described conventional substrate liquid processing apparatus, when the concentration sensor can not normally measure the concentration of the treatment liquid due to a failure of the concentration sensor, disconnection of wiring, contamination of the liquid contact portion of the concentration sensor, or the like , The liquid processing of the substrate is stopped, and the substrate is discarded during the liquid processing. As a result, in the conventional substrate liquid processing apparatus, there is a fear that the processing of the substrate is wasted and the yield is lowered.

또한, 농도 센서의 고장 등에 대비하여 미리 예비의 농도 센서를 설치해 둔다고 하는 대책도 고려되지만, 그에 의해 기판 액처리 장치의 비용 상승이 발생해 버린다.In addition, countermeasures such as provision of a preliminary concentration sensor in advance in consideration of a trouble or the like of the concentration sensor are considered, but the cost of the substrate liquid processing apparatus is increased thereby.

그래서, 본 발명에서는, 기판 액처리 장치에 있어서, 기판을 희석액으로 희석된 처리액으로 처리하는 액처리부와, 상기 처리액을 공급하는 처리액 공급부와, 상기 처리액을 희석하기 위한 희석액을 공급하는 희석액 공급부와, 상기 희석액으로 희석된 처리액의 농도를 계측하는 농도 계측부와, 상기 농도 계측부에 의해 계측한 상기 희석액으로 희석된 처리액의 농도에 따라 상기 처리액 공급부 및 희석액 공급부를 제어하는 제어부를 갖고, 상기 제어부는, 상기 액처리부에서 상기 기판의 처리 중에 상기 농도 계측부에 의해 상기 처리액의 농도를 정상적으로 계측할 수 없다고 판단한 경우, 상기 처리액 및 희석액의 공급 상태를 미리 결정된 공급 상태로 유지하도록 상기 처리액 공급부 및 희석액 공급부를 제어하여, 상기 액처리부에서의 상기 기판의 처리를 계속하는 것으로 하였다. Therefore, in the present invention, a substrate liquid processing apparatus includes: a liquid processing section for processing a substrate with a processing liquid diluted with a diluting liquid; a processing liquid supply section for supplying the processing liquid; A concentration measuring section for measuring the concentration of the treatment liquid diluted by the diluting liquid and a control section for controlling the treatment liquid supplying section and the diluting liquid supplying section according to the concentration of the treatment liquid diluted by the diluting liquid measured by the concentration measuring section Wherein the control unit is configured to maintain the supply state of the processing solution and the diluting solution in a predetermined supply state when it is determined that the concentration of the processing solution can not be normally measured by the concentration measuring unit during the processing of the substrate by the solution processing unit And the control unit controls the process liquid supply unit and the diluent liquid supply unit so that the liquid Lee was to continue.

또한, 상기 미리 결정된 공급 상태는, In addition, the predetermined supply state may include:

(1) 상기 농도 계측부에 의해 상기 처리액의 농도를 정상적으로 계측할 수 없다고 판단한 시점보다 이전의 상기 처리액 및 희석액과 동일한 공급량으로 상기 처리액 및 희석액을 공급하는 상태,(1) a state in which the treatment liquid and the diluting liquid are supplied at the same supply amount as that of the treatment liquid and the diluting liquid before the time when the concentration measuring unit determines that the concentration of the treatment liquid can not be normally measured,

(2) 상기 농도 계측부에 의해 상기 처리액의 농도를 정상적으로 계측할 수 없다고 판단한 시점보다 이전의 미리 정해진 기간에서의 평균한 상기 처리액 및 희석액의 공급량으로 상기 처리액 및 희석액을 공급하는 상태,(2) a state in which the treatment liquid and the diluting liquid are supplied to the supply amounts of the treatment liquid and the diluting liquid averaged in a predetermined period before the time when the concentration measuring section determines that the concentration of the treatment liquid can not be normally measured,

(3) 상기 농도 계측부에 의해 상기 처리액의 농도를 정상적으로 계측할 수 없다고 판단한 시점보다 이전의 미리 정해진 기간에서 변동하는 상기 처리액 및 희석액의 공급량으로 상기 처리액 및 희석액을 변동시켜 공급하는 상태(3) a state in which the treatment liquid and the diluting liquid are varied and supplied to the supply amounts of the treatment liquid and the diluting liquid varying in a predetermined period before the time when the concentration measuring unit determines that the concentration of the treatment liquid can not be normally measured

중 어느 하나인 것으로 하였다. . ≪ / RTI >

또한, 대기압을 계측하는 대기압 계측부를 더 갖고, 상기 제어부는, 상기 대기압 계측부에 의해 계측한 대기압이 미리 정해진 범위 내인 경우, 상기 기판의 처리 중에 있어서의 상기 처리액 및 희석액의 공급 상태를 유지하고, 상기 대기압 계측부에 의해 계측한 대기압이 미리 정해진 범위 외인 경우, 상기 액처리부에서의 상기 기판의 처리를 중단하도록 제어하는 것으로 하였다.The apparatus further includes an atmospheric pressure measuring section for measuring an atmospheric pressure. The control section maintains the supply state of the processing solution and the diluting solution during the processing of the substrate when the atmospheric pressure measured by the atmospheric pressure metering section is within a predetermined range, And to stop the processing of the substrate in the liquid processing section when the atmospheric pressure measured by the atmospheric pressure measurement section is outside the predetermined range.

또한, 상기 제어부는, 상기 농도 계측부에 의해 상기 희석액으로 희석된 처리액의 농도를 정상적으로 계측할 수 있는 경우, 상기 대기압 계측부에 의해 계측한 대기압이 제1 미리 정해진 범위 내일 때와 제1 미리 정해진 범위 외일 때에서 상이한 처리를 행하고, 상기 농도 계측부에 의해 상기 처리액의 농도를 정상적으로 계측할 수 없는 경우, 상기 대기압 계측부에 의해 계측한 대기압이 제2 미리 정해진 범위 내일 때에 상기 기판의 처리 중에 있어서의 상기 처리액 및 희석액의 공급 상태를 유지하고, 상기 대기압 계측부에 의해 계측한 대기압이 제2 미리 정해진 범위 외일 때에, 상기 액처리부에서의 상기 기판의 처리를 중단하며, 상기 제1 미리 정해진 범위보다 제2 미리 정해진 범위를 좁은 범위로 하는 것으로 하였다.When the concentration of the treatment liquid diluted by the diluting liquid can be normally measured by the concentration measuring unit, the control unit may determine that the atmospheric pressure measured by the atmospheric pressure measuring unit is within the first predetermined range, And when the concentration of the processing solution can not be normally measured by the concentration measuring section and the atmospheric pressure measured by the atmospheric pressure measuring section is within the second predetermined range, The supply state of the processing liquid and the diluting liquid is maintained and when the atmospheric pressure measured by the atmospheric pressure metering section is out of the second predetermined range, the processing of the substrate in the liquid processing section is stopped, The predetermined range is set to be a narrow range.

또한, 상기 희석액은, 상기 처리액의 가열에 의해 증발되는 수분을 보충하는 순수인 것으로 하였다.Further, the diluent is pure water that replenishes the water evaporated by heating the treatment liquid.

또한, 본 발명에서는, 기판 액처리 방법에 있어서, 액처리부에서 희석액으로 희석된 처리액을 이용하여 기판을 처리하고, 상기 기판의 처리 중에 상기 희석액으로 희석된 처리액의 농도를 정상적으로 계측할 수 없게 된 경우에, 상기 처리액 및 희석액의 공급 상태를 미리 결정된 공급 상태로 유지하여, 상기 액처리부에서의 상기 기판의 처리를 계속하는 것으로 하였다. Further, in the present invention, in the method of treating a substrate liquid, it is preferable that the substrate is treated using a treatment liquid diluted with a diluting liquid in the liquid treatment unit, and the concentration of the treatment liquid diluted with the diluting liquid during the treatment of the substrate can not be normally measured The supply state of the processing solution and the diluting solution is maintained in a predetermined supply state so that the processing of the substrate in the solution processing section is continued.

또한, 상기 미리 결정된 공급 상태는,In addition, the predetermined supply state may include:

(1) 상기 농도 계측부에 의해 상기 처리액의 농도를 정상적으로 계측할 수 없다고 판단한 시점보다 이전의 상기 처리액 및 희석액과 동일한 공급량으로 상기 처리액 및 희석액을 공급하는 상태, (1) a state in which the treatment liquid and the diluting liquid are supplied at the same supply amount as that of the treatment liquid and the diluting liquid before the time when the concentration measuring unit determines that the concentration of the treatment liquid can not be normally measured,

(2) 상기 농도 계측부에 의해 상기 처리액의 농도를 정상적으로 계측할 수 없다고 판단한 시점보다 이전의 미리 정해진 기간에서의 평균한 상기 처리액 및 희석액의 공급량으로 상기 처리액 및 희석액을 공급하는 상태, (2) a state in which the treatment liquid and the diluting liquid are supplied to the supply amounts of the treatment liquid and the diluting liquid averaged in a predetermined period before the time when the concentration measuring section determines that the concentration of the treatment liquid can not be normally measured,

(3) 상기 농도 계측부에 의해 상기 처리액의 농도를 정상적으로 계측할 수 없다고 판단한 시점보다 이전의 미리 정해진 기간에서 변동하는 상기 처리액 및 희석액의 공급량으로 상기 처리액 및 희석액을 변동시켜 공급하는 상태(3) a state in which the treatment liquid and the diluting liquid are varied and supplied to the supply amounts of the treatment liquid and the diluting liquid varying in a predetermined period before the time when the concentration measuring unit determines that the concentration of the treatment liquid can not be normally measured

중 어느 하나인 것으로 하였다. . ≪ / RTI >

또한, 대기압을 계측하여, 대기압이 미리 정해진 범위 내인 경우, 상기 기판의 처리 중에 있어서의 상기 처리액 및 희석액의 공급 상태를 유지하고, 대기압이 미리 정해진 범위 외인 경우, 상기 액처리부에서의 상기 기판의 처리를 중단하는 것으로 하였다. And the supply state of the processing solution and the diluting solution during the processing of the substrate is maintained when the atmospheric pressure is within a predetermined range, and when the atmospheric pressure is outside the predetermined range, The processing was stopped.

또한, 상기 희석액으로 희석된 처리액의 농도를 정상적으로 계측할 수 있는 경우, 대기압이 제1 미리 정해진 범위 내일 때와 제1 미리 정해진 범위 외일 때에서 상이한 처리를 행하고, 상기 희석액으로 희석된 처리액의 농도를 정상적으로 계측할 수 없는 경우, 대기압이 제2 미리 정해진 범위 내일 때에 상기 기판의 처리 중에 있어서의 상기 처리액 및 희석액의 공급 상태를 유지하고, 대기압이 제2 미리 정해진 범위 외일 때에, 상기 액처리부에서의 상기 기판의 처리를 중단하며, 상기 제1 미리 정해진 범위보다 제2 미리 정해진 범위를 좁은 범위로 하는 것으로 하였다.When the concentration of the treatment liquid diluted with the diluting liquid can be measured normally, different treatments are performed when the atmospheric pressure is within the first predetermined range and outside the first predetermined range, and the treatment liquid diluted with the diluting liquid When the atmospheric pressure is within the second predetermined range, the supply state of the processing liquid and the diluting liquid during the processing of the substrate is maintained, and when the atmospheric pressure is outside the second predetermined range, The processing of the substrate in the first predetermined range is stopped, and the second predetermined range is narrower than the first predetermined range.

