KR20160110188A - Substrate processing apparatus, substrate processing method and recording medium - Google Patents

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노부타카 후쿠나가
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도쿄엘렉트론가부시키가이샤
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Abstract

The present invention provides a substrate processing apparatus and a substrate processing method capable of reducing an atmosphere adjustment time. According to the present invention, an energy beam irradiating unit (U4) comprises: an irradiation unit (54) to irradiate a wafer (W) with energy beams; a return unit (56) to return the wafer (W); a gas supply unit (70) to supply processing gas for processing the wafer (W) from an upper outlet (71); and a gas discharge unit (80) to discharge the processing gas from a discharge hole (81); and a control unit (100). The control unit (100): makes the return unit (56) return the wafer (W) to a first position to block a flowing path of the processing gas from the upper outlet (71) to the discharge hole (81); makes the gas supply unit (70) supply the processing gas from the upper discharge hole (71) when the wafer (W) is placed in the first position; and makes the irradiation unit (54) irradiate the surface of the wafer (W) with energy beams in a state that the processing gas supplied by the gas supply unit (70) is adsorbed on the surface of the wafer (W).

Description

기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 기록 매체{SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS, SUBSTRATE PROCESSING METHOD AND RECORDING MEDIUM}TECHNICAL FIELD [0001] The present invention relates to a substrate processing apparatus, a substrate processing method,

본 개시는 기판처리 장치 및 기판 처리 방법에 관한 것이다.The present disclosure relates to a substrate processing apparatus and a substrate processing method.

특허 문헌 1에는, 불활성 가스의 공급에 의해 분위기의 산소 농도를 조정한 상태에서, 피처리 기판에 자외선을 조사하는 기판 처리 방법이 개시되어 있다.Patent Document 1 discloses a substrate processing method in which ultraviolet rays are irradiated to a substrate to be processed while the oxygen concentration of the atmosphere is adjusted by supplying an inert gas.

일본특허공개공보 2004-319558호Japanese Patent Application Laid-Open No. 2004-319558

특허 문헌 1에 기재된 바와 같이, 불활성 가스(처리용의 가스)의 공급에 의해 분위기의 상태를 조정하는 방법에 있어서는, 분위기가 원하는 상태가 되는 것을 대기할 필요가 있다.As described in Patent Document 1, in the method of adjusting the state of the atmosphere by supplying the inert gas (processing gas), it is necessary to wait for the atmosphere to become a desired state.

본 개시는, 분위기의 조정 시간을 단축할 수 있는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.It is an object of the present disclosure to provide a substrate processing apparatus and a substrate processing method capable of shortening an adjustment time of an atmosphere.

본 개시에 따른 기판 처리 장치는, 기판의 표면에 에너지선을 조사하는 조사부와, 기판을 반송하는 반송부와, 조사부의 근방에 배치된 토출구를 가지고, 토출구로부터 기판의 처리용의 가스를 공급하는 가스 공급부와, 토출구로부터 이간되어 배치된 배출구를 가지고, 토출구로부터 토출된 처리용의 가스를 배출구로부터 배출하는 가스 배출부와, 토출구로부터 배출구에 이르는 처리용의 가스의 유로를 차단하는 제 1 위치로 기판을 반송하도록 반송부를 제어하는 것, 제 1 위치에 기판이 위치하고 있을 때, 처리용의 가스를 토출구로부터 공급하도록 가스 공급부를 제어하는 것, 가스 공급부에 의해 공급된 처리용의 가스가 기판의 표면 상에 개재되는 상태에서 기판의 표면에 에너지선을 조사하도록 조사부를 제어하는 것을 실행하도록 구성된 제어부를 구비한다.The substrate processing apparatus according to the present disclosure includes an irradiation section for irradiating a surface of a substrate with an energy ray, a transport section for transporting the substrate, and a discharge port arranged in the vicinity of the irradiation section, A gas discharge portion for discharging the processing gas discharged from the discharge port from the discharge port and a first position for shutting off the flow path of the processing gas from the discharge port to the discharge port, Controlling the transporting unit to transport the substrate; controlling the gas supply unit to supply the process gas from the discharge port when the substrate is positioned at the first position; controlling the gas supplied from the gas supply unit to the surface of the substrate A control unit configured to control the irradiating unit to irradiate the surface of the substrate with an energy ray in a state interposed therebetween, And a.

상기 기판 처리 장치에 의하면, 토출구로부터 배출구에 이르는 처리용의 가스의 유로를 차단하는 제 1 위치에 기판이 배치된 상태에서, 처리용의 가스가 공급된다. 이에 의해, 토출구로부터 배출구를 향하는 처리용의 가스가 기판의 표면을 따라 확산된다. 이 때문에, 에너지선의 조사에 앞서, 기판의 표면에 처리용의 가스가 확산되기까지의 시간이 짧아진다. 따라서 분위기의 조정 시간을 단축할 수 있다.According to the substrate processing apparatus, the processing gas is supplied in a state in which the substrate is disposed at the first position for blocking the flow path of the processing gas from the discharge port to the discharge port. Thereby, the processing gas from the discharge port toward the discharge port is diffused along the surface of the substrate. Therefore, prior to the irradiation of the energy ray, the time until the processing gas is diffused on the surface of the substrate is shortened. Therefore, the time for adjusting the atmosphere can be shortened.

반송부는, 조사부에 의한 에너지선의 조사 방향에 교차하는 방향으로 기판을 반송하도록 구성되고, 제어부는, 반송부가 기판을 반송하고 있을 때, 상기 기판의 표면에 에너지선을 조사하도록 조사부를 제어해도 된다. 이 경우, 제 1 위치로의 기판의 반송과 에너지선의 조사 위치의 변경에 동일한 반송부를 공용할 수 있다. 따라서, 간이한 구성으로 분위기의 조정 시간을 단축할 수 있다.And the control unit may control the irradiating unit to irradiate the surface of the substrate with the energy ray while the carrying unit is transporting the substrate. In this case, the same carry section can be shared for transporting the substrate to the first position and for changing the irradiation position of the energy ray. Therefore, the time for adjusting the atmosphere can be shortened by a simple configuration.

에너지선의 조사 방향에 있어서, 토출구는 기판의 표면측에 배치되고, 배출구는 기판의 이면측에 배치되어 있어도 된다. 이 경우, 반송부에 의해 반송되는 기판의 표면과, 처리용의 가스의 유로가 교차한다. 이 때문에, 제 1 위치에 배치된 기판에 의해 처리용의 가스를 확산시키는 작용이 보다 현저한 것이 된다. 따라서, 분위기의 조정 시간을 보다 확실히 단축할 수 있다.In the irradiation direction of the energy ray, the discharge port may be disposed on the front surface side of the substrate, and the discharge port may be disposed on the rear surface side of the substrate. In this case, the surface of the substrate carried by the carry section crosses the flow path of the processing gas. Therefore, the effect of diffusing the processing gas by the substrate disposed at the first position becomes more remarkable. Therefore, the adjustment time of the atmosphere can be more certainly shortened.

토출구는 에너지선의 조사 방향으로 개구되어 있고, 제어부는, 토출구에 대향하는 위치를 제 1 위치로서 반송부를 제어해도 된다. 이 경우, 제 1 위치에 배치된 기판에 의해 처리용의 가스를 확산시키는 작용이 더 현저한 것이 된다. 따라서, 분위기의 조정 시간을 보다 확실히 단축할 수 있다.The discharge port may be opened in the irradiation direction of the energy ray and the control section may control the carry section with the position facing the discharge port as the first position. In this case, the action of diffusing the processing gas by the substrate disposed at the first position becomes more remarkable. Therefore, the adjustment time of the atmosphere can be more certainly shortened.

제어부는, 가스 공급부에 의해 공급된 처리용의 가스가 채워진 제 2 위치로 기판을 반송하도록 반송부를 제어하는 것, 제 2 위치에 비해 처리용의 가스의 농도가 낮은 제 3 위치로 기판을 반송하도록 반송부를 제어하는 것을 더 실행하도록 구성되어 있고, 반송부가 기판을 제 2 위치로부터 제 3 위치로 반송할 때, 상기 기판의 표면에 에너지선을 조사하도록 조사부를 제어해도 된다. 가령, 제 3 위치로부터 제 2 위치로 반송할 때 에너지선의 조사를 행하면, 가스 농도가 낮은 제 3 위치의 기체가 기판과 함께 에너지선의 조사 위치로 도입되어, 상기 조사 위치에 개재되는 처리용의 가스가 충분하게 되지 못할 가능성이 있다. 이를 방지하기 위하여, 기판의 반송 속도를 낮게 하는 등의 대책을 실시하면, 스루풋의 저하 요인이 될 수 있다. 이에 대하여, 가스 농도가 높은 제 2 위치로부터 가스 농도가 낮은 제 3 위치로 기판을 반송할 때 에너지선의 조사를 행함으로써, 처리용의 가스를 에너지선의 조사 위치에 충분히 개재시키는 것이 가능해진다. 따라서, 분위기의 조정 시간을 보다 확실히 단축할 수 있다.The control unit controls the transport unit to transport the substrate to the second position filled with the processing gas supplied by the gas supply unit and controls the transport unit to transport the substrate to the third position where the concentration of the processing gas is lower than the second position The irradiating unit may be controlled so as to irradiate the surface of the substrate with an energy ray when the carrying unit conveys the substrate from the second position to the third position. For example, when the energy ray is irradiated when the energy ray is transported from the third position to the second position, the gas at the third position having a low gas concentration is introduced together with the substrate to the irradiation position of the energy ray, May not be sufficient. In order to prevent this, if countermeasures such as lowering the conveying speed of the substrate are carried out, the throughput may be deteriorated. On the other hand, when the substrate is transported from the second position where the gas concentration is high to the third position where the gas concentration is low, the gas for processing can be sufficiently interposed at the irradiation position of the energy ray. Therefore, the adjustment time of the atmosphere can be more certainly shortened.

