KR20160076807A - Light emitting device - Google Patents

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KR20160076807A
KR20160076807A KR1020140187328A KR20140187328A KR20160076807A KR 20160076807 A KR20160076807 A KR 20160076807A KR 1020140187328 A KR1020140187328 A KR 1020140187328A KR 20140187328 A KR20140187328 A KR 20140187328A KR 20160076807 A KR20160076807 A KR 20160076807A
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이건영
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서울반도체 주식회사
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Abstract

A light emitting device is disclosed. The light emitting device includes first to fourth light emitting chip groups which are successively operated by AC power and are connected in series. Each of the first to fourth light emitting chip groups includes a combination where at least one among at least two kinds of light emitting chips having different luminous areas is electrically connected. So, a current rate between light emitting groups can be controlled.

Description

발광 장치{LIGHT EMITTING DEVICE}[0001] LIGHT EMITTING DEVICE [0002]

본 발명은 발광 장치에 관한 것은, 교류 전압에서 순차 구동 시 균일한 발광 특성을 갖는 발광 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a light-emitting device, which relates to a light-emitting device having uniform light-emitting characteristics in sequential driving with an AC voltage.

단일의 칩 내에서 복수의 발광셀들을 직렬 연결하여 고전압 하에서 구동가능한 발광 장치가 예컨대, 국제공개번호 WO 2004/023568(Al)호에 "LIGHT-EMITTING DEVICE HAVING LIGHT-EMITTING ELEMENTS"라는 제목으로 사카이 등(SAKAI et. al.)에 의해 개시된 바 있다.A light emitting device capable of driving under a high voltage by connecting a plurality of light emitting cells in a single chip in series is disclosed in International Publication No. WO 2004/023568 (Al) entitled " LIGHT-EMITTING DEVICE HAVING LIGHT-EMITTING ELEMENTS " (SAKAI et al.).

발광 장치가 교류 전원으로 구동되는 경우, 인가되는 전압의 증감으로 인하여 전압의 크기에 따라 발광 셀들이 순차적으로 구동되는 기술이 개시된 바 있다. 이 경우, 비교적 낮은 전압에서 높은 전압이 인가될수록 발광되는 발광 셀의 개수가 증가한다. 이에 따라, 각각의 단계에서 발광하는 광의 균일성이 저하되고, 또한, 각 그룹의 발광셀들에 흐르는 전류 비가 일정하지 않아 효율이 떨어진다.In the case where the light emitting device is driven by an AC power source, the technique of sequentially driving the light emitting cells according to the magnitude of the voltage due to the increase or decrease of the applied voltage has been disclosed. In this case, as the higher voltage is applied at a relatively low voltage, the number of light emitting cells to emit light increases. As a result, the uniformity of light emitted in each step is reduced, and the current ratio flowing through the light-emitting cells in each group is not constant, resulting in an inefficiency.

본 발명이 해결하고자 하는 과제는, 필요에 따라 다양하게 발광 그룹들 간의 전류 비를 조절할 수 있는 발광 장치를 제공하는 것이다.SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide a light emitting device capable of adjusting a current ratio between light emitting groups as needed.

본 발명이 해결하고자 하는 또 다른 과제는, 순차 구동의 구동 단계에 따라 발광 그룹들 간의 발광 면적 및 전류 비를 용이하게 조절하여, 발광 균일성 및 효율을 향상시킬 수 있고, 제조 원가를 절감할 수 있는 발광 장치를 제공하는 것이다.Another problem to be solved by the present invention is to improve the uniformity and efficiency of light emission by easily controlling the light emitting area and the current ratio between the light emitting groups according to the driving step of the sequential driving, Emitting device.

본 발명의 일 측면에 따른 발광 장치는, 교류 전원을 통해 순차 구동되는 발광 장치에 있어서, 서로 직렬 연결된 제1 내지 제4 발광칩 그룹을 포함하고, 제1 내지 제4 발광칩 그룹 각각은 서로 다른 발광 면적을 갖는 적어도 2 종류 이상의 발광칩들 중 적어도 하나가 전기적으로 연결된 조합을 포함하며, 하기 [식 1]의 조건을 만족한다. ([식 1] 제1 발광칩 그룹 내 발광칩의 발광 면적의 총합=A1, 제2 발광칩 그룹 내 발광칩의 발광 면적의 총합=A2, 제3 발광칩 그룹 내 발광칩의 발광면적의 총합=A3, 제4 발광칩 그룹 내 발광칩의 발광면적의 총합=A4 일 때, A1 ≥ A2 ＞ A3 ≥ A4.)A light emitting device according to an aspect of the present invention includes first to fourth light emitting chip groups connected in series to each other, wherein each of the first to fourth light emitting chip groups At least one of at least two kinds of light-emitting chips having a light-emitting area is electrically connected to each other and satisfies the following condition (1). (The total of the light emitting areas of the light emitting chips in the first light emitting chip group = A1, the total light emitting area of the light emitting chips in the second light emitting chip group = A2, the total light emitting area of the light emitting chips in the third light emitting chip group = A3, and the sum of the light emitting areas of the light emitting chips in the fourth light emitting chip group = A4, A1? A2> A3? A4.

