KR20160100935A - 플라스틱 몰딩 컴파운드 및 이의 용도 - Google Patents
플라스틱 몰딩 컴파운드 및 이의 용도 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20160100935A KR20160100935A KR1020167014185A KR20167014185A KR20160100935A KR 20160100935 A KR20160100935 A KR 20160100935A KR 1020167014185 A KR1020167014185 A KR 1020167014185A KR 20167014185 A KR20167014185 A KR 20167014185A KR 20160100935 A KR20160100935 A KR 20160100935A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- polyamide
- component
- molding
- laser
- mol
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
- C08K3/00—Use of inorganic substances as compounding ingredients
- C08K3/18—Oxygen-containing compounds, e.g. metal carbonyls
- C08K3/20—Oxides; Hydroxides
- C08K3/22—Oxides; Hydroxides of metals
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
- C08K3/00—Use of inorganic substances as compounding ingredients
- C08K3/18—Oxygen-containing compounds, e.g. metal carbonyls
- C08K3/24—Acids; Salts thereof
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
- C08K7/00—Use of ingredients characterised by shape
- C08K7/02—Fibres or whiskers
- C08K7/04—Fibres or whiskers inorganic
- C08K7/14—Glass
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
- C08L77/00—Compositions of polyamides obtained by reactions forming a carboxylic amide link in the main chain; Compositions of derivatives of such polymers
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
- C08L77/00—Compositions of polyamides obtained by reactions forming a carboxylic amide link in the main chain; Compositions of derivatives of such polymers
- C08L77/04—Polyamides derived from alpha-amino carboxylic acids
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
- C08L77/00—Compositions of polyamides obtained by reactions forming a carboxylic amide link in the main chain; Compositions of derivatives of such polymers
- C08L77/06—Polyamides derived from polyamines and polycarboxylic acids
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/0011—Working of insulating substrates or insulating layers
- H05K3/0014—Shaping of the substrate, e.g. by moulding
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
- H05K3/18—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material
- H05K3/181—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material by electroless plating
- H05K3/182—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material by electroless plating characterised by the patterning method
- H05K3/185—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material by electroless plating characterised by the patterning method by making a catalytic pattern by photo-imaging
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
- H05K3/20—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern by affixing prefabricated conductor pattern
- H05K3/202—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern by affixing prefabricated conductor pattern using self-supporting metal foil pattern
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
- C08K3/00—Use of inorganic substances as compounding ingredients
- C08K3/18—Oxygen-containing compounds, e.g. metal carbonyls
- C08K3/20—Oxides; Hydroxides
- C08K3/22—Oxides; Hydroxides of metals
- C08K2003/2248—Oxides; Hydroxides of metals of copper
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
- C08K3/00—Use of inorganic substances as compounding ingredients
- C08K3/18—Oxygen-containing compounds, e.g. metal carbonyls
- C08K3/20—Oxides; Hydroxides
- C08K3/22—Oxides; Hydroxides of metals
- C08K2003/2251—Oxides; Hydroxides of metals of chromium
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/01—Dielectrics
- H05K2201/0104—Properties and characteristics in general
- H05K2201/0129—Thermoplastic polymer, e.g. auto-adhesive layer; Shaping of thermoplastic polymer
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
- H05K2203/10—Using electric, magnetic and electromagnetic fields; Using laser light
- H05K2203/107—Using laser light
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Medicinal Chemistry (AREA)
- Polymers & Plastics (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Injection Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
- Extrusion Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)
- Shaping Of Tube Ends By Bending Or Straightening (AREA)
Abstract
본 발명은 몰딩의 노출 표면을 형성하는 적어도 하나의 레이저-구조화가능한 층을 가지는 압출된 단층 또는 다층 몰딩을 비-레이저-구조화가능한 캐리어 요소의 표면에 적용하거나, 또는 비-레이저-구조화가능한 열가소성 캐리어 요소로 인-몰드-코팅하여, 바람직하게는 이미 형성된 전도체 트랙없이 상기 몰딩의 적어도 하나의 레이저-구조화가능한 층이 레이저-구조화가능한 부품의 표면의 적어도 일 부분을 형성하거나, 또는 바람직하게는 이미 형성된 전도체 트랙없이 상기 압출된 단층 또는 다층 몰딩이 열성형되어 부품을 형성(또는 도입 및 열성형 후 압출을 수행)하도록 하는 것을 특징으로 하는, 레이저-구조화가능한 부품의 제조 방법이다. 상기 방법에서, 상기 몰딩된 부분의 레이저-구조화 가능한 층은 실질적으로 그 전체 영역에 걸쳐 하기 성분을 포함하는 열가소성 몰딩 컴파운드를 포함한다: (A) 30 - 99.9 wt%의, 폴리아미드(A1) 또는 폴리아미드(A1) 및 다른 열가소성 수지(A2)의 혼합물로 바람직하게 이루어지는 열가소성 수지 - 상기 폴리아미드(A1)의 분율은 (A1) 및 (A2)의 합을 기준으로 하여 적어도 70 wt%임; (B) 0.1 - 10 wt%의 LDS 첨가제; (C) 0 - 60 wt%의, (A) 및 (B)와 다른 보조제; 상기 (A) - (C)의 합은 100 wt%임.
Description
본 발명은 플라스틱 외에 LDS 첨가제를 포함하는 열가소성 몰딩 조성물의 압출에 의하여 제조되는 몰딩에 관한 것이다. 상기 압출된 몰딩, 더 구체적으로 호일, 프로파일 및 중공체는 부분 조사 후 표적 금속화될 수 있다. 본 발명은 추가적으로 예를 들어 단층 또는 다충 호일 형태의 그러한 압출된 몰딩을 이용하는 방법에 관한 것이다. 본 발명의 몰딩 조성물은 특히 사출 성형되고 압출된, 금속화가능하거나 금속화된 부품 제조에 이용된다.
몰드형 인터커넥트 장치(MIDs) - 사출 성형에 의하여 열가소성 수지로부터 제조되는 회로 캐리어 - 는 기존의 장치에 비하여 개선된 설계 자유도, 효과적인 환경 적합성 및 최종 제품의 제조 공정과 관련되는 합리화 가능성의 이점을 가진다. 하나의 사출 몰딩 내 전기적 및 기계적 기능들의 통합은 어셈블리의 소형화를 가져올 수 있다. 또한, 전적으로 새로운 기능들이 실현될 수 있고, 거의 모든 원하는 형태가 설계될 수 있다. 2-콤포넌트 사출 몰딩, 핫 스탬핑 및 레이저 식각 구조화는 다년간 다량 생산에 이미 사용되어온 MID 제작 기술들이다.
마찬가지로, EP-A-1 274 288로부터 표준 사출 성형 공정에 의하여 제조되는 몰딩이 레이저에 의하여 구조화되는, 첨가식 레이저 구조화 기술이 공지되어 있다. 이러한 기술을 통하여, 후에 전도 트랙을 가질 플라스틱 표면 상의 영역이 금속 원자로 부분적으로 시딩되고, 이어서 그 위에 금속층이 화학적으로 환원성인 금속화 배스 내에서 성장한다. 상기 금속 시드는 상기 캐리어 물질 내 초미분된 형태로 존재하는 금속 화합물의 분해에 의하여 생성된다.
WO-A-2013/076314는 주석계 혼합 금속 산화물을 LDS 첨가제로서 포함하는 직접 레이저 구조화가능한 열가소성 몰딩 조성물을 기재하고, 상기 문헌은 폴리카보네이트 또는 폴리카보네이트/ABS 혼합물의 비-강화 사출 성형된 몰딩 조성물을 사용하여, 이러한 몰딩 조성물이 고 백색도를 가지며 산화 안티몬의 분율을 증가시킴으로써 금속화가 개선될 수 있음을 입증한다.
DE 101 53 922 A1는 금속화가능한 플라스틱으로, 리세스가 계획된 전도체 트랙을 위하여 제거된 구조화되고 비금속화가능한 호일을 인-몰드 코팅하고, 이어서, 전도체 트랙이 형성될, 본래 호일 내 리세스되어 이제 금속화가능한 플라스틱 내에 노출된 영역에서 인-몰드 코팅된 플라스틱을 금속화함으로써, 사출 성형된 인터커네트 장치를 제조하는 방법을 기재한다.
DE 40 36 592 A1는 열가소성 수지를 가지는 유연성 회로의 인-몰드 코팅에 의하여 얻어진 사출 성형된 전도체 트랙을 청구한다. 상기 유연성 캐리어 호일을 전도체가 형성될 계획된 위치에서만 금속화가능하도록 하기 위하여, 이는 금속화 활성화를 함유하는 스크린 프린팅 페이스트로 국소적으로 처리된다. 다음, 완전한 전도체 트랙을 가지는 캐리어 호일이 열가소성 수지로 인-몰드 코팅되어, 원하는 3차원적 인터커넥트 장치를 제공한다.
DE 10 2011 014 902 B3은 3차원 안테나를 가지는 안테나 부품의 제조 방법에 관한 것이다. 상기 안테나, 즉 전기 전도성 바니쉬의 적용에 의하여 생산되는 소정의 전도체 트랙은 열성형에 의하여 원하는 방식으로 하나 이상의 만곡 영역에서 만곡된 열가소성 캐리어 호일 상에 위치한다.
EP 1 987 707 A2는 성형체 상에 전기 전도성 층을 생성하는 방법을 제시하며, 여기서 열가소성 수지의 성형가능한 호일에 먼저 전도체 트랙이 형성될 위치에서 전기도금 촉매 활성을 가지는 시드가 제공되고, 그 후 상기 호일이 열성형에 의하여 3차원적 성형체로 성형되고, 최종 단계에서 금속화된다.
DE 10 2006 015 508은 베이스층 및 적어도 하나의 상부층을 포함하는 다층 일축 배향 열가소성 폴리에스테르 호일을 기재하며, 상기 호일은 전자기 방사선에 의하여 활성화될 수 있는 금속 화합물을 0.5-15 중량% 포함한다. 순수한 폴리에스테르층만이 사용되고; 기타 폴리머의 혼합에 대한 언급이 있으나, 45 중량%의 상한이 그 분율에 부과된다.
EP 1 561 775는 마찬가지로 전자기 방사선에 의하여 활성화될 수 있는 금속 화합물을 0.5-15 중량% 포함하는 일축 배향 열가소성 폴리머 호일을 기재한다. 최대 18 중량%의 폴리아미드 분율을 가지는 시스템만이 사용된다.
이러한 공지된 MID 회로 캐리어의 열적 및 기계적 특성 및 관련 사용 분야는 기재로 하는 열가소성 몰딩 조성물에 의하여 주로 결정된다. 몰딩 조성물로서 폴리아미드는 현재 내부 및 외부용 구조적 요소로서 널리 퍼져 있으며, 이는 그 우수한 기계적 특성에 상당히 기인한다.
상기 레이저-직접-구조화 가능한 몰딩 조성물은 전자기 방사선에 노출시 금속을 방출하는 레이저 첨가제로서 알려진 것들을 포함한다. 종종, 이러한 레이저 유도 시딩을 위하여 금속 산화물, 보다 구체적으로 스피넬이 사용된다. 미세 조도 및 따라서 그 후에 작용되는 전도체 트랙의 접착을 증가시키기 위하여, 그러한 몰딩 조성물은 상당한 양의 활석과 같은 부가적 충전제를 추가로 포함할 수 있다. 그러나, 입상 충전제 또는 백색 안료의 상기 몰딩 조성물에 첨가 결과, 일반적으로 기계적 특성 및 압출 특성이 뚜렷이 손상되고, 보다 구체적으로 인장 강도, 파단 연신율 및 충격 강도가 감소된다.
따라서, 레이저 구조화(LDS)를 이용하는 MID 기술에 있어서 통상적인 절차의 경우, 첫번째 단계로 전도체 트랙을 제조하는 절차 (그 다음, 실제 전도체의 다운스트림 무전해 증착의 두번째 단계)에서 항상 대체로 특정 레이저-활성화가능한 금속 화합물을 매스 내에 포함하는 물질로부터 부품이 사출 성형된다. 그 기능에 따라 이러한 금속 화합물들은 인터커네트 장치의 최상층에만 반드시 존재하여야 하나, 이들은 결과적으로 성형품을 통하여 분포되고, 어떠한 경우 물리적 특성에 상당히 불리한 영향을 미친다.
전도체 트랙 형성을 위한 종래 기술로부터의 모든 다른 전술한 방법들은 먼저 예를 들어 호일의 절단 또는 호일의 인쇄 등에 의하여 호일 상에 전도체 토폴로지를 템플레이트하고, 그 후에 상기 호일을 인-몰드 코팅하거나 형성하는 것을 일관되게 포함한다. 따라서, 이러한 과정에서, 전도체 토폴로지가 항상 그 전구체 제품 위에 템플레이트되고, 그 후 상기 전구체 제품의 프로세싱이 이어져 부품을 제공한다. 이와 관련되는 불리한 점은 특히, 전구체 제품의 프로세싱 중에 그 토폴로지의 정확한 유지를 보증하는 것이 필요하나, 이는 항상 가능한 것은 아니라는 점이다.
본 발명은 전적으로 새로운 경로를 취한다.
이에 근거하여, 본 발명의 목적은, 우수한 기계적 특성, 보다 구체적으로 높은 유연성, 높은 인장 강도 및 높은 파단 연신율 및 높은 인성을 가지는 압출 성형품, 보다 구체적으로 호일 또는 다층 호일을 제조할 수 있는, 특히 레이저-직접-구조화가능한, 적합한 열가소성 폴리아미드 몰딩 조성물을 제공하는 것이다. 나아가, 그 목적은 상기 성형품, 호일 및 호일-코팅된 성형품이 레이저 조사 후 용이하게 금속화가능하고, 전도체 트랙이 열가소성 기판, 보다 구체적으로 폴리아미드 기판에 잘 접착하는 것이다. 전구체 제품 상에와 같이 조기가 아니라, 완성된 부품 상에 전도체 트랙을 구비할 수 있는 유연성 호일의 제공, 및 완성된 부품으로서 단층 및 다층 전도체 트랙을 가지는 호일의 제공은 MID를 EID(압출된 인터커넥트 장치) 기술에 연장시킨다. 본 발명의 호일은 또한 열가소성 수지로 인-몰드 코팅될 수 있다. 또한, 그 목적은 특히 바람직한 구현예의 경우, 상기 물질로부터 제조되는 호일이 제조 후 뿐 아니라 레이저 구조화 후 및/또는 금속화 후에도 높은 평탄도를 가지는 것이다.
따라서, 본 발명은 한편으로는, 예를 들어 회로 기판, 전자 장치용 케이싱 등으로서 레이저-구조화가능한 부품을 제조하는 방법, 및 다른 한편으로는, 이러한 방식으로 제조되는 부품, 및 그러한 부품 제조에 특히 적합한 LDS 첨가제를 가지는 몰딩을 포함한다.
따라서, 본 발명의 핵심은, 예기치 않게, 표면층에만 부품의 레이저 구조화가능성을 배치하고, 따라서 한편으로는 레이저 구조화가능성을 위하여 요구되는 물질의 변화 - 구체적으로, LDS 첨가제의 존재에 의하여 야기되는 물리적 특성에 대한 전체 부품의 불리한 영향을 배제하고, 이러한 첨가를 정확히 요구되는 정도로만 정확히 요구되는 양으로, 즉 요구되는 표면 영역에만 사용하고, 그럼에도 불구하고, 최종적으로 형성되는 전도체 트랙과 캐리어 간의 우수한 접착을 제공하는 것이 용이하게 가능하다는 발견에 있다.
따라서, 본 발명의 첫번째 대상은 몰딩의 노출 표면을 형성하는 적어도 하나의 레이저-구조화가능한 층을 가지는 압출된 단층 또는 다층 몰딩을 비-레이저-구조화가능한 캐리어 요소의 표면에 적용하거나 (또는 도입 및 적용 후 압출을 수행), 또는 비-레이저-구조화가능한 열가소성 캐리어 요소로 인-몰드-코팅하여, 바람직하게는 이미 형성된 전도체 트랙없이 상기 몰딩의 적어도 하나의 레이저-구조화가능한 층이 레이저-구조화가능한 부품의 표면의 적어도 일 부분을 형성하거나, 또는 바람직하게는 이미 형성된 전도체 트랙없이 상기 압출된 단층 또는 다층 몰딩이 열성형되어 부품을 형성(또는 도입 및 열성형 후 압출을 수행)하도록 하는 것을 특징으로 하는, 레이저-구조화가능한 부품의 제조 방법이다. 여기서 상기 몰딩의 레이저-구조화 가능한 층은 실질적으로 그 전체 영역에 걸쳐 다음을 포함하는 열가소성 몰딩 조성물을 포함한다:
(A) 30 - 99.9 wt%의, 폴리아미드(A1) 또는 폴리아미드(A1) 및 다른 열가소성 수지(A2)의 혼합물을 바람직하게 포함하는 열가소성 수지 - 상기 폴리아미드(A1)의 분율은 (A1) 및 (A2)의 합을 기준으로 하여 적어도 70 wt%임;
(B) 0.1 - 10 wt%의 LDS 첨가제;
(C) 0 - 60 wt%의, (A) 및 (B)와 다른 보조제;
상기 (A) - (C)의 합은 100 wt%이다.
