KR20160096078A - 터치 센서용 부재의 제조 방법 및 터치 센서용 부재 - Google Patents

터치 센서용 부재의 제조 방법 및 터치 센서용 부재 Download PDF

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도레이 카부시키가이샤
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Abstract

본 발명은 ITO의 대체로서 기능하고, 검출 전극의 가시성의 발생이나 광 반사라는 문제를 수반하는 일이 없으며, 또한 도전 배선과의 사이의 단선이나 도통 불량을 억제한 미세한 패턴이 형성된 터치 센서용 부재 및 그 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다. 본 발명은 표시 영역과, 가식 영역으로 구분되는 기판에 있어서, 상기 표시 영역 위 및 상기 가식 영역 위에 감광성 도전 페이스트를 도포하여 도전 도포막을 얻는 도전 도포막 형성 공정과, 상기 표시 영역 위의 상기 도전 도포막과, 상기 가식 영역 위의 상기 도전 도포막을 일괄적으로 노광 및 현상하고, 100~250℃에서 가열 또는 제논 플래시램프의 광을 더 조사하여 도전 패턴을 얻는 도전 패턴 형성 공정을 구비하고, 상기 표시 영역 위의 상기 도전 패턴의 선폭이 2~6㎛이며, 상기 가식 영역 위의 상기 도전 패턴의 선폭이 7~100㎛인 터치 센서용 부재의 제조 방법을 제공한다.

Description

터치 센서용 부재의 제조 방법 및 터치 센서용 부재{METHOD FOR PRODUCING TOUCH SENSOR MEMBER, AND TOUCH SENSOR MEMBER}
본 발명은 터치 센서용 부재의 제조 방법과 터치 센서용 부재에 관한 것이다.
휴대전화나 휴대 정보 단말(PDA) 등의 기기에 장착되는 경우가 많은 터치 패널은 크게 나누어 액정 패널과 같은 표시 장치와, 터치 센서와 같은 위치 입력 장치로 이루어진다. 그리고 터치 센서는 주로 표시 영역에 형성된 검출 전극과, 표시 영역 주변의 가식(加飾) 영역에 배치된 도전 배선으로 구성된다. 검출 전극으로서는 표시부의 시인성을 저해하지 않도록 투명도의 높은 산화인듐주석(이하, 「ITO」)이 폭넓게 사용되어 있다.
일본 특허공개 2013-924호 공보
그러나, ITO의 원료가 되는 인듐은 고가인 희토류 금속이며, 그 공급은 불안정하다. 또한, 도전성이 비교적 낮은 점에서 전자 흑판 등에 장착되는 대형의 터치 패널의 검출 전극으로서 사용하기 위해서는 도전성이 지나치게 낮다는 문제도 안는 것이었다. 이러한 사정으로부터 ITO의 대체 물질의 탐색이 진행되어 있고, 예를 들면 귀금속을 사용한 재료(특허문헌 1) 등이 개발되어 있지만, 이것을 터치 패널에 적용했을 경우에는 귀금속 특유의 광 반사나, 그에 수반하여 검출 전극의 가시성을 발생시켜 표시부의 시인성이 저하되어버린다.
또한, 터치 센서의 표시 영역에 형성된 ITO와, 그 주변의 가식 영역에 배치된 도전 배선은 ITO와 도전 배선에서 사용되는 재료 간의 밀착 불량이나, ITO의 패턴 형성 공정과 가식 영역에 배치된 도전 배선을 형성하는 공정 사이에 가열 공정이나 다른 재료의 적층 공정 등이라는 여러 가지 공정이 포함됨으로써 열 수축에 의한 위치 어긋남, 표면의 약액 잔사, 물리 자극을 기인으로 하여 접속성이 나빠져 단선이나 도통 불량 등의 문제가 빈발하는 것도 문제시되어 있었다. 이 때문에 완전히 신규인 ITO의 대체 기술이 요망되어 있는 것이 현상황이었다.
그래서, 본 발명은 ITO의 대체로서 기능하고, 표시 영역의 검출 전극의 가시성의 발생이나 광 반사라는 문제를 수반하는 일 없으며, 또한 가식 영역의 도전 배선(도전 패턴) 간의 단선이나 도통 불량을 억제하고, 접속성이 우수한 표시 영역의 검출 전극(미세한 도전 패턴)이 형성된 터치 센서용 부재 및 그 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기 과제를 해결하기 위해서 본 발명은 이하의 (1)~(7)에 기재한 터치 센서용 부제의 제조 방법 및 터치 센서용 부재를 제공한다.
(1) 표시 영역과, 가식 영역으로 구분되는 기판에 있어서, 상기 표시 영역 위 및 상기 가식 영역 위에 감광성 도전 페이스트를 도포하여 도전 도포막을 얻는 도전 도포막 형성 공정과, 상기 표시 영역 위의 상기 도전 도포막과, 상기 가식 영역 위의 상기 도전 도포막을 일괄적으로 노광 및 현상하고, 100~250℃에서 가열 또는 제논 플래시램프의 광을 더 조사하여 도전 패턴을 얻는 도전 패턴 형성 공정을 구비하고, 상기 표시 영역 위의 상기 도전 패턴의 선폭이 2~6㎛이며, 상기 가식 영역 위의 상기 도전 패턴의 선폭이 7~100㎛인 터치 센서용 부재의 제조 방법.
(2) 표시 영역과, 가식 영역으로 구분되는 기판에 있어서, 상기 표시 영역 위에 감광성 차광 페이스트를 도포하여 차광 도포막을 얻는 차광 도포막 형성 공정과, 차광 도포막 형성 공정 후에 상기 표시 영역 위 및 상기 가식 영역 위에 감광성 도전 페이스트를 도포하여 도전 도포막을 얻는 도전 도포막 형성 공정과, 상기 표시 영역 위의 상기 차광 도포막 및 상기 도전 도포막과, 상기 가식 영역 위의 상기 도전 도포막을 일괄적으로 노광 및 현상하고, 100~250℃에서 가열 또는 제논 플래시램프의 광을 더 조사하여 차광층 및 도전 패턴을 얻는 차광층 및 도전 패턴 형성 공정을 구비하고, 상기 표시 영역 위의 상기 도전 패턴의 선폭이 2~6㎛이며, 상기 가식 영역 위의 상기 도전 패턴의 선폭이 7~100㎛인 터치 센서용 부재의 제조 방법.
(3) 상기 (1) 또는 (2)에 있어서, 상기 표시 영역 위의 상기 도전 도포막과, 상기 가식 영역 위의 상기 도전 도포막이 함유하는 유기 성분이 동일한 터치 센서용 부재의 제조 방법.
(4) 상기 (1) 내지 (3) 중 어느 하나에 있어서, 상기 표시 영역 위의 상기 도전 도포막과, 상기 가식 영역 위의 상기 도전 도포막의 조성이 동일한 터치 센서용 부재의 제조 방법.
(5) 상기 (4)에 있어서, 상기 도전 도포막 형성 공정에 있어서, 상기 표시 영역 위 및 상기 가식 영역 위에 일괄적으로 감광성 도전 페이스트를 도포하는 터치 센서용 부재의 제조 방법.
(6) 표시 영역과, 가식 영역으로 구분되는 기판과, 상기 표시 영역 위에 형성된 선폭이 2~6㎛인 도전 패턴과, 상기 가식 영역 위에 형성된 선폭이 7~100㎛인 도전 패턴을 구비하고, 상기 선폭이 2~6㎛인 도전 패턴과, 상기 선폭이 7~100㎛인 도전 패턴의 조성이 동일한 터치 센서용 부재.
(7) 상기 (6)에 있어서, 상기 표시 영역과, 상기 선폭이 2~6㎛인 도전 패턴 사이에 차광층을 갖는 터치 센서용 부재.
(발명의 효과)
본 발명의 터치 센서용 부재의 제조 방법에 의하면 터치 센서의 표시 영역 위에 ITO의 대체로서 기능하며, 또한 표시 영역의 검출 전극의 가시성의 발생이나 광 반사라는 문제를 수반하는 일이 없는 미세한 도전 패턴을 형성할 수 있고, 또한 상기 도전 패턴의 형성과 동시에 단선이나 도통 불량을 억제하고, 접속성이 매우 양호한 도전 배선을 가식 영역 위에 일괄적으로 형성할 수 있다. 또한, 일괄적으로 형성함으로써 생산성의 향상에 공헌할 수 있다.
본 발명의 제 1 실시형태에 있어서의 터치 센서용 부재의 제조 방법은 표시 영역과, 가식 영역으로 구분되는 기판에 있어서, 상기 표시 영역 위 및 상기 가식 영역 위에 감광성 도전 페이스트를 도포하여 도전 도포막을 얻는 도전 도포막 형성 공정과, 상기 표시 영역 위의 상기 도전 도포막과, 상기 가식 영역 위의 상기 도전 도포막을 일괄적으로 노광 및 현상하고, 100~250℃에서 가열 또는 제논 플래시램프의 광을 더 조사하여 도전 패턴을 얻는 도전 패턴 형성 공정을 구비하고, 상기 표시 영역 위의 상기 도전 패턴의 선폭이 2~6㎛이며, 상기 가식 영역 위의 상기 도전 패턴의 선폭이 7~100㎛인 것을 특징으로 한다.
본 발명이 구비하는 도전 도포막 형성 공정에 있어서, 감광성 도전 페이스트를 도포하는 기판으로서는, 예를 들면 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름(이하, 「PET 필름」), 폴리이미드 필름, 폴리에스테르 필름 또는 아라미드 필름 등의 필름, 에폭시 수지 기판, 폴리에테르이미드 수지 기판, 폴리에테르케톤 수지 기판, 폴리술폰계 수지 기판, 알칼리 유리 기판, 무알칼리 유리 기판 또는 유리·에폭시 수지 복합 기판의 유리판, 실리콘 웨이퍼, 알루미나 기판, 질화알루미늄 기판 또는 탄화규소 기판을 들 수 있지만, 필름 또는 유리판이 바람직하다. 또한, 이들 기판의 표면은 절연층 또는 패턴 또는 가식층으로 피복되어 있어도 상관없다. 유리 기판의 유리로서는 강화 처리를 실시한 강화 유리가 바람직하다. 여기에서 강화 유리로서는, 예를 들면 유리 표면층의 분자를 이온 교환하여 유리 표면에 큰 분자를 형성하고, 유리 표면층에 압축 응력을 형성한 화학 강화 유리 또는 유리를 잔류 응력이 남는 온도까지 가열 후, 급랭함으로써 유리 표면층에 압축 응력을 형성한 물리강화 유리를 들 수 있다.