반송부에 의한 기판의 반송 방향에서 조사부에 인접하는 위치에 있어서, 배출구를 포함하도록 마련되고, 토출구로부터 배출구로 흐르는 처리용의 가스를 일시적으로 수용하는 기체 저류실을 더 구비하고, 제어부는 기체 저류실 내를 제 2 위치로서, 기체 저류실 밖을 제 3 위치로서 반송부를 제어해도 된다. 이 경우, 제 2 위치에 있어서의 가스 농도와 제 3 위치에 있어서의 가스 농도와의 차가 현저해진다. 이 때문에, 제 2 위치로부터 제 3 위치로 기판을 반송하는 것에 의한 상기 작용이 보다 현저한 것이 된다. 따라서, 분위기의 조정 시간을 보다 확실히 단축할 수 있다.Further comprising a gas storage chamber which is provided so as to include a discharge port at a position adjacent to the irradiating portion in the transport direction of the substrate by the carry section and which temporarily stores the processing gas flowing from the discharge port to the discharge port, The inside of the chamber may be controlled to be the second position, and the outside of the gas storage chamber may be controlled to the third position to control the carry section. In this case, the difference between the gas concentration at the second position and the gas concentration at the third position becomes remarkable. Therefore, the above-mentioned action by transporting the substrate from the second position to the third position becomes more remarkable. Therefore, the adjustment time of the atmosphere can be more certainly shortened.

반송 방향에 있어서의 기체 저류실의 반대측에서, 조사부 및 토출구로부터 이간된 위치에 마련되고, 기판의 반입반출 시에 상기 기판을 통과시키는 개구부를 더 구비하고, 제어부는, 개구부와 기체 저류실의 사이를 제 3 위치로서 반송부를 제어해도 된다. 이 경우, 기판의 반입반출용의 개구부측에 제 3 위치가 배치됨으로써, 제 2 위치에 있어서의 가스 농도와 제 3 위치에 있어서의 가스 농도와의 차가 더 현저해진다. 이 때문에, 제 2 위치로부터 제 3 위치로 기판을 반송하는 것에 의한 상기 작용이 보다 현저한 것이 된다. 따라서, 분위기의 조정 시간을 보다 확실히 단축할 수 있다.Further comprising an opening portion provided at a position spaced apart from the irradiation portion and the discharge port on the opposite side of the gas storage chamber in the carrying direction and allowing the substrate to pass therethrough when the substrate is carried in and out and the control portion controls the gap between the opening portion and the gas storage chamber May be controlled as the third position. In this case, since the third position is disposed on the opening side of the substrate for carry-in / out, the difference between the gas concentration at the second position and the gas concentration at the third position becomes more significant. Therefore, the above-mentioned action by transporting the substrate from the second position to the third position becomes more remarkable. Therefore, the adjustment time of the atmosphere can be more certainly shortened.

가스 배출부는, 개구부로부터 도입된 외기와, 토출구로부터 토출된 처리용의 가스를 배출구로부터 모두 배출해도 된다. 이 경우, 개구부로부터 도입된 외기에 의해, 개구부측으로부터 기체 저류실 내의 배출구측을 향하는 기류가 형성된다. 이 기류에 의해, 처리용의 가스가 기체 저류실 내로 유도되므로, 제 2 위치에 있어서의 가스 농도와 제 3 위치에 있어서의 가스 농도와의 차가 더 현저해진다. 이 때문에, 제 2 위치로부터 제 3 위치로 기판을 반송하는 것에 의한 상기 작용이 보다 현저한 것이 된다. 따라서, 분위기의 조정 시간을 보다 확실히 단축할 수 있다.The gas discharge portion may discharge both the outside air introduced from the opening portion and the processing gas discharged from the discharge port from the discharge port. In this case, by the outside air introduced from the opening, an airflow is formed from the opening side toward the outlet side in the gas storage chamber. By this air flow, the processing gas is guided into the gas storage chamber, so that the difference between the gas concentration at the second position and the gas concentration at the third position becomes more significant. Therefore, the above-mentioned action by transporting the substrate from the second position to the third position becomes more remarkable. Therefore, the adjustment time of the atmosphere can be more certainly shortened.

기판의 반입반출에 있어서 개구부를 개폐하는 셔터를 더 구비하고. 셔터는, 폐색 상태에서도 외기를 도입 가능하게 되도록 구성되어 있어도 된다. 이 경우, 기판 처리 장치의 내외를 셔터로 구획하면서, 개구부측으로부터 기체 저류실 내의 배출구측을 향하는 상기 기류를 확보할 수 있다.And a shutter that opens and closes the opening portion in carrying-in and carrying-out of the substrate. The shutter may be configured to be capable of introducing outside air even in a closed state. In this case, while the inside and the outside of the substrate processing apparatus are partitioned by the shutters, the air flow from the opening side toward the discharge port side in the gas storage chamber can be ensured.

셔터는, 폐색 상태에서도 외기를 도입 가능한 극간을 이루도록 구성되어 있어도 된다. 이 경우, 셔터가 닫힌 상태에서의 상기 기류의 확보를 간단한 구성으로 실현할 수 있다.The shutter may be configured so as to form a gap between the shutter and the outside air capable of introducing outside air. In this case, the airflow can be ensured with a simple configuration in a state in which the shutter is closed.

처리용의 가스는 불활성 가스여도 된다.The processing gas may be an inert gas.

본 개시에 따른 기판 처리 방법은, 에너지선의 조사부와, 조사부의 근방에 배치된 처리용의 가스의 토출구와, 토출구로부터 이간된 처리용의 가스의 배출구를 구비하는 기판 처리 장치를 이용하고, 토출구로부터 배출구에 이르는 처리용의 가스의 유로를 차단하는 제 1 위치로 기판을 반송하는 것, 제 1 위치에 기판이 위치하고 있을 때, 처리용의 가스를 토출구로부터 공급하는 것, 토출구로부터 공급된 처리용의 가스가 기판의 표면 상에 개재되는 상태에서 조사부로부터 기판의 표면에 에너지선을 조사하는 것을 포함한다.A substrate processing method according to the present disclosure is a substrate processing method using a substrate processing apparatus having an irradiation portion of an energy ray, a discharge port of a processing gas disposed in the vicinity of the irradiation portion, and a discharge port of a processing gas separated from the discharge port, The substrate is transported to a first position where the flow path of the processing gas leading to the discharge port is blocked; the processing gas is supplied from the discharge port when the substrate is located at the first position; And irradiating the surface of the substrate with an energy ray from the irradiation portion in a state where the gas is interposed on the surface of the substrate.

토출구로부터 공급된 처리용의 가스가 채워진 제 2 위치로 기판을 반송하는 것, 제 2 위치에 비해 처리용의 가스의 농도가 낮은 제 3 위치로 기판을 반송하는 것을 더 포함하고, 기판이 제 2 위치로부터 제 3 위치로 이동할 때, 상기 기판의 표면에 에너지선을 조사해도 된다.Further comprising: transporting the substrate to a second position filled with the processing gas supplied from the discharge port; and transporting the substrate to a third position where the concentration of the processing gas is lower than that in the second position, When moving from the position to the third position, the surface of the substrate may be irradiated with an energy ray.

본 개시에 따른 기록 매체는, 상기 기판 처리 방법을 기판 처리 장치에 실행시키기 위한 프로그램을 기록한 것이다.The recording medium according to the present disclosure records a program for causing the substrate processing apparatus to execute the substrate processing method.

본 개시에 따르면, 분위기의 조정 시간을 단축할 수 있다.According to the present disclosure, the adjustment time of the atmosphere can be shortened.

도 1은 기판 처리 장치를 구비한 기판 처리 시스템을 나타내는 사시도이다.
도 2는 기판 처리 시스템의 평면도이다.
도 3은 기판 처리 장치의 개략 구성을 나타내는 모식도이다.
도 4는 기판 처리 순서를 나타내는 순서도이다.
도 5는 기판 처리 장치에 기판이 반입된 상태를 나타내는 도이다.
도 6은 기판이 유지된 상태를 나타내는 도이다.
도 7은 기판이 제 1 위치로 반송된 상태를 나타내는 도이다.
도 8은 처리용의 가스가 공급된 상태를 나타내는 도이다.
도 9는 기판이 제 2 위치로 반송된 상태를 나타내는 도이다.
도 10은 기판을 제 3 위치로 반송하면서, 그 표면에 자외선을 조사하고 있는 상태를 나타내는 도이다.
도 11은 기판이 제 3 위치로 반송된 상태를 나타내는 도이다.
도 12는 가스의 공급이 정지된 상태를 나타내는 도이다.
도 13은 기판이 반출되고 있는 상태를 나타내는 도이다.1 is a perspective view showing a substrate processing system having a substrate processing apparatus.
2 is a top view of the substrate processing system.
3 is a schematic diagram showing a schematic configuration of a substrate processing apparatus.
4 is a flowchart showing a substrate processing procedure.
5 is a view showing a state in which a substrate is loaded into a substrate processing apparatus.
6 is a view showing a state in which the substrate is held.
7 is a view showing a state in which the substrate is transported to the first position.
8 is a diagram showing a state in which a gas for processing is supplied.
9 is a view showing a state in which the substrate is transported to the second position.
10 is a diagram showing a state in which ultraviolet rays are irradiated to the surface while the substrate is transported to the third position.
11 is a view showing a state in which the substrate is transported to the third position.
12 is a diagram showing a state in which gas supply is stopped.
13 is a diagram showing a state in which the substrate is taken out.

이하, 첨부 도면을 참조하여, 실시 형태에 대하여 상세하게 설명한다. 또한, 설명에서 동일 요소 또는 동일 기능을 가지는 요소에는 동일 부호를 부여하여, 중복되는 설명은 생략한다.BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Hereinafter, embodiments will be described in detail with reference to the accompanying drawings. In the description, the same elements or elements having the same function are denoted by the same reference numerals, and redundant description is omitted.

[기판 처리 시스템][Substrate processing system]

먼저, 도 1 및 도 2를 참조하여, 본 실시 형태에 따른 기판 처리 시스템(1)의 구성 및 동작을 설명한다. 기판 처리 시스템(1)은 자기 조직화 리소그래피(DSA : Directed Self-Assembly) 기술을 이용하여 웨이퍼(W)(기판) 상의 요철 패턴을 미세화하기 위한 시스템이다. 이하, DSA 기술에 의한 요철 패턴의 미세화 처리를 'DSA 처리'라고 한다.First, the configuration and operation of the substrate processing system 1 according to the present embodiment will be described with reference to Figs. 1 and 2. Fig. The substrate processing system 1 is a system for miniaturizing the concavo-convex pattern on the wafer W (substrate) by using a self-assembled lithography (DSA) technique. Hereinafter, the refinement process of the concavo-convex pattern by the DSA technique is referred to as " DSA process ".

도 1 및 도 2에 나타내는 바와 같이, 기판 처리 시스템(1)은 카세트 스테이션(S1) 및 처리 스테이션(S2)을 구비한다.As shown in Figs. 1 and 2, the substrate processing system 1 includes a cassette station S1 and a processing station S2.