바람직하게는, 상기 레이저-구조화된 층은 미배향되고 및/또는 열경화되지 않으며, 이는 바람직하게는 일축 또는 다축이든 그 후의 연신, 또는 예를 들어 200-250℃ 온도에서 열처리 없는 압출, 주조 또는 코팅 작업의 결과임을 의미한다. 또한, 바람직하게는, 상기 열가소성 수지(A)는 폴리에스테르 구성 성분을 함유하지 않는다.
본 발명의 열가소성 몰딩 조성물에 있어서, 상기 열가소성 용융 상태는 융점 위 또는 유리 전이 온도 위의 온도에서 용융시킴으로써 얻어진다. 상기 점성 멜트가 대개 스크류 기계 (압출기) 상에서 일종의 주조 작업으로 성형된다. 압출시, 상기 멜트가 프로파일 다이(툴링)를 통하여 연속적으로 프로세싱되어 전구체 제품을 형성한다. 사출 성형의 경우, 불연속 공정의 결과, 멜트가 신속하게 고압에서 닫힌 몰드 내로 도입되어 사출 몰딩을 형성한다. 두 공정 기술 간의 차이는 사출 성형이 완성된 제품을 제공하는 반면, 압출은 단지 전구체 제품을 형성할 뿐이라는 것이다. 나아가, 사출 성형은 이송 스크류가 피스톤으로서 작용하는 불연속 공정이나, 압출은 그러하지 않다. 이러한 차이점으로 인하여, 압출-제조된 몰딩은 응력 자유도, 뒤틀림, 편평도, 연신성, 배향성, 유연성, 굴곡 반경, 최소 벽 두께 등의 측면에서 사출 몰딩과 상이한 물리적 특성들을 가지므로, 압출은 완성된 몰딩에 대하여 사출 성형에 비하여 많은 이점들을 가진다 - 보다 구체적으로, 예를 들어:
·압출된 몰딩은 뒤틀림이 없거나 거의 없고 높은 편평도를 가지는 무응력 몰딩이고;
·압출된 몰딩은 얇은 부분, 특히 큰 표면적의 얇은 부분의 형태를 취할 수 있고;
·압출된 호일은 연신가능하고 배향가능하고;
·압출된 몰딩, 특히 호일은 높은 유연성을 가지고 작은 곡률 반경을 견디고;
·압출된 파이프 섹션 또는 프로파일은 스큐잉(skewing)이 없고;
·압출은 특히 2 이상의 층 또는 낮은 층 벽 두께를 가지는, 연결 심(seam)없는 긴 프로파일 및 파이프를 제공한다.
공정의 바람직한 일 구현예에서, 상기 몰딩은 프로파일, 파이프, 필름 또는 호일, 바람직하게는 필름 또는 호일이고, 이러한 몰딩은 단층 구조의 몰딩의 경우 그 자체로 전체로서 몰딩을 형성하는 본 발명의 적어도 하나의 레이저-구조화가능한 층을 가지고, 이러한 층은 바람직하게는 10 - 1000 마이크로미터, 바람직하게는 20 - 600 마이크로미터, 보다 구체적으로 30 - 400 또는 40 - 300 마이크로미터 범위의 두께를 가지고, 상기 필름 또는 호일은 추가로 바람직하게는 상기 레이저-구조화가능한 층에 의해서만 형성되거나, 또는 상기 레이저-구조화가능한 층과 다른 그 위에 필름 또는 호일이 일면 또는 양면 상에 배치되어 표면을 형성하는 하나 이상의 캐리어 층들을 가진다.
바람직한 일 구현예는 적어도 두 개의 층들, 특히 바람직하게는 정확히 두 개의 층들을 포함하는, 가능하게 파이프, 프로파일 또는 호일 형태의 성형품에 관한 것이고, 상기 레이저-구조화가능한 층(S) 외에 복수의 또는 바람직하게는 정확히 하나의 추가적인 캐리어 층(들)(T)이 있다. 층 S 대 층 T의 두께 비가 적어도 1:2, 바람직하게는 적어도 1:10, 바람직하게는 1:2 내지 1:100 또는 1:1000인 것이 더 바람직하다. 이 경우 층 S가 매우 얇은 구조로, 바람직하게는 10-100 ㎛, 더 바람직하게는 10-50 ㎛의 두께를 가지는 것이 유리하다. 이 경우 층 T는 20-1000 ㎛, 바람직하게는 50-500 ㎛의 두께를 가진다. 매우 우수한 레이저 구조화 및 그 후의 금속화, 및 무전해 적용되는 금속층의 충분한 접착을 보증하기 위하여, 이러한 구현예의 몰딩의 경우, 적어도 하나의 층 S 및 적어도 하나의 층 T를 포함하는 전체적인 부품에 대하여 더 많은 LDS 첨가제를 전체적으로 사용하지 않고, 상기 층 S 내 LDS 첨가제의 농도가 비교적 높은 수준으로 유리하게 설정된다. 바람직하게는 층 S 내 LDS 첨가제(B)의 분율은 상기 층 S를 형성하는 전체 몰딩 조성물을 기준으로 하여 적어도 2, 바람직하게는 적어도 4, 특히 바람직하게는 적어도 5 wt%이다. 상기 S 층 내 LDS 첨가제 분율은 따라서 바람직하게는 4-10, 더 구체적으로 5-10 wt% 범위이다.
몰딩이 캐리어 요소에 적용될 수 있는 다양한 방법이 있다. 예를 들어, 각각의 경우 바람직하게는 압력 및/또는 열을 적용하여; 가교 또한 가능한 옵션임, 몰딩이 캐리어 요소 표면 상으로 접착(접착 촉진제를 이용하여), 라미네이션(접착 촉진제를 이용하거나 하지 않고) 또는 라이닝될 수 있다.
대안적으로, 상기 몰딩 또는 레이저-구조화가능한 층(S)은 또한, 캐리어 요소 표면 상에 응집 필름 형태로 - 호일에 대하여, 바람직하게는 슬롯 다이를 이용하여, 접착 촉진층을 삽입하거나 하지 않고 공압출 또는 다층 압출로 상기 캐리어 요소 (캐리어층(T)) 상에 용융 상태로부터 직접 압출될 수 있다. 따라서, 현장에서 캐리어 요소에 특히 우수한 결합을 생산하는 것이 가능하고, 예를 들어, 열경화성 수지, 또는 목재, 직물, 금속 등과 같은 근본적으로 전적으로 상이한 물질을 포함하는 것들과 같은, 전적으로 상이한 물질을 포함하는 캐리어 요소가 코팅되는 것 또한 가능하다.
인-몰드 공정에서, 상기 몰딩은 또한 몰드 내 호일로서 도입되고 사출 성형에 의하여 코팅될 수 있으며, 그 경우 캐리어 요소는 인-몰드 코팅된 물질로부터 형성된다. 따라서, 다른 구현예는 열가소성 수지를 가지는 레이저-구조화가능한 층을 포함하는, 본 발명의 호일의 인-몰드-코팅이고, 이 경우 호일은 적어도 일 면에 이미 전도체 트랙을 가지거나 또는 그 표면에 다운스트림 단계에서 전도체 트랙이 제공될 수 있다.
상기한 바와 같이, 캐리어 요소 없이 작업하고, 예를 들어 성형 또는 열성형 작업으로 상기 몰딩을 전체로서 원하는 형태로 만드는 것 또한 가능하다. 이 경우, 상기 레이저-구조화가능한 층은 성형, 보다 구체적으로 열성형에 의하여 3차원적 구조를 획득한다.
상기 캐리어 요소 및/또는 특히 몰딩은, 바람직한 일 구현예에 따라, 폴리아미ㅡ-함유 플라스틱, 바람직하게는 지방족 폴리아미드, 세미방향족 반결정성 폴리아미드(예를 들어, 폴리프탈아미드), 비정질 지환족 또는 세미방향족 폴리아미드, 또는 이들 폴리아미드들의 혼합물을 포함한다. 지방족 폴리아미드(A1_1) 및 비정질 폴리아미드(A1_2)의 혼합물, 또는 세미방향족 반결정성 폴리아미드와 비정질 폴리아미드의 혼합물이 바람직하다.
그 다음 공정 단계에서, 추가적인 바람직한 구현예에 따르면, 전도체 트랙이 레이저 직접 구조화 및 그 후 금속의 부품 상에 무전해 및 임의로 부가적인 전해 도금 증착에 의하여 부품 및/또는 층(S) 상에 형성되고, 또한 임의로, 전기 및/또는 전자 부품이 이어서 통합되고, 예를 들어 어셈블리 등과 같은 추가적인 단계들이 이어지는 것이 가능하다.
따라서, 본 발명은 또한 추가적으로, 바람직하게는, 전자 장치, 더 구체적으로 특히 PDAs, 휴대폰, 통신 장치와 같은, 휴대용 전자 장치용 캐리어 요소, 회로 기판, 케이싱 또는 케이싱 부품, 개인용 컴퓨터, 노트북 컴퓨터, 특히 보청 장치, 센서 기술, 또는 RFID 트랜스폰더와 같은 의료 장비용 캐리어 요소, 회로기판, 케이싱 또는 케이싱 부품, 또는 특히 에어백 모듈, 다기능 스티어링 휠과 같은 자동차 섹터용 부품으로서, 전기 전도체 트랙을 위하여 제조되거나 이를 가지는, 상기 방법에 의하여 제조되거나 제조가능한 부품에 관한 것이다.
따라서 상기 부품은 후술하는 몰딩 조성물로부터 제조되는 층(S)을 포함하는 압출 몰딩을 기초로 하여 이루어진다. 그러한 부품 및 MID 기술의 이용 분야는 자동차 엔지니어링, 자동차 공학, 산업 자동화, 의료 공학, 가전제품 산업, 컨슈머 일렉트로닉스, 통신 산업, 계측학 및 분석학, 기계 공학, 및 항공 우주 여행에서이다. 따라서, 본 발명은 본 발명의 몰딩 조성물을 포함하는 층(S)을 포함하는 몰딩을 포함하는, 물품, 보다 구체적으로 인터커네트 장치에 관한 것이다. 일 구현예에서, 상기 인터커넥트 장치는 안테나 형성을 위하여 사용된다.
그러한 몰딩의 예는 PDAs, 휴대폰, 기타 통신 장치와 같은, 휴대용 전자 장치용 케이싱 또는 케이싱 부품, 유연성 휴대용 전화 케이싱 또는 부품, 박막 전지용 호일 또는 부품, 개인용 컴퓨터, 노트북 컴퓨터, 보청 장치, 예를 들어, 센서 기술, 또는 RFID(전파 식별) 트랜스폰더와 같은 의료 장비용 케이싱 또는 케이싱 부품, 또는 예를 들어 에어백 모듈, 다기능 스티어링 휠과 같은 자동차 섹터용 부품, 또는 장식 목적으로 금속화되거나 금속화가능한 호일이다.
상기 물리적 특성을 기초로 하여, 3차원적 인터커넥트 장치를 제조할 수 있다. 나아가, 마운트, 가이드, 버튼, 플러그 또는 기타 연결 요소와 같은 전형적인 기계적 기능들을 통합할 수 있다. 또한, 전기 및 전자 적용을 위한 및 연료 시스템을 위한 커넥터들이 가능하다. 본 발명은 나아가 전도체 트랙 또는 금속 기판을 가지는 유연성 성형품, 보다 구체적으로 호일에 관한 것으로, 상기 물품들은 사출 성형된 부품에 비하여 높은 유연성을 가지며, 그 결과, 예를 들어 층(S)을 포함하는 호일이 전도체 트랙 또는 금속 구조를 탈착 및/또는 손상하지 않고 10 mm 미만의 직경을 가지는 롤로 롤 업될 수 있다 - 즉, 낮은 곡률 반경이 가능하다.
본 발명은 나아가, 실질적으로 그 전체 영역에 걸쳐
(A) 30 - 99.9 wt%의, 폴리아미드(A1) 또는 폴리아미드(A1) 및 다른 열가소성 수지(A2)의 혼합물을 포함하는 열가소성 수지 - 상기 폴리아미드(A1)의 분율은 (A1) 및 (A2)의 합을 기준으로 하여 적어도 70 wt%임;
(B) 0.1 - 10 wt%의 LDS 첨가제;
(C) 0 - 60 wt%의, (A) 및 (B)와 다른 보조제;
(상기 (A) - (C)의 합은 100 wt%임)
를 포함하는 열가소성 몰딩 조성물을 포함하는, 몰딩의 노출 표면을 형성하는 적어도 하나의 레이저-구조화가능한 층을 가지는, 바람직하게는 상기한 방법에 사용하기 위한, 또는 상기 부품 내 사용하기 위한 압출된 단층 또는 다층 몰딩, 또는 그러한 몰딩의 제조를 위한 압출 공정에 관한 것이다 (상기 방법에서 상기 유형의 층은 압출 공정으로 제조됨).
이러한 유형의 몰딩은 바람직하게는 프로파일, 파이프, 필름 또는 호일, 바람직하게는 필름 또는 호일이고, 상기 필름 또는 호일은 바람직하게는 10 - 1000 마이크로미터, 바람직하게는 20 - 600 마이크로미터, 또는 30 - 400 마이크로미터, 또는 40 - 300 마이크로미터 범위의 두께를 가지고, 상기 필름 또는 호일은 더 바람직하게는 상기 적어도 레이저-구조화가능한 층(S)에 의해서만 형성되거나, 또는 상기 레이저-구조화가능한 층과 다른, 그 위에 필름 또는 호일이 일면 또는 양면 상에 배치되어 표면을 형성하는 하나 이상의 캐리어 층(층 (Ti))을 가지는 것을 특징으로 하고, 이 경우, 바람직하게는 상기 캐리어 층 위의 표면층들은 10-250 ㎛, 바람직하게는 20-150 ㎛ 범위의 두께를 가진다.
본 발명의 몰딩 조성물은 성분(A)에 대하여 바람직하게는 30 내지 99.9 wt%, 바람직하게는 42 내지 99 wt%, 더 바람직하게는 44 내지 98 wt%의, 바람직하게는 다음으로 구성되는 군으로부터 선택되는 열가소성 수지(A)를 포함한다: 폴리카보네이트, 폴리페닐렌 에테르, 폴리스티렌, 폴리메틸 메타크릴레이트, 아크릴로니트릴-부타디엔-스티렌 코폴리머, 아크릴로니트릴-스티렌 코폴리머, 폴리올레핀, 개질된 폴리올레핀, 특히 그라프팅된 폴리올레핀, 폴리옥시메틸렌, 폴리에스테르, 특히 폴리에틸렌 테레프탈레이트, 폴리부틸렌 테레프탈레이트, 폴리술폰 (특히 타입 PUS, PESU, PPSU), 폴리페닐렌 술파이드, 액체 결정성 폴리머, 폴리에테르케톤, 폴레에테르에테르케톤, 폴리아미드, 폴리이미드, 폴리아미드이미드, 폴리에스테르이미드, 폴리에테르아미드, 폴리에스테르아미드, 폴리에테르에스테르아미드, 폴리우레탄 (특히 타입 TPU, PUR), 폴리실록산 폴리아크릴레이트, 폴리메타크릴레이트 및 그러한 시스템들을 기재로 하는 혼합물 또는 코폴리머.
특히 바람직하게는, 성분(A)는 폴리아미드(A1)를 포함하고, 바람직하게는 성분(A)는 적어도 50 wt%의 폴리아미드(A1), 더 바람직하게는 적어도 70 wt% 또는 80 wt%의 폴리아미드(A1)를 포함하고,나머지는 다른 열가소성 수지(A2)에 의하여 형성된다.
특히 바람직한 구현예에 따르면, 성분(A)는 폴리아미드(A1)만으로 구성된다.
첫번째 바람직한 구현예에 따르면, 성분(A)는 성분(A)의 총 양에 대하여 적어도 40 wt%, 바람직하게는 50 - 100 wt% 범위의 농도의 다음으로 구성되는 군으로부터 선택되는 폴리아미드(A1), 및 다른 열가소성 수지(A2)를 포함한다: 지방족 폴리아미드(A1_1), 세미방향족 반결정성 폴리아미드(A1_2), 세미방향족 비정질 폴리아미드(A1_3), 및/또는 지환족 비정질 폴리아미드(A1_4).