기판은 연속한 장척의 기판이어도 상관없다. 장척의 기판인 경우, 예를 들면 릴·투·릴 또는 롤·투·롤법을 사용하여 패턴을 제조할 수 있다. 롤·투·롤법 등의 방식을 사용했을 경우, 조사광을 중앙으로 하여 그 앞면 및 배면에 기판을 병렬시키면 한번에 복수의 라인을 얻을 수 있어 효율적이다.
기판의 가식 영역이란 터치 센서에 있어서의 액자 부분에 상당하는 영역을 말한다. 기판의 가식 영역에는 백 또는 흑 등의 수지로 이루어지는 가식층이 형성되어 있어도 상관없고, 가식층의 표면은 몰리브덴 등의 금속 박막으로 더 피복되어 있어도 상관없다. 또한, 기판의 표시 영역 및/또는 가식 영역에는 투명 수지 등으로 이루어지는 절연층이 형성되어 있어도 상관없다. 가식 영역에 가식층이 형성되어 있을 경우, 가식 영역과 표시 영역의 경계의 단차를 발생시키기 때문에 절연층을 가식 영역과 표시 영역에 일괄적으로 형성하면 최상면이 균일해져 단차에 의한 도전 패턴의 단선을 억제할 수 있으므로 바람직하다.
감광성 도전 페이스트를 기판 위에 도포하여 도전 도포막을 얻는 방법으로서는 페이스트의 점도에 의해 선택할 수 있다. 예를 들면, 스피너를 사용한 회전 도포, 스프레이 도포, 롤 코팅, 스크린 인쇄, 오프셋, 그라비아 인쇄, 활판 인쇄 또는 플렉서 인쇄 또는 브레이드 코터, 다이 코터, 캘린더 코터, 메니스커스 코터 또는 바 코터를 사용하는 방법을 들 수 있다. 그 중에서도 얻어지는 도전 도포막의 표면의 평활성이 양호하며, 스크린 인쇄판의 선택에 의한 막두께 조정이 용이한 점에서 스크린 인쇄가 바람직하다.
기판에 도포되는 감광성 도전 페이스트란 도전성 입자 및 유기 성분인 감광성 유기 화합물, 용제를 함유하는 조성물을 말한다. 감광성 도전 페이스트 중의 전 고형분에 차지하는 도전성 입자의 비율은 60~95질량%인 것이 바람직하고, 80~90질량%인 것이 보다 바람직하다. 상기 비율이 60질량% 이상이면 도전성 입자끼리의 접촉 확률이 향상되고, 얻어지는 도전 패턴의 비저항값 및 단선 확률이 낮아진다. 여기에서, 단선 확률이 낮아지는 것은 도전 패턴 중의 도전성 입자가 유기 성분이나 기포 등에 의해 막힌 미소한 결함의 발생률이 낮아지기 때문이다. 한편, 상기 비율이 95질량% 이하이면 노광을 위한 광이 도전 도포막 중을 스무드하게 투과하기 때문에 미세한 패턴 형성이 용이해진다. 여기에서 전 고형분이란, 용제를 제외한 감광성 도전 페이스트 또는 감광성 차광 페이스트의 전 구성 성분을 말한다.
감광성 도전 페이스트가 함유하는 도전성 입자란, 예를 들면 은(Ag), 금(Au), 구리(Cu), 백금(Pt), 납(Pb), 주석(Sn), 니켈(Ni), 알루미늄(Al), 텅스텐(W), 몰리브덴(Mo), 크롬(Cr), 티타늄(Ti) 또는 인듐(In) 등의 금속 또는 이들 금속의 합금 또는 산화루테늄 등의 금속의 산화물의 입자를 들 수 있지만, 도전성의 관점으로부터 Ag, Cu 또는 Au의 입자가 바람직하고, 저비용 및 안정성의 관점으로부터 Ag의 입자가 보다 바람직하다.
도전성 입자로서 Ag의 입자를 사용하면 도전 패턴을 형성한 후, Ag에 의한 광 반사가 발생하기 쉽기 때문에 도전 패턴에는 Ag의 입자와 함께 유기 성분을 함유하면 바람직하다. 유기 성분에 의해 Ag의 직접적인 광 반사를 억제할 수 있다.
도전성 입자는 2층 이상의 층구조를 갖고 있어도 상관없다. Cu를 코어로 하고, 표면에 Ag를 셸로 하는 구조이어도 상관없다. 또한, 표면에 여러 가지 유기 성분을 포함하고 있어도 상관없다. 표면의 유기 성분은 소입자지름의 도전성 입자의 분산성의 유지나 도전 조제로서 기능하기 때문에 효과적으로 이용할 수 있다. 유기질 성분으로서는, 예를 들면 지방산, 아민, 티올계의 유기 화합물 또는 탄소를 들 수 있다.
감광성 도전 페이스트가 함유하는 감광성 유기 화합물이란 불포화 2중 결합을 갖는 모노머, 올리고머 또는 폴리머를 말한다. 불포화 2중 결합을 갖는 모노머로서는, 예를 들면 아크릴계 모노머를 들 수 있다. 아크릴계 모노머로서는, 예를 들면 메틸아크릴레이트, 아크릴산, 아크릴산 2-에틸헥실, 메타크릴산 에틸, n-부틸아크릴레이트, iso-부틸아크릴레이트, iso-프로판아크릴레이트, 글리시딜아크릴레이트, N-메톡시메틸아크릴아미드, N-에톡시메틸아크릴아미드, N-n-부톡시메틸아크릴아미드, N-이소부톡시메틸아크릴아미드, 부톡시트리에틸렌글리콜아크릴레이트, 디시클로펜타닐아크릴레이트, 디시클로펜테닐아크릴레이트, 2-히드록시에틸아크릴레이트, 이소보닐아크릴레이트, 2-히드록시프로필아크릴레이트, 이소덱실아크릴레이트, 이소옥틸아크릴레이트, 라우릴아크릴레이트, 2-메톡시에틸아크릴레이트, 메톡시에틸렌글리콜아크릴레이트, 메톡시디에틸렌글리콜아크릴레이트, 옥타플루오로펜틸아크릴레이트, 페녹시에틸아크릴레이트, 스테아릴아크릴레이트, 트리플루오로에틸아크릴레이트, 아크릴아미드, 아미노에틸아크릴레이트, 페닐아크릴레이트, 페녹시에틸아크릴레이트, 1-나프틸아크릴레이트, 2-나프틸아크릴레이트, 티오페놀아크릴레이트 또는 벤질메르캅탄아크릴레이트 등의 아크릴계 모노머, 스티렌, p-메틸스티렌, o-메틸스티렌, m-메틸스티렌, α-메틸스티렌, 클로로메틸스티렌 또는 히드록시메틸스티렌 등의 스티렌류, γ-메타크릴옥시프로필트리메톡시실란, 1-비닐-2-피롤리돈, 알릴화 시클로헥실디아크릴레이트, 1,4-부탄디올디아크릴레이트, 1,3-부틸렌글리콜디아크릴레이트, 에틸렌글리콜디아크릴레이트, 디에틸렌글리콜디아크릴레이트, 트리에틸렌글리콜디아크릴레이트, 폴리에틸렌글리콜디아크릴레이트, 디펜타에리스리톨헥사아크릴레이트, 디펜타에리스리톨모노히드록시펜타아크릴레이트, 디메틸올프로판테트라아크릴레이트, 글리세롤디아크릴레이트, 메톡시화 시클로헥실 디아크릴레이트, 네오펜틸글리콜디아크릴레이트, 프로필렌글리콜디아크릴레이트, 폴리프로필렌글리콜디아크릴레이트, 트리글리세롤디아크릴레이트, 트리메틸올프로판트리아크릴레이트, 에폭시기를 불포화산으로 개환시켜서 생성된 수산기를 갖는 에틸렌글리콜디글리시딜에테르의 아크릴산 부가물, 디에틸렌글리콜디글리시딜에테르의 아크릴산 부가물, 네오펜틸글리콜디글리시딜에테르의 아크릴산 부가물, 글리세린디글리시딜에테르의 아크릴산 부가물, 비스페놀A디글리시딜에테르의 아크릴산 부가물, 비스페놀F의 아크릴산 부가물 또는 크레졸노볼락의 아크릴산 부가물 등의 에폭시아크릴레이트모노머를 들 수 있다. 에폭시아크릴레이트 모노머로서, 예를 들면 에폭시에스테르 40EM, 70PA, 80MFA 또는 3002M(이상, 모두 KYOEISHA CHEMICAL Co., Ltd.제), CN 104 또는 CN 121(이상, 모두 Sartomer Company, Inc.제), EBECRYL 3702 또는 EBECRYL 3700 또는 EBECRYL 600(이상, 모두 DAICEL-CYTEC Co Ltd.제)을 들 수 있다. 또한, 상기 아크릴계 모노머의 아크릴기를 메타크릴기로 치환한 화합물을 들 수 있다.
불포화 2중 결합을 갖는 폴리머로서는, 예를 들면 아크릴계 공중합체를 들 수 있다. 아크릴계 공중합체란 공중합 성분에 아크릴계 모노머를 포함하는 공중합체를 말한다. 폴리머는 카르복실기를 갖는 것이 바람직하다. 카르복실기를 갖는 아크릴계 공중합체는 모노머로서 불포화 카르복실산 등의 불포화산을 사용함으로써 얻어진다. 불포화산으로서는, 예를 들면 아크릴산, 메타크릴산, 이타콘산, 크로톤 산, 말레산, 푸말산 또는 아세트산 비닐 또는 이들의 산 무수물을 들 수 있다. 사용하는 불포화산의 다소에 의해 얻어지는 아크릴계 공중합체의 산가를 조정할 수 있다.
또한, 상기 아크릴계 공중합체가 갖는 카르복실기와, 글리시딜(메타)아크릴레이트 등의 불포화 2중 결합을 갖는 화합물을 반응시킴으로써 측쇄에 반응성의 불포화 2중 결합을 갖는 알칼리 가용성의 아크릴계 공중합체가 얻어진다.
감광성 유기 화합물의 산가는 감광성 유기 화합물의 알칼리 가용성을 최적의 것으로 하기 위해서 40~250㎎KOH/g인 것이 바람직하다. 산가가 40㎎KOH/g 미만이면 가용 부분의 용해성이 저하된다. 한편, 산가가 250㎎KOH/g을 초과하면 현상 허용폭이 좁아진다. 또한, 산가는 JIS K 0070(1992)에 의거하여 측정할 수 있다.