또한, 상기 희석액은, 상기 희석액으로 희석된 처리액의 가열에 의해 증발되는 수분을 보충하는 순수인 것으로 하였다. Further, the diluent is pure water that replenishes the water evaporated by heating the treatment liquid diluted with the diluent.

또한, 본 발명에서는, 기판을 희석액으로 희석된 처리액으로 처리하는 액처리부와, 상기 처리액을 공급하는 처리액 공급부와, 상기 처리액을 희석하기 위한 희석액을 공급하는 희석액 공급부와, 상기 희석액으로 희석된 처리액의 농도를 계측하는 농도 계측부를 갖는 기판 액처리 장치를 이용하여 기판 액처리 방법을 실행시키는 기판 액처리 프로그램을 기억한 컴퓨터 판독 가능한 기억 매체에 있어서, 상기 액처리부에서 상기 기판의 처리 중에 상기 농도 계측부에 의해 상기 처리액의 농도를 정상적으로 계측할 수 없다고 판단한 경우, 상기 처리액 및 희석액의 공급 상태를 미리 결정된 공급 상태로 유지하도록 상기 처리액 공급부 및 희석액 공급부를 제어하여, 상기 액처리부에서의 상기 기판의 처리를 계속하는 것으로 하였다.According to the present invention, there is also provided a liquid processing apparatus comprising a liquid processing section for processing a substrate with a processing liquid diluted with a diluent, a processing liquid supply section for supplying the processing liquid, a diluting liquid supply section for supplying a diluting liquid for diluting the processing liquid, There is provided a computer-readable storage medium storing a substrate liquid processing program for executing a substrate liquid processing method using a substrate liquid processing apparatus having a concentration measuring section for measuring a concentration of a diluted processing liquid, The control section controls the treatment liquid supply section and the diluent liquid supply section so as to maintain the supply state of the treatment liquid and the diluted liquid in a predetermined supply state, The processing of the substrate is continued.

본 발명에서는, 기판의 처리 중에 농도 계측부의 고장이나 배선의 절단이나 농도 센서의 접액 부분의 더러워짐 등에 의해 처리액의 농도를 정상적으로 계측할 수 없게 되어도 기판의 처리를 계속해서 행할 수 있기 때문에, 비용 상승을 초래하지 않고 수율의 저하를 억제할 수 있다.According to the present invention, even if the concentration of the processing solution can not be normally measured due to a failure of the concentration measuring section, cutting of wiring, contamination of the contact portion of the concentration sensor, or the like during processing of the substrate, The decrease in the yield can be suppressed without causing rise.

도 1은 기판 액처리 장치를 도시한 평면 설명도이다.
도 2는 에칭 처리 장치를 도시한 설명도이다.
도 3은 기판 액처리 프로그램을 도시한 흐름도이다.
도 4는 에칭 처리 장치의 처리액 순환시의 동작을 도시한 설명도이다.
도 5는 에칭 처리 장치의 농도 계측시의 동작을 도시한 설명도이다.
도 6은 에칭 처리 장치의 처리액 및 희석액의 공급시의 동작을 도시한 설명도이다.
BRIEF DESCRIPTION OF DRAWINGS FIG. 1 is a plan view illustrating a substrate liquid processing apparatus. FIG.
2 is an explanatory diagram showing an etching apparatus.
3 is a flowchart showing a substrate liquid processing program.
4 is an explanatory view showing the operation of the etching apparatus during the circulation of the processing liquid.
Fig. 5 is an explanatory view showing the operation of the etching apparatus during concentration measurement. Fig.
6 is an explanatory view showing the operation of the etching apparatus during the supply of the processing liquid and the diluting liquid.

이하에, 본 발명에 따른 기판 액처리 장치 및 기판 액처리 방법 및 기판 액처리 프로그램의 구체적인 구성에 대해 도면을 참조하면서 설명한다. Hereinafter, specific configurations of the substrate liquid processing apparatus, the substrate liquid processing method, and the substrate liquid processing program according to the present invention will be described with reference to the drawings.

도 1에 도시된 바와 같이, 기판 액처리 장치(1)는, 캐리어 반입 반출부(2), 로트 형성부(3), 로트 배치부(4), 로트 반송부(5), 로트 처리부(6), 제어부(7)를 갖는다. 1, the substrate liquid processing apparatus 1 includes a carrier loading / unloading section 2, a lot forming section 3, a lot arranging section 4, a lot conveying section 5, a lot processing section 6 ), And a control unit (7).

캐리어 반입 반출부(2)는, 복수 매(예컨대, 25매)의 기판(실리콘 웨이퍼)(8)을 수평 자세로 상하로 나란히 수용한 캐리어(9)의 반입 및 반출을 행한다. The carrier loading / unloading section 2 carries out loading / unloading of a carrier 9 in which a plurality of (for example, 25) substrates (silicon wafers) 8 are stacked vertically in a horizontal posture.

이 캐리어 반입 반출부(2)에는, 복수 개의 캐리어(9)를 배치하는 캐리어 스테이지(10)와, 캐리어(9)의 반송을 행하는 캐리어 반송 기구(11)와, 캐리어(9)를 일시적으로 보관하는 캐리어 스톡(12, 13)과, 캐리어(9)를 배치하는 캐리어 배치대(14)가 설치되어 있다. 여기서, 캐리어 스톡(12)은, 제품이 되는 기판(8)을 로트 처리부(6)에서 처리하기 전에 일시적으로 보관한다. 또한, 캐리어 스톡(13)은, 제품이 되는 기판(8)을 로트 처리부(6)에서 처리한 후에 일시적으로 보관한다.This carrier loading and unloading section 2 is provided with a carrier stage 10 for placing a plurality of carriers 9, a carrier transport mechanism 11 for carrying the carrier 9, And a carrier placement table 14 for arranging the carrier 9 are provided. Here, the carrier stock 12 temporarily stores the substrate 8, which becomes a product, before being processed in the lot processing section 6. [ Further, the carrier stock 13 is temporarily stored after the substrate 8, which becomes a product, is processed in the lot processing unit 6. [

그리고, 캐리어 반입 반출부(2)는, 외부로부터 캐리어 스테이지(10)에 반입된 캐리어(9)를 캐리어 반송 기구(11)를 이용하여 캐리어 스톡(12)이나 캐리어 배치대(14)에 반송한다. 또한, 캐리어 반입 반출부(2)는, 캐리어 배치대(14)에 배치된 캐리어(9)를 캐리어 반송 기구(11)를 이용하여 캐리어 스톡(13)이나 캐리어 스테이지(10)에 반송한다. 캐리어 스테이지(10)에 반송된 캐리어(9)는, 외부로 반출된다. The carrier loading and unloading section 2 carries the carrier 9 carried into the carrier stage 10 from the outside to the carrier stock 12 or the carrier placement table 14 by using the carrier transport mechanism 11 . The carrier loading and unloading section 2 carries the carrier 9 placed on the carrier placement table 14 to the carrier stock 13 and the carrier stage 10 by using the carrier transport mechanism 11. The carrier 9 conveyed to the carrier stage 10 is carried out to the outside.

로트 형성부(3)는, 1 또는 복수의 캐리어(9)에 수용된 기판(8)을 조합하여 동시에 처리되는 복수 매(예컨대, 50매)의 기판(8)으로 이루어지는 로트를 형성한다. The lot forming section 3 forms a lot of a plurality of (for example, 50) substrates 8 which are simultaneously processed by combining the substrates 8 housed in one or a plurality of carriers 9.

이 로트 형성부(3)에는, 복수 매의 기판(8)을 반송하는 기판 반송 기구(15)가 설치되어 있다. 한편, 기판 반송 기구(15)는, 기판(8)의 반송 도중에 기판(8)의 자세를 수평 자세로부터 수직 자세 및 수직 자세로부터 수평 자세로 변경시킬 수 있다. The lot forming portion 3 is provided with a substrate transport mechanism 15 for transporting a plurality of substrates 8. On the other hand, the substrate transport mechanism 15 can change the posture of the substrate 8 from the horizontal posture to the vertical posture and from the vertical posture to the horizontal posture during the conveyance of the substrate 8.

그리고, 로트 형성부(3)는, 캐리어 배치대(14)에 배치된 캐리어(9)로부터 기판 반송 기구(15)를 이용하여 기판(8)을 로트 배치부(4)에 반송하고, 로트 배치부(4)에서 로트를 형성한다. 또한, 로트 형성부(3)는, 로트 배치부(4)에 배치된 로트를 기판 반송 기구(15)에 의해 캐리어 배치대(14)에 배치된 캐리어(9)에 반송한다. 한편, 기판 반송 기구(15)는, 복수 매의 기판(8)을 지지하기 위한 기판 지지부로서, 처리 전[로트 반송부(5)에 의해 반송되기 전]의 기판(8)을 지지하는 처리 전 기판 지지부와, 처리 후[로트 반송부(5)에 의해 반송된 후]의 기판(8)을 지지하는 처리 후 기판 지지부의 2종류를 갖고 있다. 이에 의해, 처리 전의 기판(8) 등에 부착된 파티클 등이 처리 후의 기판(8) 등에 전착되는 것을 방지한다. The lot forming section 3 carries the substrate 8 from the carrier 9 disposed on the carrier placement table 14 to the lot arrangement section 4 using the substrate transportation mechanism 15, And a lot is formed in the portion (4). The lot forming section 3 also conveys the lot arranged in the lot arrangement section 4 to the carrier 9 disposed on the carrier placement table 14 by the substrate transport mechanism 15. [ On the other hand, the substrate transport mechanism 15 is a substrate supporting section for supporting a plurality of substrates 8, and is a substrate supporting section for supporting the substrate 8 (before being transported by the lot transport section 5) A substrate supporting portion, and a post-processing substrate supporting portion for supporting the substrate 8 after the processing (after being conveyed by the lot conveying portion 5). This prevents particles or the like adhered to the substrate 8 or the like before it is electrodeposited on the processed substrate 8 or the like.

로트 배치부(4)는, 로트 반송부(5)에 의해 로트 형성부(3)와 로트 처리부(6) 사이에서 반송되는 로트를 일시적으로 배치(대기)한다.The lot arranging section 4 temporarily arranges (waits) the lot conveyed between the lot forming section 3 and the lot processing section 6 by the lot conveying section 5.

이 로트 배치부(4)에는, 처리 전[로트 반송부(5)에 의해 반송되기 전]의 로트를 배치하는 반입측 로트 배치대(17)와, 처리 후[로트 반송부(5)에 의해 반송된 후]의 로트를 배치하는 반출측 로트 배치대(18)가 설치되어 있다. 반입측 로트 배치대(17) 및 반출측 로트 배치대(18)에는, 1로트분의 복수 매의 기판(8)이 수직 자세로 앞뒤로 나란히 배치된다.The lot arranging section 4 is provided with a take-in lot placing table 17 in which lots are placed before the processing (before being conveyed by the lot conveying section 5) And a take-out side lot placement base 18 for placing a lot after being conveyed is provided. A plurality of substrates 8 for one lot are arranged side by side in a vertical posture in the loading-side lot placement base 17 and the output-side lot placement base 18.