바람직한 성분(A)는 상기한 폴리아미드(A1_1) 내지 (A1_4)만으로 구성된다.
추가적인 구현예에서, 성분(A1)은 바람직하게는 지방족 폴리아미드(A1_1) 및 비정질 폴리아미드(A1_3) 및/또는 (A1_4)의 혼합물이고, 이 경우 바람직하게는 성분(A1_1)의 양은 성분(A1) 총 양에 대하여 40 내지 95 wt%이고 성분(A1_3) 및/또는 (A1_4)의 합의 양은 성분(A1) 총 양에 대하여 5 내지 60 wt%이다.
추가적으로 바람직한 구현예에 따르면, 상기 폴리아미드(A1)는 지환족 디아민 기재의 적어도 하나의 비정질 또는 미세결정성 폴리아미드(A1_4), 및 반결정성 지방족 폴리아미드(A1_1) 또는 반결정성 세미방향족 폴리아미드(A1_2)의 군으로부터 바람직하게는 선택되는 임의로 추가적인 폴리아미드를 포함한다.
상기 폴리아미드(A1)는, 추가적으로 바람직한 구현예에 따르면, 20 - 100 wt%, 바람직하게는 30-90 또는 35-80 wt%의 비정질 지환족 폴리아미드(A1_4) 및 0 - 80 wt%, 바람직하게는 10-70 또는 20-65 wt%의 지방족 폴리아미드(A1_1) 및/또는 반결정성 세미방향족 폴리아미드(A1_2)를 포함한다.
성분(A2)는 (A1)과 다르며, 다음으로 구성되는 군으로부터 선택될 수 있다: 폴리카보네이트, 폴리스티렌, 폴리메틸 메타크릴레이트, 아크릴로니트릴-부타디엔-스티렌 코폴리머, 아크릴로니트릴-스티렌 코폴리머, 폴리올레핀, 폴리옥시메틸렌, 폴리에스테르, 특히 폴리에틸렌 테레프탈레이트, 폴리부틸렌 테레프탈레이트, 폴리술폰, 특히 타입 PUS, PESU, PPSU, 폴리페닐렌 에테르, 폴리페닐렌 술파이드, 폴리페닐렌 옥사이드, 액체 결정성 폴리머, 폴리에테르케톤, 폴레에테르에테르케톤, 폴리이미드, 폴리아미드이미드, 폴리에스테르이미드, 폴리에테르아미드, 폴리에스테르아미드, 폴리에테르에스테르아미드, 폴리우레탄, 특히 타입 TPU, PUR, 폴리실록산 폴리아크릴레이트, 폴리메타크릴레이트 및 그러한 시스템들을 기재로 하는 혼합물 또는 코폴리머.
성분(A1_1)의 지방족 폴리아미드는 순수하게 지방족 폴리아미드이며, 이는 성분(A1_4)와 관련하여 정의된 지환족 폴리아미드를 제외함을 의미한다. 상기 성분(A1_1)의 지방족 폴리아미드는 일반적으로, 각각의 경우 6-12 탄소 원자를 가지는 포화 선형 또는 분지형 락탐 및/또는 포화 선형 또는 분지형 아미노산, 및/또는 6-18, 바람직하게는 6-12 탄소 원자를 가지는 포화 선형 또는 분지형 디카르복시산, 및 4-12 탄소 원자를 가지는 포화 선형 또는 분지형 디아민, 또는 이들 단위로부터 각각 이루어지는 코폴리아미드로 이루어진다.
상기 성분(A1_1)의 지방족 폴리아미드는 바람직하게는 다음 군으로부터 선택되는 폴리아미드이다: 폴리아미드 46, 폴리아미드 6, 폴리아미드 66, 폴리아미드 11, 폴리아미드 12, 폴리아미드 1212, 폴리아미드 1010, 폴리아미드 1012, 폴리아미드 1112, 폴리아미드 610, 폴리아미드 106, 폴리아미드 612, 폴리아미드 69, 폴리아미드 810 또는 그의 코폴리아미드, 혼합물, 블렌드 또는 합금. 상기 지방족 폴리아미드(A1)는 바람직하게는, 1.5 내지 3.0, 바람직하게는 1.6 내지 2.6, 더 구체적으로 1.7 내지 2.3의 m-크레졸 내 (0.5 wt%, 20 ℃)측정한 용액 점도 ηrel를 가진다.
또한, 상기 지방족 폴리아미드(A1_1)는 적어도 5, 더 구체적으로 적어도 7, 바람직하게는 5 내지 12, 더 바람직하게는 7 내지 12 범위의 메틸렌/아미드 비를 가지는 것이 바람직하다. 성분(A1_1)는 폴리아미드 PA610, PA106, PA1010, PA1012, PA 1212, PA11 또는 PA12로 구성되는 군으로부터 선택되는 것이 특히 바람직하다.
성분(A1_2)는 테레프탈산 기재의 폴리프탈아미드, 자일릴렌디아민 (파라- 또는 메타-) 기재의 아르지방족 폴리아미드를 포함하는, 반결정성 세미방향족 폴리아미드를 포함한다. 아르지방족 폴리아미드의 예는 MXD6-18 (MXD = 메타자일릴렌디아민)이고, MXD6 및 MXD10이 바람직하다.
90 내지 140 ℃, 바람직하게는 110 내지 140 ℃, 더 구체적으로 115 내지 135 ℃ 범위의 유리 전이 온도를 바람직하게는 가지는 폴리프탈아미드가 A1_2로서 사용하기에 바람직하다. 상기 폴리아미드(A1_2)의 융점은 225 내지 330 ℃, 바람직하게는 270 내지 325 ℃, 더 구체적으로 280 내지 320 ℃ 범위이다. 상기 성분의 반결정성 세미방향족 폴리아미드는 바람직하게는, 25 내지 80 J/g, 더 바람직하게는 30 내지 70 J/g 범위의 DSC (ISO 표준 11357-11-2)DP 의하여 측정된 용융 엔탈피를 가진다.
바람직한 세미방향족 반결정성 폴리아미드는
a) 디카르복시산 총 양을 기준으로 하여, 30 내지 100 몰%, 더 구체적으로 50 내지 100 몰%의 테레프탈산 및/또는 나프탈렌디카르복시산, 및 0 내지 70 몰%, 더 구체적으로 0 내지 50 몰%의 바람직하게는 6 내지 12 탄소 원자를 가지는 적어도 하나의 지방족 디카르복시산, 및/또는 0 내지 70 몰%, 더 구체적으로 0 내지 50 몰%의 8 내지 20 탄소 원자를 가지는 적어도 하나의 지환족 디카르복시산, 및/또는 0 내지 50 몰%의 이소프탈산;
b) 디아민 총 양을 기준으로 하여, 80 내지 100 몰%의 4 내지 18 탄소 원자, 바람직하게는 6 내지 12 탄소 원자를 가지는 적어도 하나의 지방족 디아민, 및 0 내지 20 몰%의 예를 들어 PACM, MACM, IPDA와 같은 바람직하게는 6 내지 20 탄소 원자를 가지는 적어도 하나의 지환족 디아민, 및/또는 0 내지 20 몰%의 예를 들어 MXDA 및 PXDA와 같은 적어도 하나의 아르지방족 디아민, 및
임의로
c) 각각 6 내지 12 탄소 원자를 가지는 아미노카르복시산 및/또는 락탐
으로부터 제조된다.
바람직한 일 구현예에 따르면, 상기 성분(A1_2)의 세미방향족 폴리아미드는 적어도 55 몰%, 더 구체적으로 적어도 65 몰%의 테레프탈산 및 적어도 80 몰%, 바람직하게는 적어도 90 몰%, 더 구체적으로 적어도 95 몰%의 4 내지 18 탄소 원자, 바람직하게는 6 내지 12 탄소 원자를 가지는 지방족 디아민, 및 임의로 추가적인 지방족, 지환족 및 방향족 디카르복시산 및 락탐 및/또는 아미노카르복시산을 기재로 하여 형서된다. 테레프탈산 이외의, 사용가능한 추가적인 방향족 디카르복시산은 이소프탈산 및 나프탈렌디카르복시산이다. 테레프탈산 이외에 사용가능한 적합한 지방족 및 지환족 디카르복시산은 6 내지 36 탄소 원자를 가지고, 디카르복시산 총양을 기준으로 하여 최대 70 몰%, 더 구체적으로 최대 50 몰% 분율로 사용된다.
또한, 상기한 성분 (A1_2)의 세미방향족 폴리아미드의 방향족 디카르복시산은 다음 군으로부터 선택되는 것이 바람직하다: 테레프탈산, 이소프탈산 및 이의 혼합물.
추가적인 바람직한 구현예에 따르면, 예를 들어, 테레프탈산 이외에 사용가능한 상기한 성분 (A1_2)의 세미방향족 폴리아미드의 지방족 디카르복시산은 아디프산, 수베르산, 아젤라익산, 세바스산, 운데칸디온산, 도데칸디온산, 브라실산, 테트라데칸디온산, 펜타데칸디온산, 헥사데칸디온산, 옥타데칸디온산, 및 다이머 지방산(C36)으로 구성되는 군으로부터 선택된다. 아디프산, 세바스산, 및 도데칸디온산이 특히 바람직하다. 테레프탈산 이외에 바람직하게는 사용되는 디카르복시산은 따라서: 이소프탈산, 아디프산, 세바스산, 및 도데칸디온산, 또는 이러한 디카르복시산의 혼합물이다. 디카르복시산으로서 테레프탈산만을 기재로 하는 폴리아미드(A1_2)이 특히 바람직하다.
추가적인 바람직한 구현예에 따르면, 상기한 성분 (A1_2)의 세미방향족 폴리아미드의 지방족 디아민은 1,4-부탄디아민, 1,5-펜탄디아민, 1,6-헥산디아민, 1,7-헵탄디아민, 1,8-옥탄디아민, 1,9-노난디아민, 메틸-1,8-옥탄디아민, 1,10-데칸디아민, 1,11-운데칸디아민, 1,12-도데칸디아민, 또는 이러한 디아민들의 혼합물로 구성되는 군으로부터 선택되고, 1,6-헥산디아민, 1,10-데칸디아민, 1,12-도데칸디아민 또는 이러한 디아민들의 혼합물이 바람직하고, 1,6-헥산디아민 및 1,10-데칸디아민이 특히 바람직하다. 상기 지방족 디아민 외에, 지환족 및/또는 아르지방족 디아민을 디아민 총 양을 기준으로 하여 0 내지 20 몰%의 농도로 사용하는 것이 가능하다. 특히 바람직하게는, 고-융점 폴리아미드는 다음 성분들로부터 형성된다:
a) (A1_2a): 디카르복시산: 존재하는 디카르복시산 총 양을 기준으로 하여, 50 - 100 몰%의 방향족 테레프탈산 및/또는 나프탈렌디카르복시산, 0 - 50 몰%의 바람직하게는 6 내지 12 탄소 원자를 가지는 지방족 디카르복시산, 및/또는 바람직하게는 8 내지 20 탄소 원자를 가지는 지환족 디카르복시산, 및/또는 이소프탈산;
b) (A1_2b): 디아민: 존재하는 디아민 총 양을 기준으로 하여, 80 - 100 몰%의 4 내지 18 탄소 원자, 바람직하게는 6 내지 12 탄소 원자를 가지는 적어도 하나의 지방족 디아민, 0 - 20 몰%의 예를 들어 PACM, MACM, IPDA와 같은 바람직하게는 6 내지 20 탄소 원자를 가지는 지환족 디아민, 및/또는 예를 들어 MXDA 및 PXDA와 같은 아르지방족 디아민 - 상기 고-융점 폴리아미드 내 디카르복시산의 백분율 몰 양은 100%가 되고 디아민의 백분율 몰 양은 100%가 됨, 및
임의로
c) (A1-2c): 바람직하게는 6 내지 12 탄소 원자를 가지는 락탐, 및/또는 바람직하게는 6 내지 12 탄소 원자를 가지는 아미노카르복시산을 포함하는, 아미노카르복시산 및/또는 락탐.
성분 (A1_2a) 및 (A1_2b)는 바람직하게는 주로 등몰로 사용되는 반면, (A1_2c)의 농도는 각각의 경우 (A1_2a) 내지 (A1_2c)의 합을 기준으로 하여 바람직하게는 20 wt% 이하, 더 바람직하게는 15 wt% 이하, 특히 12 wt% 이하이다.
성분 (A1_2a) 및 (A1_2b)가 주로 등몰로 사용되는 것 이외에, 폴리아미드 생산 동안 몰 질량을 조절하거나 모노머 손실을 보충하기 위하여 디카르복시산 (A1_2a) 또는 디아민 (A1_2b)를 사용할 수 있으며, 이는 그 전체로서 성분 (A1_2a) 또는 (A1_2b)의 농도가 우위일 수 있음을 의미한다.
적합한 지환족 디카르복시산은 cis- 및/또는 trans-시클로헥산-1,4-디카르복시산 및/또는 cis- 및/또는 trans-시클로헥산-1,3-디카르복시산 (CHDA)이다.
상기 언급한 일반적으로 사용되는 지방족 디아민은 디아민 총 양을 기준으로 하여 20 몰% 이하, 바람직하게는 15 몰% 이하, 특히 10 몰% 이하의 소량의 기타 디아민들로 대체될 수 있다. 지환족 디아민으로서, 예를 들어, 시클로헥산디아민, 1,3-비스(아미노메틸)시클로헥산(BAC), 이소포론디아민, 노르보르난디메틸아민, 4,4'-디아미노디시클로헥실메탄(PACM), 2,2-(4,4'-디아미노디시클로헥실)프로판(PACP), 및 3,3'-디메틸-4,4'-디아미노디시클로헥실메탄(MACM)을 사용할 수 있다. 언급될 수 있는 아르지방족 디아민은 m-자일릴렌디아민(MXDA) 및 p-자일릴렌디아민(PXDA)을 포함한다.
상기한 디카르복시산 및 디아민 이외에, 폴리아미드-형성 성분 (성분 (A1_2c))으로서 락탐 및/또는 아미노카르복시산을 또한 사용할 수 있다. 적합한 화합물들은 예를 들어, 카프로락탐 (CL), α,ω-아미노카프로산, α,ω-아미노노난산, α,ω-아미노운데칸산(AUA), 라우로락탐(LL), 및 α,ω-아미노도데칸산(ADA)이다. 성분 (A1_2a) 및 (A1_2b)와 함께 사용되는 아미노카르복시산 및/또는 락탐의 농도는 성분 (A1_2a) 내지 (A1_2c)의 합을 기준으로 하여 20 wt% 이하, 바람직하게는 15 wt% 이하, 더 바람직하게는 12 wt% 이하이다. 4, 6, 7, 8, 11 또는 12 C 원자를 가지는 락탐 및/또는 α,ω-아미노산이 특히 바람직하다. 이들은 락탐 피롤리딘-2-온 (4 C 원자), ε-카프로락탐 (6 C 원자), 에난톨락탐 (7 C 원자), 카프릴로락탐 (8 C 원자), 라우로락탐 (12 C 원자), 및 각각의 α,ω-아미노산 1,4-아미노부탄산, 1,6-아미노헥산산, 1,7-아미노헵탄산, 1,8-아미노옥탄산, 1,11-아미노운데칸산, 및 1,12-아미노도데칸산이다. 특히 바람직한 일 구현예에서, 성분 (A1_1)은 카프로락탐 또는 아미노카프로산을 함유하지 않는다.
몰 질량, 상대 점도 및/또는 유동성 또는 MVR을 조절하기 위하여, 모노카르복시산 또는 모노아민 형태의 사슬 전달제의 배치 및/또는 선축합물 (후축합 전)을 혼합하는 것이 가능하다.
본 발명의 폴리아미드(A1_2)의 구체적인 대표는 다음과 같다: PA 4T/4I, PA 4T/6I, PA 5T/5I, PA 6T/6, PA 6T/6I, PA 6T/6I/6, PA 6T/66, 6T/610, 6T/612, PA 6T/10T, PA 6T/10I, PA 9T, PA 10T, PA 12T, PA 10T/10I, PA10T/106, PA10T/12, PA10T/11, PA 6T/9T, PA 6T/12T, PA 6T/10T/6I, PA 6T/6I/6, PA 6T/6I/12, 및 이의 혼합물.
더 특히 바람직하게는, 상기 성분(A1_2)의 세미방향족 폴리아미드는 다음 군으로부터 선택된다: PA 6T/6I, PA 6T/10T, PA 6T/10T/6I, 및 이의 혼합물. 바람직한 폴리아미드(A1_1)는 6T 단위, 더 구체적으로 적어도 10 wt%의 6T 단위를 포함한다.