감광성 도전 페이스트는 열경화성 화합물을 함유해도 상관없다. 열경화성 화합물이란 에폭시기를 갖는 모노머, 올리고머 또는 폴리머, 페놀 수지, 폴리이미드 전구체 또는 기폐환 폴리이미드를 말하지만, 에폭시기를 갖는 모노머, 올리고머 또는 폴리머가 바람직하다.
에폭시기를 갖는 폴리머로서는, 예를 들면 에틸렌글리콜 변성 에폭시 수지, 비스페놀A형 에폭시 수지, 브롬화에폭시 수지, 비스페놀F형 에폭시 수지, 노볼락형 에폭시 수지, 지환식 에폭시 수지, 글리시딜아민형 에폭시 수지, 글리시딜에테르형 에폭시 수지 또는 복소환식 에폭시 수지를 들 수 있다.
열경화성 화합물의 첨가량은 100질량부의 감광성 유기 화합물에 대하여 1~100질량부인 것이 바람직하고, 30~80질량부인 것이 보다 바람직하고, 10~80질량부인 것이 더욱 바람직하다. 100질량부의 감광성 유기 화합물에 대한 첨가량이 30질량부 이상이면 밀착성이 향상된다. 한편, 100질량부의 감광성 유기 화합물에 대한 첨가량이 80질량부 이하이면 도포막 상태에서의 안정성이 높은 감광성 도전 페이스트를 얻을 수 있다.
감광성 유기 화합물 및 열경화성 화합물은 가열 또는 제논 플래시램프의 광의 조사 시에 도전 도포막의 형상을 유지하기 위해서 지환식 구조를 갖는 것이 바람직하고, 시클로헥산 골격을 갖는 것이 보다 바람직하다. 여기에서 지환식 구조란 탄소 원자가 환형상으로 결합한 구조 중, 방향족환을 제외한 것을 말한다. 지환식 구조로서는, 예를 들면 시클로프로판 골격, 시클로부탄 골격, 시클로펜탄 골격, 시클로헥산 골격, 시클로부텐 골격, 시클로펜텐 골격, 시클로헥센 골격, 시클로프로핀 골격, 시클로부틴 골격, 시클로펜틴 골격, 시클로헥신 골격 또는 수소 첨가 비스페놀A 골격을 들 수 있다.
이들 골격을 갖는 감광성 유기 화합물 또는 열경화성 화합물의 합성에 사용하는 화합물로서는, 예를 들면 수소 첨가 비스페놀A, 1,1-시클로부탄디카르복실산, 1,2,3,4-시클로부탄테트라카르복실산, 4,4-디아미노-디시클로헥실메탄, 이소포론디아민, 디시클로헥실메탄 4,4'-디이소시아네이트, 트랜스-4-메틸시클로헥실 이소시아네이트, TAKENATE 600(1,3-비스(이소시아네이트메틸)시클로헥산)(Mitsui Chemicals, Inc.제), 디이소시안산 이소포론, 1,2-에폭시시클로헥산, 1-비닐-3,4-에폭시시클로헥산, RIKARESIN DME-100(1,4-시클로헥산디메탄올디글리시딜에테르)(New Japan Chemical co., ltd.제), RIKARESIN HBE-100(4,4'-이소프로필리덴디시클로헥산올과 (클로로메틸)옥실란의 폴리머)(New Japan Chemical co., ltd.제), ST-4000D(수소 첨가 비스페놀A를 주성분으로 하는 에폭시 수지; Nippon Steel Chemical Co., Ltd.제), 1,2:5,6-디에폭시시클로옥탄, 수소 첨가 비스페놀A의 PO 부가물 디아크릴레이트, 수소 첨가 비스페놀A의 EO 부가물 디메타크릴레이트, 수소 첨가 비스페놀A의 PO 부가물 디메타크릴레이트, 2-아크릴로일옥시에틸헥사히드로프탈산, 디메틸올-트리시클로데칸디아크릴레이트, 시클로헥실아크릴레이트, 시클로헥실메타크릴레이트, tert-부틸시클로헥실아크릴레이트, tert-부틸시클로헥실메타크릴레이트, 이소보닐아크릴레이트, 디시클로펜테닐아크릴레이트, 디시클로펜테닐옥시에틸아크릴레이트, 디시클로펜타닐아크릴레이트, 디시클로펜테닐옥시에틸메타크릴레이트 또는 디시클로펜타닐메타크릴레이트를 들 수 있다.
감광성 도전 페이스트는 필요에 따라 광중합 개시제를 함유하는 것이 바람직하다. 여기에서 광중합 개시제란 자외선 등의 단파장의 광을 흡수하여 분해하거나 또는 수소 인발 반응을 일으켜 라디칼을 생성시키는 화합물을 말한다. 광중합 개시제로서는, 예를 들면 1,2-옥탄디온, 1-[4-(페닐티오)-2-(O-벤조일옥심)], 2,4,6-트리메틸벤조일-디페닐-포스핀옥사이드, 비스(2,4,6-트리메틸벤조일)-페닐포스핀옥사이드, 에탄온, 1-[9-에틸-6-2(2-메틸벤조일)-9H-카르바졸-3-일]-1-(O-아세틸옥심), 벤조페논, o-벤조일벤조산 메틸, 4,4'-비스(디메틸아미노)벤조페논, 4,4'-비스(디에틸아미노)벤조페논, 4,4'-디클로로벤조페논, 4-벤조일-4'-메틸디페닐케톤, 디벤질케톤, 플루오레논, 2,2'-디에톡시아세토페논, 2,2-디메톡시-2-페닐 아세토페논, 2-히드록시-2-메틸프로피오페논, p-t-부틸디클로로아세토페논, 티오크산톤, 2-메틸티오크산톤, 2-클로로티오크산톤, 2-이소프로필티오크산톤, 디에틸티오크산톤, 벤질, 벤질디메틸케탈, 벤질-β-메톡시에틸아세탈, 벤조인, 벤조인메틸에테르, 벤조인부틸에테르, 안트라퀴논, 2-t-부틸안트라퀴논, 2-아밀안트라퀴논, β-클로로안트라퀴논, 안트론, 벤즈안트론, 디벤조스베론, 메틸렌안트론, 4-아지드벤잘아세토페논, 2,6-비스(p-아지드벤질리덴)시클로헥산온, 6-비스(p-아지드벤질리덴)-4-메틸시클로헥산온, 1-페닐-1,2-부탄디온-2-(o-메톡시카르보닐)옥심, 1-페닐-프로판디온-2-(o-에톡시카르보닐)옥심, 1-페닐-프로판디온-2-(o-벤조일)옥심, 1,3-디페닐-프로판트리온-2-(o-에톡시카르보닐)옥심, 1-페닐-3-에톡시-프로판트리온-2-(o-벤조일)옥심, 미힐러케톤, 2-메틸-[4-(메틸티오)페닐]-2-모르폴리노-1-프로판온, 나프탈렌술포닐클로라이드, 퀴놀린술포닐클로라이드, N-페닐티오아크리돈, 4,4'-아조비스이소부티로니트릴, 디페닐디술피드, 벤즈티아졸디술피드, 트리페닐포스핀, 캠퍼퀴논, 2,4-디에틸티오크산톤, 이소프로필티오크산톤, 4브롬화탄소, 트리브로모페닐술폰, 과산화벤조인, 에오신 또는 메틸렌블루 등의 광 환원성 색소와, 아스코르브산 또는 트리에탄올아민 등의 환원제의 조합을 들 수 있다.
광중합 개시제의 첨가량은 100질량부의 감광성 유기 화합물에 대하여 0.05~30질량부가 바람직하고, 5~20질량부가 보다 바람직하다. 100질량부의 감광성 유기 화합물에 대한 첨가량이 5질량부 이상이면 감광성 도전 페이스트를 노광한 부분의 경화 밀도가 높아져 현상 후의 잔막률이 높아진다. 한편, 100질량부의 감광성 유기 화합물에 대한 광중합 개시제의 첨가량이 30질량부 이하이면 감광성 도전 페이스트를 도포하여 얻어지는 도포막 상부에서의 과잉한 광 흡수가 억제된다. 그 결과, 형성된 패턴이 역 테이퍼 형상이 되는 것에 의한 기판과의 밀착성 저하가 억제된다.
감광성 도전 페이스트는 광중합 개시제와 함께 증감제를 함유해도 상관없다.
증감제로서는, 예를 들면 2,4-디에틸티오크산톤, 이소프로필티오크산톤, 2,3-비스(4-디에틸아미노벤잘)시클로펜탄온, 2,6-비스(4-디메틸아미노벤잘)시클로헥산온, 2,6-비스(4-디메틸아미노벤잘)-4-메틸시클로헥산온, 미힐러케톤, 4,4-비스(디에틸아미노)벤조페논, 4,4-비스(디메틸아미노)칼콘, 4,4-비스(디에틸아미노)칼콘, p-디메틸아미노신나밀리덴인다논, p-디메틸아미노벤질리덴인다논, 2-(p-디메틸아미노페닐비닐렌)이소나프토티아졸, 1,3-비스(4-디메틸아미노페닐비닐렌)이소나프토티아졸, 1,3-비스(4-디메틸아미노벤잘)아세톤, 1,3-카르보닐비스(4-디에틸아미노벤잘)아세톤, 3,3-카르보닐비스(7-디에틸아미노쿠마린), N-페닐-N-에틸에탄올아민, N-페닐에탄올아민, N-톨릴디에탄올아민, 디메틸아미노벤조산 이소아밀, 디에틸아미노벤조산 이소아밀, 3-페닐-5-벤조일티오테트라졸 또는 1-페닐-5-에톡시카르보닐티오테트라졸을 들 수 있다.
증감제의 첨가량은 100질량부의 감광성 유기 화합물에 대하여 0.05~10질량부가 바람직하고, 보다 바람직하게는 0.1~10질량부가 보다 바람직하다. 100질량부의 감광성 유기 화합물에 대한 첨가량이 0.1질량부 이상이면 광 감도가 충분히 향상된다. 한편, 감광성 유기 성분의 100질량부의 감광성 유기 화합물에 대한 첨가량이 10질량부 이하이면 감광성 도전 페이스트를 도포하여 얻어지는 도포막 상부에서의 과잉한 광 흡수가 억제된다. 그 결과, 형성된 패턴이 역 테이퍼 형상이 되는 것에 의한 기판과의 밀착성 저하가 억제된다.
