KR20160114036A - 특히 광학 투명 전도성 코팅을 위한 망형 마이크로 및 나노 구조와 제조 방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 화학산업, 마이크로 전자 공학 및 나노 테크놀러지에 적용 가능하며 투명한 전도성 코팅, 광학과 PV 소자 기구에 위한 빛을 흡수와 변환 층, 자기 세정 표면, 생체 재료, 막, 촉매 제조 시 사용 가능하다. 망형 마이크로 및 나노 구조는 화학, 물리 반응에 균열하는 기판에서 물질을 형성하며 형성되는 층이 마이크로 및 나노 구조의 모양을 형성하여 만들어진다. 획득한 망형 마이크로 및 나노 구조는 전도성이나 유전체 층을 포함한다. 본 층은 균열 모양이 적당하고 비쳐 보이는 단일 세공 구조이다. 본 발명 덕분에 어려운 석판화 방법 사용이 필요 없고 구조의 기계적 신뢰성과 전도성을 향상 시킬 수 있다.

Description

특히 광학 투명 전도성 코팅을 위한 망형 마이크로 및 나노 구조와 제조 방법{MESH-LIKE MICRO- AND NANOSTRUCTURE AND METHOD FOR PRODUCING SAME}

본 발명에 관련된 것들은 마이크로 및 나노 구조 코팅에 관한 내용이며 특히 투명한 전도성 코팅(광학 투명한 전도성 코팅), 광학 및 PV 소자 기구를 위한 빛 흡수 및 변환 층, 자기 세정 표면, 생체 재료, 막, 촉매 등 다양한 분야의 적용 방법 및 제조 방법에 관한 내용이다.

보다 넓은 시장을 대상으로 하며 낮은 단가로 제작이 가능하므로 마이크로 및 나노 구조 코팅에 대한 필요성이 커진다. 본 코팅은 투명한 전도성 코팅 범위, 특히 광학적으로 투명한 전도성 코팅 범위에서 사용된다(Hu, L. В., Wu, Н. & Cui, Y. Mater. Res. Soc. Bull. 36, 760-765 (2011)), 광학과 PV 소자 기구에 의한 빛 흡수와 변환 층(Garnett Е and Yang Р 2010 Nano Lett. 10 1082; Kang M G, Xu T, Park H J, Luo X and Guo L J. 2010. Adv. Mater. 22 4378; Ahn S W, Lee К D, Kim J S, Kim S H, Park J D, Lee S H and Yoon P W 2005 Nanotechnology 16 1874; Kwak M K, Kim T, Kim P, Lee H H and Suh К Y. 2009. Small 5 928; Chanda D, Shigeta K, Gupta S, Cain T, Carlson A, Mihi A, Baca A J, Bogart G R, Braun P and Rogers J A. 2011. Nature Nanotechnol. 6 402; Shalaev V M. 2007. Nature Photon. 1 41), 자기 세정 표면 (Jeong H E, Kwak M K, Park С I and Suh К Y. 2009. J. Colloid Interface Sci. 339 202; Lau KKS, Bico J, Teo KBK, Chhowalla M, Amaratunga GAJ, Milne W I, McKinley G H and Gleason К К. 2003. Nano Lett. 3 1701), 생체 재료 (Kwak M K, Pang C, Jeong H E, Kim H N, Yoon H, Jung H S and Suh К Y. 2011. Adv. Funct. Mater. 21 3606), 선택적 층과 지지 막 층 (특허 RU 2389536, 국제 특허 분류 B01D 71/00, 발표 날짜 20/05/2010) 및 등.

현재의 광학이나 임프린트 석판화 방법으로 구축된 마이크로 및 나노 구조 코팅 제조 방법(Moon Kyu Kwak, Jong G Ok, Jae Yong Lee et al. Nanotechnology 23 (2012) 344008 (6pp); Ahn S H and Guo L J. 2008. Adv. Mater. 20 2044; Ahn S H, Kim J S and Guo L. 2007. J. Vac. Sci. Technol. В 25 2388; Henzie J, Barton J E, Stender C L and Odom T W. 2006. Acc. Chem. Res. 39 249; Lee T W, Jeon S, Maria J, Zaumseil J, Hsu JWP and Rogers J A. 2005. Adv. Funct. Mater. 15 1435; Rogers J A, Paul К E, Jackman R J and Whitesides G M. 1997. Appl. Phys. Lett. 70 2658)은 큰 공간과 관련된 앱에 필요한 생산력과 단가를 확보하지 못 한다.

그래서 현재 광학적 투명성을 갖는 전도성 코팅같은 기구는 다른 방법으로 제조한다. 스펙트럼의 다른 범위에 광학적 투명성이 있는 전도성 코팅은 상당한 실용적 가치를 지닌다. 전기 가열 및 전기 변색 유리판, 패널 디스플레이 (터치 스크린도 포함), 유기 발광 다이오드 용 전극, 전자 종이, 태양 전지, 다양한 광전자 기구, 살아있는 세포의 전적인 성장용 지원, 정전기로부터 보호, 전자파의 차폐 시스템같은 기구를 제조하기 위해 사용한다.

투명한 전도성 코팅을 위한 제일 중요한 기술적인 매개변수는 표면 저항율과 투명율이다. 이는 다양한 응용을 위한 핵심적인 사항: 투명성 스펙트럼 (투명성이 파도 길에 의존하는 것), 코팅의 화학성과 기계적 유연성과 순환 기계적인 변형에 대한 저항성, 기술공정의 코팅 형성의 관점에서 허용하는 기판 재료의 스펙트럼, 형상 및 치수 허용 기판에 중요하다. 주요 경제 변수는 투명한 코팅의 단위 면적 형성 제조비이다.

현재의 기술 규준은 투명한 전도성 코팅의 필요한 변수의 요구에 응하는 여러 해결책을 포함한다. 그러나 각각 이용 가능한 해결책은 상당한 단점을 가지고 있다.

