KR20160115588A - Display device and method for manufacturing the same - Google Patents
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Abstract
Description
본 출원은 디스플레이 장치 및 이의 제조방법에 관한 것이다.The present application relates to a display device and a method of manufacturing the same.
일반적으로, 일반적으로 액정 표시 장치는 매트릭스(matrix) 형태로 배열된 화소들에 화상정보에 따른 데이터 신호를 개별적으로 공급하여, 그 화소들의 광투과율을 조절함으로써 원하는 화상을 표시할 수 있도록 한 표시장치이다.2. Description of the Related Art Generally, in general, a liquid crystal display (LCD) device displays a desired image by controlling a light transmittance of a pixel by individually supplying data signals according to image information to pixels arranged in a matrix form, to be.
따라서, 액정 표시 장치에는 화소들이 매트릭스 형태로 배열되는 액정 패널과 상기 화소들을 구동하기 위한 구동부가 구비된다.Accordingly, a liquid crystal display device includes a liquid crystal panel in which pixels are arranged in a matrix form, and a driver for driving the pixels.
상기 액정 패널은 서로 대향하여 균일한 셀갭(cell gap)이 유지되도록 합착된 박막 트랜지스터 어레이(thin film transistor array) 기판과 컬러필터(color filter) 기판 및 상기 어레이 기판과 컬러필터 기판 사이의 셀갭 내에 형성된 액정층(liquid crystal layer)으로 구성된다.The liquid crystal panel includes a thin film transistor array substrate and a color filter substrate bonded to each other so as to maintain a uniform cell gap, and a liquid crystal layer formed in a cell gap between the array substrate and the color filter substrate. And a liquid crystal layer.
이 때, 상기 어레이 기판과 컬러필터 기판이 합착된 액정 패널에는 공통전극과 화소전극이 형성되어 상기 액정층에 전계를 인가한다.At this time, a common electrode and a pixel electrode are formed on the liquid crystal panel in which the array substrate and the color filter substrate are bonded together to apply an electric field to the liquid crystal layer.
따라서, 상기 공통전극에 전압이 인가된 상태에서 상기 화소전극에 인가되는 데이터신호의 전압을 제어하게 되면, 상기 액정층의 액정은 상기 공통전극과 화소전극 사이의 전계에 따라 유전 이방성에 의해 회전함으로써 화소별로 빛을 투과시키거나 차단시켜 문자나 화상을 표시하게 된다.Therefore, when the voltage of the data signal applied to the pixel electrode is controlled while the voltage is applied to the common electrode, the liquid crystal of the liquid crystal layer is rotated by dielectric anisotropy according to the electric field between the common electrode and the pixel electrode And a character or an image is displayed by transmitting or blocking light for each pixel.
또한, 유기 발광 소자는 2개의 전극으로부터 유기물층에 전자 및 정공을 주입하여 전류를 가시광으로 변환시킨다. 유기 발광 소자는 2층 이상의 유기물층을 포함하는 다층 구조를 가질 수 있다. 예컨대, 유기 발광 소자는 발광층 이외에, 필요에 따라 전자 또는 정공 주입층, 전자 또는 정공 차단층, 또는 전자 또는 정공 수송층을 더 포함할 수 있다.Further, the organic light emitting element injects electrons and holes into the organic material layer from the two electrodes to convert the electric current into visible light. The organic light emitting device may have a multi-layer structure including two or more organic layers. For example, in addition to the light emitting layer, the organic light emitting device may further include an electron or hole injection layer, an electron or hole blocking layer, or an electron or hole transporting layer, if necessary.
당 기술분야에서는, 상기 다양한 방식의 디스플레이 장치의 성능 향상을 위한 기술 개발이 요구되고 있다.There is a need in the art to develop a technique for improving the performance of the above-described various display devices.
본 출원의 일 실시상태는,In one embodiment of the present application,
기재; 및materials; And
상기 기재 상의 적어도 일부에 구비되고, 도전성층 및 상기 도전성층의 적어도 일 면에 구비된 암색화층을 포함하는 전극 구조체An electrode structure provided on at least a part of the substrate and including a conductive layer and a darkening layer provided on at least one surface of the conductive layer,
를 포함하는 디스플레이 장치를 제공한다.And a display device.
본 출원의 일 실시상태에 따른 디스플레이 장치는, 도전성층의 전도도에 영향을 미치지 않으면서도 외부 광원에 의한 도전층의 반사를 저감시킬 수 있고, 흡광도를 향상시킴으로써 도전층의 은폐성을 향상시킬 수 있다. 이에 따라, 본 출원의 일 실시상태에 따른 디스플레이 장치를 이용하여, 시인성이 개선된 액정 표시 장치, 유기 발광 소자 등의 디스플레이 장치를 개발할 수 있다.The display device according to one embodiment of the present application can reduce the reflection of the conductive layer by the external light source without affecting the conductivity of the conductive layer and can improve the concealability of the conductive layer by improving the absorbance . Accordingly, a display device such as a liquid crystal display device or an organic light emitting device having improved visibility can be developed using a display device according to one embodiment of the present application.
도 1 내지 도 3은 각각 본 출원의 일 실시상태에 따른 디스플레이 장치를 개략적으로 나타낸 도이다.
도 4는 본 출원의 일 실시상태로서, 실시예 1에 따른 전극 구조체의 전반사율을 나타낸 도이다.
도 5는 본 출원의 일 실시상태로서, 실시예 2에 따른 전극 구조체의 전반사율을 나타낸 도이다.
도 6은 본 출원의 일 실시상태로서, 비교예 1에 따른 전극 구조체의 전반사율을 나타낸 도이다.1 to 3 are schematic views of a display device according to an embodiment of the present application.
4 is a diagram showing the total reflectance of the electrode structure according to the first embodiment as one embodiment of the present application.
5 is a diagram showing the total reflectance of the electrode structure according to the second embodiment as one embodiment of the present application.
6 is a diagram showing the total reflectance of an electrode structure according to Comparative Example 1 as one embodiment of the present application.
이하 본 출원을 보다 상세히 설명한다.The present application will be described in more detail below.
본 명세서에서, 디스플레이 장치란 TV나 컴퓨터용 모니터 등을 통틀어 일컫는 말로서, 화상을 형성하는 디스플레이 소자 및 디스플레이 소자를 지지하는 케이스를 포함한다.In this specification, the term " display device " refers to a television, a computer monitor, or the like, and includes a display element for forming an image and a case for supporting the display element.
상기 디스플레이 장치로는 플라즈마 디스플레이 패널(Plasma Display Panel, PDP), 액정 표시 장치(Liquid Crystal Display Device, LCD), 전기영동 디스플레이(Electrophoretic display) 및 음극선관(Cathode-Ray Tube, CRT), 유기 발광 소자 등을 예로 들 수 있다. 디스플레이 장치에는 화상 구현을 위한 RGB 화소 패턴 및 추가적인 광학 필터가 구비되어 있을 수 있다.Examples of the display device include a plasma display panel (PDP), a liquid crystal display device (LCD), an electrophoretic display, a cathode ray tube (CRT) And the like. The display device may be provided with an RGB pixel pattern for image implementation and an additional optical filter.