그리고, 로트 배치부(4)에서는, 로트 형성부(3)에서 형성한 로트가 반입측 로트 배치대(17)에 배치되고, 그 로트가 로트 반송부(5)를 통해 로트 처리부(6)에 반입된다. 또한, 로트 배치부(4)에서는, 로트 처리부(6)로부터 로트 반송부(5)를 통해 반출된 로트가 반출측 로트 배치대(18)에 배치되고, 그 로트가 로트 형성부(3)에 반송된다. In the lot arrangement unit 4, a lot formed in the lot formation unit 3 is disposed in the loading-side lot arrangement 17 and the lot is conveyed to the lot processing unit 6 via the lot return unit 5 Are imported. In the lot arrangement unit 4, a lot carried out from the lot processing unit 6 through the lot carrying unit 5 is disposed in the take-out lot arrangement base 18, and the lot is placed in the lot formation unit 3 Lt; / RTI >

로트 반송부(5)는, 로트 배치부(4)와 로트 처리부(6) 사이나 로트 처리부(6)의 내부 사이에서 로트의 반송을 행한다.The lot conveying section 5 conveys the lot between the lot arranging section 4 and the inside of the lot processing section 6 or the lot processing section 6.

이 로트 반송부(5)에는, 로트의 반송을 행하는 로트 반송 기구(19)가 설치되어 있다. 로트 반송 기구(19)는, 로트 배치부(4)와 로트 처리부(6)를 따르게 하여 배치한 레일(20)과, 복수 매의 기판(8)을 유지하면서 레일(20)을 따라 이동하는 이동체(21)로 구성한다. 이동체(21)에는, 수직 자세로 앞뒤로 늘어선 복수 매의 기판(8)을 유지하는 기판 유지체(22)가 진퇴 가능하게 설치되어 있다.The lot conveying section (5) is provided with a lot conveying mechanism (19) for conveying the lot. The lot transport mechanism 19 includes a rail 20 disposed along the lot arrangement unit 4 and the lot processing unit 6 and a movable body 20 moving along the rail 20 while holding a plurality of substrates 8. [ (21). On the moving body 21, a substrate holding body 22 holding a plurality of substrates 8 arranged in a vertical posture is arranged to be movable forward and backward.

그리고, 로트 반송부(5)는, 반입측 로트 배치대(17)에 배치된 로트를 로트 반송 기구(19)의 기판 유지체(22)에 의해 수취하고, 그 로트를 로트 처리부(6)에 전달한다. 또한, 로트 반송부(5)는, 로트 처리부(6)에서 처리된 로트를 로트 반송 기구(19)의 기판 유지체(22)에 의해 수취하고, 그 로트를 반출측 로트 배치대(18)에 전달한다. 또한, 로트 반송부(5)는, 로트 반송 기구(19)를 이용하여 로트 처리부(6)의 내부에 있어서 로트의 반송을 행한다. The lot conveying section 5 receives the lot arranged on the loading side lot arrangement base 17 by the substrate holding body 22 of the lot conveying mechanism 19 and transfers the lot to the lot processing section 6 . The lot conveying section 5 receives the lot processed in the lot processing section 6 by the substrate holding body 22 of the lot conveying mechanism 19 and transfers the lot to the take- . The lot conveying section 5 also conveys the lot inside the lot processing section 6 by using the lot conveying mechanism 19.

로트 처리부(6)는, 수직 자세로 앞뒤로 늘어선 복수 매의 기판(8)을 1로트로 하여 에칭이나 세정이나 건조 등의 처리를 행한다.The lot processing unit 6 performs a process such as etching, cleaning, and drying with one lot of the substrates 8 arranged in the vertical posture.

이 로트 처리부(6)에는, 기판(8)의 건조 처리를 행하는 건조 처리 장치(23)와, 기판 유지체(22)의 세정 처리를 행하는 기판 유지체 세정 처리 장치(24)와, 기판(8)의 세정 처리를 행하는 세정 처리 장치(25)와, 기판(8)의 에칭 처리를 행하는 2대의 에칭 처리 장치(26)가 나란히 설치되어 있다.The lot processing section 6 is provided with a drying processing device 23 for performing drying processing of the substrate 8, a substrate holding body cleaning processing device 24 for performing cleaning processing of the substrate holding body 22, A cleaning processing device 25 for performing a cleaning process of the substrate 8 and two etching devices 26 for performing an etching process of the substrate 8 are provided side by side.

건조 처리 장치(23)는, 처리조(27)에 기판 승강 기구(28)를 승강 가능하게 설치하고 있다. 처리조(27)에는, 건조용의 처리 가스[IPA(이소프로필알코올) 등]가 공급된다. 기판 승강 기구(28)에는, 1로트분의 복수 매의 기판(8)이 수직 자세로 앞뒤로 나란히 유지된다. 건조 처리 장치(23)는, 로트 반송 기구(19)의 기판 유지체(22)로부터 로트를 기판 승강 기구(28)에 의해 수취하고, 기판 승강 기구(28)에 의해 그 로트를 승강시킴으로써, 처리조(27)에 공급한 건조용의 처리 가스로 기판(8)의 건조 처리를 행한다. 또한, 건조 처리 장치(23)는, 기판 승강 기구(28)로부터 로트 반송 기구(19)의 기판 유지체(22)에 로트를 전달한다. The drying processing apparatus 23 is provided with a substrate lifting mechanism 28 capable of lifting and lowering in the treatment tank 27. To the treatment tank 27, a process gas for drying (IPA (isopropyl alcohol) or the like) is supplied. In the substrate lifting mechanism 28, a plurality of substrates 8 for one lot are held back and forth in a vertical posture. The drying processing apparatus 23 receives the lot from the substrate holding member 22 of the lot transport mechanism 19 by the substrate lifting mechanism 28 and lifts the lot by the substrate lifting mechanism 28, The substrate 8 is subjected to a drying process with the process gas for drying supplied to the bath 27. Further, the drying processing device 23 transfers the lot from the substrate lifting mechanism 28 to the substrate holding body 22 of the lot transport mechanism 19.

기판 유지체 세정 처리 장치(24)는, 처리조(29)에 세정용의 처리액 및 건조 가스를 공급할 수 있도록 되어 있고, 로트 반송 기구(19)의 기판 유지체(22)에 세정용의 처리액을 공급한 후, 건조 가스를 공급함으로써 기판 유지체(22)의 세정 처리를 행한다.The substrate holding body washing and treating apparatus 24 is capable of supplying the treating liquid for cleaning and the drying gas to the treating tank 29. The substrate holding body 22 of the lot moving mechanism 19 is provided with a cleaning treatment After supplying the liquid, the substrate holding body 22 is cleaned by supplying dry gas.

세정 처리 장치(25)는, 세정용의 처리조(30)와 린스용의 처리조(31)를 갖고, 각 처리조(30, 31)에 기판 승강 기구(32, 33)를 승강 가능하게 설치하고 있다. 세정용의 처리조(30)에는, 세정용의 처리액(SC-1 등)이 저류된다. 린스용의 처리조(31)에는, 린스용의 처리액(순수 등)이 저류된다.The cleaning processing apparatus 25 has a cleaning treatment tank 30 for cleaning and a treatment tank 31 for rinsing and a substrate lifting mechanism 32 or 33 is installed in each treatment tank 30 . In the cleaning treatment tank 30, a cleaning treatment solution (SC-1 or the like) is stored. In the rinse treatment tank 31, treatment liquid (pure water or the like) for rinsing is stored.

에칭 처리 장치(26)는, 에칭용의 처리조(34)와 린스용의 처리조(35)를 갖고, 각 처리조(34, 35)에 기판 승강 기구(36, 37)를 승강 가능하게 설치하고 있다. 에칭용의 처리조(34)에는, 에칭용의 처리액(인산 수용액)이 저류된다. 린스용의 처리조(35)에는, 린스용의 처리액(순수 등)이 저류된다. The etching apparatus 26 has an etching treatment tank 34 and a rinsing treatment tank 35. The substrate lifting mechanisms 36 and 37 are installed in the respective treatment tanks 34 and 35 . A treatment liquid (aqueous phosphoric acid solution) for etching is stored in the treatment tank 34 for etching. In the rinse treatment tank 35, a treatment liquid (pure water or the like) for rinsing is stored.

이들 세정 처리 장치(25)와 에칭 처리 장치(26)는, 동일한 구성으로 되어 있다. 에칭 처리 장치(26)에 대해 설명하면, 기판 승강 기구(36, 37)에는, 1로트분의 복수 매의 기판(8)이 수직 자세로 앞뒤로 나란히 유지된다. 에칭 처리 장치(26)는, 로트 반송 기구(19)의 기판 유지체(22)로부터 로트를 기판 승강 기구(36)에 의해 수취하고, 기판 승강 기구(36)에 의해 그 로트를 승강시킴으로써 로트를 처리조(34)의 에칭용의 처리액에 침지시켜 기판(8)의 에칭 처리를 행한다. 그 후, 에칭 처리 장치(26)는, 기판 승강 기구(36)로부터 로트 반송 기구(19)의 기판 유지체(22)에 로트를 전달한다. 또한, 에칭 처리 장치(26)는, 로트 반송 기구(19)의 기판 유지체(22)로부터 로트를 기판 승강 기구(37)에 의해 수취하고, 기판 승강 기구(37)에 의해 그 로트를 승강시킴으로써 로트를 처리조(35)의 린스용의 처리액에 침지시켜 기판(8)의 린스 처리를 행한다. 그 후, 에칭 처리 장치(26)는, 기판 승강 기구(37)로부터 로트 반송 기구(19)의 기판 유지체(22)에 로트를 전달한다.The cleaning apparatus 25 and the etching apparatus 26 have the same configuration. Describing the etching processing apparatus 26, a plurality of substrates 8 for one lot are held in a vertical posture in the substrate elevating mechanisms 36 and 37, respectively. The etching processing apparatus 26 receives the lot from the substrate holding member 22 of the lot transport mechanism 19 by the substrate lifting mechanism 36 and raises and lowers the lot by the substrate lifting mechanism 36 The substrate 8 is immersed in the treatment liquid for etching of the treatment tank 34 to perform the etching treatment of the substrate 8. Thereafter, the etching processing device 26 transfers the lot from the substrate lifting mechanism 36 to the substrate holding body 22 of the lot transport mechanism 19. The etching apparatus 26 also receives the lot from the substrate holding member 22 of the lot transport mechanism 19 by the substrate lifting mechanism 37 and lifts the lot by the substrate lifting mechanism 37 The lot is immersed in the rinsing treatment liquid of the treatment tank 35 to rinse the substrate 8. Thereafter, the etching processing device 26 transfers the lot from the substrate lifting mechanism 37 to the substrate holding body 22 of the lot transport mechanism 19.

이 에칭 처리 장치(26)에서는, 미리 정해진 농도의 약제(인산)의 수용액(88.3 중량%의 인산 수용액)을 처리액(에칭액)으로서 이용하여 기판(8)을 액처리(에칭 처리)한다. In the etching apparatus 26, the substrate 8 is subjected to a liquid treatment (etching treatment) by using an aqueous solution (88.3 wt% aqueous phosphoric acid solution) of a predetermined concentration of a chemical agent (phosphoric acid) as a treatment liquid (etching liquid).