나아가, 상기 발광 장치는 하기 [식 2]의 조건을 만족할 수 있다. ([식 2] 제1 발광칩 그룹에 인가되는 전류의 비=IR1, 제2 발광칩 그룹에 인가되는 전류의 비=IR2, 제3 발광칩 그룹에 인가되는 전류의 비=IR3, 제4 발광칩 그룹에 인가되는 전류의 비=IR4 일 때, IR1 ≥ IR2 ＞ IR3 ≥ IR4.)Further, the above light emitting device can satisfy the condition of the following expression (2). (Ratio of current applied to the first light emitting chip group = IR1, ratio of current applied to the second light emitting chip group = IR2, ratio of current applied to the third light emitting chip group = IR3, When the ratio of the current applied to the chip group is IR4, IR1 > IR2 > IR3 > IR4.

또한, 상기 제1 발광칩 그룹은 상기 제2 발광칩 그룹보다 긴 발광 구간을 가질 수 있고, 상기 제2 발광칩 그룹은 상기 제3 발광칩 그룹보다 긴 발광 구간을 가질 수 있으며, 상기 제3 발광칩 그룹은 상기 제4 발광칩 그룹보다 긴 발광 구간을 가질 수 있다.In addition, the first light emitting chip group may have a longer light emitting period than the second light emitting chip group, the second light emitting chip group may have a longer light emitting period than the third light emitting chip group, The chip group may have a longer light emission period than the fourth light emitting chip group.

상기 적어도 2종류 이상의 발광칩은 제1 발광칩 및 제2 발광칩을 포함할 수 있고, 상기 제1 발광칩과 제2 발광칩 간의 상대적 면적비는 1:0.4일 수 있다.The at least two kinds of light emitting chips may include a first light emitting chip and a second light emitting chip, and a relative area ratio between the first light emitting chip and the second light emitting chip may be 1: 0.4.

나아가, 상기 제1 발광칩 그룹은 하나의 상기 제1 발광칩 및 하나의 상기 제2 발광칩을 포함할 수 있고, 상기 제2 발광칩 그룹은 하나의 상기 제1 발광칩을 포함할 수 있으며, 상기 제3 발광칩 그룹은 두 개의 상기 제2 발광칩을 포함할 수 있고, 상기 제4 발광칩 그룹은 하나의 제2 발광칩을 포함할 수 있다.Furthermore, the first light emitting chip group may include one first light emitting chip and one second light emitting chip, and the second light emitting chip group may include one first light emitting chip, The third light emitting chip group may include two second light emitting chips, and the fourth light emitting chip group may include one second light emitting chip.

상기 발광 장치는, 상기 교류 전원을 직류 정류하는 정류부를 더 포함할 수 있다.The light emitting device may further include a rectifying unit for DC rectifying the AC power.

본 발명에 따르면, 적어도 2 종류 이상의 발광칩을 이용하여 서로 다른 발광 면적을 갖는 발광칩 그룹들을 용이하게 구현할 수 있고, 이에 따라, 발광 장치의 발광 균일성이 향상될 수 있고, 발광 장치의 효율이 향상시켜 전력 손실이 최소화될 수 있다.According to the present invention, light emitting chip groups having different light emitting areas can be easily implemented using at least two kinds of light emitting chips, whereby the light emitting uniformity of the light emitting device can be improved, The power loss can be minimized.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 장치의 구성을 도시한 개략도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 장치 구동 시, 구동 전압에 따른 구동 전류의 관계를 나타내는 파형도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 장치에 포함된 발광 칩들을 설명하기 위한 평면도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 다른 발광 장치를 설명하기 위한 평면도이다.
도 5는 본 발명의 다른 실시예들에 따른 발광 장치를 설명하기 위한 평면도들이다.1 is a schematic view showing a configuration of a light emitting device according to an embodiment of the present invention.
2 is a waveform diagram showing a relationship of a driving current according to a driving voltage when driving a light emitting device according to an embodiment of the present invention.
3 is a plan view illustrating light emitting chips included in a light emitting device according to an embodiment of the present invention.
4 is a plan view illustrating a light emitting device according to an embodiment of the present invention.
5 is a plan view illustrating a light emitting device according to another embodiment of the present invention.

이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명한다. 다음에 소개되는 실시예들은 본 발명이 속하는 기술분야의 통상의 기술자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 예로서 제공되는 것이다. 따라서, 본 발명은 이하 설명되는 실시예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 그리고, 도면들에 있어서, 구성요소의 폭, 길이, 두께 등은 편의를 위하여 과장되어 표현될 수도 있다. 또한, 하나의 구성요소가 다른 구성요소의 "상부에" 또는 "상에" 있다고 기재된 경우 각 부분이 다른 부분의 "바로 상부" 또는 "바로 상에" 있는 경우뿐만 아니라 각 구성요소와 다른 구성요소 사이에 또 다른 구성요소가 개재된 경우도 포함한다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호들은 동일한 구성요소들을 나타낸다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. The following embodiments are provided by way of example so that those skilled in the art can sufficiently convey the spirit of the present invention. Therefore, the present invention is not limited to the embodiments described below, but may be embodied in other forms. In the drawings, the width, length, thickness, etc. of components may be exaggerated for convenience. It is also to be understood that when an element is referred to as being "above" or "above" another element, But also includes the case where another component is interposed between the two. Like reference numerals designate like elements throughout the specification.