종래의 디스플레이 장치에서는 빛의 반사, 빛샘 현상 등을 방지하기 위하여, 블랙 매트릭스(black matrix)가 적용되어 왔다. 상기 블랙 매트릭스로는 크롬 산화물, 고분자 수지 등이 사용될 수 있는데, 환경적인 문제로 상기 크롬 산화물은 줄어드는 추세이다.In a conventional display device, a black matrix has been applied to prevent light reflection, light leakage, and the like. As the black matrix, chromium oxide, a polymer resin, or the like can be used, and the chromium oxide tends to be reduced due to environmental problems.
최근에는, 컬러필터를 박막 트랜지스터와 함께 어레이 기판에 형성한 컬러필터 온 박막 트랜지스터(Color Filter on TFT Array, COT 또는 COA)라는 구조를 도입함으로써, 전술한 블랙 매트릭스를 사용하지 않는 구조가 개발되고 있다. 상기 블랙 매트릭스를 사용하지 않는 구조의 도입에 의하여, 디스플레이 장치의 투과율 향상, 휘도 향상, 백라이트 효율성 개선 등의 효과를 얻을 수 있다. 그러나, 상기 블랙 매트릭스를 사용하지 않는 구조의 경우에는 디스플레이 장치 내에 포함되는 금속 전극이 노출될 수 있는 영역이 많아져서, 상기 금속 전극의 색상 및 반사 특성으로 인한 문제점이 발생하게 된다. 특히, 최근에는 디스플레이 장치가 대형화되고, 해상도가 증가하였으므로, 전술한 디스플레이 장치 내에 포함되는 금속 전극에 의한 반사, 색상 특성을 저감시킬 수 있는 기술이 요구되고 있다.Recently, a structure that does not use the above-mentioned black matrix has been developed by introducing a structure called a color filter on TFT array (COT or COA) in which a color filter is formed on an array substrate together with a thin film transistor . By introducing a structure that does not use the black matrix, it is possible to obtain the effects of improving the transmittance of the display device, improving the luminance, and improving the backlight efficiency. However, in the case of the structure not using the black matrix, the number of regions in which the metal electrodes included in the display device can be exposed is increased, which causes problems due to the hue and reflection characteristics of the metal electrodes. Particularly, in recent years, since a display device has been increased in size and resolution has been increased, a technique for reducing reflection and color characteristics due to a metal electrode included in the display device has been demanded.
이에 본 출원에서는, 상기 블랙 매트릭스를 다른 재료, 구조 등으로 대체하거나, 블랙 매트릭스를 사용하지 않는 구조에서, 디스플레이 장치 내 포함될 수 있는 금속 전극의 반사율을 저감시킬 수 있고, 색상 특성을 뉴트럴(neutral)하게 완화시킬 수 있는 기술을 제공하고자 한다.Thus, in the present application, it is possible to reduce the reflectance of a metal electrode that can be included in a display device, and to provide a neutral color characteristic in a structure in which the black matrix is replaced with another material, structure, or the like, To provide a technology that can be relaxed.
본 출원의 일 실시상태에 따른 디스플레이 장치는, 기재; 및 상기 기재 상의 적어도 일부에 구비되고, 도전성층 및 상기 도전성층의 적어도 일 면에 구비된 암색화층을 포함하는 전극 구조체를 포함하는 것을 특징으로 한다.A display device according to an embodiment of the present application includes: a substrate; And an electrode structure provided on at least a part of the substrate, the electrode structure including a conductive layer and a darkening layer provided on at least one surface of the conductive layer.
여기서, 상기 암색화층은 도전성층의 상부면 및 하부면 중 어느 한 면에만 구비될 수 있고, 양면 모두에 구비될 수 있다.Here, the darkening layer may be provided on only one of the upper and lower surfaces of the conductive layer, and may be provided on both sides.
본 발명자들은, 금속과 같은 도전성층을 포함하는 디스플레이 장치에 있어서, 상기 도전성층의 시인성은 상기 도전성층에 의한 광반사 및 회절 특성이 주요한 영향을 미친다는 사실을 밝혀내었으며, 이를 개선하고자 하였다.The present inventors have found that, in a display device including a conductive layer such as a metal, the visibility of the conductive layer has a major influence on the light reflection and diffraction characteristics of the conductive layer.
본 출원의 일 실시상태에 따른 디스플레이 장치에서, 도전성층의 반사도를 낮추고 흡광도 특성을 개선하기 위하여, 도전성층의 적어도 일 면에 암색화층을 도입할 수 있다. 상기 암색화층은 디스플레이 장치 내 도전성층의 적어도 일면에 구비됨으로써 상기 도전성층의 높은 반사도에 따른 시인성 저하문제를 크게 개선시킬 수 있다.In the display device according to one embodiment of the present application, a darkening layer may be introduced on at least one side of the conductive layer in order to lower the reflectivity of the conductive layer and improve the absorbance characteristic. Since the dark coloring layer is provided on at least one side of the conductive layer in the display device, the problem of lowering the visibility due to the high reflectivity of the conductive layer can be greatly improved.
구체적으로, 상기 암색화층은 흡광성을 가지기 때문에 도전성층 자체로 입사되는 빛과 도전성층으로부터 반사되는 빛의 양을 감소시킴으로써 도전성층에 의한 반사도를 낮출 수 있다. 또한, 상기 암색화층은 도전성층에 비하여 낮은 반사도를 가질 수 있다. 이에 의하여, 사용자가 직접 도전성층을 바라보는 경우에 비하여 빛의 반사도를 낮출 수 있으므로, 도전성층의 시인성을 크게 개선시킬 수 있다.Specifically, since the darkened layer has absorbency, the amount of light incident on the conductive layer itself and the amount of light reflected from the conductive layer are reduced, thereby reducing the reflectivity of the conductive layer. In addition, the darkening layer may have a lower reflectivity than the conductive layer. Thus, the reflectivity of light can be lowered as compared with the case where the user directly looks at the conductive layer, so that the visibility of the conductive layer can be greatly improved.
본 명세서에서, 상기 암색화층은 흡광성을 가져서 도전성층 자체로 입사되는 빛과 도전성층으로부터 반사되는 빛의 양을 감소시킬 수 있는 층을 의미하는 것으로서, 암색화층은 흡광성층, 흑화층, 흑화성층, 반사저감층, 저반사층 등의 용어로 표현될 수 있다.In the present specification, the darkening layer means a layer capable of absorbing light and reducing the amount of light incident on the conductive layer itself and the amount of light reflected from the conductive layer. The darkening layer has a light absorbing layer, a blackening layer, , A reflection reduction layer, a low reflection layer, and the like.