상기 세미방향족 반결정성 폴리아미드(A1_2)는 2.6 이하, 바람직하게는 2.3 이하, 더 구체적으로 2.0 이하의 용액 점도 ηrel (DIN EN IO 307에 따라 결정, m-크레졸 내 0.5 wt%, 20℃)를 가진다. 바람직한 폴리아미드(A1)는 1.45 내지 2.3, 더 구체적으로 1.5 내지 2.0 또는 1.5 내지 1.8 범위의 용액 점도 ηrel를 가진다.
본 발명의 폴리아미드(A1_2)는 선축합 및 후축합의 작업 순서를 통하여 전형적인 중축합 라인 상에서 제조될 수 있다. 상기 중축합을 위하여, 사슬 전달제가 바람직하게는 점도 조절을 위하여 사용된다. 점도는 과량의 디아민 또는 디카르복시산의 사용을 통하여 부가적으로 조정될 수 있다.
성분(A1_3): 폴리아미드(A1_3)에 대하여 코폴리아미드 6I/6T, 10I/10T, 12/6T, MXD6/MXDI가 바람직하다. 또한, 타입 MXDI, MXDI/6I, MXD6/MXDI의 시스템들이 가능하다. 50 몰% 미만의 6T 단위의 분율을 가지는 비정질 코폴리아미드 6I/6T, 10I/10T 및 12/6T이 특히 바람직하다. PA 6I/6T 및 PA 10I/10T이 특히 바람직하고, 여기서 20:80 내지 45:55의 조성 범위 T:I (T는 테레프탈산, I는 이소프탈산을 나타냄)이 바람직하다. MXD6/MXDI 코폴리아미드에 있어서, MXD6 풍부 조성, 특히 80 몰% 보다 큰, 더 바람직하게는 82 내지 95 몰% 범위의 MXD6 함량을 가지는 것들이 바람직하다. 특히 바람직하게는, 성분(A1_3)은 75:25 내지 50:50, 바람직하게는 70:30 내지 55:45, 더 구체적으로 60:40 범위의 I:T 비를 가지는 폴리아미드 PA 10I/10T로서 선택된다. PA 6I/6T 코폴리아미드와 비교하여, PA 10I/10T는 주입 방향을 가로지르는 수축을 상당히 감소시킨다 (0.3%에서 0.1%).
성분(A1_4)는 바람직하게는 6 내지 40, 특히 바람직하게는 6 내지 36 탄소 원자를 가지는, 지환족 및 임의로 부가적으로 지방족 디아민, 지방족, 지환족 또는 방향족 디카르복시산, 락탐 및/또는 아미노카르복시산을 기재로 하는 비정질 또는 미세결정질 폴리아미드이거나, 또는 그러한 호모폴리아미드 및/또는 코폴리아미드들의 혼합물이다.
적합한 지환족 디아민의 예는 부가적인 치환체, 특히 알킬 치환체를 가지거나 가지지 않는, 비스(4-아미노-3-메틸시클로헥실)메탄(MACM), 비스(4-아미노-3-에틸시클로헥실)메탄(EACM), 비스(4-아미노-3,5-디메틸시클로헥실)메탄(TMDC), 이소포론디아민(IPD), 1,3-비스(아미노메틸)시클로헥산(BAC) 및/또는 비스(4-아미노시클로헥실)메탄(PACM)이다. 상기 지방족 디카르복시산은 선형 또는 분지형 배치로 2-36, 바람직하게는 6-20 탄소 원자를 가지는, 특히 바람직하게는 10, 12, 14, 16 또는 18 탄소 원자를 가지는 지방족 디카르복시산일 수 있다.
추가적으로 바람직한 구현예에 따르면, 상기 폴리아미드(A1_4)는 MACM9, MACM10, MACM12, MACM14, MACM16, MACM18, PACM12, PACM14, PACM16, PACM18, MACM12/PACM12, MACM14/PACM14, MACM16/PACM16, MACM18/PACM18, PACM9-18, MACMI/12, 6I/6T/MACMI/MACMT/12, 6I/MACMI/MACMT, 6I/PACMI/PACMT, MACMI/MACMT/12, 6I/6T/MACMI, MACMI/MACM36, 12/PACMI 또는 12/MACMT, 6I/PACMT, 6/IPDT, BACI/BACT, MACM12/BAC12, 10I/10T/BACI/BACT, 또는 그러한 폴리아미드들의 혼합물의 군으로부터 선택되는 호모폴리아미드 또는 코폴리아미드이다.
특히 바람직한 폴리아미드(A1_4)는 MACM12, MACM14, MACM18, PACM12/MACM12, MACMI/12 및 MACMI/MACMT/12이다. 특히 비정질 또는 미세결정질 호모폴리아미드 및/또는 코폴리아미드 형태의 폴리아미드(A1_4)는 바람직하게는, 1.3 내지 2.0, 특히 바람직하게는 1.40 내지 1.85의 용액 점도(ηrel) 및/또는 90 ℃ 초과, 바람직하게는 110 ℃ 초과, 특히 바람직하게는 130 ℃ 초과의 유리 전이 온도 Tg를 가진다. 나아가, 폴리아미드(A1_4)는 4-40 J/g, 더 구체적으로 4-25 J/g 범위의 용융 엔탈피를 가지는 것이 바람직하다.
특히 바람직한 일 구현예에서, 상기 폴리아미드(A1_4)는 MACM12-18 및/또는 MACMI/12 및/또는 MACMI/MACMT/12를 포함한다.
성분(A1_4)는 90 내지 180 ℃, 바람직하게는 110 내지 170 ℃, 더 구체적으로 115 내지 165 ℃ 범위의 유리 전이 온도를 바람직하게는 가지는 비정질 또는 미세결정성 폴리아미드를 포함하고, 바람직하게는
a) 디카르복시산 총 양을 기준으로 하여, 60 내지 100 몰%, 더 구체적으로 80 내지 100 몰%의 6 내지 14 또는 6 내지 12 탄소 원자를 가지는 적어도 하나의 지방족 및/또는 방향족 디카르복시산, 및 0 내지 40 몰%, 더 구체적으로 0 내지 20 몰%의 8 내지 20 탄소 원자를 가지는 적어도 하나의 지환족 디카르복시산;
b) 디아민 총 양을 기준으로 하여, 50 내지 100 몰%, 바람직하게는 70 내지 100 몰%, 더 바람직하게는 85 내지 100 몰%의 예를 들어 PACM, MACM, EACM, TMDC, BAC 및 IPDA와 같은 바람직하게는 6 내지 20 탄소 원자를 가지는 적어도 하나의 지환족 디아민, 및 0 내지 50 몰%, 바람직하게는 0 내지 30 몰%, 더 바람직하게는 0 내지 15 몰%의 4 내지 18 탄소 원자, 바람직하게는 6 내지 12 탄소 원자를 가지는 적어도 하나의 지방족 디아민, 및/또는 0 내지 100 몰%의 예를 들어 MXDA(메타-자일릴렌디아민) 및 PXDA(파라-자일릴렌디아민)와 같은 적어도 하나의 아르지방족 디아민, 및
임의로
c) 각각 6 내지 12 탄소 원자를 가지는 아미노카르복시산 및/또는 락탐
로부터 형성된다.
바람직한 일 구현예에 따르면, 상기 성분(A1_4)의 폴리아미드는 적어도 75 몰%, 더 구체적으로 적어도 80 몰%의 지환족 디아민 및 적어도 80 몰%, 바람직하게는 적어도 90 몰%, 더 구체적으로 적어도 95 몰%의 4 내지 18 탄소 원자, 바람직하게는 6 내지 12 탄소 원자를 가지는 지방족 또는 방향족 디카르복시산, 및 임의로 추가로 락탐 및/또는 아미노카르복시산을 기재로 형성된다.
특히 바람직하게는, 상기 성분(A1_4)는 다음 성분들로부터 형성된다:
(a) 디카르복시산: 존재하는 디카르복시산 총 양을 기준으로 하여, 80 내지 100 몰%의 이소프탈산, 테레프탈산, 세바스산, 도데칸디온산,
(b) 디아민: 존재하는 디아민 총 양을 기준으로 하여, 80 내지 100 몰%의 6-36 탄소 원자, 바람직하게는 12 내지 20, 더 바람직하게는 13 내지 17 탄소 원자를 가지는 적어도 하나의 지환족 디아민 - 고융점 폴리아미드 내 디카르복시산의 백분율 몰 양은 100%가 되고 디아민의 백분율 몰 양은 100%가 됨, 및
임의로
(c) 바람직하게는 6 내지 12 탄소 원자를 가지는 락탐, 및/또는 바람직하게는 6 내지 12 탄소 원자를 가지는 아미노카르복시산을 포함하는 아미노카르복시산 및/또는 락탐.
성분 (a) 및 (b)는 바람직하게는 주로 등몰로 사용되는 반면, (c)의 농도는 각각의 경우 (a) 내지 (c)의 합을 기준으로 하여 40 wt% 이하, 바람직하게는 35 wt% 이하, 더 구체적으로 30 wt% 이하이다.
성분들이 주로 등몰로 사용되는 것 이외에, 폴리아미드 생산 동안 몰 질량을 조절하거나 모노머 손실을 보충하기 위하여 디카르복시산 또는 디아민을 사용할 수 있으며, 이는 그 전체로서 한 성분의 농도가 우위일 수 있음을 의미한다.
지환족 디아민으로서, 예를 들어, 시클로헥산디아민, 1,3-비스(아미노메틸)시클로헥산(BAC), 이소포론디아민, 노르보르난디메틸아민, 4,4'-디아미노디시클로헥실메탄(PACM), 2,2-(4,4'-디아미노디시클로헥실)프로판(PACP) 및 3,3'-디메틸-4,4'-디아미노디시클로헥실메탄(MACM), EACM, TMDC를 사용할 수 있다. 언급될 수 있는 아르지방족 디아민은 m-자일릴렌디아민(MXDA) 및 p-자일릴렌디아민(PXDA)을 포함한다.
상기한 디카르복시산 및 디아민 이외에, 폴리아미드-형성 성분으로서 락탐 및/또는 아미노카르복시산을 또한 사용할 수 있다. 적합한 화합물들은 예를 들어, 카프로락탐 (CL), α,ω-아미노카프로산, α,ω-아미노노난산, α,ω-아미노운데칸산(AUA), 라우로락탐(LL), 및 α,ω-아미노도데칸산(ADA)이다. 성분 (A1a) 및 (A1b)와 함께 사용되는 아미노카르복시산 및/또는 락탐의 농도는 성분 (A1a) 내지 (A1c)의 합을 기준으로 하여 20 wt% 이하, 바람직하게는 15 wt% 이하, 더 바람직하게는 12 wt% 이하이다. 4, 6, 7, 8, 11 또는 12 C 원자를 가지는 락탐 및/또는 α,ω-아미노산이 특히 바람직하다. 이들은 락탐 피롤리딘-2-온 (4 C 원자), ε-카프로락탐 (6 C 원자), 에난톨락탐 (7 C 원자), 카프릴로락탐 (8 C 원자), 라우로락탐 (12 C 원자), 및 각각의 α,ω-아미노산 1,4-아미노부탄산, 1,6-아미노헥산산, 1,7-아미노헵탄산, 1,8-아미노옥탄산, 1,11-아미노운데칸산, 및 1,12-아미노도데칸산이다. 특히 바람직한 일 구현예에서, 성분 (A2)은 카프로락탐 및/또는 아미노카프로산을 함유하지 않는다.
성분(A1_4)는 바람직하게는 폴리아미드 PA MACM12, PA MACMI/12, PA MACMT/MACMI/12로 구성되는 군으로부터 선택된다.
몰 질량, 상대 점도 및/또는 유동성 또는 MVR을 조절하기 위하여, 모노카르복시산 또는 모노아민 형태의 사슬 전달제와 배치 및/또는 선축합물 (후축합 전)을 혼합하는 것이 가능하다. 사슬 전달제로서 적합한 지방족, 지환족 또는 방향족 모노카르복시산 또는 모노아민은 아세트산, 프로피온산, 부티르산, 발레르산, 카프로산, 라우르산, 스테아르산, 2-에틸헥산산, 시클로헥산산, 벤조산, 3-(3,5-디tert-부틸-4-히드록시페닐)피로피온산, 3,5-디-tert-부틸-4-히드록시벤조산, 3-(3-tert-부틸-4-히드록시-5-메틸페닐)프로피온산, 2-(3,5-디-tert-부틸-4-히드록시벤질티오)아세트산, 3,3-비스(3-tert-부틸-4-히드록시페닐)부탄산, 부틸아민, 펜틸아민, 헥실아민, 2-에틸헥실아민, n-옥틸아민, n-도데실아민, n-테트라데실아민, n-헥사데실아민, 스테아릴아민, 시클로헥실아민, 3-(시클로헥실아미노)-프로필아민, 메틸시클로헥실아민, 디메틸시클로헥실아민, 벤질아민, 2-페닐에틸아민, 2,2,6,6-테트라메틸피페리딘-4-아민, 1,2,2,6,6-펜타메틸피페리딘-4-아민, 4-아미노-2,6-디-tert-부틸페놀 등이다. 상기 사슬 전달제는 개별적으로 또는 조합하여 사용될 수 있다. 사슬 전달제로서, 무수물, 이소시아네이트, 산 할라이드 또는 에스테르와 같은, 아미노기 또는 산 기와 반응할 수 있는 기타 단일작용성 화합물을 사용하는 것 또한 가능하다. 사슬 전달제가 사용되는 전형적인 양은 폴리머 kg 당 10 내지 200 mmol이다.
폴리아미드 성분(A1)를 포함하는 폴리머 혼합물에 대하여, 다음 조성이 바람직하다:
(A1_1): PA 610 또는 PA 612 또는 PA 1010 또는 PA 1012 또는 PA 1210 또는 PA1212 또는 PA 11 또는 PA 12
(A1_3): PA 6T/6I 또는 PA 10T/10I, 여기서 6I 및/또는 10I 분율은 55 내지80 (바람직하게는 60-75) 몰%임.
(A1_1): PA 66 또는 PA6 또는 1:1 내지 1:4, 더 구체적으로 1:3 내지 1:4 비의 PA 6 및 PA66의 혼합물
(A1_3): PA 6I/6T, 여기서 몰비는 65:35 내지 75:25 범위, 특히 67:33임.
(A1_1): PA 66 또는 PA 610 또는 PA 612 또는 PA 1010 또는 PA 1012 또는 PA 1210 또는 PA1212 또는 PA 11 또는 PA 12
(A1_3): PA MXD6/MXDI, 여기서 코폴리아미드 내 몰비는 70:30 to 90:10 범위, 더 구체적으로 88:12임.
여기서, 바람직하게는, 각각의 경우 성분(A1_1)의 분율은 50 내지 90 wt%, 더 구체적으로 60 내지 85 wt% 범위이고, 성분(A1_3)의 분율은 바람직하게는 10 내지 50 wt%, 더 구체적으로 15 내지 40 wt% 범위이다.
상기 폴리아미드 성분(A1_2) 및 (A1_3)을 포함하는 폴리머 혼합물에 대하여, 다음 조성이 바람직하다:
(A1_2): PA 6T/10T (5 내지 40/60 - 95 몰%)
(A1_3): PA 6I/6T 또는 PA 10I/10T, 여기서 몰비 I:T는 55:45 내지 75:25 또는, 더 구체적으로, 60:40 내지 70:30의 범위임.
(A1_2): PA 6T/10T/6I;
(A1_3): PA 6I/6T 또는 PA 10I/10T, 여기서 몰비 I:T는 55:45 내지 75:25, 더 구체적으로, 60:40 내지 70:30 범위임.
(A1_2): PA 6T/6I, 여기서 몰비는 60:40 내지 75:25의 범위임;
(A1_3): PA 6I/6T, 여기서 몰비는 65:35 내지 75:25 또는, 더 구체적으로 67:33임.
(A1_2): PA6T/10T (5 내지 40/60 - 95 몰%)
(A1_3): PA MXD6/MXDI, 여기서 상기 코폴리아미드 내 몰비는 70:30 내지 90:10 또는 더 구체적으로 88:12임.
여기서, 바람직하게는, 각각의 경우 성분(A1)를 전체로서 기준으로 하여, 각각의 경우 성분(A1_2)의 분율은 50 내지 90 wt%, 더 구체적으로 60 내지 85 wt% 범위이고, 성분(A1_3)의 분율은 바람직하게는 10 내지 50 wt%, 더 구체적으로 15 내지 40 wt% 범위이다.