현재 가장 널리 알려져 있는기술적인 해결책은 전도성 금속 산화물을 기초로 제조한 코팅을 사용하는 것이다. 특히, 인듐-주석 산화물에 기초하는 코팅이 널리 보급했다 (ITO) (특허 GB 2361245, 국제 특허 분류 СОЗС 17/245, 발표 날짜 2001년 10월 17일, 특허 신청 KR 20130027991, 국제 특허 분류 H01L 33/36, 발표 일자: 2013년 03월 18일 등). 이런 코팅의 주요 단점은 높은 단가와 단가의 예측 증가(인듐 재고 감소), 허용된 기판에 대한 제한(형성 방법에 인한 것), 적외선의 영역에 투명성의 손실, 낮은 기계적 유연성과 탄력이다. 투명성과 표면 저항의 높은 광학적인 상관은 장점이다. 약 10 옴/평방, 90% 투명성

현재 투명한 전도성 코팅을 다르게 형성하는 방법이 개발되었다. 코팅으로 나노 와이어의 시스템을 사용하는 것이다(높은 종횡비를 가진 나노 와이어, 또는 높은 종횡비를 가진 나노 막대. 본 나노 막대는 전도체로서 사용할 수 있다). 나노 와이어로서 단일 탄소 나노 막대를 사용하는 것은 이런 방향의 주요 지점 중 하나이다. (Zhang, М. et al. Science 309, 1215-1219 (2005); Hecht, D. S., Hu, L. B. & Irvin, G. Adv. Mater. 23, 1482-1513 (2011)). 이 방법에서 탄소 나노 막대는 여러 방법으로 기판에 적용하거나 가스 단계에서 침전에 의해 기판 위에 성장한다(콜로이드로 침전, 건조 가함). 탄소 나노 막대로 기초된 코팅의 장점은 얻게 될 코팅의 기계적 유연성, 적외선의 영역에 투명성을 보존하는 것, 높은 화학성, 여러 기판 사용 가능성이다. 그러나 적지 않은 단점도 있다. 단일벽 탄소 나노 튜브와 튜브 어레이로 기초된 코팅만 높은 광학 투명성을 확보할 수 있다. 현재에 단일벽 탄소 나노 막대 재료의 시장 가격을 고려하면 이런 코팅의 제조비는 높다. 또한, 요즘에 이용하는 탄소 나노 막대에 기초된 코팅은 높은 표면 저항율을 가진다. (투명율 90% - 10 옴/평방부터)(A. Kaskela, A.G. Nasibulin, M.Y. Timmermans et al. Nano Lett. 2010, 10, 4349-4355) 투명성 90% 수준으로, 그 동안에 ITO에 기초된 코팅의 저항율은 10 옴/평방 이하 될 수 있다.

표면 저항율을 감소하기 위해 탄소 나노 막대가 전도성 중합체와 전도성 나노 입자와 그래핀 섬과 함께 결합한다. 하지만 이런 코팅의 저항율이 НО 기준을 충족하지 못한다. 현재 나노 와이어에 기초하여 투명한 전도성 코팅의 제조 방법이 개발되고 있다. 이런 코팅은 특정 모양으로 금속 나노 와이어의 시스템에 기초한다. (Н. Wu, D. Kong, Z. Ruan. Nature nanotechnology. 10.1038/NNAN0.2013.84; De, S. et al. ACS Nano 3, 1767-1774 (2009); Garnett, E. C. et al. Nature Mater. 11, 241-249 (2012); 특허 신청 US .2009129004, 국제 특허 분류 B05D 5/12, 발표 일자: 2009년 05월 21일). 금속성 마이크로와 나노 전도체는 다중 벽 탄소 나노 튜브와 비슷한 밴드 구조를 가지고 최종적인 코팅의 투명성 기구는 전도체 사이에 길고 빈 중간을 갖는 것에 기초한다(그 동안에 보통 단일 벽 탄소 나노 튜브의 층이 다 표면을 채우고 고유의 전자 구조 덕분에 투명성을 가진다). 단일 벽 탄소 나노 튜브와 달리 금속성 전도체에서는 빛이 흡수되지만 투명성의 평균 변수가 높게 될 수 있다 (전도체에서 빛의 회절 효과를 고려하여 전도체 넓이가 1,0-0,3 마이크로 미터 되면 회절은 증가한다). 현재 본 코팅의 종류는 높은 잠재력, 또는 다른 코팅보다 우위를 차지할 수 있는 가능성이 보인다. 본 보고서에서 (Н. Wu, D. Kong, Z. Ruan. Nature nanotechnology. 10.1038/NNAN0.2013.84) 금속 나노 와이어의 시스템에 기초한 코팅은 투명율 90%이면 2 옴/평방까지 표면 저항율을 제공할 수 있다는 것을 발표하는데 НО와 달리 본 코팅은 높은 기계적 유연성, 평면 스펙트럼 반응을 가지고 여러 기판을 사용을 허용한다. 요즘 금속성 나노 와이어에 기초된 코팅의 주요 단점은 바로 높은 단가이다. 본 보고서에서 제안한 코팅은 (Н. Wu, D. Kong, Z. Ruan. Nature nanotechnology. 10.1038/NNAN0.2013.84) 전기 방사 방법으로 중합체 나노 섬유에서 템플릿을 늘인 후 이 늘어난 시스템에 금속 층으로 된 나노 섬유를 진공증착, 시스템을 기판으로 이동, 중합체 섬유를 제거하는 동시에 금속 커버를 보존한다. 이 과정 동안 기판에서는 폭이 약 400나노미터, 두께는 약 80나노미터의 금속으로 된 긴 나노 그루브가 형성된다. 이 방법의 단가가 높은 이유는 금속을 진공 증착하고 전기를 방사시키기 때문이다. (이중합체 시스템의 전도성 프레임에 순차적으로 적용된다). 또한 늘어난 나노 섬유층이 형성되는 프레임의 사이즈는 현재 6인치로 제한된다.

본 발명의 유사체로 여러 기술적인 해결책을 분별할 수 있다. 즉, 자기 조직화의 결과로 유탁액이 기판에서 건조 시 나노입자를 함유하고 있는 전도체 망을 형성하는 방법이다. US 2011003141., 국제 특허 분류 В32В 5/16(2011년 1월 6일 발표) 특허 신청에서는 마이크로 구조 제품의 상호 연결된 경로망 형성 방법을 설명한다. 본 경로망은 기판의 표면에서 임의의 모양을 이루고 있는 세포(클러스터)로 둘러싸인 나노 입자로 구성되며 에멀젼으로 된 나노 입자의 도움으로 집합된다. 또한 본 특허에서는 임의의 모양으로 된 세포 주변을 둘러싸고 연결된 경로의 그물망 구조를 밝히는데 이 구조는 최소한으로 부분 연결된 나노 입자로 구성된다.

국제 출원 WO 2012170684, 국제 특허 분류 B05D 5/12(2012년 12월 13일 발표)에서 밝히는 제품의 제조 방법은 다음과 같다. 가) 휘발성 액체 담체에서 비휘발성 요소가 포함된 혼합물을 제공한다. 액체 담체는 연속상과 불연속상을 포함된 에멀젼으로 불연속상은 연속상에서 분산된 도메인의 형태이다. 나) 본 혼합물로 원래 기판의 표면을 덮고, 액체 담체를 제거하기 위해 혼합물을 건조시킨다. 연속상에서 분산된 도메인의 선택적인 성장을 위하여 기판의 선택된 부분에서 혼합물의 커버나 건조 과정 중에 외압을 가한다. 이러한 과정을 통해 비휘발성 요소는 자기 조직화되고 구조화된 형태로 커버물을 형성한다. 본 구조는 경로 및 기판의 표면에 가해진 외압에 따라 규칙적으로 배열된 주변 세포를 포함한다.