본 출원의 일 실시상태에서, 상기 암색화층은 도전성층과 기재 사이에 구비되고, 상기 기재의 암색화층이 구비되는 면의 반대면 방향에서 측정한 전반사율이 20% 이하일 수 있고, 15% 이하일 수 있으며, 10% 이하일 수 있고, 5% 이하일 수 있다.In one embodiment of the present application, the darkening layer is provided between the conductive layer and the substrate, and may have a total reflectance of 20% or less as measured in a direction opposite to the surface on which the darkening layer is provided, and may be 15% , Which may be less than or equal to 10%, and less than or equal to 5%.
본 출원의 일 실시상태에서, 상기 기재, 도전성층 및 암색화층이 순차적으로 구비되고, 상기 암색화층의 도전성층이 구비되는 면의 반대면 방향에서 측정한 전반사율이 20% 이하일 수 있고, 15% 이하일 수 있으며, 10% 이하일 수 있고, 5% 이하일 수 있다.In one embodiment of the present application, the substrate, the conductive layer, and the coloring layer are sequentially provided, and the total reflectance measured in the opposite surface direction of the surface of the darkening layer on which the conductive layer is provided may be 20% Or less, and may be 10% or less, and may be 5% or less.
본 명세서에 있어서, 상기 전반사율은 측정하고자 하는 면의 반대면을 검은층(perfect black)으로 처리한 후, 측정하고자 하는 면에 90도로 입사한 파장 300 ~ 800nm, 구체적으로 380 ~ 780nm, 더욱 구체적으로 550nm의 빛에 대한 반사율을 의미한다.In this specification, the total reflectance is obtained by treating the opposite surface of the surface to be measured with a perfect black, then irradiating the surface to be measured at a wavelength of 300 to 800 nm, specifically 380 to 780 nm, Reflectance of light at 550 nm.
상기 전반사율은 입사광을 100%로 하였을 때 광이 입사한 대상층 또는 적층체에 의하여 반사된 반사광 중 파장 550nm의 값을 기준으로 측정한 값이 바람직하며, 이는 550nm의 파장의 전반사율이 통상적으로 전체적인 전반사율과 크게 다르지 않기 때문이다. 예컨대, 기재 상에 상기 암색화층을 구성하는 재료를 증착법, 예컨대 스퍼터링 방법, CVD(chemical vapor deposition)법, 열증착(thermal evaporation)법, 전자빔(ebeam) 증착법 등의 방법을 이용하여 전면 암색화층을 형성한 후, 공기측으로부터 입사된 가시광선의 반사율(550nm)을 측정할 수 있다. 이 때, 상기 기재의 후면, 즉 상기 암색화층이 형성되지 않은 면에 전면 흑화처리를 실시함으로써, 기재 후면에서의 반사를 제거할 수 있다. 상기 기재로는 투명 기판을 사용할 수 있으나, 특별히 한정되지 않으며, 예컨대 유리, 플라스틱 기판, 플라스틱 필름 등을 사용할 수 있다.The total reflectance is preferably a value measured on the basis of a wavelength of 550 nm in the reflected light reflected by the target layer or the laminate on which the light is incident when the incident light is 100%. This is because the total reflectance of the wavelength of 550 nm is generally This is because it is not largely different from the total reflectance. For example, a material for forming the darkening layer may be formed on a substrate by a deposition method such as a sputtering method, a CVD (chemical vapor deposition) method, a thermal evaporation method, an electron beam (ebeam) The reflectance (550 nm) of the visible light incident from the air side can be measured. At this time, reflection on the rear surface of the substrate can be removed by performing the entire blackening treatment on the rear surface of the substrate, that is, the surface on which the darkened layer is not formed. The substrate may be a transparent substrate, but is not particularly limited, and for example, a glass substrate, a plastic substrate, a plastic film, or the like can be used.
본 출원의 일 실시상태에서, 상기 암색화층은 상기 도전성층과 접하는 제1면 및 상기 제1면에 대향하는 제2면을 포함할 수 있다. 상기 암색화층의 제2면 측에서 상기 디스플레이 장치의 전반사율을 측정하였을 때, 상기 디스플레이 장치의 전반사율(Rt)은 하기 수학식 1로 계산될 수 있다.In one embodiment of the present application, the darkening layer may include a first side in contact with the conductive layer and a second side opposite to the first side. When the total reflectance of the display device is measured on the second surface side of the matted layer, the total reflectance (Rt) of the display device can be calculated by the following equation (1).
[수학식 1][Equation 1]
전반사율(Rt) = 기재의 반사율 + 폐쇄율 × 암색화층의 반사율Total reflectance (Rt) = reflectance of base material + closure rate x reflectance of dark colored layer
또한, 상기 폐쇄율은 디스플레이 장치의 평면을 기준으로 도전성층에 의하여 덮이는 영역이 차지하는 면적 비율, 즉 (1 - 개구율)로 나타낼 수 있다.In addition, the closing rate can be expressed by the ratio of the area occupied by the conductive layer with respect to the plane of the display device, that is, (1 - aperture ratio).
본 명세서에 있어서, 상기 전극 구조체는 도전성층 및 암색화층이 각각 별개의 층으로서 적층되는 구조뿐만 아니라, 상기 도전성층 및 암색화층이 스퍼터링 등과 같은 증착공정을 통하여 순차적으로 증착된 다층 구조를 의미한다. 즉, 본 출원의 일 실시상태에 따른 구조체는 적층체, 다층구조체 등의 용어로도 표현될 수 있다.In this specification, the electrode structure refers to a multi-layer structure in which the conductive layer and the matted layer are deposited as separate layers, respectively, as well as the conductive layer and the matted layer are sequentially deposited through a deposition process such as sputtering. That is, the structure according to one embodiment of the present application can also be expressed in terms of a laminate, a multilayer structure, and the like.
본 출원의 일 실시상태에서, 상기 기재의 재료는 본 출원에 따른 디스플레이 장치를 적용하고자 하는 분야에 따라 적절하게 선택될 수 있으며, 바람직한 예로는 유리 또는 무기 재료 기판, 금속 기판, 플라스틱 기판 또는 필름 등이 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.In one embodiment of the present application, the material of the substrate may be appropriately selected according to the field to which the display device according to the present application is applied, and preferable examples thereof include a glass or inorganic material substrate, a metal substrate, a plastic substrate or a film But is not limited thereto.
본 출원의 일 실시상태에서, 상기 도전성층의 재료는 특별히 한정되지 않지만, 금속, 금속 합금, 투명 전도성 산화물, 투명 전도성 고분자 등을 1종 이상 포함할 수 있다. 상기 도전성층의 재료는 전도도가 우수하고, 식각(etching)이 용이한 재료일수록 바람직하다. 다만, 일반적으로 전도도가 우수한 재료는 반사율이 높은 단점이 있다. 그러나, 본 출원의 일 실시상태에서는, 상기 암색화층을 사용함으로써 반사율이 높은 재료를 이용하여 도전성층을 형성할 수 있다. 본 출원의 일 실시상태에서는 전반사율이 70% ~ 80% 이상인 재료를 이용하는 경우에도, 상기 암색화층을 통하여 반사율을 낮추고, 도전성층의 시인성을 낮추며, 콘트라스트 특성을 유지 또는 향상시킬 수 있다.In one embodiment of the present application, the material of the conductive layer is not particularly limited, but may include one or more metals, metal alloys, transparent conductive oxides, and transparent conductive polymers. The material of the conductive layer is preferably a material excellent in conductivity and easy to be etched. However, a material having excellent conductivity generally has a high reflectance. However, in one embodiment of the present application, by using the darkening layer, a conductive layer can be formed using a material having a high reflectance. In the embodiment of the present application, even when a material having a total reflectance of 70% to 80% or more is used, the reflectance can be lowered through the darkened layer, the visibility of the conductive layer can be lowered, and the contrast characteristic can be maintained or improved.