성분(B) (LDS 첨가제): 성분(B)의 분율은 바람직하게는 2-8 wt%, 더 바람직하게는 2-6 wt% 범위이다.
성분(B)는 바람직하게는, 바람직하게는 레이저 방사선 형태의 전자기 방사선에 노출시, 화학적 금속화 절차에서 몰딩 표면 상에 조사된 위치에서 전도체 트랙의 생성을 위한 금속층들의 증착을 용이하게 하고 및/또는 가능케 하고 및/또는 증진시키는 금속 시드를 형성하는, UV, VIS 또는 IR 방사선에 대한 0이 아닌 흡수 계수를 가지는 LDS 첨가제이며, 상기 첨가제는 바람직하게는 가시 및 적외선 영역에서 흡수 성능을 가지고, 흡수 계수가 적어도 0.05, 바람직하게는 적어도 0.1, 더 구체적으로 적어도 0.2이고, 및/또는 복사 에너지를 상기 LDS 첨가제에 전송하는 흡수체가 제공된다.
성분(B)는 바람직하게는 50 내지 10000 나노미터, 바람직하게는 200 내지 5000 나노미터, 더 바람직하게는 300 내지 4000 나노미터 범위의 평균 입자 크기(D50), 및/또는 10 이하, 특히 5 이하의 종횡비를 가지는 LDS 첨가제이다. 입자 크기의 측정으로서 기재된 상기 D50 값은 평균 입자 크기의 측정이며, 표본의 50 부피%는 D50 값(중앙)보다 더 미세하고, 나머지 50%는 더 조립질이다.
바람직한 일 구현예에서, 성분(B)는 금속 산화물들, 더 구체적으로 다음 일반 화학식의 스피넬로서 공지된 것들로 이루어지는 군으로부터 선택되는 LDS (레이저 직접 구조화) 첨가제를 포함하고:
MX2O4
여기서,
M은 원자가 2의 금속 양이온이고, M는 바람직하게는 다음으로 구성되는 군으로부터 선택되고: 마그네슘, 구리, 코발트, 아연, 주석, 철, 망간 및 니켈, 및 이의 조합;
X는 원자가 3의 금속 양이온이고, X는 바람직하게는 다음으로 구성되는 군으로부터 선택되고: 망간, 니켈, 구리, 코발트, 주석, 티탄, 철, 알루미늄 및 크롬, 및 이의 조합;
특히 바람직하게는, 상기 LDS 첨가제는 임의로 각각의 경우 산소 결함을 가지는, 구리 철 스피넬, 구리-함유 마그네슘 알루미늄 산화물, 구리 크롬 망간 혼합 산화물, 구리 망간 철 혼합 산화물, 또는 더 구체적으로 산화구리(I), 산화구리(II), 염기성 인산구리, 수산화 인산구리, 황산구리와 같은 구리의 염 및 산화물, 및 금속 착화합물, 더 구체적으로 구리, 주석, 니켈, 코발트, 은 및 팔라듐의 킬레이트 착물, 또는 이러한 시스템들의 혼합물이고, 및/또는 더 구체적으로 다음 군으로부터 선택된다: 구리 크롬 망간 혼합 산화물, 구리 망간 철 혼합 산화물, 구리 크롬 산화물, 아연 철 산화물, 코발트 크롬 산화물, 코발트 알루미늄 산화물, 망간 알루미늄 산화물, 및 이의 혼합물 및/또는 표면-처리된 형태, 및/또는 산소 결함을 가지는 이의 형태들. 예를 들어, WO-A-2000/35259 또는 Kunststoffe 92 (2002), 11, 2-7에 기재되는 시스템들이 가능하다.
또한, 금속 산화물, 혼합 금속 산화물, 금속 수산화물 산화물, 주석 기재의 금속 황화물 산화물의 군으로부터 선택되는 LDS (레이저 직접 구조화) 첨가제가 성분(B)로서 바람직하다. 산화주석, 산화안티몬, 산화주석과 산화안티몬의 혼합물, 비스무트 네오디메이트(Bi2O3·Nd2O3), 몰리브덴산구리(CuO·xMoO3), 산화주석 및 산화인듐의 혼합물, 산화주석과 불화주석의 혼합물이 특히 바람직하다.
산화주석 및 도핑된 산화주석이 특히 바람직하며, 이 경우 도핑은 안티몬, 비스무트, 몰리브덴, 알루미늄, 티타늄, 규소, 철, 구리, 은, 팔라듐 및 코발트로 될 수 있다. 안티몬, 티타늄 또는 구리로 도핑된 산화주석이 더 특히 바람직하다. 산화주석 및 하나 이상의 추가적 금속 산화물, 특히 산화안티몬의 혼합물 또한 LDS 첨가제로서 바람직하다. 여기서 사용되는 추가적 금속 산화물은 이산화티탄, 산화안티몬(III), 산화아연, 산화주석 및/또는 이산화지르코늄과 같은, 고 굴절율의 무색 금속 산화물뿐 아니라, 특히, 예를 들어 산화크롬, 산화니켈, 산화구리, 산화코발트 및 특히 산화철(Fe2O3, Fe3O4)과 같은 유색 금속 산화물 또한 포함한다. 산화주석 및 산화안티몬(III)의 혼합물을 사용하는 것이 특히 바람직하다.
상기 도핑된 산화주석 및/또는 금속 산화물 혼합물 또는 산화주석은 바람직하게는 판상(platelet-shaped) 기판, 특히 예를 들어 합성 또는 천연 운모, 활석, 카올린, 유리판 또는 이산화규소판과 같은 층상규산염 위에 층들로서 형성된다. 금속 산화물에 대한 바람직한 기판은 특히 운모 또는 운모 플레이크이다. 기타 가능한 기판들은 예를 들어 판상 산화철, 산화알루미늄, 이산화티탄, 이산화규소, LCPs (액체 결정 폴리머), 홀로그래픽 안료 또는 코팅된 흑연판과 같은 판상 금속 산화물들을 포함한다.
나아가, 성분(C)는 바람직하게는 인산염, 축합 인산염, 포스포네이트, 포스파이트 및 구리(Cu), 주석(Sn) 및/또는 철(Fe)의 혼합 히드록사이드-포스페이트 옥소 음이온으로부터 선택되고, 더 구체적으로, 바람직하게는 구리 및/또는 주석의 무기 화합물을 기재로 하는, 금속 인산염, 염기성 금속 인산염 또는 금속 수산화물 인산염으로부터 선택되고, 더 구체적으로 인산삼주석(CAS 15578-32-3), 인산삼구리(CAS 7798-23-4), 2인산구리(CAS 10102-90-6), 수산화 인산구리(CAS 12158-74-6), 구리 주석 인산염, 및 이의 혼합물로부터 선택된다.
염기성 인산구리, 수산화 인산구리, 구리 주석 인산염, 염기성 구리 주석 인산염, 인산주석, 염기성 인산주석, 및 안티몬-도핑된 산화주석이 특히 바람직한 LDS 첨가제이고, 후자는 바람직하게는 운모와 조합되어 사용된다. 금속-도핑된 산화주석으로 코팅된 운모 표면은 몰딩 조성물 내 더 큰 색 명도를 허용하므로, 금속-도핑된 산화주석으로 표면이 코팅된 운모를 기재로 하는 LDS 첨가제가 특히 바람직하가. 안티몬-도핑된 산화주석이 특히 바람직하다.
본 발명에 따라 상업적으로 이용가능한 LDS 첨가제의 예는 다음과 같다: Merck, Stanostat CP40W로부터 Iriotec 8820, 8825, 8830 및 Minatec 230 A-IR 또는 Keeling&Walker로부터 Stanostat CP15G 또는 Stanostat CP5C.
따라서, 성분(B)는 다음 군으로부터 선택되는 LDS 첨가제일 수 있다: 도핑된 산화주석, 바람직하게는 안티몬 도핑된 산화주석; 바람직하게는 합성 또는 천연 운모, 활석, 카올린, 유리 판 또는 SiO2 판과 같은, 판상 기판, 특히 층상규산염 상에 층의 형태로, 산화주석과 금속 산화물 혼합물; 금속-도핑되거나 금속 산화물-도핑된 산화주석; 금속 산화물-코팅된 운모; 안티몬-도핑된 산화주석으로 코팅된 운모; 산화주석 및 산화안티몬 및 임의로 추가적 금속 산화물의 혼합물; 구리 크롬 산화물; 산화구리; 수산화구리; 수산화 인산구리; 인산구리; 염기성 인산구리; 구리 주석 인산염; 염기성 구리 주석 인산염; 인산주석; 염기성 인산주석; 또는 이러한 LDS 첨가제들의 혼합물.
특히 바람직한 LDS 첨가제들은 다음과 같다: 아크롬산구리, 수산화 인산구리, 및 안티몬-도핑된 산화주석, 후자는 바람직하게는 운모와 조합되어 사용된다.
바람직하게는, 성분(C)의 분율은 0.5-50 wt%, 바람직하게는 1-40 wt%, 더 바람직하게는 1-30 wt% 또는 2-25 wt% 범위이다. 여기서, 성분(C)는 바람직하게는 입상 충전제(C1) 및/또는 상용화제 또는 충격 개질제(C2) 및/또는 섬유상 충전제(C3) 및/또는 첨가제(C4)를 포함한다.
성분(C)의 입상 충전제( C1 )는 입상 충전제는 당업자에게 공지된 모든 충전제들을 포함한다. 이는 특히, 활석(규산마그네슘), 운모, 규산염, 석영, 울라스토나이트, 카올린, 실리카, 탄산마그네슘, 수산화마그네슘, 백악, 분쇄 또는 침전 탄산칼슘, 석회, 장석, 예를 들어 산화철 또는 철 망간 산화물과 같은 무기 안료, 특히 황산바륨, 산화아연, 황화아연, 리토폰 및 이산화티탄(루틸, 아나타제)과 같은 백색 안료, 영구 자성 또는 자화가능한 금속 또는 합금, 중공 구형 규산염 충전제, 산화알루미늄, 질화붕소, 탄화붕소, 질화알루미늄, 불화칼슘, 유리 비드, 중공 유리구 및 이의 혼합물로 구성되는 군으로부터 선택되는 입상 충전제를 포함한다. 상기 충전제는 또한 표면 처리된 형태일 수 있다.
(C1)은 바람직하게는 0.1 내지 40 ㎛, 바람직하게는 0.1 내지 20 ㎛, 특히 0.1 내지 10 ㎛ 범위의 평균 입자 크기(D50)를 가진다. 이러한 입상 충전제(성분 C1)는 바람직하게는 0.1 내지 40 ㎛, 바람직하게는 0.2 내지 20 ㎛, 특히 0.3 내지 10 ㎛ 범위의 평균 입자 크기(D50)를 가진다. 종횡비 L/w1 및 L/w2 모두 10 이하, 더 구체적으로 5 이하인 입상 충전제 형태가 바람직하며, 상기 종횡비는 입자의 평균 폭 w1 또는 w2에 대한 그 최대 길이 L의 비로 기재된다. 여기서, w1 및 w2는 서로 수직으로 배치되며, 길이 L에 대하여 수직인 평면 내에 위치한다.
성분(C2)로서, 개질된 폴리올레핀, 고무, EPDM, 비닐방향족 폴리머, 폴리올레핀-코-(메트)아크릴레이트 코폴리머 또는 폴리페닐렌에테르 기재의 상용화제 또는 충격 개질제가 사용된다. 성분(C2)는 바람직하게는, 폴리아미드에 효과적인 부착을 위하여 충분한 농도로, 폴리머 주쇄와 불포화디카르복시산 무수물, 불포화 디카르복시산 또는 불포화 디카르복시산 모노알킬 에스테르의 열적 또는 라디칼 반응에 의하여 도입되는 산 무수물 기를 가지는 구성 성분을 가지며, 이 목적을 위하여 다음 군으로부터 선택되는 것이 바람직하게는 사용된다: 말레산, 말레산 무수물, 말레산 모노부틸 에스테르, 푸마르산, 아코니트산 및/또는 이타콘산 무수물.
말레산 무수물로 그라프팅함으로써 작용기화되는 부타디엔과 스티렌의 코폴리머; 말레산 무수물로 그라프팅함으로써 형성되는 비극성 또는 극성 올레핀 호모폴리머 및 코폴리머; 및 산 기들 중 일부가 금속 이온으로 중화된 폴리(에텐-코(메트)아크릴산) 또는 폴리(에텐-코-1-올레핀-코(메트)아크릴산)과 같은 카르복시산-작용기화된 코폴리머가 특히 바람직하다.
섬유상 보강제(C3), 더 구체적으로 유리 섬유가 전체 몰딩 조성물을 기준으로 하여 0-30, 바람직하게는 1-20, 더 바람직하게는 2-15 wt% 범위로 사용될 수 있다.
유리 섬유(성분 C3)는 예를 들어, 단섬유 (예를 들어, 0.2 내지 20 mm 길이의 절단 유리) 또는 연속 섬유(로빙) 형태로 사용될 수 있다. 상기 유리 섬유는 상이한 단면적을 가질 수 있으며, 원형 단면 (둥근 섬유) 및 비원형 단면 (편평 섬유)을 가지는 유리 섬유가 바람직하다.
원형 단면을 가지는 유리 섬유, 즉 둥근 유리 섬유는 바람직하게는 5 내지 20 ㎛, 바람직하게는 6 내지 13 ㎛, 더 바람직하게는 6 내지 10 ㎛ 범위의 직경을 가진다. 이는 바람직하게는 유리 단섬유 형태로 사용된다 (0.2 내지 20 mm, 바람직하게는 2 내지 12 mm 길이의 절단 유리).
비원형 단면을 가지는 유리 섬유인 편평 유리 섬유의 경우, 주된 단면축 대 이에 수직으로 위치하는 2차 단면축의 비가 2.5 이상, 바람직하게는 2.5 내지 6, 특히 3 내지 5 범위인 것이 바람직하다. 이러한 소위 편평 유리 섬유는 바람직하게는 계란형, 타원형, 제한된 타원형 (코쿤 섬유), 다각형, 직사각형 또는 거의 직사각형 단면적을 가진다.
성분(C3)은 바람직하게는 다음을 구성되는 군으로부터 선택된다: E 유리 섬유 (ASTM D578-00에 따라 52 - 62% 이산화규소, 12 - 16% 산화알루미늄, 16 - 25% 산화칼슘, 0 - 10% 붕사, 0 - 5 % 산화마그네슘, 0 - 2% 알칼리 금속 산화물, 0 - 1.5% 이산화티탄 및 0 - 0.3% 산화철을 포함하고; 바람직하게는 2.58 ± 0.04 g/cm3의 밀도, 70 - 75 GPa의 인장탄성률, 3000 - 3500 MPa의 인장 강도, 및 4.5 - 4.8%의 파단 연신율을 가짐), A 유리 섬유 (63 - 72% 이산화규소, 6 - 10% 산화칼슘, 14 - 16% 산화나트륨 및 칼륨, 0 - 6% 산화알루미늄, 0 - 6% 산화붕소, 0 - 4% 산화마그네슘), C 유리 섬유 (64 - 68% 이산화규소, 11 - 15% 산화칼슘, 7 - 10% 산화나트륨 및 칼륨, 3 - 5% 산화알루미늄, 4 - 6% 산화붕소, 2 - 4% 산화마그네슘), D 유리 섬유 (72 - 75% 이산화규소, 0 - 1% 산화칼슘, 0 - 4% 산화나트륨 및 칼륨, 0.1% 산화알루미늄, 21 - 24% 산화붕소), 현무암 섬유 (다음의 대략적인 조성을 가지는 미네랄 섬유: 52% SiO2, 17% Al2O3, 9% CaO, 5% MgO, 5% Na2O, 5% 산화철, 및 추가적인 금속 산화물들), AR 유리 섬유 (55 - 75% 이산화규소, 1 - 10% 산화칼슘, 11 - 21% 산화나트륨 및 칼륨, 0 - 5% 산화알루미늄, 0 - 8% 산화붕소, 0 - 12% 이산화티탄, 1 - 18% 산화지르코늄, 0 - 5% 산화철), 및 이의 혼합물.
본 발명의 유리 섬유는 아미노실란 또는 에폭시실란 화합물계 접착 촉진제를 포함하는, 열가소성 수지, 특히 폴리아미드에 적합한 사이즈를 구비할 수 있다.