카세트 스테이션(S1)은 카세트 스테이지(21)와 반송 암(22)을 가진다. 카세트 스테이지(21)는 카세트(C)를 배치하기 위한 스테이지이다. 카세트(C)는 복수의 웨이퍼(W)를 수용한다. 이들 웨이퍼(W)의 표면에는, 예를 들면 레지스트 패턴 등의 요철 패턴이 미리 형성되어 있다. 반송 암(22)은 카세트 스테이지(21)에 배치된 카세트(C)와 처리 스테이션(S2)의 사이에서 웨이퍼(W)를 반송한다.The cassette station S1 has a cassette stage 21 and a transport arm 22. [ The cassette stage 21 is a stage for placing the cassette C. The cassette C accommodates a plurality of wafers W. On the surfaces of these wafers W, concavo-convex patterns such as resist patterns are formed in advance. The transfer arm 22 transfers the wafer W between the cassette C disposed in the cassette stage 21 and the processing station S2.

처리 스테이션(S2)은 액 처리 유닛(U1, U2)과 열 처리 유닛(U3)과 에너지선 조사 유닛(U4)과 반송 암(A1)을 가진다.The processing station S2 has liquid processing units U1 and U2, a thermal processing unit U3, an energy ray irradiating unit U4, and a transfer arm A1.

액 처리 유닛(U1)은, 웨이퍼(W)의 표면에 DSA 처리용의 액체를 도포하고, 처리막을 형성한다. 이 액체는, 예를 들면 폴리스티렌-폴리메틸메타크릴레이트 블록 공중합체(poly(styrene-block-methylmethacrylate) : PS-b-PMMA)를 유기 용매에 용해한 용액이다. 액 처리 유닛(U2)은 웨이퍼(W)의 표면에 유기 용제 및 린스액 등을 공급한다. 유기 용제는 예를 들면 IPA(isopropyl alchol)이다. 열 처리 유닛(U3)은 웨이퍼(W)에 대하여 가열/냉각 등의 열 처리를 행한다. 열 처리의 예로서는, 처리막에 상분리를 일으키기 위한 가열 처리 등을 들 수 있다. 에너지선 조사 유닛(U4)은, 에너지선의 일례로서 자외선을 웨이퍼(W)의 표면에 조사한다. 반송 암(A1)은 처리 스테이션(S2)의 각 유닛으로 웨이퍼(W)를 반송한다.The liquid processing unit (U1) applies a liquid for DSA processing to the surface of the wafer (W) to form a processing film. This liquid is, for example, a solution prepared by dissolving polystyrene-block-methylmethacrylate (PS-b-PMMA) in an organic solvent. The liquid processing unit (U2) supplies an organic solvent and a rinsing liquid to the surface of the wafer (W). The organic solvent is, for example, IPA (isopropyl alchol). The thermal processing unit U3 performs heat treatment such as heating / cooling on the wafer W. Examples of heat treatment include heat treatment for causing phase separation in the treatment film. The energy ray irradiating unit U4 irradiates the surface of the wafer W with ultraviolet rays as an example of energy rays. The transfer arm A1 transfers the wafer W to each unit of the processing station S2.

기판 처리 시스템(1)은, 대략 다음과 같이 동작한다. 먼저, 반송 암(22)이 카세트(C)로부터 웨이퍼(W)를 취출하고, 처리 스테이션(S2)으로 반송한다. 이어서, 처리 스테이션(S2)의 반송 암(A1)이 액 처리 유닛(U1), 열 처리 유닛(U3), 에너지선 조사 유닛(U4) 및 액 처리 유닛(U2)으로 웨이퍼(W)를 순차 반송한다.The substrate processing system 1 operates substantially as follows. First, the transfer arm 22 takes out the wafer W from the cassette C and transfers it to the processing station S2. Subsequently, the transfer arm A1 of the processing station S2 sequentially transfers the wafer W to the liquid processing unit U1, the thermal processing unit U3, the energy ray irradiating unit U4, and the liquid processing unit U2 do.

액 처리 유닛(U1)은 웨이퍼(W)의 표면에 처리막을 형성한다. 열 처리 유닛(U3)은 처리막을 상분리시키기 위한 가열 처리를 행한다. 예를 들면 상술한 PS-b-PMMA를 포함하는 처리막은, PS 영역과 PMMA 영역으로 상분리된다. PS 영역은, 상기 요철 패턴의 오목부(예를 들면 홀)의 내면을 따르도록 형성되고, PMMA 영역은 PS 영역에 둘러싸이도록 형성된다. 에너지선 조사 유닛(U4)은 상분리된 처리막에 자외선을 조사한다. 자외선은 예를 들면 PS 영역에 있어서의 가교 반응을 진행시키고, 또한 PMMA 영역의 주사슬을 분단한다. 이에 의해, PS 영역은 유기 용제에 용해되기 어려워지고, PMMA 영역은 유기 용제에 용해되기 쉬워진다. 액 처리 유닛(U2)은 자외선 조사 후의 처리막에 유기 용제 및 린스액을 순차 공급하고, PMMA 영역을 제거한다. 이에 의해, PS 영역만이 웨이퍼(W)의 표면 상에 잔존한다. 상술한 바와 같이, PS 영역은 요철 패턴의 오목부의 내면을 따르도록 형성되어 있기 때문에, PS 영역의 두께만큼 오목부가 미세화된다.The liquid processing unit (U1) forms a treatment film on the surface of the wafer (W). The heat treatment unit U3 performs heat treatment for phase-separating the treatment film. For example, the above-mentioned processing film including PS-b-PMMA is phase-separated into a PS region and a PMMA region. The PS region is formed along the inner surface of the concave portion (e.g., hole) of the concavo-convex pattern, and the PMMA region is formed so as to be surrounded by the PS region. The energy ray irradiating unit U4 irradiates ultraviolet rays onto the phase-separated treatment film. The ultraviolet rays promote the crosslinking reaction in the PS region, for example, and also separate the main chain of the PMMA region. As a result, the PS region is hardly dissolved in the organic solvent, and the PMMA region is easily dissolved in the organic solvent. The liquid processing unit (U2) sequentially supplies an organic solvent and a rinsing liquid to the treatment film after irradiation with ultraviolet light, and removes the PMMA region. As a result, only the PS region remains on the surface of the wafer W. As described above, since the PS region is formed along the inner surface of the concave portion of the concavo-convex pattern, the concave portion is made finer by the thickness of the PS region.

이어서, 반송 암(A1)이 웨이퍼(W)를 처리 스테이션(S2)으로부터 반출하고, 반송 암(A1)이 웨이퍼(W)를 카세트(C)로 되돌린다. 이상으로 DSA 처리가 완료된다.Next, the transfer arm A1 unloads the wafer W from the processing station S2, and the transfer arm A1 returns the wafer W to the cassette C. Thus, the DSA process is completed.

[기판 처리 장치][Substrate Processing Apparatus]

이어서, 본 개시에 따른 기판 처리 장치의 일례로서, 상기 에너지선 조사 유닛(U4)에 대하여 상세하게 설명한다.Next, the energy ray irradiating unit U4 will be described in detail as an example of the substrate processing apparatus according to the present disclosure.

도 3에 나타내는 바와 같이, 에너지선 조사 유닛(U4)은 기대(50)와 조사부(54)와 반송부(56)와 커버(59)와 게이트(61)와 가스 공급부(70)와 가스 배출부(80)와 제어부(100)를 구비한다.3, the energy ray irradiating unit U4 includes a base 50, an irradiating unit 54, a carrying unit 56, a cover 59, a gate 61, a gas supply unit 70, (80) and a control unit (100).

기대(50)는 수평으로 배치되어 있고, 예를 들면 평면에서 봤을 때 장방형을 나타낸다.The base 50 is horizontally disposed, for example, a rectangular shape as viewed from a plane.

조사부(54)는 기대(50)의 중앙부의 상방에 배치되어 있다. 조사부(54)는 예를 들면 UV 램프(55)를 가지고 있다. UV 램프(55)는 에너지선의 일례로서, 자외선을 하방으로 출사한다. 자외선은, 예를 들면 파장이 200 nm 이하인 에너지선이다. 자외선의 파장은 PMMA에 흡수될 수 있는 185 nm 이하(예를 들면 172 nm)여도 된다.The irradiating unit 54 is disposed above the central portion of the base 50. The irradiation unit 54 has, for example, a UV lamp 55. The UV lamp 55 is an example of an energy ray, and emits ultraviolet rays downward. The ultraviolet rays are, for example, energy rays having a wavelength of 200 nm or less. The wavelength of the ultraviolet light may be 185 nm or less (for example, 172 nm) which can be absorbed by the PMMA.

반송부(56)는 유지부(57)와 리니어 액츄에이터(58)를 가진다. 유지부(57)는 조사부(54)의 하방에서 수평으로 배치된 웨이퍼(W)를 지지하고, 이 웨이퍼(W)를 예를 들면 흡착 등에 의해 유지한다.The carry section 56 has a holding section 57 and a linear actuator 58. The holding portion 57 holds the wafer W horizontally arranged below the irradiation portion 54 and holds the wafer W by, for example, suction.

리니어 액츄에이터(58)는, 조사부(54)에 의한 에너지선의 조사 방향에 교차하는 방향으로 유지부(57)를 반송한다. 일례로서 리니어 액츄에이터(58)는, 기대(50)의 긴 변을 따라 유지부(57)를 반송한다.The linear actuator 58 carries the holding portion 57 in a direction crossing the irradiation direction of the energy ray by the irradiation portion 54. As one example, the linear actuator 58 carries the holding portion 57 along the long side of the base 50.

이하, 유지부(57)에 유지된 웨이퍼(W)의 상면을 '표면'이라 하고, 웨이퍼(W)의 하면을 '이면'이라 한다. 기대(50)의 긴 변을 따르는 방향을 '반송 방향'이라 하고, 기대(50)의 짧은 변을 따르는 방향을 '폭 방향'이라 한다. 또한, 반송 방향에 있어서의 기대(50)의 일단측을 '앞측'이라 하고, 타단측을 '내측'이라 한다.Hereinafter, the upper surface of the wafer W held by the holding portion 57 is referred to as a "surface", and the lower surface of the wafer W is referred to as a "back surface". The direction along the long side of the base 50 is referred to as a "transport direction" and the direction along the short side of the base 50 is referred to as a "width direction". One end side of the base 50 in the carrying direction is referred to as a front side and the other end side is referred to as an inner side.