감광성 도전 페이스트는 카르복실산 또는 그 산 무수물을 함유해도 상관없다. 카르복실산으로서는, 예를 들면 아세트산, 프로피온산, 숙신산, 말레산, 프탈산, 1,2,3,6-테트라히드로프탈산, 3,4,5,6-테트라히드로프탈산, 헥사히드로프탈산, 4-메틸헥사히드로프탈산, 메틸비시클로[2.2,1]헵탄-2,3-디카르복실산, 에틸렌글리콜비스안히드로트리멜리테이트, 글리세린비스안히드로트리멜리테이트모노아세테이트, 테트라프로페닐숙신산, 옥텐일숙신산, 3,3',4,4'-디페닐술폰테트라카르복실산, 1,3,3a,4,5,9b-헥사히드로-5(테트라히드로-2,5-디옥소-3-푸라닐)나프토[1,2-c]푸란-1,3-디온, 1,2,3,4-부탄테트라카르복실산, 시클로헥산-1,2,3,4-테트라카르복실산, BYK-P105(BYK-Chemie GmbH제), PA-111(Ajinomoto Fine-Techno Co., Ltd.제), FLOWLEN G-700 또는 FLOWLEN G-900(이상, 모두 Kyoeisha Chemical Co., Ltd.제) 또는 KD-4, KD-8, KD-9, KD-12, KD-15 또는 JP-57(이상, 모두 Croda Company제)을 들 수 있다.
산 무수물로서는, 예를 들면 무수 아세트산, 무수 프로피온산, 무수 숙신산, 무수 말레산, 무수 프탈산, 1,2,3,6-테트라히드로 무수 프탈산, 3,4,5,6-테트라히드로 무수 프탈산, 헥사히드로 무수 프탈산, 4-메틸헥사히드로 무수 프탈산, 메틸비시클로[2.2,1]헵탄-2,3-디카르복실산 무수물, 에틸렌글리콜비스안히드로트리멜리테이트, 글리세린비스안히드로트리멜리테이트모노아세테이트, 테트라프로페닐무수 숙신산, 옥텐일숙신산 무수물, 3,3',4,4'-디페닐술폰테트라카르복실산 무수물, 1,3,3a,4,5,9b-헥사히드로-5(테트라히드로-2,5-디옥소-3-푸라닐)나프토[1,2-c]푸란-1,3-디온, 1,2,3,4-부탄테트라카르복실산 2무수물 또는 시클로헥산-1,2,3,4-테트라카르복실산 3,4무수물을 들 수 있다.
카르복실산 또는 그 산 무수물의 첨가량은 100질량부의 감광성 유기 화합물에 대하여 0.5~30질량부가 바람직하고, 1~20질량부가 보다 바람직하다. 100질량부의 감광성 유기 화합물에 대한 카르복실산 또는 그 산 무수물의 첨가량이 0.5질량부 이상이면 현상액으로의 친화성이 높아져 양호한 패터닝이 가능해진다. 한편, 100질량부의 감광성 유기 화합물에 대한 카르복실산 또는 산 무수물의 첨가량이 30질량부 이하이면 현상 마진이나 고온 고습도 하에 있어서의 밀착성이 향상된다.
감광성 도전 페이스트는 그 점도를 조정하기 위해서 용제를 함유하는 것이 바람직하다. 용제는 페이스트 제작의 과정에서 최후에 첨가해도 상관없다. 용제량을 증가시킴으로써 건조 후의 도전막의 막두께를 얇게 하는 것이 가능하다. 용제로서는, 예를 들면 N,N-디메틸아세트아미드, N,N-디메틸포름아미드, N-메틸-2-피롤리돈, 디메틸이미다졸리딘온, 디메틸술폭시드, 디에틸렌글리콜모노에틸에테르, 디에틸렌글리콜모노에틸에테르아세테이트(이하, 「DMEA」), 디에틸렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, γ-부티로락톤, 락트산 에틸, 1-메톡시-2-프로판올, 1-에톡시-2-프로판올, 에틸렌글리콜모노-n-프로필 에테르, 디아세톤알코올, 테트라히드로푸르푸릴알코올 또는 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트를 들 수 있고, 그들을 2종 이상 혼합해도 상관없다.
감광성 도전 페이스트는 그 소망의 특성을 손상하지 않는 범위이면 가소제, 레벨링제, 계면활성제, 실란 커플링제, 소포제 또는 안정제 등을 함유해도 상관없다.
가소제로서는, 예를 들면 디부틸프탈레이트, 디옥틸프탈레이트, 폴리에틸렌글리콜 또는 글리세린을 들 수 있다.
레벨링제로서는, 예를 들면 특수 비닐계 중합물 또는 특수 아크릴계 중합물을 들 수 있다.
실란 커플링제로서는, 예를 들면 메틸트리메톡시실란, 디메틸디에톡시실란, 페닐트리에톡시실란, 헥사메틸디실라잔, 3-메타크릴옥시프로필트리메톡시실란, 3-글리시독시프로필트리메톡시실란 또는 비닐트리메톡시실란을 들 수 있다.
안정제로서는, 예를 들면 벤조트리아졸 유도체, 벤조페논 유도체, 살리실산 유도체, 시아노아크릴레이트 유도체, TINUVIN 109, TINUVIN 234, TINUVIN 328, TINUVIN 329, TINUVIN 384-2 또는 TINUVIN 571(이상, 모두 NAGASE & CO., LTD.제), EVERSORB 75, EVERSORB 76, EVERSORB 81, EVERSORB 109 또는 EVERSORB 234(이상, 모두 SORT CO., LTD.제), ADEKA STAB LA-38(ADEKA CORPORATION제), Sumisorb 130, Sumisorb 250, Sumisorb 340 또는 Sumisorb 350(이상, 모두 Sumika Chemtex Co., Ltd.제) 또는 1~3급의 아미노기를 갖는 화합물을 들 수 있다. 1~3급의 아미노기를 갖는 화합물로서는, 예를 들면 N-(2-아미노에틸)피페라진, 1-(2-아미노에틸)-4-메틸피페라진하이드로클로라이드, 6-아미노-1-메틸우라실, 폴리에틸렌이민, 옥타데실이소시아네이트 변성 폴리에틸렌이민 또는 프로필렌옥사이드 변성 에폴리에틸렌이민을 들 수 있다.
스크린 인쇄에 의해 도포를 할 경우의 감광성 도전 페이스트의 점도는 4,000~150,000mPa·s의 범위(브룩필드형의 점도계를 사용하여 3rpm 측정한 값)인 것이 바람직하고, 4,000~50,000mPa·s인 것이 보다 바람직하다. 점도가 4,000mPa·s 미만이면 기판 위에 도전 도포막을 형성할 수 없다. 이 경우, 스피너를 사용한 회전 도포, 스프레이 도포, 롤 코팅, 오프셋, 그라비아 인쇄 또는 다이 코터 등의 방법을 사용하는 것이 바람직하다. 한편, 점도가 150,000mPa·s를 초과하면 도전 도포막의 표면에 요철이 발생하여 노광 얼룩이 발생하기 쉽다. 또한, 감광성 도전 페이스트의 점도는 브룩필드 점도계를 사용한 3rpm 측정에 의해 측정할 수 있다.
얻어지는 도전 도포막의 막두께는 도포의 방법 또는 감광성 도전 페이스트의 전 고형분 농도 또는 점도 등에 따라 적당히 결정하면 좋지만, 건조 후의 막두께가 0.1~10㎛가 되는 것이 바람직하다. 막두께가 10㎛를 초과하면 노광을 위한 광이 도전 도포막 중을 스무드하게 투과할 수 없어 얻어지는 도전 패턴의 단선이나 박리가 생기거나 현상 마진이 좁아지거나 한다. 여기에서 말하는 단선이 발생하기 쉬움이란 도전 패턴 중의 유기 성분의 경화 부족에 의해 도전성 입자가 현상 시에 일부 결락되어 발생하는 등의 미소 하자가 발생하기 쉬워지기 때문이다.
또한, 표시 영역 위의 도전 도포막은 건조 후의 막두께가 0.1~3㎛가 되는 것이 바람직하고, 0.5~2㎛가 되는 것이 보다 바람직하다. 가식 영역 위의 도전 도포막은 건조 후의 막두께가 0.5~7㎛가 되는 것이 바람직하지만, 이것에 한정되는 것은 아니다. 표시 영역 위와 가식 영역 위에 일괄적으로 감광성 도전 페이스트를 도포하여 도전 도포막을 얻을 경우에는 가식 영역 위의 막두께는 표시 영역 위에서 적절하게 선택된 막두께에 맞추는 것이 바람직하고, 건조 후의 막두께가 0.5~2㎛가 되는 것이 바람직하다. 또한, 막두께는, 예를 들면 "SURFCOM"(등록상표) 1400(TOKYO SEIMITSU CO., LTD.제)과 같은 촉침식 단차계를 사용하여 측정할 수 있다. 보다 구체적으로는 랜덤한 3개의 위치의 막두께를 촉침식 단차계(측장: 1㎜, 주사 속도: 0.3㎜/sec)로 각각 측정하고, 그 평균값를 막두께로 할 수 있다.
도전 도포막 형성 공정에서 얻어진 도전 도포막이 용제를 함유할 경우에는 도전 도포막을 건조하여 용제를 휘발 제거해 두는 것이 바람직하다. 건조의 방법으로서는, 예를 들면 오븐 또는 핫 플레이트에 의한 가열 건조, 전자파 자외선램프, 적외선 히터 또는 할로겐 히터 등의 전자파, 또는 마이크로파에 의한 가열 건조 또는 진공 건조를 들 수 있다. 가열 온도는 50~150℃가 바람직하고, 80~110℃가 보다 바람직하다. 가열 온도가 50℃ 미만이면 용제가 잔존한다. 한편, 가열 온도가 150℃를 초과하면, 도전 도포막이 열경화되어 노광에 의한 패턴 형성이 불가능해진다. 가열 시간은 1분~수 시간이 바람직하고, 1~20분이 보다 바람직하다.
본 발명이 구비하는 도전 패턴 형성 공정에 있어서는 도전 도포막 형성 공정에서 얻어진 도전 도포막을 포토리소그래피법에 의해 가공한다. 즉, 도전 패턴 형성 공정에 있어서는 표시 영역 위의 도전 도포막과, 가식 영역 위의 도전 도포막을 일괄적으로 노광 및 현상하고, 100~250℃에서 가열 또는 제논 플래시램프의 광을 더 조사하여 도전 패턴을 형성한다. 일괄적으로 도전 패턴을 형성함으로써 단선이나 도통 불량을 억제하고, 표시 영역 위와 가식 영역 위의 도전 패턴의 도전접속성을 양호하게 할 수 있어 생산성의 향상에 공헌할 수 있다.