상기 도전성층의 재료의 구체적인 예로는 Ni, Cr, Fe, Co, Ti, V, Al, Au, Cu, Ag, Mo 및 이들의 합금 중 선택되는 1종 이상의 금속을 포함하는 단일막 또는 다층막일 수 있다. 또한, 상기 투명 전도성 산화물은 인듐 산화물, 아연 산화물, 인듐 주석 산화물, 인듐 아연 산화물 등을 1종 포함할 수 있으나, 이에만 한정되는 것은 아니다. 여기서, 상기 도전성층의 두께는 특별히 한정되는 것은 아니지만 0.01 ~ 10㎛인 것이 도전성층의 전도도 및 형성 공정의 경제성 측면에서 바람직하다.The material of the conductive layer may be a single film or a multilayer film containing at least one metal selected from Ni, Cr, Fe, Co, Ti, V, Al, Au, Cu, Ag, have. The transparent conductive oxide may include at least one of indium oxide, zinc oxide, indium tin oxide, and indium zinc oxide. However, the present invention is not limited thereto. Here, the thickness of the conductive layer is not particularly limited, but it is preferably 0.01 to 10 占 퐉 in terms of the conductivity of the conductive layer and the economical efficiency of the forming process.
상기 도전성층의 형성방법으로는 특별히 한정되지 않으며, 도전성층을 직접 인쇄방법에 의하여 형성할 수도 있고, 도전성층을 형성한 후 이를 패턴화하여 도전성 패턴으로 제조할 수도 있다.The method of forming the conductive layer is not particularly limited, and the conductive layer may be formed by a direct printing method, or may be formed into a conductive pattern by forming the conductive layer and patterning the conductive layer.
상기 도전성층을 인쇄방법에 의하여 형성하는 경우, 도전성 재료의 잉크 혹은 페이스트를 이용할 수 있으며, 상기 페이스트는 도전성 재료 이외에, 바인더 수지, 용매 또는 글래스 프릿 등을 더 포함할 수도 있다.When the conductive layer is formed by a printing method, an ink or paste of a conductive material may be used, and the paste may further include a binder resin, a solvent, glass frit, or the like in addition to the conductive material.
상기 도전성층을 형성한 후 이를 패턴화하는 경우 에칭 레지스트(Etching resist) 특성을 갖는 재료를 이용할 수 있다.When the conductive layer is formed and then patterned, a material having an etching resist property may be used.
상기 도전성층은 증착, 스퍼터링, 습식 코팅, 증발, 전해 도금 또는 무전해 도금, 금속박의 라미네이션 등의 방법에 의하여 형성할 수 있다. 또한, 상기 도전성층의 형성방법으로서 유기 금속, 나노 금속 또는 이들의 복합체 용액을 기재 상에 코팅한 후, 소성 및/또는 건조에 의하여 전도도를 부여하는 방법을 이용할 수도 있다. 상기 유기 금속으로는 유기 은을 사용할 수 있으며, 상기 나노 금속으로는 나노 은 입자 등을 사용할 수 있다.The conductive layer may be formed by a method such as vapor deposition, sputtering, wet coating, evaporation, electroplating or electroless plating, or metal foil lamination. As a method of forming the conductive layer, a method may be used in which a solution of an organic metal, a nano metal, or a complex thereof is coated on a substrate, and then conductivity is given by baking and / or drying. As the organic metal, organic silver may be used, and as the nano metal, nano silver particles and the like may be used.
상기 도전성층의 패턴화는 에칭 레지스트 패턴을 이용한 방법을 이용할 수 있다. 에칭 레지스트 패턴은 인쇄법, 포토리소그래피법, 포토그래피법, 마스크를 이용한 방법 또는 레이져 전사, 예컨대, 열 전사 이미징(thermal transfer imaging) 등을 이용하여 형성할 수 있으며, 인쇄법 또는 포토리소그래피법이 더욱 바람직하다. 상기 에칭 레지스트 패턴을 이용하여 상기 도전성층을 에칭하고, 상기 에칭 레지스트 패턴은 제거할 수 있다.As the patterning of the conductive layer, a method using an etching resist pattern can be used. The etching resist pattern can be formed by a printing method, a photolithography method, a photolithography method, a method using a mask, or a laser transfer method, for example, thermal transfer imaging, and a printing method or a photolithography method desirable. The conductive layer may be etched using the etching resist pattern, and the etching resist pattern may be removed.
상기 도전성층은 선폭이 10㎛ 이하일 수 있고, 0.1 내지 10㎛일 수 있으며, 0.2 내지 8㎛일 수 있고, 5㎛ 이하일 수 있다. 상기 도전성층의 두께는 10㎛ 이하일 수 있고, 바람직하게는 2㎛ 이하일 수 있으며, 10 ~ 300nm일 수 있다.The conductive layer may have a line width of 10 mu m or less, may be 0.1 to 10 mu m, may be 0.2 to 8 mu m, and may be 5 mu m or less. The thickness of the conductive layer may be 10 μm or less, preferably 2 μm or less, and may be 10 to 300 nm.
본 출원의 일 실시상태에서, 상기 암색화층은 증착법, 예컨대 스퍼터링 방법, CVD(chemical vapor deposition)법, 열증착(thermal evaporation)법, 전자빔(e-beam) 증착법 등의 방법을 이용하여 암색화층을 형성할 수 있고, 상기 암색화층을 형성한 후 이를 패턴화함으로써 암색화 패턴으로 형성할 수 있다. 특히, 스퍼터링 방법을 이용하는 경우에는 암색화층의 플렉서블(flexible) 특성이 우수하다. 상기 열증착(thermal evaporation)법 및 전자빔(e-beam) 증착법은 단순히 입자들이 쌓이지만, 스퍼터링 방법은 충돌에 의하여 입자들이 핵을 형성하고, 핵이 성장하여 휘어도 기계적 물성이 우수한 특징이 있다. 또한, 상기 스퍼터링 방법을 이용하는 경우에는 상기 암색화층과 다른 층과의 계면 접착력이 우수하다. 상기와 같이 증착법을 이용함으로써, 점착층 또는 접착층의 이용 없이 기재 또는 도전성층에 직접 암색화층을 형성할 수 있으며, 원하는 두께 및 패턴 형상을 구현할 수 있다.In one embodiment of the present application, the dark coloring layer is formed by a method such as a sputtering method, a CVD (chemical vapor deposition) method, a thermal evaporation method, an electron beam (e-beam) And a darkening pattern can be formed by patterning the darkening layer after forming the darkening layer. Particularly, when the sputtering method is used, the softening property of the matting layer is excellent. The thermal evaporation method and the electron beam (e-beam) deposition method are characterized by merely accumulating particles, but the sputtering method is characterized in that the particles form nuclei by collision, and the nucleus grows and warps and has excellent mechanical properties. In addition, when the above sputtering method is used, the interfacial adhesion between the matting layer and another layer is excellent. By using the evaporation method as described above, a matted layer can be formed directly on the substrate or the conductive layer without using the adhesive layer or the adhesive layer, and a desired thickness and pattern shape can be realized.