성분( C4 )의 첨가제들: 본 발명의 열가소성 폴리아미드 몰딩 조성물은 바람직하게는 다음 군으로부터 선택되는 첨가제(C2) 형태로 당업자에게 통상적인 보조제들을 추가로 포함할 수 있다: 접착 촉진제, 할로겐-함유 난연제, 할로겐-미함유 난연제, 안정화제, 숙성 저해제, 항산화제, 오존분해 방지제, 광 안정화제, UV 안정화제, UV 흡수제, UV 블록커, 특히 할로겐화구리 및 알칼리 금속 할라이드계 무기 열 안정화제, 유기 열 안정화제, 전도성 첨가제, 카본 블랙, 광 증백제, 가공 보조제, 조핵제, 결정화 촉진제, 결정화 지연제, 유동 보조제, 윤활제, 이형제, 상용화제, 가소제, 안료, 유기 안료, 윤기 염료, 마커 물질 및 이의 혼합물.
추가적인 구현예들이 종속 청구항들에 명시된다.
본 발명은, 우수한 기계적 특성, 보다 구체적으로 높은 유연성, 높은 인장 강도 및 높은 파단 연신율 및 높은 인성을 가지는 압출 성형품, 보다 구체적으로 호일 또는 다층 호일을 제조할 수 있는, 특히 레이저-직접-구조화가능한, 적합한 열가소성 폴리아미드 몰딩 조성물을 제공한다.
본 발명의 바람직한 구현예들이 도면을 참조로 하여 이하 기재되며, 이는 단지 설명을 위하여 제공되는 것일 뿐, 제한적인 것으로 해석되지 않아야 한다. 도면에서,
도 1은 레이저 구조화의 파라미터들을 보인다.
도 1은 레이저 구조화의 파라미터들을 보인다.
본 발명을 이하 구체적인 작업 실시예들(B)을 이용하여 기재하고, 종래 기술의 덜 고성능인 시스템들(VB)과 비교한다. 후술하는 작업 실시예들은 본 발명을 뒷받침하고 종래 기술에 대한 차이점을 입증하기 위한 것이며, 청구항들에 정의되는 바와 같은 본 발명의 일반적 대상의 제한을 의도하지 않는다.
실시예
B1 내지 B11 및
비교예
VB1
-
VB3
표 2a, 2b 및 3에 명시된 성분들을 스크류 직경 25 mm의 Werner und Pfleiderer로부터의 이축 압출기 내에서 명시된 가공 파라미터들로 (표 1 참조) 컴파운딩하고; 폴리아미드 펠릿을 보조제와 함께 유입 구역 내로 주입하고, 유리 섬유를 다이 앞의 사이드 피더 3 배럴을 통하여 폴리머 멜트 내로 주입한다. 컴파운딩된 제제를 압출 스트랜드 형태로 3 mm 직경을 가지는 다이로부터 테이크오프하고, 수 냉각 후 펠릿화하였다. 펠릿화 및 110℃에서 24 시간 동안 건조 후, 펠릿의 특성들을 측정하고 시편을 생산하였다.
[표 1]
실시예 및 비교예에 대한 컴파운딩, 사출 성형 및 호일 압출 조건
가공:
상기 컴파운딩된 제제들을 Arburg Allrounder 320-210-750 사출 성형기에 주입하여 구역 1 내지 4에 대한 소정의 배럴 온도 및 소정의 몰드 온도에서(표 1 참조) 시편들을 제공하였다. 비교예 VB3 및 실시예 B11에 대하여 플레이트 형태로 사출 성형에 의하여 생산된 몰딩은 2 mm 두께를 가졌다; ISO 시편의 두께는 4 mm였다.
실시예 B11에서, 각각의 시편에 대하여 호일 B7 (두께 100 ㎛)를 정확한 핏으로 절단하고, 몰드 공동의 내벽에 대하여 그 전체 면적에 걸쳐 배치하였다. 다음, 상기 호일을 표 1에 명시된 조건 하에 표 3에 명시된 몰딩 조성물을 이용하여 인-몰드 코팅하였다.
상기 호일을 실시예 B1 내지 B11 및 VB1에 대하여 단축 압출기 상에서 또는 하나(둘)의 30 mm 3-구역 스크류(들)를 가지는 Dr. Collin GmbH E 30 편평 필름 공압출 장치(예를 들어, VB2) 상에서 생산하였다. 상기 호일을 슬롯 다이/다층 다이를 이용하여 생산하였다. 호일 크기는 200 mm 또는 250 mm 폭 및 100 ㎛ 두께였다. 상기 호일을 칠 롤을 이용하여 권취하고 요구되는 길이로 절단하였다. 추가적인 생산 파라미터들은 표 1에서 볼 수 있다.
[표 2a]
실시예 B1-B7의 조성 및 특성
[표 2b]
실시예 B8-B10 및 VB1, VB2의 조성 및 특성
비교예 VB2에서, 층 A가 VB1의 5 내지 10 ㎛ 층이고 중간층 B가 PET(첨가없음)의 80 내지 90 ㎛ 층인 ABA의 층 순서를 가지는 3-층 호일을 미리 연신 및 열 경화하지 않고 레이저 구조화한 다음 무전해 금속화하였다. 호일은 압출 후 평탄하였으며, 레이저 조사 동안 뒤틀려져 매우 파형으로(corrugated) 되었다.
[표 3]
실시예 B11 및 VB3의 조성 및 특성
*) B11의 플레이트는 60 x 60 x 2 mm 크기를 가지며, 표면이 호일 B7에 의하여 형성된다 (두께 0.1 mm).
재료:
PA 6I/6T (70:30)
125℃ 유리전이온도 및 1.54의 용액 점도를 가지는, 테레프탈산, 이소프탈산 및 1,6-헥산디아민 기재의 비정질 세미방향족 폴리아미드
PA 10I/10T (60:40)
101℃ 유리전이온도 및 1.59의 용액 점도를 가지는, 1,10-데칸디아민, 이소프탈산 및 테레프탈산 기재의 비정질 세미방향족 폴리아미드
PA 1010
200℃ 융점 및 1.78 (중간 점도) 또는 2.06 (고 점도)의 용액 점도를 가지는, 1,10-데칸디아민 및 세바스산 기재의 반결정성 지방족 폴리아미드
PA 12
178℃ 융점 및 1.96의 용액 점도를 가지는, 라우로락탐 기재의 반결정성 지방족 폴리아미드
MACM12
MACM 및 DDDS 기재의 비정질 폴리아미드, Tg = 156℃, ηrel = 1.82, △Hm < 4 J/g, LT = 93%
MACMI/12
MACM, 이소프탈산 및 락탐 12 기재의 비정질 폴리아미드; Tg = 155℃, ηrel = 1.86, △Hm < 4 J/g
유리 섬유
NITTO BOSEKI, Japan으로부터의, 길이 3 mm, 주단면축 28㎛, 2차 단면축 7㎛ 및 축비 4 (비원형 단면)를 가지는, E 유리의 절단 유리 CSG3PA-820
LDS 첨가제
Shepherd Black 30C965 (The Shepherd Color Company), 아크롬산구리(CuCr2O4), 평균 입자 크기 0.6 ㎛
조핵제
Bruggolen P22, Bruggermann Chemical
PET
표준 점도 SV (디클로로아세트산) 800인 폴리에틸렌테레프탈레이트
산화알루미늄
Aerosil 90, Evonik
측정:
다음 표준에 따라 다음 시편 상에서 측정을 수행하였다.
인장 탄성률을 1 mm/분의 인장 속도로 ISO 527에 따라 측정하였고, 항복 응력, 인장 강도 및 파단 연신율을 23℃에서 50 mm/분 (비강화 버젼) 또는 5 mm/분 (강화 버젼)의 인장 속도로 ISO 527에 따라 측정하였으며, 사용된 시편은 ISO 인장 로드, 표준: ISO/CD 3167, type Al, 170 x 20/10 x 4 mm이었다.
충격 강도 및 샤르피 노치드 충격 강도를 23℃에서 ISO 시험 로드, 표준: ISO/CD 3167, type B1, 80 x 10 x 4 mm 상에서 ISO 179에 따라 측정하였다.
열적 특징들 (융점(Tm), 용융 엔탈피(△Hm), 유리 전이 온도(Tg))를 ISO 표준 11357-11-2에 의하여 펠릿 상에서 측정하였다. 시차 주사 열량측정법(DSC)을 20℃/분의 가열 속도로 수행하였다. 유리 전이 온도(Tg)에 대하여, 중간 단계 또는 변곡점에 대한 온도를 보고한다.
상대 점도(ηrel)를 20℃에서 0.5 wt% 강도 m-크레졸 용액 상에서 DIN EN ISO 307에 따라 측정하였다. 사용된 표본은 펠릿이다.
레이저 구조화:
금속화 성능을 평가하기 위하여, VB3 및 B11의 사출 몰딩(플레이트 60 x 60 x 2 mm, 또는 실시예 B11의 경우, 동일 치수 60 x 60 x 2 mm의 인-몰드 코팅된 호일 B7) 및 실시예 B1 및 B10의 60 x 60 x 0.1 mm의 치수를 가지는 호일 섹션들을 Nd:YAG 레이저를 이용하여 구조화한 후, 카퍼라이징 배스 내에서 무전해 금속화하였다. 레이저 구조화 동안, 몰딩 표면 상에서 4 x 4 mm의 32 개의 인접하는 영역들을 조사하였다. 레이저 구조화는 1064 nm의 파장에서 Trumpf TruMark Station 5000 레이저를 이용하여 수행되었다. 속도는 300 내지 7200 mm/s 범위로 변하였고, 펄스 주파수는 10 - 80 kHz 범위로 변하였고, 해치 (펄스 오버랩)는 0.03 내지 0.09 mm 범위로 변하였다 (도 1). 레이저 구조화 후, 레이저 가공 잔사를 제거하기 위하여 몰딩을 세정 작업하였다. 이러한 절차에서, 몰딩은 계면활성제 및 탈이온수를 함유하는 초음파 배스들을 연속하여 통과하였다. 세정 후, 몰딩을 55 내지 65℃에서 환원성 카퍼라이징 배스(MID Copper 100 XB Strike 및 MID Copper 100 XB Build, MacDermid) 내에서 계속하여 금속화한다. 여기서 체류 시간은 스트라이크 배스 내 20분 및 빌드 배스 내 1-3 시간이다. 레이저 조사된 영역에서 상기 MID Copper 100 XB Build 배스 내 구리 증착(구리층 두께) 속도는 평균 3 내지 5 ㎛/시간이다.
금속화
가능성:
금속화 가능성을 총 필드수에 대한 금속화된 필드의 비율로서 계산하였고, 백분율로서 보고한다. 표본 플레이트 당 상이한 파라미터들을 가지는 총 32 필드 를, 도 1에 도시되는 바와 같이, 상기한 바와 같이 레이저 구조화한 다음 금속화한다. 금속화된 필드들은 상기 절차에서 균일하고 완전하게 금속화된 필드들뿐이다.
모든 MID 기술에 있어서, 화학적 환원성 구리 증착은 주요 초기 금속화 작업으로, 전체적인 층의 품질을 결정한다. 따라서, 초기 금속층의 품질을 평가하는 것으로 전체적으로 충분하다. 완전한 MID 부품에 도달하기 위하여, 일반적으로 니켈 및 이어서 침지 금의 최종 층이 첫번째 구리층(초기 층)위에 증착될 것이다. 예를 들어 구리, 팔라듐, 주석 또는 은의 추가적인 층들과 같은 기타 금속 층들 또한 상기 초기 층에 적용될 수 있다.
평탄도:
호일을 레이저 구조화에 사용된 것과 같은 60 x 60 x 0.1 mm 또는 150 x 150 x 0.1 mm 크기의 호일 섹션들을 사용하여, 그 평탄도에 대하여 육안으로 평가하였으며, 각각의 경우 호일 제조 후, 레이저 구조화 후, 및 금속화 후 평가를 수행하였다. 호일 평탄도는 다음과 같다:
+: 호일이 평활한 표면 상에 평탄하게 놓여져 있으며, 호일 평면 내 어떠한 지점에서도 가시적인 상승 또는 함몰을 가지지 않는다; 즉, 호일은 평탄하다.
o: 호일은 평활한 표면 상에 평탄하게 놓여있지 않으며, 호일 평면 내에 호일 두께의 많은 부분을 차지하는 다수의 상승 또는 함몰을 가진다; 전체적으로 또는 레이저 처리된 영역 내에서, 호일은 파형이다.
-: 호일은 심각하게 파형이거나 분명한 3차원적 변형을 가진다.
결과의 요약
B1 내지 B10에 대하여 열거한 조성물들(표 2a 및 b)은 압출에 의하여 쉽게 가공되어 100 마이크로미터의 두께를 가지는 평활한 무결점 호일을 제공할 수 있다. ISO 표본에 따라 결정되는 기계적 특성들은 이러한 몰딩 조성물들은 파단 연신율 및 충격 강도가 높고 파단 강도가 우수함을 보여준다. 호일들은 모두 얇은 호일이 손상되지 않고 우수하게 또는 매우 우수하게 구조화 및 금속화될 수 있다. 상기 호일에 무전해 적용된 금속층은 호일 물질에 매우 우수한 접착을 가지는 것으로 또한 발견되었다. 따라서, 금속화된 호일은 여러번 롤업되어 금속층에 대한 탈착 또는 가시적 손상이 관찰됨이 없이 10 mm 이하의 직경(d)을 가지는 롤을 제공할 수 있다. 실험 B5, B7 및 B8-B10에서 호일들은 레이저 구조화 및 금속화 후에도 그들의 평탄도를 유지하는 반면, 다른 호일들, 특히 VB1 및 VB2의 호일들은 레이저 구조화 동안에서와 같이 초기에 또는 늦어도 금속화 동안 뒤틀려져 파형이 되고 그들의 평탄한 형태를 완전히 잃는다.
표 3은 전체를 통하여 LDS 첨가제를 함유하는 사출 몰딩(VB3) 및 LDS 첨가제를 얇은 표면층 100 마이크로미터 두께 내에 함유하는 호일 B7 (실시예 B11)의 인-몰드 코팅에 의하여 제조된 동일 크기의 몰딩 간의 비교를 포함한다. 인-몰드 코팅된 플라스틱으로부터 형성된 층은 LDS 첨가제를 함유하지 않는다. 상기 인-몰드 코팅된 호일은 인-몰드 코팅된 플라스틱에 매우 잘 전체 영역에 걸쳐 부착되어, 호일층이 파괴없이 탈착될 수 없게 한다. 인-몰드 코팅에 의하여 제조된 몰딩은 상당히 더 나은 기계적 특성들을 가진다. 따라서, 본 발명의 실시예 B11의 경우, 더 높은 탄성률을 가지고, 파단 강도는 35%, 파단 연신율은 40%, 충격 강도는 90%, 및 노치도 충격 강도는 VB3 보다 100% 더 높고, 몰딩 부분 상에 동등하게 우수한 금속화 가능성을 가진다. B11의 추가적인 이점은 훨씬 더 낮은 수준의 LDS 첨가제가 이러한 유형의 레이저-구조화가능한 몰딩 제조에 요구된다는 것이다. 전체적으로, 상기 몰딩에 근거하여, 훨씬 더 낮은 LDS 첨가제가 B11에 대하여 요구되고, 특히, 몰딩 부분 상에 동등하게 우수한 금속화 가능성을 달성하기 위하여 VB3에 대한 LDS 첨가제 양의 단지 1/20만이 요구된다.