또한, 용어 '순차구동 방식'란, 시간에 따라 크기가 변화하는 교류전압(입력전압)을 받아 발광 다이오드를 구동하는 조명장치에 있어서, 교류전압이 정류된 구동전압의 증가에 따라 복수의 발광칩 그룹들을 순차적으로 점등시키고, 입력전압의 감소에 따라 복수의 발광칩 그룹들을 순차적으로 소등시키는 구동방식을 의미한다.The term " sequential driving method " refers to a method of driving a light emitting diode by receiving an alternating voltage (input voltage) whose magnitude changes with time, And sequentially turns off the plurality of light emitting chip groups according to the decrease of the input voltage.

이하 설명되는 발명의 내용에 있어서, '제n 순방향 전압 레벨(Vfn)'는 직렬로 연결된 제1 내지 제n 발광칩 그룹들을 구동할 수 있는 임계 전압레벨을 의미한다. 예를 들어, 용어 '제1 순방향 전압 레벨(Vf1)'는 제1 발광칩 그룹을 구동할 수 있는 임계 전압레벨을 의미하며, 용어 '제2 순방향 전압 레벨(Vf2)'는 직렬로 연결된 제1 및 제2 발광칩 그룹을 구동할 수 있는 임계 전압레벨을 의미하고, 용어 '제3 순방향 전압 레벨(Vf3)'는 직렬로 연결된 제1 내지 제3 발광칩 그룹을 구동할 수 있는 임계 전압레벨을 의미한다. In the following description, 'nth forward voltage level (Vfn)' means a threshold voltage level capable of driving first through nth light emitting chip groups connected in series. For example, the term 'first forward voltage level Vf1' means a threshold voltage level capable of driving the first light emitting chip group, and the term 'second forward voltage level Vf2' And the term "third forward voltage level (Vf3)" refers to a threshold voltage level capable of driving the first through third light emitting chip groups connected in series, it means.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 장치의 구성을 도시한 개략도이고, 도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 장치 구동 시, 구동 전압에 따른 구동 전류의 관계를 나타내는 파형도이다.FIG. 1 is a schematic diagram showing a configuration of a light emitting device according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a waveform diagram showing a relationship of a driving current according to a driving voltage when driving a light emitting device according to an embodiment of the present invention .

도 1을 참조하면, 상기 발광 장치는, 정류부(10), 구동제어부(20) 및 발광부(30)를 포함한다. 상기 발광 장치는 교류 전원(VAC)에 의해 구동될 수 있다.Referring to FIG. 1, the light emitting device includes a rectifying unit 10, a driving control unit 20, and a light emitting unit 30. The light emitting device may be driven by an AC power source (V AC ).

정류부(10)는 교류 전원(VAC)으로부터의 교류전압을 정류하여 직류의 구동전압을 생성하고, 생성된 구동전압을 출력할 수 있다. 정류부(10)는 전파 정류회로, 반파 정류회로 등 공지된 다양한 정류회로 중 하나가 이용될 수 있으며, 예를 들어, 4개의 다이오드들로 구성된 브릿지 정류회로일 수 있다. 다만, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.The rectifying unit 10 rectifies the AC voltage from the AC power source (V AC ) to generate a DC driving voltage and output the generated driving voltage. The rectifying unit 10 may be one of various known rectifying circuits such as a full-wave rectifying circuit, a half-wave rectifying circuit, and the like, and may be, for example, a bridge rectifying circuit composed of four diodes. However, the present invention is not limited thereto.

구동제어부(20)은 교류 전원(VAC) 및 정류부(10)로부터 상기 구동전압을 공급받고, 이를 이용하여 발광부(30)를 구동 및 제어할 수 있다. 구동제어부(20)는 집적회로(IC)를 포함할 수 있으며, 외부와 연결되어 사용자가 임의로 조절 가능한 컨트롤부(미도시)를 더 포함할 수 있다.The driving control unit 20 receives the driving voltage from the AC power source V AC and the rectifying unit 10 and can drive and control the light emitting unit 30 using the driving voltage. The drive control unit 20 may include an integrated circuit (IC), and may further include a control unit (not shown) connected to an external device and arbitrarily adjustable by a user.

발광부(30)는 적어도 2 이상의 발광칩 그룹을 포함할 수 있고, 본 실시예에 있어서, 발광부(30)는 제1 내지 제4 발광칩 그룹(G1 내지 G4)를 포함할 수 있다. 각각의 발광칩 그룹은 구동제어부(20)로부터 공급받은 전압에 의해 순차 구동될 수 있으며, 소정의 구간에 따라 단계적으로 발광할 수 있다.The light emitting portion 30 may include at least two or more light emitting chip groups. In this embodiment, the light emitting portion 30 may include the first to fourth light emitting chip groups G1 to G4. Each light emitting chip group can be sequentially driven by the voltage supplied from the drive control unit 20, and can emit light step by step according to a predetermined section.