노광을 위한 광, 즉 노광 광은 감광성 유기 성분 또는 광중합 개시제의 흡수 스펙트럼과 합치하는 자외 영역, 즉 300~450㎚의 파장 영역에 스펙트럼을 갖는 것이 바람직하다. 그러한 노광 광을 얻기 위한 광원으로서는 수은 램프, 제논 램프, LED 램프, 반도체 레이저, KrF 엑시머 레이저 또는 ArF 엑시머 레이저를 들 수 있지만, 수은 램프의 i선(365㎚), h선(405㎚) 또는 g선(436㎚)이 바람직하다. 또한, 노광 광을 제논 플래시램프의 광으로 해도 상관없다.
노광의 방법으로서는, 예를 들면 마스크 노광 또는 레이저 직접 묘획법 등의 레이저 노광을 들 수 있다.
노광한 표시 영역 위의 도전 도포막과, 가식 영역 위의 도전 도포막을 현상액을 사용하여 일괄적으로 현상하고, 각각의 미노광부를 제거함으로써 소망의 패턴이 얻어진다. 알칼리 현상을 행할 경우의 현상액으로서는 수산화테트라메틸암모늄, 디에탄올아민, 디에틸아미노에탄올, 수산화나트륨, 수산화칼륨, 탄산나트륨, 탄산칼륨, 트리에틸아민, 디에틸아민, 메틸아민, 디메틸아민, 아세트산 디메틸아미노에틸, 디메틸아미노에탄올, 디메틸아미노에틸메타크릴레이트, 시클로헥실아민, 에틸렌디아민 또는 헥사메틸렌디아민의 수용액을 들 수 있지만, 이들 수용액에 N-메틸-2-피롤리돈, N,N-디메틸포름아미드, N,N-디메틸아세트아미드, 디메틸술폭시드 또는 γ-부티로락톤 등의 극성 용매, 메탄올, 에탄올 또는 이소프로판올 등의 알코올류, 락트산 에틸 또는 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트 등의 에스테르류, 시클로펜탄온, 시클로헥산온, 이소부틸케톤 또는 메틸이소부틸케톤 등의 케톤류 또는 계면활성제를 첨가해도 상관없다. 유기 현상을 행하는 경우의 현상액으로서는, 예를 들면 N-메틸-2-피롤리돈, N-아세틸-2-피롤리돈, N,N-디메틸아세트아미드, N,N-디메틸포름아미드, 디메틸술폭시드 또는 헥사메틸포스포르트리아미드 등의 극성 용매 또는 이들 극성 용매와, 메탄올, 에탄올, 이소프로필알코올, 크실렌, 물, 메틸카르비톨 또는 에틸카르비톨의 혼합 용액을 들 수 있다.
현상의 방법으로서는, 예를 들면 기판을 정치 또는 회전시키면서 현상액을 도전 도포막의 표면에 스프레이하는 방법, 기판을 현상액 중에 침지하는 방법, 또는 기판을 현상액 중에 침지하면서 초음파를 가하는 방법을 들 수 있다.
현상에 의해 얻어진 패턴은 린스액에 의한 린스 처리를 실시해도 상관없다. 여기에서 린스액으로서는, 예를 들면 물 또는 물에 에탄올 또는 이소프로필알코올 등의 알코올류 또는 락트산 에틸 또는 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트 등의 에스테르류를 첨가한 수용액을 들 수 있다.
현상에 의해 얻어진 패턴을 100~250℃에서 가열 또는 제논 플래시램프의 광을 더 조사함으로써 도전 패턴이 얻어진다.
가열의 방법으로서는, 예를 들면 오븐, 이너트 오븐, 핫 플레이트 또는 적외선 등에 의한 가열 건조 또는 진공 건조를 들 수 있다. 가열에 의해 얻어지는 도전 패턴의 경도가 높아져 다른 부재와의 접촉에 의한 결함이나 박리 등을 억제할 수 있고, 기판과의 밀착성을 더 향상시킬 수 있다.
제논 플래시램프의 광은 펄스 조사해도 상관없다. 여기에서 펄스 조사란 연속 조사와 간헐 조사를 순시에 반복하는 광의 조사 방법을 말한다. 펄스 조사는 연속 조사에 비해 보다 약한 광의 조사가 가능하기 때문에 도전 패턴의 급격한 변성을 억제할 수 있으므로 바람직하다. 생산 효율의 향상, 잉여의 광 산란의 방지, 기판의 손상 방지 등을 목적으로 할 경우 유효한 수단이다. 보다 구체적으로는 0.01~10000msec의 토탈 조사 시간에서 펄스 조사를 조합하면 좋다. 또한, 제논 플래시램프의 광과 더불어 휘선을 갖는 광을 조사해도 상관없다. 여기에서 휘선을 갖는 광을 동시에 조사하기 위해서는, 예를 들면 수은 제논 램프를 사용해도 상관없고, 제논 램프과 수은 램프의 광을 동시에 조사해도 상관없다.
조사하는 제논 플래시램프의 광의 에너지량은 기판의 종류 또는 형성하는 도전 패턴의 두께나 선폭을 고려하여 적당히 결정하면 좋지만, 열화되기 쉬운 기판의 손상 방지를 위해서 300~2500mJ/㎠가 바람직하다. 또한, 표시 영역 위와 가식 영역 위 사이에서 조사하는 제논 플래시램프의 광의 에너지량 및 조사 시간을 상이한 것으로 해도 상관없다.
한편, 얻어진 패턴에 도전성을 발현시키기 위한 처리로서 100~250℃에서의 가열과, 제논 플래시램프의 광의 조사를 조합하여 행해도 상관없다.
형성된 표시 영역 위의 도전 패턴의 선폭은 2~6㎛일 필요가 있다. 도전 패턴의 선폭이 2㎛ 미만이면, 후공정에서의 물리적 자극에 의한 단선이나 기판과의 밀착성의 악화를 발생시킨다. 선폭은 또한 육안으로 인식할 수 없도록 6㎛ 이하일 필요가 있다. 즉, 터치 패널 탑재의 스마트폰과 같이 소형 디스플레이, 예를 들면 6인치 전후의 사이즈의 디스플레이에서 사용할 경우에는 시점 거리가 가까워지기 때문에 선폭은 가는 편이 좋고, 6㎛ 이하일 필요가 있다. 디스플레이 화면이 수십 인치를 초과하는 대형 화면에 적용할 경우에는 시점 거리가 멀어지기 때문에 도전 패턴의 선폭의 상한은 육안으로 인식할 수 없는 범위에서 미세 조정할 수도 있지만 한정적이다.
표시 영역 위의 도전 패턴은 교차점을 갖는 메시 패턴과 같은 형태로 하는 것이 바람직하다. 메시 패턴의 형태로서는 사각 또는 마름모형 등의 패턴이 반복되는 좌표에서 구별할 수 있는 형태가 바람직하다. 그러한 메시 패턴에 있어서는 어느 1변의 도전 패턴과, 이웃하는 1변의 도전 패턴의 끝점을 연결한 패턴 피치가 100~3000㎛인 것이 바람직하다. 이 범위이면 육안으로 인식할 수 없을 정도로 투과성이 있고, 흐린 것 같은 돋보임의 악화가 방지된다. 패턴 피치가 100㎛보다 좁으면 투과성이 나빠지거나 패턴 간의 쇼트 불량이 생기기 쉬워지므로 부적당하다.
형성된 가식 영역 위의 도전 패턴의 선폭은 7~100㎛일 필요가 있다. 가식 영역 위의 도전 패턴은 복수의 패턴을 규칙 좋게 평행하게 배치하는 형태가 잘 알려진다. 이 경우, 가식 영역 위의 도전 패턴의 피치는 14~200㎛가 바람직하다. 가식 영역은 디스플레이의 액자에 배치하는 것이며, 디스플레이의 표시 영역을 넓히기 위해서 협액 가장자리로 하고 싶을 경우에는 선폭이 7~100㎛일 필요가 있다. 그 경우에 패턴 피치도 좁게 하면 좋지만, 배선 간에 잔류물이 남기 쉽고, 쇼트의 원인이 되기 쉽기 때문에 가능한 범위에서 패턴 피치를 넓게 하면 바람직하다. 협액 가장자리용으로서의 패턴 피치는 14~200㎛에서 바람직하게 사용할 수 있다. 생산 안정성을 요구하면 선폭 10~100㎛, 패턴 피치 20~200㎛에서 형성하면 바람직하다.
표시 영역 위와 가식 영역 위에서 선폭이 다른 도전 패턴을 형성하는 방법으로서는, 예를 들면 사용하는 노광 마스크의 개구부 폭을 최적인 것으로 조정하는 방법, 표시 영역 위와 가식 영역 위의 노광량에 차이를 갖게 하는 방법, 또는 일괄 노광 후에 노광 마스크의 가식 영역에 대응하는 부분을 마스킹하고 나서 표시 영역만을 더 노광하는 방법을 들 수 있다.
본 발명의 제 2 실시형태에 있어서의 터치 센서용 부재의 제조 방법은 표시 영역과, 가식 영역으로 구분되는 기판에 있어서, 상기 표시 영역 위에 감광성 차광 페이스트를 도포하여 차광 도포막을 얻는 차광 도포막 형성 공정과, 차광 도포막 형성 공정 후에 상기 표시 영역 위 및 상기 가식 영역 위에 감광성 도전 페이스트를 도포하여 도전 도포막을 얻는 도전 도포막 형성 공정과, 상기 표시 영역 위의 상기 차광 도포막 및 상기 도전 도포막과, 상기 가식 영역 위의 상기 도전 도포막을 일괄적으로 노광 및 현상하고, 100~250℃에서 가열 또는 제논 플래시램프의 광을 더 조사하여 도전 패턴을 얻는 도전 패턴 형성 공정을 구비하고, 상기 표시 영역 위의 상기 도전 패턴의 선폭이 2~6㎛이며, 상기 가식 영역 위의 상기 도전 패턴의 선폭이 7~100㎛인 것을 특징으로 한다.
본 발명의 제 2 실시형태에 의하면 차광막의 존재에 의해 표시 영역 위의 도전 패턴의 광 반사를 억제할 수 있어 바람직하다.
감광성 차광 페이스트를 기판의 표시 영역 위에 도포하여 차광 도포막을 얻는 방법으로서는 도전 도포막을 얻는 방법과 마찬가지의 것을 들 수 있다. 즉, 차광 도포막은 표시 영역의 도전 패턴과 마찬가지의 패턴을 얻을 수 있다.