2011년 11월 10일 발표된 특허 US 2011273085, 국제 특허 분류 B05D 5/12는 다음과 같은 제품 제조 방법을 포함하고 있다. 가) 전도성 나노 입자를 포함한 연속상으로 구성된 액체 에멀젼을 기판의 표면에 붙인다. 나)에멀젼 건조 후 망 구조의 경로를 포함한 투명한 전도성 막을 생성시킨다. 이 경로는 대체로 투명하며 임의의 모양을 띈 세포 주변을 둘러싸고 최소한으로 연결된 나노 입자로 형성된다. 본 세포의 최소한의 부분은 충전재로 채워진다.

이 기술적인 방법의 근간은 자기 조직화 과정과 현재의 발명에서 제안된 것과 구별되는 메커니즘으로 이는 아래와 같다. 사용되는 에멀젼은 혼합되지 않는 두 가지-예를 들면 기름과 물과 같은- 액체이다. 한 액체는 다른 액체에서 도메인(방울)로 존재한다. 첫 번째 액체의 방울은 기판에 떨어뜨릴 때 다른 액체의 주변을 둘러싼 세포(클러스터) 시스템을 형성한다. 첫 번째 액체에는 두 번째 액체에 침투하지 못하는 고체 형태의 나노 입자가 있다. 즉, 세포는 나노 입자와 별개로 남아 있다. 한 액체가 건조 될 때 나노 입자는 다른 액체의 방울을 둘러싸는 경로를 형성한다. 본 방울이 제거된 후에는 응집된 나노 입자로 이루어진 경로의 망이 남게 된다.

본 기술적인 방법의 장점은 자기 조직 과정과 전도성 경로망 형태로 된 마이크로 구조나 나노 구조 표면을 간단하게 제조할 수 있다는 점이다. 하지만 본 기술적 해결 방법에는 몇 가지 부족한 점이 있다.

- 전도성 경로는 적어도 부분적으로 서로 맞닿아 있는 나노 입자로 형성되어 있다. 이는 결과적으로 만들어진 접촉 저항 구조물의 전체 저항을 개별적인 나노 입자 사이에 포함되게 하여 망의 전도성을 낮추게 된다. 이러한 이유로 만들어진 망의 기술적 강도가 단일 구조로 제조한 망보다 떨어지게 된다.

이 방법은 사용되는 나노 입자가 허용할 수 있는 재료의 범위를 제한하는데 나노 입자가 액체담체 내에서 분산 되기 때문이다. 이처럼, 대부분의 금속은 액체와 접촉할 때 산화 한다. 이는 높은 반응성 나노 입자에서 특히 활발하게 일어난다. 그렇기 때문에 전도성은 전도성 산화물을 가진 귀금속이나 금속의 나노 입자만 보존할 수 있다. 또한 나노 입자가 허용되는 재료에도 첫 번째 액체에서 안정적인 콜로이드를 형성할 수 있는 능력에 관한 제한이 있다. 이 문제는 계면 활성제를 사용하는 것으로 해결할 수 있다. 하지만, 이 방법은 더욱 복잡한 기술을 필요로 하며 완성된 구조물에서 전기 접촉을 개선하기 위해 계면 활성제의 잔여물을 없애야 하는 문제가 생긴다. 어떠한 경우이든 나노 입자를 가진 첫 번째 액체는 증발 시 나노 입자 표면에 입자의 접촉에 영향을 주는 불순물을 남기게 된다. 이는 액체에서 분리된 물질을 가라앉히는 것에 근거한 중요한 성질이다.

이 방법은 나노 입자가 응집되어 생긴 경로의 폭 및 두께의 비율을 제한한다. 이 경로는 모세관력으로 형성되기 때문이다. 한 액체가 건조 될 때 모세관 표면이 집결하고 경로 모양으로 입자는 압축된다. 하지만, 모세관력은 경로의 폭 및 두께의 차이를 최소화하기 위해 작용하게 된다 (표면적 최소화 법은 반올림 효과에 이른다). 그래서 정해진 비율을 자유로이 변화 시킬 수는 없으므로 한편으로는 다양하게 적용할 수 있다 (예를 들면 광 투명 코팅 때). 또는, 액체 표면적을 최소화하는 이 효과는 생성되는 세포의 모서리를 둥글게 해 경로의 교차로에서 경로가 두꺼워 지게 만든다. 경로 폭의 이질성 때문에 다양한 적용이 가능하다. 특히, 구조의 투명도를 낮추기도 한다(확대된 경로 공간은 추가 공간을 점유함).

- 구조 형성 메커니즘의 모세관 현상은 세포 사이즈와 경로 폭의 허용 비율을 제한한다. 세포 사이즈가 커지고 (즉 두 번째 액체의 초기 방울의 직경이 커지고) 경로 폭이 감소하면 (한 액체의 초기 층의 폭이 감소하면) 두 번째 액체의 인접한 두 방울이 첫 번째 액체의 층을 밀어내는데 이런 경우에 자유 에너지는 감소하게 된다. 그래서 세포 사이즈가 증가하려고 하면 분할 중인 세포의 경로 폭이 늘어나는 효과가 생긴다. 이러한 제한은 두 가지 액체의 상호 작용으로 형성된 구조물에 기초한 자유 에너지의 피할 수 없는 결과로 작용한다.

기술적인 해결책으로는 (US 2009129004 신청 참고) 제공된 구조와 가장 유사한 것으로 선택된 사례로 위 보고서에서는 투명 전도체에 대해 설명하고 있으며 아래의 내용을 포함한다. 기판, 해당 기판의 전도 층. 본 층은 많은 금속 나노 전도체를 포함한다. 이 방법은 높은 전기 전도성과 광학 투명성이 기계적 유연성을 이룰 수 있다고 발표하였다. 또한 복구력이 높아 특정 전도성 경로가 손상되었을 때도 다수의 전도성 경로(이 경우 일련의 나노 전도체)가 전류 경로를 보장한다.

본 구조의 단점은 다음과 같다.

- 일반적으로 구조물은 접촉 저항을 포함하는데 이 저항은 항상 다수의 나노 전도체를 이루고 있는 각각의 나노 전도체 사이에서 생긴다.

- 예외적으로 나노 전도체만 사용된다. 즉, 사물을 이루는 각각의 사이즈가 100나노미터 이하이다. 다양한 적용을 위해서는 기술적이고 기계적인 관점으로 접근하는 것이 방법일 수 있으며, 소규모의 사물을 이용하는 것이 나을 수 있다.