구동제어부(20)와 발광부(30)에 의해 상기 발광 장치의 구동 방법을 이하 도 1 및 도 2를 참조하여 설명한다. 구동제어부(20)는 복수의 구간(제1 내지 제7 구간)동안 발광칩 그룹들(G1 내지 G4)을 순차 구동시킬 수 있다. A driving method of the light emitting device by the drive control unit 20 and the light emitting unit 30 will be described below with reference to Figs. 1 and 2. Fig. The driving control unit 20 may sequentially drive the light emitting chip groups G1 to G4 for a plurality of sections (first to seventh sections).

상기 제1 구간은 정류부(10)로부터 입력된 구동전압의 전압레벨이 제1 순방향 전압레벨(Vf1)과 제2 순방향 전압레벨(Vf2) 사이의 구간으로 정의되고, 상기 제1 구간동안 제1 전류경로(P1)만 연결되어 제1 발광칩 그룹(G1)이 발광된다. 상기 제2 구간은 정류부(10)로부터 입력된 구동전압의 전압레벨이 제2 순방향 전압레벨(Vf2)과 제3 순방향 전압레벨(Vf3) 사이의 구간으로 정의되고, 상기 제2 구간동안 제2 전류경로(P2)가 연결되어 제1 및 제2 발광칩 그룹(G1, G2)이 발광된다. 상기 제3 구간은 정류부(10)로부터 입력된 구동전압의 전압레벨이 제3 순방향 전압레벨(Vf3)과 제4 순방향 전압레벨(Vf4) 사이의 구간으로 정의되고, 상기 제3 구간동안 제3 전류경로(P3)가 연결되어 제1 내지 제3 발광칩 그룹(G1 내지 G3)이 발광된다. 상기 제4 구간은 정류부(10)로부터 입력된 구동전압의 전압레벨이 제4 순방향 전압레벨(Vf4) 이상의 구간으로 정의되고, 상기 제4 구간동안 제4 전류경로(P4)가 연결되어 제1 내지 제4 발광 그룹들(G1 내지 G4)이 발광된다. Wherein the first period is defined as a period in which a voltage level of a driving voltage input from the rectification unit 10 is between a first forward voltage level Vf1 and a second forward voltage level Vf2, Only the path P 1 is connected to the first light emitting chip group G1. The second period is defined as a period in which the voltage level of the driving voltage input from the rectification unit 10 is between the second forward voltage level Vf2 and the third forward voltage level Vf3, And the first and second light emitting chip groups G1 and G2 are connected by the path P 2 . In the third period, the voltage level of the driving voltage input from the rectifying unit 10 is defined as the interval between the third forward voltage level Vf3 and the fourth forward voltage level Vf4, and the third current The path P 3 is connected to emit the first to third light emitting chip groups G1 to G3. The fourth interval in which the voltage level of the driving voltage received from the rectification part (10) of claim 4 as defined in the forward voltage level (Vf4) or more legs, and the fourth is a fourth current path (P 4) connected during interval first To fourth light emitting groups G1 to G4 emit light.

또한, 상기 제5 구간은 정류부(10)로부터 입력된 구동전압의 전압레벨이 제4 순방향 전압레벨(Vf4)과 제3 순방향 전압레벨(Vf3) 사이의 구간으로 정의되고, 상기 제5 구간동안 제3 전류경로(P3)가 연결되어 제1 내지 제3 발광칩 그룹(G1 내지 G3)이 발광된다. 또한, 상기 제6 구간은 정류부(10)로부터 입력된 구동전압의 전압레벨이 제3 순방향 전압레벨(Vf3)과 제2 순방향 전압레벨(Vf2) 사이의 구간으로 정의되고, 상기 제6 구간동안 제2 전류경로(P2)가 연결되어 제1 및 제2 발광칩 그룹(G1 및 G2)이 발광된다. 또한, 상기 제7 구간은 정류부(10)로부터 입력된 구동전압의 전압레벨이 제2 순방향 전압레벨(Vf2)과 제1 순방향 전압레벨(Vf1) 사이의 구간으로 정의되고, 상기 제7 구간동안 제1 전류경로(P1)만 연결되어 제1 발광칩 그룹(G1)이 발광된다. The fifth period is defined as a period in which the voltage level of the driving voltage input from the rectifier 10 is between the fourth forward voltage level Vf4 and the third forward voltage level Vf3, 3 current path P 3 are connected to emit light through the first to third light emitting chip groups G1 to G3. In the sixth period, the voltage level of the driving voltage inputted from the rectifier 10 is defined as a period between the third forward voltage level Vf3 and the second forward voltage level Vf2, 2 current path P 2 are connected to cause the first and second light emitting chip groups G1 and G2 to emit light. The seventh section is defined as a section in which the voltage level of the driving voltage inputted from the rectifying section 10 is between the second forward voltage level Vf2 and the first forward voltage level Vf1, Only one current path P 1 is connected to the first light emitting chip group G1.