본 출원에 있어서, 상기 암색화층은 상기 도전성층과 동시에 또는 별도로 패턴화될 수는 있으나, 각각의 패턴을 형성하기 위한 층은 별도로 형성될 수 있다.In the present application, the darkening layer may be patterned simultaneously with or separately from the conductive layer, but the layer for forming each pattern may be formed separately.
본 출원의 일 실시상태에서, 상기 암색화층과 상기 도전성층은 별도의 층이 적층 구조를 이루는 점에서, 흡광 물질의 적어도 일부가 도전성층 내에 함몰 또는 분산되어 있는 구조나 단일층의 도전성층이 표면처리에 의하여 표면측 일부가 물리적 또는 화학적 변형이 이루어진 구조와는 차별된다.In one embodiment of the present application, the darkening layer and the conductive layer are structured such that at least a part of the light absorbing material is embedded in or dispersed in the conductive layer in that a separate layer has a laminated structure, or a structure in which a single- Which is different from the structure in which a part of the surface side is subjected to physical or chemical transformation by the treatment.
또한, 상기 암색화층은 접착층 또는 점착층을 개재하지 않고, 직접 상기 기재 상에 또는 직접 상기 도전성층 상에 구비된다. 접착층 또는 점착층은 내구성이나 광학 물성에 영향을 미칠 수 있다. 또한, 본 출원의 일 실시상태에 따른 디스플레이 장치에 전극 구조체는 접착층 또는 점착층을 이용하는 경우와 비교할 때 제조방법이 전혀 상이하다. 더욱이, 접착층이나 점착층을 이용하는 경우에 비하여, 본 출원에서는 기재 또는 도전성층과 암색화층의 계면 특성이 우수하다.Further, the darkening layer is provided directly on the substrate or directly on the conductive layer without interposing an adhesive layer or an adhesive layer. The adhesive layer or the adhesive layer may affect durability and optical properties. Further, the electrode structure of the display device according to one embodiment of the present application has a completely different manufacturing method as compared with the case of using the adhesive layer or the adhesive layer. Furthermore, in the present application, the interface property between the substrate or the conductive layer and the maturing layer is superior to the case of using the adhesive layer or the adhesive layer.
본 출원의 일 실시상태에서, 상기 암색화층의 두께는, 전술한 전반사율을 갖는다면, 특별히 한정되지 않는다. 다만, 제조공정 중 도전성층과의 식각(etching) 특성을 고려하는 경우 10nm 내지 400nm 사이에서 선택하는 것이 바람직하지만, 사용하는 재료 및 제조공정에 따라 바람직한 두께는 상이할 수 있으며, 본 출원의 범위가 상기 수치범위에 의하여 한정되는 것은 아니다. 보다 구체적으로, 상기 암색화층의 두께는 10 ~ 400nm 일 수 있고, 10 ~ 100nm 일 수 있으며, 30 ~ 70nm 일 수 있으나, 이에만 한정되는 것은 아니다.In one embodiment of the present application, the thickness of the darkening layer is not particularly limited as long as it has the above-mentioned total reflectance. However, it is preferable to select between 10 nm and 400 nm in consideration of the etching characteristic with the conductive layer in the manufacturing process. However, the preferable thickness may vary depending on the materials used and the manufacturing process, And is not limited by the above numerical range. More specifically, the thickness of the matting layer may be 10 to 400 nm, may be 10 to 100 nm, may be 30 to 70 nm, but is not limited thereto.
상기 암색화층은 단일층으로 이루어질 수도 있고, 2층 이상의 복수층으로 이루어질 수도 있다. 상기 암색화층은 무채색(無彩色) 계열의 색상을 띠는 것이 바람직하나 특별이 이에 한정되지는 않는다. 이 때, 무채색 계열의 색상이라 함은 물체의 표면에 입사(入射)하는 빛이 선택 흡수되지 않고, 각 성분의 파장(波長)에 대해 골고루 반사 흡수될 때에 나타나는 색을 의미한다.The darkening layer may be formed of a single layer or a plurality of layers of two or more layers. The dark coloring layer preferably has achromatic color but is not limited thereto. In this case, the hue of the achromatic series means a color which appears when light incident on the surface of the object is not selectively absorbed but is reflected and absorbed evenly with respect to the wavelength (wavelength) of each component.
상기 암색화층은 금속 산화물, 금속 질화물, 금속 산질화물 등을 1종 이상을 포함할 수 있으나, 이에만 한정되는 것은 아니다. 또한, 상기 금속 산화물, 금속 질화물 및 금속 산질화물은 Ni, Cr, Fe, Co, Ti, V, Al, Au, Cu, Ag, Mo 및 이들의 합금 중 선택되는 1종 이상의 금속을 포함할 수 있으나, 이에만 한정되는 것은 아니다.The darkening layer may include at least one of metal oxides, metal nitrides, metal oxynitrides, and the like, but is not limited thereto. The metal oxide, metal nitride and metal oxynitride may include at least one metal selected from Ni, Cr, Fe, Co, Ti, V, Al, Au, Cu, Ag, Mo, , But is not limited thereto.
본 출원의 일 실시상태에서, 상기 암색화층은 상기 도전성층의 어느 한 면에만 구비될 수도 있고, 양면 모두에 구비될 수도 있다. 여기서, 상기 암색화층은 상기 도전성층과 동일한 형상의 패턴을 가질 수 있다. 다만, 상기 암색화층의 패턴 규모가 상기 도전성층의 패턴과 완전히 동일할 필요는 없으며, 암색화층의 선폭이 도전성층의 선폭에 비하여 좁거나 넓은 경우도 본 출원의 범위에 포함된다.In one embodiment of the present application, the darkening layer may be provided on only one side of the conductive layer or on both sides of the conductive layer. Here, the dark coloring layer may have a pattern having the same shape as the conductive layer. However, the pattern scale of the darkening layer is not necessarily the same as the pattern of the conductive layer, and the case where the linewidth of the matting layer is narrower or wider than the line width of the conductive layer is also included in the scope of the present application.