커버(59)는, 기대(50)의 상측 중, 조사부(54)보다 내측의 영역을 덮도록 마련되어 있다. 커버(59)는 기대(50)와의 사이에 공간(60)을 이루고, 앞측에 개구되어 있다. 공간(60)은 웨이퍼(W)의 반송 방향에 있어서, 조사부(54)에 인접하고 있다.The cover 59 is provided on the upper side of the base 50 so as to cover an area inside the irradiation part 54. The cover (59) forms a space (60) with the base (50) and opens at the front side. The space 60 is adjacent to the irradiation part 54 in the carrying direction of the wafer W.

게이트(61)는 커버(59)의 반대측에서, 조사부(54)로부터 이간된 위치에 마련되어 있다. 일례로서 게이트(61)는, 기대(50)의 앞측의 단부에 마련되어 있다. 게이트(61)는 개구부(62)를 가진다. 개구부(62)는 에너지선 조사 유닛(U4) 내로 반입반출되는 웨이퍼(W)를 통과시킨다.The gate 61 is provided at a position away from the irradiation section 54 on the opposite side of the cover 59. As an example, the gate 61 is provided at the front end of the base 50. The gate 61 has an opening 62. The opening 62 allows the wafer W to be carried in and out of the energy ray irradiating unit U4 to pass therethrough.

게이트(61)는 에너지선 조사 유닛(U4) 내로의 웨이퍼(W)의 반입반출에 따라 개구부(62)를 개폐하는 셔터(63)를 가진다. 셔터(63)는 반송 방향에 직교하는 구획판(65)을 가지고, 모터 및 에어 실린더 등의 동력원(미도시)에 의해 구획판(65)을 승강시킨다. 구획판(65)이 상승하면, 웨이퍼(W)의 반입반출 경로가 개방된다. 이하, 이 상태를 '개방 상태'라고 한다. 구획판(65)이 하강하면, 웨이퍼(W)의 반입반출 경로가 폐색된다. 이하, 이 상태를 '폐색 상태'라고 한다. 폐색 상태에서도 구획판 아래에는 통기용의 극간이 형성된다. 즉, 셔터(63)는 폐색 상태에서 외기의 도입이 가능하게 되도록 구성되어 있다.The gate 61 has a shutter 63 for opening and closing the opening 62 in accordance with the carrying-in and carrying-out of the wafer W into the energy ray irradiating unit U4. The shutter 63 has a partition plate 65 orthogonal to the carrying direction, and moves the partition plate 65 up and down by a power source (not shown) such as a motor and an air cylinder. When the partition plate 65 rises, the carrying-in / out route of the wafer W is opened. Hereinafter, this state is referred to as an " open state ". When the partition plate 65 is lowered, the carrying-in / out route of the wafer W is closed. Hereinafter, this state is referred to as a "closed state". Even in the closed state, a gap for ventilation is formed below the partition plate. That is, the shutter 63 is configured to be capable of introducing outside air in a closed state.

가스 공급부(70)는 복수(예를 들면 3 개)의 상부 토출구(71)와 복수(예를 들면 6 개)의 측부 토출구(72)와 가스 공급원(75)과 밸브(76)를 가진다. 복수의 상부 토출구(71)는, 조사부(54)의 앞측에 인접하는 위치에 있어서, 폭 방향을 따라 배열되어 있고, 각각 하방으로 개구되어 있다. 복수의 상부 토출구(71)는, 조사부(54)와 마찬가지로, 유지부(57)보다 상방에 위치한다. 즉, 복수의 상부 토출구(71)는, 웨이퍼(W)의 표면측에 있어서, 조사부(54)의 근방에 마련되어 있고, 에너지선의 조사 방향으로 개구되어 있다.The gas supply unit 70 has a plurality of (for example, three) upper discharge ports 71, a plurality of (for example, six) side discharge ports 72, a gas supply source 75 and a valve 76. The plurality of upper ejection openings 71 are arranged along the width direction at a position adjacent to the front side of the irradiation section 54, and are opened downward. The plurality of upper discharge openings 71 are located above the holding portion 57 as in the irradiation portion 54. [ That is, the plurality of upper discharge ports 71 are provided in the vicinity of the irradiating section 54 on the surface side of the wafer W, and are opened in the irradiation direction of the energy rays.

복수의 측부 토출구(72)의 일부(예를 들면 3 개)는, 폭 방향의 일방측에 있어서, 반송 방향을 따라 배열되어 있고, 커버(59)의 내면에 고정되어 있다. 복수의 측부 토출구(72)의 나머지 일부는, 폭 방향의 타방측에 있어서, 반송 방향을 따라 배열되어 있고, 커버(59)의 내면에 고정되어 있다. 폭 방향의 일방측 및 타방측에 배치된 측부 토출구(72)끼리는, 폭 방향에 있어서 서로 대향하도록 개구되어 있다. 복수의 측부 토출구(72)는 각각 반송되는 웨이퍼(W)의 측면을 향해 개구되어 있다.(For example, three) of the plurality of side discharge ports 72 are arranged along the carrying direction on one side in the width direction and are fixed to the inner surface of the cover 59. [ The remaining portions of the plurality of side discharge openings 72 are arranged on the other side in the width direction along the carrying direction and are fixed to the inner surface of the cover 59. And the side discharge ports 72 disposed at one side in the width direction and the other side are opened so as to face each other in the width direction. The plurality of side discharge openings 72 are each opened toward the side of the wafer W to be transported.

가스 공급원(75)은 가스 관로(77)를 개재하여 상부 토출구(71) 및 측부 토출구(72)에 접속되어 있고, 처리용의 가스를 상부 토출구(71) 및 측부 토출구(72)에 공급한다. 처리용의 가스는, 예를 들면 불활성 가스이다. 불활성 가스로서는 희가스(아르곤(Ar) 가스, 헬륨(He) 가스) 또는 질소(N2) 가스 등을 들 수 있다.The gas supply source 75 is connected to the upper discharge port 71 and the side discharge port 72 via the gas pipeline 77 and supplies the processing gas to the upper discharge port 71 and the side discharge port 72. The processing gas is, for example, an inert gas. As the inert gas, a rare gas (argon (Ar) gas, helium (He) gas) or nitrogen (N 2 ) gas can be given.

밸브(76)는 가스 관로(77)에 마련되어 있고, 가스 관로(77) 내의 개방도를 조절한다. 밸브(76)가 개방되면, 처리용의 가스가 상부 토출구(71) 및 측부 토출구(72)로부터 토출된다.A valve 76 is provided in the gas conduit 77 and regulates the degree of opening in the gas conduit 77. When the valve 76 is opened, the processing gas is discharged from the upper discharge port 71 and the side discharge port 72.

가스 배출부(80)는 배출구(81)와 배출 기구(82)를 가진다. 배출구(81)는 웨이퍼(W)의 이면측에 마련되어 있다. 일례로서 배출구(81)는, 공간(60) 내의 내측에 있어서, 기대(50)의 상면에 개구되어 있다.The gas discharge portion 80 has a discharge port 81 and a discharge mechanism 82. The discharge port 81 is provided on the back side of the wafer W. For example, the discharge port 81 is opened on the upper surface of the base 50 on the inner side in the space 60.

배출 기구(82)는 예를 들면 진공 펌프 등의 기체의 압송원을 가지고, 배출구(81)에 접속되어 있다. 배출 기구(82)는 공간(60) 내의 배출구(81)로부터 기체를 빨아들여, 필터 등을 통과시켜 외부로 배출한다. 이에 의해, 상부 토출구(71) 및 측부 토출구(72)로부터 토출된 처리용의 가스가 배출구(81)로부터 배출된다. 상부 토출구(71) 및 측부 토출구(72)로부터 배출구(81)로 흐르는 처리용의 가스는, 공간(60) 내에 일시 머문다. 즉, 공간(60)은 배출구(81)를 포함하고, 기체 저류실로서 기능한다.The discharge mechanism 82 is connected to the discharge port 81, for example, with a pressure source of a gas such as a vacuum pump. The discharge mechanism 82 sucks the gas from the discharge port 81 in the space 60, passes through a filter or the like, and discharges the gas to the outside. As a result, the processing gas discharged from the upper discharge port 71 and the side discharge port 72 is discharged from the discharge port 81. The processing gas flowing from the upper discharge port 71 and the side discharge port 72 to the discharge port 81 temporarily stays in the space 60. That is, the space 60 includes the discharge port 81 and functions as a gas storage chamber.

배출 기구(82)에 의한 기체의 배출에 수반하여, 개구부(62)로부터는 외기가 도입된다. 이에 의해, 에너지선 조사 유닛(U4) 내에는, 상부 토출구(71) 또는 측부 토출구(72)로부터 배출구(81)로의 기류에 더하여, 개구부(62)로부터 배출구(81)를 향하는 기류가 형성된다. 이 때문에, 처리용의 가스가 보다 확실히 공간(60) 내에 머문다.As the gas is discharged by the discharge mechanism 82, the outside air is introduced from the opening portion 62. An air flow is formed in the energy ray irradiating unit U4 from the opening 62 toward the discharge port 81 in addition to the airflow from the upper discharge port 71 or the side discharge port 72 to the discharge port 81. [ For this reason, the processing gas stays in the space 60 more reliably.

제어부(100)는 반입반출 제어부(101)와 반송 제어부(102)와 공급 제어부(103)와 조사 제어부(104)를 가진다. 반입반출 제어부(101)는 에너지선 조사 유닛(U4) 내로의 웨이퍼(W)의 반입반출을 행하도록, 반송 암(A1), 셔터(63) 및 유지부(57)를 제어한다. 반송 제어부(102)는 웨이퍼(W)를 반송하도록 리니어 액츄에이터(58)를 제어한다. 공급 제어부(103)는 가스 관로(77)를 개폐시키도록 밸브(76)를 제어한다. 조사 제어부(104)는 UV 램프(55)의 온/오프를 전환하도록 조사부(54)를 제어한다.The control unit 100 has a carry-in / out control unit 101, a transport control unit 102, a supply control unit 103, and an irradiation control unit 104. The carry-in / out control unit 101 controls the transfer arm A1, the shutter 63 and the holding unit 57 so as to carry the wafer W in and out of the energy ray irradiating unit U4. The transport control unit 102 controls the linear actuator 58 to transport the wafer W. The supply control section 103 controls the valve 76 to open and close the gas pipeline 77. The irradiation control unit 104 controls the irradiation unit 54 to switch the UV lamp 55 on / off.