상기 제1 및 제7 구간은 제1 단 구동구간으로 정의할 수 있고, 상기 제2 및 제6 구간은 제2 단 구동구간으로 정의할 수 있고, 상기 제3 및 제5 구간은 제3 단 구동구간으로 정의할 수 있고, 제4 구간은 제4 단 구동구간으로 정의할 수 있다. 상기 제1 내지 제4 발광칩 그룹(G1 내지 G4)은 각각 상이한 순방향 전압 레벨을 가질 수 있다.The first and seventh sections may be defined as a first stage driving section, the second and sixth sections may be defined as a second stage driving section, and the third and fifth sections may be defined as a third stage driving section And the fourth section may be defined as the fourth section driving section. The first to fourth light emitting chip groups G1 to G4 may have different forward voltage levels.

다시 도 1을 참조하면, 제1 내지 제4 발광칩 그룹(G1 내지 G4) 중 적어도 일부는 서로 다른 발광 면적을 가질 수 있다. 즉, 제1 내지 제4 발광칩 그룹(G1 내지 G4) 중 적어도 일부는, 각각의 전체 발광칩의 면적은 서로 다를 수 있다. 예를 들어, 제1 발광칩 그룹(G1)의 발광칩들의 발광 면적 총합은 제2 발광칩 그룹(G2)의 발광칩들의 발광 면적 총합보다 크거나 같을 수 있고, 제2 발광칩 그룹(G2)의 발광칩들의 발광 면적 총합은 제3 발광칩 그룹(G3)의 발광칩들의 발광 면적 총합보다 클 수 있으며, 제3 발광칩 그룹(G3)의 발광칩들의 발광 면적 총합은 제4 발광칩 그룹(G4)의 발광칩들의 발광 면적 총합보다 크거나 같을 수 있다. 이때, 각 발광칩 그룹의 발광칩의 발광 면적의 총합은 다음 [식 1]과 같은 조건을 만족할 수 있다.
Referring again to FIG. 1, at least some of the first to fourth light emitting chip groups G1 to G4 may have different light emitting areas. That is, at least some of the first to fourth light emitting chip groups G1 to G4 may have different areas of the respective light emitting chips. For example, the total light emitting area of the light emitting chips of the first light emitting chip group G1 may be equal to or greater than the total light emitting area of the light emitting chips of the second light emitting chip group G2, The total light emitting area of the light emitting chips of the third light emitting chip group G3 may be greater than the total light emitting area of the light emitting chips of the third light emitting chip group G3, G4 may be greater than or equal to the sum of the light emitting areas of the light emitting chips. At this time, the sum of the light emitting areas of the light emitting chips of each light emitting chip group may satisfy the following condition (1).

[식 1][Formula 1]

제1 발광칩 그룹(G1) 발광칩의 발광 면적의 총합=A1, 제2 발광칩 그룹(G2) 발광칩의 발광 면적의 총합=A2, 제3 발광칩 그룹(G3) 발광칩의 발광면적의 총합=A3, 제4 발광칩 그룹(G4) 발광칩의 발광면적의 총합=A4 일 때, The sum total of the light emitting areas of the first light emitting chip group G1 light emitting chip A1, the total light emitting area of the second light emitting chip group G2 light emitting chip A2, and the light emitting area of the third light emitting chip group G3 light emitting chip Total = A3, and the sum of the light emitting areas of the fourth light emitting chip group (G4) light emitting chip = A4,

A1 ≥ A2 ＞ A3 ≥ A4
A1 ≥ A2> A3 ≥ A4

이에 따라, 제1 내지 제4 발광칩 그룹(G1 내지 G4) 각각에 인가되는 전류비들 중 적어도 일부는 서로 다를 수 있다. 예를 들어, 제1 발광칩 그룹(G1)에 인가되는 전류의 비는 제2 발광칩 그룹(G2)에 인가되는 전류의 비보다 크거나 같을 수 있고, 제2 발광칩 그룹(G2)에 인가되는 전류의 비는 제3 발광칩 그룹(G3)에 인가되는 전류의 비보다 클 수 있으며, 제3 발광칩 그룹(G3)에 인가되는 전류의 비는 제4 발광칩 그룹(G4)에 인가되는 전류의 비보다 크거나 같을 수 있다. 이때, 각 발광칩 그룹에 인가되는 전류의 비는 다음 [식 2]과 같은 조건을 만족할 수 있다.
Accordingly, at least some of the current ratios applied to the first to fourth light emitting chip groups G1 to G4 may be different from each other. For example, the ratio of the current applied to the first light emitting chip group G1 may be greater than or equal to the ratio of the current applied to the second light emitting chip group G2, May be greater than the ratio of the current applied to the third light emitting chip group G3 and the ratio of the current applied to the third light emitting chip group G3 may be applied to the fourth light emitting chip group G4 Current ratio. At this time, the ratio of the current applied to each light emitting chip group can satisfy the following condition (2).