에칭 처리 장치(26)는, 도 2에 도시된 바와 같이, 미리 정해진 농도의 인산 수용액(88.3 중량%의 인산 수용액)으로 이루어지는 처리액을 저류하고, 기판(8)을 처리하기 위한 액처리부(38)와, 액처리부(38)에 처리액을 공급하기 위한 처리액 공급부(39)와, 처리액을 희석하는 희석액을 공급하기 위한 희석액 공급부(40)와, 액처리부(38)에 저류된 처리액을 순환시키기 위한 처리액 순환부(41)와, 액처리부(38)로부터 처리액을 배출하는 처리액 배출부(42)를 갖는다.As shown in FIG. 2, the etching apparatus 26 stores a treatment liquid made of a predetermined concentration of phosphoric acid aqueous solution (88.3 weight% aqueous phosphoric acid solution), and a liquid treatment unit 38 A diluting liquid supply unit 40 for supplying a diluting liquid for diluting the processing liquid; a processing liquid supply unit 40 for supplying the processing liquid stored in the liquid processing unit 38; And a treatment liquid discharge section 42 for discharging the treatment liquid from the liquid treatment section 38. The treatment liquid circulation section 41 is a part of the treatment liquid circulation section 41,

액처리부(38)는, 상부를 개방시킨 처리조(34)의 상부 주위에 상부를 개방시킨 외부조(43)를 형성하고, 처리조(34)와 외부조(43)에 처리액을 저류한다. 처리조(34)에서는, 기판(8)을 기판 승강 기구(36)에 의해 침지시킴으로써 액처리하는 처리액을 저류한다. 외부조(43)에서는, 처리조(34)로부터 오버플로우한 처리액을 저류하고, 처리액 순환부(41)에 의해 처리조(34)에 처리액을 공급한다.The liquid processing section 38 forms an outer tank 43 having an upper part opened around the upper part of the upper part of the processing tank 34 that opens the upper part and stores the processing liquid in the processing tank 34 and the outer tank 43 . In the treatment tank 34, the substrate 8 is immersed by the substrate lifting mechanism 36 to store the treatment liquid to be subjected to the liquid treatment. In the outer tank 43, the treatment liquid overflowed from the treatment tank 34 is stored, and the treatment liquid circulating unit 41 supplies the treatment liquid to the treatment tank 34.

처리액 공급부(39)는, 액처리부(38)에 처리액과는 상이한 농도(처리액보다 낮은 농도)의 약제(인산)의 수용액(85 중량%의 인산 수용액)을 공급한다. 이 처리액 공급부(39)는, 미리 정해진 농도(85 중량%) 및 미리 정해진 온도(25℃)의 인산 수용액을 공급하기 위한 수용액 공급원(44)을 액처리부(38)의 외부조(43)에 유량 조정기(45)를 통해 접속한다. 유량 조정기(45)는, 제어부(7)에 접속되어 있고, 제어부(7)에 의해 개폐 제어 및 유량 제어된다.The treatment liquid supply unit 39 supplies an aqueous solution of a medicine (phosphoric acid) (aqueous solution of phosphoric acid of 85 wt%) at a concentration (concentration lower than the treatment liquid) different from the treatment liquid to the liquid treatment unit 38. The treatment liquid supply unit 39 supplies an aqueous solution supply source 44 for supplying a predetermined concentration (85 wt%) and a predetermined temperature (25 캜) of aqueous phosphoric acid solution to the outer tank 43 of the liquid treatment unit 38 And is connected through the flow rate regulator 45. The flow rate regulator 45 is connected to the control unit 7, and the control unit 7 controls opening and closing and flow rate control.

희석액 공급부(40)는, 처리액의 가열(비등)에 의해 증발된 수분을 보급하기 위한 순수를 공급한다. 이 희석액 공급부(40)는, 미리 정해진 온도(25℃)의 순수를 공급하기 위한 물 공급원(46)을 액처리부(38)의 외부조(43)에 유량 조정기(47)를 통해 접속한다. 유량 조정기(47)는, 제어부(7)에 접속되어 있고, 제어부(7)에 의해 개폐 제어 및 유량 제어된다.The diluent supply part 40 supplies pure water for supplying water evaporated by heating (boiling) the treatment liquid. The diluent supply section 40 connects a water supply source 46 for supplying pure water at a predetermined temperature (25 캜) to the outer tank 43 of the liquid processing section 38 through a flow rate regulator 47. The flow rate regulator 47 is connected to the control unit 7, and the control unit 7 controls opening and closing and the flow rate.

처리액 순환부(41)는, 액처리부(38)의 외부조(43)의 바닥부와 처리조(34)의 바닥부 사이에 순환 유로(48)를 형성한다. 순환 유로(48)에는, 펌프(49), 필터(50), 히터(51)가 순서대로 설치되어 있다. 펌프(49) 및 히터(51)는, 제어부(7)에 접속되어 있고, 제어부(7)에 의해 구동 제어된다. 그리고, 처리액 순환부(41)는, 펌프(49)를 구동시킴으로써 외부조(43)로부터 처리조(34)에 처리액을 순환시킨다. 그때에, 히터(51)에 의해 처리액을 미리 정해진 온도(165℃)로 가열한다.The treatment liquid circulation section 41 forms a circulation flow path 48 between the bottom of the outer tank 43 of the liquid processing section 38 and the bottom of the treatment tank 34. A pump 49, a filter 50, and a heater 51 are provided in this order in the circulating flow path 48. The pump 49 and the heater 51 are connected to the control unit 7 and are driven and controlled by the control unit 7. [ The treatment liquid circulating unit 41 circulates the treatment liquid from the outer tank 43 to the treatment tank 34 by driving the pump 49. [ At that time, the treatment liquid is heated to a predetermined temperature (165 캜) by the heater 51.

또한, 처리액 순환부(41)는, 순환 유로(48)의 도중[히터(51)보다 하류측]과 외부조(43) 사이에 농도 계측 유로(52)를 형성한다. 농도 계측 유로(52)에는, 상류측 개폐 밸브(53), 농도 센서(54)(농도 계측부), 하류측 개폐 밸브(55)가 순서대로 설치되어 있다. 상류측 개폐 밸브(53)와 농도 센서(54) 사이에는, 농도 센서(54)를 세정하기 위한 세정 유체(여기서는, 상온의 순수)를 공급하는 세정 유체 공급부(56)가 접속되어 있다. 이 세정 유체 공급부(56)는, 세정 유체를 공급하기 위한 세정 유체 공급원(57)을 상류측 개폐 밸브(53)와 농도 센서(54) 사이에 공급 개폐 밸브(58)를 통해 접속한다. 또한, 농도 센서(54)와 하류측 개폐 밸브(55) 사이에는, 세정 유체를 배출하는 세정 유체 배출부(59)가 접속되어 있다. 이 세정 유체 배출부(59)는, 농도 센서(54)와 하류측 개폐 밸브(55) 사이에 외부의 배액관(排液管)과 연통되는 배출 유로(60)를 접속하고, 배출 유로(60)에 배출 개폐 밸브(61)를 설치하고 있다. 상류측 개폐 밸브(53), 하류측 개폐 밸브(55), 공급 개폐 밸브(58), 및 배출 개폐 밸브(61)는, 제어부(7)에 접속되어 있고, 제어부(7)에 의해 개폐 제어된다. 또한, 농도 센서(54)는, 제어부(7)에 접속되어 있고, 제어부(7)로부터의 지시에 의해 농도 계측 유로(52)를 흐르는 처리액의 농도를 계측하여 제어부(7)에 통지한다. 한편, 세정 유체 배출부(59)는, 주로 세정 유체를 배출하지만, 농도 계측 유로(52)에 체류하는 처리액도 배출한다.The treatment liquid circulation section 41 forms a concentration measurement flow path 52 between the middle of the circulation flow path 48 (on the downstream side of the heater 51) and the outer tank 43. An upstream side opening / closing valve 53, a concentration sensor 54 (concentration measuring section), and a downstream side opening / closing valve 55 are provided in this order in the concentration measuring flow path 52. A cleaning fluid supply unit 56 for supplying a cleaning fluid (pure water at room temperature in this case) for cleaning the concentration sensor 54 is connected between the upstream-side opening / closing valve 53 and the concentration sensor 54. The cleaning fluid supply part 56 connects the cleaning fluid supply source 57 for supplying the cleaning fluid to the upstream side open / close valve 53 and the concentration sensor 54 via the supply opening / closing valve 58. A cleaning fluid discharge portion 59 for discharging the cleaning fluid is connected between the concentration sensor 54 and the downstream open / close valve 55. The cleaning fluid discharge portion 59 connects the discharge flow passage 60 communicating with an external drain pipe between the concentration sensor 54 and the downstream open / close valve 55, The discharge opening / closing valve 61 is provided. The upstream side open / close valve 53, the downstream side open / close valve 55, the supply open / close valve 58, and the discharge open / close valve 61 are connected to the control unit 7 and controlled by the control unit 7 . The concentration sensor 54 is connected to the control unit 7 and measures the concentration of the treatment liquid flowing through the concentration measurement flow path 52 in accordance with an instruction from the control unit 7 and notifies the control unit 7 of the concentration. On the other hand, the cleaning fluid discharge portion 59 mainly discharges the cleaning fluid but also discharges the treatment liquid staying in the concentration measurement flow path 52.

처리액 배출부(42)는, 액처리부(38)의 처리조(34)의 바닥부에 외부의 배액관과 연통되는 배액 유로(62)를 접속하고, 배액 유로(62)에 개폐 밸브(63)를 설치하고 있다. 개폐 밸브(63)는, 제어부(7)에 접속되어 있고, 제어부(7)에 의해 개폐 제어된다.The treatment liquid discharge unit 42 is connected to a drainage passage 62 communicating with an external drain pipe at the bottom of the treatment tank 34 of the liquid treatment unit 38 and connects the drainage passage 62 with an open / . The opening / closing valve 63 is connected to the control section 7 and is controlled by the control section 7 to be opened / closed.

제어부(7)는, 기판 액처리 장치(1)의 각부[캐리어 반입 반출부(2), 로트 형성부(3), 로트 배치부(4), 로트 반송부(5), 로트 처리부(6) 등]의 동작을 제어한다. 제어부(7)에는, 대기 압력을 계측하기 위한 대기압 센서(64)(대기압 계측부)가 접속되어 있다. 대기압 센서(64)는, 제어부(7)로부터의 지시에 의해 기판 액처리 장치(1)의 설치 장소에서의 대기 압력을 계측하여 제어부(7)에 통지한다.The control unit 7 controls each part (the carrier loading / unloading unit 2, the lot forming unit 3, the lot arranging unit 4, the lot conveying unit 5, the lot processing unit 6) of the substrate liquid processing apparatus 1, And so on. The control unit 7 is connected to an atmospheric pressure sensor 64 (atmospheric pressure measuring unit) for measuring an atmospheric pressure. The atmospheric pressure sensor 64 measures the atmospheric pressure at the installation place of the substrate liquid processing apparatus 1 in response to an instruction from the control unit 7 and notifies the control unit 7 of the atmospheric pressure.