제어부(100)는, 예를 들면 하나 또는 복수의 제어용 컴퓨터에 의해 구성된다. 이 경우, 제어부(100)의 각 요소는, 제어용 컴퓨터의 프로세서, 메모리 및 모니터 등의 협동에 의해 구성된다. 또한, 제어부(100)의 각 요소를 구성하는 하드웨어는, 반드시 프로세서, 메모리 및 모니터에 한정되지 않는다. 예를 들면, 제어부(100)의 각 요소는, 그 기능에 특화된 전기 회로에 의해 구성되어 있어도 되고, 당해 전기 회로를 집적한 ASIC(Application Specific Integrated Circuit)에 의해 구성되어 있어도 된다.The control unit 100 is configured by, for example, one or a plurality of control computers. In this case, each element of the control unit 100 is configured by cooperation of a processor, a memory, a monitor, and the like of the control computer. The hardware constituting each element of the control unit 100 is not necessarily limited to a processor, a memory, and a monitor. For example, each element of the control section 100 may be constituted by an electric circuit specialized for the function, or may be constituted by an ASIC (Application Specific Integrated Circuit) integrated with the electric circuit.

제어용 컴퓨터를 제어부(100)로서 기능시키기 위한 프로그램은, 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체에 기록되고 있어도 된다. 즉, 기록 매체에는, 에너지선 조사 유닛(U4)에 후술하는 기판 처리 순서를 실행시키기 위한 소프트웨어가 기록되어 있다. 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체로서는, 예를 들면 하드 디스크, 컴팩트 디스크, 플래시 메모리, 플렉시블 디스크 및 메모리 카드 등을 들 수 있다.The program for causing the control computer to function as the control unit 100 may be recorded in a computer-readable recording medium. That is, on the recording medium, software for causing the energy ray irradiating unit U4 to execute the substrate processing procedure described later is recorded. Examples of the computer-readable recording medium include a hard disk, a compact disk, a flash memory, a flexible disk and a memory card.

[기판 처리 방법][Substrate processing method]

이어서, 기판 처리 방법의 일례로서, 기판 처리 장치에 의한 기판 처리 순서에 대하여 설명한다.Next, as an example of the substrate processing method, the substrate processing procedure by the substrate processing apparatus will be described.

먼저 제어부(100)는, 도 4에 나타내는 바와 같이 단계(S01)를 실행한다. 단계(S01)에서는, 반입반출 제어부(101)가, 개구부(62)를 개방 상태가 되도록 셔터(63)를 제어하고, 웨이퍼(W)를 유지부(57) 상에 배치하도록 반송 암(A1)을 제어하고, 웨이퍼(W)를 유지하도록 유지부(57)를 제어한다(도 5 및 도 6 참조). 반입반출 제어부(101)는 개구부(62)를 폐색 상태가 되도록 셔터(63)를 제어한다.First, the control unit 100 executes step S01 as shown in Fig. In step S01, the carry-in / out control unit 101 controls the shutter 63 to bring the opening 62 into the open state and moves the transfer arm A1 to place the wafer W on the holding unit 57. [ And controls the holding portion 57 to hold the wafer W (see Figs. 5 and 6). Out control unit 101 controls the shutter 63 so that the opening 62 is closed.

이어서, 제어부(100)는 단계(S02)를 실행한다. 단계(S02)에서는, 반송 제어부(102)가, 웨이퍼(W)를 제 1 위치(P1)까지 반송하도록 리니어 액츄에이터(58)를 제어한다. 제 1 위치(P1)는 상부 토출구(71) 또는 측부 토출구(72)로부터 배출구(81)에 이르는 처리용의 가스의 유로(R1)를 차단하는 위치로 설정되어 있다. 유로(R1)는 웨이퍼(W)가 제 1 위치(P1)보다 앞측에 위치하는 경우에 있어서의 유로이다. 일례로서 제 1 위치(P1)는, 상부 토출구(71)와 대향하는 위치로 설정되어 있다(도 7 참조).Subsequently, the control section 100 executes step S02. In step S02, the transport control section 102 controls the linear actuator 58 to transport the wafer W to the first position P1. The first position P1 is set to a position for blocking the flow path R1 of the processing gas from the upper discharge port 71 or the side discharge port 72 to the discharge port 81. [ The flow path R1 is a flow path in the case where the wafer W is located at the front side of the first position P1. As an example, the first position P1 is set at a position facing the upper discharge port 71 (see Fig. 7).

이어서, 제어부(100)는 단계(S03)를 실행한다. 단계(S03)에서는, 공급 제어부(103)가, 처리용의 가스의 공급을 개시하도록 가스 공급부(70)를 제어한다. 공급 제어부(103)는, 예를 들면 가스 공급부(70)가 가지는 밸브(76)가 개방 상태가 되도록, 밸브(76)를 제어한다. 이에 의해, 웨이퍼(W)가 제 1 위치에 위치하고 있을 때, 상부 토출구(71) 및 측부 토출구(72)로부터 공간(60) 내로 처리용의 가스가 토출된다.Subsequently, the control section 100 executes step S03. In step S03, the supply control section 103 controls the gas supply section 70 to start the supply of the processing gas. The supply control unit 103 controls the valve 76 such that the valve 76 of the gas supply unit 70 is in the open state. As a result, when the wafer W is located at the first position, the processing gas is discharged from the upper discharge port 71 and the side discharge port 72 into the space 60.

이어서, 제어부(100)는 단계(S04)를 실행한다. 단계(S04)에서는, 제어부(100)가 정해진 시간의 경과를 대기한다. 정해진 시간은, 조사부(54)의 하방 및 공간(60) 내에 처리용의 가스가 충분히 확산되도록, 예를 들면 10 초로 설정되어 있다. 정해진 시간이 경과하면, 조사부(54)의 하방 및 공간(60) 내에 처리용의 가스(G)가 가득 차게 된다(도 8 참조).Subsequently, the control unit 100 executes step S04. In step S04, the control unit 100 waits for the elapse of the predetermined time. The predetermined time is set to, for example, 10 seconds so that the processing gas is sufficiently diffused in the space below the irradiation section 54 and in the space 60. When a predetermined time has elapsed, the processing gas G is filled in the space below the irradiation part 54 and in the space 60 (see Fig. 8).

이어서, 제어부(100)는 단계(S05)를 실행한다. 단계(S05)에서는, 반송 제어부(102)가, 웨이퍼(W)를 제 2 위치(P2)까지 반송하도록 반송부(56)를 제어한다. 제 2 위치(P2)는 공간(60) 내의 위치로 설정되어 있다. 일례로서, 제 2 위치는 공간(60) 내의 중앙부로 설정되어 있다(도 9 참조).Subsequently, the control unit 100 executes step S05. In step S05, the transport control unit 102 controls the transport unit 56 to transport the wafer W to the second position P2. And the second position P2 is set to a position in the space 60. [ As an example, the second position is set at the center in the space 60 (see Fig. 9).

또한, 웨이퍼(W)를 제 2 위치(P2)로 반송할 시, 웨이퍼(W)에 수반하여 공간(60) 밖의 기체가 공간(60) 내로 인입되고, 공간(60) 내에 있어서의 처리용의 가스의 농도가 저하되는 경우가 있다. 이러한 경우에, 제어부(100)는, 웨이퍼(W)를 제 2 위치(P2)로 반송한 후에 정해진 시간의 경과를 대기해도 된다. 이 정해진 시간은, 단계(S04)에 있어서의 정해진 시간보다 짧고, 예를 들면 5 초이다. 정해진 시간의 경과에 의해, 공간(60) 내의 처리용 가스의 농도가 회복된다.When the wafer W is transported to the second position P2, the gas outside the space 60 is drawn into the space 60 along with the wafer W, The concentration of the gas may be lowered. In this case, the control unit 100 may wait for a predetermined time after the wafer W is returned to the second position P2. The predetermined time is shorter than the predetermined time in step S04, for example, 5 seconds. The concentration of the processing gas in the space 60 is restored by the passage of the predetermined time.

이어서, 제어부(100)는 단계(S06)를 실행한다. 단계(S06)에서는, 반송 제어부(102)가, 제 3 위치(P3)로의 웨이퍼(W)의 반송을 개시하도록 반송부(56)를 제어한다. 제 3 위치(P3)는, 공간(60) 밖의 위치로 설정되어 있다. 일례로서, 제 3 위치(P3)는 개구부(62)와 공간(60) 사이의 위치이다(도 11 참조). 제 2 위치(P2)는 공간(60) 내에 위치하고, 제 3 위치(P3)는 공간(60) 밖에 위치하므로, 제 3 위치(P3)에 있어서의 처리용의 가스(G)의 농도는, 제 2 위치(P2)에 있어서의 처리용의 가스(G)의 농도에 비해 낮다.Subsequently, the control section 100 executes step S06. In step S06, the transport control unit 102 controls the transport unit 56 to start transporting the wafer W to the third position P3. The third position P3 is set at a position outside the space 60. [ As an example, the third position P3 is a position between the opening 62 and the space 60 (see Fig. 11). Since the second position P2 is located in the space 60 and the third position P3 is located outside the space 60, the concentration of the processing gas G in the third position P3 is Is lower than the concentration of the processing gas (G) in the second position (P2).

이어서, 제어부(100)는 단계(S07)를 실행한다. 단계(S07)에서는, 조사 제어부(104)가, 자외선의 조사를 개시하도록 조사부(54)를 제어한다. 단계(S06) 후, 웨이퍼(W)는, 제 2 위치(P2)로부터 제 3 위치(P3)로 이동하므로, 조사부(54)의 하방을 통과한다. 이 때문에, 제 3 위치(P3)로 이동 중인 웨이퍼(W)의 표면에 자외선(E)이 조사된다(도 10 참조). 또한, 웨이퍼(W)의 이동에 수반하여, 자외선의 조사 개소가 이동하고, 웨이퍼(W)의 표면의 광역(예를 들면 전역)에 자외선이 조사된다.Subsequently, the control section 100 executes step S07. In step S07, the irradiation control unit 104 controls the irradiation unit 54 to start irradiation of ultraviolet rays. After step S06, the wafer W moves from the second position P2 to the third position P3, so that the wafer W passes under the irradiation part 54. [ Therefore, the surface of the wafer W being moved to the third position P3 is irradiated with ultraviolet light E (see Fig. 10). Further, with the movement of the wafer W, the irradiated portion of the ultraviolet ray moves, and ultraviolet rays are irradiated to the wide area (e.g., the entire area) of the surface of the wafer W.

이어서, 제어부(100)는 단계(S08)를 실행한다. 단계(S08)에서는, 제 3 위치에의 도달에 수반하여 웨이퍼(W)의 반송을 정지시키도록, 반송 제어부(102)가 반송부(56)를 제어한다(도 11 참조).Subsequently, the control section 100 executes step S08. In step S08, the transport control unit 102 controls the transport unit 56 so as to stop the transport of the wafer W upon arrival at the third position (see Fig. 11).