본 출원의 일 실시상태에서, 상기 암색화층은 상기 도전성층의 선폭에 비하여 작거나 큰 선폭을 갖는 패턴 형태를 가질 수 있다. 예컨대, 상기 암색화층은 상기 도전성층이 구비된 면적의 80% 내지 120%의 면적을 가질 수 있다.In one embodiment of the present application, the darkening layer may have a pattern shape having a line width that is smaller or larger than the line width of the conductive layer. For example, the dark coloring layer may have an area of 80% to 120% of the area of the conductive layer.
본 출원의 일 실시상태에서, 상기 암색화층은 도전성층의 선폭과 동일하거나 큰 선폭을 갖는 패턴 형태인 것이 바람직하다.In one embodiment of the present application, the darkening layer is preferably in the form of a pattern having a line width equal to or larger than the line width of the conductive layer.
상기 암색화층이 상기 도전성층의 선폭보다 더 큰 선폭을 갖는 패턴 형상을 갖는 경우, 사용자가 바라볼 때 암색화층이 도전성층을 가려주는 효과를 더 크게 부여할 수 있으므로, 도전성층 자체의 광택이나 반사에 의한 효과를 효율적으로 차단할 수 있다는 장점이 있다. 그러나, 상기 암색화층의 선폭이 상기 도전성층의 선폭과 동일하여도 본 출원에 목적하는 효과를 달성할 수 있다.When the dark coloring layer has a pattern shape having a line width larger than the line width of the conductive layer, the effect that the dark coloring layer covers the conductive layer when viewed by the user can be more increased, It is possible to effectively block the effect caused by the light emitting diode. However, even if the linewidth of the matted layer is the same as the line width of the conductive layer, the intended effect of the present application can be achieved.
본 출원의 일 실시상태에서, 상기 암색화층은 AlOxNy (0 ≤ x ≤ 1.5, 0 ≤ y ≤ 1, x+y > 0)를 포함할 수 있다. 이 때, x 및 y는 Al 1 원자에 대한 각각의 O 및 N의 원자 수의 비를 의미한다. 상기 x와 y는 구체적으로 x+y>0일 수 있고, 더욱 구체적으로 x>0, y>0일 수 있다. 더욱 더 구체적으로 AlOxNy (0 ≤ x ≤ 0.6, 0.3 ≤ y ≤ 0.8)인 경우 암색화층 형성에 더욱 효과적이다.In one embodiment of the present application, the darkening layer may comprise AlOxNy (0? X? 1.5, 0? Y? 1, x + y> 0). Here, x and y mean the ratio of the number of atoms of O and N to the number of Al atoms. X and y may be specifically x + y> 0, and more specifically, x> 0, y> 0. More specifically, in the case of AlOxNy (0? X? 0.6, 0.3? Y? 0.8), it is more effective in forming a dark colored layer.
상기 AlOxNy를 포함하는 암색화층은 하기 수학식 2를 만족할 수 있다.The dark coloring layer containing AlOxNy may satisfy the following expression (2).
[수학식 2]&Quot; (2) "
상기 수학식 2에서, AlOxNy 로 표시되는 모든 원소 함량 100 %를 기준으로 할 때, (Al)at는 Al의 원소함량(at%)을 나타내고, (O)at는 O의 원소함량(at%)을 나타내며, (N)at는 N의 원소함량(at%)을 나타낸다.(Al) at represents the element content (%) of Al, (O) at represents the element content (at%) of O, (N) at indicates the element content (at%) of N.
상기 수학식 2는 XPS(X-ray Photoelectron Spectroscopy)로 측정한 원소함량(at%)과 화학적 가수를 고려한 식이다. Al의 화학적 가수는 3이고, O의 화학적 가수는 2이며, N의 화학적 가수는 3이다. 상기 수학식 2의 값이 1보다 크면 Al, O 및 N 중에서 Al이 풍부한 것을 의미하며, 1 이하이면 Al, O 및 N 중에서 Al이 부족한 것을 의미한다. 예를 들어, 화학양론적으로 Al2O3 또는 AlN의 경우는 비교적 투명한 상을 나타내며, 수학식 2의 값은 1이 된다. 수학식 2에서 얻어진 값이 1보다 크면, Al2O3 또는 AlN의 경우보다 금속 원자 Al의 함량이 과량으로 되므로, 흡수계수가 상승하고, 암색화층이 형성되게 된다. 상기 수학식 2에서 얻어진 값이 2보다 크면 Al의 함량이 더욱 높아져서 금속성 층을 형성하게 된다.The equation (2) is an equation considering the element content (at%) and the chemical valence measured by X-ray photoelectron spectroscopy (XPS). The chemical valence of Al is 3, the chemical valence of O is 2, and the chemical valence of N is 3. If the value of Equation (2) is greater than 1, it means that Al is rich in Al, O and N, and if Al is less than 1, it means that Al, O and N are deficient. For example, in the case of Al 2 O 3 or AlN stoichiometrically, it represents a relatively transparent phase, and the value of equation (2) becomes 1. If the value obtained in Equation (2) is larger than 1, the content of the metal atom Al becomes excessive as compared with the case of Al 2 O 3 or AlN, so that the absorption coefficient increases and a darkening layer is formed. If the value obtained in the above formula (2) is larger than 2, the content of Al is further increased to form a metallic layer.
본 출원의 일 실시상태에서, 상기 암색화층은 CuOxNy (0 ≤ x ≤ 1, 0 ≤ y ≤ 1, x+y > 0)를 포함할 수 있다. 이 때, x 및 y는 Cu 1 원자에 대한 각각의 O 및 N의 원자 수의 비를 의미한다.In one embodiment of the present application, the darkening layer may comprise CuOxNy (0? X? 1, 0? Y? 1, x + y> 0). Here, x and y mean the ratio of the number of atoms of O and N to the Cu 1 atom.
본 출원의 일 실시상태에서, 상기 암색화층은 MoTiaOxNy (0 < a ≤ 2, 0 ≤ x ≤ 3, 0 ≤ y ≤ 2, x+y > 0)를 포함할 수 있다. 이 때, a, x 및 y는 각각의 Ti, O 및 N의 원자 수의 비를 의미한다.In one embodiment of the present application, the darkening layer may comprise MoTiaOxNy (0 <a? 2, 0? X? 3, 0? Y? 2, x + y> 0). Here, a, x and y mean the ratio of the number of atoms of Ti, O and N, respectively.