- 예외적으로 전도체만 사용한다. 다양한 적용을 위해서는 기술적이고 기계적인 관점으로 접근하는 것이 방법일 수 있으며, 비전도성 경로망을 사용하는 것이 나을 수 있다. 예를 들면, 중합체 재료로 된 경로망이다. 특히, 생체 적합성을 가진 재료 (예를 들면, 생체 모방 기술의 코팅 분야에서).

- 일반적으로 기판에서 나노 전도체의 위치는 일정하지 않으며, 다양하게 적용하기 위해서는 나노 전도체 사이에 간격의 변화와 크기가 일정 수준 보장되어야 한다(즉, 망 내에서 창 간격과 크기 변화의 일정 수준). 이는 특히 광학 투명 코팅, 막, 자기 세정 재료, 생체 모방 기술 코팅 분야에 실용적일 수 있다.

또한 본 기술적인 해결책에서는 다음과 같은 투명 전도체의 제조 방법을 알려주고 있다. 기판 표면에 액체 내에서 분산 다수의 금속 나노 전도체를 침적한다. 그리고 액체가 건조하면 기판에서 금속 나노 전도체 망을 형성한다. 이러한 방법의 단점은 다음과 같다.

- 해당 액체에서 후에 분산될 금속 나노 전도체의 예비 합성이 필요하다. 금속 나노 전도체의 합성은 기계적의 관점에서 성가신 작업이며 여러 제한이 있다(기술적인 복잡성, 전도성의 제한, 결과물인 전도체에서 발견되는 결함 및 혼합물, 상관 관계의 제한과 부정확성).

- 나노 전도체를 액체로부터 기판으로 침적하는 필요성. 이 과정은 나노 전도체의 응고 효과 및 형성된 망의 균질성 위반과 불가분의 관계를 갖는다. 격자판의 틈(창)의 평균 크기를 조정하는 과정에서 생기는 불편함은 위 내용과 관련이 있다.

- 나노 와이어가 서로 연결하는 지점에서 생기는 전기 회로로 인해 와이어에 추가 접촉 저항력이 생겨 격자판이 각각의 나노 와이어로 구성이 되어 전반적 전기 전도성이 열화된다. 이와 같은 이유로 인해 격자판의 기계적 강도가 감소되는데, 이 감소는 일부 상황(예컨대, 격자판을 받침이나 선택적 층으로 이용할 경우)에 영향을 미칠 수 있다.

- 액체상 증착이 콜로이드 용액의 안정성을 증가하기 위하여 일반적으로 추가 성분의 사용이 필요하며 그 성분이 기질로 증착한 이후 이물질로 등장하고 형성하는 격자판의 전도성(접촉 저항이 증가하는 메커니즘을 따른) 등의 가동 파라미터를 열화시킨다.

본 발명품 그룹이 해결하는 과제는 앞서 언급한 현재 기술적 해결방안들의 단점을 제거하는 데 있다.

본 발명품 그룹이 달성하는 기술적 결과는 새로운 마이크로 및 나노 구조의 형성 방법 발전과 구조의 기계적 확실성 및 전기 전도성(발명품 실시 개별적 경우), 기하학적 파라미터의 조종성, 새로운 구조의 이용 면적 또는 이용방법 확대를 따른 시공 연도를 향상을 마련하는 새로운 마이크로 및 나노 구조의 발전이다.

본 기술적 효과는 격자 마이크로 및 나노 구조의 제작 방법으로 인해 달성되어 그 제작 과정에 있어 기질에 화학적 또는 물리적 반응 때 금을 조성할 수 있는 물질로 층을 형성하며, 이 금의 형성을 화학 및 물리적 반응으로 실시하고 형성된 금을 포함된 층을 마이크로 및 나노 구조의 기하학적 파라미터를 부과시키는 패턴으로 이용한다.

금을 포함하게 형성된 층을 이용하는 방법으로 그의 패턴으로서 기하학 파라미터는 언급된 기질 또는 두번째 기질에 부과, 혹은 본 마이크로 및 나노 구조의 일부 또는 전체가 기계적으로 아무 기질에 의존되지 않은 방식으로 부과시킨다.

금을 포함하고 형성된 층을 이용 방법으로 그의 패턴으로서 마이크로 및 나노 구조의 기하학 파라미터는 금을 포함하는 층을 덮어 양전도성 지층 혹은 유전체층의 형성 방법과 이후 금을 포함하는 층을 전반적 혹은 부분적으로 제거하는 방법을 포함할 수 있다.

양전도성 지층 혹은 유전체층의 적용은 진공 또는 제련 석출, 액체상 및 기상으로 실시 가능하여 금을 포함하는 층의 전반적 혹은 부분적인 제거는 부식 처리, 기계적 작용 또는 열폭풍효과로 실시 가능하다.

균열을 포함하고 형성된 그의 패턴으로서 마이크로 및 나노 구조의 기하학 파라미터를 설정 가능한 층으로 이용하는 방법은 두 번째 기질과 연결되는 액체성 전구물질이나 제련의 층을 형성, 액체성 전구물질이나 제련의 잔여물 치환 반응, 또한 액체성 전구물질을 대상물로 변경 혹은 제련을 응결시키는 방법이 포함될 수 있다.

균열을 포함하는 물질의 층이 형성되는 기질로서 언급된 전구물질 또는 제련을 일부를 포함할 수 있는 다공성 기질의 이용이 가능하다.

액체성 전구물질로서 은염액 또는 은 나노 입자 콜로이드가 이용하기 가능하다.

기질에 화학적 또는 물리적 반응 때 금을 조성할 수 있는 물질 층의 화합물에서는 진공석출로 증착 혹은 제련의 증착, 액체상 및 기상의 지층 혹은 유전체층 증착에 영향을 주고 기질로 증착하는 데 있어 언급된 증착 과정을 막는 추가 층 혹은 성분이 포함될 수 있다.

금을 포함하게 형성된 층을 이용 방법들은 마이크로 및 나노 구조의 기하학적 모양을 설정하기 위한 패턴으로 전도성 물질을 금이 형성한 틈으로 전류를 발생시키는 증착하는 방법을 포함할 수 있다.

금을 포함하게 형성된 층을 이용하는 방법들은 마이크로 및 나노 구조의 기하학적 모양을 설정하기 위한 패턴으로 패턴 또는 마이크로 및 나노 구조를 두번째의 기질로 옮기기 위한 본 기질과 두 번째 기질의 기계적 접촉 방법을 포함할 수 있다.

금을 포함하게 형성된 층을 이용하는 방법들은 마이크로 및 나노 구조의 기하학적 모양을 설정하기 위한 패턴으로 추가 층의 적용에 따른 본 추가층 위 또는 사이에 격자 마이크로 및 나노 구조의 물질 층의 형성 방법을 포함할 수 있다.