이 제어부(7)는, 예컨대 컴퓨터이며, 컴퓨터로 판독 가능한 기억 매체(65)를 구비한다. 기억 매체(65)에는, 기판 액처리 장치(1)에 있어서 실행되는 각종의 처리를 제어하는 프로그램이 저장된다. 제어부(7)는, 기억 매체(65)에 기억된 프로그램을 읽어내어 실행함으로써 기판 액처리 장치(1)의 동작을 제어한다. 한편, 프로그램은, 컴퓨터에 의해 판독 가능한 기억 매체(65)에 기억되어 있던 것이며, 다른 기억 매체로부터 제어부(7)의 기억 매체(65)에 인스톨된 것이어도 좋다. 컴퓨터에 의해 판독 가능한 기억 매체(65)로서는, 예컨대 하드 디스크(HD), 플렉시블 디스크(FD), 컴팩트 디스크(CD), 마그넷 옵티컬 디스크(MO), 메모리 카드 등이 있다.The control unit 7 is, for example, a computer and includes a computer-readable storage medium 65. [ In the storage medium 65, a program for controlling various processes executed in the substrate liquid processing apparatus 1 is stored. The control unit 7 controls the operation of the substrate liquid processing apparatus 1 by reading and executing the program stored in the storage medium 65. [ On the other hand, the program is stored in the storage medium 65 readable by a computer, and may be installed in the storage medium 65 of the control unit 7 from another storage medium. Examples of the storage medium 65 that can be read by a computer include a hard disk (HD), a flexible disk (FD), a compact disk (CD), a magnet optical disk (MO)

기판 액처리 장치(1)는, 이상으로 설명한 바와 같이 구성하고 있으며, 기억 매체(65)에 기억된 기판 액처리 프로그램 등에 따라 제어부(7)에 의해 각부[캐리어 반입 반출부(2), 로트 형성부(3), 로트 배치부(4), 로트 반송부(5), 로트 처리부(6) 등]의 동작을 제어함으로써, 기판(8)을 처리한다.The substrate liquid processing apparatus 1 is constituted as described above and is constituted by a control section 7 for controlling the respective parts (the carrier loading / unloading section 2, the lot formation (The lot 3, the lot arrangement unit 4, the lot conveying unit 5, the lot processing unit 6, and the like).

이 기판 액처리 장치(1)에 의해 기판(8)을 에칭 처리하는 경우에는, 에칭 처리 장치(26)의 처리액 공급부(39)에 의해 미리 정해진 농도(85 중량%) 및 미리 정해진 온도(25℃)의 인산 수용액을 액처리부(38)에 공급하고, 처리액 순환부(41)에 의해 미리 정해진 농도(88.3 중량%) 및 미리 정해진 온도(165℃)가 되도록 가열하여 처리액을 생성하며, 처리액을 액처리부(38)에 저류한다. 그때에, 가열에 의해 수분이 증발되어 처리액의 농도가 증가하기 때문에, 가열에 의해 증발되는 수분의 양에 상응하는 양의 순수를 희석액 공급부(40)에 의해 액처리부(38)에 공급하여, 처리액을 희석액으로 희석한다. 그리고, 미리 정해진 농도(88.3 중량%) 및 미리 정해진 온도(165℃)의 처리액이 저류된 처리조(34)에 기판 승강 기구(36)에 의해 기판(8)을 침지시킴으로써, 처리액으로 기판(8)을 에칭 처리(액처리)한다.When the substrate 8 is etched by the substrate liquid processing apparatus 1, the predetermined concentration (85 wt%) and the predetermined temperature 25 (25 wt%) are determined by the treatment liquid supply unit 39 of the etching apparatus 26 ° C.) is supplied to the liquid processing section 38 and heated to a predetermined concentration (88.3% by weight) and a predetermined temperature (165 ° C.) by the treatment liquid circulating section 41 to produce a treatment liquid, And the treatment liquid is stored in the liquid treatment unit 38. At this time, since the water is evaporated by heating to increase the concentration of the treatment liquid, pure water of an amount corresponding to the amount of water evaporated by heating is supplied to the liquid treatment unit 38 by the diluent liquid supply unit 40, Dilute the treatment solution with diluent. Then, the substrate 8 is immersed in the treatment tank 34 in which the treatment liquid having the predetermined concentration (88.3 wt%) and the predetermined temperature (165 DEG C) is stored, by the substrate lifting mechanism 36, (Liquid processing) is performed.

이 액처리 중에 있어서, 기판 액처리 장치(1)는, 도 3에 도시된 기판 액처리 프로그램에 따라 처리액 공급부(39) 및 희석액 공급부(40)를 제어부(7)에 의해 제어함으로써, 처리액을 미리 정해진 농도(88.3 중량%) 및 미리 정해진 온도(165℃)로 유지한다.During the liquid processing, the substrate liquid processing apparatus 1 controls the processing liquid supply section 39 and the diluent liquid supply section 40 by the control section 7 in accordance with the substrate liquid processing program shown in FIG. 3, Is maintained at a predetermined concentration (88.3 wt%) and a predetermined temperature (165 DEG C).

먼저, 제어부(7)는, 도 4에 도시된 바와 같이, 펌프(49)를 구동시켜 처리액을 순환 유로(48)에서 순환시키고, 히터(51)를 구동시켜 처리액의 온도를 미리 정해진 온도(165℃)로 유지시키며, 기판(8)의 액처리를 개시한다(액처리 개시 단계 S1). 4, the control unit 7 drives the pump 49 to circulate the process liquid through the circulation flow path 48 and drives the heater 51 to control the temperature of the process liquid to a predetermined temperature (165 DEG C), and liquid treatment of the substrate 8 is started (liquid treatment start step S1).

액처리 개시 후의 미리 정해진 타이밍에서 제어부(7)는, 처리액의 농도를 농도 센서(54)에 의해 계측한다(농도 계측 단계 S2). 이 농도 계측 단계 S2에서는, 도 5에 도시된 바와 같이, 액처리시와 마찬가지로 펌프(49)를 구동시켜 처리액을 순환 유로(48)에서 순환시키고, 히터(51)를 구동시켜 처리액의 온도를 미리 정해진 온도(165℃)로 유지시킨다. 또한, 상류측 개폐 밸브(53)와 하류측 개폐 밸브(55)를 개방한 상태로 하여, 순환 유로(48)를 흐르는 처리액의 일부를 농도 계측 유로(52)로 흘리고, 농도 센서(54)에 의해 처리액의 농도를 계측한다. 한편, 농도 계측 후에는, 상류측 개폐 밸브(53)와 하류측 개폐 밸브(55)를 폐색한 상태로 되돌려, 모든 처리액을 순환 유로(48)에서 순환시킨다. At a predetermined timing after the start of the liquid treatment, the control unit 7 measures the concentration of the treatment liquid by the concentration sensor 54 (concentration measurement step S2). 5, the pump 49 is driven to circulate the treatment liquid in the circulation flow path 48 as in the liquid treatment, and the heater 51 is driven to control the temperature of the treatment liquid Is maintained at a predetermined temperature (165 DEG C). A portion of the treatment liquid flowing through the circulation flow path 48 is led to the concentration measurement flow path 52 while the upstream side open / close valve 53 and the downstream side open / close valve 55 are opened, The concentration of the treatment liquid is measured. On the other hand, after the concentration measurement, the upstream-side opening / closing valve 53 and the downstream-side opening / closing valve 55 are returned to the closed state, and all the processing liquid is circulated in the circulating flow path 48.

다음으로, 제어부(7)는, 농도 센서(54)에 의해 처리액의 농도를 정상적으로 계측할 수 있었는지의 여부를 판단한다(농도 센서 정상 판단 단계 S3). 이 농도 센서 정상 판단 단계 S3에 있어서, 제어부(7)는, 농도 계측 단계 S2에 있어서 농도 센서(54)로부터 이상을 나타내는 신호를 받은 경우나, 농도 계측 단계 S2에 있어서 농도 센서(54)에 의해 계측된 농도가 미리 정해진 범위 외인 경우나, 농도 계측 단계 S2에 있어서 농도 센서(54)로부터 아무런 신호를 수취하지 못한 경우에, 농도 센서(54)에 의해 처리액의 농도를 정상적으로 계측할 수 없다고 판단한다.Next, the control unit 7 determines whether or not the concentration of the process liquid can be normally measured by the concentration sensor 54 (concentration sensor normal determination step S3). In this concentration sensor normal judgment step S3, when the control unit 7 receives a signal indicating the abnormality from the concentration sensor 54 in the concentration measurement step S2 or when it is judged by the concentration sensor 54 in the concentration measurement step S2 It is determined that the concentration of the treatment liquid can not be normally measured by the concentration sensor 54 when the measured concentration is out of a predetermined range or when no signal is received from the concentration sensor 54 in the concentration measurement step S2 do.

이 농도 센서 정상 판단 단계 S3에 있어서, 농도 센서(54)에 의해 처리액의 농도를 정상적으로 계측할 수 있다고 판단한 경우에는, 이하에 설명하는 통상 처리를 행하고, 한편, 농도 센서(54)에 의해 처리액의 농도를 정상적으로 계측할 수 없다고 판단한 경우에는, 후술하는 이상 처리를 행한다.If it is determined in step S3 that the concentration sensor 54 can normally measure the concentration of the treatment liquid by the concentration sensor 54, the normal process described below is performed, and on the other hand, the concentration sensor 54 When it is determined that the concentration of the liquid can not be normally measured, the following abnormality processing is performed.

농도 센서 정상 판단 단계 S3에서 농도 센서(54)에 의해 처리액의 농도를 정상적으로 계측할 수 있다고 판단한 경우, 제어부(7)는, 농도 계측 단계 S2에 있어서 농도 센서(54)에 의해 계측한 처리액의 농도에 기초하여 처리액의 농도를 조정할지의 여부를 판단한다(처리액 조정 판단 단계 S4). 이 처리액 조정 판단 단계 S4에 있어서, 처리액의 농도가 미리 정해진 범위 내인 경우에는, 처리액의 조정이 불필요하다고 판단하여 후술하는 액처리 종료 판단 단계 S9로 진행하고, 한편, 처리액의 농도가 미리 정해진 범위 외인 경우에는, 처리액의 조정이 필요하다고 판단한다. When it is determined in step S3 that the concentration sensor 54 can normally measure the concentration of the treatment liquid by the concentration sensor 54, the control unit 7 determines whether the concentration of the treatment liquid measured by the concentration sensor 54 in the concentration measurement step S2 It is determined whether or not the concentration of the treatment liquid is to be adjusted based on the concentration of the treatment liquid (step S4). When the concentration of the treatment liquid is within the predetermined range in the treatment liquid adjustment determination step S4, it is determined that adjustment of the treatment liquid is unnecessary, and the process proceeds to the solution treatment end determination step S9 described later. On the other hand, When it is outside the predetermined range, it is determined that adjustment of the treatment liquid is necessary.

처리액 조정 판단 단계 S4에서 처리액의 조정이 필요하다고 판단한 경우, 제어부(7)는, 대기압 센서(64)에 의해 대기압을 계측하고(대기압 계측 단계 S5), 계측한 대기압이 미리 설정한 미리 정해진 범위(제1 미리 정해진 범위: 예컨대, 1013±10 hPa) 내인지의 여부를 판단한다(대기압 판단 단계 S6).The control unit 7 measures the atmospheric pressure by the atmospheric pressure sensor 64 (atmospheric pressure measuring step S5), and when the measured atmospheric pressure is equal to or higher than the predetermined (The first predetermined range: e.g. 1013 +/- 10 hPa) (atmospheric pressure determination step S6).