[식 2][Formula 2]

제1 발광칩 그룹(G1)에 인가되는 전류의 비=IR1, 제2 발광칩 그룹(G2)에 인가되는 전류의 비=IR2, 제3 발광칩 그룹(G3)에 인가되는 전류의 비=IR3, 제4 발광칩 그룹(G4)에 인가되는 전류의 비=IR4 일 때, The ratio of the current applied to the first light emitting chip group G1 = IR1, the ratio of the current applied to the second light emitting chip group G2 = IR2, the ratio of the current applied to the third light emitting chip group G3 = IR3 , The ratio of the current applied to the fourth light emitting chip group G4 = IR4,

IR1 ≥ IR2 ＞ IR3 ≥ IR4
IR1 ≥ IR2> IR3 ≥ IR4

예를 들어, IR1 : IR2 : IR3 : IR4 = 1: 0.9 : 0.7 : 0.4일 수 있고, 또는, IR1 : IR2 : IR3 : IR4 = 1: 1 : 0.5 : 0.5일 수 있다.For example IR1: IR2: IR3: IR4 = 1: 0.9: 0.7: 0.4 or IR1: IR2: IR3: IR4 = 1: 1: 0.5: 0.5.

발광부(30)의 제1 내지 제4 발광칩 그룹(G1 내지 G4)이 상술한 조건을 만족하도록 형성됨으로써, 상대적으로 선행하는 단계에서 구동되는 발광칩 그룹에 더 높은 비율의 전류가 인가될 수 있다. 따라서, 상기 발광 장치의 발광 균일성이 향상될 수 있고, 발광 장치의 효율이 향상시켜 전력 손실이 최소화될 수 있다.Since the first to fourth light emitting chip groups G1 to G4 of the light emitting portion 30 are formed to satisfy the above-mentioned condition, a higher rate of current can be applied to the light emitting chip group driven in the relatively preceding step have. Therefore, the light emission uniformity of the light emitting device can be improved, and the efficiency of the light emitting device can be improved, so that the power loss can be minimized.

나아가, 제1 내지 제4 발광칩 그룹(G1 내지 G4) 중 적어도 하나는 서로 다른 면적을 갖는 적어도 2 종류 이상의 발광칩을 포함할 수 있다. 이하, 도 3 내지 도 5를 참조하여, 이와 관련하여 상세하게 설명한다.In addition, at least one of the first to fourth light emitting chip groups G1 to G4 may include at least two kinds of light emitting chips having different areas. Hereinafter, this will be described in detail with reference to FIG. 3 to FIG.

먼저, 도 3 및 도 4를 참조하면, 상기 발광 장치는 제1 발광칩(110) 및 제2 발광칩(120)을 포함할 수 있다. 제1 발광칩(110)과 제2 발광칩(120)은 서로 다른 발광 면적을 가질 수 있고, 예를 들어, 제1 발광칩(110)의 발광 면적과 제2 발광칩(120)의 발광 면적의 비는, (제1 발광칩(110)의 발광 면적 : 제2 발광칩(120)의 발광 면적 = 약 1:0.4)의 조건을 만족할 수 있다.Referring to FIGS. 3 and 4, the light emitting device may include a first light emitting chip 110 and a second light emitting chip 120. The first light emitting chip 110 and the second light emitting chip 120 may have different light emitting areas and the light emitting area of the first light emitting chip 110 and the light emitting area of the second light emitting chip 120, (Light emitting area of the first light emitting chip 110: light emitting area of the second light emitting chip 120 = about 1: 0.4) can be satisfied.

제1 내지 제4 발광칩 그룹(G1 내지 G4)은 각각 제1 발광칩(110)과 제2 발광칩(120) 중 적어도 하나를 포함할 수 있으며, 제1 내지 제4 발광칩 그룹(G1 내지 G4) 각각의 발광 면적은 제1 발광칩(110)과 제2 발광칩(120) 중 적어도 하나를 포함하는 조합을 통해 결정될 수 있다.The first through fourth light emitting chip groups G1 through G4 may include at least one of the first light emitting chip 110 and the second light emitting chip 120, G4 may be determined through a combination including at least one of the first light emitting chip 110 and the second light emitting chip 120. [

예컨대, 도 4에 도시된 바와 같이, 제1 발광칩 그룹(G1)은 서로 병렬로 연결된 제1 발광칩(110) 및 제2 발광칩(120)을 포함하여, 제1 발광칩 그룹(G1)의 상대적 발광 면적은 1.4일 수 있다. 제2 발광칩 그룹(G2)은 제1 발광칩 그룹(G1)과 직렬 연결되며, 제1 발광칩(110)을 포함하여, 제2 발광칩 그룹(G2)의 상대적 발광 면적은 1.0일 수 있다. 제3 발광칩 그룹(G3)은 제2 발광칩 그룹(G2)에 직렬 연결되고, 서로 병렬로 연결된 2개의 제2 발광칩(120)을 포함하여, 제3 발광칩 그룹(G3)의 상대적 발광 면적은 0.8일 수 있다. 제4 발광칩 그룹(G4)은 제3 발광칩 그룹(G3)과 직렬 연결되며, 제2 발광칩(120)을 포함하여, 제4 발광칩 그룹(G4)의 상대적 발광 면적은 0.4일 수 있다. 따라서, 제1 내지 제4 발광칩 그룹(G1 내지 G4)들 간의 발광면적비는, G1:G2:G3:G4 = 1.4:1.0:0.8:0.4 일 수 있다. For example, as shown in FIG. 4, the first light emitting chip group G1 includes a first light emitting chip 110 and a second light emitting chip 120 connected in parallel to each other, May be 1.4. The second light emitting chip group G2 is connected in series to the first light emitting chip group G1 and includes the first light emitting chip 110 and the relative light emitting area of the second light emitting chip group G2 may be 1.0 . The third light emitting chip group G3 includes two second light emitting chips 120 connected in series to the second light emitting chip group G2 and connected in parallel to each other, The area may be 0.8. The fourth light emitting chip group G4 is connected in series to the third light emitting chip group G3 and includes the second light emitting chip 120 and the relative light emitting area of the fourth light emitting chip group G4 may be 0.4 . Therefore, the light emitting area ratio between the first to fourth light emitting chip groups G1 to G4 may be G1: G2: G3: G4 = 1.4: 1.0: 0.8: 0.4.