그 외에도 본 기술적 결과는 앞서 설명된 방법으로 형성하여 하나의 맺어진 격자 구조 형태의 전도성 혹은 유전성 층을 포함하는 격자 마이크로 및 나노 구조의 제작함으로서 달성되어 본 격자 구조가 마이크로 및 나노 격자 구조를 형성하는 데 패턴으로 이용되는 물질 층에서 생겨난 금의 기하학적 모양과 일치한다.

본 격자 구조 재료로서는 금속 또는 제련, 액체상 혹은 기상에서 증착하거나 진공 방법으로 증착시킨 전도성 산화물을 이용할 수 있다.

본 격자 구조 재료로서는 재료로는 매트릭스, 특히 전도성 중합체로 제작된 매트릭스에 충당된 전도성 나노 입자, 탄소 나노 튜브 혹은 전도성 나노 막대를 포함한 복합 재료를 사용할 수 있다.

본 격자 구조가 다공성 또는 광학 투명한 기판에 고정될 수 있다.

본 격자 구조는 부분적으로 또는 전반적으로 그 어떤 기판에 기계적으로 접촉되지 않을 수도 있다.

본 발명 그룹의 본질이 도면에서 해석되어 도판 1에서 발명품 하나의 실현 방법 사례에 따른 구조를 여러 형성 단계의 모습(옆면, 앞면)이 도식적으로 묘사된다. 도판 2에서는 발명품을 두 번째 실현하는 방법에 따라 여러 단계의 모습(옆면)이 도식적으로 묘사된다.

제시된 과제가 해결되어 기술적 결과는 다음과 같은 판정법을 이용함으로 달성된다.

- "본 격자 구조가 패턴으로 사용된 물질 층의 균열 모양에 일치한다"는 표식을 층이 관통 구멍이 뻗어 있다는 조건이 보장한다. 동일한 두께 층을 얻기 위한 본 방식으로 패턴을 제작하는 자율 형성 방법이 구멍의 비교적 같은 크기를 의미한다. 특히 구멍들의 모양과 크기가 일정한 차이를 갖다는 것이 중요하다. 광학상 코팅 (즉, 시각적으로 투명한 코팅) 경우에 피복 요소의 모양과 크기에 일정한 차이가 일정 길이의 전파 간섭 효과를 제거함으로 희망 결과일 수도 있는 강조할 만하다. 본 판정법이 보장하는 격자 구조 모양 특성이 격자 구조를 유전체 재료, 예를 들어, 본 층을 막의 받침 혹은 선택적 층이나 생체(생물학적 조직) 모방하는 층으로 제작되는 경우에도 중요하다. 마지막 경우에는 발명 바탕에 균열을 통해 하나의 층을 클러스터로 분리시키는 자율 형성적 방법으로 인해 수많은 클러스터의 기하학적 모양이 수많은 생물적 세포의 기하학적 모양을 따라하기 때문에 최후의 경우에 언급된 판정법은 특히 중요하다. 균열로 하나의 층을 클러스터로 분리시키는 발명 기본으로 되는 자율 형성 과정으로 인하여 클러스터 집합 모양이 일정한 정도로 생세포 집합 모양을 재현함으로써 본 표식이 특히 중요하다. (T.A. 야흐노, 베.게. 야흐노 과학 기술의 물리학 학술지, 2009, 79 권, 8 호 133-141 쪽 이와 함께 신청자가 밝히듯이 본 자율 형성 방법이 넓은 폭 조직화를 보장함으로써 본 표식이 격자 구조 요소 크기가 100 nm 이하 ~ 100 μm 이상 범위에 되어야 한다는 것을 의미한다. 원형에는 구조가 하나의 치수가 100 nm 이하 물체인 나노 전도체로 되어 있다고 밝혀 있지만 구조 요소의 가능 기하 수 폭 확장이 구조의 임의의 실현 방법에 (막 기초적 및 선택적 층으로 이용 경우, 초소수성 생체 모방 층 등) 중요한 의의를 가질 수 있다.

- "전도성이나 유전체 층을 포함한다"는 표식은 원형 경우에 비해 중합체와 같은 유전체 등 보다 폭넓은 재료로 구조를 제작 가능성을 보장함으로써 구조 응용 방법 범위를 확장한다.

- "단일 격자 구조 형식으로 제작되었다"는 표식은 "전도체 집합" 구조 경우에 항상 존재하는 접촉 전기 저항이 제거되는 것을 보장한다. 이는 구조의 획득하는 전도성의 수준을 높일 수 있다. 그 외에 대부분 전도체나 유전체에는 물리적 접촉 내구성 문제가 제기된다. 이는 막 기초적 및 선택적 층으로 이용하는 경우를 비롯한 실현 방법에 중요한 것으로 될 수 있다. 본 표식은 같은 종류 재료로 제작된 두 가지 물체 접촉 면적이 본 물체 사이 바로 그 모양대로 연속적으로 전이되는 것에 비하여 물질적으로 덜 견고한 것과 관련하여 구조 물리적 내구성 증가를 보장한다.

본 방법은 일반적인 경우에 단일 격자 구조를 조성함으로써 "나노 입자" 또는 "나노 전도체 집합" 구조 경우에 항상 존재하는 접촉 전기 저항 문제가 제거된다. 이는 구조의 획득하는 전도성 수준을 증가시킬 수 있다. 그 외에 많은 전도체나 나노 입자에는 여러 가지 실현 방법에 중요한 것으로 될 수 있는 물리적 접촉 내구성 문제가 제기된다.

- 본 방법은 최종 격자 구조가 조성되는 가능 재료 범위를 본질적으로 확장한다. 이 방법 범위에서는 조성되는 패턴을 (균열을 포함한 층) 이용하여 최종 격자 구조를 거의 임의의 재료로 다음과 같은 침전 방법으로 조성할 수 있다. 진공 증착, 용해물이나 액체상 기체상의 침전 등.

- 본 방법은 단일 격자 구조의 트랙 너비와 두께의 허용 균형을 본질적으로 확대한다. (격자 구조 트랙 너비를 정하는) 균열 너비가 지정되는 패턴 조성 단계가 트랙 조성 하나의 침전 방법과 상관 없으므로 본 기준의 치수를 독립적으로 변형할 자유도가 생긴다. 침전 방법 범위 안에 트랙 두께를 몇 nm으로부터 균열을 포함한 층 두께까지(몇 백 몇 십 μm 이상 가능)독립적으로 지정할 수 있다.