대기압 판단 단계 S6에서 대기압이 제1 미리 정해진 범위 내라고 판단한 경우, 제어부(7)는, 농도 계측 단계 S2에 있어서 농도 센서(54)에 의해 계측한 처리액의 농도에 기초하여 처리액 및 희석액의 공급량을 결정한다. 한편, 대기압 판단 단계 S6에서 대기압이 제1 미리 정해진 범위 외라고 판단한 경우, 제어부(7)는, 농도 계측 단계 S2에 있어서 농도 센서(54)에 의해 계측한 처리액의 농도에 기초하여 처리액 및 희석액의 공급량을 결정한 후에, 대기압 계측 단계 S5에서 계측한 대기압에 기초하여 처리액 및 희석액의 공급량을 보정한다(공급량 보정 단계 S7). 이 공급량 보정 단계 S7에서는, 대기압으로부터 처리액의 포화 농도를 구하고, 처리액이 그 포화 농도가 되도록 처리액 및 희석액의 공급량을 보정한다. 이에 의해, 대기압에 변동이 발생해도 처리액의 농도를 적정하게 유지할 수 있어, 기판(8)을 양호하게 처리할 수 있다. When the atmospheric pressure determination step S6 determines that the atmospheric pressure is within the first predetermined range, the control unit 7 determines whether the atmospheric pressure is within the first predetermined range based on the concentration of the treatment liquid measured by the concentration sensor 54 in the concentration measurement step S2 . On the other hand, when the atmospheric pressure determination step S6 determines that the atmospheric pressure is out of the first predetermined range, the control unit 7 determines the concentration of the treatment liquid and the concentration of the treatment liquid based on the concentration of the treatment liquid measured by the concentration sensor 54 in the concentration measurement step S2. After the supply amount of the diluting liquid is determined, the supply amount of the treatment liquid and the diluting liquid is corrected based on the atmospheric pressure measured in the atmospheric pressure measuring step S5 (supply amount correction step S7). In this supply amount correction step S7, the saturated concentration of the treatment liquid is obtained from the atmospheric pressure, and the supply amount of the treatment liquid and the diluting liquid is corrected so that the treatment liquid becomes the saturated concentration. Thereby, even if the atmospheric pressure fluctuates, the concentration of the treatment liquid can be appropriately maintained, and the substrate 8 can be satisfactorily treated.

그 후, 제어부(7)는, 도 6에 도시된 바와 같이, 처리액 공급부(39) 및 희석액 공급부(40)로부터 액처리부(38)에 처리액 및 희석액을 공급한다(공급 단계 S8). 한편, 공급 단계 S8에서는, 전술한 처리액의 농도에 기초하여 결정한 처리액 및 희석액의 공급량 또는 대기압에 기초하여 보정한 처리액 및 희석액의 공급량으로 처리액 및 희석액을 공급한다. 그 때문에, 처리액 공급부(39)와 희석액 공급부(40)로부터 처리액과 희석액을 양방 모두 공급하는 경우에 한정되지 않고, 처리액 공급부(39)로부터 처리액만을 공급하는 경우(희석액의 공급량이 0인 경우)도 있고, 또한, 희석액 공급부(40)로부터 희석액만을 공급하는 경우(처리액의 공급량이 0인 경우)도 있다.6, the control unit 7 supplies the process liquid and the diluting liquid from the process liquid supply unit 39 and the diluting liquid supply unit 40 to the liquid processing unit 38 (supply step S8). On the other hand, in the supply step S8, the treatment liquid and the diluting liquid are supplied to the supply amounts of the treatment liquid and diluted liquid determined based on the concentration of the treatment liquid and the supply amounts of the treatment liquid and the diluting liquid corrected based on the supply amount of the diluting liquid or the atmospheric pressure. Therefore, the present invention is not limited to the case where both the treatment liquid and the diluting liquid are supplied from the treatment liquid supply unit 39 and the diluting liquid supply unit 40. In a case where only the treatment liquid is supplied from the treatment liquid supply unit 39 ), And when only the diluting liquid is supplied from the diluting liquid supplying unit 40 (when the supplied amount of the treating liquid is zero).

그 후, 제어부(7)는, 기판(8)의 액처리를 종료할지의 여부를 판단한다(액처리 종료 판단 단계 S9). 이 액처리 종료 판단 단계 S9에서는, 제어부(7)는, 내장하는 타이머에 의해 기판(8)을 처리액에 침지시킨 시간을 계측하여, 미리 정해진 시간 이상 경과하고 있는 경우에는 기판(8)의 액처리를 종료한다고 판단하고, 한편, 미리 정해진 시간 이상 경과하지 않은 경우에는 전술한 농도 계측 단계 S2로 되돌아간다. 통상 처리에 있어서는, 기판(8)의 액처리가 종료될 때까지 공급 단계 S8이 반복해서 실행되어, 처리액 및 희석액이 반복해서 공급된다. 그때마다, 처리액 및 희석액은, 처리액의 농도나 대기압에 따른 공급량으로 공급된다. 그 때문에, 처리액 및 희석액의 공급량은, 시간과 함께 변동한다(한편, 처리액의 농도나 대기압의 변동이 적은 경우에 처리액 및 희석액의 공급량이 시간에 관계없이 일정해지는 경우도 있을 수 있다). Thereafter, the control unit 7 determines whether or not the liquid processing of the substrate 8 should be terminated (liquid processing end determination step S9). In this liquid process termination determination step S9, the control unit 7 measures the time when the substrate 8 is immersed in the treatment liquid by the built-in timer, and when the predetermined time or more elapses, If it is determined that the processing has ended, and if the predetermined time or more has not elapsed, the process returns to the concentration measurement step S2 described above. In the normal processing, the supply step S8 is repeatedly executed until the liquid processing of the substrate 8 is completed, and the processing liquid and the diluting liquid are supplied repeatedly. At that time, the treatment liquid and the diluting liquid are supplied at the supply amount depending on the concentration of the treatment liquid and the atmospheric pressure. Therefore, the supply amount of the treatment liquid and the dilution liquid fluctuates with time (in some cases, the supply amount of the treatment liquid and the diluting liquid may become constant regardless of the concentration of the treatment liquid and the fluctuation of the atmospheric pressure) .

한편, 전술한 농도 센서 정상 판단 단계 S3에 있어서, 농도 센서(54)에 의해 처리액의 농도를 정상적으로 계측할 수 없다고 판단한 경우에는, 이하에 설명하는 이상 처리를 행한다.On the other hand, when the concentration sensor 54 determines that the concentration of the treatment liquid can not normally be measured in the concentration sensor normal determination step S3 described above, the abnormal process described below is performed.

농도 센서 정상 판단 단계 S3에서 농도 센서(54)에 의해 처리액의 농도를 정상적으로 계측할 수 없다고 판단한 경우, 제어부(7)는, 대기압 센서(64)에 의해 대기압을 계측하고(대기압 계측 단계 S10), 계측한 대기압이 미리 설정한 미리 정해진 범위(제2 미리 정해진 범위: 제1 미리 정해진 범위보다 좁은 범위. 예컨대, 1013±5 hPa) 내인지의 여부를 판단한다(대기압 판단 단계 S11).The control unit 7 measures the atmospheric pressure by the atmospheric pressure sensor 64 (atmospheric pressure measurement step S10), and when the concentration sensor 54 determines that the concentration of the process liquid can not be normally measured, (Atmospheric pressure determination step S11) whether or not the measured atmospheric pressure is within a predetermined range set in advance (a second predetermined range: a range narrower than the first predetermined range, e.g., 1013 5 hPa).

대기압 판단 단계 S11에서 대기압이 제2 미리 정해진 범위 내라고 판단한 경우, 도 6에 도시된 바와 같이, 처리액 공급부(39) 및 희석액 공급부(40)로부터 액처리부(38)에 처리액 및 희석액을 공급한다(공급 상태 유지 단계 S12). 이 공급 상태 유지 단계 S12에서는, 처리액 및 희석액의 공급 상태를 미리 결정된 공급 상태로 유지한다. 처리액 및 희석액의 공급 상태를 미리 결정된 공급 상태로 유지한다란, 예비적인 실험 등에 의해 구해진 일정한 또는 시간적으로 변동하는 공급량으로 처리액 및 희석액을 공급하는 상태를 유지하는 것이어도 좋고, 또한, 전술한 정상 처리에 있어서 공급 단계 S8에서 실행한 처리액 및 희석액의 공급 상태[기판(8)의 처리 중에 있어서의 처리액 및 희석액의 공급 상태]를 유지하는 것이어도 좋다.When the atmospheric pressure determination step S11 judges that the atmospheric pressure is within the second predetermined range, the processing liquid and the diluting liquid are supplied from the processing liquid supply section 39 and the diluting liquid supply section 40 to the liquid processing section 38 as shown in Fig. 6 (Supply state maintaining step S12). In this supply state maintaining step S12, the supply state of the process liquid and the diluting liquid is maintained in a predetermined supply state. To maintain the supply state of the treatment liquid and the diluting liquid in the predetermined supply state means to maintain the state in which the treatment liquid and the diluting liquid are supplied at a constant or temporally varying supply amount obtained by a preliminary experiment or the like, The supply state of the processing liquid and the diluting liquid (the supplying state of the processing liquid and the diluting liquid during the processing of the substrate 8) performed in the supplying step S8 in the normal processing may be maintained.

여기서, 정상 처리시의 처리액 및 희석액의 공급량(공급 단계 S8에서 반복해서 공급하는 처리액 및 희석액의 공급량)이 시간과 함께 변동하기 때문에, 공급 상태 유지 단계 S12에서 유지하는 처리액 및 희석액의 공급 상태로서는, 주로 이하의 상태가 고려된다.Here, since the supply amount of the treatment liquid and the diluting liquid during the normal treatment (the supply amount of the treatment liquid and the diluting liquid to be supplied repeatedly in the supply step S8) fluctuates with time, the supply of the treatment liquid and the diluting liquid As the state, mainly the following states are considered.

(1) 농도 센서 정상 판단 단계 S3의 실행 시점(농도 계측부[농도 센서(54)]에 의해 처리액의 농도를 정상적으로 계측할 수 없다고 판단한 시점)보다 이전의 공급 단계 S8에서 실행한 처리액 및 희석액과 동일한 공급량으로 처리액 및 희석액을 공급하는 상태. (1) The concentration of the treatment liquid and the diluent (liquid) that have been carried out in the supply step S8 prior to the execution of the concentration sensor normal judgment step S3 (the time when it is judged that the concentration of the treatment liquid can not be normally measured by the concentration measurement section And supplying the treatment liquid and the diluting liquid at the same supply amount.

(2) 농도 센서 정상 판단 단계 S3의 실행 시점(농도 계측부[농도 센서(54)]에 의해 처리액의 농도를 정상적으로 계측할 수 없다고 판단한 시점)보다 이전의 미리 정해진 기간(예컨대, 10초간)에서 공급 단계 S8에서 실행한 처리액 및 희석액의 공급량을 평균한 양으로 처리액 및 희석액을 공급하는 상태.(For example, 10 seconds) prior to the execution of the concentration sensor normal determination step S3 (the time point when the concentration measurement section (concentration sensor 54) determines that the concentration of the treatment liquid can not be measured normally) A state in which the treatment liquid and the diluting liquid are supplied in an amount the average of the amounts of the treatment liquid and the diluting liquid supplied in the supply step S8.

(3) 농도 센서 정상 판단 단계 S3의 실행 시점(농도 계측부[농도 센서(54)]에 의해 처리액의 농도를 정상적으로 계측할 수 없다고 판단한 시점)보다 이전의 미리 정해진 기간(예컨대, 20초간)에서 공급 단계 S8에서 실행한 시간과 함께 변동하는 처리액 및 희석액의 공급량으로 처리액 및 희석액을 변동시켜 공급하는 상태. (For example, 20 seconds) prior to the execution of the concentration sensor normal judgment step S3 (the time when it is judged by the concentration measuring section (concentration sensor 54) that the concentration of the treatment liquid can not normally be measured) A state in which the processing liquid and the diluting liquid are supplied with varying amounts of the processing liquid and the diluting liquid that vary with the time period executed in the supplying step S8.