이어서, 제어부(100)는 단계(S09)를 실행한다. 단계(S09)에서는 조사 제어부(104)가 자외선의 출사를 종료하도록 조사부(54)를 제어한다.Subsequently, the control section 100 executes step S09. In step S09, the irradiation control section 104 controls the irradiation section 54 to terminate the emission of ultraviolet rays.

이어서, 제어부(100)는 단계(S10)를 실행한다. 단계(S10)에서는, 공급 제어부(103)가, 처리용의 가스의 공급을 종료하도록 가스 공급부(70)를 제어한다. 이 후, 공간(60) 내에 남은 처리용의 가스(G)가 배출구(81)로부터 배출된다(도 12 참조).Subsequently, the control unit 100 executes step S10. In step S10, the supply control section 103 controls the gas supply section 70 to terminate the supply of the processing gas. Thereafter, the processing gas G remaining in the space 60 is discharged from the discharge port 81 (see Fig. 12).

이어서, 제어부(100)는 단계(S11)를 실행한다. 단계(S11)에서는, 반입반출 제어부(101)가, 게이트(61)를 개방 상태가 되도록 셔터(63)를 제어하고, 웨이퍼(W)의 유지를 해제하도록 유지부(57)를 제어하고, 유지부(57) 상의 웨이퍼(W)를 반출하도록 반송 암(A1)을 제어한다(도 13 참조). 이상으로 에너지선 조사 유닛(U4)에 의한 기판 처리 순서가 완료된다.Subsequently, the control section 100 executes step S11. In step S11, the loading / unloading control section 101 controls the shutter 63 to bring the gate 61 into an open state, controls the holding section 57 to release the holding of the wafer W, The transfer arm A1 is controlled so as to take out the wafer W on the wafer stage 57 (see Fig. 13). Thus, the substrate processing procedure by the energy ray irradiating unit U4 is completed.

[본 실시 형태의 효과][Effect of this embodiment]

에너지선 조사 유닛(U4)은, 웨이퍼(W)의 표면에 자외선을 조사하는 조사부(54)와, 웨이퍼(W)를 반송하는 반송부(56)와, 조사부(54)의 근방에 배치된 상부 토출구(71)를 가지고, 상부 토출구(71)로부터 웨이퍼(W)의 처리용의 가스를 공급하는 가스 공급부(70)와, 상부 토출구(71)로부터 이간하여 배치된 배출구(81)를 가지고, 상부 토출구(71)로부터 토출된 처리용의 가스를 배출구(81)로부터 배출하는 가스 배출부(80)와, 제어부(100)를 구비한다. 제어부(100)는, 상부 토출구(71)로부터 배출구(81)에 이르는 처리용의 가스의 유로를 차단하는 제 1 위치로 웨이퍼(W)를 반송하도록 반송부(56)를 제어하는 것, 제 1 위치에 웨이퍼(W)가 위치하고 있을 때 가스를 상부 토출구(71) 또는 측부 토출구(72)로부터 공급하도록 가스 공급부(70)를 제어하는 것, 가스 공급부(70)에 의해 공급된 처리용의 가스가 웨이퍼(W)의 표면 상에 개재되는 상태에서 웨이퍼(W)의 표면에 자외선을 조사하도록 조사부(54)를 제어하는 것을 실행하도록 구성되어 있다.The energy ray irradiating unit U4 includes an irradiating unit 54 for irradiating ultraviolet rays to the surface of the wafer W, a carrying unit 56 for carrying the wafer W, A gas supply unit 70 having a discharge port 71 for supplying gas for processing the wafer W from the upper discharge port 71 and a discharge port 81 disposed apart from the upper discharge port 71, (80) for discharging the processing gas discharged from the discharge port (71) from the discharge port (81), and a control section (100). The control section 100 controls the carry section 56 to transfer the wafer W to the first position for shutting off the flow path of the process gas from the upper discharge port 71 to the discharge port 81, Controlling the gas supply unit 70 to supply the gas from the upper discharge port 71 or the side discharge port 72 when the wafer W is positioned at the position where the wafer W is located, And controls the irradiation unit 54 to irradiate the surface of the wafer W with ultraviolet rays in a state of being interposed on the surface of the wafer W. [

이 에너지선 조사 유닛(U4)에 의하면, 상부 토출구(71)로부터 배출구(81)에 이르는 처리용의 가스의 유로를 차단하는 제 1 위치에 웨이퍼(W)가 배치된 상태에서, 처리용의 가스가 공급된다. 이에 의해, 상부 토출구(71)로부터 배출구(81)를 향하는 처리용의 가스가 웨이퍼(W)의 표면을 따라 확산된다. 이 때문에, 자외선의 조사에 앞서, 웨이퍼(W)의 표면에 처리용의 가스가 확산될 때까지의 시간이 짧아진다. 따라서 분위기의 조정 시간을 단축할 수 있다.With this energy ray irradiating unit U4, in a state in which the wafer W is disposed at the first position where the flow path of the processing gas from the upper discharge port 71 to the discharge port 81 is blocked, . As a result, the processing gas from the upper discharge port 71 toward the discharge port 81 is diffused along the surface of the wafer W. [ Therefore, the time until the processing gas is diffused onto the surface of the wafer W is shortened before irradiation with ultraviolet light. Therefore, the time for adjusting the atmosphere can be shortened.

반송부(56)는, 조사부(54)에 의한 자외선의 출사 방향에 교차하는 방향으로 웨이퍼(W)를 반송하도록 구성되고, 제어부(100)는 반송부(56)가 웨이퍼(W)를 반송하고 있을 때, 당해 웨이퍼(W)의 표면에 자외선을 출사하도록 조사부(54)를 제어해도 된다.이 경우, 제 1 위치로의 웨이퍼(W)의 반송과, 자외선의 조사 위치의 변경에 동일한 반송부(56)를 공용할 수 있다. 따라서, 간이한 구성으로 분위기의 조정 시간을 단축할 수 있다.The carrying section 56 is configured to carry the wafer W in a direction intersecting the direction of the ultraviolet ray emitted by the irradiating section 54. The control section 100 conveys the wafer W to the carry section 56 The irradiating unit 54 may be controlled so as to emit ultraviolet rays to the surface of the wafer W. In this case, in order to carry the wafer W to the first position and to change the irradiating position of the ultraviolet ray, (56) can be shared. Therefore, the time for adjusting the atmosphere can be shortened by a simple configuration.

반송부(56)는, 상부 토출구(71)의 하방에 있어서 웨이퍼(W)를 승강시키도록 구성되어 있어도 된다. 이 경우도, 반송부(56)에 의해 웨이퍼(W)를 상승시키면, 상승 전에 형성되어 있던 유로는 차단되므로, 상승 전에 비해 처리용의 가스의 확산이 촉진된다. 따라서 분위기의 조정 시간을 단축할 수 있다.The carry section 56 may be configured to raise and lower the wafer W below the upper discharge port 71. [ In this case as well, when the wafer W is raised by the carry section 56, the flow path formed before the lift is blocked, so that the diffusion of the processing gas is accelerated before the lift. Therefore, the time for adjusting the atmosphere can be shortened.

자외선의 조사 방향에 있어서, 상부 토출구(71)는 웨이퍼(W)의 표면측에 배치되고, 배출구(81)는 웨이퍼(W)의 이면측에 배치되어도 된다. 이 경우, 반송부(56)에 의해 반송되는 웨이퍼(W)의 표면과 처리용의 가스의 유로가 교차한다. 이 때문에, 제 1 위치에 배치된 웨이퍼(W)에 의해 처리용의 가스를 확산시키는 작용이 보다 현저한 것이 된다. 따라서, 분위기의 조정 시간을 보다 확실히 단축할 수 있다.The upper discharge port 71 may be disposed on the front surface side of the wafer W and the discharge port 81 may be disposed on the rear surface side of the wafer W in the ultraviolet ray irradiation direction. In this case, the surface of the wafer W carried by the carry section 56 crosses the flow path of the processing gas. Therefore, the action of diffusing the processing gas by the wafer W disposed at the first position becomes more remarkable. Therefore, the adjustment time of the atmosphere can be more certainly shortened.

상부 토출구(71)는, 자외선의 조사 방향으로 개구되어 있고, 제어부(100)는, 상부 토출구(71)에 대향하는 위치를 제 1 위치로서 반송부(56)를 제어해도 된다. 이 경우, 제 1 위치에 배치된 웨이퍼(W)에 의해 처리용의 가스를 확산시키는 작용이 더 현저한 것이 된다. 따라서, 분위기의 조정 시간을 보다 확실히 단축할 수 있다.The control section 100 may control the carry section 56 with the position opposed to the upper discharge opening 71 as the first position. In this case, the action of diffusing the processing gas by the wafer W disposed at the first position becomes more prominent. Therefore, the adjustment time of the atmosphere can be more certainly shortened.

제어부(100)는, 가스 공급부(70)에 의해 공급된 처리용의 가스가 채워진 제 2 위치로 웨이퍼(W)를 반송하도록 반송부(56)를 제어하는 것, 제 2 위치에 비해 처리용의 가스의 농도(이하, '가스 농도'라고 함)가 낮은 제 3 위치로 웨이퍼(W)를 반송하도록 반송부(56)를 제어하는 것을 더 실행하도록 구성되어 있고, 반송부(56)가 웨이퍼(W)를 제 2 위치로부터 제 3 위치로 반송할 때, 당해 웨이퍼(W)의 표면에 자외선을 출사하도록 조사부(54)를 제어해도 된다. 가령, 제 3 위치로부터 제 2 위치로 반송할 때 자외선의 조사를 행하면, 가스 농도가 낮은 제 3 위치의 기체가 웨이퍼(W)와 함께 자외선의 조사 위치로 흘러, 당해 조사 위치에 개재되는 처리용의 가스가 충분하게 되지 못할 가능성이 있다. 이를 방지하기 위하여, 웨이퍼(W)의 반송 속도를 낮게 하는 등의 대책을 실시하면, 스루풋의 저하 요인이 될 수 있다. 이에 대하여, 가스 농도가 높은 제 2 위치로부터 가스 농도가 낮은 제 3 위치로 웨이퍼(W)를 반송할 때 자외선의 조사를 행함으로써, 처리용의 가스를 자외선의 조사 위치에 충분히 개재시키는 것이 가능해진다. 따라서, 분위기의 조정 시간을 보다 확실히 단축할 수 있다.The control unit 100 controls the transfer unit 56 to transfer the wafer W to the second position filled with the processing gas supplied by the gas supply unit 70, And controls the carry section 56 to transfer the wafer W to the third position where the concentration of the gas (hereinafter referred to as the " gas concentration ") is low. W may be transferred from the second position to the third position, the irradiation unit 54 may be controlled so as to emit ultraviolet rays to the surface of the wafer W. For example, when ultraviolet light is irradiated when transporting from the third position to the second position, the gas at the third position having a low gas concentration flows together with the wafer W to the irradiation position of ultraviolet rays, There is a possibility that the gas of the gas is not sufficient. In order to prevent this, if countermeasures such as lowering the conveying speed of the wafer W are performed, the throughput may be deteriorated. On the other hand, when the wafer W is transported from the second position where the gas concentration is high to the third position where the gas concentration is low, the processing gas can be sufficiently interposed at the irradiation position of the ultraviolet ray . Therefore, the adjustment time of the atmosphere can be more certainly shortened.