본 출원의 일 실시상태에서, 상기 전극 구조체는 가시광선 영역에서의 평균 소멸계수(Extinction coefficient) k가 0.1 내지 1.5, 구체적으로는 0.4 내지 1.0 일 수 있다. 상기 평균 소멸계수 k가 0.1 이상이면 암색화를 가능하게 하는 효과가 있다. 상기 평균 소멸계수 k는 흡수계수(Absorption Coefficient)라고도 하며, 특정 파장에서 전극 구조체가 빛을 얼마나 강하게 흡수하는지를 정의할 수 있는 척도로서, 전도성 구조체의 투과도를 결정하는 요소이다. 예를 들어, 투명한 유전체(dielectric) 물질인 경우, k < 0.1로 k 값이 매우 작다. 그러나, 물질 내부에 금속 성분이 증가할수록 k 값이 증가하게 된다. 만약, 더욱 더 금속 성분이 많아지면, 투과가 거의 일어나지 않고, 대부분 표면 반사만 일어나는 금속이 되며, 소멸계수 k는 1.5 초과가 되어 암색화층의 형성에는 바람직하지 않다.In one embodiment of the present application, the electrode structure may have an average extinction coefficient k in the visible light region of 0.1 to 1.5, specifically 0.4 to 1.0. When the average extinction coefficient k is 0.1 or more, darkening is possible. The average extinction coefficient k is also referred to as an absorption coefficient, and is a factor that determines how strongly an electrode structure absorbs light at a specific wavelength, and is a factor that determines the transmittance of the conductive structure. For example, for a transparent dielectric material, the k value is very small with k <0.1. However, as the metal content increases, the k value increases. If the metal content is further increased, the metal is hardly permeated and only the surface is reflected, and the extinction coefficient k is more than 1.5, which is not preferable for forming the colored layer.
본 출원의 일 실시상태에서, 상기 전극 구조체는 가시광선 영역에서의 평균 굴절율이 2 내지 3 일 수 있다.In one embodiment of the present application, the electrode structure may have an average refractive index of 2 to 3 in the visible light region.
본 명세서에 있어서, 상기 가시광선 영역은 360 내지 820nm의 파장을 갖는 영역을 의미한다.In this specification, the visible light region means a region having a wavelength of 360 to 820 nm.
본 출원의 일 실시상태에서, 상기 전극 구조체는 CIE(국제조명위원회: Commission Internationale de l'Eclairage) L*a*b* 색좌표 기준으로 명도값(L*)이 50 이하일 수 있고, 더욱 구체적으로는 20 이하일 수 있다. 명도값이 낮을수록 전반사율이 낮아져서 유리한 효과가 있다.In one embodiment of the present application, the electrode structure may have a brightness value L * of 50 or less based on CIE (Commission Internationale de l'Eclairage) L * a * b * color coordinates, and more specifically, 20 or less. The lower the brightness value, the lower the total reflectance, which is advantageous.
본 출원의 일 실시상태에서, 상기 전극 구조체 내에는 핀홀이 거의 없을 수 있고, 상기 핀홀이 존재한다 하더라도 그 지름이 3㎛ 이하일 수 있으며, 더욱 구체적으로 1㎛ 이하일 수 있다. 상기 전극 구조체 내에서 핀홀 지름이 3㎛ 이하인 경우에는 단선의 발생을 방지할 수 있다. 또한, 상기 전극 구조체 내에서 핀홀이 거의 없어서 갯수가 매우 적은 경우에는 단선의 발생을 방지할 수 있다.In one embodiment of the present application, there may be almost no pinhole in the electrode structure, and even if the pinhole is present, the diameter may be 3 탆 or less, more specifically, 1 탆 or less. When the pinhole diameter is 3 mu m or less in the electrode structure, it is possible to prevent the occurrence of disconnection. In addition, if there are few pinholes in the electrode structure and the number of the pinholes is very small, the occurrence of disconnection can be prevented.
본 발명에 따른 디스플레이 장치는 그 용도에 따라서, 보호필름, 편광필름, 반사방지필름, 눈부심방지필름, 내지문성필름, 저반사필름 등의 필름을 1종 이상 추가로 포함할 수 있다.The display device according to the present invention may further include one or more kinds of films such as a protective film, a polarizing film, an anti-reflection film, an anti-glare film, a textured film, and a low reflection film.
본 출원의 일 실시상태에서, 상기 기재 및 전극 구조체를 포함하는 구조는 박막 트랜지스터 어레이 기판, 컬러필터 기판 등의 역할을 수행할 수 있다.In one embodiment of the present application, the structure including the substrate and the electrode structure may serve as a thin film transistor array substrate, a color filter substrate, and the like.
본 출원의 일 실시상태에 따른 디스플레이 장치의 예를 하기 도 1에 예시하였다. 보다 구체적으로, 하기 도 1의 디스플레이 장치는 컬러필터를 박막 트랜지스터와 함께 어레이 기판에 형성한 컬러필터 온 박막 트랜지스터(Color Filter on TFT Array, COT 또는 COA) 구조를 개략적으로 나타낸 것이다.An example of a display device according to one embodiment of the present application is illustrated in Fig. More specifically, the display device of FIG. 1 schematically shows a structure of a color filter on TFT array (COT or COA) in which a color filter is formed on an array substrate together with a thin film transistor.
본 출원의 일 실시상태에 따른 디스플레이 장치는 게이트(gate) 전극, 소스(source) 전극, 드레인 전극(drain), 공통 전극 및 화소 전극 중 1종 이상의 전극을 포함하고, 상기 1종 이상의 전극은 본 출원에 따른 전극 구조체를 포함할 수 있다. 이 때, 상기 디스플레이 장치는 전술한 기재 및 전극 구조체를 포함하는 것을 제외하고는, 당 기술분야에 알려진 구조, 재료를 포함할 수 있다. 또한, 본 출원의 일 실시상태에서, 상기 소스 전극 및 드레인 전극이 본 출원에 따른 전극 구조체를 포함하는 경우에는, 동일한 식각액을 적용하여 소스 전극 및 드레인 전극을 형성할 수 있으므로 패턴 형성이 용이하다는 장점이 있다.According to an embodiment of the present invention, a display device includes at least one of a gate electrode, a source electrode, a drain electrode, a common electrode, and a pixel electrode, And may include an electrode structure according to the application. At this time, the display device may include structures, materials, and the like, which are known in the art, except that they include the substrate and the electrode structure described above. In the embodiment of the present application, when the source electrode and the drain electrode include the electrode structure according to the present application, the source electrode and the drain electrode can be formed by applying the same etchant, .
본 출원의 일 실시상태에 따른 디스플레이 장치는 액정 표시 장치 또는 유기 발광 소자일 수 있다. 하기 도 2와 같이, 상기 유기 발광 소자는 배면 발광(bottom emission) 타입의 유기 발광 소자일 수 있고, 전면 발광(top emission) 타입의 유기 발광 소자일 수 있다. 이 때, 배면 발광 타입 또는 전면 발광 타입의 유기 발광 소자의 경우에는, 전술한 게이트(gate) 전극, 소스(source) 전극, 드레인(drain) 전극, 공통 전극, 화소 전극 등은, 적어도 사용자가 바라보는 측에 암색화층이 구비되는 구조의 전극 구조체를 포함할 수 있다.The display device according to one embodiment of the present application may be a liquid crystal display device or an organic light emitting device. As shown in FIG. 2, the organic light emitting device may be a bottom emission type organic light emitting device or a top emission type organic light emitting device. At this time, in the case of an organic light emitting device of a back light emission type or a top emission type, the gate electrode, the source electrode, the drain electrode, the common electrode, the pixel electrode, And an electrode structure having a structure in which a dark coloring layer is provided on the viewing side.