- 본 방법은 세포 (클러스터)의 크기와 그사이 트랙 너비의 허용 균형을 본질적으로 확대한다. 건조 또는 화학이나 물리학 반응 시에 층에 균열이 생기는 경우에 기판에 대한 층 접착력과 층의 수축력 사이 경쟁이 물리적 자율 형성 기구가 된다. 본 경쟁 때문에 일정한 시각에 하나의 층을 여러 개의 균열로 분할되는 클러스터로 분리시키는 것이 정력적으로 유리하게 된다. 본 자율 형성 과정은 증발 또는 화학 작용제 농도, 층 두께, 습도, 크래킹 환경 성분 등 조절함으로써 균열 너비와 클러스터의 크기 관계를 넓은 범위 안에서 조절할 수 있다. 특히, 첫째 크래킹 후에 구체적으로 나타낸 습도나 화학 조성으로 인하여 클러스터는 자신의 사이즈를 증가할 수 있다. (어떤 경우에는 부어 오른다). 형성한 균열은 통제로 어느 정도 나노미터와 클러스터의 완성 클램핑 정도로 좁힐 수 있다. 그래서 클러스터의 사이즈와 균열 폭이 전반적으로 모세 혈관의 자율 형성을 사용하는데, 원형에서 나노 전도체 증착을 사용하는 명시된 아날로그에 없는 폭넓은 한도로 서로 독립적으로 달라질 수 있다. (예를 들어, 클러스터의 길이가 100마이크론이며 균열 폭이 100나노미터에 이른다)

본 발명품 그룹에 자율 형성의 구조를 이용하는 미래 분야의 증가를 제공하는 메시 기하학 구조 및 그의 생산 방법이 제시됩니다. 구조 취득의 바탕으로 자율 형성이 있다. 물질 막에 기계적 응력이 증가할 경우 최초의 연속층이 어떤 단계에 서로 균열(금)으로 분리된 몇몇 클러스터로 분열된다. 본 물질의 막에 기계적 응력 증가의 이유로 물리적인 반응 또는 화학적인 반응이나 그의 조합을 말한다. 물리적인 반응으로 명시할 수 있는 것은 건조 공정 즉 구조에서 액체상을 삭제하는 것 (특별한 경우에 물 또는 액체 용매를 제거하는 것), 또는, 물질의 한 막이 부어 오른 것 (액체 요소를 흡수하는 것 때문에), 또는, (예를 들어, 불일치, 모듈의 탄성, 다른 물리적인 막이나 기질의 설정 때문에) 기질의 수축 및 증가와 다른 물질의 한 막의 수축 및 증가이다. 화학적인 반응으로 명시할 수 있는 것은 중합, 분해 등이다. 물리적인 반응과 화학적인반응의 조합으로 명시할 수 있는 것은 중합과 한 반응물의 증발이다. 현재 과학과 기술의 수준에 따라 물질의 막에 균열 형성을 배우고 사용했다. 그런데 기생 효과나 생리적인 액체나 산업적 액체의 품질 파라미터의 수단을 지적하는 포지션으로 연구되었다.(데.아. 야흐노, 베.게. 야흐노 과학 기술의 물리학 학술지, 2009, 79 권, 8 호 133-141 쪽

현재 발명품 그룹은 자율 형성이 특정 전도성 기능을 가진 최종 망 마이크로 및 나노 구조를 얻기 위하여 이용하는 패턴을 구성하기 위한 저비용 방법의 기반이라고 밝혔다. 발명자가 발견한 것은 다음의 파라미터를 규제하면 물리적과 화학적인 물질의 막의 구성, 그의 폭이, 기질의 점성 및 접착성, 물리적, 화학적인 반응의 속도, 열도, 시스템의 긴장, 또한 이후의 깨진 층을 처리하는 조건을 조절하고 평균 크기 및 마지막 클러스터의 형성, 균열의 클러스터의 폭 및 형성을 넓은 검출 한계에서 조절할 수 있다는 것이다. 균열의 폭은 이하 100나노미터부터 이상 100 mkm까지 달라질 수 있다. 최종적으로 얻는 그물 구조의 트랙 너비가 최초 균열 너비보다 더 넓은 폭에서 달라질 수 있다. 이를 위하여 깨진 층을 계속 가공하는 작동이 적용될 수 있다. 예를 들어, 해당 액체상 또는 기체상으로 노광하여 물리적이나 화학적 기구로 하여 깨진 층의 물질이 팽창되고 균열이 없어지기까지 좁아지는 방법이다. 또한 최종 트랙을 형성하는 대상층을 적용한 다음 임의 부식처리 (희생층이라고 함) 방법으로 제거하거나 화학적으로나 물리적으로 적용된 대상층과 반응하는 보충적인 층을 적용한다.

일반적으로 본 방법으로 형성된 패턴을 최종 그물 구조를 형성하기 위한 이용의 수는 거의 무한하다. 이는 마이크로 전자 기술과 마이크로 전자 기술과 관계된 분야에서 넓게 개발된 것이다. 본 패턴을 포함한 기판에 임의 방법으로 적용된 대상층을 적용하여 패턴의 클러스터를 제거함으로써 대상층이 균열 지역에서만 보존되고 그 모양을 재현하는 방법이 개별적인 경우이다. 그리고 균열 지역에 선택적으로 물질 침전 방법도 가능하다. 이를 위하여 균열로 분리된 유전성 클러스터가 덮은 전도성 기판에 갈바니 침전 또는 전기 영동법을 사용할 수 있다. 또는, 균열이 생긴 후 균열 표면과 클러스터의 표면에 서로 다르게 균열 조성 가능 층 표면을 예비적으로 기능화하여 가능화로 영향을 받는 (예를 들어 페하로 영향을 받는 표면 또는 이 위에 일정한 분자가 있는 경우) 침전 반응을 진행한다. 또한 균열 너비와 모양 변화나 최종 구조에 고정된 층을 (고정된 층이 희생층 체거로 조성할 수 있음) 조성하기 위한 보충 층 (특히 희생층)의 침전과 수정 방법이다. 또한 액체 전구물 층을 본 방법으로 형성된 패턴 위에 (균열 포함 층 위에) 형성하여 초과 액체 전구물이나 용해물이 치환하거나 액체 전구물이나 용해물이 기본적으로 균열 지역에 남아 있도록 기판과 패턴을 물리적으로 제2 기판에 접촉시키는 방법이다. 그 다음에 본 액채 전구물을 대상물로 변환하거나 (실례로 본 액채 전구물을 가열 시에 전구물에서 대상물 침전) 본 용해물을 응결시켜 대상물을 얻는 작동이다. 그 동안에 대상물이 제1 기판과 제2 기판에서 트랙을 형성한다. 기판에 대한 대상물 접착성 힘 균형에 따라 제2기판에 물리적 접촉에서 탈퇴 시 대상물 트랙이 제1기판이나 제2기판 또는 양 기판에 남아 있을 수 있다. 이 경우 제2기판을 결과물로 이용할 수 있다. 특히 제2기판을 제1기판과의 물리적 접촉에서 탈퇴 시 패턴이 제1기판에 남는 것으로 하여 패턴 제거 필요가 없다는 장점이 있다. 일반 경우 본 기판에 대한 패턴의 접착성 힘 균형에 따라 제2기판을 제1기판과의 물리적 접촉에서 탈퇴 시 패턴이 제1기판이나 제2기판 또는 양 기판에 남아 있을 수 있다.