Claims (22)
- 몰딩의 노출 표면을 형성하는 적어도 하나의 레이저-구조화가능한 층을 가지는 압출된 단층 또는 다층 몰딩을 비-레이저-구조화가능한 캐리어 요소의 표면에 적용하거나, 또는 비-레이저-구조화가능한 열가소성 캐리어 요소로 인-몰드-코팅하여, 이미 형성된 전도체 트랙없이, 상기 몰딩의 적어도 하나의 레이저-구조화가능한 층이 레이저-구조화가능한 부품의 표면의 적어도 일 부분을 형성하거나, 또는 상기 압출된 단층 또는 다층 몰딩이 열성형되어 부품을 형성하도록 하는,
레이저-구조화가능한 부품의 제조 방법으로서,
상기 몰딩의 레이저-구조화 가능한 층은 실질적으로 그 전체 영역에 걸쳐 하기 성분을 포함하는 열가소성 몰딩 조성물을 포함하는, 레이저-구조화가능한 부품의 제조 방법:
(A) 30 - 99.9 wt%의, 폴리아미드(A1) 또는 폴리아미드(A1) 및 다른 열가소성 수지(A2)의 혼합물을 포함하는 열가소성 수지 - 상기 폴리아미드(A1)의 분율은 (A1) 및 (A2)의 합을 기준으로 하여 70 wt% 이상임;
(B) 0.1 - 10 wt%의 LDS 첨가제;
(C) 0 - 60 wt%의, (A) 및 (B)와 다른 보조제;
상기 (A) - (C)의 합은 100 wt%임. - 제1항에 있어서,
상기 몰딩의 적어도 하나의 레이저-구조화가능한 층은 이미 형성된 전도체 트랙없이 설계되거나, 또는 상기 압출된 단층 또는 다층 몰딩은 열성형되어 이미 형성된 전도체 트랙이 없이 열성형되어 부품을 형성하는, 레이저-구조화가능한 부품의 제조 방법. - 제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 몰딩은 프로파일, 파이프, 필름 또는 호일, 바람직하게는 필름 또는 호일이고, 상기 필름 또는 호일은 10 - 1000 마이크로미터, 바람직하게는 20 - 600 마이크로미터, 또는 30 - 400 마이크로미터, 또는 40 - 300 마이크로미터 범위의 두께를 바람직하게는 가지고, 상기 필름 또는 호일은 더 바람직하게는 상기 레이저 구조화가능한 층에 의해서만 형성되거나, 또는 상기 레이저-구조화가능한 층과 다른, 그 위에 필름 또는 호일이 일면 또는 양면 상에 배치되어 표면을 형성하는 하나 이상의 캐리어 층을 가지는, 레이저-구조화가능한 부품의 제조 방법. - 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 몰딩은 각각의 경우 바람직하게는 압력 및/또는 열을 적용하여, 상기 캐리어 요소의 표면 상으로 접착되거나, 라미네이션되거나 또는 라이닝되는, 레이저-구조화가능한 부품의 제조 방법. - 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 몰딩은 상기 캐리어 요소 표면 상의 응집성 필름 형태로, 바람직하게는 슬롯 다이를 이용하여, 상기 캐리어 요소 상으로 용융 상태로부터 직접 압출되는, 레이저-구조화가능한 부품의 제조 방법. - 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 몰딩은 몰드 내에 호일로서 도입되고 상기 캐리어 요소에 의하여 인-몰드-코팅되는, 레이저-구조화가능한 부품의 제조 방법. - 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 캐리어 요소, 및/또는, 특히 상기 몰딩은 폴리아미드-함유 플라스틱, 바람직하게는 폴리아미드(A1) 및 다른 열가소성 수지(A2)의 혼합물을 포함하고, 상기 폴리아미드(A1)의 분율은 (A1) 및 (A2)의 합을 기준으로 하여 바람직하게는 50 wt% 이상, 더 바람직하게는 70 wt% 또는 80 wt%, 또는 100 %이고,
더욱 바람직하게는, 상기 폴리아미드(A1)는 다음 군으로부터 선택되는 시스템들 중 하나를 포함하고: 지방족 폴리아미드(A1_1), 세미방향족 반결정성 폴리아미드(A1_2), 세미방향족 비정질 폴리아미드(A1_3), 지환족 비정질 폴리아미드(A1_4), 또는 그러한 시스템들의 혼합물, 및
바람직하게는 성분(A1_1)의 양은, 성분들(A1_1), (A1_2), (A1_3) 및 (A1_4)의 합을 기준으로 하여, 40 내지 95 wt% 범위이고, 및/또는
성분(A1_1)은 다음으로 구성되는 군으로부터 선택되고: 폴리아미드 PA610, PA106, PA1010, PA1012, PA1212, PA11, PA12, 또는 이의 혼합물 또는 코폴리아미드; 및/또는
성분(A1_2)는 다음으로 구성되는 군으로부터 선택되고: PA 4T/4I, PA 4T/6I, PA 5T/5I, PA 6T/6, PA 6T/6I, PA 6T/6I/6, PA 6T/66, 6T/610, 6T/612, PA 6T/10T, PA 6T/10I, PA 9T, PA 10T, PA 12T, PA 10T/10I, PA10T/106, PA10T/12, PA10T/11, PA 6T/9T, PA 6T/12T, PA 6T/10T/6I, PA 6T/6I/6, PA 6T/6I/12, 및 이의 혼합물 또는 코폴리아미드; 및/또는
성분(A1_3)은 다음으로 구성되는 군으로부터 선택되고: 6I/6T, 10I/10T, 12/6T, MXD6/MXDI, 및 이의 혼합물 또는 코폴리아미드, 바람직하게는 50 몰% 미만의 6T 단위들의 분율을 가지는 6I/6T, 10I/10T 및 12/6T가 사용되고; 및/또는
성분(A1_4)는 다음으로 구성되는 군으로부터 선택되는: 폴리아미드 PA MACM12, PA MACMI/12, PA MACMT/MACMI/12, MACM9, MACM10, MACM14, MACM16, MACM18, PACM12, PACM14, PACM16, PACM18, MACM12/PACM12, MACM14/PACM14, MACM16/PACM16, MACM18/PACM18, PACM9-18, 6I/6T/MACMI/MACMT/12, 6I/MACMI/MACMT, 6I/PACMI/PACMT, 6I/6T/MACMI, MACMI/MACM36, 12/PACMI 또는 12/MACMT, 6I/PACMT, 6/IPDT, BACI/BACT, MACM12/BAC12, 10I/10T/BACI/BACT, 또는 이의 혼합물 또는 코폴리아미드;
레이저-구조화가능한 부품의 제조 방법. - 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서,
(A1)는 지환족 비정질 폴리아미드(A1_4), 또는 지방족 폴리아미드(A1_1) 및 세미방향족 반결정성 폴리아미드(A1_2), 비정질 세미방향족 폴리아미드(A1_3) 및/또는 비정질 지환족 폴리아미드(A1_4)의 혼합물이고, 바람직하게는 상기 비정질 지환족 폴리아미드(A1_4)의 분율이 20-100 wt% 범위, 특히 바람직하게는 30-90 또는 35-80 wt% 범위이고, 상기 지방족 폴리아미드(A1_1)의 분율이 0-80 wt%, 바람직하게는 10-70 또는 20-65 wt% 범위인, 레이저-구조화가능한 부품의 제조 방법. - 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 폴리아미드(A1)는 다음 군으로부터 선택되는 시스템들 중 하나를 포함하고: 지방족 폴리아미드(A1_1), 세미방향족 반결정성 폴리아미드(A1_2), 세미방향족 비정질 폴리아미드(A1_3), 지환족 비정질 폴리아미드(A1_4), 또는 그러한 시스템들의 혼합물,
상기 폴리아미드(A1_4)는
a) 디카르복시산 총 양을 기준으로 하여, 60 내지 100 몰%, 더 구체적으로 80 내지 100 몰%의 6 내지 14 또는 6 내지 12 탄소 원자를 가지는 적어도 하나의 지방족 및/또는 방향족 디카르복시산, 및 0 내지 40 몰%, 더 구체적으로 0 내지 20 몰%의 8 내지 20 탄소 원자를 가지는 적어도 하나의 지환족 디카르복시산;
b) 디아민 총 양을 기준으로 하여, 50 내지 100 몰%, 바람직하게는 70 내지 100 몰%, 더 바람직하게는 85 내지 100 몰%의, PACM, MACM, EACM, TMDC, BAC 및 IPD를 포함하는, 바람직하게는 6 내지 20 탄소 원자를 가지는 적어도 하나의 지환족 디아민, 및 0 내지 50 몰%, 바람직하게는 0 내지 30 몰%, 더 바람직하게는 0 내지 15 몰%의 4 내지 18 탄소 원자, 바람직하게는 6 내지 12 탄소 원자를 가지는 적어도 하나의 지방족 디아민, 및 임의로;
c) 각각 6 내지 12 탄소 원자를 가지는 아미노카르복시산 및/또는 락탐
를 포함하는, 레이저-구조화가능한 부품의 제조 방법. - 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 폴리아미드(A1)는
20-100 wt%, 바람직하게는 30-90 또는 35-80 wt%의 비정질 지환족 폴리아미드(A1_4) 및
0-80 wt%, 바람직하게는 10-70 또는 20-65 wt%의 지방족 폴리아미드(A1_1) 및/또는 반결정성 세미방향족 폴리아미드(A1_2)
를 포함하는, 레이저-구조화가능한 부품의 제조 방법. - 제1항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 전도체 트랙은 레이저 직접 구조화에 이은 무전해 증착에 의하여, 부품 상에서 그 다음의 작업 단계들 중 하나에 의하여 부품 상에 형성되고, 임의로, 전기 및/또는 전자 부품들이 이어서 통합되는, 레이저-구조화가능한 부품의 제조 방법. - 바람직하게는, 전자 장치, 더 구체적으로 특히 PDAs, 휴대폰, 통신 장치와 같은, 휴대용 전자 장치용 캐리어 요소, 회로 기판, 케이싱 또는 케이싱 부품, 개인용 컴퓨터, 노트북 컴퓨터, 특히 보청 장치, 센서 기술, 또는 RFID 트랜스폰더와 같은 의료 장비용 캐리어 요소, 회로기판, 케이싱 또는 케이싱 부품, 또는 특히 에어백 모듈, 다기능 스티어링 휠과 같은 자동차 섹터용 부품으로서, 전기 전도체 트랙을 가지는, 제1항 내지 제11항 중 어느 한 항에 청구되는 방법에 의하여 생산되거나 생산될 수 있는 부품.
- 실질적으로 그 전체 영역에 걸쳐
(A) 30 - 99.9 wt%의, 폴리아미드(A1) 또는 폴리아미드(A1) 및 다른 열가소성 수지(A2)의 혼합물을 포함하는 열가소성 수지 - 상기 폴리아미드(A1)의 분율은 (A1) 및 (A2)의 합을 기준으로 하여 70 wt% 이상임;
(B) 0.1 - 10 wt%의 LDS 첨가제;
(C) 0 - 60 wt%의, (A) 및 (B)와 다른 보조제;
상기 (A) - (C)의 합은 100 wt%임,
을 포함하는 열가소성 몰딩 조성물을 포함하는, 몰딩의 노출 표면을 형성하는 적어도 하나의 레이저-구조화가능한 층을 가지는,
바람직하게는, 제1항 내지 제11항 중 어느 한 항에 청구되는 방법, 및/또는 몰딩의 노출 표면을 형성하는 적어도 하나의 레이저-구조화가능한 층을 압출, 임의로 하나 이상의 추가적인 캐리어 물질층과 공압출하는 단계로 그러한 몰딩을 제조하는 방법에 사용하기 위한, 압출된 단층 또는 다층 몰딩. - 제13항에 있어서,
상기 몰딩은 프로파일, 파이프, 필름 또는 호일, 바람직하게는 필름 또는 호일이고, 상기 몰딩은 이미 형성된 전도체 트랙없이 형성되거나 이미 형성된 전도체 트랙 또는 그 전구체 구조를 가지고, 상기 필름 또는 호일은 바람직하게는 10 - 1000 마이크로미터, 바람직하게는 20 - 600 마이크로미터, 또는 30 - 400 마이크로미터, 또는 40 - 300 마이크로미터 범위의 두께를 가지고, 상기 필름 또는 호일은 더 바람직하게는 상기 적어도 레이저-구조화가능한 층에 의해서만 형성되거나, 또는 상기 레이저-구조화가능한 층과 다른, 그 위에 필름 또는 호일이 일면 또는 양면 상에 배치되어 표면을 형성하는 하나 이상의 캐리어 층을 가지고, 이 경우 바람직하게는 캐리어 층 상의 상기 레이저-구조화가능한 표면층들은 10 - 100 ㎛, 더 바람직하게는 10 - 50 ㎛ 범위의 두께를 가지는, 압출된 단층 또는 다층 몰딩. - 제13항 또는 제14항에 있어서,
상기 성분(A)의 열가소성 수지는 폴리아미드 또는 적어도 하나의 폴리아미드와 폴리아미드 혼합물이고, 바람직하게는 상기 성분(A)의 열가소성 수지는 적어도 하나의 지방족 폴리아미드를 성분(A) 총 양에 대하여 적어도 40 wt%, 바람직하게는 50-95 wt% 범위의 농도로 포함하고, 또한, 바람직하게는 성분(A)의 적어도 하나의 지방족 폴리아미드는 ≥7의 CH2/아미드 비를 가지는, 압출된 단층 또는 다층 몰딩. - 제13항 내지 제15항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 성분(A)의 열가소성 수지는 폴리아미드(A1) 및 다른 열가소성 수지(A2)의 혼합물을 포함하고, 폴리아미드(A1)의 분율은 (A1) 및 (A2)의 합을 기준으로 하여 80 wt% 이상, 또는 100%이고,
또한, 상기 폴리아미드(A1)는 다음 군으로부터 선택되는 시스템들 중 하나를 포함하고: 지방족 폴리아미드(A1_1), 세미방향족 반결정성 폴리아미드(A1_2), 세미방향족 비정질 폴리아미드(A1_3), 지환족 비정질 폴리아미드(A1_4), 또는 그러한 시스템들의 혼합물, 및
성분(A1_1)의 양은, 성분들(A1_1), (A1_2), (A1_3) 및 (A1_4)의 합을 기준으로 하여, 40 내지 95 wt% 범위이고, 및/또는
성분(A1_1)은 다음으로 구성되는 군으로부터 선택되고: 폴리아미드 PA610, PA106, PA1010, PA1012, PA1212, PA11, PA12, 또는 이의 혼합물 또는 코폴리아미드; 및/또는
성분(A1_2)는 다음으로 구성되는 군으로부터 선택되고: PA 4T/4I, PA 4T/6I, PA 5T/5I, PA 6T/6, PA 6T/6I, PA 6T/6I/6, PA 6T/66, 6T/610, 6T/612, PA 6T/10T, PA 6T/10I, PA 9T, PA 10T, PA 12T, PA 10T/10I, PA10T/106, PA10T/12, PA10T/11, PA 6T/9T, PA 6T/12T, PA 6T/10T/6I, PA 6T/6I/6, PA 6T/6I/12, 및 이의 혼합물 또는 코폴리아미드; 및/또는
성분(A1_3)은 다음으로 구성되는 군으로부터 선택되고: 6I/6T, 10I/10T, 12/6T, MXD6/MXDI, 및 이의 혼합물, 바람직하게는 50 몰% 미만의 6T 단위들의 분율을 가지는 6I/6T, 10I/10T 및 12/6T가 사용되고; 및/또는
성분(A1_4)는 다음으로 구성되는 군으로부터 선택되는: 폴리아미드 PA MACM12, PA MACMI/12, PA MACMT/MACMI/12, MACM9, MACM10, MACM14, MACM16, MACM18, PACM12, PACM14, PACM16, PACM18, MACM12/PACM12, MACM14/PACM14, MACM16/PACM16, MACM18/PACM18, PACM9-18, 6I/6T/MACMI/MACMT/12, 6I/MACMI/MACMT, 6I/PACMI/PACMT, 6I/6T/MACMI, MACMI/MACM36, 12/PACMI 또는 12/MACMT, 6I/PACMT, 6/IPDT, BACI/BACT, MACM12/BAC12, 10I/10T/BACI/BACT, 또는 이의 혼합물 또는 코폴리아미드;
압출된 단층 또는 다층 몰딩. - 제13항 내지 제16항 중 어느 한 항에 있어서,
(A1)는 지환족 비정질 폴리아미드(A1_4), 또는 지방족 폴리아미드(A1_1) 및 세미방향족 반결정성 폴리아미드(A1_2), 비정질 세미방향족 폴리아미드(A1_3) 및/또는 비정질 지환족 폴리아미드(A1_4)의 혼합물인, 압출된 단층 또는 다층 몰딩. - 제13항 내지 제17항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 폴리아미드(A1)는
20-100 wt%, 바람직하게는 30-90 또는 35-80 wt%의 비정질 지환족 폴리아미드(A1_4) 및
0-80 wt%, 바람직하게는 10-70 또는 20-65 wt%의 지방족 폴리아미드(A1_1) 및/또는 반결정성 세미방향족 폴리아미드(A1_2)
를 포함하는, 압출된 단층 또는 다층 몰딩. - 제13항 내지 제18항 중 어느 한 항에 있어서,
(A1)는 지환족 비정질 폴리아미드(A1_4), 또는 지방족 폴리아미드(A1_1) 및 세미방향족 반결정성 폴리아미드(A1_2), 비정질 세미방향족 폴리아미드(A1_3) 및/또는 비정질 지환족 폴리아미드(A1_4)의 혼합물이고, 바람직하게는 상기 비정질 지환족 폴리아미드(A1_4)의 분율이 20-100 wt% 범위, 특히 바람직하게는 30-90 또는 35-80 wt% 범위이고, 상기 지방족 폴리아미드(A1_1)의 분율이 0-80 wt%, 바람직하게는 10-70 또는 20-65 wt% 범위인, 압출된 단층 또는 다층 몰딩. - 제12항 내지 제19항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 폴리아미드(A1)는 다음 군으로부터 선택되는 시스템들 중 하나를 포함하고: 지방족 폴리아미드(A1_1), 세미방향족 반결정성 폴리아미드(A1_2), 세미방향족 비정질 폴리아미드(A1_3), 지환족 비정질 폴리아미드(A1_4), 또는 그러한 시스템들의 혼합물,
상기 폴리아미드(A1_4)는
a) 디카르복시산 총 양을 기준으로 하여, 60 내지 100 몰%, 더 구체적으로 80 내지 100 몰%의 6 내지 14 또는 6 내지 12 탄소 원자를 가지는 적어도 하나의 지방족 및/또는 방향족 디카르복시산, 및 0 내지 40 몰%, 더 구체적으로 0 내지 20 몰%의 8 내지 20 탄소 원자를 가지는 적어도 하나의 지환족 디카르복시산;
b) 디아민 총 양을 기준으로 하여, 50 내지 100 몰%, 바람직하게는 70 내지 100 몰%, 더 바람직하게는 85 내지 100 몰%의, PACM, MACM, EACM, TMDC, BAC 및 IPD를 포함하는, 바람직하게는 6 내지 20 탄소 원자를 가지는 적어도 하나의 지환족 디아민, 및 0 내지 50 몰%, 바람직하게는 0 내지 30 몰%, 더 바람직하게는 0 내지 15 몰%의 4 내지 18 탄소 원자, 바람직하게는 6 내지 12 탄소 원자를 가지는 적어도 하나의 지방족 디아민, 및 임의로;
c) 각각 6 내지 12 탄소 원자를 가지는 아미노카르복시산 및/또는 락탐
을 포함하는, 압출된 단층 또는 다층 몰딩. - 제13항 내지 제20항 중 어느 한 항에 있어서,
성분(A)의 분율은 42-99 wt%, 바람직하게는 44-98 wt% 범위이고; 및/또는
성분(B)의 분율은 0.5-8 wt%, 바람직하게는 1-6 wt% 범위이고; 및/또는
성분(C)의 분율은 0.5-50 wt%, 바람직하게는 1-40 wt% 범위인, 압출된 단층 또는 다층 몰딩. - 제13항 내지 제21항 중 어느 한 항에 있어서,
성분(B)는 적어도 하나의 LDS 첨가제를 포함하거나 다음 군으로부터 선택되는 LDS 첨가제에 의하여 전적으로 형성되고:
금속 산화물, 금속 인산염, 바람직하게는 염기성 금속 인산염 및/또는 금속 수산화물 인산염, 및/또는
성분(B)는 적어도 하나의 LDS 첨가제를 포함하거나, 구리 및/또는 주석계 무기 화합물인 LDS 첨가제에 의하여 전적으로 형성되고,
바람직하게는 성분(B)는 적어도 하나의 LDS 첨가제를 포함하거나 다음 군으로부터 선택되는 LDS 첨가제에 의하여 전적으로 형성되는:
산화주석; 금속-도핑 또는 금속 산화물-도핑 산화주석; 안티몬-도핑 산화주석; 금속 산화물-코팅 운모; 안티몬-도핑 산화주석으로 코팅된 운모; 산화주석 및 산화안티몬 및 임의로 추가적인 금속 산화물의 혼합물; 스피넬; 구리 크롬 산화물; 산화구리; 수산화구리; 수산화 인산구리; 인산구리; 염기성 인산구리; 구리 주석 인산염; 염기성 구리 주석 인산염; 인산주석; 염기성 인산주석; 바람직하게는 운모와 조합되는, 안티몬-도핑 산화주석; 또는 이의 혼합물 및 조합;
압출된 단층 또는 다층 몰딩.