반송부(56)에 의한 웨이퍼(W)의 반송 방향에서 조사부(54)에 인접하는 위치에 있어서, 배출구(81)를 포함하도록 마련되고, 상부 토출구(71)로부터 배출구(81)로 흐르는 처리용의 가스를 일시적으로 수용하는 공간(60)을 더 구비하고, 제어부(100)는, 공간(60) 내를 제 2 위치로서, 공간(60) 밖을 제 3 위치로서 반송부(56)를 제어해도 된다. 이 경우, 제 2 위치에 있어서의 가스 농도와 제 3 위치에 있어서의 가스 농도와의 차가 현저해진다. 이 때문에, 제 2 위치로부터 제 3 위치로 웨이퍼(W)를 반송하는 것에 의한 상기 작용이 보다 현저한 것이 된다. 따라서, 분위기의 조정 시간을 보다 확실히 단축할 수 있다.Is provided so as to include the discharge port 81 at a position adjacent to the irradiating section 54 in the carrying direction of the wafer W by the carry section 56, And the control unit 100 controls the transport unit 56 as the second position in the space 60 and the third position outside the space 60 You can. In this case, the difference between the gas concentration at the second position and the gas concentration at the third position becomes remarkable. Therefore, the above-mentioned action by transporting the wafer W from the second position to the third position becomes more remarkable. Therefore, the adjustment time of the atmosphere can be more certainly shortened.

또한, 공간(60)을 구성하기 위한 커버(59)는, 웨이퍼(W)에의 자외선의 조사에 의해 발생한 가스(예를 들면 오존 등)가 에너지선 조사 유닛(U4)의 밖으로 누출되는 것을 방지하는데도 기여한다.The cover 59 for constituting the space 60 prevents the gas (for example, ozone or the like) generated by irradiation of the wafer W with ultraviolet rays from leaking out of the energy ray irradiating unit U4 Contributing.

반송 방향에 있어서의 공간(60)의 반대측에서, 조사부(54) 및 상부 토출구(71)로부터 이간된 위치에 마련되고, 웨이퍼(W)의 반입반출 시에 당해 웨이퍼(W)를 통과시키는 개구부(62)를 더 구비하고, 제어부(100)는, 개구부(62)와 공간(60)의 사이를 제 3 위치로서 반송부(56)를 제어해도 된다. 이 경우, 웨이퍼(W)의 반입반출용의 개구부(62)측에 제 3 위치가 배치됨으로써, 제 2 위치에 있어서의 가스 농도와 제 3 위치에 있어서의 가스 농도와의 차가 더 현저해진다. 이 때문에, 제 2 위치로부터 제 3 위치로 웨이퍼(W)를 반송하는 것에 의한 상기 작용이 보다 현저한 것이 된다. 따라서, 분위기의 조정 시간을 보다 확실히 단축할 수 있다.And is provided at a position spaced apart from the irradiation portion 54 and the upper discharge port 71 on the opposite side of the space 60 in the carrying direction and is provided with an opening And the control unit 100 may control the carry section 56 with the position between the opening 62 and the space 60 as the third position. In this case, since the third position is disposed on the side of the opening 62 for carrying-in / out the wafer W, the difference between the gas concentration at the second position and the gas concentration at the third position becomes more significant. Therefore, the above-mentioned action by transporting the wafer W from the second position to the third position becomes more remarkable. Therefore, the adjustment time of the atmosphere can be more certainly shortened.

가스 배출부(80)는, 개구부(62)로부터 도입된 외기와, 상부 토출구(71)로부터 토출된 처리용의 가스를 배출구(81)로부터 모두 배출해도 된다. 이 경우, 개구부(62)로부터 도입된 외기에 의해, 개구부(62)측으로부터 공간(60) 내의 배출구(81)측을 향하는 기류가 형성된다. 이 기류에 의해, 처리용의 가스가 공간(60) 내로 유도되므로, 제 2 위치에 있어서의 가스 농도와 제 3 위치에 있어서의 가스 농도와의 차가 더 현저해진다. 이 때문에, 제 2 위치로부터 제 3 위치로 웨이퍼(W)를 반송하는 것에 의한 상기 작용이 보다 현저한 것이 된다. 따라서, 분위기의 조정 시간을 보다 확실히 단축할 수 있다.The gas discharge portion 80 may discharge both the outside air introduced from the opening portion 62 and the processing gas discharged from the upper discharge opening 71 from the discharge port 81. In this case, an air flow is formed from the opening 62 side toward the discharge port 81 side in the space 60 by the outside air introduced from the opening 62. By this air flow, the processing gas is guided into the space 60, so that the difference between the gas concentration at the second position and the gas concentration at the third position becomes more remarkable. Therefore, the above-mentioned action by transporting the wafer W from the second position to the third position becomes more remarkable. Therefore, the adjustment time of the atmosphere can be more certainly shortened.

또한, 개구부(62)측으로부터 배출구(81)측을 향하는 기류는, 웨이퍼(W)에의 자외선의 조사에 의해 발생한 가스(예를 들면 오존 등)가 에너지선 조사 유닛(U4)의 밖으로 누출되는 것을 방지하는데도 기여한다.The gas flow from the side of the opening 62 toward the side of the discharge port 81 is such that gas (for example, ozone or the like) generated by irradiation of ultraviolet rays to the wafer W leaks out of the energy ray irradiating unit U4 It also contributes to prevention.

웨이퍼(W)의 반입반출에 있어서 개구부(62)를 개폐하는 셔터(63)를 구비하고, 셔터(63)는 폐색 상태에서도 외기를 도입 가능하게 되도록 구성되어 있어도 된다. 이 경우, 에너지선 조사 유닛(U4)의 내외를 셔터로 구획하면서, 개구부(62)측으로부터 공간(60) 내의 배출구(81)측을 향하는 상기 기류를 확보할 수 있다.And a shutter 63 for opening and closing the opening 62 in carrying-in and carrying-out of the wafer W. The shutter 63 may be configured to be capable of introducing outside air even in a closed state. In this case, the inside and outside of the energy ray irradiating unit U4 are partitioned by a shutter, and the airflow directed from the opening 62 side to the discharge port 81 side in the space 60 can be ensured.

셔터(63)는, 폐색 상태에서도 외기를 도입 가능한 극간을 이루도록 구성되어 있어도 된다. 이 경우, 셔터(63)가 닫힌 상태에서의 상기 기류의 확보를 간단한 구성으로 실현할 수 있다.The shutter 63 may be constituted so as to form a gap between the shutter 63 and the outside air capable of introducing outside air. In this case, the airflow can be ensured with the simple structure in a state in which the shutter 63 is closed.

이상, 실시 형태에 대하여 설명했지만, 본 발명은 반드시 상술한 실시 형태에 한정되는 것이 아니며, 그 요지를 일탈하지 않는 범위에서 다양한 변경이 가능하다.예를 들면 에너지선 조사 유닛(U4)과 동일한 구성은, DSA 처리 이외의 처리를 행하는 시스템에도 이용 가능하다. 다른 이용예로서는, 기판 상에 막(예를 들면 레지스트막, 층간 절연막 등)을 형성하는 시스템에 있어서, 막의 형성 전의 기판에 표면 개질용의 에너지선을 조사하는 장치, 형성된 막에 개질용의 에너지선을 조사하는 장치 등을 들 수 있다.Although the embodiment has been described above, the present invention is not necessarily limited to the above-described embodiment, and various modifications can be made without departing from the gist of the present invention. For example, Can also be used in systems that perform processing other than DSA processing. Another use example is a system for forming a film (for example, a resist film, an interlayer insulating film, or the like) on a substrate, an apparatus for irradiating a substrate before formation of a film with an energy ray for surface modification, And the like.

또한, 에너지선 조사 유닛(U4)은 자외선을 조사하는 것에 한정되지 않는다. 예를 들면 에너지선 조사 유닛(U4)은, 기판에 적외선을 조사하는 것이어도 된다. 기판에 적외선을 조사하는 유닛은, 예를 들면 기판 상에 형성된 피막을 가열하기 위한 열 처리 유닛으로서 이용 가능하다. 이러한 열 처리 유닛에 있어서도, 피막의 산화를 방지하기 위하여 분위기의 조정이 필요해지므로, 분위기의 조정 시간을 단축할 수 있는 것이 유익하다.Further, the energy ray irradiating unit U4 is not limited to irradiate ultraviolet rays. For example, the energy ray irradiating unit U4 may irradiate the substrate with infrared rays. The unit for irradiating the substrate with infrared rays is usable as a heat treatment unit for heating a coating film formed on a substrate, for example. Also in such a heat treatment unit, it is necessary to adjust the atmosphere in order to prevent the oxidation of the coating, so that it is advantageous to shorten the adjustment time of the atmosphere.