즉, 물리적 접촉에 있었던 2중 하나의 기판으로 패턴 클러스터가 포획되고 다른 기판이 최종 격자 구조 트랙만 보존하거나 받게 되는 물리적인 패턴 제거 방법이 이 원칙을 바탕으로 한다. 물리적 패턴 제거 방법에는 패턴 클러스터를 기판에서 분리시키는 물리적인 응력을 보장하는 임의의 방법도 포함할 수 있다. 이의 한 가지 예로 시스템 가열이 될 수 있다. 이 경우 기판과 패턴 물질의 팽창비 차이로 하여 패턴 클러스터가 기판에서 분리 향상한다. 패턴의 기계적 제거의 대안으로 여러 가지의 부식 처리와 용해, 씻어 없애기 등 방법을 언급할 수 있다. 일반적 경우에는 패턴이 제거가 필요 없고 격자 구조의 자극과 동시에 결과품의 구성으로 포함된 상태로 이용이 가능하다. 예를 들면, 예컨대, 패턴이 투명한 물질로 형성된 경우에 투명한 전도 구조를 제작하기 위하여 패턴의 제거가 요구되지 않을 수도 있다. 다만, 그러한 경우에 패턴의 클러스터에서 간섭 효과를 없애기 위하여 패턴 물질의 굴절 계수에 맞는 굴절 계수의 추가 층 (이른바 담금 층)의 시스템으로 기입이 필요할 수 있다. 지적된 첫째의 기질이 전구물질, 혹은 제련의 일부를 포함할 수 있는 다공성의 물질로 제작될 수 있다. 전구물질이나 제련으로 충분히 먹힌 본 종류의 패턴으로 덮은 다공성의 기판은 클러스터 사이의 균열로 형성된 분출구가 달린 잉크젯 프린터 분배기와 유사하다. 그러한 경우의 마이크로 및 나노 구조의 피복물 형성 기술적 과정은 본 다공성 구조 및 패턴과 가공되는 표면의 접촉 이후 패턴을 통해 전구물질이나 제련의 일부의 압착함으로써 해결된다. 그러한 발명 실시 경우에 임프린트 리소그래피와 유사함이 있으나 차이점은 자동구성된 패턴 이용에 있다. 여기서는 전구질이란 대상물을 형성하는 반응에 참여하는 물질로 이해된다. 은염액 또는 은 나노 입자 콜로이드가 전구물의 사례가 된다. 제련이란 녹는점 이상의 가열로 인한 액체상의 대상물을 말한다. 형성되는 격자 구조의 강고가 충분한 경우에는 전반적 또는 부분적으로 첫째나 둘째 기판과 기계적인 분리가 가능하다. 발명자가 보여준 그러한 분리의 가능성의 사례는 격자 구조를 기계적으로 잡고 그 다음에 기질로서의 나머지 구조의 부분을 기계적을 뜯어내는 것이었다. 그런 방식으로 형성된 역분의 격자 구조는 막, 철망 전극, 촉매 구조 등의 용도로 이용하기 가능하다.

대상 격자 구조의 앞서 설명된 패턴 바탕으로 형성 방법들의 공통점은 형성되는 자극의 모양, 그리고 그 자극 사이 공간과 패턴의 최초의 금과 클러스터의 모양의 일치하는 점이다. 결과물 구조의 요소와 최초의 패턴의 기하학적 크기 자체는 일치하지 않을 수도 있다. (그러나 구조와 패턴의 요소 배치 기간이 항상 일치된다)

일반적으로 대상 격자 구조를 형성하는 대상물에 아무 제한이 적용된지 않는다. 그 대상물은 단일 또는 복수 성분 물질, 전도성 혹은 비전도성의 물질이 될 수 있다. 예외적으로, 매트릭스, 특히 전도성 중합체로 제작된 매트릭스에 배열된 전도성 나노 물질, 탄소 나노관이나 전도성 나노 봉을 포함한 복합 재료가 사용할 수 있다.

본 발명품 그룹의 실시 이용 가능성이 다음과 같은 사례로 보여줄 수 있다.

유리 기판 1(도판 1)로 수분 라텍스의 정직의 층 2가 적용된다. 본 층은 건조 이후 여과된 금의 체계 3을 형성한다. 그 다음에 이러한 방법으로 준비된 기판에 진공 증착으로 금속(예, 구리) 층 4가 적용되거나 은, 구리의 층이 은, 구리 거울의 반응이나 은, 구리 액체의 나노 요소를 제련시킨다. 결과적으로 은 혹은 구리의 총 4층의 두께가 예를 들어 4나노미터가 되도록 한다. 그 다음에는 라텍스의 층 2를 제거하기가 실시된다 (예를 들어 기질을 아세톤으로 가공하는 방법으로). 그 당시에 유리 기판에 균열 3에 위치되었던 금속 층의 부분만 남는다. 결과적으로 유리 기판은 틈에 사이가 남게 맺어진 격자 금속 자극으로 덮게 된다. 자극 사이에 접촉 저항이 존재하지 않는다. (자극은 동일한 금속 층으로 형성된 격자 구조의 부분이다) 그러한 코팅의 표면 저항률이 최초의 패턴의 파라미터(우선 클러스터의 크기와 금의 넓이이)에 따라 1-100 옴/평방, 투명성의 80~95% 그 이상이 된다. 형성된 구조는 시각적으로 투명한 전도성의 코팅의 기능성을 갖는다.

두 번째 사례는 다공성의 기판 1(도판 2)에 수분 라텍스의 정직의 2층이 적용되는 것이다. 본 층은 건조 이후 여과된 금의 체계 3을 형성한다. 그 다음에 층 2 위로 액체성 전구물질로서 은염액의 층 5이 덮는다. 층 2에 두 번째 기판이 액체상 전구물질의 잔여물이 치환되어 전구물질이 금 3의 구역에서만 남아 있도록 접촉된다. 그 다음에 두번째의 기질 6을 가열시켜 그 기질에 은의 층이 증착이 이루어진다. 은자극 7이 증착된 두 번째 기판은 6이 결과물로 볼 수 있다. 첫째 기판 1의 다공성이 전구물질 일부를 흡수하는 데 도움을 주고 그로 인해 첫째 기판 1은 전구물질의 추가 용량의 역할을 한다. 그러므로 금 3의 구역에 있는 전구물질과 기팔로 흡수된 전구물질의 순환이 이루어진다. 그 효과는 대상물(이 경우에 은)이 증착하는 과정에 일어나는 전구물질의 궁핍을 방지하여 보다 두께가 높은 대상물의 층 (이 경우에는 은의 층)의 증착이 가능해진다.