또한, 도 5의 (a) 및 (b)에 도시된 바와 같이, 제1 발광칩(110)과 제2 발광칩(120)이 조합되는 방식은 다양하게 변경될 수 있다.5 (a) and 5 (b), the manner in which the first light emitting chip 110 and the second light emitting chip 120 are combined can be variously changed.

이와 같이, 제1 내지 제4 발광칩 그룹(G1 내지 G4) 각각이 서로 다른 발광면적을 갖는 적어도 2 종류 이상의 발광칩 중 적어도 하나를 포함하도록 하여, 상기 [식 1] 및 [식 2]의 조건을 만족하는 발광 장치가 제공될 수 있다.In this way, each of the first to fourth light emitting chip groups G1 to G4 includes at least one of at least two kinds of light emitting chips having different light emitting areas, and the conditions of the above-mentioned [Expression 1] and [Expression 2] Can be provided.

이에 따라, 상기 발광 장치의 발광 균일성 및 효율을 향상시킴과 동시에, 미리 정해진 적어도 2 종류 이상의 발광칩들을 조합함으로써 상기 효과가 달성될 수 있다. 발광칩들의 조합은 필요에 따라 다양하게 변경가능하므로, 상기 발광 장치를 적용하고자 하는 어플리케이션에 따라 임의로 발광칩 그룹들 간의 발광 면적 비 및 전류 비를 용이하게 조절할 수 있다. 따라서, 발광 장치 제조 공정이 간단해지고, 별도의 추가적인 공정이 요구되지 않으며, 어플리케이션에 따라 발광칩을 다시 제조해야하는 번거로움을 최소화시킬 수 있다.Accordingly, the above effects can be achieved by improving the uniformity and efficiency of light emission of the light emitting device, and combining at least two or more kinds of predetermined light emitting chips. Since the combination of the light emitting chips can be variously changed as needed, the light emitting area ratio and the current ratio between the light emitting chip groups can be easily controlled arbitrarily according to the application to which the light emitting device is applied. Therefore, the manufacturing process of the light emitting device is simplified, no additional process is required, and it is possible to minimize the inconvenience of re-manufacturing the light emitting chip according to the application.

특히, 고전압 저전류 전원으로 구동하여 경제적인 고효율 전원에 사용하는 고전압 발광 장치에 있어서, 상술한 실시예들의 기술적 구성들을 포함하는 발광 장치를 제공함으로써, 최소 종류(2종류 이상)의 발광칩을 발광 장치의 목적에 따라 배열하여 발광 장치의 제조 원가를 절감할 수 있다.In particular, by providing a light emitting device including the technical structures of the above embodiments in a high-voltage light emitting device which is driven by a high voltage low current power source and is used for an economical high efficiency power supply, The manufacturing cost of the light emitting device can be reduced by arranging the light emitting device according to the purpose of the device.

또한, 복수의 발광칩들을 이용하여 발광칩 그룹을 형성함으로써, 발광칩들 간의 간격을 조절할 수 있어, 발광칩들간의 간섭으로 인하여 전기적 불량이 발생하는 것을 방지할 수 있다. 더욱이, 발광칩들의 간격을 자유롭게 조절 가능하므로, 인접하는 발광칩들 간에 발생할 수 있는 광 간섭 역시 감소시킬 수 있다.In addition, by forming a light emitting chip group using a plurality of light emitting chips, it is possible to control the distance between the light emitting chips, thereby preventing the occurrence of electrical failure due to interference between the light emitting chips. Furthermore, since the intervals of the light emitting chips can be freely adjusted, the light interference that may occur between adjacent light emitting chips can also be reduced.

한편, 본 실시예에서는 2종류의 발광칩 조합하는 것으로 설명하고 있으나, 본 발명은 이에 한정되지 않으며, 3종류 이상의 서로 다른 발광 면적을 갖는 발광 칩을 조합하여 상기 발광 장치를 구현하는 것 역시 본 발명의 범위에 포함된다.In the meantime, although the embodiment is described as combining two kinds of light emitting chips, the present invention is not limited to this, and it is also possible to implement the light emitting device by combining light emitting chips having three or more different light emitting areas, .