공급 상태 유지 단계 S12에서는, 제어부(7)는, 상기 (1)∼(3) 중 어느 하나의 공급 상태를 미리 결정해 두고, 그 공급 상태를 유지하도록 처리액 공급부(39) 및 희석액 공급부(40)로부터 액처리부(38)에 처리액 및 희석액을 공급한다. 한편, 공급 상태 유지 단계 S12에서는, 정상 처리시의 공급 단계 S8에서 실행한 처리액 및 희석액의 공급 상태를 유지하기 때문에, 공급 단계 S8과 마찬가지로, 처리액 공급부(39)와 희석액 공급부(40)로부터 처리액과 희석액을 양방 모두 공급하는 경우에 한정되지 않고, 처리액 공급부(39)로부터 처리액만을 공급하는 경우(희석액의 공급량이 0인 경우)도 있고, 또한, 희석액 공급부(40)로부터 희석액만을 공급하는 경우(처리액의 공급량이 0인 경우)도 있다. In the supply state maintaining step S12, the control unit 7 determines the supply state of any one of the above-mentioned (1) to (3) in advance and supplies the treatment liquid supply unit 39 and the diluent supply unit 40 To the liquid processing section 38. The liquid processing section 38 supplies the processing liquid and the diluting liquid. On the other hand, in the supply state maintaining step S12, since the supply state of the processing liquid and the diluting liquid performed in the supplying step S8 in the normal processing is maintained, the processing liquid supplying unit 39 and the diluting liquid supplying unit 40 It is not limited to the case where both the treatment liquid and the diluting liquid are supplied and only the treatment liquid is supplied from the treatment liquid supply unit 39 (the supply amount of the diluting liquid is 0) (When the supply amount of the process liquid is 0).

이와 같이, 이상 처리시에 있어서 정상 처리시의 처리액 및 희석액의 공급 상태를 유지함으로써, 농도 센서(54)에 의해 처리액의 농도를 정상적으로 계측할 수 없는 경우에도 기판(8)의 액처리를 계속해서 행할 수 있다. 이에 의해, 보다 많은 기판(8)을 양호하게 액처리할 수 있다. As described above, even when the concentration of the treatment liquid can not be measured normally by the concentration sensor 54 by maintaining the supply state of the treatment liquid and the diluting liquid at the time of the abnormal treatment at the time of the abnormal treatment, It can be continued. Thereby, it is possible to satisfactorily carry out the liquid processing of more substrates 8.

그 후, 제어부(7)는, 기판(8)의 액처리를 종료할지의 여부를 판단한다(액처리 종료 판단 단계 S13). 이 액처리 종료 판단 단계 S13에서는, 제어부(7)는, 내장하는 타이머에 의해 기판(8)을 처리액에 침지시킨 시간을 계측하여, 미리 정해진 시간 이상 경과하고 있는 경우에는 기판(8)의 액처리를 종료한다고 판단하고, 한편, 미리 정해진 시간 이상 경과하지 않은 경우에는 전술한 공급 상태 유지 단계 S12로 되돌아간다. 이상 처리에 있어서는, 기판(8)의 액처리가 종료될 때까지 공급 상태 유지 단계 S12에 있어서의 처리액 및 희석액의 공급 상태를 계속 유지한다.Thereafter, the control unit 7 determines whether or not the liquid processing of the substrate 8 is to be terminated (liquid processing end determination step S13). In this liquid process termination determination step S13, the control unit 7 measures the time in which the substrate 8 is immersed in the process liquid by the built-in timer, and when the elapse of the predetermined time or longer, It is determined that the process has ended. On the other hand, when the predetermined period of time has not elapsed, the process returns to the supply state maintenance step S12 described above. In the abnormal processing, the supply state of the processing liquid and the diluting liquid in the supplying state maintaining step S12 is maintained until the liquid processing of the substrate 8 is terminated.

한편, 대기압 판단 단계 S11에서 대기압이 제2 미리 정해진 범위 외라고 판단한 경우, 제어부(7)는, 액처리부(38)에서의 기판(8)의 액처리를 강제적으로 중단하고(처리 중단 단계 S14), 액처리를 종료한다. 이와 같이, 제어부(7)는, 이상 처리시에 대기압이 제2 미리 정해진 범위 외인 경우, 전술한 공급 상태 유지 단계 S12를 실행하여 기판(8)의 액처리를 계속해서 행해도 기판(8)을 양호하게 처리할 수 없다(처리 불량이 발생한다)고 판단하여, 기판(8)의 액처리를 종료한다. 이에 의해, 기판(8)을 쓸데없이 액처리하는 시간을 생략할 수 있다. 특히, 정상 처리시에 있어서의 대기압의 제1 미리 정해진 범위보다 이상 처리시에 있어서의 대기압의 제2 미리 정해진 범위를 좁게 함으로써, 보다 엄격한 조건으로 이상 처리(공급 상태 유지)를 속행할 수 있어, 보다 한층 기판(8)을 쓸데없이 액처리하는 시간을 생략할 수 있다. On the other hand, when it is determined that the atmospheric pressure is out of the second predetermined range in the atmospheric pressure determination step S11, the control unit 7 forcibly stops the solution processing of the substrate 8 in the solution processing unit 38 (processing stop step S14) , And the liquid process is terminated. As described above, when the atmospheric pressure is out of the second predetermined range at the time of the abnormal processing, the controller 7 executes the supply state maintaining step S12 described above to continue the liquid processing of the substrate 8, It is judged that the processing can not be performed satisfactorily (processing failure occurs), and the liquid processing of the substrate 8 is terminated. Thereby, it is possible to omit the time for liquid processing the substrate 8 unnecessarily. In particular, since the second predetermined range of the atmospheric pressure at the time of abnormal processing is narrower than the first predetermined range of the atmospheric pressure at the time of normal processing, the abnormal processing (supply state maintenance) can be continued under more severe conditions, It is possible to omit the time for further performing the liquid processing of the substrate 8 in a useless manner.

한편, 기판 액처리 장치(1)는, 이상 처리시에 오퍼레이터에게 통지하여, 오퍼레이터가 이상 처리된 기판(8)의 처리 상태를 확인할 수 있도록 하고 있다.On the other hand, the substrate liquid processing apparatus 1 notifies the operator of the abnormality processing so that the operator can check the processing state of the substrate 8 which has been subjected to the error processing.

이상으로 설명한 바와 같이, 기판 액처리 장치(1)에서는, 액처리부(38)에서 기판(8)의 처리 중에 희석액으로 희석된 처리액의 농도를 농도 계측부[농도 센서(54)]에 의해 정상적으로 계측할 수 없다고 판단한 경우, 미리 결정된 처리액 및 희석액의 공급 상태를 유지하도록 처리액 공급부(39) 및 희석액 공급부(40)를 제어한다. As described above, in the substrate liquid processing apparatus 1, the concentration of the treatment liquid diluted with the diluting liquid during the treatment of the substrate 8 in the liquid treating unit 38 is measured normally by the concentration measuring unit (concentration sensor 54) The process liquid supply section 39 and the diluent liquid supply section 40 are controlled so as to maintain the predetermined processing liquid and the supply state of the diluted liquid.

그 때문에, 기판 액처리 장치(1)에서는, 농도 계측부[농도 센서(54)]의 고장이나 배선의 절단이나 농도 센서(54)의 접액 부분의 더러워짐 등의 고장이나 이상 등에 의해 처리액의 농도를 정상적으로 계측할 수 없는 경우에도 기판(8)의 액처리를 계속해서 행할 수 있다. 종래와 같이 처리 중인 기판(8)을 전부 폐기해 버리는 경우에 비해, 보다 많은 기판(8)을 양호하게 액처리할 수 있기 때문에, 기판 액처리 장치(1)의 수율을 향상시킬 수 있다. 또한, 예비의 농도 계측부를 설치할 필요가 없기 때문에, 기판 액처리 장치(1)의 비용 상승을 초래하는 일도 없다.Therefore, in the substrate liquid processing apparatus 1, the concentration (concentration) of the treatment liquid is reduced due to a failure or an abnormality such as a failure of the concentration measurement unit (concentration sensor 54), disconnection of wiring, contamination of the contact portion of the concentration sensor 54, It is possible to continue the liquid processing of the substrate 8 even if it can not be normally measured. It is possible to improve the yield of the substrate liquid processing apparatus 1 because it is possible to satisfactorily perform liquid processing on a larger number of the substrates 8 than in the case where the substrate 8 being processed in the conventional manner is completely discarded. In addition, since it is not necessary to provide a preliminary concentration measuring section, the cost of the substrate liquid processing apparatus 1 is not increased.

1: 기판 액처리 장치 7: 제어부
8: 기판 38: 액처리부
39: 처리액 공급부 40: 희석액 공급부
54: 농도 센서(농도 계측부) 64: 대기압 센서(대기압 계측부)
1: substrate liquid processing apparatus 7: control unit
8: substrate 38:
39: Treatment liquid supply unit 40: Diluent supply unit
54: density sensor (concentration measuring section) 64: atmospheric pressure sensor (atmospheric pressure measuring section)

Claims (11)