54 : 조사부
56 : 반송부
60 : 공간(기체 저류실)
61 : 게이트
62 : 개구부
63 : 셔터
70 : 가스 공급부
71 : 상부 토출구
80 : 가스 배출부
81 : 배출구
100 : 제어부
P1 : 제 1 위치
P2 : 제 2 위치
P3 : 제 3 위치
R1 : 유로
U4 : 에너지선 조사 유닛(기판 처리 장치)
W : 웨이퍼(기판)54:
56:
60: Space (gas storage chamber)
61: gate
62: opening
63: Shutter
70: gas supply part
71: upper discharge port
80: gas discharge portion
81: Outlet
100:
P1: 1st position
P2: 2nd position
P3: Third position
R1: Euro
U4: Energy ray irradiation unit (substrate processing apparatus)
W: Wafer (substrate)

Claims (14)

기판의 표면에 에너지선을 조사하는 조사부와,
상기 기판을 반송하는 반송부와,
상기 조사부의 근방에 배치된 토출구를 가지고, 상기 토출구로부터 상기 기판의 처리용의 가스를 공급하는 가스 공급부와,
상기 토출구로부터 이간되어 배치된 배출구를 가지고, 상기 토출구로부터 토출된 상기 처리용의 가스를 상기 배출구로부터 배출하는 가스 배출부와,
상기 토출구로부터 상기 배출구에 이르는 상기 처리용의 가스의 유로를 차단하는 제 1 위치로 상기 기판을 반송하도록 상기 반송부를 제어하는 것, 상기 제 1 위치에 상기 기판이 위치하고 있을 때, 상기 처리용의 가스를 상기 토출구로부터 공급하도록 상기 가스 공급부를 제어하는 것, 상기 가스 공급부에 의해 공급된 상기 처리용의 가스가 상기 기판의 표면 상에 개재되는 상태에서 상기 기판의 표면에 상기 에너지선을 조사하도록 상기 조사부를 제어하는 것을 실행하도록 구성된 제어부를 구비하는 기판 처리 장치.An irradiation unit for irradiating the surface of the substrate with an energy beam,
A transfer section for transferring the substrate;
A gas supply unit having a discharge port disposed in the vicinity of the irradiation unit and supplying a processing gas from the discharge port to the substrate;
A gas discharge portion having a discharge port arranged apart from the discharge port and discharging the processing gas discharged from the discharge port from the discharge port;
And controlling the carry section to transfer the substrate to a first position for shutting off the flow path of the processing gas from the discharge port to the discharge port when the substrate is in the first position, Wherein the control unit controls the gas supply unit so as to supply the processing gas supplied from the gas supply unit to the surface of the substrate in a state in which the processing gas supplied by the gas supply unit is interposed on the surface of the substrate, And a control unit configured to control the control unit. 제 1 항에 있어서,
상기 반송부는, 상기 조사부에 의한 상기 에너지선의 조사 방향에 교차하는 방향으로 상기 기판을 반송하도록 구성되고,
상기 제어부는, 상기 반송부가 상기 기판을 반송하고 있을 때, 상기 기판의 표면에 상기 에너지선을 조사하도록 상기 조사부를 제어하는 기판 처리 장치.The method according to claim 1,
The transfer section is configured to transfer the substrate in a direction crossing the irradiation direction of the energy ray by the irradiation section,
Wherein the control unit controls the irradiation unit to irradiate the surface of the substrate with the energy beam when the carrying unit is transporting the substrate. 제 2 항에 있어서,
상기 에너지선의 조사 방향에 있어서, 상기 토출구는 상기 기판의 표면측에 배치되고, 상기 배출구는 상기 기판의 이면측에 배치되어 있는 기판 처리 장치.3. The method of claim 2,
Wherein the discharge port is disposed on the front surface side of the substrate and the discharge port is disposed on the rear surface side of the substrate in the irradiation direction of the energy ray. 제 3 항에 있어서,
상기 토출구는, 상기 에너지선의 조사 방향으로 개구되어 있고,
상기 제어부는, 상기 토출구에 대향하는 위치를 상기 제 1 위치로서 상기 반송부를 제어하는 기판 처리 장치.The method of claim 3,
The discharge port is opened in the irradiation direction of the energy ray,
Wherein the control section controls the carry section as the first position at a position facing the discharge port. 제 2 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제어부는, 상기 가스 공급부에 의해 공급된 상기 처리용의 가스가 채워진 제 2 위치로 상기 기판을 반송하도록 상기 반송부를 제어하는 것, 상기 제 2 위치에 비해 상기 처리용의 가스의 농도가 낮은 제 3 위치로 상기 기판을 반송하도록 상기 반송부를 제어하는 것을 더 실행하도록 구성되어 있고,
상기 반송부가 상기 기판을 상기 제 2 위치로부터 상기 제 3 위치로 반송할 때, 상기 기판의 표면에 상기 에너지선을 조사하도록 상기 조사부를 제어하는 기판 처리 장치.5. The method according to any one of claims 2 to 4,
Wherein the control unit controls the transport unit to transport the substrate to a second position filled with the processing gas supplied by the gas supply unit; And control the carry section to carry the substrate to the 3 position,
And controls the irradiating unit to irradiate the surface of the substrate with the energy ray when the carrying unit conveys the substrate from the second position to the third position. 제 5 항에 있어서,
상기 반송부에 의한 상기 기판의 반송 방향에서 상기 조사부에 인접하는 위치에 있어서, 상기 배출구를 포함하도록 마련되고, 상기 토출구로부터 상기 배출구로 흐르는 상기 처리용의 가스를 일시적으로 수용하는 기체 저류실을 더 구비하고,
상기 제어부는, 상기 기체 저류실 내를 상기 제 2 위치로서, 상기 기체 저류실 밖을 상기 제 3 위치로서 상기 반송부를 제어하는 기판 처리 장치.6. The method of claim 5,
A gas storage chamber which is provided so as to include the discharge port and temporarily accommodates the processing gas flowing from the discharge port to the discharge port at a position adjacent to the irradiation section in the transport direction of the substrate by the carry section Respectively,
Wherein the control unit controls the carry section as the second position in the gas storage chamber and as the third position outside the gas storage chamber. 제 6 항에 있어서,
상기 반송 방향에 있어서의 상기 기체 저류실의 반대측에서, 상기 조사부 및 상기 토출구로부터 이간된 위치에 마련되고, 상기 기판의 반입반출 시에 상기 기판을 통과시키는 개구부를 더 구비하고,
상기 제어부는, 상기 개구부와 상기 기체 저류실의 사이를 상기 제 3 위치로서 상기 반송부를 제어하는 기판 처리 장치.The method according to claim 6,
Further comprising an opening portion provided at a position spaced apart from the irradiation portion and the discharge port on the opposite side of the gas storage chamber in the carrying direction and allowing the substrate to pass through when the substrate is carried in and out,
Wherein the control section controls the carry section as the third position between the opening section and the gas storage chamber. 제 7 항에 있어서,
상기 가스 배출부는, 상기 개구부로부터 도입된 외기와, 상기 토출구로부터 토출된 상기 처리용의 가스를 상기 배출구로부터 모두 배출하는 기판 처리 장치.8. The method of claim 7,
Wherein the gas discharge portion discharges both the outside air introduced from the opening portion and the processing gas discharged from the discharge port from the discharge port. 제 8 항에 있어서,
상기 기판의 반입반출에 있어서 상기 개구부를 개폐하는 셔터를 더 구비하고,
상기 셔터는, 폐색 상태에서도 상기 외기를 도입 가능하게 되도록 구성되어 있는 기판 처리 장치.9. The method of claim 8,
Further comprising a shutter that opens and closes the opening portion in carrying-in and carrying-out of the substrate,
Wherein the shutter is configured to be capable of introducing the outside air even in a closed state. 제 9 항에 있어서,
상기 셔터는, 폐색 상태에서도 상기 외기를 도입 가능한 극간을 이루도록 구성되어 있는 기판 처리 장치.10. The method of claim 9,
Wherein the shutter is configured to form a gap between the outside air and the outside air which can be introduced even in a closed state. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 처리용의 가스는 불활성 가스인 기판 처리 장치.5. The method according to any one of claims 1 to 4,
Wherein the processing gas is an inert gas. 에너지선의 조사부와, 상기 조사부의 근방에 배치된 처리용의 가스의 토출구와, 상기 토출구로부터 이간된 상기 처리용의 가스의 배출구를 구비하는 기판 처리 장치를 이용하고,
상기 토출구로부터 상기 배출구에 이르는 상기 처리용의 가스의 유로를 차단하는 제 1 위치로 상기 기판을 반송하는 것, 상기 제 1 위치에 상기 기판이 위치하고 있을 때, 상기 처리용의 가스를 상기 토출구로부터 공급하는 것, 상기 토출구로부터 공급된 상기 처리용의 가스가 상기 기판의 표면 상에 개재되 상태에서 상기 조사부로부터 상기 기판의 표면에 상기 에너지선을 조사하는 것을 포함하는 기판 처리 방법.An irradiation section of an energy ray, a discharge port of a processing gas disposed in the vicinity of the irradiation section, and a discharge port of the processing gas separated from the discharge port,
Wherein the processing gas is supplied from the discharge port to the first position when the substrate is positioned at the first position; And irradiating the energy ray onto the surface of the substrate from the irradiation section while the processing gas supplied from the discharge port is interposed on the surface of the substrate. 제 12 항에 있어서,
상기 토출구로부터 공급된 상기 처리용의 가스가 채워진 제 2 위치로 상기 기판을 반송하는 것,
상기 제 2 위치에 비해 상기 처리용의 가스의 농도가 낮은 제 3 위치로 상기 기판을 반송하는 것을 더 포함하고,
상기 기판이 상기 제 2 위치로부터 상기 제 3 위치로 이동할 때, 상기 기판의 표면에 상기 에너지선을 조사하는 기판 처리 방법.13. The method of claim 12,
Transporting the substrate to a second position filled with the processing gas supplied from the discharge port,
Further comprising transporting the substrate to a third position where the concentration of the processing gas is lower than the second position,
And irradiating the energy line to the surface of the substrate when the substrate moves from the second position to the third position. 제 12 항 또는 제 13 항에 기재된 기판 처리 방법을 기판 처리 장치에 실행시키기 위한 프로그램을 기록한 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체.A computer-readable recording medium recording a program for causing a substrate processing apparatus to execute the substrate processing method according to claim 12 or 13.
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Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004319558A (en) 2003-04-11 2004-11-11 Tokyo Electron Ltd Method and equipment for treating substrate
JP2013247159A (en) * 2012-05-23 2013-12-09 Tokyo Electron Ltd Pattern formation method, pattern formation device, and computer readable storage medium
KR20150016887A (en) * 2013-08-05 2015-02-13 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 Ultraviolet irradiation apparatus and substrate processing method
JP2015032755A (en) * 2013-08-05 2015-02-16 東京エレクトロン株式会社 Ultraviolet ray irradiator, substrate processing method, program and computer storage medium

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3027686B2 (en) * 1994-08-22 2000-04-04 大日本スクリーン製造株式会社 UV irradiation device

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004319558A (en) 2003-04-11 2004-11-11 Tokyo Electron Ltd Method and equipment for treating substrate
JP2013247159A (en) * 2012-05-23 2013-12-09 Tokyo Electron Ltd Pattern formation method, pattern formation device, and computer readable storage medium
KR20150016887A (en) * 2013-08-05 2015-02-13 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 Ultraviolet irradiation apparatus and substrate processing method
JP2015032755A (en) * 2013-08-05 2015-02-16 東京エレクトロン株式会社 Ultraviolet ray irradiator, substrate processing method, program and computer storage medium

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