기판의 표시 영역 위에 도포되는 감광성 차광 페이스트란 안료 및 유기 성분인 감광성 유기 화합물 및 용제를 함유하는 조성물을 말한다. 감광성 차광 페이스트 중의 전 고형분에 차지하는 안료의 비율은 5~50질량%인 것이 바람직하다. 전 고형분에 대한 첨가량이 5질량% 이상이면 치밀하며 차광성이 높은 차광 도포막을 얻을 수 있다. 한편, 전 고형분에 대한 첨가량이 50질량%를 초과하면, 노광 광이 차광 도포막 중을 스무드하게 투과하지 않아 미세한 패턴 형성이 곤란해질 뿐만 아니라 현상 시에 패턴이 박리되기 쉬워진다.
감광성 차광 페이스트가 함유하는 안료란 가시 영역에 흡수를 갖는 유색의 분말을 말한다. 안료는 차광성에 영향을 주는 분말의 색, 입자 지름, 분산 상태 및 표면 거칠기 등의 최적화가 용이한 점에서 무기 화합물의 분말이 바람직하다. 여기에서 무기 화합물이란 탄소 이외의 원소로 구성되는 화합물 및 단순한 일부의 탄소 화합물을 말한다. 단순한 일부의 탄소 화합물로서는, 예를 들면 그라파이트 또는 다이아몬드 등의 탄소의 동소체, 탄산칼슘 등의 금속 탄산염 또는 금속 탄화물 등의 염을 들 수 있다.
안료가 되는 무기 화합물로서는, 예를 들면 금속 산화물, 카본블랙, 아세틸렌 블랙, 케첸 블랙, 티탄 블랙, 카본 위스커 또는 카본 나노 튜브를 들 수 있지만, 크롬, 철, 코발트, 루테늄, 망간, 팔라듐, 구리, 니켈, 마그네슘 및 티탄으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 금속의 산화물 또는 카본 블랙의 분말이 바람직하다. 상기 금속의 산화물 또는 카본 블랙은 단독뿐만 아니라, 합금 또는 혼합 분말을 사용해도 상관없다. 이러한 안료로서는, 예를 들면 4산화3코발트(Co3O4), Cr2O3-CuO-Co3O4, 루테늄산화물(RuO2), CuO-Cr2O3-Mn2O3를 들 수 있다. 또한, 상기 금속 산화물로 다른 금속 분말 또는 수지 분말을 피복한 것을 사용해도 상관없다.
안료의 체적 평균 입자 지름은 안료를 페이스트 중에 균일하게 분산시켜서 차광성을 확보하면서 미세 패터닝을 달성하기 위하여 0.05~2㎛가 바람직하고, 0.05~1㎛가 보다 바람직하다. 안료의 체적 평균 입자 지름이 0.05㎛ 미만이면 차광성이 불충분해진다. 한편, 안료의 체적 평균 입자 지름이 2㎛를 초과하면 차광 도포막의 표면의 평활성이 낮아지고, 또한 노광 광이 차광 도포막 중을 스무드하게 투과하지 않아 미세한 패턴 형성이 곤란해진다. 또한, 안료의 체적 평균 입자 지름은 도전성 입자와 마찬가지로 동적 광 산란법에 의해 측정할 수 있다.
감광성 차광 페이스트가 함유하는 감광성 유기 화합물이란 감광성 도전 페이스트가 함유하는 것과 같이 불포화 2중 결합을 갖는 모노머, 올리고머 또는 폴리머를 말한다.
감광성 차광 페이스트가 함유하는 경우가 있는 열경화성 화합물이란 감광성 도전 페이스트가 함유하는 것과 같이 에폭시기를 갖는 모노머, 올리고머 또는 폴리머, 페놀 수지, 폴리이미드 전구체 또는 기폐환 폴리이미드를 말하지만, 에폭시기를 갖는 모노머, 올리고머 또는 폴리머가 바람직하다. 열경화성 화합물의 첨가량은 감광성 도전 페이스트와 마찬가지인 것이 바람직하다. 또한, 감광성 유기 화합물 및 열경화성 화합물은 가열 또는 제논 플래시램프의 광의 조사 시에 도전 도포막의 형상을 유지하기 위해서 지환식 구조를 갖는 것이 바람직하고, 시클로헥산 골격을 갖는 것이 보다 바람직하다.
감광성 차광 페이스트는 감광성 도전 페이스트와 마찬가지로 필요에 따라 광중합 개시제를 함유하는 것이 바람직하다. 광중합 개시제의 첨가량은 감광성 도전 페이스트와 마찬가지인 것이 바람직하다. 또한, 감광성 차광 페이스트는 광중합 개시제와 함께 증감제를 함유해도 상관없다. 증감제의 첨가량도 감광성 도전 페이스트와 마찬가지인 것이 바람직하다.
감광성 차광 페이스트는 감광성 도전 페이스트와 마찬가지로 카르복실산 또는 그 산 무수물을 함유해도 상관없다. 카르복실산 또는 그 산 무수물의 첨가량은 감광성 도전 페이스트와 마찬가지인 것이 바람직하다.
감광성 차광 페이스트는 감광성 도전 페이스트와 마찬가지로 그 점도를 조정하기 위해서 용제를 함유한다.
감광성 차광 페이스트는 감광성 도전 페이스트와 마찬가지로 그 소망의 특성을 손상하지 않는 범위이면 가소제, 레벨링제, 계면활성제, 실란 커플링제, 소포제 또는 안정제 등을 함유해도 상관없다.
스크린 인쇄에 의해 도포를 할 경우의 감광성 차광 페이스트의 점도는 5,000~150,000mPa·s의 범위인 것이 바람직하다. 스피너를 사용한 회전 도포를 할 경우의 감광성 차광 페이스트의 점도는 10~10,000mPa·s의 범위인 것이 바람직하고, 다이 코터에 의해 도포를 할 경우의 감광성 차광 페이스트의 점도는 50~50,000mPa·s의 범위인 것이 바람직하다. 또한, 감광성 차광 페이스트의 점도는 감광성 도전 페이스트와 마찬가지로 브룩필드 점도계를 사용한 3rpm 측정에 의해 측정할 수 있다.
본 발명의 제 2 실시형태에 있어서의 터치 센서용 부재의 제조 방법에서는 차광 도포막 형성 공정에 있어서, 기판의 표시 영역 위에 감광성 차광 페이스트를 도포하여 차광 도포막을 얻지만, 그 후의 도전 도포막 형성 공정에 있어서는 차광 도포막 위에 감광성 도전 페이스트를 도포하여 도전 도포막을 얻는 이외에는 제 1 실시형태에 있어서의 제조 방법의 도전 도포막 형성 공정과 마찬가지이다. 또한, 차광층 및 도전 패턴 형성 공정에 있어서는 상기 차광 도포막으로부터 차광층을 얻는 이외에는 제 1 실시형태에 있어서의 제조 방법의 도전 패턴 형성 공정과 마찬가지이다. 또한, 기판의 표시 영역 위에 형성된 도전 패턴은 차광 도포막으로부터 유래되는 차광층과, 도전 도포막으로부터 유래되는 도전 패턴의 적층 구조를 갖는 것이 된다.
또한, 차광 도포막은 표시 영역 위의 전체면에 걸쳐 형성될 필요는 없고, 표시 영역 위의 일부에만 형성해도 상관없다. 또한, 필요에 따라 기판의 가식 영역 위에도 차광 도포막을 형성하고, 기판의 가식 영역 위에 차광층과 도전 패턴의 적층 구조를 형성해도 상관없다.
본 발명의 터치 센서용 부재의 제조 방법이 구비하는 도전 도포막 형성 공정에 있어서는 제조 프로세스의 간편성을 위해서 표시 영역 위 및 가식 영역 위에 동일한 감광성 도전 페이스트를 일괄적으로 도포하는 것이 바람직하다. 한편, 필요에 따라 표시 영역 위에 도포하는 감광성 도전 페이스트와, 가식 영역 위에 도포하는 감광성 도전 페이스트를 상이한 것으로 해도 상관없다. 이 경우, 표시 영역 위에 도포하는 감광성 도전 페이스트가 함유하는 도전성 입자의 체적 평균 입자 지름과, 가식 영역 위에 도포하는 감광성 도전 페이스트가 함유하는 도전성 입자의 체적 평균 입자 지름을 상이한 것으로 할 수 있지만, 이 경우, 전자는 0.05~0.5㎛인 것이 후자는 0.5~3㎛인 것이 각각 바람직하다.
한편, 상이한 감광성 도전 페이스트를 사용할 경우에는 각각이 함유하는 감광성 유기 화합물 및 열경화성 화합물의 구조, 특히 열경화성 화합물의 구조가 유사한 것이 바람직하고, 각각이 함유하는 열경화성 화합물이 실질적으로 동일 조성인 것이 보다 바람직하고, 각각이 함유하는 감광성 유기 화합물 및 열경화성 화합물이 실질적으로 동일 조성인 것이 더욱 바람직하다. 감광성 유기 화합물 및 열경화성 화합물로서 서로 공통적인 것을 선택함으로써 표시 영역 위에 형성된 도전 패턴과, 가식 영역 위에 형성된 도전 패턴의 경계에 있어서의 친화성이 양호한 것이 되고, 또한 도전 패턴 형성 공정에 있어서의 가열 또는 제논 플래시램프의 광의 조사 시의 수축률의 차에 의한 문제가 해소된다.
상기와 같은 경계에 있어서의 친화성을 더 높이며, 또한 가열 또는 제논 플래시램프의 광의 조사 시의 수축률의 차에 의한 문제를 철저하게 억제하기 위해서도 표시 영역 위의 도전 도포막과, 가식 영역 위의 도전 도포막의 조성은 동일한 것이 더욱 바람직하다. 양자를 동일한 것으로 하면 상이한 감광성 도전 페이스트를 사용할 필요는 없고, 표시 영역 위 및 가식 영역 위에 일괄적으로 감광성 도전 페이스트를 도포할 수 있기 때문에 상기와 같이 제조 프로세스의 간편성을 높일 수도 있다.
본 발명의 제조 방법에서 사용하는 감광성 도전 페이스트 및 감광성 차광 페이스트는, 예를 들면 3개 롤러, 볼밀 또는 유성식 볼밀 등의 분산기 또는 혼련기를 사용하여 제조할 수 있다.