기판 액처리 장치에 있어서,
기판을 희석액으로 희석된 처리액으로 처리하는 액처리부,
상기 처리액을 공급하는 처리액 공급부,
상기 처리액을 희석하기 위한 희석액을 공급하는 희석액 공급부,
상기 희석액으로 희석된 처리액의 농도를 계측하는 농도 계측부, 및
상기 농도 계측부에 의해 계측한 상기 희석액으로 희석된 처리액의 농도에 따라 상기 처리액 공급부 및 희석액 공급부를 제어하는 제어부
를 포함하고,
상기 제어부는, 상기 액처리부에서 상기 기판의 처리 중에 상기 농도 계측부에 의해 상기 처리액의 농도를 정상적으로 계측할 수 없다고 판단한 경우, 상기 처리액 및 희석액의 공급 상태를 미리 결정된 공급 상태로 유지하도록 상기 처리액 공급부 및 희석액 공급부를 제어하여, 상기 액처리부에서의 상기 기판의 처리를 계속하는 것을 특징으로 하는, 기판 액처리 장치.
A substrate liquid processing apparatus comprising:
A liquid processing section for processing the substrate with a processing solution diluted with a diluting liquid,
A treatment liquid supply unit for supplying the treatment liquid,
A diluting liquid supply unit for supplying a diluting liquid for diluting the treatment liquid,
A concentration measuring section for measuring the concentration of the treatment liquid diluted with the diluent, and
And a control section for controlling the treatment liquid supply section and the diluent liquid supply section according to the concentration of the treatment liquid diluted by the diluent measured by the concentration measuring section
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Wherein when the liquid processing section determines that the concentration of the processing liquid can not normally be measured by the concentration measurement section during processing of the substrate, the control section performs the processing to maintain the supply state of the processing liquid and the diluting liquid in a predetermined supply state The liquid supply unit and the diluent supply unit are controlled to continue the processing of the substrate in the liquid processing unit.
제1항에 있어서, 상기 미리 결정된 공급 상태는,
(1) 상기 농도 계측부에 의해 상기 처리액의 농도를 정상적으로 계측할 수 없다고 판단한 시점보다 이전의 상기 처리액 및 희석액과 동일한 공급량으로 상기 처리액 및 희석액을 공급하는 상태,
(2) 상기 농도 계측부에 의해 상기 처리액의 농도를 정상적으로 계측할 수 없다고 판단한 시점보다 이전의 미리 정해진 기간에서의 평균한 상기 처리액 및 희석액의 공급량으로 상기 처리액 및 희석액을 공급하는 상태,
(3) 상기 농도 계측부에 의해 상기 처리액의 농도를 정상적으로 계측할 수 없다고 판단한 시점보다 이전의 미리 정해진 기간에서 변동하는 상기 처리액 및 희석액의 공급량으로 상기 처리액 및 희석액을 변동시켜 공급하는 상태
중 어느 하나인 것을 특징으로 하는, 기판 액처리 장치.
2. The method of claim 1,
(1) a state in which the treatment liquid and the diluting liquid are supplied at the same supply amount as that of the treatment liquid and the diluting liquid before the time when the concentration measuring unit determines that the concentration of the treatment liquid can not be normally measured,
(2) a state in which the treatment liquid and the diluting liquid are supplied to the supply amounts of the treatment liquid and the diluting liquid averaged in a predetermined period before the time when the concentration measuring section determines that the concentration of the treatment liquid can not be normally measured,
(3) a state in which the treatment liquid and the diluting liquid are varied and supplied to the supply amounts of the treatment liquid and the diluting liquid varying in a predetermined period before the time when the concentration measuring unit determines that the concentration of the treatment liquid can not be normally measured
The substrate liquid processing apparatus comprising:
제1항 또는 제2항에 있어서, 대기압을 계측하는 대기압 계측부를 더 갖고,
상기 제어부는, 상기 대기압 계측부에 의해 계측한 대기압이 미리 정해진 범위 내인 경우, 상기 기판의 처리 중에 있어서의 상기 처리액 및 희석액의 공급 상태를 유지하고, 상기 대기압 계측부에 의해 계측한 대기압이 미리 정해진 범위 외인 경우, 상기 액처리부에서의 상기 기판의 처리를 중단하도록 제어하는 것을 특징으로 하는, 기판 액처리 장치.
3. The apparatus according to claim 1 or 2, further comprising an atmospheric pressure measuring unit for measuring an atmospheric pressure,
Wherein when the atmospheric pressure measured by the atmospheric pressure metering section is within a predetermined range, the control section maintains the supply state of the treatment liquid and the diluting liquid during the processing of the substrate, and the atmospheric pressure measured by the atmospheric pressure metering section falls within a predetermined range And controls the liquid processing unit to stop the processing of the substrate when the temperature of the substrate is outside the predetermined range.
제3항에 있어서, 상기 제어부는,
상기 농도 계측부에 의해 상기 희석액으로 희석된 처리액의 농도를 정상적으로 계측할 수 있는 경우, 상기 대기압 계측부에 의해 계측한 대기압이 제1 미리 정해진 범위 내일 때와 제1 미리 정해진 범위 외일 때에서 상이한 처리를 행하고,
상기 농도 계측부에 의해 상기 처리액의 농도를 정상적으로 계측할 수 없는 경우, 상기 대기압 계측부에 의해 계측한 대기압이 제2 미리 정해진 범위 내일 때에 상기 기판의 처리 중에 있어서의 상기 처리액 및 희석액의 공급 상태를 유지하고, 상기 대기압 계측부에 의해 계측한 대기압이 제2 미리 정해진 범위 외일 때에, 상기 액처리부에서의 상기 기판의 처리를 중단하며,
상기 제1 미리 정해진 범위보다 제2 미리 정해진 범위를 좁은 범위로 한 것을 특징으로 하는, 기판 액처리 장치.
The apparatus of claim 3,
When the concentration of the treatment liquid diluted with the diluting liquid can be normally measured by the concentration measuring unit, different treatments are performed when the atmospheric pressure measured by the atmospheric pressure measuring unit is within the first predetermined range and when the concentration is outside the first predetermined range However,
Wherein when the concentration of the treatment liquid is not normally measured by the concentration measurement unit and the atmospheric pressure measured by the atmospheric pressure measurement unit is within the second predetermined range, And when the atmospheric pressure measured by the atmospheric pressure measuring section is out of a second predetermined range, the processing of the substrate in the liquid processing section is stopped,
Wherein the first predetermined range is set to a narrower range than the first predetermined range.
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 희석액은, 상기 처리액의 가열에 의해 증발되는 수분을 보충하는 순수(純水)인 것을 특징으로 하는, 기판 액처리 장치. The substrate liquid processing apparatus according to claim 1 or 2, wherein the diluting liquid is pure water that replenishes water evaporated by heating the processing liquid. 기판 액처리 방법에 있어서,
액처리부에서 희석액으로 희석된 처리액을 이용하여 기판을 처리하고, 상기 기판의 처리 중에 상기 희석액으로 희석된 처리액의 농도를 정상적으로 계측할 수 없게 된 경우에, 상기 처리액 및 희석액의 공급 상태를 미리 결정된 공급 상태로 유지하여, 상기 액처리부에서의 상기 기판의 처리를 계속하는 것을 특징으로 하는, 기판 액처리 방법.
A method for processing a substrate liquid,
The substrate is treated with the diluting solution diluted in the diluting liquid in the liquid processing section and the concentration of the diluting liquid diluted with the diluting liquid can not be normally measured during the processing of the substrate, And the processing of the substrate in the liquid processing section is continued by maintaining the predetermined supply state.
제6항에 있어서, 상기 미리 결정된 공급 상태는,
(1) 농도 계측부에 의해 상기 처리액의 농도를 정상적으로 계측할 수 없다고 판단한 시점보다 이전의 상기 처리액 및 희석액과 동일한 공급량으로 상기 처리액 및 희석액을 공급하는 상태,
(2) 상기 농도 계측부에 의해 상기 처리액의 농도를 정상적으로 계측할 수 없다고 판단한 시점보다 이전의 미리 정해진 기간에서의 평균한 상기 처리액 및 희석액의 공급량으로 상기 처리액 및 희석액을 공급하는 상태,
(3) 상기 농도 계측부에 의해 상기 처리액의 농도를 정상적으로 계측할 수 없다고 판단한 시점보다 이전의 미리 정해진 기간에서 변동하는 상기 처리액 및 희석액의 공급량으로 상기 처리액 및 희석액을 변동시켜 공급하는 상태
중 어느 하나인 것을 특징으로 하는, 기판 액처리 방법.
7. The method of claim 6,
(1) a state in which the treatment liquid and the diluting liquid are supplied to the same supply amount as that of the treatment liquid and the diluting liquid before the time when it is determined by the concentration measuring unit that the concentration of the treatment liquid can not be normally measured,
(2) a state in which the treatment liquid and the diluting liquid are supplied to the supply amounts of the treatment liquid and the diluting liquid averaged in a predetermined period before the time when the concentration measuring section determines that the concentration of the treatment liquid can not be normally measured,
(3) a state in which the treatment liquid and the diluting liquid are varied and supplied to the supply amounts of the treatment liquid and the diluting liquid varying in a predetermined period before the time when the concentration measuring unit determines that the concentration of the treatment liquid can not be normally measured
And the substrate is a liquid.
제6항 또는 제7항에 있어서, 대기압을 계측하여, 대기압이 미리 정해진 범위 내인 경우, 상기 기판의 처리 중에 있어서의 상기 처리액 및 희석액의 공급 상태를 유지하고, 대기압이 미리 정해진 범위 외인 경우, 상기 액처리부에서의 상기 기판의 처리를 중단하는 것을 특징으로 하는, 기판 액처리 방법. 8. The method according to claim 6 or 7, wherein the atmospheric pressure is measured, and when the atmospheric pressure is within a predetermined range, the supply state of the processing liquid and the diluting liquid during the processing of the substrate is maintained. When the atmospheric pressure is outside the predetermined range, And stops the processing of the substrate in the liquid processing section. 제8항에 있어서, 상기 희석액으로 희석된 처리액의 농도를 정상적으로 계측할 수 있는 경우, 대기압이 제1 미리 정해진 범위 내일 때와 제1 미리 정해진 범위 외일 때에서 상이한 처리를 행하고,
상기 희석액으로 희석된 처리액의 농도를 정상적으로 계측할 수 없는 경우, 대기압이 제2 미리 정해진 범위 내일 때에 상기 기판의 처리 중에 있어서의 상기 처리액 및 희석액의 공급 상태를 유지하고, 대기압이 제2 미리 정해진 범위 외일 때에, 상기 액처리부에서의 상기 기판의 처리를 중단하며,
상기 제1 미리 정해진 범위보다 제2 미리 정해진 범위를 좁은 범위로 한 것을 특징으로 하는, 기판 액처리 방법.
The method according to claim 8, wherein when the concentration of the diluted treatment liquid can be normally measured, different treatments are performed when the atmospheric pressure is within the first predetermined range and outside the first predetermined range,
Wherein when the atmospheric pressure is within the second predetermined range when the concentration of the processing solution diluted with the diluting solution can not be normally measured, the supply state of the processing solution and the diluting solution during the processing of the substrate is maintained, The processing of the substrate in the liquid processing section is stopped when the liquid processing section is out of the predetermined range,
Wherein the first predetermined range is set to a narrower range than the first predetermined range.
제6항 또는 제7항에 있어서, 상기 희석액은, 상기 희석액으로 희석된 처리액의 가열에 의해 증발되는 수분을 보충하는 순수인 것을 특징으로 하는, 기판 액처리 방법. The method according to claim 6 or 7, wherein the diluting liquid is pure water that replenishes the water evaporated by the heating of the diluting liquid diluted with the diluting liquid. 기판 액처리 장치를 이용하여 기판 액처리 방법을 실행시키는 기판 액처리 프로그램을 기억한 컴퓨터 판독 가능한 기억 매체에 있어서,
상기 기판 액처리 장치는,
기판을 희석액으로 희석된 처리액으로 처리하는 액처리부,
상기 처리액을 공급하는 처리액 공급부,
상기 처리액을 희석하기 위한 희석액을 공급하는 희석액 공급부,
상기 희석액으로 희석된 처리액의 농도를 계측하는 농도 계측부
를 포함하고,
상기 액처리부에서 상기 기판의 처리 중에 상기 농도 계측부에 의해 상기 처리액의 농도를 정상적으로 계측할 수 없다고 판단한 경우, 상기 처리액 및 희석액의 공급 상태를 미리 결정된 공급 상태로 유지하도록 상기 처리액 공급부 및 희석액 공급부를 제어하여, 상기 액처리부에서의 상기 기판의 처리를 계속하는 것을 특징으로 하는, 기판 액처리 프로그램을 기억한 컴퓨터 판독 가능한 기억 매체.
A computer-readable storage medium storing a substrate liquid processing program for executing a substrate liquid processing method using a substrate liquid processing apparatus,
The substrate liquid processing apparatus includes:
A liquid processing section for processing the substrate with a processing solution diluted with a diluting liquid,
A treatment liquid supply unit for supplying the treatment liquid,
A diluting liquid supply unit for supplying a diluting liquid for diluting the treatment liquid,
A concentration measuring section for measuring the concentration of the treatment liquid diluted with the diluent;
Lt; / RTI >
Wherein when the concentration of the treatment liquid is not normally measured by the concentration measuring unit during the processing of the substrate by the liquid processing unit, the supply of the treatment liquid and the diluting liquid may be maintained at a predetermined supply state, And a controller for controlling the supply unit to continue the processing of the substrate in the liquid processing unit.
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