하기 도 3에 액정 표시 장치의 구조를 개략적으로 나타내었다. 상기 액정 표시 장치의 경우에도, 전술한 게이트(gate) 전극, 소스(source) 전극, 드레인(drain) 전극, 공통 전극, 화소 전극 등은, 적어도 사용자가 바라보는 측에 암색화층이 구비되는 구조의 전극 구조체를 포함할 수 있다. 이 때, 상기 전극 구조체가 도전성층의 양면에 암색화층이 구비되는 구조인 경우에는, 하부의 백라이트 유닛(back light unit)에 의한 광 반사를 추가로 억제할 수 있는 특징이 있다.3 schematically shows a structure of a liquid crystal display device. Also in the case of the liquid crystal display device, the gate electrode, the source electrode, the drain electrode, the common electrode, the pixel electrode, and the like described above have a structure in which a darkening layer is provided at least on the side where the user sees Electrode structure. At this time, when the electrode structure has a structure in which the coloring layer is provided on both surfaces of the conductive layer, light reflection by the backlight unit at the lower portion can be further suppressed.
이하 실시예, 비교예 및 실험예를 통하여 본 발명을 더욱 상세하게 설명한다. 그러나, 이하의 실시예, 비교예 및 실험예는 본 발명을 예시하기 위한 것이며, 이에 의하여 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to Examples, Comparative Examples and Experimental Examples. However, the following Examples, Comparative Examples and Experimental Examples are provided for illustrating the present invention, and thus the scope of the present invention is not limited thereto.
<실시예 1>≪ Example 1 >
유리(Glass) 기재 상에 Cu 단일 타겟(target)을 이용하여 직류 전원 스퍼터링(DC sputtering) 방법에 의하여 도전성층으로 두께 60nm인 Cu층을 형성하고, MoTi(50:50 at%) 합금 타겟(target)을 이용하여 반응성 직류 전원 스퍼터링(Reactive DC sputtering) 방법으로 두께 35nm인 MoTiaNxOy(0 < a ≤ 2, 0 < x ≤ 3, 0 < y ≤ 2)를 포함하는 암색화층을 형성하여 실시예 1의 전극 구조체를 제조하였다.A Cu layer having a thickness of 60 nm was formed as a conductive layer by a DC sputtering method using a Cu single target on a glass substrate and a MoTi (50:50 at%) alloy target (0 < a? 2, 0 < x? 3, 0 < y? 2) having a thickness of 35 nm was formed by reactive DC sputtering To prepare an electrode structure.
<실시예 2>≪ Example 2 >
유리(Glass) 기재 상에 Cu 단일 타겟(target)을 이용하여 직류 전원 스퍼터링(DC sputtering) 방법에 의하여 제1 도전성층으로 두께 60nm인 Cu층을 형성하고, MoTi(50:50 at%) 합금 타겟(target)을 이용하여 직류 전원 스퍼터링(DC sputtering) 방법에 의하여 제2 도전성층으로 두께 20nm인 MoTi층을 형성하며, 동일한 타겟을 이용하여 반응성 직류 전원 스퍼터링(Reactive DC sputtering) 방법으로 두께 35nm인 MoTiaNxOy(0 < a ≤ 2, 0 < x ≤ 3, 0 < y ≤ 2)를 포함하는 암색화층을 형성하여 실시예 2의 전극 구조체를 제조하였다.A Cu layer having a thickness of 60 nm was formed as a first conductive layer by a DC sputtering method using a Cu single target on a glass substrate and a MoTi (50:50 at%) alloy target a MoTi layer having a thickness of 20 nm is formed as a second conductive layer by a DC sputtering method using a target and a MoTiN x O y layer having a thickness of 35 nm is formed by a reactive DC sputtering method using the same target. (0 < a 2, 0 < x 3, 0 < y 2).
<비교예 1>≪ Comparative Example 1 &
유리(Glass) 기재 상에 Cu 단일 타겟(target)을 이용하여 직류 전원 스퍼터링(DC sputtering) 방법에 의하여 제1 도전성층으로 두께 60nm인 Cu층을 형성하고, MoTi(50:50 at%) 합금 타겟(target)을 이용하여 직류 전원 스퍼터링(DC sputtering) 방법에 의하여 제2 도전성층으로 두께 10 ~ 60nm인 MoTi층을 형성하여 비교예 1의 전극 구조체를 제조하였다.A Cu layer having a thickness of 60 nm was formed as a first conductive layer by a DC sputtering method using a Cu single target on a glass substrate and a MoTi (50:50 at%) alloy target the electrode structure of Comparative Example 1 was prepared by forming a MoTi layer having a thickness of 10 to 60 nm as a second conductive layer by a DC sputtering method using a target.
<실험예 1><Experimental Example 1>
상기 실시예 1 ~ 2 및 비교예 1의 전극 구조체의 파장에 따른 전반사율을 Solidspec 3700(UV-Vis spectrophotometer, Shimadzu社)를 사용하여 시뮬레이션하여 결과를 하기 도 4 ~ 6에 나타내었다.The total reflectance according to the wavelengths of the electrode structures of Examples 1 and 2 and Comparative Example 1 was simulated using Solidspec 3700 (UV-Vis spectrophotometer, Shimadzu), and the results are shown in Figs.
하기 도 4 ~ 6의 결과와 같이, 본 출원의 일 실시상태에 따른 디스플레이 장치는, 도전성층의 전도도에 영향을 미치지 않으면서도 외부 광원에 의한 도전층의 반사를 저감시킬 수 있고, 흡광도를 향상시킴으로써 도전층의 은폐성을 향상시킬 수 있다. 이에 따라, 본 출원의 일 실시상태에 따른 디스플레이 장치를 이용하여, 시인성이 개선된 액정 표시 장치, 유기 발광 소자 등의 디스플레이 장치를 개발할 수 있다.4 to 6, the display device according to one embodiment of the present application can reduce the reflection of the conductive layer by the external light source without affecting the conductivity of the conductive layer, and by improving the absorbance The concealability of the conductive layer can be improved. Accordingly, a display device such as a liquid crystal display device or an organic light emitting device having improved visibility can be developed using a display device according to one embodiment of the present application.
Claims (12)
상기 기재 상의 적어도 일부에 구비되고, 도전성층 및 상기 도전성층의 적어도 일 면에 구비된 암색화층을 포함하는 전극 구조체
를 포함하는 디스플레이 장치.materials; And
An electrode structure provided on at least a part of the substrate and including a conductive layer and a darkening layer provided on at least one surface of the conductive layer,
.
상기 1종 이상의 전극은 상기 전극 구조체를 포함하는 것을 특징으로 하는 디스플레이 장치.The organic light emitting display according to claim 9, wherein the liquid crystal display device or the organic light emitting device includes at least one of a gate electrode, a source electrode, a drain electrode, a common electrode, and a pixel electrode,
Wherein the at least one electrode comprises the electrode structure.
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