본 발명의 터치 센서용 부재는 표시 영역과, 가식 영역으로 구분되는 기판과, 상기 표시 영역 위에 형성된 선폭이 2~6㎛인 도전 패턴과, 상기 가식 영역 위에 형성된 선폭이 7~100㎛인 도전 패턴을 구비하고, 상기 선폭이 2~6㎛인 도전 패턴과, 상기 선폭이 7~100㎛인 도전 패턴의 조성이 동일한 터치 센서용 부재이다. 또한, 본 발명의 터치 센서용 부재는 상기 표시 영역과, 상기 선폭이 2~6㎛인 도전 패턴 사이에 차광층을 가져도 상관없다. 본 발명의 터치 센서용 부재는 본 발명의 터치 센서용 부재의 제조 방법에 의해 얻을 수 있다.
본 발명의 제조 방법에 의해 제조되는 터치 센서용 부재는 터치 센서가 구비하는 검출 전극 및 그 주변의 도전 배선으로서 적합하게 사용된다. 터치 패널의 방식으로서는, 예를 들면 저항막식, 광학식, 전자 유도식 또는 정전 용량식을 들 수 있지만, 정전 용량식의 터치 패널에 있어서, 본 발명의 제조 방법에 의해 제조되는 터치 센서용 부재가 더 적합하게 사용된다.
실시예
이하, 실시예를 들어 본 발명을 더 상세하게 설명하지만, 본 발명은 이들에 의해 한정되는 것은 아니다.
각 실시예에서 사용한 재료는 이하와 같다.
[감광성 유기 화합물]
(합성예 1: 감광성 유기 화합물(1))
공중합 비율(질량 기준): 에틸아크릴레이트(이하, 「EA」)/메타크릴산 2-에틸헥실(이하, 「2-EHMA」)/스티렌(이하, 「St」)/글리시딜메타크릴레이트(이하, 「GMA」)/아크릴산(이하, 「AA」)=20/40/20/5/15
질소 분위기의 반응 용기 중에 150g의 DMEA를 주입하고, 오일 바스를 사용하여 80℃까지 승온했다. 이것에 20g의 EA, 40g의 2-EHMA, 20g의 St, 15g의 AA, 0.8g의 2,2'-아조비스이소부티로니트릴 및 10g의 디에틸렌글리콜모노에틸에테르아세테이트로 이루어지는 혼합물을 1시간 걸쳐 적하했다. 적하 종료 후, 6시간 중합 반응을 더 행했다. 그 후, 1g의 하이드로퀴논모노메틸에테르를 첨가하고, 중합 반응을 정지했다. 계속해서, 5g의 GMA, 1g의 트리에틸벤질암모늄클로라이드 및 10g의 DMEA로 이루어지는 혼합물을 0.5시간 걸쳐 적하했다. 적하 종료 후, 2시간 부가 반응을 더 행했다. 얻어진 반응 용액을 메탄올로 정제함으로써 미반응 불순물을 제거하고, 24시간 더 진공 건조함으로써 감광성 유기 화합물(1)을 얻었다. 얻어진 감광성 유기 화합물(1)의 산가는 103㎎KOH/g이었다.
(합성예 2: 감광성 유기 화합물(2))
공중합 비율(질량 기준) 트리시클로데칸디메탄올디아크릴레이트(IRR214-K; DAICEL-CYTEC Co., Ltd.제)/변성 비스페놀A디아크릴레이트(EBECRYL 150; DAICEL-CYTEC Co., Ltd.제)/St/AA)=25/40/20/15
질소 분위기의 반응 용기 중에 150g의 DMEA를 주입하고, 오일 바스를 사용하여 80℃까지 승온했다. 이것에 25g의 IRR214-K, 40g의 EBECRYL150, 20g의 St, 15g의 AA, 0.8g의 2,2'-아조비스이소부티로니트릴 및 10g의 DMEA로 이루어지는 혼합물을 1시간 걸쳐 적하했다. 적하 종료 후, 6시간 중합 반응을 더 행했다. 그 후에 1g의 하이드로퀴논모노메틸에테르 1g을 첨가하고, 중합 반응을 정지했다. 얻어진 반응 용액을 메탄올로 정제함으로써 미반응 불순물을 제거하고, 24시간 더 진공 건조함으로써 감광성 유기 화합물(2)을 얻었다. 얻어진 감광성 유기 화합물(2)의 산가는 89㎎KOH/g이었다.
[열경화성 화합물]
에폭시 수지(1)(ADEKA RESIN EP-4530(에폭시당량 190); ADEKA CORPORATION제)
에폭시 수지(2)(JER 1001(에폭시당량 475); Mitsubishi Chemical Corporation제)
페놀 수지(PSF-2808; Gun Ei Chemical Industry Co., Ltd. 제).
[모노머]
라이트아크릴레이트 BP-4EA(KYOEISHA CHEMICAL Co., Ltd.제)
라이트아크릴레이트 TMP-A(KYOEISHA CHEMICAL Co., Ltd.제)
[안료]
Co3O4 입자(SHEIDO CHEMICAL INDUSTRY CO., LTD.제)
[도전성 입자]
체적 평균 입자 지름이 1㎛인 Ag 입자
체적 평균 입자 지름이 0.3㎛인 Ag 입자
체적 평균 입자 지름이 0.05㎛인 Ag 입자
[광중합 개시제]
N-1919(ADEKA CORPORATION제)
[용제]
디에틸렌글리콜모노에틸에테르아세테이트: DMEA(Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.제)
[가식용 흑색 잉크]
MRX-HF(Teikoku Printing Inks Mfg. Co., Ltd.제)
각 감광성 도전 페이스트 및 감광성 차광 페이스트를 이하와 같이 준비했다.
(감광성 도전 페이스트 A)
100mL 클린 보틀에 17.5g의 감광성 유기 화합물(2), 0.5g의 N-1919, 1.5g의 에폭시 수지(1), 3.5g의 라이트아크릴레이트 BP-4EA(KYOEISHA CHEMICAL Co., Ltd.제) 및 19.0g의 DMEA를 넣고, "Awatori Rentaro"(등록상표)(ARE-310; THINKY CORPORATION제)로 혼합하여 42.0g의 수지 용액을 얻었다. 얻어진 42.0g의 수지 용액과 62.3g의 체적 평균 입자 지름 0.3㎛의 Ag 입자를 혼합하고, 3개 롤러(EXAKT M-50; EXAKT제)를 사용하여 혼련한 후에 DMEA를 7g 다시 부가해서 더 혼합하여 111g의 감광성 도전 페이스트 A를 얻었다. 감광성 도전 페이스트 A의 점도는 10,000mPa·s이었다.
(감광성 도전 페이스트 B)
Ag 입자를 체적 평균 입자 지름이 1㎛인 것, 에폭시 수지를 (2)로 변경한 이외에는 감광성 도전 페이스트 A와 마찬가지의 방법으로 111g의 감광성 도전 페이스트 B를 얻었다. 감광성 도전 페이스트 B의 점도는 13,000mPa·s이었다.
(감광성 도전 페이스트 C)
에폭시 수지(1)를 페놀 수지로 변경한 이외에는 감광성 도전 페이스트 B와 마찬가지의 방법으로 111g의 감광성 도전 페이스트 C를 얻었다. 감광성 도전 페이스트 C의 점도는 20,000mPa·s이었다.
(감광성 도전 페이스트 D)
Ag 입자를 체적 평균 입자 지름이 0.05㎛인 것으로 변경하고, 에폭시 수지 대신에 라이트아크릴레이트 TMP-A로 하는 이외에는 감광성 도전 페이스트 A와 마찬가지의 방법으로 111g의 감광성 도전 페이스트 D를 얻었다. 감광성 도전 페이스트 D의 점도는 6,000mPa·s이었다.
(감광성 차광 페이스트)
100mL 클린 보틀에 10.0g의 감광성 유기 화합물(1), 0.5g의 N-1919, 1.0g의 에폭시 수지(2) 및 10.0g의 DMEA를 넣고, "Awatori Rentaro"(등록상표)(ARE-310; THINKY CORPORATION제)로 혼합하여 21.5g의 수지 용액을 얻었다. 얻어진 21.5g의 수지 용액과, 2.0g의 체적 평균 입자 지름 0.8㎛의 Co3O4 입자를 혼합하고, 3개 롤러(EXAKT M-50; EXAKT제)를 사용하여 혼련하여 23.5g의 감광성 차광 페이스트를 얻었다. 감광성 차광 페이스트의 점도는 12,000mPa·s이었다.
(실시예 1)
유리 기판의 가식 영역 위에 미리 가식용 흑색 잉크를 스크린 인쇄에 의해 도포하고, 150℃의 IR(원적외선) 히터로 내에서 1시간 가열하여 가식층을 형성했다. 유리 기판의 표시 영역 위 및 가식 영역 위에 감광성 도전 페이스트 A를 건조 후의 막두께가 1.5㎛가 되도록 스크린 인쇄에 의해 도포하여 도전 도포막을 얻었다. 얻어진 도전 도포막은 90℃의 IR 히터로 내에서 10분간 건조했다. 이어서, 표시 영역에 대응하는 부분에 있어서의 개구부 폭이 3㎛, 피치 140㎛의 메시 형상이며, 가식 영역에 대응하는 부분에 있어서의 개구부 폭이 20㎛인 노광 마스크를 통해 노광 장치(PEM-6M; UNION OPTICAL CO., LTD.제)를 사용하여 노광량 500mJ/㎠(파장 365㎚ 환산)로 노광하고, 0.2질량% Na2CO3 용액으로 30초간 침지 현상을 행하고, 초순수로 더 린싱하고나서 140℃의 IR 히터로 내에서 30분간 가열하여 도전 패턴을 얻었다.
얻어진 도전 패턴에 대하여 이하의 방법과 같이 패터닝성 및 도전성을 평가했다. 평가 결과를 표 1에 나타낸다.
<패터닝성의 평가 방법>
얻어진 도전 패턴을 광학 현미경에 의해 관찰하고, 패턴 굵기 선폭 및 패턴의 직진성을 평가했다. 패턴 굵기에 대해서는 표시 영역 위에 형성된 도전 패턴의 선폭이 2~6㎛이며, 또한 가식 영역 위에 형성된 도전 패턴의 선폭이 7~25㎛인 것이 바람직하다. 표시 영역 위의 도전 패턴이 2㎛ 미만인 경우, 후공정에서 단선이 발생하기 쉽기 때문에 불가이다. 또한, 패턴의 직진성에 대해서는 도전 패턴의 사행 및 육안에 의한 단선 모두가 없으면 「양호」로 하고, 도전 패턴의 사행 또는 단선 중 어느 하나가 있으면 「가」, 사행 및 단선 모두가 있으면 「불가」로 했다.