세 번째 사례는 기판 1(도판 2)에 수분 라텍스 정직의 2층이 적용된다 본 층은 건조 이후 여과된 금의 체계 3을 형성한다. 그 다음에 층2 위로 액체상 중합체 용해인 층 5가 덮게 된다. 초과 액체 용해물이 치환되어 용해물이 균열 지역에 (3) 남아 있도록 층 (2)으로 제 2 기판이 (6) 압착된다. 그 다음에 액체 용해물이 응결함으로써 중합체 그물이 형성되어 그 트랙 모양은 (7) 최초 패턴 균열 모양과 일치한다. 제1 기판 (1) 과 제 2 기판 (6) 에 대한 중합체 접착성 힘 균형에 따라 본 기판들을 물리적 접촉에서 탈퇴 시 중합체 그물이 제1기판이나 제2기판에 남는다. 본 마이크로 및 나노 구조가 초소수성 표면 층으로 (자동 세척시 표면), 또는 기판이 제거되었거나 다공성 기판에 전이된 경우 이 방법으로 얻는 막의 선택적 및 기초적 층으로, 또는 생세포와 일정한 유사성을 갖는 생체 적합성 중합체로 제작한 경우 생체 모방 표면 등 목적에서 이용될 수 있다.

앞서 고찰한 발명품의 실시 사례는 발표된 기술적 결과의 달성을 마련한다.

Claims (16)

1. 화학적이나 물리적 또는 화학적 및 물리적 반응 과정에 균열을 형성할 수 있는 물질로 기판에서 층을 형성하는 마이크로 및 나노 구조를 얻는 방법은 화학적이나 물리적 또는 화학적 및 물리적 반응으로 본 층에서 균열이 형성되는 작용을 하며 균열 포함 층을 마이크로 및 나노 구조 모양을 정하여 패턴으로 이용하기 위한 작동을 진행한다.
2. 방식 1에 있어서, 균열을 포함하게 얻은 층을 패턴으로 이용하여 본 마이크로 및 나노 구조가 부분적으로, 혹은 전체적으로 그 어떤 기판에 물리적으로 의존되지 않도록 본 기판이나 제 기판에 마이크로 및 나노 구조 모양을 정하는 방식.
3. 방식 1에 있어서, 균열을 포함하게 얻은 층을 마이크로 및 나노 구조 모양을 정하는 패턴으로 이용하는 작동에는 균열 포함 층 위에 전도성이나 유전성 층을 형성하는 작동을 포함하고 이어 전적이나 전적으로 균열 포함 층을 제거하는 작동을 포함하는 특징을 갖는 방식.
4. 방식 3에 있어서, 전도성이나 유전성 층을 적용하는 작동을 진공 증착 또는 용해물, 액체상이나 기체상으로 침전으로 진행하고 전적이나 부분적으로 균열을 포함하는 층을 제거하는 작동을 부식처리 또는 가열이나 물리적 처리로 진행하는 특징을 갖는 방식.
5. 방식 1에 있어서, 균열을 포함하게 얻은 층을 마이크로 및 나노 구조 모양을 정하는 패턴으로 이용하는 작동에는 액체 전구물이나 용해물 층을 균열을 포함하는 층 위에 형성하는 작동, 초과 액체 전구물이나 용해물이 치환되어 균열을 포함하는 층을 제 2 기판에 접촉시키는 작동, 액체 전구물이나 용해물을 대상물로 전환시키는 작동 또는 용해물 응결 작동을 포함하는 특징을 갖는 방식.
6. 방식 5에 있어서, 균열을 포함하는 물질 층이 형성되는 기판으로 본 전구물이나 용해물 일부를 수용할 있는 다공성이 높은 기판을 이용하는 특징을 갖는 방식.
7. 방식 5에 있어서, 본 액체 전구물로서 은 염액 또는 은 나노 입자 콜로이드가 이용되는 특징을 갖는 방식.
8. 방식 3에 있어서, 화학적이나 물리적인 반응 때 균열을 얻을 수 있는 본 물질 층이 형성된 기판 물질에 침전 과정에 비하여 진공 증착으로 전도성이나 유전성 층 침전 과정 또는 용해물, 액체상이나 기체상에서 침전 과정을 차단하거나 지연시키는 영향을 주는 보충 층이나 요소를 갖는 특징을 갖는 방식.
9. 방식 1에 있어서, 균열을 포함하게 얻은 층을 마이크로 및 나노 구조 모양을 정하는 패턴으로 이용하는 작동에는 균열로 형성된 간격에 전도성 물질의 갈바니 침전 작동을 포함하는 특징을 갖는 방식.
10. 방식 1에 있어서, 균열을 포함하게 얻은 층을 마이크로 및 나노 구조 모양을 정하는 패턴으로 이용하는 작동에는 본 제2 기판에 패턴 또는/및 마이크로 및 나노 구조를 옮기기 위한 본 기판이 제2기판과 물리적 접촉 작동을 포함하는 특징을 갖는 방식.
11. 방식 1에 있어서, 균열을 포함하게 얻은 층을 마이크로 및 나노 구조 모양을 정하는 패턴으로 이용하는 작동에는 보충적으로 층을 쓰고 이어 본 층들 위 또는 사이에 그물 마이크로 및 나노 구조의 물질 층을 형성하는 특징을 갖는 방식.
12. 방식 1에 따라 얻은 전도성이나 유전성 층을 포함하고 하나의 격자 구조로 제작된 그물 마이크로 및 나노 구조이다. 특히, 본 격자 구조는 마이크로 및 나노 구조 모양을 정하는 패턴으로 마이크로 및 나노 구조 형성 시 이용된 물질 층에 형성된 균열 모양에 일치하는 것이다.
13. 방식 12에 있어서, 본 격자 구조 재료로 금속 또는 용해물, 액체상이나 기체상에서 침전되었거나 진공 방법으로 침전된 전도성 금속 산화물이 이용된 특징을 갖는 방식.
14. 방식 12에 있어서, 본 격자 구조 재료로 매트릭스, 특히 전도성 중합체로 제작된 매트릭스에 배열된 전도성 나노 입자, 탄소 나노관이나 전도성 나노 막대를 포함하는 복합 재료를 이용한 특징을 갖는 방식.
15. 방식 12에 있어서, 본 격자 구조가 천공성이 높거나 광학적으로 투명한 기판에 고정된 특징을 갖는 방식.
16. 방식 12에 있어서, 본 격자 구조가 구조가 부분적으로나 전적으로 그 어떤 기판에 물리적으로 구속되지 않는 특징을 갖는 방식.

Images