이상에서, 본 발명의 다양한 실시예들에 대하여 설명하였지만, 상술한 각각의 실시예들 및 특징들에 본 발명이 한정되는 것은 아니다. 실시예들에서 설명하는 기술적 특징들의 결합 및 치환을 통하여 변경된 발명 역시 본 발명의 범위에 모두 포함되며, 본 발명의 특허청구범위에 의한 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 변형과 변경이 가능하다.
While the present invention has been described in connection with what is presently considered to be the most practical and preferred embodiment, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed embodiments. It will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations can be made in the present invention without departing from the spirit or scope of the following claims.

Claims (6)

교류 전원을 통해 순차 구동되는 발광 장치에 있어서,
서로 직렬 연결된 제1 내지 제4 발광칩 그룹을 포함하고,
제1 내지 제4 발광칩 그룹 각각은 서로 다른 발광 면적을 갖는 적어도 2 종류 이상의 발광칩들 중 적어도 하나가 전기적으로 연결된 조합을 포함하며,
하기 [식 1]의 조건을 만족하는 발광 장치.
([식 1]
제1 발광칩 그룹 내 발광칩의 발광 면적의 총합=A1, 제2 발광칩 그룹 내 발광칩의 발광 면적의 총합=A2, 제3 발광칩 그룹 내 발광칩의 발광면적의 총합=A3, 제4 발광칩 그룹 내 발광칩의 발광면적의 총합=A4 일 때,
A1 ≥ A2 ＞ A3 ≥ A4.)A light emitting device sequentially driven by an AC power source,
And first to fourth light emitting chip groups connected to each other in series,
Each of the first to fourth light emitting chip groups includes a combination in which at least one of at least two kinds of light emitting chips having different light emitting areas are electrically connected,
The light emitting device satisfying the following condition (1).
([Equation 1]
The sum of the light emitting areas of the light emitting chips in the first light emitting chip group = A 1, the sum of the light emitting areas of the light emitting chips in the second light emitting chip group = When the sum of the light emitting areas of the light emitting chips in the light emitting chip group is A4,
A1 ≥ A2> A3 ≥ A4. 청구항 1에 있어서,
하기 [식 2]의 조건을 만족하는 발광 장치.
([식 2]
제1 발광칩 그룹에 인가되는 전류의 비=IR1, 제2 발광칩 그룹에 인가되는 전류의 비=IR2, 제3 발광칩 그룹에 인가되는 전류의 비=IR3, 제4 발광칩 그룹에 인가되는 전류의 비=IR4 일 때,
IR1 ≥ IR2 ＞ IR3 ≥ IR4)The method according to claim 1,
The light emitting device satisfies the following expression (2).
(Equation 2)
The ratio of the current applied to the first light emitting chip group = IR1, the ratio of the current applied to the second light emitting chip group = IR2, the ratio of the current applied to the third light emitting chip group = IR3, When the ratio of current = IR4,
IR1 ≥ IR2> IR3 ≥ IR4) 청구항 1에 있어서,
상기 제1 발광칩 그룹은 상기 제2 발광칩 그룹보다 긴 발광 구간을 갖고, 상기 제2 발광칩 그룹은 상기 제3 발광칩 그룹보다 긴 발광 구간을 갖고, 상기 제3 발광칩 그룹은 상기 제4 발광칩 그룹보다 긴 발광 구간을 갖는 발광 장치.The method according to claim 1,
Wherein the first light emitting chip group has a light emitting section longer than the second light emitting chip group, the second light emitting chip group has a light emitting section longer than the third light emitting chip group, And a light emitting section that is longer than the light emitting chip group. 청구항 1에 있어서,
상기 적어도 2종류 이상의 발광칩은 제1 발광칩 및 제2 발광칩을 포함하고,
상기 제1 발광칩과 제2 발광칩 간의 상대적 면적비는 1:0.4인 발광 장치.The method according to claim 1,
Wherein the at least two kinds of light emitting chips include a first light emitting chip and a second light emitting chip,
Wherein the relative area ratio between the first light emitting chip and the second light emitting chip is 1: 0.4. 청구항 4에 있어서,
상기 제1 발광칩 그룹은 하나의 상기 제1 발광칩 및 하나의 상기 제2 발광칩을 포함하고,
상기 제2 발광칩 그룹은 하나의 상기 제1 발광칩을 포함하며,
상기 제3 발광칩 그룹은 두 개의 상기 제2 발광칩을 포함하고,
상기 제4 발광칩 그룹은 하나의 제2 발광칩을 포함하는 발광 장치.The method of claim 4,
Wherein the first light emitting chip group includes one of the first light emitting chip and one second light emitting chip,
Wherein the second light emitting chip group includes one of the first light emitting chips,
The third light emitting chip group includes two second light emitting chips,
And the fourth light emitting chip group includes one second light emitting chip. 청구항 1에 있어서,
상기 교류 전원을 직류 정류하는 정류부를 더 포함하는 발광 장치.
The method according to claim 1,
And a rectifying section for DC rectifying the AC power.
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