<도전성의 평가 방법>
얻어진 도전 패턴의 끝점으로부터 끝점을 저항 측정용 테스터(2407A; BK Precision제) 단자로 연결하여 도통성을 평가했다. 끝점으로부터 끝점의 길이는 2㎝로 했다. 저항값이 1000Ω 미만인 경우를 「양호」, 저항값이 1000~2000Ω인 경우를 「가」, 저항값을 측정할 수 없었을 경우를 「불가」로 했다.
<광 반사의 평가 방법>
얻어진 표시 영역 위의 도전 패턴을 분광 측색계(CM-2500d; KONICA MINOLTA, INC.제)를 사용하여 기판의 안측으로부터 L＊값을 측정하고, L＊값이 36 미만이 되는 것을 「양호」, L＊값이 36 이상 60 이하가 되는 것을 「가」, L＊값이 60을 초과하는 것을 「불가」로 했다. 또한, L＊은 휘도의 지표이며, 100이 순백을, 0이 흑을 표현한다.
<가시성의 평가 방법>
얻어진 표시 영역 위의 도전 패턴의 기판을 눈으로부터 30㎝~50㎝ 떼어 놓고, 백색 전등 하 육안으로 30초간 관찰했다. 관찰하는 사람을 10명 준비했다. 30초 사이에 10명의 모든 사람이 도전 패턴을 확인할 수 없으면 「양호」, 5명 이상의 사람이 도전 패턴을 확인할 수 없으면 「가」, 10명의 모든 사람이 도전 패턴을 확인할 수 있으면 「불가」로 했다.
(실시예 2)
유리 기판의 가식 영역 위에 실시예 1과 마찬가지로 가식층을 형성했다. 유리 기판 상의 표시 영역 위에 감광성 차광 페이스트 B를 건조 후의 막두께가 2㎛가 되도록 스크린 인쇄에 의해 도포하여 차광 도포막을 얻었다. 얻어진 차광 도포막은 90℃의 IR 히터로 내에서 10분간 건조했다. 또한, 차광 도포막 위 및 가식 영역 위에 감광성 도전 페이스트 B를 건조 후의 막두께가 2㎛가 되도록 스크린 인쇄에 의해 도포하여 도전 도포막을 얻었다. 얻어진 도전 도포막은 90℃의 IR로 내에서 5분간 건조했다.
이어서, 실시예 1과 동일한 노광 마스크를 통해 노광 장치를 사용하여 노광량 800mJ/㎠(파장 365㎚ 환산)로 노광하고, 0.2질량% Na2CO3 용액으로 30초간 침지 현상을 행하고, 초순수로 린싱하고 나서 140℃의 IR 히터로 내에서 30분간 가열하여 도전 패턴을 얻었다. 얻어진 도전 패턴에 대하여 실시예 1과 마찬가지의 평가를 했다. 평가 결과를 표 1에 나타낸다.
(실시예 3)
감광성 도전 페이스트 A를 사용한 이외에는 실시예 2와 마찬가지로 하여 차광 도포막 및 도전 도포막을 얻었다.
이어서, 실시예 1과 동일한 노광 마스크를 통해 노광 장치를 사용하여 노광량 300mJ/㎠로 노광하고, 또한 노광 마스크의 가식 영역에 대응하는 부분에 마스킹을 하여 표시 영역만을 노광량 700mJ/㎠로 추가의 노광을 하고, 0.2질량% Na2CO3 용액으로 30초간 침지 현상을 행하고, 초순수로 린싱하고 나서 140℃의 IR 히터로 내에서 30분간 가열하여 도전 패턴을 얻었다. 얻어진 도전 패턴에 대하여 실시예 1과 마찬가지의 평가를 했다. 평가 결과를 표 1에 나타낸다.
(실시예 4)
유리 기판의 가식 영역 위에 가식층을 형성했다. 유리 기판 상의 가식 영역 위에 감광성 도전 페이스트 B를 표시 영역 위에 감광성 도전 페이스트 A를 모두 건조 후의 막두께가 2㎛가 되도록 스크린 인쇄에 의해 각각 도포하여 도전 도포막을 얻었다. 얻어진 도전 도포막을 실시예 1과 마찬가지의 방법으로 건조, 노광, 현상, 린스 및 가열하여 도전 패턴을 얻었다. 얻어진 도전 패턴에 대하여 실시예 1과 마찬가지의 평가를 했다. 평가 결과를 표 1에 나타낸다.
(실시예 5)
감광성 도전 페이스트 D를 사용하고, 건조 후의 막두께가 1㎛ 이하가 되도록 다이 코터로 도포하는 이외에는 실시예 1과 마찬가지로 하여 도전 도포막을 얻었다. 얻어진 도전 도포막을 표시 영역에 대응하는 부분에 있어서의 개구부 폭을 2㎛로 바꾸고, 가열 온도를 180℃로 변경한 이외에는 실시예 1과 마찬가지의 방법으로 건조, 노광, 현상, 린싱하여 도전 패턴을 얻었다. 얻어진 도전 패턴에 대하여 실시예 1과 마찬가지의 평가를 했다. 평가 결과를 표 1에 나타낸다.
(실시예 6)
유리 기판 대신에 PET 필름 기판을, 감광성 도전 페이스트 A 대신에 감광성 도전 페이스트 C를 각각 사용한 이외에는 실시예 4와 마찬가지의 방법으로 도전 패턴을 얻었다. 얻어진 도전 패턴에 대하여 실시예 1과 마찬가지의 평가를 했다. 평가 결과를 표 1에 나타낸다.
(실시예 7)
가식 영역 위에 감광성 도전 페이스트 A를 사용한 이외에는 실시예 2와 마찬가지로 하여 차광 도포막 및 도전 도포막을 얻었다.
이어서, 실시예 1과 동일한 노광 마스크를 통해 노광 장치를 사용하여 노광량 300mJ/㎠로 노광하고, 또한 노광 마스크의 가식 영역에 대응하는 부분에 마스킹을 하여 표시 영역만을 노광량 700mJ/㎠로 추가의 노광을 하고, 0.2질량% Na2CO3 용액으로 30초간 침지 현상을 행하고, 초순수로 린싱하고 나서 에너지량 0.5J/㎠, 조사 시간 0.3msec의 조건으로 제논 플래시램프의 광을 조사하여 도전 패턴을 얻었다. 얻어진 도전 패턴에 대하여 실시예 1과 마찬가지의 평가를 했다. 평가 결과를 표 1에 나타낸다.
(실시예 8)
유리 기판 대신에 PET 필름 기판을, 감광성 도전 페이스트 A 대신에 감광성 도전 페이스트 C를 각각 사용했다. 실시예 4와 마찬가지의 방법으로 건조, 노광, 현상, 린싱한 후, 에너지량 1.0J/㎠, 조사 시간 0.3msec의 조건으로 제논 플래시램프의 광을 조사하여 도전 패턴을 얻었다. 얻어진 도전 패턴에 대하여 실시예 1과 마찬가지의 평가를 했다. 평가 결과를 표 1에 나타낸다.
실시예 1~8의 도전 패턴은 모두 단선이 없어 직진성이 우수하고, 터치 센서용 부재로서 적합한 것이었다.
Figure pct00001
본 발명의 제조 방법은 터치 센서용 부재가 구비하는 검출 전극 및 도전 배선이 되는 도전 패턴의 형성에 적합하게 사용할 수 있다.

Claims (7)

  1. 표시 영역과, 가식 영역으로 구분되는 기판에 있어서, 상기 표시 영역 위 및 상기 가식 영역 위에 감광성 도전 페이스트를 도포하여 도전 도포막을 얻는 도전 도포막 형성 공정과,
    상기 표시 영역 위의 상기 도전 도포막과, 상기 가식 영역 위의 상기 도전 도포막을 일괄적으로 노광 및 현상하고, 100~250℃에서 가열 또는 제논 플래시램프의 광을 더 조사하여 도전 패턴을 얻는 도전 패턴 형성 공정을 구비하고,
    상기 표시 영역 위의 상기 도전 패턴의 선폭이 2~6㎛이며,
    상기 가식 영역 위의 상기 도전 패턴의 선폭이 7~100㎛인 터치 센서용 부재의 제조 방법.
  2. 표시 영역과, 가식 영역으로 구분되는 기판에 있어서, 상기 표시 영역 위에 감광성 차광 페이스트를 도포하여 차광 도포막을 얻는 차광 도포막 형성 공정과,
    차광 도포막 형성 공정 후에 상기 표시 영역 위 및 상기 가식 영역 위에 감광성 도전 페이스트를 도포하여 도전 도포막을 얻는 도전 도포막 형성 공정과,
    상기 표시 영역 위의 상기 차광 도포막 및 상기 도전 도포막과, 상기 가식 영역 위의 상기 도전 도포막을 일괄적으로 노광 및 현상하고, 100~250℃에서 가열 또는 제논 플래시램프의 광을 더 조사하여 차광층 및 도전 패턴을 얻는 차광층 및 도전 패턴 형성 공정을 구비하고,
    상기 표시 영역 위의 상기 도전 패턴의 선폭이 2~6㎛이며,
    상기 가식 영역 위의 상기 도전 패턴의 선폭이 7~100㎛인 터치 센서용 부재의 제조 방법.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 표시 영역 위의 상기 도전 도포막과, 상기 가식 영역 위의 상기 도전 도포막이 함유하는 열경화성 화합물이 동일한 터치 센서용 부재의 제조 방법.
  4. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 표시 영역 위의 상기 도전 도포막과, 상기 가식 영역 위의 상기 도전 도포막의 조성이 동일한 터치 센서용 부재의 제조 방법.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 도전 도포막 형성 공정에 있어서, 상기 표시 영역 위 및 상기 가식 영역 위에 일괄적으로 감광성 도전 페이스트를 도포하는 터치 센서용 부재의 제조 방법.
  6. 표시 영역과, 가식 영역으로 구분되는 기판과,
    상기 표시 영역 위에 형성된 선폭이 2~6㎛인 도전 패턴과,
    상기 가식 영역 위에 형성된 선폭이 7~100㎛인 도전 패턴을 구비하고,
    상기 선폭이 2~6㎛인 도전 패턴과, 상기 선폭이 7~100㎛인 도전 패턴의 조성이 동일한 터치 센서용 부재.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 표시 영역과, 상기 선폭이 2~6㎛인 도전 패턴의 사이에 차광층을 갖는 터치 센서용 부재.

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