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
EP13199146 | 2013-12-20 | ||
EP13199146.5 | 2013-12-20 | ||
PCT/EP2014/077910 WO2015091447A1 (de) | 2013-12-20 | 2014-12-16 | Kunststoffformmasse und deren verwendung |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20160100935A true KR20160100935A (ko) | 2016-08-24 |
KR102283356B1 KR102283356B1 (ko) | 2021-07-29 |
Family
ID=49882911
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020167014185A KR102283356B1 (ko) | 2013-12-20 | 2014-12-16 | 플라스틱 몰딩 컴파운드 및 이의 용도 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10440832B2 (ko) |
EP (1) | EP3083792B1 (ko) |
JP (1) | JP6492085B2 (ko) |
KR (1) | KR102283356B1 (ko) |
CN (1) | CN105829420B (ko) |
TW (1) | TWI660656B (ko) |
WO (1) | WO2015091447A1 (ko) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2018124611A1 (ko) * | 2016-12-26 | 2018-07-05 | 롯데첨단소재(주) | 레이저 직접 구조화용 열가소성 수지 조성물 및 이를 포함하는 성형품 |
KR20190103272A (ko) * | 2017-01-11 | 2019-09-04 | 사빅 글로벌 테크놀러지스 비.브이. | 광물 충전제 표면 상에 코팅된 금속 화합물을 갖는 코어-쉘 구조 lds 첨가제에 의한 레이저 도금 성능 및 열전도도를 갖는 조성물 |
US11623988B2 (en) | 2018-12-18 | 2023-04-11 | Lg Chem, Ltd. | Polyphenylene sulfide resin composition, method of preparing polyphenylene sulfide resin composition, and injection-molded article manufactured using polyphenylene sulfide resin composition |
Families Citing this family (24)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102014008963A1 (de) * | 2014-06-23 | 2016-01-07 | Merck Patent Gmbh | Additiv für LDS-Kunststoffe |
JP6401998B2 (ja) * | 2014-10-16 | 2018-10-10 | 三菱エンジニアリングプラスチックス株式会社 | 樹脂成形品の製造方法、メッキ層付樹脂成形品の製造方法、メッキ層付樹脂成形品 |
EP3135731B1 (de) * | 2015-08-31 | 2017-11-01 | Ems-Patent Ag | Polyamidformmasse und daraus herstellbare formkörper |
JP6749173B2 (ja) * | 2015-09-03 | 2020-09-02 | 三菱エンジニアリングプラスチックス株式会社 | レーザーダイレクトストラクチャリング用ポリエステル系樹脂組成物 |
FR3053696B1 (fr) * | 2016-07-11 | 2018-07-06 | Arkema France | Composition de polyamide semi-cristallin de haute temperature de transition vitreuse pour materiau composite, son procede de fabrication et ses utilisations |
WO2018026601A1 (en) * | 2016-08-05 | 2018-02-08 | Sabic Global Technologies B.V. | Laminates for laser-direct structuring, method for the manufacture thereof, molded articles prepared therefrom, and device comprising the molded article |
EP3281983B1 (de) * | 2016-08-12 | 2022-06-15 | Evonik Operations GmbH | Zähe polyamidformmasse |
CN106675020B (zh) * | 2016-12-05 | 2019-02-12 | 广东中塑新材料有限公司 | 激光直接成型聚酰胺6t复合材料及其制备方法 |
CN106751800B (zh) * | 2016-12-05 | 2019-02-12 | 广东中塑新材料有限公司 | 激光直接成型共聚酰胺6t复合材料及其制备方法 |
CN106675012B (zh) * | 2016-12-05 | 2019-02-12 | 广东中塑新材料有限公司 | 激光直接成型聚酰胺复合材料及其制备方法 |
KR102646677B1 (ko) * | 2016-12-14 | 2024-03-13 | 현대자동차주식회사 | 레이저 다이렉트 스트럭쳐링용 수지 조성물 |
JP7177780B2 (ja) * | 2017-10-03 | 2022-11-24 | 三菱エンジニアリングプラスチックス株式会社 | 金属樹脂複合体、樹脂組成物および金属樹脂複合体の製造方法 |
CN109659504A (zh) * | 2017-10-10 | 2019-04-19 | 中国科学院大连化学物理研究所 | Cu2PO4OH在锂离子电池正极中的应用 |
CN109659502A (zh) * | 2017-10-10 | 2019-04-19 | 中国科学院大连化学物理研究所 | Cu2PO4OH在钠离子电池正极中的应用 |
TWI660991B (zh) * | 2017-12-28 | 2019-06-01 | 邦泰複合材料股份有限公司 | 可電鍍的高比重塑料 |
CN110054895B (zh) * | 2018-01-18 | 2022-05-24 | 邦泰复合材料股份有限公司 | 可电镀的高比重塑料 |
CN112203861B (zh) * | 2018-05-25 | 2022-06-24 | 赢创运营有限公司 | 用于通过染料扩散热转印进行印刷的塑料材料 |
CN112218921A (zh) * | 2018-05-25 | 2021-01-12 | 赢创运营有限公司 | 包含聚酰胺组分和炭黑的可激光标记材料 |
US11864943B2 (en) | 2018-10-05 | 2024-01-09 | 3M Innovative Properties Company | Metal injection molding for stethoscope chestpiece |
DE102019104014A1 (de) * | 2019-02-18 | 2020-08-20 | Schreiner Group Gmbh & Co. Kg | Transponderetikett und Herstellungsverfahren für ein Transponderetikett |
CN112961484B (zh) * | 2021-05-14 | 2021-07-20 | 苏州奥美材料科技有限公司 | 一种激光刻蚀剂、激光刻蚀聚碳酸酯及其制备方法和应用 |
CN113912976B (zh) * | 2021-10-11 | 2023-04-28 | 四川大学 | 含钼敏化助剂在树脂组合物的激光活化选择性金属化工艺中的应用 |
CN114672163B (zh) * | 2022-04-12 | 2023-11-28 | 广州辰东新材料有限公司 | 一种高强度低吸水高光免喷聚酰胺复合材料及其制备方法 |
CN115725174B (zh) * | 2022-12-27 | 2024-07-12 | 无锡殷达尼龙有限公司 | 一种提高聚酰胺结晶温度的方法 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2012128219A1 (ja) * | 2011-03-18 | 2012-09-27 | ミツビシ ケミカル ヨーロッパ ゲーエムベーハー | 熱可塑性樹脂組成物、樹脂成形品、及びメッキ層付樹脂成形品の製造方法 |
Family Cites Families (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3072916A (en) * | 1960-04-25 | 1963-01-15 | Henderson Cleophus | Bandanna hat |
DE4036592A1 (de) | 1990-11-16 | 1992-05-21 | Bayer Ag | Spritzgegossene leiterplatten durch hinterspritzen von flexiblen schaltungen mit thermoplastischen materialien |
DE59914360D1 (de) | 1998-12-10 | 2007-07-12 | Lpkf Laser & Electronics Ag | Verfahren zur herstellung von leiterbahnstrukturen |
DE10132092A1 (de) | 2001-07-05 | 2003-01-23 | Lpkf Laser & Electronics Ag | Leiterbahnstrukturen und Verfahren zu ihrer Herstellung |
DE10153922A1 (de) | 2001-11-02 | 2003-05-22 | Jochen Butzek | Verfahren zur Herstellung von Leiterbahnen auf einem Träger und Schaltungsträger hergestellt nach diesem Verfahren |
DE102004003890A1 (de) * | 2004-01-27 | 2005-08-11 | Mitsubishi Polyester Film Gmbh | Mittels elektromagnetischer Strahlung ein- oder mehrschichtige, orientierte strukturierbare Folie aus thermoplastischem Polymer, Verfahren zu ihrer Herstellung und ihre Verwendung |
DE102006007397B3 (de) | 2006-02-17 | 2007-04-12 | Forschungszentrum Karlsruhe Gmbh | Verfahren zur Herstellung einer Schicht auf einem Formkörper und dessen Verwendung |
DE102006015508A1 (de) | 2006-03-31 | 2007-10-04 | Mitsubishi Polyester Film Gmbh | Orientierte, mittels elektromagnetischer Strahlung strukturierbare Folie aus thermoplastischem Polyester mit besonderer Eignung für Folien-Hinterspritzverfahren (In-mold-labeling), Verfahren zu ihrer Herstellung und ihre Verwendung |
KR20140009985A (ko) * | 2010-10-26 | 2014-01-23 | 사빅 이노베이티브 플라스틱스 아이피 비.브이. | 모든 색상 성능을 가진 레이저 직접 스트럭쳐링 물질 |
DE102011014902B3 (de) | 2011-03-23 | 2012-02-02 | Leonhard Kurz Stiftung & Co. Kg | Verfahren zur Herstellung eines Antennen-Bauelements |
EP2639262A1 (en) | 2012-03-16 | 2013-09-18 | Mitsubishi Chemical Europe GmbH | Thermoplastic composition |
EP2703435B1 (de) * | 2012-08-28 | 2014-09-24 | Ems-Patent Ag | Polyamidformmasse und deren Verwendung |
KR20150095689A (ko) * | 2012-12-19 | 2015-08-21 | 디에스엠 아이피 어셋츠 비.브이. | 열가소성 조성물 |
TW201431919A (zh) | 2013-02-08 | 2014-08-16 | Retina Polymer Technology Shanghai Co Ltd | 一種雷射敏感性添加劑及其製備方法、一種熱固性樹脂/纖維織物複合物、其預浸漬片材製造方法及其剛性電路板之製造方法、一種雷射敏感性油墨、一種撓性樹脂薄膜及其撓性電路板之製造方法。 |
US20140353543A1 (en) * | 2013-06-04 | 2014-12-04 | Sabic Global Technologies B.V. | Thermally conductive polymer compositions with laser direct structuring function |
JP6564704B2 (ja) | 2013-11-18 | 2019-08-21 | 三菱エンジニアリングプラスチックス株式会社 | 樹脂成形品の製造方法 |
-
2014
- 2014-12-16 KR KR1020167014185A patent/KR102283356B1/ko active IP Right Grant
- 2014-12-16 US US15/037,418 patent/US10440832B2/en active Active
- 2014-12-16 WO PCT/EP2014/077910 patent/WO2015091447A1/de active Application Filing
- 2014-12-16 JP JP2016541555A patent/JP6492085B2/ja active Active
- 2014-12-16 EP EP14812517.2A patent/EP3083792B1/de active Active
- 2014-12-16 CN CN201480069803.0A patent/CN105829420B/zh active Active
-
2015
- 2015-03-23 TW TW104109133A patent/TWI660656B/zh active
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2012128219A1 (ja) * | 2011-03-18 | 2012-09-27 | ミツビシ ケミカル ヨーロッパ ゲーエムベーハー | 熱可塑性樹脂組成物、樹脂成形品、及びメッキ層付樹脂成形品の製造方法 |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2018124611A1 (ko) * | 2016-12-26 | 2018-07-05 | 롯데첨단소재(주) | 레이저 직접 구조화용 열가소성 수지 조성물 및 이를 포함하는 성형품 |
US10899900B2 (en) | 2016-12-26 | 2021-01-26 | Lotte Advanced Materials Co., Ltd. | Thermoplastic resin composition for laser direct structuring, and molded article comprising same |
KR20190103272A (ko) * | 2017-01-11 | 2019-09-04 | 사빅 글로벌 테크놀러지스 비.브이. | 광물 충전제 표면 상에 코팅된 금속 화합물을 갖는 코어-쉘 구조 lds 첨가제에 의한 레이저 도금 성능 및 열전도도를 갖는 조성물 |
US11623988B2 (en) | 2018-12-18 | 2023-04-11 | Lg Chem, Ltd. | Polyphenylene sulfide resin composition, method of preparing polyphenylene sulfide resin composition, and injection-molded article manufactured using polyphenylene sulfide resin composition |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP3083792A1 (de) | 2016-10-26 |
JP6492085B2 (ja) | 2019-03-27 |
TW201625091A (zh) | 2016-07-01 |
TWI660656B (zh) | 2019-05-21 |
US10440832B2 (en) | 2019-10-08 |
KR102283356B1 (ko) | 2021-07-29 |
CN105829420A (zh) | 2016-08-03 |
CN105829420B (zh) | 2022-02-15 |
US20160295705A1 (en) | 2016-10-06 |
WO2015091447A1 (de) | 2015-06-25 |
EP3083792B1 (de) | 2019-01-30 |
JP2017503686A (ja) | 2017-02-02 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR102283356B1 (ko) | 플라스틱 몰딩 컴파운드 및 이의 용도 | |
JP6510806B2 (ja) | プラスチック成形組成物及びその使用 | |
TWI500697B (zh) | 聚醯胺成型組成物及其用途 | |
KR102198628B1 (ko) | 폴리아미드 몰딩 컴파운드 및 그의 용도 | |
TWI540178B (zh) | 塑膠模製組成物及其用途 | |
KR20160041813A (ko) | 유동성 폴리아미드 | |
EP3601179A1 (en) | Fiber reinforced polymer composition | |
WO2018228999A1 (en) | Process for plastic overmolding on a metal surface and plastic-metal hybride part |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E90F | Notification of reason for final refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant |